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Technisches Gebiet der Erfindung
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Diese Erfindung betrifft Prozeßkammern
für die
chemische Dampfabscheidung oder eine andere Verarbeitung von Halbleiterwafern
und dergleichen.
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Technischer Hintergrund
der Erfindung
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Prozeßkammern für die thermische Behandlung
von Halbleiterwafern werden wünschenswerterweise
aus Quarz (Quarzglas) oder ähnlichem
Material hergestellt, da Quarz im wesentlichen gegenüber Strahlungsenergie
transparent ist. Somit können Heizstrahler
neben der Außenseite
der Kammer positioniert sein, und ein gerade in der Kammer bearbeiteter
Wafer kann auf erhöhte
Temperaturen aufgeheizt werden, ohne daß die Kammerwände auf
dasselbe Niveau erwärmt
werden. Auf der anderen Seite ist Quarz wünschenswert, da es sehr hohen
Temperaturen widerstehen kann. Quarz ist ebenso wünschenswert,
da es wegen seiner inerten Charakteristika in der Lage ist, einem
Qualitätsverlust
durch verschiedene Prozeßgase
zu widerstehen, und wegen seiner hohen Reinheitscharakteristika.
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Für
Anwendungen, in denen der Druck innerhalb einer Quarzkammer viel
weiter reduziert werden soll als der Umgebungsdruck, werden zylindrische oder
sphärische
Kammern vom Dauerhaftigkeitsstandpunkt aus bevorzugt, da ihre gekrümmten Oberflächen am
besten der nach innen gerichteten Kraft widerstehen können. Wenn
jedoch ein flacher Wafer für
die Zwecke der chemischen Dampfabscheidung positioniert wird, wobei
die Abscheidungsgase parallel zu dem Wafer strömen, ist es wünschenswert,
daß sich
die Kammerwand parallel zu der zugewandten flachen Oberfläche des
Wafers befindet, um eine gleichmäßige Deposition
bzw. Abscheidung auf der Waferoberfläche zu erhalten. Eine gleichförmige Abscheidung
ist entscheidend für
das Erzielen einer hohen Ausbeute von akzeptablen Produkten, die
aus solch einem Wafer hergestellt werden sollen. Eine flache Wand
wird jedoch bei einem reduzierten inneren Druck früher nach
innen einbrechen als eine nach außen konvex gekrümmte Wand gleicher
Größe und Dicke.
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Um mit den nach innen auf Kammern
mit flacher Wand gerichteten Kräften
umzugehen, wurden Verstärkungen
auf der Außenwand
der Wände
bereitgestellt, die sich im wesentlichen senkrecht zu den Wänden erstrecken,
mit welchen sie verbunden sind, wie in dem US-Patent Nr. 4,920,918
gesehen werden kann. Dieses Patent zeigt auch Verstärkungen
an der Außenwand
einer Kammer mit nach außen
konvex gekrümmten
elliptischen oberen und unteren Wänden mit einem großen Krümmungsradius, wobei
somit eine etwas abgeflachte, jedoch gekrümmte Konfiguration zur Verfügung gestellt
wird. Dieser Kompromiß stellt
von den gekrümmten
Wänden
eine zusätzliche
Stärke
zur Verfügung,
während die
Gleichmäßigkeit
der Abscheidung nicht nennenswert beeinflußt wird. Ein deutlicher Nachteil
einer solchen Konstruktion besteht darin, daß die äußeren Verstärkungen das äußere Positionieren
von Heizstrahlerlampen komplizieren und stören. Darüber hinaus erhöht die Komplexität und die
Masse der Quarzverstärkungen
die Material- und Herstellungskosten.
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Natürlich können flache Wände dicker
hergestellt werden, um die Stärke
bzw. Festigkeit zu erhöhen,
dies verursacht jedoch zusätzliche
Kosten und beeinflußt
die Heiz- und Kühleigenschaften
der Kammer in nachteiliger Weise.
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Das US-Patent Nr. 5,085,887 zeigt
eine Kammer, die eine runde, leicht domartig gewölbte oder gekrümmte obere
Kammerwand aufweist, um die Last eines reduzierten Kammerdruckes
aufzunehmen. Die kreisförmige
Wand ist mit einem stark verdickten Umfangsflansch ausgestattet,
der in radialer Richtung die obere Wand begrenzt, um zu veranlassen,
daß die
domförmig
gekrümmte
Wand sich aufgrund der Wärmeausdehnung
nach außen
biegt, was dabei hilft, dem äußeren Umgebungsdruck
in Vakuumanwendungen zu widerstehen. Die Kammer erfordert einen
komplexen Mechanismus für
das Klemmen der verdickten äußeren Flansche
der oberen und unteren Kammerwand.
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Aufgrund der hohen Temperaturen,
die mit den thermisch aktivierten chemischen Dampfabscheidungsprozessen
verbunden sind, heizen sich die Wände der Behandlungskammer zur
einem bestimmten Grad auf und chemische Partikel werden hierauf
abgeschieden. Diese Partikel können
ernsthafte Probleme betreffend die Reinheit des resultierenden bearbeiteten
Wafers verursachen. Im Ergebnis wurden große Anstrengungen unternommen,
um das Bilden von Partikelsubstanz auf den Wänden der Reaktionskammer zu
reduzieren. Eine Lösung
besteht darin, die Innenseiten der Behandlungskammern periodisch
zu ätzen,
um die Partikelsubstanz zu entfernen, bevor sie auf ein schädliches
Niveau anwächst.
Unglücklicherweise
brauchen Quarzbehandlungskammern aufgrund ihrer hohen Durchlässigkeit für Strahlungswärme eine
lange Zeit zum Aufheizen. Diese periodischen, langsamen Ätzzyklen
verringern somit den maximalen Durchsatz der Maschine.
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Es wurden ebenso Versuche unternommen, das
Gasflußprofil
parallel über
den zu behandelnden Wafer zu steuern, um eine gleichförmigere
Abscheidung zu erzeugen. Beispielsweise beschreibt das US-Patent
Nr. 5,221,556 ein System, in welchem die Öffnungen durch einen Gaseinlaßverteiler
in der Größe variieren,
um zu ermöglichen,
daß durch
einen Abschnitt, typischerweise durch den mittleren Abschnitt, mehr
Gas strömt
als durch die anderen Abschnitte. Das US-Patent Nr. 5,269,847 beinhaltet Ventile
für das
Einstellen von Paaren von Gasflüssen,
die in eine Anzahl von unabhängigen
Strömen münden, die
in seitlicher Richtung, aufstromig des zu behandelnden Wafers, verteilt
sind. Dieses System betont die Wichtigkeit der getrennten Kanalbildung der
verschiedenen Gasströme
gerade bis vor die Vorderkante des Wafers, um ein vorzeitiges Mischen
zu verhindern und eine stärkere
Steuerung über
die Fluß-
und die Konzentrationsprofile des Reaktionspartners und der Trägergase über dem
Wafer zu ermöglichen.
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Ein anderes Problem, welches im Stand
der Technik nicht ausreichend angesprochen wurde, ist das Problem
der Rückführung des
Prozeßgases
in parallelen Flußreaktoren.
Genauer gesagt, nachdem das Gas parallel über den Wafer und den Suszeptor geströmt ist,
kann es Temperaturgradienten zwischen dem heißen Suszeptor und den kälteren Kammerwänden ausgesetzt
sein. Dies kann zu Rückführungen
führen,
wenn das Gas zu den Wänden
ansteigt und im folgenden gekühlt
wird. Auch kann der Gasfluß in
der Nähe
einer Auslaßleitung
eingeschränkt
sein, was Turbulenzen und Rückführungen erzeugen
kann. Rückführungen
von jeder Quelle können
aufstromig wandern, um die Gleichförmigkeit des Flusses in dem
Waferbereich zu beeinflussen, wodurch die Gleichförmigkeit
der Filmabscheidung reduziert wird.
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Zusätzlich ist der Temperaturgradient über dem
Wafer von der führenden
Kante zu der hinteren Kante nicht gleichmäßig. Das heißt, die
Temperatur des Gases wird primär
durch seine Nähe
zu dem wärmeabsorbierenden
Suszeptor unterhalb des Wafers bestimmt. Wenn sich das Gas dem Suszeptor nähert und über diesen
hinwegläuft,
heizt es sich ziemlich schnell auf eine Maximaltemperatur zu der abstromigen
Kante des Suszeptors auf und fällt dann,
nachdem es diesen Punkt absolviert hat, ab. Dieses Temperaturungleichgewicht
kann die gleichförmige
Filmabscheidung weiter negativ beeinflussen.
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Es besteht der Bedarf nach einer
verbesserten Kammer für
die Zwecke der chemischen Dampfabscheidung und für andere Verfahren bei hohen Temperaturen,
die aus Quarz oder ähnlichen
Materialien hergestellt werden kann und dennoch den Belastungen
widersteht, die mit Verfahren bei reduziertem Druck verbunden sind.
Es besteht ebenso ein Bedarf für
eine gleichmäßige Temperatur-
und Fließumgebung,
welche den Wafer umgibt, um auf diesem eine gleichförmige Abscheidung
sicherzustellen. Ebenso wird ein stärker reagierendes Flußsteuersystem
benötigt.
Schließlich
besteht der Bedarf nach einem energieeffizienteren chemischen Dampfabscheidungssystem
mit höherem
Durchsatz.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Demgemäß ist ein erster Aspekt der
vorliegenden Erfindung auf eine Vorrichtung für die chemische Dampfabscheidung
gerichtet, die aufweist:
Wände,
die eine Abscheidungskammer definieren mit einem Einlaß für Abscheidungsgas
an einem aufstromigen Ende und einem Gasauslaß an einem abstromigen Ende,
einen
Suszeptor, der horizontal in der Kammer zwischen dem Gaseinlaß und dem
Gasauslaß positioniert
ist, für
das Aufnehmen eines Halbleitersubstrats für die Zwecke der Dampfabscheidung
und
eine horizontal orientierte Platte, die in der Kammer zwischen
dem Suszeptor und dem Gasauslaß positioniert
ist, wobei sich die Platte entlang der Kammer über die Breite des Suszeptors
erstreckt, wobei die Kammerwand neben der Platte im allgemeinen
transparent gegenüber
Strahlungsenergie ist und die Platte ein guter Absorber von Strahlungsenergie
ist, so daß nicht
verwendetes Abscheidungsgas sich leichter auf der Platte als auf
der Kammerwand abscheidet.
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Ein zweiter Aspekt der vorliegenden
Erfindung ist auf ein Verfahren gerichtet für die Verwendung in einer Dampfabscheidungsvorrichtung
einschließlich
einer Abscheidungskammer mit einem Suszeptor, der darin zwischen
einem Einlaß und
einem Auslaß für den Gasfluß in der
Kammer positioniert ist, wobei das Verfahren die Abscheidung auf Wänden der
Kammer zwischen dem Suszeptor und dem Kammergasauslaß minimiert,
und das Positionieren einer Platte in der Kammer zwischen dem Suszeptor
und dem Gasauslaß der
Kammer aufweist, wobei sich die Platte im allgemeinen parallel zu dem
Suszeptor in der Hauptebene eines auf dem Suszeptor zu positionierenden
Substrates erstreckt, wobei die Platte aus einem Material gebildet
wird, das effizient Wärme
zu einem viel ren Ausmaß absorbiert
als die Wand der Kammer neben der Platte, wobei die Abscheidungsgase,
die über
den Suszeptor hinausströmen,
sich leichter an der Platte als an der kühleren Kammerwand abscheiden.
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Kurze Beschreibung
der Figuren
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1 ist
eine perspektivische Ansicht einer Prozeßkammer.
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2 ist
eine Querschnittsansicht entlang der Linie 2-2 von 1.
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3 ist
eine perspektivische Ansicht einer Hälfte der Prozeßkammer
von einer vertikallongitudinalen Ebene entlang der Linie 3-3 von 1.
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4 ist
eine Draufsicht der Kammer.
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5 ist
eine Ansicht des Einlaßendes
der Kammer.
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6 ist
eine Ansicht des Auslaßendes
der Kammer.
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7 ist
eine Seitenansicht der Kammer.
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8 ist
eine Querschnittsansicht, welche die Kammer, die mit einem Teil
eines Waferbearbeitungssystems verbunden ist, darstellt.
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9 ist
eine Draufsicht eines alternativen Ringes, welcher einen Suszeptor
umgibt und sich innerhalb einer Öffnung
einer inneren Kammerstützplatte
befindet.
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10 ist
eine Draufsicht einer Opferplatte, die innerhalb einer Öffnung in
einer Kammerstützplatte
positioniert ist.
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11 ist
eine Querschnittsansicht, welche die Umgebung eines Behandlungssystems
darstellt, welches in Verbindung mit einer Behandlungskammer verwendet
wird.
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11a ist
eine Querschnittsansicht der Behandlungskammer der 11.
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12 ist
eine perspektivische Explosionsansicht einer Behandlungskammer,
welche einen vergrößerten Temperaturausgleichsring
und eine Opferquarzplatte enthält.
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12a ist
eine Querschnittsansicht der Temperaturausgleichsringe.
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13 ist
eine Draufsicht der in 12 gezeigten
Opferquarzplatte.
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14 ist
eine Querschnittsansicht durch die Opferquarzplatte der 13.
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15 ist
eine perspektivische Ansicht einer alternativen Opferquarzplatte
für die
Verwendung in einer Kammer.
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16 ist
eine Draufsicht der Opferquarzplatte der 15.
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17 ist
eine Querschnittsansicht durch die Opferquarzplatte der 16.
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18a ist
eine Draufsicht entlang der Linie 18-18 der 11 unter Veranschaulichung der Opferquarzplatte
der 13, welche in einer
Kammer angeordnet ist.
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18b ist
eine Draufsicht unter Veranschaulichung der eingebauten Opferquarzplatte
der 15.
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18c ist
eine Draufsicht unter Veranschaulichung eines Paares diskreter Opferquarzplatten
an aufstromigen Ecken der Kammerstützplattenöffnung.
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19 ist
eine Seitenansicht einer der in 18c gezeigten
diskreten Opferquarzplatten.
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20 ist
eine Bodenansicht der diskreten Opferquarzplatte der 19.
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21 ist
eine vertikale Querschnittsansicht eines Gasinjektors mit mehreren
abgestimmten Öffnungen
für die
Verwendung in einer Kammer.
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21a ist
ein detaillierter Querschnitt eines Teils des Gasinjektors unter
Veranschaulichung der Behandlungskammern des Gasflusses.
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22 ist
eine rückwärtige Seitenansicht des
Gasinjektors der 21,
der von der Behandlungskammer abmontiert gezeigt ist, und unter
Veranschaulichung der inneren Gasflußkanäle.
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23 ist
eine vordere Seitenansicht einer rückwärtigen Flanschhälfte des
Gasinjektors entlang der Linie 23-23 der 21.
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24 ist
ein horizontaler Querschnitt des Gasinjektors entlang der Linie
24-24 der 21 unter Veranschaulichung
eines Bereiches, in welchem behandeltes Gas expandiert wird.
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25 ist
eine vertikale Querschnittsansicht durch die rückwärtige Flanschhälfte entlang
der Linie 25-25 der 21 unter
Veranschaulichung innerer Fließmittelkühlkanäle.
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26 ist
eine vergrößerte Querschnittsansicht
eines Nadelventils, welches in einem Gasinjektor verwendet wird.
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27 ist
eine Querschnittsansicht einer Behandlungskammer mit einem modifizierten
Temperaturausgleichsring, welcher einen Suszeptor umgibt und sich
abstromig von dem Suszeptor und dem zu behandelnden Wafer erstreckt.
