KR100452317B1 - 포토리소그래피 공정시스템 및 그 방법 - Google Patents

포토리소그래피 공정시스템 및 그 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100452317B1
KR100452317B1 KR10-2001-0041473A KR20010041473A KR100452317B1 KR 100452317 B1 KR100452317 B1 KR 100452317B1 KR 20010041473 A KR20010041473 A KR 20010041473A KR 100452317 B1 KR100452317 B1 KR 100452317B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
lighting device
camera
illumination
lighting
Prior art date
Application number
KR10-2001-0041473A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030005956A (ko
Inventor
임승준
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR10-2001-0041473A priority Critical patent/KR100452317B1/ko
Priority to JP2002147588A priority patent/JP4454909B2/ja
Priority to US10/178,306 priority patent/US6873396B2/en
Priority to DE10230891A priority patent/DE10230891B4/de
Publication of KR20030005956A publication Critical patent/KR20030005956A/ko
Priority to US10/809,857 priority patent/US6893787B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100452317B1 publication Critical patent/KR100452317B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps

Abstract

본 발명은 패턴 마스크를 형성하기 위해 투입되는 웨이퍼 표면상에 파티클의 존재 여부를 검사하여 파티클의 존재 여부에 따라 그 웨이퍼의 과정을 결정하도록 하는 포토리소그래피 공정시스템 및 그 방법에 관한 것으로서, 이에 대한 특징적인 구성은, 캐리어가 위치되는 로더부에 근접 위치되어 로봇에 의해 이송되는 과정의 웨이퍼를 받쳐 지지하도록 설치된 테이블과; 상기 테이블 상에 위치되는 웨이퍼 표면을 조명하도록 적어도 하나 이상 설치되는 조명장치와; 위치되는 웨이퍼의 표면을 촬영하는 카메라; 및 상기 로봇과 조명장치 및 카메라의 구동을 제어하며, 상기 카메라로부터 인가되는 웨이퍼의 표면 상태를 통해 불순물의 존재 여부를 판단하는 콘트롤러;를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다. 이러한 구성에 의하면, 노광공정에 대한 웨이퍼의 투입 및 인출 과정에서 그 표면상에 잔존하는 파티클을 포함한 불순물의 존재 여부를 검사하고, 이들 통해 불순물을 제거한 후 노광에 따른 일련의 작업을 수행 또는 재작업이 이루어지도록 함으로써 결함 및 불량을 방지토록 하며, 공정 수행전의 검사는 재작업률의 감소와 생산성 증대 및 제조되는 반도체소자의 품질과 더불어 제조수율을 향상시키는 효과를 갖게 된다.

Description

포토리소그래피 공정시스템 및 그 방법{photo-lithography fabrication system and method there of}
본 발명은 반도체소자 포토리소그래피 공정시스템 및 그 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 패턴 마스크를 형성하기 위해 투입되는 웨이퍼 표면상에 파티클의 존재 여부를 검사하여 파티클의 존재 여부에 따라 그 웨이퍼의 과정을 결정하도록 하는 포토리소그래피 공정시스템 및 그 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자는 웨이퍼 상에 사진, 식각, 확산, 화학기상증착, 이온주입 및 금속증착 등의 공정을 반복적이고도 선택적으로 수행함으로써 이루어지고, 이들 공정 중 빈번하게 수행되는 공정의 하나로 웨이퍼 상에 패턴 마스크를 형성하는 사진공정 즉 포토리소그래피 공정이 있다.
이러한 포토리소그래피 공정에 대하여 첨부된 도 1과 도 2를 참조하여 설명하기로 한다.
먼저 포토리소그래피 공정을 수행하는 구성은, 도 1에 도시된 바와 같이, 캐리어(C)에 복수개 탑재된 웨이퍼(W)가 생산라인으로부터 로더부(12)에 투입 위치되고, 이어 웨이퍼(W)는 로더부(12)의 일측에 연이어 설치된 이송부(14)의 복수 로봇(R1, R2, R3, ‥·) 들에 의해 요구되는 위치로 일 매씩 이송되는 과정을 거치게 된다.
이때 로더부(12)에 근접 위치되는 이송부(12)의 제 1 로봇(R1)은 캐리어(C)에서 웨이퍼(W)를 인출하여 다음에 연이어 설치되는 제 2 로봇(R2)과의 사이에 위치된 테이블(T) 상에 웨이퍼(W)를 이송 위치시키게 된다.
