DE4401005C2 - Verfahren zur Einstellung einer gewünschten Characteristik bei einer Hochfrequenzschaltungsanordnung - Google Patents
Verfahren zur Einstellung einer gewünschten Characteristik bei einer HochfrequenzschaltungsanordnungInfo
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich im allgemeinen
auf ein verfahren zur Einstellung einer gewünschten Charakteri
stik bei Hochfrequenzschaltungsanordnungen, und im besonderen
bei einer integrierten Mikrowellenschaltungs-(MIC)-Anordnung.
Aus der JP 1-69101 ist eine Hohlleiteranordnung mit variablem
Phasenschieber bekannt.
Aus der US 4,859,972 ist ein Phasenschieber bekannt, der mehre
re Varaktordioden verwendet, welche in ein vorgegebenes Lei
tungsschema fest integriert sind.
Die Druckschrift "IEEE Transactions on Microwave Theory and -
techniques, Vol. MTT-33, Nr. 7, Juli 1985, Seite 626-634" zeigt
das allgemeine Grundprinzip eines Phasenschiebers.
In letzter Zeit sind MIC-Anordnungen umfassend eingesetzt wor
den. Eine MIC-Anordnung enthält verschiedene strukturelle Tei
le, die auf einer MIC-Unterlage montiert sind. Solch eine MIC-
Anordnung wird verwendet, um einen spannungsgesteuerten Oszil
lator, einen Phasenschieber oder dergleichen zu bilden.
Normalerweise werden die Spezifikationen einer gewünschten MIC-
Anordnung, die für einen spannungsgesteuerten Oszillator oder einen
Phasenschieber verwendet wird, bestimmt. Danach werden strukturelle
Teile der gewünschten MIC-Anordnung konstruiert, um die Daten (ihre
gewünschten Characteristiken) zu erhalten. Wenn zum Beispiel ein
span
nungsgesteuerter Oszillator konstruiert wird, müssen struk
turelle Teile konstruiert werden, um eine gewünschte
Schwingfrequenzcharakteristik zu erhalten. Normalerweise
erfordert der spannungsgesteuerte Oszillator, der Phasen
schieber oder dergleichen elektronische Teile, wie Halblei
terelemente. Beispiele für jene elektronischen Teile sind
ein Transistor und eine Varaktordiode. Natürlich werden
solch ein Transistor und eine Varaktordiode speziell kon
struiert, um die gewünschten Daten zu erreichen und die
gewünschten Charakteristiken zu erhalten. Obiges gilt für
den Phasenschieber. Das heißt, strukturelle Teile eines
gewünschten Varaktordiodenphasenschiebers müssen konstruiert
werden, um einen Zielbetrag einer Phasenverschiebung zu erhalten.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine
Hochfrequenzschaltungsanordnung vorzusehen, in der elek
tronische Teile, wie Halbleiterelemente, die auf Märkten
verfügbar sind, anstelle von speziell konstruierten Elemen
ten eingesetzt werden können. Die Verwendung von solchen auf
dem Markt gehandelten Halbleiterelementen trägt zu Verbes
serungen bei den Produktionskosten und der Massenproduktivi
tät bei. Auf dem Markt gehandelte Halbleiteranordnungen
werden, wie wohlbekannt ist, nicht konstruiert, um eine
spezifische Charakteristik zu erhalten. Daher ist es un
möglich, die speziell konstruierten Halbleiterelemente durch
Halbleiterelemente zu ersetzen, die auf dem Markt verfügbar
sind. Falls solch ein Austausch vorgenommen wird, hat die
Hochfrequenz-(MIC)-Schaltungsanordnung nicht die gewünschten
Charakteristiken.
Genauer gesagt, es ist eine Aufgabe der vorliegenden
Erfindung, eine Hochfrequenzschaltungsanordnung mit einer
Schaltungskonfiguration vorzusehen, die ein Mittel zum
Einstellen ihrer Betriebscharakteristiken hat, so daß
Zielcharakteristiken unter Verwendung von auf dem Markt
gehandelten elektronischen Teilen leicht erhalten werden
können.
Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand des Anspruchs 1 gelöst.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der
Erfindung an Hand der Figuren näher erläutert.
Fig. 1 ein Schaltungsdiagramm einer herkömmlichen
Hochfrequenzschaltungsanordnung ist, die als spannungs
gesteuerter Oszillator dient;
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht der herkömmlichen
Hochfrequenzschaltungsanordnung ist, die in Fig. 1 gezeigt
ist;
Fig. 3 ein Schaltungsdiagramm eines spannungsgesteuer
ten Oszillators gemäß einer ersten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung ist;
Fig. 4 eine perspektivische Ansicht des spannungs
gesteuerten Oszillators ist, der in Fig. 3 gezeigt ist;
Fig. 5A eine Seitenansicht eines Teils des spannungs
gesteuerten Oszillators ist, der in Fig. 2 und 4 gezeigt
ist;
Fig. 5B eine Draufsicht auf den obigen Teil des span
nungsgesteuerten Oszillators ist, der in Fig. 5A gezeigt
ist;
Fig. 5C ein Ersatzschaltungsdiagramm des Teils ist, der
in Fig. 5A und 5B gezeigt ist;
Fig. 5D ein anderes Ersatzschaltungsdiagramm des Teils
ist, der in Fig. 5A und 5B gezeigt ist, bei dem nur Kapazi
tätskomponenten von ihm berücksichtigt sind;
Fig. 6 ein Diagramm ist, das Veränderungen bei Varak
tordioden, die in Fig. 1 und 3 gezeigt sind, als Funktion
von Spannungen zeigt, die auf sie angewendet werden;
Fig. 7A und 7B grafische Darstellungen sind, die
Effekte der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung zeigen;
Fig. 8 ein Schaltungsdiagramm eines Phasenschiebers
gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung ist; und
Fig. 9 ein Schaltungsdiagramm eines Phasenschiebers
gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung ist.
Fig. 1 ist ein Schaltungsdiagramm einer spannungs
gesteuerten Oszillator-(VCO)-Anordnung, bei der speziell
konstruierte elektronische Teile verwendet werden, und Fig.
2 ist eine perspektivische Ansicht der in Fig. 1 gezeigten
VCO-Anordnung. Die in Fig. 1 und 2 gezeigte VCO-Anordnung
enthält einen Kopplungskondensator 101, eine Ausgangsanpas
sungsschaltung 102, einen Oszillationstransistorchip 103,
eine λ/4-Streifenleitung 104, eine Streifenleitung 105,
einen Dünnschichtwiderstand 106 zum Vorspannen, eine Strei
fenleitung 107, einen Vorspannungszuführungsanschluß 108,
einen Dünnschichtwiderstand 109, eine Streifenleitung 110,
eine λ/4-Streifenleitung 111, eine Streifenleitung 112, eine
λ/4-Streifenleitung 113, einen Vorspannungszuführungs
anschluß 114, einen nλ/4-Streifenleitungsresonator (n = 1,
2, . . .) 115, einen Ausgangsanschluß 119, einen Kopplungskon
densator 120 und eine λ/4-Streifenleitung 121. Der Streifen
leitungsresonator 115 besteht aus einer Streifenleitung 116,
einem Varaktordiodenchip 117 und einer Streifenleitung 118.
Die Streifenleitungen 105, 107, 110, 112, 122 dienen bei
hohen Frequenzen im Mikrowellenbereich als Erde. Der Vor
spannungszuführungsanschluß 108 ist, wie in Fig. 2 gezeigt,
über eine λ/4-Streifenleitung 122 mit einem Ende des Kopp
lungskondensators verbunden. Die obigen strukturellen
Elemente sind auf einer MIC-Unterlage 130 montiert.
Der Varaktordiodenchip 117 selbst ist vollkommen auf
der Streifenleitung 118 montiert, wie in Fig. 1 und 2
gezeigt. Normalerweise ist der Varaktordiodenchip auf der
Streifenleitung 118 gebildet. In dem in Fig. 2 gezeigten
Fall ist der Varaktordiodenchip 117 über eine Elektrode, die
auf der unteren Oberfläche des Varaktordiodenchips 117
gebildet ist, an der Streifenleitung 118 mittels eines
Klebstoffs befestigt und ist mit der Streifenleitung 116
über eine Elektrode in Kontakt, die auf seiner oberen
Oberfläche durch Drahtbonden gebildet ist. Der Oszillations
transistorchip 103 ist auf einer Streifenleitung gebildet
und ist nicht verpackt. In dem in Fig. 2 gezeigten Fall sind
Anschlüsse auf dem Chip gebildet und mit den entsprechenden
Leitungen durch Drahtbonden verbunden.
Der Oszillationstransistorchip 103 und der Varaktor
diodenchip 117, die Halbleiterelemente sind, sind speziell
konstruiert, um eine gewünschte Charakteristik der VCO-
Anordnung zu erhalten. Insbesondere sind die Daten des
Oszillationstransistorchips 103 und des Varaktordiodenchips
117 dafür bestimmt, um bei einem Zielschwingfrequenzbereich
zu arbeiten. Die Schwingfrequenz selbst kann durch Anwenden
einer Vorspannung auf den Vorspannungszuführungsanschluß 114
eingestellt werden.
Falls der Oszillationstransistorchip 103 und der
Varaktordiodenchip 117 durch jene ausgetauscht werden, die
auf dem Markt verfügbar sind, kann sich der Schwingfrequenz
bereich, der mit diesen Elementen erhalten wird, von dem
Zielschwingfrequenzbereich unterscheiden, bis auf den Fall,
bei dem die auf dem Markt gehandelten Elemente Charakteri
stiken haben, die mit jenen der speziell konstruierten
Elemente zusammenfallen. Dieses Problem wird besonders
ernst, falls der Varaktordiodenchip 117 mit einer Charak
teristik verwendet wird, die sich von jener des speziell
konstruierten unterscheidet.
Die obige Situation gilt für eine andere MIC-Anordnung,
wie ein Phasenschieber, der eine Varaktordiode enthält. Der
Betrag einer Phasenverschiebung, der mit einer auf dem Markt
erhältlichen Varaktordiode erhalten wird, kann sich von dem
Zielbetrag einer Phasenverschiebung unterscheiden, die mit
der speziell konstruierten Varaktordiode erhalten wird.
Fig. 3 ist ein Schaltungsdiagramm einer VCO-Anordnung
gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung, und Fig. 4 ist eine perspektivische Ansicht der in
Fig. 3 gezeigten VCO-Anordnung. Die in Fig. 3 und 4 gezeigte
VCO-Anordnung enthält einen Kopplungskondensator 1, eine
Ausgangsanpassungsschaltung 2, ein Oszillationstransistor
element 3, eine λ/4-Streifenleitung 4, eine Streifenleitung
5, einen Chipwiderstand 6 zum Vorspannen, einen Kopp
lungskondensator 7, einen Vorspannungszuführungsanschluß 8,
einen Chipwiderstand 9, eine Streifenleitung 10, eine λ/4-
Streifenleitung 11, eine Streifenleitung 12, λ/4-Streifen
leitung 13, einen Vorspannungszuführungsanschluß 14, einen
nλ/4-Streifenleitungsresonator (n = 1, 2, . . .) 15, einen
Kopplungskondensator 20 und eine λ/4-Streifenleitung 21.
Der Streifenleitungsresonator 15 besteht aus einer
Streifenleitung 16, einer Varaktordiode 17 und einer Strei
fenleitung 18. Die Streifenleitungen 5, 10 und 12 und der
Kopplungskondensator 7 dienen bei hohen Frequenzen im
Mikrowellenbereich als Erde. Die Streifenleitungen 4, 11, 13
und 21 dienen als RFCs. Kopplungskondensatoren 22 und 24 (in
Fig. 3 nicht gezeigt) sind, wie in Fig. 4 gezeigt, mit dem
Oszillationstransistorelement 3 verbunden, das zum Beispiel
mit einem GaAs-Feldeffekttransistor des diskreten Typs
gebildet ist, der normal verpackt ist. Das Gate des FET 3
ist über den Kopplungskondensator 20 mit der Streifenleitung
6 gekoppelt. Das Drain des FET 3 ist über den Kopplungskon
densator 1 und die Ausgangsanpassungsschaltung 2 mit dem
Ausgangsanschluß 19 gekoppelt. Die Vorspannung wird der
Source des FET 3 zugeführt.
Die Varaktordiode 17 ist zum Beispiel mit einer Varak
tordiode des diskreten Typs gebildet, die normal verpackt
ist. Der Transistor 3 und die Varaktordiode 17 können jene
sein, die auf dem Markt erhältlich sind, und sind nicht
speziell konstruiert, um einen Zielschwingfrequenzbereich zu
erhalten. Die Anschlußstifte der Varaktordiode 17 sind zum
Beispiel durch Löten direkt an den Streifenleitungen 16 und
18 befestigt. Die obigen strukturellen Elemente sind auf
einem MIC-Substrat 30 montiert.
Gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung kann die Schwingfrequenz gesteuert werden, indem
nicht nur die Vorspannungssignale, die auf den Vorspannungs
zuführungsanschluß 14 angewendet werden, eingestellt werden,
sondern auch die Befestigungsposition der Varaktordiode 17
an der λ/4-Streifenleitung 18. Der Ausdruck "Befestigungs
position" entspricht der Länge der Streifenleitung 18, und
die Befestigungsposition der Varaktordiode 17 befindet sich
an dem Ende der Streifenleitung 18, das ihrem offenen Ende
gegenüberliegt. Es sei angemerkt, daß das Vorspannungs
signal, das auf den Anschluß 14 angewendet wird, und die
Position der Varaktordiode 17 an der Streifenleitung 18 (die
Länge der Streifenleitung 18) die Resonanzfrequenz des
Streifenleitungsresonators 15 verändern. Die Einstellung auf
der Grundlage der Befestigungsposition der Varaktordiode 17
an der λ/4-Streifenleitung 18 wird unten in Verbindung mit
Fig. 5A bis 5D eingehend beschrieben.
Fig. 5A ist eine Seitenansicht eines Teils der in Fig.
4 gezeigten VCO-Anordnung, und Fig. 5B ist eine Draufsicht
auf ihn. Ferner ist Fig. 5C ein Ersatzschaltungsdiagramm des
Streifenleitungsresonators 15, der Streifenleitungen 16 und
18 und die Varaktordiode 17 enthält, und Fig. 5D ist ein
Ersatzschaltungsdiagramm von ihm, das die Kapazitätskom
ponenten des Streifenleitungsresonators 15 berücksichtigt.
In Fig. 5D bezeichnet Cv die Kapazität der Varaktor
diode 17, und Cl bezeichnet die Kapazität der Streifenlei
tung 18. Die Gesamtkapazität Ct von Cv und Cl kann wie folgt
geschrieben werden:
Ct = Cv . Cl/(Cv + Cl)
und eine Änderung der Gesamtkapazität Ct gegenüber der
Kapazität Cv ist wie folgt:
ΔCt = dCt/dCv = 1/(Cv/Cl + l)2.
Aus der obigen Gleichung ist ersichtlich, daß Delta-Ct groß
ist, wenn Cl groß ist, und klein ist, wenn Cl klein ist.
Unter Bezugnahme auf Fig. 5C wird eine Impedanz Zl1
hinsichtlich des offenen Endes der Streifenleitung 18 von
dem Ende der Varaktordiode 17 aus, das mit der Streifenlei
tung 18 verbunden ist, wie folgt geschrieben:
βZl1 = 1/jωCv + Zo/jtanßl1 = Zo/jtanßle
wobei le die äquivalente Länge des Resonators 15 bezeichnet,
l1 die Länge zwischen dem offenen Ende der Streifenleitung
18 und der Position ist, an der der Anschluß der Varaktor
diode 17 an der Streifenleitung 18 befestigt ist, und Zo die
charakteristische Impedanz der Streifenleitung 18 ist. Aus
der obigen Gleichung wird die folgende Gleichung erhalten:
βle = tan-1{ωZoCvtanβl1/(ωZoCv + tanβl1)}
β = 2π/λ
ω = 2πf (f ist die Frequenz).
Jetzt erfolgt eine Beschreibung dessen, wie die äquiva
lente Streifenleitungslänge le durch Verändern der Kapazität
Cv der Varaktordiode 17 geändert wird, wenn die Varaktor
diodenbefestigungsposition l1 als Parameter verwendet wird.
Fig. 6 ist ein Diagramm, das Veränderungen bei der
Kapazität Cv' des Varaktordiodenchips 117, der in Fig. 1 und
2 gezeigt ist, und der Kapazität Cv der Varaktordiode 17,
die in Fig. 3 und 4 gezeigt ist, bezüglich Spannungen zeigt,
die auf den Varaktordiodenchip 117 und die diskrete Varak
tordiode 17 angewendet werden.
Fig. 7A ist eine grafische Darstellung, die Veränderun
gen der äquivalenten Streifenleitungslänge in der Struktur,
die in Fig. 1 und 2 gezeigt ist, als Funktion der Spannung
zeigt, die auf den Varaktordiodenchip 117 angewendet wird,
wobei die Streifenleitungslänge l1 als Parameter verwendet
wird. Fig. 7B ist eine grafische Darstellung, die Verände
rungen der äquivalenten Streifenleitungslänge in der Struk
tur, die in Fig. 3 und 4 gezeigt ist, als Funktion der
Spannung zeigt, die auf die Varaktordiode 17 angewendet
wird, wobei die Streifenleitungslänge l1 als Parameter
verwendet wird. In Fig. 7A und 7B sind die charakteristi
schen Impedanzen Zo der Streifenleitungen gleich 50 [Ω], ist
die Frequenz f gleich 9,4 [GHz], und die Längen der Strei
fenleitungen 118 und 18 werden in 2, 3, 4, 5, 6, 7 und 8
[mm] verändert. Es sei angemerkt, daß in der in Fig. 1 und 2
gezeigten Struktur die Länge der Streifenleitung 118 einge
stellt werden kann, um die Zielschwingfrequenz leicht zu variieren.
Die Länge der Streifenleitung 118 wird jedoch
nicht eingestellt, um den Schwingfrequenzbereich zu ver
ändern, der die Kapazität des Varaktordiodenchips 117
berücksichtigt.
Wenn die Streifenleitungslänge l1 in der in Fig. 1 und
2 gezeigten Struktur 6 [mm] beträgt, werden dieselben
Charakteristiken wie jene der in Fig. 1 und 2 gezeigten
Struktur durch die in Fig. 3 und 4 gezeigte Struktur erhal
ten, wenn die Länge l1 der Streifenleitung 18 innerhalb des
Bereichs zwischen 7-8 [mm] gewählt wird. Wenn die Strei
fenleitungslänge l1 in der in Fig. 1 und 2 gezeigten Struk
tur 3 [mm] beträgt, werden dieselben Charakteristiken wie
jene der in Fig. 1 und 2 gezeigten Struktur durch die in
Fig. 3 und 4 gezeigte Struktur erhalten, wenn die Länge l1
der Streifenleitung 18 innerhalb des Bereichs zwischen 3-4
[mm] gewählt wird.
Ein Zielschwingfrequenzbereich kann, wie oben beschrie
ben, erhalten werden, indem die Länge l1 der Streifenleitung
18 von ihrem offenen Ende aus gewählt wird.
Fig. 8 ist ein Schaltungsdiagramm eines Phasenschiebers
gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung. Ursprünglich steuert der Phasenschieber, der in Fig. 8
gezeigt ist, die Phase eines Eingangssignals durch ein
darauf angewendetes Vorspannungssignal. Gemäß der zweiten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann der mögliche
Phasenverschiebungsbereich eingestellt werden, indem die
Länge einer Streifenleitung eingestellt wird, die ein erstes
Ende hat, mit dem eine Varaktordiode verbunden ist, und ein
zweites offenes Ende.
Genauer gesagt, der in Fig. 8 gezeigte Phasenschieber
besteht aus einem Eingangsanschluß 40, einem Vorspannungs
zuführungsanschluß 50, einem Ausgangsanschluß 45, Streifen
leitungen 41, 43, 46 und 48, Kopplungskondensatoren 42 und
47, einem Erdkondensator 51, RFC-Spulen 49 und 52, einem
Richtungskoppler 44, der mit einem Zirkulator gebildet ist,
Streifenleitungen 54 und 56 und einer Varaktordiode 55, die
zwischen den Streifenleitungen 54 und 56 verbunden ist. Der
Zirkulator 44 hat einen ersten Anschluß, der mit der Strei
fenleitung 43 verbunden ist, einen zweiten Anschluß, der mit
der Streifenleitung 54 verbunden ist, und einen dritten
Anschluß, der mit der Streifenleitung 48 verbunden ist.
Die Streifenleitungen 54 und 56 und die Varaktordiode
55 bilden einen Streifenleitungsresonator 53. Dieser Strei
fenleitungsresonator 53 ist auf dieselbe Weise konfiguriert
wie der in Fig. 3 gezeigte Streifenleitungsresonator 15.
Durch Einstellen der Länge der Streifenleitung 56 von ihrem
offenen Ende aus ist es möglich, einen Zielphasenverschie
bungsbereich zu erhalten, der durch die Struktur mit der
speziell konstruierten Varaktordiode erreicht werden kann.
Fig. 9 ist ein Schaltungsdiagramm eines Phasenschiebers
gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung. Ursprünglich steuert der in Fig. 8 gezeigte Phasen
schieber die Phase eines Eingangssignals durch ein darauf
angewendetes Vorspannungssignal. Gemäß der dritten Aus
führungsform der vorliegenden Erfindung kann der mögliche
Phasenverschiebungsbereich eingestellt werden, indem die
Längen der Streifenleitungen eingestellt werden, die jeweils
erste Enden haben, mit denen Varaktordioden verbunden sind,
und zweite offene Enden. In Fig. 9 sind Teile, die dieselben
wie jene sind, die in Fig. 8 gezeigt sind, mit denselben
Bezugszeichen wie vorher bezeichnet.
Im besonderen enthält der in Fig. 9 gezeigte Phasen
schieber einen Richtungskoppler 61, der mit einer 90°-
Hybridanordnung gebildet ist, anstelle des Zirkulators 44,
der in Fig. 8 gezeigt ist. Zusätzlich zu dem Streifenlei
tungsresonator 53, der in Fig. 8 gezeigt ist, ist ein
Streifenleitungsresonator 63 mit dem Richtungskoppler 61
verbunden. Der Streifenleitungsresonator 63 enthält zwei
Streifenleitungen 64 und 66 und eine Varaktordiode 65, die
zwischen ihnen verbunden ist. Eine RFC-Spule 62 ist mit der
Streifenleitung 66 verbunden. Das heißt, die Hybridanordnung
61 hat einen ersten Anschluß, der mit der Streifenleitung 43
gekoppelt ist, einen zweiten Anschluß, der mit dem Resonator
63 gekoppelt ist, einen dritten Anschluß, der mit dem
Resonator 53 gekoppelt ist, und einen vierten Anschluß, der
mit der Streifenleitung 48 gekoppelt ist.
Durch Einstellen der Längen der Streifenleitungen 56
und 66 von ihren offenen Enden aus ist es möglich, einen
Zielphasenverschiebungsbereich zu erhalten, der durch die
Struktur mit den speziell konstruierten Varaktordioden
erreicht wird.
Gemäß der vorliegenden Erfindung kann die äquivalente
Streifenleitungslänge des Resonators, die die Kapazität der
Varaktordiode berücksichtigt, gesteuert werden.
Claims (6)
1. Verfahren zur Einstellung einer gewünschten Charakte
ristik bei einer Hochfrequenzschaltungs-Anordnung unter Ver
wendung einer Varaktor-Diode (17), deren erster Anschluß mit
dem Ende einer ersten Streifenleitung (16) fest verbunden
ist, über die die Varaktor-Diode (17) eine einstellbare Vor
spannung gemäß einer Zielschwingfrequenz erhält, und deren
zweiter Anschluß mit einer zweiten Streifenleitung (18) ver
bunden wird, wonach eine Grobeinstellung der gewünschten Cha
rakteristik zunächst durch Auswahl der erforderlichen Grund
länge der als Stichleitung ausgebildeten zweiten Streifenlei
tung abhängig von einer der Zielschwingfrequenz entsprechen
den Vorspannung vorgenommen wird und dann eine Feineinstel
lung dadurch vorgenommen wird, indem der zweite Anschluß der
Varaktor-Diode (17) an einer ausgewählten Stelle am An
schlußendbereich der zweiten Streifenleitung (18) fest ange
schlossen wird, so daß die dadurch hergestellte effektive
Stichleitungslänge genauer zu der gewünschten Charakteristik
führt.
2. Hochfrequenzschaltungsanordnung, die nach dem
Verfahren gemäß Anspruch 1 einstellbar ist, mit:
einer Varaktordiode mit einem ersten Anschluß und einem zweiten Anschluß;
einer ersten Streifenleitung, die mit dem ersten Anschluß der Varaktordiode fest verbunden ist, wobei über den ersten Anschluß eine Spannung der Varaktordiode zuge führ wird;
einer zweiten als Stichleitung ausgebildeten Streifenleitung, deren Anschlußende mit dem zweiten An schluß der Varaktoriode selektiv verbindbar ist,
wobei die effektive Länge der zweiten Streifen leitung so einstellbar ist, daß die Kapazitäten der Varak tordiode und der zweiten Streifenleitung berücksichtigt werden, um eine gewünschte Charakteristik der Hochfrequenz schaltungsanordnung festzulegen.
einer Varaktordiode mit einem ersten Anschluß und einem zweiten Anschluß;
einer ersten Streifenleitung, die mit dem ersten Anschluß der Varaktordiode fest verbunden ist, wobei über den ersten Anschluß eine Spannung der Varaktordiode zuge führ wird;
einer zweiten als Stichleitung ausgebildeten Streifenleitung, deren Anschlußende mit dem zweiten An schluß der Varaktoriode selektiv verbindbar ist,
wobei die effektive Länge der zweiten Streifen leitung so einstellbar ist, daß die Kapazitäten der Varak tordiode und der zweiten Streifenleitung berücksichtigt werden, um eine gewünschte Charakteristik der Hochfrequenz schaltungsanordnung festzulegen.
3. Hochfrequenzschaltungsanordnung nach Anspruch 2,
bei der die Varaktordiode eine diskrete Varaktordiode ist.
4. Hochfrequenzschaltungsanordnung nach Anspruch 2
oder 3, die ferner umfaßt:
einen Feldeffekttransistor mit einem Gate, das mit der ersten Streifenleitung gekoppelt ist, einem ersten Anschluß, der eine Vorspannung empfängt, und einem zweiten Anschluß, über den ein Ausgangssignal ausgegeben wird,
wobei die Varaktordiode, die ersten und zweiten Streifenleitungen und der Feldeffekttransistor einen span nungsgesteuerten Oszillator bilden.
einen Feldeffekttransistor mit einem Gate, das mit der ersten Streifenleitung gekoppelt ist, einem ersten Anschluß, der eine Vorspannung empfängt, und einem zweiten Anschluß, über den ein Ausgangssignal ausgegeben wird,
wobei die Varaktordiode, die ersten und zweiten Streifenleitungen und der Feldeffekttransistor einen span nungsgesteuerten Oszillator bilden.
5. Hochfrequenzschaltungsanordnung nach Anspruch 2,
3 oder 4, die ferner umfaßt:
einen Richtungskoppler mit einem ersten Anschluß, der ein Eingangssignal empfängt, einem zweiten Anschluß, der mit der ersten Streifenleitung verbunden ist, und einem dritten Anschluß, der mit einem Ausgangsanschluß gekoppelt ist,
wobei die Varaktordiode, die ersten und zweiten Streifenleitungen und der Richtungskoppler einen Phasen schieber bilden.
einen Richtungskoppler mit einem ersten Anschluß, der ein Eingangssignal empfängt, einem zweiten Anschluß, der mit der ersten Streifenleitung verbunden ist, und einem dritten Anschluß, der mit einem Ausgangsanschluß gekoppelt ist,
wobei die Varaktordiode, die ersten und zweiten Streifenleitungen und der Richtungskoppler einen Phasen schieber bilden.
6. Hochfrequenzschaltungsanordnung nach Anspruch 5,
die ferner umfaßt:
eine weitere Varaktordiode mit einem ersten An schluß und einem zweiten Anschluß;
eine dritte Streifenleitung, die mit dem ersten Anschluß der weiteren Varaktordiode fest verbunden ist, wo bei über den ersten Anschluß der weiteren Varaktordiode ei ne Spannung der weiteren Varaktordiode zugeführt wird;
eine vierte als Stichleitung ausgebildete Strei fenleitung, deren Anschlußende mit dem zweiten Anschluß der weiteren Varaktordiode selektiv verbindbar ist,
wobei die effektive Länge der vierten Streifen leitung so einstellbar ist, daß die Kapazitäten der weite ren Varaktordiode und der vierten Streifenleitung berück sichtigt werden, um eine gewünschte Charakteristik der Hochfrequenzschaltungsanordnung festzulegen, und
bei der der Richtungskoppler einen vierten An schluß hat, der mit der dritten Streifenleitung gekoppelt ist.
eine weitere Varaktordiode mit einem ersten An schluß und einem zweiten Anschluß;
eine dritte Streifenleitung, die mit dem ersten Anschluß der weiteren Varaktordiode fest verbunden ist, wo bei über den ersten Anschluß der weiteren Varaktordiode ei ne Spannung der weiteren Varaktordiode zugeführt wird;
eine vierte als Stichleitung ausgebildete Strei fenleitung, deren Anschlußende mit dem zweiten Anschluß der weiteren Varaktordiode selektiv verbindbar ist,
wobei die effektive Länge der vierten Streifen leitung so einstellbar ist, daß die Kapazitäten der weite ren Varaktordiode und der vierten Streifenleitung berück sichtigt werden, um eine gewünschte Charakteristik der Hochfrequenzschaltungsanordnung festzulegen, und
bei der der Richtungskoppler einen vierten An schluß hat, der mit der dritten Streifenleitung gekoppelt ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5006581A JPH06216640A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 高周波回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4401005A1 DE4401005A1 (de) | 1994-08-18 |
DE4401005C2 true DE4401005C2 (de) | 2001-02-22 |
Family
ID=11642299
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4401005A Expired - Fee Related DE4401005C2 (de) | 1993-01-19 | 1994-01-17 | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten Characteristik bei einer Hochfrequenzschaltungsanordnung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5708397A (de) |
JP (1) | JPH06216640A (de) |
DE (1) | DE4401005C2 (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6211754B1 (en) | 1997-06-04 | 2001-04-03 | Sanyo Electric Co., Ltd, | Integrated resonance circuit consisting of a parallel connection of a microstrip line and a capacitor |
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Publication number | Publication date |
---|---|
US5708397A (en) | 1998-01-13 |
DE4401005A1 (de) | 1994-08-18 |
JPH06216640A (ja) | 1994-08-05 |
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