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HINTERGRUND
DER ERFINDUNG
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Gebiet der
Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein photolithographisches System
nach dem Anspruch 1 sowie ein photolithographisches Verfahren nach
Anspruch 13 zur Erfassung von Verunreinigungen auf der Oberfläche von
Wafern.
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Aus
der
DE 696 22 384
T2 ist eine Anordnung zum Prüfen der Oberfläche eines
Werkstücks, wie
z.B. eines Siliziumwafers, bekannt, die zum Detektieren von Partikeln,
Fehlern oder anderen Oberflächeneigenschaften
in oder auf der Oberfläche
des Prüflings
geeignet ist. Die bekannte Anordnung weist die Merkmale des Oberbegriffes
des Anspruches 1 auf, und zwar eine Anordnung mit einem Tisch, der nahe
der Beladungsvorrichtung positioniert ist, wo ein Träger zum
Halten des Wafers angeordnet ist, der durch einen Roboter zu transportieren
ist. Ferner verwendet die bekannte Anordnung einen Laser als Lichtquelle
zum Beleuchten der Oberfläche
des Wafers und es sind auch Mittel vorgesehen, die das von der Oberfläche reflektierte
Licht empfangen, welches dann von einer Steuervorrichtung ausgewertet
wird, welche die Prüfanordnung
steuert.
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Aus
der
DE 41 23 916 C2 ist
es bekannt, beim Erkennen von Oberflächenmerkmalen eines Objektes
eine Vielzahl von Lichtquellen in einem kreisförmigen Bogen anzuordnen sowie
eine Kamera zur Bilderstellung zu verwenden.
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Aus
der
DE 91 16 655 U1 ist
eine Vorrichtung zur Beleuchtung von Prüfobjekten, insbesondere Leiterplatten
und der auf den Leiterplatten aufgebrachten Bauteile in einem Leiterplattenprüfsystem
bekannt, wobei zur Beleuchtung aus verschiedenen Richtungen mehrere
Lichtleiter angeordnet sind, in die Licht eingespeist wird. Das
Wesentliche dieser bekannten Vorrichtung besteht darin, daß das Licht einer
Lichtquelle gleichzeitig in alle zur Beleuchtung vorhandenen Lichtleiter
permanent eingespeist wird, die einzelnen Lichtleiter mit elektrisch
ansteuerbaren Lichtventilen versehen sind, die den Lichtleiter in lichtleitenden
und lichtundurchlässigen
Zustand schalten, und die Lichtventile von einer Steuereinheit angesteuert
werden.
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Im
allgemeinen wird eine Halbleitervorrichtung unter Verwendung von
sich wiederholenden und ausgewählten
Prozeßschritten,
wie beispielsweise Photolithographie, Ätzen, Diffusion, chemische Dampfphasenabscheidung,
Ionenimplantation, Metallabscheidung und dergleichen hergestellt.
Einer der häufigeren
durchgeführten
Verfahrensschritte ist ein photolithographischer Verfahrensschritt
zum Ausbilden einer Mustermaske auf dem Wafer.
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Ein
herkömmliches
photolithographisches Verfahren wird unter Bezugnahme auf 1 im folgenden beschrieben.
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Bei
einem herkömmlichen
photolithographischen Verarbeitungssystem, wie es in 1 gezeigt ist, wird eine
Vielzahl von auf einem Träger
C montierten Wafern W von einer Produktionslinie auf eine Ladevorrichtung 12 bewegt
und anschließend
einer nach dem anderen zu einer gewünschten Stelle durch eine Vielzahl
von Robotern R1, R2 und R3 einer Transportvorrichtung 14 transportiert,
welche auf einer Seite der Ladevorrichtung 12 installiert
ist.
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Hierbei
nimmt ein erster Roboter R1, der benachbart zu der Ladevorrichtung 12 eingeordnet
ist, einen ersten Wafer aus dem Träger C und bewegt in auf einen
ersten Tisch T1, welcher zwischen dem ersten Roboter R1 und einem
zweiten Roboter R2 positioniert ist. Der zweite Roboter R2 bewegt
anschließend
den Wafer W, der auf einem ersten Tisch T1 plaziert ist, durch eine
Vorverarbeitungseinheit 16, bei der Vorbehandlungsschritte
vor einem Photoexpositions- bzw. Photobelichtungsverfahren (photo-exposure)
durchgeführt
werden. Die durchgeführten
Vorbehandlungsschritte enthalten ein Abscheiden einer Beschichtungsflüssigkeit
auf der Oberfläche
des Wafers W, ein Hinzufügen
eines Photoeresists auf die Oberfläche des Wafers W, der mit der Beschichtungsflüssigkeit
bedeckt ist, ein Heizen und Kühlen
der Beschichtungsflüssigkeit
und des Photoresists, das an der Oberfläche abgeschieden worden ist,
und Entfernen des auf einem Randabschnitt des Wafers W abgeschiedenen
Photoresists mit Photobelichtung.
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Anschießend wird
der durch die zuvor erwähnten
Schritte vorbehandelte Wafer durch den zweiten Roboter R2 zu einem
zweiten Tisch T2 nahe einer Photoexpostions- bzw. Photobelichtungseinheit 18 transportiert.
Als nächstes
transportiert ein dritter Roboter R3, der nahe der Photobelichtungseinheit 18 positioniert
ist, den Wafer zu der Photobelichtungseinheit 18 für aufeinanderfolgende
Schritte der Ausrichtung, der Photobelichtung und der Untersuchung. Nach
der Untersuchung bringt der dritte Roboter R3 den Wafer W wieder
zu dem zweiten Tisch T2 zurück.
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Nachdem
der Wafer eine Serie von Verarbeitungsschritten nach einer Photobelichtung
durchlaufen hat, wird er durch den zweiten Roboter zu einer Nachverarbeitungseinheit 20 bewegt,
bei der eine Reihe von Nachbehandlungsschritten, einschließlich Entwicklungs-
und Reinigungsschritten durchgeführt werden.
Nach den Nachbehandlungsschritten bringt der zweite Roboter R2 den
Wafer W zu dem ersten Tisch T1 zurück, welcher in der Nähe der Ladevorrichtung 12 ist,
für einen
darauffolgenden Entladungsschritt. Während des Entladungsschritts
montiert der erste Roboter R1 den Wafer W auf einen angeforderten
Träger
C.
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Während der
Reihe von Verarbeitungsschritten können eine Reihe von Verunreinigungen,
wie beispielsweise Partikel, auf der Oberfläche des Wafers W verbleiben,
der eine Reihe von Verarbeitungsschritten für die Photobelichtung durchlaufen
hat. Diese auf der Waferoberfläche übriggebliebenen
Verunreinigungen können
Defekte und andere Fehler bei dem Verfahren der Photoresistbeschichtung
und der Photobelichtungsschritte verursachen.
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Folglich
vergrößert das
Vorhandensein von Verunreinigungen eine Nachbehandlungsrate der photolithographischen
Verfahrensschritte und verringert die Produktivität. Überdies
verschlechtert das Vorhandensein von Verunreinigungen die Qualität und die
Ausbeute der Halbleitervorrichtungen.
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Überdies
ist es bei dem durch die Nachverarbeitungseinheit 20, die
einen Entwicklungsschritt durchführt,
transportierten und wiederum auf dem Träger C der Ladevorrichtung 12 montierten
Wafers W möglich,
daß auf
seiner Oberfläche
Partikel übrigbleiben,
welche durch ein Verursachen von Fehlern in darauffolgenden Verarbeitungsschritten
ein Problem darstellen.
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KURZFASSUNG
DER ERFINDUNG
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Es
ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die zuvor erwähnten Probleme
des Standes der Technik zu lösen.
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Speziell
ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein photolithographisches
System und ein Verfahren zu schaffen, welche in der Lage sind, ein Vorhandensein
von Verunreinigungen einschließlich von
Partikeln, die auf einer Oberfläche
des Wafers, auf welcher ein Photobelichtungsschritt ausgeführt werden
soll, übrig
geblieben sind, zu erfassen, um die Entfernung der Verunreinigungen
von dem Wafer möglichst
vollständig
zu erreichen, was mögliche
Defekte und Fehler in einer Reihe von darauf folgenden Verarbeitungsschritten,
einschließlich
einer Photobelichtung, verhindert, wodurch eine Nachbehandlung verringert
werden soll, die Produktivität
erhöht
werden soll und die Qualität
und die Ausbeute der Halbleitervorrichtungen verbessert werden soll.
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Gemäß dem erfindungsgemäßen photolithographischen
Verarbeitungssystem wird die genannte Aufgabe durch die im Anspruch
1 angegebenen Merkmale gelöst.
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Vorteilhafte
Ausgestaltungen und Weiterbildungen des erfindungsgemäßen photolithographischen
Verarbeitungssystems ergeben sich aus den Unteransprüchen 2 bis
11.
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In
Verbindung mit dem erfindungsgemäßen Verfahren
wird die genannte Aufgabe durch die Merkmale des Anspruches 12 gelöst.
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Vorteilhafte
Ausgestaltungen und Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens
ergeben sich aus dem Unteranspruch 13.
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Die
Vielzahl der Beleuchtungsgeräte
kann ein einziger oder eine Mehrzahl von Lasern, ultravioletten
Lampen oder einer Kombination der beiden sein. Die Kamera kann aus
einer Ladungsträger-gekoppelten
Vorrichtung aufgebaut sein.
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Die
Vielzahl von Beleuchtungsgeräten
kann durch erste Beleuchtungsgeräte,
die seitlich in verschiedenen Höhen
zum Beleuchten der Oberfläche des
Wafers unter zahl reichen bestimmten Neigungswinkeln positioniert
sind, und einem zweiten Beleuchtungsgerät, zum Beleuchten der Oberfläche des
Wafers auf dem Tisch vertikal von oben, vorgesehen werden.
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Vorzugsweise
sind die ersten Beleuchtungsgeräte
mit einem Neigungswinkel (θ)
positioniert, der von größer 0° bis weniger
als ungefähr
70° (d.
h., 0° < θ < 70°) relativ
zu der Oberfläche
des Wafers reicht, der auf dem Tisch angeordnet ist.
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Außerdem kann
ein Halbspiegel zwischen der Kamera und dem Wafer und entfernt von
dem Neigungswinkel der Vielzahl der ersten Beleuchtungsgeräte positioniert
sein. Bei einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung ist das zweite Beleuchtungsgerät zum Beleuchten
der Oberfläche
auf den Wafer durch den Halbspiegel positioniert. Alternativ kann
das zweite Beleuchtungsgerät
ohne dem zusätzlichen
Halbspiegel um die Kamera herum angeordnet sein. Bei einer anderen
Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung kann das zweite Beleuchtungsgerät eine Vielzahl
von zweiten Beleuchtungsgeräten
sein.
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Vorzugsweise
steuert die Steuervorrichtung zusätzlich eine Lichtintensität und einen
Beleuchtungswinkel gemäß einem
Beleuchtungssteuersignal. Insbesondere für den Fall, bei dem die Beleuchtungsgeräte eine
Vielzahl von ersten Beleuchtungsgeräten enthalten, die in unterschiedlichen
Höhen an beiden
Seiten des Tisches positioniert sind, um eine Beleuchtung aus unterschiedlichen
Neigungswinkeln zu ermöglichen,
und bei dem das zweite Beleuchtungsgerät die Oberfläche des
Wafers auf dem Tisch senkrecht von oben beleuchtet, kann die Steuervorrichtung
enthalten: eine Hebeeinrichtung zum Auf- und Abbewegen der ersten
Beleuchtungsgeräte
in Reaktion auf ein angelegtes Beleuchtungssteuersignal und eine
Lichtintensitätseinheit
zum Steuern der Lichtintensität
durch Verändern
eines Widerstandswerts, der in Reihe mit der Leistungsquelle verbunden
ist, die mit den ersten und zweiten Beleuchtungsgeräten verbunden
ist, in Reaktion auf andere angelegte Beleuchtungssteuersignale.
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Bei
einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung ist der Tisch vorzugsweise in der Lage, sich
in Reaktion auf die Steuersignale von der Steuervorrichtung zu drehen,
was es möglich
macht, die Position des Wafers in Reaktion auf Beleuchtungswinkel
der ersten und zweiten Beleuchtungsgeräte zu drehen. Außerdem kann
der Tisch derart installiert sein, daß eine Seiten- und Längsbewegung
möglich ist.
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Ein
anderes Merkmal einer Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung sieht ein Verfahren für ein photolithographisches
System vor, das enthält:
Beleuchten einer Oberfläche
eines Wafers mit ersten und zweiten Beleuchtungsgeräten; Erstellen
von Bildern der Oberfläche
des Wafers mit einer Kamera während
die Waferoberfläche
beleuchtet wird; Empfangen eines Signals von der Kamera in einer
Steuervorrichtung; Erfassen des Vorhandenseins von Partikeln auf
der Oberfläche
des Wafers mit der Steuervorrichtung; und Tranportieren des Wafers
zu der Verfahrensdurchführungs-
oder Reinigungsposition, abhängig
davon ob Partikel auf der Oberfläche
des Halbleiterwafers erfaßt
worden sind.
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Bei
einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung enthält
das Beleuchten der Oberfläche
des Wafers: ein Positionieren einer Vielzahl von ersten Beleuchtungsgeräten in unterschiedlichen
seitlichen Höhen
relativ zu dem Tisch, um die Oberfläche des Wafers unter vorbestimmten
Neigungswinkeln zu beleuchten; und eine Positionierung des zweiten
Beleuchtungsgeräts,
um die Oberfläche
des Wafers auf dem Tisch vertikal von oben zu beleuchten.
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Bei
einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung enthält
das Erstellen von Bildern der Oberfläche des Wafers: ein Erzielen
einer ersten Abbildung, während
die ersten Beleuchtungsgeräte
in einer "An"-Stellung und das
zweite Beleuchtungsgerät in
einer "Aus"-Stellung gehalten
werden; Erzielen einer zweiten Abbildung, während die ersten Beleuchtungsgeräte in einer "Aus"-Stellung und das
zweite Beleuchtungsgerät
in einer "An"-Stellung gehalten werden;
und Ausbilden einer mehrdimensionalen Abbildung durch Kombinieren
der ersten und zweiten Abbildungen.
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Diese
und andere Merkmale der vorliegenden Erfindung werden für den Fachmann
nach Durchsicht der folgenden detaillierten Beschreibung ohne weiteres
ersichtlich.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNG
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1 stellt
einen schematischen Aufbau eines herkömmlichen photolithographischen
Verarbeitungssystems für
eine Halbleitervorrichtung gemäß dem Stand
der Technik dar;
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2 stellt
schematisch einen Aufbau eines photolithographischen Verarbeitungssystems
für eine
Halbleitervorrichtung in Übereinstimmung
mit einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung dar;
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3 stellt
eine schematische Seitenansicht eines Aufbaus eines Partikeluntersuchungsgeräts, wie
es in 2 gezeigt ist, dar; und
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4 stellt
eine schematische Seitenansicht einer alternativen Ausführungsform
eines Partikeluntersuchungsgeräts
gemäß der vorliegenden
Erfindung dar.
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DETAILLIERTE
BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
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Der
Inhalt der koreanischen Patentanmeldung Nr. 2001-41473, eingereicht
am 11. Juli 2001, mit dem Titel "Photolithography
Processing System and Method Thereof" wird hierbei durch Bezugnahme vollumfänglich mitoffenbart.
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Ein
photolithographisches Verarbeitungssystem und ein dazugehöriges Verfahren
werden im folgenden unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung
in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung beschrieben.
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Bei
einem photolithographischen Verarbeitungssystem für eine Halbleitervorrichtung
gemäß der vorliegenden
Erfindung, wie in 2 gezeigt, wird eine Vielzahl von
auf einem Träger
C montierten Wafern W von einer Produktionslinie auf eine Ladevorrichtung 12 bewegt
und anschließend
einer nach dem anderen zu einer gewünschten Stelle durch eine Vielzahl
von Robotern (R1, R2, R3) zu einer Übertragungseinheit 14,
welche auf einer Seite der Ladevorrichtung 12 installiert
ist, transportiert.
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Bei
der Übertragungseinheit 14 nahe
der Ladevorrichtung 12 ist ein Tisch 30 zum vorübergehenden
Halten des Wafers W vorgesehen. Der Tisch 30 hält den Wafer
W für weitere
Vorgänge
während
einer Untersuchung von dem Träger
C durch einen ersten Roboter R1 bewegt wird und wenn der Wafer W durch
einen zweiten Roboter R2 nach Beendigung der Vorverarbeitungsschritte
entladen wird, bevor er in einen vorbestimmten Träger C der
Ladevorrichtung 12 plaziert wird. Während einer Untersuchung wird
der Wafer W auf dem Tisch 30 auf Verunreinigungen, wie
beispielsweise Partikel, auf seiner Oberfläche untersucht.
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Wie
in 3 gezeigt, ist eine Vielzahl von Beleuchtungsgeräten 32 auf
beiden Seiten des Tisches 30 installiert, um Licht direkt
auf die Oberfläche des
Wafers W, der auf dem Tisch 30 positionert ist, zu strahlen.
Eine Kamera 34 ist in einer vorbestimmten Position relativ
zu dem Tisch 30 installiert, um Bilder von der Oberfläche des
beleuchteten Wafers W auf den Tisch 30 zu erstellen.
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Bei
dem zuvor beschriebenen Aufbau steuert eine nicht näher dargestellte
Steuervorrichtung die Roboter R1, R2, R3, die Beleuchtungsgeräte 32 und
die Kamera 34. Durch die Kamera 34 wird ein einen
Waferoberflächenzustand
anzeigendes Signal zu der Steuervorrichtung übertragen, um das Vorhandensein
von Partikeln auf der Oberfläche
des Wafers W zu erfassen.
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Gemäß 3 können die
Beleuchtungsgeräte 32 aus
einem einzigen oder einer Vielzahl von Lasern, ultravioletten Lampen
oder einer Kombination der beiden aufgebaut sein. Die Kamera 34 kann aus
einer Ladungsträger-gekoppelten
Vorrichtung (CCD) aufgebaut sein.
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Vorzugsweise
bestehen die Beleuchtungsgeräte 32 aus
einer Vielzahl von ersten Beleuchtungsgeräten 32a und einem
zweiten Beleuchtungsgerät 32b.
Vorzugsweise sind die ersten Beleuchtungsgeräte 32a in verschiedenen
Höhen an
beiden Seiten des Tisches 30 positioniert, um die Oberfläche des
Wafers unter verschiedenen vorbestimmten Neigungswinkeln zu beleuchten.
Vorzugsweise ist das zweite Beleuchtungsgerät 32b zum Beleuchten
der Oberfläche
des Wafers vertikal von oben positioniert.
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Vorzugsweise
sind die ersten Beleuchtungsgeräte 32a derart
aufgebaut, daß ein
Neigungswinkel (θ)
von größer 0° bis weniger
ungefähr
70° (d.
h., 0°< θ <70°) relativ
zu der Oberfläche
des auf den Tisch 30 positionierten Wafers reicht. Der
Neigungswinkelbereich der ersten Beleuchtungsgeräte 32a wird im Zusammenspiel
mit dem zweiten Beleuchtungsgerät 32b eingestellt,
um das Auftreten eines dunklen Schattens bei dem Leitungsmuster
oder der Mustermaske, die auf der Oberfläche des Wafers während des
photolithographischen Verfahrens ausgebildet wird, zu verhindern.
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Außerdem kann
ein Halbspiegel 36 an einer vorbestimmten Position vorgesehen
werden, die von den ersten Beleuchtungsgeräten 32a entfernt ist
und zwischen dem Wafer W und der Kamera 34 positioniert
werden. Die Kamera 34 ist vertikal über den Wafer positioniert.
Wie in 3 gezeigt, kann das zweite Beleuchtungsgerät 32b an
einer vorbestimmten seitlichen Position, beabstandet von dem Tisch 30,
zum vertikalen Beleuchten des Wafers W durch den vorangehend erwähnten Halbspiegel 36 installiert
sein.
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Wie
in 4 gezeigt, kann alternativ dazu eine Vielzahl
von zweiten Beleuchtungsgeräten 32b vertikal über der
Oberfläche
des Wafers W positioniert sein und um die Kamera 34 herum
positioniert sein. Außerdem
kann der Tisch 30, auf welchem der Wafer plaziert ist,
so aufgebaut sein, daß der
Wafer gedreht werden kann, wenn die Positionen der Beleuchtungsgeräte 32 in
ihren Richtungen, von denen aus sie die auf der Oberfläche des
Wafers W ausgebildeten Schaltungsmuster ausleuchten können, beschränkt sind. Überdies
kann der Tisch 30 derart vorgesehen werden, daß eine Seiten- und Längsbewegung
möglich
ist, falls der Brennpunkt der Kamera 34 auf einen bestimmten
Abschnitt des Wafers W beschränkt
ist.
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Andererseits
kann die (nur teilweise dargestellte) Steuervorrichtung als ein
Teil der Beleuchtungsgeräte 32 zum
Steuern der Lichtintensität
und des Neigungswinkels gemäß einem
angelegten Beleuchtungssteuersignals installiert sein. Vorzugsweise
enthält
die Steuervorrichtung: eine Hebeeinrichtung 38, um die
ersten Beleuchtungsgeräte 32a in Reaktion
auf das Beleuchtungssteuersignal, das von der Steuervorrichung angelegt
wird, auf und ab zu bewegen, und eine (nicht dargestellte) Leuchtintensitätssteuerungseinheit
zum Steuern der Lichtintensität
durch ein Verändern
eines Widerstandswerts, der in Reihe mit der Leistungsquelle verbunden
ist, die mit ersten und zweiten Beleuchtunsgeräten 32a, 32b verbunden
ist, in Reaktion auf andere angelegte Beleuchtungssteuersignale.
Die Steuervorrichtung steuert ebenso den Betrieb der Roboter R1,
R2 und R3.
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Im
Ergebnis beleuchten die Beleuchtungsgeräte 32 die Oberfläche des
Wafers auf dem Tisch 30, ohne daß dabei eine dunkle Stelle
durch ein auf der Oberfläche
des Wafers ausgebildeten Schaltungsmuster oder durch eine aus dem
photolithographischen Verfahren resultierende Mustermaske verursacht
wird. Hierbei nimmt die Kamera 34 ein Bild der Oberfläche des
Wafers auf, um das entsprechende Signal der Steuervorrichtung zu übertragen.
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Anschließend erfaßt die Steuervorrichtung, die
das Bildsignal des Oberflächenzustands
des Wafers von der Kamera 34 empfangen hat, das Vorhandensein
von Partikeln, die auf der Oberfläche des Wafers übriggeblieben
sind, auf der Grundlage eines Vergleichs mit voreingestellten Daten.
Die Steuervorrichtung bestimmt anschließend auf der Grundlage der
Ergebnisse der Erfassung von Partikeln, wohin der Wafer W bewegt
wird.
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Vorzugsweise
sind die Beleuchtungsgeräte 32 aus
den ersten Beleuchtungsgeräten 32a,
die zahlreiche vorbestimmte Neigungswinkel zu der Oberfläche des
Wafers ausbilden, und aus zweiten Beleuchtungsgeräten 32b,
die die Waferoberfläche vertikal
von oben beleuchten, ausgebildet und angeordnet. Vorzugsweise wird
eine erste Abbildung durch Erstellen eines Abbildes der seitlichen
Form (lateral shape) des Leitungsmusters oder der Mustermaske mit
den ersten Beleuchtungsgeräten 32a,
die "An" geschaltet sind,
während
das zweite Beleuchtungsgerät
in einer "Aus"-Stellung gehalten
wird, erzielt. Als nächstes
wird eine zweite Abbildung durch Erstellen eines Bildes der oberen
Form (top shape) des Schaltungsmusters oder der Mustermaske während die
ersten und zweiten Beleuchtungsgeräte 32a, 32b in
einer "Aus"- bzw. "An"-Stellung gehalten werden,
erzielt. Wenn die ersten und zweiten Abbildungen zum Ausbilden einer
mehrdimensionalen Abbildung kombiniert werden, ist es relativ leicht,
das Vorhandensein von Partikeln, die auf der Oberfläche des
Wafers übriggeblieben
sind, zu erfassen.
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Überdies
können
die ersten Beleuchtungsgeräte 32a nach
oben oder unten gleiten, um jegliche Störung auf der seitlichen Form
des Leitungsmusters oder der Mustermaske zu verhindern. Mit anderen Worten,
bei der bevorzugten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung sind erste Beleuchtungsgeräte 32 in
der Lage sich in Reaktion auf die Breite und Tiefe der Einschnitte
der Leitungsmuster oder der Mustermaske auf oder ab zu bewegen.
Der Neigungswinkel der ersten Beleuchtungsgeräte 32a wird durch
die Auf- und Abbewegung verändert.
Das Bildsignal oder Beleuchtungssignal von der Kamera, welches zu
der Steuervorrichtung übertragen
wird, steuert die Lichtintensitätssteuerungseinheit
und die Hebeeinrichtung, um die Beleuchtungsgeräte nach oben oder unten zu
bewegen.
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Wie
vorhergehend beschrieben bestehen die Vorteile des photolithographischen
Systems der vorliegenden Erfindung darin, daß es möglich ist, das Vorhandensein
von Verunreinigungen, einschließlich Partikeln,
auf der Oberfläche
eines Wafers bei Beladungs- und Entladungsvorgängen für eine Photoexposition bzw.
-belichtung zu erfassen, die Verunreinigungen, falls vorhanden,
zu entfernen, und eine Reihe von darauffolgenden Vorgängen oder
Nachbehandlungen, die für
den Photo-Expositionsschritt bzw.
Photobelichtungsschritt relevant sind, durchzuführen, so daß der Waferuntersuchungsschritt
vor der Photobelichtung die Nachbehandlungsrate wirksam verringern
kann, die Produktivität
erhöhen
kann und die Qualität
und Ausbeute der Halbleitervorrichtungen wirksam verbessern kann.
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Bevorzugte
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung sind hierin offenbart worden und obgleich
bestimmte Ausdrücke
verwendet worden sind, sind sie lediglich in einem gattungsgemäßen und
beschreibenden Sinn und nicht zum Zwecke der Beschränkung verwendet
worden. Demzufolge ist es für
den Fachmann ersichtlich, daß zahlreiche Änderungen
in Form und Detail an der Erfindung vorgenommen werden können, ohne
von dem Grundkonzept und dem Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen,
wie er durch die folgenden Ansprüche dargelegt
ist.