DE60037251T2 - Anordnung zur Herstellung von Löthöckern auf Halbleitersubstraten unter Generierung elektrischer Ladung, Methode und Anordnung zum Entfernen dieser Ladungen, und elektrische Ladung generierendes Halbleitersubstrat - Google Patents

Anordnung zur Herstellung von Löthöckern auf Halbleitersubstraten unter Generierung elektrischer Ladung, Methode und Anordnung zum Entfernen dieser Ladungen, und elektrische Ladung generierendes Halbleitersubstrat Download PDF

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Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Höckerausbildungsvorrichtung zum Ausbilden von Höckern auf einem Ladungsentstehungstyp-Halbleitersubstrat, wie z. B. einem piezoelektrischen Substrat oder dergleichen, die elektrische Ladung entsprechend einer Temperaturänderung erzeugen, d. h. einem Ladungsentstehungshalbleitersubstrat, auf ein Verfahren, das von der Höckerausbildungsvorrichtung ausgeführt wird, um Ladung von dem Ladungsentstehungshalbleitersubstrat zu beseitigen, auf eine Ladungsbeseitigungseinheit, die in der Höckerausbildungsvorrichtung für Ladungsentstehungshalbleitersubstrate installiert ist, und auf ein Ladungsentstehungshalbleitersubstrat.
  • Stand der Technik
  • Elektronische Bauteile, die in Vorrichtungen wie z. B. Mobiltelephonen und dergleichen installiert sind, wurden in letzter Zeit kompakter gemacht, einhergehend mit einer starken Miniaturisierung der Vorrichtungen. Es gibt eine Höckerausbildungsvorrichtung, die Höcker auf Elektrodenabschnitten in Schaltungsformteilen ausbilden, die auf einem Halbleiterwafer ausgebildet sind, ohne die Schaltungsformteile individuell vom Halbleiterwafer zu trennen. Die Höckerausbildungsvorrichtung dieser Art umfasst eine Eintragvorrichtung, die den Halbleiterwafer noch ohne darauf ausgebildeten Höckern, d. h. einen Vor-Höckerausbildung-Wafer, aus einem ersten Lagerbehälter, in dem die Wafer vor der Ausbildung der Höcker gelagert sind, entnimmt, einen zweiten Lagerbehälter zum Lagern von Halbleiterwafern mit ausgebildeten Höckern, d. h. eines Wafers mit ausgebildeten Höckern, eine Verbindungs bühne, auf der der Wafer vor der Ausbildung der Höcker platziert wird und die normalerweise den Halbleiterwafer auf 250–270°C erhitzt, um die Elektrodenabschnitte und Höcker zu verbinden, eine Austragvorrichtung, die den Wafer mit ausgebildeten Höckern im zweiten Lagerbehälter einlagert, und eine Verbringungsvorrichtung zum Verbringen der Wafer von der Eintragvorrichtung zu der Verbindungsbühne und von der Verbindungsbühne zu der Austragvorrichtung.
  • Indessen gibt es piezoelektrische Substrate, auf denen SAW-Filter (SAW, Surface Acoustic Wave = Oberflächenakustikwelle), die in Mobiltelephonen oder dergleichen verwendet werden, ausgebildet sind, Substrate, die aus Quarz bestehen, im Gegensatz zu herkömmlichen, die aus Silicium bestehen, und Verbindungshalbleiter-Wafer mit Substraten, die aus Lithiumtantal, Lithiumniob, Galliumarsenid sind dergleichen gebildet sind. Obwohl die Verbindungshalbleiter-Wafer oder dergleichen normalerweise auf etwa 150°C bis maximal etwa 200°C erhitzt werden, wenn Höcker ausgebildet werden, muss eine Geschwindigkeit bei der Erwärmung und Abkühlung der Wafer im Vergleich zu den herkömmlichen Siliciumwafern reduziert werden.
  • Zum Beispiel weist ein in 85 gezeigtes SAW-Filter 10 eine eingangsseitige Schaltung 12 und eine ausgangsseitige Schaltung 13 auf, die paarweise auf einem piezoelektrischen Substrat 11 ausgebildet sind. Höcker 19 sind auf Elektrodenabschnitten 18 des SAW-Filters 10 mittels eines Höckerausbildungskopfes der Höckerausbildungsvorrichtung ausgebildet, wie in 88 gezeigt ist. Sowohl die eingangsseitige Schaltung 12 als auch die ausgangsseitige Schaltung 13 weisen eine Form ähnlich eines feinzahnigen Kamms auf. Die eingangsseitige Schaltung 12 wird durch ein zugeführtes elektrisches Eingangssignal in Schwingungen versetzt. Die Schwingung pflanzt sich auf einer Oberfläche 11a des piezoelektrischen Substrats 11 fort, wodurch die ausgangsseitige Schaltung 13 in Schwingung versetzt wird. Von der ausgangsseitigen Schaltung 13 wird auf der Grundlage der Schwingung ein elektronisches Signal erzeugt und ausgegeben. Das SAW-Filter 10 leitet somit nur Signale einer spezifischen Frequenz weiter. Das in 85 gezeigte SAW-Filter 10 ist eines von vielen SAW-Filtern 10, die in einer Matrix auf dem waferförmigen piezoelektrischen Substrat 11 ausgebildet sind. Operationen, wie z. B. die Ausbildung von Höckern und dergleichen, an den Schal tungsabschnitten der SAW-Filter 10 werden am waferförmigen piezoelektrischen Substrat 11 ausgeführt. Jedes SAW-Filter 10 wird in einer letzten Phase vom waferförmigen piezoelektrischen Substrat 11 getrennt. Das waferförmige piezoelektrische Substrat 11 weist die Eigenschaft auf, dass das Substrat 11 kaum aufzuladen ist, jedoch ist es schwierig, elektrische Ladung von dem Substrat zu entfernen, sobald es einmal aufgeladen ist.
  • Aufgrund der Verwendung des piezoelektrischen Substrats 11, wie oben erwähnt, wird elektrische Ladung durch Verzerrung oder dergleichen des waferförmigen piezoelektrischen Substrats 11, die durch einen Temperaturanstieg und einer Temperaturabsenkung zwischen einer Raumtemperatur und den obenerwähnten ungefähr 150°C hervorgerufen wird, erzeugt, wodurch die vorderen und hinteren Flächen des waferförmigen piezoelektrischen Substrats 11 aufgeladen werden. Die Größe der Ladung erreicht näherungsweise maximal 9.000 V.
  • Da das waferförmige piezoelektrische Substrat 11 selbst dünn ist, wird deren Rückseitenfläche möglicherweise durch die Schwingungen, die an der Vorderfläche 11a erzeugt werden, zum Schwingen angeregt, was die Schwingungen der Vorderfläche nachteilig beeinflusst. Um die Erzeugung der Schwingungen an der Rückseitenfläche zu verhindern, werden feine Rillen 14, wie in 87 gezeigt ist, an der Rückseitenfläche des waferförmigen piezoelektrischen Substrats 11 ausgebildet. Elektrische Ladung, die sich innerhalb der Rillen 14 befindet, ist schwierig zu entfernen. Obwohl die Rillen 14 in 87 übertrieben dargestellt sind, sind die Rillen 14 tatsächlich in einer Größe konform mit einer Frequenz, die vom SAW-Filter zu verarbeiten ist, ausgebildet und mit einem Abstand von ungefähr mehreren µm bis mehreren Hundert Å (Angström) angeordnet.
  • Wenn das geladene waferförmige piezoelektrische Substrat 11 z. B. auf der Verbindungsbühne platziert wird, entstehen in bestimmen Fällen Funken zwischen der Verbindungsbühne und dem piezoelektrischen Substrat 11 oder zwischen den vorderen und hinteren Flächen des waferförmigen piezoelektrischen Substrats 11. Wenn die Funkenbildung auftritt, schmilzt die Funkenbildung den Kammzahnabschnitt, wodurch die Schaltung unterbrochen wird, wie mit den Bezugszeichen 15–17 in 86 gezeigt ist. Wenn ferner das waferförmige piezoelektrische Substrat 11 z. B. über die Verbindungsbühne gebracht wird, wird das waferförmige piezoelektrische Substrat 11 durch die Ladung in Richtung zur Verbindungsbühne hingezogen, weshalb das waferförmige piezoelektrische Substrat 11 durch die Anziehungskraft gebrochen werden kann. Wenn ferner das piezoelektrische Substrat 11 nach dem Aufsetzen auf der Verbindungsbühne erneut bewegt wird, kann das piezoelektrische Substrat brechen, wenn das Substrat zur Bewegung gezwungen wird, da eine Vereinigungskraft mit der Verbindungsbühne so stark ist.
  • Wie oben erwähnt worden ist, wir es bei der Höckerausbildungsvorrichtung zum Ausbilden von Höckern auf dem Substrat, das eine elektrische Ladung infolge einer Temperaturänderung beim Temperaturanstieg und Temperaturabfall erzeugt, wie z. B. das waferförmige piezoelektrische Substrat 11, ein Quarzsubstrat-Wafer, ein Verbindungshalbleiter-Wafer und dergleichen, eine wichtige Aufgabe, Ladung zu beseitigen, während dies bei der herkömmlichen Höckerausbildungsvorrichtung zur Ausbildung von Höckern auf Siliciumwafern kein grundsätzliches Problem war.
  • In der Zwischenzeit, wie z. B. in der veröffentlichten Beschreibung der japanischen Patentoffenlegungsschrift Nr. 55-87434 offenbart ist, wird ein Wafer vorgeschlagen, in welchem ein Aluminiumfilm längs einer Schneidelinie ausgebildet ist, die auf einer Vorderfläche des Wafers vorgesehen ist, um elektrische Ladung der Vorderfläche längs der Schneidelinie zu einem Rand des Wafers zu leiten, um somit die Ladung über den Rand zu entfernen, oder in welchem ein Aluminiumfilm auf der gesamten Rückseitenfläche des Wafers ausgebildet ist, um die Beseitigung von Ladung von der Rückseitenfläche zu erleichtern. Es ist möglich, auf diese Weise Ladung vom Wafer zu entfernen. Der Aluminiumfilm der Rückseitenfläche kann jedoch getrennt werden, um Probleme bei der Ausübung eines Drucks und von Ultraschwingungen auf die Rückseitenfläche mittels eines Presselements hervorzurufen, da der Druck und die Ultraschallschwingungen mit dem mit der Rückseitenfläche in Kontakt gebrachten Presselement ausgeübt werden, wenn z. B. der jeweilige Chip, der aus dem Wafer herausgeschnitten ist, über den Höcker auf dem Substrat gestürzt montiert wird. Der zum Zweck der Beseitigung von Ladung ausgebildete Aluminiumfilm sollte daher entfernt werden, bevor der Chip montiert wird, was zu einer Zunahme der Prozesse und der Kosten führt.
  • Da andererseits infolge der Temperaturänderung beim Temperaturanstieg und beim Temperaturabfall Ladung am waferförmigen piezoelektrischen Substrat 11, dem Quarzsubstrat-Wafer oder dem Verbindungshalbleiter-Wafer erzeugt wird, wie oben beschrieben worden ist, sollte eine Geschwindigkeit des Temperaturanstiegs und des Temperaturabfalls geringer festgelegt werden als bei herkömmlichen Siliciumwafern. Folglich wird eine Zykluszeit im Fall des piezoelektrischen Substrats 11 und dergleichen unerwünscht lang im Vergleich zu herkömmlichen Siliciumwafern, bei denen keine Ladungserzeugung vorkommt.
  • Wenn außerdem z. B. die Temperaturänderung stattfindet, wenn das waferförmige piezoelektrische Substrat 11, der Quarzsubstrat-Wafer oder der Verbindungshalbleiter-Wafer auf der Verbindungsbühne platziert wird, nachdem seine Temperatur angehoben worden ist, wird z. B. das waferförmige piezoelektrische Substrat 11 aufgrund einer Differenz zwischen einer angehobenen Temperatur und einer Temperatur der Verbindungsbühne verformt. Diese Verzerrung sollte korrigiert werden, da das waferförmige piezoelektrische Substrat 11 reißen würde, abgeschlagen würde oder brechen würde, wenn am verformten Substrat Höcker ausgebildet würden.
  • Die vorliegende Erfindung ist erdacht worden, um die obenbeschriebenen Probleme zu lösen, und hat als Aufgabe, eine Höckerausbildungsvorrichtung zu schaffen, die Ladung effektiv beseitigen kann, die als Ergebnis eines Temperaturanstiegs und eines Temperaturabfalls von Ladungsentstehungshalbleitersubstraten erzeugt wird, bevor und nachdem Höcker an den Substraten ausgebildet werden, mit einer Zykluszeit nicht schlechter als eine Zykluszeit für Substrate, bei denen selbst bei Vorhandensein der Temperaturdifferenz keine Ladungserzeugung vorkommt, arbeiten kann, und die Ladungsentstehungshalbleitersubstrate nicht zerbricht, d. h. die Ladungsentstehungshalbleitersubstrate vor pyroelektrischer Zerstörung und physikalischem Versagen bewahren kann, sowie ein Verfahren zu schaffen, das von der Höckerausbildungsvorrichtung ausgeführt wird, um Ladung von Ladungsentstehungshalbleitersubstraten zu beseitigen, sowie eine Ladungsbe seitigungseinheit zu schaffen, die in der Höckerausbildungsvorrichtung für die Ladungsentstehungshalbleitersubstrate installiert ist, und ein Ladungsentstehungshalbleitersubstrat zu schaffen.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Um diese und andere Aufgaben zu lösen und Merkmale zu erreichen, wird eine Höckerausbildungsvorrichtung für Ladungsentstehungshalbleitersubstrate gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung geschaffen, die mit einem Höckerausbildungskopf zum Ausbilden von Höckern auf Elektroden eines Schaltkreises auf dem Ladungsentstehungshalbleitersubstrat ausgestattet ist, welches infolge einer Temperaturänderung in einem Zustand, während es auf eine für die Ausbildung der Höcker erforderliche Höckerverbindungstemperatur erhitzt ist, elektrische Ladung erzeugt,
    wobei die Höckerausbildungsvorrichtung umfasst:
    eine Heiz- und Kühlvorrichtung zum Beseitigen elektrischer Ladung, die am Substrat infolge einer Temperaturabsenkung beim Kühlen des Substrats erzeugt wird, nachdem Höcker am erhitzten Substrat verbunden worden sind; und
    eine Steuervorrichtung zum Ausführen einer Temperaturabsenkungssteuerung zum Abkühlen des Substrats nach dem Verbinden bei der Heiz- und Kühlvorrichtung.
  • Da im obigen Aufbau die Heiz- und Kühlvorrichtung und die Steuervorrichtung enthalten sind, wird wenigstens dann, wenn das Ladungsentstehungshalbleitersubstrat abgekühlt wird, nachdem die Höcker daran verbunden worden sind, die am Ladungsentstehungshalbleitersubstrat angesammelte Ladung beseitigt. Somit kann eine Ladungsmenge des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats im Vergleich zum Stand der Technik reduziert werden. Das Auftreten von Beschädigungen, wie z. B. einer pyroelektrischen Zerstörung der auf dem Ladungsentstehungshalbleitersubstrat ausgebildeten Schaltung und eines Brechens des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats selbst und dergleichen, die durch die Ladung hervorgerufen werden, können entsprechend verhindert werden.
  • In einer Höckerausbildungsvorrichtung für Ladungsentstehungshalbleitersub strate gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung, kann dann, wenn das Abkühlen ausgeführt wird, die Heiz- und Kühlvorrichtung dafür ausgelegt sein, mit der Rückseitenfläche, die einer vorderen Fläche als eine mit der Schaltung versehene Fläche des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats gegenüberliegt, in Kontakt zu kommen, um somit die Ladung zu beseitigen, die am Substrat aufgrund einer Temperaturabsenkung bei der Abkühlung erzeugt wird.
  • Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren geschaffen zum Beseitigen von Ladung von Ladungsentstehungshalbleitersubstraten, die Ladung infolge einer Temperaturänderung derselben erzeugen, umfassend:
    Ausbilden von Höckern an Elektroden einer Schaltung auf dem Substrat, wobei das Substrat auf eine für die Ausbildung der Höcker notwendige Höckerverbindungstemperatur erhitzt wird,
    wenn das Substrat nach dem Ausbilden der Höcker gekühlt wird, und
    Beseitigen elektrischer Ladung, die am Substrat infolge einer Temperaturabsenkung beim Abkühlen des Substrats erzeugt wird, über ein Ladeelement, auf dem Substrat platziert ist.
  • Gemäß diesem Aufbau kann elektrische Ladung beseitigt werden, da die Heiz- und Kühlvorrichtung mit dem Ladungsentstehungshalbleitersubstrat direkt in Kontakt kommt, wenn das Substrat abgekühlt wird, nachdem darauf die Höcker ausgebildet worden sind.
  • Gemäß einem vierten Aspekt der vorliegenden Erfindung kann die Höckerausbildungsvorrichtung für Ladungsentstehungshalbleitersubstrate so konfiguriert sein, dass die Heiz- und Kühlvorrichtung das Substrat bis in die Nähe der Höckerverbindungstemperatur vorheizt, bevor das Substrat auf die Höckerverbindungstemperatur aufgeheizt wird, und ferner die Ladung, die am Substrat aufgrund eines Temperaturanstiegs durch das Vorheizen erzeugt worden ist, durch Kontakt mit der Rückseitenfläche des Substrats beseitigt, wobei die Steuervorrichtung eine Temperaturanstiegssteuerung für die Vorheizoperation in der Heiz- und Kühlvorrichtung ausführt.
  • Gemäß dem obigen Aufbau kann auch elektrische Ladung beseitigt werden, die an dem Ladungsentstehungshalbleitersubstrat durch das Vorheizen des Aufheizens des Substrats auf die Höckerverbindungstemperatur erzeugt wird. Beschädigungen, wie z. B. eine pyroelektrische Zerstörung und ein Brechen und dergleichen, können weiter reduziert werden.
  • Gemäß einem fünften Aspekt der vorliegenden Erfindung kann die Höckerausbildungsvorrichtung für Ladungsentstehungshalbleitersubstrate einen Aufbau aufweisen, in welchem die Heiz- und Kühlvorrichtung eine Höckerverbindungsbühne zum Aufheizen des Substrats auf die Höckerverbindungstemperatur und eine Kühlvorrichtung zum Abkühlen des Substrats entsprechend der Temperaturabsenkungssteuerung mittels der Steuervorrichtung umfasst, wobei die Kühlvorrichtung ein Wärmediffusorelement, das mit der Rückseitenfläche des Substrats in Kontakt kommt, einen Heizabschnitt, der vom Wärmediffusorelement abnehmbar ist, um die Temperatur des Wärmediffusorelements anzuheben, und einen Separator zum Trennen des Wärmediffusorelements und des Heizabschnitts enthält, um somit eine Kühlung des Wärmediffusorelements zu fördern.
  • In der Höckerausbildungsvorrichtung für Ladungsentstehungshalbleitersubstrate gemäß einem sechsten Aspekt der vorliegenden Erfindung kann die Heiz- und Kühlvorrichtung eines Höckerverbindungsbühne zum Aufheizen des Substrats auf die Höckerverbindungstemperatur und eine Vorheizvorrichtung zum Vorheizen des Substrats entsprechend der Temperaturanstiegssteuerung mittels der Steuervorrichtung umfassen, wobei die Vorheizvorrichtung ein Wärmediffusorelement, das mit der Rückseitenfläche des Substrats in Kontakt kommt, einen Heizabschnitt, der mit dem Wärmediffusorelement in Kontakt kommt, um somit die Temperatur des Wärmediffusorelements anzuheben, und einen Separator zum Trennen des Wärmediffusorelements und des Heizabschnitts enthält, um somit ein Abkühlen des Wärmediffusorelements zu fördern.
  • Da gemäß dem obigen Aufbau das Wärmediffusorelement und der Heizabschnitt durch den Separator getrennt werden, wird das Abkühlen des Wärmediffusorelements beschleunigt, um somit die Zykluszeit im Vergleich zum Stand der Technik zu verkürzen. Außerdem kann der Heizabschnitt eine längere Lebensdauer aufweisen.
  • Gemäß einem siebten Aspekt der vorliegenden Erfindung kann die Höckerausbildungsvorrichtung für Ladungsentstehungshalbleitersubstrate ferner eine Gaszuführungsvorrichtung zum Zuführen eines Gases zu dem auf der Heiz- und Kühlvorrichtung platzierten Substrat enthalten, wobei die Steuervorrichtung eine Verzerrungskorrektursteuerung zum Korrigieren einer Verzerrung, die an dem auf der Heiz- und Kühlvorrichtung platzierten Substrat erzeugt wird, entweder bei der Gaszuführungsvorrichtung oder der Heiz- und Kühlvorrichtung ausführt.
  • In der obigen Anordnung zum Blasen des Gases von der Gaszuführungsvorrichtung auf das Ladungsentstehungshalbleitersubstrat kann die Verzerrung des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats korrigiert werden, wobei eine Beschädigung, wie z. B. ein Bruch und dergleichen verhindert werden kann.
  • In der Höckerausbildungsvorrichtung für Ladungsentstehungshalbleitersubstrate gemäß einem achten Aspekt der vorliegenden Erfindung kann vorgesehen sein, dass die Steuervorrichtung eine Blassteuerung für eine Ladungsbeseitigung zum Eliminieren von Ladung, die an den an der Heiz- und Kühlvorrichtung platzierten Substrat erzeugt wird, bei der Gaszuführungsvorrichtung ausführt.
  • Da gemäß dem obigen Aufbau die Steuervorrichtung die Blassteuerung zur Ladungsbeseitigung bei der Gaszuführungsvorrichtung ausführt, ermöglicht die Blassteuerung, elektrische Ladung des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats zu beseitigen, so dass eine Beschädigung, wie z. B. eine pyroelektrische Zerstörung oder ein Bruch und dergleichen, vermieden werden kann.
  • Gemäß einem neunten Aspekt der vorliegenden Erfindung kann die Höckerausbildungsvorrichtung für Ladungsentstehungshalbleitersubstrate ferner mit einem Kontaktelement zur Ladungsbeseitigung ausgestattet sein, das mit der Vorderfläche des Substrats in Kontakt kommt, um somit eine an der Vorderfläche erzeugte Ladungsmenge zu beseitigen.
  • Nicht nur elektrische Ladung an der Vorderfläche des Ladungsentstehungs halbleitersubstrats kann mittels des Kontaktelements beseitigt werden, sondern es kann eine Beschädigung, wie z. B. eine pyroelektrische Zerstörung und ein Bruch und dergleichen, in der Anordnung verhindert werden.
  • Gemäß einem zehnten Aspekt der vorliegenden Erfindung kann die Höckerausbildungsvorrichtung für die Ladungsentstehungshalbleitersubstrate so beschaffen sein, dass sie ferner einen Ionengenerator enthält zum Erzeugen von Ionen für die Neutralisierung der auf dem Substrat angesammelten Ladung.
  • Elektrische Ladung des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats kann durch den Ionengenerator, der wie oben beschrieben angeordnet ist, neutralisiert werden, wobei eine Beschädigung, wie z. B. eine pyroelektrische Zerstörung, ein Bruch und dergleichen, verhindert werden können.
  • In der Höckerausbildungsvorrichtung für Ladungsentstehungshalbleitersubstrate gemäß einem elften Aspekt der vorliegenden Erfindung kann die Vorrichtung so konfiguriert sein, dass sie ferner einen Wafer-Halteabschnitt mit Haltehaken zum Halten des Substrats mittels der Haltehaken und zum Verbringen des Substrats zu der Heiz- und Kühlvorrichtung umfasst, wobei der Wafer-Halteabschnitt und die Haltehaken an einem Abschnitt, wo die vom Ionengenerator gezeugten Ionen einwirken, mit einem Isolationsmaterial beschichtet sind.
  • Da die Haltehakenabschnitte des Wafer-Halteabschnitts mit dem Isolationsmaterial beschichtet sind, können die vom Ionengenerator erzeugten Ionen daran gehindert werden, auf einen metallischen Abschnitt einzuwirken und die Ladungsbeseitigungswirkung zu verringern.
  • Gemäß einem zwölften Aspekt der vorliegenden Erfindung kann in der Höckerausbildungsvorrichtung für Ladungsentstehungshalbleitersubstrate die Heiz- und Kühlvorrichtung an einem Abschnitt, der mit der Rückseitenfläche des Substrats in Kontakt ist, mit Metall plattiert sein, um eine Wärmeleitfähigkeit zwischen der Heiz- und Kühlvorrichtung und dem Substrat zu verbessern und Ladung vom Substrat zu entfernen.
  • Die Metallplattierung im obigen Aufbau verbessert die Wärmeleitfähigkeit zwischen der Heiz- und Kühlvorrichtung und dem Substrat und steigert die Ladungsbeseitigungswirkung für das Substrat.
  • Eine Ladungsbeseitigungseinheit für Ladungsentstehungshalbleitersubstrate gemäß einem dreizehnten Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst:
    eine Heiz/Kühlvorrichtung, die mit einer Rückseitenfläche in Kontakt kommt, die einer Vorderfläche als eine mit einer Schaltung versehenen Fläche des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats gegenüberliegt, die infolge einer Temperaturänderung Ladung erzeugt, um somit die am Substrat erzeugte Ladung als Ergebnis einer Temperatursenkung beim Abkühlen des Substrats nach der Erwärmung des Substrats zu beseitigen; und
    eine Steuervorrichtung zum Ausführen einer Temperaturabsenkungssteuerung zum Abkühlen des Substrats bei der Heiz- und Kühlvorrichtung.
  • Ein Ladungsentstehungshalbleitersubstrat, das gemäß einem vierzehnten Aspekt der vorliegenden Erfindung geschaffen wird, umfasst:
    einen Bereich zur Ladungsbeseitigung, der an einer Vorderfläche als eine mit einer Schaltung versehenen Fläche des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats ausgebildet ist, die infolge einer Temperaturänderung Ladung erzeugt, ausgebildet ist, und die aus einem Leiter gebildet ist, um die am Substrat erzeugte Ladung zu eliminieren; und
    Schneidelinien, die mit dem Bereich für die Ladungsbeseitigung verbunden sind, zum Schneiden der mit einer Schaltung versehenen Abschnitte, die an der Vorderfläche des Substrats ausgebildet sind.
  • Ein Ladungsbeseitigungsverfahren gemäß einem fünfzehnten Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst:
    Bringen eines Ladungsentstehungshalbleitersubstrats, das im vierzehnten Aspekt definiert ist, in Kontakt mit einem Kontaktelement zur Ladungsbeseitigung, das im neunten Aspekt definiert ist;
    Eliminieren der am Substrat erzeugten Ladung.
  • Gemäß dem Ladungsentstehungshalbleitersubstrat des vierzehnten Aspekts und dem Ladungsbeseitigungsverfahren des fünfzehnten Aspekts sind der Bereich für die Ladungsbeseitigung und die Schneidelinien so angeordnet, dass eine am Ladungsentstehungshalbleitersubstrat erzeugte Ladung von dem Bereich für die Ladungsbeseitigung oder über den Bereich für den Ladungsbeseitigung und die Schneidelinien eliminiert werden kann. Eine Beschädigung, die aus der Ladung resultiert, wie z. B. eine pyroelektrische Zerstörung der auf dem Substrat ausgebildeten Schaltung und ein Brechen des Substrats selbst und dergleichen, kann dementsprechend verhindert werden. Eine Ladungsmenge des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats variiert z. B. in Abhängigkeit von der Art der Erdung der mit Schaltung versehenen Abschnitte des Substrats zu den Schneidelinien des Substrats. Die Ladungsmenge kann ohne Verwendung des Ionengenerators auf etwa ±20 V reduziert werden, wenn die elektrische Ladung am effektivsten beseitigt wird. Die Ladungsmenge kann im Mittel auf etwa ±200 V reduziert werden.
  • Gemäß einem sechzehnten Aspekt der vorliegenden Erfindung weist ein Ladungsentstehungshalbleitersubstrat eine Ladungsmenge von nicht mehr als ±200 V auf, da die Ladung eliminiert wird, die am Ladungsentstehungshalbleitersubstrat erzeugt wird, welches Ladung infolge einer Temperaturänderung erzeugt.
  • Gemäß einem siebzehnten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird elektrische Ladung des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats mittels des Ladungsbeseitigungsverfahrens des obenbeschriebenen dritten Aspekts beseitigt.
  • Die Höckerausbildungsvorrichtung für Ladungsentstehungshalbleitersubstrate gemäß einem achtzehnten Aspekt der vorliegenden Erfindung kann so konfiguriert sein, dass die Temperaturabsenkungssteuerung mittels der Steuervorrichtung eine Steuerung zum Eliminieren von Ladung ist, die am Ladungsentstehungshalbleitersubstrat infolge der Temperaturabsenkung beim Abkühlen erzeugt wird, während die Heiz- und Kühlvorrichtung das Substrat auf die Höckerverbindungstemperatur in einem Nicht-Kontakt-Zustand zum Substrat aufheizt und das Substrat im Nicht-Kontakt-Zustand entsprechend der Temperaturabsenkungsteuerung mittels der Steuervorrichtung nach dem Verbinden abkühlt.
  • Gemäß einem neunzehnten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren geschaffen zum Beseitigen von Ladung von Ladungsentstehungshalbleitersubstraten, die elektrische Ladung infolge einer Temperaturänderung erzeugen, wobei das Verfahren umfasst:
    Ausbilden von Höckern an Elektroden, die in einer Schaltung auf dem Substrat ausgebildet sind, welches elektrische Ladung infolge einer Temperaturänderung erzeugt, wobei das Substrat auf die für die Ausbildung der Höcker notwendige Höckerverbindungstemperatur erhitzt wird; und
    nach der Höckerausbildung, wenn das Substrat unter Verwendung einer Kühlvorrichtung gekühlt wird, die in einem Nicht-Kontakt-Zustand zum Substrat für das Erhitzen des Substrats angeordnet ist, um somit eine Temperaturabsenkung des Substrats einzustellen, Ausführen einer Temperaturabsenkungssteuerung zum Eliminieren von Ladung, die infolge der Temperaturabsenkung beim Abkühlen des Substrats erzeugt wird, bei der Kühlvorrichtung.
  • Da die Temperaturabsenkung für die Heiz- und Kühlvorrichtung gesteuert wird, um im Nicht-Kontakt-Zustand zum Substrat die am Substrat angesammelte elektrische Ladung zu beseitigen, wenn das Substrat nach der Ausbildung der Höcker auf demselben gekühlt wird, kann die elektrische Ladungsmenge im Vergleich zum Stand der Technik reduziert werden. Eine Beschädigung, die durch die Ladung an der am Substrat ausgebildeten Schaltung und durch einen Bruch des Substrats selbst hervorgerufen wird und dergleichen, kann verhindert werden, ohne das Substrat mit einem Ladungsbeseitigungsmittel für die Ladungsbeseitigung zu versehen.
  • Gemäß einem zwanzigsten Aspekt der vorliegenden Erfindung kann die Temperaturabsenkungssteuerung in der Höckerausbildungsvorrichtung des achtzehnten Aspekts dafür ausgelegt sein, alternierend eine Temperaturabsenkung und eine Temperaturerhöhung um eine Temperaturbreite kleiner als eine Temperatursenkungsbreite der Temperaturabsenkung zu wiederholen.
  • In der obigen Höckerausbildungsvorrichtung für Ladungsentstehungshalbleitersubstrate des achtzehnten Aspekts kann das Erhitzen des Substrats bei der Heiz- und Kühlvorrichtung auf die Höckerverbindungstemperatur eine Vorheizoperation zum vorläufigen Aufheizen des Substrats bis in Nähe der Höckerverbindungstemperatur umfassen, die Steuervorrichtung kann ferner eine Temperaturanstiegssteuerung zum Beseitigung von Ladung, die am Ladungsentstehungshalbleitersubstrat infolge eines Temperaturanstiegs beim Vorheizen erzeugt wird, bei der Heiz- und Kühlvorrichtung ausführen.
  • Die obenerwähnte Temperaturanstiegssteuerung kann dafür ausgelegt sein, alternierend ein Temperaturanstieg und eine Temperaturabsenkung um eine Temperaturbreite kleiner als die Temperaturanstiegsbreite des Temperaturanstiegs zu wiederholen.
  • Eine Ladungsbeseitigungseinheit für Ladungsentstehungshalbleitersubstrate wird gemäß einem einundzwanzigsten Aspekt der vorliegenden Erfindung geschaffen, umfassend:
    eine Steuervorrichtung zum Ausführen einer Temperaturabsenkungssteuerung zum Eliminieren elektrischer Ladung, die infolge einer Temperaturabsenkung beim Abkühlen nach dem Aufheizen des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats erzeugt wird, welches elektrische Ladung infolge einer Temperaturänderung erzeugt; und
    eine Heiz- und Kühlvorrichtung zum Aufheizen des Substrats in einem Nicht-Kontakt-Zustand zum Substrat und Abkühlen des Substrats gemäß der Temperaturabsenkungssteuerung mittels der Steuervorrichtung nach dem Abkühlen.
  • Ein Ladungsentstehungshalbleitersubstrat gemäß einem zweiundzwanzigsten Aspekt der vorliegenden Erfindung erfährt eine Ladungsbeseitigung mittels des Ladungsbeseitigungsverfahrens des neunzehnten Aspekts.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • Diese und andere Aspekte und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden deutlich anhand der folgenden Beschreibung in Verbindung mit den bevorzugten Ausführungsformen derselben, und mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, in welchen:
  • 1 eine perspektivische Ansicht eines Gesamtaufbaus einer Höckerausbildungsvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;
  • 2 eine perspektivische Ansicht ist, die einen Aufbau wesentlicher Abschnitte der Höckerausbildungsvorrichtung der 1 genauer zeigt;
  • 3 eine perspektivische Ansicht ist, die einen Aufbau einer Eintragvorrichtung der 1 und 2 genauer zeigt;
  • 4 eine perspektivische Ansicht ist, die den Aufbau einer Orientierungsebenen-Registrierungsvorrichtung der 1 und 2 genauer zeigt;
  • 5 eine perspektivische Ansicht ist, die einen Aufbau einer Verbringungsvorrichtung der 1 und 2 genauer zeigt;
  • 6 ein Diagramm ist, das einen Haltehakenabschnitt eines Wafer-Halteabschnitts der 5 genauer zeigt;
  • 7 ein Diagramm ist, das einen Aufbau eines Kontaktelements für die Ladungsbeseitigung des Wafer-Halteabschnitts in 5 genauer zeigt;
  • 8 ein Diagramm ist, das einen Aufbau eines weiteren Beispiels des Kontaktelements zur Ladungsbeseitigung des Wafer-Halteabschnitts der 5 zeigt;
  • 9 ein Diagramm ist, das eine Beziehung eines an einem Wafer-Umfangsrandabschnitt ausgebildeten Aluminiumfilms und einer Kontaktposition des Kontaktelements zur Ladungsbeseitigung zeigt;
  • 10 ein Diagramm eines modifizierten Beispiels des Kontaktelements zur Ladungsbeseitigung ist;
  • 11 ein Diagramm ist, das eine Struktur einer Höckerausbildungseinheit der 1 zeigt;
  • 12 ein Diagramm ist, das eine Wafer-Verzerrung erläutert;
  • 13 ein Diagramm eines modifizierten Beispiels des Kontaktelements zur Ladungsbeseitigung ist;
  • 14 ein Diagramm eines modifizierten Beispiels des Kontaktelements zur Ladungsbeseitigung ist;
  • 15 eine perspektivische Ansicht ist, die einen Aufbau des in 14 gezeigten Elements zur Ladungsbeseitigung erläutert;
  • 16 eine perspektivische Ansicht ist, die einen Aufbau des in 14 gezeigten Elements zur Ladungsbeseitigung erläutert;
  • 17 eine perspektivische Ansicht eines modifizierten Beispiels des Kontaktelements zur Ladungsbeseitigung ist;
  • 18 ein Diagramm eines modifizierten Beispiels des Kontaktelements zur Ladungsbeseitigung ist;
  • 19 ein Diagramm einer Modifikation des Kontaktelements zur Ladungsbeseitigung der 18 ist;
  • 20 ein Diagramm eines modifizierten Beispiels des Kontaktelements zur Ladungsbeseitigung ist;
  • 21 eine perspektivische Ansicht eines modifizierten Beispiels eines Elements ist, das an einem Ende des Kontaktelements zur Ladungsbeseitigung vorgesehen ist;
  • 22 eine perspektivische Ansicht einer Vorheizvorrichtung und einer Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung ist;
  • 23 ein Diagramm zur Erläuterung von Operationen der Vorheizvorrichtung und der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung der 22 ist;
  • 24 ein Diagramm zur Erläuterung von Operationen der Vorheizvorrichtung und der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung der 22 ist;
  • 25 eine perspektivische Ansicht einer Aluminiumplatte und eines Plattenheizvorrichtungsrahmens der Vorheizvorrichtung und der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung der 22 ist;
  • 26 ein perspektivische Ansicht der Aluminiumplatte und des Plattenheizvorrichtungsrahmens der Vorheizvorrichtung und der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung der 22 ist;
  • 27 ein Flussdiagramm der Operationen der Höckerausbildungsvorrichtung der 1 ist;
  • 28 ein Diagramm ist, das die Operation im Schritt 2 in 27 erläutert, und das einen Zustand zeigt, in dem der Wafer mittels der Eintragvorrichtung nach oben bewegt wird;
  • 29 ein Diagramm ist, das die Operation im Schritt 2 in 27 erläutert, und das einen Zustand unmittelbar vor dem Halten des Wafers mittels der eintragseitigen Verbringungsvorrichtung zeigt;
  • 30 ein Diagramm ist, das die Operation im Schritt 2 in 27 erläutert, und das einen Zustand unmittelbar nach dem Halten des Wafers mittels der eintragseitigen Verbringungsvorrichtung zeigt;
  • 31 ein Diagramm ist, das die Operation im Schritt 2 in 27 erläutert, und das einen Zustand zeigt, in dem der Wafer mittels der eintragseitigen Verbringungsvorrichtung gehalten wird;
  • 32 ein Flussdiagramm ist, das die Operation im Schritt 3 der 27 in einem Fall erläutert, in dem ein Plattenheizvorrichtungsrahmen und die Aluminiumplatte voneinander getrennt sind;
  • 33 ein Diagramm ist, das die Operation im Schritt 3 der 27 erläutert, und das einen Zustand zeigt, in dem ein Wafer vor der Ausbildung von Höckern zu der obigen Vorheizvorrichtung verbracht wird;
  • 34 ein Diagramm ist, das die Operation im Schritt 3 der 27 erläutert, und das einen Zustand zeigt, in dem der Wafer vor der Ausbildung von Höckern auf der Aluminiumplatte platziert ist;
  • 35 ein Diagramm ist, das die Operation im Schritt 3 der 27 erläutert, und das einen Zustand zeigt, in dem das Halten des Wafers vor der Ausbildung von Höckern mittels des Wafer-Halteabschnitts beendet wird;
  • 36 ein Diagramm ist, das die Operation im Schritt 3 der 27 erläutert, und das einen Zustand zeigt, in dem die Aluminiumplatte mit dem geladenen Wafer vor der Ausbildung von Höckern nach unten bewegt wird;
  • 37 ein Flussdiagramm ist, das die Operation im Schritt 3 der 27 in einem Fall erläutert, in dem der Plattenheizvorrichtungsrahmen und die Aluminiumplatte nicht voneinander getrennt sind;
  • 38 ein Diagramm ist, das die Operation im Schritt 4 der 27 erläutert, genauer ein Diagramm der Temperaturanstiegssteuerung bei der Vorheizung;
  • 39 ein Diagramm eines modifizierten Beispiels der Temperaturanstiegssteuerung während der Vorheizung ist;
  • 40 ein Flussdiagramm ist, das eine Verbringungsoperation von der Vorheizvorrichtung zur Höckerverbindungseinheit im Schritt 5 in 27 in einem Fall erläutert, in dem der Plattenheizvorrichtungsrahmen und die Aluminiumplatte voneinander getrennt sind;
  • 41 ein Flussdiagramm ist, das eine Verbringungsoperation von der Vorheizvorrichtung zur Höckerverbindungseinheit im Schritt 5 in 27 in einem Fall erläutert, in dem der Plattenheizvorrichtungsrahmen und die Aluminiumplatte nicht voneinander getrennt sind;
  • 42 ein Flussdiagramm ist, das eine Verzerrungskorrektur erläutert, die ausgeführt wird, indem heiße Luft ausgeblasen wird, wenn der Wafer vor der Ausbildung von Höckern zu der Höckerverbindungsbühne im Schritt 5 der 27 verbracht wird;
  • 43 ein Flussdiagramm ist, das eine Verzerrungskorrektur erläutert, die ohne Ausblasen heißer Luft ausgeführt wird, wenn der Wafer vor der Ausbildung von Höckern zu der Höckerverbindungsbühne im Schritt 5 der 27 verbracht wird;
  • 44 ein Graph eines Temperaturanstiegs mittels der Temperaturanstiegssteuerung während des Vorheizens ist;
  • 45 ein Diagramm ist, das die Operation im Schritt 5 der 27 erläutert, und das einen Zustand zeigt, in dem der Wafer vor der Ausbildung von Höckern über der Verbindungsbühne angeordnet ist;
  • 46 ein Diagramm ist, das die Operation im Schritt 5 der 27 erläutert, und das einen Zustand unmittelbar vor dem Halten des Wafers mittels der Verbindungsbühne zeigt;
  • 47 ein Diagramm ist, das die Operation im Schritt 5 der 27 erläutert, und das einen Zustand zeigt, in dem der Wafer auf der Verbindungsbühne gehalten wird und dann die eintragseitige Verbringungsvorrichtung das Halten des Wafers beendet wird;
  • 48 ein Diagramm ist, das die Operation im Schritt der 27 erläutert, und das einen Zustand zeigt, in dem der Wafer an der Verbindungsbühne gehalten wird;
  • 49 ein Graph einer Temperaturabsenkung mittels einer Temperaturabsenkungssteuerung in der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung ist;
  • 50 ein Flussdiagramm ist, das das Nach-Höckerausbildung-Heizen erläutert;
  • 51 ein Flussdiagramm der Operation des Aufheizens des Wafer-Halteabschnitts ist, wenn das Nach-Höckerausbildung-Heizen beginnt;
  • 52 ein Graph eines Temperaturabsenkungsmusters beim Nach-Höckerausbildung-Heizen ist;
  • 53 ein Flussdiagramm ist, das das Nach-Höckerausbildung-Heizen erläutert;
  • 54 ein Flussdiagramm ist, das das Nach-Höckerausbildung-Heizen erläutert;
  • 55 ein Flussdiagramm der Operation des Austragens eines Wafers mit ausgebildeten Höckern aus der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung nach dem Nach-Höckerausbildung-Heizen ist;
  • 56 ein Diagramm ist, das die Operation im Schritt 8 der 27 erläutert, und das einen Zustand zeigt, in dem der Wafer mit ausgebildeten Höckern, der von der austragseitigen Verbringungsvorrichtung gehalten wird, über der Austragvorrichtung angeordnet wird;
  • 57 ein Diagramm ist, das die Operation im Schritt 8 der 27 erläutert, und das einen Zustand zeigt, in dem ein Halteabschnitt der Austragvorrichtung mit dem mit Höckern versehenen Wafer in Kontakt gebracht wird;
  • 58 ein Diagramm ist, das die Operation im Schritt 8 der 27 erläutert, und das einen Zustand unmittelbar nach Beenden des Haltens des Wafers mittels der austragseitigen Verbringungsvorrichtung zeigt;
  • 59 ein Diagramm ist, das die Operation im Schritt 8 der 27 erläutert, und das einen Zustand unmittelbar vor den Platzieren des Wafers mit ausgebildeten Höckern, der vom Halteabschnitt der Austragvorrichtung gehalten wird, auf einer Haltebühne zeigt;
  • 60 ein Diagramm ist, das die Operation im Schritt 8 der 27 erläutert, und das einen Zustand zeigt, in dem der Wafer mit ausgebildeten Höckern auf der Haltebühne platziert ist;
  • 61 ein Diagramm ist, das einen Zustand zeigt, in dem ein Ionengenerator Ionen auf den Wafer mit ausgebildeten Höckern aufbringt, wenn der Wafer von der austragseitigen Verbringungsvorrichtung zu der Austragvorrichtung in 1 bewegt wird;
  • 62 ein perspektivische Ansicht eines modifizierten Beispiels der Höckerausbildungsvorrichtung der 1 ist;
  • 63 ein Flussdiagramm ist, das die Ausblasoperation für die Ladungsbeseitigung erläutert, die von der Höckerausbildungsvorrichtung der 62 ausgeführt wird;
  • 64 eine Draufsicht einer Unterplatte ist, die am Wafer vor der Ausbildung von Höckern angebracht wird;
  • 65 ein Diagramm eines modifizierten Beispiels des Kontaktelements für die Ladungsbeseitigung ist;
  • 66 ein Diagramm eines modifizierten Beispiels der eintragseitigen Verbringungsvorrichtung und der austragseitigen Verbringungsvorrichtung ist, die in den 1 und 2 gezeigt sind;
  • 67 ein Diagramm eines modifizierten Beispiels des Kontaktelements zur Ladungsbeseitigung ist;
  • 68 ein Diagramm eines Zustands ist, in dem eine Kontaktfläche zu einem Ladungsentstehungshalbleitersubstrat jeweils in der Vorheizvorrichtung, der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung und der Verbindungsbühne der 1 und 2 mit einer Silberplattierung versehen ist;
  • 69 eine Draufsicht des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats ist, das einen darauf ausgebildeten Bereich zur Ladungsbeseitigung aufweist;
  • 70 ein Diagramm eines modifizierten Beispiels des Bereichs zur La dungsbeseitigung der 69 ist;
  • 71 eine perspektivische Ansicht ist, die einen Aufbau wesentlicher Abschnitte einer Höckerausbildungsvorrichtung als modifiziertes Beispiel der Höckerausbildungsvorrichtung der 1 genauer zeigt;
  • 72 eine perspektivische Ansicht ist, die den Aufbau einer Vorheizvorrichtung und einer Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung in 71 genauer zeigt;
  • 73 eine Schnittansicht ist, die den Aufbau der Vorheizvorrichtung und der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung der 71 zeigt;
  • 74 ein Graph einer Beziehung eines Operationsablaufs in der Höckerausbildungsvorrichtung in 71, einer Temperaturänderung des Wafers und einer Ladungsmenge des Wafers ist;
  • 75 ein Flussdiagramm des Vorheizens in 27 ist;
  • 76 ein Flussdiagramm einer in 75 gezeigten Temperaturanstiegssteuerung ist;
  • 77 ein Graph eines Temperaturanstiegs in der Temperaturanstiegssteuerung der 76 ist;
  • 78 ein Diagramm ist, das einen Aufbau zum Messen der Ladungsmenge des Wafers während des Vorheizens und des Nach-Höckerausbildung-Heizens mittels eines elektrostatischen Sensors zeigt;
  • 79 ein Flussdiagramm des Nach-Höckerausbildung-Heizens in 27 ist;
  • 80 Flussdiagramm einer Temperaturabsenkungssteuerung in 79 ist;
  • 81 ein Graph einer Temperaturabsenkung in der Temperaturabsenkungssteuerung der 80 ist;
  • 82 ein Diagramm eines Zustands ist, in dem der Ionengenerator Ionen auf den Wafer mit ausgebildeten Höckern beim Nach-Höckerausbildung-Heizen in 27 aufbringt;
  • 83 ein Diagramm eines Zustands ist, in dem der Ionengenerator Ionen auf den Wafer vor der Ausbildung von Höckern während des Vorheizens in 27 aufbringt;
  • 84 ein Flussdiagramm ist, das die Blasoperation für die Ladungsbeseitigung erläutert, die von der Höckerausbildungsvorrichtung der 62 ausgeführt wird;
  • 85 eine perspektivische Ansicht eines Aufbaus eines SAW-Filters ist;
  • 86 ein Diagramm einer Beschädigung an einem Kammzahn-Schaltungsabschnitt des SAW-Filters ist;
  • 87 ein Diagramm zur Erläuterung eines Zustands ist, in dem vordere und hintere Flächen eines piezoelektrischen Substratwafers geladen sind; und
  • 88 eine Draufsicht eines Zustands ist, in dem Höcker auf den Schaltungselektrodenabschnitten ausgebildet sind.
  • Bester Modus zur Ausführung der Erfindung
  • Eine Höckerausbildungsvorrichtung, ein Verfahren, das von der Höckerausbildungsvorrichtung zum Beseitigen von Ladung eines Ladungsentstehungshalbleitersubstrats ausgeführt wird, eine Ladungsbeseitigungseinheit, die an der Höckerausbildungsvorrichtung zum Beseitigen von Ladung der Ladungsentstehungshalbleitersubstrate installiert ist, und ein Ladungsentstehungshalbleitersubstrat, die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind, werden im Folgenden mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. Es ist zu beachten, dass ähnliche Teile über alle Zeichnungen hinweg mit ähnlichen Bezugszeichen bezeichnet sind.
  • Ein Höckerausbildungsvorrichtung 101 gemäß der in den 1 und 2 gezeigten Ausführungsform ist geeignet, ein waferförmiges piezoelektrisches Substrat (im Folgenden als "piezoelektrischer Substratwafer" bezeichnet) zu verarbeiten, um das obenerwähnte SAW-Filter auszubilden, und wird im Folgenden beispielhaft für die Ausbildung von Höckern auf dem piezoelektrischen Substratwafer beschrieben. Die Objekte, die von der Vorrichtung zu bearbeiten sind, sind jedoch nicht auf dem piezoelektrischen Substratwafer beschränkt. Mit anderen Worten, die Höckerausbildungsvorrichtung 101 der Ausführungsform ist auf Verbindungshalbleiter-Wafer, wie z. B. LiTaO3, LiNbO3 und dergleichen anwendbar, die Ladungsentstehungstyp-Halbleitersubstraten entsprechen, die infolge einer Temperaturänderung elektrische Ladung erzeugen (im Folgenden einfach als "Ladungsentstehungshalbleitersubstrate" bezeichnet), sowie Quarzhalbleiter-Wafer mit einem Quarzsubstrat und dergleichen. Die Vorrichtung ist ferner auf Si-Halbleiter-Wafer mit Si-Substrat anwendbar, wobei in diesem Fall der Wafer auf eine Temperatur von etwa 250–270°C erhitzt wird, wenn darauf Höcker ausgebildet werden, wie vorher beschrieben worden ist.
  • Die Höckerausbildungsvorrichtung 101 weist einen ersten Lagerbehälter 205 auf zum Einlagern piezoelektrischer Substratwafer 201 in Lagen vor der Ausbildung von Höckern, sowie einen zweiten Lagerbehälter 207 zum Lagern piezoelektrischer Substratwafer in 202 in Lagen nach der Ausbildung von Höckern, d. h. die Höckerausbildungsvorrichtung entspricht einem Doppelmagazintyp. Die Vorrichtung ist jedoch nicht auf diesen Typ beschränkt und kann als Einzelmagazintyp konstruiert sein, bei dem beide Wafer 201 und 202 in einem Lagerbehälter gelagert werden.
  • Eine Verbindungsbühne 110, eine Vorheizvorrichtung 160 und eine Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170, die im Folgenden beschrieben werden, entsprechen einer Heiz/Kühlvorrichtung, wobei die Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 ein Beispiel ist, das als Kühlvorrichtung dient.
  • Die Heiz/Kühlvorrichtung und eine Steuervorrichtung 108, die später beschrieben wird, bilden die Ladungsbeseitigungseinheit.
  • Die Höckerausbildungsvorrichtung 101 umfasst grob eine Verbindungsbühne 110, einen Höckerausbildungskopf 120, eine Transporteinheit 130, eine Verbringungsvorrichtung 140, die jeweils mit einer Eintragseite und einer Austragseite versehen ist, eine Hebevorrichtung 150, die jeweils bei den Lagerbehältern 205, 206 vorgesehen ist, um die Lagerbehälter 205, 206 aufwärts und abwärts zu bewegen, die Vorheizvorrichtung 160, die Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 und die Steuervorrichtung 180. Wie in der folgenden Beschreibung des Aufbaus und der Operation der Höckerausbildungsvorrichtung 101 gezeigt ist, unterscheidet sich die Höckerausbildungsvorrichtung 101 stark von einer herkömmlichen Höckerausbildungsvorrichtung, insbesondere im Aufbau und in der Operation, die für die Beseitigung elektrischer Ladung ausgelegt sind, die an den vorderen und hinteren Flächen des piezoelektrischen Substratwafers 201 vor der Ausbildung von Höckern und am piezoelektrischen Wafer 202 nach der Ausbildung von Höcker aufgrund einer Temperaturänderung zwischen einer Höckerverbindungstemperatur, die zum Ausbilden von Höckern erforderlich ist, und einer Raumtemperatur erzeugt wird, und im Aufbau und in einer Operation, die dafür ausgelegt sind, eine Beschädigung des piezoelektrischen Substratwafers 201 vor der Höckerausbildung und des piezoelektrischen Substratwafers 202 nach Höckerausbildung zu verhindern, wenn der piezoelektrische Substratwafer 201 zur Vorheizvorrichtung 10 und von der Vorheizvorrichtung 160 zur Verbindungsbühne 110 bewegt wird, und wenn der piezoelektrische Substratwafer 202 von der Verbindungsbühne 110 zur Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 bewegt wird. Da die Höckerausbildungsvorrichtung 110 eine Vorrichtung zur Ausbildung von Höckern ist, sind die wesentlichen Bestandteile der Vorrichtung die Verbindungsbühne 10 und der Höckerausbildungskopf 120.
  • Im Folgenden werden die jeweiligen obenerwähnten Bestandteile beschrieben.
  • In der Verbindungsbühne 110 wird der piezoelektrische Substratwafer 201 auf der Verbindungsbühne 110 platziert, bevor darauf Höcker ausgebildet werden (einfach als "Vor-Höckerausbildung-Wafer" bezeichnet). Die Verbindungsbühne 110 heizt den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 auf die Höckerverbindungstemperatur auf die zum Ausbilden von Höckern auf Elektroden der auf dem Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 ausgebildeten Schaltungen erforderlich ist. Die Höckerverbindungstemperatur, die zum Ausbilden von Höckern erforderlich ist, ist eine Temperatur, die erforderlich ist, um die Elektroden und Höcker mit einer gewünschten Festigkeit zu verbinden, welche entsprechend der Nennfestigkeit und eines Materials des Wafers und des Substrats, auf dem die Höcker auszubilden sind, festgelegt wird. Die Höckerverbindungstemperatur beträgt in der vorliegenden Ausführungsform etwa 210°C.
  • Eine Wafer-Lagerbühne 111 der Verbindungsbühne 110, auf die der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 geladen wird, weist wie in 11 gezeigt Öffnungen 113 auf, die so ausgebildet sind, dass sie den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 ansaugen und ein Gas ausblasen. Mit den Öffnungen 113 sind eine Saugvorrichtung 114 und ein Gebläse 115 verbunden, als ein Beispiel, das als Gaszuführungsvorrichtung dient, wobei diese von der Steuervorrichtung 180 gesteuert werden. In dieser Ausführungsform ist das Gas Luft. Die Wafer-Lagerbühne 111 der Verbindungsbühne 110 kann mittels der Hebevorrichtung zwischen einer Heizposition, in der die Wafer-Lagerbühne in Kontakt mit einer Heizvorrichtung 112 gehalten wird, und einer Ladeposition, in der das Ladungsentstehungshalbleitersubstrat geladen wird, aufwärts und abwärts bewegt werden. Eine Kontaktfläche der Wafer-Lagerbühne 111 mit dem Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 weist eine Metallplattierung auf, wie in 68 gezeigt ist, genauer eine Silberplattierung 261 in dieser Ausführungsform. Aufgrund der Silberplattierung ist eine Wärmeleitfähigkeit zwischen der Wafer-Lagerbühne 111 und dem Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 verbessert und eine Ladungsbeseitigungswirkung vom Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 wird gesteigert.
  • Der Höckerausbildungskopf 120 ist eine Vorrichtung zum Ausbilden von Höckern auf Elektroden des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201, der auf der Verbindungsbühne 110 liegt und auf die Höckerverbindungstemperatur erhitzt worden ist. Der Höckerausbildungskopf enthält einen Drahtzuführungsabschnitt 121 zum Zuführen eines Golddrahtes als Material für die Höcker, einen Höckerausbildungsabschnitt zum Schmelzen des Golddrahtes, um Kugeln auszubilden und die geschmolzenen Kugeln auf die Elektroden zu drücken, einen Ultraschallwellengeneratorabschnitt zum Aufbringen einer Ultraschallwelle auf den Höcker, wenn die geschmolzenen Kugeln gegen die Elektroden gedrückt werden, und dergleichen. Der so aufgebaute Höckerausbildungskopf 120 ist auf einem X-Y-Tisch 122 platziert, der z. B. einen Kugelgewindetrieb aufweist, der in X-Y-Richtungen, die auf einer Ebene orthogonal zueinander sind, beweglich ist und den X-Y-Tisch 122 in X-Y-Richtungen bewegt, so dass Höcker auf den Elektroden des befestigten Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 ausgebildet werden können.
  • Die Höckerausbildungsvorrichtung 101 ist mit zwei Typen der Transporteinheit 130 versehen. Einer ist eine Eintragvorrichtung 131 zum Entnehmen der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 aus dem ersten Lagerbehälter 205. Der andere ist eine Austragvorrichtung 132 zum Verbringen des piezoelektrischen Substratwafers nach Ausbildung der Höcker (im Folgenden einfach als "Wafer mit ausgebildeten Höckern" bezeichnet) 202 zum zweiten Lagerbehälter 206 und Einlagern des Substrats im Behälter. Wie in 3 gezeigt ist, weist die Eintragvorrichtung 131 eine Haltebühne 1311 zum Halten des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 durch Ansaugen auf, sowie eine Bewegungsvorrichtung 1312 für die Eintragvorrichtung zum Bewegen der Haltebühne 1311 parallel zur X-Richtung. Ein Antriebsabschnitt 1313, der in der Bewegungsvorrichtung 1312 enthalten ist, ist operativ mit der Steuervorrichtung 180 verbunden und wird von dieser gesteuert. Die Haltebühne 1311 wird durch Antreiben des Antriebsabschnitts 1313 längs der X-Richtung bewegt, wodurch der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 aus den ersten Lagerbehälter 205 entnommen wird.
  • Die Austragvorrichtung 132 weist denselben Aufbau wie die Eintragvorrichtung 131 auf und arbeitet in derselben Weise, weshalb sie nur kurz beschrieben wird. Wie in 56 gezeigt ist, weist die Austragvorrichtung 132 eine Haltebühne 1321 zum Halten des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202, was durch Ansaugen in dieser Ausführungsform ausgeführt wird, eine Bewegungsvorrichtung 1322 für die Austragvorrichtung zum Bewegen der Haltebühne 1321 längs der X-Richtung und Einlagern des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 im zweiten Lagerbehälter 206, einen Halteabschnitt 1321, der eine Rückseitenfläche 202b des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 ansaugt, um somit den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 zu halten, und einen Antriebsabschnitt 1324 auf, der unterhalb der Haltebühne 1321 angeordnet ist, um den Halteabschnitt 1323 in Dickenrichtung des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202, der auf der Haltebühne 1321 gehalten wird, zu bewegen. Die Bewegungsvorrichtung 1322 und der Antriebsabschnitt 1324 werden im Betrieb von der Steuervorrichtung 180 gesteuert.
  • An einem Einstellpunkt, an dem die Eintragvorrichtung 131 angeordnet ist, ist eine Ausrichtungsebene-Registrierungsvorrichtung 133 installiert, um eine Orientierungsebene des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201, der von der Eintragvorrichtung 131 aus dem ersten Lagerbehälter 205 entnommen worden ist, auf eine vorgegebene Richtung auszurichten. Wie in 4 gezeigt ist, weist die Orientierungsebene-Registrierungsvorrichtung 133 Fangplatten 1331 auf, die mittels eines Antriebsabschnitts 1332 in Y-Richtung bewegt werden, um dazwischen den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 zu halten, einen Halteabschnitt 1333, der sich in einer Dickenrichtung des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 bewegen kann, und kann den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 halten und in einer Umfangsrichtung des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 drehen, um somit die Orientierungsebene des gehaltenen Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 auszurichten, sowie einen Antriebsabschnitt 1334 für den Halteabschnitt 1333. Die Antriebsabschnitte 1332 und 1334 werden im Betrieb von der Steuervorrichtung 180 gesteuert.
  • Die Verbringungsvorrichtung 140 der Höckerausbildungsvorrichtung 101 umfasst eine eintragseitige Verbringungsvorrichtung 141 und eine austragseitige Verbringungsvorrichtung 142. Die eintragseitige Verbringungsvorrichtung 141 hält den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201, der auf der Haltebühne 1311 der Eintragvorrichtung 131 gehalten wird, verbringt den Vor-Höckerausbildung-Wafer zur Vorheizvorrichtung 160 und verbringt den Vor-Höckerausbildung-Wafer von der Vorheizvorrichtung 160 zur Verbindungsbühne 110. Die austragseitige Verbringungsvorrichtung 142 hält den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202, der auf der Verbindungsbühne 110 gehalten wird, verbringt den Wafer mit ausgebildeten Höckern zu der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 und verbringt den Wafer mit ausgebildeten Höckern von der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 zur Haltebühne 1321 der Austragvorrichtung 132. Die eintragseitige Verbringungsvorrichtung 141 enthält, wie in 2 gezeigt ist, einen Wafer-Halteabschnitt 1411 zum Halten des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 und zum Eliminieren von Ladung von den vorderen und hinteren Flächen des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201, einen Antriebsabschnitt 1412, der mit einem Luftzylinder in der Ausführungsform ausgestattet ist, um den Wafer-Halteabschnitt 1411 anzutreiben und den Vor-Höckerausbildung-Wafer zu halten, und eine Bewegungsvorrichtung 1413, die in der Ausführungsform einen Kugelgewindetrieb umfasst zum Bewegen des ganzen Wafer-Halteabschnitts 1411 und des Antriebsabschnitts 1412 in X-Richtung. Der Antriebsabschnitt 1412 und die Bewegungsvorrichtung 1413 sind mit der Steuervorrichtung 180 verbunden und werden in Betrieb von der Steuervorrichtung gesteuert.
  • Die austragseitige Verbringungsvorrichtung 142 enthält ähnlich der eintragseitigen Verbringungsvorrichtung 141 einen Wafer-Halteabschnitt 1421, einen Antriebsabschnitt 1422 und eine Bewegungsvorrichtung 1423. Der Antriebsabschnitt 1422 und die Bewegungsvorrichtung 1423 werden im Betrieb von der Steuervorrichtung 180 gesteuert.
  • Die Wafer-Halteabschnitte 1411 und 1421 werden im Folgenden beschrieben. Wie in 5 gezeigt ist, weist der Wafer-Halteabschnitt 1411 ein erstes Halteelement 1414 und ein zweites Halteelement 1415 auf, die vom Antriebsabschnitt 1412 in X-Richtung bewegt werden können, sowie ein Element 1416 zur Ladungsbeseitigung, das zwischen den ersten und zweiten Halteelementen angeordnet ist. Diese Elemente sind parallel zueinander angeordnet. Das erste Halteelement 1414, das zweite Halteelement 1415 und das Element 1416 zur Ladungsbeseitigung sind alle aus Eisen oder einem anderen leitenden Metall gefertigt. Ähnlicher dem Wafer-Halteabschnitt 1411 weist der Wafer-Halteabschnitt 1421 ein erstes Halteelement 1424, ein zweites Halteelement 1425 und ein Element 1426 zur Ladungsbeseitigung, das zwischen den ersten und zweiten Halteelementen gehalten wird, auf. Das erste Halteelement 1424, das zweite Halteelement 1425 und das Element 1426 zur Ladungsbeseitigung, die parallel zueinander angeordnet sind, sind aus Eisen oder einem anderen leitenden Material gefertigt. Da die Wafer-Halteabschnitte 1411 und 1421 denselben Aufbau aufweisen, wird der Wafer-Halteabschnitt 1411 repräsentativ beschrieben.
  • Sowohl das erste Halteelement 1414 als auch das zweite Halteelement 1415 weisen zwei L-förmige Haltehaken 1417 zum Halten des Vor-Höckerausbil dung-Wafers 201 auf, wie in den Zeichnungen gezeigt ist. Die Halteabschnitte 1417 sind aus demselben Material gebildet wie das erste Halteelement 1414 und das zweite Halteelement 1415, d. h. aus Eisen oder einem leitenden Kunstharz. Auf einem Teil des Haltehakens, der in direktem Kontakt mit dem Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 steht, ist vorzugsweise ein leitender Kunstharzfilm 14171 als Puffermaterial angebracht, wie in 6 gezeigt ist. Das Fertigen des ersten Halteelements 1414, des zweiten Halteelements 1415 und der Haltehaken 1417 aus Eisen oder dem leitenden Material ermöglicht, Ladung der Rückseitenfläche 201b des gehaltenen Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 abzuleiten.
  • Wie andererseits in 66 gezeigt ist, kann ein Haltehaken 14172, der dem obigen Haltehaken 1417 entspricht, aus einem wärmeisolierenden Element gefertigt sein, wie z. B. Vespel, Handelsname von Du Pont, so dass eine Temperaturänderung an den Wafer-Halteabschnitten 1411 und 1421 reduziert werden kann, wodurch eine Temperaturänderung des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 und des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202, wie später beschrieben wird, vermieden wird. Der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 und der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 können dementsprechend vor einer Beschädigung wie z. B. Rissen oder dergleichen bewahrt werden. In dem in 66 gezeigten Aufbau ist ein leitendes Material 14173 an einem Kontaktabschnitt zwischen dem Vor-Höckerausbildung-Wafer 201, dem Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 und dem Haltehaken 14172 angebracht, um eine Ladung des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 und des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 zum ersten Halteelement 1414 und zum zweiten Halteelement 1415 abzuleiten. Die Außenflächen des ersten Halteelements 1414, des zweiten Halteelements 1415 und dergleichen der Wafer-Halteabschnitte 1411 und 1421 sind mit einem Isolationsmaterial 14174 beschichtet, wie im Folgenden beschrieben wird.
  • Um elektrische Ladung von dem Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 und dem Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 effektiver zu beseitigen, wie später beschrieben wird, ist vorzugsweise ein Ionengenerator 190 vorgesehen, wie später beschrieben wird. Wenn der Ionengenerator 190 vorgesehen ist, ist jedoch zu befürchten, dass die vom Ionengenerator 190 erzeugten Ionen zu dem ersten Halteelement 1414, dem zweiten Halteelement 1415 und den Haltehaken 1417, die aus Eisen oder einem leitenden Material gefertigt sind, abgeleitet werden und folglich nicht effektiv auf den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 und dem Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 einwirken können. Um daher zu verhindern, dass die Ionen abgeleitet werden, und um die Ionen effektiv auf den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 und den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 einwirken zu lassen, sind wenigstens die Abschnitte, an denen die vom Ionengenerator 190 erzeugten Ionen einwirken sollen, vorzugsweise die gesamten Außenflächen des ersten Halteelements 1414, des zweiten Halteelements 1415 und der Haltehaken 1417, mit Isolationsmaterial beschichtet, wie in 66 gezeigt ist.
  • Das Element 1416 zur Ladungsbeseitigung weist Kontaktelemente 14161 zur Ladungsbeseitigung auf, die in Dickenrichtung des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 vorstehend an zwei Punkten in einer diametralen Richtung des Wafers 201 gemäß der Ausführungsform angeordnet sind. Die Kontaktelemente zur Ladungsbeseitigung können mit dem Umfangsabschnitt 201c der Vorderfläche 201a des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201, der vom Wafer-Halteabschnitt 1411 gehalten wird, in Kontakt sein. Wie in 7 gezeigt ist, ist das Kontaktelement 14161 zur Ladungsbeseitigung vorstehend und gleitend am Element 1416 angebracht und wird durch eine Feder 14162 in seiner Axialrichtung gedrängt. Ein leitendes Kunstharz 14163 ist als Puffermaterial an einem Waferkontaktendabschnitt des Kontaktelements 14161 angebracht.
  • Das Kontaktelement 14161 leitet Ladung, die an der Vorderfläche 201a vorhanden ist, ab, wenn das leitende Kunstharz 14163 mit der Vorderfläche 201a des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 in Kontakt kommt. In einem Zustand, bevor der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 von den Haltehaken 1417 gehalten wird, ragen die Kontaktelemente 14161 in Dickenrichtung des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 bis zu einer Ebene der Haltehaken 1417 hervor, oder bis sie die Haltehaken 1417 überragen. Aufgrund dieser Anordnung können die Kontaktelemente 14161 die Vorderfläche 201a des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 berühren, bevor die Haltehaken 1417 den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 berühren, wenn der Wafer-Halteabschnitt 1411 dazu kommt, den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 zu halten. Die Ladung der Vorderfläche 201a kann auf diese Weise zuerst beseitigt werden.
  • Die Kontaktelemente 14161 können direkt mit einem Erdungsdraht verbunden sein. Ferner ist der Aufbau nicht auf den obigen beschränkt, bei dem die Kontaktelemente 14161 am Element 1416 zur Ladungsbeseitigung angebracht sind. Wie z. B. in 8 gezeigt ist, können Blattfedern 14164, die aus einem Metall oder einem leitenden Material gefertigt sind, und die die Vorderfläche 201a berühren können, an dem ersten Halteelement 1414 und dem zweiten Halteelement 1415 mit den Haltehaken 1417 angebracht sein.
  • Wie andererseits in 9 gezeigt ist, ist der derartige Wafer 201, 202 über dem gesamten Umfangsabschnitt 201c der Vorderfläche 201a, mit der die Kontaktelemente 14161 in Kontakt kommen, mit einem Aluminiumfilm 203 versehen, so dass die Ladung von der Vorderfläche 201a effektiv beseitigt werden kann. Gemäß dieser Art von Wafer kann die Ladung der Vorderfläche 201a durch den Kontakt der Kontaktelemente 14161 mit dem Aluminiumfilm 203 effektiv beseitigt werden. Wie in 10 gezeigt ist, können die Kontaktelemente 14161 an drei oder mehr Punkten des Umfangsabschnitts 201c angeordnet sein. Zur Beseitigung der Ladung auch von einem zentralen Abschnitt des Wafers, wie in 10, kann am Zentralabschnitt des Wafers eine Attrappenzelle 14165 ausgebildet sein, die selbst bei Kontakt mit dem Kontaktelement 14161 nicht beschädigt wird, wobei das Kontaktelement 14161 an einer der Attrappenzelle 14165 entsprechenden Position angeordnet ist. Die an der Attrappenzelle 14165 angesammelte Ladung kann somit effektiv beseitigt werden. Die obenbeschriebenen Kontaktelemente 14161 können in ihrer Anzahl oder in ihrer Kontaktfläche vergrößert werden, um eine Ladungsbeseitigungseffizienz zu verbessern.
  • Wie außerdem in 69 gezeigt ist, kann die Attrappenzelle 14165 eines Leiters, der einen Bereich für die Ladungsbeseitigung zugeordnet ist, mit einer Schneidelinie 212 verbunden sein, die vorgesehen ist, um die mit Schaltung versehenen Abschnitte 211, die z. B. SAW-Filter aufweisen, vom Wafer abzutrennen. Die Schneidelinien 212 erstrecken sich bis zum Aluminiumfilm 203. Da sich die erzeugte Ladung an der Vorderfläche 201a des Wafers sammelt, wenn die Kontaktelemente 14161 mit dem Aluminiumfilm 203 im obigen Aufbau in Kontakt kommen, wird Ladung an der Attrappenzelle 14165 ebenso über die Schneidelinien 212 und dem Aluminiumfilm 203 beseitigt. Die Ladung auf der Vorderfläche 201a kann effektiv eliminiert werden. Selbstverständlich kann die Ladung der Vorderfläche 201a beseitigt werden, indem das Kontaktelement 14161 mit der Attrappenzelle 14165 in direkten Kontakt gebracht wird, wie vorher beschrieben worden ist.
  • Bei jedem Aufbau der 10 und 69 kann eine Position, an der die Attrappenzelle 14165 auf dem Wafer auszubilden ist, so bestimmt werden, dass das Kontaktelement 14161 wie oben beschrieben getroffen wird, und ist nicht hierauf beschränkt. Zum Beispiel kann die Attrappenzelle 14165 an einer Position auf dem Wafer ausgebildet sein, die durch pyroelektrische Zerstörung oder dergleichen leicht zu beschädigen ist. Dieser Aufbau ist hinsichtlich einer Ladungsbeseitigungswirkung und einer Ausbeute effektiv. In diesem Fall ist das Kontaktelement 14161 so angeordnet, dass es die Attrappenzelle 14165 trifft, die an der der Beschädigung unterliegenden Position ausgebildet ist.
  • Obwohl die Attrappenzelle 14165 in einer Quadratform ausgebildet ist und eine Größe aufweist, die nahezu einen mit Schaltung versehenen Abschnitt 211 in der Struktur der 69 beansprucht, ist eine Fläche der Attrappenzelle 14165 nicht hierauf beschränkt. Ferner ist die Form der Attrappenzelle 14165 nicht auf das obenerwähnte Quadrat beschränkt, und kann z. B. wie ein Rahmen beschaffen sein, der einen mit Schaltung versehenen Abschnitt 211 umgibt, wie mittels einer Attrappenzelle 14165-1 der 70 dargestellt ist.
  • Ein Verfahren zur Ladungsbeseitigung der Vorderfläche 201a ist nicht auf den Kontakt der obenbeschriebenen Kontaktelemente 14161 beschränkt, wobei z. B. der Ionengenerator 190 anstelle der Kontaktelemente 14161 oder zusammen mit den Kontaktelementen 14161 verwendet werden kann.
  • In der Anordnung der 69 ist die Attrappenzelle 14165 ausgebildet und mit der Schneidelinie 212 verbunden. Die Attrappenzelle 14165 kann jedoch weggelassen werden, wobei einfach die Schneidelinie 212 so vorgesehen sein kann, dass sie sich bis zum Aluminiumfilm 203 erstreckt. Obwohl die Effizienz und die Wirkung der Ladungsbeseitigung im Vergleich zu der Struktur, die die Attrappenzelle 14165 enthält, wie oben erwähnt worden ist, abnimmt, kann auch die Struktur ohne die Attrappenzelle Ladung vom Aluminiumfilm 203 über die Schneidelinie 212 entfernen, so dass die Ladung der Vorderfläche 201a beseitigt werden kann.
  • In Abhängigkeit von den Ladungsentstehungshalbleitersubstraten, die zu verarbeiten sind, wie z. B. Verbindungshalbleiter-Wafer aus LiTaO3, LiNbO3 oder dergleichen, verformen sich einige der Substrate, wie in 12 gezeigt ist, aufgrund einer Temperaturdifferenz, die an denselben entsteht, was später bei der Beschreibung der Operation diskutiert wird. Ein Maß der Verzerrung, d. h. eine Abmessung I in 12, beträgt 1–1,5 mm beim LiTaO3-Wafer mit einer Dicke von 0,35 mm und einem Durchmesser von 76 mm, und beträgt 1,5–2 mm bei dem LiNbO3-Wafer mit denselben Abmessungen.
  • Die Kontaktelemente 14161 sind so angeordnet, dass sie die Umfangsrandabschnitte treffen, die sich bei dem Ladungsentstehungshalbleitersubstrat stark verformen. Wie in 7 gezeigt ist, können sich die Kontaktelemente 14161, die an dem Element 1416 in der vorher beschriebenen Struktur angebracht sind, nur in Axialrichtung derselben bewegen, und können nicht der Verzerrung des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats folgend oszillieren, d. h. sie können nicht kippen, so dass sie nahezu senkrecht zur verformten Oberfläche sind. Folglich wirkt dann, wenn die Kontaktelemente 14161 mit den verformten Ladungsentstehungshalbleitersubstrat in Kontakt kommen, eine möglicherweise auf das verformte Ladungsentstehungshalbleitersubstrat unnötige Kraft von den Kontaktelementen 14161, die sich in Dickenrichtung des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats in einem Zustand ohne Verzerrung erstrecken und in dieser Richtung beweglich sind, wodurch möglicherweise ein Riss, ein Bruch oder eine ähnliche Beschädigung am verformten Ladungsentstehungshalbleitersubstrat hervorgerufen wird. Daher ist eine Struktur zum Anbringen der Kontaktelemente 14161 am Element 1416 und Abschnitte bezüglich der Anbringung vorzugsweise wie in den 13–21 und 65 gezeigt gestaltet, wie im Folgenden beschrieben wird. Das Bezugszeichen des Elements "1416" wird der Bequemlichkeit der Beschreibung halber weiterhin verwendet, obwohl genau genommen das Bezugszeichen geändert werden sollte, da das Element 1416 auch in der Struktur geändert ist, entsprechend der Änderung der Anbringungsstruktur und der betreffenden Abschnitte.
  • Gemäß einer Modifikation der Struktur des Kontaktelements für die Ladungsbeseitigung, wie in 13 gezeigt, ist ein konisches Loch 14166 am Element 1416 ausgebildet, wobei ein Kontaktelement 14100 zur Ladungsbeseitigung, das aus einem leitenden Stabmaterial wie z. B. einem Metall mit einem Durchmesser von etwa 1,5–2 mm gefertigt ist, in das Loch 14166 eingesetzt ist und durch die Feder 14162 in dessen Axialrichtung gedrängt wird. In dieser Ausführungsform ist eine Druckkraft auf etwa 49·10–3 bis 98·10–3 N je Kontaktelement 14100 eingestellt. Ein Eckabschnitt 14101 an einem Ende des Kontaktelements 14100, der mit dem Ladungsentstehungshalbleitersubstrat in Kontakt kommt, kann z. B. abgeschrägt oder zu einem Bogen geformt sein, um somit ein Schwingen des Kontaktelements 14100 in einer Richtung eines Pfeils 14110 entsprechend einer Krümmung des verformten Ladungsentstehungshalbleitersubstrats zu erleichtern. Alternativ kann eine leitende Kugel 14105 mit einem Durchmesser von z. B. ungefähr 5 mm, die z. B. aus einem Metall gefertigt ist, wie in 14 gezeigt ist, oder ein Zylinder 14106, wie in 21 gezeigt ist, an einem Ende des Kontaktelements 14100 angebracht sein, oder das eine Ende kann zu einer Halbkugel geformt sein, wie in 65 gezeigt ist. Das Kontaktelement 14100 schwingt in der obigen Pfeilrichtung 14110, derart, dass eine Ebene, die eine Ortslinie des schwingenden Kontaktelements 14100 enthält, parallel zu einer diametralen Richtung des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats wird. Wenn der Zylinder 14106 angebracht wird, ist der Zylinder 14106 mit seiner Axialrichtung parallel zu einer Richtung angeordnet, die orthogonal zur diametralen Richtung und zur Dickenrichtung des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats ist. Ein Erdungsdraht 14109 ist direkt mit dem anderen Ende des Kontaktelements 14100 in der Struktur der Ausführungsform verbunden.
  • Da die obige Struktur dem Kontaktelement 14100 ermöglicht, um einen Abschnitt des konischen Loches 14166 mit kleinem Durchmesser zu schwenken, kann das Kontaktelement 14100 in Pfeilrichtung 14110 entsprechend der Krümmung des verformten Ladungsentstehungshalbleitersubstrats schwenken, um somit das Ladungsentstehungshalbleitersubstrat vor einer Beschädigung zu bewahren.
  • Eine weitere Modifikation kann eine Struktur der 14 annehmen, in der zwei Rollen 14103, die über einem entsprechenden Intervall innerhalb eines Montageloches 14102 angeordnet sind, mittels Stiften 14104 drehbar am Element 1416 angebracht sind. Ein Kontaktelement 14107 zur Ladungsbeseitigung ist so installiert, dass es in Pfeilrichtung 14110 mittels der zwei Rollen 14103 schwenken kann. Das Kontaktelement 14107 weist eine Rolle 14108 auf, die am anderen Endabschnitt desselben drehbar unterstützt ist, wie in 16 gezeigt ist, wobei die Kugel 14105 an einem Ende des Kontaktelements 14107 angebracht ist. Das Kontaktelement 14107 wird in seiner Axialrichtung durch die Feder 14162 gedrängt und ist am Element 1416 angebracht. Da die Rolle 14108 des Kontaktelements 14107 von beiden Seiten mittels der zwei Rollen 14103 des Elements 1416 drehbar unterstützt ist, kann das Kontaktelement 14107 in Pfeilrichtung 14110 schwenken, wobei das Ladungsentstehungshalbleitersubstrat vor einer Beschädigung bewahrt werden kann.
  • Die Struktur kann weiter modifiziert werden, wie in 17 gezeigt ist. Eine Struktur der 17 wird aus der Struktur der 14 entwickelt, wobei vier Rollen 14111 in Kreuzform drehbar am Element 1416 angeordnet sind, während ein Kontaktelement 14113 zur Ladungsbeseitigung mit einer am anderen Ende angesetzten Kugel 14112 am Element 1416 montiert ist, so dass die Kugel 14112 an einem Zentralabschnitt der vier Rollen 14111 positioniert ist. Die Kugel 14112 wird durch die Feder 14162 in Richtung zu den vier Rollen 14111 gedrängt. Der Erdungsdraht kann mit der Kugel 14112 in einem Zustand, wie in 20 gezeigt, verbunden sein, oder kann mit dem Element 1416 verbunden sein. Durch Annehmen dieser Struktur kann das Kontaktelement 14113 gleichmäßig nicht nur in der obigen Pfeilrichtung 14110 rotieren, sondern auch in einer Richtung eines Pfeils 14114 orthogonal zur Pfeilrichtung 14110. Eine Beschädigung des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats kann dementsprechend verhindert werden.
  • Weitere Modifikationen sind annehmbar, wie in den 18–20 gezeigt ist. In diesen Strukturen ist das konische Loch 14166 am Element 1416 ausgebildet, während ein Element 14116 zur Ladungsbeseitigung eine Kugel 14115 enthält, die am anderen Ende desselben angebracht ist, und am Element 1416 montiert ist, wobei die Kugel 14115 am Loch 14166 drehbar unterstützt ist. Die Kugel 14115 wird durch die Feder 14162 gegen eine Wandfläche des Loches 14166 gedrängt. Außerdem wird ein Ladungsaufnahmeelement 14117, das einen mit dem Element 1416 verbundenen Erdungsdraht 14119 aufweist, von einer Feder 14118 gegen die Kugel 14115 gedrückt. Die Ladung des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats fließt somit durch das Kontaktelement 14116, das Ladungsaufnahmeelement 14117 und den Erdungsdraht 14119 zu dem mit dem Element 1416 verbundenen Erdungsdraht 14109. Die Struktur erlaubt dem Kontaktelement 14116, in einer beliebigen Richtung im Montagezustand der 18 zu rotieren, so dass es fähig ist, eine Beschädigung des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats zu verhindern.
  • Die Verwendung eines Kontaktelements 14120 zur Ladungsbeseitigung ohne die Feder 14162, wie in 19 gezeigt, kann als ein modifiziertes Beispiel der Anbringungsstruktur der 18 betrachtet werden. In diesem Fall wird die folgende Wirkung zusätzlich zu einer Kostenreduktion und Erleichterung der Anbringung im Vergleich zu der Struktur der 18 erzielt. Das heißt, das Kontaktelement kann mit dem Ladungsentstehungshalbleitersubstrat durch eine kleine Kraft von z. B. etwa 19,6·10–3 N aufgrund eines Gewichts der Kugel 14105 in Kontakt gebracht werden. Daher kann selbst ein dünnes Ladungsentstehungshalbleitersubstrat von z. B. etwa 0,1 mm Dicke vor einem Brechen oder einer anderen Beschädigung bewahrt werden.
  • Ein Kontaktelement 14121 zur Ladungsbeseitigung, das in 20 gezeigt ist, ist ebenfalls annehmbar, wobei das Ladungsaufnahmeelement 14117 und die Feder 14118 weggelassen sind und der Erdungsdraht 14109 direkt mit der Kugel 14115 verbunden ist. In diesem Fall ist die Anzahl der Teile reduziert und die Struktur ist im Vergleich zu der in 18 gezeigten Struktur vereinfacht, wobei dementsprechend die Kosten reduziert werden können.
  • Eine Struktur der 65 kann als weitere Modifikation verwendet werden. Obwohl das Kontaktelement für die Ladungsbeseitigung in den Strukturen der 13–20 schwenkbar ausgebildet ist, weist ein Kontaktelement 14122 zur Ladungsbeseitigung der 65 ein Linearführungslager 14123 auf, das an einem Unterstützungsabschnitt für das Kontaktelement 14122 des Elements 1416 montiert ist. Gemäß der in 65 gezeigten Struktur kann sich das Kontaktelement 14122 gleichmäßiger in seiner Axialrichtung bewegen, im Vergleich zu einer Bewegung in Axialrichtung des Kontaktelements 14161 in der Struktur der 7. Obwohl daher das Kontaktelement 14122 nicht dafür ausgelegt ist, in der Struktur der 65 zu schwenken, bewegt sich das Kontaktelement 14122 gleichmäßig in seiner Axialrichtung, wenn ein halbkugelförmiges Ende des Kontaktelements 14122 das verformte Ladungsentstehungshalbleitersubstrat berührt, und ist somit fähig, ein Reißen oder eine ähnliche Beschädigung des verformten Ladungsentstehungshalbleitersubstrats zu verhindern.
  • Ein Unterstützungselement 14124 mit daran angesetztem Linearführungslager 14123 im Kontaktelement 14122 kann aus Eisen gefertigt sein, ist jedoch vorzugsweise aus einem Isolationsmaterial, wie z. B. dem obenerwähnten Vespel, gefertigt. Zum Beispiel weist das aus Vespel gefertigte Unterstützungselement 14124 etwa 1/84 der Wärmeleitfähigkeit des aus Eisen gefertigten Elements auf. Wenn das Unterstützungselement 14124 aus Isolationsmaterial verwendet wird, kann daher das Kontaktelement 14122 das Ladungsentstehungshalbleitersubstrat vor einer plötzlichen Abkühlung bewahren, wenn das Kontaktelement 14122 mit dem Ladungsentstehungshalbleitersubstrat in Kontakt kommt, wodurch es fähig ist, eine thermische Beschädigung des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats zu verhindern.
  • Als Modifikation des obigen Kontaktelements 14122 kann ein Kontaktelement 14125 zur Ladungsbeseitigung mit einem Gewicht 14126 anstelle der Feder 14162, wie in 67 gezeigt, angenommen werden. In dem Fall, in dem die Feder 14162 verwendet wird, ändert sich eine Druckkraft des Kontaktelements gegen das Ladungsentstehungshalbleitersubstrat um ein Kompressionsmaß der Feder 14162, d. h. um ein Bewegungsmaß in Axialrichtung des Kontaktelements. Wenn jedoch das Gewicht 14126 verwendet wird, kann eine konstante Druckkraft effektiv auf das Ladungsentstehungshalbleitersubstrat einwirken, unabhängig vom Bewegungsmaß des Kontaktelements.
  • Jedes der in den 13, 14, 17, 18 und 20 gezeigten Kontaktelemente kann ferner mit dem Gewicht 14126 anstelle der Feder 14162 ausgestattet sein. Das Kontaktelement 14120 der 19 kann ebenso mit dem Gewicht 14126 ausgestattet sein.
  • Die Vorheizvorrichtung 160 ist eine Vorrichtung, wie in den 22–24 gezeigt ist, auf der der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201, der vom Wafer-Halteabschnitt 1411 aufgenommen wird, von der Eintragvorrichtung 131 platziert wird, und die den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 von einer Raumtemperatur bis in die Nähe von etwa 210°C als Höckerverbindungstemperatur erhitzt, um mittels der Verbindungsbühne 110 Höcker auszubilden. Die Vorheizvorrichtung weist in der Ausführungsform eine Aluminiumplatte 163 mit einer Dicke von 6 mm als Wärmediffusorelement auf, das auf einem Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 platziert ist, der eine Plattenheizvorrichtung 161 als Heizabschnitt enthält. Eine Wafer-Ladefläche 163a der Aluminiumplatte 163 ist wie in 68 gezeigt metallplattiert, in dieser Ausführungsform genauer silberplattiert 261. Aufgrund der Silberplattierung wird eine Wärmeleitfähigkeit zwischen der Aluminiumplatte und dem Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 verbessert und eine Ladungsbeseitigungswirkung für den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 verbessert. Die Operation zum Anheben der Temperatur mittels der Plattenheizvorrichtung 161 wird von der Steuervorrichtung 180 mit Bezug auf Temperaturinformationen von einem Temperatursensor 166 gesteuert, wie z. B. einem Thermoelement oder dergleichen, das eine Temperatur der Aluminiumplatte 163 misst. Ein Material des Wärmediffusorelements 163 ist nicht auf das obenerwähnte Aluminium beschränkt, und kann so beschaffen sein, dass es eine gute Wärmeleitfähigkeit aufweist und frei von chemischen Reaktionen mit dem Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 ist, wie z. B. Duralumin oder dergleichen.
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform enthält weder die eintragseitige Verbringungsvorrichtung 141 noch die austragseitige Verbringungsvorrichtung 142 eine Einrichtung zum Bewegen des Wafer-Halteabschnitts 1411 und des Wafer-Halteabschnitts 1421 in Dickenrichtung des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 und des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202, die von den jeweiligen Halteabschnitten gehalten werden. Die Vorheizvorrichtung 160 ist daher mit einer Hebeeinrichtung versehen, um sowohl den Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 mit der Plattenheizvorrichtung 161 als auch die Aluminiumplatte 163 in Dickenrichtung zwischen einer unteren Position 167 der 23 und einer oberen Position 168 der 24 zu bewegen, um den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 auf der Aluminiumplatte 163 zu platzieren.
  • Die Hebeeinrichtung enthält einen Luftzylinder 1601 als Antriebsquelle für die Aufwärts-Abwärts-Bewegung in Dickenrichtung, ein T-förmiges Unterstützungselement 1602, das vom Luftzylinder 1601 aufwärts und abwärts bewegt wird, und zwei Unterstützungsstangen 1603, die auf dem Unterstützungselement 1602 errichtet sind, um den Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 und die Aluminiumplatte 163 zu unterstützen. Der Luftzylinder 1601 wird von einer Zylinderantriebsvorrichtung 1604 angetrieben, die von der Steuervorrichtung 180 gesteuert wird. In der Ausführungsform werden der Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 und die Aluminiumplatte 163 durch die Aufwärts-Abwärts-Bewegung mittels des Luftzylinders 1601 getrennt, wie später beschrieben wird, um somit ein Kühlen der Aluminiumplatte 163 zu fördern. Die Zylinderantriebsvorrichtung 1604 und der Luftzylinder 1601 dienen somit letztendlich als Separator.
  • Die Unterstützungsstangen 1603 durchdringen den Plattenheizvorrichtungsrahmen 162, wobei die vorderen Endabschnitte der Stangen in die Aluminiumplatte 163 eingesetzt sind, entsprechend der Ausführungsform, wie in den Zeichnung gezeigt ist. Der Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 kann in Axialrichtung der Unterstützungsstangen 1603 in einem Zustand gleiten, in dem die Unterstützungsstangen den Plattenheizvorrichtungsrahmen durchdringen. Die Aluminiumplatte 163 ist an den Unterstützungsstangen 1603 an den vorderen Endabschnitten der Unterstützungsstangen 1603 befestigt. Außerdem wird der Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 durch Federn 1605 als Beispiele von Druckmitteln gegen die Aluminiumplatte 163 gedrückt. Der Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 und die Aluminiumplatte 163 bewegen sich zusammen von der unteren Position 167, wie in 23 gezeigt ist, nach oben, wenn der Luftzylinder 1601 diese antreibt. Nachdem der Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 mit den Anschlägen 1606 in Kontakt gelangt ist, die an einer Kontaktposition während der Aufwärtsbewegung angeordnet sind, wird die Aufwärtsbewegung des Plattenheizvorrichtungsrahmens 162 durch die Anschläge 1606 gestoppt, wie in 24 gezeigt ist, wobei sicht anschließend nur die Aluminiumplatte 163 nach oben bewegt. Als Ergebnis werden der Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 und die Aluminiumplatte 163 voneinander getrennt. Die Aluminiumplatte 163 wird bis zur oberen Position 168 angehoben. In dieser vorliegenden Ausführungsform beträgt ein Spalt zwischen dem Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 und der Aluminiumplatte 163, wenn die Trennung abgeschlossen ist, etwa 2–4 mm. Bei der Abwärtsbewegung nach der Trennung bewegt sich allein die Aluminiumplatte 162 von der oberen Position 168 abwärts bis zur Kontaktposition, wo die Anschläge 1606 angeordnet sind. Anschließend bewegen sich sowohl der Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 als auch die Aluminiumplatte 163 gemeinsam von der Kontaktposition zu der unteren Position 167 nach unten.
  • Obwohl es notwendig ist, die Temperatur der Aluminiumplatte 163 nach dem Vorheizen auf etwa 40°C zu senken, bevor ein nächster frischer Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 darauf platziert wird, kann eine Abkühlungsgeschwindigkeit für die Aluminiumplatte 163 im Vergleich zum Stand der Technik verbessert sein und eine Zykluszeit kann verkürzt sein, da der Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 und die Aluminiumplatte 163 in der obenbeschriebenen Struktur getrennt bleiben. Die Trennungsstruktur, die die Abkühlungsgeschwindigkeit verbessert, ist insbesondere hinsichtlich der Zykluszeit in einer Versuchsphase vor der Massenfertigung oder in einem Fall, in dem Höcker auf nur wenigen Wafern desselben Typs auszubilden sind, effektiv.
  • Ferner können der Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 und die Aluminiumplatte 163 vereinigt werden, nachdem die Temperatur der Aluminiumplatte 163 gesenkt worden ist, ohne das gewartet werden muss, bis der Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 auf etwa 40°C abgekühlt worden ist. Die Temperaturdifferenz am Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 wird kleiner wie im Stand der Technik. Da eine Belastung der Plattenheizvorrichtung 161 somit reduziert wird, kann eine Lebensdauer der Plattenheizvorrichtung 161 im Vergleich zum Stand der Technik verlängert werden.
  • Obwohl der Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 und die Aluminiumplatte 163 in der Ausführungsform wie oben beschrieben trennbar ausgeführt sind, können der Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 und die Aluminiumplatte 163 in einem einfachen Modell so konstruiert sein, dass sie sich immer als ein Körper aufwärts und abwärts bewegen, ohne voneinander getrennt zu werden.
  • Der Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 und die Aluminiumplatte 163 werden durch die zwei Unterstützungsstangen 1603 unterstützt, wobei folglich die Wärme vom Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 kaum zum Unterstützungselement 1602, zum Luftzylinder 1601 und dergleichen geleitet werden kann. Die Wärme vom Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 kann nahezu vollständig zur Aluminiumplatte 163 geleitet werden, weshalb eine Temperaturverteilung an der Aluminiumplatte 163 nahezu gleichmäßig wird und der gesamte Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 gleichmäßig erhitzt wird. Außerdem wirkt die Wärme nicht auf das Unterstützungselement 1602 und dergleichen, selbst wenn die Vorheizvorrichtung kontinuierlich betrieben wird.
  • Die Wafer-Ladefläche 163a der Aluminiumplatte 163 weist Luftlöcher 1608 und Rillen 1607 auf, in die die Haltehaken 1417 des Wafer-Halteabschnitts 1411 eintreten, wenn der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 zur Aluminiumplatte befördert wird. Die Luftlöcher 1608 stehen mit einer Blasansaugbahn 1609 in Verbindung, die in der Aluminiumplatte 163 ausgebildet ist, wie in 25 gezeigt ist. Wie ferner in der späteren Beschreibung der Operation diskutiert wird, werden die Luftlöcher verwendet, um die Luft auszublasen, um den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 von der Wafer-Ladefläche 163a zu trennen und den Vor-Höckerausbildung-Wafer zu verbringen, oder um Ladung von der Rückseitenfläche des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 zu entfernen. Die Luftlöcher können auch Luftansauglöcher sein, um den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 an der Wafer-Ladefläche 163a anzusaugen und zu halten, obwohl die Luftansaugung grundsätzlich in der Ausführungsform nicht ausgeführt wird. Wie in 22 gezeigt ist, ist die Blasansaugbahn 1609 über eine Verbindungsleitung 1610 mit einer Blasansaugvorrichtung 1611 verbunden, die von der Steuervorrichtung 180 gesteuert wird. Während ein auszublasendes Gas in der Ausführungsform Luft ist, wie oben erwähnt worden ist, kann ein anderes Gas verwendet werden. Die Blasansaugvorrichtung 1611 entspricht einem Beispiel, das als Gaszuführungsvorrichtung zum Zuführen eines Gases in einer Verzerrungskorrekturoperation und einer Ladungsbeseitigungsoperation, die später zu beschreiben ist, dient.
  • Eine Kühlmediumbahn 1612 ist in der Aluminiumplatte 163 ausgebildet, um die Aluminiumplatte 163 zu kühlen. Ein Kühlmedium ist in der Ausführungsform die Luft mit einer gewöhnlichen Temperatur, jedoch können ein anderes Gas, Wasser oder dergleichen verwendet werden. Die Kühlmediumbahn 1612 ist über eine Verbindungsleitung 1614 mit einer Kühlluftzuführungsvorrichtung 1613 verbunden, die im Betrieb von der Steuervorrichtung 180 gesteuert wird, wie in 22 gezeigt ist. Die Luft zum Kühlen, die der Bahn 1612 zugeführt wird, läuft in der Bahn 1612 den dargestellten Pfeilen folgend und wird durch eine Verbindungsleitung 1615 abgeführt.
  • Wie in 25 gemäß der Ausführungsform gezeigt ist, werden die Blasansaugbahn 1609 und die Kühlmediumbahn 1612 erhalten, indem Löcher in der Aluminiumplatte 163 mittels eines Bohrers oder dergleichen ausgebildet werden und Stopfen eingesetzt werden, wie mittels schräger Linien gezeigt ist. Es kann jedoch ein bekanntes Verfahren verwendet werden, um die Bahnen 1609 und 1612 auszubilden. Zum Beispiel können die Bahnen erhalten werden, indem Rillen an einer Rückseitenfläche der Aluminiumplatte 163 ausgebildet werden, wie in 26 gezeigt ist. In diesem Fall ist eine Dichtungsplatte zwischen der Aluminiumplatte 163 und dem Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 erforderlich, um ein Austreten des Kühlmediums zu verhindern.
  • Die Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 ist eine Vorrichtung, auf der der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202, der vom Wafer-Halteabschnitt 1421 gehalten wird, von der Verbindungsbühne 110 geladen wird, wobei sie die Temperatur des geladenen Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 von etwa 210°C der Höckerverbindungstemperatur bis in die Nähe der Raumtemperatur allmählich senkt. Die Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung weist eine Struktur ähnlich der obenbeschriebenen Vorheizvorrichtung 160 mit einem Plattenheizvorrichtungsrahmen und einer Aluminiumplatte auf, die in der Ausführungsform trennbar ausgeführt sind. Genauer enthält die Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 entsprechend allen Teilen, die die obige Vorheizvorrichtung 160 bilden, eine Plattenheizvorrichtung 171, einen Plattenheizvorrichtungsrahmen 172, eine Aluminiumplatte 173, einen Temperatursensor 176, einen Luftzylinder 1701, ein Unterstützungselement 1702, Unterstützungsstangen 1703, eine Zylinderantriebsvorrichtung 1704, Federn 1705, Anschläge 1706, Rillen 1707, Luftlöcher 1708, eine Blasansaugbahn 1709, eine Verbindungsleitung 1710, eine Blasansauvorrichtung 1711, eine Kühlmediumbahn 1712, eine Kühlluftzuführungsvorrichtung 1713 und Verbindungsleitung 1714, 1715. Die 22–26 zeigen somit Bezugs zeichen der Teile sowohl der Vorheizvorrichtung 160 als auch der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170. Die Plattenheizvorrichtung 171 wird von der Steuervorrichtung 180 so gesteuert, dass eine Temperaturabsenkung des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 gesteuert wird. Ähnlich der Aluminiumplatte 163 weist die Aluminiumplatte 173 eine Wafer-Ladefläche 173a auf, die wie in 68 gezeigt metallplattiert ist, in der Ausführungsform insbesondere silberplattiert 261. Die Silberplattierung verbessert eine Wärmeleitfähigkeit zwischen der Aluminiumplatte 173 und dem Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 und steigert eine Ladungsbeseitigungswirkung für den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202.
  • Die Operation in der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung ist ähnlich der Operation in der vorangehenden Vorheizvorrichtung 160 und kann verstanden werden, indem die Beschreibung der Operation in Bezug auf die Vorheizung in der Vorheizvorrichtung 160 herangezogen wird. Eine genaue Beschreibung wird daher hier weggelassen.
  • Die Hebevorrichtung 150 umfasst einen ersten Heber 151, um darauf den ersten Lagerbehälter 205 zu laden, und einen zweiten Heber 152, um darauf den zweiten Lagerbehälter 206 zu laden. Der erste Heber 151 bewegt den ersten Lagerbehälter 205 nach oben und nach unten, so dass der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 an einer Position angeordnet wird, in der der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 von der Eintragvorrichtung 131 entnommen werden kann. Der zweite Heber 152 bewegt den zweiten Lagerbehälter 206 nach oben und nach unten, so dass der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202, der von der Austragvorrichtung 132 gehalten wird, an einer vorgegebenen Position im zweiten Lagerbehälter 206 eingelagert werden kann.
  • Im Folgenden wird die Operation in der Höckerausbildungsvorrichtung 101 der Ausführungsform, die wie oben beschrieben aufgebaut ist, beschrieben. Jeder der oben dargestellten Teile, die die Vorrichtung bilden, wird im Betrieb von der Steuervorrichtung 180 gesteuert, wobei eine Sequenz von Operationen von der Ausbildung von Höckern an den Vor-Höckerausbildung-Wafern 201 zum Einlagern der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 im zweiten Lagerbehälter 206 ausgeführt wird. Die Steuervorrichtung 180 kann ein Nach-Höckerausbildung-Heizen in einem Zustand steuern, in dem der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 in Kontakt mit der Aluminiumplatte 173 der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 gehalten wird, und kann ferner eine Blasoperation zur Ladungsbeseitigung und eine Blasoperation zur Verzerrungskorrektur des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 steuern, die von der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 ausgeführt werden können. Außerdem ist die Steuervorrichtung fähig, das Vorheizen in einem Zustand zu steuern, in dem der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 mit der Aluminiumplatte 163 der Vorheizvorrichtung 160 in Kontakt gehalten wird, sowie eine Blasoperation zur Ladungsbeseitigung und eine Blasoperation zur Verzerrungskorrektur des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 zu steuern, die von der Vorheizvorrichtung 160 ausgeführt werden können.
  • Die Blasoperation zur Verzerrungskorrektur des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201, die von der Verbindungsbühne 110 ausgeführt wird, wird ebenfalls von der Steuervorrichtung gesteuert.
  • Jede dieser Operationen wird im Folgenden genauer erläutert. In der folgenden Beschreibung wird das Kontaktelement 14100 zur Ladungsbeseitigung, wie in 13 gezeigt, das auf beliebige Wafer und Substrate, wie das obenbeschriebene Ladungsentstehungshalbleitersubstrat, mit dem eine Verzerrung einhergeht, und dergleichen anwendbar ist, beispielhaft als das Kontaktelement genannt, das an den Wafer-Halteabschnitte 1411 und 1421 angebracht ist. Die Kontaktelemente 14107, 14113, 14116, 14120 oder 14121 können ein Ersatz für das Kontaktelement 14100 sein.
  • Gemäß der Höckerausbildungsvorrichtung 101 dieser Ausführungsform werden Höcker am Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 ausgebildet, wobei der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 mittels des jeweiligen Prozesses der Schritte 1–10 in 27 im zweiten Lagerbehälter 206 eingelagert wird (ein Schritt ist in der Zeichnung mit "S" bezeichnet). Genauer wird im Schritt 1 der erste Lagerbehälter 205 mittels des ersten Hebers 151 nach oben und nach unten bewegt, so dass der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 an einer Position angeordnet wird, an der der Wafer mittels der Eintragvorrichtung 131 aus dem ersten Lagerbehälter 205 entnommen werden kann, woraufhin der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 mittels der Eintragvorrichtung 131 aus dem ersten Lagerbehälter 205 entnommen wird. Der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201, der von der Eintragvorrichtung 131 gehalten wird, wird mittels der Orientierungsebenen-Registrierungsvorrichtung 131 ausgerichtet.
  • Nach der Ausrichtungsebenenregistrierung im Schritt 2 wird der auf der Haltebühne 1311 der Eintragvorrichtung 131 gehaltene Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 von der eintragseitigen Verbringungsvorrichtung 141 aufgenommen. Diese Operation wird mit Bezug auf die 28–31 genauer erläutert.
  • Wie in 28 gezeigt ist, bewegt sich nach der obigen Ausrichtungsregistrierung der Halteabschnitt 1333 der Ausrichtungsebene-Registrierungsvorrichtung 133 nach oben, um den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 von der Haltebühne 1311 anzusaugen und zu halten, und bewegt sich weiter nach oben. In der Zwischenzeit wird der Wafer-Halteabschnitt 1411 über dem Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 angeordnet, und das erste Halteelement 1414 und das zweite Halteelement 1415 werden mittels des Antriebsabschnitts 1412 in einer Richtung zum Öffnen in X-Richtung bewegt. Als Nächstes bewegt sich in 29 der Halteabschnitt 1333 nach oben, wodurch ein vorderes Ende des Kontaktelements 14100 zur Ladungsbeseitigung des Wafer-Halteabschnitts 1411 mit der Vorderfläche 201a des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 in Kontakt kommt. Folglich wird die Ladung der Vorderfläche 201a selbst dann, wenn sie unmittelbar vor dem Kontakt mit dem Kontaktelement 14100 geladen worden ist, durch diesen Kontakt mittels des Kontaktelements 14100 eliminiert.
  • Obwohl der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 und der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202, die in dieser Ausführungsform verwendet werden, die Eigenschaft aufweisen, dass sie schwer aufzuladen sind, ist jedoch ihre elektrische Ladung schwer zu beseitigen, sobald sie einmal aufgeladen sind, wie oben erwähnt worden ist. Daher kann die Vorderfläche 201a selbst durch den Kontakt mit dem Kontaktelement 14100 nicht perfekt von elektrischer Ladung befreit werden. Die Vorderfläche 201a weist eine anfängliche Ladung von etwa +10 bis +25 V auf. Das Symbol + steht für positiv geladen.
  • Wie in 30 gezeigt ist, werden das erste Halteelement 1414 und das zweite Halteelement 1415 mittels des Antriebsabschnitts 1412 in einer Richtung zum Schließen in X-Richtung bewegt.
  • Wie in 31 gezeigt ist, bewegt sich die Haltebühne 1311 nach unten, wodurch der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 mittels der Haltehaken 1417 des Wafer-Halteabschnitts 1411 gehalten wird. Zu diesem Zeitpunkt wird der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 durch die Druckkraft der Feder 14162, die am Kontaktelementabschnitt 14100 angesetzt ist, gegen die Haltehaken 1417 gedrückt. Die Druckkraft weist eine Stärke auf, bei der Probleme, wie z. B. ein Abfallen des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 vom Wafer-Halteabschnitt 1411 während der Verbringung und dergleichen, vermieden werden. Die Druckkraft verformt keinesfalls den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201.
  • Wenn die Rückseitenfläche 201b des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 und die Haltehaken 1417 miteinander in Kontakt kommen, wird ein Teil der Ladung an der Rückseitenfläche 201b abgeleitet. Es ist jedoch schwierig, die Ladung innerhalb der Rillen 14 zu beseitigen, die an der Rückseitenfläche 201b in der Struktur dieser Höckerausbildungsvorrichtung 101 ausgebildet werden. Ähnlich wie bei der Vorderfläche 201a ist auch an der Rückseitenfläche 201b eine anfängliche Ladung von etwa –20 bis –30 V vorhanden. Das Symbol – steht für negativ geladen. Die elektrische Ladung kann effizienter beseitigt werden, wenn der Ionengenerator verwendet wird, wie in einem später zu beschreibenden modifizierten Beispiel diskutiert wird.
  • Wie in 2 gezeigt ist, wird in Schritt 3 der Wafer-Halteabschnitt 1411 während des Haltens des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 verbracht und über der Vorheizvorrichtung 601 mittels der Bewegungsvorrichtung 1413 angeordnet.
  • Gemäß der Ausführungsform, wie in 22 gezeigt, sind der Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 und die Aluminiumplatte 163 der Vorheizvorrichtung 160 so konstruiert, dass sie voneinander trennbar sind. Wenn daher die Aluminiumplatte 163 eine Temperatur aufweist, die nicht niedriger ist als die gewöhnliche Temperatur, werden die Schritte 510–515 der 32 ausgeführt, bevor der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 über die Vorheizvorrich tung 160 verbracht wird, wodurch die Aluminiumplatte 163 gekühlt wird. Diese Schritte 510–515 werden später mit Bezug auf 40 beschrieben.
  • Die Aluminiumplatte 163 bewegt sich zu einem Zeitpunkt nach unten in die untere Position 167, zu dem die Aluminiumplatte 163 auf eine vorgegebene Temperatur abgekühlt ist, d. h. in dieser Ausführungsform etwa 40°C. Im Schritt 303 wird der Wafer-Halteabschnitt 1411 in einem Zustand, in dem er den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 hält, verbracht und mittels der Bewegungsvorrichtung 1413 über der Vorheizvorrichtung 160 angeordnet, wie in 33 gezeigt ist.
  • Im Schritt 304 wird wieder die Aluminiumplatte 163 in die obere Position 168 angehoben. Zu diesem Zeitpunkt treten die Haltehaken 1417 des Wafer-Halteabschnitts 1411 in die Rillen 1607 ein, die an der Aluminiumplatte 163 ausgebildet sind, wie in 34 gezeigt ist. Der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201, der von dem Wafer-Halteabschnitt 1411 gehalten wird, wird auf der Aluminiumplatte 163 platziert. Da kein Hebemechanismus an der eintragseitigen Verbringungsvorrichtung 141 und der austragseitigen Verbringungsvorrichtung 142 in dieser Ausführungsform installiert ist, wie vorher beschrieben worden ist, ist es notwendig, die Aluminiumplatte 163 aufwärts und abwärts zu bewegen, um somit den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 zur Vorheizvorrichtung 160 zu transportieren und den Vor-Höckerausbildung-Wafer auf die Aluminiumplatte 163 zu laden.
  • Im Schritt 305 werden das erste Halteelement 1414 und das zweite Halteelement 1415 der eintragseitigen Verbringungsvorrichtung 141 geöffnet, wie in 35 gezeigt ist. Im nächsten Schritt 306 wird die Aluminiumplatte 163 in die untere Position 167 abgesenkt, wie in 36 gezeigt ist. Der Ablauf rückt zu Schritt 4 vor, woraufhin das Vorheizen beginnt.
  • In einem modifizierten Beispiel der Vorheizvorrichtung 160, in welchem der Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 und die Aluminiumplatte 163 untrennbar gefertigt sind und immer gemeinsam aufwärts und abwärts bewegt werden, wird der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 durch die Operationen der Schritte 311–316 der 37 zur Vorheizvorrichtung 160 transportiert. Die Operationen werden hier im Folgenden beschrieben. Der Plattenheizvorrichtungs rahmen 162 und die Aluminiumplatte 163, die untrennbar sind, werden in der folgenden Beschreibung allgemein als Vorheizbühne bezeichnet.
  • Im Schritt 311 wird der vom Wafer-Halteabschnitt 1411 gehaltene Vor-Höckerausbildung-Wafer über die Vorheizbühne transportiert. Zum Stabilisieren einer Temperatur des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 im Schritt 312 wird der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 über der Vorheizbühne z. B. 30 Sekunden bis 2 Minuten in einem Zustand gehalten, in dem der Wafer eingetragen ist. Die Vorheizbühne wird in die obere Position 168 im Schritt 313 angehoben. Das erste Halteelement 1414 und das zweite Halteelement 1415 der eintragseitigen Verbringungsvorrichtung 141 werden in Schritt 314 geöffnet. Im nächsten Schritt 315 wird eine Operation spezifisch für das modifizierte Beispiel der Struktur ausgeführt, in der der Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 und die Aluminiumplatte 163 untrennbar sind. Wenn der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 mittels der eintragseitigen Verbringungsvorrichtung 141 von der Vorheizbühne auf die Verbindungsbühne 110 bewegt wird, nachdem das später zu beschreibende Vorheizen abgeschlossen ist, kann der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 teilweise gekühlt werden, wenn eine große Temperaturdifferenz zwischen den Haltehaken 1417 und dem vorgeheizten Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 vorhanden ist, was zu Problemen führen kann. Daher wird im Schritt 315 bestimmt, ob die Haltehaken 1417 zu heizen sind. Wenn die Haltehaken 1417 zu heizen sind, wird das Vorheizen mit der in die obere Position 168 angehobenen Vorheizbühne begonnen. Aufgrund dieser Operation sind die Haltehaken 1417 bereits in die Rillen 1607 eingetreten und können durch das Vorheizen der Vorheizbühne ebenfalls erhitzt werden, wobei die Probleme vermieden werden können. Wenn andererseits die Haltehaken nicht zu heizen sind, wird die Vorheizbühne im Schritt 316 in die untere Position 167 abgesenkt und das Vorheizen beginnt.
  • In Schritt 4 wird der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 von Raumtemperatur mittels der Vorheizvorrichtung 160 auf nahezu 210°C vorgeheizt. Obwohl durch eine Temperaturänderung des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 infolge des Vorheizens am Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 elektrische Ladung erzeugt wird, da der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 auf der Aluminiumplatte 163 platziert ist, wird die Ladung auf der Rückseitenfläche 201b, wo die Ladung sich leicht sammeln kann, über die Aluminiumplatte 163 abgeleitet und kann somit effizient beseitigt werden. Eine Temperaturanstiegsrate für das Vorheizen des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 kann innerhalb eines Bereiches der Temperaturanstiegsrate angenommen werden, die den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 nicht durch eine plötzliche Temperaturänderung bricht, d. h. innerhalb etwa 50°C/min. Innerhalb dieses Bereiches, wie in 38 gezeigt ist, z. B. einer moderaten Temperaturanstiegsrate von etwa 5–10°C/min oder einer schnellen Temperaturanstiegsrate von etwa 20–40°C/min oder dergleichen, können verschiedene Temperaturanstiegsraten angenommen werden, selbst für die Ladungsentstehungshalbleitersubstrate, die eine Ladung bei Temperaturänderung erzeugen. Die Zykluszeit mit demselben Niveau wie beim Stand der Technik kann selbst dann aufrechterhalten werden, wenn das Vorheizen durchgeführt wird.
  • In dem Aufbau, in dem der Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 und die Aluminiumplatte 163 immer in Baueinheit aufwärts und abwärts bewegt werden, ohne getrennt zu werden, kann ein Temperaturanstieg wie in 39 gesteuert werden. Das heißt, die Operation in Schritt 312 wird von einem Zeitpunkt t1 bis zu einem Zeitpunkt t2 ausgeführt, wobei eine Temperatur des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 von etwa 40°C auf etwa 60–120°C angehoben wird. Anschließend wird der Temperaturanstieg auf etwa 210°C durch eine moderate oder schnelle Temperaturanstiegsrate gesteuert, wie oben erwähnt ist.
  • Wenn der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 auf etwa 210°C aufgeheizt ist, geht der Ablauf zu einem nächsten Schritt 5 über. Im Schritt 5, wie in 40 gezeigt ist, wird der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 von der Vorheizvorrichtung 160 zur Verbindungsbühne 110 transportiert. Eine Ladungsmenge des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 ist bei etwa 210°C kleiner im Vergleich zu z. B. 100°C oder dergleichen, weshalb eine geringe Wahrscheinlichkeit besteht, dass am Vor-Höckerausbildung-Wafer 210 Funken gebildet werden, wenn der Vor-Höckerausbildung-Wafer von der Vorheizvorrichtung 160 zur Verbindungsbühne 110 bewegt wird. 40 zeigt die Operation im Fall des Aufbaus, bei dem der Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 und die Aluminiumplatte 163 der Vorheizvorrichtung 160 trennbar ausgeführt sind.
  • Im Schritt 501 der 40 werden das erste Halteelement 1414 und das zweite Halteelement 1415 in Richtung zum Öffnen mittels des Antriebs des Antriebsabschnitts 1412 der eintragseitigen Verbringungsvorrichtung 141 bewegt. Im Schritt 502 wird die Aluminiumplatte 163 der Vorheizvorrichtung 160 von der unteren Position 167 zur oberen Position 168 bewegt. Jeder Haltehaken 1417 des ersten Halteelements 1414 und des zweiten Halteelements 1415 tritt zu diesem Zeitpunkt in die Rille 1607 der Aluminiumplatte 163 ein. Das erste Halteelement 1414 und das zweite Halteelement 1415 werden in Schritt 503 geschlossen. Die Blasansaugvorrichtung 1611 wird im Schritt 504 betätigt, wodurch Luft aus den Luftlöchern 1608 der Aluminiumplatte 163 geblasen wird, um die Aluminiumplatte 163 und den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 voneinander zu trennen. Die ausgeblasene Luft ist auf ein solches Temperaturniveau eingestellt, das eine Temperaturabsenkung des Vor-Höckerausbildung-Wafers möglichst weitgehend verhindert werden kann, und ist z. B. auf etwa 160°C eingestellt. Während des Blasens wird die Aluminiumplatte 163 im Schritt 505 nach unten bewegt und der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 wird am Wafer-Halteabschnitt 1411 mit dem ersten Halteelement 1414 und dem zweiten Halteelement 1415 gehalten. Die Operation der Blasansaugvorrichtung 1611 wird gestoppt, um das Blasen im Schritt 506 zu beenden. Der Wafer-Halteabschnitt 1411, der den in der Temperatur erhöhten Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 hält, wird über die Verbindungsbühne 201 im Schritt 507 bewegt. Der Ablauf geht zu einer Operation des Ladens des Vor-Höckerausbildung-Wafers auf die Verbindungsbühne 110 über, die später beschrieben wird.
  • Indessen sollte die Aluminiumplatte 163 der Vorheizvorrichtung 160, die auf etwa 210°C erhitzt ist, wieder auf nahezu die Raumtemperatur abgekühlt werden, bevor der nächste Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 mit Raumtemperatur darauf geladen wird. Im Schritt 510 der 40 wird die Kühlluftzuführungsvorrichtung 1613 betätigt, um Luft zum Kühlen der Kühlmediumbahn 1612 in der Aluminiumplatte 163 zuzuführen. Ferner wird in den Schritten 511 und 512 der Luftzylinder 1601 der Vorheizvorrichtung 160 betätigt, um die Aluminiumplatte 163 von der unteren Position 167 in die obere Position 168 anzuheben und somit den Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 und die Aluminiumplatte 163 zu trennen. Die Temperatur der Aluminiumplatte 163 wird anschließend auf etwa 30°C gesenkt. Obwohl eine Abkühlungstemperatur der Aluminiumplatte 163 auf etwa 30°C festgelegt ist, wie oben erwähnt, ist die Temperatur nicht hierauf beschränkt. Das heißt, die Abkühlungstemperatur der Aluminiumplatte 163 kann so festgelegt sein, dass die Ladungsmenge des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 einen zulässigen Wert nicht überschreitet und der Vor-Höckerausbildung-Wafer vor einer Verzerrung durch die Temperaturdifferenz zwischen dem Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 mit gewöhnlicher Temperatur und der Aluminiumplatte 163 bewahrt wird. Die Aluminiumplatte 163 kann effizient gekühlt werden, indem der Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 und die Aluminiumplatte 163 wie oben erwähnt getrennt werden. Nachdem die Aluminiumplatte 163 auf etwa 30°C abgekühlt worden ist, wird im Schritt 513 die Operation der Kühlluftzuführungsvorrichtung 1613 gestoppt, um die Zufuhr von Luft zur Kühlung zu beenden. Die Aluminiumplatte 163 wird im Schritt 514 nach unten bewegt. Der Wafer-Halteabschnitt 1411 der eintragseitigen Verbringungsvorrichtung 141 wird über die Transporteinheit 130 im Schritt 515 zurückgebracht.
  • Wenn andererseits der Plattenheizvorrichtungsrahmen und die Aluminiumplatte 163 dafür ausgelegt sind, sich immer in einer Einheit aufwärts und abwärts zu bewegen, ohne voneinander getrennt zu werden, werden die Operationen der 41 ausgeführt. Operationen in 41, die denjenigen ähnlich sind, die mit Bezug auf 40 beschrieben worden sind, sind mit denselben Bezugszeichen wie in 40 bezeichnet, wobei deren Beschreibung weggelassen wird. Die Schritte 521 und 522 in 41 entsprechen jeweils den Schritten 502 und 505 in 40, in denen die aus dem Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 und der Aluminiumplatte 163 bestehende Vorheizbühne in einem Stück aufwärts und abwärts bewegt wird.
  • Im Folgenden wird die Operation des Verbringens und Ladens des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 von der Vorheizvorrichtung 160 zur Verbindungsbühne 110 beschrieben.
  • Wie oben beschrieben worden ist, wird der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 durch das Vorheizen auf etwa 210°C erhitzt, wobei diese Temperatur in einer Zeitspanne nach dem Vorheizen vor dem Laden des Vor-Höckerausbildung-Wafers auf die Verbindungsbühne 110 leicht absinkt. Wenn der Vor- Höckerausbildung-Wafer 201, der somit in der Temperatur leicht gesenkt ist, auf die auf etwa 210°C erhitzte Verbindungsbühne 110 geladen wird, verursacht in einigen Fällen die Temperaturdifferenz zwischen dem Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 und der Verbindungsbühne 110 eine Verzerrung des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201, wie in 12 gezeigt ist, in Abhängigkeit von einem Material des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201. Der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201, bei dem sich die Verzerrung ergibt, ist z. B. ein LiTaO3-Wafer, ein LiNbO3-Wafer oder dergleichen. Somit führt die Ausführungsform eine Operation zur Korrektur der Verzerrung des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 auf der Verbindungsbühne 110 aus. In einem Fall des LiNbO3-Wafers wird heiße Luft gegen den Wafer geblasen, um die Verzerrung zu korrigieren, nachdem der Wafer auf der Verbindungsbühne 110 platziert worden ist. In einem Fall des LiTaO3-Wafers wird das Blasen der heißen Luft, nachdem der Wafer auf der Verbindungsbühne platziert worden ist, nicht ausgeführt, da es eine längere Zeitspanne erfordert, um die Verzerrung zu korrigieren als im Fall des LiNbO3-Wafers. Es wird angenommen, dass ein solcher Unterschied von einer geringeren Wärmeleitfähigkeit des LiTaO3-Wafers als derjenigen des LiNbO3-Wafers kommt. Das Blasen der heißen Luft ist beim LiTaO3-Wafer umgekehrt wirksam, wobei die Temperatur des LiTaO3-Wafers stattdessen leichter gleichmäßig gemacht werden kann, indem einfach der Wafer erhitzt wird, nachdem der Wafer auf der Verbindungsbühne platziert worden ist. Die Verzerrungskorrektur durch Blasen der heißen Luft wird mit Bezug auf 42 beschrieben, und diejenige ohne Blasen der heißen Luft wird mit Bezug auf 43 beschrieben.
  • Im Schritt 507 in 42 wird der von Wafer-Halteabschnitt 1411 der eintragseitigen Verbringungsvorrichtung 141 gehaltene Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 über die Verbindungsbühne 110 transportiert, wie in 45 gezeigt ist. Im nächsten Schritt 531 wird die Verbindungsbühne 110 gedreht, um einen Eintragwinkel des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 zur Verbindungsbühne 110 anzupassen. Im Schritt 532 wird die Wafer-Lagerbühne 111 in Dickenrichtung des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 angehoben, wie in 46 gezeigt ist, und kommt mit der Rückseitenfläche 201b des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 in Kontakt, wodurch der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 weiter nach oben gedrückt wird. Wenn die Wafer-Lagerbühne 111 angehoben wird, tritt jeder Haltehaken 1417 des Wafer-Halteab schnitts 1411 in die Rille 116 ein, die auf der Wafer-Lagerbühne 111 ausgebildet ist.
  • Wenn der Vor-Höckerausbildung-Wafer nach oben gedrückt wird, wird das Kontaktelement 14100 zur Ladungsbeseitigung, das mit der vorderen Fläche 201a des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 in Kontakt ist, nach oben gedrückt, während der Kontaktzustand mit der Vorderfläche 201a gegen die Druckkraft der Feder 14162 aufrechterhalten wird. Die Erzeugung von Funken an der Vorderfläche 201a wird verhindert, da der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 in der Umgebung von 210°C eine verringerte Ladungsmenge aufweist, und außerdem das Kontaktelement 14100 zur Ladungsbeseitigung mit der Vorderfläche 201a in Kontakt gehalten wird, wie oben erwähnt ist.
  • Wie in 47 gezeigt ist, werden im Schritt 533 das erste Halteelement 1414 und das zweite Halteelement 1415 mittels der Operation des Antriebsabschnitts 1412 der eintragseitigen Verbringungsvorrichtung 141 in Richtung zum Öffnen bewegt. Das Halten des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 mittels des Wafer-Halteabschnitts 1411 wird aufgehoben.
  • Im obigen Zustand wird das Gebläse 115 im Schritt 534 betätigt, um heiße Luft für die Verzerrungskorrektur von etwa 160°C aus den Luftlöchern 113 zu blasen, die sich in der Wafer-Lagerbühne 111 öffnen. Obwohl der Vor-Höckerausbildung-Wafer durch das Blasen etwa 0,5 mm über der Wafer-Lagerbühne 111 schwebt, verhindern die Haltehaken 1417 des ersten Halteelements 1414 und des zweiten Halteelements 1415, die am Umfang des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 vorhanden sind, dass der schwebende Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 von der Wafer-Lagerbühne 111 herunterfällt. Die heiße Luft für die Verzerrungskorrektur wird für etwa 2 bis 4 Minuten ausgeblasen, während denen die Verzerrung des LiNbO3-Wafers korrigiert werden kann. Die Ausblaszeit und die Temperatur der heißen Luft sind jedoch nicht auf diese Werte beschränkt und werden in Abhängigkeit vom Material des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats, das zu korrigieren ist, festgelegt.
  • Nachdem die Ausblaszeit verstrichen ist, wird der Betrieb des Gebläses 115 im Schritt 535 eingestellt, um das Ausblasen zu beenden. Im Schritt 536 wird die Ansaugvorrichtung 114 betätigt, um ein Ansaugen des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 durch die Luftlöcher 113 auf die Wafer-Lagerbühne 111 zu beginnen. Die Operation zum Ansaugen des Vor-Höckerausbildung-Wafers wird im Schritt 537 erfasst, wobei die Wafer-Lagerbühne 111 sich nach unten in die Ausgangsposition bewegt, während der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 gehalten wird, wie in 48 in Schritt 538 gezeigt ist.
  • Die Verzerrungskorrektur wird mit den obigen Prozeduren abgeschlossen. Der Wafer-Halteabschnitt 1411 der eintragseitigen Verbringungsvorrichtung 141 wird anschließend über die Transporteinheit 130 bewegt.
  • Die Verzerrungskorrektur ohne Ausblasen der heißen Luft wird im Folgenden beschrieben. Jede Operation in den Schritten 507, 531, 532, 536 und 537 unter den Operationen in 43 ist identisch mit der obenbeschriebenen Operation mit Bezug auf 42, und wird in der folgenden Beschreibung weggelassen. Die Wafer-Lagerbühne 111 wird im Schritt 532 nach oben bewegt, wobei der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 im Schritt 541 auf die Wafer-Lagerbühne 111 geladen wird. Der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 wird mittels der Wafer-Lagerbühne 111 zu diesem Zeitpunkt nicht angesaugt, da dann, wenn der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 an die Wafer-Lagerbühne mit verzerrtem Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 angesaugt würde, der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 in seiner Verzerrung eingeschränkt würde, was möglicherweise zu einem Riss oder einer ähnlichen Beschädigung führt. Die Wafer-Lagerbühne 111 wird in die Ausgangsposition im Schritt 542 nach unten bewegt.
  • Infolge der Abwärtsbewegung in die ursprüngliche Position wird die Wafer-Lagerbühne 111 durch die Heizvorrichtung 112 wieder auf etwa 210°C erhitzt. Im Schritt 543 wird gemäß der vorliegenden Ausführungsform ein Zustand mit auf der Wafer-Lagerbühne 111 geladenem Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 und ohne Ausblasen der heißen Luft zur Verzerrungskorrektur für etwa zwei Minuten aufrechterhalten, in denen die Verzerrungskorrektur des LiTaO3-Wafers bewerkstelligt werden kann. Während der Zeitspanne wird der LiTaO3-Wafer durch die Wafer-Lagerbühne 111 erhitzt und die Verzerrung korrigiert. Die Zeitspanne, während der der Vor-Höckerausbil dung-Wafer wie oben erwähnt belassen wird, und die Temperatur für die Verzerrungskorrektur werden in Abhängigkeit von dem Material des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats, das zu korrigieren ist, festgelegt und sind nicht auf die obigen Werte beschränkt.
  • Die Verzerrung des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 kann durch die Verzerrungskorrektur entweder mit Ausblasen der heißen Luft oder ohne Ausblasen der heißen Luft korrigiert werden, so dass Risse oder ähnliche Beschädigungen am Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 verhindert werden.
  • Nach der obenbeschriebenen Verzerrungskorrekturoperation werden mittels des Höckerausbildungskopfes 120 an den Elektrodenabschnitten der Schaltungen auf dem Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 Höcker ausgebildet. Der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 wird während der Höckerausbildung auf der Höckerverbindungstemperatur gehalten, wobei er kaum einer Temperaturänderung unterliegt, weshalb kaum Ladung am Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 erzeugt wird.
  • Im Schritt 6, nachdem die Höcker ausgebildet worden sind, wird der Vor-Höckerausbildung-Wafer 202 vom ersten Halteelement 1424 und vom zweiten Halteelement 1425 des Wafer-Halteabschnitts 1421 der austragseitigen Verbringungsvorrichtung 142 aufgenommen, wobei der Wafer-Halteabschnitt 1421 durch Betätigen der Bewegungsvorrichtung 1423 der austragseitigen Verbringungsvorrichtung 142 in X-Richtung bewegt wird, der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 über der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 angeordnet wird, wie in 2 gezeigt ist, und anschließend der Wafer mit ausgebildeten Höckern auf der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 platziert wird. Diese Operationen werden im Folgenden mit Bezug auf die 50 und 51 genauer beschrieben.
  • Im Schritt 601 der 50 wird die Aluminiumplatte 173 der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 auf etwa 210°C erhitzt. Im Schritt 602 wird der vom Wafer-Halteabschnitt 1421 gehaltene Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 über die Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 transportiert. Im Schritt 603 wird die erhitzte Aluminiumplatte 173 von der untere Position 167 zur oberen Position 168 angehoben. Der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 kommt mit der Aluminiumplatte 173 in Kontakt und wird auf die Aluminiumplatte 173 geladen. Die Haltehaken 1417 des ersten Halteelements 1424 und des zweiten Halteelements 1425 des Wafer-Halteabschnitts 1421 der austragseitigen Verbringungsvorrichtung 142 treten in die Rillen 1707 ein, die in der Aluminiumplatte 173 ausgebildet sind. Im Schritt 604 werden das erste Halteelement 1424 und das zweite Halteelement 1425 des Wafer-Halteabschnitts 1421 der austragseitigen Verbringungsvorrichtung 142 geöffnet. Das Halten des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 wird beendet. Die Nach-Höckerausbildung-Heizoperation im Schritt 7 ist etwas unterschiedlich zwischen dem Fall, in dem die Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 die vom Plattenheizvorrichtungsrahmen 172 trennbare Aluminiumplatte 173 aufweist, wie in der vorliegenden Ausführungsform, und dem Fall, in dem die Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 als einteiliger Typ konstruiert ist, wie im vorangehenden modifizierten Beispiel.
  • Im Fall des einteiligen Typs können die folgenden Schritte 641–647 zwischen den Schritten 601 und 602 ausgeführt werden.
  • Genauer wird im Schritt 641 der 51 bestimmt, ob es notwendig ist, die Haltehaken 1417 des Wafer-Halteabschnitts 1421 der austragseitigen Verbringungsvorrichtung 142 besonders zu erhitzen. Das heißt, wenn der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 auf etwa 210°C mittels der Verbindungsbühne 110 erhitzt worden ist und mittels des Wafer-Halteabschnitts 1421 der austragseitigen Verbringungsvorrichtung 142 gehalten und zur Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 transportiert wird, besteht dann, wenn eine solche Temperaturdifferenz zwischen dem Wafer-Halteabschnitt 1421, insbesondere den Haltehaken 1417, und dem Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 vorhanden ist, die den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 beschädigt, z. B. etwa 40°C, die Gefahr einer Beschädigung des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202, wenn der Wafer gehalten wird. Es hängt vom Material oder dergleichen des gehandhabten Ladungsentstehungshalbleitersubstrats ab, ob die Temperaturdifferenz oder eine Beschädigung entstehen, oder nicht. Aus diesem Grund wird im Schritt 641 bestimmt, ob der Wafer-Halteabschnitt 1421 aufzuheizen ist. Wenn das Aufheizen durchzuführen ist, geht der Ablauf zum Schritt 642 über. Wenn das Aufheizen nicht notwendig ist, geht der Ablauf zu Schritt 646 über.
  • Wenn das Aufheizen auszuführen ist, wird im Schritt 642 die Bewegungsvorrichtung 1423 der austragseitigen Verbringungsvorrichtung 142 betätigt, um den Wafer-Halteabschnitt 1421 der austragseitigen Verbringungsvorrichtung 142 über die Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 zu bewegen. Im Schritt 643 wird eine Nach-Höckerausbildung-Heizbühne, die integral aus dem Plattenheizvorrichtungsrahmen 172 und der Aluminiumplatte 173 der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 besteht, von der unteren Position 167 in die obere Position 168 nach oben bewegt. Jeder der Haltehaken 1417 des ersten Halteelements 1424 und des zweiten Halteelements 1425 am Wafer-Halteabschnitt 1421 der austragseitigen Verbringungsvorrichtung 142 tritt in die Rille 1707 ein, die in der Aluminiumplatte 173 ausgebildet ist. Im Schritt 644 wird die Nach-Höckerausbildung-Heizbühne auf etwa 210°C erhitzt. Anschließend werden in den Rillen 1707 vorhandenen Haltehaken 1417 und auch der Wafer-Halteabschnitt 1421 im Schritt 645 erhitzt. Nachdem Erhitzen wird die Nach-Höckerausbildung-Heizbühne im Schritt 646 zur unteren Position 167 abgesenkt.
  • Im Schritt 647 wird der aufgeheizte Wafer-Halteabschnitt 1421 über die Verbindungsbühne 110 bewegt. Die Wafer-Lagerbühne 111 der Verbindungsbühne 110 wird nach oben bewegt, wobei der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 auf der Wafer-Lagerbühne 111 dem Schritt 648 am Wafer-Halteabschnitt 1421 gehalten wird. Der Ablauf geht zu Schritt 602 über und anschließend über die Schritte 603 und 604 zum Schritt 607.
  • Während im Schritt 7 eine Temperaturabsenkung des Wafers 202 durch Erhitzen des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 mittels der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 gesteuert wird, wird der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 nach der Höckerausbildung auf eine Temperatur erhitzt, die die Raumtemperatur um etwa 10°C überschreitet, ausgehend von der Höckerverbindungstemperatur, d. h. von etwa 210°C.
  • Der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202, der das Ladungsentstehungshalbleitersubstrat ist, wird aufgrund der Temperaturänderung bei der Temperaturabsenkung geladen. Da jedoch der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 in direktem Kontakt mit der Aluminiumplatte 173 der Nach- Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 platziert ist, wie oben beschrieben worden ist, kann die elektrische Ladung der Rückseitenfläche, die besonders leicht aufzuladen ist, über die Aluminiumplatte 173 effizient abgeleitet werden. Ähnlich der vorher beschriebenen Vorheizoperation sind dementsprechend verschiedene Arten der Temperaturabsenkungssteuerung wie in 52 gezeigt möglich, obwohl das Ladungsentstehungshalbleitersubstrat gehandhabt wird. Das heißt, die Temperaturabsenkung kann nicht nur durch Steuern der Temperatur der Plattenheizvorrichtung 171 gesteuert werden, sondern auch durch eine Vielzahl von Steuerungen im Betrieb, insbesondere durch Trennen des Plattenheizvorrichtungsrahmens 172 und der Aluminiumplatte 173, durch Nicht-Trennen des Plattenheizvorrichtungsrahmens und der Aluminiumplatte, durch Zuführen von Luft zur Kühlung, und durch Nicht-Zuführen von Luft zur Kühlung, in einem Fall einer Struktur wie in der Ausführungsform, wo der Plattenheizvorrichtungsrahmen 172 und die Aluminiumplatte 173 trennbar bleiben.
  • Eine Temperaturabsenkungskurve, die in 52 mit dem Bezugszeichen 1101 bezeichnet ist, wird erhalten, wenn der Plattenheizvorrichtungsrahmen 172 und die Aluminiumplatte 173 getrennt werden, und wenn ferner Luft zum Kühlen der Aluminiumplatte 173 zugeführt wird. Eine Temperaturabsenkungskurve mit dem Bezugszeichen 1102 wird erhalten, wenn nur die Luft zum Kühlen zugeführt wird, ohne den Plattenheizvorrichtungsrahmen und die Aluminiumplatte zu trennen. Eine Temperaturabsenkungskurve mit dem Bezugszeichen 1103 wird erhalten, wenn der Plattenheizvorrichtungsrahmen und die Aluminiumplatte getrennt werden, ohne Luft zum Kühlen zuzuführen, während eine Temperaturabsenkungskurve mit dem Bezugszeichen 1104 eine Kurve ist, wenn die Trennung und die Zuführung der Luft zum Kühlen nicht ausgeführt werden. Die Temperaturabsenkungssteuerung für jeden obigen Fall wird im Folgenden dargestellt.
  • 53 zeigt eine Operation, bei der die Temperaturabsenkung der Aluminiumplatte 173, d. h. des auf der Aluminiumplatte 173 platzierten Wafers mit ausgebildeten Höckern 202, gesteuert wird, während der Plattenheizvorrichtungsrahmen 172 und die Aluminiumplatte 173 getrennt sind. Im Schritt 611 der 53 wird die Temperatur der Plattenheizvorrichtung 171 mittels der Temperatursteuerung oder natürlicher Kühlung ausgehend von 210°C auf etwa 100°C gesenkt. Gleichzeitig wird die Aluminiumplatte 173 zur oberen Position 168 bewegt, um vom Plattenheizvorrichtungsrahmen 172 getrennt zu werden. Im Schritt 612 wird bestimmt, ob die Temperatur der Aluminiumplatte 173 der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 etwa 150°C durch die Temperaturabsenkung in der Ausführungsform erreicht hat. Die Temperatur von 150°C ist eine Temperatur, bei der sich eine Temperaturabsenkungsrate ändert. Das heißt, eine Temperaturabsenkungsrate unter 150°C wird geringer als eine Temperaturabsenkungsrate von etwa 210°C bis 150°C, wenn das Kühlen bei etwa 210°C beginnt. Der Wert 150°C wird von dem Anwender durch Versuche erhalten. Der Temperaturwert wird auf der Grundlage des Materials des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats, der Verbindungstemperatur und dergleichen festgelegt und ist nicht auf die obenerwähnten 150°C beschränkt. Die Kühlluftzuführungsvorrichtung 1713 wird im Schritt 613 betätigt, um Luft zum Kühlen der Aluminiumplatte 173 zuzuführen, nachdem die Aluminiumplatte 173 etwa 150°C erreicht hat. Im Schritt 614 wird bestimmt, ob die Temperatur der Aluminiumplatte 173 auf etwa 40°C gesunken ist. Die Operation der Kühlluftzuführungsvorrichtung 1713 wird gestoppt, wenn die Aluminiumplatte auf etwa 40°C abgekühlt ist, wodurch die Zufuhr von Kühlluft zum Kühlen zur Aluminiumplatte 173 abgeschnitten wird. Die Temperatur von 40°C ist ein Wert, der auf der Grundlage des Materials des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats festgelegt wird und nicht auf diesen Wert beschränkt ist.
  • Die obigen Schritte 611–615 bewerkstelligen die Temperaturabsenkungssteuerung, die mit den Bezugszeichen 1101 in 52 bezeichnet ist. In diesem Fall kann die Aluminiumplatte 173 von etwa 210°C in etwa 10 Minuten auf etwa 40°C abgekühlt werden.
  • Ohne die ausgeführten Schritte 613–615 wird eine Temperaturabsenkungssteuerung ausgeführt, die in 52 mit einem Bezugszeichen 1103 bezeichnet ist. Die Temperatur der Aluminiumplatte 173 wird von etwa 210°C in etwa 25 bis 30 Minuten auf etwa 40°C gesenkt.
  • Gemäß der Operation in 54 wird die Temperaturabsenkung der Aluminiumplatte 173, d. h. des auf der Aluminiumplatte 173 geladenen Wafers mit ausgebildeten Höckern 202, gesteuert, ohne den Plattenheizvorrichtungs rahmen 172 von der Aluminiumplatte 173 zu trennen. Ein Unterschied zwischen der Temperaturabsenkungssteuerung in 53 und derjenigen in 54 besteht nur darin, ob der Plattenheizvorrichtungsrahmen 172 und die Aluminiumplatte 173 getrennt werden, weshalb eine genaue Beschreibung weggelassen wird. Die Operationen in den Schritten 621–625 in 54 entsprechen jeweils den Operationen in den Schritten 611–615 der 53.
  • Durch die Operationen in den Schritten 621–625 wird die Temperaturabsenkungssteuerung erzielt, die in 52 mit dem Bezugszeichen 1102 bezeichnet ist. In diesem Fall kann die Aluminiumplatte 173 von etwa 210°C in etwa 20 Minuten auf etwa 40°C abgekühlt werden.
  • Die Temperaturabsenkungssteuerung mit dem Bezugszeichen 1104 in 52 wird bei Fehlen der Schritte 623–625 ausgeführt. Die Aluminiumplatte 173 wird von etwa 210°C in 50 Minuten auf etwa 40°C abgekühlt.
  • Nach dem obenbeschriebenen Nach-Höckerausbildung-Heizen rückt der Ablauf zum Schritt 8 vor, woraufhin die folgende Operation ausgeführt wird. Der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 wird vom Wafer-Halteabschnitt 1421 der austragseitigen Verbringungsvorrichtung 142 gehalten und über die Austragvorrichtung 132 in X-Richtung durch Antreiben der Bewegungsvorrichtung 1423 bewegt. 56 zeigt einen Zustand, nachdem der Wafer mit ausgebildeten Höckern bewegt worden ist. Eine Austragoperation des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 zur Austragvorrichtung 132 von der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 wird im Folgenden mit Bezug auf 55 beschrieben. Die Austragoperation wird ferner etwas unterschiedlich gestaltet, in Abhängigkeit davon, ob der Plattenheizvorrichtungsrahmen 172 und die Aluminiumplatte 173 der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 getrennt werden. Die Schritte 801 und 802 in 55 werden ausgeführt, wenn der Plattenheizvorrichtungsrahmen 172 und die Aluminiumplatte 173 getrennt werden, während die Schritte 803–806 bei fehlender Trennung ausgeführt werden. Die Schritte 807–810 sind für beide Fällen vorgesehen.
  • Bei vorliegender Trennung sind der Plattenheizvorrichtungsrahmen 172 und die Aluminiumplatte 173 für die Kühloperation beim Nach-Höckerausbildung- Heizen bereits getrennt, wie vorher beschrieben worden ist, wobei die Aluminiumplatte 173 in der oberen Position 168 angeordnet ist. Im Schritt 801 werden daher das erste Halteelement 1424 und das zweite Halteelement 1425 des Wafer-Halteabschnitts 1421 der austragseitigen Verbringungsvorrichtung 142 geschlossen, um somit den abgekühlten Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 auf der Aluminiumplatte 173 zu halten. Im Schritt 802 wird die Blasansaugvorrichtung 1711 betätigt, um Luft aus den Luftlöchern 1707 der Aluminiumplatte 173 auszublasen, wodurch der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 von der Aluminiumplatte 173 abgehoben wird. Der Ablauf rückt anschließend zum später beschriebenen Schritt 807 vor.
  • Wenn andererseits die Trennung nicht ausgeführt wird, werden das erste Halteelement 1424 und das zweite Halteelement 1425 des Wafer-Halteabschnitts 1421 der austragseitigen Verbringungsvorrichtung 142, die über der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 angeordnet ist, im Schritt 803 geöffnet. Im nächsten Schritt 804 wird die Nach-Höckerausbildung-Heizbühne bestehend aus dem Plattenheizvorrichtungsrahmen 172 und der Aluminiumplatte 173 als ein Körper, zur oberen Position 168 bewegt. Das erste Halteelement 1424 und das zweite Halteelement 1425 werden im Schritt 805 geschlossen, um somit den abgekühlten Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 zu halten. Im Schritt 806 wird die Blasansaugvorrichtung 1711 aktiviert, um Luft aus den Löchern 1708 der Aluminiumplatte 173 auszublasen, wodurch der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 von der Aluminiumplatte 173 abgehoben wird.
  • Im Schritt 807 wird nur die Aluminiumplatte 173 in die untere Position 167 abgesenkt, wenn die Trennung durchgeführt wird, oder die Nach-Höckerausbildung-Heizbühne wird bei fehlender Trennung auf die untere Position 167 abgesenkt. Als Ergebnis wird der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202, der vom Wafer-Halteabschnitt 1421 gehalten wird, über der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 angeordnet. Im Schritt 808 wird die Operation der Blasansaugvorrichtung 1711 gestoppt, um das Ausblasen der Luft zum Kühlen zu stoppen. Im Schritt 809 wird der Wafer mit ausgebildeten Höckern über die Austragvorrichtung 132 in X-Richtung bewegt, indem die Bewegungsvorrichtung 1423 der austragseitigen Verbringungsvorrichtung 142 angetrieben wird.
  • Im Schritt 810 hebt die Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 die Temperatur der Aluminiumplatte 173 erneut von etwa 40°C auf etwa 210°C an, wenn ein nächster Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 aufzunehmen ist.
  • Nachdem der Wafer mit ausgebildeten Höckern wie oben beschrieben bewegt worden ist, wird der Antriebsabschnitt 1324 der Austragvorrichtung 132 betätigt, wobei der Halteabschnitt 1323 mit der Rückseitenfläche 202b des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 in Kontakt kommt, wie in 57 gezeigt ist, und bewegt sich außerdem nach oben, so dass der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 etwa 1 mm über den Haltehaken 1417 des Wafer-Halteabschnitts 1421 angeordnet wird. Wenn der Halteabschnitt 1323 die Rückseitenfläche 202b berührt, wird die Ladung der Rückseitenfläche 202b durch den Halteabschnitt 1323 abgeleitet und die Ladungsmenge der Rückseitenfläche 202b reduziert. Das Kontaktelement 14100 für die Ladungsbeseitigung hält einen Kontaktzustand mit der Vorderfläche 202a des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 auch dann aufrecht, wenn die obige Aufwärtsbewegung durchgeführt wird. Ähnlich dem Fall, in dem die Wafer 201 und 202 bei der Eintragvorrichtung 131 und der Verbindungsbühne 110 transportiert werden, kann daher selbst dann, wenn die Ladung auf der Vorderfläche 202a infolge einer Änderung der Ladungsmenge auf der Rückseitenfläche 202b verändert wird, da der Halteabschnitt 1323 mit der Rückseitenfläche 202b des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 in Kontakt kommt, eine aus der Änderung resultierende Ladungsmenge eliminiert werden.
  • Nach der Aufwärtsbewegung hält der Halteabschnitt 1323 den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 durch Ansaugen.
  • Das erste Halteelement 1424 und das zweite Halteelement 1425 des Wafer-Halteabschnitts 1421 werden durch den Antriebsabschnitt 1422 geöffnet, wie in 58 gezeigt ist, nachdem der Halteabschnitt 1323 den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 hält, wodurch das Halten des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 aufgehoben wird.
  • Nach dem Aufheben des Haltens wird der Halteabschnitt 1323 abgesenkt, um den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 auf der Haltebühne 1321 zu platzieren, wie in den 59 und 60 gezeigt ist. Die Haltebühne 1321 mit dem geladenen Wafer mit ausgebildeten Höckern hält den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 in dieser Ausführungsform durch Ansaugen.
  • In Schritt 9 wird die Haltebühne 1321 mit dem Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 in X-Richtung durch die Operation der austragseitigen Verbringungsvorrichtung 1322 bewegt, um den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 in Richtung zum zweiten Lagerbehälter zu verbringen.
  • Im Schritt 10 lagert die Haltebühne 1321 den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 im zweiten Lagerbehälter 206 ein.
  • Wie oben beschrieben worden ist, wird gemäß der Höckerausbildungsvorrichtung 101 in dieser Ausführungsform das Ladungsentstehungshalbleitersubstrat, wie z. B. der piezoelektrische Substratwafer oder dergleichen, der elektrische Ladung infolge einer Temperaturänderung erzeugt, direkt mit den Aluminiumplatten 163 und 173 in Kontakt gebracht, die die Vorheizvorrichtung 160 und die Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 bilden, wenn die Temperaturänderung am Wafer beim Vorheizen und beim Nach-Höckerausbildung-Heizen stattfindet. Der Wafer wird auf diese Weise geerdet. Die elektrische Ladung, die aus der Temperaturänderung resultiert, kann somit bis zu einem Grad reduziert werden, bei dem der auf dem Wafer gebildeten Schaltung keine Beschädigung zugefügt wird und kein Riss oder dergleichen am Wafer selbst auftritt, aufgrund z. B. einer Verringerung der Vereinigungskraft an der Bühne, z. B. ohne Ausbildung eines Aluminiumfilms längs der Schneidelinien des Wafers oder ohne Ausbildung eines Aluminiumfilms auf der gesamten Rückseitenfläche des Wafers.
  • Insbesondere in dem Fall, in dem der Wafer eine Dicke von 0,2 mm oder weniger aufweist, oder wenn ein Abstand zwischen den Leitungen der auf dem Wafer ausgebildeten Schaltung kleiner als 1 µm ist, und insbesondere eine Differenz der Breite benachbarter Leitungen groß ist, kann ein großer Ladungsbeseitigungseffekt erhalten werden, indem der Temperaturanstieg und die Temperaturabsenkung beim obenerwähnten Vorheizen und beim Nach-Höckerausbildung-Heizen gesteuert werden.
  • Die Temperaturanstiegsrate beim Vorheizen und die Temperaturabsenkungsrate beim Nach-Höckerausbildung-Heizen können für jeden Typ von Wafern, an dem Höcker auszubilden sind, festgelegt werden, d. h. für jedes Material und jede Größe der Wafer oder dergleichen. Die Raten können im Speicher 181 der Steuervorrichtung 180 gespeichert werden, so dass die Steuerung entsprechend dem Typ der zu verarbeitenden Wafer verändert werden kann.
  • Gemäß der Ausführungsform, wie oben beschrieben worden ist, wird die Temperatursteuerung sowohl für den Temperaturanstieg des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 als auch für die Temperaturabsenkung des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 ausgeführt. Es reicht jedoch aus, wenigstens die Temperaturabsenkungssteuerung auszuführen, wenn die Höckerverbindungstemperatur auf Raumtemperatur gesenkt wird. Hierfür gibt es folgenden Grund. Die Wafer 201 und 202 weisen nämlich die Eigenschaft auf, dass deren Ladung kaum beseitigt werden kann, sobald sie einmal aufgeladen sind. Ferner wird der Wafer 202 im zweiten Lagerbehälter 206 eingelagert, nachdem er von der Höckerverbindungstemperatur auf Raumtemperatur abgekühlt worden ist. Wenn somit der Wafer 202 geladen bliebe, wenn er im zweiten Lagerbehälter eingelagert wird, bestünde die Möglichkeit, dass Probleme hervorgerufen werden. Dementsprechend sollte die elektrische Ladung des Wafers 202 ausreichend eliminiert werden.
  • Da die Ladungsmenge des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 reduziert werden sollte, bevor der Wafer im zweiten Lagerbehälter 206 eingelagert wird, wie in 61 gezeigt ist, ist vorzugsweise der Ionengenerator 190 wenigstens an der Seite der Rückseitenfläche 202b des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 angeordnet, vorzugsweise an beiden Seiten der vorderen und hinteren Flächen des Wafers mit ausgebildeten Höckern, während einer Zeitspanne, in der der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 vom Wafer-Halteabschnitt 1421 der austragseitigen Verbringungsvorrichtung 142 zur Austragvorrichtung 132 transportiert wird. Da die Rückseitenfläche 202b des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 negativ geladen ist und die Vorderfläche 202a zum Zeitpunkt der Beförderung positiv geladen ist, erzeugt zum Neutralisieren der Ladung ein Ionengenerator 190-1, der an der Seite der Rückseitenfläche 202b angeordnet ist, positive Ionen, während ein an der Seite der Vorderfläche 202a angeordneter Ionengenerator 190-2 negative Ionen erzeugt. Jeder der Ionengeneratoren 190-1 und 190-2 ist mit der Steuervorrichtung 180 verbunden und wird von dieser gesteuert. In einem in 61 gezeigten Zustand beaufschlagen die Ionengeneratoren 190-1 und 190-2 den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 mit Ionen, wenn der Wafer-Halteabschnitt 1421, der den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 hält, über der Austragvorrichtung 132 angeordnet ist. Genauer beaufschlagen die Generatoren den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 während des obigen Transports mit Ionen, d. h. während jeder Operation von 57 bis 60.
  • Im Vergleich zu einem Fall ohne Ionengenerator kann die Anwesenheit des Ionengenerators 190 die Ladungsmenge weiter verringern, wie im Folgenden beschrieben wird, wenn auch Werte der Ladungsmenge im Folgenden Beispiele sind. Bei Fehlen der obenerwähnten Temperaturanstiegssteuerung und der Temperaturabsenkungssteuerung der Ausführungsform beträgt die Ladungsmenge der Vorderfläche 202a des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 etwa +18 V, während die Ladungsmenge der Rückseitenfläche 202b etwa –1.000 V beträgt, wie vorher erwähnt worden ist, wenn der Wafer-Halteabschnitt 1421 über der Austragvorrichtung 132 angeordnet ist. Die Ladungsmenge der Vorderfläche 202a kann auf etwa +22 V geändert werden, wobei die Ladungsmenge der Rückseitenfläche 202b auf etwa +22 V geändert werden kann, indem Ionen mittels des Ionengenerators 190 sowohl auf die vordere als auf die hintere Fläche des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 vier Minuten lang aufgebracht werden. Die Ladung der Rückseitenfläche 202b kann somit stärker reduziert werden, indem Ionen auf wenigstens die Rückseitenfläche 202b mittels des Ionengenerators 190 aufgebracht werden, zusätzlich zu der Temperaturanstiegssteuerung oder der Temperaturabsenkungssteuerung.
  • Für eine effizientere Einwirkung der von den Ionengeneratoren 190-1 und 190-2 erzeugten Ionen auf wenigstens die Rückseitenfläche 202b kann ferner ein Gebläse 191, wie in 61 gezeigt, an wenigstens der Seite der Rückseitenfläche 202b installiert sein, um die erzeugten Ionen effizienter zur Rückseitenoberfläche 202b zu bewegen. Das Gebläse 191 wird von der Steuervorrichtung 180 gesteuert.
  • Wie in 61 gezeigt ist, kann ein elektrostatischer Sensor 251 installiert sein, um die Ladungsmenge wenigstens der Rückseitenfläche 202b, vorzugsweise beider Flächen einschließlich der Vorderfläche 202a, zu messen. Eine Ionenmenge, die vom Ionengenerator 190 zu erzeugen ist, oder ein Luftvolumen des Gebläses 191 können von der Steuervorrichtung 180 auf der Grundlage der gemessenen Ladungsmenge gesteuert werden.
  • Die von dem Ionengenerator 190 erzeugten Ionen können auch beim Nach-Höckerausbildung-Heizen, bevor der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 vom Wafer-Halteabschnitt 1421 zur Austragvorrichtung 132 befördert wird, einwirken, um elektrische Ladung effizienter zu eliminieren.
  • Die Ionen vom Ionengenerator 190 können auch beim Vorheizen aufgebracht werden.
  • Obwohl die Verzerrung korrigiert wird, wenn der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 auf die Verbindungsbühne 110 in der obenbeschriebenen Ausführungsform geladen wird, kann die Verzerrungskorrektur zusätzlich ausgeführt werden, indem die Blasansaugvorrichtungen 1611 und 1711 auch dann Gas ausstoßen, wenn der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 auf der Vorheizvorrichtung 160 platziert ist, und wenn der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 auf der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 platziert ist.
  • Der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 und der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 werden infolge des Temperaturanstiegs positiv geladen und infolge einer Temperaturabsenkung negativ geladen. Unter Nutzung dieses Phänomens wird die Temperaturanstiegssteuerung so durchgeführt, dass der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 von Raumtemperatur nicht in einem Hub auf die Höckerverbindungstemperatur angehoben wird, sondern allmählich durch alternierendes Wiederholen des Temperaturanstiegs und der Temperaturabsenkung, wie z. B. in 44 gezeigt ist. Das Vorheizen auf diese Weise ermöglicht eine Neutralisierung der durch den Temperaturanstieg erzeugten positiven Ladung durch die mittels der Temperaturabsen kung erzeugte negative Ladung. Mit anderen Worten, eine erhöhte Ladungsmenge wird durch elektrische Ladung eliminiert, die jedes Mal dann mit einer entgegengesetzten Polarität erzeugt wird, wenn die Ladungsmenge zunimmt, wobei die Ladungsmenge des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 auf den Anfangswert gehalten wird, selbst nachdem der Vor-Höckerausbildung-Wafer auf die Höckerverbindungstemperatur erhitzt worden ist. Wie in 49 gezeigt, wird in ähnlicher Weise eine solche Temperaturabsenkungssteuerung beim Nach-Höckerausbildung-Heizen ermöglicht, so dass der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 nicht auf einmal von der Höckerverbindungstemperatur auf Raumtemperatur abgekühlt wird, sondern durch alternierendes Wiederholen des Temperaturanstiegs und der Temperaturabsenkung allmählich abgekühlt wird.
  • Die Temperaturanstiegssteuerung und die Temperaturabsenkungssteuerung in der obenerwähnten Zickzack-Art können auf das Vorheizen und das Nach-Höckerausbildung-Heizen in der Vorheizvorrichtung 160 und der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 angewendet werden.
  • In der Vorheizvorrichtung 160 und der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 gemäß der Ausführungsform werden die Rückseitenflächen des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 und des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 nahezu vollständig mit den Aluminiumplatten 163 und 173 in Kontakt gehalten. Wird nur die Ladungsbeseitigung betrachtet, ist es nicht immer notwendig, die gesamte Fläche mit der Aluminiumplatte in Kontakt zu halten, wobei es ausreicht, den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 und den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 in durchgeschleiftem Kontakt mit einem leitenden Element bei etwa 1/3 des Radius vom Außenumfang zum Zentrum zu halten.
  • Die Temperaturabsenkungssteuerung wird in der Ausführungsform unter Verwendung der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 ausgeführt, während die Temperaturanstiegssteuerung unter Verwendung der Vorheizvorrichtung 160 ausgeführt wird. Da die Operationen unabhängig ausgeführt werden, wie oben erwähnt ist, können die Prozesse von der Zuführung des Wafers bis zum Austragen des Wafers effektiver ausgeführt werden, wobei die Zykluszeit verkürzt wird. Wenn jedoch ein Zeitspielraum in den Prozes sen vorhanden ist, oder in einem ähnlichen Fall, können die Vorheizvorrichtung 160 und die Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 weggelassen werden, wie in einer Höckerausbildungsvorrichtung 102 der 62, in der die Operationen zum Halten des Wafers 201 auf der Höckerverbindungstemperatur, der Temperaturabsenkungssteuerung beim Nach-Höckerausbildung-Heizen und der Temperaturanstiegssteuerung beim Vorheizen mittels der Verbindungsbühne 110 unter der Steuerung der Steuervorrichtung 180 ausgeführt werden können.
  • In einer solchen Anordnung, wie oben erwähnt, reicht entweder die eintragseitige Verbringungsvorrichtung 141 oder die austragseitige Verbringungsvorrichtung 142 aus, wobei folglich die Höckerausbildungsvorrichtung kompakter wird und gleichzeitig die Vorheizvorrichtung 160 und die Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 weggelassen werden.
  • 63 zeigt Operationen zur Vorheizung, zur Höckerausbildung und zur Nach-Höckerausbildung-Heizung in der Struktur der Höckerausbildungsvorrichtung 102, d. h. mit weggelassener Vorheizvorrichtung 160 und Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170, während das Ladungsentstehungshalbleitersubstrat, wie z. B. der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 oder dergleichen, auf der Wafer-Lagerbühne 111 der Verbindungsbühne 110 platziert ist. Im Schritt 1001 in 63 wird z. B. eine Verbringungsvorrichtung 143 wie die obige eintragseitige Verbringungsvorrichtung 141 verwendet, um den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 als Ladungsentstehungshalbleitersubstrat von der Transporteinheit 130 auf die Wafer-Lagerbühne 111 der Verbindungsbühne 110 zu laden. Die Wafer-Lagerbühne 111 weist zu diesem Zeitpunkt etwa 40°C auf. Im Schritt 1002 wird die Ansaugvorrichtung 114 der Verbindungsbühne 110 betätigt, um eine später zu beschreibende geladene Unterplatte 195 in dem Fall auf die Wafer-Lagerbühne 111 zu saugen, in dem die Unterplatte verwendet wird. Wenn andererseits der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 direkt auf der Wafer-Lagerbühne 111 platziert werden soll, wird das Ansaugen nicht durchgeführt. Der Grund hierfür ist Folgender. Im nächsten Schritt 1003 wird nämlich der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 von etwa 40°C auf etwa 210°C erhitzt, wobei die Verformung wie z. B. eine Verzerrung oder dergleichen durch die obige Temperaturänderung hervorgerufen wird. Wenn daher die Ansaugoperation die Verzerrung des Wafers beschränkt, besteht die Möglichkeit, dass der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 beschädigt wird. Daher wird die Ansaugoperation nicht durchgeführt, um die Beschädigung zu vermeiden.
  • Im Schritt 1003 wird der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 mit einer Temperaturanstiegsrate von z. B. 10°C/min erhitzt. Da der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 in direktem Kontakt mit der Wafer-Lagerbühne 111 steht, kann die elektrische Ladung, die am Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 durch die Temperaturänderung während der Temperaturanstiegszeit erzeugt wird, durch die Wafer-Lagerbühne 101 effizient beseitigt werden. Die Temperaturanstiegsrate kann daher verschieden festgelegt werden, wie vorher beschrieben worden ist.
  • Im Schritt 1004 ist die Bewegung des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 auf der Wafer-Lagerbühne 111 z. B. durch die Haltehaken 1417 des Wafer-Halteabschnitts 1411 der eintragseitigen Verbringungsvorrichtung 141 beschränkt. Als Nächstes wird im Schritt 1005 das Gebläse 115 betätigt, um heiße Luft aus den Luftlöchern 113 der Wafer-Lagerbühne 111 gegen den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 zu blasen, um somit die Ladungsbeseitigung auszuführen, indem elektrische Ladung des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 in die Luft entladen wird. Anschließend wird im Schritt 1006 die Ansaugvorrichtung 114 betätigt, um den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 auf die Wafer-Lagerbühne 111 zu saugen. Nachdem die Schritte 1005 und 1006 ausgeführt worden sind, werden diese Schritte in der Ausführungsform erneut ausgeführt. Mit anderen Worten, die Blasoperation zur Ladungsbeseitigung wird zwei Mal ausgeführt. Die Häufigkeit der Blasoperation zur Ladungsbeseitigung und eine Zeitperiode des Blasens können entsprechend der Ladungsmenge des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 festgelegt werden. Zum Beispiel kann das Blasen ein Mal für nur eine festgelegte Zeitspanne ausgeführt werden, wenn die Ladungsmenge etwa –50 V oder kleiner ist, oder ein Mal unter den Bedingungen eines kontinuierlichen Blasens ausgeführt werden, wenn die Ladungsmenge etwa –800 V beträgt. Wenn die Ladungsmenge etwa –1.000 V beträgt, kann das Blasen mehrmals unter Bedingungen des kontinuierlichen Blasens wie oben erwähnt ausgeführt werden.
  • Im Schritt 1007 wird die Höckerausbildung am Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 ausgeführt. Im Schritt 1008 wird die Ansaugvorrichtung 114 gestoppt, um das Ansaugen zu stoppen. Der Grund für das Stoppen des Ansaugens zu diesem Zeitpunkt ist derselbe wie dann, wenn das Ansaugen im Schritt 1002 nicht durchgeführt wird, nämlich das Vermeiden einer Beschädigung, indem die Verzerrung des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 aufgrund der Temperaturänderung nicht beschränkt wird.
  • Im nächsten Schritt 1009 wird die Temperatur der Wafer-Lagerbühne 111 von etwa 210°C auf etwa 40°C gesenkt, z. B. mit der Temperaturabsenkungsrate von 10°C/min. Der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 wird in direktem Kontakt mit der Wafer-Lagerbühne 111 gehalten, weshalb die Ladung, die an dem Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 infolge der Temperaturänderung erzeugt wird, bei der Temperaturabsenkung mittels der Wafer-Lagerbühne 111 effizient beseitigt werden kann. Die Temperaturabsenkungsrate kann somit verschieden festgelegt werden, wie vorher beschrieben worden ist. Im Schritt 1010 wird der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 dem Blasen ausgesetzt, um ihn von der Wafer-Lagerbühne 111 abzuheben. Der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 wird von der Wafer-Lagerbühne 111 mittels der Verbringungsvorrichtung zur Austragvorrichtung 132 bewegt.
  • Die obenbeschriebene Blasoperation zur Ladungsbeseitigung kann in der Vorheizoperation und in der Nach-Höckerausbildung-Heizoperation in der Höckerausbildungsvorrichtung 110 ausgeführt werden, die mit der Vorheizvorrichtung 160 und der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 ausgestattet ist, indem die Blasansaugvorrichtungen 1611 und 1711 betätigt werden und Gas ausgeblasen wird.
  • Obwohl in der obigen Beschreibung kein vorstehendes Element, das als Unterplatte bezeichnet ist, zum Schützen eines Wafers vor einem Brechen an der Rückseitenfläche 201b des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 angebracht ist, kann die Unterplatte 195, wie z. B. in 64 gezeigt ist, an der Rückseitenfläche 201b angebracht werden. Die Unterplatte 195 ist z. B. aus einem metallischen Material gefertigt, wie z. B. Aluminium oder dergleichen. Die Rückseitenfläche 201b des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 wird mit der Unterplatte 195 in Kontakt gebracht, wobei der Vor-Höckerausbildung-Wafer durch Blattfedern 196, die an der Unterplatte 195 angesetzt sind, an der Unterplatte 195 gehalten wird.
  • Die Wafer 200 und 201 werden aufgrund der Anwesenheit der Unterplatte 195 vor einem Brechen bewahrt. Da außerdem die Rückseitenfläche 201b immer mit der Unterplatte 195 in Kontakt gehalten wird und mit der Vorderfläche 201a über die Blattfedern 196 leitend verbunden ist, kann eine Differenz der Ladungsmenge zwischen den vorderen und hinteren Flächen verringert werden, wobei ein Auftreten einer Beschädigung der auf dem Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 ausgebildeten Schaltung, die durch Ladung hervorgerufen wird, reduziert werden kann.
  • Die Unterplatte 195 weist mehrere Durchgangslöcher 197 auf, die diese in Dickenrichtung durchdringen, so dass die Wärme der Plattenheizvorrichtungen 161 und 171 effektiv auf die Wafer 201 und 202 während der Vorheizoperation und der Nach-Höckerausbildung-Heizoperation einwirkt, wobei außerdem die vom Ionengenerator 190 erzeugten Ionen effektiv auf die Rückseitenflächen 201b und 202b der Wafer 201 und 202 einwirken.
  • Die Ladungsbeseitigungsoperation, die am Ladungsentstehungshalbleitersubstrat mittels der Höckerausbildungsvorrichtung 101 und der Höckerausbildungsvorrichtung 102 wie oben beschrieben ausgeführt wird, kann die Ladung des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats im Durchschnitt auf etwa ±200 V reduzieren. Wenn der Ionengenerator 190 zusätzlich verwendet wird, kann ein Ladungsentstehungshalbleitersubstrat erhalten werden, dessen Ladung auf etwa ±20–30 V reduziert ist, wie oben erwähnt worden ist. Eine pyroelektrische Zerstörung der Schaltung, die auf dem Ladungsentstehungshalbleitersubstrat ausgebildet ist, eine Beschädigung wie z. B. ein Brechen oder dergleichen des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats selbst, und dergleichen, die durch die elektrische Ladung hervorgerufen werden, können dementsprechend verhindert werden.
  • Ladungen des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats werden in der Höckerausbildungsvorrichtung 101 der Ausführungsform beseitigt oder reduziert, indem das Substrat in einen Zustand versetzt wird, in dem es mit der Vorheizvorrichtung 160 und der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 in Kontakt ist. Es ist jedoch auch eine solche Anordnung als modifiziertes Beispiel, das später beschrieben wird, verfügbar, in der die Ladung beseitigt oder reduziert wird, ohne das Ladungsentstehungshalbleitersubstrat mit der Vorheizvorrichtung und der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung in Kontakt zu bringen.
  • 71 ist ein Diagramm, das 2 entspricht, und das eine Höckerausbildungsvorrichtung 501 als das obenerwähnte modifizierte Beispiel zeigt. Ein primärer Unterschied zwischen der Höckerausbildungsvorrichtung 501 und der vorher beschriebenen Höckerausbildungsvorrichtung 101 besteht in einer Vorheizvorrichtung 560 und einer Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 570, und in der Operation zur Beseitigung oder Reduzierung elektrischer Ladung. Die Vorheizvorrichtung 560 entspricht der früheren Vorheizvorrichtung 160, wobei die Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 570 der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 entspricht. Dieselben Teile sind mit denselben Bezugszeichen in der Höckerausbildungsvorrichtung 501 und in der Höckerausbildungsvorrichtung 101 bezeichnet, wobei deren Beschreibung weggelassen wird. Nur unterschiedliche Punkte im Aufbau der Vorheizvorrichtung 560 und der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 570 gegenüber der Vorheizvorrichtung 160 und der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 170 sowie der Ladungsbeseitigungs- und Reduzierungsoperation werden in der folgenden Beschreibung diskutiert.
  • Wie in den 72 und 73 gezeigt ist, ist die Vorheizvorrichtung 560 eine Vorrichtung zum Aufheizen des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201, der mittels des Wafer-Halteabschnitts 1411 von der Eintragvorrichtung 131 aufgenommen wird, von Raumtemperatur bis in den Bereich von etwa 210°C, was die Höckerverbindungstemperatur ist, wenn Höcker an der Verbindungsbühne 110 in einem Zustand ausgebildet werden, in dem der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 die Vorheizvorrichtung 560 nicht berührend gehalten wird und vom Wafer-Halteabschnitt gehalten wird. Die Vorheizvorrichtung weist einen Aufbau auf, bei dem die Aluminiumplatte 163 als Wärmediffusorelement auf dem Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 montiert ist, der die Plattenheizvorrichtung 161 als Wärmequelle aufweist. Die Höckerverbindungstemperatur, d. h. etwa 210°C, kann sich in einem Bereich von etwa 150°C bis etwa 210°C entsprechend dem Material des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 oder dergleichen ändern.
  • Die Plattenheizvorrichtung 161 wird von der Steuervorrichtung 180 so gesteuert, dass sie die Temperatur mit Bezug auf die Temperaturinformationen vom Temperatursensor 166, wie z. B. einem Thermoelement oder dergleichen, das eine Temperatur der Aluminiumplatte 163 misst, anhebt. Diese Operation der Temperaturanhebung ist eine der charakteristischen Operationen in der Höckerausbildungsvorrichtung 501 und wird später beschrieben. Um fähig zu sein, die charakteristische Temperaturanhebungsoperation auszuführen, ist eine Bahn 164 für Kühlmaterial in Schlangenlinienform an der Aluminiumplatte 163 ausgebildet. In der Ausführungsform wird Luft mit Raumtemperatur als Kühlmaterial verwendet und der Bahn 164 mittels der Luftzuführungsvorrichtung 165 zugeführt, die von der Steuervorrichtung 180 gesteuert wird. Obwohl Wasser als Kühlmaterial verwendet werden kann, kann eine Temperaturanhebung oder eine Temperaturabsenkung kaum gesteuert werden, da das Wasser ein schlechtes Ansprechverhalten auf einen Temperaturanstieg oder eine Temperaturabsenkung aufweist. Luft ist im Wasser vorzuziehen.
  • Der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 wird über der Aluminiumplatte 163 angeordnet, während er vom Wafer-Halteabschnitt 1411 mit einem Spalt von etwa 1 mm zur Aluminiumplatte 163 der Vorheizvorrichtung 560 gehalten wird. Rillen 567 sind an der Fläche der Aluminiumplatte 163, die dem Wafer gegenüberliegt, längs einer Vorrückrichtung des Wafer-Halteabschnitts 1411 ausgebildet, um somit eine Beeinträchtigung der Haltehaken 1417 des Wafer-Halteabschnitts 1411 zu vermeiden.
  • Die Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 570 ist eine Vorrichtung zur Temperaturabsenkung des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202, der vom Wafer-Halteabschnitt 1421 gehalten wird, von der Verbindungsbühne 110 nach dem Ausbilden der Höcker bis in die Nähe der Raumtemperatur aus dem Bereich von etwa 210°C, d. h. der Höckerverbindungstemperatur, während der Wafer mit ausgebildeten Höckern in einem Nicht-Kontakt-Zustand bezüglich der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 570 vom Wafer-Halteabschnitt gehalten wird. Die Nach-Höckerausbildung-Heizvorrich tung ist der obenerwähnten Vorheizvorrichtung 560 im Aufbau ähnlich. Das heißt, die Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 570 enthält die Plattenheizvorrichtung 171, den Plattenheizvorrichtungsrahmen 172, die Aluminiumplatte 173, die Bahn 174 für Kühlmaterial, die Luftzuführungsvorrichtung 175, den Temperatursensor 176 und Rillen 577. Die 72 und 73 zeigen Bezugszeichen sowohl in der Vorheizvorrichtung 560 als auch in der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 570. Die Plattenheizvorrichtung 171 wird von der Steuervorrichtung 180 so gesteuert, dass die Temperaturabsenkung des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 gesteuert wird. Die Operation der Temperaturabsenkungssteuerung ist eines der Merkmale der Höckerausbildungsvorrichtung 501 und wird später genauer beschrieben.
  • Die Vorderflächen der Aluminiumplatten 163, 173, die dem Vor-Höckerausbildung-Wafer 201, dem Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 in der Vorheizvorrichtung 560, bzw. der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 570 gegenüberliegen, werden vorzugsweise mit einer isolierenden Ferninfrarotstrahlungs-Beschichtung behandelt. Eine Wärmeableitungseffizienz für den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 und den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 kann durch die Beschichtung verbessert werden.
  • Unter den Operationen in der Höckerausbildungsvorrichtung 501 mit der wie obenbeschriebenen aufgebauten Vorheizvorrichtung 560 und der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 570 wird im Folgenden die Ladungsbeseitigungs- und Reduktionsoperation für das Ladungsentstehungshalbleitersubstrat, ohne das Ladungsentstehungshalbleitersubstrat mit der Vorheizvorrichtung 560 und der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 570 in Kontakt zu bringen, beschrieben. Ähnlich der vorher beschriebenen Höckerausbildungsvorrichtung 101 wird jeder Bestandteil der Höckerausbildungsvorrichtung 501 in Betrieb von der Steuervorrichtung 180 gesteuert, wodurch eine Folge von Operationen vom Ausbilden von Höckern am Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 bis zum Einlagern des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 im zweiten Lagerbehälter 206 ausgeführt wird. Die Steuervorrichtung 180 steuert ferner die Blasoperation für die Verzerrungskorrektur des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201, die von der Verbindungsbühne 110 ausgeführt wird.
  • In der folgenden Beschreibung werden die Kontaktelemente für die Ladungsbeseitigung, die an den Wafer-Halteabschnitten 1411 und 1421 angebracht sind, beispielhaft durch das in 13 gezeigte Kontaktelement 14100 repräsentiert, das auf einen beliebigen Wafer und ein beliebiges Substrat anwendbar ist, wie z. B. das obenerwähnte Ladungsentstehungshalbleitersubstrat, das die Verzerrung entwickelt, und dergleichen. Die Kontaktelemente 14107, 14113, 14116, 14120, 14121 oder 14122 können anstelle des Kontaktelements 14100 verwendet werden.
  • Der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 und der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 erzeugen eine positive Ladung entsprechend einem Temperaturanstieg, und erzeugen einen negative Ladung entsprechend einer Temperaturabsenkung. Wenn dieses Phänomen beim Vorheizen genutzt wird, wird der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 nicht von der Raumtemperatur in einem Hub auf die Höckerverbindungstemperatur erhitzt, sondern die Temperaturanstiegssteuerung wird ausgeführt, indem wiederholt ein Temperaturanstieg und eine Temperaturabsenkung ausgeführt werden, wie z. B. in 74 gezeigt ist, woraufhin der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 auf die Höckerverbindungstemperatur erhitzt wird. Wenn das Vorheizen wie oben erwähnt ausgeführt wird, kann die durch den Temperaturanstieg erzeugte positive Ladung durch die von der Temperaturabsenkung erzeugte negative Ladung neutralisiert werden. Mit anderen Worten, ein grundsätzliches Konzept der Vorheizung in diesem Beispiel besteht darin, dass eine erhöhte Ladungsmenge durch Ladung eliminiert wird, die mit einer entgegengesetzten Polarität jedes Mal dann erzeugt wird, wenn die Ladungsmenge erhöht wird, wobei die Ladungsmenge des Vor-Höckerausbildung-Wafers selbst dann auf dem Anfangswert gehalten wird, wenn der Vor-Höckerausbildung-Wafer auf die Höckerverbindungstemperatur erhitzt wird. Die Vorheizoperation in diesem Beispiel wird im Folgenden genauer erläutert.
  • 75 zeigt einen Ablauf der gesamten Vorheizoperation, die von der Steuervorrichtung 180 gesteuert wird. Genauer wird im Schritt 2101 bestimmt, ob die Aluminiumplatte 163 der Vorheizvorrichtung 560 eine Starttemperatur aufweist, oder nicht. Solange die Aluminiumplatte nicht die Starttemperatur aufweist, wird die Aluminiumplatte mittels der Plattenheizvorrichtung 161 erhitzt oder gekühlt, indem die Luft mittels der Luftzuführungs vorrichtung 165 zugeführt wird, um somit im Schritt 2102 an die Starttemperatur angepasst zu werden. Die Starttemperatur beträgt in diesem Beispiel 40°C, wobei die Temperatur der Aluminiumplatte 163 mit dem Temperatursensor 166 gemessen wird.
  • Im Schritt 2103 wird ein Temperaturanstiegsgradient gesteuert und die Aluminiumplatte 163, d. h. der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201, beginnt mit dem Temperaturanstieg. Im Schritt 2104 wird bestimmt, ob die Aluminiumplatte 163 eine Temperaturanstiegs-Solltemperatur erreicht hat. Da die Höckerverbindungstemperatur für den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 etwa 210°C beträgt, ist die Temperaturanstiegs-Solltemperatur der Aluminiumplatte 163 in diesem Beispiel etwa gleich 200°C. Wenn die Aluminiumplatte 163 die Temperaturanstieg-Solltemperatur nicht erreicht hat, werden die Schritt 2121 bis 2124 der 76 ausgeführt. Da die Höckerverbindungstemperatur in Abhängigkeit vom Material oder dergleichen des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 veränderlich ist, wie oben beschrieben worden ist, kann auch die Temperaturanstieg-Solltemperatur verändert werden, so dass sie von Form zur Höckerverbindungstemperatur ist.
  • Durch die Temperaturanstiegssteuerungsoperation, die in den Schritten 2103, 2104 und 2121–2124 ausgeführt wird, wird die Temperaturanstiegsoperation bis zur Höckerverbindungstemperatur ausgeführt, indem alternierend der Temperaturanstieg und die Temperaturabsenkung wiederholt werden, was eine der charakteristischen Operationen in diesem Beispiel ist. Die Operation für die Temperaturanhebung wird im Folgenden genauer erläutert.
  • Wenn festgestellt wird, dass die Aluminiumplatte die Temperaturanstieg-Solltemperatur im Schritt 2104 erreicht hat, geht der Ablauf zum Schritt 2105 über, wenn die Vorheizoperation abgeschlossen ist. Der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 wird im Schritt 2106 zur Verbindungsbühne 110 verbracht. Nach der Verbringung wird im Schritt 2107 die Luftzufuhr mittels der Luftzuführungsvorrichtung 165 gestartet, um die Aluminiumplatte 163 auf die Starttemperatur abzukühlen. Im Schritt 2108 wird bestimmt, ob die Aluminiumplatte auf die Starttemperatur abgekühlt worden ist, oder nicht. Wenn die Aluminiumplatte auf die Starttemperatur abgekühlt worden ist, wird die Luftzufuhr mittels der Luftzuführungsvorrichtung 165 im Schritt 2109 gestoppt, so dass die Starttemperatur beibehalten wird. Der Ablauf kehrt zum Schritt 2103 zurück, während die Vorheizoperation für den nächsten Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 vorbreitet wird.
  • Die Temperaturanstiegssteuerung in den obigen Schritten 2103, 2104 und 2121–2124 wird im Folgenden dargestellt.
  • Die Temperatur der Aluminiumplatte 163 wird entsprechend eines vorläufig festgelegten Temperaturanstiegsgradienten in Schritt 2103 erhöht. Der Temperaturanstiegsgradient ist in diesem Beispiel auf 20°C/min festgelegt. Wenn die Aluminiumplatte 163 die Temperaturanstieg-Solltemperatur im Schritt 2104 nicht erreicht hat, geht der Ablauf zum Schritt 2121 über, wo bestimmt wird, ob eine Temperaturabsenkungsstartbedingung erfüllt ist, oder nicht. In diesem Fall kann die Temperatur der Aluminiumplatte 163 zu einem Zeitpunkt nach dem Beginn des Temperaturanstiegs, die Ladungsmenge der Rückseitenfläche 201b des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 oder dergleichen als physikalische Größe angenommen werden, die in der Temperaturstartbedingung zu senken ist. Dieses Beispiel verwendet die Temperatur der Aluminiumplatte 163 als physikalische Größe.
  • In dem Fall, in dem Ladungsmenge der Rückseitenfläche 201b als physikalische Größe verwendet werden soll, wie in 78 gezeigt ist, werden mehrere Durchgangslöcher 252 ausgebildet, die die jeweilige Plattenheizvorrichtung 161, den Plattenheizvorrichtungsrahmen 162 und die Aluminiumplatte 163 durchdringen, wobei ein elektrostatischer Sensor 251 unterhalb der Plattenheizvorrichtung 161 angeordnet wird. Die Ladungsmenge der Rückseitenfläche 201b wird vom elektrostatischen Sensor 251 durch die Durchgangslöcher 252 gemessen. Der gemessene Wert wird zur Steuervorrichtung 180 übermittelt, die ihrerseits die Ladungsmenge erhält. Wenn die Ladungsmenge der Rückseitenfläche 201b vom elektrostatischen Sensor 251 gemessen werden soll, oder wenn die Ladung unter Verwendung des Ionengenerators 190 beseitigt werden soll, wie später beschrieben wird, sind die Innenflächen und die Ränder der Durchgangslöcher 252 und die Oberflächen der Plattenheizvorrichtung 261, des Plattenheizvorrichtungsrahmens 162 und der Aluminiumplatte 163 vorzugsweise mit einem Isolationsmaterial beschichtet, um somit zu verhindern, dass die elektrostatischen Ionen zum Leiter hingezogen werden und somit eine korrekte Messung der Ladungsmenge verhindern oder die Ladungsbeseitigung stören.
  • Wenn die Temperatur der Aluminiumplatte 163 als physikalische Größe der Temperaturabsenkungsstartbedingung ausgewählt wird, wie im vorliegenden Beispiel, wird im Schritt 2121 eine mit dem Bezugszeichen 271 in 77 bezeichnete Temperaturbreite auf der Grundlage der Temperaturen der Aluminiumplatte 163 zu Beginn des Temperaturanstiegs und im aktuellen Moment erhalten, und es wird bestimmt, ob die Temperaturbreite 271 einem vorgegebenen Wert entspricht, oder nicht. Der Ablauf rückt zum Schritt 2122 vor, wenn die Temperaturbreite den vorgegebenen Wert erreicht hat, während der Ablauf zu Schritt 2103 zurückgeht, wenn die Temperaturbreite den vorgegebenen Wert nicht erreicht hat.
  • Die Temperaturbreite 271 ist in diesem Beispiel auf 30°C festgelegt. Wenn die "Zeit" als physikalische Größe der Temperaturabsenkungsstartbedingung ausgewählt ist, scheint ein Bezugszeichen 273 besser geeignet der Zeit zu entsprechen. Das Bezugszeichen 271 kann jedoch ebenfalls der "Zeit" entsprechen. Eine Zeitspanne vom Temperaturanstiegsbeginn bis zum Temperaturabsenkungsbeginn kann z. B. auf 2 Minuten festgelegt sein. Wenn die "Ladungsmenge" ausgewählt ist, entspricht das Bezugszeichen 271 einer Differenz der Ladungsmenge, die z. B. auf 300 V ±10% festgelegt sein kann.
  • Im Schritt 2122 wird die Luftzufuhr mittels der Luftzuführungsvorrichtung 165 zur Bahn 164 gestartet, um die Temperatursenkung der Aluminiumplatte 163 zu beginnen. Ein Temperaturabsenkungsgradient in diesem Schritt wird im voraus festgelegt, wobei er in diesem Beispiel auf –30°C/min festgelegt ist.
  • Im Schritt 2123 wird bestimmt, ob eine Temperaturabsenkungs-Sollbedingung erfüllt ist. Die obenerwähnte "Zeit", die "Ladungsmenge" oder dergleichen wird neben der "Temperatur" in diesem Beispiel als physikalische Größe der Temperaturabsenkungs-Sollbedingung verwendet. Gemäß dem Beispiel wird im Schritt 2123 eine Temperaturbreite, die in 77 mit einem Bezugszeichen 272 bezeichnet ist, auf einer Grundlage der jeweiligen Temperaturen der Aluminiumplatte 163 zu Beginn der Temperaturabsenkung und im aktuellen Augenblick erhalten, wobei bestimmt wird, ob die Temperaturbreite 272 einen vorgegebenen Wert erreicht hat, oder nicht. Wenn die Temperaturbreite den vorgegebenen Wert erreicht hat, geht der Ablauf zum nachfolgenden Schritt 2124 über. Der Ablauf kehrt zum Schritt 2122 zurück, wenn die Temperaturbreite den vorgegebenen Wert nicht erreicht hat. Die Temperaturbreite 272 ist ein Wert, der kleiner ist als die Temperaturbreite 271, und etwa 1/2–1/3 der Temperaturbreite 271 beträgt. Die Temperaturbreite 272 ist in diesem Beispiel auf 15°C festgelegt. Wenn die "Zeit" als physikalische Größe der Temperaturabsenkungs-Sollbedingung ausgewählt ist, entspricht das Bezugszeichen 272 der Zeit, und kann z. B. auf eine Minute festgelegt sein. Wenn die "Ladungsmenge" als physikalische Größe ausgewählt ist, entspricht das Bezugszeichen 272 einer Differenz der Ladungsmenge und kann z. B. auf 100 V ±10% festgelegt sein.
  • Im Schritt 2124 wird die Luftzufuhr mittels der Luftzuführungsvorrichtung 165 zur Bahn 164 für das Kühlmaterial gestoppt, um somit die Temperaturabsenkung der Aluminiumplatte 163 zu stoppen. Der Ablauf kehrt zum Schritt 2103 nach Abschluss der Operation im Schritt 2124 zurück.
  • Die Temperatur der Aluminiumplatte 163, d. h. des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201, wird somit auf die Höckerverbindungstemperatur angehoben, während der Temperaturanstieg und die Temperaturabsenkung alternierend mittels der Temperaturanstiegssteueroperation in den Schritten 2103, 2104 und 2121–2124 wiederholt werden. Da durch den Temperaturanstieg die positive Ladung erhöht wird, während durch die Temperaturabsenkung negative Ladung erzeugt wird, wird die Ladung hauptsächlich der Rückseitenfläche 201b des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 durch alternierendes Wiederholen des Temperaturanstiegs und der Temperaturabsenkung neutralisiert, wie oben erwähnt ist. Da die Temperaturabsenkungsbreite kleiner ist als die Temperaturanstiegsbreite, wie oben erwähnt ist, wird tatsächlich positive Ladung an der Rückseitenfläche 201b des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 in der Vorheizoperation akkumuliert, wie aus 74 deutlich wird. Die Menge der akkumulierten Ladung kann jedoch im Vergleich zu dem Fall deutlich reduziert werden, in dem die Temperatur gleichmäßig angehoben wird, ohne einen Temperaturanstieg und eine Temperaturabsen kung alternierend zu wiederholen. In einem Beispiel überschreitet die Ladungsmenge +2.000 V bis etwa +3.000 V, wenn die Temperatur gleichmäßig angehoben wird, während die Ladungsmenge auf etwa +100 V gedrückt werden kann, indem der Temperaturanstieg und die Temperaturabsenkung alternierend wiederholt werden.
  • Nach der obenbeschriebenen Vorheizoperation wird der in Verbindung mit der Höckerausbildungsvorrichtung 101 beschriebene Schritt 5 gestartet. Im Schritt 5 wird die eintragseitige Verbringungsvorrichtung 141 mittels der Verbringungsvorrichtung 1413 von der Vorheizvorrichtung 560 zur Verbindungsbühne 110 bewegt. Der vom Wafer-Halteabschnitt 1411 gehaltene Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 wird auf der Verbindungsbühne 110 platziert. Wenn die Rückseitenfläche 201b des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 mit der Wafer-Lagerbühne 111 aus einem metallischen Material der Verbindungsbühne 110 in Kontakt kommt, wird ein Teil der auf der Rückseitenfläche 201b akkumulierten Ladung zur Wafer-Lagerbühne 111 abgeleitet, wobei ferner ein Teil der auf der Rückseitenfläche 201b akkumulierten Ladung sich in einigen Fällen zur Vorderfläche 201a bewegt. Da jedoch gemäß dem Beispiel die Temperaturanstiegssteuerung in der Vorheizoperation ausgeführt wird, ist die Ladungsmenge der Vorderfläche 201a und der Rückseitenfläche 201b insbesondere der Rückseitenfläche 201b, im Vergleich zum herkömmlichen Beispiel ohne Temperaturanstiegssteuerung reduziert. Das Kontaktelement 14100 zur Ladungsbeseitigung wird außerdem in Kontakt mit der Vorderfläche 201a gehalten. Somit kann eine Funkenbildung an der Vorderfläche 201a verhindert werden. Die Ladungsmenge der Rückseitenfläche 201b wird, wie durch ein Bezugszeichen 302 in 74 dargestellt ist, durch die Erdung der Wafer-Lagerbühne 111 und aufgrund einer Zunahme der negativen Ladung infolge einer leichten Temperaturabsenkung des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 reduziert, wenn er von der Vorheizvorrichtung 560 getrennt wird.
  • Der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 wird, nachdem er auf die Verbindungsbühne 110 geladen worden ist, von der Heizvorrichtung 112, die an der Verbindungsbühne 110 installiert ist und von der Steuervorrichtung 180 gesteuert wird, auf die Höckerverbindungstemperatur erhitzt. Die Höcker 19 werden während der Durchführung des Aufheizens mittels des Höckerausbil dungskopfes 120 z. B. an Elektrodenabschnitten 18 der Schaltungen auf dem Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 ausgebildet, wie in 88 gezeigt ist.
  • Nachdem die Höcker ausgebildet worden sind, wird der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 von der Verbindungsbühne 110 entnommen. Mit anderen Worten, der Wafer mit ausgebildeten Höckern wird über der Verbindungsbühne 110 angeordnet. Das erste Halteelement 1424 und das zweite Halteelement 1425 werden durch den Antriebsabschnitt 1422 geöffnet und die Wafer-Lagerbühne 111 der Verbindungsbühne 110 wird nach oben bewegt. Infolge der Aufwärtsbewegung kommt das Kontaktelement 14100 des Elements 1426 zur Ladungsbeseitigung zuerst mit der Vorderfläche 202a des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 in Kontakt. Anschließend werden das erste Halteelement 1424 und das zweite Halteelement 1425 vom Antriebsabschnitt 1422 geschlossen, wobei die Wafer-Lagerbühne 111 der Verbindungsbühne 110 nach unten bewegt wird, wodurch der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 am Wafer-Halteabschnitt 1421 der austragseitigen Verbringungsvorrichtung 142 gehalten wird.
  • Der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202, der vom Wafer-Halteabschnitt 1421 gehalten wird, wird über der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 570 angeordnet, wie in 71 gezeigt ist, auf der Grundlage der Tatsache, dass der Wafer-Halteabschnitt 1421 durch Antreiben der Bewegungsvorrichtung 1423 der austragseitigen Verbringungsvorrichtung 142 in X-Richtung bewegt wird.
  • Im Schritt 7 in 27 steuert die Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 570 die Temperaturabsenkung des Wafers 202 durch Heizen des Wafers, um somit die Nach-Höckerausbildung-Heizoperation am Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 von der Höckerverbindungstemperatur von etwa 210°C bis zu einer Temperatur, die die Raumtemperatur um etwa 10°C übersteigt, auszuführen.
  • Ähnlich der vorher beschriebenen Vorheizoperation wird elektrische Ladung am Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 infolge der Temperaturänderung in der Temperaturabsenkungsoperation erzeugt. Die Vorderfläche 202a und die Rückseitenfläche 202b des Wafers werden aufgeladen, wie durch die Bezugszeichen 303 und 304 in 74 gezeigt ist.
  • Unter diesen Umständen wird in der Nach-Höckerausbildung-Heizoperation sowie in der Vorheizoperation die Temperaturabsenkung gesteuert, indem die Temperaturabsenkung und der Temperaturanstieg alternierend wiederholt werden, um somit die Ladungsmenge insbesondere auf der Rückseitenfläche 202b zu verringern. Indessen wird die Ladung der Vorderfläche 202a abgeleitet, da das Kontaktelement 14100 mit der Vorderfläche 202a in Kontakt gehalten wird.
  • 79 zeigt einen Ablauf der gesamten Operation in der obigen Nach-Höckerausbildung-Heizoperation. Die Operation wird von der Steuervorrichtung 180 gesteuert. Genauer wird im Schritt 2131 bestimmt, ob die Temperatur der Aluminiumplatte 173 der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 570 gleich einer Starttemperatur ist oder nicht. Wenn die Aluminiumplatte nicht die Starttemperatur aufweist, wird die Aluminiumplatte im Schritt 2132 an die Starttemperatur angepasst, indem sie mittels der Plattenheizvorrichtung 171 erhitzt oder durch Luftzufuhr mittels der Luftzuführungsvorrichtung 175 gekühlt wird. Die Starttemperatur beträgt in diesem Beispiel etwa 200°C, wobei die Temperatur der Aluminiumplatte 173 mittels des Temperatursensors 176 gemessen wird.
  • Im Schritt 2133 wird mit gesteuertem Temperaturabsenkungsgradienten die Temperaturabsenkung der Aluminiumplatte 173, d. h. des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202, durch Zufuhr von Luft mittels der Luftzuführungsvorrichtung 175 gestartet. Im Schritt 2134 wird bestimmt, ob die Aluminiumplatte 173 eine Temperaturabsenkungs-Solltemperatur erreicht, oder nicht. Die Temperaturabsenkungs-Solltemperatur an der Aluminiumplatte 173 beträgt in diesem Beispiel 40°C. Die Schritte 2151–2154 der 80 werden in dem Fall ausgeführt, in dem die Aluminiumplatte 173 die Temperaturabsenkungs-Solltemperatur nicht erreicht hat.
  • Die Temperaturabsenkungsoperation bis zur Temperaturabsenkungs-Solltemperatur wird auf diese Weise ausgeführt, indem alternierend die Temperaturabsenkung und der Temperaturanstieg in den Schritten 2133, 2134 und 2151–2154 wiederholt werden, was eine der charakteristischen Operationen dieses Beispiels ist. Die Temperaturabsenkungssteuerung wird später genauer beschrieben.
  • Wenn festgestellt wird, dass die Aluminiumplatte die Temperaturansenkungs-Solltemperatur im Schritt 2134 erreicht hat, geht der Ablauf zu Schritt 2135 über, wo die Nach-Höckerausbildung-Heizoperation abgeschlossen wird. Der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 wird im Schritt 2136 zur Austragvorrichtung 142 verbracht. Nach dem Verbringen wird im Schritt 2137 begonnen, der Plattenheizvorrichtung 171 Strom zuzuführen, um somit die Aluminiumplatte 173 auf die Starttemperatur aufzuheizen. Ob die Aluminiumplatte die Starttemperatur erreicht hat, oder nicht, wird im Schritt 2138 bestimmt. Wenn die Aluminiumplatte bis zur Starttemperatur erhitzt worden ist, wird die Stromzufuhr zur Plattenheizvorrichtung 171 gestoppt um die Starttemperatur beizubehalten. Der Ablauf kehrt zum Schritt 2133 zurück, um die Nach-Höckerausbildung-Heizoperation für einen nächsten Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 vorzubereiten.
  • Die Temperaturabsenkungssteuerung in den Schritten 2133, 2134 und 2151–2154 wird im Folgenden beschrieben.
  • Im Schritt 2133 wird die Temperatur der Aluminiumplatte 173 entsprechend einem vorläufig festgelegten Temperaturabsenkungsgradienten abgesenkt. Der Temperaturabsenkungsgradient ist in diesem Beispiel auf –20°C/min festgelegt. Wenn im Schritt 2134 die Aluminiumplatte 173 die Temperaturabsenkungs-Solltemperatur nicht erreicht hat, geht der Ablauf zum Schritt 2151 über, wobei bestimmt wird, ob eine Temperaturanstiegsstartbedingung erfüllt ist, oder nicht. Die Temperaturaluminiumplatte 173, eine Zeitspanne nach Beginn der Temperaturabsenkung, eine Ladungsmenge der Rückseitenfläche 202b des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202, oder dergleichen, können ähnlich wie bei der obigen Vorheizungssteuerung als physikalische Größe der Temperaturanstiegsstartbedingung verwendet werden, wobei das vorliegende Beispiel von diesen die Temperatur der Aluminiumplatte 173 verwendet.
  • Wenn die Ladungsmenge der Rückseitenfläche 202b verwendet wird, wie in 78 gezeigt ist, auf die in der Beschreibung der Vorheizungssteuerung Bezug genommen wird, sind mehrere Durchgangslöcher 252 an der Aluminiumplatte 173 oder dergleichen ausgebildet, wobei der elektrostatische Sensor 251 unterhalb der Plattenheizvorrichtung 171 angeordnet ist. Die Ladungsmenge der Rückseitenfläche 202b wird vom elektrostatischen Sensor 251 durch die Durchgangslöcher 252 gemessen. Der gemessene Wert wird zur Steuervorrichtung 180 übermittelt, um die Ladungsmenge zu erhalten.
  • In dem Fall, in dem die Temperatur der Aluminiumplatte 163 als physikalische Größe der Temperaturanstiegsstartbedingung ausgewählt ist, wie in diesem Beispiel, wird im Schritt 2151 eine Temperaturbreite, die in 81 mit dem Bezugszeichen 275 bezeichnet ist, auf einer Grundlage der jeweiligen Temperatur der Aluminiumplatte 163 zu Beginn des Temperaturanstiegs und zum aktuellen Zeitpunkt erhalten, wobei bestimmt wird, ob die Temperaturbreite 275 einen vorgegebenen Wert erreicht hat. Der Ablauf geht zum Schritt 2152 über, wenn die Temperaturbreite den vorgegebenen Wert erreicht hat, oder der Ablauf kehrt zum Schritt 2133 zurück, wenn die Temperaturbreite den Wert nicht erreicht hat.
  • Gemäß diesem Beispiel ist die Temperaturbreite 275 auf 30°C festgelegt. Das Bezugszeichen 275 entspricht einer Zeit, wenn die "Zeit" als physikalische Größe der Temperaturanstiegsstartbedingung ausgewählt ist. Die Zeit kann z. B. auf zwei Minuten festgelegt sein. Das Bezugszeichen 275 entspricht einer Ladungsmenge, wenn die "Ladungsmenge" ausgewählt ist, die auf z. B. 300 V ±10% festgelegt sein kann.
  • Im Schritt 2152 wird die Stromzufuhr zur Plattenheizvorrichtung 171 der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 570 begonnen, um die Temperaturanhebung der Aluminiumplatte 173 zu starten. Der Temperaturanstiegsgradient ist zu diesem Zeitpunkt im voraus festgelegt und ist in diesem Beispiel auf +30°C/min festgelegt. Die Zufuhr von Luft mittels der Luftzuführungsvorrichtung 175 wird in Reaktion auf den Start der Stromzufuhrplattenheizvorrichtung 171 gestoppt.
  • Im Schritt 2153 wird bestimmt, ob eine Temperaturanstiegssollbedingung erfüllt ist, oder nicht. Für eine physikalische Größe, die die Temperaturan stiegssollbedingung sein soll, ist eine "Zeit", eine "Ladungsmenge" oder dergleichen nutzbar, ebenso wie die von dem Beispiel verwendete "Temperatur". Die Temperaturbreite, die in 81 mit einem Bezugszeichen 276 bezeichnet ist, wird im Schritt 2153 auf der Grundlage der Temperaturen der Aluminiumplatte 173 zu Beginn der Temperaturanhebung und zum aktuellen Zeitpunkt erhalten, wobei bestimmt wird, ob die Temperaturbreite 276 einen vorgegebenen Wert erreicht hat, oder nicht. Der Ablauf geht zum Schritt 2154 über, wenn die Temperaturbreite den vorgegebenen Wert erreicht hat. Der Ablauf kehrt zum Schritt 2152 zurück, wenn die Temperaturbreite den vorgegebenen Wert nicht erreicht hat. Die Temperaturbreite 271 ist ein Wert, der kleiner ist als die Temperaturbreite 275, d. h. etwa gleich 1/2 bis 1/3 der Temperaturbreite 275. Die Temperaturbreite ist in diesem Beispiel auf 15°C festgelegt. Das Bezugszeichen 276 entspricht der Zeit, wenn die "Zeit" als physikalische Größe der Temperaturanstiegssollbedingung ausgewählt ist, und kann z. B. auf eine Minute festgelegt sein. Das Bezugszeichen 276 entspricht der Differenz der Ladungsmenge, wenn die "Ladungsmenge" ausgewählt ist, die z. B. auf 100 V ±10% festgelegt sein kann.
  • Im Schritt 2154 wird die Stromzufuhr zur Plattenheizvorrichtung 171 der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 570 gestoppt, wodurch der Temperaturanstieg der Aluminiumplatte 173 gestoppt wird. Nachdem die Operation im Schritt 2154 abgeschlossen ist, kehrt der Ablauf zum Schritt 2133 zurück.
  • Durch die Temperaturabsenkungssteuerung in den Schritten 2133, 2134 und 2151–2154 wird die Temperatur der Aluminiumplatte, d. h. des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202, auf die Temperaturabsenkungs-Solltemperatur gesenkt, während die Temperaturabsenkung und der Temperaturanstieg alternierend wiederholt ausgeführt werden. Wenn die Temperaturabsenkung und der Temperaturanstieg alternierend wiederholt werden, wird die Ladung hauptsächlich auf der Rückseitenfläche 202b des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 neutralisiert, da durch den Temperaturanstieg positive Ladung erzeugt wird, obwohl durch die Temperaturabsenkung negative Ladung erhöht wird. Da die Temperaturanstiegsbreite kleiner ist als die Temperaturabsenkungsbreite, wie oben beschrieben worden ist, wird an der Rückseitenfläche 202b des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 negative Ladung durch die Nach-Höckerausbildung-Heizoperation akkumuliert, wie mit den Bezugszeichen 303 in 74 gezeigt ist. Die Ladungsmenge kann jedoch im Vergleich zu einem Fall, in dem eine Temperatur des Wafers gleichmäßig gesenkt wird, ohne die Temperaturabsenkung und den Temperaturanstieg alternierend zu wiederholen, deutlich reduziert werden. Zum Beispiel wird die Aluminiumplatte im Fall einer gleichmäßigen Temperaturabsenkung auf etwa –2.000 V bis etwa –3.000 V aufgeladen, während die elektrische Ladung auf etwa –100 V begrenzt werden kann, wenn die Temperaturabsenkung und der Temperaturanstieg alternierend wiederholt werden.
  • Nach der Nach-Höckerausbildung-Heizoperation wird Schritt in 27 gestartet, um die folgenden Operationen auszuführen. Der Wafer-Halteabschnitt 1421 der austragseitigen Verbringungsvorrichtung 142, der den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 hält, wird durch die Operation der Bewegungsvorrichtung 1423 in X-Richtung über die Austragvorrichtung 132 bewegt. Ein Zustand nach der Bewegung ist in 56 gezeigt.
  • Nach der Bewegung wird der Antriebsabschnitt 1324 der Austragvorrichtung 132 angetrieben, wodurch der Halteabschnitt 1323 mit der Rückseitenfläche 202b des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 in Kontakt gebracht wird, wie in 57 gezeigt ist, wobei der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 von den Haltehaken 1417 des Wafer-Halteabschnitts 1421 nach oben bewegt wird, um etwa 1 mm darüber zu schweben. Wenn der Halteabschnitt 1323 mit der Rückseitenfläche 202b in Kontakt kommt, wird die Ladung der Rückseitenfläche 202b über den Halteabschnitt 1323 abgeleitet. Die Ladungsmenge der Rückseitenfläche 202b wird dementsprechend reduziert, wie durch ein Bezugszeichen 305 in 74 gezeigt ist. Das Kontaktelement 14100 zur Ladungsbeseitigung hält den Kontaktzustand mit der Vorderfläche 202a des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 auch dann aufrecht, wenn der Wafer mit ausgebildeten Höckern nach oben bewegt wird, wie oben erwähnt ist. Ähnlich dem Fall, in dem die Wafer 201 und 202 an der Eintragvorrichtung 131 und der Verbindungsbühne 110 geliefert werden, kann daher selbst dann, wenn Ladung auf der Vorderfläche 201a infolge einer Änderung der Ladungsmenge an der Rückseitenfläche 201b geändert wird, da der Halteabschnitt 1323 mit der Rückseitenfläche 202b des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 in Kontakt kommt, eine aus der Änderung resultierende Ladungsmenge eliminiert werden.
  • Nachdem der Wafer mit ausgebildeten Höckern nach oben bewegt worden ist, wird der Wafer durch das Ansaugen am Halteabschnitt 1323 gehalten.
  • Nachdem der Halteabschnitt 1323 den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 hält, wie in 58 gezeigt ist, werden das erste Halteelement 1424 und das zweite Halteelement 1425 des Wafer-Halteabschnitts 1421 mittels des Antriebsabschnitts 1422 geöffnet, um somit das Halten des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 zu beenden.
  • Wie in den 59 und 60 gezeigt ist, wird nach Beenden des Haltens der Halteabschnitt 1323 abgesenkt, um den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 auf der Haltebühne 1321 zu platzieren. Nachdem der Wafer mit ausgebildeten Höckern platziert worden ist, hält die Haltebühne 1321 den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 durch Ansaugen gemäß dem Beispiel.
  • Im Schritt 9 der 24 wird die Haltebühne 1321, die den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 hält, durch die Operation der Bewegungsvorrichtung 1322 für die Austragvorrichtung in X-Richtung bewegt, um somit den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 in Richtung zum zweiten Lagerbehälter 206 zu verbringen.
  • Im Schritt 10 lagert die Haltebühne 1321 den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 im zweiten Lagerbehälter 206 ein.
  • Wie oben beschrieben worden ist, kann gemäß der Höckerausbildungsvorrichtung 501 dieses Beispiels die Ladung, die am Ladungsentstehungshalbleitersubstrat, wie z. B. dem piezoelektrischen Substratwafer oder dergleichen, der Ladung in Reaktion auf eine Temperaturänderung erzeugt, erzeugt wird, bis auf ein Niveau reduziert werden, dass die auf dem Wafer ausgebildete Schaltung nicht beschädigt und den Wafer selbst nicht bricht, indem die Temperaturanstiegssteuerung und die Temperaturabsenkungssteuerung für den Wafer ohne z. B. die Ausbildung eines Aluminiumfilms längs der Schneidelinien des Wafers oder ohne Ausbildung des Aluminiumfilms auf der gesamten Rückseitenfläche des Wafers ausgeführt werden.
  • Insbesondere in einem Fall, in dem der Wafer 0,2 mm dick oder dünner ist, oder in dem ein Abstand zwischen Leitungen in der auf dem Wafer ausgebildeten Schaltung kleiner als 1 µm ist, und insbesondere eine Differenz der Leitungsbreiten benachbarter Leitungen groß ist, wird eine große Ladungsbeseitigungswirkung durch die obenerwähnte Temperaturanstiegssteuerung und die Temperaturabsenkungssteuerung in der Vorheizoperation und der Nach-Höckerausbildung-Heizoperation erhalten.
  • In der Höckerausbildungsvorrichtung 501 des modifizierten Beispiels ist der Temperaturanstiegsgradient in der Vorheizoperation auf einen konstanten Wert 20°C/min festegelegt, wobei der Temperaturabsenkungsgradient in der Nach-Höckerausbildung-Heizoperation auf einen konstanten Wert von –20°C/min festgelegt ist. Die Gradientenwerte sind jedoch nicht auf die obigen Werte beschränkt. Zum Beispiel können andere Gradientenwerte im Bereich des Beginns und des Endes der Vorheizoperation und der Nach-Höckerausbildung-Heizoperation und im Bereich der Mitte der Vorheizoperation und der Nach-Höckerausbildung-Heizoperation verwendet werden.
  • Der Temperaturanstiegsgradientenwert, die Temperaturanstiegs-Solltemperatur, die Temperaturabsenkungs-Starttemperatur, der Temperaturabsenkungsgradientenwert und der Temperaturabsenkungs-Sollwert in der Vorheizoperation, sowie der Temperaturabsenkungsgradientenwert, die Temperaturabsenkungs-Solltemperatur, die Temperaturabsenkungs-Starttemperatur, der Temperaturabsenkungsgradientenwert und der Temperaturanstiegs-Sollwert in der Nach-Höckerausbildung-Heizoperation können im voraus im Speicher 181 der Steuervorrichtung 180 für jede Art, jedes Material und jede Größe der Wafer oder dergleichen, an denen Höcker auszubilden sind, gespeichert werden. Die Steuerung kann entsprechend der Art der zu verarbeiteten Wafer geändert werden.
  • Wie oben im modifizierten Beispiel beschrieben worden ist, werden ebenso spezifische Temperatursteuerungen sowohl bei der Temperaturanstiegsoperation für den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 als auch bei der Temperaturabsenkungsoperation für den Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 ausgeführt. Wenigstens die Temperaturabsenkungssteuerung nur bei der Temperaturabsenkungsoperation von der Höckerverbindungstemperatur auf Raumtemperatur ist jedoch in diesem Beispiel ausreichend. Der Grund hierfür ist folgender. Wie oben beschrieben worden ist, weisen nämlich die Wafer 201 und 202 die Eigenschaft auf, dass sie schwierig von Ladung zu befreien sind, sobald sie einmal aufgeladen sind. Ferner wird der Wafer 202 im zweiten Lagerbehälter 206 eingelagert, nachdem er ausgehend von der Höckerverbindungstemperatur auf Raumtemperatur abgekühlt worden ist. Wenn daher der Wafer 202, der aufgeladen gehalten wird, im zweiten Lagerbehälter eingelagert würde, bestünde die Möglichkeit, dass Probleme hervorgerufen werden. Dementsprechend sollte die elektrische Ladung des Wafers 202 ausreichend eliminiert werden.
  • In dem Beispiel sowie bei der vorher beschriebenen Höckerausbildungsvorrichtung 101, wie in 61 gezeigt ist, ist, obwohl der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 vom Wafer-Halteabschnitt 1421 der austragseitigen Verbringungsvorrichtung 142 zur Austragvorrichtung 132 geliefert wird, der Ionengenerator 190 vorzugsweise an wenigstens der Seite der Rückseitenfläche 202b des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 angeordnet, vorzugsweise an beiden Seiten, einschließlich der Seite der Vorderfläche 202a.
  • Für eine effiziente Ladungsbeseitigung in der Nach-Höckerausbildung-Heizoperation vor dem Liefern des Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 vom Wafer-Halteabschnitt 1421 zur Austragvorrichtung 132, wie in 82 gezeigt ist, werden vorzugsweise Ionen vom Ionengenerator 190 auf wenigstens die Rückseitenfläche 202b der Wafers mit ausgebildeten Höckern 202 aufgebracht, vorzugsweise auf beide Flächen, einschließlich der Vorderfläche 202a des Wafers mit ausgebildeten Höckern. Wenn das Gebläse 191 hinzugefügt wird, kann die Ladung effektiver beseitigt werden. Eine vom Ionengenerator 190 zu erzeugende Ionenmenge und ein Luftvolumen, das vom Gebläse 191 auszustoßen ist, können von der Steuervorrichtung 180 auf der Grundlage der gemessenen Ladungsmenge wenigstens der Rückseitenfläche 202b, vorzugsweise beider Flächen einschließlich der Vorderfläche 202a, gesteuert werden, während die Ladungsmenge mit dem elektrostatischen Sensor 251 gemessen wird.
  • Um die Ionen auf die Rückseitenfläche 202b einwirken zu lassen, ist der Ionengenerator 190 unterhalb der Plattenheizvorrichtung 171 der Nach- Höckerausbildung-Heizvorrichtung 570 angeordnet, was die Ausbildung von Durchgangslöchern 202 erfordert, wie mit Bezug auf 78 beschrieben worden ist und in 82 gezeigt ist.
  • Ferner ist eine Anordnung annehmbar, in der die Ionen von Ionengenerator 190 auch in der Vorheizoperation auf wenigstens die Rückseitenfläche 201b des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 einwirken, vorzugsweise auf beide Flächen einschließlich der Vorderfläche 201a. Das Gebläse 191 und der statische Sensor 251 können der Anordnung hinzugefügt werden. Ladungen können in der Vorheizoperation effizienter beseitigt werden, ebenso wie in dieser Anordnung, obwohl die Vorheizvorrichtung 560 mit Durchgangslöchern 252 versehen sein sollte, wie in 83, um die Ionen auf die Rückseitenfläche 201b wirken zu lassen.
  • Ähnlich der Beschreibung mit Bezug auf die 62 und 63 können die Vorheizvorrichtung 560 und die Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 570 auch in der Höckerausbildungsvorrichtung 501 des modifizierten Beispiels weggelassen werden, wobei die in 84 gezeigte Operation ausgeführt wird. Das heißt, das Ladungsentstehungshalbleitersubstrat, wie z. B. der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 oder dergleichen, wird mit einem Abstand von etwa 1 bis mehrere mm von der Wafer-Lagerbühne 101 beabstandet angeordnet und vorgeheizt. Nach der Vorheizoperation wird das Ladungsentstehungshalbleitersubstrat auf der Wafer-Lagerbühne 101 platziert, um eine Höckerverbindung auszuführen. Nach der Höckerverbindung wird das Ladungsentstehungshalbleitersubstrat in einem Nicht-Kontakt-Zustand über der Wafer-Lagerbühne 101 erneut angeordnet und nach der Höckerausbildung erhitzt. Im Schritt 2201 der 84 wird unter Verwendung z. B. der Verbringungsvorrichtung 143, wie z. B. der austragseitigen Verbringungsvorrichtung 141 oder dergleichen, der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201, der das Ladungsentstehungshalbleitersubstrat ist, von der Transporteinheit 130 über der Wafer-Lagerbühne 111 der Verbindungsbühne 110 angeordnet. Die Wafer-Lagerbühne 111 weist zu diesem Zeitpunkt eine Temperatur von etwa 40°C auf.
  • Wie oben beschrieben worden ist, wird im Schritt 2203 die Temperatur des Vor-Höckerausbildung-Wafers 201 mit der Temperaturanstiegsrate von 20°C/min angehoben, während der Temperaturanstieg und die Temperaturabsenkung wiederholt werden.
  • Im Schritt 2205 wird das Gebläse 115 angetrieben, um heiße Luft durch die Luftlöcher 113 der Wafer-Lagerbühne 111 gegen den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 zu blasen. Die am Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 angesammelte Ladung wird in die Luft entladen und dementsprechend beseitigt. Nach dem Blasen wird im Schritt 2206 der Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 zu der Wafer-Lagerbühne 111 transportiert und die Ansaugvorrichtung 114 betätigt, um den Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 auf die Wafer-Lagerbühne 111 zu saugen.
  • Im Schritt 2207 wird die Höckerverbindung am Vor-Höckerausbildung-Wafer 201 ausgeführt.
  • Im Schritt 2209 wird die Wafer-Lagerbühne 111 nach oben bewegt, um die Verbringungsvorrichtung 143 zu veranlassen, das Ladungsentstehungshalbleitersubstrat zu halten. Die Wafer-Lagerbühne 111 wird nach unten bewegt, um somit den Abstand zwischen dem Ladungsentstehungshalbleitersubstrat und der Wafer-Lagerbühne 111 auf etwa 1 bis mehrere mm zu halten. Die Temperatur der Wafer-Lagerbühne 111 wird von etwa 210°C auf etwa 40°C mit der Temperaturabsenkungsrate von z. B. 20°C/min gesenkt, indem die Temperaturabsenkung und der Temperaturanstieg wiederholt werden. Bei dieser Operation kann gleichzeitig die Blasoperation zur Ladungsbeseitigung ausgeführt werden, die im Schritt 2205 ausgeführt wird. Im Schritt 2210 wird der Wafer mit ausgebildeten Höckern 202 mittels der Verbringungsvorrichtung von der Wafer-Lagerbühne 111 zur Austragvorrichtung 132 bewegt.
  • In der Struktur, in der das Gebläse jeweils an der Vorheizvorrichtung 560 und der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 570 in der Höckerausbildungsvorrichtung 501 installiert ist, die mit der Vorheizvorrichtung 560 und der Nach-Höckerausbildung-Heizvorrichtung 570 ausgestattet ist, kann die obige Blasoperation zur Ladungsbeseitigung ausgeführt werden, indem das Gebläse betätigt wird, um das Gas auch in der Vorheizoperation und in der Nach-Höckerausbildung-Heizoperation in der Höckerausbildungsvorrichtung 501 mit der Vorheizvorrichtung 560 und der Nach-Höckerausbildung- Heizvorrichtung 570 auszustoßen.
  • Die Blasoperation zur Ladungsbeseitigung ermöglicht das Eliminieren der Ladung des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats. Insbesondere wenn die Rillen 14 auf der Rückseitenfläche des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats ausgebildet sind, kann die Ladung in den Rillen 14 effizient in die Luft entladen werden. Die Ladung des Ladungsentstehungshalbleitersubstrats kann somit durch die Blasoperation zur Ladungsbeseitigung, die gleichzeitig mit der Zickzack-Temperatursteuerung von wiederholtem Temperaturanstieg und Temperaturabsenkung und außerdem durch die Wirkung der Ionen auf das Ladungsentstehungshalbleitersubstrat effizienter beseitigt werden.
  • Eine Verarbeitung unter Verwendung der Unterplatte ist ebenfalls in der Höckerausbildungsvorrichtung 501 dieses Beispiels möglich.

Claims (42)

  1. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202), umfassend: eine Steuervorrichtung (180) zum Ausführen einer Temperaturabsenkungssteuerung, um elektrische Ladung zu eliminieren, die als Ergebnis einer Temperaturabsenkung beim Abkühlen nach Erwärmen des elektrische Ladung generierendes Halbleitersubstrats (201, 202) erzeugt worden ist, welches eine elektrische Ladung infolge einer Temperaturänderung erzeugt; und eine Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) zum Heizen des Substrats und Kühlen des Substrats (201, 202) entsprechend der Temperaturabsenkungssteuerung mittels der Steuervorrichtung (180) nach dem Erhitzen; dadurch gekennzeichnet, dass die Steuervorrichtung (180) dafür ausgelegt ist, die Temperaturabsenkungssteuerung unter Verwendung eines Temperaturabsenkungsgradientenwertes auszuführen, bei dem verhindert wird, dass eine Menge der elektrischen Ladung, die auf dem elektrische Ladung generierendem Halbleitersubstrat (201, 202) beim Abkühlen des Substrats (201, 202) erzeugt wird, einen zulässigen Wert überschreitet.
  2. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Hhalbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 1, wobei dann, wenn das Abkühlen ausgeführt wird, die Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) dafür ausgelegt ist, mit einer Rückseitenfläche (201a, 201b) gegenüberliegend einer Vorderseitenfläche (201a, 202a) als eine kreisförmige Fläche des elektrische Ladung generierendes Halbleitersubstrats (201, 202) in Kontakt zu kommen, um somit die Ladung zu eliminieren, die aufgrund der Temperaturabsenkung am Substrat (201, 202) beim Abkühlen erzeugt wird.
  3. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 2, wobei die Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160) dafür ausgelegt ist, das Substrat (201, 202) bis in die Nähe einer Höckerverbindungstemperatur vorzuheizen, bevor das Substrat (201, 202) auf die Höckerverbindungstemperatur erhitzt wird, und ferner dafür ausgelegt ist, eine am Substrat (201, 202) aufgrund eines Temperaturanstiegs durch das Vorheizen erzeugte Ladung mittels Kontakt mit der Rückseitenfläche (201a, 202a) des Substrats (201, 202) zu eliminieren, und wobei die Steuervorrichtung (180) dafür ausgelegt ist, eine Temperaturanstiegssteuerung für die Vorheizoperation der Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160) auszuführen.
  4. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 3, wobei die Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) eine Höckerverbindungsbühne (110) zum Erhitzen des Substrats (201, 202) auf die Höckerverbindungstemperatur, sowie eine Kühlvorrichtung (160, 170) zum Abkühlen des Substrats (201, 202) entsprechend der Temperaturabsenkungssteuerung mittels der Steuervorrichtung (180) umfasst.
  5. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 3, wobei die Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) eine Höckerverbindungsbühne (110) zum Erhitzen des Substrats (201, 202) auf die Höckerverbindungstemperatur, sowie eine Vorheizvorrichtung (160, 170) zum Vorheizen des Substrats (201, 202) entsprechend der Temperaturanstiegssteuerung mittels der Steuervorrichtung (180) umfasst.
  6. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 4, wobei die Kühlvorrichtung (160, 170) ein Wärmediffusorelement (163, 173), das mit der Rückseitenfläche (201b, 202b) des Substrats (201, 202) in Kontakt kommt, einen Heizabschnitt (161, 171), der vom Wärmediffusorelement (163, 173) abnehmbar ist, um die Temperatur des Wärmediffusorelements (163, 173) anzuheben, und einen Separator (1601, 1701) enthält zum Trennen des Wärmediffusorelements (163, 173) und des Heizabschnitts (161, 171), um somit eine Kühlung des Wärmediffusorelements (163, 173) zu fördern.
  7. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 5, wobei die Vorheizvorrichtung (160, 170) ein Wärmediffusorelement (163, 173), das mit der Rückseitenfläche (201b, 202b) des Substrats (201, 202) in Kontakt kommt, einen Heizabschnitt (161, 171), der mit dem Wärmediffusorelement (163, 173) in Kontakt kommt, um somit die Temperatur eines Wärmediffusorelements (163, 173) anzuheben, und einen Separator (1601, 1701) zum Trennen des Wärmediffusorelements (163, 173) und des Heizabschnitts (161, 171) enthält, um somit eine Kühlung des Wärmediffusorelements (163, 173) zu fördern.
  8. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 2, welche ferner eine Gaszuführungsvorrichtung (115, 1611, 1711) zum Zuführen eines Gases zum Substrat (201, 202), das an der Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) platziert ist, umfasst, wobei die Steuervorrichtung (180) dafür ausgelegt ist, eine Verzerrungskorrektursteuerung zum Korrigieren einer Verzerrung, die an dem an der Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) platzierten Substrat (201, 202) erzeugt wird, entweder bei der Gaszuführungsvorrichtung (115, 1611, 1711) oder der Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) auszuführen.
  9. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 8, wobei die Steuervorrichtung (180) dafür ausgelegt ist, eine Blassteuerung für eine Ladungsbeseitigung zum Eliminieren einer Ladung, die an dem an der Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) platzierten Substrat (201, 202) erzeugt wird, bei der Gaszuführungsvorrichtung (115, 1611, 1711) auszuführen.
  10. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 2, die ferner ein Kontaktelement (14100, 14161) zur Ladungsbeseitigung umfasst, das mit der Vorderseitenfläche (201a, 202a) des Substrats (201, 202) in Kontakt kommt, um eine Ladungsmenge zu beseitigen, die an der Vorderseitenfläche (201a, 202a) erzeugt wird.
  11. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 2, die ferner einen Ionengenerator (190) zum Erzeugen von Ionen für die Neutralisierung der vom Substrat (201, 202) angesammelten Ladung umfasst.
  12. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 11, die ferner einen Wafer-Halteabschnitt (1411, 1421) mit Haltehaken (1417) zum Halten des Substrats (201, 202) mittels der Haltehaken (1417) und Transportieren des Substrats (201, 202) zur Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) umfasst, wobei der Wafer-Halteabschnitt (1411, 1421) und die Haltehaken (1417) an einem Abschnitt (14172, 14174), wo die vom Ionengenerator (190) erzeugten Ionen einwirken, mit einem Isolationsmaterial beschichtet sind.
  13. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 2, wobei die Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) an einem Abschnitt (261), der mit der Rückseitenfläche (201b, 202b) des Substrats (201, 202) in Kontakt steht, metallplattiert ist, um eine Wärmeleitfähigkeit zwischen der Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) und dem Substrat (201, 202) zu verbessern sowie der Ladung des Substrats (201, 202) zu beseitigen.
  14. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 1, wobei die Temperaturabsenkungssteuerung mittels der Steuervorrichtung (180) eine Steuerung zum Eliminieren einer Ladung ist, die am elektrische Ladung generierendem Halbleitersubstrat (201, 202) als Ergebnis der Temperaturabsenkung beim Abkühlen erzeugt wird, während die Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) dafür ausgelegt ist, das Substrat (201, 202) bis in die Nähe der Höckerverbindungstemperatur in einem Nicht-Kontakt-Zustand zum Substrat (201, 202) zu erhitzen, und das Substrat (201, 202) im Nicht-Kontakt-Zustand entsprechend der Temperaturabsenkungssteuerung mittels der Steuervorrichtung (180) nach dem Verbinden abkühlt.
  15. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 14, wobei die Steuervorrichtung (180) dafür ausgelegt ist, die Temperaturabsenkungssteuerung für die Eliminierung elektrischer Ladung auf dem Substrat, die durch eine Temperaturänderung erzeugt wird, auszuführen durch alternierendes Wiederholen einer Temperaturabsenkung und einer Temperaturanhebung mit einer Temperaturbreite kleiner als eine Temperaturabsenkungsbreite der Temperaturabsenkung.
  16. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 14, wobei die Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) dafür ausgelegt ist, eine Vorheizoperation zum vorbereitenden Erhitzen des Substrats (201, 202) bis in die Nähe der Höckerverbindungstemperatur während des Erhitzens des Substrats (201, 202) auf die Höckerverbindungstemperatur bei der Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) auszuführen, wobei die Steuervorrichtung (180) ferner dafür ausgelegt ist, eine Temperaturanstiegssteuerung zum Beseitigen einer Ladung, die am elektrische Ladung generierendem Halbleitersubstrat (201, 202) als Ergebnis eines Temperaturanstiegs beim Vorheizen erzeugt wird, bei der Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) auszuführen.
  17. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 16, wobei die Steuervorrichtung (180) dafür ausgelegt ist, eine Temperaturanstiegssteuerung zum Eliminieren elektrischer Ladung auf dem Substrat, die durch die Temperaturänderung erzeugt wird, mittels alternierenden Wiederholens eines Temperaturanstiegs und einer Temperaturabsenkung mit einer Temperaturbreite kleiner als eine Anstiegstemperaturbreite des Temperaturanstiegs auszuführen.
  18. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 14, wobei die Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) eine Höckerverbin dungsbühne (110) zum Erhitzen des Substrats (201, 202) auf die Höckerverbindungstemperatur, sowie eine Kühlvorrichtung (160, 170) zum Kühlen des Substrats (201, 202) entsprechend der Temperaturabsenkungssteuerung mittels der Steuervorrichtung (180) aufweist.
  19. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 16, wobei die Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) eine Höckerverbindungsbühne (110) zum Erhitzen des Substrats (201, 202) auf die Höckerverbindungstemperatur, sowie eine Vorheizvorrichtung (160, 170) zum Vorheizen des Substrats entsprechend der Temperaturanstiegssteuerung mittels der Steuervorrichtung (180) aufweist.
  20. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 18, wobei ein Ionengenerator (190) zum Erzeugen von Ionen zur Neutralisierung der Ladung des Substrats (201, 202) und zum Einwirken der Ionen auf das Substrat (201, 202) gegenüberliegend dem Substrat (201, 202), das auf der Kühlvorrichtung (160, 170) platziert ist, angeordnet ist.
  21. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 20, wobei die Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) die Höckerverbindungsbühne (110) zum Erhitzen des Substrats (201, 202) auf die Höckerverbindungstemperatur, sowie eine Vorheizvorrichtung (160, 170) enthält zum Vorheizen des Substrats (201, 202) bis in die Nähe der Höckerverbindungstemperatur in einem Nicht-Kontakt-Zustand des Substrats (201, 202) vor der Erhitzung des Substrats (201, 202) auf die Höckerverbindungstemperatur, wobei die Vorheizvorrichtung (160, 170) einer Temperaturanstiegsregelung mittels der Steuervorrichtung (180) unterworfen ist, um die Ladung, die als Ergebnis des Temperaturanstiegs beim Vorheizen am Substrat (201, 202) erzeugt wird, mit dem Ionengenerator (190) zu beseitigen, der dem auf der Vorheizvorrichtung (160, 170) angeordneten Substrat (201, 202) gegenüberliegend angeordnet ist.
  22. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halblei tersubstrate (201, 202) nach Anspruch 20, die ferner einen Wafer-Halteabschnitt (1411, 1421) mit Haltehaken (1417) zum Halten des Substrats (201, 202) aufweist, um somit das Substrat (201, 202) mittels der Haltehaken zu halten und zur Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) zu befördern, wobei der Wafer-Halteabschnitt (1411, 1421) und die Haltehaken (1417) an einem Abschnitt, wo die vom Ionengenerator (190) erzeugten Ionen einwirken, mit einem Isolationsmaterial beschichtet sind.
  23. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 18, wobei die Kühlvorrichtung (140) ein Wärmediffusorelement (173) aufweist, das dem Substrat (201, 202) gegenüberliegend angeordnet ist und eine Ferninfrarotstrahlungsfarbe, die auf einer dem Substrat gegenüberliegenden Oberfläche aufgebracht ist, aufweist.
  24. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 19, wobei die Vorheizvorrichtung ein Wärmediffusorelement (163) aufweist, das dem Substrat (201, 202) gegenüberliegend angeordnet ist und eine Ferninfrarotstrahlungsfarbe, die auf einer dem Substrat (201, 202) gegenüberliegenden Oberfläche aufgebracht ist, aufweist.
  25. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 18, die ferner eine Verzerrungskorrekturvorrichtung (115) enthält, die mit der Höckerverbindungsbühne (110) verbunden ist, um eine Verzerrung des Substrats (201, 202), das auf die Höckerverbindungsbühne (110) geladen ist, zu korrigieren.
  26. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 18, wobei die Steuervorrichtung (180) dafür ausgelegt ist, bei der Höckerverbindungsbühne (110) eine Temperatursteuerung für die Verzerrungskorrektur auszuführen, um die Verzerrung des auf die Höckerverbindungsbühne (110) geladenen Substrats (201, 202) zu korrigieren.
  27. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 18, die ferner eine Gaszuführungsvorrichtung (115) aufweist, die mit der Höckerverbindungsbühne (110) verbunden ist, um ein Gas zum Eliminieren der Ladung zuzuführen, die auf das auf die Höckerverbindungsbühne (110) geladene Substrat (201, 202) geladen worden ist, wobei die Steuervorrichtung (180) ferner einer Gaszuführungssteuerung zur Ladungsbeseitigung bei der Gaszuführungsvorrichtung (115) ausführt.
  28. Ladungsbeseitigungseinheit für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 14, die ferner ein Kontaktelement für die Ladungsbeseitigung (14100, 14107, 14113, 14116, 14120, 14121, 14122, 14161) enthält, das mit einer Vorderseitenfläche (201a, 202a) als kreisförmige Fläche des Substrats (201, 202) in Kontakt kommt, um somit eine an der Vorderseitenfläche des Substrats (201, 202) erzeugte Ladungsmenge zu eliminieren.
  29. Höckerausbildungsvorrichtung (101) für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202), die mit einem Höckerausbildungskopf (120) ausgestattet ist zum Ausbilden von Höckern auf Elektroden einer Schaltung auf dem elektrische Ladung generierendem Halbleitersubstrat (201, 202), das infolge einer Temperaturänderung in einem Zustand elektrische Ladung erzeugt, während es auf eine zur Ausbildung der Höcker notwendige Höckerverbindungstemperatur erhitzt wird, wobei die Höckerausbildungsvorrichtung (101) eine Ladungsbeseitigungseinheit nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 28 umfasst.
  30. Verfahren zur Beseitigung einer Ladung von elektrische Ladung generierenden Halbleitersubstraten (201, 202), die infolge einer Temperaturänderung derselben elektrische Ladung erzeugen, umfassend: Ausbildung von Höckern an Elektroden einer Schaltung auf dem Substrat (201, 202), wobei das Substrat (201, 202) auf eine Höckerverbindungstemperatur aufgeheizt wird, die zum Ausbilden der Höcker notwendig ist, und Eliminieren elektrischer Ladung, wenn das Substrat (201, 202) nach Ausbildung der Höcker abgekühlt wird, unter Verwendung eines Temperatur absenkungsgradientenwertes, bei dem verhindert wird, dass eine Menge der bei der Abkühlung des Substrats (201, 202) auf dem elektrische Ladung generierendem Halbleitersubstrat (201, 202) erzeugten elektrischen Ladung einen zulässigen Wert überschreitet.
  31. Ladungsbeseitigungsverfahren für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 30, ferner umfassend: Eliminieren der an einer kreisförmigen Fläche des Substrats (201, 202) erzeugten Ladung durch Kontaktherstellung zwischen einem Kontaktelement (14100, 14161) für die Ladungsbeseitigung und der kreisförmigen Oberfläche des Substrats (201, 202).
  32. Ladungsbeseitigungsverfahren für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 30, ferner umfassend: Kontaktherstellung zwischen der Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) und einer Rückseitenfläche (201a, 202b) gegenüberliegend einer Vorderseitenfläche (201a, 202a) als kreisförmige Fläche des elektrische Ladung generierendem Halbleitersubstrats (201, 202), um somit die am Substrat (201, 202) aufgrund der Temperaturabsenkung beim Abkühlen erzeugte Ladung zu beseitigen.
  33. Ladungsbeseitigungsverfahren für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 31 oder 32, ferner umfassend: Vorheizen des Substrats (201, 202) mittels der Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160) bis in die Nähe der Höckerverbindungstemperatur vor dem Er hitzen des Substrats (201, 202) auf die Höckerverbindungstemperatur, und Eliminieren der Ladung, die am Substrat (201, 202) aufgrund eines Temperaturanstiegs mittels der Vorheizung erzeugt wird, durch Kontakt mit der Rückseitenfläche (201a, 202a) des Substrats (201, 202), und Ausführen einer Temperaturanstiegssteuerung für die Vorheizoperation bei der Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160) mittels der Steuervorrichtung (180).
  34. Ladungsbeseitigungsverfahren für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach wenigstens einem der Ansprüche 31 bis 33, ferner umfassend: Platzieren des Substrats (201, 202) auf einem Ladeelement.
  35. Ladungsbeseitigungsverfahren für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 31, ferner umfassend: Blasen eines Gases gegen das auf das Ladeelement geladene Substrat (201, 202), um die am Substrat (201, 202) erzeugte Ladung zu eliminieren.
  36. Ladungsbeseitigungsverfahren für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 31, ferner umfassend: Einwirken von Ionen auf das Substrat (201, 202), um die am Substrat (201, 202) angesammelte Ladung zu neutralisieren.
  37. Ladungsbeseitigungsverfahren für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 30, ferner umfassend: Erhitzen des Substrats (201, 202) bis in die Nähe der Höckerverbindungstemperatur mittels der Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) in einem Nicht-Kontakt-Zustand zum Substrat (201, 202), und Abkühlen des Substrats (201, 202) im Nicht-Kontakt-Zustand entsprechend der Temperaturabsenkungssteuerung mittels der Steuervorrichtung (180) nach dem Verbinden.
  38. Ladungsbeseitigungsverfahren für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 37, ferner umfassend: Ausführen der Temperaturabsenkungssteuerung mittels der Steuervorrichtung (180), um elektrische Ladung auf dem Substrat, die durch die Temperaturänderung erzeugt worden ist, zu eliminieren durch alternierendes Wiederholen einer Temperaturabsenkung und einer Temperaturanhebung mit einer Temperaturbreite kleiner als eine Temperaturabsenkungsbreite der Temperaturabsenkung.
  39. Ladungsbeseitigungsverfahren für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 37 oder 38, ferner umfassend: Ausführen einer Vorheizoperation mittels der Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170) zum vorbereitenden Aufheizen des Substrats (201, 202) bis in die Nähe der Höckerverbindungstemperatur während des Aufheizens des Substrats (201, 202) auf die Höckerverbindungstemperatur, und Ausführen einer Temperaturanstiegssteuerung mittels der Steuervorrichtung (180) zum Beseitigen von Ladung, die am elektrische Ladung generierendem Halbleitersubstrat (201, 202) infolge eines Temperaturanstiegs beim Vorheizen erzeugt worden ist, bei der Heiz- und Kühlvorrichtung (110, 160, 170).
  40. Ladungsbeseitigungsverfahren für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 39, ferner umfassend: Ausführen einer Temperaturanstiegssteuerung zur Beseitigung elektrischer Ladung auf dem Substrat, die durch die Temperaturänderung erzeugt worden ist, mittels der Steuervorrichtung (180) bei alternierendem Wiederholen eines Temperaturanstiegs und einer Temperaturabsenkung mit einer Temperaturbreite kleiner als eine Anstiegstemperaturbreite des Temperaturanstiegs.
  41. Ladungsbeseitigungsverfahren für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 37, ferner umfassend: Blasen eines Gases gegen das auf das Ladeelement geladene Substrat (201, 202), um eine am Substrat (201, 202) erzeugte Ladung zu eliminieren.
  42. Ladungsbeseitigungsverfahren für elektrische Ladung generierende Halbleitersubstrate (201, 202) nach Anspruch 37, ferner umfassend: Einwirken von Ionen auf das Substrat (201, 202), um eine am Substrat (201, 202) angesammelte Ladung zu neutralisieren.
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