JP2004128089A - 研磨用組成物及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法、並びにリンス用組成物及びそれを用いたシリコンウエハのリンス方法 - Google Patents
研磨用組成物及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法、並びにリンス用組成物及びそれを用いたシリコンウエハのリンス方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004128089A JP2004128089A JP2002287979A JP2002287979A JP2004128089A JP 2004128089 A JP2004128089 A JP 2004128089A JP 2002287979 A JP2002287979 A JP 2002287979A JP 2002287979 A JP2002287979 A JP 2002287979A JP 2004128089 A JP2004128089 A JP 2004128089A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- polishing
- composition
- rinsing
- component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 148
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 140
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 139
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 139
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims abstract description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 claims abstract description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 211
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 10
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 140
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 45
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 16
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 11
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 9
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 ammonia Chemical class 0.000 description 5
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 1-Methylpiperazine Chemical compound CN1CCNCC1 PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical group NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 4
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229960003506 piperazine hexahydrate Drugs 0.000 description 4
- AVRVZRUEXIEGMP-UHFFFAOYSA-N piperazine;hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.C1CNCCN1 AVRVZRUEXIEGMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 4
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- HXMVNCMPQGPRLN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyputrescine Chemical compound NCCC(O)CN HXMVNCMPQGPRLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 2
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQAFMLCWWGDNLI-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[bis(2-chloroethyl)amino]phenyl]acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=C(N(CCCl)CCCl)C=C1 RQAFMLCWWGDNLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000013 Ammonium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002907 Guar gum Polymers 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N aminoethylpiperazine Chemical compound NCCN1CCNCC1 IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000000665 guar gum Substances 0.000 description 1
- 235000010417 guar gum Nutrition 0.000 description 1
- 229960002154 guar gum Drugs 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960005141 piperazine Drugs 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 235000015497 potassium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000028 potassium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011736 potassium bicarbonate Substances 0.000 description 1
- 235000011181 potassium carbonates Nutrition 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogencarbonate Chemical compound [K+].OC([O-])=O TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940086066 potassium hydrogencarbonate Drugs 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007127 saponification reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
- C11D3/22—Carbohydrates or derivatives thereof
- C11D3/222—Natural or synthetic polysaccharides, e.g. cellulose, starch, gum, alginic acid or cyclodextrin
- C11D3/225—Natural or synthetic polysaccharides, e.g. cellulose, starch, gum, alginic acid or cyclodextrin etherified, e.g. CMC
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/37—Polymers
- C11D3/3703—Macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C11D3/3707—Polyethers, e.g. polyalkyleneoxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/20—Water-insoluble oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/263—Ethers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/268—Carbohydrates or derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】研磨用組成物には、(a)ヒドロキシエチルセルロース、(b)0.005重量%を超えるとともに0.5重量%未満のポリエチレンオキサイド、(c)アルカリ化合物、(d)水及び(e)二酸化ケイ素が含有される。そして、研磨用組成物は、シリコンウエハ表面に複数段階に分けて研磨を施すときに、シリコンウエハ表面のヘイズレベルを改善する目的で行われる研磨工程に用いられるように構成されている。リンス用組成物には、(a)、(b)、(c)及び(d)の各成分が含有され、前記研磨工程後のシリコンウエハ表面に施されるリンスに用いられるように構成されている。
【選択図】 なし
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ヘイズレベルをさらに改善することができる研磨用組成物及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法、並びにリンス用組成物及びそれを用いたシリコンウエハのリンス方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、コンピュータに使用されるULSI等の高集積化及び高速化に伴い、半導体装置のデザインルールは微細化が進んでいる。このため、デバイス製造プロセスでの焦点深度は浅くなり、デバイス形成前のシリコンウエハに要求される無傷性及び平滑性は厳しくなっている。無傷性及び平滑性を示すパラメータとしては、ヘイズ(Haze)レベルやLPD(Light Point Defect)等が挙げられる。
