JPH01141402A - マイクロ波集積回路装置 - Google Patents
マイクロ波集積回路装置Info
- Publication number
- JPH01141402A JPH01141402A JP62300982A JP30098287A JPH01141402A JP H01141402 A JPH01141402 A JP H01141402A JP 62300982 A JP62300982 A JP 62300982A JP 30098287 A JP30098287 A JP 30098287A JP H01141402 A JPH01141402 A JP H01141402A
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- JP
- Japan
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- capacitor
- mic
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- board
- integrated circuit
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- Pending
Links
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Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は高周波集積回路装置に使用される各種のマイ
クロ波集積回路に関し、特にＭＩＣ基板の基板間線路の
接続に関するものである。
クロ波集積回路に関し、特にＭＩＣ基板の基板間線路の
接続に関するものである。
第３図１Ｍ）、 （ｂ）は従来の高周波集積回路装置の
ＭＩＣ基板間の接続構造を示し、図において１は第１の
ＭＩＣ゛基板、２は第２のＭＩＣ基板、３は第２のＭＩ
Ｃ基板２上に設けられたＤＣカット用コンデンサで、第
２のＭＩＣ基板２でバイアス等を必要とする場合、第１
、第２のＭＩＣ基板１．２間を直流的に遮断するための
ものである。４はケース（パッケージ）等の地導体、５
は第１のＭＩＣ基板１と第２のＭＩＧ基板２とを接続す
るための金、銀等のリボンである。
ＭＩＣ基板間の接続構造を示し、図において１は第１の
ＭＩＣ゛基板、２は第２のＭＩＣ基板、３は第２のＭＩ
Ｃ基板２上に設けられたＤＣカット用コンデンサで、第
２のＭＩＣ基板２でバイアス等を必要とする場合、第１
、第２のＭＩＣ基板１．２間を直流的に遮断するための
ものである。４はケース（パッケージ）等の地導体、５
は第１のＭＩＣ基板１と第２のＭＩＧ基板２とを接続す
るための金、銀等のリボンである。
このような装置では、第２のＭＩＣ基板２において線路
を通してダイオード、トランジスタ等にＤＣバイアスが
必要なとき、第１のＭＩＣ基板基板おいてはその線路が
直流的に接地されているとか、あるいは第２の基板２と
は異なったバイアスが印加されている場合があり、その
ような場合には第１、第２のＭＩＣ基板基板２の線路間
で直流成分を遮断する目的でＤＣカット用コンデンサ３
を第２のＭＩＣ基板２上に設けるようにしている。
を通してダイオード、トランジスタ等にＤＣバイアスが
必要なとき、第１のＭＩＣ基板基板おいてはその線路が
直流的に接地されているとか、あるいは第２の基板２と
は異なったバイアスが印加されている場合があり、その
ような場合には第１、第２のＭＩＣ基板基板２の線路間
で直流成分を遮断する目的でＤＣカット用コンデンサ３
を第２のＭＩＣ基板２上に設けるようにしている。
このコンデンサ３では通常の５０Ω線路であれば高周波
成分をできるだけ損失なく通過させるために、つまりＺ
−１／２πｆＣの式によりＺをできるだけ小さくするた
めにその容量Ｃを大きく選んである。
成分をできるだけ損失なく通過させるために、つまりＺ
−１／２πｆＣの式によりＺをできるだけ小さくするた
めにその容量Ｃを大きく選んである。
また第゛１のＭＩＣ基板１と第２のＭＩＣ基板２の高周
波成分を接続するためのリボン５であるが、このリボン
５はそのインダクタンス、及びこれと基板あるいはアー
ス間の浮遊容量を低減するため特にマイクロ波以上の高
周波領域では極力短くする必要があり、通常温度衝撃が
加わるところ以外ではリボンはフォーミングしないで基
板上にボンディングしている。
波成分を接続するためのリボン５であるが、このリボン
５はそのインダクタンス、及びこれと基板あるいはアー
ス間の浮遊容量を低減するため特にマイクロ波以上の高
周波領域では極力短くする必要があり、通常温度衝撃が
加わるところ以外ではリボンはフォーミングしないで基
板上にボンディングしている。
従来の高周波回路装置では、マイクロ波集積回路のＭＩ
Ｃ基板の線路間を該線路幅と同程度の幅のリボンで接続
しており、高周波成分においては、そのリボンのインダ
クタンス、又基板間のスキ間による、リボンとアース間
の浮遊容量が無視することが出来なくなり、電圧定在波
比（ＶＳＷＲ）の劣化、損失の増大化を招くなどの問題
点があった。
Ｃ基板の線路間を該線路幅と同程度の幅のリボンで接続
しており、高周波成分においては、そのリボンのインダ
クタンス、又基板間のスキ間による、リボンとアース間
の浮遊容量が無視することが出来なくなり、電圧定在波
比（ＶＳＷＲ）の劣化、損失の増大化を招くなどの問題
点があった。
また第２のＭＩＧ基板２ではその線路がＤＣカット用コ
ンデンサの搭載されている部分で切れているため、線路
