JP2006024814A - 半導体基板の絶縁層の研削方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体基板の厚みが厚い絶縁層を焼け、破損することなく平面研削する方法。
【解決手段】 チャックテ−ブルに保持された半導体基板裏面の絶縁層を先ず、粗研削砥石で研削し、ついで、仕上研削砥石で研削して研削面を仕上げる方法において、前記粗研削砥石として、砥番が320番〜360番、結合度がJまたはLの軟、集中度が60〜80、気孔率0%、レジンボンドのダイヤモンドカップホイ−ル型砥石を用い、前記仕上研削砥石として砥番が2000番〜2500番、集中度が120〜160、気孔率8〜12%、レジンボンドのダイヤモンドカップホイ−ル型砥石を用いる。
【選択図】 なし
【解決手段】 チャックテ−ブルに保持された半導体基板裏面の絶縁層を先ず、粗研削砥石で研削し、ついで、仕上研削砥石で研削して研削面を仕上げる方法において、前記粗研削砥石として、砥番が320番〜360番、結合度がJまたはLの軟、集中度が60〜80、気孔率0%、レジンボンドのダイヤモンドカップホイ−ル型砥石を用い、前記仕上研削砥石として砥番が2000番〜2500番、集中度が120〜160、気孔率8〜12%、レジンボンドのダイヤモンドカップホイ−ル型砥石を用いる。
【選択図】 なし
Description
本発明は、半導体基板に焼けや破損を引き起こすことなく半導体基板の絶縁層を砥石で平面研削する方法に関する。
半導体基板の基板裏面を研削する方法として、チャックテ−ブルに保持された基板裏面を先ず粗研削砥石で比較的多めに研削し、ついで、仕上研削砥石で研削面を仕上る方法が行われている。例えば、粗研削砥石として砥番が360メッシュのカップホイ−ル型砥石を、仕上研削砥石として砥番が1500メッシュのカップホイ−ル型砥石を用いて基板裏面を平坦に研削することが行われている。また、粗研削砥石として砥番が325メッシュのカップホイ−ル型砥石を、仕上研削砥石として砥番が2000メッシュのカップホイ−ル型砥石を用いて基板裏面を平坦に研削することが行われている。(例えば、特許文献1および特許文献2参照。)。
また、基板の研削に用いるダイヤモンドカップホイ−ル型砥石も知られている(例えば、特許文献3および特許文献4参照。)。
特開2000−176802号公報
特開平11−307489号公報
特開2000−094342号公報
特開2004−167617号公報
また、基板の研削に用いるダイヤモンドカップホイ−ル型砥石も知られている(例えば、特許文献3および特許文献4参照。)。
半導体基板の直径が6インチ、8インチ、12インチ、16インチと拡径するにつれ、および基板の厚みも750μmから250〜300μm、100〜150μm、30〜80μmと薄くなるにつれて半導体基板のエッジ部や基板裏面層に設けられる酸化膜や窒化膜の絶縁層の厚みも0〜0.5μmが1〜3μmへと増加し、12インチ、16インチの半導体基板においては、従来のレジンボンドダイヤモンドカップホイ−ル型砥石の組み合わせ(例えば、株式会社岡本工作機械製作所のSiウエハ研削用の粗研削砥石 304B3W5XN75BA325B8 48S(砥番が#325、結合度がN、集中度が75、気孔率0%、スリット数48、結合材レジン、砥石小片幅3mm、砥石径304mmのダイヤモンドカップホイ−ル型砥石)と、仕上研削砥石 304B3W5X150BA2000CW4 48S(砥番が#2000、砥粒径3〜8μm、集中度が150、気孔率5%、スリット数48、結合材レジン、砥石小片幅3mm、砥石径304mmのダイヤモンドカップホイ−ル型砥石)による研削では、前記のような絶縁層の研削中に基板に焼けが生じたり、基板に破損が生じ、研削できないことが判明した。
また、前述のレジンボンドダイヤモンドカップホイ−ル型砥石の組み合わせが異なる他社の研削装置(#360と#2000)においても同様な基板の焼け・破損が見受けられている。仕上研削砥石として硬い絶縁膜を研削するのに適する弾性メタルボンド砥石を用いたが、この問題点の解決には到らなかった。
本発明は、半導体基板の絶縁層の肉厚が厚くなっても基板の焼け・破損が見受けられない研削方法の提供を目的とする。
請求項1の発明は、チャックテ−ブルに保持された半導体基板裏面の絶縁層を先ず、粗研削砥石で研削し、ついで、仕上研削砥石で研削して研削面を仕上げる方法において、前記粗研削砥石として、砥番が320番〜360番、結合度がJまたはLの軟、集中度が60〜80、気孔率0%、レジンボンドのダイヤモンドカップホイ−ル型砥石を用い、前記仕上研削砥石として砥番が2000番〜2500番、集中度が120〜160、気孔率8〜12%、レジンボンドのダイヤモンドカップホイ−ル型砥石を用いることを特徴とする、半導体基板の裏面研削方法を提供するものである。
粗研削用ダイヤモンドカップホイ−ル型砥石のレジンボンドダイヤモンド砥石小片のボンド硬度をLかMと柔らかくし、仕上研削用ダイヤモンドカップホイ−ル型砥石のレジンボンドダイヤモンド砥石小片の気孔率を8〜12%として弾性を高めることにより半導体基板の焼けや破損が防止できる。
以下、図を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
図1は研削装置の平面図、図2はダイヤモンドカップホイ−ル型砥石の断面図である。
図1は研削装置の平面図、図2はダイヤモンドカップホイ−ル型砥石の断面図である。
図1において、1は基板用平面研削装置、2は基台、3は上下動および回転可能な軸、4は前記軸3に水平方向に伸縮自在にかつ回転可能に取り付けられたロボットア−ム、5,5’は前記軸の前側に設けられかつ該軸3の軸芯と同一の円の中心点を有する環状の位置に設けられた複数枚のウエハを収容できる縦型収容カセット、6は載置されるウエハの裏面を洗浄水で洗浄可能な仮置台、7は上下動可能な軸、8は軸7に軸承された吸着チャック機構、9はチャック機構8の周囲に設けられた水を供給可能なポ−ラスセラミック板、10は洗浄装置(スピナ−)、11は回動軸、12,12,12は回転軸(図に示されていない)に軸承された研削チャックテ−ブル、13は回動軸11に軸承されたインデックステ−ブル、15は研削チャックテ−ブル12の洗浄機器で前記インデックステ−ブル13の上面に設けられたレ−ル上を左右に移動可能に設置されており、ブラシ洗浄器15aとチャッククリ−ナ15bを対として構成されている。
16は研削機で第1研削機(粗研削機)16aと第2研削機(仕上研削機)16bより構成される。第1研削機16aには、スピンドル軸に前記粗研削砥石が軸承され、第2研削機16bには、スピンドル軸に前記仕上研削砥石が軸承される。粗研削砥石は、砥番(JIS一般砥粒粒度)が320番〜360番、結合度がJまたはLの軟、集中度が60〜80、気孔率0%、レジンボンドのダイヤモンドカップホイ−ル型砥石を用い、仕上研削砥石として砥番が2000番〜2500番、集中度が120〜160、気孔率8〜12%、レジンボンドのダイヤモンドカップホイ−ル型砥石を用いる。ダイヤモンド砥粒としては、天然ダイヤモンド(D)、合成ダイヤモンド(SD)、または金属被覆合成ダイヤモンド(SDC)が用いられる。
図2において、ダイヤモンドカップホイ−ル型砥石160は、台金161の下面外周縁に、砥石小片162が20〜30mmの間隔を置いて環状に並べられたものであり、台金161は研削ヘッド163の取付板164を介して中空スピンドル軸165に取り付けられている。砥石小片162の刃幅は2〜4mm、扇部の中心線刃長さは5〜10mm、高さは4〜10mmが好ましい。
前記取付板164の底部には、略台形円板状の研削液ガイド166が取り付けられており、研削液は中空スピンドル軸165の中空部165aを経由して研削液ガイド166の傾斜部166aを経由してカップホイ−ル型砥石160の砥石小片162で形成された環状砥石の内側へと供給される。
砥石の粒度は、数字が小さいほうが砥粒のサイズは大きくなり、320番(#320)の平均粒径は40μm、2000番(#2000)の平均粒径は8μmである。結合度は結合材が砥粒を保持する強度を表し、アルファベッド文字26種類に分けられており、JおよびLは軟の部類である。集中度は、砥粒層中に砥粒がどれだけ含有されているかを表す指標で砥粒率が容積%で25%(4.4ct/cm3)を集中度100と定義したものである。
気孔率は、その値が大きいほど研削屑の排出が良好、目詰りし難い、大量の研削液を研削点に供給できるので砥石や基板の温度上昇を抑制できる。しかし、ダイヤモンドレジンボンド砥石はビトリファイドボンド砥石やメタルボンド砥石と比較して一般にヤング率が低く、破壊靭性も低いので通常は気孔率が0%のものが使用されてきたが、初頭で既述したように最近、気孔率が低い(5%)ものも市販され利用されるようになっている。本発明の基板の研削では、粗研削では気孔率が0%のダイヤモンドレジンボンド砥石を用い、硬い酸化珪素や窒化ケイソのような絶縁層の研削を行い、仕上研削では従来のレジンボンド仕上砥石よりも更に気孔率を8〜12%と高めたダイヤモンドレジンボンド砥石を用い、基板および砥石の温度上昇を抑制し、基板の焼け、破損を防止する。
半導体基板の裏面研削は、例えば図1で示す2軸スピンドル、インデックステ−ブルを備えた研削装置1を用い、カセット5内に収納されている半導体基板Aをロボットア−ム4に取り付けられた吸着板で吸着し、ロボットア−ム4を後退、反転し、ついで仮置台6上へ移動し、回転軸3を下降させ、電子回路面を保護膜で覆った半導体基板の電子回路面を研削チャックテ−ブル12面に向け、絶縁層側が上向きとなるようにして半導体基板Aを仮置台6上に置く。
ついで、搬送パッド17aで仮置台6上の半導体基板を吸着し、インデックステ−ブル13内に設けられた手前の研削チャックテ−ブル12上へと移動させ、研削チャックテ−ブル12のポ−ラスセラミックス板を吸着して半導体基板を固定するロ−ディングを行う。インデックステ−ブル13を120度、時計回り方向へ回転させ、半導体基板を第1研削機16a下方へと移動させる。
第1研削機のスピンドル軸を回転させ、下降させて粗研削用カップホイ−ル型砥石を半導体基板の基板面に摺擦させ、切り込みを掛けながら粗研削する。この際、中空スピンドル軸165の中空部165aには図示されていない外部より研削液が供給される。研削液は、半導体基板の回転と、粗研削砥石の回転により粗研削砥石の砥石小片間の隙間から環状砥石の外部へと排出される。粗研削では基板厚みの10〜200μmの研削代が除かれる。粗研削時の砥石スピンドル軸の回転数は10〜200rpm、研削チャックテ−ブル12の回転数は10〜200rpmである。所望の粗研削代が除去されるとスピンドル軸165を上昇させて半導体基板面上より粗研削砥石を遠ざける。
インデックステ−ブル13を120度、時計回り方向へ回転させ、粗研削された半導体基板を第2研削機16b下方へと移動させる。
第2研削機のスピンドル軸を回転させ、下降させて粗研削用カップホイ−ル型砥石を半導体基板の基板面に摺擦させ、切り込みを掛けながら仕上研削する。この際、中空スピンドル軸165の中空部165aには図示されていない外部より研削液が供給される。研削液は、半導体基板の回転と、粗研削砥石の回転により粗研削砥石の砥石小片間の隙間から環状砥石の外部へと排出される。仕上研削では基板厚みの1〜5μmの研削代が除かれる。仕上研削時の砥石スピンドル軸の回転数は10〜100rpm、研削チャックテ−ブル12の回転数は10〜100rpmである。所望の仕上研削代が除去されるとスピンドル軸165を上昇させて半導体基板面上より仕上研削砥石を遠ざける。
インデックステ−ブル13を120度、時計回り方向へ、または、240度逆時計回り方向へ回転させ、仕上研削された半導体基板をロ−ディングされた位置へと戻す。このアンロ−ディング位置に戻された半導体基板は、研削チャックテ−ブル12のポ−ラスセラミック板の吸着を止められ、ついで、圧空をポ−ラスセラミック板側より半導体基板のプリント回線側へと吹き付けてチャックテ−ブル12からの基板の離れを良くする。搬送パッド17‘aにより裏面を吸着され、回転軸17b’回りに回動されてスピナ−8上に搬送される。そこで、研削面を洗浄する。洗浄された半導体基板は、ロボットア−ム4に吸着され、収納カセット5‘内へと搬送される。基板が粗研削、仕上研削されている間に、基板がアンロ−ディングされた研削チャックテ−ブル12は、洗浄機器15のチャッククリ−ナ15bおよびブラシ洗浄器15aで洗浄される。
実施例1
半導体基板として、直径300mm、厚み150μm厚のシリコンウエハ基板の裏面に5μm厚の酸化珪素の絶縁層が形成され、表面に電子回路のプリント層が形成された半導体基板を用い、半導体基板のプリント層側を粘着性保護フィルムで覆い、これをフレ−ムに貼付した。このフレ−ムに添付された半導体基板25枚を収納カセット内に収納した。
半導体基板として、直径300mm、厚み150μm厚のシリコンウエハ基板の裏面に5μm厚の酸化珪素の絶縁層が形成され、表面に電子回路のプリント層が形成された半導体基板を用い、半導体基板のプリント層側を粘着性保護フィルムで覆い、これをフレ−ムに貼付した。このフレ−ムに添付された半導体基板25枚を収納カセット内に収納した。
図1に示す2スピンドル軸、インデックステ−ブル型の研削装置1の粗研削砥石として、株式会社岡本工作機械製作所の試作用粗研削砥石 304B2.5W5XJ75BA325B8 48S(砥番が#325、結合度がJ、集中度が75、気孔率0%、スリット数48、結合材レジン、砥石小片幅2.5mm、砥石径304mmの合成ダイヤモンドカップホイ−ル型砥石)を、仕上研削砥石として、株式会社岡本工作機械製作所の試作用仕上研削砥石 304B2.5W5X150BA2000CW4 48S(砥番が#2000、砥粒径は4〜8μm、集中度が150、気孔率10%、スリット数48、結合材レジン、砥石小片幅2.5mm、砥石径304mmの合成ダイヤモンドカップホイ−ル型砥石)を用いた。
粗研削の取り代は50μm、仕上研削の取り代は2μmと設定し、粗研削時の砥石スピンドル軸の回転数は100rpm、研削テ−ブルの回転数は100rpm、仕上研削時の砥石スピンドル軸の回転数は40rpm、研削テ−ブルの回転数は40rpm、と設定した。
粗研削時間を100秒、仕上研削時間を85秒で行ったところ、仕上研削された半導体基板の研削面には焼けが見当たらず、破損、チッピングも見受けられなかった。半導体基板の250枚の連続した研削においても、どの半導体基板の研削面にも焼けが見当たらず、破損、チッピングも見受けられなかった。
実施例2
実施例1において、粗研削砥石として、株式会社岡本工作機械製作所の試作用粗研削砥石 304B2.5W5XM75BA325B8 48S(砥番が#325、結合度がM、集中度が75、気孔率0%、スリット数48、結合材レジン、砥石小片幅2.5mm、砥石径304mmの合成ダイヤモンドカップホイ−ル型砥石)を、仕上研削砥石として、株式会社岡本工作機械製作所の試作用仕上研削砥石 304B2.5W5X150BA2000CW4 48S(砥番が#2000、砥粒径は4〜8μm、集中度が150、気孔率10%、スリット数48、結合材レジン、砥石小片幅2.5mm、砥石径304mmの合成ダイヤモンドカップホイ−ル型砥石)を用い、粗研削時間を95秒、仕上研削時間を85秒で行ったところ、仕上研削された半導体基板の研削面には焼けが見当たらず、破損、チッピングも見受けられなかった。半導体基板の250枚の連続した研削においても、どの半導体基板の研削面にも焼けが見当たらず、破損も見受けられなかったが、1枚のみ基板の縁にチッピングが受けられた。
実施例1において、粗研削砥石として、株式会社岡本工作機械製作所の試作用粗研削砥石 304B2.5W5XM75BA325B8 48S(砥番が#325、結合度がM、集中度が75、気孔率0%、スリット数48、結合材レジン、砥石小片幅2.5mm、砥石径304mmの合成ダイヤモンドカップホイ−ル型砥石)を、仕上研削砥石として、株式会社岡本工作機械製作所の試作用仕上研削砥石 304B2.5W5X150BA2000CW4 48S(砥番が#2000、砥粒径は4〜8μm、集中度が150、気孔率10%、スリット数48、結合材レジン、砥石小片幅2.5mm、砥石径304mmの合成ダイヤモンドカップホイ−ル型砥石)を用い、粗研削時間を95秒、仕上研削時間を85秒で行ったところ、仕上研削された半導体基板の研削面には焼けが見当たらず、破損、チッピングも見受けられなかった。半導体基板の250枚の連続した研削においても、どの半導体基板の研削面にも焼けが見当たらず、破損も見受けられなかったが、1枚のみ基板の縁にチッピングが受けられた。
本発明の半導体基板の裏面研削方法は、硬い絶縁層であっても焼けや破損を生じることなく研削加工することができる。
1 研削装置
A ワ−ク
2 基台
3 回転軸
4 ロボットア−ム
5,5’ 縦型収容カセット
6 仮置台
8 吸着チャック機構
9 ポ−ラスセラミック板
10 洗浄装置(スピナ−)
12 研削チャックテ−ブル
13 インデックステ−ブル
15 研削テ−ブルの洗浄機器
16 研削機
16a 第1研削機(粗研削機)
16b 第2研削機(仕上研削機)
A ワ−ク
2 基台
3 回転軸
4 ロボットア−ム
5,5’ 縦型収容カセット
6 仮置台
8 吸着チャック機構
9 ポ−ラスセラミック板
10 洗浄装置(スピナ−)
12 研削チャックテ−ブル
13 インデックステ−ブル
15 研削テ−ブルの洗浄機器
16 研削機
16a 第1研削機(粗研削機)
16b 第2研削機(仕上研削機)
Claims (1)
- チャックテ−ブルに保持された半導体基板裏面の絶縁層を先ず、粗研削砥石で研削し、ついで、仕上研削砥石で研削して研削面を仕上げる方法において、前記粗研削砥石として、砥番が320番〜360番、結合度がJまたはLの軟、集中度が60〜80、気孔率0%、レジンボンドのダイヤモンドカップホイ−ル型砥石を用い、前記仕上研削砥石として砥番が2000番〜2500番、集中度が120〜160、気孔率8〜12%、レジンボンドのダイヤモンドカップホイ−ル型砥石を用いることを特徴とする、半導体基板の裏面研削方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004202718A JP2006024814A (ja) | 2004-07-09 | 2004-07-09 | 半導体基板の絶縁層の研削方法 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008114336A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | チャックテーブルのセルフグラインディング方法 |
JP2011108950A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2013086246A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Disco Corp | サファイア基板の研削方法 |
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2004
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