이때 테이블(T) 상에 놓이는 웨이퍼(W)는 다시 제 2 로봇(R2)에 의해 그 표면에 코팅액을 도포하는 작업, 코팅액이 도포된 웨이퍼(W) 표면에 대하여 포토레지스트를 도포하는 작업, 도포된 코팅액 또는 포토레지스트를 고착시키기 위한 가열 및 냉각시키는 작업, 포토레지스트가 도포된 웨이퍼(W)의 가장자리 부위를 노광으로 제거하는 작업 등 노광 공정을 수행하기 전의 선처리 과정을 수행하는 선처리부(16)를 거치게 된다.
이러한 일련의 선처리 과정을 마친 웨이퍼(W)는 다른 로봇(R2)에 의해 노광부(18)에 근접 위치된 테이블(T2)에 안착 위치되고, 이어 노광부(18)에 근접하여 설치된 또 다른 로봇(R3)에 의해 노광부(18)로 이송되어 정렬과정과 노광과정 및 검사과정을 순차적으로 거쳐 다시 또 다른 로봇(R3)에 의해 테이블(T2)에 이송 위치되게 된다.
그리고, 노광에 따른 일련의 과정을 마친 웨이퍼(W)는 다시 다른 로봇(R2)에 의해 현상과정과 세정과정을 포함한 일련의 과정을 수행하는 후처리부(20)를 거쳐 다른 로봇(R2)에 의해 로더부(12)에 근접 위치된 테이블(T1)로 이송 위치되며, 이어 로더부(12)에 연이어 설치된 로봇(R1)에 의해 요구되는 캐리어(C)에 탑재되는 언로딩 과정을 거치게 된다.
이러한 일련의 과정에 있어서, 다른 공정으로부터 노광 작업을 수행하기 위하여 투입되는 웨이퍼(W)의 표면상에는 파티클 등의 많은 종류의 불순물이 잔존하는 경우가 있으며, 이들 불순물은 포토레지스트의 도포과정과 노광과정 등에서 그 부위에 대한 결함 및 그밖에 많은 불량 원인을 유발하게 된다.
이것은 포토리소그래피 공정의 재작업률을 증대시킬 뿐 아니라 생산성을 감소시키고, 또 제조되는 반도체소자의 품질 및 제조수율을 저하시키는 요인으로 작용하게 된다.
그리고, 현상 과정을 포함한 후처리부(20)를 거쳐 다시 로더부(12)의 캐리어(C)에 탑재되도록 이송되는 웨이퍼(W)의 표면에는 포토리소그래피 공정의 수행 과정에서 파티클이 묻은 상태로 이송될 가능성이 있으며, 이러한 파티클은 다음 고정에서의 결함을 유발하는 등의 문제를 갖게 된다.
본 발명의 목적은, 상술한 종래 기술의 문제를 해결하기 위한 것으로서, 노광공정을 수행하기 위한 웨이퍼의 투입 과정에서 그 표면상에 잔존하는 파티클을 포함한 불순물의 존재 여부를 검사하고, 이들 통해 불순물을 제거한 후 노광에 따른 일련의 작업을 수행하도록 함으로써 결함 및 불량을 방지토록 하며, 재작업률의 감소와 생산성 증대 및 제조되는 반도체소자의 품질과 더불어 제조수율을 향상시키도록 하는 반도체소자 포토리소그래피 공정시스템 및 그 방법을 제공함에 있다.
도 1은 일반적인 반도체소자 포토리소그래피 공정시스템의 구성을 개략적으로 나타낸 평면 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 포토리소그래피 공정시스템의 구성을 개략적으로 나타낸 평면 구성도이다.
도 3은 도 2에 도시된 파티클 검사부의 구성 및 이들 구성의 설치 관계를 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 4는 본 발명의 변형 실시예로서, 각 구성의 설치 관계를 개략적으로 나타낸 구성도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
12: 로더부 14: 이송부
16: 선처리부 18: 노광부
20: 후처리부 30: 테이블
32: 조명장치 34: 카메라
36: 하프미러 38: 조절수단
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은, 캐리어가 위치되는 로더부에 근접 위치되어 로봇에 의해 이송되는 과정의 웨이퍼를 받쳐 지지하도록 설치된 테이블과; 상기 테이블 상에 위치되는 웨이퍼 표면을 조명하도록 적어도 하나 이상 설치되는 조명장치와; 위치되는 웨이퍼의 표면을 촬영하는 카메라; 및 상기 로봇과 조명장치 및 카메라의 구동을 제어하며, 상기 카메라로부터 인가되는 웨이퍼의 표면 상태를 통해 불순물의 존재 여부를 판단하는 콘트롤러;를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
또한, 상기 조명장치는 레이저램프 또는 자외선램프 중 어느 한 종류의 것을 단독으로 복수개 설치하여 구성될 수 있고, 또는 이들 각각을 복합적으로 사용하여 구성될 수도 있는 것다.
이러한 상기 조명장치는 상기 테이블의 양측 부위에 상호 높이가 다르게 복수개 설치되어 소정의 경사각으로 조명하는 제 1 조명장치와; 상기 테이블 상측으로부터 웨이퍼의 표면에 수직 대향하게 조명하는 제 2 조명장치;로 구분하여 구성될 수 있다.
그리고, 상기 제 1 조명장치의 조명 각도에서 이격된 상기 카메라와 웨이퍼 사이에 하프미러가 경사를 이루며 더 설치되고, 상기 제 2 조명장치는 상기 하프미러를 통해 조명하도록 설치되거나, 상술한 하프미러 없이 상기 카메라의 주연에 설치된 구성으로 이루어질 수 있는 것이다.
이러한 구성에 더하여 상기 조명장치에는, 상기 콘트롤러로부터 인가되는 조명 제어신호에 따라 조명 조도와 조명 각도를 조절하는 조절수단을 더 구비하여 구성함이 바람직하며, 상기 조명장치는 상기 테이블의 양측 부위에 그 높이가 가변 가능하게 설치되어 그에 따른 경사각으로 조명하는 제 1 조명장치와; 상기 테이블 상측으로부터 웨이퍼의 표면에 수직 대향하게 조명하는 제 2 조명장치;로 구성되고, 상기 조절수단은 인가되는 조명 제어신호에 따라 상기 제 1 조명장치를 슬라이딩 승·하강 위치시키는 엘리베이터수단과; 인가되는 다른 조명 제어신호에 따라 상기 제 1 조명장치와 제 2 조명장치에 인가되는 전원의 저항 값을 가변시켜 조도를 조절토록 하는 조도 조절부;로 구성될 수 있는 것이다.
그리고, 상기 테이블은 상기 조명장치의 조명 각도에 대응하여 위치되는 웨이퍼를 회전 위치시키도록 상기 콘트롤러의 제어신호에 따라 회전 가능하게 구성함이 효과적이다.
한편, 상기 목적을 달성하기 위한 포토리소그래피 공정방법은, 로더부에 근접 설치되어 로봇에 의해 이송되는 웨이퍼를 일시적으로 받쳐 지지하는 테이블과; 상기 테이블 상에 위치되는 웨이퍼를 조명하는 조명장치와; 상기 테이블 상측에 이격 설치되어 웨이퍼의 표면을 촬영하는 카메라와; 상기 카메라에 의해 촬영된 신호를 수신하여 그 표면에 파티클을 포함한 불순물의 존재 여부를 판단하는 콘트롤러를 포함하여 구성하고, 상기 테이블 상에 위치되는 웨이퍼에 대하여 조명함과 동시에 촬영하는 단계와; 상기 촬영 신호를 수신하여 웨이퍼 표면상의 파티클의 존재 여부를 확인하는 단계; 및 웨이퍼 상에 파티클이 존재 여부에 따라 웨이퍼를 공정 수행 위치 또는 세정 위치로 이송시키는 단계;를 포함하여 이루어진다.
그리고, 상기 웨이퍼를 조명하며 촬영하는 단계는, 상기 조명장치가 상기 테이블의 양측 부위에 상호 높이가 다르게 복수개 설치되어 소정의 경사각으로 조명하는 제 1 조명장치와; 상기 테이블 상측으로부터 웨이퍼의 표면에 수직 대향하게 조명하는 제 2 조명장치;로 구분하여 구성하고, 상기 제 1 조명장치는 온되고, 제 2 조명장치는 오프된 상태에서 제 1 영상을 구하는 단계와; 상기 제 1 조명장치가 오프되고, 제 1 조명장치가 온된 상태에서 제 2 영상을 구하는 단계; 및 상기 제 1 영상과 제 2 영상을 조합하여 입체 영상을 구현하는 단계;를 포함하여 이루어질 수 있는 것이다.
이하, 본 발명에 따른 포토리소그래피 공정시스템 및 그 방법에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
본 발명에 따른 반도체소자 포토리소그래피 공정시스템으로부터 웨이퍼의 진행 과정을 살펴보면, 도 2에 도시된 바와 같이, 캐리어(C)에 복수개 탑재된 웨이퍼(W)가 생산라인으로부터 로더부(12)에 투입 위치되고, 이어 웨이퍼(W)는 로더부(12)의 일측에 연이어 설치된 이송부(14)의 복수 로봇(R1, R2, R3, ‥·) 들에 의해 요구되는 위치로 일 매씩 이송되는 과정을 거치게 된다.
이때 로더부(12)에 근접 위치되는 이송부(12)에는 제 1 로봇(R1)에 의해 캐리어(C)로부터 인출되어 공정 수행 위치로 이송되기 전의 웨이퍼(W)와 공정을 마치고 제 2 로봇(R2)에 의해 언로딩 되는 웨이퍼(W)를 로더부(12)의 소정 캐리어(C)에 투입하기 전 과정의 웨이퍼(W)를 일시적으로 인계 받아 받쳐 지지하는 테이블(30)이 설치된다.
이렇게 설치된 테이블(30)의 양측 부위에는, 테이블(T) 상에 위치되는 웨이퍼(W)에 대향하여 소정의 광을 조명하는 적어도 하나 이상의 조명장치(32)가 설치되고, 상술한 테이블(30)의 상측 소정 위치에는 테이블(30) 상에 위치되어 조명을 받는 웨이퍼(W)의 표면을 촬영하는 카메라(34)가 설치된다.
이러한 구성에 있어서, 상술한 로봇(R1, R2,‥·)과 조명장치(32) 및 카메라(34)는 콘트롤러(도면의 단순화를 위하여 생략함)에 의해 제어되며, 상술한 카메라(34)에 의해 촬영된 웨이퍼(W) 표면 상태 신호는 콘트롤러에 인가되어 콘트롤러로 하여금 웨이퍼(W) 상의 파티클 존재 여부를 판단하도록 하게 된다.
여기서, 상술한 조명장치(32)는 레이저광으로 조명하는 레이저램프로 구성되거나 자외선광으로 조명하는 자외선램프로 구성되고, 또 상술한 카메라(34)는 CCD(Charge Coupled Device) 카메라로 구성된다.
또한, 상술한 조명장치(32)는 테이블(30)의 양측에서 웨이퍼(W)에 대향하여 상호 높이가 다르게 복수개 설치되어 소정의 경사각으로 조명하는 제 1 조명장치(32a)와 테이블(30) 상측으로부터 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 수직 대향하게 조명하는 제 2 조명장치(32b)로 구분된다.
이에 따른 제 1 조명장치(32a)는, 그 조명 각도가 테이블(30) 상에 위치되는 웨이퍼(W) 표면에 대하여 적어도 0°초과 70° 이하의 범위 내에 있게 되며, 이것은 제 2 조명장치(32b)와 더불어 웨이퍼(W) 표면상에 이미 형성된 회로 패턴 또는 포토리소그래피 공정 수행에 의해 형성된 패턴 마스크의 음영 부위가 없도록 하기 위한 것이며 이에 대하여 5∼45° 사이의 조명 각도를 이루도록 함이 보다 바람직하다.
그리고, 제 1 조명장치(32a)에 의한 조명으로부터 이격되어 웨이퍼(W)와 이 웨이퍼(W)에 수직 대향하여 설치되는 카메라(34) 사이의 소정 위치에는, 하프미러(36)가 소정의 경사각을 이루며 더 설치되고, 상술한 제 2 조명장치(32b)는 테이블(30)로부터 이격된 측부 소정 위치에 설치되어 상술한 하프미러(36)를 통해 웨이퍼(W) 상에 수직하게 조명하도록 구성된다.
이렇게 설치되는 제 2 조명장치(32b)의 설치 구성은, 도 4에 도시된 바와 같이, 상술한 카메라(34)의 주연 부위를 따라 웨이퍼(W)에 수직 대향하여 적어도 하나 이상 설치하는 구성으로 이루어질 수도 있다.
또한, 이에 대하여 상술한 테이블(30)은 웨이퍼(W) 상의 회로 패턴이 각 방향에 대하여 형성됨에 따라 조명장치(32)의 조명 위치가 한정됨에 대응하여 웨이퍼(W)의 위치 상태를 회전시키도록 구성될 수 있으며, 더 나아가 상술한 카메라(34)의 초점이 웨이퍼(W) 상의 국부에 한정될 경우에 대응하여 수평 방향으로 위치 이동이 가능함과 동시에 이동 전의 위치로 위치 복원이 가능하게 설치될 수도 있는 것이다.
한편, 상술한 조명장치(32)에는 상술한 콘트롤러로부터 인가되는 조명 제어신호에 따라 조명장치(32)의 조명 조도와 조명 각도를 조절하도록 하는 조절수단(38)이 더 구비될 수 있다.
이러한 조절수단(38)의 구성은, 조명장치(32)의 구성 중 제 1 조명장치(32a)를 콘트롤러로부터 인가되는 조명 제어신호에 따라 승·하강 슬라이딩 위치시키도록 하는 엘리베이터수단(38a)과 인가되는 다른 조명 제어신호에 따라 제 1 조명장치(32a)와 제 2 조명장치(32b)에 인가되는 전원의 저항 값을 가변시켜 조도를 조절토록 하는 조도 조절부(도면의 단순화를 위하여 생략함)를 포함하여 이루어진다.
이러한 구성에 의하면, 상술한 테이블(30)을 지나는 웨이퍼(W)에 대하여 조명장치(32)는 웨이퍼(W)의 표면상에 형성된 회로 패턴이나 포토리소그래피 공정 수행에 따른 패턴 마스크에 의한 음영 부위가 없도록 조명하게 되고, 이때 상술한 카메라(34)는 웨이퍼(W)의 표면을 촬영하여 그 신호를 콘트롤러에 인가하게 된다.
이렇게 카메라(34)에 의한 웨이퍼(W)의 표면 상태 촬영 신호를 수신한 콘트롤러는, 이미 설정된 데이터를 근거하여 웨이퍼(W)에 파티클의 존재 여부를 판단하게 되고, 그 파티클의 존재 여부에 따라 웨이퍼(W)의 이송 위치를 결정하게 된다.
여기서, 상술한 바와 같이, 조명장치(32)의 구성이 위치되는 웨이퍼(W)에 대향하여 소정의 경사각을 이루는 제 1 조명장치(32a)와 웨이퍼(W)의 수직 상측으로부터 조명하는 제 2 조명장치(32b)로 구성된 경우에 있어서, 먼저 제 2 조명장치(32b)를 오프하여 제 1 조명장치(32a)를 통해 회로패턴 또는 패턴 마스크에 대한 측부 형상을 촬영하여 제 1 영상을 구한다.
이어 제 1 조명장치(32a)를 오프하고, 제 2 조명장치(32b)를 온시켜 회로 패턴 또는 패턴 마스크의 상면 형상인 제 2 영상을 구하여 이들 제 1 영상과 제 2 영상을 조합하여 입체 영상을 구현하도록 함으로써 그 표면 상에 존재하는 파티클을 쉽게 구분하여 확인할 수 있도록 하게 된다.
그리고, 상술한 제 1 조명장치(32a)의 승·하강 구동 위치는 회로 패턴 또는 패턴 마스크의 측부 형상을 음영으로부터 간섭됨이 없도록 하기 위한 것으로서, 회로 패턴 또는 피턴 마스크의 홈 폭과 깊이에 대응하여 음영이 없도록 제 1 조명장치(32a)를 슬라이딩 승·하강 위치 조절이 가능하게 구성함이 바람직하다.
따라서, 본 발명에 의하면, 노광공정에 대한 웨이퍼의 투입 및 인출 과정에서 그 표면상에 잔존하는 파티클을 포함한 불순물의 존재 여부를 검사하고, 이들 통해 불순물을 제거한 후 노광에 따른 일련의 작업을 수행 또는 재작업이 이루어지도록 함으로써 결함 및 불량을 방지토록 하며, 공정 수행전의 검사는 재작업률의 감소와 생산성 증대 및 제조되는 반도체소자의 품질과 더불어 제조수율을 향상시키는 효과를 갖게 된다.
본 발명은 구체적인 실시예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형이나 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 할 것이다.

Claims (10)

  1. (정정)캐리어가 위치되는 로더부에 근접 위치되어 로봇에 의해 이송되는 과정의 웨이퍼를 받쳐 지지하도록 설치된 테이블과;
    상기 테이블의 양측 부위에 상호 높이가 다르게 복수개 설치되어 소정의 경사각으로 웨이퍼를 조명하는 제 1 조명장치와;
    상기 테이블 상측으로부터 웨이퍼의 표면에 수직 대향하게 조명하는 제 2 조명장치와;
    위치되는 웨이퍼의 표면을 촬영하는 카메라; 및
    상기 로봇과 조명장치 및 카메라의 구동을 제어하며, 상기 카메라로부터 인가되는 웨이퍼의 표면 상태를 통해 불순물의 존재 여부를 판단하는 콘트롤러;
    를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 포토리소그래피 공정시스템.
  2. (삭제)
  3. (삭제)
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 조명장치의 조명 각도에서 이격된 상기 카메라와 웨이퍼 사이에 하프미러가 경사를 이루며 더 설치되고,
    상기 제 2 조명장치는 상기 하프미러를 통해 조명하도록 설치됨을 특징으로 하는 상기 포토리소그래피 공정시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 조명장치는 상기 카메라의 주연에 설치됨을 특징으로 하는 상기 포토리소그래피 공정시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 조명장치에는 상기 콘트롤러로부터 인가되는 조명 제어신호에 따라 조명 조도와 조명 각도를 조절하는 조절수단이 더 구비됨을 특징으로 하는 상기 포토리소그래피 공정시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 조절수단은 인가되는 조명 제어신호에 따라 상기 제 1 조명장치를 슬라이딩 승·하강 위치시키는 엘리베이터수단과; 인가되는 다른 조명 제어신호에 따라 상기 제 1 조명장치와 제 2 조명장치에 인가되는 전원의 저항 값을 가변시켜 조도를 조절토록 하는 조도 조절부;로 구성됨을 특징으로 하는 상기 포토리소그래피 공정시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 테이블은 상기 조명장치의 조명 각도에 대응하여 위치되는 웨이퍼를 회전 위치시키도록 상기 콘트롤러의 제어신호에 따라 회전 가능하게 구성됨을 특징으로 하는 상기 포토리소그래피 공정시스템.
  9. 로더부에 근접 설치되어 로봇에 의해 이송되는 웨이퍼를 일시적으로 받쳐 지지하는 테이블과; 상기 테이블 상에 위치되는 웨이퍼를 조명하는 조명장치와; 상기 테이블 상측에 이격 설치되어 웨이퍼의 표면을 촬영하는 카메라와; 상기 카메라에 의해 촬영된 신호를 수신하여 그 표면에 파티클을 포함한 불순물의 존재 여부를 판단하는 콘트롤러를 포함하여 구성하고,
    상기 테이블 상에 위치되는 웨이퍼에 대하여 조명함과 동시에 촬영하는 단계와;
    상기 촬영 신호를 수신하여 웨이퍼 표면상의 파티클의 존재 여부를 확인하는 단계; 및
    웨이퍼 상에 파티클이 존재 여부에 따라 웨이퍼를 공정 수행 위치 또는 세정 위치로 이송시키는 단계;
    를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 포토리소그래피 공정방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 웨이퍼를 조명하며 촬영하는 단계는,
    상기 조명장치가 상기 테이블의 양측 부위에 상호 높이가 다르게 복수개 설치되어 소정의 경사각으로 조명하는 제 1 조명장치와; 상기 테이블 상측으로부터 웨이퍼의 표면에 수직 대향하게 조명하는 제 2 조명장치;로 구분하여 구성하고,
    상기 제 1 조명장치는 온되고, 제 2 조명장치는 오프된 상태에서 제 1 영상을 구하는 단계와;
    상기 제 1 조명장치가 오프되고, 제 1 조명장치가 온된 상태에서 제 2 영상을 구하는 단계; 및
    상기 제 1 영상과 제 2 영상을 조합하여 입체 영상을 구현하는 단계;
    를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 상기 포토리소그래피 공정방법.
KR10-2001-0041473A 2001-07-11 2001-07-11 포토리소그래피 공정시스템 및 그 방법 KR100452317B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0041473A KR100452317B1 (ko) 2001-07-11 2001-07-11 포토리소그래피 공정시스템 및 그 방법
JP2002147588A JP4454909B2 (ja) 2001-07-11 2002-05-22 フォトリソグラフィー工程システム及びフォトリソグラフィー工程方法
US10/178,306 US6873396B2 (en) 2001-07-11 2002-06-25 Photolithography processing system
DE10230891A DE10230891B4 (de) 2001-07-11 2002-07-09 Photolithographisches System und photolithographes Verfahren zur Erfassung von Verunreinigungen aufder Oberfläche von Wafern
US10/809,857 US6893787B2 (en) 2001-07-11 2004-03-26 Method of a photolithography processing system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0041473A KR100452317B1 (ko) 2001-07-11 2001-07-11 포토리소그래피 공정시스템 및 그 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030005956A KR20030005956A (ko) 2003-01-23
KR100452317B1 true KR100452317B1 (ko) 2004-10-12

Family

ID=19712041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0041473A KR100452317B1 (ko) 2001-07-11 2001-07-11 포토리소그래피 공정시스템 및 그 방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6873396B2 (ko)
JP (1) JP4454909B2 (ko)
KR (1) KR100452317B1 (ko)
DE (1) DE10230891B4 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101361892B1 (ko) * 2003-10-08 2014-02-12 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법
KR101276392B1 (ko) 2004-02-03 2013-06-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7463330B2 (en) * 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7090782B1 (en) 2004-09-03 2006-08-15 Lam Research Corporation Etch with uniformity control
DE102004058128B4 (de) * 2004-12-02 2008-05-15 Vistec Semiconductor Systems Jena Gmbh System zur Inspektion eines scheibenförmigen Objekts
US7396412B2 (en) * 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US8711925B2 (en) * 2006-05-05 2014-04-29 Microsoft Corporation Flexible quantization
US9136185B2 (en) * 2011-12-19 2015-09-15 MEMC Singapore Pte., Ltd. Methods and systems for grain size evaluation of multi-cystalline solar wafers
KR102342827B1 (ko) 2019-11-18 2021-12-24 그린정보통신(주) 반도체 포토리소그래피 공정의 웨이퍼 결함 검출 시스템
KR102588842B1 (ko) 2021-05-26 2023-10-16 지아이씨텍(주) 반도체 공정의 웨이퍼 결함 검출 시스템
CN113751450B (zh) * 2021-07-29 2022-07-12 蚌埠高华电子股份有限公司 玻璃基板表面抛光残留检测及处理一体化系统装置及方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07115050A (ja) * 1993-10-18 1995-05-02 Canon Inc 検査方法及び該検査方法を用いる走査型露光装置と該検査方法を用いるデバイス製造方法
KR970003184U (ko) * 1995-06-13 1997-01-24 반도체 소자 제조용 노광장치
KR100274594B1 (ko) * 1997-10-29 2000-12-15 윤종용 반도체 웨이퍼의 검사장치 및 검사방법.
KR20000074786A (ko) * 1999-05-26 2000-12-15 황인길 반도체 웨이퍼상의 이물질 검출 장치
KR20010063162A (ko) * 1999-12-22 2001-07-09 황인길 웨이퍼 오염 상태 디스플레이 장치
KR20010108666A (ko) * 2000-05-30 2001-12-08 윤종용 포토리소그래피 장치의 스텝퍼 유니트

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57135065A (en) * 1981-02-12 1982-08-20 Hitachi Ltd Applying machine
JPS58162038A (ja) * 1982-03-23 1983-09-26 Canon Inc 面状態検査装置
JPS6235618A (ja) * 1985-08-09 1987-02-16 Hitachi Ltd 欠陥検査装置
US5010412A (en) * 1988-12-27 1991-04-23 The Boeing Company High frequency, low power light source for video camera
JPH03230544A (ja) * 1990-02-05 1991-10-14 Nec Corp ウェーハ外観検査装置
DE4019226A1 (de) * 1990-06-15 1991-12-19 Grundig Emv Vorrichtung zur beleuchtung von leiterplatten in leiterplattenpruefeinrichtungen
DE4123916C2 (de) * 1990-07-19 1998-04-09 Reinhard Malz Verfahren und Vorrichtung zum beleuchtungsdynamischen Erkennen und Klassifizieren von Oberflächenmerkmalen und -defekten eines Objektes
DE4032327A1 (de) * 1990-10-11 1992-04-16 Abos Automation Bildverarbeitu Verfahren und vorrichtung zur automatisierten ueberwachung der herstellung von halbleiterbauteilen
JPH063279A (ja) * 1992-06-17 1994-01-11 Nagase & Co Ltd ハードディスク又はウエハーの検査方法及び検査装置
JPH06249791A (ja) * 1993-02-25 1994-09-09 Hitachi Ltd 欠陥検査装置
JPH06260464A (ja) * 1993-03-09 1994-09-16 Hitachi Ltd 異物除去方法および除去装置
US5712701A (en) * 1995-03-06 1998-01-27 Ade Optical Systems Corporation Surface inspection system and method of inspecting surface of workpiece
JP3510459B2 (ja) * 1997-09-30 2004-03-29 日産自動車株式会社 表面欠陥の検査装置
JPH11191524A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Sharp Corp フォトリソプロセス装置
JPH11214284A (ja) * 1998-01-22 1999-08-06 Sharp Corp フォトリソプロセス装置
JP3928902B2 (ja) * 1998-02-20 2007-06-13 平田機工株式会社 基板製造ラインおよび基板製造方法
US6366690B1 (en) * 1998-07-07 2002-04-02 Applied Materials, Inc. Pixel based machine for patterned wafers
JP2000055826A (ja) * 1998-08-12 2000-02-25 Dakku Engineering Kk 品質検査装置
JP3339416B2 (ja) * 1998-08-24 2002-10-28 ダックエンジニアリング株式会社 落射照明を用いた品質検査装置
JP3339426B2 (ja) * 1998-10-23 2002-10-28 ダックエンジニアリング株式会社 品質検査装置
JP2000180371A (ja) * 1998-12-11 2000-06-30 Sharp Corp 異物検査装置および半導体工程装置
JP2000235949A (ja) * 1998-12-17 2000-08-29 Tokyo Electron Ltd 塗布現像処理装置及び塗布現像処理方法
DE19962122A1 (de) * 1998-12-21 2000-09-14 Hottinger Maschb Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Objekterkennung
IL130087A0 (en) * 1999-05-24 2000-02-29 Nova Measuring Instr Ltd Optical inspection method and system
US6721045B1 (en) * 1999-09-07 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to provide embedded substrate process monitoring through consolidation of multiple process inspection techniques
US6707544B1 (en) * 1999-09-07 2004-03-16 Applied Materials, Inc. Particle detection and embedded vision system to enhance substrate yield and throughput
EP1093022B1 (en) * 1999-10-12 2006-03-08 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus
JP2001168010A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Tokyo Electron Ltd 基板の検査方法及び検査装置
EP1220038B1 (en) * 2000-12-22 2007-03-14 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20020196336A1 (en) * 2001-06-19 2002-12-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for substrate imaging

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07115050A (ja) * 1993-10-18 1995-05-02 Canon Inc 検査方法及び該検査方法を用いる走査型露光装置と該検査方法を用いるデバイス製造方法
KR970003184U (ko) * 1995-06-13 1997-01-24 반도체 소자 제조용 노광장치
KR100274594B1 (ko) * 1997-10-29 2000-12-15 윤종용 반도체 웨이퍼의 검사장치 및 검사방법.
KR20000074786A (ko) * 1999-05-26 2000-12-15 황인길 반도체 웨이퍼상의 이물질 검출 장치
KR20010063162A (ko) * 1999-12-22 2001-07-09 황인길 웨이퍼 오염 상태 디스플레이 장치
KR20010108666A (ko) * 2000-05-30 2001-12-08 윤종용 포토리소그래피 장치의 스텝퍼 유니트

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030005956A (ko) 2003-01-23
DE10230891B4 (de) 2006-08-17
US20040184021A1 (en) 2004-09-23
US6873396B2 (en) 2005-03-29
JP2003077828A (ja) 2003-03-14
US6893787B2 (en) 2005-05-17
US20030013026A1 (en) 2003-01-16
JP4454909B2 (ja) 2010-04-21
DE10230891A1 (de) 2003-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111982927B (zh) 基板处理系统
KR100452317B1 (ko) 포토리소그래피 공정시스템 및 그 방법
JP2007240519A (ja) 欠陥検査方法、欠陥検査装置及びコンピュータプログラム
KR100819556B1 (ko) 웨이퍼 스테이지, 이를 갖는 노광설비 및 이를 사용한 웨이퍼 평평도 보정 방법
KR20120008447A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체
JP2011174757A (ja) 欠陥検査方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び欠陥検査装置
KR100822372B1 (ko) 베이크 공정장치 및 방법
JP2011145193A (ja) 欠陥検査装置
JP4914854B2 (ja) 欠陥検査方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2014109436A (ja) 基板の欠陥検査方法、基板の欠陥検査装置、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2019021747A (ja) 基板位置調整方法、記憶媒体及び基板処理システム
JP7090005B2 (ja) 基板処理装置及び検査方法
JP2014132672A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
CN111009478A (zh) 基板处理装置和检查方法
US7045019B1 (en) Method for performing site-specific backside particle and contamination removal
JP6524185B2 (ja) 基板処理システム
US7170578B2 (en) Pattern control system
KR100678469B1 (ko) 노광장치용 웨이퍼 스테이지 및 이를 이용한 웨이퍼평행조절방법
JP2014222761A (ja) 基板処理方法及びその基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP2001168167A (ja) 処理システム及び処理方法
KR100567518B1 (ko) 웨이퍼의 프리얼라인 방법
TW202314232A (zh) 基板檢查裝置、基板檢查方法及記憶媒體
KR20220097141A (ko) 웨이퍼 검사 장치
JP2012023287A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2003347200A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090914

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee