JP3463720B2 - 高周波回路用パッケージ - Google Patents

高周波回路用パッケージ

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JP3463720B2 JP01994596A JP1994596A JP3463720B2 JP 3463720 B2 JP3463720 B2 JP 3463720B2 JP 01994596 A JP01994596 A JP 01994596A JP 1994596 A JP1994596 A JP 1994596A JP 3463720 B2 JP3463720 B2 JP 3463720B2
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和喜 稲見
通明 笠原
肇 川▲の▼
秀之 小出
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    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05K1/14Structural association of two or more printed circuits
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Landscapes

  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Waveguide Connection Structure (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、増幅器、ミク
サ、発信器等の高周波回路を収納するパッケージの入出
力接続部の特性改良に関する。
【0002】
【従来の技術】図11は従来の高周波回路用パッケージ
の斜視図、図12は従来の高周波回路用パッケージの分
解図、図13はパッケージ入出力用フィードスルー部の
構成図である。図において1は金属性キャリア、2は金
属性フレーム、3は金属性カバー、4はフィードスル
ー、5は金属性キャリアに設けられた取付け用ネジ穴
で、高周波回路用パッケージ6はこれらにより構成され
る。また、フィードスルー4は図13に示すように、下
面にグランドパターン11、上面にストリップ線路パタ
ーン12を有する下層誘電体基板7と上層誘電体基板8
の2層誘電体基板により構成され、金属性キャリア1と
金属性フレーム2との接合部にはフレーム取付け用金属
膜9が設けられている。
【0003】図14及び図15は高周波回路用パッケー
ジの実装例図、図16は高周波回路用パッケージ同士の
接続部の断面図、図17は接続部での電流経路説明図で
ある。図において12は高周波回路用パッケージ6を搭
載するための金属性キャリア、13は高周波回路用パッ
ケージ6を金属性キャリア12に取り付けるためのネ
ジ、14は高周波回路用パッケージ6a,6bにあるス
トリップ線路パターン10同士を接続するための金線、
15は金属性キャリア12上に取付けられた誘電体基
板、16は誘電体基板15上に形成されたストリップ線
路パターン、17は高周波回路用パッケージ6a,6b
の接続部にできる空隙、18及び19はそれぞれ高周波
回路用パッケージ6a,6bの接続部での高周波信号の
ホット電流とリターン電流である。
【0004】次に動作について説明する。内部に高周波
回路が実装された高周波回路用パッケージ6は、金属性
キャリア12にネジ13にて固定された後、図14に示
すように高周波回路用パッケージ6a,6bのストリッ
プ線路パターン10同士を金線14にて接続されたり、
あるいは図15に示すようにストリップ線路パターン1
0は他のストリップ線路パターン16と金線14にて接
続されてより上位の機能が付加されて使用される。この
接続部の高周波電流の経路は例えば図16及び図17に
示すようにホット電流はストリップ線路パターン10a
→金線14→ストリップ線路パターン10bと流れ、リ
ターン電流はグランドパターン11a→金属性キャリア
1a→金属性キャリア12→金属性キャリア1b→グラ
ンドパターン11bと流れて高周波信号が伝搬する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波回路用パ
ッケージは以上のように構成され、前述のように実装さ
れて使用されるため、接続部には空隙ができ、リターン
電流の経路は高周波回路用パッケージの金属性キャリア
の高さの2倍分ホット電流の経路より長くなりホット電
流とリターン電流の位相差が180度よりズレて不要放
射や不整合による損失増加を引き起こすなどの課題があ
った。
【0006】この発明は、上記のような課題を解消する
ためになされたもので、接続部に空隙ができてもホット
電流とリターン電流の経路差を小さくでき、不要放射や
不整合が少ない高周波回路用パッケージを得ることを目
的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明1による高周波
回路用パッケージは、下層誘電体基板の下面にグランド
パターンが上面にストリップ線路パターンが形成された
2層誘電体基板よりなるフィードスルーにおいて、外部
回路との接続部に位置するストリップ線路パターンの両
側に、前記グランドパターンと側面スルーホールあるい
は側面メッキにて接続された上面グランドパターンを設
けコプレナー線路を形成したものである。
【0008】また、この発明2による高周波回路用パッ
ケージは、発明1のストリップ線路パターンの片側に、
前記グランドパターンと側面スルーホールあるいは側面
メッキにて接続された上面グランドパターンを設けスロ
ット線路を形成したものである。
【0009】また、この発明3による高周波回路用パッ
ケージは、発明1,2のグランドパターンと上面グラン
ドパターンとをバイアホールにて接続したものである。
【0010】また、この発明4による高周波回路用パッ
ケージは、発明1〜3の側面スルーホール、側面メッキ
若しくはバイアホールからの上面グランドパターンの長
さとしては、使用周波数帯域において1/4波長よりも
充分短くしたものである。
【0011】また、この発明5による高周波回路用パッ
ケージは、発明1〜3の側面スルーホール、側面メッキ
若しくはバイアホールからの上面グランドパターンの長
さとしては、使用周波数帯域において概ね1/2波長の
整数倍としたものである。
【0012】また、この発明6による高周波回路用パッ
ケージは、発明1,2の上面グランドパターン相当部分
の金属性キャリアに凸部を設けこの凸部と上記ストリッ
プ線路パターンにてコプレナー線路若しくはスロット線
路を形成したものである。
【0013】また、この発明7による高周波回路用パッ
ケージは、発明1〜6の外部回路との接続部に位置する
ストリップ線路パターン及び上面グランドパターン若し
くは金属性キャリア凸部に外部回路との接続用金属性リ
ードを設けたものである。
【0014】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1を示す高
周波回路用パッケージの斜視図、図2はパッケージ入出
力フィードスルーの構成図、図3及び図4は高周波回路
用パッケージの実装例図であり、図において20はフィ
ードスルー、21は高周波回路用パッケージ、22は下
層誘電体基板7に形成された上面グランドパターン、2
3はグランドパターン11と上面グランドパターン22
を接続する側面スルーホール、24はストリップ線路パ
ターン10と上面グランドパターン22とで構成された
コプレナー線路、25は接続用金線、26は誘電体基板
15に形成され誘電体基板15裏面に形成されたグラン
ドパターンと側面スルーホール等によって接続されてい
る上面グランドパターン、27はストリップ線路パター
ン16と上面グランドパターン26とで構成されたコプ
レナー線路である。
【0015】次に動作について説明する。図3は本発明
による高周波回路用パッケージ同士を接続した場合の実
装例図で、ストリップ線路パターン10aと10bは
線25にて接続し、上面グランドパターン22aと22
bは金線25にて接続されている。高周波回路用パッケ
ージ6aと6b間に空隙17がある場合、高周波リター
ン電流19は金線25を介して流れるためホット電流1
8との経路差はほぼ下層誘電体基板7の高さの2倍分程
度に抑えることができるためホット電流とリターン電流
の位相差は180度より大きくずれず不要放射や不整合
による損失を低減することができる。図4は本発明によ
る高周波回路用パッケージを他のストリップ線路パター
ンと接続した場合の実装例図で、誘電体基板15にコプ
レナー線路27を設け高周波回路用パッケージのコプレ
ナー線路24と金線25で接続することにより同様の効
果を奏する。
【0016】実施の形態2.図5はこの発明の実施の形
態2を示すフィードスルーの構成図であり、図において
28はスロット線路であり、実施の形態1のコプレナー
線路24と同様の効果を奏する。
【0017】実施の形態3.図6はこの発明の実施の形
態3を示すフィードスルーの構成図であり、図において
29はバイアホールであり、実施の形態1,2の側面ス
ルーホールと同様の効果を奏する。
【0018】実施の形態4.図7はこの発明の実施の形
態4を示すフィードスルーの構成図であり、側面スルー
ホール23からの上面グランドパターン22のパターン
長L1を使用周波数帯域において1/4波長よりも充分
短くすることにより、ストリップ線路パターン10と上
面グランドパターン22あるいは側面スルーホール23
とで結合した高周波信号の上面グランドパターン22か
らの放射量を抑圧することができる。
【0019】実施の形態5.図8はこの発明の実施の形
態5を示すフィードスルーの構成図であり、側面スルー
ホール23からの上面グランドパターン22のパターン
長L2を使用周波数帯域において概ね1/2波長の整数
倍とすることにより、ストリップ線路パターン10と上
面グランドパターン22あるいは側面スルーホール23
とで結合した高周波信号の上面グランドパターン22か
らの放射量を抑圧することができる。
【0020】実施の形態6.図9はこの発明の実施の形
態6を示すフィードスルーの構成図であり、図において
30は金属性キャリア1に設けられた凸部で、31はス
トリップ線路パターン10と金属性キャリア凸部とで構
成されたコプレナー線路で、実施の形態1のコプレナー
線路24と同様の効果を奏する。
【0021】実施の形態7.図10はこの発明の実施の
形態7を示すフィードスルーの構成図であり、図におい
て32はストリップ線路パターン10、上面グランドパ
ターン22それぞれに設けられた金属性リードであり、
外部回路との接続を容易に行えるという効果がある。
【0022】
【発明の効果】この発明によれば、高周波回路用パッケ
ージのフィードスルーの外部回路との接続部の線路形式
をコプレナー線路とすることにより、外部回路との接続
部における高周波ホット電流とリターン電流の経路差が
小さくでき不要放射や不整合による損失を低減できると
いう効果がある。
【0023】また、この発明によれば、高周波回路用パ
ッケージのフィードスルーの外部回路との接続部の線路
形式をスロット線路とすることにより、外部回路との接
続部における高周波ホット電流とリターン電流の経路差
が小さくでき不要放射や不整合による損失を低減できる
という効果がある。
【0024】また、この発明によれば、発明1,2の側
面スルーホールをバイアホールとすることにより同様の
効果を奏する。
【0025】また、この発明によれば、側面スルーホー
ルからの上面グランドパターン長を使用周波数帯域にお
いて1/4波長よりも充分短くすることにより、上面グ
ランドパターンに誘起した高周波信号の放射を抑制する
ことができる。
【0026】また、この発明によれば、側面スルーホー
ルからの上面グランドパターン長を使用周波数帯域にお
いて概ね1/2波長の整数倍とすることにより、上面グ
ランドパターンに誘起した高周波信号の放射を抑制する
ことができる。
【0027】また、この発明によれば、ストリップ線路
パターンと金属性キャリアに設けられた凸部でコプレナ
ー線路を構成することにより、発明1と同様の効果を奏
する。
【0028】また、この発明によれば、ストリップ線路
パターン、上面グランドパターンそれぞれに金属性リー
ドを設けることにより、外部回路との接続を容易に行え
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明による高周波回路用パッケージの実
施の形態1を示す斜視図である。
【図2】 この発明による高周波回路用パッケージの実
施の形態1におけるパッケージ入出力フィードスルーの
構成図である。
【図3】 この発明による高周波回路用パッケージの実
施の形態1におけるパッケージの実装例図である。
【図4】 この発明による高周波回路用パッケージの実
施の形態1におけるパッケージの実装例図である。
【図5】 この発明による高周波回路用パッケージの実
施の形態2を示すフィードスルーの構成図である。
【図6】 この発明による高周波回路用パッケージの実
施の形態3を示すフィードスルーの構成図である。
【図7】 この発明による高周波回路用パッケージの実
施の形態4を示すフィードスルーの構成図である。
【図8】 この発明による高周波回路用パッケージの実
施の形態5を示すフィードスルーの構成図である。
【図9】 この発明による高周波回路用パッケージの実
施の形態6を示す斜視図である。
【図10】 この発明による高周波回路用パッケージの
実施の形態7を示す斜視図である。
【図11】 従来の高周波回路用パッケージの斜視図で
ある。
【図12】 従来の高周波回路用パッケージの分解図で
ある。
【図13】 パッケージ入出力用フィードスルーの構成
図である。
【図14】 従来の高周波回路用パッケージの実装例図
である。
【図15】 従来の高周波回路用パッケージの実装例図
である。
【図16】 従来の高周波回路用パッケージ同士の接続
部の断面図である。
【図17】 従来の高周波回路用パッケージ同士の接続
部での電流経路説明図である。
【符号の説明】
1 金属性キャリア、2 金属性フレーム、3 金属性
カバー、4 フィードスルー、5 取付用ネジ穴、6
高周波回路用パッケージ、7 下層誘電体基板、8 上
層誘電体基板、9 フレーム取付用金属膜、10 スト
リップ線路パターン、11 グランドパターン、12
金属性キャリア、13 ネジ、14 金線、15 誘電
体基板、16 ストリップ線路パターン、17 空隙、
18 ホット側電流、19 リターン側電流、20 フ
ィードスルー、21 高周波回路用パッケージ、22
上面グランドパターン、23 側面スルーホール、24
コプレナー線路、25 金線、26 上面グランド、2
7 コプレナー線路、28 スロット線路、29 バイ
アホール、30 金属性キャリア凸部、31 コプレナ
ー線路、32 金属性リード。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01P 5/02 603 H01P 5/02 603L (72)発明者 小出 秀之 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三菱電機株式会社内 (56)参考文献 特開 平2−159103(JP,A) 実開 昭61−182098(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 1/02 H01P 5/02 603 H01P 3/08

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 キャリアと、上記キャリアと接する一方
    面に、第1のグランドパターンを設け、また他方の面に
    ストリップ線路パターンを設けた第1の誘電体基板、上
    記第1の誘電体基板の一方面に接合される第2の誘電体
    基板とを有するフィードスルーとを備えた高周波回路用
    パッケージにおいて、外部回路との接続部に位置する
    ストリップ線路パターンの両側に、上記第1のグラン
    ドパターンと接続される第2のグランドパターンを設け
    てコプレナー線路を形成したことを特徴とする高周波回
    路用パッケージ。
  2. 【請求項2】 キャリアと、上記キャリアと接する一方
    面に、第1のグランドパターンを設け、また他方の面に
    ストリップ線路パターンを設けた第1の誘電体基板、上
    記第1の誘電体基板の一方面に接合される第2の誘電体
    基板とを有するフィードスルーとを備えた高周波回路用
    パッケージにおいて、外部回路との接続部に位置する
    ストリップ線路パターンの片側に、上記第1のグラン
    ドパターンと接続される第2のグランドパターンを設け
    スロット線路を形成したことを特徴とする高周波回路
    用パッケージ。
  3. 【請求項3】 上記第1のグランドパターンと第2の
    ランドパターンスルーホール、メッキあるいはバイ
    アホールで接続することを特徴とする請求項1又は2記
    載の高周波回路用パッケージ。
  4. 【請求項4】 上記スルーホール、メッキあるいはバイ
    アホールからの上記第2のグランドパターンの長さは
    使用周波数帯域において1/4波長より短くしたことを
    特徴とする請求項2又は3記載の高周波回路用パッケー
    ジ。
  5. 【請求項5】 上記スルーホール、メッキあるいはバイ
    アホールからの上記第2のグランドパターンの長さは
    使用周波数帯域において概ね1/2波長の整数倍とした
    ことを特徴とする請求項2又は3記載の高周波回路用パ
    ッケージ。
  6. 【請求項6】 キャリアと、上記キャリアと接する一方
    面に、第1のグランドパターンを設け、また他方の面に
    ストリップ線路パターンを設けた第1の誘電体基板、上
    記第1の誘電体基板の一方面に接合される第2の誘電体
    基板とを有するフィードスルーとを備えた高周波回路用
    パッケージにおいて、外部回路との接続部に位置する上
    記ストリップ線路パターンの両側あるいは片側の第2の
    グランドパターンに相当するキャリアに凸部を設け、こ
    の凸部と上記ストリップ線路パターンにてコプレナー線
    路若しくはスロット線路を形成したことを特徴とする高
    周波回路用パッケージ。
  7. 【請求項7】 上記外部回路との接続部に位置するスト
    リップ線路パターン及び上記第2のグランドパターンあ
    るいはキャリア凸部に外部回路との接続用金属リードを
    設けたことを特徴とする請求項1〜6いずれか記載の高
    周波回路用パッケージ。
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