JP2903934B2 - 発振回路と、この発振回路を用いたbsチューナ - Google Patents

発振回路と、この発振回路を用いたbsチューナ

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JP2903934B2
JP2903934B2 JP5073185A JP7318593A JP2903934B2 JP 2903934 B2 JP2903934 B2 JP 2903934B2 JP 5073185 A JP5073185 A JP 5073185A JP 7318593 A JP7318593 A JP 7318593A JP 2903934 B2 JP2903934 B2 JP 2903934B2
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
  • Superheterodyne Receivers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は発振回路と、この発振回
路を用いたBSチューナに関するものである。
【0002】
【従来の技術】以下、従来の発振回路について説明す
る。
【0003】従来の発振回路は図6に示すように、IC
22内において、トランジスタ6aおよびトランジスタ
6bにより差動アンプを構成し、さらにこのIC22の
内にループアンプ14を内蔵している。また前記トラン
ジスタ6aおよびトランジスタ6bのコレクタはそれぞ
れバイアス供給用の抵抗2および抵抗3により電源供給
用端子1に接続されている。前記トランジスタ6aのコ
レクタは結給用のコンデンサ8を介して同調回路用端子
12に接続され、前記トランジスタ6bのベースは結合
用のコンデンサ7を介して前記同調回路用端子12に接
続されている。また前記トランジスタ6aの高周波出力
成分はそのコレクタからコンデンサ8,7を介して前記
トランジスタ6bのベースに入力する。
【0004】一方、前記トランジスタ6bのコレクタは
結合用のコンデンサ4を介して同調回路用端子10に接
続され、前記トランジスタ6aのベースは結合用のコン
デンサ5を介して前記同調回路用端子10に接続されて
いる。
【0005】また前記トランジスタ6bの高周波出力成
分はそのコレクタからコンデンサ4,5を介して前記ト
ランジスタ6aのベースに入力する。
【0006】すなわち前記トランジスタ6aおよびトラ
ンジスタ6bにより差動アンプを構成し、たがいに高周
波的に正帰還をかけることにより、発振状態を形成する
ようにしているのである。
【0007】このときの発振周波数は、主に前記同調回
路用端子10および同調回路用端子12に接続される同
調回路部23により決定される。この同調回路部23
は、前記同調回路用端子10とアースの間につながれる
コイル15と、前記同調回路用端子12とアースの間に
つながれるコイル19と、前記同調回路用端子10と前
記同調回路用端子12との間につながれるバリキャップ
ダイオード16およびバリキャップダイオード18とか
らなる。これらのバリキャップダイオード16とバリキ
ャップダイオード18とはカソード同士を接続し、さら
にこの接続点は抵抗17により前記IC22の電圧制御
端子13に接続する。これにより前記電圧制御端子13
の電圧によって前記バリキャップダイオード16および
バリキャップダイオード18の容量値が変化し、発振周
波数を可変できるものであり、FM復調回路として用い
ることができる。
【0008】なお図6の9は定電流回路、11はアース
端子である。つぎに、従来の発振回路の等価回路を図7
に示す。
【0009】図7において、前記同調回路用端子10と
前記同調回路用端子12との間には、前記バリキャップ
ダイオード16と前記バリキャップダイオード18の合
成された可変コンデンサ28と、このバリキャップダイ
オード16とバリキャップダイオード18に直列に入る
基板上のパターンによるコイル27との直列回路26が
接続される。さらにこの直列回路26には前記コイル1
5と前記コイル19の合成であるコイル29が並列に接
続される。一方IC22の内部を見たときに、前記同調
回路用端子10とアース端子11間には、前記結合用コ
ンデンサ4および前記結合用コンデンサ5を介してアー
スとの間に生じる容量と、前記IC22のボンディング
用パッドとアースとの間に生じる容量との合成したコン
デンサ24が生じる。
【0010】同様に前記同調回路用端子12とアース端
子11間には、前記結合用コンデンサ7および前記結合
用コンデンサ8を介してアースとの間に生じる容量と、
前記IC22のボンディング用パッドとアースとの間に
生じる容量との合成したコンデンサ25が生じる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】図8,図9はそれぞれ
従来の発振回路の同調回路部のリアクタンス特性と伝送
特性を表わす。
【0012】図8,図9において、同調回路の同調周波
数がA点とB点に二つ発生し、例えばA点を400MHz
になるようにすると、B点はA点より高い周波数となり
例えば1.4GHzとなる。
【0013】このA点,B点の発生メカニズムについて
説明すると、図7の等価回路図において、前記コイル2
7は基板上のプリントパターンによる微小なインダクタ
ンス成分であるが、前記直列回路26の共振点が例えば
1.4GHz付近に発生すると、1.4GHz以下では容量
性となるが、1.4GHz以上では誘導性となってしま
う。この結果1.4GHz以下では、主に前記コイル29
と、容量可変用のコンデンサ28とにより、正規の同調
周波数であるA点がほぼ決まることになる。
【0014】しかし、1.5GHz以上では前記直列回路
26が誘導性となり、この直列回路26に並列に接続さ
れる前記コイル15と前記コイル19との合成であるコ
イル29のインダクタンスにくらべて前記直列回路26
の等価インダクタンスが小さく、このために主に前記容
量可変用のコンデンサ28と、パターンによる微小なコ
イル27と、IC22の内部の等価容量であるコンデン
サ24とコンデンサ25によって同調点が形成されてし
まう。
【0015】つまり発振周波数として本来用いるA点以
外に、A点より高い周波数域に第2の発振周波数となる
B点が存在してしまい、基板上のパターンによるコイル
42のインダクタンスが大きく、あるいはIC22内の
トランジスタの利得ばらつきが大きく、あるいは温度変
化があると、基本発振の周波数がA点でなくB点となっ
てしまい、例えばFM復調回路に用いた場合に正常な動
作をしなくなってしまう。
【0016】本発明はこのような問題点を解決するもの
で、基板上のパターンによるインダクタンスがあっても
正常な発振動作をするようにすることを目的としたもの
である。
【0017】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の発振回路は、集積回路で形成された平衡型
の差動増幅回路と、この差動増幅回路に接続された同調
回路とから成る発振回路において、上記差動増幅回路
は、第1トランジスタと第2トランジスタのエミッタを
定電流源に共通に接続して差動アンプを構成し、上記第
1のトランジスタのベースに接続された第1のコンデン
サと上記第2のトランジスタのコレクタに接続された第
2のコンデンサとを第1の同調回路用端子に接続し、上
記第1のトランジスタのコレクタに接続された第3のコ
ンデンサと上記第2のトランジスタのベースに接続され
た第4のコンデンサとを第2の同調回路用端子に接続し
て形成するとともに上記同調回路は、基板上において、
上記第1の同調回路用端子に接続された第1の端子とア
ースとの間に第1のコイルをパターンで接続するととも
に上記第2の同調回路用端子に接続された第2の端子と
アースとの間に第2のコイルをパターンで接続し、上記
第1の端子と上記第2の端子との間にパターンでコンデ
ンサを接続して形成し、上記第1の同調回路用端子と上
記第1の端子間或いは上記第2の同調回路と上記第2の
端子間の少なくとも一方には上記基板上に上記コンデン
サを接続することにより形成されるパターンのインダク
タンス成分を軽減する抵抗を挿入したものである。
【0018】
【作用】この構成により基板上にコンデンサを接続する
ことによるパターンのインダクタンス成分を軽減する抵
抗を挿入しているので、第1の同調回路用端子より差動
増幅回路側をみた容量成分と、第2の同調回路用端子よ
り差動増幅回路側をみた容量成分とによって形成される
かなり高い周波数帯に存在する同調回路のQを十分に低
く抑圧することができる。
【0019】これによって、温度変化やトランジスタの
ばらつきによっても安定した発振動作をさせることがで
きる。
【0020】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図1〜図4
を参照しながら説明する。
【0021】なお従来例を示す図6〜図9と同一部分に
は、同一番号を付して説明を簡略化する。
【0022】本発明の一実施例発振回路の同調回路部2
3は、前記同調回路用端子10に第1の抵抗10を接続
し、この抵抗10の他端とアースとの間に第1のコイル
15を設け、また前記同調回路用端子12に第2の抵抗
21を接続し、この抵抗21の他端とアースとの間に第
2のコイル19を設けている。
【0023】そして前記抵抗20とコイル15との接続
点と、抵抗21とコイル19との接続点との間には、直
列に接続される第1のバリキャップダイオード16およ
び第2のバリキップダイオード18を接続している。
【0024】このバリキャップダイオード16とバリキ
ャップダイオード18とはカソード同士を接続し、さら
にその接続点に抵抗17を介して前記IC22の電圧制
御端子13を接続している。これにより前記電圧制御端
子13の電圧値によって前記バリキャップダイオード1
6およびバリキャップダイオード18の容量値が変化
し、発振周波数を可変できるものであり、FM復調回路
として用いることもできる。
【0025】つぎに、本発明の一実施例における発振回
路の等価回路を図2に示す。図2において、同調回路用
端子10には抵抗20の一方を接続し、同調回路用端子
12には抵抗21の一方を接続している。また前記抵抗
20の他端と前記抵抗21の他端との間には、コイル2
7と容量可変コンデンサ28よりなる直列回路26を接
続している。さらにこの直列回路26の一方はコイル1
5によりアースに接続し、直列回路26の他端はコイル
19によりアースに接続する。
【0026】前記直列回路26を構成するコンデンサ2
8は、前記バリキャップダイオード16,18の容量を
合成したものである。
【0027】またコイル27は、実装基板上のプリント
パターン部による微小なインダクタンス成分を合成した
ものであり、前記コンデンサ28に直列に接続されるイ
ンダクタンス成分である。つまり発振回路の発振周波数
は図2の等価回路で決定されるものである。
【0028】図3,図4には、それぞれ本発明の一実施
例による発振回路の同調回路部のリアクタンス特性と伝
送特性を表わす。
【0029】図3,図4において、同調回路の同調周波
数がA点とB点と二つ発生し、例えばA点を400MHz
になるようにすると、B点はA点より高い周波数となり
例えば1.4GHzとなる。
【0030】このA点,B点の発生メカニズムは従来例
で示すとおりであり、このA点は図2で示す前記コイル
29と、前記容量可変用のコンデンサ28とによりほぼ
決まるものである。B点では、前記直列回路26が誘導
性となって、この直列回路26に並列に接続される前記
コイル29のインダクタンスにくらべて、前記直列回路
26の等価インダクタンスが小さい。この為にB点では
容量可変用のコンデンサ28と、パターンによる微小な
コイル27と、IC22の内部の等価容量であるコンデ
ンサ24とコンデンサ25によって同調点が形成されて
しまう。
【0031】図2に示すように、IC22の同調回路用
端子10と同調回路部23との間に発振安定用の抵抗2
0および抵抗21を接続しておく。
【0032】この抵抗20,21を入れる事によって図
4でわかるように、基本発振周波数であるA点における
Qの低下はほとんどなく、寄生発振周波数であるB点に
おけるQは十分に抑圧され、発振回路として安定動作を
保証できるものである。何故ならば、A点は同調用のコ
イル29と容量可変用のコンデンサ28とによりほぼ決
まるものであり、発振安定用の抵抗20および抵抗21
による影響をほとんど受けない。
【0033】しかし、B点は容量可変用のコンデンサ2
8と、パターンによる微小なコイル27と、IC22の
内部のコンデンサ24とコンデンサ25とによって決ま
るものであり、発振安定用の抵抗20および抵抗21に
よってQの抑圧が可能となる。
【0034】本実施例では、上記発振安定用の抵抗20
を同調回路用端子10と同調回路部23との間に、抵抗
21を同調回路用端子12と同調回路23との間にそれ
ぞれ接続したものであるが、この発振安定用の抵抗2
0,抵抗21はどちらか一方でも良い。
【0035】図5は、本発明の発振回路を用いたBSチ
ューナのブロック図である。図5において、51は入力
端子であり、この入力端子51の出力が接続されたRF
増幅器52と、このRF増幅器52の出力の一方の入力
に接続されるとともに、他方の入力には第1発振回路5
3の出力が接続された混合回路54と、この混合回路5
4の出力が接続されたIF増幅器55と、このIF増幅
器55の出力が一方の入力に接続された位相比較回路5
6と、この位相比較回路56の出力が接続されたローパ
スフィルタ57と、このローパスフィルタ57の出力が
接続された出力端子58と、前記ローパスフィルタ57
の出力と前記位相比較回路56の他方の入力との間に増
幅器41を介して設けられた第2の発振回路59を有し
ている。そして、この第2の発振回路59として図1,
図2に示す発振回路を用いている。
【0036】
【発明の効果】以上のように本発明の発振回路によれ
ば、基板上にコンデンサを接続することによるパターン
のインダクタンス成分を軽減する抵抗を挿入しているの
で、第1の同調回路用端子より差動増幅回路側をみた容
量成分と、第2の同調回路用端子より差動増幅回路側を
みた容量成分とによって形成されるかなり高い周波数帯
に存在する同調回路のQを十分に低く抑圧することがで
きる。従って、温度変化やトランジスタのばらつきによ
っても安定した発振動作をさせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による発振回路の回路図
【図2】図1の発振回路の等価回路図
【図3】図1の発振回路の同調回路部のリアクタンス特
性図
【図4】図1の発振回路の同調回路部の伝送特性図
【図5】図1の発振回路を用いたBSチューナのブロッ
ク図
【図6】従来の発振回路の回路図
【図7】図6の発振回路の等価回路図
【図8】図6の発振回路の同調回路部のリアクタンス特
性図
【図9】図6の発振回路の同調回路部の伝送特性図
【符号の説明】
6a 第1のトランジスタ 6b 第2のトランジスタ 4 第2のコンデンサ 5 第1のコンデンサ 7 第4のコンデンサ 8 第3のコンデンサ 10 第1の同調回路用端子 12 第2の同調回路用端子 15 第1のコイル 19 第2のコイル 20 第1の抵抗 21 第2の抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H03B 5/00 - 5/42 H03L 7/08 H04B 1/26

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 集積回路で形成された平衡型の差動増幅
    回路と、この差動増幅回路に接続された同調回路とから
    成る発振回路において、上記差動増幅回路は、第1トラ
    ンジスタと第2トランジスタのエミッタを定電流源に共
    通に接続して差動アンプを構成し、上記第1のトランジ
    スタのベースに接続された第1のコンデンサと上記第2
    のトランジスタのコレクタに接続された第2のコンデン
    サとを第1の同調回路用端子に接続し、上記第1のトラ
    ンジスタのコレクタに接続された第3のコンデンサと上
    記第2のトランジスタのベースに接続された第4のコン
    デンサとを第2の同調回路用端子に接続して形成すると
    ともに上記同調回路は、基板上において、上記第1の同
    調回路用端子に接続された第1の端子とアースとの間に
    第1のコイルをパターンで接続するとともに上記第2の
    同調回路用端子に接続された第2の端子とアースとの間
    に第2のコイルをパターンで接続し、上記第1の端子と
    上記第2の端子との間にパターンでコンデンサを接続し
    て形成し、上記第1の同調回路用端子と上記第1の端子
    間或いは上記第2の同調回路と上記第2の端子間の少な
    くとも一方には上記基板上に上記コンデンサを接続する
    ことにより形成されるパターンのインダクタンス成分を
    軽減する抵抗を挿入した発振回路。
  2. 【請求項2】 コンデンサは、二つのコンデンサを直接
    接続し、この二つのコンデンサの少なくとも一つを可変
    容量コンデンサとするとともに、この二つのコンデンサ
    の接続点と電圧制御端子との間に抵抗またはコイルを設
    けた請求項1記載の発振回路。
  3. 【請求項3】 入力端子と、この入力端子に接続された
    増幅器と、この増幅器の出力信号と第1の発振回路の出
    力信号とが供給される混合回路と、この混合回路の出力
    信号が供給される増幅器と、この増幅器の出力信号が一
    方の入力に供給される位相比較回路と、この位相比較回
    路の出力信号が供給される出力端子とを備え、上記出力
    端子と位相比較回路の他方の入力との間に、請求項2記
    載の発振回路を設けたBSチューナ。
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