がつながっている場合に比べて電圧定在波比が悪化して
おり、上述のリボンによる特性劣化と合わさって装置全
体として大幅な特性劣化を招くといった問題点があった
。
ンデンサの搭載されている部分で切れているため、線路
がつながっている場合に比べて電圧定在波比が悪化して
おり、上述のリボンによる特性劣化と合わさって装置全
体として大幅な特性劣化を招くといった問題点があった
。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ＶＳＷＲ特性を良好なものとでき、これによ
りマイクロ波電力の損失を低減できるマイクロ波集積回
路装置を得ることを目的とする。
たもので、ＶＳＷＲ特性を良好なものとでき、これによ
りマイクロ波電力の損失を低減できるマイクロ波集積回
路装置を得ることを目的とする。
この発明に係るマイクロ波集積回路装置は、マイクロ波
集積回路基板の内所定の２つの基板間あるいはこれらの
一方の基板の端部にＤＣＣカットコンデンサを配置し、
該両基板を、該ＤＣカット用コンデンサにより直接接続
して、あるいは他方の基板の端部と上記コンデンサとを
ワイヤ又はリボンボンディングにより接続して結合した
ものである。
集積回路基板の内所定の２つの基板間あるいはこれらの
一方の基板の端部にＤＣＣカットコンデンサを配置し、
該両基板を、該ＤＣカット用コンデンサにより直接接続
して、あるいは他方の基板の端部と上記コンデンサとを
ワイヤ又はリボンボンディングにより接続して結合した
ものである。
この発明においては、マイクロ波集積回路基板の線路間
を直接リボン接続方式で行わずに、ＤＣカット用のコン
デンサを用いて行なうようにしたから、ＤＣカット用コ
ンデンサを必要とするＭＩＣ基板の線路の接続箇所を少
なくすることができ、ＶＳＷＲの劣化、損失の増大を小
さく抑えることができ、この結実装置全体の性能を向上
できる。
を直接リボン接続方式で行わずに、ＤＣカット用のコン
デンサを用いて行なうようにしたから、ＤＣカット用コ
ンデンサを必要とするＭＩＣ基板の線路の接続箇所を少
なくすることができ、ＶＳＷＲの劣化、損失の増大を小
さく抑えることができ、この結実装置全体の性能を向上
できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図（ａ）、 Ｃｂ＞は本発明の一実施例によるマイ
クロ波集積回路装置のＭＩＣ基板間の接続構造を示し、
図において、１は第１のＭＩＣ基板、２は第２のＭＩＣ
基板、３は第１のＭＩＣ基板１と第２のＭＩＣ基板２と
の間に配置され、これらの線路を直接接続するＤＣカッ
ト用コンデンサで、これは両ＭＩＣ基板間で直流成分は
遮断し、高周波成分は通過させるようにするためのもの
である。また４は地導体である。
クロ波集積回路装置のＭＩＣ基板間の接続構造を示し、
図において、１は第１のＭＩＣ基板、２は第２のＭＩＣ
基板、３は第１のＭＩＣ基板１と第２のＭＩＣ基板２と
の間に配置され、これらの線路を直接接続するＤＣカッ
ト用コンデンサで、これは両ＭＩＣ基板間で直流成分は
遮断し、高周波成分は通過させるようにするためのもの
である。また４は地導体である。
次に作用効果について説明する。
このような装置では、各基板１． ２の線路端間及び基
板端間の距離をコンデンサ３取付けのためのギャップを
考慮して設計しておくだけで、第３図に示す従来の方式
のように第２のＭＩＣ基板２内の線路間に取付けられて
いたコンデンサ３を、第１のＭＩＣ基板１と第２のＭ［
Ｃ基板２との間の空間を利用して取付けることができ、
従来の基板間接続用のリボン５が不要となり、このため
、リボン接続によるＶＳＷＲの劣化、損失の増大をなく
すことができる。またＤＣカット用コンデンサを必要と
するＭＩＣ基板では線路の切れている部分を少なくする
ことができ、大きく特性を向上することができる。
板端間の距離をコンデンサ３取付けのためのギャップを
考慮して設計しておくだけで、第３図に示す従来の方式
のように第２のＭＩＣ基板２内の線路間に取付けられて
いたコンデンサ３を、第１のＭＩＣ基板１と第２のＭ［
Ｃ基板２との間の空間を利用して取付けることができ、
従来の基板間接続用のリボン５が不要となり、このため
、リボン接続によるＶＳＷＲの劣化、損失の増大をなく
すことができる。またＤＣカット用コンデンサを必要と
するＭＩＣ基板では線路の切れている部分を少なくする
ことができ、大きく特性を向上することができる。
なお、上記実施例ではＤＣカット用コンデンサの画電極
をそれぞれＭＩＣ基板の線路端部に直接接続した場合を
示したが、これは第２図（ａ）、 （ｂ）に示すように
コンデンサ３をその電極を上下にして一方のＭＩＣ基板
２の端部に配置し、ワイヤあるいはリボン６で該コンデ
ンサの電極と他のＭＩＧ基板１の線路を接続してもよい
、この場合ＭＩＣ基板の線路の切れている部分を少なく
して特性を向上できるのは言うまでもなく、ワイヤ６あ
るいはフォーミングしたリボンを用いることにより温度
衝撃の起こる箇所での接続も行なうことができ、またワ
イヤ６の長さとコンデンサ３の容量を適当に選ぶことに
より基板間のインピーダンスマツチングをより精度よく
行なうことができる。
をそれぞれＭＩＣ基板の線路端部に直接接続した場合を
示したが、これは第２図（ａ）、 （ｂ）に示すように
コンデンサ３をその電極を上下にして一方のＭＩＣ基板
２の端部に配置し、ワイヤあるいはリボン６で該コンデ
ンサの電極と他のＭＩＧ基板１の線路を接続してもよい
、この場合ＭＩＣ基板の線路の切れている部分を少なく
して特性を向上できるのは言うまでもなく、ワイヤ６あ
るいはフォーミングしたリボンを用いることにより温度
衝撃の起こる箇所での接続も行なうことができ、またワ
イヤ６の長さとコンデンサ３の容量を適当に選ぶことに
より基板間のインピーダンスマツチングをより精度よく
行なうことができる。
以上のように、この発明によればマイクロ波集積回路基
板の内所定の２つの基板間あるいはこれらの一方の基板
の端部にＤＣカット用コンデンサを配置し、該両基板を
、該ＤＣカント用コンデンサにより直接接続して、ある
いは他方の基板の端部と該コンデンサとをワイヤ又はり
ポンボンディングにより接続して結合したので、マイク
ロ波電力の損失を低減してＶＳＷＲ特性を良好なものと
できるとともに、ＤＣカット用コンデンサの装着とＭＩ
Ｃ基板間の接続とをまとめて行なうことができ、これに
より安価でかつ性能の良好なマイクロ波集積回路装置を
得ることができる。
板の内所定の２つの基板間あるいはこれらの一方の基板
の端部にＤＣカット用コンデンサを配置し、該両基板を
、該ＤＣカント用コンデンサにより直接接続して、ある
いは他方の基板の端部と該コンデンサとをワイヤ又はり
ポンボンディングにより接続して結合したので、マイク
ロ波電力の損失を低減してＶＳＷＲ特性を良好なものと
できるとともに、ＤＣカット用コンデンサの装着とＭＩ
Ｃ基板間の接続とをまとめて行なうことができ、これに
より安価でかつ性能の良好なマイクロ波集積回路装置を
得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例によるマイクロ波集積回路
装置の基板間の接続構造を示す図、第２図はこの発明の
他の実施例によるＭＩＧ基板間の接続構造を示す図、第
３図は従来の高周波集積回路装置のＭＩＣ基板間の接続
構造を示す図である。 図において、１は第１のＭｒＣ基板、２は第２のＭＩＣ
基板、３はＤＣカット用コンデンサ、４は地導体、５は
リボン、６はワイヤである。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
装置の基板間の接続構造を示す図、第２図はこの発明の
他の実施例によるＭＩＧ基板間の接続構造を示す図、第
３図は従来の高周波集積回路装置のＭＩＣ基板間の接続
構造を示す図である。 図において、１は第１のＭｒＣ基板、２は第２のＭＩＣ
基板、３はＤＣカット用コンデンサ、４は地導体、５は
リボン、６はワイヤである。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）複数のマイクロ波集積回路基板を有するマイクロ
波集積回路装置において、 上記マイクロ波集積回路基板の内所定の基板間あるいは
該両基板の一方の端部にＤＣカット用コンデンサを配置
し、 上記両基板を、該ＤＣカット用コンデンサにより直接接
続して、あるいは他方の基板の端部と該コンデンサとを
ワイヤ又はリボンボンディングにより接続して結合した
ことを特徴とするマイクロ波集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62300982A JPH01141402A (ja) | 1987-11-28 | 1987-11-28 | マイクロ波集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62300982A JPH01141402A (ja) | 1987-11-28 | 1987-11-28 | マイクロ波集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01141402A true JPH01141402A (ja) | 1989-06-02 |
Family
ID=17891407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62300982A Pending JPH01141402A (ja) | 1987-11-28 | 1987-11-28 | マイクロ波集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01141402A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04345301A (ja) * | 1991-05-23 | 1992-12-01 | Mitsubishi Electric Corp | 信号回路 |
| JP2004129053A (ja) * | 2002-10-04 | 2004-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | Ｄｃブロック回路および通信装置 |
-
1987
- 1987-11-28 JP JP62300982A patent/JPH01141402A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04345301A (ja) * | 1991-05-23 | 1992-12-01 | Mitsubishi Electric Corp | 信号回路 |
| JP2004129053A (ja) * | 2002-10-04 | 2004-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | Ｄｃブロック回路および通信装置 |
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