JP5588151B2 - ウェーハ処理方法およびウェーハ処理装置 - Google Patents
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Description
パッド:発泡ポリウレタン
または、ウレタン含浸不織布TP300V4など(東京精密社製)
研磨スラリー:シリカスラリー砥粒径50nm〜70nm
パッド回転数:200rpm、圧力:20.68kPa(3psi)程度
言い換えれば、50μm〜70μm以下の厚みまでウェーハを研磨(または研削)した後で無欠陥層51にゲッタリング層を新たに形成する場合には、前述したようにストレスを完全に除去できることは極めて有利である。
スラリー:GC砥粒(1μm〜3μm)、溶媒:水
パッド:発泡ポリウレタン、TP300V4(東京精密社製)
パッド回転数:60rpm、ウェーハ回転数
圧力:20〜100g/cm2
10 ウェーハ処理装置
11a、11b カセット
12a〜12d チャック部
13 ターンテーブル
14 洗浄ユニット
15 搬送ロボット
19 半導体素子
20 ウェーハ
21 表面
22 裏面
31 粗研削ユニット
32 仕上研削ユニット
33 研磨ユニット
34 テクスチャリングユニット(ダメージ層形成部)
41 アーム
42 モータ
42a 出力軸
43 テクスチャリングヘッド
51 無欠陥層
52 バルク欠陥層
53 EG層
55 ダメージ層
Z 脆性破壊層
Claims (6)
- 表面にデバイスが形成されたウェーハの裏面が露出するようにウェーハを保持部により保持し、
前記ウェーハの前記裏面全体を研削部により研削し、
前記研削部により研削された前記ウェーハの研削面全体を研磨部により研磨し、
前記保持部により前記ウェーハを保持しつつ、前記保持部を前記研磨部からダメージ層形成部まで相対的に移動させ、
前記保持部により前記ウェーハを保持しつつ、前記研磨部により研磨された前記ウェーハの研磨面全体にダメージ層を前記ダメージ層形成部により形成するようにしており、
前記ダメージ層形成部においては、テクスチャリングヘッドがスラリを用いて前記ウェーハの前記研磨面を擦って前記ダメージ層を形成するようになっており、
前記テクスチャリングヘッドは、前記研磨部の研磨ヘッドよりも硬く、
前記テクスチャリングヘッドと前記ウェーハとの間の圧力は、前記研磨ヘッドと前記ウェーハとの間の圧力よりも小さく、
前記ダメージ層形成部において使用される前記スラリの径は、前記研磨部で使用されるスラリの径よりも大きいようにした、ウェーハ処理方法。 - 前記ウェーハは前記表面側に形成された無欠陥層と該無欠陥層よりも内側に位置する欠陥層とを含んでおり、
前記研削部によって、前記ウェーハの前記欠陥層が概ね除去されるようにした請求項1に記載のウェーハ処理方法。 - 前記ウェーハは前記表面側に形成された無欠陥層と該無欠陥層よりも内側に位置する欠陥層とを含んでおり、
前記研削部または前記研磨部によって、前記ウェーハの前記無欠陥層のみが残るようにした請求項1に記載のウェーハ処理方法。 - 表面にデバイスが形成されたウェーハの裏面が露出するようにウェーハを保持する保持部と、
前記ウェーハの前記裏面全体を研削する研削部と、
前記研削部により研削された前記ウェーハの研削面全体を研磨する研磨部と、
前記研磨部により研磨された前記ウェーハの研磨面全体にダメージ層を形成するダメージ層形成部と、
前記ウェーハを保持したまま前記保持部を前記研磨部から前記ダメージ層形成部まで相対的に移動させる手段とを具備し、
前記ウェーハは、前記保持部から保持されたままで、前記研磨部による研磨処理と前記ダメージ層形成部によるダメージ層形成処理とを受けるようにしており、
前記ダメージ層形成部においては、テクスチャリングヘッドがスラリを用いて前記ウェーハの前記研磨面を擦って前記ダメージ層を形成するようになっており、
前記テクスチャリングヘッドは、前記研磨部の研磨ヘッドよりも硬く、
前記テクスチャリングヘッドと前記ウェーハとの間の圧力は、前記研磨ヘッドと前記ウェーハとの間の圧力よりも小さく、
前記ダメージ層形成部において使用される前記スラリの径は、前記研磨部で使用されるスラリの径よりも大きいようにした、ウェーハ処理装置。 - 前記ウェーハは前記表面側に形成された無欠陥層と該無欠陥層よりも内側に位置する欠陥層とを含んでおり、
前記研削部によって、前記ウェーハの前記欠陥層が概ね除去されるようにした請求項4に記載のウェーハ処理装置。 - 前記ウェーハは前記表面側に形成された無欠陥層と該無欠陥層よりも内側に位置する欠陥層とを含んでおり、
前記研削部または前記研磨部によって、前記ウェーハの前記無欠陥層のみが残るようにした請求項4に記載のウェーハ処理装置。
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