JP2018049980A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018049980A JP2018049980A JP2016185443A JP2016185443A JP2018049980A JP 2018049980 A JP2018049980 A JP 2018049980A JP 2016185443 A JP2016185443 A JP 2016185443A JP 2016185443 A JP2016185443 A JP 2016185443A JP 2018049980 A JP2018049980 A JP 2018049980A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- silicon wafer
- semiconductor device
- mass
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 276
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 127
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 127
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 127
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 60
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical class O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical class C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical class [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 34
- 229920002678 cellulose Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- 239000001913 cellulose Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical class [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000000908 ammonium hydroxide Chemical class 0.000 claims abstract description 22
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 22
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 52
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 claims description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 abstract description 15
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical class [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920001479 Hydroxyethyl methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000001866 hydroxypropyl methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920003088 hydroxypropyl methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000010979 hydroxypropyl methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- UFVKGYZPFZQRLF-UHFFFAOYSA-N hydroxypropyl methyl cellulose Chemical compound OC1C(O)C(OC)OC(CO)C1OC1C(O)C(O)C(OC2C(C(O)C(OC3C(C(O)C(O)C(CO)O3)O)C(CO)O2)O)C(CO)O1 UFVKGYZPFZQRLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- -1 tetramethyl hydroxide Chemical compound 0.000 description 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical class C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
他方、シリコンウエハに親水化処理を施すリンス工程では、研磨レートが低く、その研磨レートは、例えば、0.01μm/分程度若しくはそれ以下であった。
図1は、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示すフローチャートである。図1に示すように、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、スライシング工程S10と、ラッピング工程S20と、エッチング工程S30と、1次ポリッシング工程S40と、洗浄工程S50と、2次ポリッシング工程S60と、洗浄工程S70と、を具備する。
図2は、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いられる研磨装置20の概略構成を示す正面図である。研磨装置20は、1次ポリッシング工程S40でシリコンウエハ10の主面11を研磨するために用いられる装置である。
また、研磨装置20は、ヘッド21をシリコンウエハ10の切り込み方向に送り移動させる図示しない昇降装置等を備えても良い。
先ず、シリコンウエハ10に加えられる研磨圧力は、5kPaから50kPaであり、好ましくは、10kPaから30kPa、更に好ましくは、15kPaから25kPaである。研磨圧力が5kPaよりも低いと、高い研磨レートが得られない。他方、研磨圧力が50kPaを超えると、シリコンウエハ10の親水性が低下してしまう。
研磨液は、純水、二酸化ケイ素、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化アンモニウム、ピペラジン及びセルロース誘導体を含んでいる。
また、二酸化ケイ素の平均一次粒子径は、15nmから50nmであり、より好ましくは、20nmから40nmである。
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。なお、本発明は以下に挙げる実施例によって何ら限定されるものではない。
以下の実施例は、成分比率の異なる複数種類の研磨液の試料P1、P2、P3を用いてシリコンウエハ10を研磨し、研磨レート及び親水性を評価した結果の一例である。
比較例として、以下に示す試料P11、P12、P13を調製した。
試料P11は、水酸化アンモニウム及びセルロース誘導体を含まない研磨液である。試料P11は、二酸化ケイ素を1質量%、水酸化テトラメチルアンモニウムを0.05質量%、ピペラジンを0.27質量%含有する。
図4は、本発明の実施例及び比較例による試験結果を示す表であり、研磨レート(μm/分)及び親水性の評価を示している。
11 表面
20 研磨装置
21 ヘッド
22 回転軸
23 回転軸
24 テーブル
25 研磨パッド
26 研磨液供給ノズル
27 吸着パッド
Claims (4)
- 研磨液を供給しながら研磨パッドにシリコンウエハを摺接させて前記シリコンウエハの主面を研磨する工程において、
前記研磨液は、二酸化ケイ素、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化アンモニウム、ピペラジン及びセルロース誘導体を含み、
前記シリコンウエハには、5kPaから50kPaの研磨圧力が加えられることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記研磨液は、前記二酸化ケイ素を0.5質量%から2質量%、前記水酸化テトラメチルアンモニウムを0.02質量%から0.1質量%、前記水酸化アンモニウムを0.001質量%から0.02質量%、前記ピペラジンを0.1質量%から0.6質量%、前記セルロース誘導体を0.01質量%から0.2質量%、含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記研磨パッドは、周速度1.2m/秒から4.2m/秒で回転駆動され、
前記シリコンウエハは、周速度0.3m/秒から1.1m/秒で回転駆動されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記研磨パッドとして不織布が用いられることを特徴とする請求項1ないし請求項3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016185443A JP6796978B2 (ja) | 2016-09-23 | 2016-09-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016185443A JP6796978B2 (ja) | 2016-09-23 | 2016-09-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018049980A true JP2018049980A (ja) | 2018-03-29 |
JP6796978B2 JP6796978B2 (ja) | 2020-12-09 |
Family
ID=61767784
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016185443A Active JP6796978B2 (ja) | 2016-09-23 | 2016-09-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6796978B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022138103A1 (ja) * | 2020-12-22 | 2022-06-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
CN114986384A (zh) * | 2022-05-11 | 2022-09-02 | 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司 | 多晶硅环的化学机械抛光方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11116942A (ja) * | 1997-10-14 | 1999-04-27 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP2003300151A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-10-21 | Sony Corp | 研磨パッド、研磨装置および研磨方法 |
JP2004128089A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法、並びにリンス用組成物及びそれを用いたシリコンウエハのリンス方法 |
WO2004042812A1 (ja) * | 2002-11-08 | 2004-05-21 | Fujimi Incorporated | 研磨用組成物及びリンス用組成物 |
JP2006352042A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Nitta Haas Inc | 半導体研磨用組成物 |
JP2011061089A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
WO2011142362A1 (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-17 | 日産化学工業株式会社 | シリコンウェーハ用研磨組成物及びシリコンウェーハの研磨方法 |
CN102766408A (zh) * | 2012-06-28 | 2012-11-07 | 深圳市力合材料有限公司 | 一种适用于低下压力的硅晶片精抛光组合液及其制备方法 |
-
2016
- 2016-09-23 JP JP2016185443A patent/JP6796978B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11116942A (ja) * | 1997-10-14 | 1999-04-27 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP2003300151A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-10-21 | Sony Corp | 研磨パッド、研磨装置および研磨方法 |
JP2004128089A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法、並びにリンス用組成物及びそれを用いたシリコンウエハのリンス方法 |
WO2004042812A1 (ja) * | 2002-11-08 | 2004-05-21 | Fujimi Incorporated | 研磨用組成物及びリンス用組成物 |
JP2014082509A (ja) * | 2002-11-08 | 2014-05-08 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP2006352042A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Nitta Haas Inc | 半導体研磨用組成物 |
JP2011061089A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
WO2011142362A1 (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-17 | 日産化学工業株式会社 | シリコンウェーハ用研磨組成物及びシリコンウェーハの研磨方法 |
CN102766408A (zh) * | 2012-06-28 | 2012-11-07 | 深圳市力合材料有限公司 | 一种适用于低下压力的硅晶片精抛光组合液及其制备方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022138103A1 (ja) * | 2020-12-22 | 2022-06-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
CN114986384A (zh) * | 2022-05-11 | 2022-09-02 | 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司 | 多晶硅环的化学机械抛光方法 |
CN114986384B (zh) * | 2022-05-11 | 2024-04-12 | 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司 | 多晶硅环的化学机械抛光方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6796978B2 (ja) | 2020-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3676030B2 (ja) | 研磨パッドのドレッシング方法及び半導体装置の製造方法 | |
US9293318B2 (en) | Semiconductor wafer manufacturing method | |
JP6244962B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP4038429B2 (ja) | ウェーハの製造方法及び研磨装置並びにウェーハ | |
KR100818683B1 (ko) | 경면 면취 웨이퍼, 경면 면취용 연마 클로스 및 경면 면취연마장치 및 방법 | |
JP5671510B2 (ja) | 半導体デバイス基板の研削方法 | |
TWI746645B (zh) | 半導體裝置的製造方法和半導體製造裝置 | |
JP6027346B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2018186118A (ja) | シリコンウエーハの研磨方法 | |
WO2003038882A1 (fr) | Procede et patin de polissage de plaquette | |
JP6796978B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4103808B2 (ja) | ウエーハの研削方法及びウエーハ | |
JP5169321B2 (ja) | ワークの研磨方法 | |
CN112372509B (zh) | 一种将抛光垫的初始状态转变为亲水性的方法和装置 | |
JP4683233B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2010135524A (ja) | 研削加工されたシリコン基盤の洗浄方法 | |
JP6717706B2 (ja) | ウェハの表面処理装置 | |
JP3611029B2 (ja) | 半導体基板の研磨用保持板 | |
JP2015111487A (ja) | ガラス基板の製造方法 | |
JP2000263420A (ja) | 半導体基板研磨装置 | |
JP2003039310A (ja) | ウェーハの研磨方法及びウェーハ | |
JP2018032733A (ja) | ウェハの表面処理装置 | |
JP2000202769A (ja) | ワ―クの研磨加工方法 | |
JPH09272053A (ja) | 半導体ウェーハの鏡面研磨方法とドレッシング材 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190822 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200707 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200820 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201117 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6796978 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |