JP2003031915A - 配線回路基板 - Google Patents
配線回路基板Info
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
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- G11B5/4853—Constructional details of the electrical connection between head and arm
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/4806—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed specially adapted for disk drive assemblies, e.g. assembly prior to operation, hard or flexible disk drives
- G11B5/486—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed specially adapted for disk drive assemblies, e.g. assembly prior to operation, hard or flexible disk drives with provision for mounting or arranging electrical conducting means or circuits on or along the arm assembly
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4092—Integral conductive tabs, i.e. conductive parts partly detached from the substrate
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
- H05K1/056—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/328—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡易な構成により、端子部をフライングリー
ドとして形成し、両面が露出される導体パターンの強度
を確保して、その導体パターンの断線を有効に防止する
ことのできる配線回路基板を提供すること。 【解決手段】 導体パターン３４の両面が露出するフラ
イングリードとして形成されている端子部１６を有する
配線回路基板１１において、端子部１６におけるカバー
側開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部と導体
パターン１３とが交差する交差部分２１において、導体
パターン１３に幅広部２２を形成するか、あるいは、カ
バー層３５およびベース層３３にカバー側突出部２５お
よびベース側突出部２６を形成する。
ドとして形成し、両面が露出される導体パターンの強度
を確保して、その導体パターンの断線を有効に防止する
ことのできる配線回路基板を提供すること。 【解決手段】 導体パターン３４の両面が露出するフラ
イングリードとして形成されている端子部１６を有する
配線回路基板１１において、端子部１６におけるカバー
側開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部と導体
パターン１３とが交差する交差部分２１において、導体
パターン１３に幅広部２２を形成するか、あるいは、カ
バー層３５およびベース層３３にカバー側突出部２５お
よびベース側突出部２６を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線回路基板、詳
しくは、回路付サスペンション基板として好適に用いら
れる、配線回路基板に関する。
しくは、回路付サスペンション基板として好適に用いら
れる、配線回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子・電気機器などに用いられる配線回
路基板には、通常、外部端子と接続するための端子部が
形成されている。
路基板には、通常、外部端子と接続するための端子部が
形成されている。
【０００３】このような端子部として、近年、電子・電
気機器の高密度化および小型化に対応すべく、導体パタ
ーンの片面だけではなく、その導体パターンの両面に形
成されるいわゆるフライングリードが普及しつつあり、
例えば、ハードディスクドライブに用いられる回路付サ
スペンション基板などにおいては、端子部をフライング
リードとして形成することが知られている。
気機器の高密度化および小型化に対応すべく、導体パタ
ーンの片面だけではなく、その導体パターンの両面に形
成されるいわゆるフライングリードが普及しつつあり、
例えば、ハードディスクドライブに用いられる回路付サ
スペンション基板などにおいては、端子部をフライング
リードとして形成することが知られている。
【０００４】より具体的には、回路付サスペンション基
板は、例えば、図２１に示すように、ステンレス箔から
なる支持基板１と、その支持基板１の上に形成される絶
縁体からなるベース層２と、そのベース層２の上に、所
定の配線回路パターンとして形成される導体パターン３
と、その導体パターン３を被覆する絶縁体からなるカバ
ー層４とを備えており、フライングリードとして形成さ
れる端子部５は、カバー層４が開口形成されることによ
り導体パターン３の表面を露出させるとともに、支持基
板１およびベース層２を開口させることにより、導体パ
ターン３の裏面を露出させ、その露出された導体パター
ン３の両面に、必要により、ニッケル／金めっきなどに
より、金属めっき層６を形成することにより形成されて
いる。
板は、例えば、図２１に示すように、ステンレス箔から
なる支持基板１と、その支持基板１の上に形成される絶
縁体からなるベース層２と、そのベース層２の上に、所
定の配線回路パターンとして形成される導体パターン３
と、その導体パターン３を被覆する絶縁体からなるカバ
ー層４とを備えており、フライングリードとして形成さ
れる端子部５は、カバー層４が開口形成されることによ
り導体パターン３の表面を露出させるとともに、支持基
板１およびベース層２を開口させることにより、導体パ
ターン３の裏面を露出させ、その露出された導体パター
ン３の両面に、必要により、ニッケル／金めっきなどに
より、金属めっき層６を形成することにより形成されて
いる。
【０００５】そして、このようなフライングリードとし
て形成される端子部は、例えば、ボンディングツールな
どを用いて、超音波振動を加えることにより、外部端子
と接続される。
て形成される端子部は、例えば、ボンディングツールな
どを用いて、超音波振動を加えることにより、外部端子
と接続される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなフ
ライングリードとして形成される端子部では、導体パタ
ーンの両面が露出しているので、超音波が伝達されやす
く、超音波振動による接合には適している反面、物理的
強度が弱く、ベース層およびカバー層の開口部の端縁部
において、両面が露出する導体パターンに応力が集中し
て断線しやすいという不具合がある。
ライングリードとして形成される端子部では、導体パタ
ーンの両面が露出しているので、超音波が伝達されやす
く、超音波振動による接合には適している反面、物理的
強度が弱く、ベース層およびカバー層の開口部の端縁部
において、両面が露出する導体パターンに応力が集中し
て断線しやすいという不具合がある。
【０００７】本発明は、このような不具合に鑑みなされ
たもので、その目的とするところは、簡易な構成によ
り、端子部をフライングリードとして形成し、両面が露
出される導体パターンの強度を確保して、その導体パタ
ーンの断線を有効に防止することのできる配線回路基板
を提供することにある。
たもので、その目的とするところは、簡易な構成によ
り、端子部をフライングリードとして形成し、両面が露
出される導体パターンの強度を確保して、その導体パタ
ーンの断線を有効に防止することのできる配線回路基板
を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、第１絶縁層の上に導体パターンが形成さ
れ、前記導体パターンの上に第２絶縁層が形成されてお
り、前記導体パターンの同じ位置において、前記第１絶
縁層および前記第２絶縁層が開口される開口部が形成さ
れることにより、前記導体パターンの表面および裏面が
露出する端子部が形成されている配線回路基板であっ
て、前記開口部の端縁部と前記導体パターンとが交差す
る交差部分において、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層
および前記導体パターンの少なくともいずれかには、前
記開口部の端縁部における前記導体パターンを補強する
ための補強部が形成されていることを特徴としている。
に、本発明は、第１絶縁層の上に導体パターンが形成さ
れ、前記導体パターンの上に第２絶縁層が形成されてお
り、前記導体パターンの同じ位置において、前記第１絶
縁層および前記第２絶縁層が開口される開口部が形成さ
れることにより、前記導体パターンの表面および裏面が
露出する端子部が形成されている配線回路基板であっ
て、前記開口部の端縁部と前記導体パターンとが交差す
る交差部分において、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層
および前記導体パターンの少なくともいずれかには、前
記開口部の端縁部における前記導体パターンを補強する
ための補強部が形成されていることを特徴としている。
【０００９】また、本発明は、金属支持層の上に第１絶
縁層が形成され、前記第１絶縁層の上に導体パターンが
形成され、前記導体パターンの上に第２絶縁層が形成さ
れており、前記導体パターンの同じ位置において、前記
金属支持層および前記第１絶縁層と、前記第２絶縁層と
が開口される開口部が形成されることにより、前記導体
パターンの表面および裏面が露出する端子部が形成され
ている配線回路基板であって、前記開口部の端縁部と前
記導体パターンとが交差する交差部分において、前記第
１絶縁層、前記第２絶縁層および前記導体パターンの少
なくともいずれかには、前記開口部の端縁部における前
記導体パターンを補強するための補強部が形成されてい
る、配線回路基板を含んでいる。
縁層が形成され、前記第１絶縁層の上に導体パターンが
形成され、前記導体パターンの上に第２絶縁層が形成さ
れており、前記導体パターンの同じ位置において、前記
金属支持層および前記第１絶縁層と、前記第２絶縁層と
が開口される開口部が形成されることにより、前記導体
パターンの表面および裏面が露出する端子部が形成され
ている配線回路基板であって、前記開口部の端縁部と前
記導体パターンとが交差する交差部分において、前記第
１絶縁層、前記第２絶縁層および前記導体パターンの少
なくともいずれかには、前記開口部の端縁部における前
記導体パターンを補強するための補強部が形成されてい
る、配線回路基板を含んでいる。
【００１０】上記の配線回路基板によれば、開口部の端
縁部と導体パターンとの交差部分において、第１絶縁
層、第２絶縁層および導体パターンの少なくともいずれ
かに、開口部の端縁部における導体パターンを補強する
ための補強部が形成されているので、その開口部の端縁
部における導体パターンの物理的強度を補強することが
できる。そのため、たとえば、その端子部と外部端子と
をボンディングツールにより超音波振動を加えて接続す
るような場合において、開口部の端縁部において両面が
露出する導体パターンに応力が集中しても、その導体パ
ターンの断線を有効に防止することができ、接続信頼性
を向上させることができる。
縁部と導体パターンとの交差部分において、第１絶縁
層、第２絶縁層および導体パターンの少なくともいずれ
かに、開口部の端縁部における導体パターンを補強する
ための補強部が形成されているので、その開口部の端縁
部における導体パターンの物理的強度を補強することが
できる。そのため、たとえば、その端子部と外部端子と
をボンディングツールにより超音波振動を加えて接続す
るような場合において、開口部の端縁部において両面が
露出する導体パターンに応力が集中しても、その導体パ
ターンの断線を有効に防止することができ、接続信頼性
を向上させることができる。
【００１１】また、本発明は、第１絶縁層の上に導体パ
ターンが形成され、前記導体パターンの上に第２絶縁層
が形成されており、前記導体パターンの同じ位置におい
て、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層が開口される
開口部が形成されることにより、前記導体パターンの表
面および裏面が露出する端子部が形成されている配線回
路基板であって、前記開口部の端縁部と前記導体パター
ンとが交差する交差部分において、前記導体パターンに
は、前記導体パターンが延びる方向と実質的に直交する
幅方向に広がる幅広部が形成されている、配線回路基板
を含んでいる。
ターンが形成され、前記導体パターンの上に第２絶縁層
が形成されており、前記導体パターンの同じ位置におい
て、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層が開口される
開口部が形成されることにより、前記導体パターンの表
面および裏面が露出する端子部が形成されている配線回
路基板であって、前記開口部の端縁部と前記導体パター
ンとが交差する交差部分において、前記導体パターンに
は、前記導体パターンが延びる方向と実質的に直交する
幅方向に広がる幅広部が形成されている、配線回路基板
を含んでいる。
【００１２】また、本発明は、金属支持層の上に第１絶
縁層が形成され、前記第１絶縁層の上に導体パターンが
形成され、前記導体パターンの上に第２絶縁層が形成さ
れており、前記導体パターンの同じ位置において、前記
金属支持層および前記第１絶縁層と、前記第２絶縁層と
が開口される開口部が形成されることにより、前記導体
パターンの表面および裏面が露出する端子部が形成され
ている配線回路基板であって、前記開口部の端縁部と前
記導体パターンとが交差する交差部分において、前記導
体パターンには、前記導体パターンが延びる方向と実質
的に直交する幅方向に広がる幅広部が形成されている、
配線回路基板を含んでいる。
縁層が形成され、前記第１絶縁層の上に導体パターンが
形成され、前記導体パターンの上に第２絶縁層が形成さ
れており、前記導体パターンの同じ位置において、前記
金属支持層および前記第１絶縁層と、前記第２絶縁層と
が開口される開口部が形成されることにより、前記導体
パターンの表面および裏面が露出する端子部が形成され
ている配線回路基板であって、前記開口部の端縁部と前
記導体パターンとが交差する交差部分において、前記導
体パターンには、前記導体パターンが延びる方向と実質
的に直交する幅方向に広がる幅広部が形成されている、
配線回路基板を含んでいる。
【００１３】上記の配線回路基板によれば、開口部の端
縁部と導体パターンとの交差部分において、導体パター
ンには、その導体パターンが延びる方向と実質的に直交
する幅方向に広がる幅広部が形成されているので、その
開口部の端縁部における導体パターンの物理的強度を補
強することができる。そのため、たとえば、その端子部
と外部端子とをボンディングツールにより超音波振動を
加えて接続するような場合において、開口部の端縁部に
おいて両面が露出する導体パターンに応力が集中して
も、その導体パターンの断線を有効に防止することがで
き、接続信頼性を向上させることができる。
縁部と導体パターンとの交差部分において、導体パター
ンには、その導体パターンが延びる方向と実質的に直交
する幅方向に広がる幅広部が形成されているので、その
開口部の端縁部における導体パターンの物理的強度を補
強することができる。そのため、たとえば、その端子部
と外部端子とをボンディングツールにより超音波振動を
加えて接続するような場合において、開口部の端縁部に
おいて両面が露出する導体パターンに応力が集中して
も、その導体パターンの断線を有効に防止することがで
き、接続信頼性を向上させることができる。
【００１４】また、本発明は、第１絶縁層の上に導体パ
ターンが形成され、前記導体パターンの上に第２絶縁層
が形成されており、前記導体パターンの同じ位置におい
て、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層が開口される
開口部が形成されることにより、前記導体パターンの表
面および裏面が露出する端子部が形成されている配線回
路基板であって、前記開口部の端縁部と前記導体パター
ンとが交差する交差部分において、前記第１絶縁層およ
び／または前記第２絶縁層には、前記開口部の端縁部か
ら前記開口部内の前記導体パターンの上に突出する突出
部が形成されている、配線回路基板を含んでいる。
ターンが形成され、前記導体パターンの上に第２絶縁層
が形成されており、前記導体パターンの同じ位置におい
て、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層が開口される
開口部が形成されることにより、前記導体パターンの表
面および裏面が露出する端子部が形成されている配線回
路基板であって、前記開口部の端縁部と前記導体パター
ンとが交差する交差部分において、前記第１絶縁層およ
び／または前記第２絶縁層には、前記開口部の端縁部か
ら前記開口部内の前記導体パターンの上に突出する突出
部が形成されている、配線回路基板を含んでいる。
【００１５】また、本発明は、金属支持層の上に第１絶
縁層が形成され、前記第１絶縁層の上に導体パターンが
形成され、前記導体パターンの上に第２絶縁層が形成さ
れており、前記導体パターンの同じ位置において、前記
金属支持層および前記第１絶縁層と、前記第２絶縁層と
が開口される開口部が形成されることにより、前記導体
パターンの表面および裏面が露出する端子部が形成され
ている配線回路基板であって、前記開口部の端縁部と前
記導体パターンとが交差する交差部分において、前記第
１絶縁層および／または前記第２絶縁層には、前記開口
部の端縁部から前記開口部内の前記導体パターンの上に
突出する突出部が形成されている、配線回路基板を含ん
でいる。
縁層が形成され、前記第１絶縁層の上に導体パターンが
形成され、前記導体パターンの上に第２絶縁層が形成さ
れており、前記導体パターンの同じ位置において、前記
金属支持層および前記第１絶縁層と、前記第２絶縁層と
が開口される開口部が形成されることにより、前記導体
パターンの表面および裏面が露出する端子部が形成され
ている配線回路基板であって、前記開口部の端縁部と前
記導体パターンとが交差する交差部分において、前記第
１絶縁層および／または前記第２絶縁層には、前記開口
部の端縁部から前記開口部内の前記導体パターンの上に
突出する突出部が形成されている、配線回路基板を含ん
でいる。
【００１６】上記の配線回路基板によれば、開口部の端
縁部と導体パターンとの交差部分において、第１絶縁層
および／または第２絶縁層には、開口部の端縁部から開
口部内の導体パターンの上に突出する突出部が形成され
ているので、その開口部の端縁部における導体パターン
の物理的強度を補強することができる。そのため、たと
えば、その端子部と外部端子とをボンディングツールに
より超音波振動を加えて接続するような場合において、
開口部の端縁部において両面が露出する導体パターンに
応力が集中しても、その導体パターンの断線を有効に防
止することができ、接続信頼性を向上させることができ
る。
縁部と導体パターンとの交差部分において、第１絶縁層
および／または第２絶縁層には、開口部の端縁部から開
口部内の導体パターンの上に突出する突出部が形成され
ているので、その開口部の端縁部における導体パターン
の物理的強度を補強することができる。そのため、たと
えば、その端子部と外部端子とをボンディングツールに
より超音波振動を加えて接続するような場合において、
開口部の端縁部において両面が露出する導体パターンに
応力が集中しても、その導体パターンの断線を有効に防
止することができ、接続信頼性を向上させることができ
る。
【００１７】そして、上記した本発明の前記配線回路基
板は、導体パターンの両面が露出するいわゆるフライン
グリードとして形成しても、接続信頼性が高く、回路付
サスペンション基板として好適に用いることができる。
板は、導体パターンの両面が露出するいわゆるフライン
グリードとして形成しても、接続信頼性が高く、回路付
サスペンション基板として好適に用いることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の配線回路基板の
一実施形態であって、（ａ）は、その端子部における要
部断面図、（ｂ）は、その端子部における平面図であ
る。図１（ａ）において、この配線回路基板１１は、絶
縁体からなる第１絶縁層としてのベース層１２の上に、
所定の配線回路パターンとして形成される導体パターン
１３が形成され、その導体パターン１３の上に、絶縁体
からなる第２絶縁層としてのカバー層１４が形成されて
いる。なお、導体パターン１３は、図１（ｂ）に示すよ
うに、互いに所定の間隔を隔てて平行状に配置される複
数の配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄとして形
成されている。
一実施形態であって、（ａ）は、その端子部における要
部断面図、（ｂ）は、その端子部における平面図であ
る。図１（ａ）において、この配線回路基板１１は、絶
縁体からなる第１絶縁層としてのベース層１２の上に、
所定の配線回路パターンとして形成される導体パターン
１３が形成され、その導体パターン１３の上に、絶縁体
からなる第２絶縁層としてのカバー層１４が形成されて
いる。なお、導体パターン１３は、図１（ｂ）に示すよ
うに、互いに所定の間隔を隔てて平行状に配置される複
数の配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄとして形
成されている。
【００１９】ベース層１２およびカバー層１４の絶縁体
としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポ
リエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、
ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタ
レート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用い
られ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。
としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポ
リエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、
ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタ
レート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用い
られ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。
【００２０】また、ベース層１２およびカバー層１４の
厚みは、通常、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μ
ｍである。
厚みは、通常、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μ
ｍである。
【００２１】また、導体パターン１３を形成する導体と
しては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこ
れらの合金などが用いられ、好ましくは、銅が用いられ
る。また、導体パターン１３の厚みは、通常、２〜３０
μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
しては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこ
れらの合金などが用いられ、好ましくは、銅が用いられ
る。また、導体パターン１３の厚みは、通常、２〜３０
μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
【００２２】そして、このような配線回路基板１１は、
図３（ａ）に示すように、まず、フィルム状に形成され
たベース層１２の上に、サブトラクティブ法、アディテ
ィブ法、セミアディティブ法などの公知のパターンニン
グ法によって、所定の配線回路パターンとして導体パタ
ーン１３を形成し、次いで、図３（ｂ）に示すように、
その導体パターン１３の上に、例えば、フィルム状樹脂
の接着、または、感光性樹脂の塗布および硬化などの公
知の方法によって、ベース層１４が被覆されることによ
って、形成されている。
図３（ａ）に示すように、まず、フィルム状に形成され
たベース層１２の上に、サブトラクティブ法、アディテ
ィブ法、セミアディティブ法などの公知のパターンニン
グ法によって、所定の配線回路パターンとして導体パタ
ーン１３を形成し、次いで、図３（ｂ）に示すように、
その導体パターン１３の上に、例えば、フィルム状樹脂
の接着、または、感光性樹脂の塗布および硬化などの公
知の方法によって、ベース層１４が被覆されることによ
って、形成されている。
【００２３】そして、この配線回路基板１１では、図１
（ａ）に示すように、導体パターン１３の同じ位置にお
いて、カバー層１４を開口して導体パターン１３の表面
を露出させるとともに、ベース層１２を開口して導体パ
ターン１３の裏面を露出させることにより、導体パター
ン１３の表面および裏面を露出させ、その露出した導体
パターン１３の両面に金属めっき層１５をそれぞれ形成
することにより、フライングリードとして端子部１６が
形成されている。
（ａ）に示すように、導体パターン１３の同じ位置にお
いて、カバー層１４を開口して導体パターン１３の表面
を露出させるとともに、ベース層１２を開口して導体パ
ターン１３の裏面を露出させることにより、導体パター
ン１３の表面および裏面を露出させ、その露出した導体
パターン１３の両面に金属めっき層１５をそれぞれ形成
することにより、フライングリードとして端子部１６が
形成されている。
【００２４】このような端子部１６は、図３（ｃ）に示
すように、まず、カバー層１４における端子部１６が形
成される部分に、ドリル穿孔、レーザ加工、エッチン
グ、感光性樹脂のパターンニングなど公知の方法によっ
てカバー側開口部１７を開口形成するとともに、図３
（ｄ）に示すように、そのカバー側開口部１７に対向す
るベース層１２の部分に、同じく、ドリル穿孔、レーザ
加工、エッチング、感光性樹脂のパターンニングなど公
知の方法によってベース側開口部１８を開口形成する。
なお、このカバー側開口部１７およびベース側開口部１
８は、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄを含
むような矩形状に開口形成される。
すように、まず、カバー層１４における端子部１６が形
成される部分に、ドリル穿孔、レーザ加工、エッチン
グ、感光性樹脂のパターンニングなど公知の方法によっ
てカバー側開口部１７を開口形成するとともに、図３
（ｄ）に示すように、そのカバー側開口部１７に対向す
るベース層１２の部分に、同じく、ドリル穿孔、レーザ
加工、エッチング、感光性樹脂のパターンニングなど公
知の方法によってベース側開口部１８を開口形成する。
なお、このカバー側開口部１７およびベース側開口部１
８は、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄを含
むような矩形状に開口形成される。
【００２５】そして、図３（ｅ）に示すように、これら
カバー側開口部１７内およびベース側開口部１８内に露
出した導体パターン１３の表面および裏面に、めっきに
より金属めっき層１５を形成することによって、形成す
ることができる。
カバー側開口部１７内およびベース側開口部１８内に露
出した導体パターン１３の表面および裏面に、めっきに
より金属めっき層１５を形成することによって、形成す
ることができる。
【００２６】金属めっき層１５の形成は、特に制限され
ず、電解めっきおよび無電解めっきのいずれの方法を用
いてもよく、また、めっきに用いる金属も、特に制限さ
れず、公知の金属を用いることができる。好ましくは、
電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次行なうこと
により、ニッケルめっき層１９の上に金めっき層２０を
形成する。なお、ニッケルめっき層１９および金めっき
層２０の厚さは、いずれも、１〜５μｍ程度であること
が好ましい。
ず、電解めっきおよび無電解めっきのいずれの方法を用
いてもよく、また、めっきに用いる金属も、特に制限さ
れず、公知の金属を用いることができる。好ましくは、
電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次行なうこと
により、ニッケルめっき層１９の上に金めっき層２０を
形成する。なお、ニッケルめっき層１９および金めっき
層２０の厚さは、いずれも、１〜５μｍ程度であること
が好ましい。
【００２７】そして、この配線回路基板１１では、図１
（ｂ）に示すように、このようなフライングリードとし
て形成される端子部１６において、カバー側開口部１７
およびベース側開口部１８の端縁部と導体パターン１３
とが交差する交差部分２１における導体パターン１３に
は、その導体パターン１３が延びる方向と実質的に直交
する幅方向に広がる補強部としての幅広部２２が形成さ
れている。
（ｂ）に示すように、このようなフライングリードとし
て形成される端子部１６において、カバー側開口部１７
およびベース側開口部１８の端縁部と導体パターン１３
とが交差する交差部分２１における導体パターン１３に
は、その導体パターン１３が延びる方向と実質的に直交
する幅方向に広がる補強部としての幅広部２２が形成さ
れている。
【００２８】より具体的には、この幅広部２２は、各配
線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄにおける長手方
向に沿って所定の間隔を隔てて交差部分２１に対向する
位置にそれぞれ（２つ）形成され、各配線１３ａ、１３
ｂ、１３ｃおよび１３ｄにおける幅方向に膨出するよう
なほぼ円形に形成されている。
線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄにおける長手方
向に沿って所定の間隔を隔てて交差部分２１に対向する
位置にそれぞれ（２つ）形成され、各配線１３ａ、１３
ｂ、１３ｃおよび１３ｄにおける幅方向に膨出するよう
なほぼ円形に形成されている。
【００２９】各幅広部２２は、図２に示すように、その
幅方向の最長部分２３を境として、ほぼ外側半分がカバ
ー層１４およびベース層１２に埋設されるとともに、ほ
ぼ内側半分がカバー側開口部１７およびベース側開口部
１８において露出するように配置されている。これによ
って、端子部１６は、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃお
よび１３ｄがカバー側開口部１７内およびベース側開口
部１８内の両側端部において幅方向に膨出するダンベル
形状としてそれぞれ形成される。
幅方向の最長部分２３を境として、ほぼ外側半分がカバ
ー層１４およびベース層１２に埋設されるとともに、ほ
ぼ内側半分がカバー側開口部１７およびベース側開口部
１８において露出するように配置されている。これによ
って、端子部１６は、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃお
よび１３ｄがカバー側開口部１７内およびベース側開口
部１８内の両側端部において幅方向に膨出するダンベル
形状としてそれぞれ形成される。
【００３０】また、各幅広部２２は、その幅方向の最長
部分２３が、カバー側開口部１７およびベース側開口部
１８において露出している各配線１３ａ、１３ｂ、１３
ｃおよび１３ｄの通常のライン幅２４に対して、１．１
〜４倍、好ましくは、２〜３倍として形成されており、
より具体的には、その幅方向の最長部分２３の長さが、
２０〜１０００μｍで、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃ
および１３ｄが延びる方向に沿う長手方向の長さが、５
０〜５００μｍで形成されている。
部分２３が、カバー側開口部１７およびベース側開口部
１８において露出している各配線１３ａ、１３ｂ、１３
ｃおよび１３ｄの通常のライン幅２４に対して、１．１
〜４倍、好ましくは、２〜３倍として形成されており、
より具体的には、その幅方向の最長部分２３の長さが、
２０〜１０００μｍで、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃ
および１３ｄが延びる方向に沿う長手方向の長さが、５
０〜５００μｍで形成されている。
【００３１】なお、各幅広部２２の形状は、その幅方向
に膨出するような形状であって、通常の幅よりも広く形
成されていれば、特にほぼ円形に限定されることはな
く、例えば、矩形状などであってもよい。
に膨出するような形状であって、通常の幅よりも広く形
成されていれば、特にほぼ円形に限定されることはな
く、例えば、矩形状などであってもよい。
【００３２】そして、このような幅広部２２を有する端
子部１６は、上記した導体パターン１３の形成におい
て、幅広部２２を配線回路パターンのパターンニングと
ともに形成しておき、図３（ｃ）および（ｄ）に示す工
程において、カバー層１４およびベース層１２を、その
幅広部２２の最長部分２３が交差部分２１に配置される
ように開口することによってカバー側開口部１７および
ベース側開口部１８を形成した後、図３（ｅ）に示す工
程において、それらカバー側開口部１７内およびベース
側開口部１８内において露出する導体パターン１３の両
面に金属めっき層１５を形成することにより、形成すれ
ばよい。
子部１６は、上記した導体パターン１３の形成におい
て、幅広部２２を配線回路パターンのパターンニングと
ともに形成しておき、図３（ｃ）および（ｄ）に示す工
程において、カバー層１４およびベース層１２を、その
幅広部２２の最長部分２３が交差部分２１に配置される
ように開口することによってカバー側開口部１７および
ベース側開口部１８を形成した後、図３（ｅ）に示す工
程において、それらカバー側開口部１７内およびベース
側開口部１８内において露出する導体パターン１３の両
面に金属めっき層１５を形成することにより、形成すれ
ばよい。
【００３３】このような配線回路基板１１によれば、カ
バー側開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部と
導体パターン１３とが交差する交差部分２１における導
体パターン１３には、その導体パターン１３の幅方向に
広がる幅広部２２が形成されているので、そのカバー側
開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部における
導体パターン１３の物理的強度を補強することができ
る。そのため、たとえば、その端子部１６と外部端子と
をボンディングツールにより超音波振動を加えて接続す
るような場合において、カバー側開口部１７およびベー
ス側開口部１８の端縁部において両面が露出する導体パ
ターン１３に応力が集中しても、その導体パターン１３
の断線を有効に防止することができ、接続信頼性を向上
させることができる。
バー側開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部と
導体パターン１３とが交差する交差部分２１における導
体パターン１３には、その導体パターン１３の幅方向に
広がる幅広部２２が形成されているので、そのカバー側
開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部における
導体パターン１３の物理的強度を補強することができ
る。そのため、たとえば、その端子部１６と外部端子と
をボンディングツールにより超音波振動を加えて接続す
るような場合において、カバー側開口部１７およびベー
ス側開口部１８の端縁部において両面が露出する導体パ
ターン１３に応力が集中しても、その導体パターン１３
の断線を有効に防止することができ、接続信頼性を向上
させることができる。
【００３４】また、この配線回路基板１１においては、
図４に示すように、このようなフライングリードとして
形成される端子部１６において、カバー側開口部１７お
よびベース側開口部１８の端縁部と導体パターン１３と
が交差する交差部分２１におけるカバー層１４に、カバ
ー側開口部１７の端縁部からカバー側開口部１７内の導
体パターン１３の上に突出する補強部としてのカバー側
突出部２５を形成するとともに、交差部分２１における
ベース層１２にも、ベース側開口部１８の端縁部からベ
ース側開口部１８内の導体パターン１３の上に突出する
補強部としてのベース側突出部２６を形成してもよい。
図４に示すように、このようなフライングリードとして
形成される端子部１６において、カバー側開口部１７お
よびベース側開口部１８の端縁部と導体パターン１３と
が交差する交差部分２１におけるカバー層１４に、カバ
ー側開口部１７の端縁部からカバー側開口部１７内の導
体パターン１３の上に突出する補強部としてのカバー側
突出部２５を形成するとともに、交差部分２１における
ベース層１２にも、ベース側開口部１８の端縁部からベ
ース側開口部１８内の導体パターン１３の上に突出する
補強部としてのベース側突出部２６を形成してもよい。
【００３５】より具体的には、これらカバー側突出部２
５およびベース側突出部２６は、図４（ｂ）に示すよう
に、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄにおけ
る長手方向に沿って所定の間隔を隔てて交差部分２１に
対向する位置にそれぞれ（２つ）形成され、各配線１３
ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄが延びる方向に沿って
カバー側開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部
から内側にそれぞれ突出する凸状に形成されている。
５およびベース側突出部２６は、図４（ｂ）に示すよう
に、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄにおけ
る長手方向に沿って所定の間隔を隔てて交差部分２１に
対向する位置にそれぞれ（２つ）形成され、各配線１３
ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄが延びる方向に沿って
カバー側開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部
から内側にそれぞれ突出する凸状に形成されている。
【００３６】各カバー側突出部２５および各ベース側突
出部２６は、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３
ｄに重なり、カバー側開口部１７およびベース側開口部
１８の内側に向かって、次第にその重なりが少なくなる
ような先細状（平面視略三角形状）に形成されており、
これによって、端子部１６は、各配線１３ａ、１３ｂ、
１３ｃおよび１３ｄがカバー側開口部１７内およびベー
ス側開口部１８内の両側端部において、各カバー側突出
部２５および各ベース側突出部２６によって被覆される
