JP6389629B2 - 研磨用組成物 - Google Patents
研磨用組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6389629B2 JP6389629B2 JP2014073433A JP2014073433A JP6389629B2 JP 6389629 B2 JP6389629 B2 JP 6389629B2 JP 2014073433 A JP2014073433 A JP 2014073433A JP 2014073433 A JP2014073433 A JP 2014073433A JP 6389629 B2 JP6389629 B2 JP 6389629B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing composition
- polishing
- hydroxyethyl cellulose
- surface defects
- abrasive grains
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 103
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 68
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 50
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 claims description 50
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 50
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 40
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 82
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 6
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 3
- 238000001641 gel filtration chromatography Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 229920001477 hydrophilic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- -1 silica Chemical class 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
かかる表面欠陥を低減させるためには、半導体基板に対する濡れ性を高める成分である水溶性高分子を含む研磨用組成物で基板表面を研磨することが考えられている。
ヒドロキシエチルセルロースと水と砥粒とを含む、複数回研磨を行う場合の最終研磨前の研磨用組成物であって、
前記ヒドロキシエチルセルロースは分子量が80万以上120万以下であって、
砥粒に吸着されているヒドロキシエチルセルロースの割合が72%以上90%以下であ
り、
前記砥粒の含有量に対する前記ヒドロキシエチルセルロースの含有量の比が0.007
5以上0.020以下である。
本実施形態の研磨用組成物は、
ヒドロキシエチルセルロースと水と砥粒とを含む研磨用組成物であって、
前記ヒドロキシエチルセルロースは分子量が50万以上150万以下であって、
砥粒に吸着されているヒドロキシエチルセルロースの割合が30%以上90%以下である。
分子量が前記範囲であることにより、研磨対象物の特定のサイズの表面欠陥に対して特に優れた除去性を発揮することができる。
また、ヒドロキシエチルセルロースは、濡れ性を向上させうるが、分子量が前記範囲であることにより、特に、研磨対象物に対する濡れ性が向上し、研磨後の研磨対象物表面のパーティクル等を低減させることができる。
尚、水は後述するように、研磨用組成物を使用時の所望の濃度よりも高濃度である高濃度液として調整しておき、使用時に希釈して用いる場合には、希釈時に希釈液として配合してもよい。
前記砥粒は、シリカ、アルミナ、セリア、チタニアなどの金属酸化物からなる粒子、窒化ケイ素粒子、炭化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子等が挙げられる。中でも、シリカが好ましく、特に好ましいのは真球状又は非真球状コロイダルシリカ等のコロイダルシリカである。
砥粒がコロイダルシリカである場合には、後述するように、ヒドロキシエチルセルロース水溶液が吸着しやすく、特定のサイズの表面欠陥の除去性をより高めることができるため好ましい。
非真球状コロイダルシリカは、研磨用組成物中でヒドロキシエチルセルロースと共存することによって、後述するように、ヒドロキシエチルセルロース水溶液がより吸着しやすく、特定のサイズの表面欠陥の除去性をより高めることができるため好ましい。
研磨用組成物における砥粒の質量%のヒドロキシエチルセルロースの質量%に対する比が前記範囲であることにより、特定のサイズの表面欠陥の除去性をより高めることができる。同時に、研磨対象物の研磨後の表面の濡れ性を向上させることができる。
砥粒の含有量が前記範囲である場合には、適度な研磨速度に調整できるため好ましい。
すなわち、研磨用組成物においてヒドロキシエチルセルロースの一部はコロイダルシリカ等の砥粒表面に吸着される。従って、研磨用組成物中には、砥粒に吸着された状態のヒドロキシエチルセルロースと、砥粒に吸着されずに研磨用組成物中に混合されているヒドロキシエチルセルロースとが存在している。砥粒にヒドロキシエチルセルロースが吸着されると、ヒドロキシエチルセルロースの作用によって砥粒がクラスターを形成すると考えられる。ヒドロキシエチルセルロースの分子量が大きいほど、あるいはヒドロキシエチルセルロースの研磨用組成物中の含有量が多いほど、クラスターは大きくなりやすい。
かかるクラスターの大きさ及び量によって、研磨対象物の表面に存在する特定のサイズの表面欠陥の低減性能が変化すると考えられる。
よって、砥粒に吸着されるヒドロキシエチルセルロースと、吸着されないヒドロキシエチルセルロースとのバランスをとることで、本実施形態の研磨用組成物は、研磨対象物の表面に存在する特定のサイズの表面欠陥を低減することができると考えられる。
砥粒に吸着されているヒドロキシエチルセルロースの割合が前記範囲であることで、前述のようなクラスターの大きさ及び量を調整することができ、その結果、研磨対象物の表面に存在する特定のサイズの表面欠陥の低減性能を向上させることができる。
研磨用組成物1.5mgを14000rpm/10minで遠心分離した上澄みと、研磨用組成物のTOC(全有機炭素;Total Organic Carbon)量を測定し、以下の式1によって砥粒に吸着されているヒドロキシエチルセルロースの割合(吸着ヒドロキシエチルセルロースの割合(%))は算出される。
