JP3925929B2 - マイクロ波・ミリ波装置 - Google Patents
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Description
1997年IEEE MTT−Sダイジェスト、pp.447〜450 1994年IEEE MTT−Sダイジェスト、pp.1707〜1710
図1(a)〜(c)は、本発明の第1の実施形態におけるマイクロ波・ミリ波装置100の構造を示す図である。
図4(a)及び(b)は、本発明の第2の実施形態におけるマイクロ波・ミリ波装置200の構造を示す図である。
図5(a)及び(b)、並びに図6(a)及び(b)は、本発明の第3の実施形態におけるマイクロ波・ミリ波装置300の構造を示す図である。
図7(a)〜(c)は、本発明の第4の実施形態におけるマイクロ波・ミリ波装置400の構造を示す図である。
図8(a)〜(c)は、本発明の第5の実施形態におけるマイクロ波・ミリ波装置500の構造を示す図である。
図9(a)及び(b)は、本発明の第6の実施形態におけるマイクロ波・ミリ波装置600を示す図である。
図10は、本発明の第7の実施形態におけるマイクロ波・ミリ波装置700の構造の断面図を示す図である。図1(a)〜(c)と同一部材には同一符号を付しており、同一部材の機能は第1の実施形態と同じであるので、その詳細な説明は省略する。
図11(a)及び(b)は、本発明の第8の実施形態におけるマイクロ波・ミリ波装置800の断面構造を示す図である。
図12は、本発明の第9の実施形態におけるマイクロ波・ミリ波装置900を示す図である。図12は、半導体基板表面の能動素子と誘電体基板との接続の様子を詳しく示すために、半導体基板の裏面から透視した図を示している。
図13(a)及び(b)は、本発明の第10の実施形態におけるマイクロ波・ミリ波装置1000を示す図である。
図14(a)及び(b)、並びに図15は、本発明の第11の実施形態におけるマイクロ波・ミリ波装置1100を示す図である。
図16は、本発明の第12の実施形態におけるマイクロ波・ミリ波装置1200を示す図である。
図17(a)及び(b)は、本発明の第13の実施形態におけるマイクロ波・ミリ波装置1300を示す図である。
図18(a)及び(b)、並びに図19は、本発明の第14の実施形態におけるマイクロ波・ミリ波装置1400を示す図である。
図20は、本発明の第15の実施形態におけるマイクロ波・ミリ波装置1500の断面図である。
図23A、23B、及び23Cに、本発明の第16の実施形態におけるマイクロ波・ミリ波装置として、半導体基板の上に構成された複数のトランジスタ及びダイオードペアを用いて周波数ダウンコンバータを構成した例を示す。
次に、本発明の第17の実施形態におけるマイクロ波・ミリ波装置として、複数のトランジスタを用いて周波数マルチプライアを構成した例を示す。なお、図23A〜23Cに示したものと同じ構成要素には同じ参照番号を付しており、その説明はここでは省略する。
2 半導体基板
3 金属バンプ
4 マイクロストリップ線路
5 受動回路
6 能動素子
7 入力端子
8 出力端子
9 接地端子
10 接地導体部
11 貫通孔
12 接地導体面
41、42、43、44、45 能動素子
51、52、53 導体部
54、56、60 受動回路
55、57、58、59、61、62 能動素子
71 導体
72 貫通孔
81 信号線路
82 接地導体部
91 絶縁層
92 シリコン基板
93 受動回路
101 第1の誘電体層
102 中間導体層
103 第2の誘電体層
111 枠体
112 リッド
121 入力端子
122 入力整合回路・電源供給回路
123、125、128、130、132 能動素子
124 段間整合回路・電源供給回路
126 出力整合回路・電源供給回路・フィルター回路
127 ミキサ入力整合回路・ローカル供給回路
129 IF入力整合回路・電源供給回路
131 IF段間整合回路・電源供給回路
133 IF出力整合回路・電源供給回路
134 外部接続用端子
135、136 信号線路
137 貫通孔
141 平面アンテナ
142 給電部
143 貫通孔
171 スロット結合孔
172 マイクロストリップ線路
173 信号線路
174 外部接続用端子
501 低雑音増幅器
502 周波数ミキサ
503、504、505 トランジスタ
506 ダイオードペア
507 受動回路
508 能動素子アレイ
509 金属バンプ
510 接続端子
511 接地端子
512 ビアホール
520 誘電体基板
521、522、523、524 トランジスタ
530 半導体基板
910 能動素子
Claims (6)
- 少なくとも1つの信号線路と、受動回路と、接地導体部とが表面上に形成された誘電体基板と、
複数のトランジスタを有する機能ブロックが形成された半導体基板と、
を備えており、
前記誘電体基板に形成された前記接地導体部と、前記機能ブロックにおける前記各トランジスタの接地端子とが金属バンプを介して物理的及び電気的に接続されており、
前記複数のトランジスタの前記各接地端子が、前記半導体基板の上において、前記機能ブロックおよび前記複数のトランジスタを囲むような位置に設けられるとともに、前記接地導体部が前記各接地端子にそれぞれ対向して設けられている、マイクロ波・ミリ波装置。 - 前記誘電体基板は、前記半導体基板の上に形成された多層薄膜基板である、請求項1に記載のマイクロ波・ミリ波装置。
- 前記機能ブロックは、ダイオード対を含む、請求項1または2に記載のマイクロ波・ミリ波装置。
- 前記機能ブロックは、前記トランジスタのためのバイアス回路を含む、請求項1または2に記載のマイクロ波・ミリ波装置。
- 前記機能ブロックは、前記トランジスタのための帰還回路を含む、請求項1または2に記載のマイクロ波・ミリ波装置。
- 前記複数のトランジスタは第1及び第2の列に配置されており、該第1の列のための入出力端子は、第1の方向に向いて前記半導体基板の上に形成され、該第2の列のための入出力端子は、該第1の方向とは実質的に反対方向の第2の方向に向いて該半導体基板の上に形成されている、請求項1から5の何れか一つに記載のマイクロ波・ミリ波装置。
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2003
- 2003-10-17 JP JP2003358588A patent/JP3925929B2/ja not_active Expired - Fee Related
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