JP3415283B2 - バンプ形成装置、バンプ形成方法および半導体素子の製造方法 - Google Patents
バンプ形成装置、バンプ形成方法および半導体素子の製造方法Info
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- JP3415283B2 JP3415283B2 JP20771094A JP20771094A JP3415283B2 JP 3415283 B2 JP3415283 B2 JP 3415283B2 JP 20771094 A JP20771094 A JP 20771094A JP 20771094 A JP20771094 A JP 20771094A JP 3415283 B2 JP3415283 B2 JP 3415283B2
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- cooling
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- bumps
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
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- Wire Bonding (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体素子の電極パ
ッド上にボールバンプを形成するバンプ形成装置、バン
プ形成方法および半導体素子の製造方法に関するもので
ある。
ッド上にボールバンプを形成するバンプ形成装置、バン
プ形成方法および半導体素子の製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の電極パッド上に回路基板と
の接続媒体となるバンプ（突起電極）を成形する方法と
しては、従来種々の方法が考えられている。このような
方法のうちの一つとして、ボ−ルバンプ成形方法があ
る。
の接続媒体となるバンプ（突起電極）を成形する方法と
しては、従来種々の方法が考えられている。このような
方法のうちの一つとして、ボ−ルバンプ成形方法があ
る。
【０００３】この方法は、金ワイヤの先端を溶融させる
ことで、金ボ−ル（球状体）を形成し、このボ−ルを上
記電極パッドに接合（ボンディング）した後、このボ−
ルの直上部で上記ワイヤを切断することで、上記電極パ
ッド上にボ−ル状のバンプ（以下「ボ−ルバンプ」とい
う）を形成するものである。
ことで、金ボ−ル（球状体）を形成し、このボ−ルを上
記電極パッドに接合（ボンディング）した後、このボ−
ルの直上部で上記ワイヤを切断することで、上記電極パ
ッド上にボ−ル状のバンプ（以下「ボ−ルバンプ」とい
う）を形成するものである。
【０００４】以下、この方法で上記ボ−ルバンプを形成
する従来のボ−ルバンプ形成装置について説明する。バ
ンプが形成される半導体素子（半導体チップ）は、表面
に集積回路が形成されてなる円盤状の半導体ウエハを多
数のチップにダイシング（切断分割）することにより製
造される。
する従来のボ−ルバンプ形成装置について説明する。バ
ンプが形成される半導体素子（半導体チップ）は、表面
に集積回路が形成されてなる円盤状の半導体ウエハを多
数のチップにダイシング（切断分割）することにより製
造される。
【０００５】製造されたチップ状の半導体素子は、ダイ
シング時に上記ウエハを保持していた粘着シ−ト上にそ
のまま保持されているか、あるいはシ−トから取り出さ
れ多数の半導体素子を整列保持するトレイ内に収納され
る。
シング時に上記ウエハを保持していた粘着シ−ト上にそ
のまま保持されているか、あるいはシ−トから取り出さ
れ多数の半導体素子を整列保持するトレイ内に収納され
る。
【０００６】このバンプ成形装置は、上記半導体素子を
上記シ−トあるいはトレイ内から吸着保持することによ
り取り出し搬送する吸着保持ヘッドを具備する。この吸
着保持ヘッドは、取り出した半導体素子をバンプの形成
を行うボンディングステ−ジに搬送するようになってい
る。
上記シ−トあるいはトレイ内から吸着保持することによ
り取り出し搬送する吸着保持ヘッドを具備する。この吸
着保持ヘッドは、取り出した半導体素子をバンプの形成
を行うボンディングステ−ジに搬送するようになってい
る。
【０００７】ボンディングステ−ジに対向する位置に
は、上記半導体素子の電極パッド上にボ−ルバンプを形
成するバンプ形成機構が設けられている。このバンプ形
成機構は、上記ワイヤの先端に形成されたボ−ルを上記
半導体素子の電極パッドに押し付けるボンディングツ−
ルとしてのキャピラリを具備する。
は、上記半導体素子の電極パッド上にボ−ルバンプを形
成するバンプ形成機構が設けられている。このバンプ形
成機構は、上記ワイヤの先端に形成されたボ−ルを上記
半導体素子の電極パッドに押し付けるボンディングツ−
ルとしてのキャピラリを具備する。
【０００８】このキャピラリは、上記ワイヤを保持した
状態で、上記ボ−ルを上記電極パッドに押し付けてボン
ディングする。その後、上記ワイヤを上記ボ−ルの直上
部で切断することで、上記電極パッド上に上記ボ−ルバ
ンプを形成する。
状態で、上記ボ−ルを上記電極パッドに押し付けてボン
ディングする。その後、上記ワイヤを上記ボ−ルの直上
部で切断することで、上記電極パッド上に上記ボ−ルバ
ンプを形成する。
【０００９】上記バンプ形成機構は、上記キャピラリを
順次各電極パッドに対向する位置に移動させ、すべての
電極パッド上に上記ボ−ルバンプを形成する。上記半導
体素子にボ−ルバンプが形成されたならば、上記吸着保
持ヘッドは上記ボンディングステ−ジ上にから上記半導
体素子を取り出し、この半導体素子を再び上記粘着シ−
トあるいはトレイの所定の位置に戻すようになってい
る。
順次各電極パッドに対向する位置に移動させ、すべての
電極パッド上に上記ボ−ルバンプを形成する。上記半導
体素子にボ−ルバンプが形成されたならば、上記吸着保
持ヘッドは上記ボンディングステ−ジ上にから上記半導
体素子を取り出し、この半導体素子を再び上記粘着シ−
トあるいはトレイの所定の位置に戻すようになってい
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記バンプ
形成装置においては、熱エネルギにより上記電極パッド
と上記ボ−ルとを共晶結合させ接合するようにしてい
る。このため、上記ボ−ルおよび上記半導体素子はかな
りの高温に加熱される。
形成装置においては、熱エネルギにより上記電極パッド
と上記ボ−ルとを共晶結合させ接合するようにしてい
る。このため、上記ボ−ルおよび上記半導体素子はかな
りの高温に加熱される。
【００１１】一方、近年は、上記半導体素子が高機能
化、高品質化していることに鑑み、上記半導体素子に加
わる熱ダメ−ジを少なくするために、上記キャピラリを
超音波領域で振動させ、超音波振動によるエネルギを併
用することによって、上記電極パッドとボ−ルとを接合
する方法が行われている。
化、高品質化していることに鑑み、上記半導体素子に加
わる熱ダメ−ジを少なくするために、上記キャピラリを
超音波領域で振動させ、超音波振動によるエネルギを併
用することによって、上記電極パッドとボ−ルとを接合
する方法が行われている。
【００１２】このようにすれば、上記半導体素子の加熱
温度を抑えることができ、上記半導体素子に加わる熱ダ
メ−ジを小さくすることができる。しかし、この場合で
も、バンプ形成直後の半導体素子はかなりの温度とな
る。したがって、上記バンプ形成後の半導体素子を直ぐ
に上記トレイあるいは粘着シ−トに戻すと、上記トレイ
あるいはシ−トが熱により変形するという問題があっ
た。
温度を抑えることができ、上記半導体素子に加わる熱ダ
メ−ジを小さくすることができる。しかし、この場合で
も、バンプ形成直後の半導体素子はかなりの温度とな
る。したがって、上記バンプ形成後の半導体素子を直ぐ
に上記トレイあるいは粘着シ−トに戻すと、上記トレイ
あるいはシ−トが熱により変形するという問題があっ
た。
【００１３】この発明は、このような事情に鑑みて成さ
れたもので、バンプ形成のタクトタイムを低下させるこ
となく半導体素子を冷却することができ、上記半導体素
子の収納を行うシートやトレイ等の収納部の熱変形を有
効に防止できるバンプ形成装置、バンプ形成方法および
半導体素子の製造方法を提供することを目的とするもの
である。
れたもので、バンプ形成のタクトタイムを低下させるこ
となく半導体素子を冷却することができ、上記半導体素
子の収納を行うシートやトレイ等の収納部の熱変形を有
効に防止できるバンプ形成装置、バンプ形成方法および
半導体素子の製造方法を提供することを目的とするもの
である。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明の第１の手段
は、ワイヤの先端に形成した球状体を所定の温度に加熱
された半導体素子の電極上に押し付けた後、上記ワイヤ
を切断することにより上記電極上にバンプを形成するバ
ンプ形成部と、前記バンプ形成部から、バンプが形成さ
れた前記半導体素子を取り出し搬送する搬送手段とを有
するバンプ形成装置において、 前記搬送手段の搬送経路
に設けられ、前記バンプ形成部から取り出された前記半
導体素子を所定の温度以下となるように冷却する冷却手
段を有する冷却部、を具備することを特徴とするバンプ
形成装置である。
は、ワイヤの先端に形成した球状体を所定の温度に加熱
された半導体素子の電極上に押し付けた後、上記ワイヤ
を切断することにより上記電極上にバンプを形成するバ
ンプ形成部と、前記バンプ形成部から、バンプが形成さ
れた前記半導体素子を取り出し搬送する搬送手段とを有
するバンプ形成装置において、 前記搬送手段の搬送経路
に設けられ、前記バンプ形成部から取り出された前記半
導体素子を所定の温度以下となるように冷却する冷却手
段を有する冷却部、を具備することを特徴とするバンプ
形成装置である。
【００１５】第２の手段は、第１の手段のバンプ形成装
置において、 冷却手段は上記半導体素子が載置される保
持台であり、上記冷却部は、この保持台上に半導体素子
が載置された状態で上記半導体素子が上記保持台を通し
て放熱するものであることを特徴とするバンプ形成装置
である。
置において、 冷却手段は上記半導体素子が載置される保
持台であり、上記冷却部は、この保持台上に半導体素子
が載置された状態で上記半導体素子が上記保持台を通し
て放熱するものであることを特徴とするバンプ形成装置
である。
【００１６】第３の手段は、第１の手段のバンプ形成装
置において、 上記冷却手段は、上記半導体素子に風を吹
き付ける送風手段であることを特徴とするバンプ形成装
置である。
置において、 上記冷却手段は、上記半導体素子に風を吹
き付ける送風手段であることを特徴とするバンプ形成装
置である。
【００１７】第４の手段は、第３の手段のバンプ形成装
置において、 上記送風手段は、上記搬送手段による上記
半導体素子の搬送経路に沿って開口するノズルから送風
することを特徴とするバンプ形成装置である。
置において、 上記送風手段は、上記搬送手段による上記
半導体素子の搬送経路に沿って開口するノズルから送風
することを特徴とするバンプ形成装置である。
【００１８】第５の手段は、第１の手段のバンプ形成装
置において、 上記搬送手段は、上記冷却部での上記半導
体素子の搬送速度を任意に設定できるものであることを
特徴とするバンプ形成装置である。
置において、 上記搬送手段は、上記冷却部での上記半導
体素子の搬送速度を任意に設定できるものであることを
特徴とするバンプ形成装置である。
【００１９】第６の手段は、ワイヤの先端に球状体を形
成して所定の温度に加熱された半導体素子の電極上に前
記球状体を押し付けた後、前記ワイヤを切断することに
より前記電極上にバンプを形成するバンプ形成工程を有
するバンプ形成方法において、 上記バンプが形成された
上記半導体素子をバンプ形成部から取り出し、冷却手段
を有する冷却部に搬送する第１の搬送工程と、 前記冷却
手段によって上記半導体素子を所定の温度以下となるよ
うに冷却する冷却工程と、 冷却された前記半導体素子を
収納する第２の搬送工程と、を具備することを特徴とす
るバンプ形成方法である。
成して所定の温度に加熱された半導体素子の電極上に前
記球状体を押し付けた後、前記ワイヤを切断することに
より前記電極上にバンプを形成するバンプ形成工程を有
するバンプ形成方法において、 上記バンプが形成された
上記半導体素子をバンプ形成部から取り出し、冷却手段
を有する冷却部に搬送する第１の搬送工程と、 前記冷却
手段によって上記半導体素子を所定の温度以下となるよ
うに冷却する冷却工程と、 冷却された前記半導体素子を
収納する第２の搬送工程と、を具備することを特徴とす
るバンプ形成方法である。
【００２０】第７の手段は、バンプが形成された半導体
素子をバンプ形成部から取り出し冷却手段を有する冷却
部に搬送する第１の搬送と、上記バンプが形成されてい
ない新たな半導体素子が収納されている収納部から上記
新たな半導体素子を取り出し上記バンプ形成部に供給す
る第２の搬送と、上記冷却部からバンプが形成されかつ
冷却された半導体素子を取り出し上記収納部に搬送して
収納する第３の搬送と、を夫々行う搬送工程と、 上記第
２の搬送の後、ワイヤの先端に球状体を形成して所定の
温度に加熱された上記新たな半導体素子に形成されてい
る電極上に上記球状体を押し付けた後、上記ワイヤを切
断することにより上記電極上にバンプを形成するバンプ
形成工程と、を具備することを特徴とする半導体素子の
製造方法である。
素子をバンプ形成部から取り出し冷却手段を有する冷却
部に搬送する第１の搬送と、上記バンプが形成されてい
ない新たな半導体素子が収納されている収納部から上記
新たな半導体素子を取り出し上記バンプ形成部に供給す
る第２の搬送と、上記冷却部からバンプが形成されかつ
冷却された半導体素子を取り出し上記収納部に搬送して
収納する第３の搬送と、を夫々行う搬送工程と、 上記第
２の搬送の後、ワイヤの先端に球状体を形成して所定の
温度に加熱された上記新たな半導体素子に形成されてい
る電極上に上記球状体を押し付けた後、上記ワイヤを切
断することにより上記電極上にバンプを形成するバンプ
形成工程と、を具備することを特徴とする半導体素子の
製造方法である。
【００２１】第８の手段は、バンプが形成された半導体
素子をバンプ形成部から取り出し冷却手段を有する冷却
部に搬送する第１の搬送と、上記バンプが形成されてい
ない新たな半導体素子が収納されている収納部から上記
新たな半導体素子を取り出し上記バンプ形成部に供給す
る第２の搬送と、上記冷却部からバンプが形成されかつ
冷却された半導体素子を取り出し上記収納部に搬送して
収納する第３の搬送と、を夫々行う搬送工程と、 上記第
２の搬送の後、ワイヤの先端に球状体を形成して所定の
温度に加熱された上記新たな半導体素子に形成されてい
る電極上に上記球状体を押し付けた後、上記ワイヤを切
断することにより上記電極上にバンプを形成するバンプ
形成工程と、を具備する半導体素子の製造方法であっ
て、 上記収納部は、上記所定の温度において熱変形する
材質で構成されていることを特徴とする半導体素子の製
造方法である。
素子をバンプ形成部から取り出し冷却手段を有する冷却
部に搬送する第１の搬送と、上記バンプが形成されてい
ない新たな半導体素子が収納されている収納部から上記
新たな半導体素子を取り出し上記バンプ形成部に供給す
る第２の搬送と、上記冷却部からバンプが形成されかつ
冷却された半導体素子を取り出し上記収納部に搬送して
収納する第３の搬送と、を夫々行う搬送工程と、 上記第
２の搬送の後、ワイヤの先端に球状体を形成して所定の
温度に加熱された上記新たな半導体素子に形成されてい
る電極上に上記球状体を押し付けた後、上記ワイヤを切
断することにより上記電極上にバンプを形成するバンプ
形成工程と、を具備する半導体素子の製造方法であっ
て、 上記収納部は、上記所定の温度において熱変形する
材質で構成されていることを特徴とする半導体素子の製
造方法である。
【００２２】
【作用】本発明を用いることにより、バンプを形成する
速度に影響を与えることなく、収納手段を熱変形させず
にバンプ付半導体素子を収納する工程を提供することを
可能とする。
速度に影響を与えることなく、収納手段を熱変形させず
にバンプ付半導体素子を収納する工程を提供することを
可能とする。
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図１〜図４を参
照して説明する。このバンプ形成装置は、図に示すよう
に、半導体素子１を収納する収納部２と、この収納部２
から取り出された半導体素子１にバンプを形成するバン
プ形成部３と、バンプ形成のなされた半導体素子１を冷
却する冷却部４と、上記収納部２、バンプ形成部３およ
び冷却部４の間で上記半導体素子を搬送する吸着保持ヘ
ッド５（搬送手段）とを具備する。
照して説明する。このバンプ形成装置は、図に示すよう
に、半導体素子１を収納する収納部２と、この収納部２
から取り出された半導体素子１にバンプを形成するバン
プ形成部３と、バンプ形成のなされた半導体素子１を冷
却する冷却部４と、上記収納部２、バンプ形成部３およ
び冷却部４の間で上記半導体素子を搬送する吸着保持ヘ
ッド５（搬送手段）とを具備する。
【００２７】上記収納部２は、上記多数の半導体素子１
…を収納するトレイ７を具備する。上記半導体素子１
は、図示しないダイシング装置においてウエハを分割す
ることで製造され、このトレイ７内に整列されたもので
ある。
…を収納するトレイ７を具備する。上記半導体素子１
は、図示しないダイシング装置においてウエハを分割す
ることで製造され、このトレイ７内に整列されたもので
ある。
【００２８】一方、上記吸着保持ヘッド５は、図示しな
いＸＹＺ駆動機構に保持され、図に８で示す制御部の指
令に基づき上記ＸＹＺ駆動機構が作動することで、ＸＹ
Ｚ方向に駆動されるようになっている。
いＸＹＺ駆動機構に保持され、図に８で示す制御部の指
令に基づき上記ＸＹＺ駆動機構が作動することで、ＸＹ
Ｚ方向に駆動されるようになっている。
【００２９】この吸着保持ヘッド５は、図示しない真空
装置に接続された吸着ノズル９を具備し、この吸着ノズ
ル９の先端に上記トレイ７内の半導体素子１を吸着保持
することで、上記トレイ７内から任意の半導体素子１を
取り出し、上記バンプ形成部３に搬送するようになって
いる。
装置に接続された吸着ノズル９を具備し、この吸着ノズ
ル９の先端に上記トレイ７内の半導体素子１を吸着保持
することで、上記トレイ７内から任意の半導体素子１を
取り出し、上記バンプ形成部３に搬送するようになって
いる。
【００３０】このバンプ形成部３は、図に１０で示すボ
ンディングステ−ジを具備する。このボンディングステ
−ジ１０の上面は略平坦に形成されていると共に上記半
導体素子１を吸着保持するための吸着孔１１が開口して
いる。
ンディングステ−ジを具備する。このボンディングステ
−ジ１０の上面は略平坦に形成されていると共に上記半
導体素子１を吸着保持するための吸着孔１１が開口して
いる。
【００３１】この吸着孔１１は、図に１２で示す接続口
を通じて図示しない真空装置に接続されている。したが
って、この真空装置を作動させることで、上記ボンディ
ングステ−ジ１０の上面に上記半導体素子１を吸着保持
することができるようになっている。
を通じて図示しない真空装置に接続されている。したが
って、この真空装置を作動させることで、上記ボンディ
ングステ−ジ１０の上面に上記半導体素子１を吸着保持
することができるようになっている。
【００３２】また、このボンディングステ−ジ１０は、
ＸＹ方向に移動自在に設けられており、上面に保持した
半導体素子１を粗位置決めできるようになっている。ま
た、このボンディングステ−ジ１０内に埋設された図示
しないシ−ズヒ−タを作動させることで、上記半導体素
子１をバンプ形成に適した所定の温度に加熱、保温する
ようになっている。
ＸＹ方向に移動自在に設けられており、上面に保持した
半導体素子１を粗位置決めできるようになっている。ま
た、このボンディングステ−ジ１０内に埋設された図示
しないシ−ズヒ−タを作動させることで、上記半導体素
子１をバンプ形成に適した所定の温度に加熱、保温する
ようになっている。
【００３３】また、この装置は、上記ボンディングステ
−ジ１０の上面で開閉するチャック機構１３を具備す
る。このチャック機構１３は、Ｘ方向に往復移動自在に
設けられ互いに対向する２つのＸ握持片１５、１５およ
び、Ｙ方向に往復移動自在に設けられ互いに対向する２
つのＹ握持片１６、１６の、合計４つの握持片を具備す
る。
−ジ１０の上面で開閉するチャック機構１３を具備す
る。このチャック機構１３は、Ｘ方向に往復移動自在に
設けられ互いに対向する２つのＸ握持片１５、１５およ
び、Ｙ方向に往復移動自在に設けられ互いに対向する２
つのＹ握持片１６、１６の、合計４つの握持片を具備す
る。
【００３４】上記Ｘ握持片１５、１５の互いに対向する
面は、Ｙ方向に平行に設けられた平坦なＸ当接面１５
ａ、１５ａとなっている。また、Ｙ握持片１６、１６の
互いに対向する面は、Ｘ方向に平行に設けられたＹ当接
面１６ａ、１６ａとなっている。
面は、Ｙ方向に平行に設けられた平坦なＸ当接面１５
ａ、１５ａとなっている。また、Ｙ握持片１６、１６の
互いに対向する面は、Ｘ方向に平行に設けられたＹ当接
面１６ａ、１６ａとなっている。
【００３５】このチャック機構１３は、上記ボンディン
グステ−ジ１０の上面に保持された半導体素子１に対し
て、上記各握持片１５、１６を前進させる。このことで
上記Ｘ握持片１５のＸ当接面１５を上記半導体素子１の
Ｘ辺に当接させると共に、上記Ｙ握持片１６のＹ当接面
１６ａを上記半導体素子１のＹ辺に当接させる。
グステ−ジ１０の上面に保持された半導体素子１に対し
て、上記各握持片１５、１６を前進させる。このことで
上記Ｘ握持片１５のＸ当接面１５を上記半導体素子１の
Ｘ辺に当接させると共に、上記Ｙ握持片１６のＹ当接面
１６ａを上記半導体素子１のＹ辺に当接させる。
【００３６】このような動作により、上記チャック機構
１３は、上記半導体素子１の吸着姿勢を補正すると共
に、この半導体素子１を４方向から挟み移動不能に握持
するようになっている。
１３は、上記半導体素子１の吸着姿勢を補正すると共
に、この半導体素子１を４方向から挟み移動不能に握持
するようになっている。
【００３７】また、このボンディングステ−ジ１０の上
方には、撮像カメラ１７が設けられている。この撮像カ
メラ１７は、撮像面を上記ボンディングステ−ジ１０の
上面に対向させた状態で設けられ、このボンディングス
テ−ジ１０上に吸着保持された半導体素子１を撮像認識
することができるようになっている。
方には、撮像カメラ１７が設けられている。この撮像カ
メラ１７は、撮像面を上記ボンディングステ−ジ１０の
上面に対向させた状態で設けられ、このボンディングス
テ−ジ１０上に吸着保持された半導体素子１を撮像認識
することができるようになっている。
【００３８】上記チャック機構１３は、この撮像カメラ
１７による上記半導体素子１の撮像認識信号に基づいて
作動し、上記半導体素子１の吸着姿勢の補正および握持
固定を行うようになっている。
１７による上記半導体素子１の撮像認識信号に基づいて
作動し、上記半導体素子１の吸着姿勢の補正および握持
固定を行うようになっている。
【００３９】また、このボンディングステ−ジ１０の上
方には、ボンディング機構１８が設けられている。この
ボンディング機構１８は、図２（ａ）に示すように、図
示しない超音波発生装置に接続された超音波ホ−ン２０
と、この超音波ホ−ン２０の先端部に軸線を垂直にした
状態で保持されたキャピラリ２１と、このキャピラリ２
１の先端近傍に設けられ、このキャピラリ２１の下端か
ら露出する金ワイヤ２２の先端部を溶融させ、このワイ
ヤ２２の先端部にボ−ル２３を形成する電気ト−チ２４
とを有する。
方には、ボンディング機構１８が設けられている。この
ボンディング機構１８は、図２（ａ）に示すように、図
示しない超音波発生装置に接続された超音波ホ−ン２０
と、この超音波ホ−ン２０の先端部に軸線を垂直にした
状態で保持されたキャピラリ２１と、このキャピラリ２
１の先端近傍に設けられ、このキャピラリ２１の下端か
ら露出する金ワイヤ２２の先端部を溶融させ、このワイ
ヤ２２の先端部にボ−ル２３を形成する電気ト−チ２４
とを有する。
【００４０】このボンディング機構１８は、同図（ａ）
に示すように、上記電気ト−チ２４を用いて上記金ワイ
ヤ２２の下端にボ−ル２３（球状体）を形成する。つい
で、上記キャピラリ２１を下降駆動することで、上記ボ
−ル２３を上記半導体素子１の電極パッド１ａに押し付
けると共に、上記超音波発生装置を作動させることで、
上記キャピラリ２１の先端部を超音波振動させる。
に示すように、上記電気ト−チ２４を用いて上記金ワイ
ヤ２２の下端にボ−ル２３（球状体）を形成する。つい
で、上記キャピラリ２１を下降駆動することで、上記ボ
−ル２３を上記半導体素子１の電極パッド１ａに押し付
けると共に、上記超音波発生装置を作動させることで、
上記キャピラリ２１の先端部を超音波振動させる。
【００４１】上記ボ−ル２３は、上記キャピラリ２１を
通じて印加された超音波エネルギおよび、上記ボンディ
ングステ−ジ１０による加熱エネルギとによって、上記
電極パッド１ａに溶着（共晶結合）される。
通じて印加された超音波エネルギおよび、上記ボンディ
ングステ−ジ１０による加熱エネルギとによって、上記
電極パッド１ａに溶着（共晶結合）される。
【００４２】上記ボ−ル２３が上記電極パッド１ａに溶
着されたならば、上記キャピラリ２１は上昇駆動される
と共に、上記金ワイヤ２２は上記接合されたボ−ル２３
の直上部分で切断される。
着されたならば、上記キャピラリ２１は上昇駆動される
と共に、上記金ワイヤ２２は上記接合されたボ−ル２３
の直上部分で切断される。
【００４３】このことで、同図（ａ）の上記半導体素子
１の電極パッド１ａ上にはボ−ルボ−ルバンプ２３ａが
形成される。この装置は、上記キャピラリ２１を順次各
電極パッド１ａに対向させると共に、上記各電極パッド
１ａ毎に上記動作を繰り返すことで、上記半導体素子１
のすべての電極パッド１ａ上に上記ボ−ルバンプ２３ａ
を形成していく。
１の電極パッド１ａ上にはボ−ルボ−ルバンプ２３ａが
形成される。この装置は、上記キャピラリ２１を順次各
電極パッド１ａに対向させると共に、上記各電極パッド
１ａ毎に上記動作を繰り返すことで、上記半導体素子１
のすべての電極パッド１ａ上に上記ボ−ルバンプ２３ａ
を形成していく。
【００４４】なお、このような動作中、上記ボンディン
グステ−ジ１０は上記半導体素子１を吸着保持してお
り、上記チャック機構１３（Ｘ、Ｙ握持片１５、１６）
は上記半導体素子１を移動不能に握持している。
グステ−ジ１０は上記半導体素子１を吸着保持してお
り、上記チャック機構１３（Ｘ、Ｙ握持片１５、１６）
は上記半導体素子１を移動不能に握持している。
【００４５】したがって、上記半導体素子１は、上記ボ
−ルバンプ２３の形成中にＸＹ方向に移動したり回転し
たりするということはなく、上記各バンプ２３ａは、上
記半導体素子１の各電極パッド１ａに対応する正確な位
置に形成されることとなる。
−ルバンプ２３の形成中にＸＹ方向に移動したり回転し
たりするということはなく、上記各バンプ２３ａは、上
記半導体素子１の各電極パッド１ａに対応する正確な位
置に形成されることとなる。
【００４６】上述したバンプ形成工程が終了したなら
ば、この装置は、上記真空装置を停止させると共に、上
記チャック機構１３の各Ｘ、Ｙ握持片１５、１６を後退
駆動し、上記半導体素子１の固定を解除する。
ば、この装置は、上記真空装置を停止させると共に、上
記チャック機構１３の各Ｘ、Ｙ握持片１５、１６を後退
駆動し、上記半導体素子１の固定を解除する。
【００４７】ついで、上記導体素子１は、上記吸着保持
ヘッド５によってこのボンディングステ−ジ１０から取
り出される。そして、上記取り出された半導体素子１
は、上記冷却部４に搬送されるようになっている。
ヘッド５によってこのボンディングステ−ジ１０から取
り出される。そして、上記取り出された半導体素子１
は、上記冷却部４に搬送されるようになっている。
【００４８】上記冷却部４は、上面に上記半導体素子１
を保持する保持台２５を具備する。この保持台２５の上
面には、上記半導体素子１を吸着するための吸着孔２６
が設けられ、側面にはこの吸着孔２６に連通する接続口
２７が開口している。この接続口２７には図示しない真
空装置が接続され、この真空装置を作動させることで、
上記保持台２５上に上記半導体素子１を吸着保持するこ
とができるようになっている。
を保持する保持台２５を具備する。この保持台２５の上
面には、上記半導体素子１を吸着するための吸着孔２６
が設けられ、側面にはこの吸着孔２６に連通する接続口
２７が開口している。この接続口２７には図示しない真
空装置が接続され、この真空装置を作動させることで、
上記保持台２５上に上記半導体素子１を吸着保持するこ
とができるようになっている。
【００４９】また、この冷却部４は、上記保持台２５上
に保持した上記半導体素子１に所定の温度の冷却風を突
き付けることでこの半導体素子１を所定の温度に冷却す
る冷却風吹き付けノズル２８を具備する。
に保持した上記半導体素子１に所定の温度の冷却風を突
き付けることでこの半導体素子１を所定の温度に冷却す
る冷却風吹き付けノズル２８を具備する。
【００５０】この冷却風吹き付けノズル２８は、上記半
導体素子１が上記保持台２５上に載置されたならば、比
較的緩やかな冷却風を吹き付けることで、所定の時間を
もって上記半導体素子１を冷却するようになっている。
導体素子１が上記保持台２５上に載置されたならば、比
較的緩やかな冷却風を吹き付けることで、所定の時間を
もって上記半導体素子１を冷却するようになっている。
【００５１】この冷却部４により上記半導体素子１が所
定の温度に冷却されたならば、上記吸着保持ヘッド５
は、上記保持台２５上から上記半導体素子１を取り出
し、上記収納部２に搬送する。そして、この半導体素子
１を上記トレイ７の元の位置に戻すようになっている。
定の温度に冷却されたならば、上記吸着保持ヘッド５
は、上記保持台２５上から上記半導体素子１を取り出
し、上記収納部２に搬送する。そして、この半導体素子
１を上記トレイ７の元の位置に戻すようになっている。
【００５２】次に、この装置の動作について説明する。
ただし、上記バンプ形成の動作については、すでに説明
したのでその詳しい説明は省略し、上記吸着保持ヘッド
５および上記冷却部４の動作を主に説明する。
ただし、上記バンプ形成の動作については、すでに説明
したのでその詳しい説明は省略し、上記吸着保持ヘッド
５および上記冷却部４の動作を主に説明する。
【００５３】上記吸着保持ヘッド５の動作を、上記バン
プ形成部３を始点として説明する。なお、図には説明の
便宜上、上記吸着保持ヘッド５を３つ示しているが、実
際には１つしか具備しないものとする。
プ形成部３を始点として説明する。なお、図には説明の
便宜上、上記吸着保持ヘッド５を３つ示しているが、実
際には１つしか具備しないものとする。
【００５４】上記吸着保持ヘッド５は、上記ボンディン
グステ−ジ１０上から、上記バンプ２３ａが形成された
半導体素子１を取り出し、図に（イ）で示すように上記
冷却部４の保持台２５上に搬送する。（第１の搬送工
程） この保持台２５上に半導体素子１を載置したならば、上
記吸着保持ヘッド５は、何も保持しない状態で図に
（ロ）で示す経路に沿って、そのまま上記供給部２に移
動する。（第２の搬送工程） この吸着保持ヘッド５は、この供給部２に保持されたト
レイ７内から、次にバンプを形成する新たな半導体素子
１を吸着保持し、取り出す。
グステ−ジ１０上から、上記バンプ２３ａが形成された
半導体素子１を取り出し、図に（イ）で示すように上記
冷却部４の保持台２５上に搬送する。（第１の搬送工
程） この保持台２５上に半導体素子１を載置したならば、上
記吸着保持ヘッド５は、何も保持しない状態で図に
（ロ）で示す経路に沿って、そのまま上記供給部２に移
動する。（第２の搬送工程） この吸着保持ヘッド５は、この供給部２に保持されたト
レイ７内から、次にバンプを形成する新たな半導体素子
１を吸着保持し、取り出す。
【００５５】ついで、この吸着保持ヘッド５は、上記半
導体素子１を図に（ハ）で示す経路に沿って上記バンプ
形成部３に搬送し、この半導体素子１を上記ボンディン
グステ−ジ１０上に載置する。（供給工程） そして、このボンディングステ−ジ１０上に半導体素子
１を載置したならば、上記吸着保持ヘッド５は、何も吸
着しない状態で（イ）で示す経路に沿って移動上記冷却
部４に移動する。
導体素子１を図に（ハ）で示す経路に沿って上記バンプ
形成部３に搬送し、この半導体素子１を上記ボンディン
グステ−ジ１０上に載置する。（供給工程） そして、このボンディングステ−ジ１０上に半導体素子
１を載置したならば、上記吸着保持ヘッド５は、何も吸
着しない状態で（イ）で示す経路に沿って移動上記冷却
部４に移動する。
【００５６】なお、上記冷却部４は、上記吸着保持ヘッ
ド５が一周してくる間中、上記冷却風吹き付けノズル２
８を作動させ、上記保持台２５上に吸着保持した半導体
素子１を冷却しており、この半導体素子１はすでに所定
の温度以下に冷却されている。
ド５が一周してくる間中、上記冷却風吹き付けノズル２
８を作動させ、上記保持台２５上に吸着保持した半導体
素子１を冷却しており、この半導体素子１はすでに所定
の温度以下に冷却されている。
【００５７】上記吸着保持ヘッド５は、この半導体素子
１を、この保持台２５上から取り出し、図に（ロ）で示
す経路にそって上記半導体素子１を上記供給部４に搬送
する。そして、この吸着ヘッド５は、この半導体素子１
を上記トレイ７内の元の位置に戻す。
１を、この保持台２５上から取り出し、図に（ロ）で示
す経路にそって上記半導体素子１を上記供給部４に搬送
する。そして、この吸着ヘッド５は、この半導体素子１
を上記トレイ７内の元の位置に戻す。
【００５８】上記半導体素子１を元の位置に戻したなら
ば、この吸着保持ヘッド５は、何も保持しない状態で図
に（ハ）で示す経路に沿って上記バンプ形成部３に移動
する。
ば、この吸着保持ヘッド５は、何も保持しない状態で図
に（ハ）で示す経路に沿って上記バンプ形成部３に移動
する。
【００５９】なお、バンプ形成部３は、上記吸着保持ヘ
ッド５が一周している間、上記チャック機構１３および
バンプ形成機構１８を作動させ、上記ボンディングステ
−ジ１０上に保持した半導体素子１に対してバンプ２３
ａの形成を行っている。
ッド５が一周している間、上記チャック機構１３および
バンプ形成機構１８を作動させ、上記ボンディングステ
−ジ１０上に保持した半導体素子１に対してバンプ２３
ａの形成を行っている。
【００６０】そして、上記吸着保持ヘッド５は、バンプ
２３ａの形成がなされた上記半導体素子１をこのボンデ
ィングステ−ジ１０上から取り出して上記冷却部４に搬
送する。
２３ａの形成がなされた上記半導体素子１をこのボンデ
ィングステ−ジ１０上から取り出して上記冷却部４に搬
送する。
【００６１】この装置は、以上述べた動作を繰り返すこ
とにより、上記トレイ７に収納されたすべての半導体素
子１にバンプ２３ａを形成する。このような構成によれ
ば、以下に説明する効果がある。
とにより、上記トレイ７に収納されたすべての半導体素
子１にバンプ２３ａを形成する。このような構成によれ
ば、以下に説明する効果がある。
【００６２】第１に、この発明のバンプ形成装置は、上
記バンプ形成部３から上記収納部２に至る半導体素子１
の搬送経路（イ）、（ロ）の中途部に、この半導体素子
１を冷却する冷却部４を設けたので、上記収納部２に保
持された半導体素子収納用のトレイ７が上記半導体素子
１の熱により破損してしまうことを有効に防止できる効
果がある。
記バンプ形成部３から上記収納部２に至る半導体素子１
の搬送経路（イ）、（ロ）の中途部に、この半導体素子
１を冷却する冷却部４を設けたので、上記収納部２に保
持された半導体素子収納用のトレイ７が上記半導体素子
１の熱により破損してしまうことを有効に防止できる効
果がある。
【００６３】第２に、上記冷却部において上記半導体素
子１を冷却している間に次の半導体素子１をバンプ形成
部３に供給するようにすると共に、このバンプ形成部３
において上記半導体素子１にバンプ２３ａを形成してい
る間に冷却された半導体素子１を上記収納部２のトレイ
７内に収納するようにしたので、バンプ形成のタクトタ
イムを延ばすことなく、上記半導体素子１の冷却を十分
に行える効果がある。
子１を冷却している間に次の半導体素子１をバンプ形成
部３に供給するようにすると共に、このバンプ形成部３
において上記半導体素子１にバンプ２３ａを形成してい
る間に冷却された半導体素子１を上記収納部２のトレイ
７内に収納するようにしたので、バンプ形成のタクトタ
イムを延ばすことなく、上記半導体素子１の冷却を十分
に行える効果がある。
【００６４】なお、このために、上記冷却部において上
記半導体素子１を一旦保持する保持台２５を設け、この
保持台２５上で上記半導体素子１を冷却するようにし
た。第３に、このようにすることで、タクトタイムを延
ばすことなく上記半導体素子１の冷却に十分な時間をか
けることができるから、上記冷却ノズル２８からの冷却
風が緩やかなものであっても有効な冷却を行うことがで
きる。
記半導体素子１を一旦保持する保持台２５を設け、この
保持台２５上で上記半導体素子１を冷却するようにし
た。第３に、このようにすることで、タクトタイムを延
ばすことなく上記半導体素子１の冷却に十分な時間をか
けることができるから、上記冷却ノズル２８からの冷却
風が緩やかなものであっても有効な冷却を行うことがで
きる。
【００６５】したがって、急激な冷却により上記半導体
素子１に熱ダメ−ジを与えることを防止できると共に、
強い冷風により上記半導体素子１を吹き飛ばしてしまう
といったことを有効に防止できる。
素子１に熱ダメ−ジを与えることを防止できると共に、
強い冷風により上記半導体素子１を吹き飛ばしてしまう
といったことを有効に防止できる。
【００６６】第４に、上記ボンディングステ−ジ１０上
にチャック機構１３を設け、上記半導体素子１を４方向
から握持するようにしたので、ボ−ルバンプ２３ａの形
成中における半導体素子１の姿勢のずれを防止し、上記
ボ−ルバンプ２３ａを正確な位置に形成することができ
る。
にチャック機構１３を設け、上記半導体素子１を４方向
から握持するようにしたので、ボ−ルバンプ２３ａの形
成中における半導体素子１の姿勢のずれを防止し、上記
ボ−ルバンプ２３ａを正確な位置に形成することができ
る。
【００６７】すなわち、上述したボ−ルバンプ形成方法
においては、上記キャピラリ２１を所定の１方向に往復
超音波振動させることで上記ボ−ルバンプ２３ａを上記
半導体素子１の電極パッド１ａ上に接合するものである
から、この半導体素子１に上記キャピラリ２１からの振
動が伝達することとなる。また、上記バンプ２３ａは上
記半導体素子１の縁部に沿って形成されていく。これら
のことによって上記半導体素子１は、回転方向にずれや
すくなるということがある。
においては、上記キャピラリ２１を所定の１方向に往復
超音波振動させることで上記ボ−ルバンプ２３ａを上記
半導体素子１の電極パッド１ａ上に接合するものである
から、この半導体素子１に上記キャピラリ２１からの振
動が伝達することとなる。また、上記バンプ２３ａは上
記半導体素子１の縁部に沿って形成されていく。これら
のことによって上記半導体素子１は、回転方向にずれや
すくなるということがある。
【００６８】上記一実施例では、バンプ２３ａの形成
中、上記半導体素子１を４方向から握持するようにした
ので、この半導体素子１が回転方向にずれてしまうを有
効に防止でき、上記バンプ２３ａを正確な位置に形成す
ることができる。
中、上記半導体素子１を４方向から握持するようにした
ので、この半導体素子１が回転方向にずれてしまうを有
効に防止でき、上記バンプ２３ａを正確な位置に形成す
ることができる。
【００６９】第５に、上記構成によれば、上記チャック
機構１３を用いて上記半導体素子１のボンディングステ
−ジ１０上における吸着姿勢の補正を行うことができる
から、その補正のために上記ボンディングステ−ジ１０
を別の位置に移動させる必要がない。したがって、その
分ボ−ルバンプ２３ａ形成のためのタクトタイムを短縮
することができる。
機構１３を用いて上記半導体素子１のボンディングステ
−ジ１０上における吸着姿勢の補正を行うことができる
から、その補正のために上記ボンディングステ−ジ１０
を別の位置に移動させる必要がない。したがって、その
分ボ−ルバンプ２３ａ形成のためのタクトタイムを短縮
することができる。
【００７０】したがって、上記第２の効果と合わせ、よ
り短いタクトタイムでバンプ付き半導体素子１を製造す
ることができる効果がある。なお、この発明は、上記一
実施例に限定されるものではなく発明の要旨を変更しな
い範囲で種々変形可能である。
り短いタクトタイムでバンプ付き半導体素子１を製造す
ることができる効果がある。なお、この発明は、上記一
実施例に限定されるものではなく発明の要旨を変更しな
い範囲で種々変形可能である。
【００７１】上記一実施例では、上記冷却部４は上記保
持台２５を具備し、この保持台２５上に半導体素子１を
吸着保持した状態でこの半導体素子１の冷却を行うよう
にしたが、このような構成に限定されるものではない。
持台２５を具備し、この保持台２５上に半導体素子１を
吸着保持した状態でこの半導体素子１の冷却を行うよう
にしたが、このような構成に限定されるものではない。
【００７２】例えば、図３に示すように、図に（イ）、
（ロ）で示す搬送経路の下方に、冷却風を上方に吹き出
す冷却風吹き付けノズル３０を具備するものであっても
良い。この冷却風吹き付けノズル３０は、上記搬送経路
（イ）、（ロ）に沿う方向に長く形成された開口３０ａ
を有するもので、冷却風を吹き出すことで、搬送中の半
導体素子１を冷却することができるようになっている。
（ロ）で示す搬送経路の下方に、冷却風を上方に吹き出
す冷却風吹き付けノズル３０を具備するものであっても
良い。この冷却風吹き付けノズル３０は、上記搬送経路
（イ）、（ロ）に沿う方向に長く形成された開口３０ａ
を有するもので、冷却風を吹き出すことで、搬送中の半
導体素子１を冷却することができるようになっている。
【００７３】次に、この装置における上記吸着保持ヘッ
ド５の動作について、図４に示すグラフを参照して説明
する。このグラフは、上記バンプ形成部３から上記トレ
イ７を保持する収納部２に至るまでの上記吸着保持ヘッ
ド５の速度変化を横軸に時間をとって示したものであ
る。
ド５の動作について、図４に示すグラフを参照して説明
する。このグラフは、上記バンプ形成部３から上記トレ
イ７を保持する収納部２に至るまでの上記吸着保持ヘッ
ド５の速度変化を横軸に時間をとって示したものであ
る。
【００７４】なお、図においてＡは上記バンプ形成部３
を示す点であり、Ｃは上記収納部２を示す点である。そ
して、図におけるＢは上記冷却風吹き付けノズル３０
（冷却部４）を示すものである。
を示す点であり、Ｃは上記収納部２を示す点である。そ
して、図におけるＢは上記冷却風吹き付けノズル３０
（冷却部４）を示すものである。
【００７５】上記吸着保持ノズル５は、上記バンプ形成
部３からバンプ２３ａが形成された半導体素子１を取り
出した後、上記搬送経路（ロ）に沿って加速され所定の
高速で移動する。そして、上記冷却風吹き付けノズル３
０（冷却部４）に近付くと、減速され、所定の低速で上
記冷却風吹き付けノズル３０の上方を通過する。
部３からバンプ２３ａが形成された半導体素子１を取り
出した後、上記搬送経路（ロ）に沿って加速され所定の
高速で移動する。そして、上記冷却風吹き付けノズル３
０（冷却部４）に近付くと、減速され、所定の低速で上
記冷却風吹き付けノズル３０の上方を通過する。
【００７６】この吸着保持ヘッド５は、図に示すよう
に、上記冷却風吹き付けノズル３０の上方を時間ｔ2 −
ｔ1 で通過する。したがって、上記半導体素子１はこの
時間分冷却されることとなる。なお、上記冷却風吹き付
けノズル３０により吹きつけられる冷却風は比較的緩や
かな風となっている。
に、上記冷却風吹き付けノズル３０の上方を時間ｔ2 −
ｔ1 で通過する。したがって、上記半導体素子１はこの
時間分冷却されることとなる。なお、上記冷却風吹き付
けノズル３０により吹きつけられる冷却風は比較的緩や
かな風となっている。
【００７７】この冷却風吹き付けノズル３０（冷却部
４）を通過した上記吸着保持ヘッド５は、搬送経路
（ロ）に沿って加速され所定の速度で上記収納部２に移
動する。そして、冷却された半導体素子１はこの収納部
２に保持されたトレイ７内に収納される。
４）を通過した上記吸着保持ヘッド５は、搬送経路
（ロ）に沿って加速され所定の速度で上記収納部２に移
動する。そして、冷却された半導体素子１はこの収納部
２に保持されたトレイ７内に収納される。
【００７８】このような構成によれば、冷却風吹き付け
ノズル３０を上記搬送経路（イ）、（ロ）に沿う方向に
長く設けるようにしたから、上記吸着保持ヘッド５を停
止させなくとも上記半導体素子１を冷却することができ
る。このことにより、上記バンプ付き半導体素子１の製
造におけるタクトタイムを短縮することができる。
ノズル３０を上記搬送経路（イ）、（ロ）に沿う方向に
長く設けるようにしたから、上記吸着保持ヘッド５を停
止させなくとも上記半導体素子１を冷却することができ
る。このことにより、上記バンプ付き半導体素子１の製
造におけるタクトタイムを短縮することができる。
【００７９】また、上記冷却風吹き付けノズル３０を通
過する際に上記吸着保持ヘッド５を減速させるようにし
たので、上記半導体素子１の冷却時間を長くとることが
でき、上記冷却風吹き付けノズル３０からの冷却風が緩
やかなものであっても上記半導体素子１を十分に冷却す
ることができる。
過する際に上記吸着保持ヘッド５を減速させるようにし
たので、上記半導体素子１の冷却時間を長くとることが
でき、上記冷却風吹き付けノズル３０からの冷却風が緩
やかなものであっても上記半導体素子１を十分に冷却す
ることができる。
【００８０】したがって、この半導体素子１に熱ダメ−
ジを与えることが少なく、また強風によりこの半導体素
子１を吹き飛ばすということはない。なお、図４に示す
グラフにおいて、上記冷却部４における上記吸着保持ヘ
ッド５の移動速度は任意であり、上記冷却部４の通過時
間すなわち半導体素子１の冷却時間を変更することがで
きるようになっている。
ジを与えることが少なく、また強風によりこの半導体素
子１を吹き飛ばすということはない。なお、図４に示す
グラフにおいて、上記冷却部４における上記吸着保持ヘ
ッド５の移動速度は任意であり、上記冷却部４の通過時
間すなわち半導体素子１の冷却時間を変更することがで
きるようになっている。
【００８１】すなわち、上記半導体素子１の冷却に十分
な最短の時間を設定できるから、上記半導体素子１の搬
送のための時間をできるだけ短くして、バンプ形成のた
めのタクトタイムを短縮することができる構成となって
いる。
な最短の時間を設定できるから、上記半導体素子１の搬
送のための時間をできるだけ短くして、バンプ形成のた
めのタクトタイムを短縮することができる構成となって
いる。
【００８２】一方、上記一実施例では、バンプ形成方法
は超音波併用式であったが、これに限定されず、超音波
を併用しない方式であっても良い。この場合には、上記
半導体素子１の加熱温度が高くなるので、この発明のバ
ンプ形成装置はより顕著な効果を奏することができる。
は超音波併用式であったが、これに限定されず、超音波
を併用しない方式であっても良い。この場合には、上記
半導体素子１の加熱温度が高くなるので、この発明のバ
ンプ形成装置はより顕著な効果を奏することができる。
【００８３】さらに、上記一実施例では、上記半導体素
子１は上記トレイ７の元の位置に戻される構成であった
が、これに限定されるものではなく、トレイ７の異なる
位置に戻されるようにしても良い。
子１は上記トレイ７の元の位置に戻される構成であった
が、これに限定されるものではなく、トレイ７の異なる
位置に戻されるようにしても良い。
【００８４】また、異なるトレイ７に戻されるような構
成であっても良いし、粘着シ−ト上から取り出されてト
レイ７に戻されるような構成であっても良い。さらに、
粘着シ−トから取り出されて同じ粘着シ−トに戻される
構成であっても良い。
成であっても良いし、粘着シ−ト上から取り出されてト
レイ７に戻されるような構成であっても良い。さらに、
粘着シ−トから取り出されて同じ粘着シ−トに戻される
構成であっても良い。
【００８５】さらに、上記一実施例では、上記冷却部４
において、冷却風吹き付けノズル２８を用いて上記半導
体素子１を強制冷却していたが、これに限定されるもの
ではなく、状況に応じて、上記保持台２５上で上記半導
体素子１を自然冷却するようにしても良い。
において、冷却風吹き付けノズル２８を用いて上記半導
体素子１を強制冷却していたが、これに限定されるもの
ではなく、状況に応じて、上記保持台２５上で上記半導
体素子１を自然冷却するようにしても良い。
【００８６】すなわち、上記構成によれば、上記半導体
素子１の冷却時間を長くとることができるので、自然冷
却の方法であっても十分な冷却を行うことができる場合
があるのである。
素子１の冷却時間を長くとることができるので、自然冷
却の方法であっても十分な冷却を行うことができる場合
があるのである。
【００８７】以上述べたように、第１の構成は、ワイヤ
の先端に形成した球状体を、所定の温度に加熱された半
導体素子の電極上に押し付けて溶着した後、このワイヤ
を切断することで、上記電極上に上記球状体からなるバ
ンプを形成するバンプ形成部と、このバンプ形成部でバ
ンプが形成されてなる半導体素子を収納する半導体素子
収納部と、上記バンプ形成部から、上記電極パッド上に
バンプが形成されてなる半導体素子を取り出し、上記半
導体素子収納部に搬送する搬送手段とを有するバンプ形
成装置において、上記搬送手段による上記半導体素子の
搬送経路に設けられ、上記バンプ形成部から取り出され
た半導体素子を所定の温度に冷却する冷却部を有するこ
とを特徴とするバンプ形成装置である。
の先端に形成した球状体を、所定の温度に加熱された半
導体素子の電極上に押し付けて溶着した後、このワイヤ
を切断することで、上記電極上に上記球状体からなるバ
ンプを形成するバンプ形成部と、このバンプ形成部でバ
ンプが形成されてなる半導体素子を収納する半導体素子
収納部と、上記バンプ形成部から、上記電極パッド上に
バンプが形成されてなる半導体素子を取り出し、上記半
導体素子収納部に搬送する搬送手段とを有するバンプ形
成装置において、上記搬送手段による上記半導体素子の
搬送経路に設けられ、上記バンプ形成部から取り出され
た半導体素子を所定の温度に冷却する冷却部を有するこ
とを特徴とするバンプ形成装置である。
【００８８】第２の構成は、第１の構成のバンプ形成装
置を用いてバンプの形成を行うバンプ形成方法におい
て、バンプ形成部において、半導体素子の表面に形成さ
れた電極上にバンプを形成するバンプ形成工程と、上記
バンプ形成部から、上記バンプが形成されてなる半導体
素子を取り出し、冷却部に搬送する第１の搬送工程と、
この冷却部において上記半導体素子を所定の温度に冷却
する冷却工程と、冷却された半導体素子を半導体素子収
納部に搬送し、収納する第２の搬送工程とを有すること
を特徴とするバンプ形成方法である。
置を用いてバンプの形成を行うバンプ形成方法におい
て、バンプ形成部において、半導体素子の表面に形成さ
れた電極上にバンプを形成するバンプ形成工程と、上記
バンプ形成部から、上記バンプが形成されてなる半導体
素子を取り出し、冷却部に搬送する第１の搬送工程と、
この冷却部において上記半導体素子を所定の温度に冷却
する冷却工程と、冷却された半導体素子を半導体素子収
納部に搬送し、収納する第２の搬送工程とを有すること
を特徴とするバンプ形成方法である。
【００８９】第１、第２の構成によれば、半導体素子に
バンプを形成してから、この半導体素子を収納部に収納
するまでの間に、この半導体素子を冷却することができ
るので、上記収納部がこの半導体素子の熱により破損し
てしまうということを有効に防止できる効果がある。
バンプを形成してから、この半導体素子を収納部に収納
するまでの間に、この半導体素子を冷却することができ
るので、上記収納部がこの半導体素子の熱により破損し
てしまうということを有効に防止できる効果がある。
【００９０】第３の構成は、第１の構成のバンプ形成装
置を用いてバンプの形成を行うバンプ形成方法におい
て、上記バンプ形成部から、上記バンプが形成されてな
る半導体素子を取り出し、上記冷却部に搬送する第１の
搬送工程と、上記バンプが形成されてなる半導体素子を
上記冷却部に搬送したならば、バンプの形成されていな
い新たな半導体素子を上記バンプ形成部に供給する半導
体素子供給工程と、新たな半導体素子を上記バンプ形成
部に供給したならば、上記冷却部からバンプが形成され
てなる半導体素子を取り出し、上記半導体素子収納部に
搬送して収納する第２の搬送工程とを有することを特徴
とするバンプ形成方法である。
置を用いてバンプの形成を行うバンプ形成方法におい
て、上記バンプ形成部から、上記バンプが形成されてな
る半導体素子を取り出し、上記冷却部に搬送する第１の
搬送工程と、上記バンプが形成されてなる半導体素子を
上記冷却部に搬送したならば、バンプの形成されていな
い新たな半導体素子を上記バンプ形成部に供給する半導
体素子供給工程と、新たな半導体素子を上記バンプ形成
部に供給したならば、上記冷却部からバンプが形成され
てなる半導体素子を取り出し、上記半導体素子収納部に
搬送して収納する第２の搬送工程とを有することを特徴
とするバンプ形成方法である。
【００９１】第３の構成によれば、バンプの形成された
半導体素子の冷却を行っている間に新たな半導体素子に
バンプを形成することができ、また、この新たな半導体
素子にバンプを形成している間に冷却された半導体素子
の収納を行うことができる。
半導体素子の冷却を行っている間に新たな半導体素子に
バンプを形成することができ、また、この新たな半導体
素子にバンプを形成している間に冷却された半導体素子
の収納を行うことができる。
【００９２】したがって、バンプ形成のためのタクトタ
イムを長くすることなく、半導体素子の冷却を十分に行
うことができる効果がある。また、上記半導体素子を急
激に冷却する必要が少ないので、この半導体素子が破損
したり強風により吹き飛ばされたりすることを有効に防
止できる。
イムを長くすることなく、半導体素子の冷却を十分に行
うことができる効果がある。また、上記半導体素子を急
激に冷却する必要が少ないので、この半導体素子が破損
したり強風により吹き飛ばされたりすることを有効に防
止できる。
【００９３】第４の構成は、第１の構成のバンプ形成装
置において、上記冷却部は、上記半導体素子を保持する
保持台を有し、この保持台上に半導体素子を保持した状
態で上記半導体素子を冷却するものであることを特徴と
するバンプ形成装置である。
置において、上記冷却部は、上記半導体素子を保持する
保持台を有し、この保持台上に半導体素子を保持した状
態で上記半導体素子を冷却するものであることを特徴と
するバンプ形成装置である。
【００９４】第４の構成によれば、保持台上に半導体素
子を支持した状態でこの半導体素子の冷却を行えるか
ら、搬送手段で半導体素子の供給を行っている間に冷却
を行え、バンプ形成のためのタクトタイムが延びること
を有効に防止できる。
子を支持した状態でこの半導体素子の冷却を行えるか
ら、搬送手段で半導体素子の供給を行っている間に冷却
を行え、バンプ形成のためのタクトタイムが延びること
を有効に防止できる。
【００９５】第５の構成は、第１の構成のバンプ形成装
置において、上記冷却部は、上記半導体素子を自然冷却
するものであることを特徴とするバンプ形成装置であ
る。
置において、上記冷却部は、上記半導体素子を自然冷却
するものであることを特徴とするバンプ形成装置であ
る。
【００９６】第６の構成は、第１の構成のバンプ形成装
置において、上記冷却部は、上記半導体素子に所定温度
の冷却風を吹き付けて上記半導体素子を冷却する冷却風
吹き付け手段を具備することを特徴とするバンプ形成装
置である。
置において、上記冷却部は、上記半導体素子に所定温度
の冷却風を吹き付けて上記半導体素子を冷却する冷却風
吹き付け手段を具備することを特徴とするバンプ形成装
置である。
【００９７】第５、第６の構成によれば、自然冷却ある
いは強制冷却により半導体素子の冷却を行え、状況に応
じた適切な冷却を行うことができる効果がある。第７の
構成は、第６の構成のバンプ形成装置において、上記冷
却風吹き付け手段は、上記搬送手段による上記半導体素
子の搬送経路に沿って所定の長さで開口し、上記搬送経
路に沿って搬送される半導体素子に冷却風を吹き付ける
ノズルを有することを特徴とするバンプ形成装置であ
る。
いは強制冷却により半導体素子の冷却を行え、状況に応
じた適切な冷却を行うことができる効果がある。第７の
構成は、第６の構成のバンプ形成装置において、上記冷
却風吹き付け手段は、上記搬送手段による上記半導体素
子の搬送経路に沿って所定の長さで開口し、上記搬送経
路に沿って搬送される半導体素子に冷却風を吹き付ける
ノズルを有することを特徴とするバンプ形成装置であ
る。
【００９８】第７の構成によれば、半導体素子の搬送中
に、この半導体素子の十分な冷却を行えるから、バンプ
形成のタクトタイムを延ばすことなく、半導体素子の冷
却を行なうことができる効果がある。
に、この半導体素子の十分な冷却を行えるから、バンプ
形成のタクトタイムを延ばすことなく、半導体素子の冷
却を行なうことができる効果がある。
【００９９】第８の構成は、第１の構成のバンプ形成装
置において、上記搬送手段は、上記冷却部での上記半導
体素子の搬送速度を任意に設定できるものであることを
特徴とするバンプ形成装置である。
置において、上記搬送手段は、上記冷却部での上記半導
体素子の搬送速度を任意に設定できるものであることを
特徴とするバンプ形成装置である。
【０１００】第８の構成によれば、さらに、半導体素子
の冷却時間を任意に設定できるから、状況に応じた冷却
時間を設定でき、上記半導体素子の搬送時間を短くして
タクトタイムを短縮することができる効果がある。
の冷却時間を任意に設定できるから、状況に応じた冷却
時間を設定でき、上記半導体素子の搬送時間を短くして
タクトタイムを短縮することができる効果がある。
【発明の効果】本発明を用いることにより、バンプを形
成する速度に影響を与えることなく、収納手段を熱変形
させずにバンプ付半導体素子を収納する工程を提供する
ことを可能とする。
成する速度に影響を与えることなく、収納手段を熱変形
させずにバンプ付半導体素子を収納する工程を提供する
ことを可能とする。
【図１】この発明の一実施例を示す概略斜視図。
【図２】同じく、バンプ形成工程を示す斜視図。
【図３】他の実施例を示す概略斜視図。
【図４】同じく、吸着保持ノズルの速度制御を示すグラ
フ。
フ。
１…半導体素子、１ａ…電極パッド、２…収納部、３バ
ンプ形成部、４冷却部、５吸着保持ヘッド（搬送手
段）、２２…ワイヤ、２３…ボ−ル（球状体）、２８冷
却風吹き付けノズル、（イ）第１の搬送工程、（ロ）第
２の搬送工程、（ハ）供給工程、２３ａ…ボ−ルバンプ
（バンプ）、３０…冷却風吹き付けノズル（冷却部）。
ンプ形成部、４冷却部、５吸着保持ヘッド（搬送手
段）、２２…ワイヤ、２３…ボ−ル（球状体）、２８冷
却風吹き付けノズル、（イ）第１の搬送工程、（ロ）第
２の搬送工程、（ハ）供給工程、２３ａ…ボ−ルバンプ
（バンプ）、３０…冷却風吹き付けノズル（冷却部）。
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(56)参考文献 特開 平６−232133（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−226342（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−91440（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−232209（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60
H01L 21/92
H01L 21/68
Claims (8)
- 【請求項１】ワイヤの先端に形成した球状体を所定の温
度に加熱された半導体素子の電極上に押し付けた後、上
記ワイヤを切断することにより上記電極上にバンプを形
成するバンプ形成部と、前記バンプ形成部から、バンプ
が形成された前記半導体素子を取り出し搬送する搬送手
段とを有するバンプ形成装置において、 前記搬送手段の搬送経路に設けられ、前記バンプ形成部
から取り出された前記半導体素子を所定の温度以下とな
るように冷却する冷却手段を有する冷却部、を具備する
ことを特徴とするバンプ形成装置。 - 【請求項２】請求項１記載のバンプ形成装置において、 冷却手段は上記半導体素子が載置される保持台であり、
上記冷却部は、この保持台上に半導体素子が載置された
状態で上記半導体素子が上記保持台を通して放熱するも
のであることを特徴とするバンプ形成装置。 - 【請求項３】請求項１記載のバンプ形成装置において、 上記冷却手段は、上記半導体素子に風を吹き付ける送風
手段であることを特徴とするバンプ形成装置。 - 【請求項４】請求項３記載のバンプ形成装置において、 上記送風手段は、上記搬送手段による上記半導体素子の
搬送経路に沿って開口するノズルから送風することを特
徴とするバンプ形成装置。 - 【請求項５】請求項１記載のバンプ形成装置において、 上記搬送手段は、上記冷却部での上記半導体素子の搬送
速度を任意に設定できるものであることを特徴とするバ
ンプ形成装置。 - 【請求項６】ワイヤの先端に球状体を形成して所定の温
度に加熱された半導体素子の電極上に前記球状体を押し
付けた後、前記ワイヤを切断することにより前記電極上
にバンプを形成するバンプ形成工程を有するバンプ形成
方法において、 上記バンプが形成された上記半導体素子をバンプ形成部
から取り出し、冷却手段を有する冷却部に搬送する第１
の搬送工程と、 前記冷却手段によって上記半導体素子を所定の温度以下
となるように冷却する 冷却工程と、 冷却された前記半導体素子を収納する第２の搬送工程
と、を具備することを特徴とするバンプ形成方法。 - 【請求項７】バンプが形成された半導体素子をバンプ形
成部から取り出し冷却手段を有する冷却部に搬送する第
１の搬送と、上記バンプが形成されていない新たな半導
体素子が収納されている収納部から上記新たな半導体素
子を取り出し上記バンプ形成部に供給する第２の搬送
と、上記冷却部からバンプが形成されかつ冷却された半
導体素子を取り出し上記収納部に搬送して収納する第３
の搬送と、を夫々行う搬送工程と、 上記第２の搬送の後、ワイヤの先端に球状体を形成して
所定の温度に加熱された上記新たな半導体素子に形成さ
れている電極上に上記球状体を押し付けた後、上記ワイ
ヤを切断することにより上記電極上にバンプを形成する
バンプ形成工程と、を具備することを特徴とする半導体
素子の製造方法。 - 【請求項８】バンプが形成された半導体素子をバンプ形
成部から取り出し冷却手段を有する冷却部に搬送する第
１の搬送と、上記バンプが形成されていない新たな半導
体素子が収納されている収納部から上記新たな半導体素
子を取り出し上記バンプ形成部に供給する第２の搬送
と、上記冷却部からバンプが形成されかつ冷却された半
導体素子を取り出し上記収納部に搬送して収納する第３
の搬送と、を夫々行う搬送工程と、 上記第２の搬送の後、ワイヤの先端に球状体を形成して
所定の温度に加熱された上記新たな半導体素子に形成さ
れている電極上に上記球状体を押し付けた後、上記ワイ
ヤを切断することにより上記電極上にバンプを形成する
バンプ形成工程と、を具備する半導体素子の製造方法で
あって、 上記収納部は、上記所定の温度において熱変形する材質
で構成されていることを特徴とする半導体素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20771094A JP3415283B2 (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | バンプ形成装置、バンプ形成方法および半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20771094A JP3415283B2 (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | バンプ形成装置、バンプ形成方法および半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878418A JPH0878418A (ja) | 1996-03-22 |
| JP3415283B2 true JP3415283B2 (ja) | 2003-06-09 |
Family
ID=16544286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20771094A Expired - Fee Related JP3415283B2 (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | バンプ形成装置、バンプ形成方法および半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3415283B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010098132A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Nitto Denko Corp | 保護テープ貼付け方法および保護テープ貼付け装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3346983B2 (ja) | 1996-06-17 | 2002-11-18 | 松下電器産業株式会社 | バンプボンディング装置及び方法 |
| WO1999066547A1 (en) * | 1998-06-19 | 1999-12-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for forming bump |
| ATE379847T1 (de) | 1999-07-02 | 2007-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Anordnung zur herstellung von löthöckern auf halbleitersubstraten unter generierung elektrischer ladung, methode und anordnung zum entfernen dieser ladungen, und elektrische ladung generierendes halbleitersubstrat |
-
1994
- 1994-08-31 JP JP20771094A patent/JP3415283B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010098132A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Nitto Denko Corp | 保護テープ貼付け方法および保護テープ貼付け装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0878418A (ja) | 1996-03-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |