JPS61199301A - 高周波基板 - Google Patents
高周波基板Info
- Publication number
- JPS61199301A JPS61199301A JP60038906A JP3890685A JPS61199301A JP S61199301 A JPS61199301 A JP S61199301A JP 60038906 A JP60038906 A JP 60038906A JP 3890685 A JP3890685 A JP 3890685A JP S61199301 A JPS61199301 A JP S61199301A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit block
- conductor
- board
- circuit
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
Landscapes
- Waveguides (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、誘電体基板上に複数の回路ブロックとアース
用導体とを設けた高周波基板に関する。
用導体とを設けた高周波基板に関する。
高周波回路を基板上に形成する場合、ＣＱ出版株式会社
発行の雑誌「アマチュアのＶ−ＵＨＦ技術」Ｐ５９−Ｐ
６３に記述されているように、マイクロストリップライ
ンを信号の伝送路として用いることが一般に行われてい
る。
発行の雑誌「アマチュアのＶ−ＵＨＦ技術」Ｐ５９−Ｐ
６３に記述されているように、マイクロストリップライ
ンを信号の伝送路として用いることが一般に行われてい
る。
すなわち、例えば第２図の回路図に示すようＫ、信号源
５から信号源インピーダンス４、回路ブロック１．２．
３を介して負荷６に信号を伝送する場合、伝送する信号
の周波数がＵＨＦ帯などの高周波になると、入出力回路
に整合損失がでてくるため、マイクロストリップライン
を信号の伝送路として用いて回路を形成することがある
。
５から信号源インピーダンス４、回路ブロック１．２．
３を介して負荷６に信号を伝送する場合、伝送する信号
の周波数がＵＨＦ帯などの高周波になると、入出力回路
に整合損失がでてくるため、マイクロストリップライン
を信号の伝送路として用いて回路を形成することがある
。
第３図は、かかるマイクロストリップラインを用いた回
路の一例を示す回路図であって、７はマイクロストリッ
プライン、８は信号源インピーダンス、９は信号源、１
０は負荷である。この第３図において、ＺＬなるインピ
ーダンスをもった負荷１０に、その長さ！が！＝λ／４
（ただし、λは信号の波長）なるマイクロストリップラ
イン７をつなぐと、マイクロストリップライン７の特性
インピーダンスＺｏを適当に変えることにより、入力イ
ンピーダンスＺ！ルを埋々選定できる。すなわち、マイ
クロストリップライン７の特性インヒーダンスＺｏはそ
の幅によって変化するため、λ／４長のマイクロストリ
ップライン７の幅を適当に変えることにより、入カイ／
ビーダンスＺｉｎを信号源インピーダンスＺｇにマツチ
ングさせることができ、信号源９から負荷１０に至るま
での整合状態が得られる。
路の一例を示す回路図であって、７はマイクロストリッ
プライン、８は信号源インピーダンス、９は信号源、１
０は負荷である。この第３図において、ＺＬなるインピ
ーダンスをもった負荷１０に、その長さ！が！＝λ／４
（ただし、λは信号の波長）なるマイクロストリップラ
イン７をつなぐと、マイクロストリップライン７の特性
インピーダンスＺｏを適当に変えることにより、入力イ
ンピーダンスＺ！ルを埋々選定できる。すなわち、マイ
クロストリップライン７の特性インヒーダンスＺｏはそ
の幅によって変化するため、λ／４長のマイクロストリ
ップライン７の幅を適当に変えることにより、入カイ／
ビーダンスＺｉｎを信号源インピーダンスＺｇにマツチ
ングさせることができ、信号源９から負荷１０に至るま
での整合状態が得られる。
Ｋ４図は、このようなマイクロストリップラインを含む
回路を基板上に設けた高周波基板の従来例テアって、１
１は誘電体基板、１２はアース導体、１３．１４．１５
は回路ブロック、１３α、１４α、１５αはマイクロス
トリップラインである。
回路を基板上に設けた高周波基板の従来例テアって、１
１は誘電体基板、１２はアース導体、１３．１４．１５
は回路ブロック、１３α、１４α、１５αはマイクロス
トリップラインである。
同図において、誘電体基板１１の下面には鋼箔等からな
るアース導体１２が設けられ、該誘電体基板１１の上面
には、各回路ブロック１３．１４．１５とその中に各マ
イクロストリップライン１３α、１４α、１５αがそれ
ぞれ設けられている。これらマイクロストリップライン
１３α、１４α、工５αは、誘電体基板１１の上面全体
に設けられた鋼箔等を所望のパターンにエツチングする
ことＫよって形成される。
るアース導体１２が設けられ、該誘電体基板１１の上面
には、各回路ブロック１３．１４．１５とその中に各マ
イクロストリップライン１３α、１４α、１５αがそれ
ぞれ設けられている。これらマイクロストリップライン
１３α、１４α、工５αは、誘電体基板１１の上面全体
に設けられた鋼箔等を所望のパターンにエツチングする
ことＫよって形成される。
しかしながら、かかる従来の高周波基板にあっては、各
回路ブロック１３．１４．１５を誘電体基板１１上に互
いに近接した状態で配設すると、各回路ブロック１３．
１４．１５での不所望な電磁結合により回路が不安定に
なることがあり、そのため、各回路ブロック間の＠Ｗを
あまり小さくできず、小型化の妨げとなっていた。
回路ブロック１３．１４．１５を誘電体基板１１上に互
いに近接した状態で配設すると、各回路ブロック１３．
１４．１５での不所望な電磁結合により回路が不安定に
なることがあり、そのため、各回路ブロック間の＠Ｗを
あまり小さくできず、小型化の妨げとなっていた。
第５図は、このようなスペース上の問題を考慮して提案
された高周波基板の他の従来例であって、１１′、１１
’は誘電体基板であり、第４図に対応する部分には同一
符号を付けである。
された高周波基板の他の従来例であって、１１′、１１
’は誘電体基板であり、第４図に対応する部分には同一
符号を付けである。
同図において、回路ブロック１３を搭載！−か誘電体基
板１１〃と回路ブロック１４を搭載した誘電体基板１１
“とは、アース導体１２を共通の接地面として接合され
ており、第４図に示す高周波基板に比べてスペース効率
の向上がはかられている。
板１１〃と回路ブロック１４を搭載した誘電体基板１１
“とは、アース導体１２を共通の接地面として接合され
ており、第４図に示す高周波基板に比べてスペース効率
の向上がはかられている。
かかるアース導体１２の形成手段としては、両誘電体基
板１１’、１１γそれぞれ設けたアース導体を接着剤に
て接合したり、あるいは印刷技術により２枚のグリーン
シートに所望の印刷配線処理を施し、アース導体１２を
含む多層基板を焼結により一体成形する方法があるが、
前者は温度や湿度等の影響変化によって接合力が劣化し
て両誘電体基板１１′、１１″が剥離するおそれがあり
、後者は製造コストが上昇してしまう欠点がある。
板１１’、１１γそれぞれ設けたアース導体を接着剤に
て接合したり、あるいは印刷技術により２枚のグリーン
シートに所望の印刷配線処理を施し、アース導体１２を
含む多層基板を焼結により一体成形する方法があるが、
前者は温度や湿度等の影響変化によって接合力が劣化し
て両誘電体基板１１′、１１″が剥離するおそれがあり
、後者は製造コストが上昇してしまう欠点がある。
また、この従来例にあっては、搭載される回路ブロック
が３個以上になると、少なくとも２個の回路ブロックを
同一の誘電体基板１１′またはｌｆ上に設ける必要があ
る。従って、この場合、同一の誘電体基板上に設ゆられ
る各回路ブロック間の幅は、第４図に示した従来例と同
様にあまり小さくできず、スペースの利用効率が低減さ
れてしまう。
が３個以上になると、少なくとも２個の回路ブロックを
同一の誘電体基板１１′またはｌｆ上に設ける必要があ
る。従って、この場合、同一の誘電体基板上に設ゆられ
る各回路ブロック間の幅は、第４図に示した従来例と同
様にあまり小さくできず、スペースの利用効率が低減さ
れてしまう。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き、小型化が
可能で高周波特性の優れた高周波基板を提供するにある
。
可能で高周波特性の優れた高周波基板を提供するにある
。
この目的を達成するために、本発明は、複数のアース導
体を誘電体基板の上下両面に互いに重ならない部分を残
して形成し、これら各部分に各アース導体に対応して信
号伝導用の路線導体を形成し、かつ、誘電導体の上下両
面に設ゆられるアース導体を互いに導通させた点を特徴
とする。
体を誘電体基板の上下両面に互いに重ならない部分を残
して形成し、これら各部分に各アース導体に対応して信
号伝導用の路線導体を形成し、かつ、誘電導体の上下両
面に設ゆられるアース導体を互いに導通させた点を特徴
とする。
以下、本発明の実施例を図面について説明する。
第１図は本発明による高周波基板の一実施例を示す斜視
図であって、１６．１７．１８はアース導体、１９．２
ｏはスルーホール導体であり、第４図に対応する部分に
は同一符号を付けである。
図であって、１６．１７．１８はアース導体、１９．２
ｏはスルーホール導体であり、第４図に対応する部分に
は同一符号を付けである。
第１図において、誘電体基板１１の上面には、左から順
にアース導体１６、マイクロストリップライン１４αを
含む回路ブロック１４、アース導体１８が所定の面積毎
に形成されている。一方、誘電体基板１１の下面には、
上記配列とは逆、すなわちマイクロストリップライン（
図示せず）を含む回路ブロック１３、アース導体１７、
マイクロストリップライン（図示せず）を含む回路ブロ
ック１５が左から順に所定面積毎に形成されておリ、各
アース導体１６．１７．１８は誘電体基板１１を貫通す
るスルーホール導体１９．２０によって導通されている
。これらアース導体、マイクロストリップライン及びス
ルーホール導体は、印刷技術やエツチング法等を用いて
誘電体基板１１の上下両面に形成される。
にアース導体１６、マイクロストリップライン１４αを
含む回路ブロック１４、アース導体１８が所定の面積毎
に形成されている。一方、誘電体基板１１の下面には、
上記配列とは逆、すなわちマイクロストリップライン（
図示せず）を含む回路ブロック１３、アース導体１７、
マイクロストリップライン（図示せず）を含む回路ブロ
ック１５が左から順に所定面積毎に形成されておリ、各
アース導体１６．１７．１８は誘電体基板１１を貫通す
るスルーホール導体１９．２０によって導通されている
。これらアース導体、マイクロストリップライン及びス
ルーホール導体は、印刷技術やエツチング法等を用いて
誘電体基板１１の上下両面に形成される。
このように、マイクロストリップラインを含む回路ブロ
ックと該回路ブロックの接地用アース導体とを、一枚の
誘電体基板１１の上下両面に交互に入れ換えて形成した
ため、平面的にみた各回路ブロック１３．１４．１５の
間隔を近接させることができ、高周波基板の小型化が図
れる。また、各アース導体１６〜１８をスルーホール導
体１９．２０を介して導通させてなるため、各回路ブロ
ック１３〜１５は、誘電体基板１１の同一面上で隣り合
うアース導体と誘電体基板１１を介して反対面に配設さ
れたアース導体とによりシールドされ、このため、回路
ブロック相互間の干渉はなくなり、各回路ブロック１３
〜１５の動作を安定させることができる。
ックと該回路ブロックの接地用アース導体とを、一枚の
誘電体基板１１の上下両面に交互に入れ換えて形成した
ため、平面的にみた各回路ブロック１３．１４．１５の
間隔を近接させることができ、高周波基板の小型化が図
れる。また、各アース導体１６〜１８をスルーホール導
体１９．２０を介して導通させてなるため、各回路ブロ
ック１３〜１５は、誘電体基板１１の同一面上で隣り合
うアース導体と誘電体基板１１を介して反対面に配設さ
れたアース導体とによりシールドされ、このため、回路
ブロック相互間の干渉はなくなり、各回路ブロック１３
〜１５の動作を安定させることができる。
なお、上記実施例にあっては、信号伝送路としてマイク
ロストリップラインを用いたものについて説明したが、
本発明は、マイクロストリップライン以外のパターン面
を信号伝送路とした高周波基板にも適用可能である。こ
の場会は、回路の部分毎に、アース面と信号伝送路用パ
ターン面とを誘電体基板の上下面に交互に入れ換えて形
成すれば良い。
ロストリップラインを用いたものについて説明したが、
本発明は、マイクロストリップライン以外のパターン面
を信号伝送路とした高周波基板にも適用可能である。こ
の場会は、回路の部分毎に、アース面と信号伝送路用パ
ターン面とを誘電体基板の上下面に交互に入れ換えて形
成すれば良い。
以上説明したように、本発明によれば、高周波回路を構
成する各回路ブロックを、誘電体基板の限られた空間内
に近接した状態で配設でｉ、それだけ小型化が可能とな
り、さらに、１つの回路ブロックを自身のアース導体と
隣接する回路のアース導体とによりシールドして高周波
特性を向上することができるから、上記従来技術の欠点
を除いて優れた高周波基板を提供することができる。
成する各回路ブロックを、誘電体基板の限られた空間内
に近接した状態で配設でｉ、それだけ小型化が可能とな
り、さらに、１つの回路ブロックを自身のアース導体と
隣接する回路のアース導体とによりシールドして高周波
特性を向上することができるから、上記従来技術の欠点
を除いて優れた高周波基板を提供することができる。
第１図は本発明による高周波基板の一実施例を示す斜視
図、第２図は本発明が対象とする高周波回路の一例を示
す回路図、第３図はその回路におけるマイクロストリッ
プラインの使用例を示す回路図、第４図は高周波基板の
従来例を示す斜視図、第５図は高周波基板の他の従来例
を示す斜視図である。 １１・・・・・・誘電体基板、１３．１４．１５・旧・
・回路ブロック、１３α、１４α、１５ｃＬ・・・・・
・マイクロストリップライン（路線導体）、１６．１７
．１８・・・・・・アース導体、１９．２０・・・・・
・スルーホール導体。 第１図 第２図 第３図
図、第２図は本発明が対象とする高周波回路の一例を示
す回路図、第３図はその回路におけるマイクロストリッ
プラインの使用例を示す回路図、第４図は高周波基板の
従来例を示す斜視図、第５図は高周波基板の他の従来例
を示す斜視図である。 １１・・・・・・誘電体基板、１３．１４．１５・旧・
・回路ブロック、１３α、１４α、１５ｃＬ・・・・・
・マイクロストリップライン（路線導体）、１６．１７
．１８・・・・・・アース導体、１９．２０・・・・・
・スルーホール導体。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 誘電体基板を介して信号伝送用の路線導体と接地用のア
ース導体とを対向して高周波回路を形成する高周波基板
において、前記アース導体を前記誘電体基板の上下両面
に互いに重ならない非重合部を存して形成し、前記路線
導体をこれら非重合部内に前記各アース導体に対応して
形成し、かつ、前記各アース導体を互いに導通させたこ
とを特徴とする高周波基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60038906A JPS61199301A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 高周波基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60038906A JPS61199301A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 高周波基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61199301A true JPS61199301A (ja) | 1986-09-03 |
Family
ID=12538235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60038906A Pending JPS61199301A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 高周波基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61199301A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01131525A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多チャンネル光変調素子 |
-
1985
- 1985-03-01 JP JP60038906A patent/JPS61199301A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01131525A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多チャンネル光変調素子 |
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