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28a ist
ein schematischer vertikaler Querschnitt durch eine Behandlungskammer ähnlich der
in 27 gezeigten, unter
Veranschaulichung eines abstromigen Aufbaus bezüglich des Suszeptors und des
Wafers gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung.
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28b ist
eine Draufsicht der 28a.
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29a ist
ein schematischer, vertikaler Querschnitt einer Behandlungskammer
ohne den abstromigen Aufbau unter Veranschaulichung eines Strahlungswärmeflusses
von äußeren Lampen.
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29b ist ähnlich der 29a, wobei der abstromige
Aufbau hinzugefügt
ist, unter Veranschaulichung der Veränderung des Strahlungswärmeflusses
innerhalb der Kammer.
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30a ist
ein schematischer, horizontaler Querschnitt einer Behandlungskammer
ohne den abstromigen Aufbau, wobei Pfeile eine typische Temperaturverteilung über einen
zu behandelnden Wafer zeigen.
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30b ist ähnlich der 30a, wobei der abstromige
Aufbau zugefügt
ist, unter Veranschaulichung der Veränderung der Temperaturverteilung über den
zu behandelnden Wafer.
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31a ist
ein schematischer, horizontaler Querschnitt einer Behandlungskammer
ohne den abstromigen Aufbau unter Veranschaulichung typischer Depositionsbereiche
innerhalb der Kammer.
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31b ist ähnlich der 31a, wobei der abstromige
Aufbau zugefügt
ist, unter Veranschaulichung der Veränderung der Depositionsbereiche.
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Die 32a und 32b sind horizontale bzw. vertikale
schematische Ansichten einer Behandlungskammer ohne den abstromigen
Aufbau unter Veranschaulichung potentieller Gasrückführungen in dieser.
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Die 33a und 33b sind horizontale bzw. vertikale
schematische Ansichten ähnlich
denen der 32a, 32b, wobei der abstromige
Aufbau zugefügt ist,
unter Veranschaulichung der Veränderung
des dort hindurchgehenden Gasflusses.
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34 ist
eine Querschnittsansicht einer Behandlungskammer mit einem Aufbau
abstromig von einem Temperaturausgleichsring.
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35 ist
eine Querschnittsansicht der Behandlungskammer der 34 mit einem Temperaturausgleichsring,
der sich abstromig erstreckt.
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36 ist
eine Querschnittsansicht unter Veranschaulichung eines aufstromigen
Teils einer Behandlungskammer mit einem Fließsteuerkanal.
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37 ist
eine Querschnittsansicht durch den Fließsteuerkanal der 36, gegen einen Einlaßflansch
der Kammer gesehen.
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38a ist
eine Draufsicht der Kammer und des Fließsteuerkanals der 36.
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Die 38b–d sind
Draufsichten der Kammer der 36 unter
Veranschaulichung verschiedener Fließsteuerkanäle.
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Ausführliche
Beschreibung
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Linsenförmige Behandlungskammer
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Unter Bezugnahme auf die 1 bis 11 ist ein Reaktorbehälter oder -kammer 10 für die chemische
Abscheidungsbehandlung und dergleichen dargestellt. Wie man sehen
kann, hat die Kammer 10 einen verlängerten, im allgemeinen flach
gemachten Aufbau, der im Querschnitt eine im allgemeinen linsenförmige Gestalt
hat. Eine linsenförmige
Gestalt hat entgegengesetzte bikonvexe Oberflächen, die kreisrunde Krümmungen
haben können.
Die Kammer hat eine obere Wand 12 mit einer äußeren konvexen
Oberfläche
und einer inneren konkaven Oberfläche und eine untere Wand 14 mit
einer äußeren konvexen
Oberfläche
und einer inneren konkaven Oberfläche. Die Wände 12 und 14 sind
durch vertikale, kurze Seitenschienen 16 und 18 verbunden.
Diese Wände
und Seitenschienen sind ferner durch einen aufstromigen Einlaßendflansch 20 und
einen abstromigen Auslaßendflansch 22 verbunden.
Aufstromig und abstromig bezieht sich auf die Richtung des Behandlungsgasflusses,
wie beschrieben werden wird, und sie sind gleichbedeutend mit vorn
und hinten in der vorliegenden Beschreibung.
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Die Kammerhöhe ist kleiner als die Kammerbreite.
Diesbezüglich
erstreckt sich eine Längsrichtung
für die
Kammer 10 von dem Einlaßendflansch 20 zu
dem Auslaßendflansch 22 oder
entlang der strichpunktierten Linie 3-3. Eine seitliche Richtung
erstreckt sich zwischen den kurzen Seitenschienen 16 und 18 oder
entlang der strichpunktierten Linie 2-2. Die Höhenrichtung ist senkrecht sowohl
zu den Längs-
als auch den Querachsen. Mit Blick auf die Endansicht der 2 hat die linsenförmige Kammer 10 eine
größere Abmessung,
welche sich zwischen den Seitenschienen 16 und 18 erstreckt,
und eine geringere Abmessung, welche sich zwischen den Scheiteln
der oberen und unteren Wände 12, 14 erstreckt.
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Unter Bezugnahme auf 4 sind sowohl die obere Wand 12 als
auch die untere Wand 14 dünne, gekrümmte, plattenähnliche
Elemente mit einem rechteckigen, flachen, vertikalen Vorsprung.
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Die Wände 12 und 14 haben
wünschenswert einen
kreisrunden Krümmungsradius
und können aus
Segmenten gebildet sein, die aus einem zylindrischen, aus Quarz
oder ähnlichem
Material hergestellten Rohr geschnitten sind. In größeren Kammern können die
Wände 12 und 14 durch
Erhitzen und Formen flacher Quarzplatten aufgebaut sein. Ungewünschte Belastungen
sind in gekrümmten
Wänden mit
variierenden Radien berücksichtigt,
und somit ist eine kreisrunde Wand mit einer konstanten Krümmung das
optimale Modell. In einer Ausführungsform haben
die obere Wand 12 und die untere Wand 14 einen
Krümmungsradius
von nahezu 24 Inch und eine Dicke von zwischen 4 und 6 Millimetern,
wobei die Wanddicke vorzugsweise nahezu 5 Millimeter hat. Obwohl
Quarz bevorzugt wird, können
andere Materialien mit ähnlichen
wünschenswerten
Merkmalen als Ersatz verwendet werden. Einige dieser wünschenswerten
Merkmale beinhalten einen hohen Schmelzpunkt, die Fähigkeit,
großen
und schnellen Temperaturveränderungen
zu widerstehen, chemische Inertheit und hohe Transparenz für Licht.
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Die dicken Seitenschienen 16, 18 können aus
einer Quarzstange mit rechteckigem Querschnitt maschinell bearbeitet
oder anderweitig in die in 2 dargestellte
Querschnittsgestalt gebildet sein. Genauer weist jede Seitenschiene 16, 18 einen
verstärkten
Hauptkörper
mit einer oberen Oberfläche 24,
welche eine Fortsetzung der gekrümmten äußeren Oberfläche der
oberen Wand 12 bildet, und eine untere Oberfläche 26 auf,
die so gekrümmt
ist, daß eine
Fortsetzung der äußeren Oberfläche der
unteren Wand 14 gebildet wird. Die seitliche, äußere Oberfläche 28 jeder
Seitenschiene 16, 18 ist flach und erstreckt sich
vertikal. Die innere Oberfläche
jeder Seitenschiene 16, 18 ist mit sich längs erstreckenden
oberen und unteren Ausnehmungen 30a, 30b gebildet,
die obere, mittlere bzw. untere Stumpfwandsegmente 32a, 32b, 32c bilden.
Die oberen und unteren Stumpfwandsegmente 32a, 32c passen
mit den Seitenkanten der oberen und unteren Wände 12 und 14 an
länglichen
Schweißpunkten 39 zusammen.
In einer Ausführungsform
hat der Hauptkörper der
Seitenschienen 16, 18 eine Dicken- oder Breitenabmessung
von ungefähr
20 mm und eine Höhe von
ungefähr
21 mm.
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Innerer Kammerträger
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Es ist ein Träger oder Halter vorzugsweise
in der Form einer flachen, rechteckigen Platte 40 vorgesehen,
die sich zwischen den Seitenschienen 16 und 18 erstreckt.
Wie man in 3 sieht,
weist die Trägerplatte 40 eine Öffnung 42 auf,
welche einen Hohlraum oder Öffnung 44 begrenzt,
der sich quer durch die Breite der Kammer 10 erstreckt
und die Stützplatte
in einen Einlaßabschnitt 46a und
einen Auslaßabschnitt 46b teilt.
Der Einlaßabschnitt 46a erstreckt sich
von dem Einlaßflansch 20 zu
einer aufstromigen Kante der Öffnung 44,
und der Auslaßabschnitt 46b erstreckt
sich von einer abstromigen Kante der Öffnung 44 zu dem Auslaßflansch 22.
Wie man aus 4 sehen
kann, ist der Einlaßabschnitt 46a der Trägerplatte
in der Längsrichtung
kürzer
als der Auslaßabschnitt 46b.
Genauer hat in einer bevorzugten Anordnung der Einlaßabschnitt
ungefähr
70% der Länge
des Auslaßabschnittes.
Diese proportionale Anordnung betrifft eher den Behandlungsgasfluß durch
die Kammer als die Widerstandsmerkmale der Kammerwände.
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Wie man am besten in 2 sieht, weist jede der Seitenschienen 16 und 18 die
sich nach innen erstreckende zentrale Stumpfwand 32a auf,
die tatsächlich
eine Ausdehnung der Trägerplatte 40 bildet.
Diesbezüglich
endet in der Praxis die Trägerlatte 40 an
dem Hauptkörper
der Seitenschienen 16, 18 oder mit anderen Worten
an der seitlichen äußeren Ausdehnung
der Ausnehmungen 30a, 30b. Längsverbindungen 48 zeigen
die Schweißverbindung
zwischen den Seitenkanten der Trägerplatte 40 und
den zentralen Stumpfwänden 32b jeder
der Seitenschienen 16 und 18 an.
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Die zentralen Stumpfwände 32b halbieren genau
die oberen und unteren Wände 12 und 14,
und die Trägerplatte 40 liegt
somit auf der exakten Mittellinie oder Mittelebene dazwischen. Diese
wünschenswerte
Lage erzeugt Belastungen nur innerhalb der Ebene der Platte 40,
welche durch seitliche Verschiebung der Seitenschienen 16, 18 auferlegt werden.
Eine solche Verschiebung findet bei Behandlung mit verringertem
Druck statt, da die Wände 12, 14 versuchen,
sich auszuplatten und nach außen Kräfte auszuüben. Durch
den Aufbau dieser Symmetrie unterliegt die Stützplatte 40 keinen
bedeutenden Biege- oder Scherbeanspruchungen und kann somit größeren, normalen
Gesamtbelastungen widerstehen.
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Endflansche
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Unter Bezugnahme auf die 1 und 3 weist jeder der Endflansche 20, 22 äußere, im
allgemeinen rechteckige Platten 50 bzw. 51 mit
abgeschrägten Ecken 52 und
inneren linsenförmigen
Ausdehnungen 54 auf. Wie man in 3 sieht, sind die inneren Ausdehnungen 54 mit
der Gestalt der oberen und unteren Wände 12, 14 und
der zentralen Trägerplatte 40 konform.
Genauer gesagt, erstrecken sich kurze Längsteile von den Platten 50,
um sich mit jedem dieser plattenähnlichen
Teile zu verbinden. An jedem Ende der Kammer 10 sind krummlinige
Schweißverbindungen 56 zwischen
den gekrümmten
oberen und unteren Wänden 12, 14 und
den oberen und unteren Teilen der Ausdehnung 54 gebildet,
während
lineare Verbindungslinien 58 zwischen zentralen Teilen
der Ausdehnung 54 und den Längsenden der Trägerplatte 40 bestimmt
sind. Die Platte 50 des Einlaßflansches 20 weist
eine sich seitlich erstreckende Öffnung 60 in
einem oberen Teil auf, welche in einen Bereich 66 innerhalb
der Kammer 10 oberhalb der Trägerplatte 40 und unterhalb
der oberen Wand 12 führt. Die
Platte 51 des Auslaßflansches 22 weist
dagegen ein Paar von sich seitlich erstreckenden Öffnungen 62 und 64 auf.
Die obere Öffnung 62 steht
mit dem oberen Bereich 66 der Kammer 10, wie vorher
beschrieben ist, in Verbindung, während die untere Öffnung 64 mit
einem unteren Bereich 68 der Kammer 10 unterhalb
der Trägerplatte 40 und
oberhalb der unteren Wand 14 in Verbindung steht. Die gerundeten
Ausnehmungen 30a, b in den Seitenschienen 16, 18 bestimmen
seitliche Abgrenzungen der oberen und unteren Bereiche 66, 68.
Wie weiter unten beschrieben werden wird, vollzieht sich die Waferbehandlung
nur in dem oberen Bereich 66, wobei die Trägerplatte 40 die
untere Abgrenzung der Behandlungszone bestimmt.
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Trägerplattenöffnung
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Die Öffnung 44 ist so bemessen,
daß sie
einen Suszeptor 70, wie in 8 dargestellt
ist, und einen Temperaturausgleichsring 72, welcher den
Suszeptor umgibt, aufnimmt. Der Suszeptor
70 kann in dem
stationären
Ring 72 drehen und ist von diesem vorzugsweise über einen
kleinen, ringförmigen
Spalt von ungefähr
0,5 bis 1,0 Millimeter im Abstand gehalten. Die Mittellinie des
Ringes 72 ist schematisch in 4 durch
den darin gezeigten Kreis 74 in unterbrochener Linie dargestellt.
Die Form der Öffnung 42 in der
den Ring 72 umgebenden Trägerplatte 40 kann auch
kreisrund sein, so daß die
Kanten der Öffnung 44 sich
in dichter Nähe
zu dem Ring befinden. Es hat sich jedoch herausgestellt, daß eine ein
wenig rechteckige Öffnung 42 mit
abgerundeten Ecken, wie in 4 gezeigt
ist, bevorzugt wird. Die Trägerplattenabschnitte 46a,
b können
so geschnitten sein, daß sie
diese exakten Formen schaffen; oder es können zur Erleichterung der
Herstellung kurze, ein wenig dreieckige Füllabschnitte 76, in 4 gezeigt, an die Plattenabschnitte
und die Kammerseitenschienen 16, 18 geschweißt werden,
um den gewünschten Aufbau
zu schaffen.
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Während
des Gebrauchs erzeugen Druckdifferentiale zwischen dem Inneren der
Kammer 10 und dem äußeren Umgebungsdruck
Belastungen sowohl in den oberen und unteren Wänden 12, 14 als
auch den Seitenschienen 16, 18. Die seitlich nach
innen und außen
gerichtete Bewegung der Seitenschienen 16, 18 wird
durch ihre feste Anbringung an die zentrale Trägerplatte 40 begrenzt.
Bei Vakuumbehandlung versuchen, wie oben erwähnt, die Wände 12, 14 auszuplatten,
was im allgemeinen nach außen
gerichtete Kräfte
auf die Seitenschienen 16, 18 vermittelt. Die
Trägerplatte 40 ist
unter Spannung angebracht und begrenzt nach außen gerichtetes Verschieben
der Seitenschienen 16, 18. Zwischen den Einlaß- und Auslaßabschnitten 46a,
b befindet sich jedoch kein Träger
für die
Seitenschienen 16, 18, und entlang dieses Bereiches
ist etwas Verschiebung möglich,
was Belastungen in den Schienen bewirkt. Finite Elementanalysen
haben gezeigt, daß eine
gerundete, rechteckige Öffnung 42 einer
vollkommen kreisrunden Öffnung
gegenüber
bevorzugt wird, da die maximale Belastung in der dargestellten Platte über eine
Länge der Öffnung gestreut
wird, während bei
einer kreisrunden Öffnung
sich der größte Belastungspunkt
an den Punkten auf der Platte entlang ihrer Mittellinie befinden
würde.
Anders gesagt, begrenzt die rechteckige Öffnung 42 zwei gegenüberliegende
Längen,
die sich seitlich zwischen den Seitenschienen 12, 14 erstrecken, über welche
die maximalen Belastungen verteilt werden, im Gegensatz zu der Belastung
an zwei gegenüberliegenden
Punkten auf einer kreisrunden Öffnung.
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Es sei bemerkt, daß der in 4 gezeigte Kreis 74 bezüglich den
aufstromigen und abstromigen Enden der Kammer oder bezüglich der Öffnung 44 nicht
zentral positioniert ist. Hingegen befindet sich die aufstromige
oder vordere Kante des Kreises 74 dichter an der abstromigen
Kante des Einlaßplattenabschnittes 46a als
die abstromige oder hintere Kante des Kreises an der aufstromigen
Kante des Auslaßplattenabschnittes 46b.
Diese Anordnung trägt
dazu bei, den Widerstand der Kammer durch Verringerung der Entglasungsrate
der aufstromigen Kante des Auslaßplattenabschnittes 46b aufrecht
zu erhalten. D. h., daß sich
der Gasfluß aufheizt,
wenn er über
den Suszeptor hinweg geht, so daß die Temperatur in den Kammerwänden die
Neigung hat, gerade abstromig von dem Suszeptor am größten zu sein.
Die aufstromige Kante kann daher bedeutendem, thermischem Durchlaufen
und Entglasung ausgesetzt sein, wenn sie sich zu dicht an dem Suszeptor
befindet, und somit ist der Suszeptor nach vorn innerhalb der Öffnung 44 versetzt,
um den Abstand dazwischen zu vergrößern. In einigen Aufbauten
beeinflußt
auch diese Versetzungsanordnung den Fluß des Behandlungsgases durch
die Kammer. Genauer ist der Wafer, welcher auf dem Suszeptor angeordnet ist,
der von dem Ring umgeben wird, dicht an der abstromigen Kante des
Einlaßplattenabschnittes 46a positioniert,
um die Menge an Reaktionsgasen zu minimieren, die durch die Öffnung 44 aufstromig
zu dem Wafer hindurchgehen. Dies minimiert die Menge an Reaktionsgas,
welches sich unterhalb des Suszeptors in dem unteren Teil 68 der
Kammer 10 niederschlagen kann.
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Suszeptor und verwandter
Aufbau
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Wie man aus 8 sieht, wird der Temperaturausgleichsring 72 durch
drei Trägerelemente
in Ellbogenform gestützt,
welche sich vertikal erstreckende Teile haben, die an die Trägerplattenabschnitte
geschweißt
sind. Genauer ist ein vorderes Trägerelement oder Finger 80 an
die Rückseite
des vorderen Plattenabschnitts in der Mitte zwischen den Schienen 16, 18 der
Kammer geschweißt,
und der horizontale Teil des Elements erstreckt sich nach rückwärts in die Öffnung 44,
um unter die vordere Kante des Temperaturausgleichsringes 72 positioniert
zu werden. Ein Paar von im Abstand gehaltenen Elementen oder Fingern 82 haben
verlängerte,
horizontale Teile, die sich nach vorne unter die rückwärtige Kante
des Ausgleichsringes 72 erstrecken, wie man in 8 sowie in den 2 bis 7 sieht. Der Ausgleichsring 72 wird
so in einer horizontalen Ebene an drei Punkten durch hochstehende
Stifte (nicht gezeigt) in den Fingern 80 und 82 getragen.
Die Stifte können
gegebenenfalls durch wiederholtes thermisches Durchlaufen und dem
Ausgesetztsein gegenüber
Behandlungs- und Ätzgasen
zerstört
werden, aber sie können
ziemlich leicht ersetzt werden.
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Ein Suszeptor 84 wird gezeigt,
der auf Armen 86 eines geeigneten Trägers 88 gestützt ist,
welcher mit dem oberen Ende eines drehbaren Schaftes 90 verbunden
ist, der sich durch ein Rohr 92 erstreckt, das von der
Bodenwand der Kammer abhängt.
Der Suszeptor 84 ist fast auf der Höhe der oberen Kante des Ringes 72 und
der oberen Oberfläche
der Trägerplatte 40 gezeigt.
Dies ermöglicht
es, einen Wafer über
dem Suszeptor 84 und in dem oberen Teil 66 der Behandlungskammer 10 zu
positionieren.
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Bezieht man sich weiter auf 8, so ist der Einlaßflansch 20 geeignet,
mit einem Einlaßbestandteil 94 verbunden
zu werden, der einen horizontal verlängerten Schlitz 96 hat,
durch welchen ein Wafer eingeführt
werden kann, und einen verlängerten
Einlaß 98 zum
Einführen
von Behandlungsgas in den oberen Teil 66 der Kammer, nachdem
ein Isolationsventil, das von dem Schlitz 96 zu einer Waferbehandlungskammer
(nicht gezeigt) führt,
geschlossen wurde. Entsprechend ist der Auslaßflansch 22 geeignet, mit
einem Auslaßbestandteil 100 zum
Auslassen von Behandlungsgas aus der Kammer 10 zusammenzupassen,
als auch ein Vakuum in der Kammer aufzubringen. Wie man aus 8 sehen kann, ist der Auslaßflansch 22 zu
dem unteren Teil 68 der Kammer unterhalb der Trägerplatte
ebenso wie der Teil 66 über der
Trägerplatte
offen.
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Eine Vielzahl von Thermoelementen 102 erstreckt
sich durch den Auslaßbestandteil 100 und
in den unteren Teil 68 der Behandlungskammer 10.
Die Thermoelemente 102 erstrecken sich in die Nähe des Suszeptors 84,
um die örtliche
Temperatur zu fühlen, welche
den Suszeptor 84 und den auf diesem positionierten Wafer
umgibt. Wie zuvor in dem US-Patent Nr. 4,821,674 beschrieben wurde,
erlaubt das vorteilhafte Positionieren der Abfühlenden der Thermoelemente 102,
welche den Suszeptor 84 umgeben, ein umfassendes Feedback
bzw. Reaktion bezüglich
der Temperatur des Wafers und ermöglicht die Einstellung von
Strahlerheizlampen, welche die Kammer 10 umgeben, um Temperaturunregelmäßigkeiten
zu kompensieren. Genauer endet ein Vorderkanten-Thermoelement 104 in der Nähe des vorderen Endes
des Suszeptors 84, ein Hinterkanten-Thermoelement 106 endet in
der Nähe
einer rückwärtigen Kante
des Suszeptors, und ein seitliches Thermoelement (nicht gezeigt)
endet in der Nähe
einer Seitenkante des Suszeptors. Jedes der Thermoelemente 102 tritt
in den Temperaturausgleichsring 72 ein, der aus zwei Teilen
gebildet ist, um in sich ein hohles Inneres zu schaffen. Dieser
Ring wurde abermals zuvor in dem US-Patent Nr. 4,821,674 beschrieben.
Der Temperaturausgleichsring 72 weist im allgemeinen L-förmige Innen- und Außenkörper auf,
die gemeinsam einen ringförmigen
Durchgang durch den Ring zur Aufnahme der Thermoelemente 102 bestimmen.
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Vorzugsweise ist der Temperaturausgleichsring 72 aus
Graphit oder einem anderen Material mit solch hohem Wärmeabsorptionsvermögen aufgebaut.
Der Ring 72 schafft mehrere Vorteile in der Behandlungsumgebung,
in erster Linie die Verringerung der Kantenwärmeverluste aus dem Suszeptor 84. Genauer
umschließt
der Ring 72 dicht die Kante des Suszeptors 84 und
wird während
der Behandlung bei einer ähnlichen
Temperatur aufrecht gehalten, da die Materialien ähnlich sind.
Der Suszeptor und der Ring strahlen somit Wärme gegeneinander, um wirkungsvoll
jegliche Strahlungsverluste zwischen sich auszuschalten. Ein anderer
Vorteil des Temperaturausgleichsringes 72 besteht im Vorerwärmen und
Nacherwärmen
des Behandlungsgases in dem Bereich des Wafers. Speziell tritt das
Behandlungsgas bzw. reagierende Gas in die Kammer bei einer nicht
reagierenden Umgebungstemperatur ein und wird auf eine für die Deposition
geeignete Temperatur erhitzt, wenn es über den Suszeptor und den Wafer
hinweggeht. Der umgebende Temperaturausgleichsring 72 heizt
somit den reagierenden Gasstrom vor, bevor er die vordere Kante
des Suszeptors und anschließend die
vordere Kante des Wafers erreicht. Das Behandlungsgas erreicht somit
eine annähernd
beständige Zustandstemperatur,
bevor es über
die Kante des Wafers läuft.
Zusätzlich
fällt die
Temperatur des Gases nicht deutlich ab, nachdem es die Kante des
Wafers passiert hat, da sich der Temperaturausgleichsring 72 zu
dem abstromigen Wärmebereich
erstreckt. Weitere Vorteile des Temperaturausgleichsringes 72 werden
weiter unten in Bezugnahme auf modifizierte Ringe beschrieben.
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Der Gasstrom durch die Kammer wird
in 8 gezeigt. Reagierendes
Gas tritt durch den Einlaßbestandteil 94 mit
einem vorbestimmten seitlichen Geschwindigkeitsprofil ein, so wie
das in dem US-Patent Nr. 5,221,556 beschriebene Profil. Das vorbestimmte
Geschwindigkeitsprofil schafft einen größeren Gasstrom zu dem zentralen
Teil der Reaktionskammer 10 hin als zu den seitlichen Außenkanten zum
Ausgleich für
den längeren
Depositions-Laufweg über
die Mitte des kreisrunden Wafers, der auf dem Suszeptor 84 getragen
wird. Mit anderen Worten wird ein größerer Betrag an Reaktionsgas über den
zentralen Teil des Wafers aufgrund der Reaktionsverarmung bzw. Reaktionserschöpfung entlang dem
Fließweg über den
Wafer benötigt.
Ferner nimmt die Querschnittsform der Kammer 10, wie man am
besten in 2 sieht, in
der Mitte der Kammer einen größeren Gas strom
auf, wo ein größerer Reaktionsgasstrom
benötigt
wird als an den Seitenkanten, wo ein geringerer Reaktionsgasstrom
benötigt
wird.
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Das Reaktionsgas läuft längs nach
ruckwärts weiter,
wie durch den Pfeil 112 gezeigt ist, und tritt durch den
Auslaßbestandteil 100 und
nach unten durch Auslaßleitungen 114 aus,
wie durch den Pfeil 116 gezeigt ist. In typischer Weise
wird Entleerungsgas bzw. Reinigungsgas nach oben durch das hohle Rohr 92,
welches den Schaft 90 umgibt, zugeführt, wobei das Rohr so bemessen
ist, daß es
einen den Schaft umgebenden Gasdurchgang schafft. Das Entleerungsgas
tritt in den unteren Teil 68 der Kammer 10 ein,
wie durch die Pfeile 118 gezeigt ist. Das Entleerungsgas
verhindert unerwünschte
Deposition von Partikeln unterhalb des Suszeptors 84 und
tritt durch die untere Längsöffnung 64 in
den Auslaßflansch 22 aus,
wie durch den Pfeil 120 gezeigt ist. Das Entleerungsgas
mischt sich dann mit dem verbrauchten Reaktionsgas und läuft weiter
nach unten entlang dem Weg des Pfeils 116 durch die Auslaßleitungen 114.
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Die Endflansche 20, 22 sind
vorzugsweise durchsichtig und aus Quarz hergestellt, in welchem Stickstoffblasen
dispergiert sind. Die zentralen dünnen Wände 12, 14 und
die Trägerplatte 40 andererseits
sind für
Strahlungsenergie transparent, wobei Erhitzen durch Strahlung des
Suszeptors und des Wafers in der Kammer 10 erlaubt wird,
ohne hohe Temperaturen in diesen Aufbauten zu erzeugen. Die durchsichtigen
Flansche 20, 22 streuen bzw. zerstreuen Strahlungsenergie,
um „Licht-Leitung"
dort hindurch zu verringern. Dies schützt O-Ringe 122 außerhalb
der Flansche 20, 22 davor, extremen Temperaturen
ausgesetzt zu werden, die innerhalb der Kammer 10 erzeugt
werden. Vorzugsweise ist ein Abschnitt des Rohres 92 unterhalb
der unteren Wand 14 ähnlich
durchsichtig durch darin dispergierte Stickstoffblasen.
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Wie erwähnt, besteht ein Vorteil der
beschriebenen Kammer darin, daß sie
mit relativ dünnen
Quarzkammerwänden
verringertem innerem Druck widerstehen kann. Zum Beispiel können für eine Kammer,
die für
die Aufnahme eines Wafers von 8-Inch Durchmesser (nahezu 200 Millimeter)
gestaltet ist, die oberen und unteren Wände 12, 14 eine Wanddicke
von nur ungefähr
5 Millimetern erfordern, wobei die Trägerplattendicke ungefähr 10 Millimeter beträgt. Die
Kammerlänge
zwischen den Endflanschen beträgt
ungefähr
600 Millimeter, wobei die Kammerbreite ungefähr 325 Millimeter und die Höhe der Endflansche
ungefähr
115 Millimeter beträgt.
Die Abmessungen der Kammer werden natürlich für größer bemessene Wafer verändert. Zum
Beispiel ist die Kammer der vorliegenden Erfindung für Behandlungswafer
mit einem Durchmesser von 200 Millimetern, 300 Millimetern oder
sogar größer geeignet. Vorzugsweise
bleibt die relative Querschnittsabmessung dieselbe, und somit hat
eine breitere Kammer, die Wafer von 300 Millimeter aufnimmt, eine
größere Höhe. Die
größere Höhe in der
Kammer für
Wafer von 300 Millimetern erfordert bestimmte Veränderungen
für andere
Untersysteme, wie zum Beispiel die Heizstrahlerlampen, die um die
Kammer zum Erhitzen des Suszeptors und des Wafers angeordnet sind.
Kurz gesagt, obwohl die Umgebung zum Behandeln von Wafern mit 200
und 300 Millimeter Durchmesser notwendigerweise in bestimmter Hinsicht
verschieden ist, fallen diese Unterschiede in die Praxis des Fachmannes
für den
Aufbau und den Betrieb von Behandlungskammern bzw. der Behandlungskammer.
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Die besonderen Abmessungen sind selbstverständlich nur
als Beispiel dafür
gegeben, daß Kammern
verschiedener Formen und Abmessungen mit einer Trägerplatte
verwendet werden können,
die sich zwischen Seitenwänden
oder entlang der längeren
Abmessung des vertikal-seitlichen Querschnittes der Kammer erstreckt.
Eine Verallgemeinerung, die getroffen werden kann, besteht darin,
daß die
gesamte Kammerbreite vorzugsweise nahezu das Dreifache der Kammerhöhe beträgt. Das
bedeutet, daß der
obere Bereich 66 ein Verhältnis von Breite zu Höhe an der
seitlichen Mittellinie von nahezu sechs hat. In der vorliegenden
Ausführungsform
können, wie
oben erwähnt,
die Wände 12 und 14 eine
konstante Krümmung
mit einem Radius von ungefähr 60,96
cm (24 Inch) haben. Es sei bemerkt, daß wenn das Verhältnis von
Breite zu Höhe
wesentlich anwächst,
sich die oberen und unteren Wände 12 und 14 ausplatten
und Biegungsbeanspruchung weniger ohne Schaden überstehen können, wenn sie einem inneren
Vakuum unterworfen werden. Wenn andererseits dieses Verhältnis wesentlich
abnimmt, wird die Krümmung
der Wände 12 und 14 ausgeprägter, und die
Heizlampen müssen
weiter von dem Wafer und dem Suszeptor 84 im Abstand gehalten
werden, wodurch die Steuerung der Wärmeverteilung um den Wafer
verringert wird. Die durch die Trägerplatte 40 erfahrene
Zugbeanspruchung erhöht
sich, wenn sich das Verhältnis
von Breite zu Höhe
erhöht
und sich die Kammer ausplattet. Bei einem konstanten Kammervakuum
erhöht
sich die durch die Trägerplatte 40 erfahrene
Zugbeanspruchung um einen größeren Betrag
als das Anwachsen bzw. Größerwerden
in dem Verhältnis
von Breite zu Höhe
der Kammer. D. h., wenn man zum Beispiel von einer zylindrischen
Kammerform mit einem Verhältnis
von Breite zu Höhe
an der seitlichen Mittellinie von 2 : 1 im oberen Bereich 66 ausgeht,
ergibt sich eine Verdopplung dieses Verhältnisses auf 4 : 1 in einem
mehr als doppelten Anwachsen in der auf die Trägerplatte 40 aufgebrachten Beanspruchung.
Jegliche durch die Trägerplatte 40 absorbierte
Zugbeanspruchungen entlasten notwendigerweise Biegebelastungen nach
innen, die ansonsten auf die gekrümmten Kammerwände 12 und 14 aufgebracht
würden.
Somit kann ein optimales Verhältnis
von Breite zu Höhe
der Kammer bestimmt werden, was niedrige Druckbehandlung mit einem Kammerquerschnitt
von verhältnismäßig geringem Profil
ermöglicht.
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Die Kammer 10 kann auch
wünschenswert
in bestehende Systeme unter Verwendung von Kammern mit rechteckigem
Querschnitt umgerüstet
werden, wobei ferner die Notwendigkeit einer niedrigen, weiteren
Form wächst.
Die Kammerform ermöglicht es
vorteilhaft, den Wafer von einem Ende einzuführen, und ermöglicht das
Einführen
von Ersatzsuszeptoren und -ringen von dem anderen Ende der Kammer.
Eine solche Anordnung ermöglicht
es auch, den Gasstrom bequem von einem Ende zum anderen durch die
Kammer einzuführen,
wobei das Gas über die
innere Trägerplatte
fließt,
die nahezu mit dem in der Kammer zu behandelnden Wafer ausgerichtet
ist.
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In einer alternativen in 9 gezeigten Anordnung ist
ein modifizierter Temperaturausgleichsring 72' nach außen gebildet,
um dicht mit der gerundeten, rechteckigen Öffnung 42 in der Trägerplatte 40 zusammenzupassen.
Der Ring 72' dichtet somit im wesentlichen den oberen Teil 66 und
den unteren Teil 68 der Reaktionskammer 10 voneinander
ab. Auf diese Weise kann Reaktionsgas in dem oberen Teil 66 nicht
durch zwischen dem Ring 72' und der Öffnung 42 gebildete Spalte
hindurchgehen, was möglicherweise
den gleichförmigen
Strom über
den Wafer unterbrechen würde.
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In einer weiteren in 10 gezeigten Anordnung ist eine Opferquarzplatte 124 vorgesehen,
welche den kreisförmigen
Ring 72 umgibt. Die Opferplatte 124 hat einen
Innendurchmesser, der dicht zu dem Außendurchmesser des Ringes 72 paßt, und
eine äußere Form,
die zu der gerundeten, rechteckigen Öffnung 42 paßt und wünschenswert
gegen diese anstößt. Auf
diese Weise werden die Kanten der Öffnung 42 vor Entglasung
aufgrund wiederholten Erhitzens der Reaktionskammer 10 geschützt. Somit kann
die Opferplatte 124 ersetzt werden, wenn sie durch wiederholte
Erwärmungszyklen
entglast ist, während
die kostspieligere und dauerhaft befestigte Trägerplatte 40 erhalten
bleibt. In der Praxis ist die Platte 124 dicht in die Öffnung 42 passend
mit einem Minimum an Spiel dazwischen gestaltet, aber aufgrund Herstellungstoleranzen,
welche es ermöglichen,
die Platte innerhalb der Öffnung
einzupassen, ist ein Kontaktsitz nicht möglich. Die Platte 124 wird vorzugsweise
durch modifizierte Finger 80, 82 oder durch getrennte
Stützelemente
(nicht gezeigt) getragen, die an der Trägerplatte 40 befestigt
sind.
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Aufbauverfahren der Behandlungskammer
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Der Aufbau der Quarzkammer wird nun
erklärt.
Die Reaktionskammer 10 ist in einer bevorzugten Folge hergestellt,
um genaue Abmessungen sicherzustellen und die inneren Belastungen
innerhalb der Komponententeile zu minimieren. Genauer wird die Reaktionskammer 10 zuerst
durch Schweißen der
zwei Seitenschienen 16 und 18 an die Endflansche 20 und 30 hergestellt.
Wie zuvor bezüglich
der 3 beschrieben wurde,
haben die Flansche 20 und 22 jeder nach innen
gerichtete Ausdehnungen 54, die zu der Form der Seitenschienen 16 und 18 passen.
Anschließend
an die Verbindung der Seitenschienen und Endflansche wird der Aufbau
bei einer erhöhten
Temperatur geglüht,
um innere Belastungen zu verringern. Die mittlere Trägerplatte 40 wird dann
innerhalb der rechteckigen Form durch die zentrale Stumpfplatte 32b der
Seitenschienen 16, 18 und die zentralen, nach
innen gerichteten Ausdehnungen der Endflansche 20 und 22 gebildet.
Nach dem Schweißen
der Trägerplatte 40 wird
der gesamte Aufbau noch einmal geglüht, um innere Spannungen zu
verringern. Die Stützelemente 80 und 82 werden dann
an die Unterseite der Trägerplatte 40 in
geeigneten Positionen geschweißt.
Die Eckenfüller 76 werden
an der Verwendungsstelle geschweißt, um die gerundete, rechteckige Öffnung 42 zu
bestimmen. Alles Scharte der Kanten innerhalb der Kammer 10 wird
dann abgeschliffen, um gerundete Kanten zu glätten. An diesem Punkt werden
die oberen und unteren Wände 12 und 14 sowohl
an die Seitenschienen 16 und 18 als auch an die
Endflansche 20 und 22 geschweißt. Der Aufbau wird erneut
geglüht,
um innere Spannungen zu verringern. Das Rohr 92 wird dann
an der Verwendungsstelle koaxial mit einer runden, in der unteren
Wand 14 gebildeten Öffnung
geschweißt.
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Der Aufbau wird dann bei einer erhöhten Temperatur
feuerpoliert, um die Quarzoberfläche
zu veranlassen, leicht zu schmelzen und die durch Schleif- und Schweißtätigkeiten
gebildete Oberfläche zu
glätten.
Das Feuerpolieren ist ein wesentlicher Schritt bei der Bildung der
Kammer 10, um die Kammer für folgende Herstellungsschritte
und für
den Gebrauch zu festigen. Schließlich wird der gesamte Aufbau
geglüht,
um jegliche verbleibende innere Spannungen zu verringern. Fachleute
wissen, daß die Herstellung
der Quarzkammer eine komplexe und heikle Tätigkeit ist und als kunstvoll
betrachtet wird. Somit soll das oben beschriebene Verfahren eine spezielle
Konstruktionsart darlegen, und andere könnten folgen.
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Es können ernsthafte innere Spannungen durch
lokales Schweißen
erzeugt werden. Um die Spannungen zu minimieren, ist die gesamte
Kammer vorzugsweise in einen Ofen mit hoher Temperatur eingeführt und
darin befestigt. Die Sequenz der Schritte ist wie folgt. Die Elemente
der Behandlungskammer sind innerhalb eines großen Ofens mit einer großen Türöffnung positioniert,
durch welche ein Arbeiter die Kammerkomponenten erreichen und handhaben
kann. Der Ofen wird zuerst abgedichtet und auf eine erhöhte Temperatur
von vorzugsweise nahezu 900°C
erhitzt. Ist die spezielle Temperatur erreicht und befinden sich
alle Quarzkomponenten darin bei dieser Temperatur, wird die große Türöffnung geöffnet, um
dem Schweißer
den Zugang zu erlauben. Eine Anzahl von Wärmeschirmen oder Ablenkblechen
sind rund um die Kammer zwischen den heißen Quarzstücken und der Türöffnung positioniert,
um die Strahlungshitze durch die Türöffnung zu verringern. Die Schirme
sind somit angeordnet, um dem Schweißer den Zugang zu einem örtlich festgelegten
Teil der Kammer, der geschweißt
werden soll, zu erlauben und um Hitze, die von den diesen Bereich
umgebenden heißen
Quarzkomponenten ausgestrahlt wird, zu minimieren. Der Schweißer ist
angemessen mit schweren Schweißhandschuhen,
einem reflektierenden Anzug und Helm bzw. Maske bekleidet. Nachdem
die Türöffnung des
Ofens offen ist, verringert sich die Temperatur darin auf ungefähr 500–700°C. Es kann
gegebenenfalls zusätzliches,
lokalisiertes Erwärmen
notwendig sein, um den Wärmeverlust durch
die offene Tür
zu ergänzen.
Die zusätzliche Wärme kann
zum Beispiel mit einer Lötlampe,
entweder fokussiert oder gestreut, geschaffen werden. Die zuvor
erwähnte
Schweißfolge
wird dann innerhalb des Ofens durchgeführt, wobei die Tür des Ofens
geschlossen wird und die Kammerteile periodisch wieder erwärmt werden,
wenn zuviel Wärme
verloren ging. Dieses Verfahren verringert erheblich die inneren
Spannungen innerhalb der Quarzstücke,
indem große
Temperaturgradienten in ihnen bzw. darin vermieden werden.
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Behandlungssystem
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11 zeigt
eine Anordnung von Komponenten, die eine modifizierte Reaktionskammer 130 umgeben,
um höchst
gleichförmiges
CVD-Verfahren zu erzeugen. Vor der Beschreibung der Einzelheiten der
modifizierten Kammer 130 wird die Behandlungsumgebung beschrieben.
Die Kammer 130 weist eine innere Trägerplatte 132 auf,
die ähnlich
der zuvor beschriebenen inneren Trägerplatte 40 ist,
und weist somit eine Öffnung 133 auf,
die darin so abgemessen geformt ist, daß sie einen Suszeptor zum Tragen
eines Halbleiterwafers aufnimmt. Die Trägerplatte 132 ist
in einen vorderen Abschnitt 135a aufstromig von der Öffnung 133 und
in einen rückwärtigen Abschnitt 135b abstromig
von der Öffnung 133 geteilt.
Ein Suszeptor 134 ist auf einer Vielzahl von sich radial
erstreckenden Armen 136 einer zentralen Nabe 138 positioniert,
die auf einem hohlen Schaft 140 befestigt ist. Der Schaft 140 wird
seinerseits durch einen Motor 142 gedreht, der unterhalb
der Kammer 130 angeordnet ist. Die Rotationskupplung zwischen
dem Motor 142 und dem Schaft 140 wird genau in
dem US-Patent Nr. 4,821,674 beschrieben. Der Motor 142 ist
vorzugsweise auf einem festen Rahmen befestigt und weist Einstellmechanismen
zum Positionieren des Suszeptors 134 innerhalb der Kammer 130 auf.
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Ein Wafer 144 ist auf dem
Suszeptor ruhend in 11a gezeigt.
Eine Vielzahl von Heizstrahlerlampen ist um die Reaktionskammer 130 herum
angeordnet, um den Suszeptor 134 und den darauf befindlichen
Wafer 144 zu erwärmen.
Eine erste Reihe von oberen Lampen 146 erstreckt sich längs bezüglich der
Kammer 130. Eine zweite untere Reihe von Lampen 148 erstreckt
sich seitlich bezüglich
der Kammer 130. Die Verteilung der oberen Reihe der Lampen 146 ist
ungehindert, so daß eine
regelmäßige Folge
von Lampen über
die seitliche Ausdehnung der Kammer 130 vorgesehen ist.
Die untere Reihe von Lampen 114 ist andererseits auf beiden
Seiten des Schaftes 140 vorgesehen, sie ist aber in dem
den Schaft umgebenden Bereich unterbrochen. Ein oder mehrere Spotlights
bzw. Scheinwerfer oder gerichtete Lampen 150 sind unter
der Kammer 130 positioniert und umgeben ein nach unten
hängendes
Quarzrohr 152, das einstückig mit der Kammer 130 gebildet ist.
Das Rohr 152 nimmt konzentrisch den Schaft 140 auf.
Das Rohr 152 und der Schaft 140 bilden einen ringförmigen Raum
zwischen sich, der dazu verwendet wird, ein Entleerungs- bzw. Reinigungsgas
in einen Bereich unterhalb des Suszeptors 134 einzuspritzen.
Der Reinigungsgasstrom wird durch die Pfeile 154 in 11a gezeigt. Die gerichteten
Lampen 150 strahlen Energie zu der Unterseite des Suszeptors 143,
der durch den Schaft 152 und den Trägeraufbau beschattet sein kann.
Die spezielle Heizanordnung ist ähnlich
der in dem US-Patent Nr. 4,836,138 beschriebenen und dargestellten.
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Die oberen und unteren Reihen von
Lampen 146, 148 sind in einer im allgemeinen rechteckigen Konfiguration
oberhalb bzw. unterhalb des Suszeptorbereiches 134 verteilt.
Diese Anordnung fokussiert in Kombination mit den gerichteten Lampen 150 die Strahlungsenergie
auf dem Suszeptor 134 und dem zugeordneten Wafer 144.
Zusätzlich
verbessert die senkrechte Ausrichtung der oberen und unteren Reihen 146, 148 ferner
die Erwärmungsgleichförmigkeit des
Suszeptors 134. In den 11 und 11a ist ein vergrößerter Temperaturausgleichsring 155 gezeigt, und
sein spezieller Aufbau wird weiter unten in größerer Einzelheit beschrieben.
Es sei jedoch bemerkt, daß die
Umfangsgestalt des modifizierten Temperaturausgleichsrings 155 im
allgemeinen rechteckig ist und zu den hervorspringenden Strahlungshitzesäulen der
oberen und unteren Reihen von Lampen 146, 148 paßt. Diese
Anordnung ist äußerst wirksam
und resultiert in einer gleichförmigeren
Temperatur über den
Suszeptor 134.
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Ein Gasinjektor 156 ist
aufstromig von der Behandlungskammer 130 positioniert und
weist eine Vielzahl von Reaktionsgasstrom-Nadelventilen 158 zum
Messen des Reaktionsgases in der Kammer durch mehrere Öffnungen
auf. Reaktionsgas wird durch den Injektor 156 gemessen
und läuft
danach durch eine Einlaßöffnung 160,
welche in einen oberen Bereich 162 der Behandlungskammer 130 führt. Der
Reaktionsgasstrom wird durch den Pfeil 164 in 11a gezeigt. Das Gas strömt über den
Suszeptor 134 und den Wafer 144, über die
innere Trägerplatte 132 und
tritt durch eine Auslaßöffnung 166 in
der Behandlungskammer 130 aus. Der Auslaßweg ist
mit dem Pfeil 168 gezeigt. Zusammen mit dem zuvor beschriebenen
nach oben gerichteten Reinigungsstrom 154 ist ein Längsreinigungsstrom 170 durch
den Gasinjektor 156 vorgesehen. Genauer und wie weiter unten
in größerer Einzelheit
beschrieben wird, weist der Gasinjektor innere Kanäle auf,
die sich in einen unteren Bereich 172 der Behandlungskammer 130 durch
eine Reinigungseinlaßöffnung 174 öffnen. Der Reinigungsgasstrom 170 tritt
in den unteren Bereich 172 ein und läuft unterhalb des Suszeptors 134 und des
umgebenden Aufbaus vorbei und tritt aus dem unteren Bereich durch
eine Reinigungsauslaßöffnung 176 aus,
wie durch den Pfeil 178 gezeigt ist.
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11 zeigt
einen Auslaßapparat 180,
welcher sowohl den verbrauchten Reaktionsgasstrom 168 als
auch den Auslaß-Entleerungsgasstrom 178 aufnimmt.
Genauer nimmt eine gemeinsame Plenumkammer 182 die zuvor
erwähnten
Gasströme
auf und leitet sie zu einer gewinkelten Auslaßleitung 184 in Verbindung
mit einer Auslaßrohrverzweigung 186. Die
Auslaßrohrverzweigung 186 ist
an einer geeigneten Vakuumquelle befestigt. Die Plenumkammer 182 ist
durch ein im allgemeinen rechteckiges Flanschteil 188 bestimmt,
das vorzugsweise mit Wasser gekühlt wird,
wobei innere Durchgänge
durch Rohre 190 mit Kühlfluid
versorgt werden. Das innere Kühlen
des Flanschteils 188 hilft, Beschädigung der elastomeren Dichtung
zwischen dem Flanschteil und der Behandlungskammer 130 zu
verhindern.
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Modifizierter Temperaturausgleichsring
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Die 11, 11a und 12 zeigen den oben erwähnten Temperaturausgleichsring 155,
welcher den Suszeptor 134 umgibt. Dieser Ring 155 ist
in vielen Gesichtspunkten ähnlich
dem zuvor erwähnten
Ring 72' bezüglich
der 9. D. h., der Ring 155 ist
nach außen
aufgebaut, um dicht zu der gerundeten, rechteckigen Öffnung 194 zu
passen, die in der Trägerplatte 132 der
Kammer 130 gebildet ist, er ist aber von dieser im Abstand
gehalten, um Qualitätsverlust der
Quarträgerplatte 132 zu
verhindern. Wie in 11a gezeigt
ist, weist der modifizierte Temperaturausgleichsring 155 ein
unteres, ringförmiges U-förmiges Kanalteil 196 und
ein oberes ebenes Teil 198 auf. Das obere Teil 198 weist
eine Öffnung
auf, die über
dem Kanalteil 196 durch die Verwendung von einem oder mehreren
integral gebildeten, nach unten hängenden Zentrierringen 199 zentriert
ist, die auch kleine Vorsprünge
sein können,
die in einem Kreis mit rundem Muster im Abstand angeordnet sein können. Das
untere Teil 196 trägt
eine Vielzahl von verlängerten
Thermoelementen, die sich, wie zuvor beschrieben, von einem abstromigen
Ende der Kammer 130 durch die Entleerungsauslaßöffnung 176 und
in den unteren Bereich 172 und den Ring 155 erstrecken.
Der Ring 155 weist in seinem abstromigen Ende Öffnungen
zur Aufnahme der Thermoelemente auf.
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Vorzugsweise sind drei Thermoelemente durch
den Temperaturkompensationsring 155 getragen, die alle
in die Kammer aus dem abstromigen Ende durch die Entleerungsauslaßöffnung 176 eintreten.
Die drei Thermoelemente erstrecken sich parallel nach vorn in die
Kammer unterhalb der Trägerplatte 132 und
sind in seitlicher Richtung im Abstand angeordnet. Das mittlere,
in 11a gezeigte Thermoelement 199 erstreckt
sich genau unterhalb der Trägerplatte 132 und
endet abstromig von dem Suszeptor 134. Ein zweites Thermoelement 200 tritt
in den Ring 155 ein und rollt sich um einen kreisrunden Weg,
der durch das Kanalteil 196 bestimmt ist, um an der vorderen
Kantenposition zu enden, wie in 11a gezeigt
ist, an der vorderen Kante des Ringes. Ein drittes Thermoelement
(nicht gezeigt) tritt auch in den Ring 155 und rollt sich
halb um das Kanalteil 196 in der entgegengesetzten Richtung
von dem zweiten Thermoelement 200, um bei einer Position
in der Mitte zwischen den vorderen und den hinteren Kanten des Suszeptors 134 zu
enden. Die Kombination der drei Thermoelemente fühlt somit die Temperatur an
der vorderen Kante, der hinteren Kante und an der Seitenkante des
Suszeptors 134 ab.
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Damit die Thermoelemente in das Kanalteil 196 eintreten
können,
ist sein rückwärtiges Ende durch
einen verlängerten
L-förmigen
Teil 202 gebildet. Diesem Teil fehlt eine äußere Wand,
um es dem Thermoelement zu erlauben, in das Innere des Kanals einzutreten.
Obwohl nicht gezeigt, kann sich der L-förmige Teil um einen Bogen herum
erstrecken, der ausreichende Länge
hat, um die drei eintretenden Thermoelemente aufzunehmen, oder er
kann diskrete Teile an den Stellen aufweisen, durch welche jedes Thermoelement
in das Kanalteil 196 geht.
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Der obere ebene Teil 198 hat
eine innere Kante, die nahezu denselben Durchmesser hat wie die
innere Wand des Kanalteils 196, und paßt dicht zu der äußeren Umfangskante
des Suszeptors 134, ist aber von diesem im Abstand angeordnet.
Eine äußere Kante
des ebenen Teils 198 erstreckt sich nach außen von
der äußeren Wand
des Kanalteils 196 und paßt dicht zu der gerundeten,
rechteckigen Öffnung 133.
Der Ring 155 ist wiederum vorzugsweise aus Graphit mit
einer großen
thermisch wirksamen Masse hergestellt, um dazu zu verhelfen, die
Temperaturgleichförmigkeit über den
Suszeptor 134 und den Wafer 144 sicherzustellen.
Der Ring 155 kann jedoch aus geringerer thermischer Masse
oder sogar aus Quarz hergestellt sein, so daß direkte Strahlungswärme von
den Reihen der Lampen 146, 148 und 150 auf
die Kante des Suszeptors 134 auftreffen kann.
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Unter Bezugnahme auf die 11a ist ein aufstromiger
Spalt 204 zwischen dem Ring 155 und dem aufstromigen
Abschnitt 135a der Trägerplatte 132 bestimmt. Ähnlich ist
ein abstromiger Spalt 206 zwischen der abstromigen Kante
des Ringes 155 und dem abstromigen Abschnitt 135b der
Trägerplatte 132 gebildet.
Der aufstromige Spalt 204 ist leicht kleiner bemessen als
der abstromige Spalt 206. Das Behandlungsgas, welches über den
Suszeptor 134 und den Wafer 144 geht, ist zu dem
Einlaßende
der Kammer 130 hin verhältnismäßig kalt.
Da das Behandlungsgas über
den heißen
Ring 155 und den Suszeptor 134 geht, wärmt es sich
an der hinteren Kante des Wafers auf eine maximale Temperatur auf.
Der Ring 155 wird somit in der Umgebung der Behandlungskammer
an seiner abstromigen Kante einer höheren Temperatur unterworden
als seine entgegengesetzte, aufstromige Kante unterworfen wird.
Da das Quarz verhältnismäßig zerbrechlich
ist und bei wiederholtem thermischem Zyklieren bricht, ist der Spalt 206 an
der abstromigen Kante des Ringes 155 leicht größer hergestellt,
um übermäßiges Erhitzen
des Quarzes durch den Ring 155 an dieser Stelle zu verhindern.
Der aufstromige Spalt 204 beträgt ungefähr 4 Millimeter, während der
abstromige Spalt ungefähr 5
Millimeter hat.
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Opferquarzplatte
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Die Behandlungskammer 130 der 11 beinhaltet ferner eine
Opferquarzplatte 210, um die aufstromige Kante der Öffnung 133 zu
schützen.
Wie man in den 12 bis 14 sieht, weist die Opferquarzplatte 210 einen
horizontalen, ebenen Teil 212 und eine vertikale, krummlinige
Lippe
214 auf. Der horizontale Teil 212 weist
ferner eine große
zentrale Öffnung 216 auf,
die so bemessen ist, daß sie
den Antriebsschaft 140 und die Nabe 138 aufnimmt.
Der horizontale Teil 212 erstreckt sich unterhalb des Suszeptors 134 und
wird durch drei Finger 218 getragen, die von unterhalb
der zentralen Trägerplatte 132 abhängen. Die
Finger 218 sind sehr ähnlich
den Trägerfingern 80 und 82,
die zuvor bezüglich
der ersten Kammerausführungsform
beschrieben wurden. Genauer ist ein vorderer Finger 218a zentral über die seitliche
Breite des aufstromigen Abschnittes 135a der zentralen
Trägerplatte 132 angeordnet.
Ein Paar von abstromigen Fingern 218b ist seitlich von
dem Zentrum der Trägerplatte
in ihrem abstromigen Abschnitt 135b im Abstand angeordnet.
Die nahe Anordnung dieser Finger sieht man am besten in der Explosionsansicht
der 12.
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Der horizontale Teil 212 der
Opferquarzplatte 210 weist zwei rückwärtige Ausdehnungen 220 mit rechtwinkligen
Bereichen 221 von verringerter Dicke und darin befindlichen Öffnungen 222 auf.
Die dünnen
Bereiche 221 der Ausdehnungen 220 sind so bemessen,
daß sie
auf die abstromigen Finger 218b passen, wie man am besten
in 11a sieht. Die Öffnungen 222 sind
so bemessen, daß sie
Trägerstifte 224 aufnehmen,
die auch auf den Fingern 218b getragen werden. Die Stifte 224 erstrecken
sich durch die Öffnungen 222 und
werden für
das Stützen
des Temperaturausgleichsrings 155 verwendet. Auch sind
ein dünner
gemachter Bereich 230 und eine vordere Öffnung 226 in dem
horizontalen Teil 212 zur Aufnahme eines Trägerstiftes 227 vorgesehen.
Der vordere Finger 218a paßt in den dünner gemachten Bereich 230 und
trägt das
vordere Ende der Opferquarzplatte 210 sowie das vordere
Ende des Ringes 155 über
den Stift 227. Die dünner
gemachten Bereiche 221 und 230 und genauer die
dadurch gebildeten Seitenwände
halten in Kombination mit den Öffnungen 222 und 226 und
den Stiften 224 und 227 die Platte 210 in
Position bezüglich
der Finger 218a, b.
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Die Quarzplatte 210 hat
eine im allgemeinen konstante, seitliche Querschnittsbreite, welche
an einem vorderen Ende zu einem breiteren Bereich 228 divergiert.
Der breite Bereich 228 weist gerundete vordere Ecken auf,
die zu der Gestalt der Öffnung 133 passen.
Die vertikale Lippe 214 erstreckt sich von den gerundeten
Kanten des vorderen Teils 228 nach oben in die Nähe der gerundeten
rechteckigen Kanten der Öffnung 133.
Dies sieht man am besten in 11a.
Die vertikale Lippe 214 paßt somit dicht zu der inneren
Kante der Trägerplatte 132 an
der Öffnung 133 und
schützt
das Quarz an dieser Stelle vor Entglasung. Die vertikale Lippe 214 hat
Kontakt mit dem Quarz der Öffnung 133.
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Die Form der Opferquarzplatte 210 sieht man
in Draufsicht und im Querschnitt in den 13 bzw. 14.
Es sei bemerkt, daß die
Dicke der Platte 210 in dem Mittelteil größer und
an den Bereichen 221 und 230 dünner ist, welche, wie erwähnt, die
Finger 218a, b aufnehmen und halten. Ferner ist die vertikale
Lippe 214 bemerkenswert dünner als der horizontale Teil
der Platte 210. Zur Verwendung in einer Reaktionskammer
zur Behandlung von Wafern von Durchmessern von 200 Millimetern hat
die Opferquarzplatte 210 eine Gesamtlängenabmessung von nahezu 28,45
cm (11.2 Inch). Die Breite der Platte 210 beträgt nahezu
18,92 cm (7.45 Inch), und die nach außen divergierenden Kanten in
dem Bereich 228 bilden mit den Seitenkanten einen Winkel
von 30°.
Die Breite des vorderen Bereiches 228 beträgt nahezu
25,81 cm (10.16 Inch). Die Krümmung
der vorderen Kanten, die dicht zu der inneren Kante der Öffnung 133 paßt, beträgt im Radius
nahezu 5,72 cm (2.25 Inch). Die Platte hat eine Dicke von nahezu 0,51
cm (0.2 Inch) über
einen Hauptteil ihres Querschnittes, wobei aber die Bereiche, welche
die Finger 218 aufnehmen, eine Dicke von nahezu 0,152 cm (0.06
Inch) haben. Die vertikale Lippe hat eine Höhe von nahezu 2,51 cm (0.99
Inch), während
ihre Dicke nahezu 1 mm (0.04 Inch) beträgt.
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Die 15–17 zeigen
eine Opferquarzplatte 240, die in den meisten Beziehungen
der zuvor beschriebenen Quarzplatte 210 identisch ist.
Im Gegensatz dazu weist die Quarzplatte 240 jedoch eine
horizontale Ausdehnung 242 auf, die an einer oberen Kante
der vertikalen Lippe 214 gebildet ist. Die horizontale
Ausdehnung 242 erstreckt sich nach vorne von der Lippe 214 und
soll auf der oberen Oberfläche der
zentralen Trägerplatte 132 ruhen.
D. h., daß sich die
vertikale Lippe 214 nach oben, wie man in 11a sieht, in dichte Nähe zu der Öffnung 133 erstreckt
und sich die horizontale Ausdehnung 242 über die
obere Ecke der Öffnung
erstreckt. Diese Anordnung schützt
ferner das Quarz der zentralen Trägerplatte 132 vor
Entglasung. In den anderen Beziehungen ist die Quarzplatte 240 mit
der zuvor beschriebenen Quarzplatte 210 identisch und wird durch
die Finger 218a, b unterhalb des Suszeptors 134 und
parallel zu diesem getragen.
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Die 18a und 18b zeigen die den Suszeptor 134 umgebend
angeordneten Opferquarzplatten. Wie man in 18a genauer sieht, sieht man die Opferquarzplatte 210 in
gestrichelter Linie unterhalb des Suszeptors 134, wobei
die vertikale Lippe 214 an der abstromigen Kante des vorderen
Abschnittes 135a des zentralen Trägers 132 sichtbar
ist. Man sieht, daß sich
die vertikale Lippe 214 seitlich um die Seiten der Öffnung 133 erstreckt,
um an den Seitenschienen 18 der Kammer 130 zu
enden, wie zuvor beschrieben wurde. 18b zeigt
andererseits die horizontale Ausdehnung 242, die sich nach
vorn von der Kante der Öffnung 133 erstreckt.
Wieder ist die Opferquarzplatte 240 unterhalb des Suszeptors 134 und
parallel zu diesem positioniert.