吸着ヒドロキシエチルセルロースの割合(%)=(研磨組成物のTOC−上澄みのTOC)/研磨用組成物のTOC・・・(式1)
アンモニアを含むことで、研磨対象物の表面に存在する特定のサイズの表面欠陥をより十分に低減することができるため好ましい。
アンモニアの含有量は特に限定されるものではないが、例えば、0.1質量%以上1.0質量%以下、好ましくは0.25質量%以上0.75質量%以下であることが挙げられる。
アンモニアの含有量が前記範囲である場合には、研磨対象物の表面に存在する特定のサイズの表面欠陥をより十分に低減することができるため好ましい。
またアンモニアの含有量が前記範囲である場合には、研磨用組成物のpHを適切な範囲に調整することもできるため好ましい。
前記他の成分としては、pH調整剤、界面活性剤、キレート剤等が挙げられる。
かかる高濃度液として調整した場合には、研磨用組成物の貯蔵、輸送に便利である。
尚、高濃度液として調整する場合には、例えば、使用時の5倍〜100倍、好ましくは20倍〜60倍、より好ましくは21倍〜41倍に希釈する程度の濃度に調整することが挙げられる。
下記表1に示す異なる分子量(50万、100万)のヒドロキシエチルセルロースを準備した。
尚、ヒドロキシエチルセルロースの分子量は以下の方法で測定した分子量である。
分子量は、以下のように測定して得られた重量平均分子量の値である。
測定装置として、GFC装置(日本分光社製:PU−2085plus型システム)を用い、カラムはShodex社製 AsahipakGF−710HQとGF−310HQを2本直列に連結し用い、溶離液に0.7%塩化ナトリウム水溶液を用いて測定した。
各研磨用組成物を水で41倍に希釈して、被研磨物としてのシリコン製ウェーハ(12インチ)を下記研磨条件で研磨を行い、研磨後の表面欠陥を以下の方法で測定した結果を表1に示した。
研磨装置:SPP800S(岡本工作機械社製)
研磨パッド:POLYPAS 24T(フジボウ愛媛株式会社製)
定盤速度:40rpm
研磨荷重:120gf/cm2
流量:0.6L/min
被研磨物:12inch Silicon wafer
研磨時間:300sec
表面欠陥(Defect)は、前記研磨条件で研磨した後のウェーハをアンモニア/過酸化水素混合液で洗浄した後に、測定装置(MAGICS M5640(レーザーテック社製)を用いて測定(エッジエクスクルージョン EE:5mm,Slice level:D37mV)を行った。
MAGICSで測定された欠陥の座標を元に測定装置AFM SAP465 (セイコーインスツル株式会社製)を用いて欠陥の測定を行った。
前記2種類の測定結果から、表面欠陥を以下方法でA〜Fタイプに分類し、図1に示すグラフに各表面欠陥の割合を示した。表1には各タイプの割合を%で示した。
MAGICSレビュー画像の分類方法は、レビュー画像の欠陥部分が、画像の左から右に向かって変化する白黒の色の部分の順序によって以下のようなA〜Fタイプに分類した。尚、MAGICSのレビュー画像の分析にはバンドパスフィルタを使用した。
MAGICSレビュー画像上では、バンドパスフィルタの影響で、欠陥が非常に小さい(低い)場合には、白→黒→白あるいは黒→白→黒というように、3回色が変化する。白→黒→白、黒→白→黒のいずれか高さが低い欠陥かはAFMで分析する。
Aタイプ:白黒白 且つ スクラッチ状の像
Bタイプ:白黒白
Cタイプ:黒白黒
Dタイプ:白黒
Eタイプ:黒白
Fタイプ:黒
各タイプの欠陥をAFMで測定すると欠陥の寸法は以下のような範囲になった。
すなわち、欠陥を以下のようなA〜Fに分類した。
Aタイプ:高さ3nm未満、幅50−200nm、長さ200μm以上
Bタイプ:高さ3nm未満、幅150−350nm
Cタイプ:高さ3nm以上10nm未満、幅50−70nm
Dタイプ:高さ10nm以上30nm以下、幅70−250nm
Eタイプ:高さ10nm以上50nm以下、幅100−300nm
Fタイプ:高さ50nm超、幅150nm超
尚、Aタイプはキズ状の長さ成分を持つ欠陥であり、B〜Fは点または不定形の欠陥である。
各研磨組用成物及びこれらの41倍希釈液の液温度25℃の時のpHを、pHメーター(堀場製作所社製)を用いて測定した。
各研磨用組成物を41倍に水で希釈し、1.5mgサンプルとして採取し、遠心分離機 MCD−2000(アズワン社製)で14000rpm/10min遠心分離した。その後沈殿物と上澄みに分離し、該上澄み液を取り出し、該上澄み液及び各研磨用組成物のTOC(全有機炭素、Total Organic Carbon)量を、測定装置 Siervers900(GE社製)で測定した。測定結果から、下記式1により、各研磨用組成物の吸着ヒドロキシエチルセルロースの割合を算出した結果を表1に示す。
吸着ヒドロキシエチルセルロースの割合(%)=(研磨用組成物のTOC−上澄みのTOC)/研磨用組成物のTOC×100・・・(式1)
各研磨用組成物の41倍希釈液中の砥粒(クラスター)の粒子径を測定した。
測定装置は、ゼータ電位・粒径測定システム ELSZ−2(大塚電子社製)を用いて粒子径を測定した。結果を表1に示す。
Claims (4)
- ヒドロキシエチルセルロースと水と砥粒とを含む、複数回研磨を行う場合の最終研磨前の研磨用組成物であって、
前記ヒドロキシエチルセルロースは分子量が80万以上120万以下であって、
砥粒に吸着されているヒドロキシエチルセルロースの割合が72%以上90%以下であり、
前記砥粒の含有量に対する前記ヒドロキシエチルセルロースの含有量の比が0.0075以上0.020以下である研磨用組成物。 - 前記砥粒を5質量%以上20質量%以下含む請求項1に記載の研磨用組成物。
- アンモニアをさらに含む請求項1又は2に記載の研磨用組成物。
- 前記アンモニアを0.1質量%以上1.0質量%以下含む請求項3に記載の研磨用組成物。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014073433A JP6389629B2 (ja) | 2014-03-31 | 2014-03-31 | 研磨用組成物 |
PCT/JP2015/059921 WO2015152149A1 (ja) | 2014-03-31 | 2015-03-30 | 研磨用組成物 |
SG11201608131WA SG11201608131WA (en) | 2014-03-31 | 2015-03-30 | Polishing composition |
KR1020167028678A KR102408831B1 (ko) | 2014-03-31 | 2015-03-30 | 연마용 조성물 |
DE112015001581.7T DE112015001581T5 (de) | 2014-03-31 | 2015-03-30 | Polierzusammensetzung |
MYPI2016703566A MY188619A (en) | 2014-03-31 | 2015-03-30 | Polishing composition |
US15/129,835 US10344184B2 (en) | 2014-03-31 | 2015-03-30 | Polishing composition |
CN201580017780.3A CN106133106A (zh) | 2014-03-31 | 2015-03-30 | 研磨用组合物 |
TW104110532A TWI670366B (zh) | 2014-03-31 | 2015-03-31 | 研磨用組合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014073433A JP6389629B2 (ja) | 2014-03-31 | 2014-03-31 | 研磨用組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015193772A JP2015193772A (ja) | 2015-11-05 |
JP6389629B2 true JP6389629B2 (ja) | 2018-09-12 |
Family
ID=54240472
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014073433A Active JP6389629B2 (ja) | 2014-03-31 | 2014-03-31 | 研磨用組成物 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10344184B2 (ja) |
JP (1) | JP6389629B2 (ja) |
KR (1) | KR102408831B1 (ja) |
CN (1) | CN106133106A (ja) |
DE (1) | DE112015001581T5 (ja) |
MY (1) | MY188619A (ja) |
SG (1) | SG11201608131WA (ja) |
TW (1) | TWI670366B (ja) |
WO (1) | WO2015152149A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107142083A (zh) * | 2017-06-16 | 2017-09-08 | 宿迁德特材料科技有限公司 | 一种纤维素纳米纤维基研磨液及其制备方法 |
JP6929239B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2021-09-01 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物および研磨方法 |
CN115662877B (zh) * | 2022-09-08 | 2023-08-04 | 东海县太阳光新能源有限公司 | 一种单晶硅表面清洗方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11140427A (ja) * | 1997-11-13 | 1999-05-25 | Kobe Steel Ltd | 研磨液および研磨方法 |
JP4212861B2 (ja) | 2002-09-30 | 2009-01-21 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法、並びにリンス用組成物及びそれを用いたシリコンウエハのリンス方法 |
JP4593064B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2010-12-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
JP2004128069A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
AU2003277621A1 (en) * | 2002-11-08 | 2004-06-07 | Fujimi Incorporated | Polishing composition and rinsing composition |
JP4712556B2 (ja) | 2003-02-18 | 2011-06-29 | 株式会社タイテム | 耐アルカリ性繭型コロイダルシリカ粒子及びその製造方法 |
JP2006108151A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP5026665B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2012-09-12 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
JP4852302B2 (ja) | 2004-12-01 | 2012-01-11 | 信越半導体株式会社 | 研磨剤の製造方法及びそれにより製造された研磨剤並びにシリコンウエーハの製造方法 |
JP2007103515A (ja) | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujimi Inc | 研磨方法 |
JP2007214205A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
ATE431128T1 (de) * | 2006-03-22 | 2009-05-15 | Procter & Gamble | Zink enthaltende mundzusammensetzungen |
KR101341875B1 (ko) * | 2008-04-30 | 2013-12-16 | 한양대학교 산학협력단 | 상변환 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변환 물질의 패터닝 방법 |
JP5474400B2 (ja) | 2008-07-03 | 2014-04-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 半導体用濡れ剤、それを用いた研磨用組成物および研磨方法 |
US8932952B2 (en) * | 2010-04-30 | 2015-01-13 | Sumco Corporation | Method for polishing silicon wafer and polishing liquid therefor |
KR101868657B1 (ko) * | 2011-01-26 | 2018-06-18 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물, 그것을 사용한 연마 방법 및 기판의 제조 방법 |
US9579769B2 (en) * | 2011-10-24 | 2017-02-28 | Fujimi Incorporated | Composition for polishing purposes, polishing method using same, and method for producing substrate |
US20140319411A1 (en) | 2011-11-16 | 2014-10-30 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Semiconductor wafer polishing liquid composition |
JP2014041978A (ja) * | 2012-08-23 | 2014-03-06 | Fujimi Inc | 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、及び研磨用組成物原液の製造方法 |
EP2960314B1 (en) * | 2013-02-21 | 2024-06-26 | Fujimi Incorporated | Polishing composition and method for manufacturing polished article |
US20160324738A1 (en) * | 2013-06-10 | 2016-11-10 | The Procter & Gamble Company | Oral Compositions Containing Stannous |
JP6160579B2 (ja) * | 2014-08-05 | 2017-07-12 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの仕上げ研磨方法 |
-
2014
- 2014-03-31 JP JP2014073433A patent/JP6389629B2/ja active Active
-
2015
- 2015-03-30 DE DE112015001581.7T patent/DE112015001581T5/de active Pending
- 2015-03-30 MY MYPI2016703566A patent/MY188619A/en unknown
- 2015-03-30 SG SG11201608131WA patent/SG11201608131WA/en unknown
- 2015-03-30 CN CN201580017780.3A patent/CN106133106A/zh active Pending
- 2015-03-30 WO PCT/JP2015/059921 patent/WO2015152149A1/ja active Application Filing
- 2015-03-30 US US15/129,835 patent/US10344184B2/en active Active
- 2015-03-30 KR KR1020167028678A patent/KR102408831B1/ko active IP Right Grant
- 2015-03-31 TW TW104110532A patent/TWI670366B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201544584A (zh) | 2015-12-01 |
JP2015193772A (ja) | 2015-11-05 |
MY188619A (en) | 2021-12-22 |
WO2015152149A1 (ja) | 2015-10-08 |
CN106133106A (zh) | 2016-11-16 |
KR102408831B1 (ko) | 2022-06-13 |
SG11201608131WA (en) | 2016-11-29 |
DE112015001581T5 (de) | 2017-03-23 |
KR20160140736A (ko) | 2016-12-07 |
US10344184B2 (en) | 2019-07-09 |
US20170174939A1 (en) | 2017-06-22 |
TWI670366B (zh) | 2019-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI593790B (zh) | 研磨用組合物及使用該組合物之研磨方法 | |
JP5474400B2 (ja) | 半導体用濡れ剤、それを用いた研磨用組成物および研磨方法 | |
JP5927059B2 (ja) | 研磨用組成物及びそれを用いた基板の製造方法 | |
TWI652320B (zh) | 半導體基板用潤濕劑及研磨用組合物 | |
TW201226492A (en) | Polishing composition and rinsing composition | |
JP6389629B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
KR102382508B1 (ko) | 슬러리 및 연마 방법 | |
JP6389630B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP6314019B2 (ja) | 半導体基板の研磨方法 | |
JP5575735B2 (ja) | 研磨用組成物濃縮物 | |
JP7061968B2 (ja) | 研磨用組成物及び研磨方法 | |
JP6200979B2 (ja) | 研磨用組成物及びそれを用いた基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171020 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180228 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180413 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180627 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20180705 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180727 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180820 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6389629 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |