JP2018032733A - ウェハの表面処理装置 - Google Patents
ウェハの表面処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018032733A JP2018032733A JP2016163874A JP2016163874A JP2018032733A JP 2018032733 A JP2018032733 A JP 2018032733A JP 2016163874 A JP2016163874 A JP 2016163874A JP 2016163874 A JP2016163874 A JP 2016163874A JP 2018032733 A JP2018032733 A JP 2018032733A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- wafer
- surface treatment
- dresser
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000005247 gettering Methods 0.000 claims description 13
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 95
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
11a、11b カセット
12a〜12d チャック部(基板保持機構)
13 ターンテーブル
14 洗浄ユニット
15 搬送ロボット
16 粗研削ユニット
17 仕上げ研削ユニット
18 研磨・テクスチャリングユニット
20 EGパッドユニット
21 アーム
22 モータ
22a 出力軸
23 パッド支持体
24 サブパッド
25 樹脂性接着剤
26 EGパッド(表面処理パッド)
26a 加工面
27 樹脂性接着剤
28 供給ライン
29 空孔
30 パットドレスユニット(パッドドレッサ)
31 支持部材
32 ドレッサヘッド
33 研磨層
34 ボルト
35 上面
36 縦孔
37 コイルスプリング
A パッドドレッサユニットの回転軸
Claims (3)
- 基板保持機構に保持されたウェハの一面側にゲッタリング層を生成するウェハの表面処理装置であって、
砥粒を混入した樹脂材から成り、前記砥粒を前記ウェハに押圧して前記ゲッタリング層を生成する表面処理パッドと、
該表面処理パッドの下方に配置され、前記表面処理パッドの加工面を払拭するパッドドレッサと、
を備えていることを特徴とするウェハの表面処理装置。 - 前記パッドドレッサは、
前記表面処理パッドの加工面を払拭するドレッサヘッドと、
該ドレッサヘッドを回転可能に支持する支持部材と、
前記表面処理パッドの押圧力に応じて、前記ドレッサヘッドを前記支持部材に対して沈降させるように受ける緩衝部材と、
を備えていることを特徴とする請求項1記載のウェハの表面処理装置。 - 前記ドレッサヘッドは、前記支持部材に交換可能に取り付けられていることを特徴とする請求項2記載のウェハの表面処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016163874A JP6698475B2 (ja) | 2016-08-24 | 2016-08-24 | ウェハの表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016163874A JP6698475B2 (ja) | 2016-08-24 | 2016-08-24 | ウェハの表面処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018032733A true JP2018032733A (ja) | 2018-03-01 |
JP6698475B2 JP6698475B2 (ja) | 2020-05-27 |
Family
ID=61303587
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016163874A Active JP6698475B2 (ja) | 2016-08-24 | 2016-08-24 | ウェハの表面処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6698475B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11262854A (ja) * | 1997-12-15 | 1999-09-28 | Canon Inc | 精密研磨装置および該精密研磨装置を用いた精密研磨方法 |
JP2006332322A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Nikon Corp | 研磨パッドのドレッシング方法及び研磨装置 |
JP2009125814A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨パッドのドレッシング方法および研磨装置 |
WO2015002199A1 (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-08 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
-
2016
- 2016-08-24 JP JP2016163874A patent/JP6698475B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11262854A (ja) * | 1997-12-15 | 1999-09-28 | Canon Inc | 精密研磨装置および該精密研磨装置を用いた精密研磨方法 |
JP2006332322A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Nikon Corp | 研磨パッドのドレッシング方法及び研磨装置 |
JP2009125814A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨パッドのドレッシング方法および研磨装置 |
WO2015002199A1 (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-08 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6698475B2 (ja) | 2020-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3778594B2 (ja) | ドレッシング方法 | |
US6193587B1 (en) | Apparatus and method for cleansing a polishing pad | |
US7951718B2 (en) | Edge removal of silicon-on-insulator transfer wafer | |
US6221774B1 (en) | Method for surface treatment of substrates | |
EP2762272B1 (en) | Wafer polishing apparatus and method | |
KR20140099191A (ko) | 기판 이면의 연마 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP2000117616A (ja) | 半導体装置の製造方法及び加工装置 | |
KR101658250B1 (ko) | 기판 이면 연마 장치, 기판 이면 연마 시스템 및 기판 이면 연마 방법 및 기판 이면 연마 프로그램을 기록한 기록 매체 | |
JP2018186118A (ja) | シリコンウエーハの研磨方法 | |
JP5588151B2 (ja) | ウェーハ処理方法およびウェーハ処理装置 | |
US20020173872A1 (en) | Computer memory product for substrate surface treatment applications | |
JP6345988B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2012074545A (ja) | 保護フィルム貼付半導体基板の裏面研削方法 | |
JP6963075B2 (ja) | ウェハの表面処理装置 | |
JP6717706B2 (ja) | ウェハの表面処理装置 | |
JP6698475B2 (ja) | ウェハの表面処理装置 | |
KR101767059B1 (ko) | 화학 기계적 기판 연마장치 | |
JP6843554B2 (ja) | ウェハの表面処理装置 | |
JP6330628B2 (ja) | ガラス基板の製造方法 | |
JP6843553B2 (ja) | ウェハの表面処理方法 | |
JP6941420B2 (ja) | ウェハの表面処理装置 | |
JP3618220B2 (ja) | 薄板の研磨方法および薄板保持プレート | |
CN108621033B (zh) | 研磨垫的研磨方法 | |
JP2002134450A (ja) | ウエハの薄厚加工方法及び装置 | |
JP2001030156A (ja) | ドレッシング装置、研磨装置および研磨方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190528 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200317 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200407 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200428 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6698475 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |