DE112008002643T5 - Plasmaverarbeitungsvorrichtung - Google Patents

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Abstract

Plamaverarbeitungsvorrichtung für eine Plasmabehandlung, in der ein zu behandelndes Objekt, das an einer oberen Fläche einer durch einen Halterahmen gehaltenen Kleberschicht befestigt ist, auf einer Bühne montiert wird, wobei ein Plasma in einer Vakuumkammer, in der die Bühne aufgenommen ist, erzeugt wird, sodass das Objekt auf der Bühne einer Plasmabehandlung unterzogen wird, wobei die Vorrichtung umfasst:
ein dielektrisches Abdeckungsglied, das an einer vorbestimmten Position über der Bühne positioniert wird, sodass der Halterahmen durch eine Öffnung in der Mitte des Abdeckungsglieds freiliegt, während das zu behandelnde Objekt der Plasmabehandlung unterzogen wird.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Plasmaverarbeitungsvorrichtung, die eine Plasmabehandlung auf einem zu behandelnden Objekt ausführt, das auf einer Bühne in einer Vakuumkammer montiert ist.
  • Stand der Technik
  • Bei einer Plasmabehandlung durch eine Plasmaverarbeitungsvorrichtung wird ein zu behandelndes Objekt wie etwa ein Halbleiterwafer auf einer Bühne in einer Vakuumkammer montiert und wird ein Plasma in der Vakuumkammer erzeugt, sodass das Objekt einer Plasmabehandlung unterzogen wird. Insbesondere wird das zu behandelnde Objekt einem Dicing und einer Reinigung unterworfen. In einem bekannten Plasmabehandlungsverfahren wird eine Kleberschicht unter dem zu behandelnden Objekt vorgesehen und wird gleichzeitig ein Halterahmen an dem Umfang der Kleberschicht befestigt. Das Objekt mit dem daran befestigten Halterahmen wird einer Reihe von Plasmabehandlungen unterzogen. Dank des Halterahmens kann das Objekt einfach in die Kammer geladen und wieder aus derselben entladen werden. Außerdem vereinfacht der Halterahmen die Handhabung des Objekts nach der Plasmabehandlung. Meistens ist ein derartiger Halterahmen aus einem Metall wie etwa Edelstahl ausgebildet, das in der gegebenen Betriebsumgebung dauerhafter ist. Die vorstehend beschriebene Plasmaverarbeitungsvorrichtung wird in den Patentdokumenten 1 und 2 angegeben.
  • Wenn jedoch ein Objekt mit einem Halterahmen einer Plasmabehandlung unterworfen wird, wird nicht nur das Objekt, sondern werden auch der Halterahmen und die Kleberschicht dem Plasma in der Vakuumkammer ausgesetzt. Das in der Vakuumkammer erzeugte Plasma konzentriert sich stärker an dem aus Metall ausgebildeten Halterahmen als an dem zu behandelnden Objekt. Dies hat eine Verschlechterung der Leistung der Plasmabehandlung zur Folge.
    • Patentdokument 1: ungeprüfte japanische Patentanmeldung Nr. 2006-066602
    • Patentdokument 2: ungeprüfte japanische Patentanmeldung Nr. 2002-190463
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Wenn ein zu behandelndes Objekt mit einem Halterahmen einer Plasmabehandlung unterzogen wird, verhindert die Plasmaverarbeitungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung eine Konzentration des Plasmas an dem Halterahmen, wodurch die Leistung der Plasmabehandlung erhöht wird.
  • Gemäß der Plasmaverarbeitungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung wird ein zu behandelndes Objekt, das an der oberen Fläche einer durch einen Halterahmen gehaltenen Kleberschicht befestigt ist, an einer Bühne in einer Vakuumkammer montiert. In der Vakuumkammer, in der die Bühne aufgenommen ist, wird ein Plasma erzeugt, um das Objekt auf der Bühne einer Plasmabehandlung zu unterziehen. Die Vorrichtung umfasst ein Abdeckungsglied aus einem dielektrischen Material.
  • In der vorliegenden Erfindung wird der die Kleberschicht haltende Halterahmen während der Plasmabehandlung des an der Bühne montierten Objekts durch das dielektrische Abdeckungsglied bedeckt, das an einer vorbestimmten Position über der Bühne platziert ist, wobei gleichzeitig das Objekt an einer Öffnung in der Mitte der Abdeckung freiliegt. Dank dieses Aufbaus kann einerseits eine Konzentration des in der Vakuumkammer erzeugten Plasmas an dem Halterahmen verhindert werden, während andererseits die Plasmabehandlung an dem Objekt ungehindert fortschreiten kann. Dadurch wird die Leistung der Plasmabehandlung auf dem Objekt mit dem Halterahmen verbessert. Die Kleberschicht weist einen freien Bereich zwischen dem Außenumfang des Objekts und dem Innenumfang des Halterahmens auf. Das Abdeckungsglied bedeckt wenigstens einen Abschnitt über dem freien Bereich der Kleberschicht, wodurch die dem Plasma ausgesetzte Fläche reduziert wird. Dementsprechend wird eine Wärmeverzerrung der Kleberschicht reduziert, wodurch die Handhabung des Objekts nach der Plasmabehandlung vereinfacht wird.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine Schnittansicht von vorne einer Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 2 ist eine Schnittansicht von oben der Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 3 ist eine Schnittansicht von der Seite der Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 4A ist eine perspektivische Explosionsansicht eines Wafers und eines Halterahmens der Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 4B ist eine perspektivische Explosionsansicht eines Wafers mit dem daran befestigten Halterahmen der Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 5 ist eine teilweise vergrößerte Schnittansicht von der Seite der Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 6A ist eine Seitenansicht eines Saugträgerwerkzeugs und eines Wafers mit einem Halterahmen der Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 6B ist eine Seitenansicht des Saugträgerwerkzeugs und des Wafers mit dem Halterahmen der Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 7 ist eine Schnittansicht von vorne der Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 8 ist eine Schnittansicht von vorne der Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 9 ist eine Schnittansicht von vorne der Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 10 ist eine weitere Schnittansicht von vorne der Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 11 ist eine weitere Schnittansicht von vorne der Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 12 ist eine weitere Schnittansicht von vorne der Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
    • 1
    Plasmaverarbeitungsvorrichtung
    200
    Halbleiterwafer (zu behandelndes Objekt)
    2a
    Außenumfang des Wafers (Außenumfang des zu behandelndenObjekts)
    300
    Bühne
    5
    Vakuumkammer
    6
    Halterahmen
    6a
    Innenumfang des Halterahmens
    7
    Kleberschicht
    8
    Wafer mit Halterahmen
    18
    dielektrischer Film (Filmglied)
    33
    Hubzylinder (Hubmechanismus)
    40
    Abdeckungsglied
    40a
    Öffnung
  • Ausführliche Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Erste beispielhafte Ausführungsform
  • Im Folgenden wird eine beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • 1 ist eine Schnittansicht von vorne auf die Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 2 ist eine Schnittansicht von oben der Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform. 3 ist eine Schnittansicht von der Seite der Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform.
  • Wie in 1 und 2 gezeigt, umfasst die Plasmaverarbeitungsvorrichtung 1 eine Bühne 300, auf der ein Halbleiterwafer (nachfolgend einfach als Wafer bezeichnet) 200 als zu behandelndes Objekt montiert wird, und eine Vakuumkammer 5, die die Bühne 300 aufnimmt und einen umschlossenen Raum 4 bildet. 2 ist eine Schnittansicht entlang der Linie 2-2 von 1. 3 ist eine Schnittansicht entlang der Linie 3-3 von 2.
  • Der Wafer 200 wird auf der oberen Fläche der Kleberschicht 7 befestigt, deren Umfang durch den Halterahmen 6 gehalten wird, der aus einem Metall wie etwa Edelstahl ausgebildet ist. In diesem Zustand wird der Wafer 200 auf einer Bühne 300 montiert, wobei die Behandlungsfläche, auf der eine Schaltung ausgebildet werden soll, nach oben gerichtet ist. Der Halterahmen 6 ist ringförmig ausgebildet und weist einen Innendurchmesser auf, der größer als der Außendurchmesser des Wafers 200 ist. Im Folgenden wird der Wafer 200, der an der oberen Fläche der durch den Halterahmen 6 gehaltenen Kleberschicht 7 befestigt ist, als gerahmter Wafer 8 bezeichnet.
  • 4A ist eine perspektivische Explosionsansicht eines Wafers und eines Halterahmens der Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 4B ist eine perspektivische Explosionsansicht des Wafers mit dem befestigten Halterahmen der Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie in 1 bis 3, 4A und 4B gezeigt, weist die Vakuumkammer 5 zwei Öffnungen 11 zum Laden und Entladen des gerahmten Wafers 8 und zwei Tore 12 zum Öffnen und Schließen der Öffnungen 11 auf. Jedes der beiden Tore 12 wird in Bezug auf die Vakuumkammer 5 unter einer Betriebssteuerung der Steuereinrichtung 14 durch einen Tor-Öffnungs-/Schließ-Antriebsabschnitt 15 nach oben oder unten bewegt, um die entsprechende Öffnung 11 zu öffnen oder zu schließen.
  • Die Bühne 300 umfasst eine untere Elektrode 16 und einen Tisch 17, der um die untere Elektrode 16 herum angeordnet ist. Die oberen Flächen der unteren Elektrode 16 und des Tisches 17 sind jeweils flach ausgebildet und schließen im wesentlichen eben aneinander an. Die untere Elektrode 16 weist eine Außenform auf, die größer als diejenige des Wafers 200 ist. Wenn der gerahmte Wafer 8 derart auf der Bühne 300 montiert ist, dass die Mitte des gerahmten Wafers 8 (d. h. die Mitte des Wafers 200) im wesentlichen mit der Mitte der Bühne 300 (d. h. mit der Mitte der unteren Elektrode 16) in einer vertikalen Richtung ausgerichtet ist, passt der Wafer 200 in einen vorbestimmten Abschnitt auf der oberen Fläche der unteren Elektrode 16 und passt der Halterahmen 6 in einen vorbestimmten Abschnitt auf dem Tisch 17 (siehe 1). Die obere Fläche der unteren Elektrode 16 wird durch den dielektrischen Film 18 bedeckt, der durch ein dielektrisches Filmglied gebildet wird.
  • 5 ist eine teilweise vergrößerte Schnittansicht von der Seite der Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In 5 ist eine ringförmige Rille 19 auf der oberen Fläche des Tisches 17 ausgebildet. Die Position und die Größe der Rille 19 sind derart gewählt, dass sie dem Halterahmen 6 des gerahmten Wafers 8 entsprechen, der von oben eingepasst wird, wenn der gerahmte Wafer 8 derart auf der Bühne 300 montiert wird, dass die Mitte des gerahmten Wafers 8 (d. h. die Mitte des Wafers 200) im wesentlichen mit der Mitte der Bühne 300 (d. h. mit der Mitte der unteren Elektrode 16) in einer vertikalen Richtung ausgerichtet ist.
  • Die untere Elektrode 16 ist mit einem Waferhaltemechanismus 20 verbunden (siehe 1). Der Waferhaltemechanismus 20 umfasst ein Vakuumfutter, einen elektrostatischen Saugmechanismus usw. Die Steuereinrichtung 14 leistet eine Steuerung des Waferhaltemechanismus 20, sodass die untere Elektrode 16 den darauf montierten Wafer 200 hält. Eine Hochfrequenz-Stromversorgung 21 und eine Kühleinheit 22 sind mit der unteren Elektrode 16 verbunden. Die Steuereinrichtung 14 leistet eine Steuerung der Hochfrequenz-Stromversorgung 21, um eine Hochfrequenzspannung an der unteren Elektrode 16 anzulegen. Die Steuereinrichtung 14 leistet eine Steuerung der Kühleinheit 22, um ein Kühlmittel in der unteren Elektrode 16 zirkulieren zu lassen.
  • In der Vakuumkammer 5 ist die obere Elektrode 23 über der unteren Elektrode 16 angeordnet. Die obere Elektrode 23 ist mit einem Prozessgas-Zuführabschnitt 31 verbunden, der ein Prozessgas zu der Vakuumkammer 5 zuführt. Insbesondere wird der Prozessgas-Zuführabschnitt 31 unter der Steuerung der Steuereinrichtung 14 betrieben, um ein für die Plasmaverarbeitung benötigtes Prozessgas wie etwa ein Sauerstoff-basiertes Gas und ein Fluor-basiertes Gas über die obere Elektrode 23 zu der Vakuumkammer 5 zuzuführen. Eine Vakuum-Ablassöffnung 5a, die an einem unteren Abschnitt der Vakuumkammer 5 angeordnet ist (siehe 3), ist mit einem Vakuumentlüftungsabschnitt 32 verbunden. Der Vakuumentlüftungsabschnitt 32 wird unter der Steuerung der Steuereinrichtung 14 betrieben und führt Luft unter einer Saugkraft von der Vakuumkammer 5 nach außen ab, um die Vakuumkammer 5 unter einem Vakuum zu halten.
  • Eine poröse Platte 24 ist an der unteren Fläche der oberen Elektrode 23 angeordnet. Das Prozessgas, das von dem Prozessgas-Zuführabschnitt 31 in die obere Elektrode 23 zugeführt wird, geht durch die poröse Platte 24 hindurch und wird gleichmäßig über den auf der Bühne 300 montierten Wafer 200 gesprüht.
  • In der Vakuumkammer 5 ist ein Paar von Hubzylindern 33 in der horizontalen Richtung (d. h. in der Y-Achsenrichtung) senkrecht zu der Richtung der einander gegenüberliegend angeordneten zwei Öffnungen 11 (d. h. zu der X-Achsenrichtung) angeordnet (siehe 1 und 3). Die Hubzylinder 33 weisen Kolbenstangen 34 auf, die sich jeweils in der vertikalen Richtung in der Vakuumkammer 5 erstrecken, wobei die Spitze nach oben gerichtet ist. Die Steuereinrichtung 14 leistet eine Steuerung des Abdeckungsglied-Auf/Abwärts-Antriebsabschnitts 35, sodass die Kolbenstangen 34 der Hubzylinder 33 synchron zueinander nach oben und unten bewegt werden.
  • Das Abdeckungsglied 40 aus einem dielektrischen Material (zum Beispiel Keramik) ist über dem Tisch 17 der Bühne 300 angeordnet. Das Abdeckungsglied 40 ist ringförmig ausgebildet und weist in ihrer Mitte eine runde Öffnung 40a auf. Das Abdeckungsglied 40 weist eine derartige Größe und Form auf, dass der Wafer 200 an der Öffnung 40a freiliegt, während gleichzeitig die obere Fläche des Halterahmens 6 bedeckt wird, wenn das Abdeckungsglied 40 auf den gerahmten Wafer 8 gelegt ist.
  • In 2, 3 und 5 weist das Abdeckungsglied 40 ein Paar von Laschen 41 auf, die einander in der Y-Achsenrichtung gegenüberliegend an dem Außenumfang angeordnet sind. Die Laschen 41 sind jeweils mit den Spitzen (den oberen Enden) der Kolbenstangen 34, die jeweils direkt unter den Laschen angeordnet sind, verbunden. Eine synchrone nach oben und unten gerichtete Bewegung der Kolbenstangen 34 der Hubzylinder 33 gestattet eine nach oben und unten gerichtete Bewegung des Abdeckungsglieds 40, wobei dessen horizontaler Zustand über der Bühne 300 aufrechterhalten wird.
  • Wenn die Hubzylinder 33 die Kolbenstangen 34 zu der oberen Endposition bewegen, ist das Abdeckungsglied 40 an der höchsten Position direkt unter der oberen Elektrode 23 angeordnet (siehe 1 und 3, in denen die Position des Abdeckungsglieds 40 durch die gepunkteten Linien angegeben werden). Wenn der gerahmten Wafer 40 auf der Bühne 300 montiert ist, d. h. wenn die Hubzylinder 33 die Kolbenstangen 34 nach unten zu der unteren Endposition bewegen, befindet sich das Abdeckungsglied 40 an der „Halterahmen-Kontaktposition”, an der das Abdeckungsglied 40 von oben in einem Kontakt mit der oberen Fläche des Halterahmens 6 des gerahmten Wafers 8 steht. Wenn der gerahmten Wafer 8 nicht auf der Bühne 300 montiert ist, befindet sich das Abdeckungsglied 40 an der „Bühnen-Kontaktposition”, an der das Abdeckungsglied 40 von oben in einem Kontakt mit der oberen Fläche der Bühne 300 steht.
  • Wie in 2 und 5 gezeigt, weist die Spitze jeder Kolbenstange 34 eine Vielzahl von Verbindungsvorsprüngen 34a auf, die nach oben vorstehen. Weiterhin weist jede der Laschen 41 des Abdeckungsglieds 40 eine Vielzahl von Verbindungslöchern 41a auf, die sich vertikal durch die Lasche erstrecken. Die Kolbenstangen 34 sind derart mit den Laschen 41 des Abdeckungsglieds 40 verbunden, dass die Verbindungsvorsprünge 34a nach oben in die Verbindungslöcher 41a eingesteckt werden, bis eine Stoßfläche 34b am Ansatz der Verbindungsvorsprünge 34a gegen die untere Fläche der Laschen 41 stößt. Wenn bei dem oben beschriebenen Aufbau das Abdeckungsglied 40 einen Kontakt zu der oberen Fläche des gerahmten Wafers 8 oder der Bühne 300 herstellt, während sich die Kolbenstangen 34 von der oberen Endposition zu der unteren Endposition bewegen, stoppt das Abdeckungsglied 40 an der Kontaktposition. Die Stoßfläche 34b der Kolbenstangen 34 entfernt sich jedoch nach unten von den Laschen 41, wodurch die Verbindung zwischen dem Abdeckungsglied 40 und den Kolbenstangen 34 aufgehoben wird. Die Kolbenstangen 34 bewegen sich nach unten zu der unteren Endposition. Dabei gehen die Verbindungsvorsprünge 34a der Kolbenstangen 34 nach unten durch die Verbindungslöcher 41a der Laschen 41.
  • In dem oben beschriebenen Aufbau sind die Hubzylinder 33 derart positioniert, dass sich die Verbindungsvorsprünge 34a der Kolbenstangen 34 nicht aus den Verbindungslöchern 41a der Laschen 41 lösen, auch wenn das sich nach unten bewegende Abdeckungsglied 40 den Halterahmen 6 des gerahmten Wafers 8 kontaktiert und sich die Kolbenstangen 34 nach unten zu der unteren Endposition bewegen. Wenn sich also die Kolbenstangen 34 der Hubzylinder 33 von der unteren Endposition nach oben bewegen, stößt die Stoßfläche 34b der Kolbenstangen 34 von unten gegen die untere Fläche der Laschen 41 und wird das Abdeckungsglied 40 durch die Kolbenstangen 34 gehoben.
  • 6A und 6B zeigen jeweils eine Seitenansicht eines Saugträgerwerkzeugs und eines gerahmten Wafers der Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In 6A und 6B umfasst das Saugträgerwerkzeug 50, das für das Laden und das Entladen des gerahmten Wafers 8 in und aus der Vakuumkammer 5 verwendet wird, eine Halterung 51 und eine scheibenförmige Waferhalterung 53. Die Halterung 51 wird durch einen Bediener oder eine zusätzlich vorgesehene Wafer-Lade-/Entladeeinrichtung gehalten. Die Waferhalterung 53, die an ihrer unteren Fläche eine Vielzahl von Saugabschnitten 52 aufweist, ist an der Spitze der Halterung 51 angeordnet. Die Waferhalterung 52 weist eine Größe auf, die den Halterahmen 6 des gerahmten Wafers 8 bedeckt. Die Saugabschnitte 52 sind über eine Vakuumleitung (nicht gezeigt), die sich durch die Waferhalterung 53 und die Halterung 51 erstreckt, mit einer Vakuumquelle (ebenfalls nicht gezeigt) verbunden. Nachdem der gerahmte Wafer 8 auf eine flache Ebene gelegt wurde, wird das über dem Wafer 8 angeordnete Saugträgerwerkzeug 50 nach unten nahe zu dem Wafer 8 bewegt (in der durch den Pfeil A in 6A angegebenen Richtung), sodass die Waferhalterung 53 auf die Rahmenhalterung 6 trifft. An der Position, an der die Saugabschnitte 52 die obere Fläche der Rahmenhalterung 6 kontaktieren, wird durch das Abführen der Luft über die Vakuumleitung unter dem Unterdruck aus der Vakuumquelle dafür gesorgt, dass der Halterahmen 6 des gerahmten Wafers 8 an dem Saugabschnitt 52 des Saugträgerwerkzeugs 50 wie in 6B gezeigt haftet. In diesem Zustand trägt das Saugträgerwerkzeug 50 den gerahmten Wafer 8 zu einer vorbestimmten Position, ohne die obere Fläche (auf der eine Schaltung ausgebildet werden soll) des Wafers 200 zu kontaktieren.
  • Im Folgenden werden die Prozeduren der Plasmabehandlung des Wafers 200 durch die Plasmaverarbeitungsvorrichtung 1 der Ausführungsform beschrieben.
  • Zuerst leistet die Steuereinrichtung 14 eine Steuerung des Abdeckungsglied-Auf/Abwärts-Antriebsabschnitts 35, sodass sich die Kolbenstangen 34 der Hubzylinder 33 nach oben zu der oberen Endposition bewegen, um das Abdeckungsglied 40 zu der höchsten Position zu heben.
  • Nachdem das Abdeckungsglied 40 an der höchsten Position platziert wurde, haftet der gerahmte Wafer 8 aufgrund der Saugkraft an dem Saugträgerwerkzeug 50 außerhalb der Vakuumkammer 5. Die Steuereinrichtung leistet eine Steuerung des Tor-Öffnungs-/Schließ-Antriebsabschnitts 15, um das Tor 12 an einer der Öffnungen 11 nach unten zu bewegen und dadurch die Öffnung zu öffnen.
  • 7 bis 9 sind Schnittansichten von vorne der Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In 7 wird das Saugträgerwerkzeug 50 mit dem daran haftenden Wafer 8 horizontal durch eine der Öffnungen 11 eingesteckt, sodass der gerahmte Wafer 8 über der Bühne 300 angeordnet ist. In 8 wird das Saugträgerwerkzeug 50 nach unten bewegt, sodass der Halterahmen 6 des gerahmten Wafers 8 direkt über der Rille 19 an dem Tisch 17 der Bühne 300 positioniert ist. In 9 gestattet das Beenden des Vakuumsogs des Saugträgerwerkzeugs 50, dass der Halterahmen 6 des gerahmten Wafers 8 aufgrund seines Eigengewichts in die Rille 19 gepasst wird. Durch diese Prozeduren wird der Wafer 200 an der unteren Elektrode 16 montiert.
  • Wie weiter oben beschrieben, sind die Position und die Größe der Rille 19 derart gewählt, dass sie dem Halterahmen 6 des eingepassten gerahmten Wafers 8 entsprechen, wenn der gerahmte Wafer derart an der Bühne 300 montiert ist, dass seine Mitte im wesentlichen mit der Mitte der Bühne 300 ausgerichtet ist. Wenn also der Halterahmen 6 des gerahmten Wafers 8 in die Rille 19 gepasst wird, kann der gerahmte Wafer 8 derart an der Bühne 300 montiert werden, dass die Mitte des gerahmten Wafers 8 (d. h. die Mitte des Wafers 200) und die Mitte des Wafers 300 (d. h. die Mitte der unteren Elektrode 16) in einer vertikalen Richtung im wesentlichen ausgerichtet sind.
  • Nachdem der gerahmte Wafer 8 an der Bühne 300 montiert wurde, wird das Saugträgerwerkzeug 50 aus der Vakuumkammer 5 entladen. Die Steuereinrichtung 14 leistet eine Steuerung des Tor-Öffnungs-/Schließ-Antriebsabschnitts 15, sodass sich eines der Tore 12, das an der derzeit geöffneten Öffnung 11 angeordnet ist, nach oben bewegt und dadurch die Öffnung schließt.
  • Wenn die Öffnungen 11 geschlossen sind, leistet die Steuereinrichtung 14 eine Steuerung des Abdeckungsglied-Auf/Abwärts-Antriebsabschnitts 35, sodass das Abdeckungsglied 40 nach unten bewegt wird. Während der nach unten gerichteten Bewegung kontaktiert das Abdeckungsglied 40 von oben die obere Fläche des Halterahmens 6 des an der Bühne 300 montierten gerahmten Wafers 8 und bleibt an dieser Halterahmen-Kontaktposition stehen. Nachdem das Abdeckungsglied 40 von oben die obere Fläche des Halterahmens 6 des an der Bühne 300 montierten gerahmten Wafers 8 kontaktiert hat und an der Halterahmen-Kontaktposition stehen geblieben ist, lösen sich die Kolbenstangen 34 aus der Verbindung mit dem Abdeckungsglied 40, sodass das Abdeckungsglied 40 an dem Halterahmen 6 gelassen wird. Der Halterahmen 6 wird durch das Eigengewicht des Abdeckungsglieds 40 nach unten auf die Bühne 300 gedrückt. Der Halterahmen 6 wird also zwischen dem Abdeckungsglied 40 und der Bühne 300 eingeschlossen an dem Tisch 17 der Bühne 300 fixiert (siehe 1). In diesem Zustand, in dem das Abdeckungsglied 40 an dem Halterahmen-Kontaktteil positioniert ist, wird die obere Fläche des Halterahmens 6 des gerahmten Wafers 8 von oben durch das Abdeckungsglied 40 bedeckt, während gleichzeitig der Wafer 200 über die Öffnung 40a in der Mitte des Abdeckungsglieds 40 nach außen hin freiliegt. Dabei ist der Innenumfang 40b der Öffnung 40a des Abdeckungsglieds 40 horizontal dem Außenumfang 2a des Wafers 200 zugewandt (siehe 5). Weiterhin ist der Innenumfang 40b der Öffnung 40a des Abdeckungsglieds 40 dem Außenumfang 2a des Wafers 200 benachbart, wobei die zwischen dem Außenumfang 2a des Wafers 200 und dem Innenumfang 6a des Halterahmens 6 freiliegende Fläche der Kleberschicht 7 beinahe vollständig durch den Innenumfangsabschnitt 40c um die Öffnung 40a des Abdeckungsglieds 40 bedeckt wird, der sich horizontal über eine bestimmte Distanz von der Kleberschicht 7 erstreckt (siehe 5). Durch das Beibehalten eines Abstands zu der Kleberschicht 7 bedeckt das Abdeckungsglied 40 (in dieser Ausführungsform nur teilweise) die Fläche des Abdeckungsglieds 7, die zwischen dem Außenumfang 2a des Wafers 200 und dem Innenumfang 6a des Halterahmens 6 freiliegt.
  • In 5 gibt Δ den vertikalen Abstand zwischen der unteren Fläche des Innenumfangsabschnitts 40c um die Öffnung 40a des Abdeckungsglieds 40 und der oberen Fläche der Kleberschicht 7 wieder. Weiterhin gibt L den horizontalen Abstand zwischen dem Innenumfang 40b der Öffnung 40a des Abdeckungsglieds 40 und dem Innenumfang 6a des Halterahmens 6 an. Wenn also das Abdeckungsglied 40 die obere Fläche des Halterahmens 6 von oben kontaktiert und an der Halterahmen-Kontaktposition positioniert ist, sind der vertikale Abstand Δ und der horizontale Abstand L derart bemessen, dass das Plasma den Halterahmen 6 unter dem Abdeckungsglied 40 auch dann kaum erreichen kann, wenn es durch den Bereich zwischen dem Außenumfang 2a des Wafers 200 und dem Innenumfang 40b der Öffnung 40a des Abdeckungsglieds 40 eindringt.
  • Nachdem der Wafer 200 als zu behandelndes Objekt an der unteren Elektrode 16 der Bühne 300 montiert wurde, leistet die Steuereinrichtung 14 eine Steuerung des Vakuumentlüftungsabschnitts 32, um Luft aus der Vakuumkammer 5 nach außen abzuführen und ein Vakuum in derselben aufrechtzuerhalten. Dann leistet die Steuerung 14 eine Steuerung des Prozessgas-Zuführabschnitts 31, um ein Prozessgas (z. B. ein Fluor-basiertes Gas oder ein Sauerstoff-basiertes Gas) zu der oberen Elektrode 23 zuzuführen. Das durch die poröse Platte 24 gehende Prozessgas wird gleichmäßig auf die obere Fläche des an der Bühne 300 montierten Wafers 200 gesprüht. In diesem Zustand steuert die Steuereinrichtung 14 die Hochfrequenz-Stromversorgung 21, um eine Hochfrequenzspannung an der unteren Elektrode 16 anzulegen. Das Anlegen der Hochfrequenzspannung erzeugt ein Plasma aus einem Fluor-basierten Gas zwischen der unteren Elektrode 16 und der oberen Elektrode 23. Der Wafer 200 wird dadurch einer Plasmabehandlung unterzogen.
  • Während der Plasmabehandlung bedeckt das Abdeckungsglied 40 die obere Fläche des Halterahmens 6, der aus einem Metall oder ähnlichem ausgebildet wird und den Umfang der Kleberschicht 7 hält, um zu verhindern, dass sich das in der Vakuumkammer 5 erzeugte Plasma an dem Halterahmen 6 konzentriert. Während der Plasmabehandlung leistet die Steuereinrichtung 14 eine Steuerung der Kühleinheit 22, um ein Kühlmittel in der unteren Elektrode 16 zirkulieren zu lassen. Dadurch wird der Wafer 200 vor einer durch die Wärme des Plasmas verursachte Temperaturerhöhung geschützt.
  • Nach Abschluss der Plasmabehandlung des Wafers 200 leistet die Steuereinrichtung 14 eine Steuerung des Prozessgas-Versorgungsabschnitts 31, um die Zufuhr des Prozessgases zu der Vakuumkammer 5 zu stoppen. Gleichzeitig leistet die Steuereinrichtung 14 eine Steuerung des Vakuumentlüftungsabschnitts 32, um das Vakuum in der Vakuumkammer 5 aufzuheben. Die Steuerung 14 leistet eine Steuerung des Abdeckungsglied-Auf-/Abwärts-Antriebsabschnitts 35, um die Kolbenstangen 34 der zwei Hubzylinder 33 zu der oberen Endposition zu bewegen. Dadurch kann das Abdeckungsglied 40 an der höchsten Position platziert werden. Dann öffnet die Betriebssteuerung der Steuereinrichtung 14 eines der Tore 12 für eine der Öffnungen 11. Das Saugträgerwerkzeug 50 wird durch die geöffnete Öffnung in die Vakuumkammer 5 eingeführt. Ähnlich wie bei dem Laden des Wafers in die Vakuumkammer 5 wird der gerahmte Wafer 8 durch die Saugkraft an dem Saugträgerwerkzeug 50 gehalten. Das Saugträgerwerkzeug 50 mit dem gerahmten Wafer 8 wird durch die eine geöffnete Öffnung 11 aus der Vakuumkammer 5 entladen. Danach wird das Tor auf der Seite der geöffneten Öffnung geschlossen. Damit wird die Abfolge von Operationen abgeschlossen.
  • Der gerahmte Wafer 8 wird nach der Plasmabehandlung nicht notwendigerweise durch die für das Laden des gerahmten Wafers 8 vor der Plasmabehandlung verwendete Öffnung entladen. Zum Beispiel kann der gerahmte Wafer 8 auch durch die andere Öffnung entladen werden, die der für das Laden verwendeten Öffnung gegenüberliegt. Insbesondere wenn die Plasmabehandlung in einem Inline-Prozess ausgeführt wird, bei dem die Plasmaverarbeitungsvorrichtung 1 mit anderen Vorrichtungen verbunden ist, wird vorzugsweise eine Öffnung für das Laden und die andere Öffnung für das Entladen verwendet.
  • Bei der Plasmaverarbeitungsvorrichtung 1 der beispielhaften Ausführungsform wird während der Plasmabehandlung des Wafers 200, der als zu behandelndes Objekt an der Bühne 300 montiert ist, der Halterahmen 6 zum Halten der Kleberschicht 7 durch das dielektrische Abdeckungsglied 40 bedeckt, das an einer vorbestimmten Position über der Bühne 300 (d. h. an der Halterahmen- Kontaktposition) platziert ist. Gleichzeitig liegt der Wafer 200 durch die Öffnung 40a in der Mitte des Abdeckungsglieds 40 frei. Durch diesen Aufbau wird verhindert, dass sich das in der Vakuumkammer 5 erzeugte Plasma an dem Halterahmen 6 konzentriert, sodass die Plasmabehandlung an dem Wafer 200 ohne Behinderung fortschreiten kann. Daraus resultiert, dass die Leistung der Plasmabehandlung auf dem Wafer 200 mit dem Halterahmen 6 verbessert wird.
  • Außerdem kann bei der Plasmaverarbeitungsvorrichtung 1 der beispielhaften Ausführungsform das Abdeckungsglied 40 über der Bühne mittels eines in der Vakuumkammer 5 angeordneten Paars von Hubzylindern 33 (Hubmechanismus) nach oben und unten bewegt werden. Die nach unten gerichtete Bewegung des Hubmechanismus gestattet, dass das Abdeckungsglied 40 nach unten bewegt wird und den Halterahmen 6 von oben kontaktiert, um an der oben genannten vorbestimmten Position (an der Halterahmen-Kontaktposition) positioniert zu werden. Dieser Aufbau ermöglicht eine einfache Positionierung des Abdeckungsglieds 40. Außerdem kann die Positionierung des Halterahmens 6 auf der Bühne 300 – die nicht mittels des Waferhaltemechanismus 20 erzielt werden kann – einfach durch das Eigengewicht des korrekt positionierten Abdeckungsglieds 40 erzielt werden.
  • Das an der vorbestimmten Position (an der Halterahmen-Kontaktposition) platzierte Abdeckungsglied 40 bedeckt wenigstens eine Fläche der Kleberschicht 7, die zwischen dem Außenumfang 2a des Wafers 200 und dem Innenumfang 6a des Halterahmens 6 freiliegt. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform entspricht die oben genannte freiliegende Fläche dem in 5 gezeigten ringförmigen Bereich mit der Breite L. Die Fläche der Kleberschicht 7 zwischen dem Außenumfang 2a des Wafers 200 und dem Innenumfang 6a des Halterahmen 6 wird beinahe vollständig durch das Abdeckungsglied 40 bedeckt. Wenn der Abstand zwischen dem Außenumfang 2a des Wafers 200 und dem Innenumfang 6a des Halterahmens 6 relativ groß vorgesehen ist, um den Wafer 200 in folgenden Prozessen zu handhaben (z. B. in einem Dehnungsprozess nach dem Dicing), wird die freiliegende Fläche der Kleberschicht 7 in einem breiten Bereich dem Plasma ausgesetzt. Durch die Aussetzung an das Plasma wirken eine Wärmeverzerrung oder Variationen in dem Ausdehnungsgrad der Kleberschicht 7 während des Dehnungsprozesses 200, wodurch eine einfache Handhabung des gerahmten Wafers 8 nach der Plasmabehandlung beeinträchtigt wird. Bei der Plasmaverarbeitungsvorrichtung 1 dieser Ausführungsform bedeckt das Abdeckungsglied 40 den oben genannten Bereich und schützt ihn vor einer Aussetzung an das Plasma. Durch den Aufbau dieser Ausführungsform können also die weiter oben geschilderten Probleme beseitigt werden.
  • Wie vorstehend beschrieben, dient das Abdeckungsglied 40 als eine Abdeckung, die die obere Fläche des Halterahmens 6 des als zu behandelndem Objekt montierten gerahmten Wafers 8 bedeckt. Wenn das zu behandelnde Objekt ein Wafer 200 ohne einen Halterahmen 6 ist (aber einen gleichen Durchmesser wie der Wafer 200 des gerahmten Wafers 8 aufweist), gestattet eine vorausgehende Positionierung des Abdeckungsglieds 40 an der Bühnenkontaktposition auf der Bühne 300, dass das Abdeckungsglied als Positionierungsziel für eine korrekte Platzierung des Wafers 200 auf der Bühne 300 verwendet wird.
  • 10 bis 12 sind Schnittansichten von vorne einer anderen Plasmaverarbeitungsvorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In 10 leistet die Steuereinrichtung 14 eine Steuerung des Abdeckungsglied-Auf-/Abwärts-Antriebsabschnitts 35, um das Abdeckungsglied 40 über der Bühne 300 anzuordnen. Der Wafer 200, der durch eine Saugkraft an dem Saugträgerwerkzeug 50 haftet, wird durch eine geöffnete Öffnung 11 in die Vakuumkammer 5 geladen und über der Bühne 300 positioniert. In 11 wird das Saugträgerwerkzeug 50 derart nach unten bewegt, dass der Außenumfang 2a des Wafers 200 in die Öffnung 40a des Abdeckungsglieds 40 passt, wobei dann der Vakuumsog des Saugträgerwerkzeugs 50 aufgehoben wird. In 12 befindet sich der Wafer 200 derart auf der Bühne 300 (d. h. auf der unteren Elektrode 16, die durch den dielektrischen Film 18 bedeckt wird), dass die Mitte des Wafers 200 im wesentlichen mit der Mitte der unteren Elektrode 16 der Bühne 300 in einer vertikalen Richtung ausgerichtet ist.
  • Die Plasmaverarbeitungsvorrichtung 1 der Ausführungsform kann für einen Wafer 200 mit einem Halterahmen 6 und einen Wafer 200 ohne einen Halterahmen 6 verwendet werden. Wenn ein Wafer 200 mit einem Halterahmen 6 verwendet wird, bedeckt das Abdeckungsglied 40 die obere Fläche des Halterahmens 6 von oben, nicht nur, um eine Konzentration des Plasmas an dem aus einem Metall oder ähnlichem ausgebildeten Halterahmen 6 zu verhindern, sondern auch, um die Kleberschicht 7 vor einer durch die Aussetzung an das Plasma verursachten Beeinträchtigung zu schützen. Wenn ein Wafer 200 ohne Halterahmen 6 verwendet wird, dient das Abdeckungsglied 40 als ein Positionierungsglied für die Montage des Wafers 200 an der unteren Elektrode 16 der Bühne 300.
  • Wie weiter oben beschrieben, wird die obere Fläche der unteren Elektrode 16 durch den dielektrischen Film 18 bedeckt. Außerdem weist die untere Elektrode 16 wie in 10 gezeigt eine Außenform auf, die größer als die durch die Öffnung 40a umgebene Fläche der Bühne 300 (und insbesondere als die Fläche der Öffnung 40a des Abdeckungsglieds 40 auf der Stufe 300) ist. Die durch die Öffnung 40a des auf der Bühne 300 positionierten Abdeckungsglieds 40 umgebene Fläche wird also durch den dielektrischen Film 18 bedeckt. Also auch wenn die untere Elektrode 16 einen Durchmesser aufweist, der größer als der Wafer 200 ist, wird die (obere) Fläche der unteren Elektrode 16 nicht dem Plasma ausgesetzt. Daraus resultiert, dass die Plasmabehandlung auf dem Wafer 200 als dem zu behandelnden Objekt ohne eine durch eine Konzentration des Plasmas an der Fläche der unteren Elektrode 16 verursachte Behinderung fortschreiten kann.
  • Die Erfindung wurde anhand von bestimmten Ausführungsformen beschrieben, wobei die Erfindung nicht auf die hier beschriebenen Aufbauten beschränkt ist. Zum Beispiel ist bei dem oben beschriebenen Aufbau die obere Fläche der unteren Elektrode 16 durch einen dielektrischen Film 18 (d. h. durch ein Filmglied aus einem dielektrischen Material) bedeckt. Wenn die Plasmabehandlung nicht auf einem Wafer 200 ohne Halterahmen 6 ausgeführt wird, muss der Aufbau allerdings nicht notwendigerweise einen dielektrischen Film 18 umfassen.
  • Bei dem oben beschriebenen Aufbau der Ausführungsform kann das Abdeckungsglied 40 über der Bühne 300 durch ein in der Vakuumkammer 5 angeordnetes Paar von Hubzylindern 33 (Hubmechanismus) nach oben und unten bewegt werden. Durch die nach unten gerichtete Bewegung des Hubmechanismus kann das Abdeckungsglied 40 den Halterahmen 6 von oben kontaktieren, wodurch das Abdeckungsglied 40 an der oben genannten vorbestimmten Position (an der Halterahmen-Kontaktposition) positioniert wird. Das Abdeckungsglied 40 muss jedoch nicht notwendigerweise von oben in einen Kontakt mit dem Halterahmen 6 gebracht werden. Zum Beispiel kann der Halterahmen 6 auch durch ein Paar von Hubzylinder 33 an einer vorbestimmten Position (an der Halterahmen-Kontaktposition) positioniert werden, ohne dass dabei ein Kontakt des Abdeckungsglieds 40 von oben mit dem Halterahmen 6 hergestellt wird.
  • Weiterhin muss die Vorrichtung nicht unbedingt einen Aufbau aufweisen, in dem das Abdeckungsglied 40 durch den in der Vakuumkammer 5 angeordneten Hubmechanismus nach oben und unten bewegt wird. Zum Beispiel kann ein Bediener die Aufgabe übernehmen, das Abdeckungsglied 40 manuell in und aus der Vakuumkammer 5 zu laden und zu entladen und das Abdeckungsglied 40 auf dem Halterahmen 6 des gerahmten Wafers 8 auf der Bühne 300 zu montieren.
  • Weiterhin wird in den oben beschriebenen Ausführungsformen der gerahmte Wafer 8 derart auf der Bühne 300 montiert, dass der Wafer 200 über der Kleberschicht 7 positioniert ist. Der gerahmte Wafer 8 kann aber auch umgekehrt auf der Bühne 300 montiert werden, sodass der Wafer 200 unter der Kleberschicht 7 positioniert ist. Wenn der gerahmte Wafer 8 in der umgekehrten Haltung auf der Bühne 300 montiert wird, folgt die Plasmabehandlung der folgenden Prozedur. Zuerst wird eine Rille an der Kleberschicht 7 entlang der Dicing-Linie des Wafers 200 durch das Führen eines Laserlichts entlang der Dicing-Linie von der Seite der Kleberschicht 7 ausgebildet. Dann wird der gerahmte Wafer 8 auf der Bühne 300 der Plasmaverarbeitungsvorrichtung 1 montiert. Anschließend wird der Halterahmen 6 durch das Abdeckungsglied 40 von oben gehalten und wird ein Plasmaätzen auf dem Wafer 200 ausgeführt, wobei die Kleberschicht 7 als Ätzmaske dient, sodass der Wafer 200 einem Plasma-Dicing unterzogen wird, in dem der Wafer 200 in eine Vielzahl von Chips unterteilt wird.
  • Industrielle Anwendbarkeit
  • Wenn ein zu behandelndes Objekt mit einem Halterahmen einer Plasmabehandlung unterzogen wird, kann die vorliegende Erfindung eine Plasmaverarbeitungsvorrichtung vorsehen, die eine Konzentration des Plasmas an dem Halterahmen verhindert und die Leistung der Behandlung verbessert.
  • Zusammenfassung
  • Es wird eine Plasmaverarbeitungsvorrichtung (1) angegeben, die ein durch eine Plasmabehandlung zu behandelndes Objekt vorsieht. Der Wafer (200), der als zu behandelndes Objekt an der oberen Fläche einer durch einen Halterahmen (6) gehaltenen Kleberschicht befestigt ist, wird auf einer Bühne (300) montiert. In der Vakuumkammer (5), in der die Bühne (300) aufgenommen ist, wird ein Plasma erzeugt, sodass der an der Bühne (300) montierte Wafer (200) einer Plasmabehandlung unterzogen wird. Die Plasmaverarbeitungsvorrichtung (1) enthält ein Abdeckungsglied (40), das aus einem dielektrischen Material ausgebildet ist. Während der Plasmabehandlung auf dem Wafer (200) wird der Halterahmen (6) durch das Abdeckungsglied (40) bedeckt, das an einer vorbestimmten Position über der Bühne (300) positioniert ist, während gleichzeitig der Wafer (200) durch eine Öffnung (40a) in der Mitte des Abdeckungsglieds (40) freiliegt.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - JP 2006-066602 [0003]
    • - JP 2002-190463 [0003]

Claims (4)

  1. Plamaverarbeitungsvorrichtung für eine Plasmabehandlung, in der ein zu behandelndes Objekt, das an einer oberen Fläche einer durch einen Halterahmen gehaltenen Kleberschicht befestigt ist, auf einer Bühne montiert wird, wobei ein Plasma in einer Vakuumkammer, in der die Bühne aufgenommen ist, erzeugt wird, sodass das Objekt auf der Bühne einer Plasmabehandlung unterzogen wird, wobei die Vorrichtung umfasst: ein dielektrisches Abdeckungsglied, das an einer vorbestimmten Position über der Bühne positioniert wird, sodass der Halterahmen durch eine Öffnung in der Mitte des Abdeckungsglieds freiliegt, während das zu behandelnde Objekt der Plasmabehandlung unterzogen wird.
  2. Plasmaverarbeitungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Abdeckungsglied durch einen in der Vakuumkammer angeordneten Hubmechanismus über der Bühne nach oben und nach unten bewegt werden kann, wobei die durch den Hubmechanismus veranlasste, nach unten gerichtete Bewegung dafür sorgt, dass das Abdeckungsglied von oben in einen Kontakt mit dem Halterahmen gebracht und an der vorbestimmten Position positioniert wird.
  3. Plasmaverarbeitungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei das an der vorbestimmten Position positionierte Abdeckungsglied wenigstens eine freiliegende Fläche der Kleberschicht zwischen einem Außenumfang des zu behandelnden Objekts und einem Innenumfang des Halterahmens von oben bedeckt.
  4. Plasmaverarbeitungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei, wenn das Abdeckungsglied an der Bühne montiert ist, die durch die Öffnung des Abdeckungsglieds umgebene Fläche auf der Bühne durch ein Filmglied aus einem dielektrischen Material bedeckt wird.
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