ような形状に形成される。
出部２６は、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３
ｄに重なり、カバー側開口部１７およびベース側開口部
１８の内側に向かって、次第にその重なりが少なくなる
ような先細状（平面視略三角形状）に形成されており、
これによって、端子部１６は、各配線１３ａ、１３ｂ、
１３ｃおよび１３ｄがカバー側開口部１７内およびベー
ス側開口部１８内の両側端部において、各カバー側突出
部２５および各ベース側突出部２６によって被覆される
ような形状に形成される。
【００３７】また、各カバー側突出部２５および各ベー
ス側突出部２６は、図５に示すように、カバー側開口部
１７およびベース側開口部１８において露出している各
配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄのライン長さ
２９に対して、４〜３０分の１、好ましくは、５〜２０
分の１の突出長さ２７で突出形成されており、より具体
的には、カバー側開口部１７およびベース側開口部１８
の端縁部において、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよ
び１３ｄのライン幅２４よりもやや狭い５〜２５０μｍ
の基幅２８で、その内側に向かって先細状に、５〜２５
０μｍの突出長さ２７で突出され、その先端部が各配線
１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄの幅方向中央部に
配置されるような略三角形状に形成されている。
ス側突出部２６は、図５に示すように、カバー側開口部
１７およびベース側開口部１８において露出している各
配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄのライン長さ
２９に対して、４〜３０分の１、好ましくは、５〜２０
分の１の突出長さ２７で突出形成されており、より具体
的には、カバー側開口部１７およびベース側開口部１８
の端縁部において、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよ
び１３ｄのライン幅２４よりもやや狭い５〜２５０μｍ
の基幅２８で、その内側に向かって先細状に、５〜２５
０μｍの突出長さ２７で突出され、その先端部が各配線
１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄの幅方向中央部に
配置されるような略三角形状に形成されている。
【００３８】なお、各カバー側突出部２５および各ベー
ス側突出部２６は、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよ
び１３ｄが延びる長手方向に重なって突出するような形
状であれば、図５に示すような形状に限定されることは
なく、例えば、図６に示すように、カバー側開口部１７
およびベース側開口部１８の端縁部において、各配線１
３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄのライン幅２４より
もやや広い基幅２８で、その内側に向かって先細状に突
出形成されていてもよく、さらには、略三角形状に形成
しなくても、例えば、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃお
よび１３ｄが延びる長手方向に重なる矩形状に形成して
もよい。
ス側突出部２６は、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよ
び１３ｄが延びる長手方向に重なって突出するような形
状であれば、図５に示すような形状に限定されることは
なく、例えば、図６に示すように、カバー側開口部１７
およびベース側開口部１８の端縁部において、各配線１
３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄのライン幅２４より
もやや広い基幅２８で、その内側に向かって先細状に突
出形成されていてもよく、さらには、略三角形状に形成
しなくても、例えば、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃお
よび１３ｄが延びる長手方向に重なる矩形状に形成して
もよい。
【００３９】そして、このようなカバー側突出部２５お
よびベース側突出部２６を有する端子部１６は、図３
（ｃ）に示す工程において、カバー側突出部２５が形成
されるようにカバー層１４を開口してカバー側開口部１
７を形成するとともに、図３（ｄ）に示す工程におい
て、ベース側突出部２６が形成されるようにベース層１
２を開口してベース側開口部１８を形成した後、図３
（ｅ）に示す工程において、それらカバー側開口部１７
内およびベース側開口部１８内において露出する導体パ
ターン１３の両面に金属めっき層１５を形成することに
より、形成すればよい。
よびベース側突出部２６を有する端子部１６は、図３
（ｃ）に示す工程において、カバー側突出部２５が形成
されるようにカバー層１４を開口してカバー側開口部１
７を形成するとともに、図３（ｄ）に示す工程におい
て、ベース側突出部２６が形成されるようにベース層１
２を開口してベース側開口部１８を形成した後、図３
（ｅ）に示す工程において、それらカバー側開口部１７
内およびベース側開口部１８内において露出する導体パ
ターン１３の両面に金属めっき層１５を形成することに
より、形成すればよい。
【００４０】このような配線回路基板１１によれば、カ
バー側開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部と
導体パターン１３とが交差する交差部分２１におけるカ
バー層１４およびベース層１２には、カバー側開口部１
７およびベース側開口部１８の端縁部からカバー側開口
部１７内およびベース側開口部１８内の導体パターン１
３の上に突出するカバー側突出部２５およびベース側突
出部２６がそれぞれ形成されているので、そのカバー側
開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部における
導体パターン１３の物理的強度を補強することができ
る。そのため、たとえば、その端子部１６と外部端子と
をボンディングツールにより超音波振動を加えて接続す
るような場合において、カバー側開口部１７およびベー
ス側開口部１８の端縁部において両面が露出する導体パ
ターン１３に応力が集中しても、その導体パターン１３
の断線を有効に防止することができ、接続信頼性を向上
させることができる。
バー側開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部と
導体パターン１３とが交差する交差部分２１におけるカ
バー層１４およびベース層１２には、カバー側開口部１
７およびベース側開口部１８の端縁部からカバー側開口
部１７内およびベース側開口部１８内の導体パターン１
３の上に突出するカバー側突出部２５およびベース側突
出部２６がそれぞれ形成されているので、そのカバー側
開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部における
導体パターン１３の物理的強度を補強することができ
る。そのため、たとえば、その端子部１６と外部端子と
をボンディングツールにより超音波振動を加えて接続す
るような場合において、カバー側開口部１７およびベー
ス側開口部１８の端縁部において両面が露出する導体パ
ターン１３に応力が集中しても、その導体パターン１３
の断線を有効に防止することができ、接続信頼性を向上
させることができる。
【００４１】なお、この配線回路基板１１においては、
必ずしも、各カバー側突出部２５および各ベース側突出
部２６の両方を形成せずとも、例えば、図７に示すよう
に、カバー側突出部２５のみを形成してもよく、また、
例えば、図８に示すように、ベース側突出部２６のみを
形成してもよい。
必ずしも、各カバー側突出部２５および各ベース側突出
部２６の両方を形成せずとも、例えば、図７に示すよう
に、カバー側突出部２５のみを形成してもよく、また、
例えば、図８に示すように、ベース側突出部２６のみを
形成してもよい。
【００４２】さらには、図示しないが、上記したよう
に、導体パターン１３に幅広部２２を形成するととも
に、カバー層１４にはカバー側突出部２５を、および／
または、ベース層１２にはベース側突出部２６を形成し
てもよい。
に、導体パターン１３に幅広部２２を形成するととも
に、カバー層１４にはカバー側突出部２５を、および／
または、ベース層１２にはベース側突出部２６を形成し
てもよい。
【００４３】そして、このような端子部１６を有する配
線回路基板１１は、とりわけ、回路付サスペンション基
板に、好適に適用することができる。
線回路基板１１は、とりわけ、回路付サスペンション基
板に、好適に適用することができる。
【００４４】図９は、本発明の配線回路基板の一実施形
態としての回路付サスペンション基板を示す斜視図であ
る。この回路付サスペンション基板３１は、ハードディ
スクドライブの磁気ヘッド（図示せず）を実装して、そ
の磁気ヘッドを、磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的
に走行する時の空気流に抗して、磁気ディスクとの間に
微小な間隔を保持しながら支持するものであり、磁気ヘ
ッドと、外部の回路としてのリード・ライト基板３９と
を接続するための配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３
４ｄが、所定の配線回路パターンとして一体的に形成さ
れている。
態としての回路付サスペンション基板を示す斜視図であ
る。この回路付サスペンション基板３１は、ハードディ
スクドライブの磁気ヘッド（図示せず）を実装して、そ
の磁気ヘッドを、磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的
に走行する時の空気流に抗して、磁気ディスクとの間に
微小な間隔を保持しながら支持するものであり、磁気ヘ
ッドと、外部の回路としてのリード・ライト基板３９と
を接続するための配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３
４ｄが、所定の配線回路パターンとして一体的に形成さ
れている。
【００４５】図９において、この回路付サスペンション
基板３１は、長手方向に延びる金属支持層としての支持
基板３２の上に、絶縁体からなる第１絶縁層としてのベ
ース層３３が形成されており、そのベース層３３の上
に、所定の配線回路パターンとして導体パターン３４が
形成され、その導体パターン３４の上に、絶縁体からな
る第２絶縁層としてのカバー層３５（図示せず）が形成
されている。なお、導体パターン３４は、互いに所定の
間隔を隔てて平行状に配置される複数の配線３４ａ、３
４ｂ、３４ｃおよび３４ｄとして形成されている。
基板３１は、長手方向に延びる金属支持層としての支持
基板３２の上に、絶縁体からなる第１絶縁層としてのベ
ース層３３が形成されており、そのベース層３３の上
に、所定の配線回路パターンとして導体パターン３４が
形成され、その導体パターン３４の上に、絶縁体からな
る第２絶縁層としてのカバー層３５（図示せず）が形成
されている。なお、導体パターン３４は、互いに所定の
間隔を隔てて平行状に配置される複数の配線３４ａ、３
４ｂ、３４ｃおよび３４ｄとして形成されている。
【００４６】支持基板３２の先端部には、その支持基板
３２を切り込むことによって、磁気ヘッドを実装するた
めのジンバル３６が形成されている。また、その支持基
板３２の先端部には、磁気ヘッドと各配線３４ａ、３４
ｂ、３４ｃおよび３４ｄとを接続するための磁気ヘッド
側接続端子３７が形成されるとともに、支持基板３２の
後端部には、リード・ライト基板３９と各配線３４ａ、
３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄとを接続するための端子部
としての外部側接続端子３８が形成されている。この外
部側接続端子３８は、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃお
よび３４ｄの端部において、各リードライト端子５４に
対応してそれぞれ形成されている。
３２を切り込むことによって、磁気ヘッドを実装するた
めのジンバル３６が形成されている。また、その支持基
板３２の先端部には、磁気ヘッドと各配線３４ａ、３４
ｂ、３４ｃおよび３４ｄとを接続するための磁気ヘッド
側接続端子３７が形成されるとともに、支持基板３２の
後端部には、リード・ライト基板３９と各配線３４ａ、
３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄとを接続するための端子部
としての外部側接続端子３８が形成されている。この外
部側接続端子３８は、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃお
よび３４ｄの端部において、各リードライト端子５４に
対応してそれぞれ形成されている。
【００４７】そして、このような回路付サスペンション
基板３１は、次のようにして形成することができる。す
なわち、まず、図１０（ａ）〜（ｄ）に示すように、支
持基板３２を用意して、その支持基板３２の上に、所定
のパターンでベース層３３を形成する。支持基板３２と
しては、金属箔または金属薄板を用いることが好まし
く、例えば、ステンレス、４２アロイなどが好ましく用
いられる。また、その厚さが、１０〜６０μｍ、さらに
は、１５〜３０μｍ、その幅が、５０〜５００ｍｍ、さ
らには、１２５〜３００ｍｍのものが好ましく用いられ
る。
基板３１は、次のようにして形成することができる。す
なわち、まず、図１０（ａ）〜（ｄ）に示すように、支
持基板３２を用意して、その支持基板３２の上に、所定
のパターンでベース層３３を形成する。支持基板３２と
しては、金属箔または金属薄板を用いることが好まし
く、例えば、ステンレス、４２アロイなどが好ましく用
いられる。また、その厚さが、１０〜６０μｍ、さらに
は、１５〜３０μｍ、その幅が、５０〜５００ｍｍ、さ
らには、１２５〜３００ｍｍのものが好ましく用いられ
る。
【００４８】また、ベース層３３を形成するための絶縁
体としては、特に制限されず、例えば、ポリイミド樹
脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエ
ーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹
脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹
脂などの合成樹脂が用いられる。これらのうち、感光性
樹脂が好ましく用いられ、感光性ポリイミド樹脂がさら
に好ましく用いられる。
体としては、特に制限されず、例えば、ポリイミド樹
脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエ
ーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹
脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹
脂などの合成樹脂が用いられる。これらのうち、感光性
樹脂が好ましく用いられ、感光性ポリイミド樹脂がさら
に好ましく用いられる。
【００４９】そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を
用いて、支持基板３２の上に、所定のパターンでベース
層３３を形成する場合には、まず、図１０（ａ）に示す
ように、予め用意された支持基板３２の上に、感光性ポ
リイミド樹脂前駆体の溶液を、その支持基板１２の全面
に塗布した後、例えば、６０〜１５０℃で乾燥すること
により、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜３３ｐを形
成する。
用いて、支持基板３２の上に、所定のパターンでベース
層３３を形成する場合には、まず、図１０（ａ）に示す
ように、予め用意された支持基板３２の上に、感光性ポ
リイミド樹脂前駆体の溶液を、その支持基板１２の全面
に塗布した後、例えば、６０〜１５０℃で乾燥すること
により、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜３３ｐを形
成する。
【００５０】次に、図１０（ｂ）に示すように、その皮
膜３３ｐを、フォトマスク４０を介して露光させ、必要
により露光部分を所定の温度に加熱した後、図１０
（ｃ）に示すように、現像することにより、皮膜３３ｐ
を所定のパターンとする。なお、露光のための照射光
は、その露光波長が、３００〜４５０ｎｍ、さらには、
３５０〜４２０ｎｍであることが好ましく、その露光積
算光量が、１００〜１０００ｍＪ／ｃｍ２、さらには、
２００〜７００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましい。ま
た、照射された皮膜３３ｐの露光部分は、例えば、１３
０℃以上１５０℃未満で加熱することにより、次の現像
処理において可溶化（ポジ型）し、また、例えば、１５
０℃以上１８０℃以下で加熱することにより、次の現像
処理において不溶化（ネガ型）する。また、現像は、例
えば、アルカリ現像液などの公知の現像液を用いて、浸
漬法やスプレー法などの公知の方法により行なえばよ
い。なお、この方法においては、ネガ型でパターンを得
ることが好ましく、図１０においては、ネガ型でパター
ンニングする態様として示されている。
膜３３ｐを、フォトマスク４０を介して露光させ、必要
により露光部分を所定の温度に加熱した後、図１０
（ｃ）に示すように、現像することにより、皮膜３３ｐ
を所定のパターンとする。なお、露光のための照射光
は、その露光波長が、３００〜４５０ｎｍ、さらには、
３５０〜４２０ｎｍであることが好ましく、その露光積
算光量が、１００〜１０００ｍＪ／ｃｍ２、さらには、
２００〜７００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましい。ま
た、照射された皮膜３３ｐの露光部分は、例えば、１３
０℃以上１５０℃未満で加熱することにより、次の現像
処理において可溶化（ポジ型）し、また、例えば、１５
０℃以上１８０℃以下で加熱することにより、次の現像
処理において不溶化（ネガ型）する。また、現像は、例
えば、アルカリ現像液などの公知の現像液を用いて、浸
漬法やスプレー法などの公知の方法により行なえばよ
い。なお、この方法においては、ネガ型でパターンを得
ることが好ましく、図１０においては、ネガ型でパター
ンニングする態様として示されている。
【００５１】次いで、図１０（ｄ）に示すように、この
ようにしてパターン化されたポリイミド樹脂前駆体の皮
膜３３ｐを、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱する
ことによって、硬化（イミド化）させ、これによって、
ポリイミド樹脂からなるベース層３３を所定のパターン
で形成する。なお、このようにして形成されるベース層
３３の厚さは、例えば、２〜３０μｍ、好ましくは、５
〜２０μｍである。
ようにしてパターン化されたポリイミド樹脂前駆体の皮
膜３３ｐを、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱する
ことによって、硬化（イミド化）させ、これによって、
ポリイミド樹脂からなるベース層３３を所定のパターン
で形成する。なお、このようにして形成されるベース層
３３の厚さは、例えば、２〜３０μｍ、好ましくは、５
〜２０μｍである。
【００５２】次いで、図１０（ｅ）に示すように、ベー
ス層３３の上に、導体パターン３４を、所定の配線回路
パターンとして形成する。導体パターン３４を形成する
ための導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はん
だ、またはこれらの合金などの金属が用いられ、好まし
くは、銅が用いられる。所定の配線回路パターンで導体
パターン３４を形成するには、ベース層３３の表面に、
導体パターン３４を、例えば、サブトラクティブ法、ア
ディティブ法、セミアディティブ法などの公知のパター
ンニング法によって、所定の配線回路パターンとして形
成すればよく、この方法においては、セミアディティブ
法が好ましく用いられる。
ス層３３の上に、導体パターン３４を、所定の配線回路
パターンとして形成する。導体パターン３４を形成する
ための導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はん
だ、またはこれらの合金などの金属が用いられ、好まし
くは、銅が用いられる。所定の配線回路パターンで導体
パターン３４を形成するには、ベース層３３の表面に、
導体パターン３４を、例えば、サブトラクティブ法、ア
ディティブ法、セミアディティブ法などの公知のパター
ンニング法によって、所定の配線回路パターンとして形
成すればよく、この方法においては、セミアディティブ
法が好ましく用いられる。
【００５３】このようにして形成される導体パターン３
４は、上記したように、互いに所定の間隔を隔てて平行
状に配置される複数の配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよ
び３４ｄのパターンであって、その厚さは、例えば、２
〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍであり、各配線
３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄのライン幅は、例
えば、１０〜５００μｍ、好ましくは、３０〜２００μ
ｍであり、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄ
間の間隔（スペース幅）は、例えば、１０〜５００μ
ｍ、好ましくは、３０〜２００μｍである。
４は、上記したように、互いに所定の間隔を隔てて平行
状に配置される複数の配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよ
び３４ｄのパターンであって、その厚さは、例えば、２
〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍであり、各配線
３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄのライン幅は、例
えば、１０〜５００μｍ、好ましくは、３０〜２００μ
ｍであり、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄ
間の間隔（スペース幅）は、例えば、１０〜５００μ
ｍ、好ましくは、３０〜２００μｍである。
【００５４】次いで、図１０（ｆ）〜（ｉ）に示すよう
に、導体パターン３４を、絶縁体からなるカバー層３５
により被覆する。カバー層３５を形成するための絶縁体
としては、ベース層３５と同様の絶縁体が用いられ、好
ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。
に、導体パターン３４を、絶縁体からなるカバー層３５
により被覆する。カバー層３５を形成するための絶縁体
としては、ベース層３５と同様の絶縁体が用いられ、好
ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。
【００５５】そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を
用いて、カバー層３５を形成するには、図１０（ｆ）に
示すように、まず、支持基板３２およびベース層３３の
全面に、感光性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を塗布した
後、ベース層３３のパターンニングと同様に、例えば、
６０〜１５０℃で乾燥することにより、感光性ポリイミ
ド樹脂前駆体の皮膜３５ｐを形成し、次に、図１０
（ｇ）に示すように、その皮膜３５ｐを、フォトマスク
４１を介して露光させ、必要により露光部分を所定の温
度に加熱した後、図１０（ｈ）に示すように、現像する
ことにより、皮膜３５ｐによって、導体パターン３４が
被覆されるようにパターン化する。
用いて、カバー層３５を形成するには、図１０（ｆ）に
示すように、まず、支持基板３２およびベース層３３の
全面に、感光性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を塗布した
後、ベース層３３のパターンニングと同様に、例えば、
６０〜１５０℃で乾燥することにより、感光性ポリイミ
ド樹脂前駆体の皮膜３５ｐを形成し、次に、図１０
（ｇ）に示すように、その皮膜３５ｐを、フォトマスク
４１を介して露光させ、必要により露光部分を所定の温
度に加熱した後、図１０（ｈ）に示すように、現像する
ことにより、皮膜３５ｐによって、導体パターン３４が
被覆されるようにパターン化する。
【００５６】なお、このパターン化において、外部側接
続端子３８が形成される部分には、導体パターン３４の
表面が露出するように、その外部側接続端子３８が形成
される部分にフォトマスク４１を対向配置して、カバー
側開口部４２が形成されるようにする。より具体的に
は、このカバー側開口部４２は、後述するように外部側
接続端子３８をフライングリードとして形成するため
に、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄを含む
ような矩形状に開口形成される。
続端子３８が形成される部分には、導体パターン３４の
表面が露出するように、その外部側接続端子３８が形成
される部分にフォトマスク４１を対向配置して、カバー
側開口部４２が形成されるようにする。より具体的に
は、このカバー側開口部４２は、後述するように外部側
接続端子３８をフライングリードとして形成するため
に、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄを含む
ような矩形状に開口形成される。
【００５７】また、この露光および現像の条件は、ベー
ス層３３を露光および現像する条件と同様の条件でよ
く、図１０においては、ベース層３３と同様に、ネガ型
でパターンニングする態様として示されている。
ス層３３を露光および現像する条件と同様の条件でよ
く、図１０においては、ベース層３３と同様に、ネガ型
でパターンニングする態様として示されている。
【００５８】そして、このようにしてパターン化された
ポリイミド樹脂前駆体の皮膜３５ｐを、図１０（ｉ）に
示すように、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱する
ことによって、硬化（イミド化）させ、これによって、
ポリイミド樹脂からなるカバー層３５を、導体パターン
３４の上に形成する。なお、カバー層３５の厚さは、例
えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜５μｍである。
ポリイミド樹脂前駆体の皮膜３５ｐを、図１０（ｉ）に
示すように、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱する
ことによって、硬化（イミド化）させ、これによって、
ポリイミド樹脂からなるカバー層３５を、導体パターン
３４の上に形成する。なお、カバー層３５の厚さは、例
えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜５μｍである。
【００５９】また、このカバー層３５を形成する前に、
予め導体パターン３４を、ニッケルめっきによって硬質
ニッケルの薄膜で保護するようにしておいてもよい。
予め導体パターン３４を、ニッケルめっきによって硬質
ニッケルの薄膜で保護するようにしておいてもよい。
【００６０】そして、このようにして形成される回路付
サスペンション基板３１では、図１０（ｊ）〜（ｌ）に
示すように、外部側接続端子３８が、導体パターン３４
の両面が露出するフライングリードとして形成されてい
る。
サスペンション基板３１では、図１０（ｊ）〜（ｌ）に
示すように、外部側接続端子３８が、導体パターン３４
の両面が露出するフライングリードとして形成されてい
る。
【００６１】すなわち、外部側接続端子３８を、導体パ
ターン３４の両面が露出した端子として形成するには、
まず、図１０（ｊ）に示すように、支持基板３２におけ
る外部側接続端子３８が形成される部分、すなわち、カ
バー層３５のカバー側開口部４２に対向する部分にベー
ス層３３が露出するように支持基板側開口部４３を形成
する。この支持基板側開口部４３の形成は、公知の方法
でよく、例えば、支持基板３２における支持基板側開口
部４３を形成する部分以外をすべてマスキングした後
に、化学エッチングすればよい。
ターン３４の両面が露出した端子として形成するには、
まず、図１０（ｊ）に示すように、支持基板３２におけ
る外部側接続端子３８が形成される部分、すなわち、カ
バー層３５のカバー側開口部４２に対向する部分にベー
ス層３３が露出するように支持基板側開口部４３を形成
する。この支持基板側開口部４３の形成は、公知の方法
でよく、例えば、支持基板３２における支持基板側開口
部４３を形成する部分以外をすべてマスキングした後
に、化学エッチングすればよい。
【００６２】次いで、図１０（ｋ）に示すように、支持
基板３２の支持基板側開口部４３内において露出してい
るベース層３３に、導体パターン３４が露出するように
ベース側開口部４４を形成する。このベース側開口部４
４の形成は、公知の方法でよいが、エッチング、とりわ
け、プラズマエッチングにより形成することが好まし
い。エッチングによれば、ベース層３３の露出面から、
導体パターン３４の裏面までの間のベース層３３を、正
確に削ることができる。
基板３２の支持基板側開口部４３内において露出してい
るベース層３３に、導体パターン３４が露出するように
ベース側開口部４４を形成する。このベース側開口部４
４の形成は、公知の方法でよいが、エッチング、とりわ
け、プラズマエッチングにより形成することが好まし
い。エッチングによれば、ベース層３３の露出面から、
導体パターン３４の裏面までの間のベース層３３を、正
確に削ることができる。
【００６３】このプラズマエッチングでは、支持基板３
２をマスクとして、その支持基板３２の支持基板側開口
部４３に露出するベース層３３の全体をエッチングすれ
ばよく、例えば、所定のガスを封入した雰囲気下で対向
電極間に、サンプルを配置して、高周波プラズマを発生
させるようにする。所定のガスとしては、例えば、Ｈ
ｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、Ｎ２、Ｏ２、ＣＦ４、Ｎ
Ｆ３などが用いられる。好ましくは、Ａｒ、Ｏ２、ＣＦ
４、ＮＦ３が用いられる。これらのガスは、所定の割合
で混合して用いてもよい。また、そのガス圧（真空度）
は、例えば、０．５〜２００Ｐａ、好ましくは、１０〜
１００Ｐａである。また、高周波プラズマを発生させる
条件としては、周波数が、例えば、１０ｋＨｚ〜２０Ｍ
Ｈｚ、好ましくは、１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであり、
処理電力が、例えば、０．５〜１０Ｗ／ｃｍ２、好まし
くは、１〜５Ｗ／ｃｍ２である。周波数が１０ｋＨｚ〜
１００ｋＨｚであると、プラズマエッチング装置のマッ
チング（抵抗値のチューニング）がとりやすくなる。そ
して、このような雰囲気条件下において、例えば、０〜
１２０℃、好ましくは、１０〜８０℃に温度管理された
電極上にサンプルを配置して、ベース層３３をエッチン
グする厚さに相当する所定の時間処理すればよい。
２をマスクとして、その支持基板３２の支持基板側開口
部４３に露出するベース層３３の全体をエッチングすれ
ばよく、例えば、所定のガスを封入した雰囲気下で対向
電極間に、サンプルを配置して、高周波プラズマを発生
させるようにする。所定のガスとしては、例えば、Ｈ
ｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、Ｎ２、Ｏ２、ＣＦ４、Ｎ
Ｆ３などが用いられる。好ましくは、Ａｒ、Ｏ２、ＣＦ
４、ＮＦ３が用いられる。これらのガスは、所定の割合
で混合して用いてもよい。また、そのガス圧（真空度）
は、例えば、０．５〜２００Ｐａ、好ましくは、１０〜
１００Ｐａである。また、高周波プラズマを発生させる
条件としては、周波数が、例えば、１０ｋＨｚ〜２０Ｍ
Ｈｚ、好ましくは、１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであり、
処理電力が、例えば、０．５〜１０Ｗ／ｃｍ２、好まし
くは、１〜５Ｗ／ｃｍ２である。周波数が１０ｋＨｚ〜
１００ｋＨｚであると、プラズマエッチング装置のマッ
チング（抵抗値のチューニング）がとりやすくなる。そ
して、このような雰囲気条件下において、例えば、０〜
１２０℃、好ましくは、１０〜８０℃に温度管理された
電極上にサンプルを配置して、ベース層３３をエッチン
グする厚さに相当する所定の時間処理すればよい。
【００６４】そして、このようにして形成されるベース
層３３のベース側開口部４４は、支持基板３２をマスク
として形成されるので、支持基板３２の支持基板側開口
部４３と同じ大きさおよび形で開口形成される。
層３３のベース側開口部４４は、支持基板３２をマスク
として形成されるので、支持基板３２の支持基板側開口
部４３と同じ大きさおよび形で開口形成される。
【００６５】その後、図１０（ｌ）に示すように、この
ように露出している導体パターン３４の両面に、金属め
っき層４５を、めっきにより同時に形成する。金属めっ
き層４５の形成は、特に制限されず、電解めっきおよび
無電解めっきのいずれの方法を用いてもよく、また、め
っきに用いる金属も、特に制限されず、公知の金属を用
いることができる。好ましくは、電解ニッケルめっきと
電解金めっきとを順次行なうことにより、ニッケルめっ
き層４６の上に金めっき層４７を形成する。なお、ニッ
ケルめっき層４６および金めっき層４７の厚さは、いず
れも、１〜５μｍ程度であることが好ましい。これによ
って、外部側接続端子３８が、両面が露出した状態で形
成される。
ように露出している導体パターン３４の両面に、金属め
っき層４５を、めっきにより同時に形成する。金属めっ
き層４５の形成は、特に制限されず、電解めっきおよび
無電解めっきのいずれの方法を用いてもよく、また、め
っきに用いる金属も、特に制限されず、公知の金属を用
いることができる。好ましくは、電解ニッケルめっきと
電解金めっきとを順次行なうことにより、ニッケルめっ
き層４６の上に金めっき層４７を形成する。なお、ニッ
ケルめっき層４６および金めっき層４７の厚さは、いず
れも、１〜５μｍ程度であることが好ましい。これによ
って、外部側接続端子３８が、両面が露出した状態で形
成される。
【００６６】そして、この回路付サスペンション基板３
１の外部側接続端子３８では、上記した配線回路基板１
１と同様に、図１１に示すように、カバー側開口部４２
およびベース側開口部４４の端縁部と導体パターン３４
とが交差する交差部分４８における導体パターン３４
に、その導体パターン３４が延びる方向と実質的に直交
する幅方向に広がる補強部としての幅広部４９が形成さ
れている。
１の外部側接続端子３８では、上記した配線回路基板１
１と同様に、図１１に示すように、カバー側開口部４２
およびベース側開口部４４の端縁部と導体パターン３４
とが交差する交差部分４８における導体パターン３４
に、その導体パターン３４が延びる方向と実質的に直交
する幅方向に広がる補強部としての幅広部４９が形成さ
れている。
【００６７】より具体的には、この幅広部４９は、図１
１（ｂ）に示すように、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃ
および３４ｄにおける長手方向に沿って所定の間隔を隔
てて交差部分４８に対向する位置にそれぞれ（２つ）形
成され、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄに
おける幅方向に膨出するようなほぼ円形に形成されてい
る。各幅広部４９は、上記した配線回路基板１１の幅広
部２２と同様に、その幅方向の最長部分を境として、ほ
ぼ外側半分がカバー層３５およびベース層３３に埋設さ
れるとともに、ほぼ内側半分がカバー側開口部４２、ベ
ース側開口部４４および支持基板側開口部４３において
露出するように配置されている。これによって、外部側
接続端子３８は、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび
３４ｄがカバー側開口部４２内と、ベース側開口部４４
内および支持基板側開口部４３内との両側端部において
幅方向に膨出するダンベル形状としてそれぞれ形成され
る。
１（ｂ）に示すように、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃ
および３４ｄにおける長手方向に沿って所定の間隔を隔
てて交差部分４８に対向する位置にそれぞれ（２つ）形
成され、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄに
おける幅方向に膨出するようなほぼ円形に形成されてい
る。各幅広部４９は、上記した配線回路基板１１の幅広
部２２と同様に、その幅方向の最長部分を境として、ほ
ぼ外側半分がカバー層３５およびベース層３３に埋設さ
れるとともに、ほぼ内側半分がカバー側開口部４２、ベ
ース側開口部４４および支持基板側開口部４３において
露出するように配置されている。これによって、外部側
接続端子３８は、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび
３４ｄがカバー側開口部４２内と、ベース側開口部４４
内および支持基板側開口部４３内との両側端部において
幅方向に膨出するダンベル形状としてそれぞれ形成され
る。
【００６８】なお、各幅広部４９における幅方向の最長
部分の長さや導体パターン３４が延びる方向に沿う長手
方向の長さは、上記した配線回路基板１１の幅広部２２
と同様でよく、また、その形状も、その幅方向に膨出す
るような形状であって、通常の幅よりも広く形成されて
いれば、特にほぼ円形に限定されることはなく、例え
ば、矩形状などであってもよい。
部分の長さや導体パターン３４が延びる方向に沿う長手
方向の長さは、上記した配線回路基板１１の幅広部２２
と同様でよく、また、その形状も、その幅方向に膨出す
るような形状であって、通常の幅よりも広く形成されて
いれば、特にほぼ円形に限定されることはなく、例え
ば、矩形状などであってもよい。
【００６９】そして、このような幅広部４９を有する外
部側接続端子３８は、上記した導体パターン３４の形成
において、幅広部４９を配線回路パターンのパターンニ
ングとともに形成しておき、図１０（ｈ）〜（ｋ）に示
す工程において、カバー層３５、支持基板３２およびベ
ース層３３を、その幅広部４９の最長部分が交差部分４
８に配置されるように開口することによってカバー側開
口部４２、支持基板側開口部４３およびベース側開口部
４４を形成した後、図１０（ｉ）に示す工程において、
それらカバー側開口部４２内と、ベース側開口部４４内
および支持基板側開口部４３内とにおいて露出する導体
パターン３４の両面に金属めっき層４５を形成すること
により、形成すればよい。
部側接続端子３８は、上記した導体パターン３４の形成
において、幅広部４９を配線回路パターンのパターンニ
ングとともに形成しておき、図１０（ｈ）〜（ｋ）に示
す工程において、カバー層３５、支持基板３２およびベ
ース層３３を、その幅広部４９の最長部分が交差部分４
８に配置されるように開口することによってカバー側開
口部４２、支持基板側開口部４３およびベース側開口部
４４を形成した後、図１０（ｉ）に示す工程において、
それらカバー側開口部４２内と、ベース側開口部４４内
および支持基板側開口部４３内とにおいて露出する導体
パターン３４の両面に金属めっき層４５を形成すること
により、形成すればよい。
【００７０】このような回路付サスペンション基板３１
によれば、カバー側開口部４２およびベース側開口部４
４の端縁部と導体パターン３４とが交差する交差部分４
８における導体パターン３４には、その導体パターン３
４の幅方向に広がる幅広部４９が形成されているので、
そのカバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端
縁部における導体パターン３４の物理的強度を補強する
ことができる。そのため、たとえば、その外部側接続端
子３８とリードライト端子５４とをボンディングツール
により超音波振動を加えて接続するような場合におい
て、カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端
縁部において両面が露出する導体パターン３４に応力が
集中しても、その導体パターン３４の断線を有効に防止
することができ、接続信頼性を向上させることができ
る。
によれば、カバー側開口部４２およびベース側開口部４
４の端縁部と導体パターン３４とが交差する交差部分４
８における導体パターン３４には、その導体パターン３
４の幅方向に広がる幅広部４９が形成されているので、
そのカバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端
縁部における導体パターン３４の物理的強度を補強する
ことができる。そのため、たとえば、その外部側接続端
子３８とリードライト端子５４とをボンディングツール
により超音波振動を加えて接続するような場合におい
て、カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端
縁部において両面が露出する導体パターン３４に応力が
集中しても、その導体パターン３４の断線を有効に防止
することができ、接続信頼性を向上させることができ
る。
【００７１】また、この回路付サスペンション基板３１
においては、図１２に示すように、このようなフライン
グリードとして形成される外部側接続端子３８におい
て、カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端
縁部と導体パターン３４とが交差する交差部分４８にお
けるカバー層３５に、カバー側開口部４２の端縁部から
カバー側開口部４２内の導体パターン３４の上に突出す
る補強部としてのカバー側突出部５０を形成するととも
に、交差部分４８におけるベース層３３にも、ベース側
開口部４４の端縁部からベース側開口部４４内の導体パ
ターン３４の上に突出する補強部としてのベース側突出
部５１を形成してもよい。
においては、図１２に示すように、このようなフライン
グリードとして形成される外部側接続端子３８におい
て、カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端
縁部と導体パターン３４とが交差する交差部分４８にお
けるカバー層３５に、カバー側開口部４２の端縁部から
カバー側開口部４２内の導体パターン３４の上に突出す
る補強部としてのカバー側突出部５０を形成するととも
に、交差部分４８におけるベース層３３にも、ベース側
開口部４４の端縁部からベース側開口部４４内の導体パ
ターン３４の上に突出する補強部としてのベース側突出
部５１を形成してもよい。
【００７２】より具体的には、これらカバー側突出部５
０およびベース側突出部５１は、図１２（ｂ）に示すよ
うに、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄにお
ける長手方向に沿って所定の間隔を隔てて交差部分４８
に対向する位置にそれぞれ（２つ）形成され、各配線３
４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄが延びる方向に沿っ
てカバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端縁
部から内側にそれぞれ突出する凸状に形成されている。
各カバー側突出部５０および各ベース側突出部５１は、
各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄに重なり、
カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の内側に
向かって、次第にその重なりが少なくなるような先細状
（平面視略三角形状）に形成されており、これによっ
て、外部側接続端子３８は、各配線３４ａ、３４ｂ、３
４ｃおよび３４ｄがカバー側開口部４２内およびベース
側開口部４４内の両側端部において、各カバー側突出部
５０および各ベース側突出部５１によって被覆されるよ
うな形状に形成される。
０およびベース側突出部５１は、図１２（ｂ）に示すよ
うに、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄにお
ける長手方向に沿って所定の間隔を隔てて交差部分４８
に対向する位置にそれぞれ（２つ）形成され、各配線３
４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄが延びる方向に沿っ
てカバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端縁
部から内側にそれぞれ突出する凸状に形成されている。
各カバー側突出部５０および各ベース側突出部５１は、
各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄに重なり、
カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の内側に
向かって、次第にその重なりが少なくなるような先細状
（平面視略三角形状）に形成されており、これによっ
て、外部側接続端子３８は、各配線３４ａ、３４ｂ、３
４ｃおよび３４ｄがカバー側開口部４２内およびベース
側開口部４４内の両側端部において、各カバー側突出部
５０および各ベース側突出部５１によって被覆されるよ
うな形状に形成される。
【００７３】なお、各カバー側突出部５０および各ベー
ス側突出部５１における突出長さや基幅は、上記した配
線回路基板１１のカバー側突出部２５およびベース側突
出部２６と同様でよく、また、その形状も、各配線３４
ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄが延びる長手方向に重
なって突出するような形状であれば、図１２（ｂ）に示
すような形状に限定されることはなく、例えば、各配線
３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄのライン幅よりも
やや広い基幅で、その内側に向かって先細状に突出形成
されていてもよく、さらには、略三角形状に形成しなく
ても、例えば、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３
４ｄが延びる長手方向に重なる矩形状に形成してもよ
い。
ス側突出部５１における突出長さや基幅は、上記した配
線回路基板１１のカバー側突出部２５およびベース側突
出部２６と同様でよく、また、その形状も、各配線３４
ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄが延びる長手方向に重
なって突出するような形状であれば、図１２（ｂ）に示
すような形状に限定されることはなく、例えば、各配線
３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄのライン幅よりも
やや広い基幅で、その内側に向かって先細状に突出形成
されていてもよく、さらには、略三角形状に形成しなく
ても、例えば、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３
４ｄが延びる長手方向に重なる矩形状に形成してもよ
い。
【００７４】そして、このようなカバー側突出部５０お
よびベース側突出部５１を有する外部側接続端子３８
は、図１０（ｇ）〜（ｉ）に示す工程において、カバー
側突出部５０が形成されるようにカバー層３５を開口し
てカバー側開口部４２を形成するとともに、図１０
（ｋ）に示す工程において、ベース側突出部５０が形成
されるようにベース層３３を開口してベース側開口部４
４を形成した後、図１０（ｌ）に示す工程において、そ
れらカバー側開口部４２内およびベース側開口部４４内
において露出する導体パターン３４の両面に金属めっき
層４５を形成することにより、形成すればよい。
よびベース側突出部５１を有する外部側接続端子３８
は、図１０（ｇ）〜（ｉ）に示す工程において、カバー
側突出部５０が形成されるようにカバー層３５を開口し
てカバー側開口部４２を形成するとともに、図１０
（ｋ）に示す工程において、ベース側突出部５０が形成
されるようにベース層３３を開口してベース側開口部４
４を形成した後、図１０（ｌ）に示す工程において、そ
れらカバー側開口部４２内およびベース側開口部４４内
において露出する導体パターン３４の両面に金属めっき
層４５を形成することにより、形成すればよい。
【００７５】このような回路付サスペンション基板３１
によれば、カバー側開口部４２およびベース側開口部４
４の端縁部と導体パターン４３とが交差する交差部分４
８におけるカバー層３５およびベース層３３には、カバ
ー側開口部４２およびベース側開口部４４の端縁部から
カバー側開口部４２内およびベース側開口部４４内の導
体パターン３４の上に突出するカバー側突出部５０およ
びベース側突出部５１がそれぞれ形成されているので、
そのカバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端
縁部における導体パターン３４の物理的強度を補強する
ことができる。そのため、たとえば、その外部側接続端
子３８とリードライト端子５４とをボンディングツール
により超音波振動を加えて接続するような場合におい
て、カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端
縁部において両面が露出する導体パターン３４に応力が
集中しても、その導体パターン３４の断線を有効に防止
することができ、接続信頼性を向上させることができ
る。
によれば、カバー側開口部４２およびベース側開口部４
４の端縁部と導体パターン４３とが交差する交差部分４
８におけるカバー層３５およびベース層３３には、カバ
ー側開口部４２およびベース側開口部４４の端縁部から
カバー側開口部４２内およびベース側開口部４４内の導
体パターン３４の上に突出するカバー側突出部５０およ
びベース側突出部５１がそれぞれ形成されているので、
そのカバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端
縁部における導体パターン３４の物理的強度を補強する
ことができる。そのため、たとえば、その外部側接続端
子３８とリードライト端子５４とをボンディングツール
により超音波振動を加えて接続するような場合におい
て、カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端
縁部において両面が露出する導体パターン３４に応力が
集中しても、その導体パターン３４の断線を有効に防止
することができ、接続信頼性を向上させることができ
る。
【００７６】なお、この回路付サスペンション基板３１
においては、必ずしも、各カバー側突出部５０および各
ベース側突出部５１の両方を形成せずとも、例えば、図
１３に示すように、カバー側突出部５０のみを形成して
もよく、また、例えば、図１４に示すように、ベース側
突出部５１のみを形成してもよい。
においては、必ずしも、各カバー側突出部５０および各
ベース側突出部５１の両方を形成せずとも、例えば、図
１３に示すように、カバー側突出部５０のみを形成して
もよく、また、例えば、図１４に示すように、ベース側
突出部５１のみを形成してもよい。
【００７７】さらには、図示しないが、上記したよう
に、導体パターン３４に幅広部４９を形成するととも
に、カバー層３５にはカバー側突出部５０を、および／
または、ベース層３３にはベース側突出部５１を形成し
てもよい。
に、導体パターン３４に幅広部４９を形成するととも
に、カバー層３５にはカバー側突出部５０を、および／
または、ベース層３３にはベース側突出部５１を形成し
てもよい。
【００７８】また、この回路付サスペンション基板３１
では、図１５（ａ）に示すように、導体パターン３４に
おける外部側接続端子３８が形成される部分を、他の部
分に対して支持基板３２側に凹むように形成するととも
に、ベース側開口部４４および支持基板側開口部４３
を、金属めっき層４５が形成される部分よりも大きく開
口形成するようにして、外部側接続端子３８を形成して
もよく、そのようにして形成される外部側接続端子３８
において、図１２（ｂ）に示すように、カバー側開口部
４２およびベース側開口部４４の端縁部と導体パターン
３４とが交差する交差部分４８における導体パターン３
４に、幅広部４９が形成されるようにしてもよい。
では、図１５（ａ）に示すように、導体パターン３４に
おける外部側接続端子３８が形成される部分を、他の部
分に対して支持基板３２側に凹むように形成するととも
に、ベース側開口部４４および支持基板側開口部４３
を、金属めっき層４５が形成される部分よりも大きく開
口形成するようにして、外部側接続端子３８を形成して
もよく、そのようにして形成される外部側接続端子３８
において、図１２（ｂ）に示すように、カバー側開口部
４２およびベース側開口部４４の端縁部と導体パターン
３４とが交差する交差部分４８における導体パターン３
４に、幅広部４９が形成されるようにしてもよい。
【００７９】すなわち、このような回路付サスペンショ
ン基板３１は、例えば、図１６（ａ）に示すように、予
め用意された支持基板３２上に、上記と同様にして、感
光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜３３ｐを形成した後、
図１６（ｂ）に示すように、皮膜３３ｐを露光する工程
において、照射光を全く透過しないフォトマスク４０と
は別に、照射光を半透過（平均透過率１〜９９％の範
囲）するフォトマスク５２を、皮膜３３ｐにおける外部
側接続端子３８が形成される部分に対向配置して、その
フォトマスク５２を介して皮膜３３ｐを露光させて、皮
膜３３ｐにおける外部側接続端子３８が形成される部分
を、他の部分に対してより少ない露光量で露光させ、次
いで、図１６（ｃ）および（ｄ）に示すように、上記と
同様に、現像および硬化させることにより、外部側接続
端子３８が形成される部分が他の部分よりも厚さの薄い
ベース層３３を形成する。
ン基板３１は、例えば、図１６（ａ）に示すように、予
め用意された支持基板３２上に、上記と同様にして、感
光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜３３ｐを形成した後、
図１６（ｂ）に示すように、皮膜３３ｐを露光する工程
において、照射光を全く透過しないフォトマスク４０と
は別に、照射光を半透過（平均透過率１〜９９％の範
囲）するフォトマスク５２を、皮膜３３ｐにおける外部
側接続端子３８が形成される部分に対向配置して、その
フォトマスク５２を介して皮膜３３ｐを露光させて、皮
膜３３ｐにおける外部側接続端子３８が形成される部分
を、他の部分に対してより少ない露光量で露光させ、次
いで、図１６（ｃ）および（ｄ）に示すように、上記と
同様に、現像および硬化させることにより、外部側接続
端子３８が形成される部分が他の部分よりも厚さの薄い
ベース層３３を形成する。
【００８０】なお、このようなフォトマスク５２は、例
えば、フォトマスク５２における半透過部分の表面を微
細に荒らすことにより、その表面での乱反射成分を増加
させて、その部分における透過光成分を減少させるよう
に構成するか、あるいは、例えば、フォトマスク５２に
おける半透過部分の表面に、照射光を吸収するフィルム
を貼着して、その半透過部分における透過光成分を減少
させるように構成するか、あるいは、例えば、フォトマ
スク５２における半透過部分の表面に、光透過部分およ
び遮光部分のパターンを形成して、その部分における透
過光成分を減少させるように構成すればよい。
えば、フォトマスク５２における半透過部分の表面を微
細に荒らすことにより、その表面での乱反射成分を増加
させて、その部分における透過光成分を減少させるよう
に構成するか、あるいは、例えば、フォトマスク５２に
おける半透過部分の表面に、照射光を吸収するフィルム
を貼着して、その半透過部分における透過光成分を減少
させるように構成するか、あるいは、例えば、フォトマ
スク５２における半透過部分の表面に、光透過部分およ
び遮光部分のパターンを形成して、その部分における透
過光成分を減少させるように構成すればよい。
【００８１】さらに、例えば、金属薄膜の遮光パターン
が形成されているフォトマスク５２において、半透過部
分の表面に、その金属薄膜よりも厚みの薄い金属薄膜を
形成して、その半透過部分における透過光成分を減少さ
せるように構成してもよい。すなわち、このようなフォ
トマスク５２は、例えば、半透過部分には、金属薄膜が
形成されていないフォトマスク５２（従来のフォトマス
ク）を形成し、次いで、その半透過部分のみが露出する
ように、そのフォトマスク５２の上にレジストを形成し
て、上記の金属薄膜より厚みが薄いクロムなどの金属薄
膜を蒸着またはめっきにより形成し、その後、レジスト
を剥離することにより形成することができる。
が形成されているフォトマスク５２において、半透過部
分の表面に、その金属薄膜よりも厚みの薄い金属薄膜を
形成して、その半透過部分における透過光成分を減少さ
せるように構成してもよい。すなわち、このようなフォ
トマスク５２は、例えば、半透過部分には、金属薄膜が
形成されていないフォトマスク５２（従来のフォトマス
ク）を形成し、次いで、その半透過部分のみが露出する
ように、そのフォトマスク５２の上にレジストを形成し
て、上記の金属薄膜より厚みが薄いクロムなどの金属薄
膜を蒸着またはめっきにより形成し、その後、レジスト
を剥離することにより形成することができる。
【００８２】これらのうちでは、例えば、図１７に示す
ように、フォトマスク５２における半透過部分５３の表
面に、光透過部分および遮光部分のパターンを形成する
ことが好ましい。すなわち、このようなフォトマスク５
２は、例えば、厚さ２〜５ｍｍの石英ガラスやソーダガ
ラスなどの板状のガラスからなり、そのガラスにおける
半透過部分５３に、透過率がその他の部分の透過率より
も低減するような金属薄膜のパターンが、例えば、ま
ず、ガラスの全面にクロムなどの金属薄膜を蒸着または
めっきした後、その金属薄膜をレーザーや電子ビームな
どを用いてパターン化することにより形成されている。
より具体的には、このような半透過部分５３のパターン
は、好ましくは、６μｍ以下のピッチ（各光透過部分お
よび各遮光部分の幅）において、その平均透過率が８０
％以下、さらには、５０％以下の繰り返しパターンとし
て形成されることが好ましく、図１７（ａ）に示すよう
に、縞状のパターンで平均透過率が約５０％のもの、図
１７（ｂ）に示すように、格子状のパターンで平均透過
率が約２５％のもの、図１７（ｃ）に示すように、円形
千鳥状のパターンで平均透過率が約２５％のもの、図１
７（ｄ）に示すように、円形千鳥状で平均透過率が約７
０％のものなどが用いられる。
ように、フォトマスク５２における半透過部分５３の表
面に、光透過部分および遮光部分のパターンを形成する
ことが好ましい。すなわち、このようなフォトマスク５
２は、例えば、厚さ２〜５ｍｍの石英ガラスやソーダガ
ラスなどの板状のガラスからなり、そのガラスにおける
半透過部分５３に、透過率がその他の部分の透過率より
も低減するような金属薄膜のパターンが、例えば、ま
ず、ガラスの全面にクロムなどの金属薄膜を蒸着または
めっきした後、その金属薄膜をレーザーや電子ビームな
どを用いてパターン化することにより形成されている。
より具体的には、このような半透過部分５３のパターン
は、好ましくは、６μｍ以下のピッチ（各光透過部分お
よび各遮光部分の幅）において、その平均透過率が８０
％以下、さらには、５０％以下の繰り返しパターンとし
て形成されることが好ましく、図１７（ａ）に示すよう
に、縞状のパターンで平均透過率が約５０％のもの、図
１７（ｂ）に示すように、格子状のパターンで平均透過
率が約２５％のもの、図１７（ｃ）に示すように、円形
千鳥状のパターンで平均透過率が約２５％のもの、図１
７（ｄ）に示すように、円形千鳥状で平均透過率が約７
０％のものなどが用いられる。
【００８３】なお、上記においては、ネガ型でパターン
ニングしているが、例えば、ポジ型でパターンニングす
るには、フォトマスク５２を、半透過部分の照射光の透
過率を、その他の部分の照射光の透過率よりも増加させ
るように構成すればよい。
ニングしているが、例えば、ポジ型でパターンニングす
るには、フォトマスク５２を、半透過部分の照射光の透
過率を、その他の部分の照射光の透過率よりも増加させ
るように構成すればよい。
【００８４】このようにして形成されるベース層３３の
厚さは、例えば、２〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０
μｍであり、通常、１０μｍ程度である。そして、ベー
ス層３３における外部側接続端子３８が形成される部分
の厚さは、通常、その他の部分の厚みの８０％以下であ
り、例えば、８μｍ以下、さらには、５μｍ以下である
ことが好ましい。厚さが８μｍ以下であると、上記した
ように、他の部分の厚さが、通常１０μｍである場合に
は、２μｍ分について、後の工程において、開口に要す
る時間の短縮を図ることができる。
厚さは、例えば、２〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０
μｍであり、通常、１０μｍ程度である。そして、ベー
ス層３３における外部側接続端子３８が形成される部分
の厚さは、通常、その他の部分の厚みの８０％以下であ
り、例えば、８μｍ以下、さらには、５μｍ以下である
ことが好ましい。厚さが８μｍ以下であると、上記した
ように、他の部分の厚さが、通常１０μｍである場合に
は、２μｍ分について、後の工程において、開口に要す
る時間の短縮を図ることができる。
【００８５】なお、ベース層３３における外部側接続端
子３８が形成される部分の厚さの下限は、支持基板３２
を開口する時に導体パターン３４のバリヤ層として作用
し得る最低限の厚さでよく、例えば、３μｍ、さらに
は、１μｍ程度でよい。したがって、ベース層３３にお
ける外部側接続端子３８が形成される部分の厚さは、例
えば、０．１〜８μｍ、さらには、１．０〜５μｍであ
ることが好ましい。
子３８が形成される部分の厚さの下限は、支持基板３２
を開口する時に導体パターン３４のバリヤ層として作用
し得る最低限の厚さでよく、例えば、３μｍ、さらに
は、１μｍ程度でよい。したがって、ベース層３３にお
ける外部側接続端子３８が形成される部分の厚さは、例
えば、０．１〜８μｍ、さらには、１．０〜５μｍであ
ることが好ましい。
【００８６】次いで、図１６（ｅ）に示すように、この
ベース層３３の上に、上記と同様に、所定の配線回路パ
ターンとして導体パターン３４を形成すれば、導体パタ
ーン３４は、ベース層３３における外部側接続端子３８
が形成される部分が、ベース層３３における他の部分よ
りも薄く形成されていることから、その上に形成される
部分、すなわち、後の工程において金属めっき層４５が
形成される部分が、導体パターン３４における他の部分
に対して、支持基板３２側にその薄くなった厚さ分凹む
ように形成される。なお、このような導体パターン３４
の形成においては、幅広部４９を配線回路パターンのパ
ターンニングとともに形成する。
ベース層３３の上に、上記と同様に、所定の配線回路パ
ターンとして導体パターン３４を形成すれば、導体パタ
ーン３４は、ベース層３３における外部側接続端子３８
が形成される部分が、ベース層３３における他の部分よ
りも薄く形成されていることから、その上に形成される
部分、すなわち、後の工程において金属めっき層４５が
形成される部分が、導体パターン３４における他の部分
に対して、支持基板３２側にその薄くなった厚さ分凹む
ように形成される。なお、このような導体パターン３４
の形成においては、幅広部４９を配線回路パターンのパ
ターンニングとともに形成する。
【００８７】次いで、図１６（ｆ）〜（ｉ）に示すよう
に、上記と同様に、導体パターン３４を、カバー層３５
により被覆するとともに、外部側接続端子３８が形成さ
れる部分であって、幅広部４９の最長部分が交差部分４
８に配置されるようにカバー側開口部４２を形成した
後、図１６（ｊ）に示すように、支持基板側開口部４３
を、支持基板３２におけるカバー側開口部４２に対向す
る部分よりも大きくなるように形成するとともに、図１
６（ｋ）に示すように、支持基板側開口部４３内におい
て露出しているベース層３３に、幅広部４９の最長部分
が交差部分４８に配置されるようにベース側開口部４４
を形成する。その後、図１６（ｉ）に示すように、それ
らカバー側開口部４２内と、ベース側開口部４４内およ
び支持基板側開口部４３内とにおいて露出する導体パタ
ーン３４の両面に金属めっき層４５を形成する。このよ
うにして形成された金属めっき層４５は、その金属めっ
き層４５の周端縁と、ベース側開口部４４および支持基
板側開口部４３の周端縁との間に、所定の間隔が隔てら
れる。
に、上記と同様に、導体パターン３４を、カバー層３５
により被覆するとともに、外部側接続端子３８が形成さ
れる部分であって、幅広部４９の最長部分が交差部分４
８に配置されるようにカバー側開口部４２を形成した
後、図１６（ｊ）に示すように、支持基板側開口部４３
を、支持基板３２におけるカバー側開口部４２に対向す
る部分よりも大きくなるように形成するとともに、図１
６（ｋ）に示すように、支持基板側開口部４３内におい
て露出しているベース層３３に、幅広部４９の最長部分
が交差部分４８に配置されるようにベース側開口部４４
を形成する。その後、図１６（ｉ）に示すように、それ
らカバー側開口部４２内と、ベース側開口部４４内およ
び支持基板側開口部４３内とにおいて露出する導体パタ
ーン３４の両面に金属めっき層４５を形成する。このよ
うにして形成された金属めっき層４５は、その金属めっ
き層４５の周端縁と、ベース側開口部４４および支持基
板側開口部４３の周端縁との間に、所定の間隔が隔てら
れる。
【００８８】このような方法により回路付サスペンショ
ン基板３１を製造すると、ベース層３３を形成する工程
において、導体パターン３４を露出させるためのベース
側開口部４４の厚さをベース層３３における他の部分の
厚さよりも薄く形成するので、外部側接続端子３８を形
成する工程において、図１６（ｋ）に示すように、ベー
ス層３３をエッチングする時には、他の部分の厚さより
も薄くなっている分、導体パターン３４を露出させるた
めのエッチング時間を短縮することができる。そのた
め、導体パターン３４を短時間で露出させることがで
き、外部側接続端子３８を、両面が露出するフライング
リードとして効率よく形成することができる。
ン基板３１を製造すると、ベース層３３を形成する工程
において、導体パターン３４を露出させるためのベース
側開口部４４の厚さをベース層３３における他の部分の
厚さよりも薄く形成するので、外部側接続端子３８を形
成する工程において、図１６（ｋ）に示すように、ベー
ス層３３をエッチングする時には、他の部分の厚さより
も薄くなっている分、導体パターン３４を露出させるた
めのエッチング時間を短縮することができる。そのた
め、導体パターン３４を短時間で露出させることがで
き、外部側接続端子３８を、両面が露出するフライング
リードとして効率よく形成することができる。
【００８９】また、このように形成すれば、ベース側開
口部４４および支持基板側開口部４３が、導体パターン
３４の露出部分よりも大きく開口形成されているので、
金属めっき層４５の周端縁と、ベース側開口部４４およ
び支持基板側開口部４３の周端縁との間には、所定の間
隔が設けられる。そのため、例えば、接続信頼性を向上
させるべく金属めっき層４５を厚く形成しても、金属め
っき層４５と支持基板３２とが接触することがなく、金
属めっき層４５と支持基板３２との間の接触による短絡
を確実に防止することができる。そのため、回路付サス
ペンション基板３２の接続信頼性および耐電圧特性の向
上を図ることができる。
口部４４および支持基板側開口部４３が、導体パターン
３４の露出部分よりも大きく開口形成されているので、
金属めっき層４５の周端縁と、ベース側開口部４４およ
び支持基板側開口部４３の周端縁との間には、所定の間
隔が設けられる。そのため、例えば、接続信頼性を向上
させるべく金属めっき層４５を厚く形成しても、金属め
っき層４５と支持基板３２とが接触することがなく、金
属めっき層４５と支持基板３２との間の接触による短絡
を確実に防止することができる。そのため、回路付サス
ペンション基板３２の接続信頼性および耐電圧特性の向
上を図ることができる。
【００９０】なお、この回路付サスペンション基板３１
においては、金属めっき層４５の周端縁と支持基板側開
口部４３の周端縁との間の間隔を、少なくとも１μｍ以
上、好ましくは、２〜１００μｍ程度として形成するこ
とが好ましい。
においては、金属めっき層４５の周端縁と支持基板側開
口部４３の周端縁との間の間隔を、少なくとも１μｍ以
上、好ましくは、２〜１００μｍ程度として形成するこ
とが好ましい。
【００９１】また、このように形成すれば、導体パター
ン３４における金属めっき層４５が形成される部分が、
支持基板３２側に凹むように形成されるので、支持基板
３２の表面から金属めっき層４５の表面までの距離が、
他の部分に対して凹んだ分だけ短くなり、金属めっき層
４５が、その分、支持基板３２の外側よりに配置され
る。そのため、例えば、リード・ライト基板３９のリー
ドライト端子５４との接続において、金属めっき層４５
にリードライト端子５４を重ね合わせて、ボンディング
ツールにより超音波振動を加えて接続するような場合に
おいては、良好な圧着性を確保することができ、接続信
頼性をより一層向上させることができる。
ン３４における金属めっき層４５が形成される部分が、
支持基板３２側に凹むように形成されるので、支持基板
３２の表面から金属めっき層４５の表面までの距離が、
他の部分に対して凹んだ分だけ短くなり、金属めっき層
４５が、その分、支持基板３２の外側よりに配置され
る。そのため、例えば、リード・ライト基板３９のリー
ドライト端子５４との接続において、金属めっき層４５
にリードライト端子５４を重ね合わせて、ボンディング
ツールにより超音波振動を加えて接続するような場合に
おいては、良好な圧着性を確保することができ、接続信
頼性をより一層向上させることができる。
【００９２】なお、この回路付サスペンション基板３１
においては、金属めっき層４５の表面と、ベース層３３
および支持基板３２の界面との間の厚さ方向における間
隔が、±６μｍ、さらには、±２μｍとなるように形成
することが好ましい。
においては、金属めっき層４５の表面と、ベース層３３
および支持基板３２の界面との間の厚さ方向における間
隔が、±６μｍ、さらには、±２μｍとなるように形成
することが好ましい。
【００９３】また、この回路付サスペンション基板３１
においては、図１８に示すように、このようなフライン
グリードとして形成される外部側接続端子３８におい
て、カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端
縁部と導体パターン３４とが交差する交差部分４８にお
けるカバー層３５に、上記と同様に、カバー側開口部４
２の端縁部からカバー側開口部４２内の導体パターン３
４の上に突出する補強部としてのカバー側突出部５０を
形成するとともに、交差部分４８におけるベース層３３
にも、ベース側開口部４４の端縁部からベース側開口部
４４内の導体パターン３４の上に突出する補強部として
のベース側突出部５１を形成してもよい。
においては、図１８に示すように、このようなフライン
グリードとして形成される外部側接続端子３８におい
て、カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端
縁部と導体パターン３４とが交差する交差部分４８にお
けるカバー層３５に、上記と同様に、カバー側開口部４
２の端縁部からカバー側開口部４２内の導体パターン３
４の上に突出する補強部としてのカバー側突出部５０を
形成するとともに、交差部分４８におけるベース層３３
にも、ベース側開口部４４の端縁部からベース側開口部
４４内の導体パターン３４の上に突出する補強部として
のベース側突出部５１を形成してもよい。
【００９４】より具体的には、これらカバー側突出部５
０およびベース側突出部５１は、図１８（ｂ）に示すよ
うに、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄにお
ける長手方向に沿って所定の間隔を隔てて交差部分４８
に対向する位置にそれぞれ（２つ）形成され、各配線３
４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄが延びる方向に沿っ
てカバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端縁
部から内側にそれぞれ突出する凸状に形成されている。
各カバー側突出部５０および各ベース側突出部５１は、
各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄに重なり、
カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の内側に
向かって、次第にその重なりが少なくなるような先細状
（平面視略三角形状）に形成されており、これによっ
て、外部側接続端子３８は、各配線３４ａ、３４ｂ、３
４ｃおよび３４ｄがカバー側開口部４２内およびベース
側開口部４４内の両側端部において、各カバー側突出部
５０および各ベース側突出部５１によって被覆されるよ
うな形状に形成される。
０およびベース側突出部５１は、図１８（ｂ）に示すよ
うに、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄにお
ける長手方向に沿って所定の間隔を隔てて交差部分４８
に対向する位置にそれぞれ（２つ）形成され、各配線３
４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄが延びる方向に沿っ
てカバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端縁
部から内側にそれぞれ突出する凸状に形成されている。
各カバー側突出部５０および各ベース側突出部５１は、
各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄに重なり、
カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の内側に
向かって、次第にその重なりが少なくなるような先細状
（平面視略三角形状）に形成されており、これによっ
て、外部側接続端子３８は、各配線３４ａ、３４ｂ、３
４ｃおよび３４ｄがカバー側開口部４２内およびベース
側開口部４４内の両側端部において、各カバー側突出部
５０および各ベース側突出部５１によって被覆されるよ
うな形状に形成される。
【００９５】なお、各カバー側突出部５０および各ベー
ス側突出部５１における突出長さや基幅は、上記した配
線回路基板１１のカバー側突出部２５およびベース側突
出部２６と同様でよく、また、その形状も、各配線３４
ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄが延びる長手方向に重
なって突出するような形状であれば、図１８（ｂ）に示
すような形状に限定されることはなく、例えば、各配線
３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄのライン幅よりも
やや広い基幅で、その内側に向かって先細状に突出形成
されていてもよく、さらには、略三角形状に形成しなく
ても、例えば、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３
４ｄが延びる長手方向に重なる矩形状に形成してもよ
い。
ス側突出部５１における突出長さや基幅は、上記した配
線回路基板１１のカバー側突出部２５およびベース側突
出部２６と同様でよく、また、その形状も、各配線３４
ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄが延びる長手方向に重
なって突出するような形状であれば、図１８（ｂ）に示
すような形状に限定されることはなく、例えば、各配線
３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄのライン幅よりも
やや広い基幅で、その内側に向かって先細状に突出形成
されていてもよく、さらには、略三角形状に形成しなく
ても、例えば、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３
４ｄが延びる長手方向に重なる矩形状に形成してもよ
い。
【００９６】なお、図１８に示す回路付サスペンション
基板３１では、カバー側開口部４２の開口面積に対し
て、ベース側開口部４４の開口面積が広く形成されてい
るため、図１８（ａ）に示すように、カバー側突出部５
０に対してベース側突出部５１が、その分、突出長さが
長くなるように形成される。
基板３１では、カバー側開口部４２の開口面積に対し
て、ベース側開口部４４の開口面積が広く形成されてい
るため、図１８（ａ）に示すように、カバー側突出部５
０に対してベース側突出部５１が、その分、突出長さが
長くなるように形成される。
【００９７】そして、このようなカバー側突出部５０お
よびベース側突出部５１を有する外部側接続端子３８
は、図１６（ｇ）〜（ｉ）に示す工程において、カバー
側突出部５０が形成されるようにカバー層３５を開口し
てカバー側開口部４２を形成するとともに、図１６
（ｋ）に示す工程において、ベース側突出部５０が形成
されるようにベース層３３を開口してベース側開口部４
４を形成した後、図１６（ｌ）に示す工程において、そ
れらカバー側開口部４２内およびベース側開口部４４内
において露出する導体パターン３４の両面に金属めっき
層４５を形成することにより、形成すればよい。
よびベース側突出部５１を有する外部側接続端子３８
は、図１６（ｇ）〜（ｉ）に示す工程において、カバー
側突出部５０が形成されるようにカバー層３５を開口し
てカバー側開口部４２を形成するとともに、図１６
（ｋ）に示す工程において、ベース側突出部５０が形成
されるようにベース層３３を開口してベース側開口部４
４を形成した後、図１６（ｌ）に示す工程において、そ
れらカバー側開口部４２内およびベース側開口部４４内
において露出する導体パターン３４の両面に金属めっき
層４５を形成することにより、形成すればよい。
【００９８】なお、この回路付サスペンション基板３１
においても、上記と同様に、必ずしも、各カバー側突出
部５０および各ベース側突出部５１の両方を形成せずと
も、例えば、図１９に示すように、カバー側突出部５０
のみを形成してもよく、また、例えば、図２０に示すよ
うに、ベース側突出部５１のみを形成してもよい。
においても、上記と同様に、必ずしも、各カバー側突出
部５０および各ベース側突出部５１の両方を形成せずと
も、例えば、図１９に示すように、カバー側突出部５０
のみを形成してもよく、また、例えば、図２０に示すよ
うに、ベース側突出部５１のみを形成してもよい。
【００９９】さらには、図示しないが、上記したよう
に、導体パターン３４に幅広部４９を形成するととも
に、カバー層３５にはカバー側突出部５０を、および／
または、ベース層３３にはベース側突出部５１を形成し
てもよい。
に、導体パターン３４に幅広部４９を形成するととも
に、カバー層３５にはカバー側突出部５０を、および／
または、ベース層３３にはベース側突出部５１を形成し
てもよい。
【０１００】なお、以上の説明においては、外部側接続
端子３８をフライングリードとして形成する場合につい
て説明したが、この回路付サスペンション基板３１にお
いては、磁気ヘッド側接続端子３７も、外部側接続端子
３８と同様のフライングリードとして形成されている。
端子３８をフライングリードとして形成する場合につい
て説明したが、この回路付サスペンション基板３１にお
いては、磁気ヘッド側接続端子３７も、外部側接続端子
３８と同様のフライングリードとして形成されている。
【０１０１】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されること
はない。
に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されること
はない。
【０１０２】実施例１
厚さ２０μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４ Ｈ−Ｔ
Ａ）の上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を、乾
燥後の厚さが２４μｍとなるように塗布した後、１３０
℃で乾燥することにより、感光性ポリイミド樹脂前駆体
の皮膜を形成した（図１６（ａ）参照）。次いで、皮膜
を、フォトマスクを介して露光（４０５ｎｍ、１５００
ｍＪ／ｃｍ２）させ（図１６（ｂ）参照）、露光部分を
１８０℃に加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像す
ることにより、その皮膜をネガ型の画像でパターン化し
た（図１６（ｃ）参照）。次いで、パターン化された感
光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を、３５０℃で加熱し
て、硬化（イミド化）させ、これによって、厚さ１０μ
ｍのポリイミド樹脂からなるベース層を所定のパターン
で形成した（図１６（ｄ）参照）。
Ａ）の上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を、乾
燥後の厚さが２４μｍとなるように塗布した後、１３０
℃で乾燥することにより、感光性ポリイミド樹脂前駆体
の皮膜を形成した（図１６（ａ）参照）。次いで、皮膜
を、フォトマスクを介して露光（４０５ｎｍ、１５００
ｍＪ／ｃｍ２）させ（図１６（ｂ）参照）、露光部分を
１８０℃に加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像す
ることにより、その皮膜をネガ型の画像でパターン化し
た（図１６（ｃ）参照）。次いで、パターン化された感
光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を、３５０℃で加熱し
て、硬化（イミド化）させ、これによって、厚さ１０μ
ｍのポリイミド樹脂からなるベース層を所定のパターン
で形成した（図１６（ｄ）参照）。
【０１０３】また、このベース層の形成においては、露
光する時に、光透過部分および遮光部分が、６μｍ以下
のピッチで金属薄膜の格子状の繰り返しパターンとして
形成されているフォトマスク（図１７（ｂ）に示す、平
均透過率が約２５％フォトマスク５２に相当する。）
を、皮膜において、後の工程において開口され、外部側
接続端子が形成される部分の上に配置して、このフォト
マスクを介して皮膜を露光させて、皮膜における外部側
接続端子が形成される部分の露光量が、他の部分の露光
量よりも低減するように露光させた（図１６（ｂ）参
照）。そのため、これを現像および硬化させた後におい
ては、ベース層における他の部分の厚さが１０μｍであ
るところ、その外部側接続端子が形成される部分の厚さ
を２μｍとして形成することができた（図１６（ｄ）参
照）。
光する時に、光透過部分および遮光部分が、６μｍ以下
のピッチで金属薄膜の格子状の繰り返しパターンとして
形成されているフォトマスク（図１７（ｂ）に示す、平
均透過率が約２５％フォトマスク５２に相当する。）
を、皮膜において、後の工程において開口され、外部側
接続端子が形成される部分の上に配置して、このフォト
マスクを介して皮膜を露光させて、皮膜における外部側
接続端子が形成される部分の露光量が、他の部分の露光
量よりも低減するように露光させた（図１６（ｂ）参
照）。そのため、これを現像および硬化させた後におい
ては、ベース層における他の部分の厚さが１０μｍであ
るところ、その外部側接続端子が形成される部分の厚さ
を２μｍとして形成することができた（図１６（ｄ）参
照）。
【０１０４】次いで、ステンレス箔およびベース層の全
面に、下地として、厚さ３００Åのクロム薄膜と厚さ７
００Åの銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって順次形成し
た後、所定の配線パターンと逆パターンのめっきレジス
トを、ドライフィルムレジストを用いて形成し、そし
て、電解銅めっきにより、ベース層におけるめっきレジ
ストが形成されていない部分に、所定の配線パターンの
導体パターンを、セミアディティブ法により形成した
（図１６（ｅ）参照）。このようにして形成された導体
パターンは、ベース層における外部側接続端子が形成さ
れる部分が、ベース層における他の部分よりも薄く形成
されているので、導体パターンにおける外部側接続端子
が形成される部分が、導体パターンにおける他の部分に
対して、ステンレス箔側に、厚さ方向において約８μｍ
凹むようにして形成された。なお、この導体パターンの
厚さは１０μｍで、そのパターンを、各配線の幅１１０
μｍ、各配線間の間隔が２００μｍの、互いに所定の間
隔を隔てて平行状に配置される４本の配線パターンとし
て形成した。
面に、下地として、厚さ３００Åのクロム薄膜と厚さ７
００Åの銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって順次形成し
た後、所定の配線パターンと逆パターンのめっきレジス
トを、ドライフィルムレジストを用いて形成し、そし
て、電解銅めっきにより、ベース層におけるめっきレジ
ストが形成されていない部分に、所定の配線パターンの
導体パターンを、セミアディティブ法により形成した
（図１６（ｅ）参照）。このようにして形成された導体
パターンは、ベース層における外部側接続端子が形成さ
れる部分が、ベース層における他の部分よりも薄く形成
されているので、導体パターンにおける外部側接続端子
が形成される部分が、導体パターンにおける他の部分に
対して、ステンレス箔側に、厚さ方向において約８μｍ
凹むようにして形成された。なお、この導体パターンの
厚さは１０μｍで、そのパターンを、各配線の幅１１０
μｍ、各配線間の間隔が２００μｍの、互いに所定の間
隔を隔てて平行状に配置される４本の配線パターンとし
て形成した。
【０１０５】さらに、各配線には、次に開口形成するカ
バー開口部およびベース側開口部の端縁部との交差部分
（各配線について２箇所）において、各配線が延びる方
向と実質的に直交する幅方向に広がる略円形の幅広部
（図１５（ｂ）参照）を、幅方向の最長部分の長さ２３
０μｍで、長手方向の長さ１００μｍで形成した。
バー開口部およびベース側開口部の端縁部との交差部分
（各配線について２箇所）において、各配線が延びる方
向と実質的に直交する幅方向に広がる略円形の幅広部
（図１５（ｂ）参照）を、幅方向の最長部分の長さ２３
０μｍで、長手方向の長さ１００μｍで形成した。
【０１０６】その後、めっきレジストを、化学エッチン
グによって除去した後、めっきレジストが形成されてい
たクロム薄膜および銅薄膜を、化学エッチングにより除
去した。
グによって除去した後、めっきレジストが形成されてい
たクロム薄膜および銅薄膜を、化学エッチングにより除
去した。
【０１０７】次いで、導体パターンの表面、および、ス
テンレス箔の表面に、無電解ニッケルめっきによって、
厚さ０．１μｍの硬質のニッケル薄膜を形成した後、ニ
ッケル薄膜およびベース層の上に、感光性ポリイミド樹
脂前駆体の溶液を塗布した後、１３０℃で加熱すること
により、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を形成した
（図１６（ｆ）参照）。次いで、皮膜をフォトマスクを
介して露光（４０５ｎｍ、１５００ｍＪ／ｃｍ２）させ
（図１６（ｇ）参照）、露光部分を１８０℃に加熱した
後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、この
皮膜によって導体層が被覆されるようにパターン化した
（図１６（ｈ）参照）。次いで、パターン化された感光
性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を、３５０℃で加熱し
て、硬化（イミド化）させ、これによって、厚さ３μｍ
のポリイミド樹脂からなるカバー層を、導体層の上に形
成した（図１６（ｉ）参照）。
テンレス箔の表面に、無電解ニッケルめっきによって、
厚さ０．１μｍの硬質のニッケル薄膜を形成した後、ニ
ッケル薄膜およびベース層の上に、感光性ポリイミド樹
脂前駆体の溶液を塗布した後、１３０℃で加熱すること
により、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を形成した
（図１６（ｆ）参照）。次いで、皮膜をフォトマスクを
介して露光（４０５ｎｍ、１５００ｍＪ／ｃｍ２）させ
（図１６（ｇ）参照）、露光部分を１８０℃に加熱した
後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、この
皮膜によって導体層が被覆されるようにパターン化した
（図１６（ｈ）参照）。次いで、パターン化された感光
性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を、３５０℃で加熱し
て、硬化（イミド化）させ、これによって、厚さ３μｍ
のポリイミド樹脂からなるカバー層を、導体層の上に形
成した（図１６（ｉ）参照）。
【０１０８】なお、このカバー層の形成においては、パ
ターン化する時に、導体パターンにおける外部側接続端
子が形成される部分のニッケル薄膜が露出するようにカ
バー側開口部を形成した。
ターン化する時に、導体パターンにおける外部側接続端
子が形成される部分のニッケル薄膜が露出するようにカ
バー側開口部を形成した。
【０１０９】次いで、外部側接続端子を、両面が露出す
る状態で形成した。すなわち、まず、ステンレス箔にお
けるカバー側開口部に対向する部分に、ベース層が露出
するように、そのカバー側開口部よりも大きな支持基板
側開口部を形成した（図１６（ｊ）参照）。この支持基
板側開口部は、ステンレス箔における支持基板側開口部
を形成する部分以外をすべてマスキングした後に、化学
エッチングすることにより形成した。なお、この支持基
板側開口部の形成と同時に、化学エッチングによりジン
バルを所定の形状に切り抜いた。
る状態で形成した。すなわち、まず、ステンレス箔にお
けるカバー側開口部に対向する部分に、ベース層が露出
するように、そのカバー側開口部よりも大きな支持基板
側開口部を形成した（図１６（ｊ）参照）。この支持基
板側開口部は、ステンレス箔における支持基板側開口部
を形成する部分以外をすべてマスキングした後に、化学
エッチングすることにより形成した。なお、この支持基
板側開口部の形成と同時に、化学エッチングによりジン
バルを所定の形状に切り抜いた。
【０１１０】次いで、カバー側開口部内に露出している
ニッケル薄膜を剥離するとともに、ステンレス箔の上に
形成されているニッケル薄膜を剥離した。
ニッケル薄膜を剥離するとともに、ステンレス箔の上に
形成されているニッケル薄膜を剥離した。
【０１１１】そして、ステンレス箔の支持基板側開口部
内において露出しているベース層を開口して、導体パタ
ーンの裏面に形成される下地が露出するようにベース側
開口部を形成した（図１６（ｋ）参照）。このベース側
開口部は、プラズマエッチングにより形成した。プラズ
マエッチングでは、ステンレス箔をマスクとして、その
ステンレス箔の支持基板側開口部に露出するベース層全
体を、封入ガスとして、ＣＦ４とＯ２との混合ガス（Ｃ
Ｆ４／Ｏ２＝２０／８０）を用い、ガス圧（真空度）２
５Ｐａ、周波数１３．５ＭＨｚ、処理電力２５００Ｗの
条件下において、約２分間処理した。
内において露出しているベース層を開口して、導体パタ
ーンの裏面に形成される下地が露出するようにベース側
開口部を形成した（図１６（ｋ）参照）。このベース側
開口部は、プラズマエッチングにより形成した。プラズ
マエッチングでは、ステンレス箔をマスクとして、その
ステンレス箔の支持基板側開口部に露出するベース層全
体を、封入ガスとして、ＣＦ４とＯ２との混合ガス（Ｃ
Ｆ４／Ｏ２＝２０／８０）を用い、ガス圧（真空度）２
５Ｐａ、周波数１３．５ＭＨｚ、処理電力２５００Ｗの
条件下において、約２分間処理した。
【０１１２】このようにして形成されるベース側開口部
は、支持基板側開口部と同じ大きさおよび形で形成さ
れ、ベース側開口部に露出する下地の周端縁と、ベース
側開口部および支持基板側開口部の周端縁との間には、
約５０μｍの間隔が設けられた。
は、支持基板側開口部と同じ大きさおよび形で形成さ
れ、ベース側開口部に露出する下地の周端縁と、ベース
側開口部および支持基板側開口部の周端縁との間には、
約５０μｍの間隔が設けられた。
【０１１３】その後、ベース側開口部に露出する下地を
剥離することによって、導体パターンの裏面を露出させ
た。次いで、このように露出している導体パターンの両
面に、金属めっき層を、電解ニッケルめっきと電解金め
っきとを順次行なって、厚さ２μｍのニッケルめっき層
および厚さ１μｍの金めっき層を形成することによって
形成した（図１６（ｌ）参照）。
剥離することによって、導体パターンの裏面を露出させ
た。次いで、このように露出している導体パターンの両
面に、金属めっき層を、電解ニッケルめっきと電解金め
っきとを順次行なって、厚さ２μｍのニッケルめっき層
および厚さ１μｍの金めっき層を形成することによって
形成した（図１６（ｌ）参照）。
【０１１４】このようにして形成された裏面側の金属め
っき層は、その表面が、ベース層とステンレス箔との界
面に対して、厚さ方向で、±２μｍで形成され、かつ、
その金属めっき層の周端縁と、ベース側開口部および支
持基板側開口部の周端縁との間に、４７μｍの間隔が隔
てられるように形成された。
っき層は、その表面が、ベース層とステンレス箔との界
面に対して、厚さ方向で、±２μｍで形成され、かつ、
その金属めっき層の周端縁と、ベース側開口部および支
持基板側開口部の周端縁との間に、４７μｍの間隔が隔
てられるように形成された。
【０１１５】これによって、各配線に幅広部が形成され
る導体パターンのフライングリードとして、外部側接続
端子が形成されている回路付サスペンション基板を得た
（図１５参照）。
る導体パターンのフライングリードとして、外部側接続
端子が形成されている回路付サスペンション基板を得た
（図１５参照）。
【０１１６】実施例２
導体パターンの各配線に幅広部を形成することに代え
て、ベース層を開口形成してベース側開口部を形成する
工程（図１６（ｋ）参照）において、各配線との交差部
分（各配線について２箇所）において、ベース層に、ベ
ース側開口部の端縁部からベース側開口部内の導体パタ
ーンの上に突出する平面視略三角形状のベース側突出部
を、基幅１１０μｍおよび突出長さ２００μｍで形成し
た以外は、実施例１と同様の操作により、各配線の露出
端部がベース側突出部によって被覆されている導体パタ
ーンのフライングリードとして、外部側接続端子が形成
されている回路付サスペンション基板を得た（図２０参
照）。
て、ベース層を開口形成してベース側開口部を形成する
工程（図１６（ｋ）参照）において、各配線との交差部
分（各配線について２箇所）において、ベース層に、ベ
ース側開口部の端縁部からベース側開口部内の導体パタ
ーンの上に突出する平面視略三角形状のベース側突出部
を、基幅１１０μｍおよび突出長さ２００μｍで形成し
た以外は、実施例１と同様の操作により、各配線の露出
端部がベース側突出部によって被覆されている導体パタ
ーンのフライングリードとして、外部側接続端子が形成
されている回路付サスペンション基板を得た（図２０参
照）。
【０１１７】比較例１
導体パターンの各配線に幅広部を形成しない以外は、実
施例１と同様の操作により、フライングリードとして外
部側接続端子が形成されている回路付サスペンション基
板を得た（図２１参照）。
施例１と同様の操作により、フライングリードとして外
部側接続端子が形成されている回路付サスペンション基
板を得た（図２１参照）。
【０１１８】評価
実施例１、２および比較例１で得られた回路付サスペン
ション基板の外部側接続端子を、金パッドからなる外部
端子に、ボンディングツールを用いて超音波振動を加え
て接続した後、ピール剥離試験を行ない、接続強度を測
定した。
ション基板の外部側接続端子を、金パッドからなる外部
端子に、ボンディングツールを用いて超音波振動を加え
て接続した後、ピール剥離試験を行ない、接続強度を測
定した。
【０１１９】その結果を、表１に示す。なお、実施例１
および２の回路付サスペンション基板については、導体
パターンの破壊は、いずれもカバー層およびベース層に
被覆されている部分で生じた。
および２の回路付サスペンション基板については、導体
パターンの破壊は、いずれもカバー層およびベース層に
被覆されている部分で生じた。
【０１２０】
【表１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の配線回路基
板によれば、開口部の端縁部と導体パターンとの交差部
分において、第１絶縁層、第２絶縁層および導体パター
ンの少なくともいずれかに、開口部の端縁部における導
体パターンを補強するための補強部が形成されているの
で、その開口部の端縁部における導体パターンの物理的
強度を補強することができる。そのため、たとえば、そ
の端子部と外部端子とをボンディングツールにより超音
波振動を加えて接続するような場合において、開口部の
端縁部において両面が露出する導体パターンに応力が集
中しても、その導体パターンの断線を有効に防止するこ
とができ、接続信頼性を向上させることができる。
板によれば、開口部の端縁部と導体パターンとの交差部
分において、第１絶縁層、第２絶縁層および導体パター
ンの少なくともいずれかに、開口部の端縁部における導
体パターンを補強するための補強部が形成されているの
で、その開口部の端縁部における導体パターンの物理的
強度を補強することができる。そのため、たとえば、そ
の端子部と外部端子とをボンディングツールにより超音
波振動を加えて接続するような場合において、開口部の
端縁部において両面が露出する導体パターンに応力が集
中しても、その導体パターンの断線を有効に防止するこ
とができ、接続信頼性を向上させることができる。
【０１２１】そのため、本発明の配線回路基板は、導体
パターンの両面が露出するいわゆるフライングリードと
して形成しても、接続信頼性が高く、回路付サスペンシ
ョン基板として好適に用いることができる。
パターンの両面が露出するいわゆるフライングリードと
して形成しても、接続信頼性が高く、回路付サスペンシ
ョン基板として好適に用いることができる。
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態（幅広部が
形成される態様）であって、（ａ）は、その端子部にお
ける要部断面図、（ｂ）は、その端子部における平面図
である。
形成される態様）であって、（ａ）は、その端子部にお
ける要部断面図、（ｂ）は、その端子部における平面図
である。
【図２】図１（ｂ）に示す平面図の拡大図である。
【図３】図１に示す配線回路基板の製造方法を示す工程
図であって、（ａ）は、ベース層の上に導体パターンを
形成する工程、（ｂ）は、導体パターンの上に、ベース
層を形成する工程、（ｃ）は、カバー層における端子部
が形成される部分にカバー側開口部を開口形成する工
程、（ｄ）は、ベース層における端子部が形成される部
分にベース側開口部を開口形成する工程、（ｅ）は、カ
バー側開口部内およびベース側開口部内に露出した導体
パターンの表面および裏面に金属めっき層を形成する工
程を示す。
図であって、（ａ）は、ベース層の上に導体パターンを
形成する工程、（ｂ）は、導体パターンの上に、ベース
層を形成する工程、（ｃ）は、カバー層における端子部
が形成される部分にカバー側開口部を開口形成する工
程、（ｄ）は、ベース層における端子部が形成される部
分にベース側開口部を開口形成する工程、（ｅ）は、カ
バー側開口部内およびベース側開口部内に露出した導体
パターンの表面および裏面に金属めっき層を形成する工
程を示す。
【図４】本発明の配線回路基板の他の実施形態（カバー
側突出部およびベース側突出部が形成される態様）であ
って、（ａ）は、その端子部における要部断面図、
（ｂ）は、その端子部における平面図である。
側突出部およびベース側突出部が形成される態様）であ
って、（ａ）は、その端子部における要部断面図、
（ｂ）は、その端子部における平面図である。
【図５】図４（ｂ）に示す平面図の拡大図である。
【図６】図４（ｂ）に示す平面図の他の実施形態の拡大
図である。
図である。
【図７】図４（ａ）に示す配線回路基板の他の実施形態
（カバー側突出部のみが形成されている態様）を示す要
部断面図である。
（カバー側突出部のみが形成されている態様）を示す要
部断面図である。
【図８】図４（ａ）に示す配線回路基板の他の実施形態
（ベース側突出部のみが形成されている態様）を示す要
部断面図である。
（ベース側突出部のみが形成されている態様）を示す要
部断面図である。
【図９】本発明の配線回路基板の一実施形態としての回
路付サスペンション基板の平面図である。
路付サスペンション基板の平面図である。
【図１０】図９に示す回路付サスペンション基板の製造
方法を示す工程図であって、（ａ）は、支持基板の上に
感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を形成する工程、
（ｂ）は、その皮膜をフォトマスクを介して露光させる
工程、（ｃ）は、その皮膜を現像することにより所定の
パターンとする工程、（ｄ）は、パターン化された皮膜
を硬化させてベース層を形成する工程、（ｅ）は、ベー
ス層の上に導体パターンを形成する工程、（ｆ）は、導
体パターンの上に感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を
形成する工程、（ｇ）は、その皮膜をフォトマスクを介
して露光させる工程、（ｈ）は、その皮膜を現像するこ
とにより所定のパターンとする工程、（ｉ）は、パター
ン化された皮膜を硬化させてカバー層を形成する工程、
（ｊ）は、支持基板における外部側接続端子が形成され
る部分を開口する工程、（ｋ）は、ベース層における外
部側接続端子が形成される部分を開口する工程、（ｌ）
は、露出している導体パターンの両面に金属めっき層を
形成する工程を示す。
方法を示す工程図であって、（ａ）は、支持基板の上に
感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を形成する工程、
（ｂ）は、その皮膜をフォトマスクを介して露光させる
工程、（ｃ）は、その皮膜を現像することにより所定の
パターンとする工程、（ｄ）は、パターン化された皮膜
を硬化させてベース層を形成する工程、（ｅ）は、ベー
ス層の上に導体パターンを形成する工程、（ｆ）は、導
体パターンの上に感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を
形成する工程、（ｇ）は、その皮膜をフォトマスクを介
して露光させる工程、（ｈ）は、その皮膜を現像するこ
とにより所定のパターンとする工程、（ｉ）は、パター
ン化された皮膜を硬化させてカバー層を形成する工程、
（ｊ）は、支持基板における外部側接続端子が形成され
る部分を開口する工程、（ｋ）は、ベース層における外
部側接続端子が形成される部分を開口する工程、（ｌ）
は、露出している導体パターンの両面に金属めっき層を
形成する工程を示す。
【図１１】図９に示す回路付サスペンション基板の一実
施形態（幅広部が形成される態様）であって、（ａ）
は、その外部側接続端子における要部断面図、（ｂ）
は、その外部側接続端子における平面図である。
施形態（幅広部が形成される態様）であって、（ａ）
は、その外部側接続端子における要部断面図、（ｂ）
は、その外部側接続端子における平面図である。
【図１２】図９に示す回路付サスペンション基板の一実
施形態（カバー側突出部およびベース側突出部が形成さ
れる態様）であって、（ａ）は、その外部側接続端子に
おける要部断面図、（ｂ）は、その外部側接続端子にお
ける平面図である。
施形態（カバー側突出部およびベース側突出部が形成さ
れる態様）であって、（ａ）は、その外部側接続端子に
おける要部断面図、（ｂ）は、その外部側接続端子にお
ける平面図である。
【図１３】図１２（ａ）に示す回路付サスペンション基
板の他の実施形態（カバー側突出部のみが形成されてい
る態様）を示す要部断面図である。
板の他の実施形態（カバー側突出部のみが形成されてい
る態様）を示す要部断面図である。
【図１４】図１２（ａ）に示す回路付サスペンション基
板の他の実施形態（ベース側突出部のみが形成されてい
る態様）を示す要部断面図である。
板の他の実施形態（ベース側突出部のみが形成されてい
る態様）を示す要部断面図である。
【図１５】図９に示す回路付サスペンション基板の一実
施形態（導体パターンが凹状で、かつ、幅広部が形成さ
れる態様）であって、（ａ）は、その外部側接続端子に
おける要部断面図、（ｂ）は、その外部側接続端子にお
ける平面図である。
施形態（導体パターンが凹状で、かつ、幅広部が形成さ
れる態様）であって、（ａ）は、その外部側接続端子に
おける要部断面図、（ｂ）は、その外部側接続端子にお
ける平面図である。
【図１６】図１５に示す回路付サスペンション基板の製
造方法を示す工程図であって、（ａ）は、支持基板の上
に感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を形成する工程、
（ｂ）は、その皮膜をフォトマスクを介して露光させる
工程、（ｃ）は、その皮膜を現像することにより所定の
パターンとする工程、（ｄ）は、パターン化された皮膜
を硬化させてベース層を形成する工程、（ｅ）は、ベー
ス層の上に導体パターンを形成する工程、（ｆ）は、導
体パターンの上に感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を
形成する工程、（ｇ）は、その皮膜をフォトマスクを介
して露光させる工程、（ｈ）は、その皮膜を現像するこ
とにより所定のパターンとする工程、（ｉ）は、パター
ン化された皮膜を硬化させてカバー層を形成する工程、
（ｊ）は、支持基板における外部側接続端子が形成され
る部分を開口する工程、（ｋ）は、ベース層における外
部側接続端子が形成される部分を開口する工程、（ｌ）
は、露出している導体パターンの両面に金属めっき層を
形成する工程を示す。
造方法を示す工程図であって、（ａ）は、支持基板の上
に感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を形成する工程、
（ｂ）は、その皮膜をフォトマスクを介して露光させる
工程、（ｃ）は、その皮膜を現像することにより所定の
パターンとする工程、（ｄ）は、パターン化された皮膜
を硬化させてベース層を形成する工程、（ｅ）は、ベー
ス層の上に導体パターンを形成する工程、（ｆ）は、導
体パターンの上に感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を
形成する工程、（ｇ）は、その皮膜をフォトマスクを介
して露光させる工程、（ｈ）は、その皮膜を現像するこ
とにより所定のパターンとする工程、（ｉ）は、パター
ン化された皮膜を硬化させてカバー層を形成する工程、
（ｊ）は、支持基板における外部側接続端子が形成され
る部分を開口する工程、（ｋ）は、ベース層における外
部側接続端子が形成される部分を開口する工程、（ｌ）
は、露出している導体パターンの両面に金属めっき層を
形成する工程を示す。
【図１７】図１６（ｂ）において、皮膜を露光させるた
めに用いるフォトマスクの一実施形態の概略平面図であ
って、（ａ）は、半透過部が縞状のパターンで平均透過
率が約５０％のもの、（ｂ）は、半透過部が格子状のパ
ターンで平均透過率が約２５％のもの、（ｃ）は、半透
過部が円形千鳥状のパターンで平均透過率が約２５％の
もの、（ｄ）は、半透過部が円形千鳥状のパターンで平
均透過率が約７０％のもの、をそれぞれ示す。
めに用いるフォトマスクの一実施形態の概略平面図であ
って、（ａ）は、半透過部が縞状のパターンで平均透過
率が約５０％のもの、（ｂ）は、半透過部が格子状のパ
ターンで平均透過率が約２５％のもの、（ｃ）は、半透
過部が円形千鳥状のパターンで平均透過率が約２５％の
もの、（ｄ）は、半透過部が円形千鳥状のパターンで平
均透過率が約７０％のもの、をそれぞれ示す。
【図１８】図９に示す回路付サスペンション基板の一実
施形態（導体パターンが凹状で、かつ、カバー側突出部
およびベース側突出部が形成される態様）であって、
（ａ）は、その外部側接続端子における要部断面図、
（ｂ）は、その外部側接続端子における平面図である。
施形態（導体パターンが凹状で、かつ、カバー側突出部
およびベース側突出部が形成される態様）であって、
（ａ）は、その外部側接続端子における要部断面図、
（ｂ）は、その外部側接続端子における平面図である。
【図１９】図１８（ａ）に示す回路付サスペンション基
板の他の実施形態（ベース側突出部のみが形成されてい
る態様）を示す要部断面図である。
板の他の実施形態（ベース側突出部のみが形成されてい
る態様）を示す要部断面図である。
【図２０】図１８（ａ）に示す回路付サスペンション基
板の他の実施形態（ベース側突出部のみが形成されてい
る態様）を示す要部断面図である。
板の他の実施形態（ベース側突出部のみが形成されてい
る態様）を示す要部断面図である。
【図２１】従来の回路付サスペンション基板であって、
（ａ）は、その端子部における要部断面図、（ｂ）は、
その端子部における平面図である。
（ａ）は、その端子部における要部断面図、（ｂ）は、
その端子部における平面図である。
１１ 配線回路基板
１２ ベース層
１３ 導体パターン
１４ カバー層
１６ 端子部
１７ カバー側開口部
１８ ベース側開口部
２１ 交差部分
２２ 幅広部
２５ カバー側突出部
２６ ベース側突出部
３１ 回路付サスペンション基板
３２ 支持基板
３３ ベース層
３４ 導体パターン
３５ カバー層
３８ 外部側接続端子部
４２ カバー側開口部
４３ 支持基板側開口部
４４ ベース側開口部
４８ 交差部分
４９ 幅広部
５０ カバー側突出部
５１ ベース側突出部
フロントページの続き
(72)発明者 大川 忠男
大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東
電工株式会社内
(72)発明者 新谷 寿朗
大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東
電工株式会社内
Ｆターム(参考） 5E317 AA01 AA04 BB01 BB05 BB11
CD40 GG09
5E338 AA01 AA16 AA18 BB02 BB13
BB63 BB75 CC01 CD14 CD33
EE26
Claims (7)
- 【請求項１】 第１絶縁層の上に導体パターンが形成さ
れ、前記導体パターンの上に第２絶縁層が形成されてお
り、前記導体パターンの同じ位置において、前記第１絶
縁層および前記第２絶縁層が開口される開口部が形成さ
れることにより、前記導体パターンの表面および裏面が
露出する端子部が形成されている配線回路基板であっ
て、 前記開口部の端縁部と前記導体パターンとが交差する交
差部分において、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層およ
び前記導体パターンの少なくともいずれかには、前記開
口部の端縁部における前記導体パターンを補強するため
の補強部が形成されていることを特徴とする、配線回路
基板。 - 【請求項２】 金属支持層の上に第１絶縁層が形成さ
れ、前記第１絶縁層の上に導体パターンが形成され、前
記導体パターンの上に第２絶縁層が形成されており、前
記導体パターンの同じ位置において、前記金属支持層お
よび前記第１絶縁層と、前記第２絶縁層とが開口される
開口部が形成されることにより、前記導体パターンの表
面および裏面が露出する端子部が形成されている配線回
路基板であって、 前記開口部の端縁部と前記導体パターンとが交差する交
差部分において、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層およ
び前記導体パターンの少なくともいずれかには、前記開
口部の端縁部における前記導体パターンを補強するため
の補強部が形成されていることを特徴とする、配線回路
基板。 - 【請求項３】 第１絶縁層の上に導体パターンが形成さ
れ、前記導体パターンの上に第２絶縁層が形成されてお
り、前記導体パターンの同じ位置において、前記第１絶
縁層および前記第２絶縁層が開口される開口部が形成さ
れることにより、前記導体パターンの表面および裏面が
露出する端子部が形成されている配線回路基板であっ
て、 前記開口部の端縁部と前記導体パターンとが交差する交
差部分において、前記導体パターンには、前記導体パタ
ーンが延びる方向と実質的に直交する幅方向に広がる幅
広部が形成されていることを特徴とする、配線回路基
板。 - 【請求項４】 金属支持層の上に第１絶縁層が形成さ
れ、前記第１絶縁層の上に導体パターンが形成され、前
記導体パターンの上に第２絶縁層が形成されており、前
記導体パターンの同じ位置において、前記金属支持層お
よび前記第１絶縁層と、前記第２絶縁層とが開口される
開口部が形成されることにより、前記導体パターンの表
面および裏面が露出する端子部が形成されている配線回
路基板であって、 前記開口部の端縁部と前記導体パターンとが交差する交
差部分において、前記導体パターンには、前記導体パタ
ーンが延びる方向と実質的に直交する幅方向に広がる幅
広部が形成されていることを特徴とする、配線回路基
板。 - 【請求項５】 第１絶縁層の上に導体パターンが形成さ
れ、前記導体パターンの上に第２絶縁層が形成されてお
り、前記導体パターンの同じ位置において、前記第１絶
縁層および前記第２絶縁層が開口される開口部が形成さ
れることにより、前記導体パターンの表面および裏面が
露出する端子部が形成されている配線回路基板であっ
て、 前記開口部の端縁部と前記導体パターンとが交差する交
差部分において、前記第１絶縁層および／または前記第
２絶縁層には、前記開口部の端縁部から前記開口部内の
前記導体パターンの上に突出する突出部が形成されてい
ることを特徴とする、配線回路基板。 - 【請求項６】 金属支持層の上に第１絶縁層が形成さ
れ、前記第１絶縁層の上に導体パターンが形成され、前
記導体パターンの上に第２絶縁層が形成されており、前
記導体パターンの同じ位置において、前記金属支持層お
よび前記第１絶縁層と、前記第２絶縁層とが開口される
開口部が形成されることにより、前記導体パターンの表
面および裏面が露出する端子部が形成されている配線回
路基板であって、 前記開口部の端縁部と前記導体パターンとが交差する交
差部分において、前記第１絶縁層および／または前記第
２絶縁層には、前記開口部の端縁部から前記開口部内の
前記導体パターンの上に突出する突出部が形成されてい
ることを特徴とする、配線回路基板。 - 【請求項７】 前記配線回路基板が、回路付サスペンシ
ョン基板であることを特徴とする、請求項１〜６のいず
れかに記載の配線回路基板。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001216812A JP3692314B2 (ja) | 2001-07-17 | 2001-07-17 | 配線回路基板 |
| SG200204203A SG107605A1 (en) | 2001-07-17 | 2002-07-10 | Wired circuit board |
| US10/195,392 US6841737B2 (en) | 2001-07-17 | 2002-07-16 | Wired circuit board |
| CN2006101425381A CN1993014B (zh) | 2001-07-17 | 2002-07-17 | 布线电路板 |
| CNB021418152A CN1317922C (zh) | 2001-07-17 | 2002-07-17 | 布线电路板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001216812A JP3692314B2 (ja) | 2001-07-17 | 2001-07-17 | 配線回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003031915A true JP2003031915A (ja) | 2003-01-31 |
| JP3692314B2 JP3692314B2 (ja) | 2005-09-07 |
Family
ID=19051236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001216812A Expired - Fee Related JP3692314B2 (ja) | 2001-07-17 | 2001-07-17 | 配線回路基板 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6841737B2 (ja) |
| JP (1) | JP3692314B2 (ja) |
| CN (2) | CN1993014B (ja) |
| SG (1) | SG107605A1 (ja) |
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| JP2013004135A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Dainippon Printing Co Ltd | サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンションおよびハードディスクドライブ |
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| JP2013254549A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Dainippon Printing Co Ltd | サスペンション用フレキシャー基板 |
| JP2013254550A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Dainippon Printing Co Ltd | サスペンション用フレキシャー基板 |
| JP2014013638A (ja) * | 2011-10-03 | 2014-01-23 | Dainippon Printing Co Ltd | サスペンション用フレキシャー基板 |
| US8658903B2 (en) | 2010-11-05 | 2014-02-25 | Nitto Denko Corporation | Wired circuit board |
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