JP2001320170A - 多層基板モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の多層基板モジュールでは、アンプおよ
び整合回路のグランド用スルーホールが共通に接続され
る共通グランド層と接地面との間でインダクタンス成分
が生じて、回路が発振する可能性があるという課題があ
った。 【解決手段】 多層基板モジュールにおいて、多層基板
１と、多層基板１の表面に設けられるアンプを備えた半
導体基板４および整合回路５，６と、接地面１１と、ア
ンプのグランド用導線と接地面１１とを接続するグラン
ド用スルーホール１３と、整合回路毎に形成されて当該
整合回路のグランド用導線と接地面１１とをそれぞれ接
続するグランド用スルーホール１２，１４とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、高周波アンプを
搭載する多層基板モジュールに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１２は、例えばIEEE 1996 Microwave
and Millimeter-Wave Monolithic Circuits Symposium
Digest pp.13-16 に示された従来の多層基板モジュール
を示す模式的な斜視図である。また、図１３は、図１２
のＡ−Ｂ線に沿って見た断面図である。図において、１
０１は多層基板、１０２は高周波信号入力端子、１０３
は高周波信号出力端子、１０４はアンプを有する半導体
基板、１０５は入力側整合回路、１０６は出力側整合回
路、１０７はワイヤ、１０８はアンプの入力端子、１０
９はアンプのグランド端子、１１０はアンプの出力端
子、１１１は共通グランド層、１１２は共通グランド層
１１１のグランド用スルーホール、１１３は入力側整合
回路１０５のグランド用スルーホール、１１４はアンプ
のグランド用スルーホール、１１５は出力側整合回路１
０６のグランド用スルーホールである。

【０００３】次に動作について説明する。高周波信号入
力端子１０２に入力した信号は、入力側整合回路１０５
においてインピーダンス変換されてアンプの入力端子１
０８に入力される。そして、アンプを有する半導体基板
１０４において増幅された信号は、アンプの出力端子１
１０から出力され、その後出力側整合回路１０６におい
てインピーダンス変換されて高周波信号出力端子１０３
から出力される。

【０００４】ここで、図１２に示されるような共通グラ
ンド層１１１を設けることで、入力側整合回路１０５の
グランド用スルーホール１１３、アンプのグランド用ス
ルーホール１１４、および出力側整合回路１０６のグラ
ンド用スルーホール１１５を共通に接続してグランドを
ひとまとめにすることにより、モジュール内構造を簡略
化することができて配線の引き回しが容易となる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の多層基板モジュ
ールは以上のように構成されているので、共通グランド
層１１１において、入力側整合回路のグランド用スルー
ホール１１３、アンプのグランド用スルーホール１１
４、および出力側整合回路のグランド用スルーホール１
１５が共通に接続される。また、共通グランド層１１１
はグランド用スルーホール１１２を介して多層基板モジ
ュール裏面の金属層に接続され、グランド用スルーホー
ル１１２においてはインダクタンス成分が発生する。し
たがって、このインダクタンス成分により、共通グラン
ド層１１１は高周波について理想的なグランド層とはな
らなくなり、この共通グランド層１１１を介しての帰還
が生じて、アンプを有する半導体基板１０４が発振する
可能性があるという課題があった。

【０００６】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、安定に動作するアンプを搭載した
多層基板モジュールを得ることを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明に係る多層基板
モジュールは、多層基板と、多層基板の表面に設けられ
るアンプを備えた半導体基板および１または複数の整合
回路と、多層基板の裏面に金属層で形成された接地面
と、アンプから延びるグランド用導線と接地面とを接続
するグランド用スルーホールと、１または複数の整合回
路毎に形成されて、当該整合回路から延びるグランド用
導線と接地面とをそれぞれ接続するグランド用スルーホ
ールとを備えるようにしたものである。

【０００８】この発明に係る多層基板モジュールは、多
層基板と、多層基板の表面に設けられるアンプを備えた
半導体基板および１または複数の整合回路と、多層基板
の裏面に金属層で形成された接地面と、多層基板の内部
に設けられた共通グランド層と、１または複数の整合回
路毎に形成されて、当該整合回路から延びるグランド用
導線と前記共通グランド層とをそれぞれ接続するグラン
ド用スルーホールと、共通グランド層と接地面とを接続
するグランド用スルーホールと、アンプから延びるグラ
ンド用導線と接地面とを直接的に接続するグランド用ス
ルーホールとを備えるようにしたものである。

【０００９】この発明に係る多層基板モジュールは、多
層基板と、多層基板の表面に設けられるアンプを備えた
半導体基板および１または複数の整合回路と、多層基板
の裏面に金属層で形成された接地面と、多層基板の内部
に設けられたアンプ用グランド層と、アンプ用グランド
層に対して非接触に多層基板の内部に設けられた共通グ
ランド層と、アンプから延びるグランド用導線とアンプ
用グランド層とを接続するグランド用スルーホールと、
アンプ用グランド層と接地面とを接続する複数のグラン
ド用スルーホールと、１または複数の整合回路毎に形成
されて、当該整合回路から延びるグランド用導線と共通
グランド層とをそれぞれ接続するグランド用スルーホー
ルと、共通グランド層と接地面とを接続するグランド用
スルーホールとを備えるようにしたものである。

【００１０】この発明に係る多層基板モジュールは、多
層基板内においてアンプ用グランド層と共通グランド層
とを同一層上に配置するようにしたものである。

【００１１】この発明に係る多層基板モジュールは、多
層基板と、多層基板の表面に設けられるアンプを有する
半導体基板および１または複数の整合回路と、多層基板
の裏面に金属層で形成された接地面と、多層基板の内部
に設けられたアンプ用グランド層と、多層基板の内部に
１または複数の整合回路毎に設けられて、アンプ用グラ
ンド層に対して非接触であるとともに相互にも非接触に
配置される整合回路用グランド層と、アンプから延びる
グランド用導線とアンプ用グランド層とを接続するグラ
ンド用スルーホールと、アンプ用グランド層と接地面と
を接続する複数のグランド用スルーホールと、１または
複数の整合回路毎に形成されて、当該整合回路から延び
るグランド用導線と対応する整合回路用グランド層とを
それぞれ接続するグランド用スルーホールと、整合回路
用グランド層毎に、整合回路用グランド層と接地面とを
接続する複数のグランド用スルーホールとを備えるよう
にしたものである。

【００１２】この発明に係る多層基板モジュールは、多
層基板内において、アンプ用グランド層と１または複数
の整合回路用グランド層とを同一層上に配置するように
したものである。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１は、この発明の実施の形態１による
多層基板モジュールの構成を示す斜視図である。図にお
いて、１は多層基板、２は高周波信号入力端子、３は高
周波信号出力端子、４はアンプを有する半導体基板、５
は入力側整合回路（整合回路）、６は出力側整合回路
（整合回路）、７はワイヤ、８はアンプの入力端子、９
はアンプのグランド端子、１０はアンプの出力端子、１
１は多層基板１の裏面に金属層で形成された接地面、１
２は入力側整合回路５から延びるグランド用導線と接地
面１１とを接続するグランド用スルーホール、１３はア
ンプのグランド端子９から延びる導線と接地面１１とを
接続するグランド用スルーホール、１４は出力側整合回
路６から延びるグランド用導線と接地面１１とを接続す
るグランド用スルーホールである。

【００１４】次に動作について説明する。高周波信号入
力端子２に入力した信号は、入力側整合回路５において
インピーダンス変換されてアンプの入力端子８に入力さ
れる。そして、アンプを有する半導体基板４において増
幅された信号は、アンプの出力端子１０から出力され、
その後出力側整合回路６においてインピーダンス変換さ
れて高周波信号出力端子３から出力される。

【００１５】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、入力側整合回路５から延びるグランド用導線と接地
面１１とを接続するグランド用スルーホール１２と、ア
ンプのグランド端子９から延びる導線と接地面１１とを
接続するグランド用スルーホール１３と、出力側整合回
路６から延びるグランド用導線と接地面１１とを接続す
るグランド用スルーホール１４とを備えるように構成し
たので、入力側整合回路５、アンプを有する半導体基板
４および出力側整合回路６にそれぞれ接続されるグラン
ド用スルーホール１２、グランド用スルーホール１３お
よびグランド用スルーホール１４がそれぞれ独立に多層
基板１裏面に形成された接地面１１に対して直接的に接
続されるから、帰還による発振を防止することができて
アンプの安定的動作を確保することができるという効果
を奏する。

【００１６】なお、多層基板１において、入力側整合回
路５と出力側整合回路６とを必ずしも共に設ける必要は
なく、いずれか一方の整合回路のみを設ける構成とする
ことも可能である。また、アンプから延びるグランド用
導線、入力側整合回路５から延びるグランド用導線およ
び出力側整合回路６から延びるグランド用導線にそれぞ
れ接続されるグランド用スルーホール１３，１２，１４
の数は１つに限定されるものではなく、各導線に対して
それぞれ複数のグランド用スルーホールを接続する構成
とすることも可能である。

【００１７】実施の形態２．図２は、この発明の実施の
形態２による多層基板モジュールの構成を示す斜視図で
ある。また、図３は、図２のＡ−Ｂ線に沿って見た断面
図である。図２および図３において、図１と同一符号は
同一または相当部分を示すのでその説明を省略する。２
１は多層基板１の内部に設けられた共通グランド層、２
２は入力側整合回路５から延びるグランド用導線と共通
グランド層２１とを接続するグランド用スルーホール、
２３は出力側整合回路６から延びるグランド用導線と共
通グランド層２１とを接続するグランド用スルーホー
ル、２４はそれぞれ共通グランド層２１と接地面１１と
を接続するグランド用スルーホール、２５はアンプのグ
ランド端子９から延びる導線と接地面１１とを接続する
グランド用スルーホールである。

【００１８】次に動作について説明する。高周波信号入
力端子２から高周波信号出力端子３への信号伝達に係る
動作は実施の形態１と同様であるので、その説明を省略
する。上記の構成に係る説明から明らかなように、共通
グランド層２１において、入力側整合回路５のグランド
用スルーホール２２と出力側整合回路６のグランド用ス
ルーホール２３とは共通に接続される。また、共通グラ
ンド層２１はグランド用スルーホール２４を介して接地
面１１に接続され、グランド用スルーホール２４におい
てインダクタンス成分が発生する。したがって、このイ
ンダクタンス成分により共通グランド層２１は高周波に
ついて理想的なグランド層とはならなくなるが、入力側
整合回路５のグランド用スルーホール２２と出力側整合
回路６のグランド用スルーホール２３との間の帰還は負
帰還であるために発振することはない。

【００１９】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、共通グランド層２１と、入力側整合回路５から延び
るグランド用導線と共通グランド層２１とを接続するグ
ランド用スルーホール２２と、出力側整合回路６から延
びるグランド用導線と共通グランド層２１とを接続する
グランド用スルーホール２３と、共通グランド層２１と
接地面１１とを接続する複数のグランド用スルーホール
２４と、アンプのグランド端子９から延びる導線と接地
面１１とを直接的に接続するグランド用スルーホール２
５とを備えるように構成したので、グランド用スルーホ
ール２２とグランド用スルーホール２３との間では負帰
還が生じ、またアンプを有する半導体基板４に接続され
るグランド用スルーホール２５は入力側整合回路５およ
び出力側整合回路６に接続されるグランド用スルーホー
ルに対して独立に接地面１１に接続されるから、帰還に
よる発振を防止することができてアンプの安定的動作を
確保することができるという効果を奏する。

【００２０】なお、多層基板１において、入力側整合回
路５と出力側整合回路６とを必ずしも共に設ける必要は
なく、いずれか一方の整合回路のみを設ける構成とする
ことも可能である。また、アンプから延びるグランド用
導線、入力側整合回路５から延びるグランド用導線およ
び出力側整合回路６から延びるグランド用導線にそれぞ
れ接続されるグランド用スルーホール２５，２２，２３
の数は１つに限定されるものではなく、各導線に対して
それぞれ複数のグランド用スルーホールを接続する構成
とすることも可能である。

【００２１】実施の形態３．図４は、この発明の実施の
形態３による多層基板モジュールの構成を示す斜視図で
ある。また、図５は、図４のＡ−Ｂ線に沿って見た断面
図である。図４および図５において、図１と同一符号は
同一または相当部分を示すのでその説明を省略する。３
１は多層基板１の内部に設けられたアンプ用グランド
層、３２はアンプ用グランド層３１に対して非接触に多
層基板１の内部に設けられた共通グランド層、３３はア
ンプのグランド端子９から延びる導線とアンプ用グラン
ド層３１とを接続するグランド用スルーホール、３４は
それぞれアンプ用グランド層３１と接地面１１とを接続
するグランド用スルーホール、３５は入力側整合回路５
から延びるグランド用導線と共通グランド層３２とを接
続するグランド用スルーホール、３６は出力側整合回路
６から延びるグランド用導線と共通グランド層３２とを
接続するグランド用スルーホール、３７はそれぞれグラ
ンド層３２と接地面１１とを接続する共通グランド用ス
ルーホールである。

【００２２】次に動作について説明する。高周波信号入
力端子２から高周波信号出力端子３への信号伝達に係る
動作は実施の形態１と同様であるのでその説明を省略す
る。また、入力側整合回路５のグランド用スルーホール
３５と出力側整合回路６のグランド用スルーホール３６
との間に負帰還が生じるのは実施の形態２と同様であ
る。一方、上記の構成に係る説明から明らかなように、
アンプのグランド端子９から延びる導線に接続するグラ
ンド用スルーホール３３は、共通グランド層３２とは非
接触に設けられたアンプ用グランド層３１に接続され
る。また、アンプ用グランド層３１は複数のグランド用
スルーホール３４を介して接地面１１に接続され、グラ
ンド用スルーホール３４においてインダクタンス成分が
発生する。しかし、グランド用スルーホール３４は並列
に複数設けられているので、アンプ用グランド層３１と
接地面１１との間のインダクタンス成分が低減され、ひ
いてはアンプに接続されるグランド用スルーホール全体
に係るインダクタンス成分が低減される。なお、アンプ
用グランド層３１を多層基板１内において上方の層に形
成するほど、アンプ用グランド層３１と接地面１１との
間のインダクタンス成分をより低減することができる。

【００２３】以上のように、この実施の形態３によれ
ば、アンプ用グランド層３１と、共通グランド層３２
と、アンプのグランド端子９から延びる導線とアンプ用
グランド層３１とを接続するグランド用スルーホール３
３と、アンプ用グランド層３１と接地面１１とを接続す
る複数のグランド用スルーホール３４と、入力側整合回
路５から延びるグランド用導線と共通グランド層３２と
を接続するグランド用スルーホール３５と、出力側整合
回路６から延びるグランド用導線と共通グランド層３２
とを接続するグランド用スルーホール３６と、共通グラ
ンド層３２と接地面１１とを接続する複数のグランド用
スルーホール３７とを備えるように構成したので、グラ
ンド用スルーホール３５とグランド用スルーホール３６
との間では負帰還が生じ、またアンプを有する半導体基
板４に接続されるグランド用スルーホール３３，３４は
入力側整合回路５および出力側整合回路６に接続される
グランド用スルーホールに対して独立に接地面１１に接
続されて帰還による発振を防止することができ、さらに
アンプに接続されるグランド用スルーホール全体に係る
インダクタンス成分を低減することができてアンプの特
性の安定化を図れるから、アンプの安定的動作を確保す
ることができるという効果を奏する。

【００２４】なお、多層基板１において、入力側整合回
路５と出力側整合回路６とを必ずしも共に設ける必要は
なく、いずれか一方の整合回路のみを設ける構成とする
ことも可能である。また、アンプから延びるグランド用
導線、入力側整合回路５から延びるグランド用導線およ
び出力側整合回路６から延びるグランド用導線にそれぞ
れ接続されるグランド用スルーホール３３，３５，３６
の数は１つに限定されるものではなく、各導線に対して
それぞれ複数のグランド用スルーホールを接続する構成
とすることも可能である。

【００２５】実施の形態４．図６は、この発明の実施の
形態４による多層基板モジュールの構成を示す斜視図で
ある。また、図７は、図６のＡ−Ｂ線に沿って見た断面
図である。図６および図７において図４および図５と同
一符号は同一または相当部分を示すのでその説明を省略
する。これらの図から明らかなように、実施の形態４に
よる多層基板モジュールは、実施の形態３による多層基
板モジュールと基本的には同じ構造を有しており、アン
プ用グランド層３１と共通グランド層３２とが同一層上
に配置されている点でのみ実施の形態３と相違してい
る。なお、動作についても、実施の形態３による多層基
板モジュールと同様であるのでその説明を省略する。

【００２６】以上のように、この実施の形態４によれ
ば、実施の形態３と同等の効果が得られるとともに、ア
ンプ用グランド層３１と共通グランド層３２とを同一層
上に配置するように構成したので、多層基板１の層数を
低減することができるという効果を奏する。

【００２７】実施の形態５．図８は、この発明の実施の
形態５による多層基板モジュールの構成を示す斜視図で
ある。また、図９は、図８のＡ−Ｂ線に沿って見た断面
図である。図８および図９において、図１と同一符号は
同一または相当部分を示すのでその説明を省略する。４
１は多層基板１の内部に設けられたアンプ用グランド
層、４２はアンプ用グランド層４１に対して非接触に多
層基板１の内部に設けられた入力側整合回路用グランド
層（整合回路用グランド層）、４３はアンプ用グランド
層４１および入力側整合回路用グランド層４２に対して
非接触に多層基板１の内部に設けられた出力側整合回路
用グランド層（整合回路用グランド層）、４４はアンプ
のグランド端子９から延びる導線とアンプ用グランド層
４１とを接続するグランド用スルーホール、４５はそれ
ぞれアンプ用グランド層４１と接地面１１とを接続する
グランド用スルーホール、４６は入力側整合回路５から
延びるグランド用導線と入力側整合回路用グランド層４
２とを接続するグランド用スルーホール、４７はそれぞ
れ入力側整合回路用グランド層４２と接地面１１とを接
続するグランド用スルーホール、４８は出力側整合回路
６から延びるグランド用導線と出力側整合回路用グラン
ド層４３とを接続するグランド用スルーホール、４９は
それぞれ出力側整合回路用グランド層４３と接地面１１
とを接続するグランド用スルーホールである。

【００２８】次に動作について説明する。高周波信号入
力端子２から高周波信号出力端子３への信号伝達に係る
動作は実施の形態１と同様であるのでその説明を省略す
る。一方、上記の構成に係る説明から明らかなように、
アンプのグランド端子９から延びる導線、入力側整合回
路５から延びるグランド用導線、および出力側整合回路
６から延びるグランド用導線は、それぞれ対応するグラ
ンド用スルーホール４４、４６および４８を介して、多
層基板１内に互いに非接触に形成されたグランド層４
１、４２および４３にそれぞれ接続される。また、各グ
ランド層４１、４２および４３はそれぞれ複数のグラン
ド用スルーホール４５、４７および４９を介して接地面
１１に接続される。したがって、アンプ、入力側整合回
路５および出力側整合回路６にそれぞれ接続されるグラ
ンド用スルーホール全体に係るインダクタンス成分は低
減される。なお、グランド層を上方に形成するほど当該
グランド層に接続されるスルーホール全体に係るインダ
クタンス成分は低減されるので、インダクタンス成分の
低減がより必要な回路に係るグランド層を優先的に多層
基板モジュール上部に形成するのが好適である。

【００２９】以上のように、この実施の形態５によれ
ば、多層基板１の内部に互いに非接触に設けられたアン
プ用グランド層４１、入力側整合回路用グランド層４２
および出力側整合回路用グランド層４３と、アンプのグ
ランド端子９から延びる導線、入力側整合回路５から延
びるグランド用導線および出力側整合回路６から延びる
グランド用導線とそれぞれに対応するグランド層４１、
４２および４３とを接続するグランド用スルーホール４
４、４６および４８と、各グランド層４１、４２および
４３と接地面１１とをそれぞれ接続する複数のグランド
用スルーホール４５、４７および４９とを備えるように
構成したので、アンプ、入力側整合回路５および出力側
整合回路６にそれぞれ接続されるグランド用スルーホー
ルを互いに独立に接地面１１に接続することができて帰
還による発振を防止することができるとともに、またア
ンプ、入力側整合回路５および出力側整合回路６にそれ
ぞれ接続されるグランド用スルーホール全体に係るイン
ダクタンス成分を低減してアンプ、入力側整合回路５お
よび出力側整合回路６の特性の安定化を図れるから、ア
ンプの安定的動作を確保することができるという効果を
奏する。

【００３０】なお、多層基板１において、入力側整合回
路５と出力側整合回路６とを必ずしも共に設ける必要は
なく、いずれか一方の整合回路のみを設ける構成とする
ことも可能である。また、アンプから延びるグランド用
導線、入力側整合回路５から延びるグランド用導線およ
び出力側整合回路６から延びるグランド用導線にそれぞ
れ接続されるグランド用スルーホール４４，４６，４８
の数は１つに限定されるものではなく、各導線に対して
それぞれ複数のグランド用スルーホールを接続する構成
とすることも可能である。

【００３１】実施の形態６．図１０は、この発明の実施
の形態６による多層基板モジュールの構成を示す斜視図
である。また、図１１は、図１０のＡ−Ｂ線に沿って見
た断面図である。図１０および図１１において、図８お
よび図９と同一符号は同一または相当部分を示すのでそ
の説明を省略する。これらの図から明らかなように、実
施の形態６による多層基板モジュールは、実施の形態５
による多層基板モジュールと基本的には同じ構造を有し
ており、アンプ用グランド層４１、入力側整合回路用グ
ランド層４２および出力側整合回路用グランド層４３が
同一層上に配置されている点でのみ実施の形態５と相違
している。なお、動作についても、実施の形態５による
多層基板モジュールと同様であるのでその説明を省略す
る。

【００３２】以上のように、この実施の形態６によれ
ば、実施の形態５と同等の効果が得られるとともに、ア
ンプ用グランド層４１、入力側整合回路用グランド層４
２および出力側整合回路用グランド層４３を同一層上に
配置するように構成したので、多層基板１の層数を低減
することができるという効果を奏する。

【００３３】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、多層
基板と、多層基板の表面に設けられるアンプを備えた半
導体基板および１または複数の整合回路と、多層基板の
裏面に金属層で形成された接地面と、アンプから延びる
グランド用導線と接地面とを接続するグランド用スルー
ホールと、１または複数の整合回路毎に形成されて、当
該整合回路から延びるグランド用導線と接地面とをそれ
ぞれ接続するグランド用スルーホールとを備えるように
構成したので、アンプを備えた半導体基板および１また
は複数の整合回路にそれぞれ接続されるグランド用スル
ーホールを互いに独立に接地面に対して接続するから、
帰還による発振を防止することができてアンプの安定的
動作を確保することができるという効果を奏する。

【００３４】この発明によれば、多層基板と、多層基板
の表面に設けられるアンプを備えた半導体基板および１
または複数の整合回路と、多層基板の裏面に金属層で形
成された接地面と、多層基板の内部に設けられた共通グ
ランド層と、１または複数の整合回路毎に形成されて、
当該整合回路から延びるグランド用導線と共通グランド
層とをそれぞれ接続するグランド用スルーホールと、共
通グランド層と接地面とを接続するグランド用スルーホ
ールと、アンプから延びるグランド用導線と接地面とを
直接的に接続するグランド用スルーホールとを備えるよ
うに構成したので、整合回路に接続されたグランド用ス
ルーホール間では共通グランド層を介して負帰還が生じ
るとともに、アンプを備えた半導体基板に接続されるグ
ランド用スルーホールを独立して直接的に接地面に接続
して帰還による発振を防止することができるから、アン
プの安定的動作を確保することができるという効果を奏
する。

【００３５】この発明によれば、多層基板と、多層基板
の表面に設けられるアンプを備えた半導体基板および１
または複数の整合回路と、多層基板の裏面に金属層で形
成された接地面と、多層基板の内部に設けられたアンプ
用グランド層と、アンプ用グランド層に対して非接触に
多層基板の内部に設けられた共通グランド層と、アンプ
から延びるグランド用導線とアンプ用グランド層とを接
続するグランド用スルーホールと、アンプ用グランド層
と接地面とを接続する複数のグランド用スルーホール
と、１または複数の整合回路毎に形成されて、当該整合
回路から延びるグランド用導線と共通グランド層とをそ
れぞれ接続するグランド用スルーホールと、共通グラン
ド層と接地面とを接続するグランド用スルーホールとを
備えるように構成したので、整合回路に接続されたグラ
ンド用スルーホール間では共通グランド層を介して負帰
還が生じ、アンプを備えた半導体基板に接続されるグラ
ンド用スルーホールを整合回路に接続されるグランド用
スルーホールに対して独立に接地面に接続して帰還によ
る発振を防止することができ、さらにアンプに接続され
るグランド用スルーホール全体に係るインダクタンス成
分を低減してアンプの特性の安定化を図れるから、アン
プの安定的動作を確保することができるという効果を奏
する。

【００３６】この発明によれば、多層基板内においてア
ンプ用グランド層と共通グランド層とを同一層上に配置
するように構成したので、多層基板の層数を低減するこ
とができるという効果を奏する。

【００３７】この発明によれば、多層基板と、多層基板
の表面に設けられるアンプを備えた半導体基板および１
または複数の整合回路と、多層基板の裏面に金属層で形
成された接地面と、多層基板の内部に設けられたアンプ
用グランド層と、多層基板の内部に１または複数の整合
回路毎に設けられて、アンプ用グランド層に対して非接
触であるとともに相互にも非接触に配置される整合回路
用グランド層と、アンプから延びるグランド用導線とア
ンプ用グランド層とを接続するグランド用スルーホール
と、アンプ用グランド層と接地面とを接続する複数のグ
ランド用スルーホールと、１または複数の整合回路毎に
形成されて、当該整合回路から延びるグランド用導線と
対応する整合回路用グランド層とをそれぞれ接続するグ
ランド用スルーホールと、整合回路用グランド層毎に、
整合回路用グランド層と接地面とを接続する複数のグラ
ンド用スルーホールとを備えるように構成したので、ア
ンプおよび１または複数の整合回路にそれぞれ接続され
るグランド用スルーホールを互いに独立に接地面に接続
することができて帰還による発振を防止することがで
き、またアンプおよび１または複数の整合回路にそれぞ
れ接続されるグランド用スルーホール全体に係るインダ
クタンス成分を低減してアンプおよび１または複数の整
合回路の特性の安定化を図れるから、アンプの安定的動
作を確保することができるという効果を奏する。

【００３８】この発明によれば、多層基板内において、
アンプ用グランド層と１または複数の整合回路用グラン
ド層とを同一層上に配置するように構成したので、多層
基板の層数を低減することができるという効果を奏す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１による多層基板モジ
ュールの構成を示す斜視図である。

【図２】 この発明の実施の形態２による多層基板モジ
ュールの構成を示す斜視図である。

【図３】 図２のＡ−Ｂ線に沿って見た断面図である。

【図４】 この発明の実施の形態３による多層基板モジ
ュールの構成を示す斜視図である。

【図５】 図４のＡ−Ｂ線に沿って見た断面図である。

【図６】 この発明の実施の形態４による多層基板モジ
ュールの構成を示す斜視図である。

【図７】 図６のＡ−Ｂ線に沿って見た断面図である。

【図８】 この発明の実施の形態５による多層基板モジ
ュールの構成を示す斜視図である。

【図９】 図８のＡ−Ｂ線に沿って見た断面図である。

【図１０】 この発明の実施の形態６による多層基板モ
ジュールの構成を示す斜視図である。

【図１１】 図１０のＡ−Ｂ線に沿って見た断面図であ
る。

【図１２】 従来の多層基板モジュールの構成を示す斜
視図である。

【図１３】 図１２のＡ−Ｂ線に沿って見た断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 多層基板、２ 高周波信号入力端子、３ 高周波信
号出力端子、４ アンプを有する半導体基板、５ 入力
側整合回路（整合回路）、６ 出力側整合回路（整合回
路）、７ ワイヤ、８ アンプの入力端子、９ アンプ
のグランド端子、１０ アンプの出力端子、１１ 接地
面、１２，１３，１４，２２，２３，２４，２５，３
３，３４，３５，３６，３７，４４，４５，４６，４
７，４８，４９ グランド用スルーホール、２１，３２
共通グランド層、３１，４１ アンプ用グランド層、
４２ 入力側整合回路用グランド層（整合回路用グラン
ド層）、４３ 出力側整合回路用グランド層（整合回路
用グランド層）。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 末松 憲治 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 高木 直 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 伊東 健治 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 桂 隆俊 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5E317 AA21 AA24 CD27 GG11 5E346 AA41 BB04 FF45 HH02 HH06 5J014 CA00 5J067 AA04 AA41 CA54 FA16 HA01 KA29 KA59 KA66 KA68 KS11 LS12 QA04 QS05 QS11

