JP2005302747A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. ｎ型の窒化物半導体からなる第１の層、及び該第１の層の上に配置されたｐ型の窒化物半導体からなる第２の層を含み、該第１の層と第２の層との間に発光領域を画定し、該第１の層の表面の一部の第１の領域において、該第２の層が除去されて該第１の層が現われている発光積層構造と、
   前記第２の層の表面上に配置され、該第２の層に電気的に接続されたｐ側電極と、
   前記ｐ側電極を覆う絶縁膜と、
   前記第１の領域において、前記第１の層に電気的に接続されたｎ側電極と、
   前記絶縁膜の上に配置され、前記ｎ側電極まで至り、該ｎ側電極に電気的に接続され、銀を含む合金または銀で形成された反射膜と
   を有する半導体発光素子。
2. 前記ｐ側電極が、Ｐｔ、Ｒｈ及びＰｄからなる群より選択された１つの金属で形成されており、その厚さが１ｎｍ〜１５ｎｍである請求項１に記載の半導体発光素子。
3. ｎ型の窒化物半導体からなる第１の層、及び該第１の層の上に配置されたｐ型の窒化物半導体からなる第２の層を含み、該第１の層と第２の層との間に発光領域を画定し、該第１の層の表面の一部の第１の領域において、該第２の層が除去されて該第１の層が現われている発光積層構造と、
   前記第２の層の表面上に配置され、該第２の層に電気的に接続され、前記発光領域で発生した光を透過させるｐ側電極と、
   前記ｐ側電極を覆う絶縁膜と、
   前記第１の領域において、前記第１の層に電気的に接続されたｎ側電極と、
   前記絶縁膜の上に配置され、前記ｎ側電極まで至り、該ｎ側電極に電気的に接続され、前記発光領域で発生した光を反射する反射膜と
   を有する半導体発光素子。
4. ｎ型の窒化物半導体からなる第１の層、及び該第１の層の上に配置されたｐ型の窒化物半導体からなる第２の層を含み、該第１の層と第２の層との間に発光領域を画定し、該第１の層の表面の一部の第１の領域において、該第２の層が除去されて該第１の層が現われている発光積層構造と、
   前記第２の層の表面上に配置され、該第２の層に電気的に接続されたｐ側電極と、
   前記ｐ側電極を覆う絶縁膜と、
   前記第１の領域において、前記第１の層に電気的に接続されたｎ側電極と、
   前記絶縁膜の上に配置され、銀を含む合金または銀で形成され、前記ｐ側電極及びｎ側電極のいずれにも接続されておらず電気的にフローティング状態にされた反射膜と
   を有する半導体発光素子。
5. 前記ｐ側電極が、Ｐｔ、Ｒｈ及びＰｄからなる群より選択された１つの金属で形成されており、その厚さが１ｎｍ〜１５ｎｍである請求項４に記載の半導体発光素子。
6. ｎ型の窒化物半導体からなる第１の層、及び該第１の層の上に配置されたｐ型の窒化物半導体からなる第２の層を含み、該第１の層と第２の層との間に発光領域を画定し、該第１の層の表面の一部の第１の領域において、該第２の層が除去されて該第１の層が現われている発光積層構造と、
   前記第２の層の表面上に配置され、該第２の層に電気的に接続され、前記発光領域で発生した光を透過させるｐ側電極と、
   前記ｐ側電極を覆う絶縁膜と、
   前記第１の領域において、前記第１の層に電気的に接続されたｎ側電極と、
   前記絶縁膜の上に配置され、前記ｐ側電極及びｎ側電極のいずれにも接続されておらず電気的にフローティング状態にされ、前記発光領域で発生した光を反射する反射膜と
   を有する半導体発光素子。
7. 前記絶縁膜が、酸化シリコン、酸化チタン、酸化タンタル、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、及び絶縁性高分子材料からなる群より選択された少なくとも１つの材料で形成されている請求項１〜６のいずれかに記載の半導体発光素子。
8. さらに、前記反射膜を覆う絶縁性の保護膜を有する請求項１〜７のいずれかに記載の半導体発光素子。
9. さらに、前記反射膜と前記保護膜との間に、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｗ、及びＭｏからなる群より選択された少なくとも１つの金属からなる中間層が配置されている請求項８に記載の半導体発光素子。
10. さらに、前記ｐ側電極の表面の一部の領域上に配置されたフリップチップボンディング用のｐ側パッドと、
    前記ｎ側電極の表面の一部の領域上に配置されたフリップチップボンディング用のｎ側パッドと
    を有する請求項１〜９のいずれかに記載の半導体発光素子。
11. さらに、前記ｐ側電極の表面の一部の領域上に配置されたフリップチップボンディング用のｐ側パッドと、
    前記反射膜のうち、前記第２の層と重なる部分の表面上に配置されたフリップチップボンディング用のｎ側パッドと
    を有する請求項１〜９のいずれかに記載の半導体発光素子。
12. 前記反射膜が、前記発光領域で発光し該反射膜に向かって進行する光を散乱させるような平面形状を有し、
    さらに、前記反射膜で散乱された光が入射することにより蛍光を発生する蛍光体を有する請求項１〜９のいずれかに記載の半導体発光素子。