JP2009059970A - 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】パッケージ側に反射構造を設けることなく、所要の方向に効率良く光を取り出すことができる半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１の上面中央部には、Ｎ型半導体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４がこの順に積層され、発光部６０を構成してある。基板１の上面外周部付近には、発光部６０の側面に対峙して、Ｎ型半導体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４の順に積層された化合物半導体層で構成された反射部６１、６２を形成してある。反射部６１の発光部６０に対峙する側面は、山状に傾斜する傾斜面を有し、その傾斜面には、発光部６０の側面から放射される光を基板１の上面側に反射させるための反射膜５を形成してある。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光ダイオード又はレーザダイオード等に用いられる半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法に関する。

窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導体は、青色発光を示す発光ダイオードの材料として知られている。窒化ガリウム系化合物半導体発光素子のような半導体発光素子では、活性層から放出された光は、発光素子上面だけでなく、発光素子の側面からも放射される。

そこで、半導体発光素子からの光の取り出し効率を向上させる技術開発が行われている。例えば、半導体発光素子を基板又はリードフレームなどに実装してＬＥＤパッケージを構成する場合、光をできる限り上面に集光しつつ、所要の放射特性を得るために、ＬＥＤパッケージ内に反射構造を設けている。例えば、特許文献１の発光ダイオードでは、光半導体チップを載置するリードフレームの素子載置部分に半導体発光素子の側面から放射される光を反射させるための銀めっき層を形成している。
特開２００７−１０９９１５号公報

しかしながら、半導体発光素子の側面から放射される光を所要の方向に反射させるための反射構造をＬＥＤパッケージ内に設ける場合、反射による光の取り出し効率を向上させるためには、反射構造にある程度の厚みが必要となる。このため、薄型の表面実装型パッケージにおいては、このような反射構造を設けることができず、半導体発光素子の側面から放射される光をパッケージ側面に出射させてしまい、ＬＥＤパッケージの上面光度が低下するという問題があった。

本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、半導体発光素子の側面から放射される光を所要の方向に反射させる反射構造を半導体発光素子の内部に設けることにより、パッケージ側に反射構造を設けることが困難な場合であっても、パッケージ上面側に効率良く光を取り出すことができる半導体発光素子及び該半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。

第１発明に係る半導体発光素子は、基板の一部表面に化合物半導体層からなる発光層を形成した半導体発光素子において、前記化合物半導体層の側面から出射された光を反射する反射面を有する反射部材を該側面に対向させて基板上に設けてあることを特徴とする。

第２発明に係る半導体発光素子は、第１発明において、前記反射部材は、基板上に形成した化合物半導体層であり、前記反射面には、前記化合物半導体層の表面に形成したＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕのいずれか１つを主体とした合金の反射膜を形成してあることを特徴とする。

第３発明に係る半導体発光素子は、第１発明において、前記反射部材は、Ａｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はいずれか１つを主体とした合金であることを特徴とする。

第４発明に係る半導体発光素子は、基板の表面に化合物半導体層からなる発光層を形成した半導体発光素子において、前記化合物半導体層に形成された凹部に該凹部の側面の化合物半導体層から離隔した電極を備え、該電極は、前記凹部の側面に対向させ、化合物半導体層から出射された光を反射する反射面を備えることを特徴とする。

第５発明に係る半導体発光素子は、第４発明において、前記電極は、Ａｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はいずれか１つを主体とした合金であることを特徴とする。

第６発明に係る半導体発光素子は、第４発明において、前記反射面には、Ａｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕのいずれか１つを主体とした合金の反射膜を形成してあることを特徴とする。

第７発明に係る半導体発光素子は、第１発明乃至第６発明のいずれかにおいて、前記反射面は、厚み方向に化合物半導体層の側面から離隔すべく傾斜してあることを特徴とする。

第８発明に係る半導体発光素子は、第７発明において、前記反射面の傾斜角度は、厚み方向と５度以上８５度以下をなすことを特徴とする。

第９発明に係る半導体発光素子は、第１発明乃至第８発明のいずれかにおいて、前記反射面を被覆する被覆膜を備えることを特徴とする。

第１０発明に係る半導体発光素子の製造方法は、基板の一部表面に化合物半導体層からなる発光層を形成した半導体発光素子の製造方法において、基板の表面に化合物半導体層を形成する工程と、形成された化合物半導体層の表面にＳｉＯ₂ 膜を形成する工程と、発光層を構成する化合物半導体層の周縁位置から所定範囲のＳｉＯ₂ 膜を除去する工程と、ＳｉＯ₂ 膜が除去された部分に側面が傾斜する山状のフォトレジストを形成する工程と、前記ＳｉＯ₂ 膜及びフォトレジストをマスクとして化合物半導体をドライエッチングする工程とを含むことを特徴とする。

第１１発明に係る半導体発光素子の製造方法は、基板の一部表面に化合物半導体層からなる発光層を形成した半導体発光素子の製造方法において、基板の表面に化合物半導体層を形成する工程と、発光層を構成する化合物半導体層を除外して基板の表面に形成された化合物半導体層をエッチングにより除去する工程と、化合物半導体層が除去された基板表面に前記発光層から離隔してＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はいずれか１つを主体とした合金で反射部材を形成する工程と、前記反射部材の表面にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストをマスクとして反射部材を等方的にエッチングする工程とを含むことを特徴とする。

第１２発明に係る半導体発光素子の製造方法は、基板の一部表面に化合物半導体層からなる発光層を形成した半導体発光素子の製造方法において、基板の表面に化合物半導体層を形成する工程と、発光層を構成する化合物半導体層を除外して基板の表面に形成された化合物半導体層をエッチングにより除去する工程と、化合物半導体層が除去された基板表面に前記発光層から離隔してＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はいずれか１つを主体とした合金で反射部材を形成する工程と、前記反射部材の発光層側の表面を除外して該反射部材の表面にＳｉＯ₂ 膜を形成する工程と、ＳｉＯ₂ 膜が除外された部分に側面が傾斜する山状のフォトレジストを形成する工程と、前記ＳｉＯ₂ 膜及びフォトレジストをマスクとして前記反射部材をドライエッチングする工程とを含むことを特徴とする。

第１３発明に係る半導体発光素子の製造方法は、基板の表面に化合物半導体層からなる発光層を形成した半導体発光素子の製造方法において、基板の表面に化合物半導体層を形成する工程と、形成された化合物半導体層にエッチングにより凹部を形成する工程と、前記凹部を含む化合物半導体層の表面にＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はいずれか１つを主体とした合金の金属膜を形成する工程と、形成された金属膜の表面の電極を形成する位置にフォトレジストを形成する工程と、形成されたフォトレジストをマスクとして金属膜を等方的にエッチングする工程とを含むことを特徴とする。

第１４発明に係る半導体発光素子の製造方法は、基板の表面に化合物半導体層からなる発光層を形成した半導体発光素子の製造方法において、基板の表面に化合物半導体層を形成する工程と、形成された化合物半導体層にエッチングにより凹部を形成する工程と、前記凹部の電極を形成する位置を除外して前記化合物半導体層の表面にＳｉＯ₂ 膜を形成する工程と、ＳｉＯ₂ 膜が形成された化合物半導体層にＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はいずれか１つを主体とした合金の金属膜を形成する工程と、形成された金属膜の表面のＳｉＯ₂ 膜が除外された部分に対応する位置に側面が傾斜する山状のフォトレジストを形成する工程と、前記ＳｉＯ₂ 膜及びフォトレジストをマスクとして前記金属膜をドライエッチングする工程とを含むことを特徴とする。

第１発明にあっては、基板の一部表面に形成された化合物半導体層の側面から出射された光を反射する反射面を有する反射部材を化合物半導体層の側面に対向させて基板上に設ける。基板上に設けられた反射部材で半導体発光素子の側面から放射される光を所要の方向に反射させることにより、半導体発光素子自体でその方向への指向性を持たせることができるので、半導体発光素子を実装するパッケージ側に反射構造を設けられない薄型の表面実装型パッケージにおいて、上面側に効率よく放射させることができる。

第２発明にあっては、基板上に形成した化合物半導体層で反射部材を構成するとともに、反射部材を構成する化合物半導体層の表面には反射面としてＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕの反射膜、又はＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕのいずれか１つを主体とした合金の反射膜を形成してある。これにより、半導体発光素子の側面から放射する光を効率良く反射させることができる。

第３発明にあっては、Ａｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はいずれか１つを主体とした合金で反射部材を構成する。これにより、半導体発光素子の側面から放射する光を効率良く反射させることができる。

第４発明にあっては、基板の表面に形成された化合物半導体層に凹部を形成し、凹部の側面から離隔して電極を凹部内に設ける。電極には、凹部側面の化合物半導体層から放射された光を反射する反射面を形成する。化合物半導体層の凹部に形成された電極の反射面で半導体発光素子の側面から放射される光を所要の方向に反射させることにより、半導体発光素子自体でその方向への指向性を持たせることができるので、半導体発光素子を実装するパッケージ側に反射構造を設けられない薄型の表面実装型パッケージにおいて、上面側に効率よく放射させることができる。

第５発明にあっては、電極は、Ａｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はいずれか１つを主体とした合金である。これにより、半導体発光素子の側面から放射する光を効率良く反射させることができる。

第６発明にあっては、電極の反射面には、Ａｇ、Ａｌ若しくはＡｕの反射膜、又はＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕのいずれか１つを主体とした合金の反射膜を形成してある。これにより、半導体発光素子の側面から放射する光を効率良く反射させることができる。

第７発明にあっては、反射面は、厚み方向に化合物半導体層の側面から離隔すべく傾斜してある。これにより、半導体発光素子の側面から放射される光を発光素子の上面方向に反射させて上面光度を向上させることができる。

第８発明にあっては、反射面の傾斜角度は、厚み方向と５度以上８５度以下をなす。なお、反射面の傾斜角度は、高さに応じて変化させてもよい。反射面の傾斜角度が５度より小さい場合には、反射光を発光素子の上面側に取り出すことができず、また、傾斜角度が８５度を超える場合、発光素子の側面から光が放射してしまう。このため、反射面の傾斜角度は、５度以上８５度以下がよい。これにより、半導体発光素子の側面から放射される光を発光素子の上面所要の方向に反射させて所要の放射特性を得ることができる。

第９発明にあっては、反射面を被覆膜で被覆する。被覆膜は、例えば、透明誘電体膜を用いることができる。これにより、光の反射効率を低下させることなく、反射面を保護することができる。

第１０発明にあっては、基板の表面に化合物半導体層を形成し、形成された化合物半導体層の表面にＳｉＯ₂ 膜を形成する。形成されたＳｉＯ₂ 膜のうち、発光層を構成する化合物半導体層の周縁位置から所定範囲のＳｉＯ₂ 膜を除去する。これにより、発光層を構成する化合物半導体層と反射部材を構成する化合物半導体層とを分離するための画定を行うことができる。ＳｉＯ₂ 膜が除去された部分に側面が傾斜する山状（メサ状）のフォトレジストを形成し、ＳｉＯ₂ 膜及びフォトレジストをマスクとして化合物半導体をドライエッチングする。すなわち、ＳｉＯ₂ 膜をハードマスクとして反射部材を構成する化合物半導体層をドライエッチングする。フォトレジストの側面が傾斜する山状であるため、反射部材を構成する化合物半導体層の側面も発光層に対峙して山状に傾斜する。傾斜した側面に反射膜を形成すれば、半導体発光素子の内部で発光層の側面から放射される光を発光素子の上面側に反射させることができる。これにより、半導体発光素子の側面から放射される光を所要の方向に反射させることができ、半導体発光素子自体でその方向への指向性を持たせることができるので、半導体発光素子を実装するパッケージ側に反射構造を設けられない薄型の表面実装型パッケージにおいて、上面側に効率よく放射させることができる。

第１１発明にあっては、基板の表面に化合物半導体層を形成し、発光層を構成する化合物半導体層を除外して基板の表面に形成された化合物半導体層をエッチングにより除去する。化合物半導体層を除去した基板表面に発光層から離隔してＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はいずれか１つを主体とした合金で反射部材を形成する。形成された反射部材の表面にフォトレジストを形成し、形成されたフォトレジストをマスクとして反射部材を等方的にエッチングする。等方性エッチングにより反射部材の側面は発光層に対峙して山状に傾斜する。これにより、半導体発光素子の内部で発光層の側面から放射される光を発光素子の上面側に反射させることができる。また、半導体発光素子の側面から放射される光を所要の方向に反射させることができ、半導体発光素子自体でその方向への指向性を持たせることができるので、半導体発光素子を実装するパッケージ側に反射構造を設けられない薄型の表面実装型パッケージにおいて、上面側に効率よく放射させることができる。

第１２発明にあっては、基板の表面に化合物半導体層を形成し、発光層を構成する化合物半導体層を除外して基板の表面に形成された化合物半導体層をエッチングにより除去する。化合物半導体層を除去した基板表面に発光層から離隔してＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はいずれか１つを主体とした合金で反射部材を形成する。形成された反射部材の発光層側の表面を除外して反射部材の表面にＳｉＯ₂ 膜を形成する。ＳｉＯ₂ 膜が除外された部分に側面が傾斜する山状（メサ状）のフォトレジストを形成する。ＳｉＯ₂ 膜及びフォトレジストをマスクとして反射部材をドライエッチングする。すなわち、ＳｉＯ₂ 膜をハードマスクとして反射部材をドライエッチングする。フォトレジストの側面が傾斜する山状であるため、反射部材の側面も発光層に対峙して山状に傾斜する。これにより、半導体発光素子の内部で発光層の側面から放射される光を発光素子の上面側に反射させることができる。また、半導体発光素子の側面から放射される光を所要の方向に反射させることができ、半導体発光素子自体でその方向への指向性を持たせることができるので、半導体発光素子を実装するパッケージ側に反射構造を設けられない薄型の表面実装型パッケージにおいて、上面側に効率よく放射させることができる。

第１３発明にあっては、基板の表面に化合物半導体層を形成し、形成された化合物半導体層にエッチングにより凹部を形成する。化合物半導体層は、基板上にＮ型半導体層、活性層及びＰ型半導体層の順に積層してある。この場合、Ｎ型半導体層が露出するまで化合物半導体層をエッチングして凹部を形成する。形成された凹部を含む化合物半導体層の表面にＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はいずれか１つを主体とした合金の金属膜を形成する。形成された金属膜の表面の電極を形成する位置にフォトレジストを形成し、フォトレジストをマスクとして金属膜を等方的にエッチングして化合物半導体層の表面に形成された金属膜を除去する。これにより、凹部内に電極を形成する。等方性エッチングにより形成された電極の側面は凹部側面、すなわち発光層の側面に対峙して山状（メサ状）に傾斜する。これにより、半導体発光素子の内部で発光層の側面から放射される光を発光素子の上面側に反射させることができる。また、半導体発光素子の側面から放射される光を所要の方向に反射させることができ、半導体発光素子自体でその方向への指向性を持たせることができるので、半導体発光素子を実装するパッケージ側に反射構造を設けられない薄型の表面実装型パッケージにおいて、上面側に効率よく放射させることができる。

第１４発明にあっては、基板の表面に化合物半導体層を形成し、形成された化合物半導体層にエッチングにより凹部を形成する。化合物半導体層は、基板上にＮ型半導体層、活性層及びＰ型半導体層の順に積層してある。この場合、Ｎ型半導体層が露出するまで化合物半導体層をエッチングして凹部を形成する。形成された凹部の電極を形成する位置を除外して化合物半導体層の表面にＳｉＯ₂ 膜を形成する。ＳｉＯ₂ 膜が形成された化合物半導体層にＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はいずれか１つを主体とした合金の金属膜を形成する。金属膜の表面のＳｉＯ₂ 膜が除外された部分に対応する位置に側面が傾斜する山状（メサ状）のフォトレジストを形成する。形成されたフォトレジストをマスクとして金属膜をドライエッチングする。フォトレジストの側面が傾斜する山状であるため、金属膜の側面も凹部側面、すなわち発光層に対峙して山状に傾斜する。これにより、半導体発光素子の内部で発光層の側面から放射される光を発光素子の上面側に反射させることができる。また、半導体発光素子の側面から放射される光を所要の方向に反射させることができ、半導体発光素子自体でその方向への指向性を持たせることができるので、半導体発光素子を実装するパッケージ側に反射構造を設けられない薄型の表面実装型パッケージにおいて、上面側に効率よく放射させることができる。

本発明にあっては、半導体発光素子の内部で発光層の側面から放射される光を発光素子の上面側に反射させることができる。また、半導体発光素子の側面から放射される光を所要の方向に反射させることができ、半導体発光素子自体でその方向への指向性を持たせることができるので、半導体発光素子を実装するパッケージ側に反射構造を設けられない薄型の表面実装型パッケージにおいて、上面側に効率よく放射させることができる。

実施の形態１
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて説明する。図１は本発明に係る半導体発光素子１００の要部構成を示す縦断面図である。半導体発光素子（以下、発光素子という）１００は、複数の発光素子が形成されたウェハを所定の寸法で直方体状に切断して各発光素子を分離したものである。図１において、１はサファイア基板である。なお、サファイア基板１（以下、基板という）に代えてＳｉＣ（炭化ケイ素）基板を用いることもできる。基板１の縦横寸法は、概略０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度である。

基板１の上側表面（上面）中央部には、Ｎ型半導体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４がこの順に積層してある。Ｎ型半導体層２は、例えば、約４μｍ程度のｎ−ＧａＮ（窒化ガリウム）層、ｎ−ＡｌＧａＩｎＮクラッド層などから成り、活性層３は、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ−ＭＱＷ（Multi-quantum Well、多重量子井戸層）型活性層などから成り、Ｐ型半導体層４は、ｐ−ＡｌＧａＩｎＮ層、約０．３μｍ程度のｐ−ＧａＮ層、コンタクト層としてのｐ−ＩｎＧａＮ層などから成る。これにより、化合物半導体層を形成して、発光部６０としてのＬＥＤ構造をなしている。なお、Ｎ型半導体層２と基板１との間には、不図示のＡｌＮバッファ層とアンドープＧａＮ層とを形成してある。

Ｐ型半導体層４の上面には、電流拡散層６を形成してある。電流拡散層６は、例えば、導電性の透明膜であるＩＴＯ膜（インジウム錫酸化膜）である。発光部６０の中央付近には、Ｎ型半導体層２に接触してＮ電極７を形成してある。発光部６０の角部付近には、Ｐ型半導体層４に接触してボンディング電極であるＰ電極８を形成してある。また、Ｐ電極８からは、電流拡散層６の外周付近に沿って周設した電流拡散補助配線９を延設してある。これにより、Ｐ電極８からの電流は、電流拡散補助配線９を流れ、電流拡散層６全体を通じてＮ型半導体層２へ流れることになり、発光部６０の広い範囲で光を放射することが可能となる。

基板１の上面外周部付近には、発光部６０の側面に対峙して反射部６１、６２を形成してある。なお、反射部６１、６２は一体構造でもよく、複数の部材として分離して形成されていてもよい。発光部６０の形状、大きさに応じて反射部６１、６２の数、位置等を変更することができる。

反射部６１は、Ｎ型半導体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４の順に積層された化合物半導体層で構成してある。反射部６１の発光部６０に対峙する側面は、山状（メサ状）に傾斜する傾斜面を有し、その傾斜面には、発光部６０の側面から放射される光を基板１の上面側に反射させるための反射膜５を形成してある。なお、反射部６２の構造も反射部６１と同様であるので、以下、反射部６１について説明する。

反射膜５は、例えば、Ａｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕのいずれか１つを主体とした合金を用いることができる。これにより、発光部６０の側面から放射される光を発光素子１００内部で効率良く反射させることができる。

傾斜面の傾斜角度は、例えば、５度以上８５度以下をなす。なお、傾斜角度は、高さに応じて変化させてもよい。傾斜角度が５度より小さい場合には、反射光を発光素子１００の上面側に取り出すことができず、また、傾斜角度が８５度を超える場合、発光素子１００の側面から光が放射してしまう。このため、反射部６１の傾斜面の傾斜角度は、５度以上８５度以下がよい。これにより、発光部６０の側面から放射される光を発光素子１００の上面所要の方向に反射させて所要の放射特性を得ることができる。

発光素子１００が上述の構成をなすことにより、発光素子１００の内部で発光部６０の側面から放射される光を発光素子１００の上面側に反射させることができる。また、発光部６０の側面から放射される光を所要の方向に反射させることができ、発光素子１００を実装するパッケージ側に反射構造を設けられない薄型の表面実装型パッケージにおいて上面側に効率よく放射させることができる。

次に本発明に係る半導体発光素子の製造方法について説明する。図２及び図３は発光素子１００の製造工程を示す説明図である。図２（ａ）に示すように、有機金属化学気相成長法（ＭＯ−ＣＶＤ法）により、基板１上に、最初に約４００℃でＡｌＮバッファ層(不図示)を成長させ、その後、約４μｍのｎ−ＧａＮ層、ｎ−ＡｌＧａＩｎＮクラッド層などからなるＮ型半導体層２、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ−ＭＱＷ型の活性層３、ｐ−ＡｌＧａＩｎＮ層、約０．５μｍ程度のｐ−ＧａＮ層、コンタクト層としてのｐ−ＩｎＧａＮ層などからなるＰ型半導体層４をこの順に形成したＬＥＤ構造を生成する。ＭＯ−ＣＶＤ装置から取り出した基板に紫外線を照射しながら、約４００℃に加熱し、Ｐ型半導体層４の活性化を行う。

図２（ｂ）に示すように、Ｐ型半導体層４の表面にＰＥ−ＣＶＤでＳｉＯ₂ 膜２１を形成し、発光部を構成する化合物半導体層の周縁位置から所定範囲（反射部の傾斜構造を形成する部分に相当）２２のＳｉＯ₂ 膜２１をフォトリソグラフィとドライエッチングにより除去する。これにより、発光部を構成する化合物半導体層と反射部を構成する化合物半導体層とを分離するための画定を行うことができる。なお、この場合、発光素子１００の外周部の切断溝を形成する位置のＳｉＯ₂ 膜２１も除去する。

図２（ｃ）に示すように、ＳｉＯ₂ 膜２１が除去された部分（すなわち、反射部の傾斜構造を形成する部分の上側）に側面が傾斜する山状（メサ状）のフォトレジスト２３を形成する。すなわち、フォトレジスト２３は、中心部より周辺部で膜厚が小さくなるように（不足するように）してある。これにより、ＳｉＯ₂ 膜２１とフォトレジスト２３の２層のマスク構造を形成する。

図２（ｄ）に示すように、ＳｉＯ₂ 膜２１をハードマスクとして、基板１が露出するまで、Ｎ型半導体層２、活性層３及びＰ型半導体層４をドライエッチングする。フォトレジスト２３の側面が傾斜する山状であるため、発光部６０の側面に対峙する反射部を構成する化合物半導体層の側面２４も山状に傾斜する。

図３（ｅ）に示すように、Ｎ電極７を設ける位置のＰ型半導体層４、活性層３をドライエッチングによりＮ型半導体層２が露出するまでエッチングして開口部を形成し、真空蒸着によりＶ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕを成膜し、リフトオフ法でパターニングを行い、Ａｒ雰囲気中でＲＴＡ（Rapid Thermal anneal）により約５００℃に加熱してＮ型オーミック電極兼ボンディングパッドを形成する。これによりＮ電極７を形成する。

図３（ｆ）に示すように、Ｐ型半導体層４の表面に導電性の透明膜であるＩＴＯ膜を真空蒸着及びスパッタリングにより約２００ｎｍ成膜して電流拡散層６を形成する。この際、リフトオフ法によりパターニングした後、空気中で約４００℃に加熱し、ＩＴＯの透明化を行う。さらに、スパッタリングにより２μｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金を成膜し、リフトオフ法でパターニングを行い、Ａｒ雰囲気中でＲＴＡにより約３００℃に加熱してＰ電極（ボンディングパッド）８と電流拡散補助配線９を形成する。さらに、スパッタリングにより１００ｎｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金を成膜し、リフトオフ法でパターニングを行い、Ａｒ雰囲気中でＲＴＡにより約３００℃に加熱して反射膜５を形成する。

図３（ｇ）に示すように、プラズマＣＶＤによりＳｉＯ₂ 膜１０を全面に成膜し、ドライエッチングにより、Ｐ電極８上部、Ｎ電極７上部及び発光素子切断溝の上部のＳｉＯ₂ 膜１０を除去して、ＬＥＤウェハを完成する。その後、レーザスクライピングにより基板上に形成された切断溝で素子分離を行い、発光素子を完成し、パッケージへの組み立てを行う。

実施の形態２
図４は実施の形態２の発光素子１１０の要部構成を示す縦断面図である。実施の形態１との相違点は、基板１の上面外周部付近に形成した反射部７１、７２である。なお、反射部７１、７２は一体構造でもよく、複数の部材として分離して形成されていてもよい。発光部６０の形状、大きさに応じて反射部７１、７２の数、位置等を変更することができるのは、実施の形態１の場合と同様である。

反射部７１は、Ａｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はいずれか１つを主体とした合金、例えば、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金で構成してある。反射部７１の発光部６０に対峙する側面は、山状に傾斜する傾斜面を有し、発光部６０の側面から放射する光を基板１の上面側に反射させる。傾斜面の傾斜角度は、実施の形態１と同様、５度以上８５度以下をなす。なお、反射部７２の構造も反射部７１と同様である。

実施の形態２においても、発光素子１１０の内部で発光部６０の側面から放射される光を発光素子１１０の上面側に反射させることができる。また、発光部６０の側面から放射される光を所要の方向に反射させることができ、発光素子１１０を実装するパッケージ側に反射構造を設けられない薄型の表面実装型パッケージにおいて上面側に効率よく放射させることができる。

次に発光素子１１０の製造方法について説明する。図５、図６及び図７は実施の形態２の発光素子１１０の製造工程を示す説明図である。図５（ａ）に示すように、有機金属化学気相成長法（ＭＯ−ＣＶＤ法）により、基板１上に、実施の形態１と同様に、Ｎ型半導体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４をこの順に形成したＬＥＤ構造を生成する。ＭＯ−ＣＶＤ装置から取り出した基板に紫外線を照射しながら、約４００℃に加熱し、Ｐ型半導体層４の活性化を行う。

図５（ｂ）に示すように、発光部６０を構成する化合物半導体層（Ｎ型半導体層２、活性層３及びＰ型半導体層４）を除外して、フォトレジストをマスクとして反射部を形成する部分の化合物半導体層をエッチングにより基板１が露出するまで除去する。

図５（ｃ）に示すように、Ｎ電極７を設ける位置のＰ型半導体層４、活性層３をドライエッチングによりＮ型半導体層２が露出するまでエッチングして開口部を形成し、真空蒸着によりＶ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕを成膜し、リフトオフ法でパターニングを行い、Ａｒ雰囲気中でＲＴＡ（Rapid Thermal anneal）により約５００℃に加熱してＮ型オーミック電極兼ボンディングパッドを形成する。これによりＮ電極７を形成する。

図６（ｄ）に示すように、Ｐ型半導体層４の表面に導電性の透明膜であるＩＴＯ膜を真空蒸着及びスパッタリングにより約２００ｎｍ成膜して電流拡散層６を形成する。この際、リフトオフ法によりパターニングした後、空気中で約４００℃に加熱し、ＩＴＯの透明化を行う。さらに、スパッタリングにより２μｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金を成膜し、リフトオフ法でパターニングを行い、Ａｒ雰囲気中でＲＴＡにより約３００℃に加熱してＰ電極（ボンディングパッド）８と電流拡散補助配線９を形成する。

図６（ｅ）に示すように、スパッタリングにより５μｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金を成膜し、リフトオフ法でパターニングを行い、反射部を形成する部分の成膜を残して反射部材１１を形成する。

図６（ｆ）に示すように、フォトリソグラフィにより基板１の露出面、反射部材１１の周辺部を除いた部分をフォトレジスト３１でマスクする。

図７（ｇ）に示すように、フォトレジスト３１をマスクとしてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金の反射部材１１をウェットエッチングする。この際、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金の反射部材１１は等方的にエッチングされるため、反射部材１１の側面は山状に傾斜する。

図７（ｈ）に示すように、フォトレジスト３１を除去し、図７（ｉ）に示すように、プラズマＣＶＤによりＳｉＯ₂ 膜１０を全面に成膜し、ドライエッチングにより、Ｐ電極８上部、Ｎ電極７上部及び発光素子切断溝の上部のＳｉＯ₂ 膜１０を除去して、ＬＥＤウェハを完成する。その後、レーザスクライピングにより基板上に形成された切断溝で素子分離を行い、発光素子を完成し、パッケージへの組み立てを行う。

上述の実施の形態２において、側面が山状に傾斜した反射部材１１を形成する場合に、図６（ｅ）で形成された反射部材１１の発光部側の表面を除外して反射部材１１の表面にＳｉＯ₂ 膜を形成し、ＳｉＯ₂ 膜が除外された部分に側面が傾斜する山状のフォトレジストを形成する。フォトレジストは、中心部より外周部で厚みを小さくしてある。そして、ＳｉＯ₂ 膜及びフォトレジストをマスクとして反射部材１１をドライエッチングすることにより、側面が山状に傾斜した反射部材１１を形成することもできる。

実施の形態３
図８は実施の形態３の発光素子１２０の要部構成を示す縦断面図である。実施の形態１、２との相違点は、Ｎ電極７の側面に反射構造を設けてあることである。

図８に示すように、基板１の上側表面には、Ｎ型半導体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４がこの順に積層してある。Ｎ型半導体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４は、実施の形態１、２と同様の構成である。

Ｐ型半導体層４の上面には、電流拡散層６を形成してある。電流拡散層６は、例えば、導電性の透明膜であるＩＴＯ膜（インジウム錫酸化膜）である。発光素子１２０のほぼ中央部には、Ｎ型半導体層２に接触してＶ／Ａｌ層１２を形成してあり、Ｖ／Ａｌ層１２の上面にはＮ電極７を形成してある。Ｎ電極７を挟むような形で、Ｎ型半導体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４により構成される発光部８０としてのＬＥＤ構造をなしている。

発光素子１２０の角部付近には、Ｐ型半導体層４に接触してボンディング電極であるＰ電極８を形成してある。また、Ｐ電極８からは、電流拡散層６の外周付近に沿って周設した電流拡散補助配線９を延設してある。これにより、Ｐ電極８からの電流は、電流拡散補助配線９を流れ、電流拡散層６全体を通じてＮ型半導体層２へ流れることになり、発光部８０の広い範囲で光を放射することが可能となる。

Ｖ／Ａｌ層１２の側面は山状に傾斜した傾斜面であり、Ｖ／Ａｌ層１２の側面は、発光部８０の側面に対峙して配置されている。Ｖ／Ａｌ層１２の高さ寸法は、Ｖ／Ａｌ層１２が形成されたＮ型半導体層２の表面からＰ型半導体層４の上面までの寸法の略半分以上あればよい。これにより、発光部８０の側面から放射される光を発光素子１００内部で効率良く反射させることができる。

傾斜面の傾斜角度は、例えば、５度以上８５度以下をなす。なお、傾斜角度は、高さに応じて変化させてもよい。傾斜角度が５度より小さい場合には、反射光を発光素子１２０の上面側に取り出すことができず、また、傾斜角度が８５度を超える場合、発光素子１２０の側面から光が放射してしまう。このため、Ｖ／Ａｌ層１２の傾斜面の傾斜角度は、５度以上８５度以下がよい。これにより、発光部８０の側面から放射される光を発光素子１２０の上面所要の方向に反射させて所要の放射特性を得ることができる。

発光素子１２０が上述の構成をなすことにより、発光素子１２０の内部で発光部８０の側面から放射される光を発光素子１２０の上面側に反射させることができる。また、発光部８０の側面から放射される光を所要の方向に反射させることができ、発光素子１２０を実装するパッケージ側に反射構造を設けられない薄型の表面実装型パッケージにおいて上面側に効率よく放射させることができる。

次に発光素子１２０の製造方法について説明する。図９及び図１０は実施の形態３の発光素子１２０の製造工程を示す説明図である。図９（ａ）に示すように、有機金属化学気相成長法（ＭＯ−ＣＶＤ法）により、実施の形態１と同様にして、基板１上にＮ型半導体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４をこの順に形成したＬＥＤ構造を生成する。ＭＯ−ＣＶＤ装置から取り出した基板に紫外線を照射しながら、約４００℃に加熱し、Ｐ型半導体層４の活性化を行う。

図９（ｂ）に示すように、フォトレジストをマスクとして、発光素子１２０の素子切断部の化合物半導体層（Ｎ型半導体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４）をドライエッチングにより基板１が露出するまで除去する。

図９（ｃ）に示すように、Ｎ電極７を設ける位置のＰ型半導体層４、活性層３をドライエッチングによりＮ型半導体層２が露出するまでエッチングして凹部４１を形成する。

図９（ｄ）に示すように、全面にＶ／Ａｌをスパッタにより成膜してＶ／Ａｌ層１２を形成し、Ｖ／Ａｌ層１２の凹部４１に対応する位置にフォトレジスト４２を形成する。

図１０（ｅ）に示すように、フォトリソグラフィとウェットエッチングによりＶ／Ａｌ層１２を除去し、凹部４１の内部に側面が傾斜した山状のＶ／Ａｌ層１２を形成する。Ｖ／Ａｌ層１２は、Ｎ電極７の一部を構成する。

図１０（ｆ）に示すように、Ｐ型半導体層４の表面に導電性の透明膜であるＩＴＯ膜を真空蒸着及びスパッタリングにより約２００ｎｍ成膜して電流拡散層６を形成する。この際、リフトオフ法によりパターニングした後、空気中で約４００℃に加熱し、ＩＴＯの透明化を行う。

図１０（ｇ）に示すように、真空蒸着によりＴｉ／Ａｕを成膜し、リフトオフ法でパターニングを行い、Ａｒ雰囲気中でＲＴＡ（Rapid Thermal anneal）により約５００℃に加熱してＮ型オーミック電極兼ボンディングパッドを形成する。これによりＮ電極７を形成する。同様にして、Ｐ電極（ボンディングパッド）８と電流拡散補助配線９を形成する。

図１０（ｈ）に示すように、プラズマＣＶＤによりＳｉＯ₂ 膜１０を全面に成膜し、ドライエッチングにより、Ｐ電極８上部、Ｎ電極７上部及び発光素子切断溝の上部のＳｉＯ₂ 膜１０を除去して、ＬＥＤウェハを完成する。その後、レーザスクライピングにより基板上に形成された切断溝で素子分離を行い、発光素子を完成し、パッケージへの組み立てを行う。

実施の形態４
図１１は実施の形態４の発光素子１３０の要部構成を示す縦断面図である。実施の形態３との相違点は、Ｎ電極７の傾斜面の構造である。すなわち、Ｎ電極７の側面全体に亘って傾斜面を形成しある。

図８に示すように、基板１の上側表面には、Ｎ型半導体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４がこの順に積層してある。Ｎ型半導体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４は、実施の形態１、２と同様の構成である。他の構成は実施の形態３と同様であるので説明は省略する。

Ｎ電極７の側面は山状に傾斜した傾斜面であり、発光部８０の側面に対峙して配置されている。これにより、発光部８０の側面から放射される光を発光素子１３０内部で効率良く反射させることができる。

傾斜面の傾斜角度は、例えば、５度以上８５度以下をなす。なお、傾斜角度は、高さに応じて変化させてもよい。傾斜角度が５度より小さい場合には、反射光を発光素子１３０の上面側に取り出すことができず、また、傾斜角度が８５度を超える場合、発光素子１３０の側面から光が放射してしまう。このため、Ｎ電極７の傾斜面の傾斜角度は、５度以上８５度以下がよい。これにより、発光部８０の側面から放射される光を発光素子１３０の上面所要の方向に反射させて所要の放射特性を得ることができる。

発光素子１３０が上述の構成をなすことにより、発光素子１３０の内部で発光部８０の側面から放射される光を発光素子１３０の上面側に反射させることができる。また、発光部８０の側面から放射される光を所要の方向に反射させることができ、発光素子１３０を実装するパッケージ側に反射構造を設けられない薄型の表面実装型パッケージにおいて上面側に効率よく放射させることができる。

次に発光素子１３０の製造方法について説明する。図１２及び図１３は実施の形態４の発光素子１３０の製造工程を示す説明図である。図１２（ａ）に示すように、有機金属化学気相成長法（ＭＯ−ＣＶＤ法）により、実施の形態１と同様にして、基板１上にＮ型半導体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４をこの順に形成したＬＥＤ構造を生成する。ＭＯ−ＣＶＤ装置から取り出した基板に紫外線を照射しながら、約４００℃に加熱し、Ｐ型半導体層４の活性化を行う。

図１２（ｂ）に示すように、フォトレジストをマスクとして、発光素子１３０の素子切断部の化合物半導体層（Ｎ型半導体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４）をドライエッチングにより基板１が露出するまで除去する。

図１２（ｃ）に示すように、Ｎ電極７を設ける位置のＰ型半導体層４、活性層３をドライエッチングによりＮ型半導体層２が露出するまでエッチングして凹部５１を形成する。

図１２（ｄ）に示すように、全面にＳｉＯ₂ 膜５２を成膜し、凹部５１のＮ電極７を形成する部分のＳｉＯ₂ 膜５２をドライエッチングにより除去する。続いて、全面にＶ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕをスパッタにより、それぞれ約０．１μｍ／２μｍ／０．５μｍ／１μｍ成膜して金属膜５３を形成する。

図１３（ｅ）に示すように、金属膜５３の凹部５１に対応する位置に側面が傾斜した山状のフォトレジスト５４を形成する。すなわち、フォトレジスト５４は、中心部より周辺部でフォトレジストの膜厚が小さくなるように（不足するように）してある。

図１３（ｆ）に示すように、フォトレジスト５４をマスクとしてドライエッチングでＳｉＯ₂ 膜５２が露出するまで金属膜５３を除去してＮ電極７を形成する。フォトレジスト５４の側面が傾斜する山状であるため、Ｎ電極７の側面も山状に傾斜する。

図１３（ｇ）に示すように、ＳｉＯ₂ 膜５２を除去し、Ｐ型半導体層４の表面に導電性の透明膜であるＩＴＯ膜を真空蒸着及びスパッタリングにより約２００ｎｍ成膜して電流拡散層６を形成する。この際、リフトオフ法によりパターニングした後、空気中で約４００℃に加熱し、ＩＴＯの透明化を行う。さらに、真空蒸着によりＴｉ／Ａｕを成膜し、リフトオフ法でパターニングを行い、Ａｒ雰囲気中でＲＴＡ（Rapid Thermal anneal）により約５００℃に加熱してＰ電極（ボンディングパッド）８と電流拡散補助配線９を形成する。

図１３（ｈ）に示すように、プラズマＣＶＤによりＳｉＯ₂ 膜１０を全面に成膜し、ドライエッチングにより、Ｐ電極８上部、Ｎ電極７上部及び発光素子切断溝の上部のＳｉＯ₂ 膜１０を除去して、ＬＥＤウェハを完成する。その後、レーザスクライピングにより基板上に形成された切断溝で素子分離を行い、発光素子を完成し、パッケージへの組み立てを行う。

上述の実施の形態において、窒化ガリウム系半導体層を等方的にエッチングすることは、ウェットエッチングであってもドライエッチングであっても困難である。これをドライエッチングにより傾斜構造（反射部）を作成する場合、マスクとなるフォトレジストの膜厚を外周部（側面）で傾斜して山状（メサ状）にし、中心部より周辺部でフォトレジストの膜厚が小さく（不足するように）することで、そのフォトレジストの厚さに応じてエッチングの深さを制御することができる。なお、フォトレジストの外周部の厚みを薄くすることは、露光時、現像時、現像後の硬化処理などの条件を調整することで容易に行うことができる。

上述の実施の形態において、反射面を被覆する被覆膜は、例えば、透明誘電体膜を用いることができる。これにより、光の反射効率を低下させることなく、反射面を保護することができる。

本発明に係る半導体発光素子の要部構成を示す縦断面図である。 発光素子の製造工程を示す説明図である。 発光素子の製造工程を示す説明図である。 実施の形態２の発光素子の要部構成を示す縦断面図である。 実施の形態２の発光素子の製造工程を示す説明図である。 実施の形態２の発光素子の製造工程を示す説明図である。 実施の形態２の発光素子の製造工程を示す説明図である。 実施の形態３の発光素子の要部構成を示す縦断面図である。 実施の形態３の発光素子の製造工程を示す説明図である。 実施の形態３の発光素子の製造工程を示す説明図である。 実施の形態４の発光素子の要部構成を示す縦断面図である。 実施の形態４の発光素子の製造工程を示す説明図である。 実施の形態４の発光素子の製造工程を示す説明図である。

符号の説明

１ 基板
２ Ｎ型半導体層
３ 活性層
４ Ｐ型半導体層
５ 反射膜
６ 電流拡散層
７ Ｎ電極
８ Ｐ電極
９ 電流拡散補助配線
１０、２１、５２ ＳｉＯ₂ 膜
１１ 反射部材
１２ Ｖ／Ａｌ層
２３、３１、４２、５４ フォトレジスト
２４ 側面
４１、５１ 凹部
５３ 金属膜
６０、８０ 発光部
６１、６２、７１、７２ 反射部

Claims (14)

1. 基板の一部表面に化合物半導体層からなる発光層を形成した半導体発光素子において、
   前記化合物半導体層の側面から出射された光を反射する反射面を有する反射部材を該側面に対向させて基板上に設けてあることを特徴とする半導体発光素子。
2. 前記反射部材は、
   基板上に形成した化合物半導体層であり、
   前記反射面には、
   前記化合物半導体層の表面に形成したＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕのいずれか１つを主体とした合金の反射膜を形成してあることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
3. 前記反射部材は、
   Ａｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はいずれか１つを主体とした合金であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
4. 基板の表面に化合物半導体層からなる発光層を形成した半導体発光素子において、
   前記化合物半導体層に形成された凹部に該凹部の側面の化合物半導体層から離隔した電極を備え、
   該電極は、
   前記凹部の側面に対向させ、化合物半導体層から出射された光を反射する反射面を備えることを特徴とする半導体発光素子。
5. 前記電極は、
   Ａｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はいずれか１つを主体とした合金であることを特徴とする請求項４に記載の半導体発光素子。
6. 前記反射面には、
   Ａｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕのいずれか１つを主体とした合金の反射膜を形成してあることを特徴とする請求項４に記載の半導体発光素子。
7. 前記反射面は、
   厚み方向に化合物半導体層の側面から離隔すべく傾斜してあることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の半導体発光素子。
8. 前記反射面の傾斜角度は、
   厚み方向と５度以上８５度以下をなすことを特徴とする請求項７に記載の半導体発光素子。
9. 前記反射面を被覆する被覆膜を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の半導体発光素子。
10. 基板の一部表面に化合物半導体層からなる発光層を形成した半導体発光素子の製造方法において、
    基板の表面に化合物半導体層を形成する工程と、
    形成された化合物半導体層の表面にＳｉＯ₂ 膜を形成する工程と、
    発光層を構成する化合物半導体層の周縁位置から所定範囲のＳｉＯ₂ 膜を除去する工程と、
    ＳｉＯ₂ 膜が除去された部分に側面が傾斜する山状のフォトレジストを形成する工程と、
    前記ＳｉＯ₂ 膜及びフォトレジストをマスクとして化合物半導体をドライエッチングする工程と
    を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
11. 基板の一部表面に化合物半導体層からなる発光層を形成した半導体発光素子の製造方法において、
    基板の表面に化合物半導体層を形成する工程と、
    発光層を構成する化合物半導体層を除外して基板の表面に形成された化合物半導体層をエッチングにより除去する工程と、
    化合物半導体層が除去された基板表面に前記発光層から離隔してＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はいずれか１つを主体とした合金で反射部材を形成する工程と、
    前記反射部材の表面にフォトレジストを形成する工程と、
    前記フォトレジストをマスクとして反射部材を等方的にエッチングする工程と
    を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
12. 基板の一部表面に化合物半導体層からなる発光層を形成した半導体発光素子の製造方法において、
    基板の表面に化合物半導体層を形成する工程と、
    発光層を構成する化合物半導体層を除外して基板の表面に形成された化合物半導体層をエッチングにより除去する工程と、
    化合物半導体層が除去された基板表面に前記発光層から離隔してＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はいずれか１つを主体とした合金で反射部材を形成する工程と、
    前記反射部材の発光層側の表面を除外して該反射部材の表面にＳｉＯ₂ 膜を形成する工程と、
    ＳｉＯ₂ 膜が除外された部分に側面が傾斜する山状のフォトレジストを形成する工程と、
    前記ＳｉＯ₂ 膜及びフォトレジストをマスクとして前記反射部材をドライエッチングする工程と
    を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
13. 基板の表面に化合物半導体層からなる発光層を形成した半導体発光素子の製造方法において、
    基板の表面に化合物半導体層を形成する工程と、
    形成された化合物半導体層にエッチングにより凹部を形成する工程と、
    前記凹部を含む化合物半導体層の表面にＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はいずれか１つを主体とした合金の金属膜を形成する工程と、
    形成された金属膜の表面の電極を形成する位置にフォトレジストを形成する工程と、
    形成されたフォトレジストをマスクとして金属膜を等方的にエッチングする工程と
    を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
14. 基板の表面に化合物半導体層からなる発光層を形成した半導体発光素子の製造方法において、
    基板の表面に化合物半導体層を形成する工程と、
    形成された化合物半導体層にエッチングにより凹部を形成する工程と、
    前記凹部の電極を形成する位置を除外して前記化合物半導体層の表面にＳｉＯ₂ 膜を形成する工程と、
    ＳｉＯ₂ 膜が形成された化合物半導体層にＡｇ、Ａｌ若しくはＡｕ、又はいずれか１つを主体とした合金の金属膜を形成する工程と、
    形成された金属膜の表面のＳｉＯ₂ 膜が除外された部分に対応する位置に側面が傾斜する山状のフォトレジストを形成する工程と、
    前記ＳｉＯ₂ 膜及びフォトレジストをマスクとして前記金属膜をドライエッチングする工程と
    を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

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