JP2000151275A - 電圧制御発振器およびそれを用いた電子装置 - Google Patents
電圧制御発振器およびそれを用いた電子装置Info
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- JP2000151275A JP2000151275A JP10325029A JP32502998A JP2000151275A JP 2000151275 A JP2000151275 A JP 2000151275A JP 10325029 A JP10325029 A JP 10325029A JP 32502998 A JP32502998 A JP 32502998A JP 2000151275 A JP2000151275 A JP 2000151275A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い周波数において安定に発振し、しかも大
きな周波数可変幅を得ることのできる電圧制御発振器を
提供する。 【解決手段】 発振用のトランジスタＱ１のベースに略
１／４波長の一端開放分布定数線路６を接続し、コレク
タに自己共振周波数が発振周波数より低いコンデンサＣ
１からなるインダクタンス素子を接続し、コンデンサＣ
１にバラクタダイオードＶＤ２を接続する。 【効果】 高周波において安定に発振し、しかも大きな
周波数可変幅を得ることができる。
きな周波数可変幅を得ることのできる電圧制御発振器を
提供する。 【解決手段】 発振用のトランジスタＱ１のベースに略
１／４波長の一端開放分布定数線路６を接続し、コレク
タに自己共振周波数が発振周波数より低いコンデンサＣ
１からなるインダクタンス素子を接続し、コンデンサＣ
１にバラクタダイオードＶＤ２を接続する。 【効果】 高周波において安定に発振し、しかも大きな
周波数可変幅を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電圧制御発振器およ
びそれを用いた電子装置、特にＥＴＣ（Ｅｌｅｃｔｒｉ
ｃａｌ Ｔｏｌｌ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ：自動料金徴
収システム）で用いられる電圧制御発振器およびそれを
用いた電子装置に関する。
びそれを用いた電子装置、特にＥＴＣ（Ｅｌｅｃｔｒｉ
ｃａｌ Ｔｏｌｌ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ：自動料金徴
収システム）で用いられる電圧制御発振器およびそれを
用いた電子装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在のＥＴＣ（使用周波数が約６ＧＨ
ｚ）などの高周波を用いた無線通信システムにおいて
は、使用する電波の周波数に近い周波数のローカル信号
源として用いる電圧制御発振器が必要になってきてい
る。
ｚ）などの高周波を用いた無線通信システムにおいて
は、使用する電波の周波数に近い周波数のローカル信号
源として用いる電圧制御発振器が必要になってきてい
る。
【０００３】図４に、従来の電圧制御発振器の回路図を
示す。なお、図４においては、バイアス回路やチョーク
回路などの基本的な発振動作に関係のない部品は省略し
ている。
示す。なお、図４においては、バイアス回路やチョーク
回路などの基本的な発振動作に関係のない部品は省略し
ている。
【０００４】図４において、電圧制御発振器１は発振用
のトランジスタＱ１と、共振器Ｒ１とバラクタダイオー
ド（バリキャップダイオード）ＶＤとコンデンサＣ１、
Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４から構成されている。このうち、共振
器Ｒ１は、例えば長さが１／４波長以下の一端を接地し
たマイクロストリップ線路である。
のトランジスタＱ１と、共振器Ｒ１とバラクタダイオー
ド（バリキャップダイオード）ＶＤとコンデンサＣ１、
Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４から構成されている。このうち、共振
器Ｒ１は、例えば長さが１／４波長以下の一端を接地し
たマイクロストリップ線路である。
【０００５】ここで、トランジスタＱ１のベースはコン
デンサＣ３を介して共振器Ｒ１に接続されている。ま
た、コンデンサＣ３と共振器Ｒ１の接続部はコンデンサ
Ｃ４を介してバラクタダイオードＶＤのカソードに接続
されるとともに、制御電圧端子３に接続されている。ま
た、バラクタダイオードＶＤのアノードは接地されてい
る。また、トランジスタＱ１のコレクタは発振周波数に
おいて低インピーダンスとなるコンデンサＣ１を介して
高周波的に接地されている。そして、トランジスタＱ１
のエミッタは、トランジスタＣ２を介して出力端子２に
接続されている。
デンサＣ３を介して共振器Ｒ１に接続されている。ま
た、コンデンサＣ３と共振器Ｒ１の接続部はコンデンサ
Ｃ４を介してバラクタダイオードＶＤのカソードに接続
されるとともに、制御電圧端子３に接続されている。ま
た、バラクタダイオードＶＤのアノードは接地されてい
る。また、トランジスタＱ１のコレクタは発振周波数に
おいて低インピーダンスとなるコンデンサＣ１を介して
高周波的に接地されている。そして、トランジスタＱ１
のエミッタは、トランジスタＣ２を介して出力端子２に
接続されている。
【０００６】このように構成された電圧制御発振器１に
おいては、制御電圧端子３に加える電圧を変化させてバ
ラクタダイオードＶＤのアノードとカソードの間に印加
される電圧を変化させることによって、バラクタダイオ
ードＶＤのアノードとカソードの間の容量を変化させる
ことができる。共振器Ｒ１はコンデンサＣ４を介して並
列に接続されたバラクタダイオードＶＤを含めて共振系
を構成しているため、バラクタダイオードＶＤのアノー
ドとカソードの間の容量を変化させることによって共振
系全体の周波数を変化させることができ、結果として電
圧制御発振器１の発振周波数を変化させることができ
る。
おいては、制御電圧端子３に加える電圧を変化させてバ
ラクタダイオードＶＤのアノードとカソードの間に印加
される電圧を変化させることによって、バラクタダイオ
ードＶＤのアノードとカソードの間の容量を変化させる
ことができる。共振器Ｒ１はコンデンサＣ４を介して並
列に接続されたバラクタダイオードＶＤを含めて共振系
を構成しているため、バラクタダイオードＶＤのアノー
ドとカソードの間の容量を変化させることによって共振
系全体の周波数を変化させることができ、結果として電
圧制御発振器１の発振周波数を変化させることができ
る。
【０００７】また、図５に、従来の発振器の回路図を示
す。図５において、図４と同一もしくは同等の部分には
同じ記号を付し、その説明を省略する。図５において
も、バイアス回路やチョーク回路などの基本的な発振動
作に関係のない部品は省略している。
す。図５において、図４と同一もしくは同等の部分には
同じ記号を付し、その説明を省略する。図５において
も、バイアス回路やチョーク回路などの基本的な発振動
作に関係のない部品は省略している。
【０００８】図５に示した発振器５において、発振用の
トランジスタＱ１のベースは、発振周波数において約１
／４波長になる一端開放分布定数線路６に接続されてい
る。ここで、一端開放分布定数線路６は、例えば長さが
約１／４波長の一端を開放したマイクロストリップ線路
である。また、トランジスタＱ１のコレクタはトランジ
スタＣ５を介して接地されているが、コンデンサＣ５
は、自己共振周波数が発振器５の発振周波数より低いも
のを用いており、発振周波数においてはインダクタンス
素子として動作する。
トランジスタＱ１のベースは、発振周波数において約１
／４波長になる一端開放分布定数線路６に接続されてい
る。ここで、一端開放分布定数線路６は、例えば長さが
約１／４波長の一端を開放したマイクロストリップ線路
である。また、トランジスタＱ１のコレクタはトランジ
スタＣ５を介して接地されているが、コンデンサＣ５
は、自己共振周波数が発振器５の発振周波数より低いも
のを用いており、発振周波数においてはインダクタンス
素子として動作する。
【０００９】このように構成された発振器５において
は、トランジスタＱ１のベースは一端開放分布定数線路
６によって発振周波数において接地となるため、トラン
ジスタＱ１はベース接地で動作する。そして、コンデン
サＣ５がインダクタンス素子として働き、エミッタとコ
レクタの間に形成される容量（微少な容量で、エミッタ
側回路の浮遊容量で代用されるため図示せず）とエミッ
タとベースとの間に形成される容量（微少な容量で、ト
ランジスタＱ１の内部容量で代用されるため図示せず）
とでコルピッツ型の発振回路が形成される。
は、トランジスタＱ１のベースは一端開放分布定数線路
６によって発振周波数において接地となるため、トラン
ジスタＱ１はベース接地で動作する。そして、コンデン
サＣ５がインダクタンス素子として働き、エミッタとコ
レクタの間に形成される容量（微少な容量で、エミッタ
側回路の浮遊容量で代用されるため図示せず）とエミッ
タとベースとの間に形成される容量（微少な容量で、ト
ランジスタＱ１の内部容量で代用されるため図示せず）
とでコルピッツ型の発振回路が形成される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電圧制
御発振器１は比較的低い周波数においては問題なく動作
するが、発振周波数が高くなるに従って共振器Ｒ１のイ
ンダクタンス値や各コンデンサの容量値を小さくする必
要がでてくる。インダクタンス値や容量値が小さくなる
と相対的にばらつきが大きくなり、また浮遊容量による
影響も大きくなって、特にマイクロ波帯（３ＧＨｚ以
上）では安定な発振を得ることは難しかった。
御発振器１は比較的低い周波数においては問題なく動作
するが、発振周波数が高くなるに従って共振器Ｒ１のイ
ンダクタンス値や各コンデンサの容量値を小さくする必
要がでてくる。インダクタンス値や容量値が小さくなる
と相対的にばらつきが大きくなり、また浮遊容量による
影響も大きくなって、特にマイクロ波帯（３ＧＨｚ以
上）では安定な発振を得ることは難しかった。
【００１１】一方、発振器５においては、比較的高い周
波数でも安定な発振を得ることができるが、電圧制御発
振器としては動作しないという問題がある。
波数でも安定な発振を得ることができるが、電圧制御発
振器としては動作しないという問題がある。
【００１２】本発明は上記の問題点を解決することを目
的とするもので、高い周波数において安定に発振し、し
かも大きな周波数可変幅を得ることのできる電圧制御発
振器およびそれを用いた電子装置を提供する。
的とするもので、高い周波数において安定に発振し、し
かも大きな周波数可変幅を得ることのできる電圧制御発
振器およびそれを用いた電子装置を提供する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の電圧制御発振器は、発振用のトランジスタ
と、該トランジスタのベースに接続された略１／４波長
の一端開放分布定数線路と、前記トランジスタのコレク
タに接続されたインダクタンス素子と、該インダクタン
ス素子に接続されたバラクタダイオードとを有すること
を特徴とする。
に、本発明の電圧制御発振器は、発振用のトランジスタ
と、該トランジスタのベースに接続された略１／４波長
の一端開放分布定数線路と、前記トランジスタのコレク
タに接続されたインダクタンス素子と、該インダクタン
ス素子に接続されたバラクタダイオードとを有すること
を特徴とする。
【００１４】また、本発明の電圧制御発振器は、前記イ
ンダクタンス素子として、自己共振周波数が発振周波数
より低いコンデンサを用いたことを特徴とする。
ンダクタンス素子として、自己共振周波数が発振周波数
より低いコンデンサを用いたことを特徴とする。
【００１５】また、本発明の電圧制御発振器は、一端を
開放し他端を接地した発振周波数において略１／４波長
の分布定数線路を、前記一端開放分布定数線路と並行に
隣接して配置したことを特徴とする。
開放し他端を接地した発振周波数において略１／４波長
の分布定数線路を、前記一端開放分布定数線路と並行に
隣接して配置したことを特徴とする。
【００１６】また、本発明の電子装置は、上記の電圧制
御発振器を用いたことを特徴とする。
御発振器を用いたことを特徴とする。
【００１７】このように構成することにより、本発明の
電圧制御発振器においては、高周波において安定に発振
し、しかも大きな周波数可変幅を得ることができる。
電圧制御発振器においては、高周波において安定に発振
し、しかも大きな周波数可変幅を得ることができる。
【００１８】また、本発明の電子装置においては、省ス
ペース化とコストダウンを図ることができる。
ペース化とコストダウンを図ることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１に、本発明の電圧制御発振器
の一実施例を示す。図１において、図５と同一もしくは
同等の部分には同じ記号を付し、その説明を省略する。
図１においても、バイアス回路やチョーク回路などの基
本的な発振動作に関係のない部品は省略している。
の一実施例を示す。図１において、図５と同一もしくは
同等の部分には同じ記号を付し、その説明を省略する。
図１においても、バイアス回路やチョーク回路などの基
本的な発振動作に関係のない部品は省略している。
【００２０】図１において、トランジスタＱ１のコレク
タはコンデンサＣ５を介してバラクタダイオードＶＤ２
のカソードに接続され、バラクタダイオードＶＤ２のア
ノードは接地されている。また、バラクタダイオードＶ
Ｄ２のカソードは制御電圧端子１１に接続されている。
なお、コンデンサＣ５およびバラクタダイオードＶＤ２
は、自己共振周波数が発振器１０の発振周波数より低い
ものを用いており、発振周波数においてはともにインダ
クタンス素子として動作する。さらに、コンデンサＣ５
はインダクタンス素子として動作するとともに、バラク
タダイオードＶＤ２に印加する電圧がトランジスタＱ１
のコレクタに印加されないようにするためのＤＣカット
用としても働く。
タはコンデンサＣ５を介してバラクタダイオードＶＤ２
のカソードに接続され、バラクタダイオードＶＤ２のア
ノードは接地されている。また、バラクタダイオードＶ
Ｄ２のカソードは制御電圧端子１１に接続されている。
なお、コンデンサＣ５およびバラクタダイオードＶＤ２
は、自己共振周波数が発振器１０の発振周波数より低い
ものを用いており、発振周波数においてはともにインダ
クタンス素子として動作する。さらに、コンデンサＣ５
はインダクタンス素子として動作するとともに、バラク
タダイオードＶＤ２に印加する電圧がトランジスタＱ１
のコレクタに印加されないようにするためのＤＣカット
用としても働く。
【００２１】このように構成された電圧制御発振器１０
においては、トランジスタＱ１のコレクタに接続された
コンデンサＣ５とバラクタダイオードＶＤ２がともにイ
ンダクタンス素子として働くために、図５に示した発振
器５と同様にコルピッツ型発振器として動作する。
においては、トランジスタＱ１のコレクタに接続された
コンデンサＣ５とバラクタダイオードＶＤ２がともにイ
ンダクタンス素子として働くために、図５に示した発振
器５と同様にコルピッツ型発振器として動作する。
【００２２】しかも、バラクタダイオードＶＤ２は自己
共振周波数より高い周波数においても、アノードとカソ
ードの間に印加される電圧によってそのインダクタンス
値を変える。そのため、電圧制御発振器１０において
は、トランジスタＱ１のコレクタに接続されるインダク
タンス素子のインダクタンス成分を、制御電圧端子１１
に印加する電圧によって比較的大きく変えることができ
る。
共振周波数より高い周波数においても、アノードとカソ
ードの間に印加される電圧によってそのインダクタンス
値を変える。そのため、電圧制御発振器１０において
は、トランジスタＱ１のコレクタに接続されるインダク
タンス素子のインダクタンス成分を、制御電圧端子１１
に印加する電圧によって比較的大きく変えることができ
る。
【００２３】本願発明者の実験によれば、電圧制御発振
器１０の制御電圧端子１１に印加する電圧を０．５Ｖか
ら２．５Ｖまで変化させることによって、発振周波数を
５．９５ＧＨｚから６．００ＧＨｚまで、５０ＭＨｚ変
化させる（コントロール電圧感度 ２５ＭＨｚ／Ｖ）こ
とができた。
器１０の制御電圧端子１１に印加する電圧を０．５Ｖか
ら２．５Ｖまで変化させることによって、発振周波数を
５．９５ＧＨｚから６．００ＧＨｚまで、５０ＭＨｚ変
化させる（コントロール電圧感度 ２５ＭＨｚ／Ｖ）こ
とができた。
【００２４】図２に、本発明の電圧制御発振器の別の実
施例を示す。図２において、図１と同一もしくは同等の
部分には同じ記号を付し、その説明を省略する。図２に
おいても、バイアス回路やチョーク回路などの基本的な
発振動作に関係のない部品は省略している。
施例を示す。図２において、図１と同一もしくは同等の
部分には同じ記号を付し、その説明を省略する。図２に
おいても、バイアス回路やチョーク回路などの基本的な
発振動作に関係のない部品は省略している。
【００２５】図２に示した電圧制御発振器２０におい
て、一端開放分布定数線路６に並行に隣接して、一端を
開放し他端を接地した略１／４波長の分布定数線路２１
が設けられている。ここで、分布定数線路２１も、例え
ばマイクロストリップ線路で構成されている。
て、一端開放分布定数線路６に並行に隣接して、一端を
開放し他端を接地した略１／４波長の分布定数線路２１
が設けられている。ここで、分布定数線路２１も、例え
ばマイクロストリップ線路で構成されている。
【００２６】このように構成することによって、電圧制
御発振器２０においては、一端開放分布定数線路６と分
布定数線路２１が結合し、発振周波数においてトランジ
スタＱ１のベースから一端開放分布定数線路６を見た位
相の反射特性がより急峻になる。そして、これによって
電圧制御発振器２０の発振信号のＣ／Ｎ（位相雑音）を
改善することができる。
御発振器２０においては、一端開放分布定数線路６と分
布定数線路２１が結合し、発振周波数においてトランジ
スタＱ１のベースから一端開放分布定数線路６を見た位
相の反射特性がより急峻になる。そして、これによって
電圧制御発振器２０の発振信号のＣ／Ｎ（位相雑音）を
改善することができる。
【００２７】なお、上記の各実施例においては、トラン
ジスタＱ１のコレクタに接続するインダクタンス素子と
して発振周波数より自己共振周波数が低いコンデンサを
用いたが、一定の長さと幅を持つ配線パターンを利用し
たインダクタンス素子や、あるいはチップインダクタな
どの個別のインダクタンス素子を用いて構成しても構わ
ないものである。
ジスタＱ１のコレクタに接続するインダクタンス素子と
して発振周波数より自己共振周波数が低いコンデンサを
用いたが、一定の長さと幅を持つ配線パターンを利用し
たインダクタンス素子や、あるいはチップインダクタな
どの個別のインダクタンス素子を用いて構成しても構わ
ないものである。
【００２８】また、トランジスタのベースに接続する一
端開放分布定数線路や、それに隣接して設けられる一端
を開放し他端を接地した略１／４波長の分布定数線路
は、上記のようなマイクロストリップ線路に限るもので
はなく、ストリップ線路やコプレーナ線路、スロット線
路など他の分布定数線路でも構わないものである。
端開放分布定数線路や、それに隣接して設けられる一端
を開放し他端を接地した略１／４波長の分布定数線路
は、上記のようなマイクロストリップ線路に限るもので
はなく、ストリップ線路やコプレーナ線路、スロット線
路など他の分布定数線路でも構わないものである。
【００２９】図３に、本発明の電子装置の一実施例を示
す。図３はＥＴＣの車載機の概念的なブロック図で、主
要部のみを表しアンプやフィルタなどは省略している。
す。図３はＥＴＣの車載機の概念的なブロック図で、主
要部のみを表しアンプやフィルタなどは省略している。
【００３０】図３において、本発明の電子装置３０は、
送信回路３１と、ミキサ３２と、サーキュレータ３３
と、アンテナ３４と、ミキサ３５と、受信回路３６と、
制御回路３７と、電圧制御発振器１０から構成されてい
る。ここで、送信回路３１はミキサ３２に接続され、ミ
キサ３２はサーキュレータ３３を介してアンテナ３４に
接続されている。また、サーキュレータ３３はミキサ３
５に接続され、ミキサ３５の出力は受信回路３６に接続
されている。また、送信回路３１と受信回路３６はそれ
ぞれ制御回路３７に接続され、制御回路３７の出力は電
圧制御発振器１０の制御電圧端子に接続されている。そ
して、電圧制御発振器１０の出力は２つに別れ、一方は
ミキサ３２に、他方はミキサ３５にそれぞれ接続されて
いる。
送信回路３１と、ミキサ３２と、サーキュレータ３３
と、アンテナ３４と、ミキサ３５と、受信回路３６と、
制御回路３７と、電圧制御発振器１０から構成されてい
る。ここで、送信回路３１はミキサ３２に接続され、ミ
キサ３２はサーキュレータ３３を介してアンテナ３４に
接続されている。また、サーキュレータ３３はミキサ３
５に接続され、ミキサ３５の出力は受信回路３６に接続
されている。また、送信回路３１と受信回路３６はそれ
ぞれ制御回路３７に接続され、制御回路３７の出力は電
圧制御発振器１０の制御電圧端子に接続されている。そ
して、電圧制御発振器１０の出力は２つに別れ、一方は
ミキサ３２に、他方はミキサ３５にそれぞれ接続されて
いる。
【００３１】このように構成された電子装置３０におい
て、電圧制御発振器１０は送信周波数と受信周波数、お
よび使用チャンネルに合わせて、制御回路３７からの指
示に従ってミキサ３２および３５に入力する周波数を切
り換えることができる。
て、電圧制御発振器１０は送信周波数と受信周波数、お
よび使用チャンネルに合わせて、制御回路３７からの指
示に従ってミキサ３２および３５に入力する周波数を切
り換えることができる。
【００３２】このように構成された電子装置３０におい
ては、本発明の電圧制御発振器１０を用いることによっ
て、高い周波数（この場合は約６ＧＨｚ）の信号を直接
得ることができるため、低い周波数の電圧制御発振器に
周波数変換器を接続して用いる場合に比べて、省スペー
ス化（すなわち小型化）とコストダウンを図ることがで
きる。
ては、本発明の電圧制御発振器１０を用いることによっ
て、高い周波数（この場合は約６ＧＨｚ）の信号を直接
得ることができるため、低い周波数の電圧制御発振器に
周波数変換器を接続して用いる場合に比べて、省スペー
ス化（すなわち小型化）とコストダウンを図ることがで
きる。
【００３３】なお、電子装置３０においては電圧制御発
振器１０を用いたが、電圧制御発振器２０を用いても構
わないものである。また、電子装置としてもＥＴＣ用の
車載機に限るものではなく、路側機に用いても、あるい
は全く別のシステムに用いても構わないものである。
振器１０を用いたが、電圧制御発振器２０を用いても構
わないものである。また、電子装置としてもＥＴＣ用の
車載機に限るものではなく、路側機に用いても、あるい
は全く別のシステムに用いても構わないものである。
【００３４】
【発明の効果】本発明の電圧制御発振器によれば、発振
用のトランジスタと、トランジスタのベースに接続され
た略１／４波長の一端開放分布定数線路と、トランジス
タのコレクタに接続されたインダクタンス素子と、イン
ダクタンス素子に接続されたバラクタダイオードとを有
することによって、高周波において安定に発振し、しか
も大きな周波数可変幅を得ることができる。また、自己
共振周波数が発振周波数より低いコンデンサをインダク
タンス素子として用いることによっても同様の効果を得
ることができる。また、一端開放分布定数線路と並行に
隣接して結合する一端を開放し他端を接地した略１／４
波長の分布定数線路を有することによって、Ｃ／Ｎを改
善することができる。
用のトランジスタと、トランジスタのベースに接続され
た略１／４波長の一端開放分布定数線路と、トランジス
タのコレクタに接続されたインダクタンス素子と、イン
ダクタンス素子に接続されたバラクタダイオードとを有
することによって、高周波において安定に発振し、しか
も大きな周波数可変幅を得ることができる。また、自己
共振周波数が発振周波数より低いコンデンサをインダク
タンス素子として用いることによっても同様の効果を得
ることができる。また、一端開放分布定数線路と並行に
隣接して結合する一端を開放し他端を接地した略１／４
波長の分布定数線路を有することによって、Ｃ／Ｎを改
善することができる。
【００３５】また、本発明の電子装置によれば、本発明
の電圧制御発振器を用いることによって、省スペース化
とコストダウンを図ることができる。
の電圧制御発振器を用いることによって、省スペース化
とコストダウンを図ることができる。
【図１】本発明の電圧制御発振器の一実施例を示す回路
図である。
図である。
【図２】本発明の電圧制御発振器の別の実施例を示す回
路図である。
路図である。
【図３】本発明の電子装置の一実施例を示すブロック図
である。
である。
【図４】従来の電圧制御発振器を示す回路図である。
【図５】従来の発振器を示す回路図である。
２…出力端子 ６…一端開放分布定数線路 １０、２０…電圧制御発振器 １１…制御電圧端子 ２１…分布定数線路 ３０…電子装置 ＶＤ２…バラクタダイオード Ｃ２、Ｃ５…コンデンサ Ｑ１…トランジスタ
Claims (4)
- 【請求項１】 発振用のトランジスタと、該トランジス
タのベースに接続された略１／４波長の一端開放分布定
数線路と、前記トランジスタのコレクタに接続されたイ
ンダクタンス素子と、該インダクタンス素子に接続され
たバラクタダイオードとを有することを特徴とする電圧
制御発振器。 - 【請求項２】 前記インダクタンス素子として、自己共
振周波数が発振周波数より低いコンデンサを用いたこと
を特徴とする、請求項１に記載の電圧制御発振器。 - 【請求項３】 一端を開放し他端を接地した発振周波数
において略１／４波長の分布定数線路を、前記一端開放
分布定数線路と並行に隣接して配置したことを特徴とす
る、請求項１または２に記載の電圧制御発振器。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の電
圧制御発振器を用いたことを特徴とする電子装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10325029A JP2000151275A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 電圧制御発振器およびそれを用いた電子装置 |
| US09/438,324 US6369664B1 (en) | 1998-11-16 | 1999-11-12 | Voltage controlled oscillator and electronic apparatus using same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10325029A JP2000151275A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 電圧制御発振器およびそれを用いた電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000151275A true JP2000151275A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18172361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10325029A Pending JP2000151275A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 電圧制御発振器およびそれを用いた電子装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6369664B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000151275A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW522637B (en) * | 2002-02-22 | 2003-03-01 | Accton Technology Corp | Low-phase noise oscillator with a microstrip resonator |
| JP2007300159A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Sharp Corp | 回路ユニット、電源バイアス回路、ｌｎｂ、およびトランスミッタ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2557134C3 (de) * | 1975-12-18 | 1979-10-04 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Transistoroszillator für den Mikrowellenbereich |
-
1998
- 1998-11-16 JP JP10325029A patent/JP2000151275A/ja active Pending
-
1999
- 1999-11-12 US US09/438,324 patent/US6369664B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6369664B1 (en) | 2002-04-09 |
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