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 多層基板と、 該多層基板の表面に設けられる、アンプを有する半導体
   基板および１または複数の整合回路と、 前記多層基板の裏面に金属層で形成された接地面と、 前記アンプから延びるグランド用導線と前記接地面とを
   接続するグランド用スルーホールと、 前記１または複数の整合回路毎に形成されて、該整合回
   路から延びるグランド用導線と前記接地面とをそれぞれ
   接続するグランド用スルーホールとを備えることを特徴
   とする多層基板モジュール。
2. 【請求項２】 多層基板と、 該多層基板の表面に設けられる、アンプを有する半導体
   基板および１または複数の整合回路と、 前記多層基板の裏面に金属層で形成された接地面と、 前記多層基板の内部に設けられた共通グランド層と、 前記１または複数の整合回路毎に形成されて、該整合回
   路から延びるグランド用導線と前記共通グランド層とを
   それぞれ接続するグランド用スルーホールと、 前記共通グランド層と前記接地面とを接続するグランド
   用スルーホールと、 前記アンプから延びるグランド用導線と前記接地面とを
   直接的に接続するグランド用スルーホールとを備えるこ
   とを特徴とする多層基板モジュール。
3. 【請求項３】 多層基板と、 該多層基板の表面に設けられる、アンプを有する半導体
   基板および１または複数の整合回路と、 前記多層基板の裏面に金属層で形成された接地面と、 前記多層基板の内部に設けられたアンプ用グランド層
   と、 該アンプ用グランド層に対して非接触に前記多層基板の
   内部に設けられた共通グランド層と、 前記アンプから延びるグランド用導線と前記アンプ用グ
   ランド層とを接続するグランド用スルーホールと、 前記アンプ用グランド層と前記接地面とを接続する複数
   のグランド用スルーホールと、 前記１または複数の整合回路毎に形成されて、該整合回
   路から延びるグランド用導線と前記共通グランド層とを
   それぞれ接続するグランド用スルーホールと、 前記共通グランド層と前記接地面とを接続するグランド
   用スルーホールとを備えることを特徴とする多層基板モ
   ジュール。
4. 【請求項４】 多層基板内においてアンプ用グランド層
   と共通グランド層とを同一層上に配置することを特徴と
   する請求項３記載の多層基板モジュール。
5. 【請求項５】 多層基板と、 該多層基板の表面に設けられる、アンプを有する半導体
   基板および１または複数の整合回路と、 前記多層基板の裏面に金属層で形成された接地面と、 前記多層基板の内部に設けられたアンプ用グランド層
   と、 前記多層基板の内部に、１または複数の整合回路毎に設
   けられて、前記アンプ用グランド層に対して非接触であ
   るとともに、相互にも非接触に配置される整合回路用グ
   ランド層と、 前記アンプから延びるグランド用導線と前記アンプ用グ
   ランド層とを接続するグランド用スルーホールと、 前記アンプ用グランド層と前記接地面とを接続する複数
   のグランド用スルーホールと、 前記１または複数の整合回路毎に形成されて、該整合回
   路から延びるグランド用導線と対応する前記整合回路用
   グランド層とをそれぞれ接続するグランド用スルーホー
   ルと、 前記整合回路用グランド層毎に、前記整合回路用グラン
   ド層と前記接地面とを接続する複数のグランド用スルー
   ホールとを備えることを特徴とする多層基板モジュー
   ル。
6. 【請求項６】 多層基板内において、アンプ用グランド
   層と１または複数の整合回路用グランド層とを同一層上
   に配置することを特徴とする請求項５記載の多層基板モ
   ジュール。