【0003】
ここで、ヘイズとは、研磨用組成物により研磨し又は研磨が施された後にリンス用組成物によりリンスし、鏡面状態をなすシリコンウエハ表面に暗室内で強い光を照射したときに、光の乱反射による目視で観察できる乳白色の曇りのことであり、ヘイズレベルは乳白色の曇りの程度を示す。一方、LPDとはシリコンウエハの表面欠陥のことであり、研磨又はリンスが施されたシリコンウエハ表面に付着した異物(以下、パーティクルともいう)等に起因している。
【0004】
従来の研磨用組成物は、(A)二酸化ケイ素、(B)水、(C)ヒドロキシエチルセルロース等の水溶性高分子化合物、(D)アンモニア等の塩基性化合物及び(E)メタノール等のアルコール性水酸基を1〜10個有する化合物を含有している。また、(A)、(B)、(C)及び(F)モノエタノールアミン等のアルコール性水酸基を1〜10個有する含窒素塩基性化合物を含有している(特許文献1参照。)。そして、(C)及び(E)の各成分、又は(C)及び(F)の各成分によって、シリコンウエハ表面に付着したパーティクルを減少させてLPDを改善するようになっている。
【0005】
【特許文献1】
特開平11−116942号公報(第3−6頁)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、この従来の研磨用組成物においては、(C)、(E)及び(F)の各成分はヘイズレベル及びLPDを改善することができるが、ヘイズレベルについてはさらなる改善が求められていた。
【0007】
本発明は、前記のような従来技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その目的とするところは、ヘイズレベルをさらに改善することができる研磨用組成物及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法、並びにリンス用組成物及びそれを用いたシリコンウエハのリンス方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するために、請求項1に記載の発明の研磨用組成物は、シリコンウエハ表面のヘイズレベルを改善する目的で行われる研磨工程に用いられ、下記の(a)、(b)、(c)、(d)及び(e)の各成分を含有するものである。
【0009】
(a):ヒドロキシエチルセルロース
(b):0.005重量%を超えるとともに0.5重量%未満のポリエチレンオキサイド
(c):アルカリ化合物
(d):水
(e):二酸化ケイ素
請求項2に記載の発明のシリコンウエハの研磨方法は、シリコンウエハ表面のヘイズレベルを改善する目的で行われる研磨工程において、請求項1に記載の研磨用組成物を用いてシリコンウエハ表面に研磨を施すものである。
【0010】
請求項3に記載の発明のリンス用組成物は、シリコンウエハ表面のヘイズレベルを改善する目的で行われる研磨工程の後のリンス工程に用いられ、下記の(a)、(b)、(c)及び(d)の各成分を含有するものである。
【0011】
(a):ヒドロキシエチルセルロース
(b):0.005重量%を超えるとともに0.5重量%未満のポリエチレンオキサイド
(c):アルカリ化合物
(d):水
請求項4に記載の発明のシリコンウエハのリンス方法は、シリコンウエハ表面のヘイズレベルを改善する目的で行われる研磨工程の後に、請求項3に記載のリンス用組成物を用いてシリコンウエハ表面にリンスを施すものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態について説明する。
【0013】
シリコンウエハとは、単結晶シリコンにより形成されている半導体基板のことである。シリコンウエハは、まずシリコン単結晶インゴットを切断してウエハとしたものにラッピングが施されて外形成形される。そして、ラッピングによるシリコンウエハ表層部の加工変質層を除去するためにエッチングが施された後、端面を研磨するためにエッヂポリッシュが施される。
【0014】
次いで、シリコンウエハ表面に第1研磨で粗研磨が施された後、第2研磨で精密研磨が施されてその平滑性が向上し、最終段階の研磨として第3研磨が施されてシリコンウエハ表面のヘイズレベルを改善する等、複数段階に分かれて研磨が施されて製造される。求められるシリコンウエハの品質により、前記研磨工程が2段階で行われる場合や4段階以上に細分化されて行われることもある。この第1の実施形態は、前記複数段階に分かれる研磨の内、ヘイズレベルを改善する目的で行われる研磨工程を示すものである。
【0015】
ヘイズレベルを改善する目的で行われる研磨工程で用いられる研磨用組成物には、(a)ヒドロキシエチルセルロース(HEC)、(b)ポリエチレンオキサイド(PEO)、(c)アルカリ化合物、(d)水及び(e)二酸化ケイ素が含有されている。
【0016】
成分(a)のHECは、ヘイズレベルをさらに改善するとともにシリコンウエハ表面の濡れ性を向上させるために含有される。成分(a)の平均分子量は、好ましくは300000〜3000000、より好ましくは600000〜2000000、最も好ましくは900000〜1500000である。成分(a)の平均分子量が前記範囲未満では、ヘイズレベルを改善しにくくなる。一方、成分(a)の平均分子量が前記範囲を超えると、研磨用組成物の粘度が過大となってゲル化し、取り扱いが困難になりやすい。
【0017】
研磨用組成物中の成分(a)の含有量は、好ましくは0.01〜3重量%、より好ましくは0.05〜2重量%、最も好ましくは0.1〜1重量%である。成分(a)の含有量が前記範囲未満ではヘイズレベルを改善しにくくなる。一方、成分(a)の含有量が前記範囲を超えると、研磨用組成物の粘度が過大となってゲル化しやすくなり、取り扱いが困難になりやすい。
【0018】
成分(b)のPEOは、成分(a)と相俟ってヘイズレベルをさらに改善するために含有される。成分(b)は下記一般式(1)で表され、平均分子量は通常30000〜50000000である。尚、下記一般式(1)において、式中のnはエチレンオキサイドの平均重合度を表す。
【0019】
HO−(CH2CH2O)n−CH2CH2OH …(1)
成分(b)の平均分子量は、好ましくは50000〜30000000、より好ましくは100000〜10000000である。成分(b)の平均分子量が前記範囲未満では、ヘイズレベルを改善しにくくなる。一方、成分(b)の平均分子量が前記範囲を超えると、研磨用組成物の粘度が過大となってゲル化し、取り扱いが困難になりやすい。
【0020】
研磨用組成物中の成分(b)の含有量は、0.005重量%を超えるとともに0.5重量%未満、好ましくは0.01重量%を超えるとともに0.4重量%未満、より好ましくは0.03重量%を超えるとともに0.2重量%未満である。成分(b)の含有量が前記範囲以下ではヘイズレベルを改善することができない。一方、成分(b)の含有量が前記範囲以上では、研磨用組成物の粘度が過大となってゲル化し、取り扱いが困難になる。
【0021】
成分(c)のアルカリ化合物は、シリコンウエハ表面を腐食又はエッチングすることにより、研磨を促進するために含有される。
アルカリ化合物の具体例としては、水酸化カリウム(以下、「PHA」という。以下において化合物名の後の括弧内はその略号を示す。)、水酸化ナトリウム(NHA)、炭酸水素カリウム(PCAH)、炭酸カリウム(PCA)、炭酸水素ナトリウム(NCAH)、炭酸ナトリウム(NCA)等の無機アルカリ化合物、アンモニア(A)、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)、炭酸水素アンモニウム(ACAH)、炭酸アンモニウム(ACA)等のアンモニウム塩、メチルアミン(MA)、ジメチルアミン(DMA)、トリメチルアミン(TMA)、エチルアミン(EA)、ジエチルアミン(DEA)、トリエチルアミン(TEA)、エチレンジアミン(EDA)、モノエタノールアミン(MEA)、N−(β−アミノエチル)エタノールアミン(AEEA)、ヘキサメチレンジアミン(HMDA)、ジエチレントリアミン(DETA)、トリエチレンテトラミン(TETA)、無水ピペラジン(PIZ)、ピペラジン・六水和物、1−(2−アミノエチル)ピペラジン(AEPIZ)及びN−メチルピペラジン(MPIZ)等のアミン等が挙げられる。これらアルカリ化合物は、単独で含有してもよいし二種以上を組み合わせて含有してもよい。
【0022】
これらの中でも、アミン臭が弱い等の理由から、PHA、NHA、PCAH、PCA、NCAH、NCA、A、TMAH、ACAH、ACA、PIZ、ピペラジン・六水和物、AEPIZ及びMPIZが好ましい。さらに、(a)及び(b)の各成分の作用を阻害しないことから、PHA、NHA、A、TMAH、PIZ及びピペラジン・六水和物が好ましい。
【0023】
研磨用組成物中の成分(c)の含有量は、成分(c)がPHA、NHA、PCAH、PCA、NCAH、NCA、A、TMAH、ACAH、ACA、MA、DMA、TMA、EA、DEA、TEA、EDA、MEA、AEEA、HMDA、DETA又はTETAのときには、好ましくは0.02〜4重量%、より好ましくは0.03〜3重量%、最も好ましくは0.2〜2重量%である。また、成分(c)がPIZ、AEPIZ又はMPIZのときには、好ましくは0.005〜3重量%、より好ましくは0.01〜2重量%、最も好ましくは0.1〜0.5重量%である。成分(c)がピペラジン・六水和物のときには、好ましくは0.01〜6重量%、より好ましくは0.02〜3重量%、最も好ましくは0.2〜1重量%である。
【0024】
成分(c)の含有量が前記範囲未満では、成分(c)の研磨促進作用が弱まるために十分な研磨速度が得られない。一方、成分(c)の含有量が前記範囲を超えると、研磨用組成物がゲル化しやすくなるとともに、それ以上の研磨促進効果が期待できず、不経済にもなる。さらに、エッチング力が強くなるために研磨が施されたシリコンウエハ表面に面荒れが発生しやすい。
【0025】
成分(d)の水は、成分(e)を分散させるとともに、(a)、(b)及び(c)の各成分を溶解させるために含有される。水は、他の成分の作用を阻害するのを防止するために不純物をできるだけ含有しないものが好ましい。具体的には、イオン交換樹脂にて不純物イオンを除去した後にフィルターを通して異物を除去したイオン交換水や、純水、超純水、蒸留水等が好ましい。
【0026】
成分(e)の二酸化ケイ素は、その機械的研磨作用によってシリコンウエハ表面を研磨するために含有される。二酸化ケイ素の具体例としては、コロイダルシリカ(Colloidal SiO2)、ヒュームドシリカ(Fumed SiO2)等が挙げられる。これらの中でも、シリコンウエハ表面を高精度で研磨することができることから、コロイダルシリカが好ましい。
【0027】
成分(e)がコロイダルシリカのときの粒子径は、気体吸着による粉体の比表面積測定法(BET法)により測定した比表面積から求められる平均粒子径(DSA)で、好ましくは5〜300nm、より好ましくは5〜200nm、最も好ましくは5〜120nmである。さらに、レーザー散乱から算出される平均粒子径(DN4)で、好ましくは5〜300nm、より好ましくは10〜200nm、最も好ましくは15〜150nmである。コロイダルシリカの平均粒子径が前記範囲未満では十分な研磨速度が得られない。一方、コロイダルシリカの平均粒子径が前記範囲を超えるとシリコンウエハの表面粗さが大きくなりやすく、しかもシリコンウエハ表面に傷等の欠陥が発生するとともにヘイズレベルが悪化しやすい。
【0028】
また、成分(e)がヒュームドシリカのときには、DSAで好ましくは10〜300nm、より好ましくは10〜200nm、最も好ましくは10〜150nmである。さらに、DN4で好ましくは30〜500nm、より好ましくは40〜400nm、最も好ましくは50〜300nmである。フュームドシリカの平均粒子径が前記範囲未満では十分な研磨速度が得られない。一方、フュームドシリカの平均粒子径が前記範囲を超えると、シリコンウエハの表面粗さが大きくなりやすく、しかもシリコンウエハ表面に傷等の欠陥が発生するとともにヘイズレベルが悪化しやすい。
【0029】
成分(e)には、通常金属不純物が存在している。金属不純物の具体例としては、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)等の遷移金属やカルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)及びこれらに由来する水酸化物及び酸化物等が挙げられる。成分(e)の二酸化ケイ素の20重量%水溶液中における鉄、ニッケル、銅及びカルシウムの含有量の合計は、好ましくは300ppm以下、より好ましくは100ppm以下、最も好ましくは0.3ppm以下である。金属不純物の含有量が前記範囲を超えると、金属不純物によりシリコンウエハが汚染されやすくなる。
【0030】
ここで、金属不純物によるシリコンウエハの汚染とは、例えば拡散係数が大きい銅等の金属不純物がシリコンウエハ表面に付着したり、研磨時に銅等がシリコンウエハ中に拡散することをいう。この金属汚染されたシリコンウエハからデバイスを形成するときには、シリコンウエハ表面やシリコンウエハ中に拡散した銅等によってショートやリーク等が発生して半導体不良が起きることがある。
【0031】
研磨用組成物中の成分(e)の含有量は、好ましくは0.1〜40重量%、より好ましくは1〜30重量%、最も好ましくは3〜20重量%である。成分(e)の含有量が前記範囲未満では十分な研磨速度が得られない。一方、成分(e)の含有量が前記範囲を超えると、研磨用組成物の粘度が過大となってゲル化し、取り扱いが困難になりやすい。
【0032】
研磨用組成物には、その他の添加成分として、各種キレート剤、界面活性剤、防腐剤等を含有してもよい。その他の添加成分の含有量は、研磨用組成物の常法に従って決定される。
【0033】
研磨用組成物のpHは、好ましくは9〜12、より好ましくは10〜11である。研磨用組成物のpHが前記範囲未満では、成分(c)の含有量が低いために十分な研磨速度が得られない。一方、研磨用組成物のpHが前記範囲を超えると、研磨用組成物はゲル化しやすくなる。
【0034】
研磨用組成物は、成分(d)の水に他の成分を混合し、例えば翼式撹拌機による撹拌や超音波分散等によって、各成分を分散又は溶解させることにより調製される。ここで、成分(d)の水に対する他の成分の混合順序は限定されない。
【0035】
また、本発明の研磨用組成物は、実際の研磨工程時に希釈して使用することもできる。前記各成分の濃度は、容易に貯蔵又は輸送等できるよう予め比較的高濃度な研磨用組成物を調製する場合について記載したものであり、通常、使用時に成分(d)と同等の水で希釈して使用される。なお、希釈して使用する場合、その希釈倍率は50倍以下が好ましく、40倍以下がより好ましく、20倍以下が最も好ましい。50倍を超えると、濃縮の度合いが低いために輸送コストが嵩みやすい。
【0036】
次に、前記のように構成された研磨用組成物を用いたシリコンウエハの研磨方法について説明する。まず、シリコンウエハの研磨方法に用いられる研磨装置について説明する。
【0037】
図1に示すように、研磨装置11を構成する円板状の回転定盤12は、その下面の中心に取付けられた第1回転軸13により図1の矢視線の方向に回転するとともに、上面には研磨パッド14が貼付されている。この回転定盤12の上方には円板状のウエハホルダ15が1個又は複数個配設され(1個のみを図示)、各ウエハホルダ15は、その上面の中心に取付けられた第2回転軸16により図1の矢視線の方向に回転するとともに、底面には円板状のセラミックプレート17がそれぞれ取付けられている。
【0038】
セラミックプレート17の底面には、図示しないウレタンシートを介して、ウエハ保持孔18が4箇所に貫通形成されている円板状のウエハ保持板19が着脱可能に取着されている。回転定盤12の上方には、研磨工程で用いられる研磨用組成物をノズル21aから研磨パッド14に供給するための複数の研磨用組成物供給装置が配設されている。ここで、図1においては、シリコンウエハ表面のヘイズレベルを改善する目的で行われる研磨工程で用いられる研磨用組成物20を研磨パッド14に供給するための研磨用組成物供給装置21のみを図示する。
【0039】
さて、シリコンウエハ表面に例えば3段階に分けて研磨を施すときには、まず各ウエハ保持孔18内にシリコンウエハを吸引等により保持する。このとき、各シリコンウエハは、研磨される表面が下面となる状態でウエハ保持孔18内に保持される。次いで、各ウエハホルダ15及び回転定盤12を回転させるとともに、第1研磨で用いられる研磨用組成物を研磨用組成物供給装置から研磨パッド14に供給し、ウエハホルダ15を下方へ移動させて各シリコンウエハを研磨パッド14に押し付けてシリコンウエハ表面に第1研磨を施す。
【0040】
次いで、第2研磨を施すときには、各ウエハホルダ15が回転定盤12から離間された状態で、第1研磨で用いられる研磨用組成部物を研磨パッド14に供給する研磨用組成物供給装置と第2研磨で用いられる研磨用組成部物を研磨パッド14に供給する研磨用組成物供給装置とを交換する。続いて、研磨用組成物供給装置から第2研磨で用いられる研磨用組成物を研磨パッド14に供給し、ウエハホルダ15を下方へ移動させて各シリコンウエハを研磨パッド14に押し付けてシリコンウエハ表面に第2研磨を施す。
【0041】
続いて、本実施形態の研磨用組成物20を用いて第3研磨を施すときには、第2研磨と同様にして研磨用組成物供給装置21から研磨用組成物20を研磨パッド14に供給し、シリコンウエハ表面のヘイズレベルを改善する目的で研磨を施す。前記方法は、シリコンウエハの片面を研磨する片面研磨装置を用いて研磨を施す場合について記載したものであるが、本実施形態の研磨用組成物及びシリコンウエハの研磨方法は、両面を同時に研磨する両面研磨装置を用いて研磨を施す場合にも適用可能である。
【0042】
以上詳述した本実施形態によれば、次のような効果が発揮される。
・ 第1の実施形態の研磨用組成物及びシリコンウエハの研磨方法においては、研磨用組成物は(a)及び(b)の各成分を含有している。このため、成分(a)と成分(b)とが相乗的に作用することによってシリコンウエハ表面の表面粗さが小さくなり、従来の研磨用組成物に比べてヘイズレベルをさらに改善することができる。さらに、研磨用組成物中の各成分やシリコンウエハ表面が研磨されることによって生じるシリコンの切り粉等が、パーティクルとしてシリコンウエハ表面に付着するのを抑制することができ、LPDが悪化するのを抑制することができる。
【0043】
・ 研磨用組成物は成分(c)を含有している。このため、研磨速度を向上させることができる。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。この第2の実施形態は、第1の実施形態においてシリコンウエハ表面のヘイズレベルを改善する目的で行われる研磨工程の後に行われるリンス工程を示すものである。
【0044】
リンス工程で用いられるリンス用組成物には、(a)HEC、(b)PEO、(c)アルカリ化合物及び(d)水が含有されている。
成分(c)は、リンス用組成物のpHを調整するとともに前記の機能発現のために含有される。ここで、リンス用組成物のpHは、研磨が施されたシリコンウエハ表面にリンスを施すときに、シリコンウエハ表面のpHが急激に変化することによって面荒れが発生するのを防止するために、研磨用組成物のpHと同程度が好ましい。
【0045】
リンス用組成物のpHが研磨用組成物のそれよりも低いときには、研磨後に研磨パッドの表面に残留している研磨用組成物がリンス用組成物と反応してゲル化し、シリコンウエハ表面から取除くことが難しくなる。さらに、研磨パッドの目の中に残留する研磨用組成物がリンス用組成物と反応してゲル化して目詰まりが発生しやすくなる。一方、リンス用組成物のpHが研磨用組成物のそれよりも高いときには、シリコンウエハ表面に面荒れが発生しやすくなる。
【0046】
リンス用組成物は、成分(d)の水に他の成分を混合し、例えば翼式撹拌機による撹拌や超音波分散等によって、各成分を分散又は溶解させることにより調製される。ここで、成分(d)の水に対する他の成分の混合順序は限定されない。
【0047】
また、本発明のリンス用組成物は、実際のリンス工程時に希釈して使用することもできる。前記各成分の濃度は、容易に貯蔵又は輸送等できるよう予め比較的高濃度なリンス用組成物を調製する場合について記載したものであり、通常、使用時に成分(d)と同等の水で希釈して使用される。なお、希釈して使用する場合、その希釈倍率は100倍以下が好ましく、80倍以下がより好ましく、40倍以下が最も好ましい。100倍を超えると、濃縮の度合いが低いために輸送コストが嵩みやすい。
【0048】
次に、前記のように構成されたリンス用組成物を用いたシリコンウエハのリンス方法について説明する。
シリコンウエハ表面にリンスを施すときには、図1に示す研磨装置11に図示しないリンス用組成物供給装置が配設され、研磨用組成物供給装置21とリンス用組成物供給装置とが交換されるようになっている。さらに、研磨パッド14がリンス用パッドとして兼用され、リンス用組成物供給装置からリンス用組成物が研磨パッド14に供給されるようになっている。
【0049】
さて、このリンス用組成物を用いてシリコンウエハ表面にリンスを施すときには、まずヘイズレベルを改善する目的の研磨が終了した直後、ウエハホルダ15が回転定盤12に接したままの状態で、研磨用組成物供給装置21とリンス用組成物供給装置とを交換する。さらに、研磨装置の稼働条件を研磨時の稼働条件からリンス用のそれに切り替える。ここで、シリコンウエハ表面や研磨パッド14には研磨用組成物が残留している。続いて、リンス用組成物供給装置からリンス用組成物を研磨パッド14に供給し、各シリコンウエハを研磨パッド14に押し付けてシリコンウエハ表面にリンスを施す。
【0050】
前記方法は、シリコンウエハの片面を研磨する片面研磨装置を用いてリンスを施す場合について記載したものであるが、本実施形態のリンス用組成物及びシリコンウエハのリンス方法は、両面を同時に研磨する両面研磨装置を用いてリンスを施す場合にも適用可能である。
【0051】
以上詳述した本実施形態によれば、次のような効果が発揮される。
・ 第2の実施形態のリンス用組成物及びシリコンウエハのリンス方法においては、リンス用組成物は(a)及び(b)の各成分を含有している。そして、ヘイズレベルを改善する目的の研磨が施されたシリコンウエハ表面に研磨用組成物が残留した状態で、シリコンウエハ表面にリンスを施す。よって、シリコンウエハ表面並びに研磨パッド表面及び目の中に残留した研磨用組成物がリンス用組成物と混ざり合った混合組成物ができるために、リンス工程では混合組成物に若干含有される成分(e)によってシリコンウエハ表面が若干研磨される。このとき、成分(a)と成分(b)とが相乗的に作用することによってシリコンウエハ表面の表面粗さが小さくなり、従来のリンス用組成物に比べてヘイズレベルをさらに改善することができる。さらに、シリコンウエハ表面に付着したパーティクルの数を減少させることによってLPDを改善することができる。
【0052】
・ 第2の実施形態のシリコンウエハのリンス方法においては、シリコンウエハ表面に研磨とリンスとを連続して施すことができる。このため、例えばシリコンウエハ表面に研磨を施した後にシリコンウエハをウエハ保持孔18から一旦取外し、改めてリンス装置でシリコンウエハをリンスする場合に比べて、研磨用組成物によって生じるシリコンウエハ表面のエッチングやシミを防止することができる。
【0053】
また、研磨後のシリコンウエハ表面の乾燥を防止できるため、研磨用組成物中の成分(e)がシリコンウエハ表面に固着することを防止することができる。これらにより、LPDを改善することができる。さらに、シリコンウエハ表面に研磨とリンスとを施す時間を短縮することができるとともに、同じ装置を使用して研磨及びリンスを施すことができるために、研磨工程及びリンス工程のコストを低減することができる。
【0054】
なお、前記実施形態を次のように変更して構成することもできる。
・ 第1の実施形態及び第2の実施形態において、研磨又はリンスが終了したときに、シリコンウエハ表面に純水によるスクラブ洗浄を施してもよい。スクラブ洗浄とは、純水、超純水等を用い、ポリビニルアルコール製スポンジ等を使用してシリコンウエハ表面をこすり洗いする方法である。
【0055】
・ 第1の実施形態及び第2の実施形態において、研磨用組成物又はリンス用組成物は過酸化水素を含有してもよい。このように構成した場合は、過酸化水素によりシリコンウエハ表面に酸化膜が形成され、パーティクルがシリコンウエハ表面に直接付着することを防止できるために、LPDを改善することができる。
【0056】
・ 第2の実施形態において、リンス用組成物は成分(e)を若干含有してもよい。このように構成した場合は、シリコンウエハ表面並びに研磨パッド表面及び目の中に研磨用組成物が残留していない場合であっても、シリコンウエハ表面にリンスを施すことによりヘイズレベルを改善することができる。
【0057】
【実施例】
次に、実施例及び比較例を挙げて前記実施形態をさらに具体的に説明する。
<研磨>
(実施例1〜24及び比較例1〜17)
実施例1においては、まず成分(a)のHECと、成分(b)のPEOと、成分(c)としてのAの29重量%水溶液と、成分(d)としての超純水と、成分(e)としてのコロイダルシリカとを混合して研磨用組成物を調製した。ここで、(a)及び(b)の各成分はヘイズレベルを改善する成分として混合し、成分(c)は研磨を促進する成分として混合した。研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量は10重量%であった。また、このコロイダルシリカの20重量%水溶液中における鉄、ニッケル、銅及びカルシウムの含有量の合計は20ppb以下であった。
【0058】
さらに、コロイダルシリカの平均粒子径は、FlowSorbII2300(micromeritics社製の製品名)で測定されたDSAで35nmであり、N4 Plus Submicron Particle Sizer(Beckman Coulter, Inc.の製品名)で測定されたDN4で70nmであった。研磨用組成物中のHEC、PEO及びAの含有量を表1に示す。尚、以下において、各表におけるAの含有量は29重量%水溶液、TMAHの含有量は25重量%水溶液を使用した場合の含有量を示す。
【0059】
実施例2〜24及び比較例1〜17においては、ヘイズレベルを改善する成分及び研磨を促進する成分の種類及び含有量を表1又は表2に示すように変更した以外は、実施例1と同様にして研磨用組成物を調製した。そして、実施例1〜24及び比較例1〜17の各例の研磨用組成物に超純水を混合してその体積を20倍にそれぞれ希釈した後、希釈された各例の研磨用組成物を用いてシリコンウエハ表面に下記の研磨条件で研磨を施した。
【0060】
なお、シリコンウエハとしては、予め研磨用組成物(GLANZOX−1101;株式会社フジミインコーポレーテッド製)を用いて10μm研磨除去した6インチシリコンウエハ(p型、結晶方位<100>、抵抗率0.01Ω・cm未満)を使用した。
【0061】
<研磨条件>
研磨装置:片面研磨機(SPM−15;不二越機械工業社製、ウエハホルダ4個)、被研磨物:6インチシリコンウエハ4枚/ウエハホルダ1個、荷重:9.4kPa、定盤回転数:30rpm、ウエハホルダ回転数:30rpm、研磨パッド:Surfin000(株式会社フジミインコーポレーテッド製のスウェードタイプ)、組成物の供給速度:500ml/分(掛け流し)、研磨時間:8分、組成物の温度:20℃
(実施例25及び比較例18)
実施例25及び比較例18においては、実施例1と同様にして研磨用組成物を調製した。研磨用組成物におけるヘイズレベルを改善する成分及び研磨を促進する成分の種類及び含有量を表1及び表2に示す。次いで、実施例1と同様に、超純水を混合して体積を20倍にそれぞれ希釈した後、希釈された各例の研磨用組成物を用いてシリコンウエハ表面に研磨を施した。
【0062】
なお、シリコンウエハとしては、予め研磨用組成物(GLANZOX−1101;株式会社フジミインコーポレーテッド製)を用いて10μm研磨除去した6インチシリコンウエハ(p型、結晶方位<100>、抵抗率0.01Ω・cm以上0.1Ω・cm未満)を使用した。
【0063】
(実施例26及び比較例19)
実施例26及び比較例19においては、実施例1と同様にして研磨用組成物を調製した。研磨用組成物におけるヘイズレベルを改善する成分及び研磨を促進する成分の種類及び含有量を表1及び表2に示す。次いで、実施例1と同様に、超純水を混合して体積を20倍にそれぞれ希釈した後、希釈された各例の研磨用組成物を用いてシリコンウエハ表面に研磨を施した。
【0064】
なお、シリコンウエハとしては、予め研磨用組成物(GLANZOX−1101;株式会社フジミインコーポレーテッド製)を用いて10μm研磨除去した6インチシリコンウエハ(p型、結晶方位<100>、抵抗率0.1Ω・cm以上)を使用した。
【0065】
そして、研磨後のシリコンウエハに純水を用いた10秒間のスクラブ洗浄及びSC−1(アンモニア(29重量%溶液):過酸化水素(31%溶液):純水=1:1:10(容量比)溶液)洗浄を施した後、シリコンウエハについて、下記(1)及び(2)の項目に関し評価を行った。さらに、実施例2、実施例3、実施例5、実施例10〜14、比較例5、比較例10〜13及び比較例16においては、さらに下記(3)の項目に関し評価を行った。それらの評価結果を表1及び表2に示す。尚、エタノールをEtOHで表し、グアガムをGGGで表し、ポリアクリルアミドをPAAMで表し、塩化カリウムをCPで表す。さらに、ジゾフィランをSPHで表し、ポリビニルアルコール(平均重合度1400、ケン化度95%)をPVAで表し、ポリエチレングリコールをPEGで表す。
【0066】
(1)ヘイズレベル(HL)
洗浄後のシリコンウエハにおいて、AMS−AWIS3110(ADE社製の製品名)を用いてヘイズレベルの値を測定した。そして、ヘイズレベルについて、0.05ppm未満(☆)、0.05ppm以上0.075ppm未満(◎)、0.075ppm以上0.1ppm未満(○)、0.1ppm以上0.2ppm未満(△)、0.2ppm以上(×)の5段階で評価した。
【0067】
(2)LPD
洗浄後のシリコンウエハにおいて、AMS−AWIS3110を用いて、大きさが0.1μm以上のパーティクルを測定した。そして、LPDについて、パーティクルの数が50個未満(○)、50個以上300個未満(△)、300個以上(×)の3段階で評価した。
【0068】
(3)表面状態(表面)
洗浄後のシリコンウエハにおいて、原子間力顕微鏡(D3000;Digital Instruments社製)を用いて表面状態を観察した。ここで、観測範囲を一辺が10μmの正方形の範囲とし、観察数を10点とした。そして、スクラッチが見られず、表面状態は非常によい(◎)、スクラッチが少し見られるが表面状態はよい(○)、スクラッチが見られ表面状態は悪い(△)、スクラッチが多く見られ表面状態は非常に悪い(×)の4段階で評価した。
【0069】
【表1】
【0070】
【表2】
実施例1〜26においては、HEC及びPEOの両方を含有するためにヘイズレベルについて優れた評価となった。さらに、LPDについて良好な評価となった。このため、実施例1〜26の研磨用組成物を用いると、ヘイズレベルを改善することができるとともに、LPDが悪化するのを抑制することができる。実施例2、実施例3、実施例5及び実施例10〜14においては、表面状態、即ち研磨時におけるスクラッチの抑制状況についても優れた評価となった。
【0071】
一方、比較例2〜4、比較例6〜8及び比較例15においては、HEC及びPEOの両方を含有しないためにヘイズレベルについて劣る評価となった。比較例1、比較例5、比較例9〜12、比較例16及び比較例17においては、HEC及びPEOの内の一方のみしか含有しないためにヘイズレベルについて劣る評価となった。比較例13においては、PEOの含有量が0.005重量%以下であるためにヘイズレベルについて劣る評価となった。
【0072】
比較例14においては、PEOの含有量が0.5重量%以上であるためにヘイズレベルについて劣る評価となった。さらに、比較例5、比較例10〜13及び比較例16においては、表面状態についても劣る評価となった。比較例18及び比較例19においては、HEC及びPEOの内の一方のみしか含有しないために、実施例25又は実施例26に比べてヘイズレベルについて劣る評価となった。<リンス>
(実施例27〜50及び比較例20〜34)
実施例27においては、まず成分(a)のHECと、成分(b)のPEOと、成分(c)としてのAと、成分(d)としての超純水とを混合してリンス用組成物を調製した。ここで、(a)及び(b)の各成分はヘイズレベルを改善する成分として混合し、成分(c)はpHを調整する成分として混合した。リンス用組成物中のHEC、PEO及びAの含有量を表3に示す。
【0073】
実施例28〜50及び比較例20〜34においては、ヘイズレベルを改善する成分及びpHを調整する成分の種類及び含有量を表3又は表4に示すように変更した以外は、実施例27と同様にしてリンス用組成物を調製した。そして、実施例27〜50及び比較例20〜34の各例のリンス用組成物に超純水を混合してその体積を20倍にそれぞれ希釈した。そして、比較例5の研磨用組成物を用いて前記研磨条件による研磨終了と同時に、研磨装置の稼働条件を以下のリンス条件に切り替えるとともに、前記希釈された各例のリンス用組成物を用いてリンスを施した。ここで、リンス条件については、研磨条件と異なる条件のみを記載する。
【0074】
なお、シリコンウエハとしては、予め研磨用組成物(GLANZOX−1101;株式会社フジミインコーポレーテッド製)を用いて10μm研磨除去した6インチシリコンウエハ(p型、結晶方位<100>、抵抗率0.01Ω・cm未満)を使用した。
【0075】
<リンス条件>
荷重:2kPa、ウエハホルダ回転数:62rpm、組成物の供給速度:2000ml/分(掛け流し)、リンス時間:30秒
(実施例51及び比較例35)
実施例51及び比較例35においては、実施例27と同様にしてリンス用組成物を調製した。リンス用組成物におけるヘイズレベルを改善する成分及びpHを調整する成分の種類及び含有量を表3及び表4に示す。次いで、実施例27と同様に、超純水を混合して体積を20倍にそれぞれ希釈した。そして、比較例19の研磨用組成物を用いて前記研磨条件による研磨終了と同時に、研磨装置の稼働条件を前記リンス条件に切り替えるとともに、前記希釈された各例のリンス用組成物を用いてシリコンウエハ表面にリンスを施した。
【0076】
なお、シリコンウエハとしては、予め研磨用組成物(GLANZOX−1101;株式会社フジミインコーポレーテッド製)を用いて10μm研磨除去した6インチシリコンウエハ(p型、結晶方位<100>、抵抗率0.01Ω・cm以上0.1Ω・cm未満)を使用した。
【0077】
(実施例52及び比較例36)
実施例52及び比較例36においては、実施例27と同様にしてリンス用組成物を調製した。リンス用組成物におけるヘイズレベルを改善する成分及びpHを調整する成分の種類及び含有量を表3及び表4に示す。次いで、実施例27と同様に、超純水を混合して体積を20倍にそれぞれ希釈した。そして、比較例20の研磨用組成物を用いて前記研磨条件による研磨終了と同時に、研磨装置の稼働条件を前記リンス条件に切り替えるとともに、前記希釈された各例のリンス用組成物を用いてシリコンウエハ表面にリンスを施した。
【0078】
なお、シリコンウエハとしては、予め研磨用組成物(GLANZOX−1101;株式会社フジミインコーポレーテッド製)を用いて10μm研磨除去した6インチシリコンウエハ(p型、結晶方位<100>、抵抗率0.1Ω・cm以上)を使用した。
【0079】
そして、リンス後のシリコンウエハに純水を用いた10秒間のスクラブ洗浄及びSC−1洗浄を施した後、シリコンウエハについて、前記(1)及び(2)の項目に関し評価を行った。それらの評価結果を表3及び表4に示す。
【0080】
【表3】
【0081】
【表4】
実施例27〜52においては、HEC及びPEOの両方を含有するためにヘイズレベルについて優れた評価となった。さらに、LPDについて良好な評価となった。このため、実施例27〜52の研磨用組成物を用いると、ヘイズレベルを改善することができるとともに、LPDが悪化するのを抑制することができる。
【0082】
一方、比較例20、比較例21、比較例25〜28、比較例32〜34においては、HEC及びPEOの内の一方のみしか含有しないためにヘイズレベルについて劣る評価となった。比較例22〜24及び比較例31においては、HEC及びPEOの両方を含有しないためにヘイズレベルについて劣る評価となった。比較例29においては、PEOの含有量が0.005重量%以下であるためにヘイズレベルについて劣る評価となった。
【0083】
比較例30においては、PEOの含有量が0.5重量%以上であるためにヘイズレベルについて劣る評価となった。比較例35及び比較例36においては、HEC及びPEOの内の一方のみしか含有しないために、実施例51又は実施例52に比べてヘイズレベルについて劣る評価となった。
【0084】
次に、前記実施形態から把握できる技術的思想について以下に記載する。
(1)前記成分(e)の20重量%水溶液中における鉄、ニッケル、銅及びカルシウムの含有量の合計は300ppm以下に設定されている請求項1に記載の研磨用組成物。この構成によれば、金属不純物によるシリコンウエハの汚染を抑制することができる。
【0085】
(2)前記シリコンウエハ表面のヘイズレベルを改善する目的で行われる研磨工程に続いてリンスを施すことにより、シリコンウエハ表面に研磨用組成物が残留した状態でリンスを施す請求項4に記載のシリコンウエハのリンス方法。この構成によれば、ヘイズレベルをより確実に改善することができる。
【0086】
【発明の効果】
本発明は、以上のように構成されているため、次のような効果を奏する。
請求項1に記載の発明の研磨用組成物、請求項2に記載の発明のシリコンウエハの研磨方法、請求項3に記載の発明のリンス用組成物及び請求項4に記載の発明のシリコンウエハのリンス方法によれば、ヘイズレベルをさらに改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】研磨装置を模式的に示す斜視図。
【符号の説明】
20…研磨用組成物。
Claims (4)
- シリコンウエハ表面のヘイズレベルを改善する目的で行われる研磨工程に用いられ、下記の(a)、(b)、(c)、(d)及び(e)の各成分を含有することを特徴とする研磨用組成物。
(a):ヒドロキシエチルセルロース
(b):0.005重量%を超えるとともに0.5重量%未満のポリエチレンオキサイド
(c):アルカリ化合物
(d):水
(e):二酸化ケイ素 - シリコンウエハ表面のヘイズレベルを改善する目的で行われる研磨工程において、請求項1に記載の研磨用組成物を用いてシリコンウエハ表面に研磨を施すことを特徴とするシリコンウエハの研磨方法。
- シリコンウエハ表面のヘイズレベルを改善する目的で行われる研磨工程の後のリンス工程に用いられ、下記の(a)、(b)、(c)及び(d)の各成分を含有することを特徴とするリンス用組成物。
(a):ヒドロキシエチルセルロース
(b):0.005重量%を超えるとともに0.5重量%未満のポリエチレンオキサイド
(c):アルカリ化合物
(d):水 - シリコンウエハ表面のヘイズレベルを改善する目的で行われる研磨工程の後に、請求項3に記載のリンス用組成物を用いてシリコンウエハ表面にリンスを施すことを特徴とするシリコンウエハのリンス方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002287979A JP4212861B2 (ja) | 2002-09-30 | 2002-09-30 | 研磨用組成物及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法、並びにリンス用組成物及びそれを用いたシリコンウエハのリンス方法 |
US10/674,209 US7211122B2 (en) | 2002-09-30 | 2003-09-29 | Polishing composition and rinse composition |
EP03022114A EP1424727B1 (en) | 2002-09-30 | 2003-09-29 | Polishing composition and rinse composition |
DE60318172T DE60318172T2 (de) | 2002-09-30 | 2003-09-29 | Polierzusammensetzung und Waschzusammensetzung |
KR1020030067778A KR101010586B1 (ko) | 2002-09-30 | 2003-09-30 | 연마용 조성물 및 린스용 조성물 |
US11/740,005 US20070186485A1 (en) | 2002-09-30 | 2007-04-25 | Polishing composition and rinse composition |
US11/740,034 US7687393B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-04-25 | Polishing composition and rinse composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002287979A JP4212861B2 (ja) | 2002-09-30 | 2002-09-30 | 研磨用組成物及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法、並びにリンス用組成物及びそれを用いたシリコンウエハのリンス方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004128089A true JP2004128089A (ja) | 2004-04-22 |
JP4212861B2 JP4212861B2 (ja) | 2009-01-21 |
Family
ID=32280597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002287979A Expired - Fee Related JP4212861B2 (ja) | 2002-09-30 | 2002-09-30 | 研磨用組成物及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法、並びにリンス用組成物及びそれを用いたシリコンウエハのリンス方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7211122B2 (ja) |
EP (1) | EP1424727B1 (ja) |
JP (1) | JP4212861B2 (ja) |
KR (1) | KR101010586B1 (ja) |
DE (1) | DE60318172T2 (ja) |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005303060A (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Nitta Haas Inc | リンス研磨溶液 |
JP2007063374A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Nitta Haas Inc | 研磨組成物用添加剤 |
JPWO2005029563A1 (ja) * | 2003-09-24 | 2007-11-15 | 日本化学工業株式会社 | シリコンウエハ研磨用組成物および研磨方法 |
JP2010034509A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-02-12 | Fujimi Inc | 半導体用濡れ剤、それを用いた研磨用組成物および研磨方法 |
WO2012002525A1 (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-05 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの研磨方法 |
JP2012089862A (ja) * | 2008-07-03 | 2012-05-10 | Fujimi Inc | 半導体用濡れ剤、それを用いた研磨用組成物および研磨方法 |
WO2013157554A1 (ja) | 2012-04-17 | 2013-10-24 | 花王株式会社 | シリコンウェーハ用研磨液組成物 |
WO2014057932A1 (ja) * | 2012-10-12 | 2014-04-17 | 株式会社 フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物の製造方法及び研磨用組成物 |
WO2014129408A1 (ja) | 2013-02-21 | 2014-08-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物および研磨物製造方法 |
WO2015060293A1 (ja) | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 花王株式会社 | シリコンウェーハ用研磨液組成物 |
WO2015146282A1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
JP5891174B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2016-03-22 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコンウェーハ研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
JP6050125B2 (ja) * | 2011-01-26 | 2016-12-21 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、それを用いた研磨方法及び基板の製造方法 |
JP2018049980A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社岡本工作機械製作所 | 半導体装置の製造方法 |
WO2019087818A1 (ja) | 2017-11-06 | 2019-05-09 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびその製造方法 |
KR20190075897A (ko) | 2016-10-28 | 2019-07-01 | 카오카부시키가이샤 | 실리콘 웨이퍼용 린스제 조성물 |
DE112017005434T5 (de) | 2016-10-28 | 2019-08-01 | Kao Corporation | Spülmittelzusammensetzung für Silicium-Wafer |
KR20190091467A (ko) | 2016-12-22 | 2019-08-06 | 카오카부시키가이샤 | 실리콘 웨이퍼용 린스제 조성물 |
JP2019131814A (ja) * | 2019-03-08 | 2019-08-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物の製造方法 |
WO2020009055A1 (ja) * | 2018-07-04 | 2020-01-09 | 住友精化株式会社 | 研磨用組成物 |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004128069A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
CN100440445C (zh) * | 2002-11-08 | 2008-12-03 | 福吉米株式会社 | 抛光组合物和清洗组合物 |
JP4668528B2 (ja) * | 2003-09-05 | 2011-04-13 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
JP2005268665A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP2005268667A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP4284215B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2009-06-24 | 株式会社東芝 | 基板処理方法 |
JP5164129B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2013-03-13 | ニッタ・ハース株式会社 | 半導体研磨用組成物 |
JP2006005246A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Fujimi Inc | リンス用組成物及びそれを用いたリンス方法 |
JP4814502B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2011-11-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
JP4808394B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2011-11-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
US7351662B2 (en) * | 2005-01-07 | 2008-04-01 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Composition and associated method for catalyzing removal rates of dielectric films during chemical mechanical planarization |
US20070077865A1 (en) * | 2005-10-04 | 2007-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for controlling polysilicon removal |
JP2007214205A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP4476232B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2010-06-09 | 三菱重工業株式会社 | 成膜装置のシーズニング方法 |
JP5335183B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2013-11-06 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び研磨方法 |
JP5204960B2 (ja) | 2006-08-24 | 2013-06-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び研磨方法 |
JP5357396B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2013-12-04 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨組成物用添加剤および研磨組成物の使用方法 |
US8226775B2 (en) * | 2007-12-14 | 2012-07-24 | Lam Research Corporation | Methods for particle removal by single-phase and two-phase media |
DE102008044646B4 (de) * | 2008-08-27 | 2011-06-22 | Siltronic AG, 81737 | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
US8932952B2 (en) * | 2010-04-30 | 2015-01-13 | Sumco Corporation | Method for polishing silicon wafer and polishing liquid therefor |
DE112011102297B4 (de) * | 2010-07-08 | 2020-10-08 | Sumco Corporation | Verfahren zum Polieren von Siliziumwafern |
US8309468B1 (en) * | 2011-04-28 | 2012-11-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and method for polishing germanium-antimony-tellurium alloys |
US8790160B2 (en) * | 2011-04-28 | 2014-07-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and method for polishing phase change alloys |
US8513128B2 (en) | 2011-06-17 | 2013-08-20 | United Microelectronics Corp. | Poly opening polish process |
US8643069B2 (en) | 2011-07-12 | 2014-02-04 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor device having metal gate and manufacturing method thereof |
JP5860057B2 (ja) | 2011-10-24 | 2016-02-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、それを用いた研磨方法及び基板の製造方法 |
US8673755B2 (en) | 2011-10-27 | 2014-03-18 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor device having metal gate and manufacturing method thereof |
US9006010B2 (en) * | 2011-11-22 | 2015-04-14 | General Electric Company | Radiation detectors and methods of fabricating radiation detectors |
US9136170B2 (en) | 2012-05-30 | 2015-09-15 | United Microelectronics Corp. | Through silicon via (TSV) structure and process thereof |
KR102226441B1 (ko) * | 2013-02-13 | 2021-03-12 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물, 연마용 조성물 제조 방법 및 연마물 제조 방법 |
US8836129B1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-16 | United Microelectronics Corp. | Plug structure |
JP2014216464A (ja) | 2013-04-25 | 2014-11-17 | 日本キャボット・マイクロエレクトロニクス株式会社 | スラリー組成物および基板研磨方法 |
US9685343B2 (en) * | 2013-08-09 | 2017-06-20 | Fujimi Incorporated | Method for producing polished object and polishing composition kit |
JP6266337B2 (ja) | 2013-12-25 | 2018-01-24 | ニッタ・ハース株式会社 | 半導体基板用濡れ剤及び研磨用組成物 |
JP6314019B2 (ja) | 2014-03-31 | 2018-04-18 | ニッタ・ハース株式会社 | 半導体基板の研磨方法 |
JP6389629B2 (ja) | 2014-03-31 | 2018-09-12 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨用組成物 |
JP6389630B2 (ja) | 2014-03-31 | 2018-09-12 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨用組成物 |
US10748778B2 (en) | 2015-02-12 | 2020-08-18 | Fujimi Incorporated | Method for polishing silicon wafer and surface treatment composition |
US20180030313A1 (en) * | 2015-02-12 | 2018-02-01 | Fujimi Incorporated | Method for polishing silicon wafer and surface treatment composition |
SG11201803362VA (en) * | 2015-10-23 | 2018-05-30 | Nitta Haas Inc | Polishing composition |
CN109648450A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-04-19 | 临安宇杰精密制品有限公司 | 一种精密元件的抛光、清洗工艺 |
JP6756422B1 (ja) | 2019-02-21 | 2020-09-16 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子とその製造方法、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3715842A (en) | 1970-07-02 | 1973-02-13 | Tizon Chem Corp | Silica polishing compositions having a reduced tendency to scratch silicon and germanium surfaces |
US4169337A (en) | 1978-03-30 | 1979-10-02 | Nalco Chemical Company | Process for polishing semi-conductor materials |
US4462188A (en) | 1982-06-21 | 1984-07-31 | Nalco Chemical Company | Silica sol compositions for polishing silicon wafers |
US4588421A (en) | 1984-10-15 | 1986-05-13 | Nalco Chemical Company | Aqueous silica compositions for polishing silicon wafers |
JPH0623393B2 (ja) | 1987-04-27 | 1994-03-30 | 日本モンサント株式会社 | ウエハーのファイン研磨用の組成物 |
JP2714411B2 (ja) * | 1988-12-12 | 1998-02-16 | イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー | ウェハーのファイン研摩用組成物 |
US5352277A (en) | 1988-12-12 | 1994-10-04 | E. I. Du Pont De Nemours & Company | Final polishing composition |
US5053448A (en) * | 1989-07-21 | 1991-10-01 | S. C. Johnson & Son, Inc. | Polymeric thickener and methods of producing the same |
JP4115562B2 (ja) | 1997-10-14 | 2008-07-09 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
US6110830A (en) * | 1998-04-24 | 2000-08-29 | Micron Technology, Inc. | Methods of reducing corrosion of materials, methods of protecting aluminum within aluminum-comprising layers from electrochemical degradation during semiconductor processing methods of forming aluminum-comprising lines |
JPH11349925A (ja) * | 1998-06-05 | 1999-12-21 | Fujimi Inc | エッジポリッシング用組成物 |
JP3810588B2 (ja) | 1998-06-22 | 2006-08-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
US6258140B1 (en) * | 1999-09-27 | 2001-07-10 | Fujimi America Inc. | Polishing composition |
US6258721B1 (en) | 1999-12-27 | 2001-07-10 | General Electric Company | Diamond slurry for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
US6709981B2 (en) * | 2000-08-16 | 2004-03-23 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer using novel final polishing method |
WO2002019406A1 (fr) * | 2000-09-01 | 2002-03-07 | Tokuyama Corporation | Solution de nettoyage destinee a l'elimination de residus |
JP3768401B2 (ja) * | 2000-11-24 | 2006-04-19 | Necエレクトロニクス株式会社 | 化学的機械的研磨用スラリー |
JP3440419B2 (ja) | 2001-02-02 | 2003-08-25 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
-
2002
- 2002-09-30 JP JP2002287979A patent/JP4212861B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-09-29 US US10/674,209 patent/US7211122B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-29 DE DE60318172T patent/DE60318172T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-29 EP EP03022114A patent/EP1424727B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-30 KR KR1020030067778A patent/KR101010586B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-04-25 US US11/740,034 patent/US7687393B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-04-25 US US11/740,005 patent/US20070186485A1/en not_active Abandoned
Cited By (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2005029563A1 (ja) * | 2003-09-24 | 2007-11-15 | 日本化学工業株式会社 | シリコンウエハ研磨用組成物および研磨方法 |
JP2005303060A (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Nitta Haas Inc | リンス研磨溶液 |
JP2007063374A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Nitta Haas Inc | 研磨組成物用添加剤 |
JP2010034509A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-02-12 | Fujimi Inc | 半導体用濡れ剤、それを用いた研磨用組成物および研磨方法 |
JP2012089862A (ja) * | 2008-07-03 | 2012-05-10 | Fujimi Inc | 半導体用濡れ剤、それを用いた研磨用組成物および研磨方法 |
WO2012002525A1 (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-05 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの研磨方法 |
JP5622124B2 (ja) * | 2010-07-02 | 2014-11-12 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの研磨方法 |
JP5891174B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2016-03-22 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコンウェーハ研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
JP6050125B2 (ja) * | 2011-01-26 | 2016-12-21 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、それを用いた研磨方法及び基板の製造方法 |
WO2013157554A1 (ja) | 2012-04-17 | 2013-10-24 | 花王株式会社 | シリコンウェーハ用研磨液組成物 |
KR20150002797A (ko) | 2012-04-17 | 2015-01-07 | 카오카부시키가이샤 | 실리콘 웨이퍼용 연마액 조성물 |
WO2014057932A1 (ja) * | 2012-10-12 | 2014-04-17 | 株式会社 フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物の製造方法及び研磨用組成物 |
JP2014080461A (ja) * | 2012-10-12 | 2014-05-08 | Fujimi Inc | 研磨用組成物の製造方法及び研磨用組成物 |
WO2014129408A1 (ja) | 2013-02-21 | 2014-08-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物および研磨物製造方法 |
KR20150123265A (ko) | 2013-02-21 | 2015-11-03 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물 및 연마물 제조 방법 |
US9566685B2 (en) | 2013-02-21 | 2017-02-14 | Fujimi Incorporated | Polishing composition and method for producing polished article |
WO2015060293A1 (ja) | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 花王株式会社 | シリコンウェーハ用研磨液組成物 |
JP2015189899A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
WO2015146282A1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
CN106133104A (zh) * | 2014-03-28 | 2016-11-16 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物 |
US10144907B2 (en) | 2014-03-28 | 2018-12-04 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
JP2018049980A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社岡本工作機械製作所 | 半導体装置の製造方法 |
DE112017005434T5 (de) | 2016-10-28 | 2019-08-01 | Kao Corporation | Spülmittelzusammensetzung für Silicium-Wafer |
KR20190075897A (ko) | 2016-10-28 | 2019-07-01 | 카오카부시키가이샤 | 실리콘 웨이퍼용 린스제 조성물 |
KR20190091467A (ko) | 2016-12-22 | 2019-08-06 | 카오카부시키가이샤 | 실리콘 웨이퍼용 린스제 조성물 |
DE112017006489T5 (de) | 2016-12-22 | 2019-09-12 | Kao Corporation | Spülmittelzusammensetzung für Silicium-Wafer |
US10865368B2 (en) | 2016-12-22 | 2020-12-15 | Kao Corporation | Rinse agent composition for silicon wafers |
US11421131B2 (en) | 2017-11-06 | 2022-08-23 | Fujimi Incorporated | Polishing composition and method for producing same |
WO2019087818A1 (ja) | 2017-11-06 | 2019-05-09 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびその製造方法 |
US11976220B2 (en) | 2017-11-06 | 2024-05-07 | Fujimi Incorporated | Polishing composition and method for producing same |
CN111315835B (zh) * | 2017-11-06 | 2022-08-26 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物及其制造方法 |
CN111315835A (zh) * | 2017-11-06 | 2020-06-19 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物及其制造方法 |
KR20200081458A (ko) | 2017-11-06 | 2020-07-07 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물 및 그의 제조 방법 |
EP3819353A4 (en) * | 2018-07-04 | 2022-03-30 | Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. | POLISHING COMPOSITION |
WO2020009055A1 (ja) * | 2018-07-04 | 2020-01-09 | 住友精化株式会社 | 研磨用組成物 |
JP2019131814A (ja) * | 2019-03-08 | 2019-08-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE60318172T2 (de) | 2008-12-18 |
KR101010586B1 (ko) | 2011-01-24 |
EP1424727B1 (en) | 2007-12-19 |
KR20040032051A (ko) | 2004-04-14 |
EP1424727A1 (en) | 2004-06-02 |
US20070186485A1 (en) | 2007-08-16 |
US20070186486A1 (en) | 2007-08-16 |
US7687393B2 (en) | 2010-03-30 |
US20040098924A1 (en) | 2004-05-27 |
DE60318172D1 (de) | 2008-01-31 |
JP4212861B2 (ja) | 2009-01-21 |
US7211122B2 (en) | 2007-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4212861B2 (ja) | 研磨用組成物及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法、並びにリンス用組成物及びそれを用いたシリコンウエハのリンス方法 | |
JP4668528B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP5813738B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP6068647B2 (ja) | 研磨済研磨対象物の製造方法および研磨用組成物キット | |
JP4593064B2 (ja) | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 | |
JP6185432B2 (ja) | シリコンウェーハ研磨用組成物 | |
JP6829191B2 (ja) | 研磨方法 | |
JP6279593B2 (ja) | 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法およびシリコンウェーハ製造方法 | |
JP6649828B2 (ja) | シリコン基板の研磨方法および研磨用組成物セット | |
JP5939578B2 (ja) | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 | |
JP6377656B2 (ja) | シリコン基板の研磨方法および研磨用組成物セット | |
JP6348927B2 (ja) | シリコンウェーハ研磨用組成物 | |
JP6829192B2 (ja) | 研磨方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050808 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080514 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080520 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080930 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081029 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121107 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121107 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131107 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |