CN100382261C - 电荷发生半导体基板用凸起形成装置、电荷发生半导体基板的除静电方法、电荷发生半导体基板用除静电装置、及电荷发生半导体基板 - Google Patents

Abstract

本发明的目的是提供可以防止对电荷发生半导体基板(201、202)的热电破坏及物理破损的凸起形成装置(101、501)、利用该凸起形成装置实施的电荷发生半导体基板的除静电方法、电荷发生半导体基板用除静电装置、及电荷发生半导体基板。采用以下所述构成：即，至少在向晶片(202)焊接凸起后冷却该晶片时，使该晶片直接接触后热装置(170)，除去由于该冷却而蓄积在该晶片中的电荷，或者，通过可在非接触状态下除去静电的温度下降控制来除去静电。因此，与以往相比可以降低所述晶片的带电量，所以，可以防止所述晶片的热电破坏，而且可以防止晶片自身的断裂等损伤的发生。

Description

电荷发生半导体基板用凸起形成装置、电荷发生半导体基板的除静电方法、电荷发生半导体基板用除静电装置、及电荷发生半导体基板

技术领域

本发明涉及用于例如在压电基板那样伴随着温度变化而产生电荷的电荷发生型半导体基板即电荷发生半导体基板上形成凸起的凸起形成装置、利用该凸起形成装置实施的所述电荷发生半导体基板的除静电方法、设在所述凸起形成装置中的所述电荷发生半导体基板用除静电装置以及电荷发生半导体基板。

背景技术

近年来，伴随着如手提电话那样安装有电子元件的机器的小型化，所述电子元件也在小型化。因此，存在以下所述装置：即不把形成在半导体晶片上的各个电路形成部分从所述半导体晶片上分离出来，而在所述半导体晶片上的各个所述电路形成部分的电极部分上形成凸起的凸起形成装置。这样的凸起形成装置包括：从存放形成凸起前的半导体晶片的第1存放容器中，将形成所述凸起前的晶片取出来的搬入装置；存放形成所述凸起后的凸起形成后晶片的第2存放容器；载置所述凸起形成前晶片，为使所述电极部分和所述凸起接合，而通常将所述半导体晶片加热到从250℃到270℃的焊接台；将所述凸起形成后晶片存放到所述第2存放容器中的搬出装置；从所述搬入装置向所述焊接台、以及从所述焊接台向所述搬出装置进行所述晶片移载的移载装置。

另外，存在以下几种情况：形成在所述手提电话等中使用的SAW(Surface Acoustic Wave)滤波器的压电基板，或者基板不是由现有硅而是由水晶制成的情况，或者由锂钽、锂铌、砷化镓等制成的所谓化合物半导体晶片。即使在这样的化合物半导体晶片中，在形成所述凸起时，通常加热到150℃左右，最大加热到200℃左右，但与现有硅晶片相比，有必要延缓加热及冷却的速度。

例如，如图85所示的SAW滤波器10，在压电极板11上，成对地形成输入侧电路12和输出侧电路13。另外，如图88所示，在SAW滤波器10的电极部分18上，凸起19是用所述凸起形成装置中具有的凸起形成头形成的。输入侧电路12及输出侧电路13都呈细微的栉齿形状，，输入侧电路12利用所提供的输入电信号起振，该振动在压电基板11的表面11a上传播，使输出侧电路13起振，根据该振动在输出侧电路13上生成电子信号并输出。通过这样的动作，SAW滤波器10只使特定频率的信号通过。而且，图85所示的SAW滤波器10表示在晶片状的压电基板11上呈格子状形成的多个SAW滤波器10中的1个，对晶片状的压电基板11实施针对各SAW滤波器10的电路部分进行的例如形成凸起的动作等，并最终从所述晶片状的压电基板11分割给各SAW滤波器10。这样的晶片状的压电基板11具有以下所述特性：很难带电，但是，一旦带电的话就很难将其除去。

这样，通过使用压电基板，由于在室温和所述温度150℃之间的升温和降温而产生的晶片状压电基板11的变形等，使电荷产生，使晶片状的压电基板11的表面及背面带电。该带电量最高可达9千伏。

另外，由于所述晶片状的压电基板11本身很薄，所以使所述表面11a产生的振动有可能引起背面侧也振动起来。如果背面侧也振动起来的话，就会给表面侧的振动带来恶劣影响，因此，为了防止在所述背面侧发生振动，在晶片状的压电基板11的背面侧，形成了如图87所示的细微的沟14。因此，要除去沟14内存在的电荷非常困难。而且，在图87中放大示出了沟14，并且，实际上沟14是按对应用所述SAW滤波器处理的频率的尺寸来形成的，因此，是以数μm～数百程度的间距来排列的。

因此，在将这样的带电的晶片状压电基板11载置于例如所述焊接台上时，有时会在该焊接台和压电基板11之间，或者在晶片状的压电基板11的表面和背面之间发生火花。如发生该火花的话，如图86中符号15～17所示的，所述栉齿部分就会融化，使电路遭到破坏。另外，当晶片状的压电基板11位于例如所述焊接台的上方时，由于所述带电，晶片状的压电基板11就会被吸引到焊接台一侧，就会发生由于该引力而使晶片状的压电基板11断裂的现象，或者发生在载置到焊接台以后，再转移压电基板11时，由于其对焊接台的附着力很强，强行将其移开而造成的断裂现象。

这样，如晶片状的压电基板11、所述水晶基板的晶片、所述化合物半导体晶片等那样，对于在由于升温、降温等温度变化而产生电荷的基板上形成凸起的凸起形成装置来说，为在硅晶片上形成凸起的现有凸起形成装置中不产生重大问题，除去由于为形成凸起而进行的晶片升温、降温而产生的电荷，已成为重要的课题。

另外，如特开昭55-87434号公报所公开的那样，沿着在晶片表面实施的切割线形成铝模，使所述表面一侧所带电荷沿所述切割线跑到晶片周围，再从该晶片周围除去静电，也有提案以下所述晶片：即通过在晶片背面全面形成铝膜来使所述背面的电荷容易除去的晶片。虽然一般认为利用这样的方法，可以除去晶片中的电荷，但从晶片上将各芯片切离后，例如通过凸起将所述芯片倒装式安装于基板上时，使按压部件接触所述背面，同时进行按压及使超声波发挥振动作用。这时，有可能发生由于所述按压部件的所述超声波振动而使所述背面的铝膜脱落而成为不利因素发生的起因。因此，有必要在安装前除去为了除去静电而实施的所述铝膜，这就会产生增加工序及成本的问题。

另一方面，如以上所述，对于晶片状的压电基板11、所述水晶基板的晶片、所述化合物半导体晶片等，由于升温、降温等温度变化会引起电荷的产生，因此，与现有对硅晶片的升温、降温的速度相比，有必要降低速度。因此，对于所述压电基板11等，会产生以下所述问题：即与现有硅晶片等不产生带电现象的晶片的生产效率相比，生产效率下降。

而且，对于晶片状的压电基板11、所述水晶基板的晶片、所述化合物半导体晶片等，例如，在所述升温后载置于所述焊接台上时，在发生温度变化时，例如所述晶片状的压电基板11，由于所述升温时的温度和所述焊接台的温度差，会产生弯曲。如果就这样弯曲着形成凸起的话，晶片状的压电基板11就会因断裂或者产生缺口而损坏，因此有必要矫正所述弯曲。

鉴于以上所述问题的存在，本发明目的在于：提供一种凸起形成装置、利用该凸起形成装置实施的电荷发生半导体基板的除静电方法、所述凸起形成装置具有的所述电荷发生半导体基板用除静电装置及电荷发生半导体基板。该凸起形成装置、利用该凸起形成装置实施的电荷发生半导体基板的除静电方法、所述凸起形成装置具有的所述电荷发生半导体基板用除静电装置及电荷发生半导体基板，能有效地除去发生电荷的基板在形成凸起前后，由于该基板的升温、降温而发生的电荷，并且，即使产生温度差，其生产效率也不逊色于不发生带电的基板，而且，可以防止电荷发生半导体基板发生破损，即可以防止电荷发生半导体基板的热电损坏及物理性破损。

发明内容

为了达成所述目的，本发明采用了以下所述构成：

根据本发明的第1方案提供的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，包括：在将伴随着温度的变化而产生电荷的电荷发生半导体基板加热到形成凸起所必要的凸起焊接用温度的状态下，在形成在所述电荷发生半导体基板上的电路中的电极上，形成所述凸起的凸起形成头，该电荷发生半导体基板用凸起形成装置还包括：

在向所述加热的所述电荷发生半导体基板上焊接凸起之后，在冷却所述电荷发生半导体基板时，利用由于该冷却而产生的温度下降，来除去该电荷发生半导体基板上产生的电荷的加热冷却装置；

为了在所述焊接之后冷却所述电荷发生半导体基板，而对所述加热冷却装置进行温度下降控制的控制装置。

根据所述构成，由于具备加热冷却装置及控制装置，至少在向电荷发生半导体基板焊接凸起之后，冷却电荷发生半导体基板时，除去由于该冷却而蓄积在电荷发生半导体基板中的电荷。因此，与以往相比可以减少所述电荷发生半导体基板的带电量。因此，不实施所述电荷发生半导体基板中的除去静电的手段，也可以防止由于所述带电造成的形成于电荷发生半导体基板的电路的热电破坏及该电荷发生半导体基板自身的断裂等损伤的发生。

而且，根据本发明的第2方案提供的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，所述加热冷却装置也可以如以下所述那样构成：在进行所述冷却时，通过接触与所述电荷发生半导体基板的电路形成面即表面相对的背面，利用由于所述冷却而产生的温度下降，来除去该电荷发生半导体基板上产生的电荷。

而且，根据本发明的第3方案提供的电荷发生半导体基板用除静电方法，为了在形成于伴随温度变化而产生电荷的电荷发生半导体基板上的电路中的电极上形成凸起，把该电荷发生半导体基板加热到形成凸起所需要的凸起焊接用温度，在向该电荷发生半导体基板上焊接凸起之后，在冷却所述电荷发生半导体基板时，

利用由所述冷却产生的温度下降，通过载置该电荷发生半导体基板的载置构件，将所述电荷发生半导体基板上产生的电荷利用接地除去。

通过这样的构成，在形成凸起后冷却所述电荷发生半导体基板时，通过使所述加热冷却装置直接接触所述电荷发生半导体基板，可以除去静电。

而且，根据本发明的第4方案提供的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，在将所述电荷发生半导体基板加热到所述凸起焊接用温度之前，所述加热冷却装置对所述电荷发生半导体基板进一步进行预热动作，直到达到所述凸起焊接用温度附近，并且，所述加热冷却装置与所述电荷发生半导体基板的所述背面接触，除去因所述预热动作使温度上升而产生于所述电荷发生半导体基板上的电荷；

所述控制装置的构成也可以是：对所述加热冷却装置进行用于实施所述预热的温度上升控制。

根据该构成，通过将所述电荷发生半导体基板加热到所述凸起焊接用温度的预热工作，可以除去在所述电荷发生半导体基板上产生的电荷。因此，可以减少所述热电破坏及所述断裂等损伤的发生。

而且，根据本发明的第5方案提供的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，所述加热冷却装置包括：将所述电荷发生半导体基板加热到所述凸起焊接用温度的凸起焊接台；服从由所述控制装置进行的所述温度下降控制，对所述电荷发生半导体基板进行冷却的冷却装置；所述冷却装置具有：接触所述电荷发生半导体基板的所述背面的热扩散构件；可以在所述热扩散构件上自由地安装拆卸，并对所述热扩散构件进行升温的加热部；使所述热扩散构件与所述加热部件分离，促使所述热扩散构件冷却的分离装置。

而且，根据本发明的第6方案提供的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，所述加热冷却装置可以如以下所述那样构成，包括：将所述电荷发生半导体基板加热到所述凸起焊接用温度的凸起焊接台；服从由所述控制装置进行的所述温度上升控制，对所述电荷发生半导体基板进行所述预热动作的预热装置；所述预热装置具有：接触所述电荷发生半导体基板的所述背面的热扩散构件；接触所述热扩散构件，并对所述热扩散构件进行升温的加热部；使所述热扩散构件与所述加热部分离，并促使所述热扩散构件冷却的分离装置。

根据这些构成，通过所述分离装置可以进行所述热扩散构件和所述加热部的分离，因此可以促使所述热扩散构件的冷却，与现有技术相比，可以缩短生产周期，并且可以延长所述加热部的寿命。

而且，根据本发明的第7方案提供的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，还包括：向载置在所述加热冷却装置上的所述电荷发生半导体基板提供气体的气体供给装置；

所述控制装置也可以如以下所述那样构成：所述控制装置可以对所述气体供给装置及所述加热冷却装置的任意一方进行弯曲矫正动作控制，以便矫正在载置于所述加热冷却装置上的所述电荷发生半导体基板上产生的弯曲。

根据该构成，通过从气体供给装置向电荷发生半导体基板吹风，可以矫正电荷发生半导体基板的弯曲，防止断裂等损伤。

而且，根据本发明的第8方案提供的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，所述控制装置可以如以下所述那样构成：所述控制装置对所述气体供给装置进行除静电用吹风动作控制，以除去在载置于所述加热冷却装置上的所述电荷发生半导体基板上产生的电荷。

根据该构成，通过所述控制装置对气体供给装置进行除去静电用吹风动作控制，可以除去电荷发生半导体基板上的电荷，防止所述热电破坏及断裂等损伤的发生。

而且，根据本发明的第9方案提供的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，可以如以下所述那样构成，还包括：接触所述电荷发生半导体基板的所述表面，除去在所述表面上产生的那部分电荷的除静电用接触构件。

根据该构成，通过除静电用接触构件，也可以除去电荷发生半导体基板的表面的电荷，可以进一步防止所述热电破坏及断裂等损伤的发生。

而且，根据本发明的第10方案提供的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，可以如以下所述那样构成，还包括：产生中和蓄积在所述电荷发生半导体基板上的电荷的离子的离子发生装置。

根据该构成，通过离子发生装置，可以中和电荷发生半导体基板上的电荷，可以进一步防止所述热电破坏及断裂等损伤的发生。

而且，根据本发明的第11方案提供的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，可以如以下所述那样构成，还包括：具有保持所述电荷发生半导体基板用的保持爪，并利用该保持爪保持所述电荷发生半导体基板，同时将所述电荷发生半导体基板搬送到所述加热冷却装置的晶片保持部；在所述晶片保持部及保持爪上，在从所述离子发生装置产生的所述离子起作用的地方，利用绝缘材料来实施包覆。

根据该构成，因为在晶片保持部的保持爪部分以绝缘材料进行了包覆，所以可以防止因从所述离子发生装置发出的离子作用于金属部分而降低所述除静电作用的现象发生。

而且，根据本发明的第12方案提供的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，也可以如以下所述那样构成：在所述加热冷却装置中，在接触所述电荷发生半导体基板的所述背面的部分上，实施金属电镀，以提高该加热冷却装置和所述电荷发生半导体基板的热传导率，并除去所述电荷发生半导体基板上的静电。

根据该构成，由于实施金属电镀，使加热冷却装置和电荷发生半导体基板的热传导率提高，而且，可以提高电荷发生半导体基板的除去静电的效果。

而且，根据本发明的第13方案提供的电荷发生半导体基板用除静电装置，包括：当对伴随温度变化产生电荷的电荷发生半导体基板进行加热后冷却时，接触与该电荷发生半导体基板的电路形成面即表面相对的背面，利用由于所述冷却而产生的温度下降，除去在该电荷发生半导体基板上产生的电荷的加热冷却装置；对所述加热冷却装置进行温度下降的控制，以便冷却所述电荷发生半导体基板的控制装置。

而且，根据本发明的第14方案提供的电荷发生半导体基板，包括：形成于伴随温度变化而产生电荷的电荷发生半导体基板的电路形成面即表面上，并为了除去在该电荷发生半导体基板上产生的电荷，由导体形成的电荷除去用区域；

连接所述电荷除去用区域，并用于从该电荷发生半导体基板上分割形成于所述表面上的电路形成部分的切割线。

而且，根据本发明的第15方案提供的电荷发生半导体基板用除静电方法，使第9方案的除静电用接触构件接触第14方案的电荷发生半导体基板，除去在该电荷发生半导体基板上产生的电荷。

根据所述第14方案的电荷发生半导体基板及第15方案的电荷发生半导体基板的除静电方法，具有电荷除去用区域及切割线，可以从所述电荷除去用区域除去电荷发生半导体基板上产生的电荷，或者可以通过所述电荷除去用区域及切割线来除去电荷发生半导体基板上产生的电荷。因此，可以防止由于带电造成的形成在所述电荷发生半导体基板上的电路的热电破坏或该电荷发生半导体基板自身的断裂等损伤的发生。在此，电荷发生半导体基板的带电量，也根据例如从形成在所述电荷发生半导体基板上的电路形成部分到所述电荷发生半导体基板的切割线的接地方式的不同而变化。当最有效地实施除静电时，即使不使用离子发生装置也可以将所述带电量降低到大约±20v，平均可以降低到大约±200v。

而且，根据本发明的第16方案提供的电荷发生半导体基板，除去伴随温度变化而产生电荷的电荷发生半导体基板上所带的电荷，带电量在±200v以下。

而且，根据本发明的第17方案提供的电荷发生半导体基板，利用所述第3方案的除静电方法，除去电荷发生半导体基板的电荷。

而且，根据本发明的第18方案提供的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，由所述控制装置进行的所述温度下降控制是利用由所述冷却造成的温度下降，来除去在所述电荷发生半导体基板上产生的电荷的温度下降控制；

所述加热冷却装置也可以如以下所述那样构成：在与所述电荷发生半导体基板非接触的状态下，将所述电荷发生半导体基板加热到所述凸起焊接用温度，同时在所述非接触状态下，在所述焊接之后，服从由所述控制装置进行的所述温度下降控制，进行所述电荷发生半导体基板的冷却。

而且，根据本发明的第19方案提供的电荷发生半导体基板用除静电方法，为了在伴随温度变化而产生电荷的电荷发生半导体基板上的电路上形成的电极上形成凸起，将该电荷发生半导体基板加热到形成凸起所必需的凸起焊接用温度，在向该电荷发生半导体基板上焊接凸起之后，使用以对所述电荷发生半导体基板的非接触状态进行配置，并通过加热所述电荷发生半导体基板来调整所述电荷发生半导体基板的温降的冷却装置，来冷却所述电荷发生半导体基板时，对所述冷却装置实施以下所述的温度下降控制：即，用于除去由于该冷却造成的温度下降，而在该电荷发生半导体基板上产生的电荷的温度下降控制。

根据这些构成，在形成凸起后所述电荷发生半导体基板被冷却时，所述加热冷却装置在与所述电荷发生半导体基板非接触的状态下，进行除去蓄积在所述电荷发生半导体基板中的电荷的温度下降控制，因此，和以往相比，可以减少所述带电量。因此，即时不再所述电荷发生半导体基板上实施除去静电用手段，也可以防止由于带电造成的形成于所述电荷发生半导体基板的电路的损伤或者该电荷发生半导体基板自身的断裂等损伤的发生。

而且，根据本发明的第20方案提供的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，在所述第18方案提供的凸起形成装置中，所述温度下降控制可以如以下所述那样构成：反复交替地进行降温和低于该降温的幅度的升温。

而且，在所述第18方案提供的凸起形成装置中，对所述加热冷却装置中的所述电荷发生半导体基板进行的加热到所述凸起焊接用温度的加热，包含预先将所述电荷发生半导体基板加热到所述凸起焊接用温度附近的预热动作，

所述控制装置也可以如以下所述那样构成：对所述加热冷却装置进行温度上升控制，该温度上升控制用于除去由于预热动作使温度上升，而在所述电荷发生半导体基板上产生的电荷。

而且，所述温度上升控制可以如以下所述那样构成：反复交替地进行升温和低于该升温的幅度的降温。

而且，根据本发明的第21方案提供的电荷发生半导体基板用除静电装置，包括：

在将伴随温度变化而产生电荷的电荷发生半导体基板加热之后进行冷却时，进行除去由于该冷却造成的温度下降，而在该电荷发生半导体基板上产生的电荷的温度下降控制的控制装置；

在与所述电荷发生半导体基板非接触的状态下，加热所述电荷发生半导体基板，同时在该加热后，服从由所述控制装置进行的所述温度下降控制，并对所述电荷发生半导体基板进行冷却的加热冷却装置。

而且，根据本发明的第22方案提供的电荷发生半导体基板，利用所述第19方案的除静电方法，来除去电荷发生半导体基板的电荷。

附图说明

本发明的目的和其他目的及特征，通过下面参照附图说明的理想实施例来进一步加以明确。

图1是表示本发明中的第1实施例的凸起形成装置的整体构成的立体图。

图2是表示图1所示的凸起形成装置的主要部分的详细结构的立体图。

图3是表示图1及图2所示的搬入装置的详细构成的立体图。

图4是表示图1及图2所示的定位平面调整装置的详细构成的立体图。

图5是表示图1及图2所示的移载装置的详细构成的立体图。

图6是表示图5所示的晶片保持部的保持爪部分的详细结构的图。

图7是表示图5所示的晶片保持部的除去静电用接触材料的详细构成的图。

图8是图5所示的晶片保持部的除静电用接触构件在其他实施例中的构成图。

图9是设在晶片的边缘部分的铝膜和所述除静电用接触构件的接触位置关系图。

图10是表示所述除静电用接触构件的变形例的图。

图11是表示图1所示的焊接凸起装置的结构的图。

图12是用于说明晶片的弯曲的图。

图13是表示所述除静电用接触构件的变形例的图。

图14是表示所述除静电用接触构件的变形例的图。

图15是用于说明图14所示的除静电用构件的结构的立体图。

图16是用于说明图14所示的除静电用构件的结构的立体图。

图17是表示所述除静电用接触构件的变形例的立体图。

图18是表示所述除静电用接触构件的变形例的图。

图19是表示图18所示的除静电用接触构件的变形例的图。

图20是表示所述除静电用接触构件的变形例的图。

图21是表示安装于所述除静电用接触构件的一端的部件的变形例的立体图。

图22是预热装置及后热装置的立体图。

图23是图22所示的预热装置及后热装置的动作说明用图。

图24是图22所示的预热装置及后热装置的动作说明用图。

图25是图22所示的预热装置及后热装置的铝板及加热板框架的立体图。

图26是图22所示的预热装置及后热装置的铝板及面板加热框的立体图。

图27是图1所示的凸起形成装置的动作程序框图。

图28是用于说明在图27所示的步骤2的动作的图，是在搬入装置使晶片上升的状态图。

图29是用于说明在图27所示的步骤2的动作的图，是在搬入侧移载装置即将保持晶片之前的状态图。

图30是用于说明在图27所示的步骤2的动作的图，是在搬入侧移载装置刚保持晶片之后的状态图。

图31是用于说明在图27所示的步骤2的动作的图，是在搬入侧移载装置保持晶片的状态图。

图32是用于说明在图27所示的步骤3的动作的程序框图，是分离面板加热框及铝板的场合的动作程序框图。

图33是用于说明在图27所示的步骤3的动作的图，是搬送形成凸起前的晶片至预热装置的上方的状态图。

图34是用于说明在图27所示的步骤3的动作的图，是将形成凸起前的晶片载置于铝板上的状态图。

图35用于说明在图27所示的步骤3的动作的图，是由晶片保持部解除对形成凸起前的晶片的保持的状态图。

图36是用于说明在图27所示的步骤3的动作的图，是使载置有形成凸起前的晶片的铝板下降的状态图。

图37是用于说明在图27所示的步骤3的动作的程序框图，是面板加热框及铝板不分离的场合的动作程序框图。

图38是用于说明在图27所示的步骤4的动作的图，是预热动作中的升温控制图。

图39是预热动作中的升温控制的变形例的图。

图40是用于说明在图27所示的步骤5，从预热装置向焊接凸起装置的移载动作的程序框图，是分离面板加热框及铝板的场合的动作程序框图。

图41是用于说明在图27所示的步骤5，从预热装置向焊接凸起装置的移载动作的程序框图，是不分离面板加热框及铝板的场合的动作程序框图。

图42是用于说明在图27所示的步骤5，向凸起焊接台移载形成凸起前的晶片时实施的，吹热风的场合的矫正弯曲的动作的程序框图。

图43是用于说明在图27所示的步骤5，向凸起焊接台移载形成凸起前的晶片时实施的、不吹热风的场合的矫正弯曲的动作的程序框图。

图44是在预热动作中，由温度上升控制动作引起的温度上升曲线图。

图45是用于说明在图27所示的步骤5的动作的图，是将形成凸起前的晶片配置在焊接台的上方的状态图。

图46是用于说明在图27所示的步骤5的动作的图，是即将在焊接台保持晶片的状态图。

图47是用于说明在图27所示的步骤5的动作的图，是在焊接台保持晶片，搬入侧移载装置解除晶片的保持后的状态图。

图48是用于说明在图27所示的步骤5的动作的图，是在焊接台保持晶片后的状态图。

图49是在预热动作中，由温度下降控制动作引起的温度下降曲线图。

图50是用于说明所述面板加热动作的程序框图。

图51是所述预热动作开始时，进行晶片保持部的加热的场合的动作程序框图。

图52是所述预热动作中温度下降模式曲线图。

图53是用于说明所述预热动作的程序框图。

图54是用于说明所述预热动作的程序框图。

图55是所述后热动作后，将形成凸起后的晶片从后热装置搬出的动作程序框图。

图56是用于说明在图27所示的步骤8的动作的图，是将保持于搬出侧移载装置的形成凸起后的晶片配置在搬出装置的上方的状态图。

图57是用于说明在图27所示的步骤8的动作的图，是使搬出装置的保持部接触形成凸起后的晶片的状态图。

图58是用于说明在图27所示的步骤8的动作的图，是由搬出侧移载装置刚解除晶片的保持之后的状态图。

图59是用于说明在图27所示的步骤8的动作的图，是将保持于搬出装置的保持部的形成凸起后的晶片载置于保持台之前的状态图。

图60是用于说明在图27所示的步骤8的动作的图，是将所述凸起形成后晶片载置于保持台后的状态图。

图61是从图1所示的搬出侧移载装置向搬出装置移载形成凸起后的晶片时，使离子发生装置产生的离子作用于晶片的状态图。

图62是图1所示的凸起形成装置的变形例的立体图。

图63是用于说明在图62所示的凸起形成装置实施的除去静电用吹风动作的程序框图。

图64是安装在所述凸起形成前晶片上的辅助板的俯视图。

图65是所述除静电用接触构件的变形例的图。

图66是表示图1及图2所示的搬入侧移载装置及搬出侧移载装置的变形例的图。

图67是所述除静电用接触构件的变形例的图。

图68是在图1及图2所示的预热装置、后热装置、及焊接台上，在与电荷发生半导体基板的接触面实施镀银后的状态图。

图69是形成了电荷除去用区域的电荷发生半导体基板的俯视图。

图70是图69所示的电荷除去用区域的变形例的图。

图71是在图1所示凸起形成装置的变形例中的凸起形成装置的主要部分的详细结构的立体图。

图72是图71所示的预热装置及后热装置的详细构成的立体图。

图73是图71所示的预热装置及后热装置的构成的剖面图。

图74是表示图71所示的凸起形成装置的动作流程、晶片的温度变化、以及晶片的带电量之间关系的图。

图75是表示图27所示的预热动作的程序框图。

图76是表示图75所示的温度上升控制动作的程序框图。

图77是表示由图76所示的温度上升动作引起的温度上升的曲线图。

图78是表示在所述预热动作及后热动作中，以静电传感器检测晶片的带电量的结构图。

图79是图27所示的后热动作的程序框图。

图80是图79所示的温度下降控制动作的程序框图。

图81是由图80所示的温度下降控制动作引起的温度下降的曲线图。

图82是表示在图27所示的后热动作时，使离子发生装置产生的离子作用于形成凸起后的晶片的状态的图。

图83是表示在图27所示的预热动作时，使离子发生装置产生的离子作用于形成凸起前的晶片的状态的图。

图84是用于说明在图62所示的凸起形成装置实施的除去静电用吹风动作的程序框图。

图85是表示SAW滤波器的结构的立体图。

图86是表示在所述SAW滤波器的栉齿电路部分的损伤的示意图。

图87是用于说明压电基板晶片的表背两面的带电状态的图。

图88是表示在电路的电极部分上形成凸起的状态的俯视图。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明实施例的凸起形成装置、利用该凸起形成装置实施的电荷发生半导体基板的除静电方法、所述凸起形成装置具有的所述电荷发生半导体基板用除静电装置以及电荷发生半导体基板，进行以下所述的说明。另外，在各图中，对相同的构成部分使用相同的符号。

而且，如图1及图2所示，本实施例的凸起形成装置101适于处理形成了所述SAW滤波器的晶片状压电基板(以下称：压电极板晶片)，在以下的说明中，以在所述压电基板晶片上形成凸起的场合为例，但是，处理对象不限于所述压电基板晶片。即，相当于伴随温度变化而产生电荷的电荷发生型半导体基板(以下简称：电荷发生半导体基板)，对于例如LiTaO₃、LiNbO₃等化合物半导体晶片或者以水晶作基板的水晶半导体晶片等，本实施例的凸起形成装置101也可以适用。另外，对于以Si作基板的Si半导体晶片也可以适用。在这种场合，将形成凸起时的晶片的温度加热到所述的约250℃～约270℃。

而且，所述凸起形成装置101具备层状地将形成凸起前的压电基板晶片201存放于其中的第1存放容器205及层状地将形成凸起后的压电基板晶片202存放于其中的第2存放容器206，即，是所谓的双仓型，但是不限定于该种形式，也可以采用将所述形成凸起前的压电基板晶片201及所述形成凸起后的压电基板晶片202存放在一个存放容器中的所谓单仓型构成。

而且，在以下说明中，焊接台110、预热装置160及后热装置170相当于加热冷却装置，后热装置170是实现冷却装置的机能的一例。

而且，所述加热冷却装置及以下说明的控制装置180构成除静电装置。

所述凸起形成装置101大致包括：一个焊接台110、一个凸起形成头120、搬送装置130、分别设置于搬入侧和搬出侧的移载装置140、分别伴随所述存放容器205、206设置的分别升降存放容器205、206的升降装置150、预热装置160、后热装置170、控制装置180等几部分。但是，该凸起形成装置101，如以下的结构说明及动作说明所述的，在如下方面与现有的凸起形成装置有很大的不同，即，用于除去由于形成凸起必要的焊接用温度和室温之间的温度差而产生于形成凸起前的压电基板晶片201及形成凸起后的压电基板晶片202的表面和背面的电荷的结构和动作，还有，对于形成凸起前的压电基板晶片201，向预热装置160的载置动作及从预热装置160移向焊接台110的移载动作，对于形成凸起后的压电基板晶片202，从焊接台110移向后热装置170的移载动作等不使压电基板晶片201、202产生损伤的结构及动作，在这些方面与现有的凸起形成装置有很大的不同。而且，凸起形成装置101是形成凸起的装置，因此，其最基本的构成部分是所述焊接台110及凸起形成头120。

下面，对所述的各部分进行说明。

所述焊接台110载置所述形成凸起前的压电基板晶片(以下简称：形成凸起前晶片)201的同时，将形成凸起前晶片201加热到在形成于该形成凸起前晶片201的电路中的电极上形成凸起所必要的凸起焊接用温度。另外，所述的凸起焊接用温度是按设计上的强度将电极和凸起接合起来所必要的温度，是根据形成凸起的晶片、基板的材质及所述设计上的强度而设定的温度。在本实施例的场合，大约为210℃。

对于焊接台110，在载置形成凸起前的晶片201的晶片载置台111上，如图11所示，形成有用于吸附形成凸起前的晶片及喷出气体的出入孔113，该出入孔113连接于由控制装置180控制动作的吸引装置114及作为气体供给装置发挥机能之一的吹风装置115。而且，在本实施例中，所述气体为空气。另外，焊接台110的晶片载置台111在接触加热器112侧的加热位置和用于移载电荷发生半导体基板的移载位置之间通过升降装置可以升降。而且，在晶片载置台111的与形成凸起前的晶片201的接触面上实施如图68所示的金属电镀，在本实施例中，实施镀银261。通过实施镀银，晶片载置台111与形成凸起前的晶片201之间的热传导率提高，而且，形成凸起前的晶片201的除去静电的效果也得到提高。

所述凸起形成头120是用于在载置于所述载置台110、被加热到所述焊接用温度的形成凸起前的晶片201的所述电极上形成凸起的装置，除具备供给成为凸起的材料的金线的线供给部之外，还包括：凸起制作部，该凸起制作部将所述金线溶化形成球，将该溶化球按压在所述电极上；超声波发生部，该超声波发生部在所述按压时，使超声波作用于凸起。而且，这样构成的凸起形成头120设置在例如具有球状螺栓结构、可以沿在平面上互相垂直相交的X、Y方向移动的X、Y工作台122上，为了能够在被固定的所述凸起形成前晶片201的各个所述电极上形成凸起，通过所述X、Y工作台122可以沿所述X、Y方向移动。

在该凸起形成装置101上，作为所述搬送装置130设了两种。其中之一的搬入装置131是将所述凸起形成前晶片201从所述存放容器205取出的装置，另外一个是搬出装置132，该搬出装置132是将形成凸起后的压电基板晶片(以下简称：形成凸起后的晶片)202搬送到所述第2存放容器206中存放的装置。如图3所示，搬入装置131具备依靠吸附动作保持形成凸起前的晶片201的保持台1311、使该保持台1311沿X方向移动的搬入装置用移动装置1312。包含于搬入用移动装置1312的驱动部1313连接于控制装置180并被该控制装置180控制动作。因此，通过所述驱动部1313动作保持台1311沿X方向移动，从第1收容器205取出形成凸起前的晶片201。

搬出装置132具有与搬入装置131同样的结构，同样的动作，因此简略说明。即，如图56所示，搬出装置132包括：保持台1321，在本实施例中保持台依靠吸附动作保持形成凸起后的晶片202；搬出装置用移动装置1322，该搬出装置用移动装置1322使该保持台1321沿X方向移动，将所述凸起形成后晶片202存放入第2存放容器206存放；保持部1323，该保持部1323依靠吸附形成凸起后的晶片202的背面202b保持形成凸起后的晶片202；驱动部1324，该驱动部1324配置在所述保持台1321的下方，使保持部1323沿保持于保持台的形成凸起后的晶片202的厚度方向移动。所述搬出装置用移动装置1322及驱动部1324被控制装置180控制动作。

而且，在搬入装置131的设置处，设有：使由搬入装置131从第1存放容器205取出的形成凸起前的晶片201的定位平面按所定方向定向的定位平面调整装置133。如图4所示，该定位平面调整装置133包括：挟持板1331，该挟持板1331挟持形成凸起前的晶片在驱动部1332的驱动下沿Y方向移动；保持部1333，该保持部1333可以沿形成凸起前的晶片201的厚度方向移动，而且可以保持形成凸起前的晶片201，而且可以沿形成凸起前的晶片201的四周方向转动以便进行保持的形成凸起前的晶片201的定位平面的定向；该保持部1333的驱动部1334。所述驱动部1332、1334被控制装置180控制动作。

对于该凸起形成装置101，移载装置140具备搬入侧移载装置141和搬出侧移载装置142。搬入侧移载装置141挟持保持于所述搬入装置131的保持台1311的所述凸起形成前晶片201，进行向预热装置160和从预热装置160向焊接台110的搬送。另一方面，搬出侧移载装置142挟持保持于焊接台110上的形成凸起后晶片202，进行向后热装置170和从后热装置170向所述搬出装置132的保持台1321的搬送。如图2所示，这样的搬入侧移载装置141包括：晶片保持部1411，该晶片保持部1411挟持形成凸起前的晶片201而且除去形成凸起前的晶片201的表面及背面所带的电荷；驱动部1412，该驱动部1412为了进行所述挟持动作驱动晶片保持部1411，在本实施例中设有气缸；移动装置1413，该移动装置1413使这些晶片保持部1411及驱动部1412全体沿X方向移动，在本实施例中采用球型螺栓机构构成。所述驱动部1312及移动装置1413连接于控制装置180，被控制装置180控制动作。

搬出侧移载装置142也和所述搬入侧移载装置141同样，具备晶片保持部1421、驱动部1422、移动装置1423，驱动部1422及移动装置1423被控制装置180控制动作。

下面对所述晶片保持部1411、1421进行说明。如图5所示，晶片保持部1411是由在所述驱动部1412的驱动下可以沿X方向移动的第1保持部件1414及第2保持部件1415和配置在它们之间的除静电用构件1416互相平行排列构成。这些第1保持部件1414、第2保持部件1415及除静电用构件1416都是由铁或者其他导电性材料制作而成。晶片保持部1421也和晶片保持部1411同样，是由第1保持部件1424及第2保持部件1425和配置在它们之间的除静电用构件1426互相平行排列构成。这些第1保持部件1424、第2保持部件1425及除静电用构件1426都是由铁或者其他导电性材料制作而成。另外，因为晶片保持部1411、1421具有相同的结构，所以以下仅以保持部1411为代表进行举例说明。

在第1保持部件1414及第2保持部件1415上，如图所示，为了保持形成凸起前的晶片201，分别设有2个L型的保持爪1417。该保持爪1417由与第1保持部件1414及第2保持部件1415相同的材料的铁或导电性树脂制作而成，如图6所示，在与形成凸起前的晶片201直接接触的部分，最好安装导电性树脂膜14171作为缓冲材料。另外，之所以以铁或者导电性材料制作第1保持部件1414、第2保持部件1415及保持爪1417，是为了可以将保持的形成凸起前的晶片201的背面201b所带的电荷接地。

另一方面，如图66所示，通过以例如杜邦公司制的商品名为百斯白璐的隔热材料制作对应所述保持爪1417的保持爪14172，可以减小在保持部1411、1412的温度变化，不容易使形成凸起前的晶片201及后述的形成凸起后的晶片202产生温度变化。因此可以防止形成凸起前的晶片201及形成凸起后的晶片202产生断裂等损伤。另外，在如图55所示的结构的场合，在形成凸起前的晶片201及形成凸起后的晶片202和保持爪14172的接触部分，设导电性材料14173，进行在形成凸起前的晶片201及形成凸起后的晶片202中的电荷向第1保持部件1414及第2保持部件1415的接地。而且，在晶片保持部1411、1421的第1保持部件1414及第2保持部件1415等的外面，如以下所记述的，以绝缘材料14174实施包覆。

为了更有效地从形成凸起前的晶片201及形成凸起后的晶片202除去静电，如以后所述的，最好设离子发生装置190。在设该离子发生装置190时，必须考虑到以下场合，即，从离子发生装置190发生的离子，沿着由铁或者导电性材料制成的第1保持部件1414、第2保持部件1415及保持爪1417被接地，不能有效的作用于形成凸起前的晶片201及形成凸起后的晶片202。因此，为了防止所述离子的接地并且使所述离子有效地作用于形成凸起前的晶片201及形成凸起后的晶片202，至少，在从离子发生装置190发生的离子发生作用的地方，最好是在第1保持部件1414、第2保持部件1415及保持爪1417的外面全面，如图66所示的，以绝缘材料实施包覆。

对于除静电用构件1416，为了可以接触到保持于该晶片保持部1411的形成凸起前的晶片201的表面201a的边缘部分201c，在本实施例中，在沿晶片201的直径方向的2处，设置了向晶片201的厚度方向突出的除静电用接触构件14161。如图7所示的，除静电用接触构件14161可以滑动的贯穿并安装于除静电用构件1416之间，沿除静电用接触构件14161的轴方向由弹簧14162推压。而且，在除静电用接触构件14161的晶片接触端部，作为缓冲部件，设置了导电性树脂14163。

这样的除静电用接触构件14161通过所述导电性树脂14163接触形成凸起前的晶片201的表面201a，将该表面201a所带的电荷接地。而且，在以保持爪1417保持形成凸起前的晶片201前的状态下，除静电用接触构件14161在形成凸起前的晶片201的厚度方向，与保持爪1417相同水平或者超出保持爪1417而突出。通过该构成，该晶片保持部1411在要保持形成凸起前的晶片201时，在保持爪1417接触形成凸起前的晶片201前，除静电用接触构件14161就可以接触形成凸起前的晶片201的表面201a。因此，首先，可以除去所述表面201a的电荷。

而且，可以采用直接将除静电用接触构件14161连接于接地线的构成。另外，不限定于将除静电用接触构件14161安装于除静电用构件1416上的结构，例如如图8所示，可以采用在设有保持爪1417的第1保持部件1414及第2保持部件1415上安装由金属或者导电性材料制成的可以接触所述表面201a的板簧14164的构成。

另一方面，对于晶片201、202，为了可以有效除去表面201a所带的电荷，存在以下晶片，即，在除静电用接触构件14161接触的、晶片201、202的表面201a的边缘部分201c的一周形成如图9所示的铝膜203。在这样的晶片的场合，通过除静电用接触构件14161接触铝膜203，可以有效地除去表面201a所带的电荷。而且，如图10所示，也可以采用如下构成，即，在所述边缘部分201c的3处以上的地方配置除静电用接触构件14161。而且，为了也可以从晶片的中央部分除去静电，如图10所示的，预先形成除静电用接触构件14161接触晶片的中央部分也不会产生妨碍的空单元14165，在该空单元14165所对应的位置配置除静电用接触构件14161，可以有效除去聚集在空单元14165的电荷。另外，如以上所述，通过使除静电用接触构件14161的数目增加，或者增大其接触面积，也可以使除去静电的性能得到提高。

而且，如图69所示的，可以如以下所述那样构成，即，将相当于电荷除去用区域以导体制成的所述空单元14165连接于用于将例如形成了所述SAW滤波器的电路形成部分211从晶片切开的切割线212。在此，所述切割线212延续到所述铝膜203为止。因为发生的电荷蓄积在晶片的所述表面201a，所以，通过采用所述构成，如以上所述的，通过除静电用接触构件14161接触铝膜203，经切割线212及铝膜203也可以除去空单元14165上的电荷，可以有效地除去表面201a的电荷。当然，如以上所述的，通过使除静电用接触构件14161直接接触空单元14165，也可以除去表面201a的电荷。

对于图10及图69所示的任何一种结构，所述空单元14165在晶片上的形成位置，如以上所述的，可以根据对应所述除静电用接触构件14161来决定，但并不限定于此。例如也可以在由于热电破坏容易产生损伤、晶片上的损伤发生的位置，形成空单元14165，这样的结构从除去静电的效果及原料和制品的分量比上比较有效。另外，在这种场合，对应形成于所述损伤发生的位置的空单元14165，配置除静电用接触构件14161。

而且，对于图69所示的结构，空单元14165形成为大约占一个电路形成部分211大小的四角形状，但是，空单元14165的面积不限定于此。而且，空单元14165的形状也不限定于所述四角形状，也可以是如例如图70所示的空单元14165-1，围绕例如一个电路形成部分211的框状。

而且，所述表面201a的除静电方法也不限定于通过所述的除静电用接触构件14161的接触的方法，以例如所述离子发生装置190代替除静电用接触构件14161，或者也可以与除静电用接触构件14161并用。

而且，对于图69的构成，设空单元14165并将该空单元14165连接于切割线212，但是，也可以不设空单元14165，仅设延续到铝膜203的切割线212构成。与所述设空单元14165的结构相比除去静电的效率、除去静电的效果要差一些，但是，该结构也可以经切割线212从铝膜203除去静电，可以除去所述表面201a的电荷。

在后述的动作说明中进行了叙述，例如LiTaO₃、LiNbO₃等化合物半导体晶片的场合，根据处理的电荷发生半导体基板，如图12所示的，有可能由于在该基板上产生的温度差使该基板产生弯曲。作为所述弯曲的量，图12所示的尺寸I在厚0.35mm、直径76mm的LiTaO3的场合为1～1.5mm，在LiNbO3的场合为1.5～2mm。

另一方面，除静电用接触构件14161是对应电荷发生半导体基板的所述弯曲的量变大的边缘部分配置的。而且，如以上所述的，除静电用接触构件14161安装于除静电用构件1416的结构，如图7所示的，除静电用接触构件14161只能沿除静电用接触构件14161的轴方向移动，因此，不能对应电荷发生半导体基板的所述弯曲进行摇动，即，除静电用接触构件的延伸而几乎与弯曲的面垂直相交，而除静电用接触构件14161自身不能倾斜。因此，在除静电用接触构件14161接触产生弯曲的电荷发生半导体基板时，从沿不弯曲状态的电荷发生半导体基板的厚度方向延伸而且可以移动的除静电用接触构件14161向所述电荷发生半导体基板作用不需要的力，有可能产生使电荷发生半导体基板断裂或缺损等损伤的场合。因此将除静电用接触构件14161安装于除静电用构件1416的结构及其关联部分，最好采用如图13～图21、图65所示的以下的结构。另外，伴随安装结构及其关联部分的变更，除静电用构件1416也产生结构变更，因此，严格的讲有必要变更除静电用构件的符号，但是，为了说明的方便，还用1416这个符号。

对于图13所示的除静电用接触构件的安装结构的一个变形例，在除静电用构件1416上设有研钵状的孔14166，以线径为1.5～2mm左右的导电性的由例如金属的棒材制成的除静电用接触构件14100插入该孔14166，由弹簧14162沿除静电用接触构件14100的轴方向对除静电用接触构件14100进行推压。该推压的力，在本实施例中，平均一个除静电用接触构件14100约49～98×10^-3N。另外，为了根据产生所述弯曲的电荷发生半导体基板的曲率，除静电用接触构件14100沿箭头14110方向容易摇动，可以将接触电荷发生半导体基板的除静电用接触构件14100的一端的角部14101整形成例如倒角或者圆弧状，也可以在除静电用接触构件14100的一端安装如图14所示的例如直径5mm左右的导电性的、例如金属的球14105或者图21所示的圆筒14106，或者也可以将所述一端整形成如图65所示的半球状。另外，为了包含摇动的除静电用接触构件14100的轨迹的平面和电荷发生半导体基板的直径方向平行，除静电用接触构件14100沿所述箭头14110方向摇动。在安装所述圆筒14106的场合，沿该圆筒14106的轴方向与电荷发生半导体基板的直径方向及厚度方向垂直相交的方向配置圆筒14106。而且，在本实施例中，采用直接将接地线14109连接于除静电用接触构件14100的另一端的构成。

通过采用这样的结构，除静电用接触构件14100可以以研钵状的孔14166的小径部分为支点摇头，因此，根据产生弯曲的电荷发生半导体基板的曲率，除静电用接触构件14100可以沿箭头14110方向摇动，可以防止电荷发生半导体基板的损伤。

作为其他的变形例，也可以采用如图14所示的结构。该结构如图15所示的，在形成于除静电用构件1416的安装孔14102内，以适宜的间隔配置了2个滚筒14103，通过销14104可以旋转的安装于除静电用构件1416上，通过所述2个滚筒14103除静电用接触构件14107可以沿箭头14110方向摇动地设置于其间。在除静电用接触构件14107的另一端部，如图16所示，具有滚筒14108可以旋转地支撑于其上，在除静电用接触构件14107的一端，所述球14105安装于其上。这样的除静电用接触构件14107由弹簧14162沿轴方向推压并安装于除静电用构件1416上。因此，除静电用接触构件14107的滚筒14108依靠除静电用构件1416的2个滚筒14103从两侧可以旋转的支撑着，因此，除静电用接触构件14107可以沿箭头方向14110摇动，可以防止电荷发生半导体基板的损伤。

而且，作为其他的变形例，也可以采用如图7所示的结构。该结构是从图14所示的结构发展而来的，在除静电用构件1416上，十字状地可以旋转地设置了4个滚筒14111，另一方面，将另一端设有球14112的除静电用接触构件14113安装于除静电用构件1416上，使所述球14112位于所述4个滚筒14111的中央部。另外，球14112通过弹簧13162被4个滚筒14111推压。另外，接地线可以如图20所示的形态安装于所述球14112上，也可以安装于除静电用构件1416上。通过这样的结构，除静电用接触构件14113不仅可以沿所述箭头方向旋转，而且还可以沿与该箭头14110方向垂直相交的箭头14114方向平滑地旋转，因此可以防止电荷发生半导体基板的损伤。

而且，作为其他的变形例，也可以采用如图18～图20所示的结构。对于该结构，在除静电用构件1416上设有研钵状的孔14166，另一方面，另一端设有球14115的除静电用接触构件14116被安装于除静电用构件1416上，使所述球14115在可以旋转的状态下支撑于所述孔14166中。球14115通过弹簧14162被孔14166的壁面推压。而且，与除静电用构件1416之间连接有接地线14119的集电部件14117被弹簧14118按压在球14115。因此，电荷发生半导体基板的电荷通过除静电用接触构件14116、集电部件14117、接地线14119流向安装于除静电用构件1416的接地线14109。通过采用这样的结构，除静电用接触构件14116可以沿图18所示的安装状态的任何方向旋转，可以防止电荷发生半导体基板的损伤。

而且，作为图18所示的安装结构的变形例，也可以采用如图19所示的去掉弹簧14162使用除静电用接触构件14120的结构。在这种场合，与图18所示的结构相比可以降低成本而且组装容易，进一步还可以得到如下效果，即，可以以球14105的重量，例如19.6×10^-3N左右的微小的力接触电荷发生半导体基板。因此，即使对于例如以0.1mm左右的厚度制成的薄的电荷发生半导体基板，也不会给他们带来断裂等损伤。

而且，如图20所示，也可以采用如下结构，即，去掉集电部件14117及弹簧14118，将接地线14109直接安装于球14115上使用除静电用接触构件14121的结构。在这种场合，与图18所示的结构相比，可以削减部件的数目，使制造简单化，可以降低成本。

而且，作为其他的变形例，也可以采用如图65所示的结构。对于所述的从图13到图20所示的结构，除静电用接触构件可以摇动地构成，但是，对于图65所示的除静电用接触构件14122，在除静电用构件1416的除静电用接触构件14122的支撑部分，设有线性导向轴承14123。因此对于如图65所示的结构，除静电用接触构件14122沿轴方向的移动与图7所示的结构中的除静电用接触构件14161沿轴方向的移动相比变得非常平滑。因此，图65所示的结构虽然是除静电用接触构件14122不摇动的结构，但是，除静电用接触构件14122的半球状的一端接触产生如所述的弯曲的电荷发生半导体基板时，除静电用接触构件14122沿其轴方向平滑的移动，因此，即使对于产弯曲的电荷发生半导体基板，也可以不给其带来断裂等损伤。

对于所述除静电用接触构件14122，嵌合线性导向轴承14123的支撑部件14124可以是铁制的，但是，最好采用如所述的百斯白璐的隔热材料制作。例如以所述的百斯白璐制作的支撑部件14124与以铁制作的场合相比，热传导率仅为约1/84。因此，通过设置以隔热材料制成的支撑部件14124，可以防止由于除静电用接触构件14122接触电荷发生半导体基板而导致的电荷发生半导体基板急剧的冷却，可以防止对电荷发生半导体基板的热损伤。

而且，作为所述除静电用接触构件14122的变形例，如图67所示，也可以设压铁14126来代替弹簧14162构成除静电用接触构件14125。在使用弹簧14162的场合，根据弹簧14162的缩减量，即，根据除静电用接触构件向轴方向的移动量，除静电用接触构件对电荷发生半导体基板的按压力发生变化，但是，通过使用压铁13126，可以达到与除静电用接触构件的所述移动量不发生关系而以一定的按压力作用于电荷发生半导体基板的效果。

另外，对于所述的图13、图14、图17、图18、图20所示的各除静电用接触构件，也可以设压铁14126来代替弹簧14162构成，而且，图19所示的除静电用接触构件14120，也可以设压铁14126来构成。

如图22～图24所示，所述预热装置160是如下装置，即，从搬入装置131载置保持于晶片保持部1411的形成凸起前的晶片201，从室温升温到在所述焊接台110形成凸起时的所述焊接用温度的大约210℃附近的装置，在具有作为加热部的加热面板161的面板加热框162上，载置有在本实施例中为6mm厚的铝板163作为热扩散构件。在铝板163的晶片载置面163a，实施图68所示的镀金属，在本实施例中实施镀银261。通过实施镀银，可以提高铝板163和形成凸起前的晶片201之间的热传导率，而且可以提高除去形成凸起前的晶片201上的电荷效果。由加热面板161进行的升温动作在参照从测定铝板163的温度的温度传感器(例如热电偶)来的温度信息的同时，受控制装置180的控制。另外，所述热扩散构件163的材质不限定于所述的铝板，热传导率好的、不与形成凸起前的晶片201起化学反应的材质，例如硬铝等也可以。

在本实施例中，所述搬入侧移载装置141及搬出侧移载装置142都没有设使晶片保持部1411及晶片保持部1412沿它们保持的形成凸起前的晶片201及形成凸起后的晶片202的厚度方向移动的机构。因此，为了将形成凸起前的晶片201载置于所述铝板163上，预热装置160具备使具有加热面板161的面板加热框162及铝板163沿所述厚度方向在图23所示的下降位置167和图24所示的上升位置168之间升降的升降机构。为了进行沿所述厚度方向的升降动作，该升降机构具备作为驱动源的气缸1601、由该气缸升降的T字形的支撑部件1602、立设于该支撑部件1602的支撑面板加热框162及铝板163的2根支撑棒1603。另外，所述气缸1601通过由控制装置180控制动作的缸驱动装置1604动作。而且，在本实施例中，如后述的通过由气缸1601进行的升降动作，面板加热框162和铝板163分离，促使了铝板163的冷却，因此，所述缸驱动装置1604及所述气缸1601具有作为分离装置的机能。

在本实施例中，如图所示的，支撑棒1603贯穿面板加热框162，其前端插入铝板163之中。在支撑棒1603贯穿的状态下，面板加热框162可以沿支撑棒1603的轴方向滑动，在支撑棒1603的前端部，铝板163固定于支撑棒1603上。而且，面板加热框162被作为推压装置的一例的弹簧1605推压向铝板163。因此，通过气缸1601动作，从如图23所示的下降位置167面板加热框162和铝板163一体地升降，但是，在上升时，面板加热框162触到设于接触位置的制动器1606后，如图24所示的，制动器1606使面板加热框162的上升停止，因此只有铝板163上升，进行了面板加热框162和铝板163的分离。接下来铝板163上升到上升位置168。在本实施例中，在分离结束时，面板加热框162和铝板的间隙大约是2～4mm。在该分离后的下降时，从所述上升位置到设置所述制动器1606的所述接触位置，只有铝板163下降，从所述接触位置，面板加热框162和铝板163一体地下降到所述下降位置167。

预热后，在载置下一个新的形成凸起前的晶片201的时候，有必要使铝板163的温度下降到约40℃，如以上所述的，通过采用面板加热框162和铝板163可以分离的结构，和以往相比，可以提高铝板163的冷却速度，可以缩短生产节拍。而且，在进行批量生产前的试制作阶段，对于相同种类的晶片，只进行1、2枚左右的形成凸起时，通过采用所述分离结构，可以有效地提高所述冷却速度，缩短生产节拍。

而且，在铝板163的温度下降的时刻，使面板加热框162和铝板163合成一体的话就可以了，因为没有必要等待面板加热框162下降到所述约40℃，所以在面板加热框162上的温度差与以往相比变小。因此，可以降低加热面板161的负荷，与以往相比，可以延长加热面板161的寿命。

另外，如以上所述的，在本实施例中，采用了面板加热框162和铝板163可以分离的结构，但是，作为简易型，也可以采用不使面板加热框162和铝板163分离，通常一体地升降的结构。

而且，如以上所述的，由2根支撑棒1603支撑着面板加热框162及铝板163，因此，热量不容易从面板加热框162传达到支撑部件1602及气缸1601。因此，从面板加热框162发出的热量几乎都可以传导给铝板163，因此，铝板上的温度分布几乎是均匀的，可以均匀地加热形成凸起前的晶片201的全体。而且，即使是连续的运转，支撑部件1602等也不会发热。

在铝板163的晶片载置面163a上，形成了用于在形成凸起前的晶片201的移载时使所述晶片保持部1411所具有的保持爪1417进入的沟1607及空气出入孔1608。如图25所示，空气出入孔1608和铝板163内形成的吹风吸引用通路1609相连通，在后述的动作说明中作了叙述，该空气出入孔是用于在以下场合喷出空气的孔，即，在搬送形成凸起前的晶片时，使形成凸起前的晶片201和晶片载置面163a分离的场合，或者在除去形成凸起前的晶片201的背面的所带电荷的场合，喷出空气；另外，使形成凸起前的晶片依靠吸附保持于晶片载置面163a时，空气出入孔1608也是空气吸引用孔，虽然在本实施例中基本不进行这样的动作。另外，所述吹风吸引用通路1609，如图22所示的，通过连结管1610连接于被控制装置180控制动作的吹风吸引用装置1611。而且，在本实施例中，作为喷出的气体如以上所述的使用空气，但是，也可以使用其它的气体。另外，所述吹风吸引装置1611相当于这样的一例，即，在下述的矫正弯曲的动作以及除去静电动作时，起到作为供给气体的气体供给装置的作用。

而且，在铝板163内，形成有用于冷却铝板163的冷却介质用通路1612。在本实施例中，使用常温的空气作冷却介质，但是，也可以使用其他的气体或者水。冷却介质用通路1612，如图22所示的，通过连结管1614连接于被控制装置180控制动作的冷却空气供给装置。另外，通过冷却介质用通路1612提供的冷却空气沿图示的箭头流过该冷却介质用通路1612经连结管1615被排出。

在本实施例中，如图25所示的，吹风吸引用通路1609及冷却介质用通路1612是以钻头等在铝板163内钻孔，在图上斜线部分安装截止螺栓形成的，但是，吹风吸引用通路1609及冷却介质用通路1612的形成方法可以采用公知的方法，例如图26所示的，也可以通过在铝板的背面挖沟来形成。但是，在这种场合，为了防止铝板163和面板加热框162之间的冷却介质泄漏，有必要设密封板。

所述后热装置170是用于降温的装置，该装置在形成凸起之后，从焊接台110载置保持于晶片保持部1421的形成凸起后的晶片202，从所述焊接用温度的约210℃附近徐徐地降温到室温附近；在结构上，具有和所述的预热装置160同样的结构，在本实施例中，是面板加热框和铝板分离的结构。即，对应所述预热装置160的各构成部分，在后热装置170中也具有：加热面板171、面板加热框172、铝板173、温度传感器176、气缸1701、支撑部件1702、支撑棒1703、缸驱动装置1704、弹簧1705、制动器1706、沟1707、空气出入孔1708、吹风吸引用通路1709、连结管1710、吹风吸引装置1711、冷却介质用通路1712、冷却空气供给装置1713、连结管1714、1715。但是，为了控制形成凸起后的晶片202的温降，加热面板171被控制装置180控制动作。另外，在铝板173的晶片载置面上，和铝板163的场合同样，实施图68所示的金属电镀，在本实施例中实施镀银261。通过实施镀银，提高了铝板173和形成凸起后的晶片202之间的热传导率，而且，也提高了形成凸起后的晶片202的除去静电的效果。

而且，在后热装置170的动作与在所述预热装置160的动作相类似，通过将在预热装置160的关于预热的动作说明替换成后热动作的说明来阅读就可以理解，因此这里省略其详细说明。

所述升降装置150具备载置所述第1收容器205的第1升降装置151、载置所述第2收容器206的第2升降装置152。第1升降装置151升降所述第1收容器205，以便所述凸起形成前晶片201配置在由所述搬入装置131可以取出的位置。第2升降装置152升降第2收容器206，以便由所述搬出装置132保持的形成凸起后的晶片202可以存放到第2收容器206内的所定位置。

下面对具有如以上说明的构成的本实施例的凸起形成装置101的动作进行说明。通过所述的各构成部分被控制装置180控制动作，因此，可以实施下述一连串的动作，即，在形成凸起前的晶片上形成凸起，接下来，将形成凸起后的晶片存放到第2收容器206。而且，控制装置180可以在使形成凸起后的晶片202接触后热装置170的铝板173的状态下控制后热动作，进一步该控制装置180也可以控制能够在后热装置170实施的对形成凸起后的晶片202进行的除去静电用吹风动作或者矫正弯曲用吹风动作。而且，控制装置180可以在使形成凸起前的晶片201接触预热装置160的铝板163的状态下控制预热动作，进一步该控制装置180也可以控制能够在预热装置160实施的对形成凸起前的晶片201进行的除去静电用吹风动作或者矫正弯曲用吹风动作。而且，控制装置180控制在焊接台110实施的形成凸起前的晶片201的矫正弯曲用吹风动作。

下面，对所述个动作进行详细说明。另外，在以下的说明中，具备晶片保持部1411、1412的除静电用接触构件采用图13所示的除静电用接触构件14100为例进行说明，该除静电用接触构件14100对所述产生弯曲的电荷发生半导体基板等、任何晶片、基板都可以适用。也可以使用所述的除静电用接触构件14107、14113、14116、14120、14121来取代该除静电用接触构件14100。

利用本实施例的凸起形成装置101，通过从图27所示的步骤(图内以S表示)1到步骤10的各工序，在形成凸起前的晶片201上形成凸起，并将形成凸起后的晶片202受纳入第2存放容器。即，在步骤1，通过第1升降装置升降第1存放容器，将形成凸起前的晶片201配置在由搬入装置131可以从第1存放容器取出的位置，之后，以搬入装置131从第1收容容器205取出形成凸起前的晶片201。接下来，保持于搬入装置131的形成凸起前的晶片201，由定位平面调整装置133对定位平面进行定向。

在定位平面的定向结束后，在步骤2，保持于搬入装置131的保持台1311的形成凸起前的晶片201被搬入侧移载装置141挟持。对于该动作参照图28～图31进行详细说明。

如图28所示的，所述定向后，定位平面调整装置133的保持部1333上升，从保持台1311依靠吸附将形成凸起前的晶片201保持于其上，并上升。另一方面，晶片保持部1411配置于形成凸起前的晶片201的上方，而且，第1保持部件1414及第2保持部件1415依靠驱动部1411的驱动沿X方向向打开的方向移动。接下来，如图29所示的，保持部1333上升，在此之前，晶片保持部1411的除静电用接触构件14100的前端接触形成凸起前的晶片201的表面。因此，即使在除静电用接触构件14100的接触之前，所述表面201a上存在电荷，通过除静电用接触构件14100的接触也可以除去该电荷。

另外，如以上所述的，在本实施例中使用的形成凸起前的晶片201、形成凸起后的晶片202具有以下所述特性：不容易带电，但是，一旦带电的话就不容易除去。因此，通过除静电用接触构件14100的接触完全除去表面201a的电荷比较困难，在表面201a存在约+10V～+25V左右的初期电荷。在此，+表示正电荷。

接下来，如图30所示的，第1保持部件1414及第2保持部件1415依靠驱动部1411的驱动沿X方向向闭合的方向移动。

接下来，如图31所示的，所述保持台1311下降，形成凸起前的晶片201被晶片保持部1411的保持爪1417保持。这时，依靠设在除静电用接触构件14100部分的弹簧14162的推力形成凸起前的晶片201被推压向保持爪1417。另外，该推压力只是为了在由晶片保持部1411进行形成凸起前的晶片201的搬送时不发生掉落等意外而施加的，不会使形成凸起前的晶片201发生变形。

而且，通过形成凸起前的晶片201的背面201b和保持爪1417接触，所述背面201b上的电荷的一部分被接地。但是，如以上所述的，要除去形成于所述背面201b的沟14内的电荷的话，对于该凸起形成装置101的构成来说是困难的，和所述表面201a同样，在背面201b也存在约-20V～-30V左右的初期电荷。在此，-表示负电荷。另外，如在后述的变形例中所说明的，通过进一步使用离子发生装置除去静电可以更有效的除去静电。

在接下来的第3步骤中，如图2所示的，在保持形成凸起前的晶片201的状态下，晶片保持部1411被移动装置1413搬送并配置在预热装置160的上方。

另一方面，如图22所示的，在本实施例中，预热装置160是面板加热框162和铝板163可以分离的结构。因此铝板163在具有常温以上的温度时，在形成凸起前的晶片201被搬送到预热装置160的上方前，实施图32所示的步骤510～515进行铝板163的冷却。对于这些步骤510～515，在以后的叙述中参照图40进行说明。

在铝板被冷却到所定的温度(在本实施例中约40℃)时，铝板163下降到所述下降位置167。接下来，在下一个步骤303，如图33所示的，在保持形成凸起前的晶片201的状态下，晶片保持部1411被移动装置1413搬送并配置到预热装置160的上方。

在下一个步骤304，铝板163再次上升到上升位置168。这时，晶片保持部1411所具有的保持爪1417，如图34所示的，进入到形成于所述铝板的沟1607内。由此，保持于晶片保持部1411的形成凸起前的晶片201被载置到铝板163上。另外，如以上所述的，在本实施例中，在搬入侧移载装置141及搬出侧移载装置142上，没有设升降机构，因此，为了进行将形成凸起前的晶片201搬入预热装置162的搬入动作及载置于铝板163的载置动作，有必要进行铝板163的升降。

在接下来的步骤305，如图35所示的，打开搬入侧移载装置141的第1保持部件1414及第2保持部件1415，在接下来的步骤306，如图36所示的，将铝板163下降到所述下降位置167。接下来转移到步骤4开始预热动作。

而且，如以上所述的，作为预热装置160的变形例，在采用不使面板加热框162和铝板163分离通常作为一体升降的结构时，将形成凸起前的晶片201搬入预热装置160的搬入动作成为图37所示的步骤311～316的动作。对于该动作进行说明。另外，在该说明中，不可分离的面板加热框162及铝板163总称预热台。

在步骤311，保持于晶片保持部1411的形成凸起前的晶片201被搬入所述预热台的上方。在接下来的步骤312为了使形成凸起前的晶片201的温度安定，在所述预热台的上方，例如从30秒到2分钟之间，维持搬入状态。在接下来的步骤313，使所述预热台上升到所述上升位置168。在接下来的步骤314，打开搬入侧移载装置141的第1保持部件1414及第2保持部件1415。在接下来的步骤315，由于面板加热框162和铝板163是不分离的结构，所以进行该变形例特有的动作。即，后述的预热动作结束后，由搬入侧移载装置141将形成凸起前的晶片201从所述预热台移载到焊接台110上，这时，所述保持爪1417和经预热的形成凸起前的晶片201之间的温度差大的话，有可能产生形成凸起前的晶片201被局部冷却的不利情形。因此在步骤315判断是否加热保持爪1417，在加热的场合，在使预热台上升到上升位置168的状态下，开始预热动作。通过该动作可以防止所述不利情形的发生，因为保持爪1417处于进入沟1607的状态，通过所述预热台的加热保持爪1417也可以被加热，所以可以防止所述不利情形的发生。另一方面，在不加热的场合，在接下来的步骤316，使预热台下降到下降位置167，开始预热动作。

在接下来的步骤4，由预热装置160对形成凸起前的晶片201进行从室温到约210℃的预热。由于该预热动作使形成凸起前的晶片201的温度发生变化，因此在形成凸起前的晶片201上产生电荷，但是，由于形成凸起前的晶片201载置于铝板163上，所以电荷容易蓄积的背面201b侧的电荷通过铝板163被接地，可以有效的除去静电。因此，用于预热形成凸起前的晶片201的温度上升速度只要在由于急剧的温度变化使形成凸起前的晶片201破损的温度上升速度内，即，约50℃/分左右的温度上升速度内的话，即使对于由于温度的变化产生电荷的电荷发生半导体基板，如图38所示的，也可以例如采用例如5～10℃/分左右的平缓的温度上升速度，或者采用例如20～40℃/分左右的快速的温度上升速度等各种温度上升速度。因此，即使进行预热动作的场合，也可以维持与以往同等程度的生产节拍。

而且，在采用所述的、不使面板加热框162和铝板163分离通常作为一体升降的构成时，如图39所示的，可以进行温度上升控制。即，从时刻t1到时刻t2实施所述步骤312的动作，使形成凸起前的晶片201从40℃升温到约60～120℃。之后，如以上所述的以平缓的或者急剧的温度上升速度进行到约210℃的升温控制。

形成凸起前的晶片201被升温到所述约210℃时，转移到接下来的步骤5。在步骤5，首先如图40所示的，进行形成凸起前的晶片201的从预热装置160到焊接台110的移载动作。另外，在所述210℃前后的温度和例如100℃左右时的场合相比，形成凸起前的晶片201的带电量少，从预热装置160到焊接台110的移载动作时，在形成凸起前的晶片201上发生火花的可能性很低。而且，图40表示预热装置160中的面板加热框162和铝板163可以分离的结构的场合的动作。

在图40的步骤501，通过搬入侧移载装置141的驱动部1412的动作，第1保持部件1414及第2保持部件1415向打开的方向移动。在接下来的步骤502，使预热装置160的铝板163从下降位置167移动到上升位置168。这时，第1保持部件1414及第2保持部件1415所具有的各保持爪1417进入到形成于铝板163的各沟1607。在接下来的步骤503，关闭第1保持部件1414及第2保持部件1415。在接下来的步骤504，使吹风吸引装置1611动作，从铝板163的空气出入孔喷出空气，使铝板163和形成凸起前的晶片201分离。另外，喷出的空气的温度，采用可以防止使经预热的形成凸起前的晶片201的温度降低的温度，例如，160℃前后的温度。接下来，在这样的吹风动作中，在步骤505，使铝板163下降，将形成凸起前的晶片201保持于具有第1保持部件及第2保持部件的晶片保持部1411。在接下来的步骤506，停止所述吹风吸引装置1611的动作，结束吹风动作，在步骤507，使保持有经升温的形成凸起前的晶片201的所述晶片保持部1411移动到焊接台110的上方。以后，转移到后述的、载置于焊接台110的载置动作。

另一方面，在载置下一个室温中的形成凸起前的晶片201前，有必要使被升温到约210℃的预热装置160的铝板163再次降温到室温左右。因此，在图40所示的步骤510，使冷却空气供给装置1613动作，对铝板163内的冷却介质用通路1612供给冷却空气。进一步在接下来的步骤511及步骤512，使预热装置160的气缸1601动作，使所述铝板163从所述下降位置167上升到所述上升位置168，使面板加热框162和铝板163分离，将铝板163的温度降至约30℃。另外，在本实施例中，铝板163的冷却温度设定为所述约30℃，但是，本发明不限定于该温度。即，可以如下设定铝板163的冷却温度，即，不会由于和常温中的形成凸起前的晶片201的温度差，使形成凸起前的晶片201的带电量超过允许量，或者产生弯曲的程度。如以上所述，通过使面板加热框162和铝板分离，可以有效的冷却铝板163。铝板163的温度下降到约30℃后，在步骤513，停止冷却空气供给装置1613的动作，终止冷却空气的供给。接下来在步骤514，使铝板163下降，在步骤515，使搬入侧移载装置141的晶片保持部1411回到搬送装置130的上方。

另一方面，采用所述的、不使面板加热框162和铝板163分离通常作为一体升降的构成时，进行图41所示的动作。另外，对于图40所示的动作，对与参照图40说明的动作同样的动作付与了相同的符号省略其说明。图41所示的步骤521、522是分别对应于图40所示的步骤502、505的动作，在该步骤521、522，进行由面板加热框162和铝板163一体构成的预热加热台上升、下降的动作。

接下来，对从预热装置160载置于焊接台110的形成凸起前的晶片201的移载动作进行说明。

如以上所述，形成凸起前的晶片201通过预热动作被升温到约210℃，但是，在直到被载置于焊接台110的期间内，其温度有若干下降。将这样温度有若干下降的形成凸起前的晶片201载置于被加热到约210℃的焊接台110上时，由于形成凸起前的晶片201的温度和焊接台的温度的差，根据形成凸起前的晶片201的材质，有产生图12所示的弯曲的场合。作为产生该弯曲的形成凸起前的晶片201，有例如LiTaO₃晶片、LiNbO₃晶片。因此，在本实施例中，对焊接台110的形成凸起前的晶片201，实施矫正弯曲的动作。在本实施例中，在LiNbO₃晶片的场合，在载置于载置台上后，通过吹热风矫正所述弯曲，另一方面，在LiTaO₃晶片的场合，对于载置后的吹热风动作与LiNbO₃晶片的场合相比，矫正弯曲所需要的时间变长，因此，不进行吹热风。之所以产生这样的差异，是因为考虑到LiTaO₃晶片和LiNbO₃晶片相比热传导率低，吹热风会起到相反的作用，只进行载置后的加热动作LiTaO₃晶片的温度更容易均匀。以下参照图42对通过所述吹热风进行的矫正弯曲动作、参照图43对不吹热风的矫正弯曲动作进行说明。

在图42所示的步骤507，如图45所示的，保持于搬入侧移载141的晶片保持部1411的形成凸起前的晶片201被搬入焊接台110上。在接下来的步骤531，为了进行形成凸起前的晶片201搬入焊接台110的搬入角度的调整，焊接台110进行旋转。在接下来的步骤532，如图46所示的，晶片载置台111沿形成凸起前的晶片201的厚度方向上升，接触形成凸起前的晶片201的背面201b，进一步将晶片201推上若干。另外，在晶片载置台111上升时，所述晶片保持部1411的各保持爪1417进入形成于晶片载置台111的沟116中。

在该上推时，接触形成凸起前的晶片201的表面201a的除静电用接触构件14100克服弹簧14162的推力的同时，在维持接触所述表面201a的状态下被上推。如以上所述的，在210℃附近的温度下，形成凸起前的晶片201的带电量减少，而且，使除静电用接触构件14100接触所述表面201a。因此可以防止在表面201a上发生火花。

在接下来的步骤533，如图47所示的，通过搬入侧移动装置141的驱动部1412的动作，第1保持部件1414及第2保持部件1415向打开的方向移动，由晶片保持部1411进行的形成凸起前的晶片201的保持被解除。

在这种状态下，在接下来的步骤534，使吹风装置115动作，从开口于晶片载置台111的空气出入孔113，将约160℃左右的所述矫正弯曲用热风吹向形成凸起前的晶片201。由于该吹风动作，形成凸起前的晶片201自所述晶片载置台浮上约0.5mm左右，但是，在形成凸起前的晶片201的周围，有第1保持部件1414及第2保持部件1415的保持爪1417存在，所以不会出现浮上的形成凸起前的晶片201从晶片载置台111上脱落的现象。在本实施例中，在达成所述矫正弯曲的2～4分钟期间，对所述LiNbO3晶片吹所述矫正弯曲用热风，但是，吹该热风的时间及温度根据矫正弯曲动作的对象即电荷发生半导体基板的材质来设定，不限定于所述的值。

所述吹热风的时间经过后，在步骤535，停止吹风装置115的动作，终止吹矫正弯曲用的热风。接下来在步骤536，使吸引装置114动作，从所述空气出入孔113开始吸引，将形成凸起前的晶片201吸附于晶片载置台111上。在步骤537，检测是否进行了所述吸附，在步骤538，如图48所示的，晶片载置台111在保持形成凸起前的晶片201的状态下，下降到原来的位置。

经过以上动作所述矫正弯曲动作结束。之后，搬入侧移载装置141的晶片保持部1411移动到所述搬送装置130的上方。

接下来对不吹热风的矫正弯曲动作进行说明。另外，在图43所示的动作内，对于步骤507、531、532、536、537的各动作，因为与参照图42所述的动作相同所以在此省略其说明。在步骤532，晶片载置台111上升，在步骤541，形成凸起前的晶片201载置于晶片载置台上。这时，晶片载置台111不吸附形成凸起前的晶片201。这是因为：在形成凸起前的晶片201上产生所述弯曲时，吸附的话，会限制形成凸起前的晶片201的变形动作，有可能使形成凸起前的晶片201发生断裂等损伤。在接下来的步骤542，使晶片载置台111下降到原来的位置。

由于晶片载置台111降了下来，所以，晶片载置台111再次被加热器112加热到约210℃左右，在步骤543，在形成凸起前的晶片201被载置于晶片载置台111上的状态下，不进行所述的矫正弯曲用吹热风，在本实施例，对于所述LiTaO₃晶片，使其经过达成矫正所述弯曲的2分钟，因此，在该期间，LiTaO₃晶片在载置台上被加热，弯曲得到矫正。另外，所述矫正弯曲用的放置时间及温度根据矫正弯曲的对象即电荷发生半导体基板的材质来设定，因此，不受所述值的限定。

通过进行所述的吹热风的及不吹热风的任何一种矫正弯曲动作，可以矫正形成凸起前的晶片201的弯曲，因此，可以防止形成凸起前的晶片201的断裂等损伤。

如以上说明的矫正弯曲用动作后，由凸起形成头120在形成凸起前的晶片201的电路的电极部分形成凸起。另外，在形成凸起期间，形成凸起前的晶片201维持在所述焊接用温度，几乎没有温度变化，因此，在形成凸起前的晶片201上几乎没有电荷发生。

所述形成凸起之后，在步骤6，形成凸起前的晶片201由搬出侧移载装置142的晶片保持部1421上的第1保持部件1424及第2保持部件1425保持，依靠搬出侧移载装置142的移动装置1423的驱动，晶片保持部1421沿X方向移动，如图2所示，将形成凸起后的晶片202配置在后热装置170的上方，之后，载置于后热装置170。以下参照图50及图51对这些动作的进一步的详细动作进行说明。

在图50所示的步骤601，将后热装置170的铝板173加热到约210℃。在接下来的步骤602，将保持于晶片保持部1421的形成凸起后的晶片202搬入后热装置170的上方。在接下来的步骤603，使所述经加热的铝板173从下降位置167上升到上升位置168。通过该动作，所述凸起形成后晶片202接触并载置于铝板173上。另外，这时，搬出侧移载装置142的晶片保持部1421的第1保持部件1424及第2保持部件1425所具有的保持爪1417进入形成于铝板173的沟1707中。因此，在接下来的步骤604，打开搬出侧移载装置142的晶片保持部1421的第1保持部件1424及第2保持部件1425，解除对形成凸起后的晶片202的保持。在之后的步骤7，后热动作在以下两种场合有若干不同，即，在如本实施例后热装置170是面板加热框172和铝板173可以分离的结构的场合和如所述的变形例后热装置170是不分离的一体型的场合，动作有若干不同。

在所述一体型的场合，在所述步骤601和步骤602之间，可以实施下述的步骤641～步骤647的动作。

即，在图51所示的步骤641，判断是否需要加热搬出侧移载装置142的晶片保持部1421的特别是保持爪1417。即，将如所述的在焊接台110被加热到约210℃的形成凸起后的晶片202保持在搬出侧移载装置142的晶片保持部1421搬送到后热装置170上，但是，在所述保持时，晶片保持部1421的特别是保持爪1417的温度和形成凸起后的晶片202的温度的差达到给形成凸起后的晶片202带来损伤的程度的话，例如40℃前后时，有可能给形成凸起后的晶片202带来损伤。所述温度差能否产生损伤根据处理中的电荷发生半导体基板的材质不同而不同，因此在步骤641判断晶片保持部是否加热。进行该加热时转移到步骤642，不进行该加热时转移到步骤646。

在进行所述加热的场合，在步骤642，使搬出侧移载装置142的移动装置1423动作，使搬出侧移载装置142的晶片保持部1421移动到后热装置170的上方。在接下来的步骤643，使面板加热框172及铝板173一体构成的后热台从下降位置167上升到上升位置168。通过该上升动作，搬出侧移载装置142的晶片保持部1421的第1保持部件1424及第2保持部件1425所具有的保持爪1417进入形成于铝板173的沟1707。在接下来的步骤644，将所述加热台升温到约210℃，在接下来的步骤645，进行存在于沟1707中的所述保持爪1417、进一步晶片保持部1421的加热。加热后，在步骤646，使所述后热台下降到下降位置167。在接下来的步骤647，使经加热的所述晶片保持部1421移动到焊接台110的上方，在步骤648，使焊接台110的载置台111上升，将晶片载置台111上的形成凸起后的晶片202保持于晶片保持部1421。接下来转移到所述的步骤602，经步骤603、步骤604，转移到所述步骤7。

在步骤7，通过在后热装置170对形成凸起后的晶片202加热控制该晶片202的温降的同时，进行形成凸起后的晶片202的后热，使其从约210℃的所述焊接用温度下降到比室温高10℃左右的温度。

为电荷发生半导体基板的形成凸起后的晶片202，由于降温时的温度变化产生电荷，但是，如以上所述的，形成凸起后的晶片202直接接触并载置于后热装置170的铝板173上，因此，特别是容易带电的背面侧的电荷可以通过铝板有效地接地。因此，与所述的预热动作同样，即使处理发生电荷的半导体基板，也可以进行图52所示的种种降温控制。即，通过加热面板171的温度控制进行降温控制的场合自不必说，在如本实施例后热装置170所具有的面板加热框172和铝板173是可以分离的结构的场合，而且，在所述面板加热框172和所述铝板173分离的场合、不分离的场合、供给冷却空气的场合、不提供的场合等，通过各种的动作控制都可以实现降温控制。

在图52，符号1101所表示的降温曲线是面板加热框172和铝板173分离而且向铝板173供给冷却用空气的场合的曲线，符号1102所表示的降温曲线是不进行所述分离只向铝板供给冷却空气的场合的曲线，符号1103所表示的降温曲线是进行所述分离不供给所述冷却空气的场合的曲线，符号1104所表示的降温曲线是所述分离及所述供给冷却空气动作都不进行的场合的曲线。下面对所述的各降温控制动作进行说明。

图53所示的动作表示，分离面板加热框172和铝板173，进行该铝板173的，即载置于该铝板173的形成凸起后的晶片202的降温控制的场合。在图53的步骤611，通过加热面板171的温度控制，或者通过自然冷却将加热面板171的温度从约210℃下降到约100℃的同时，使铝板173上升到所述上升位置168，分离面板加热框172和铝板173。通过该降温动作，在步骤612，判断后热装置170的铝板173的温度是否达到在本实施例中的约150℃。另外，所述的150℃是申请人从试验中得来的值，在从所述210℃开始冷却的场合，与从所述210℃下降到所述150℃左右的降温速度相比，所述150℃后的降温速度变的缓慢，即，所述150℃是降温速度发生变化的温度。这样，所述150℃的值是根据电荷发生半导体基板的材质、焊接用温度等设定的值，不受所述150℃的值的限定。铝板173的温度变为所述约150℃后，进一步在步骤613，使冷却空气供给装置1713动作，对铝板173供给冷却用空气。在步骤614，判断铝板173的温度是否下降到约40℃，下降到时，停止所述冷却空气供给装置1713的动作，停止供给铝板173冷却空气。另外，所述40℃是根据发生电荷的半导体基板的材质设定的值，不受该值的限定。

这样，通过从步骤611到步骤615的动作，实施了图52所示的符号1101所表示的降温控制。在这种场合，铝板173可以在大约10分钟期间从约210℃降温到约40℃。

而且，在不实施所述步骤613至步骤615的动作的场合，图52中符号1103所示的降温控制被实施。在这种场合，铝板173在约25～30分钟期间从210℃降温到40℃。

而且，图54所示的动作表示不分离面板加热框172和铝板173，进行该铝板173的，即载置于该铝板173的形成凸起后的晶片202的降温控制的场合。所述图53所示的降温控制动作和图54所示的降温控制动作的不同只是面板加热框172和铝板173有无分离，因此，这里省略其详细说明。另外，图54所示的步骤621～步骤625的各动作与图53所示的步骤611～步骤615的各动作相对应。

这样，通过从步骤621～步骤625的动作，图52中符号1102所示的降温控制被实施。在这种场合，铝板173可以在约20分钟期间从210℃降温到40℃。

而且，在不实施所述步骤623～步骤625的动作的场合，图52中符号1104所示的降温控制被实施。在这种场合，铝板173可以在约50分钟期间从210℃降温到40℃。

以上说明的后热动作结束后，转移到步骤8，进行以下的动作。将形成凸起后的晶片202保持在搬出侧移载装置142的晶片保持部1421，依靠移动装置1423的驱动沿X方向向搬出装置132的上方移动。移动后的状态如图56所示。以下参照图55对将形成凸起后的晶片202从后热装置170搬向搬出装置132的板出动作进行说明。另外，在该搬出动作中，也根据有、无后热装置170的面板加热框172和铝板173的分离动作，若干动作有差异。在进行面板加热框172和铝板173的分离动作的场合实施图55所示的步骤801、802，另一方面，在不进行所述分离动作的场合实施步骤803～810的动作。而且，步骤807～810是两者共通的动作。

在进行所述分离动作的场合，如所述的由于后热动作中的冷却动作，面板加热框172和铝板173已经分离，铝板173位于所述上升位置168，因此，在所述步骤801，关闭搬出侧移载装置142的晶片保持部1421的第1保持部件1424及第2保持部件1425，保持铝板173上的、被冷却的形成凸起后的晶片202。接下来在步骤802，使吹风吸引装置动作，从铝板173的空气出入孔1708喷出吹风用空气，使所述凸起形成后晶片202从铝板173浮起。接下来转移到后述的步骤807。

另一方面，在不进行所述分离动作的场合，在步骤803，打开位于后热装置170的上方的搬出侧移载装置142的晶片保持部1421的第1保持部件1424及第2保持部件1425。在下一个步骤804，使面板加热框172和铝板173一体构成的后热台上升到上升位置168。接下来在步骤805关闭所述第1保持部件1424及第2保持部件1425，保持冷却后的形成凸起后的晶片202。在下一个步骤806，使吹风吸引装置1711动作，从铝板173的空气出入孔1708喷出吹风用空气，使所述凸起形成后晶片202从铝板173浮起。

在步骤807，在进行所述分离动作的场合，只将铝板173下降到所述下降位置167；没有所述分离动作的场合，将所述后热台下降到下降位置167。因此，保持于所述晶片保持部1421的形成凸起后的晶片202变成为位于后热装置170的上方。在下一个步骤808，停止吹风吸引装置1711的动作，停止喷出所述吹风用空气。在下一个步骤809，通过搬出侧移载装置142的移动装置1423的驱动沿X方向向搬出装置132的上方移动。

在步骤810，在进一步接受下一个形成凸起后的晶片202的场合，后热装置170再次将铝板173从约40℃升温到210℃。

所述移动后，搬出装置132的驱动部1324动作，如图57所示的，保持部1323接触形成凸起后的晶片202的背面202b，而且进一步上升，以便使形成凸起后的晶片202从晶片保持部1421的保持爪1417浮上1mm左右。通过保持部1323接触所述背面202b，背面202b所带的电荷经保持部1323被接地，因此背面202b的带电量减少。而且，在所述上升时，除静电用接触构件14100也维持与形成凸起后的晶片202的表面202a接触的状态。因此，与搬入装置131及焊接台110的晶片201、202的交接的场合同样，通过保持部1323与形成凸起后的晶片202的背面202b的接触，伴随背面202b的带电量的变化，表面202a的电荷发生变化时也同样，可以除去该变化部分的电荷。

而且，在所述上升后，保持部1323通过吸附动作保持形成凸起后的晶片202。

保持部1323保持形成凸起后的晶片202后，如图58所示的，晶片保持部1421的第1保持部件1424及第2保持部件1425通过驱动部1422打开，解除形成凸起后的晶片202的保持。

所述保持解除后，如图59及图60所示的，所述保持部1323下降，将形成凸起后的晶片202载置于保持台1321上。该载置后，保持台1321，在本实施例中，依靠吸附动作保持形成凸起后的晶片202。

在下一个步骤9，保持有形成凸起后的晶片202的所述保持台1321依靠搬出装置用移载装置1322的动作沿X方向移动，将形成凸起后的晶片202搬送到第2存放容器206侧。

接下来，在下一个步骤10，保持台1321将形成凸起后的晶片202存放入第2存放容器206。

如以上说明的，通过本实施例的凸起形成装置101的话，对于发生电荷的半导体基板，例如压电基板晶片等随着温度变化发生电荷的晶片，在预热动作及后热动作等温度变化时，使构成预热装置160及后热装置170的铝板163、173直接接触电荷发生半导体基板并接地。因此，不需要例如沿晶片的切割线形成铝膜或者在晶片背面全面形成铝膜等手段，也可以将由于所述温度变化产生的电荷减低到不给形成于该晶片上的电路带来损伤的程度，以及通过例如降低其对工作台的吸引力使该晶片自身不发生断裂的程度。

特别是，晶片的厚度在0.2mm以下的场合，或者在晶片上形成的电路的线间距离低于1μm特别是相邻的线的线幅的差较大的场合，通过进行所述的预热动作及后热动作中的温度上升控制及温度下降控制，可以得到很大的除去静电的效果。

而且，可以如以下所述那样构成该凸起形成装置，即，根据形成凸起的晶片的种类，即根据其材质、大小等，设定所述预热动作中的升温速度及所述后热动作中的降温速度，预先将该设定存储于控制装置180所具有的记忆装置181中，根据处理的晶片的种类，变更控制。

而且，在本实施例中，如以上所述的，进行对形成凸起前的晶片201升温时及对形成凸起后的晶片202降温时的两方的温度控制，但是，最低限度，只在从所述焊接用温度降低到室温的降温时，进行所述温度下降控制的话也可以。之所以如此，是因为如以上所述的晶片201、202具有一旦带电就很难除去的特性，从所述焊接用温度降低到室温的降温后，晶片202被存放入第2存放容器206，因此如果保持带电的状态的话，有可能成为发生不利情形的因素，因此，有必要进行充分的除去静电的动作。

如以上所述，在存放入第2存放容器前，有必要事先使形成凸起后的晶片202的带电量减少，因此，如图61所示，从搬出侧移载装置142的晶片保持部1421向搬出装置132交接形成凸起后的晶片202期间，至少在形成凸起后的晶片202的背面侧202b设离子发生装置190，最好也加上表面202a侧，在形成凸起后的晶片202的两面侧设离子发生装置190。在所述的交接时，形成凸起后的晶片202的背面202b带负电荷，表面202a带正电荷，因此，为了中和各电荷，配置于背面202b侧的离子发生装置190-1发生正离子，配置于表面202a侧的离子发生装置190-2发生负离子。各离子发生装置190-1、190-2连接于控制装置180并受其控制。另外，图61表示，在保持有形成凸起后的晶片202的晶片保持部1421被配置于搬出装置132的上方时，使离子从离子发生装置190-1、190-2作用于形成凸起后的晶片202的状态，但是，在如所述的交接动作期间，即，从图57到图60的各动作期间，使离子作用于形成凸起后的晶片202。

通过设置这样的离子发生装置，与不设的场合相比，可以如以下所述的进一步使带电量降低。另外，下述的带电量的值仅是一个例子。在不进行本实施例中的所述温度上升控制、温度下降控制的场合，形成凸起后的晶片202的表面202a的带电量约为+18V，背面202b如所述的约为-1000V。通过以离子发生装置190使离子作用于这样的形成凸起后的晶片202的表背两面4分钟，表面202a的带电量变为约+22V，背面202b的带电量可以成为约+22V。因此，通过进行本实施例中的所述温度上升控制、温度下降控制，进一步以离子发生装置190使离子作用于至少所述背面202b，可以进一步降低背面202b的带电量。

而且，为了使从离子发生装置190-1、190-2发生的离子更有效地至少作用于所述背面202b，如图61所示，至少在背面侧202b可以设吹风装置191以便使发生的离子更有效的移动到背面202b。另外，吹风装置191被控制装置180控制动作。

而且，如图61所示，也可以设静电传感器251，以静电传感器251测定至少背面202b最好进一步加上表面202a的两面的带电量的同时，根据测定的带电量，由控制装置180控制所述离子发生装置190的离子发生量、吹风装置191的吹风量。

而且，也可以如以下所述那样构成：在从晶片保持部1421向搬出装置132交接形成凸起后的晶片202的动作前，通过所述离子发生装置190使离子作用于形成凸起后的晶片202，以便在所述后热动作中更有效的除去静电。

而且，也可以如以下所述那样构成：在预热动作中，通过所述离子发生装置190使离子作用于形成凸起前的晶片201。

而且，在所述的实施例中，将形成凸起前的晶片201载置于焊接台时，进行了所述矫正弯曲动作，但是，在此基础上，也可以在将形成凸起前的晶片201载置于预热装置160上时及将形成凸起后的晶片202载置于后热装置170上时，使所述吹风吸引装置1611、1711动作并喷出气体，实施所述矫正弯曲动作。

而且，形成凸起前的晶片201及形成凸起后的晶片202伴随升温发生正电荷，伴随降温发生负电荷。利用该现象，在预热动作中，不将形成凸起前的晶片201一气从室温升温到所述焊接用温度，例如图44所示，进行升温、降温反复交替地进行的温度上升控制，徐徐升温到所述所述焊接用温度。通过进行这样的预热动作，由于升温产生的正电荷可以由由于降温产生的负电荷中和。即，该指导思想是：通过将增加部分的电荷每次以相反的电荷除去，即使在被升温到焊接温度时，使形成凸起前的晶片201的带电量还为初期电荷的量。同样，如图49所示，在后热动作中，也可以不将形成凸起后的晶片202一气从焊接用温度降温到室温而是进行反复交替地进行降温、升温的徐徐降温的温度下降控制。

也可以在预热装置160及后热装置170中进行的所述预热动作及后热动作中采用这样的曲折形的温度上升控制及温度下降控制。

而且，在所述实施例中，在预热装置160及后热装置170，形成凸起前的晶片201及形成凸起后的晶片202几乎使其背面的全面接触铝板163、173，但是，在只考虑进行除去静电的动作的场合，不一定有必要所述几乎全面接触，接触位于从形成凸起前的晶片201及形成凸起后的晶片202的外周向中心，半径的约1/3程度的圆环状的导电性部件就可以了。

而且，在所述的实施例中，设所述预热装置160及后热装置170，用后热装置170进行所述的温度下降控制，进一步用预热装置160进行所述的温度上升控制。通过进行这样各自独立的动作，可以更高效的处理从晶片搬入到晶片搬出的工序，可以缩短生产节拍。但是，例如在工序中时间有富裕的场合，可以如以下所述那样构成：如图62所示的凸起形成装置102，省略预热装置160及后热装置170的设置，通过控制装置180的控制，在所述焊接台110实施晶片201到所述焊接用温度的保温、所述后热动作中的所述温度下降控制以及所述预热动作中的所述温度上升控制。

而且，采用这样的构成时，只设置所述搬入侧移载装置141或者所述搬出侧移载装置142中的任意一方就可以了，与预热装置160及后热装置170的设置的省略相结合，可以使凸起形成装置全体的构成小型化。

图63表示，所述的凸起形成装置102的结构，即省略预热装置160及后热装置170的设置，在焊接台110的晶片载置台111上，进行载置如所述凸起形成前晶片201的电荷发生半导体基板、预热动作、焊接动作、后热动作的场合的动作。在图63的步骤1001，使用例如如所述搬入侧移载装置141的移载装置143，将作为电荷发生半导体基板的形成凸起前的晶片201从搬送装置130载置于焊接台110的晶片载置台111上。另外，这时晶片载置台111的温度大约为40℃。接下来，在下一个步骤1002，在使用后述的辅助板195的场合，使焊接台110的吸引装置114动作，将载置的辅助板195吸附于晶片载置台上。但是，在直接将所述凸起形成前晶片201载置于晶片载置台上的场合，不进行所述吸附动作。其理由是为了防止形成凸起前的晶片201产生损伤，因为，在下一个步骤1003，所述凸起形成前晶片201被从40℃升温到210℃，但是，由于这时的温度变化，在形成凸起前的晶片201上产生了所述弯曲等变形。由于吸附动作会限制所述变形，因此有可能出现损伤形成凸起前的晶片201的场合。所以不进行所述吸附动作。

在步骤1003，例如以10℃/分的升温速度，进行如所述的形成凸起前的晶片201的升温。另外，由于形成凸起前的晶片201直接接触晶片载置台111，所以可以从晶片载置台111有效除去在所述升温时由于温度变化产生于形成凸起前的晶片201的电荷。因此，所述升温速度可以设定为如所述的种种速度。

在接下来的步骤1004，例如以搬入侧移载装置141的晶片保持部1411的保持爪1417限制晶片载置台111上的形成凸起前的晶片201的活动，在接下来的步骤1005，使吹风装置115动作，从晶片载置台111的空气出入孔113向形成凸起前的晶片201吹热风，通过使形成凸起前的晶片201所带的电荷向空中放电来除去静电。之后，在步骤1006，使吸引装置114动作，将形成凸起前的晶片201吸附于晶片载置台111上。另外，在本实施例中，进行所述步骤1005及步骤1006后，再度实施步骤1005及步骤1006。即，进行2回所述的除去静电用吹风动作。另外，进行所述除去静电用吹风动作的回数及进行吹风动作的时间可以根据形成凸起前的晶片201的带电量设定。可以如下设定：例如所述带电量在约-50V以下时，所述除去静电用吹风动作以设定的时间只进行1回；所述带电量为约-800V左右时，所述除去静电用吹风动作连续进行1回；所述带电量为约-1000V左右时，如所述的所述除去静电用吹风动作连续进行多回。

在接下来的步骤1007，对形成凸起前的晶片201进行焊接凸起，在接下来的步骤1008，停止吸引装置114的动作，停止所述吸附。在这个时刻停止吸附动作的理由与在所述步骤1002不进行吸附的原因是同样的，即，通过不限制由于温度的变化形成凸起后的晶片202的变形，来防止损伤的发生。

在接下来的步骤1009，以例如10℃/分钟的降温速度使晶片载置台111的温度从约210℃下降到约40℃。另外，由于形成凸起后的晶片202直接接触晶片载置台，所以，可以从晶片载置台111高效的除去在所述降温时由于温度的变化产生于形成凸起后的晶片202的电荷。因此，所述降温速度可以设定为所述的种种速度。接下来，在步骤1010，对形成凸起后的晶片202进行吹风，使其从晶片载置台111浮起，通过所述移载装置将形成凸起后的晶片202从晶片载置台111移载到搬出装置132。

所述的除去静电用吹风动作在如下场合也可以实施：即，在具备预热装置160及后热装置170的凸起形成装置101中的预热动作及后热动作中，也可以使所述吹风吸引装置1611、1711动作喷出气体。

而且，在所述的说明中，采用了在形成凸起前的晶片201的背面201b侧没有设被称为所谓的辅助板的、用于保护晶片不断裂的保护部件的例子，但是，也可以在背面201b侧安装例如图64所示的辅助板195。该辅助板195可以采用例如铝板等金属材料制作，形成凸起前的晶片201通过设于该辅助板195的板簧196保持于辅助板195上，使所述背面201b接触辅助板195。

通过设辅助板195，可以防止晶片201、202断裂的同时，所述背面201b通常接触辅助板195而且通过板簧196和表面201a连通，因此可以减小表面和背面之间的带电量的差，可以减少形成于形成凸起前的晶片201的电路由于带电而导致的损伤发生。

而且，设辅助板195时，为了所述预热动作及后热动作中的所述加热面板161、171的热有效地作用于晶片201、202，进一步为了由离子发生装置190发生的离子有效地作用于晶片201、202的背面201b、202b，在辅助板195上设多条贯通该辅助板195的厚度方向的贯通孔197。

通过以上说明的由凸起形成装置101及凸起形成装置102对所述电荷发生半导体基板实施的除去静电动作，可以制作带电量降低到平均大约±200V的电荷发生半导体基板，进一步通过使用所述离子发生装置190，如以上所述的，可以制作带电量降低到大约±20～30V的电荷发生半导体基板。因此，可以防止由于带电而导致的形成于形成凸起前的晶片201的电路的热电破坏、该电荷发生半导体基板自身的断裂等损伤的发生。

所述的实施例中的凸起形成装置101，在接触预热装置160及后热装置170的状况下，配置电荷发生半导体基板，除去、降低该电荷发生半导体基板中的电荷，但是，如以下说明的变形例，也可以如以下所述那样构成，即，不使电荷发生半导体基板接触预热装置及后热装置，除去、降低该电荷发生半导体基板中的电荷。

图71是对应所述图2的图，表示相当于所述变形例的凸起形成装置501。该凸起形成装置501和所述的凸起形成装置101中主要的不同点在于预热装置560、后热装置570及除去、降低所述所带电荷的动作。另外，预热装置560相当于所述预热装置160，后热装置570相当于所述后热装置170。另外，对于凸起形成装置101和凸起形成装置501中相同的构成部分，付与了相同的符号，省略其说明。因此，以下只对预热装置560及后热装置570中与所述预热装置160及后热装置170在构成上的不同点以及所述除去、降低所带电荷的动作进行说明。

所述预热装置560是用于对形成凸起前的晶片201升温的装置，如图72及图73所示，该装置将从搬入装置131保持于晶片保持部1411的形成凸起前的晶片201，在该保持的状态下并与预热装置560非接触的状态中，从室温升温到在焊接台形成凸起时的所述焊接用温度约210℃附近，其具有如下结构：作为热扩散构件的铝板163安装在具有作为发热源的加热面板161的面加热框162上。另外，所述焊接用温度的约210℃可以根据形成凸起前的晶片201的材质在约150℃至所述210℃之间变更。

由加热面板161进行的升温动作在参照从测定铝板163的温度的温度传感器166来的温度信息的同时由控制装置180控制，所述的温度传感器可以采用如热电偶。该升温度动作是本凸起形成装置501的特征动作之一，以后详细说明。而且，为了能够进行该特征的升温控制，在铝板163上形成了曲折形的冷却介质通过用的通路164。在本例中，作为所述冷却介质使用室温的空气，由被控制装置180控制动作的空气供给装置165向冷却介质用通路164供给空气。另外，作为所述冷却介质也可以是用水。但是，在使用水的场合，由于升降温的响应比较缓慢，所以升降温的控制比较困难，与水相比，使用空气更好一些。

而且，在本例中，形成凸起前的晶片201与预热装置560的铝板163的间隙大约是1mm，在保持于晶片保持部1411的状态下，将形成凸起前的晶片201配置于铝板163上。因此，在铝板163的与晶片相对面，沿晶片保持部1411的前进方向形成有用于避免与晶片保持部1411的保持爪相干涉的沟567。

所述后热装置570是用于降温的装置，在凸起形成后，该装置将从焊接台110保持于晶片保持部1421的形成凸起后的晶片202，在该保持的状态下并与后热装置570非接触的状态中，从所述焊接用温度的约210℃附近徐徐降温到室温，在结构上，具有与所述的预热装置560同样的结构。即，在后热装置570上具有加热面板171、面板加热框172、铝板173、冷却介质用通路174、空气供给装置175、温度传感器176、及沟577。因此，在图72及图73上，记入了预热装置560及后热装置570两者中的符号。但是，为了控制形成凸起后的晶片202的温降，加热面板171被控制装置180控制动作，该降温控制动作是本例的凸起形成装置501的特征动作之一，以后详细说明。

而且，在所述预热装置560及后热装置570所具有的铝板163、173上，与形成凸起前的晶片201及形成凸起后的晶片202对向的表面，最好实施绝缘性的远红外线辐射涂层。通过实施该涂层，可以提高对形成凸起前的晶片201及形成凸起后的晶片202的热放射性。

以下对在具备如所述构成的预热装置560及后热装置570的凸起形成装置501的动作中，不使电荷发生半导体基板接触预热装置及后热装置地除去、降低该电荷发生半导体基板上的电荷的动作进行说明。另外，与所述的凸起形成装置101同样，在该凸起形成装置501中，各构成部分在控制装置180的控制下，进行在形成凸起前的晶片201上形成凸起，接下来将形成凸起后的晶片202存放入第2存放容器206等一连串的动作。而且，控制装置180控制在焊接台110进行的对形成凸起前的晶片201的矫正弯曲用吹风动作。

另外，在以下说明中，晶片保持部1411、1412所具有的除静电用接触构件采用图13所示的除静电用接触构件14100，该除静电用接触构件14100对所述产生弯曲的电荷发生半导体基板等、任何的晶片、基板都适用。也可以使用所述的除静电用接触构件14107、14113、14116、14120、14121、14122来替代所述除静电用接触构件14100。

形成凸起前的晶片201及形成凸起后的晶片202伴随着升温发生正电荷，伴随着降温发生负电荷。利用该现象，在预热动作中，不将形成凸起前的晶片201从室温一气升温到所述焊接用温度，例如图74所示的，进行交互反复升温、降温的温度上升控制，将形成凸起前的晶片201升温到所述焊接用温度。通过进行这样的预热动作，可以以由于降温产生负电荷中和由于升温产生的正电荷。即，本例中的预热动作的基本指导思想是：通过将增加部分的电荷每次以相反的电荷除去，即使在被升温到焊接温度时，使形成凸起前的晶片201的带电量还为初期电荷的量。以下对本例中的预热动作进行更具体的说明。

图75表示所述预热动作全体的动作流程，该动作控制由控制装置180进行。即，在步骤2101，判断预热装置560的铝板163的温度是否是开始温度，在不是开始温度时，在步骤2102，通过加热面板161加热或者由空气供给装置165通过供给空气冷却调节至所述开始温度。在本例中，所述开始温度是40℃，铝板163的温度由所述温度传感器166检测。

在步骤2103，控制升温速度，开始铝板163即形成凸起前的晶片201的升温，在步骤2104判断铝板163是否达到升温目标温度。另外，在本例中，如以上所述的，形成凸起前的晶片201的所述焊接用温度是约210℃，因此，与此相对应所述铝板163的所述升温目标温度是约210℃。在铝板163没有达到所述升温目标温度时，实施图76所示的步骤2121至步骤2124。另外，如以上所述，所述焊接用温度是根据形成凸起前的晶片201的材质可变的，因此，根据该焊接用温度，所述升温目标温度也可以变更。

在这些步骤2103、2104及步骤2121～2124中实施的温度上升控制动作中，实施本例中的特征动作之一的、所述的升温动作，即，在交互反复升温、降温的同时，升温到所述焊接温度。另外，以下对该动作进行详细叙述。

在步骤2104，在判断达到所述升温目标温度时，转移到步骤2105，结束预热动作。因此，在步骤2106，形成凸起前的晶片201被移载到焊接台110。该移载后，在步骤2107，由空气供给装置165开始供给空气，使铝板163降温到所述开始温度，在步骤2108，判断是否降温到所述开始温度。降温到所述开始温度时，接下来在步骤2109，停止空气供给装置165的空气供给，保持所述所述开始温度。接下来再次回到步骤2103，准备下一个形成凸起前的晶片201的预热动作。

对所述步骤2103、2104及步骤2121～2124的所述温度上升控制动作进行说明。

在步骤2103，服从预先设定的升温速度，对铝板进行升温。另外，在本例中，设定为20℃/分钟。在步骤2104，在铝板163没有达到所述升温目标温度时，转移到步骤2121，判断是否满足开始降温的条件。在此，作为所述开始降温的条件的物理量，可以认为是：铝板163的温度、从开始升温的时间、或者形成凸起前的晶片201的背面201b的带电量等，在本例中使用铝板163的温度。

另外，在使用所述背面201b的带电量的场合，如图78所示，在所述加热面板161、所述面板加热框162及铝板163上，预先设置多条贯通于其间的贯通孔252，将静电传感器251配置在加热面板161的下方，通过贯通孔252以静电传感器251检测背面201b的带电量。检测值被传送给控制装置180计算出带电量。另外，在以静电传感器251检测背面201b的带电量的场合或者如后述的使用离子发生装置190除去静电的场合，为了防止静电离子被导电体吸引而不能正确检测带电量或者不能除去静电，所述贯通孔252的内面及其周边与加热面板161、面板加热框162及铝板163的表面，最好预先以绝缘材料进行包覆。

如本例所述选择铝板163的温度作为开始降温的条件的物理量时，在步骤2121，如图77中符号271所示，从开始升温时和当前的铝板的各温度计算出温度差，判断该温度差是否达到所定值。在达到所述所定值时，接下来转移到下一步骤2122，在没有达到时，回到步骤2103。

在本例中，所述温度差设定为30℃。另外，作为所述开始降温的物理量选择“时间”时，在选择“时间”的场合，可以认为符号273是更恰当的对应部分，但是，以符号271相当于时间，可以设定从开始升温时刻到开始降温时刻的时间为例如2分钟，在选择“带电量”时，符号271相当于带电量的差，可以设定为300±10％。

在步骤2122，开始由空气供给装置165向冷却介质用通路164供给空气，开始铝板163的降温。这时的降温速度被预先设定。在本例中设定为-30℃/分钟。

在下一个步骤2123，判断是否满足降温目标条件。在此，作为所述降温目标条件的物理量，本例的“温度”以外，有所述的“时间”、“带电量”等。在本例中，在步骤2123，如图77中符号272所示，从开始降温时和当前的铝板163的各温度计算出温度差，判断该温度差是否达到所定的值。在达到所定的值时，接下来转移到步骤2124，在没有达到时回到步骤2122。所述温度差272是未达到所述温度差271的值，是温度差271的从约1/2到约1/3程度的值。在本例中设定为15℃。另外，作为所述降温目标条件的物理量选择“时间”时，符号272相当于时间，例如可以设定为1分钟，在选择“带电量”时，符号272相当于带电量的差，例如可以设定为100V±10％。

在步骤2124，停止由空气供给装置165向冷却介质用通路164供给空气，停止铝板163的降温。在步骤2124中的动作结束后，再回到步骤2103。

这样，通过所述步骤2103、2104、及步骤2121～2124的温度上升控制动作，铝板163即形成凸起前的晶片201在交互反复升温、降温的同时被升温到所述焊接温度的升温动作被实施。这样，通过交互反复升、降温，形成凸起前的晶片201的主要的背面201b的电荷由于升温正电荷增加由于降温产生负电荷而因此进行电荷的中和。实际上，如以上所述，由于与升温的幅度相比降温的幅度小，所以如图74所示，由于所述预热动作在形成凸起前的晶片201的背面201b蓄积了正电荷，但是与不交互反复升、降温、一样的升温的场合相比，带电量可以大幅度地减少。例如，作为一例，在所述一样的升温的场合，超过+2000V达到+3000V程度的带电量，但是通过交互反复升、降温，可以抑制在约+100V程度。

以上的预热动作后，转移到所述的凸起形成装置101中说明的步骤5。在步骤5，通过移动装置1413，搬入侧移载装置141从预热装置560移动到焊接台110，保持于晶片保持部1411的形成凸起前的晶片201被载置于焊接台110上。另外，形成凸起前的晶片201的背面201b接触由金属制成的焊接台110的晶片载置台111时，被蓄积在背面201b的电荷的一部分被接地到晶片载置台111，另外，也有被蓄积在背面201b的电荷的一部分转移到所述表面201a侧。但是，在本例中，由于预热动作时进行所述的温度上升控制，因此，表面201a及背面201b，特别是背面201b的带电量与不进行所述温度上升控制的以往相比被降低。而且，使除静电用接触构件14100接触所述表面201a。因此，可以防止在表面201a发生火花。另外，所述背面201b的带电量由于接地到焊接台111、从预热装置560逃逸以及由于形成凸起前晶片201若干的温度降低致使负电荷的增加等如图74中符号302所示的得到降低。

形成凸起前的晶片201被载置于焊接台110后，被焊接台110所具有的、被控制装置180控制动作的加热器112加热到所述焊接用温度的同时，以凸起形成头120在形成凸起前的晶片201上的电路中例如图88所示的电极部分形成凸起19。

接下来，形成凸起之后，形成凸起后的晶片202被从焊接台搬出。即，配置于焊接台110的上方的第1保持部件1424及第2保持部件1425被驱动部1422打开，接下来使焊接台110的晶片载置台111上升。通过该上升动作，除静电用构件1426所具有的除静电用接触构件14100首先接触形成凸起后的晶片202的表面202a。接下来，通过所述驱动部1422将第1保持部件1424及第2保持部件1425关闭后，通过使焊接台110的晶片载置台111下降，形成凸起后的晶片202被保持到搬出侧移载装置142的晶片保持部1421。

如图71所示，通过晶片保持部1421依靠搬出侧移载装置142的移动装置1423的驱动沿X方向移动，保持于晶片保持部1421的形成凸起后的晶片202被配置于后热装置570的上方。

所述图27所示，在下一个步骤7，通过在后热装置570加热形成凸起后的晶片202控制该晶片202的温降的同时，进行形成凸起后的晶片202的从约210℃的所述焊接用温度到高于室温10℃左右的温度的后热。

但是，与所述的预热动作同样，伴随由于降温动作产生于形成凸起后的晶片202的温度变化，在形成凸起后的晶片202上产生电荷，如图74中符号303、304所示，其表面202a及背面202b引起带电。

因此，在所述后热动作中，也与所述的预热动作的场合同样，通过交互反复降温、升温，进行温度下降控制，抑制特别是背面202b的带电量。另外，除静电用接触构件14100接触表面202a，表面202a所带的电荷被接地。

图79表示所述后热动作全体的动作流程，该动作控制由控制装置180进行。即，在步骤2131，判断后热装置570的铝板173的温度是否是开始温度，不是开始温度时，在步骤2132，通过由加热面板171加热或者由空气供给装置175供给空气冷却调节至所述开始温度。在本例中，所述开始温度为约200℃，铝板173的温度由所述温度传感器176检测。

在步骤2133，控制降温速度，通过由所述空气供给装置175供给空气，开始铝板173即形成凸起后的晶片202的降温，在步骤2134，判断铝板173是否达到降温目标温度。另外，在本例中，在铝板173上的所述降温目标温度是40℃。在铝板173没有达到所述降温目标温度时，实施图80所示的步骤2151至步骤2154。

在这些步骤2133、2134及步骤2151至2154实施的动作中，实施了本例中的特征动作之一的、所述的、交互反复降温、升温的同时降温至所述降温目标温度的降温动作。另外，以下对该温度下降控制进行详细叙述。

在步骤2134，判断达到所述降温目标温度时，转移到步骤2135，结束后热动作。因此，在步骤2136，形成凸起后的晶片202被移载到搬出装置142。该移载后，在步骤2137，开始向加热面板171通电，使来铝板173升温到所述开始温度，在步骤2138，判断是否升温到所述开始温度。在升温到所述开始温度时，接下来在步骤2139，停止向加热面板171通电，保持所述开始温度。接下来再回到步骤2133，准备下一个形成凸起后的晶片202的后热动作。

对所述步骤2133、2134、及步骤2151～2154中的所述温度下降控制动作进行说明。

在步骤2133中，服从预先设定的所述降温速度，将铝板173降温。另外，所述降温速度设定为-20℃/分钟。在步骤2134，在铝板173没有达到所述降温目标温度时，转移到步骤2151，判断是否满足升温条件。在此，作为所述升温条件的物理量，与所述的预热动作控制的场合同样，可以认为是：铝板173的温度、从开始降温的时间、或者形成凸起后的晶片202的背面202b的带电量等，在本例中使用铝板173的温度。

另外，在使用所述背面202b的带电量的场合，如所述预热动作控制的说明时参照的图78所示，在铝板173等上，设多条贯通孔252，将静电传感器251配置在加热面板171的下方，通过贯通孔252以静电传感器251检测背面202b的带电量。将检测值传送给控制装置180，计算出带电量。

在如本例选择铝板163的温度作为所述升温开始条件的物理量时，在步骤2151，如图81中符号275所示，从开始降温时和当前的铝板163的各温度计算出温度差，判断该温度差275是否达到所定的值。在达到所述所定的值时，接下来转移到下一个步骤2152，在没有达到时回到步骤2133。

在本例中，所述温度差275设定为30℃。另外，在选择“时间”作为所述开始降温的物理量时，符号275相当于时间，可以设定为例如2分钟，在选择“带电量”时，符号275相当于带电量的差，例如可以设定为300±10％。

在步骤2152，开始向后热装置570的加热面板171通电，开始铝板173的升温。这时的升温速度被预先设定。在本例中设定为+30℃/分钟。另外，对应向加热面板171的通电开始，停止由所述空气供给装置175供给空气。

在下一个步骤2153，判断是否满足升温目标条件。在此，作为所述升温目标条件的物理量，本例的“温度”以外，有所述的“时间”、“带电量”等。在本例中，在步骤2153，如图81中符号276所示，从开始升温时和当前的铝板173的各温度计算出温度差，判断该温度差276是否达到所定的值。在达到所定的值时，接下来转移到步骤2154，在没有达到时回到步骤2152。所述温度差276是未达到所述温度差275的值，是温度差275的从约1/2到约1/3程度的值。在本例中设定为15。另外，作为所述升温目标条件的物理量选择“时间”时，符号276相当于时间，例如可以设定为1分钟，在选择“带电量”时，符号276相当于带电量的差，例如可以设定为100V±10％。

在步骤2154，停止向后热装置570的加热面板171通电，停止铝板173的升温。在步骤2154中的动作结束后，再回到步骤2133。

这样，通过所述步骤2133、2134、及步骤2151～2154的温度下降控制动作，实施了铝板173即形成凸起后的晶片202在交互反复降温、升温的同时被降温到所述降温目标温度的降温动作。这样，通过交互反复降、升温，形成凸起后的晶片202的主要的背面202b的电荷由于降温负电荷增加由于升温产生正电荷而因此进行电荷的中和。实际上，如以上所述，由于与降温的幅度相比升温的幅度小，所以如图74中符号303所示，由于所述后热动作在形成凸起后的晶片202的背面202b蓄积了负电荷，但是与不交互反复降、升温、一样的降温的场合相比，带电量可以大幅度地减少。例如，作为一例，在所述一样的升温的场合，超过-2000V达到-3000V程度的带电量，但是通过交互反复降、升温，可以抑制在约-100V程度。

所述后热动作后，转移到所述图27的步骤8，实施以下的动作。在保持形成凸起后的晶片202的状态下，搬出侧移载装置142的晶片保持部1421依靠移动装置1423的驱动沿X方向向搬出装置的上方移动。所述图56示出了移动后的状态。

所述移动后，搬出装置132的驱动部1324动作，如图57所示，保持部1323接触形成凸起后的晶片202的背面202b，而且上升至形成凸起后的晶片202从保持部1421的保持爪1417上浮约1mm程度。通过保持部1323接触所述背面202b，背面202b的带电通过保持部被接地，因此，如图74中符号305所示，背面202b的带电量减少。而且，所述上升时，除静电用接触构件14100也维持与形成凸起后的晶片202接触的状态。因此，与搬入装置131及焊接台110上的晶片201、202的交接的场合同样，通过保持部1323接触形成凸起后的晶片202的背面202b，伴随背面202b的带电量的变化表面202a的电荷发生变化时，也可以除去该变化的部分的电荷。

而且，所述上升后，保持部1323通过吸附动作保持形成凸起后的晶片202。

保持部1323保持形成凸起后的晶片202后，如所述图58所示的，晶片保持部1421的第1保持部件1424及第2保持部件1425通过驱动部1422打开，解除形成凸起后的晶片202的保持。

解除所述保持后，如图59及图60所示，所述保持部1323下降，将形成凸起后的晶片202载置于保持台1321上。该载置后，保持台1321在本例中依靠吸附动作保持形成凸起后的晶片202。

如所述图27所示，在下一个步骤9，保持有形成凸起后的晶片202的所述保持台1321通过搬出装置用移动装置1322的动作沿X方向移动，将形成凸起后的晶片202搬送入第2存放容器206。

接下来，在下一个步骤10，保持台1321将形成凸起后的晶片202存放入第2存放容器206。

如以上说明的，通过本例的凸起形成装置501的话，对于发生电荷的半导体基板，例如压电基板晶片等随着温度变化发生电荷的晶片，不需要例如沿晶片的切割线形成铝膜或者在晶片背面全面形成铝膜等手段，也可以通过对所述晶片的温度上升控制及温度下降控制将该晶片产生的电荷减低到不给形成于该晶片上的电路带来损伤的程度，以及使该晶片自身不发生断裂的程度。

特别是，晶片的厚度在0.2mm以下的场合，或者在晶片上形成的电路的线间距离低于1μm特别是相邻的线的线幅的差较大的场合，通过进行所述的预热动作及后热动作中的温度上升控制及温度下降控制，可以得到很大的除去静电的效果。

另外，在所述的变形例中的凸起形成装置501中，所述预热动作中的所述升温速度设定为20℃/分钟的一定值、所述后热动作中的所述降温速度设定为-20℃的一定值等分别设定为一定值，但是，不受此限定。例如，使在预热动作及后热动作的开始及结束附近的速度值和中间附近的不同。

而且，可以如以下所述那样构成该凸起形成装置，即，根据形成凸起的晶片的种类，即根据其材质、大小等，设定所述预热动作中的升温速度值、所述升温目标温度、所述降温开始温度、降温速度值、所述降温目标值等以及所述后热动作中的降温速度值、所述降温目标温度、所述升温开始温度、升温速度值、所述升温目标值等，预先将该设定存储于控制装置180所具有的记忆装置181中，根据处理的晶片的种类，变更控制。

而且，在本实施例中，如以上所述的，进行对形成凸起前的晶片201升温时及对形成凸起后的晶片202降温时的两方的温度控制，但是，最低限度，只在从所述焊接用温度降低到室温的降温时，进行所述温度下降控制的话也可以。之所以如此，是因为如以上所述的晶片201、202具有一旦带电就很难除去的特性，从所述焊接用温度降低到室温的降温后，晶片202被存放入第2存放容器206，因此如果保持带电的状态的话，有可能成为发生不利情形的因素，因此，有必要进行充分的除去静电的动作。

而且，与所述的凸起形成装置101同样，在本例中也如图61所示，从搬出侧移载装置142的晶片保持部1421向搬出装置132交接形成凸起后的晶片202期间，至少在形成凸起后的晶片202的背面侧202b设离子发生装置190，最好也加上表面202a侧，在形成凸起后的晶片202的两面侧设离子发生装置190。

而且，为了所述后热动作中更有效的除去静电，如图82所示，使在从晶片保持部1421向搬出装置132的形成凸起后的晶片202的交接动作前的、由所述离子发生装置190发生的离子作用于至少在形成凸起后的晶片202的背面侧202b，最好也加上表面202a侧的两面侧。而且，通过同时设所述吹风装置191，可以更有效的除去静电。而且，也可以以静电传感器251检测至少背面202b，最好进一步加上表面202a的两面的带电量的同时，根据检测的带电量，由控制装置180控制所述离子发生装置190的离子发生量、吹风装置191的吹风量等。

另外，为了使所述离子作用于背面202b，如图82所示，有必要设参照图78所述的贯通孔252，以便将离子发生装置190配置在所述后热装置570的所述加热面板171的下方。

而且，也可以采用下述构成：在所述预热动作中，也使由所述离子发生装置190发生的离子作用于至少在形成凸起前的晶片201的背面侧202b，最好也加上表面201a侧的两面侧。而且，也可以在该构成上同时设所述吹风装置191、静电传感器251等。通过这样的构成，预热动作时，也可以更有效地除去静电。另外，为了使所述离子作用于背面201b，在所述预热装置560，如图83所示，有必要设所述贯通孔252。

而且，与参照所述图62及图63说明的场合同样，对于本例的凸起形成装置501也可以采用省略预热装置560及后热装置570的设置，实施图84所示的动作。图84表示下述场合的动作，即，在从晶片载置台111离开约1～数mm的状态下，配置如所述凸起形成前晶片201的电荷发生半导体基板，进行预热动作，该预热动作后，将所述电荷发生半导体基板载置于晶片载置台111上，进行焊接动作，该焊接动作后，再次将所述电荷发生半导体基板以非接触的状态配置于晶片载置台111，进行后热动作。在图84的步骤2201，使用例如如所述搬入侧移载装置141的移载装置143，将作为电荷发生半导体基板的形成凸起前的晶片201从搬送装置130配置到焊接台110的晶片载置台111的上方。另外，这时，晶片载置台的温度约为40℃左右。

在步骤2203中，如以上所述的那样，在以20℃/分钟的升温速度反复进行升温、降温的同时，还进行形成凸起前的晶片201的升温。

在下一个步骤2205中，使吹风装置115动作，从晶片载置台111的空气出入孔113向形成凸起前的晶片201吹热风，通过使形成凸起前的晶片201所带的电荷向空中放电来除去静电。该除去静电用吹风动作后，在步骤2206，将形成凸起前的晶片201移载至晶片焊接台111上，使吸引装置114动作，将形成凸起前的晶片201吸附于晶片载置台111上。

在下一个步骤2207中，对形成凸起前的晶片201进行凸起焊接。

在下一个步骤2209，使晶片载置台上升，使所述电荷发生半导体基板保持于移载装置143，使晶片载置台111下降至电荷发生半导体基板和晶片载置台的的间隙成为约1～数mm。接下来，以例如所述20℃/分钟的降温速度，反复降温升温的同时将晶片载置台111的温度从约210℃下降到约40℃。另外，在这时可以同时进行在步骤2205进行的除去静电用吹风动作。接下来，在步骤2210中，通过所述移载装置将形成凸起后的晶片202从晶片载置台111移载至搬出装置132。

而且，在具备预热装置560及后热装置570的凸起形成装置501中，通过采用预热装置560及后热装置570分别设所述吹风装置的结构，在具备预热装置560及后热装置570的凸起形成装置501的预热动作及后热动作中，可以使所述吹风装置动作并喷出气体，实施所述的除去静电用吹风动作。

这样，通过进行除去静电用吹风动作，就可以除去所述电荷发生半导体基板的电荷，特别是，在所述电荷发生半导体基板的背面形成有沟14时，可以使该沟14内的电荷有效地向空中放电。因此，对于所述电荷发生半导体基板，与通过升、降温进行的曲折形的温度控制并行，进一步实施所述的离子吹风动作及所述除去静电用吹风动作，通过以上方式，可以更有效地除去所述电荷发生半导体基板的电荷。

而且，在本例的凸起形成装置501中，也可以利用所述的辅助板进行处理。

把包含说明书、权利要求、附图、摘要的1999年7月2日提出申请的日本专利申请第11-189053号、1999年10月29日提出申请的日本专利申请第11-308855号、1999年10月15日提出申请的日本专利申请第11-293702号、1999年11月15日提出申请的日本专利申请第11-323979号、以及2000年6月20日提出申请的日本专利申请第2000-184467号所公开的全部内容作为参考，在此一并使用。

本发明参照附图，对有关理想实施例进行了充分说明，但是，对于技术熟练者来说，可以轻易地作出种种的变形及修改，这样的变形及修改只要不超出本发明的权利要求范围，就都应视为是本发明要求保护的内容。

Claims (39)

1.一种电荷发生半导体基板用凸起形成装置，包括：在将伴随温度变化而产生电荷的电荷发生半导体基板(201、202)加热到形成凸起所必要的凸起焊接用温度的状态下，在形成在所述电荷发生半导体基板上的电路中的电极上，形成所述凸起的凸起形成头(120)；其特征在于：包括：

加热冷却装置(110、160、170)，其在向所述加热的所述电荷发生半导体基板上焊接凸起之后，在冷却所述电荷发生半导体基板时，除去由于该冷却造成的温度下降而在该电荷发生半导体基板上产生的电荷；

控制装置(180)，其对所述加热冷却装置进行用于在所述焊接之后，冷却所述电荷发生半导体基板的温度下降控制，该温度下降控制为所述冷却用的温度梯度控制，使所述电荷发生半导体基板的带电量不超过允许值。

2.根据权利要求1所述的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，其特征在于：

所述加热冷却装置在进行所述冷却时，通过接触与所述电荷发生半导体基板的作为电路形成面的表面(202a)相对的背面(202b)，来除去由于所述冷却造成的温度下降而在该电荷发生半导体基板上产生的电荷。

3.根据权利要求2所述的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，其特征在于：

所述加热冷却装置在将所述电荷发生半导体基板加热到所述凸起焊接用温度之前，对所述电荷发生半导体基板进行预热动作，直到所述电荷发生半导体基板达到大致凸起焊接用温度；并且，所述加热冷却装置通过与所述电荷发生半导体基板的所述背面接触，来除去因所述预热动作使温度上升而产生于所述电荷发生半导体基板上的电荷；

所述控制装置还利用温度梯度控制对所述加热冷却装置进行用于实施所述预热动作的温度上升控制，该温度上升控制使电荷发生半导体基板的带电量不超过允许值。

4.根据权利要求3所述的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，其特征在于：

所述加热冷却装置包括：将所述电荷发生半导体基板加热到所述凸起焊接用温度的凸起焊接台(110)；服从由所述控制装置进行的所述温度下降控制，并对所述电荷发生半导体基板进行冷却的后热装置(170)。

5.根据权利要求3所述的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，其特征在于：

所述加热冷却装置包括：将所述电荷发生半导体基板加热到所述凸起焊接用温度的凸起焊接台(110)；服从由所述控制装置进行的所述温度上升控制，并对所述电荷发生半导体基板进行所述预热动作的预热装置(160)；

6.根据权利要求4所述的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，其特征在于：

所述后热装置具有：接触所述电荷发生半导体基板的所述背面的热扩散构件(163、173)；可在所述热扩散构件上自由地安装拆卸，并对所述热扩散构件进行升温的加热部(161、171)；使所述热扩散构件与所述加热部件分离，并促使所述热扩散构件冷却的气缸(1601、1701)。

7.根据权利要求5所述的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，其特征在于：

所述预热装置具有：接触所述电荷发生半导体基板的所述背面的热扩散构件(163、173)；接触所述热扩散构件，并对所述热扩散构件进行升温的加热部(161、171)；使所述热扩散构件与所述加热部分离，并促使所述热扩散构件冷却的气缸(1601、1701)。

8.根据权利要求2所述的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，其特征在于：

还包括：从载置台的开口向载置在所述加热冷却装置上的所述电荷发生半导体基板的载置面一侧提供气体的气体供给装置(115、1611、1711)；

所述控制装置对所述气体供给装置及所述加热冷却装置中的其中之一进行弯曲矫正动作控制，用于矫正在载置于所述加热冷却装置上的所述电荷发生半导体基板上产生的弯曲。

9.根据权利要求8所述的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，其特征在于：

所述控制装置对所述气体供给装置进行除静电用吹风动作控制，用于除去在载置于所述加热冷却装置上的所述电荷发生半导体基板上产生的电荷。

10.根据权利要求2所述的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，其特征在于：

还包括：接触所述电荷发生半导体基板的电路形成面，并除去在所述电路形成面上产生的那部分电荷的除静电用接触构件(14100、14161)。

11.根据权利要求2所述的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，其特征在于：

还包括：产生用于中和蓄积在所述电荷发生半导体基板上的电荷的离子的离子发生装置(190)。

12.根据权利要求11所述的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，其特征在于：

还包括：具有保持所述电荷发生半导体基板用的保持爪(1417)，并利用该保持爪保持所述电荷发生半导体基板，同时将所述电荷发生半导体基板搬送到所述加热冷却装置上的晶片保持部(1411、1412)；在所述晶片保持部及保持爪上，在由所述离子发生装置产生的所述离子起作用的地方，利用绝缘材料来实施包覆(14172、14174)。

13.根据权利要求2所述的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，其特征在于：

在所述加热冷却装置中，在接触所述电荷发生半导体基板的所述背面的部分上，实施金属电镀(261)，以提高该加热冷却装置和所述电荷发生半导体基板的热传导率，并除去所述电荷发生半导体基板上的静电。

14.一种电荷发生半导体基板的除静电方法，其特征在于：

为了在形成于伴随温度变化而产生电荷的电荷发生半导体基板上的电路中的电极上形成凸起，把所述电荷发生半导体基板加热到形成凸起所需要的凸起焊接用温度，在向所述电荷发生半导体基板上焊接凸起之后，在利用对加热冷却装置(110、160、170)进行控制的控制装置(180)的温度下降控制冷却所述电荷发生半导体基板时，

利用由所述冷却产生的温度下降，通过载置所述电荷发生半导体基板的载置构件进行接地，将所述电荷发生半导体基板上产生的电荷除去。

15.根据权利要求14所述的电荷发生半导体基板的除静电方法，其特征在于：

对载置在所述载置构件上的所述电荷发生半导体基板进行吹风，进一步除去所述电荷发生半导体基板上产生的电荷。

16.根据权利要求14所述的电荷发生半导体基板的除静电方法，其特征在于：

使用于中和所述电荷发生半导体基板上蓄积的电荷的离子进一步作用于所述电荷发生半导体基板。

17.根据权利要求14所述的电荷发生半导体基板的除静电方法，其特征在于：

使除静电用接触构件(14100)接触所述电荷发生半导体基板的电路形成面，除去在所述电荷发生半导体基板的所述电路形成面上产生的电荷。

18.一种电荷发生半导体基板用除静电装置，其特征在于：包括：

加热冷却装置(110、160、170)，当对伴随温度变化产生电荷的电荷发生半导体基板进行加热后冷却时，接触与该电荷发生半导体基板的作为电路形成面的表面(202a)相对的背面(202b)，除去由于所述冷却造成的温度下降而在该电荷发生半导体基板上产生的电荷；

控制装置(180)，其对所述加热冷却装置进行用于冷却所述电荷发生半导体基板的温度下降控制，该温度下降控制为所述冷却用的温度梯度控制，使所述电荷发生半导体基板的带电量不超过允许值。

19.一种电荷发生半导体基板，其特征在于：是伴随温度变化而产生电荷的电荷发生半导体基板(201、202)，该电荷发生半导体基板在被加热到形成凸起所必要的凸起焊接用温度的状态下，形成所述凸起，并在形成凸起后，利用控制装置(180)对加热冷却装置(110、160、170)的控制进行冷却，并且，其包括：

形成在该电荷发生半导体基板的表面(202a)上，为了除去在该电荷发生半导体基板上产生的电荷而由导体形成的电荷除去用区域(14165)；

连接所述电荷除去用区域，并用于从该电荷发生半导体基板上分割形成于所述表面上的电路形成部分(211)的切割线(212)。

20.一种电荷发生半导体基板的除静电方法，其特征在于：

使除静电用接触构件(14100、14161)接触电荷发生半导体基板，除去在该电荷发生半导体基板上产生的电荷，

其中，所述除静电用接触构件(14100、14161)接触所述电荷发生半导体基板的电路形成面、并除去在所述电荷发生半导体基板的电路形成面上产生的那部分电荷；

所述电荷发生半导体基板包括：

形成在伴随温度变化而产生电荷的电荷发生半导体基板(201、202)的电路形成面、即表面(202a)上，为了除去在该电荷发生半导体基板上产生的电荷而由导体形成的电荷除去用区域(14165)；

连接所述电荷除去用区域，并用于从该电荷发生半导体基板上分割形成于所述表面上的电路形成部分(211)的切割线(212)。

21.根据权利要求19所述的电荷发生半导体基板，其特征在于：

所述电荷发生半导体基板(201、202)所带的电荷的带电量是±200v以下。

22.根据权利要求21所述的电荷发生半导体基板，其特征在于：

利用权利要求14～17中任意1项所述的除静电方法，来除去所述电荷。

23.根据权利要求21所述的电荷发生半导体基板，其特征在于：

利用权利要求18所述的电荷发生半导体基板用除静电装置，来除去所述电荷。

24.根据权利要求21所述的电荷发生半导体基板，其特征在于：

利用权利要求20所述的除静电方法除去所述电荷。

25.一种电荷发生半导体基板用凸起形成方法，在将伴随温度变化而产生电荷的电荷发生半导体基板(201、202)加热到形成凸起所必要的凸起焊接用温度的状态下，在形成在所述电荷发生半导体基板上的电路中的电极上，形成所述凸起，并在对所述加热后的所述电荷发生半导体基板进行凸起焊接后，利用控制装置(180)对加热冷却装置(110、160、170)的控制进行所述电荷发生半导体基板的冷却，其特征在于：

所述加热冷却装置在不接触所述电荷发生半导体基板的非接触状态下，将所述电荷发生半导体基板加热到所述凸起焊接用温度，同时在所述非接触状态下，在所述焊接之后，由控制装置进行控制降温梯度值的温度下降控制，对所述电荷发生半导体基板进行冷却，以使由于冷却造成的温度下降而在所述电荷发生半导体基板上产生的带电量不超过允许值。

26.根据权利要求25所述的电荷发生半导体基板用凸起形成方法，其特征在于：

所述温度下降控制是反复交替地进行降温和低于该降温过程中的下降温度幅度的升温。

27.根据权利要求25所述的电荷发生半导体基板用凸起形成方法，其特征在于：

对所述加热冷却装置中的所述电荷发生半导体基板进行的加热到所述凸起焊接用温度的加热，包含预先将所述电荷发生半导体基板加热到所述凸起焊接用温度附近的预热动作；

所述控制装置进一步对所述加热冷却装置进行温度上升控制，该温度上升控制用于除去由于所述预热动作使温度上升，而在所述电荷发生半导体基板上产生的电荷。

28.根据权利要求27所述的电荷发生半导体基板用凸起形成方法，其特征在于：

所述温度上升控制是反复交替地进行升温和低于该升温过程中的上升温度幅度的降温。

29.根据权利要求4所述的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，其特征在于：

在配置在所述后热装置上的所述电荷发生半导体基板的电路形成面即表面一侧、或者背面一侧中的至少其中之一上，设有产生中和所述电荷发生半导体基板的电荷的离子，并使该离子作用于所述电荷发生半导体基板的离子发生装置(190)。

30.根据权利要求29所述的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，其特征在于：

所述加热冷却装置包括：

凸起焊接台(110)，该凸起焊接台用于将所述电荷发生半导体基板加热到所述凸起焊接用温度；

预热装置(160)，该预热装置在将所述发生电荷半导体加热到所述凸起焊接用温度之前，在不接触所述电荷发生半导体基板的状态下，进行将所述电荷发生半导体基板预热到所述凸起焊接用温度附近的预热动作，利用所述控制装置来实施利用由该预热动作造成的温度下降，除去在所述电荷发生半导体基板上产生的电荷的温度上升控制；

而且，在配置在所述预热装置上的所述电荷发生半导体基板的电路形成面即表面一侧、或者背面一侧中的至少其中之一上，设有所述离子发生装置。

31.根据权利要求29所述的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，其特征在于：

还包括：具有用于保持所述电荷发生半导体基板的保持爪(1417)，并利用该保持爪保持所述电荷发生半导体基板，同时将所述电荷发生半导体基板搬送到所述加热冷却装置的晶片保持部(1411、1421)；

在所述晶片保持部及所述保持爪上，在由所述离子发生装置产生的所述离子起作用的地方，利用绝缘材料来实施包覆。

32.根据权利要求4所述的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，其特征在于：

所述后热装置包括：面对与所述电荷发生半导体基板的电路形成面相反的背面配置，并在与所述电荷发生半导体基板相对的表面上，涂有远红外线辐射涂料的热扩散构件(173)。

33.根据权利要求5所述的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，其特征在于：

所述预热装置包括：面对与所述电荷发生半导体基板的电路形成面相反的背面配置，并在与所述电荷发生半导体基板相对的表面上，涂有远红外线辐射涂料的热扩散构件(163)。

34.根据权利要求4所述的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，其特征在于：还包括：

与所述凸起焊接台连接，并对载置在所述凸起焊接台上的所述电荷发生半导体基板的弯曲进行矫正的吹风装置(115)。

35.根据权利要求4所述的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，其特征在于：

所述控制装置对所述凸起焊接台进行弯曲矫正用温度控制，对载置在所述凸起焊接台上的所述电荷发生半导体基板的弯曲进行矫正。

36.根据权利要求4所述的电荷发生半导体基板用凸起形成装置，其特征在于：

还包括：与所述凸起焊接台连接，并向载置在所述凸起焊接台上的所述电荷发生半导体基板提供用于除去该电荷发生半导体基板所带电荷的气体的气体供给装置(115)；

所述控制装置对所述气体供给装置进行除去静电用的气体供给动作控制。

37.一种用凸起形成装置实施的电荷发生半导体基板的除静电方法，其特征在于：

为了在形成于伴随温度变化而产生电荷的电荷发生半导体基板上的电路中的电极上形成凸起，把所述电荷发生半导体基板加热到形成凸起所需要的凸起焊接用温度，在向所述电荷发生半导体基板上焊接凸起之后，在使用以不接触所述电荷发生半导体基板的状态配置的、通过对所述电荷发生半导体基板进行加热来调整所述电荷发生半导体基板的温降的后热装置(170)，对所述电荷发生半导体基板进行冷却时，利用控制装置(180)对所述冷却装置进行温度下降控制，除去由于该冷却造成的温度下降，而在该电荷发生半导体基板上产生的电荷，其中所述温度下降控制对降温梯度值或升温梯度值进行控制。

38.根据权利要求37所述的电荷发生半导体基板的除静电方法，其特征在于：

所述温度下降控制是反复交替地进行降温和低于该降温过程中的下降温度幅度的升温。

39.一种电荷发生半导体基板用除静电装置，其特征在于：包括：

控制装置(180)，在将伴随温度变化而产生电荷的电荷发生半导体基板加热之后进行冷却时，进行温度下降控制，以使由于该冷却造成的温度下降，而在该电荷发生半导体基板上产生的带电量不超过允许值；

在不接触所述电荷发生半导体基板的状态下，加热所述电荷发生半导体基板，同时在该加热之后，服从由所述控制装置进行的所述温度下降控制，并对所述电荷发生半导体基板进行冷却的加热冷却装置(110、160、170)。

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