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Die 18c, 19 und 20 zeigen ein Paar von diskreten Opferquarzplatten 250a und 250b,
das auf der zentralen Trägerplatte 132 positioniert
ist. Die diskreten Platten 250 werden in Draufsicht in 19 gezeigt und haben eine
im allgemeinen rechteckige Form mit einem Paar von abgeschrägten Kanten 252 auf
einem aufstromigen Ende und einer krummlinigen, abstromigen Kante 254.
Wie man in 20 sieht,
springt eine vertikale Lippe 256 nach unten von der krummlinigen
Kante 254 hervor. Die krummlinige Kante 254 ist
so bemessen, daß sie
dicht zu den gekrümmten
Ecken der gerundeten, rechteckigen Öffnung 133 paßt. Diesbezüglich und
wie man in 18c sieht,
sind die diskreten Opferquarzplatten 250a, b an den gerundeten
Ecken der Öffnung 133 positioniert.
Die nach unten abhängende
Lippe 256 schützt
somit die Ecken der Öffnung 133 vor
Entglasung. Die Ecken der Öffnung 133 werden
während der
Vakuumbehandlung den größten Belastungen unterworfen
und leiden daher am meisten durch wiederholtes, thermisches Zyklieren.
Somit schützt
die Schaffung der diskreten Platten 250a, b diese Ecken, und
sie können
verhältnismäßig leicht
ersetzt werden. Die Platten 250a, b, sind einfach auf der
zentralen Trägerplatte 132 ohne
andere Befestigungsmittel angebracht. Selbstverständlich kann
eine einzige Opferquarzplatte, welche die diskreten Platten 250a, b
kombiniert auch direkt oben auf der zentralen Trägerplatte 132 angebracht
werden.
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Gasinjektor
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21 stellt
den zuvor bezüglich 11 erwähnten Gasinjektor 156 dar.
Der Gasinjektor 156 weist ein im allgemeinen vertikales,
zweiteiliges Flanschteil auf, welches an das aufstromige Ende der Quarzkammer 130 anstößt. Genauer
ist der Gasinjektor 156 zwischen einer Waferhandhabungskammer 260 (gestrichelt
dargestellt) und der Behandlungskammer 130 in Sandwichbauart
angeordnet. Geeigneter pneumatischer Druck wird auf eine von vielen,
dem Fachmann bekannten Arten vorgesehen, um den sehr guten Kontakt
zwischen dem Gasinjektor 156 und der Kammer 130 sicherzustellen.
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Die Waferhandhabungskammer 260 weist eine
kegelförmige
Waferbelieferungsöffnung 262 auf, welche
zu einem horizontalen Wafer/Gas-Eintrittsschlitz 264 führt, der
durch den Gasinjektor 256 bestimmt wird. Eine Waferhandhabungsvorrichtung (nicht
gezeigt) liefert Wafer durch die Belieferungsöffnung 262 und den
Eingangsschlitz 264 zu der Handhabungskammer 260 und
der Behandlungskammer 130 und von diesen weg.
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Die Waferhandhabungsvorrichtung weist eine
Aufnahmewand mit geringem Querschnitt vom Bernoulli-Typ auf, welche
durch den Eintrittsschlitz 264 paßt, der auf einer Unterseite
den Wafer trägt. Selbstverständlich können andere
Aufnahmewände mit
geringem Querschnitt verwendet werden. Diesbezüglich hat der Eintrittsschlitz 264 eine
Höhe von nahezu
1,91 cm (0.75 Inch) und eine Länge
durch den Gasinjektor 156 von etwa 3,96 cm (1.56 Inch). Bezüglich der
Rückansicht
der 22 erstreckt sich der
Eintrittsschlitz 264 seitlich entlang einem Hauptteil der
Breite des Gasinjektors 156 und hat vorzugsweise eine Breite
von ungefähr
22,86 cm (9 Inch), um den Durchgang von Wafern mit 200 mm zu ermöglichen.
Fachleute werden bemerken, daß die
hier bezeichneten Abmessungen verändert werden, um Wafer größerer Abmessung,
wie zum Beispiel solche von 300 mm Durchmesser, unterzubringen.
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Wie in dem US-Patent Nr. 4,828,224
beschrieben, ist ein Absperrschieber in der Handhabungskammer für reziproke
Bewegung abwechselnd zum Schließen
und Öffnen
der Belieferungsöffnung 262 befestigt.
Der Absperrschieber weist einen Schwenkkörper auf, der durch sich hindurch
auch einen Waferdurchgang hat, wobei sich der Durchgang in Linie
mit der Belieferungsöffnung 262 befindet, wenn
der Schieber geöffnet
ist. Eine feste Oberfläche des
Absperrschiebers weist einen O-Ring
auf, der geeignet ist, gegen die Vorderfläche des Gasinjektors 156 abzudichten,
um die Umgebung der Handhabungskammer 260 von der der Behandlungskammer 130 zu
isolieren.
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Der Gasinjektor 156 ist
aus einer vorderen Flanschhälfte 266 und
aus einer rückwärtigen Flanschhälfte 268 gebildet.
Die vorderen und rückwärtigen Flanschhälften 266, 268 sind
im allgemeinen vertikal angeordnete, plattenähnliche Teile, die so angeordnet
sind, daß sie
gegeneinander passen. Genauer ist die Vorderfläche der vorderen Flanschhälfte 266 geeignet,
gegen die Waferhandhabungskammer 260 zu passen, und ihre
Rückseite
stößt gegen
die Vorderfläche
der rückwärtigen Flanschhälfte 268.
Ferner paßt
die rückwärtige Fläche der
rückwärtigen Flanschhälfte 268 gegen
die Behandlungskammer 130. O-Ringdichtungen sind zwischen
diesen Elementen vorgesehen, um Gasleckage von den Waferhandhabungsbereichen
oder deren Verunreinigung zu verhin dern. Ein im allgemeinen ovalförmiger Kammer-O-Ring 270,
am besten in 22 gesehen, ist
zwischen dem Gasinjektor 156 und der Kammer 130 vorgesehen.
Genauer weist die rückwärtige Flanschhälfte 268 eine
fortlaufende Nut 272 (25) in
ihrer rückwärtigen Fläche auf,
welche den Eintrittsschlitz 264 umgibt, der den Kammer-O-Ring 270 aufnimmt.
Der Kammer-O-Ring 270 stößt gegen die flache Vorderfläche der
Behandlungskammer 130 und umgibt die Einlaßöffnungen 160, 174,
welche zu dem oberen bzw. unteren Bereich 162 bzw. 172 führen. Ein
mittlerer O-Ring 274 ist in einer Nut in der rückwärtigen Fläche der
vorderen Flanschhälfte 266 vorgesehen
und dichtet den Eintrittsschlitz 264 an der Verbindung
zwischen den vorderen und rückwärtigen Flanschhälften 266, 268 ab.
Schließlich
ist ein O-Ring 276 der Handhabungskammer in einer Nut in der
Vorderfläche
der vorderen Flanschhälfte 266 vorgesehen,
welcher den Eintrittsschlitz 264 an der Grenzfläche zwischen
dem Gasinjektor 156 und der Waferhandhabungskammer 260 abdichtet.
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Wie man in den 22 und 23 sieht,
ist eine Vielzahl von Nadelventilen 158 über die
obere Kante der rückwärtigen Flanschhälfte 268 verteilt.
Es sind fünf
solcher Nadelventile 158 gleichmäßig und zentriert in der rückwärtigen Flanschhälfte 268 verteilt. Jedes
der Nadelventile 158 weist eine rohrförmige Kartusche 280,
die in einen sich nach oben öffnenden,
abgestuften Hohlraum 282 (26)
befestigt ist, und Klemmschrauben 284 für die Einstellung des Gasstromes
durch den Gasinjektor 156 auf. Diesbezüglich tritt das Behandlungsgas
durch eine Einlaßleitung 286 in
eine seitliche Kante der rückwärtigen Flanschhälfte 268 und
wird durch den Gasinjektor 156 verteilt, wenn es schließlich in
die Behandlungskammer 130 durch den Eintrittsschlitz 264 eintritt.
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Das Behandlungsgas tritt an der Einlaßleitung 286 ein
und strömt
durch ein horizontales Plenum 288, das sich seitlich über die
rückwärtige Flanschhälfte 268 unterhalb
der fünf
Einstellklemmschrauben 284 erstreckt. Wie man am besten
in 26 sieht, ist jede
Kartusche 280 innerhalb einer oberen Gewindebohrung 290 des
Hohlraumes 282 befestigt, wobei der Hohlraum auch eine
Ventilbohrung 292 mit verringertem Durchmesser bestimmt. Jede
der Gewindebohrungen 292 befindet sich in Fluidverbindung
mit dem horizontalen Plenum 288. Jede Kartusche 280 weist
einen äußeren Gewindeteil 294,
der zu der Gewindebohrung 290 paßt, und einen unteren Teil 296 mit
verringertem Durchmesser zur Aufnahme und Kanalisieren des Behandlungsgases
auf. Genauer weist der Teil 296 mit verringertem Durchmesser
einen horizontalen Schlitz 298 an der Höhe des Plenums 288 auf,
welcher es dem Behandlungsgas erlaubt, frei entlang dem Plenum zu
jedem Hohlraum 288 zu strömen. Gas, welches durch die Einlaßleitung 286 eintritt,
füllt somit
das Plenum 288 auf einen gleichmäßigen Druck über seine
Breite.
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Ein von der Kartusche 280 getrennter
Ventilsitz 300 ist auf dem Bodenende der Ventilbohrungen 292 positioniert
und auf seiner Außenseite
gegen die Gewindebohrung mit einem O-Ring 302 abgedichtet. Jede
Klemmschraube 284 ist axial mit einer Nadel 304 ausgerichtet
und stößt an diese
an, welche sich nach unten durch die hohle Kartusche 280 und
in Eingriff mit einer inneren Dichtungsoberfläche auf dem Ventilsitz 300 erstreckt.
In der Mitte entlang der Nadel 304 schafft ein ringförmiger Nadelrand 306 eine
Reaktionsoberfläche,
gegen welche eine Feder 308 arbeitet. Die Feder 308 ist
innerhalb einer oberen zylindrischen Bohrung 310 der Kartusche
positioniert und stößt gegen
eine Stufe 312 mit verringertem Durchmesser. Die Nadel 304 ist
somit nach oben in Eingriff mit der Klemmschraube 284 vorgespannt.
Die Feder 308 ermöglicht
es, das Positionieren der Nadel 304 bezüglich der Kartusche 280 zu
präzisieren.
D. h., die Nadel 304 hat innerhalb der Bohrung der Kartusche 280 einen
Gleitsitz und ist durch die Feder 308 gegen die Klemmschraube 284 vorgespannt,
welche einen einstellbaren Anschlag schafft. Zusätzlich ist die Federkonstante
der Feder 308 ausreichend, um nach unten gerichteter Bewegung
der Nadel 304 während der
Vakuumbehandlung zu widerstehen.
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Die Kartusche 280 ist mit
Abstufungen um ihren Umfang herum versehen und arbeitet mit der drehbaren
Klemmschraube 284 ähnlich
wie ein Mikrometer. Axialer Lauf der Klemmschraube 284 und der
Nadel 304 innerhalb der Kartusche 280 bringt abwechselnd
die Ventiloberflächen
zwischen dem unteren Ende der Nadel und dem Ventilsitz 300 in
Eingriff und trennt sie abwechselnd voneinander. Ein zweiter kleinerer
O-Ring 314 ist rund um die Nadel 204 vorgesehen
und arbeitet gegen eine Bohrung 316 mit verringertem Durchmesser
unterhalb der oberen Bohrung 310 in der Kartusche 280.
Dies hindert Behandlungsgas daran, nach oben um die Nadel 304 herumzulaufen.
Ein dritter O-Ring 318 ist in einer in der Außenseite
der Kartusche 280 gebildeten Nut positioniert und arbeitet
gegen die Ventilbohrung 292, um Behandlungsgas daran zu
hindern, nach oben rund um die Kartusche zu entweichen.
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Bezüglich 22 erstreckt sich eine enge Leitung 320 nach
unten unterhalb der Ventilbohrung 292 in Verbindung mit
einer Expansionskammer 322, wie am besten in 24 zu sehen ist. Wie man
auch an der vorderen Seite der rückwärtigen Flanschhälfte 268 in 23 sieht, ist jede Expansionskammer 322 als
ein horizontaler Schlitz gebildet und divergiert nach außen an einem
rückwärtigen Ende
unterhalb der Leitung 320 zu einem vorderen Ende, welches der
rückwärtigen Flanschhälfte 266 zugewandt
ist. Die Expansionskammern 322 sind durch zwei Verteilervorrichtungen 324 getrennt.
Es sind fünf
solcher Expansionskammern 322 vorhanden, die mit dazwischen
vorgesehenen Flußverteilervorrichtungen 324 gebildet
sind.
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Das vordere untere Ende jeder Expansionskammer 322 endet
in einer abgerundeten Lippe 326, im Profil in 21 gezeigt. Die Lippe 326 springt nach
vorn hervor und endet gerade kurz vor der Ebene, welche durch die
Vorderseite der rückwärtigen Flanschhälfte 268 bestimmt
wird; diese bestimmt auch eine Grenzfläche zwischen den Flanschhälften. Die
Verteilervorrichtungen bzw. Trennvorrichtungen 324 ragen
nach vorn zu der Grenzfläche
heraus und enden an dem vordersten Punkt der abgerundeten Lippe 326,
wie man in 23 sieht.
Die Lippe 326 setzt sich nach rückwärts von den Flußverteilervorrichtungen 324 fort,
wobei sie unter die Expansionskammern 322 in einer gemeinsamen
ebenen, gewinkelten Oberfläche 32 rollt.
Die gewinkelte Oberfläche 328 setzt
sich nach unten und nach rückwärts, bis
sie den Eintrittsschlitz 264 schneidet, fort, wie man in 21 sieht.
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Betrachtet man 21, so weist die vordere Flanschhälfte 266 eine
Reihe von Ausnehmungen 330 auf, die in ihrer Rückseite
gegenüber
den Expansionskammern 322 gebildet sind. Die Ausnehmungen 330 haben
schmale Wände 332,
die voneinander getrennt sind, was gestrichelt in 22 dargestellt und im Querschnitt in 24 zu sehen ist. Jede Ausnehmung 330 hat
eine längliche,
im allgemeine halbzylindrische Gestalt, und eine untere Wand 334,
die nach unten und nach rückwärts gewinkelt
ist und sich als eine Lippe 336 fortsetzt, die unterhalb
der gewinkelten Oberfläche 328 der
rückwärtigen Flanschhälfte 268 hervorragt.
Die schmalen Wände 332 enden an
der Grenzfläche,
während
sich die Lippe 336 nach rückwärts von dieser erstreckt. Die
winkelige Oberfläche 328 oberhalb
und die Lippe 336 unterhalb bestimmen zusammen einen schmalen
Schlitz 338 für den
Gasfluß mit
einer Breite, die in der Breite nahezu gleich der Breite der fünf kombinierten
Expansionskammern 322 ist.
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Behandlungsgas wird an den Nadelventilen 158 gemessen
und läuft
nach unten durch die Leitung 320 in die Expansionskammern 322,
wo der Gasstrom nach außen
diffundiert, um seine Geschwindigkeit zu verlangsamen. Die fünf langsameren,
sich bewegenden Ströme
des Behandlungsgases fließen
dann im allgemeinen nach vom über
die Grenzfläche
und werden beinahe um 180° durch
die gekrümmten
Wände der
Ausnehmungen 330 gedreht, um durch den schmalen Schlitz 338 gelenkt
zu werden, der den Strom zu einem blattähnlichen Band formt. Der durch
jedes der fünf
Nadelventile 158 gemessene Strom wird durch die Flußverteilervorrichtungen 324 innerhalb
jeder der Expansionskammern 322 und innerhalb jeder der
Ausnehmungen 330 durch die Wände 332 getrennt gehalten.
Den fünf
getrennten Strömen
wird gestattet, sich durch den Schlitz 338 zu mischen,
um in einem einzigen, ebenen Band zu resultieren. Diese Gasflußbahn setzt sich
nach unten und nach rückwärts in den
Eintrittsschlitz 264 und danach im allgemeinen horizontal durch
die Behandlungskammer 130 fort, in erster Linie aufgrund
des abnehmenden Druckgradienten entlang der Kammer in der Richtung
der Vakuumquelle abstromig von der Auslaßvorrichtung 180. Während des
Behandlungsgasflusses wird das vordere Ende des Eintrittsschlitzes 264 durch
die Schaffung des zuvor erwähnten
Absperrschiebers geschlossen, um Fließen in die entgegengesetzte
Richtung zu verhindern. Das Mischen des Stromes beginnt in einem
bedeutenden Abstand aufstromig von der vorderen Kante des Wafers,
um so für
die getrennten Fließströme angemessenen
Abstand und Zeit zu schaffen, sich durch Diffusion zu mischen, wodurch
das Gasdichteprofil seitlich über
den Wafer geglättet
wird.
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Wie man in 22 sieht, ist der Gasinjektor 156 ferner
mit Reinigungsgas- bzw. Entleerungsgaskanälen versehen, und drei Entleerungsgasöffnungen 340 öffnen sich
in den unteren Bereich 172 der Behandlungskammer 130.
Diesbezüglich
fließt
Behandlungsgas durch den Eintrittsschlitz 264 und die Einlaßöffnung 160 in
den oberen Bereich 162 der Kammer 130, während Entleerungsgas
durch die drei Öffnungen 340 und
die Entleerungseinlaßöffnung 174 in
den unteren Bereich 172 der Kammer fließt. Ein Entleerungsgaseinlaß 342 ist
auf der Seitenkante der rückwärtigen Flanschhälfte 268 gegenüber der
Einlaßleitung 286 für Behandlungsgas
vorgesehen. Der Einlaß 342 führt zu einem
kurzen, horizontalen Durchgang 344, der mit einem vertikalen Durchgang 346 Verbindung
schafft. Ein horizontales Entleerungsgasplenum 348 verteilt
das Entleerungsgas in gleichen Drücken zu den Öffnungen 340.
Entleerungsgas wird somit durch den Gasinjektor 156 kanalisiert
und tritt durch die drei gleichmäßig im Abstand
angeordneten Öffnungen 340 aus,
die unterhalb des Eintrittsschlitzes 264 und unterhalb
der zentralen Stützplatte 130 positioniert
sind, wenn der Gasinjektor an die Behandlungskammer 130 stößt.
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Unter Bezugnahme auf die 21, 24 und 25 weist
der Gasinjektor 156 auch in sich Wasserkühlkanäle zum Schutz
des O-Ringes 270 der Kammer auf. Genauer schafft ein Paar
von unteren Leitungen 350a, 350b einen Kühlwasserfluß in den Gasinjektor 156 und
aus diesem heraus. Die inneren Kühlkanäle innerhalb
des Gasinjektors 156 sieht man am besten im Querschnitt
der 25. Kühlwasser tritt
durch die Leitung 350a ein und läuft nach oben durch einen kurzen
Abschnitt oder Durchgang 352 in einen länglichen, horizontalen unteren
Durchgang 354. Dieser Durchgang 354 schafft Verbindung
mit einem vertikalen Seitendurchgang 356 und danach mit
einem länglichen,
horizontalen oberen Durchlaß 358.
Schließlich
erstreckt sich ein zweiter Seitendurchgang 360 von dem
oberen Durchgang 358 nach unten zu dem Kühlauslaß 350b.
Man sieht, daß jeder dieser
Durchgänge
in die feste, rückwärtige Flanschhälfte 258 gebohrt
ist, und Stopfen 362 sind an jedem ihrer äußeren Enden
vorgesehen. Das Muster der Durchgänge paßt dicht zu der Gestalt des
O-Ringes 270 der Kammer. Ferner sind die Durchgänge in der rückwärtigen Flanschhälfte 268 an
einer Stelle nahe dem O-Ring 270 mit einem Minimum an festem
Material dazwischen vorgesehen, wie man am besten in den 21 und 24 sieht. Der Kühlfluß durch die Durchgänge soll
die Temperatur des Materials des Gasinjektors 156 nahe
dem O-Ring 270 der Kammer bei ungefähr 60°F oder kälter halten. Das verwendete
Kühlfluid
ist vorzugsweise ein pH ausgeglichen eingestelltes mineralfreies
Wasser, das bei Raumtemperatur oder weniger eingeführt wird.
Die Gasinjektorelemente sind vorzugsweise aus nicht rostendem Stahl
hergestellt, und das mineralfreie Wasser verhindert die Bildung
von Niederschlägen,
welche den Durchgang des Kühlwassers
hindern können.
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Der vorliegende einstellbare Gasinjektor 156 verbessert
erheblich den Wirkungsgrad des Gasstromes durch die Behandlungskammer 130.
Speziell erzeugten viele frühere
Gasinjektoren ein festes Fließmuster
oder waren zur Einstellung ungeeignet. Wenn der Gasstrom geringer
als das Optimum war, zum Beispiel wenn Rückführungen wegen Deposition bzw.
Ablagerung auf den Kammerwänden
ersichtlich wurde, mußte
daher der gesamte Gasinjektor auseinandergenommen werden, um den
Gasstrom durch diesen hindurch einzustellen. In dem vorliegenden
Gasinjektor 156 schaffen die Klemmschrauben 284 Einstellbarkeit über die
seitliche Breite der Kammer. Wenn Rückführungen durch Bildung von Partikeln
auf der einen oder anderen Wand der Kammer beobachtet werden, wird
der Gasstrom an dieser Seite höher
eingestellt. Häufig
verhindern Herstellungstoleranzen im Aufbau des Gasinjektors genaue Korrelation
zwischen den Einstellungen der Klemmschrauben 284 und dem
Gasstrom an den fünf
Nadelventilen vorbei. Wären
die Toleranzen perfekt, könnten
die Klemmschrauben auf spezifische Werte bezüglich den Mikrometerabstufungen
auf der Kartusche 280 eingestellt werden, und die Fließrate wäre aus solchen
Werten voraussagbar. Die Toleranzen sind jedoch weniger als genau,
und die Einstellbarkeit der Nadelventile beschleunigt erheblich
die Behandlung.
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Obwohl die verschiedenen, seitlich
verteilten Gasströme
unabhängig
in dem Gasinjektor 156 gemessen werden, ist der Aggregatausstoß aus dem Injektor
ein einziges Stromband, in welchem die Längsgrenzen der Ströme sich
gut aufstromig von der vorderen Kante des Wafers mischen dür fen. Somit
wird die Depositionsgleichförmigkeit
durch Vermeidung bestimmter Grenzen zwischen den Flüssen verbessert.
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Die Mikrometer werden in spezifischen
Abständen
geöffnet,
um den Gasstrom zwischen den Nadeln 304 und dem Ventilsitz 300 zu
ermöglichen. Die äußeren zwei
Nadelventile 158 werden um 1,5 mm, die zweiten Nadelventile
um 1,7 mm und das mittlere Nadelventil um 2 mm geöffnet. Dieses
symmetrische Muster besteht für
einen symmetrischen Gasstrom durch die Behandlungskammer 130.
Wenn später
eine Beobachtung zeigt, daß Rückführungen innerhalb
der Kammer auftreten, zeigt dies an, daß der Gasstrom trotz der Anzeige
der Klemmschrauben nicht symmetrisch ist. In dieser Situation werden eine
oder mehrere der Klemmschrauben eingestellt, um den Strom auf einer
seitlichen Seite der Kammer zu erhöhen.
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Ein typischer gesamter Behandlungsgasstrom
ist 16 slm. Dieser Gasstrom wird um ungefähr 20% über den Gasstrom in rechteckigen
Behandlungskammern derselben Höhe
verringert. Dies erfolgt aufgrund der linsenförmigen Gestalt der Kammer.
Der typische Gasdruck beträgt
137.895 kPa (20 psi) vor dem Durchlaufen durch die Nadelventile.
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Der Kammerdruck kann sich auf einem
Vakuum von ungefähr
10.665 kPa (80 torr) befinden. Herkömmliche Behandlungsgase sind
zum Beispiel Dichlorsilan und Trichlorsilan. Selbstverständlich werden
die Behandlungs- oder Dotiergase mit einem Träger in typischer Weise Wasserstoff
mit einem Verhältnis
von ungefähr
9 : 1 Träger
zu Behandlungsgas gemischt. Zusätzlich
werden Reinigungsgase bzw. Entleerungsgase, wie zum Beispiel Stickstoff,
häufig durch
den Gasinjektor eingespritzt, um die verschiedenen Kanäle zu reinigen.
Ferner werden Ätzgase, wie
zum Beispiel Chlorwasserstoff, verwendet, um die Kanäle zu reinigen.
Der typische Reinigungsgasfluß durch
den Gasinjektor in den unteren Bereich der Kammer ist Wasserstoff
bei einer Fließrate
von zwischen 5 und 15 slm. Selbstverständlich können Stickstoff oder andere
solche inerte Gase ersetzt werden.
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Der vorliegende Gasinjektor 156 schafft
einen Minimalbetrag an Totraumvolumen in sich, um schnellere und
schärfere Übergänge zwischen
verschiedenen Gasen zu ermöglichen.
D. h., daß in
einigen Behandlungssequenzen ein erstes Dotiergas durch den Gasinjektor
in die Kammer, gefolgt von einem zweiten Dotiergas, eingeführt wird.
An dem Übergang
zwischen der Einführung
der Gase verweilt das erste Gas manchmal innerhalb des Gasinjektors.
Der vorliegende Injektor 156 hat andererseits sehr kleine
innere Kanäle
mit minimalem Totraum, so daß,
nach Einführung
eines inerten Zwischengases oder direkt des zweiten Dotiergases,
das erste Dotiergas sofort ausgespült wird.
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Sich abstromig erstreckender
Temperaturausgleichsring
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27 zeigt
eine Parallelfluß-CVD-Behandlungskammer 370, ähnlich der
in 11 gezeigten Behandlungskammer 130,
mit einem Suszeptor 372 zum Stützen bzw. Tragen von Wafern
in einem Behandlungsgasstrom. Wie zuvor treten Behandlungsgase durch
einen Einlaß 374 in
die Kammer ein und durch einen Auslaß 376 in der Kammer
heraus, wobei sie in einer Richtung parallel zu der Ebene des Suszeptors
strömen.
Obere und untere Reihen von Strahlungsheizlampen 378a, 378b sind
neben der Kammer positioniert. Man bemerkt, daß sich die Lampenreihen 378a, b weiter
nach unten erstrecken als die für
die 11 beschriebenen
Lampenreihen. Es können nach
unten erstrecken als die für
die 11 beschriebenen
Lampenreihen. Es können andere
Anordnungen von Heizlampen verwendet werden.
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In 27 ist
ein abstromigen Aufbau der Kammer gezeigt mit dem Ziel, die Temperatur,
Geschwindigkeit, Richtung und Zusammensetzung des Gasstromes zu ändern. Außerdem wird
die Temperatur der Behandlungskammerwand abstromig von dem Wafer
und dem Suszeptor durch diesen abstromigen Aufbau erhöht, was
die Ätzwirkung
der Kammer verbessert.
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Ein Temperaturausgleichsring 380 ist
geschaffen, welcher den Suszeptor 372 umgibt, der beinahe
in jeder Hinsicht dem Ring 155 der 11 identisch ist. Im Gegensatz zu dem
vorherigen Ring 155, der sich abstromig von der Kante der
gerundeten, rechteckigen Öffnung 133 der
Trägerplatte 132 erstreckte,
erstreckt sich eine obere Platte 382 des Ringes 380 wesentlich
weiter. Zur Aufnahme dieser Ausdehnung, weist eine Trägerplatte 384 in
der Kammer 370 eine Suszeptoröffnung mit einer abstromigen Kante 386 auf,
die an einer Mittellinie der Kammer beinahe eine Hälfte des
Weges zwischen dem Suszeptor 372 und dem Auslaß 376 beträgt.
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Die abstromige Kante der oberen Platte 382 des
Ringes 380 paßt
zu der Gestalt der Öffnung
und endet in dichter Nähe
der Öffnung,
wie man in 27 sieht.
Wie weiter unten beschrieben wird, müssen die Vorteile des verlängerten
Ringes 380 gegen die Sorge um die Verringerung in der Festigkeit
der Kammer 370 aufgrund einer verringerten Größe der inneren Trägerplatte 384 abgewogen
werden. D. h., daß zum Beispiel
ein Vorteil aus der Masse des abstromigen Aufbaus besteht, welche
Strahlungshitze absorbiert und diese Hitze zurück zu den Kammerwänden reflektiert.
Diesbezüglich
gilt, je mehr abstromiges Material um so besser. Andererseits kann
ein zu großer Ring 380 den
Widerstand der gesamten Kammer 370 in Vakuumbehandlung
gefährden,
wenn das Material der Trägerplatte 384 verringert
ist. Die obere Platte 382 kann eine gerundete, rechteckige,
abstromige Kante ähnlich
der des modifizierten Temperaturausgleichsrings 72' haben,
wie in 9 gezeigt ist,
obwohl die obere Platte in runden oder in anderen Gestalten geformt
sein kann.
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Es sei auch bemerkt, daß die durch
den abstromigen Aufbau gebotenen Vorteile nicht einzig und allein
durch die vorliegend beschriebene Behandlungskammer mit innerem
Träger
realisiert werden. Herkömmliche
Kammern ohne eine mittlere Trägerplatte
können
auch den abstromigen Aufbau zu einem gewissen Vorteil integrieren.
Diese Vorteile werden dem Fachmann für verschiedenen Kammeraufbau
aus der folgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf schematische
Darstellungen von Behandlungskammern klar.
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Eine allgemeine Ausführungsform
eines abstromigen Aufbaus gemäß der vorliegenden
Erfindung innerhalb einer Quarzkammer 388 ist schematisch
in den 28a und 28b dargestellt und weist eine
flache Platte 390 mit einer krummlinigen Vorderkante 392 neben
und passend zu dem Umfang eines Suszeptors 394 auf. Wie
sich zeigen wird, kann diese Platte 390 den Teil der oberen
Platte 382 des Ringes 380 abstromig von dem Suszeptor 394 darstellen, oder
sie kann ein separater Aufbau sein. Wenn die Platte 390 einen
Teil der oberen Platte 382 aufweist, wird sie durch die
Finger gestützt,
welche von der inneren Stützplatte
der Kammer herabhängen,
wie zuvor beschrieben wurde. Wenn die Platte 390 von dem Ring 380 getrennt
ist, kann sie auch von Fingern gehalten werden, die an der inneren
Stützplatte
der Kammer befestigt sind, oder sie kann alternativ durch einen
Ständer,
vorzugsweise aus Quarz, gestützt sein,
der an der Kammer 388 befestigt oder innerhalb dieser positioniert
ist. Die Platte 390 ist vorzugsweise aus Graphit aufgebaut,
der die von den äußeren Heizlampen 396 abgestrahlte
Energie schneller als die Quarzkammer 388 absorbiert.
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Dies sind einige Vorteile des abstromigen Aufbaus
der vorliegenden Erfindung. 29a zeigt die
Behandlungskammer 388 ohne die abstromige Platte 390,
und sie zeigt schematisch den Strahlungswärmefluß 398 von den äußeren Lampen 396. Die
Quarzwände
der Kammer 388 sind für
diesen Energiefluß verhältnismäßig transparent
und halten somit nicht einen wesentlichen Wärmebetrag zurück. Bei Ätzprozessen
jedoch ist es wünschenswert,
die Kammerwände
zu erwärmen,
während
der Ätzgasfluß in die
Kammer eingeführt
wird, um die Wände von
unerwünschtem
Partikelaufbau zu reinigen. Ohne den abstromigen Aufbau heizen sich
daher die Wände
der Reaktionskammern langsam und auf eine verhältnismäßig niedrige Temperatur auf.
Wie in 29b gezeigt ist,
wird mit der abstromigen Platte 390 in der Kammer 388 die
von der Graphitplatte abgestrahlte Energie (mit den Pfeilen 400 gezeigt)
in einem Frequenzbereich durch die Quarzreaktorwände leicht absorbiert. Die
Kammerwände
können
somit schnell auf eine hohe Temperatur erhitzt werden, was den Ätzzyklus
beschleunigt und den Gesamtdurchsatz verbessert.
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Die Pfeile 402 in 30a zeigen eine übertrieben
ungleichmäßige Chemical
Vapor Deposition auf einem Wafer. Eine solche Ungleichförmigkeit kann
von steilen Temperatur- und Fließgradienten an der Kante des
Wafers/Suszeptors herrühren.
Wie durch Pfeile 404 in 30b dargestellt
ist, verhilft die Anwesenheit der Platte 390 dazu, die
Temperatur- und Fließgradienten
an der rückwärtigen Kante
des Wafers auszugleichen, was in einer gleichförmigeren Chemical Vapor Deposition
resultiert.
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In 31a sammeln
die Wände
der Quarzbehandlungskammer 388 ohne den abstromigen Aufbau
infolge ihrer erhöhten
Temperatur einen erheblichen Betrag von unerwünschtem Niederschlag aus wiederholter
Behandlung an. Eine typische Verteilung dieses Niederschlags wird
schematisch durch die Pfeile 406 gezeigt. Im Gegensatz
wird, wie in 31b gezeigt ist, die
Graphitplatte 390 der heißeste Aufbau innerhalb der
Kammer 388 in dem abstromigen Bereich, und Niederschlag
tritt darauf eher auf als auf den Kammerwänden, wie mit den Pfeilen 408 gezeigt
ist.
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Ein anderer Vorteil der abstromigen
Platte 390 besteht in der Neigung, Rückführungen innerhalb der Behandlungskammer 388 zu
verringern, die in ungewünschtem
Niederschlag um oder sogar aufstromig von der Wafer/Suszeptor-Kombination
resultieren kann. Solche Rückführungen 410 in
einer Kammer ohne den abstromigen Aufbau werden in den 32a und 32b gezeigt. Die 33a und 33b mit
der abstromigen Platte 390 zeigen Fließlinien 412 in einer
im allgemeinen fortlaufenden Richtung von links nach rechts, womit
so im wesentlichen Rückführungen
ausgeschaltet werden.
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Der oben gezeigte und beschriebene
abstromige Aufbau kann auch in Behandlungskammern, die anders als
eine linsenförmige
Kammer mit innerem Träger
sind, nützlich
sein. Zum Beispiel zeigt 34 eine
Behandlungskammer 400 mit einem Eintrittsbereich 402 und
einem Austrittsbereich 404, wobei beide Bereiche im Querschnitt
rechteckig sind. Der Eintrittsbereich 402 wird durch eine
horizontale obere Wand 406 und eine horizontale erste untere Wand 408 bestimmt,
die an einer vertikalen Stufe 410 endet. Die Stufe 410 bildet
den Anfang einer zweiten unteren Wand 412 des Ausgangsbereiches 404,
welcher die obere Wand 406 mit dem Eintrittsbereich 402 teilt.
Die Kammer 400 hat somit einen Querschnittsbereich, der
sich an der Stufe 410 nahezu verdoppelt. Ein Suszeptor 414 ist
durch einen Rotationsschaft 416 gerade abstromig von der
Stufe 410 und in einer Ebene nahezu auf derselben Höhe wie die
erste untere Wand 408 gestützt. Ein Temperaturausgleichsring 418 wird
durch einen ringähnlichen Ständer 420 oberhalb
der zweiten unteren Wand 412 gestützt und umgibt dicht den Suszeptor,
wie zuvor beschrieben wurde. Der Ständer 420 kann so sein, wie
in dem US-Patent Nr. 4,821,674 gezeigt und beschrieben ist.
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Eine Platte 422 ist abstromig
von dem Ring 418 positioniert und kann auf einem Ständer auf
der zweiten unteren Wand 412 oder durch Stifte oder Dübel 424 getragen
sein, welche durch die Seitenwände der
Kammer 400 gestützt
werden. Wie man sieht, befindet sich die Platte 422 nahezu
in der Ebene des Ringes 418, des Suszeptors 414 und
des darauf getragenen Wafers, und sie erstreckt sich von dem Ring bis
dicht zu dem Kammerauslaß.
Obere und untere Lampenreihen 426a, 426b richten
Strahlungsenergie in die Kammer und sind im wesentlichen oberhalb und
unterhalb des Bereiches angeordnet, der sich von der vorderen Kante
des Ringes 418 zu der hinteren Kante der Platte 422 erstreckt.
Der Gasstrom durch die Kammer wird mit dem Pfeil 428 gezeigt.
Die abstromige Platte 422 ist vorzugsweise aus Graphit aufgebaut,
um die zuvor erwähnten
Vorteile des wirkungsvolleren Kammerätzens und besserer Temperaturgleichförmigkeit über den
Wafer zu realisieren. Die Platte 422 kann auch Quarz sein,
was die Temperaturverteilung in der Kammer nicht wesentlich beeinflußt, aber
Fließmerkmale
verbessert und Rückführungen
verringert.
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35 zeigt
dieselbe Kammer 400 mit einem modifizierten Temperaturausgleichsring 432, welcher
den Suszeptor 414 umgibt. Der Ring 432 weist ein
unteres, ringförmiges,
U-förmiges
Teil 434 auf, das durch ein ebenes Teil 436 bedeckt
wird, welches in dem Suszeptor eine Breite nahezu gleich dem U-förmigen Teil
hat, das sich im wesentlichen abstromig in den Ausgangsbereich 404 erstreckt.
Der Ring 432 ist in vieler Hinsicht ähnlich dem in 27 gezeigten Ring 380. Im Gegensatz
zu dem vorangegangenen Ring 380, der durch an der inneren
Trägerplatte 384 angebrachte
Finger getragen wird, wird der Ring 432 zum Teil durch
den Ständer 420 und zum
Teil durch eine abstromige Strebe 438 getragen. Selbstverständlich gibt
es viele Arten, den Ring 432 in der Kammer zu positionieren,
wobei bevorzugte Mittel einen gewissen Typ von Quarzaufbau aufweisen,
der leicht ersetzt werden kann, nachdem er wegen wiederholter Behandlungszyklen
Schaden genommen hat. Wieder ist der Ring 432 wünschenswert aus
einem Material mit einer hohen Wärmemasse aufgebaut,
um dazu beizutragen, die Temperaturgleichförmigkeit über den Wafer aufrecht zu erhalten und
um den Wirkungsgrad des Ätzzyklus
zu verbessern.
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Die 36 bis 38 zeigen eine Kammer 440, ähnlich der
in 11 gezeigten, zusammen
mit den zugeordneten Behandlungskomponenten, wie zum Beispiel dem
Suszeptor 442 zum Tragen eines Wafers, dem Gasinjektor 444 und
den Strahlungslampen 446. Die Kammer 440 weist
eine zentrale Trägerplatte 448 auf,
welche obere bzw. untere Kammerbereiche 452, 454 bestimmt.
Ein Einlaßendflansch 450 hat
einen oberen Schlitz 456, der von einem Einlaßschlitz 458 für Reaktionsgas
in dem Gasinjektor 444 in den oberen Kammerbereich 452 führt, und
einen unteren Schlitz
460, der von den Reinigungsgasöffnungen 462 in
dem Gasinjektor in den unteren Kammerbereich 454 führt. Diese
Merkmale sind ähnlich jenen
zuvor beschriebenen.
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Eine den Gasstrom formende Leitung 464 ist in
der Kammer 440 zum Kanalisieren von Gas aus dem Injektor 444 gegen
den Suszeptor 442 hin geschaffen. Die Leitung 464 hat
die Gestalt eines umgekehrten U mit einer rechteckigen oberen Wand 466,
die auf zwei rechteckigen Seitenwänden 468 gestützt wird.
Die Leitung 464 bestimmt einen Kanal, innerhalb dessen
das Gas von dem Injektor 444 zu dem Suszeptor 442 und
dem darauf befindlichen Wafer hinfließt. Die Leitung 464 ist
oberhalb der Stützplatte 450 aufstromig
von einer Kante 470 der dem Suszeptor 442 zugewandten
Platte positioniert.
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Die Höhe und Breite der Leitung 464 ist
derart, daß sie
innerhalb des oberen Schlitzes 456 in die Nähe aber
vorzugsweise nicht in Kontakt mit dem Injektor 444 paßt. Die
Leitung 464 erstreckt sich ungefähr ½ bis 2/3 des Weges von dem
Flansch 450 zu der Kante 470 und beträgt wünschenswert
zwischen ungefähr
7,62 bis 12,7 cm (3 bis 5 Inch) in der Länge, wobei ein Bereich von
zwischen 9,40 und 11,43 cm (3.7 und 4.5 Inch) bevorzugt wird. Die
Leitung 464 ist wünschenswert
aus Quarz hergestellt und hat eine Dicke von ungefähr 0,152
cm (0.06 Inch). Die seitliche Breite ist größer als die Breite des Injektorschlitzes 458 und
beträgt
vorzugsweise ungefähr
22,86 cm (9 Inch) (obwohl größere Abmessungen
für Kammern
notwendig sind, die geeignet sind, größere Wafer, wie zum Beispiel
Wafer von 300 mm, zu behandeln). Die Höhe der Leitung 464 beträgt ungefähr 2,29
cm (0.9 Inch) oder zwischen der Höhe des Schlitzes 458 und
der des Flanschschlitzes 456. Die Leitung 464 wird
vorzugsweise innerhalb der Kammer durch den Flanschschlitz 456 eingebaut
und aus dieser entfernt, was das Entfernen des Injektors 444 notwendig
macht.
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Das Vorhandensein der Leitung 464 begrenzt
den Gasfluß aus
dem Injektor 444, sich innerhalb der Kammer 440 um
einen bestimmten Abstand in den oberen Bereich 452 auszubreiten,
um die Steuerung des Gasprofils zu verbessern und die Gesamtgasgeschwindigkeit über den
Wafer zu erhöhen. Genauer
erzeugt der Gasinjektor 444 ein spezielles Gasgeschwindigkeitsprofil
durch Einstellung der Flußkontrollventile 472,
wie vorher beschrieben wurde, wobei das Profil aus der Expansion
und der Rückführung innerhalb
der Kammer 440 ausgebreitet werden kann. Dies trifft speziell
für atmosphärische Behandlungen
im Gegensatz zu Vakuumbehandlungen zu. Während die Gasgeschwindigkeit
geeignet von dem Injektor 444 zu dem Suszeptor 442 in
Niederdruckbehandlungen aufrechterhalten werden kann, neigt diese
zusätzlich
dazu, in atmosphärischen
Behandlungen langsamer zu werden. Folglich hält die Leitung 464 die
Unversehrtheit des abstromigen Geschwindigkeitsprofils aufrecht,
was für
alle Behandlungen wünschenswert
ist, und verzögert
Ausdehnung und Verlangsamung des Gasstromes, was in erster Linie
für Behandlungen
bei höherem
Druck vorteilhaft ist.
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Die obere Wand 466 der in
den 36 bis 38 gezeigten Leitung 464 hat eine
gerade abstromige Kante 474 und parallele Seitenwände 468.
Diese Konfiguration kanalisiert den durch den Injektor 444 erzeugten
Gasstrom ohne bedeutende Störung,
bis er aus der Leitung 464 in einer Ebene gerade aufstromig
von dem Suszeptor 442 herauskommt. Das Gas entspannt sich
dann leicht gegen die Kammerwände, wenn
es nicht durch die Wände
der Leitung 464 beengt wird. Ver änderungen in der Gestalt der
Leitung 464 und in der Gestalt der Auslaßkante können verwendet
werden, um den Gasstrom ferner zu lenken und zu formen. Solche Veränderungen
werden in den 38b bis f gezeigt.
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38b zeigt
eine Leitung mit Seitenwänden 476,
die sich nach innen in der Richtung des Gasstromes verjüngen. Die
obere Wand hat somit eine abstromige Kante 478, die kleiner
ist als eine aufstromige Kante 480. Dieser konvergierende
Kanalaufbau fokussiert den Gasstrom nach innen so, daß die darauf
folgende Ausdehnung gegen die Kammerwände nach dem Verlassen der
Grenzen der Leitung verzögert
wird.
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38c zeigt
eine abstromige Kante 482, die konkav ist, wie man aus
dem Suszeptor 442 sieht. Wenn der Gasstrom die abstromige
Kante passiert, kann er zuerst in dem mittleren Teil expandieren
und somit eine gewisse Diffusion des Flusses nach innen erlauben
und den Fluß in
der Mitte erhöhen.
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38d zeigt
eine abstromige Kante 484, die von dem Suszeptor 442 aus
gesehen konvex ist. Der Gasfluß kann,
wenn er an der abstromigen Kante vorbeigeht, zuerst in den äußeren Teilen
expandieren und somit eine gewisse Diffusion des Flusses nach außen erlauben
und den Fluß in
der Mitte erhöhen.
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38e zeigt
eine abstromige Kante mit gewinkelten Teilen 486, welche
in einer Ecke 488 enden. Die Seitenkanten der Leitung erstrecken
sich weiter als die Mitte der oberen Wand, womit so eine ähnliche
Gasflußwirkung
wie bei der konkaven Version der 38c mit
einem erhöhten
Fluß durch
die Mitte der Kammer herbeigeführt
wird.
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38f zeigt
schließlich
eine abstromige Kante mit gewinkelten Teilen 490, die in
einem Scheitel 492 enden. Die Seitenkanten der Leitung
enden vor der Mitte der oberen Wand, womit so ein ähnlicher
Gasflußeffekt
wie bei der konvexen Version der 38d mit
einem verminderten Fluß durch
die Mitte der Kammer herbeigeführt
wird.
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Obwohl die Kammer speziell für die Abscheidung
aus der Gasphase (CVD) geeignet ist, können andere Behandlungen, welche
saubere Öfen
benötigen,
von ihr profitieren. Zum Beispiel können Glühen, Ätzen, plasmagestützte Deposition
und andere solche Verfahren alle die vorliegende Kammer in ihrer wesentlichen
Form mit geeigneten Modifikationen verwenden.
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Obwohl die Erfindung für bestimmte
bevorzugte Ausführungsformen
beschrieben wurde, befinden sich andere Ausführungsformen, welche dem Fachmann
offensichtlich sind, auch innerhalb des Rahmens dieser Erfindung.
Entsprechend soll der Rahmen der Erfindung durch die folgenden Ansprüche bestimmt
werden.