JPH0633233B2 - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH0633233B2 JPH0633233B2 JP26694989A JP26694989A JPH0633233B2 JP H0633233 B2 JPH0633233 B2 JP H0633233B2 JP 26694989 A JP26694989 A JP 26694989A JP 26694989 A JP26694989 A JP 26694989A JP H0633233 B2 JPH0633233 B2 JP H0633233B2
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- reaction
- reaction furnace
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、Si基板等のウェハ上に単結晶または多結晶の
薄膜を気相成長させる気相成長装置に関し、特に、反応
ガスの流れを一様にしてウェハ上への均一な膜形成が可
能な気相成長装置に関する。
薄膜を気相成長させる気相成長装置に関し、特に、反応
ガスの流れを一様にしてウェハ上への均一な膜形成が可
能な気相成長装置に関する。
半導体装置（デバイス）を製造する際には、Siウェハ上
にSiの単結晶または多結晶の薄膜を形成する工程があ
る。このような工程において、Siウェハを石英製の反応
炉内に配置し、Siウェハを加熱しながら、反応ガスを内
部に導入し、Siウェハに結晶膜を成長させることが広く
行われている。
にSiの単結晶または多結晶の薄膜を形成する工程があ
る。このような工程において、Siウェハを石英製の反応
炉内に配置し、Siウェハを加熱しながら、反応ガスを内
部に導入し、Siウェハに結晶膜を成長させることが広く
行われている。
反応炉内において一方向に反応ガスを流してSiウェハに
結晶膜を成長させる場合には、反応炉内の反応ガスの流
速分布がSiウェハ上に形成される結晶膜の膜厚均一性ま
たは比抵抗均一性に大きく影響を与え、これらの均一性
を実現するためには、反応炉内の反応ガスの流れが一様
であることが重要である。従って、（ガス流量）÷（反
応炉の断面積）にて得られる平均流速と同程度の速度に
て反応炉内に反応ガスを導入することが大切である。と
ころが、反応ガス源から反応炉へガスを供給する供給管
の断面積は、反応炉の断面積に比して極めて小さいこと
が一般的であるので、反応炉入口でのガス流速が局所的
に速くなり、反応炉内にて渦巻が発生して速度分布にむ
らが生じ、上述の均一性が悪化するという難点があっ
た。
結晶膜を成長させる場合には、反応炉内の反応ガスの流
速分布がSiウェハ上に形成される結晶膜の膜厚均一性ま
たは比抵抗均一性に大きく影響を与え、これらの均一性
を実現するためには、反応炉内の反応ガスの流れが一様
であることが重要である。従って、（ガス流量）÷（反
応炉の断面積）にて得られる平均流速と同程度の速度に
て反応炉内に反応ガスを導入することが大切である。と
ころが、反応ガス源から反応炉へガスを供給する供給管
の断面積は、反応炉の断面積に比して極めて小さいこと
が一般的であるので、反応炉入口でのガス流速が局所的
に速くなり、反応炉内にて渦巻が発生して速度分布にむ
らが生じ、上述の均一性が悪化するという難点があっ
た。
このような難点を解消するための気相成長装置が、特開
昭59-207899号公報に開示されている。第14図はこの公
報に開示された気相成長装置の断面図であり、図中31は
反応炉である円筒形の石英管を示す。石英管31の内部に
は、ウェハ32を一列に載置するサセプタ33が設置されて
おり、石英管31の外周には、ウェハ32及びサセプタ33を
加熱するためのワークコイル34が囲繞されている。また
石英管31の一端にはガス導入ブロック35が設置され、他
端には排気口36が設けられている。ガス導入ブロック35
は扉37に固着されており、ガス導入ブロック35内には、
ガス源に連通されたガス導入口38が設けられている。ま
たガス導入ブロック35内には、中間及び石英管31側に、
多数の細孔を有する仕切り板39が設けられている。
昭59-207899号公報に開示されている。第14図はこの公
報に開示された気相成長装置の断面図であり、図中31は
反応炉である円筒形の石英管を示す。石英管31の内部に
は、ウェハ32を一列に載置するサセプタ33が設置されて
おり、石英管31の外周には、ウェハ32及びサセプタ33を
加熱するためのワークコイル34が囲繞されている。また
石英管31の一端にはガス導入ブロック35が設置され、他
端には排気口36が設けられている。ガス導入ブロック35
は扉37に固着されており、ガス導入ブロック35内には、
ガス源に連通されたガス導入口38が設けられている。ま
たガス導入ブロック35内には、中間及び石英管31側に、
多数の細孔を有する仕切り板39が設けられている。
そして、ワークコイル34によりウェハ32及びサセプタ33
を高温(800℃〜1200℃）に加熱した後、H2にて0.2％〜
数％に希釈した反応ガス（例えばSiHCl3)をガス導入口3
8から石英管31に導入して、矢符方向に流す。反応ガス
は高温状態のウェハ32近傍にて分解され、ウェハ32上に
結晶膜が成長される。この従来例では、多数の細孔を有
する仕切り板39をウェハ32より上流側に配置することに
より、石英管31（反応炉）内におけるガスの一様な流速
分布を実現しようとしている。
を高温(800℃〜1200℃）に加熱した後、H2にて0.2％〜
数％に希釈した反応ガス（例えばSiHCl3)をガス導入口3
8から石英管31に導入して、矢符方向に流す。反応ガス
は高温状態のウェハ32近傍にて分解され、ウェハ32上に
結晶膜が成長される。この従来例では、多数の細孔を有
する仕切り板39をウェハ32より上流側に配置することに
より、石英管31（反応炉）内におけるガスの一様な流速
分布を実現しようとしている。
ところが上述の従来の気相成長装置では、反応ガスの流
れに沿った方向にウェハを一列に配置しているので、反
応ガスの流れの上流側に位置するウェハほど膜の成長速
度が速く、各ウェハ間において成長膜厚にバラツキが生
じ、多数枚のウェハに対して一度に気相成長を行うこと
は困難である。
れに沿った方向にウェハを一列に配置しているので、反
応ガスの流れの上流側に位置するウェハほど膜の成長速
度が速く、各ウェハ間において成長膜厚にバラツキが生
じ、多数枚のウェハに対して一度に気相成長を行うこと
は困難である。
そこで、第15図に示すように、複数枚のウェハ32を円形
のサセプタ33上に載置し、このサセプタ33を回転させ
て、気相成長を行うことが考えられる。ところがこの場
合に、第14図に示したような円筒形の石英管を反応炉と
して使用すると、用いる石英管の径が非常に大きくな
り、ガス流速と成長速度とは対応しているので、所定の
ガス流速を維持するためには、多量の反応ガスを供給し
なければならないという問題点がある。このような問題
点を解決する方法として、第16図に示すような、偏平な
矩形断面をなす石英管31を反応炉として使用し、石英管
31内で回転する円形のサセプタ33上に複数枚のウェハ32
を載置し、反応ガスを石英管31の長手方向に導入する構
成が考えられる。ところが、このような構成では石英管
31内において幅方向（図中Ｌ方向）での反応ガスの流れ
を一様化することが困難となり、例えば第14図に示した
ような仕切り板を設けることにしても、幅Ｌ≧200mmで
は、幅方向における流速の均一化は不可能である。とい
うのは、ガス導入口から最短の直線コースを経て仕切り
板を通過する反応ガスの流れがあるからである。
のサセプタ33上に載置し、このサセプタ33を回転させ
て、気相成長を行うことが考えられる。ところがこの場
合に、第14図に示したような円筒形の石英管を反応炉と
して使用すると、用いる石英管の径が非常に大きくな
り、ガス流速と成長速度とは対応しているので、所定の
ガス流速を維持するためには、多量の反応ガスを供給し
なければならないという問題点がある。このような問題
点を解決する方法として、第16図に示すような、偏平な
矩形断面をなす石英管31を反応炉として使用し、石英管
31内で回転する円形のサセプタ33上に複数枚のウェハ32
を載置し、反応ガスを石英管31の長手方向に導入する構
成が考えられる。ところが、このような構成では石英管
31内において幅方向（図中Ｌ方向）での反応ガスの流れ
を一様化することが困難となり、例えば第14図に示した
ような仕切り板を設けることにしても、幅Ｌ≧200mmで
は、幅方向における流速の均一化は不可能である。とい
うのは、ガス導入口から最短の直線コースを経て仕切り
板を通過する反応ガスの流れがあるからである。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、偏平
な矩形断面を有する反応炉内においても、反応炉の幅方
向（矩形断面の長手方向）において反応ガスの一様な流
速分布を実現することができる気相成長装置を提供する
ことを目的とする。
な矩形断面を有する反応炉内においても、反応炉の幅方
向（矩形断面の長手方向）において反応ガスの一様な流
速分布を実現することができる気相成長装置を提供する
ことを目的とする。
本願の第１発明に係る気相成長装置は、偏平な矩形断面
を有する反応炉内に、複数のウェハを載置した回転可能
な円形サセプタを配置し、前記反応炉内にその長手方向
から反応ガスを導入して前記ウェハ上に結晶膜を成長さ
せる気相成長装置において、前記反応ガスを導入する複
数のガス導入口と、該ガス導入口に連通して前記反応ガ
スを前記反応炉の幅方向に拡散させるためのバッファル
ーム及び該バッファルームに連通して折曲がった流路を
有するガス導入ユニットとを備えることを特徴とする。
を有する反応炉内に、複数のウェハを載置した回転可能
な円形サセプタを配置し、前記反応炉内にその長手方向
から反応ガスを導入して前記ウェハ上に結晶膜を成長さ
せる気相成長装置において、前記反応ガスを導入する複
数のガス導入口と、該ガス導入口に連通して前記反応ガ
スを前記反応炉の幅方向に拡散させるためのバッファル
ーム及び該バッファルームに連通して折曲がった流路を
有するガス導入ユニットとを備えることを特徴とする。
本願の第２発明に係る気相成長装置は、第１発明におい
て、前記バッファルームが、前記ガス導入口の個数と同
数の部屋に区切られていることを特徴とする。
て、前記バッファルームが、前記ガス導入口の個数と同
数の部屋に区切られていることを特徴とする。
本願の第３発明に係る気相成長装置は、偏平な矩形断面
を有する反応炉内に、複数のウェハを載置した回転可能
な円形サセプタを配置し、前記反応炉内にその長手方向
から反応ガスを導入して前記ウェハ上に結晶膜を成長さ
せる気相成長装置において、前記反応ガスを導入する複
数のガス導入口と、該ガス導入口に連通する流路を有し
該流路内に前記反応炉の幅方向を長軸方向として丸棒が
吊下げられているガス導入ユニットとを備えることを特
徴とする。
を有する反応炉内に、複数のウェハを載置した回転可能
な円形サセプタを配置し、前記反応炉内にその長手方向
から反応ガスを導入して前記ウェハ上に結晶膜を成長さ
せる気相成長装置において、前記反応ガスを導入する複
数のガス導入口と、該ガス導入口に連通する流路を有し
該流路内に前記反応炉の幅方向を長軸方向として丸棒が
吊下げられているガス導入ユニットとを備えることを特
徴とする。
本願の第４発明に係る気相成長装置は、第３発明におい
て、前記流路内に前記ガス導入口と交互に複数の仕切り
板が配設され、前記丸棒は該仕切り板により吊下げられ
ていることを特徴とする。
て、前記流路内に前記ガス導入口と交互に複数の仕切り
板が配設され、前記丸棒は該仕切り板により吊下げられ
ていることを特徴とする。
本願の第１発明にあっては、複数のガス導入口（ｎ個）
から導入された反応ガスはバッファルーム，折れ曲がっ
た流路を通って、反応炉内に供給される。そうすると、
各ガス導入口からの流速が１／ｎとなり、しかも反応ガ
スは折れ曲がった流路の壁に衝突して、流れ方向の運動
量が流れに垂直な方向の運動量に変換され、反応ガスの
流れに垂直な方向への拡散が促進され、反応ガスの反応
炉の幅方向における流速分布は均一化する。
から導入された反応ガスはバッファルーム，折れ曲がっ
た流路を通って、反応炉内に供給される。そうすると、
各ガス導入口からの流速が１／ｎとなり、しかも反応ガ
スは折れ曲がった流路の壁に衝突して、流れ方向の運動
量が流れに垂直な方向の運動量に変換され、反応ガスの
流れに垂直な方向への拡散が促進され、反応ガスの反応
炉の幅方向における流速分布は均一化する。
本願の第２発明にあっては、第１発明において、ガス導
入口の個数に合せてバッファルームが分室されており、
バッファルームにて各ガス導入口から導入された反応ガ
スの流速が低減された後にこれらは合流されて反応炉内
に供給される。そうすると、各ガス導入口から導入され
るガス流量にバラツキがあっても、反応ガスの反応炉の
幅方向における流速の一様化が実現され易い。
入口の個数に合せてバッファルームが分室されており、
バッファルームにて各ガス導入口から導入された反応ガ
スの流速が低減された後にこれらは合流されて反応炉内
に供給される。そうすると、各ガス導入口から導入され
るガス流量にバラツキがあっても、反応ガスの反応炉の
幅方向における流速の一様化が実現され易い。
本願の第３発明にあっては、複数のガス導入口から導入
された反応ガスは、丸棒に衝突して反応炉の幅方向に拡
散されて、反応炉内に供給される。そうすると、反応ガ
スの流れに垂直な方向への拡散が促進され、反応ガスの
反応炉の幅方向における流速分布は均一化する。
された反応ガスは、丸棒に衝突して反応炉の幅方向に拡
散されて、反応炉内に供給される。そうすると、反応ガ
スの流れに垂直な方向への拡散が促進され、反応ガスの
反応炉の幅方向における流速分布は均一化する。
本願の第４発明にあっては、第３発明において、ガス導
入口に連通する流路が仕切り板によりガス導入口の個数
に合せて分室されており、この流路にて各ガス導入口か
ら導入された反応ガスの流速が低減された後にこれらは
合流されて反応炉内に供給される。そうすると、各ガス
導入口から導入されるガス流量にバラツキがあっても、
反応ガスの反応炉の幅方向における流速の一様化が実現
され易い。
入口に連通する流路が仕切り板によりガス導入口の個数
に合せて分室されており、この流路にて各ガス導入口か
ら導入された反応ガスの流速が低減された後にこれらは
合流されて反応炉内に供給される。そうすると、各ガス
導入口から導入されるガス流量にバラツキがあっても、
反応ガスの反応炉の幅方向における流速の一様化が実現
され易い。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の気相成長装置の平面図及び断面図であ
り、図中１は偏平な矩形断面を有し、透明石英からなる
反応炉を示す。反応炉１の内部には、複数枚のウェハ２
を載置する円形のサセプタ３が設置されており、サセプ
タ３は、モータ（図示せず）に接続された回転軸４に軸
支されており、サセプタ３は回転可能である。反応炉１
の外部には、ウェハ２及びサセプタ３を加熱するための
赤外線ランプ５が並設されており、赤外線ランプ５の後
方には反射板６が設けられている。反応炉１の一端には
５個のガス導入口７が開口したガス導入ユニット８が設
けられ、反応炉１の他端には排気口９が設けられてい
る。各ガス導入口７には、ガス源に接続されたガス供給
管（図示せず）が接続されており、ガス導入口７から導
入された反応ガスは、これに連通したガス導入ユニット
８を通って反応炉１内に供給される。
り、図中１は偏平な矩形断面を有し、透明石英からなる
反応炉を示す。反応炉１の内部には、複数枚のウェハ２
を載置する円形のサセプタ３が設置されており、サセプ
タ３は、モータ（図示せず）に接続された回転軸４に軸
支されており、サセプタ３は回転可能である。反応炉１
の外部には、ウェハ２及びサセプタ３を加熱するための
赤外線ランプ５が並設されており、赤外線ランプ５の後
方には反射板６が設けられている。反応炉１の一端には
５個のガス導入口７が開口したガス導入ユニット８が設
けられ、反応炉１の他端には排気口９が設けられてい
る。各ガス導入口７には、ガス源に接続されたガス供給
管（図示せず）が接続されており、ガス導入口７から導
入された反応ガスは、これに連通したガス導入ユニット
８を通って反応炉１内に供給される。
第２図は、本願の第１，第２発明に係る実施例のＡ−Ａ
における断面図、第３図は本願の第１発明に係る実施例
のＢ−Ｂにおける断面図である。ガス導入ユニット８に
は各ガス導入口７に連通するバッファルーム10が設けら
れており、該バッファルーム10と反応炉１側の壁面に形
成されたガス導入ユニット出口11との間には、折れ曲が
った流路12が連通形成されている。ガス導入口７から導
入された反応ガスは、バッファルーム10，折れ曲がった
流路12を通り、ガス導入ユニット出口11から反応炉１内
に供給される。
における断面図、第３図は本願の第１発明に係る実施例
のＢ−Ｂにおける断面図である。ガス導入ユニット８に
は各ガス導入口７に連通するバッファルーム10が設けら
れており、該バッファルーム10と反応炉１側の壁面に形
成されたガス導入ユニット出口11との間には、折れ曲が
った流路12が連通形成されている。ガス導入口７から導
入された反応ガスは、バッファルーム10，折れ曲がった
流路12を通り、ガス導入ユニット出口11から反応炉１内
に供給される。
次に、このような構成を有する第１発明の装置を用い
て、ウェハに結晶成長を行う動作について説明する。
て、ウェハに結晶成長を行う動作について説明する。
ウェハ２を載置したサセプタ３を回転させながら、赤外
線ランプ５によりウェハ２及びサセプタ３を高温(1000
℃以上）に加熱し、H2にて0.2％〜数％に希釈した反応
ガス（例えばSiHCl3及び数十ppmのPH3)を、100／分以
上の流量にて、ガス導入口７，ガス導入ユニット８から
反応炉１内へ供給する。反応ガスは高温状態のウェハ２
近傍にて分解され、ウェハ２上に結晶膜が成長される。
線ランプ５によりウェハ２及びサセプタ３を高温(1000
℃以上）に加熱し、H2にて0.2％〜数％に希釈した反応
ガス（例えばSiHCl3及び数十ppmのPH3)を、100／分以
上の流量にて、ガス導入口７，ガス導入ユニット８から
反応炉１内へ供給する。反応ガスは高温状態のウェハ２
近傍にて分解され、ウェハ２上に結晶膜が成長される。
この際、ガス導入口７から導入された反応ガスは速い速
度にてバッファルーム10内に入り、その下壁に衝突して
反応炉１の幅方向に拡散する。更に折れ曲がった流路12
を通る間に流速は低減され、幅方向に一様な流れを有し
て、ガス導入ユニット８（ガス導入ユニット出口11)か
ら反応炉１内へ供給される。この結果、反応炉１内にお
いて幅方向における反応ガスの一様な流れが達成され
る。また、複数枚のウェハ２を回転させながら、結晶成
長を行っている。従って、各ウェハ２における成長条件
の差はなく、成長膜厚は均一化し、また比抵抗も均一化
する。
度にてバッファルーム10内に入り、その下壁に衝突して
反応炉１の幅方向に拡散する。更に折れ曲がった流路12
を通る間に流速は低減され、幅方向に一様な流れを有し
て、ガス導入ユニット８（ガス導入ユニット出口11)か
ら反応炉１内へ供給される。この結果、反応炉１内にお
いて幅方向における反応ガスの一様な流れが達成され
る。また、複数枚のウェハ２を回転させながら、結晶成
長を行っている。従って、各ウェハ２における成長条件
の差はなく、成長膜厚は均一化し、また比抵抗も均一化
する。
第４図は、本願の第２発明に係る実施例のＢ−Ｂにおけ
る断面図である。第２発明にあっては、バッファルーム
10が４個の仕切り13により５個の小部屋に分割されてい
る。第２発明においても、第１発明と同様に反応炉１内
において幅方向における反応ガスの一様な流れを達成で
きる。第２発明では、各ガス導入口７へ導入されるガス
流量にバラツキがある場合でも、分室された各部屋内に
て、ガス流速は低減されてある程度均一化されるので、
第１発明に比して、幅方向における反応ガスの一様な流
れが得られ易いという利点がある。
る断面図である。第２発明にあっては、バッファルーム
10が４個の仕切り13により５個の小部屋に分割されてい
る。第２発明においても、第１発明と同様に反応炉１内
において幅方向における反応ガスの一様な流れを達成で
きる。第２発明では、各ガス導入口７へ導入されるガス
流量にバラツキがある場合でも、分室された各部屋内に
て、ガス流速は低減されてある程度均一化されるので、
第１発明に比して、幅方向における反応ガスの一様な流
れが得られ易いという利点がある。
上述の第１，第２発明では、反応炉１の幅方向における
反応ガスの一様な流れを実現できるが、使用するガス導
入ユニット８の形状が複雑であるので、その製作が困難
であり、しかも洗浄等の保守作業も容易でない。
反応ガスの一様な流れを実現できるが、使用するガス導
入ユニット８の形状が複雑であるので、その製作が困難
であり、しかも洗浄等の保守作業も容易でない。
このような観点に基づき、考案されたものが本願の第
３，第４発明である。第５図は、この第３，第４発明に
係る実施例のＡ−Ａにおける断面図、第６図は本願の第
３発明に係る実施例のＣ−Ｃにおける断面図である。図
において、７，８は夫々ガス導入口，ガス導入ユニット
を示し、ガス導入ユニット８には各ガス導入口７，ガス
導入ユニット出口11に連通する流路14が形成されてい
る。ガス導入ユニット８内の両端には吊り下げ板15が設
けられており、反応炉１の幅と略等しい長さであり、反
応炉１の幅方向にその長軸方向をなす丸棒16が、この吊
り下げ板15にてガス導入ユニット８（流路14)内に吊り
下げられている。第７図はこの吊り下げ状態を示す概観
図である。
３，第４発明である。第５図は、この第３，第４発明に
係る実施例のＡ−Ａにおける断面図、第６図は本願の第
３発明に係る実施例のＣ−Ｃにおける断面図である。図
において、７，８は夫々ガス導入口，ガス導入ユニット
を示し、ガス導入ユニット８には各ガス導入口７，ガス
導入ユニット出口11に連通する流路14が形成されてい
る。ガス導入ユニット８内の両端には吊り下げ板15が設
けられており、反応炉１の幅と略等しい長さであり、反
応炉１の幅方向にその長軸方向をなす丸棒16が、この吊
り下げ板15にてガス導入ユニット８（流路14)内に吊り
下げられている。第７図はこの吊り下げ状態を示す概観
図である。
この第３発明の装置を用いて結晶成長を行う際には、第
１発明の場合と同様に、ウェハ２を載置したサセプタ３
を回転しながら、赤外線ランプ５にてウェハ２及びサセ
プタ３を高温状態に加熱し、ガス導入口７，ガス導入ユ
ニット８を介して反応ガスを反応炉１内に供給する。こ
の際、ガス導入口７から導入された反応ガスは、丸棒16
に衝突して反応炉１の幅方向に拡散され、丸棒16と流路
14の壁との隙間から流れ出て、ガス導入ユニット出口11
から反応炉１内へ供給される。この結果、第３発明にお
いても、反応炉１内において幅方向における反応ガスの
一様な流れが達成される。また、複数枚のウェハ２を回
転させながら、結晶成長を行っているので、第３発明に
おいても、各ウェハ２における成長条件の差はなく、成
長膜厚は均一化し、また比抵抗も均一化する。第３発明
では、吊り下げ板15にて丸棒16を吊り下げた構成である
ので、第１，第２発明のように折れ曲がった流路を形成
することが不要であり、ガス導入ユニット８の構成が簡
単であり、その製作及び保守作業は容易である。
１発明の場合と同様に、ウェハ２を載置したサセプタ３
を回転しながら、赤外線ランプ５にてウェハ２及びサセ
プタ３を高温状態に加熱し、ガス導入口７，ガス導入ユ
ニット８を介して反応ガスを反応炉１内に供給する。こ
の際、ガス導入口７から導入された反応ガスは、丸棒16
に衝突して反応炉１の幅方向に拡散され、丸棒16と流路
14の壁との隙間から流れ出て、ガス導入ユニット出口11
から反応炉１内へ供給される。この結果、第３発明にお
いても、反応炉１内において幅方向における反応ガスの
一様な流れが達成される。また、複数枚のウェハ２を回
転させながら、結晶成長を行っているので、第３発明に
おいても、各ウェハ２における成長条件の差はなく、成
長膜厚は均一化し、また比抵抗も均一化する。第３発明
では、吊り下げ板15にて丸棒16を吊り下げた構成である
ので、第１，第２発明のように折れ曲がった流路を形成
することが不要であり、ガス導入ユニット８の構成が簡
単であり、その製作及び保守作業は容易である。
第８図は、本願の第４発明に係る実施例のＣ−Ｃにおけ
る断面図である。第４発明にあっては、ガス導入口７の
ピッチと等ピッチにてガス導入口７と交互に４個の吊り
下げ板15が、ガス導入ユニット８に設けられている。こ
の４個の吊り下げ板15にて丸棒16が吊り下げられてい
て、丸棒16上方の流路14が５室に分割されている。ここ
で、吊り下げ板17は、第２発明における仕切り13の役目
を果たしている。第９図は、この吊り下げ状態を示す概
観図である。
る断面図である。第４発明にあっては、ガス導入口７の
ピッチと等ピッチにてガス導入口７と交互に４個の吊り
下げ板15が、ガス導入ユニット８に設けられている。こ
の４個の吊り下げ板15にて丸棒16が吊り下げられてい
て、丸棒16上方の流路14が５室に分割されている。ここ
で、吊り下げ板17は、第２発明における仕切り13の役目
を果たしている。第９図は、この吊り下げ状態を示す概
観図である。
第４発明においても、第３発明と同様に反応炉１内にお
いて幅方向における反応ガスの一様な流れを達成でき
る。第４発明では、各ガス導入口７へ導入されるガス流
量にバラツキがある場合でも、分室された各流路内に
て、ガス流速は低減されてある程度均一化されるので、
第３発明に比して、幅方向における反応ガスの一様な流
れが得られ易いという利点がある。
いて幅方向における反応ガスの一様な流れを達成でき
る。第４発明では、各ガス導入口７へ導入されるガス流
量にバラツキがある場合でも、分室された各流路内に
て、ガス流速は低減されてある程度均一化されるので、
第３発明に比して、幅方向における反応ガスの一様な流
れが得られ易いという利点がある。
なお、上述した各実施例においては、５個のガス導入口
７（反応ガス導入系）を設ける構成としたが、この数
は、反応炉１の幅と導入される反応ガスの総流量とによ
って任意に決定されるものであり、５個に限定されるわ
けでないことは勿論である。
７（反応ガス導入系）を設ける構成としたが、この数
は、反応炉１の幅と導入される反応ガスの総流量とによ
って任意に決定されるものであり、５個に限定されるわ
けでないことは勿論である。
第４発明の気相成長装置に反応ガスを供給した際の、反
応炉１内における反応ガスの流れの様子を、煙の導入に
より可視化して観察した結果を、第10図，第11図に示
す。第10図は、５個の各ガス導入口７から導入ガス流量
をすべて60／分とした場合の観察結果を表し、第11図
は、40／分から60／分まで５／分ずつ差をつけ
て、５個の各ガス導入口７から反応ガスを導入した場合
の観察結果を表している。断面積が小さいためにガス導
入口７にて速かった流速はガス導入ユニット８内にて低
減され、反応炉１内に供給された際には、渦は発生せず
反応炉１の幅方向において均一な流れが得られており、
また各ガス導入口７から導入されるガス流量に多少のバ
ラツキがあってその均一な流れは維持されていること
が、第10図，第11図から理解される。
応炉１内における反応ガスの流れの様子を、煙の導入に
より可視化して観察した結果を、第10図，第11図に示
す。第10図は、５個の各ガス導入口７から導入ガス流量
をすべて60／分とした場合の観察結果を表し、第11図
は、40／分から60／分まで５／分ずつ差をつけ
て、５個の各ガス導入口７から反応ガスを導入した場合
の観察結果を表している。断面積が小さいためにガス導
入口７にて速かった流速はガス導入ユニット８内にて低
減され、反応炉１内に供給された際には、渦は発生せず
反応炉１の幅方向において均一な流れが得られており、
また各ガス導入口７から導入されるガス流量に多少のバ
ラツキがあってその均一な流れは維持されていること
が、第10図，第11図から理解される。
本発明の比較例として、ガス導入口７から反応炉１まで
の流路が直線状である気相成長装置の反応炉内における
ガスの流れの様子を第12図に示す。各ガス導入口７から
導入されるガスの流量に差がある場合には、反応炉１内
に図に示すような渦が発生する。本例では各ガス導入口
７からの流量に５／分ずつ差をつけているが、この差
がもっと僅少であっても、反応炉１内での渦の発生が確
認されている。
の流路が直線状である気相成長装置の反応炉内における
ガスの流れの様子を第12図に示す。各ガス導入口７から
導入されるガスの流量に差がある場合には、反応炉１内
に図に示すような渦が発生する。本例では各ガス導入口
７からの流量に５／分ずつ差をつけているが、この差
がもっと僅少であっても、反応炉１内での渦の発生が確
認されている。
また、１個のガス導入口７を設け、前述の特開昭59-207
899号公報に開示された従来の装置における多数の細孔
を有した仕切り板（第14図39)を流路途中に設けた気相
成長装置の反応炉内におけるガスの流れの様子を第13図
に示す。この場合にあっても、反応炉１内に図に示すよ
うな渦が発生する。
899号公報に開示された従来の装置における多数の細孔
を有した仕切り板（第14図39)を流路途中に設けた気相
成長装置の反応炉内におけるガスの流れの様子を第13図
に示す。この場合にあっても、反応炉１内に図に示すよ
うな渦が発生する。
以上詳述した如く、本発明では複数のガス導入口と、導
入した反応ガスを反応炉の幅方向に拡散させるためのガ
ス導入ユニットとを備えることとしたので、偏平な矩形
断面を有する反応炉内において、反応ガスの一様な流れ
を実現でき、この結果、大量の反応ガスを導入すること
なく、ウェハ上に均一かつ均質な結晶膜を成長させるこ
とができる。
入した反応ガスを反応炉の幅方向に拡散させるためのガ
ス導入ユニットとを備えることとしたので、偏平な矩形
断面を有する反応炉内において、反応ガスの一様な流れ
を実現でき、この結果、大量の反応ガスを導入すること
なく、ウェハ上に均一かつ均質な結晶膜を成長させるこ
とができる。
第１図は本発明に係る気相成長装置の平面図及び断面
図、第２図，第５図は第１図のＡ−Ａにおける断面図、
第３図，第４図は第２図のＢ−Ｂにおける断面図、第６
図，第８図は第５図のＣ−Ｃにおける断面図、第７図，
第９図は丸棒の吊り下げ状態を示す概観図、第10図，第
11図は本発明に係る気相成長装置の反応炉内における反
応ガスの流れを示す模式図、第12図，第13図は本発明の
比較例の反応炉内における反応ガスの流れを示す模式
図、第14図〜第16図は従来の気相成長装置を示す模式図
である。 １……反応炉、２……ウェハ、３……サセプタ、７……
ガス導入口、８……ガス導入ユニット、10……バッファ
ルーム、12……流路、13……仕切り、14……流路、15…
…吊り下げ板、16……丸棒
図、第２図，第５図は第１図のＡ−Ａにおける断面図、
第３図，第４図は第２図のＢ−Ｂにおける断面図、第６
図，第８図は第５図のＣ−Ｃにおける断面図、第７図，
第９図は丸棒の吊り下げ状態を示す概観図、第10図，第
11図は本発明に係る気相成長装置の反応炉内における反
応ガスの流れを示す模式図、第12図，第13図は本発明の
比較例の反応炉内における反応ガスの流れを示す模式
図、第14図〜第16図は従来の気相成長装置を示す模式図
である。 １……反応炉、２……ウェハ、３……サセプタ、７……
ガス導入口、８……ガス導入ユニット、10……バッファ
ルーム、12……流路、13……仕切り、14……流路、15…
…吊り下げ板、16……丸棒
Claims (4)
- 【請求項１】偏平な矩形断面を有する反応炉内に、複数
のウェハを載置した回転可能な円形サセプタを配置し、
前記反応炉内にその長手方向から反応ガスを導入して前
記ウェハ上に結晶膜を成長させる気相成長装置におい
て、 前記反応ガスを導入する複数のガス導入口と、該ガス導
入口に連通して前記反応ガスを前記反応炉の幅方向に拡
散させるためのバッファルーム及び該バッファルームに
連通して折曲がった流路を有するガス導入ユニットとを
備えることを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項２】前記バッファルームが、前記ガス導入口の
個数と同数の部屋に区切られている請求項１記載の気相
成長装置。 - 【請求項３】偏平な矩形断面を有する反応炉内に、複数
のウェハを載置した回転可能な円形サセプタを配置し、
前記反応炉内にその長手方向から反応ガスを導入して前
記ウェハ上に結晶膜を成長させる気相成長装置におい
て、 前記反応ガスを導入する複数のガス導入口と、該ガス導
入口に連通する流路を有し該流路内に前記反応炉の幅方
向を長軸方向として丸棒が吊下げられているガス導入ユ
ニットとを備えることを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項４】前記流路内に前記ガス導入口と交互に複数
の仕切り板が配設され、前記丸棒は該仕切り板により吊
下げられている請求項３記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26694989A JPH0633233B2 (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26694989A JPH0633233B2 (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03131594A JPH03131594A (ja) | 1991-06-05 |
| JPH0633233B2 true JPH0633233B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=17437927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26694989A Expired - Fee Related JPH0633233B2 (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0633233B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6093252A (en) * | 1995-08-03 | 2000-07-25 | Asm America, Inc. | Process chamber with inner support |
| US5891250A (en) * | 1998-05-05 | 1999-04-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Injector for reactor |
| US8088223B2 (en) | 2005-03-10 | 2012-01-03 | Asm America, Inc. | System for control of gas injectors |
| US8067061B2 (en) | 2007-10-25 | 2011-11-29 | Asm America, Inc. | Reaction apparatus having multiple adjustable exhaust ports |
-
1989
- 1989-10-13 JP JP26694989A patent/JPH0633233B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03131594A (ja) | 1991-06-05 |
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