TWI662634B - 倒裝晶片黏著機及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供將晶片洗淨的倒裝晶片黏著機。 　　[技術內容]倒裝晶片黏著機，是具備：將具有隆起的晶片保持的晶片供給部、及將前述晶片載置在基板或是已被貼裝的晶片上用的黏著載台、及從前述晶片供給部將前述晶片拾取並上下反轉的第一頭、及從前述第一頭將前述晶片拾取的第二頭、及將位於前述晶片供給部及前述黏著載台之間的前述晶片由乾冰洗淨的洗淨裝置。

Description

倒裝晶片黏著機及半導體裝置的製造方法
[0001] 本發明是有關於倒裝晶片黏著機，可適用在例如具備洗淨裝置的倒裝晶片黏著機。
[0002] 一般，將被稱為晶片的半導體晶片，例如，對於搭載在配線基板和導線架等(以下總稱為基板)的表面的晶片接合機，一般，使用夾頭等的吸附噴嘴將晶片搬運至基板上，賦予壓制力，並且反覆進行藉由將接合材加熱進行黏著的動作(作業)。進一步，在晶片接合機中，具有將所拾取的晶片(在表面具備隆起的晶片)倒裝(上下顛倒)地裝設在基板的倒裝晶片黏著機。 　　[0003] 在晶片接合機中，具有將基板的表面洗淨者(例如日本特開2012-199458號公報(專利文獻1))和將夾頭的吸附面洗淨者(例如日本特開2016-58575號公報(專利文獻2))。 [習知技術文獻] [專利文獻] 　　[0004] 　　[專利文獻1] 日本特開2012-199458號公報 　　[專利文獻2] 日本特開2016-58575號公報
[本發明所欲解決的課題] 　　[0005] 從被貼附在晶圓的表面的背磨帶和被貼附在晶圓的背面的切割膠帶會殘留膠糊，在例如倒裝晶片黏著機中膠糊殘留在隆起面(晶片的表面)等的話，會有發生連接不良的可能性。專利文獻1及專利文獻2皆不是洗淨晶片本身。 　　本發明的課題是提供將晶片洗淨的倒裝晶片黏著機。 　　其他的課題及新穎的特徵，可從本說明書的記載及添附圖面成為明顯。 [用以解決課題的手段] 　　[0006] 簡單地說明本發明之中的代表例的概要的話，如下述。 　　即，倒裝晶片黏著機，是具備：將具有隆起的晶片保持的晶片供給部、及將前述晶片載置在基板或是已被貼裝的晶片上用的黏著載台、及從前述晶片供給部將前述晶片拾取並上下反轉的第一頭、及從前述第一頭將前述晶片拾取的第二頭、及將位於前述晶片供給部及前述黏著載台之間的前述晶片由乾冰洗淨的洗淨裝置。 [發明的效果] 　　[0007] 藉由上述倒裝晶片黏著機的話，可將晶片洗淨。
[0009] 以下，對於實施例及變形例，使用圖面說明。但是，在以下的說明中，對於同一構成要素是附加同一符號並省略反覆說明。又，圖面是為了使說明更明確，與實際的態樣相比，對於各部的寬度、厚度、形狀等具有示意地顯示的情況，但僅是一例，不是限定本發明的解釋。 　　[0010] 實施例的半導體製造裝置，是從晶圓將晶片拾取之後，在黏著在基板等的工件或是晶片上之前只有洗淨晶片的表面、背面、或是表面及背面的雙方。除了晶片以外將夾頭和中間載台洗淨也可以。在洗淨中使用乾冰(CO2 )較佳。 [實施例1] 　　[0011] 第1圖是實施例1的倒裝晶片黏著機的概略俯視圖。第2圖，是說明在第1圖從箭頭A方向所見時，拾取頭及黏著頭的動作的圖。 　　倒裝晶片黏著機10，是大致具有：晶片供給部1、及拾取部2、黏著部4、及搬運部5、洗淨裝置6、基板供給部9K、及基板搬出部9H、及將各部的動作監視並控制的控制裝置7。 　　[0012] 首先，晶片供給部1，是供給貼裝在基板P的晶片D。晶片供給部1，是具有：將晶圓11保持的晶圓保持台12、及從晶圓11將晶片D頂起的由虛線顯示的頂起單元13。晶片供給部1，是藉由無圖示的驅動手段朝XY方向移動，將所拾取的晶片D朝頂起單元13的位置移動。 　　[0013] 拾取部2，是具有：從晶片供給部1將晶片D吸附的夾頭22、及在先端具備夾頭22將晶片拾取的拾取頭21、及將拾取頭21朝Y方向移動的Y驅動部23。第一頭也就是拾取頭21，是具有將夾頭22昇降、旋轉、反轉及X方向移動的無圖示的各驅動部。 　　[0014] 藉由這種構成，拾取頭21，是將晶片拾取，將拾取頭21旋轉180度，將晶片D的隆起面(表面)反轉朝向下面，將晶片D成為朝黏著頭41傳送的姿勢。 　　[0015] 黏著部4，是將已反轉的晶片D從拾取頭21承接，由被搬運來的基板P的溶劑上的沖壓或是熱壓合而黏著，或是由層疊於已經黏著在基板P上的晶片上的形式進行黏著。黏著部4，是具有：與拾取頭21同樣地具備將晶片D吸附保持在先端的夾頭42的黏著頭41、及將黏著頭41朝Y方向移動的Y驅動部43、及將基板P的位置辨認記號(無圖示)攝像且辨認黏著位置的基板辨認照相機44。 　　[0016] 藉由這種構成，第二頭也就是黏著頭41，是從拾取頭21收取已反轉的晶片D，依據下視照相機45的攝像資料將拾取位置、姿勢修正，依據基板辨認照相機44的攝像資料將晶片D黏著在基板P。 　　[0017] 洗淨裝置6是具備將晶片D的背面從上方洗淨的第一噴嘴61及將晶片D的表面(具有隆起面)從下方洗淨的第二噴嘴62。第一噴嘴61是除了被保持於從晶圓11將晶片D拾取的拾取頭21的夾頭22上的晶片D以外可洗淨夾頭22。第二噴嘴62是除了被保持於從拾取頭21將晶片D拾取的黏著頭41的夾頭42上的晶片D以外可洗淨夾頭42。 　　[0018] 搬運部5，是具有並行設置的同一構造的第1、第2搬運部，其具備：載置一枚或是複數枚的工件(在第1圖中為4枚)的基板搬運托盤51、及使基板搬運托盤51移動的托盤軌道52。基板搬運托盤51，是藉由將設於基板搬運托盤51的無圖示的螺帽由沿著托盤軌道52被設置的無圖示的滾珠螺桿驅動而移動。 　　[0019] 藉由這種構成，基板搬運托盤51，是由基板供給部9K將基板P載置，沿著托盤軌道52移動至將晶片D黏著在基板P的位置(黏著載台BS(第一黏著載台BS1、第二黏著載台BS2))為止，黏著後至基板搬出部9H為止移動，朝基板搬出部9H將基板P傳送。第1、第2搬運部，是彼此被獨立驅動，將晶片D黏著在被載置於一方的基板搬運托盤51的基板P時，另一方的基板搬運托盤51，是將基板P搬出，返回至基板供給部9K，進行載置新的基板P等的準備。 　　[0020] 控制裝置7，是具備：存儲將倒裝晶片黏著機10的各部的動作監視控制的程式(軟體)的記憶體、及實行被存儲在記憶體的程式的中央處理裝置(CPU)。例如，控制裝置7，是將來自基板辨認照相機44及下視照相機45的畫像資訊、黏著頭41的位置等的各種資訊取入，將黏著頭41的黏著動作及洗淨裝置6的洗淨動作等各構成要素的各動作控制。 　　[0021] 第3圖是顯示第1圖的晶片供給部的主要部分的概略剖面圖。晶片供給部1，是具有：將晶片環14保持的擴展環15、及被保持在晶片環14將使複數晶片D被黏接的切割膠帶16水平定位的支撐環17、及將晶片D朝上方頂起用的頂起單元13。為了將規定的晶片D拾取，頂起單元13，是藉由無圖示的驅動機構朝上下方向移動，晶片供給部1是成為朝水平方向移動。
晶片供給部1，是在晶片D的頂起時，將保持晶片環14的擴展環15下降。其結果，被保持於晶片環14的切割膠帶16被拉長，晶片D的間隔被擴大。在如此的狀態下，晶片供給部1，是藉由頂起單元13從晶片下方將晶片D頂起，提高晶片D的拾取性。
接著，對於實施例1的倒裝晶片黏著機的洗淨裝置使用第4~6圖說明。第4圖是第1圖的洗淨裝置的方塊圖。第5圖是第4圖的第一噴嘴的剖面圖。第6圖是第4圖的第二噴嘴的剖面圖。
如第4圖所示，洗淨裝置6，是具備：第一噴嘴61、及第二噴嘴62、及供給液體的二氧化碳的二氧化碳供給源63、及供給被壓縮的空氣(加壓氣體)的空氣供給源64、及將由液體的二氧化碳及壓縮空氣混合生成的粉末狀的乾冰供給至第一噴嘴61及第二噴嘴62的供給配管65a~65d。洗淨裝置6，是進一步具備：將由第一噴嘴61及第二噴嘴62從晶片被除去的異物搬運的排出配管66a~66c、及將異物回收的集塵單元67、及設於供給配管之間及排出配管之間的閥68a~68f、及離子發生器69。
在第一噴嘴61中連接有供給配管65a及排出配管66a。如第5圖所示，第一噴嘴61是具備：設於中央部的圓形的空氣吹出口61a、及將此吹出口以環狀圍起來的方式設置的空氣吸入口61b、及被設於空氣吹出口61a及空氣吸入口61b之間將晶片D覆蓋的空間61c。由此，藉由從空氣吹出口61a吐出的空氣而被吹飛的異物是如第3圖的箭頭 所示立即藉由空氣吸入口61b被吸引，最終被廢棄。
在第二噴嘴62中連接有供給配管65b及排出配管66b。如第6圖所示，第二噴嘴62，是與第一噴嘴61同樣地，具備：設於中央部的圓形的空氣吹出口62a、及將此吹出口以環狀圍起來的方式設置的空氣吸入口62b、及被設於空氣吹出口62a及空氣吸入口62b之間將晶片D覆蓋的洗淨空間62c。
第一噴嘴61，是透過供給配管65a、閥68a、供給配管65c、65d、閥68c、供給配管65e，與供給液體的二氧化碳的二氧化碳供給源63連接。且，第一噴嘴61，是透過供給配管65a、閥68a、供給配管65c、65d、閥68d、供給配管65f，與供給被壓縮的空氣(壓縮空氣)的空氣供給源64連接。在供給配管65c及供給配管65d之間，是設有將從空氣供給源64被供給的空氣離子化的離子發生器(帶電防止手段)69。第一噴嘴61，是透過排出配管66a、閥68e、排出配管66c，與集塵單元67連接。
第二噴嘴62，是透過供給配管65b、閥68a、供給配管65c、65d、閥68c、供給配管65e，與供給液體的二氧化碳的二氧化碳供給源63連接。且，第二噴嘴62，是透過供給配管65b、閥68a、供給配管65c、65d、閥68d、供給配管65f，與供給被壓縮的空氣(壓縮空氣)的空氣供給源64連接。第二噴嘴62，是透過排出配管66b、閥68f、排出配管66c，與集塵單元67連接。
接著，使用第7圖說明在實施例1的倒裝晶片黏著機所實施的黏著方法(半導體裝置的製造方法)。第7圖是顯示由實施例的倒裝晶片黏著機所實施的黏著方法的流程圖。
步驟S1：控制裝置7是以使所拾取的晶片D位於頂起單元13的正上的方式將晶圓保持台12移動，將剝離對象晶片定位在頂起單元13及夾頭22。以使頂起單元13的上面接觸切割膠帶16的背面的方式將頂起單元13移動。此時，控制裝置7，是將切割膠帶16吸附在頂起單元13的上面。控制裝置7，是將夾頭22一邊抽真空一邊下降，著地在剝離對象的晶片D上，將晶片D吸附。控制裝置7是將夾頭22上昇，將晶片D從切割膠帶16剝離。由此，晶片D是藉由拾取頭21被拾取。 　　[0031] 步驟S2：控制裝置7是將拾取頭21移動。 　　[0032] 步驟S3：控制裝置7是將拾取頭21旋轉180度，將晶片D的隆起面(表面)反轉朝向下面，將晶片D成為朝黏著頭41傳送的姿勢。 　　[0033] 步驟S4：步驟S3之後或是並行，控制裝置7是將第一噴嘴61的洗淨空間61c朝拾取頭21的夾頭22所保持的晶片D上移動下降。 　　[0034] 步驟S5：控制裝置7是從二氧化碳供給源63將液體的二氧化碳供給至供給配管65e，並且從空氣供給源64將空氣供給至供給配管65f。 　　[0035] 控制裝置7，是從二氧化碳供給源63將液體的二氧化碳供給至供給配管65d，從空氣供給源64將空氣供給至供給配管65d並混合。由此，液體的二氧化碳的一部分是將氣化熱奪取(氣化熱)，使液體的二氧化碳的溫度低於凝固點，而發生乾冰(固體的二氧化碳)。如此，藉由將液體的二氧化碳朝洗淨空間62c的大氣放出而獲得的乾冰，是成為極微細的粉末狀。 　　[0036] 此粉末狀的乾冰是從空氣吹出口61a被噴射朝晶片D衝突的話乾冰會變形、破碎、昇華。藉由由乾冰的昇華所發生的膨脹的能量，使附著在晶片D的背面的異物被除去。被除去的異物是從空氣吸入口61b被吸引透過排出配管66a等朝集塵單元67被排出。又，液體的二氧化碳及空氣的供給量，是以使適合晶片D的洗淨的分量的乾冰從空氣吹出口61a被噴射的方式被調整。 　　[0037] 上述的乾冰，因為硬度較低且微細，由此不會刮傷洗淨晶片D。且，洗淨裝置6，是因為在供給配管內具備將從空氣供給源64被供給的壓縮空氣適切地離子化的離子發生器69，所以可以防止粉末狀的乾冰的帶電，防止晶片D的破損。 　　[0038] 步驟S6：控制裝置7是將第一噴嘴61的洗淨空間61c上昇，從拾取頭21的夾頭22所保持的晶片D上移動。 　　[0039] 步驟S7：控制裝置7是從拾取頭21的夾頭22藉由黏著頭41的夾頭42將晶片D拾取，將晶片D收授。 　　[0040] 步驟S8：控制裝置7是將黏著頭41朝洗淨位置(第二噴嘴62的正上)移動，將黏著頭41的夾頭42所保持的晶片D朝第二噴嘴62的洗淨空間62c移動。 　　[0041] 步驟S9：控制裝置7，是與步驟S5同樣地，將乾冰從空氣吹出口62a噴射將附著在晶片D的表面的異物除去。被除去的異物是從空氣吸入口62b被吸引透過排出配管66b等朝集塵單元67被排出。 　　[0042] 步驟SA：控制裝置7，是將黏著頭41的夾頭42所保持的晶片D朝基板P上移動。 　　[0043] 步驟SB：控制裝置7，是將從拾取頭21的夾頭22由黏著頭41的夾頭42所拾取的晶片D載置在基板P上。 　　[0044] 步驟SC：步驟S8之後或是並行，控制裝置7，是將拾取頭21反轉，將夾頭22的吸附面朝向下。 　　[0045] 步驟SD：控制裝置7，是將拾取頭21朝拾取位置移動。 　　[0046] 又，在步驟S1之前，將保持了貼附有從晶圓11被分割的晶片D的切割膠帶16的晶片環14存儲在晶圓卡匣(未圖示)，朝倒裝晶片黏著機10搬入。控制裝置7是從充填有晶片環14的晶圓卡匣將晶片環14供給至晶片供給部1。且，準備基板P，朝倒裝晶片黏著機10搬入。控制裝置7是由基板供給部9K將基板P載置在基板搬運托盤51。 　　[0047] 且在步驟SB之後，控制裝置7是由基板搬出部9H從基板搬運托盤51將黏著了晶片D的基板P取出。從倒裝晶片黏著機10將基板P搬出。 　　[0048] 在倒裝晶片黏著機中會有發生膠糊在隆起面僵硬等而成為連接不良的可能性。在實施例1中，今後也進一步對於窄間距化的隆起製品在貼裝之前進行乾冰(CO2 )洗淨。由此，可以將被貼附在晶圓的表面的背磨帶和被貼附在晶圓的背面的來自切割膠帶的膠糊殘留和托盤內的異物附著，在朝基板的貼裝之前除去。進一步，可以不破壞隆起地將異物除去。可以減少由異物嚙入所產生的連接不良。 　　[0049] 晶片D是具有TSV(Trough Silicon Via(Si貫通電極))的情況時，因為在背面層疊有其他的晶片，所以步驟S5的洗淨是有效。晶片D是不具有TSV等的不層疊的情況時，不實行步驟S5也可以。在基板側也設置洗淨裝置使同時將基板領域側洗淨也可以。 　　[0050] ＜變形例1＞ 　　接著，使用第8、9圖說明在實施例1的倒裝晶片黏著機所實施的黏著方法(半導體裝置的製造方法)的變形例1。第8圖是顯示由第1圖的倒裝晶片黏著機所實施的變形例1的黏著方法的流程圖。第8圖的流程圖的端子A、B是與第9圖的端子A、B連接。 　　[0051] 變形例1的黏著方法，是除了實施例的黏著方法以外，也藉由洗淨裝置6的第一噴嘴61實施拾取頭21的夾頭22的洗淨。以下，說明追加的步驟。 　　[0052] 步驟SE：步驟S7後，控制裝置7是將第一噴嘴61的洗淨空間61c朝拾取頭21的夾頭22上移動下降。 　　[0053] 步驟SF：控制裝置7，是與步驟S5同樣地，將乾冰從空氣吹出口61a噴射將附著在夾頭22的吸附面的表面的異物除去。被除去的異物是從空氣吸入口61b被吸引透過排出配管66a等朝集塵單元67被排出。 　　[0054] 步驟SG：控制裝置7是將第一噴嘴61的洗淨空間61c上昇，從拾取頭21的夾頭22上移動。 　　[0055] ＜變形例2＞ 　　接著，使用第10圖說明在實施例1的倒裝晶片黏著機所實施的黏著方法(半導體裝置的製造方法)的變形例2。第10圖是顯示在第1圖的倒裝晶片黏著機所實施的變形例2的黏著方法的流程圖。第10圖的流程圖的端子A、B是與第8圖的端子A、B連接。 　　[0056] 變形例2的黏著方法，是除了變形例1的黏著方法以外，也藉由洗淨裝置6的第二噴嘴62實施黏著頭41的夾頭42的洗淨。以下，說明追加的步驟。 　　[0057] 步驟SH：控制裝置7是將黏著頭41朝洗淨位置(第二噴嘴62的正上)移動，將黏著頭41的夾頭42朝第二噴嘴62的洗淨空間62c移動。 　　[0058] 步驟SI：控制裝置7，是與步驟S5同樣地，將乾冰從空氣吹出口62a噴射將附著在夾頭42的吸附面的表面的異物除去。被除去的異物是從空氣吸入口62b被吸引透過排出配管66b等朝集塵單元67被排出。 　　[0059] 步驟SJ：控制裝置7，是將黏著頭41的夾頭42朝晶片D的收授位置移動。 　　[0060] 在變形例1、2中將夾頭洗淨，是使用橡膠系夾頭的情況，使用在乾冰洗淨的低溫也具有耐寒性、柔軟性的Si橡膠系材料，特別是FVMQ(商品名：氟動力)等較佳。且，在夾頭使用具有耐寒性的金屬和樹脂較佳。此情況，特別是以在夾頭不會發生結露等的方式，將加熱器組入或設置將洗淨中的晶片保持的夾頭和朝夾頭本身照射紅外線，防止溫度下降的功能較佳。在以下的實施例及變形例，在將夾頭洗淨的情況，也適用上述夾頭的材料和結露防止功能較佳。 [實施例2] 　　[0061] 第11圖是顯示實施例2的倒裝晶片黏著機的概略的俯視圖。第12圖是說明在第11圖從箭頭A方向所見時拾取倒裝頭、轉移頭及黏著頭的動作的圖。 　　[0062] 倒裝晶片黏著機10A，是大致具有：晶片供給部1、及拾取部2A、轉移部8、及中間載台部3、及黏著部4A、及搬運部5、洗淨裝置6A、及基板供給部9K、及基板搬出部9H、及將各部的動作監視控制的控制裝置7。 　　[0063] 拾取部2A，是具有：將晶片D拾取並反轉的拾取倒裝頭21A、及將拾取倒裝頭21A朝Y方向移動的拾取頭的Y驅動部23A、及將夾頭22昇降、旋轉、反轉及X方向移動的無圖示的各驅動部。藉由這種構成，第一頭也就是拾取倒裝頭21A，是將晶片拾取，將拾取倒裝頭21A旋轉180度，將晶片D的隆起反轉朝向下面，成為將晶片D朝第二頭也就是轉移頭81傳送的姿勢。 　　[0064] 轉移部8，是將已反轉的晶片D從拾取倒裝頭21A承接，載置在中間載台31。轉移部8，是具有：與拾取倒裝頭21A同樣地具備將晶片D吸附保持在先端的夾頭82的轉移頭81、及將轉移頭81朝Y方向移動的Y驅動部83。 　　[0065] 中間載台部3，是具有將晶片D暫時地載置的中間載台31。中間載台31是藉由無圖示的驅動部朝Y方向可移動。結露對策，是將加熱器等的加熱手段組入中間載台31較佳。在以下的實施例及變形例的中間載台也適用同樣的結露對策較佳。 　　[0066] 黏著部4A，是從中間載台31將晶片D拾取，由黏著在被搬運來的基板P上，或是層疊於已經黏著在基板P上的晶片上的形式進行黏著。黏著部4A，是具有：與拾取倒裝頭21A同樣地具備將晶片D吸附保持在先端的夾頭42(也參照第12圖)的黏著頭41、及將黏著頭41朝Y方向移動的Y驅動部43、及將基板P的位置辨認記號(無圖示)攝像且辨認黏著位置的基板辨認照相機44。 　　藉由這種構成，第三頭也就是黏著頭41，是依據下視照相機45的攝像資料將拾取位置、姿勢修正，從中間載台31將晶片D拾取，依據基板辨認照相機44的攝像資料將晶片D黏著在基板P。 　　[0067] 洗淨裝置6A是具備將晶片D的背面從上方洗淨的第三噴嘴61A及將晶片D的表面(具有隆起面)從下方洗淨的第二噴嘴62。第三噴嘴61A是除了被載置在中間載台31上的晶片D的背面以外，可從中間載台31的上面的上方進行洗淨。第二噴嘴62是除了被保持於黏著頭41的夾頭42的晶片D的表面以外可從夾頭42的吸附面的下方進行洗淨。 　　[0068] 接著，對於實施例2的洗淨裝置使用第13圖說明。第13圖是洗淨裝置的方塊圖。 　　[0069] 洗淨裝置6A，是可取代實施例1的洗淨裝置6的第一噴嘴61具備第三噴嘴61A。洗淨裝置6A，是具備：第二噴嘴62、及第三噴嘴61A、及供給液體的二氧化碳的二氧化碳供給源63、及供給被壓縮的空氣(加壓氣體)的空氣供給源64、及將由液體的二氧化碳及壓縮空氣混合生成的粉末狀的乾冰供給至第二噴嘴62及第三噴嘴61A的供給配管65b～65d、65g。洗淨裝置6A，是進一步具備：將由第二噴嘴62及第三噴嘴61A從晶片D等被除去的異物搬運的排出配管66b～66d、及將異物回收的集塵單元67、及設於供給配管之間及排出配管之間的閥68b～68d、68f～68h、及離子發生器69。 　　[0070] 第三噴嘴61A是由與實施例1的第一噴嘴61同樣的構成同樣的動作進行洗淨。 　　[0071] 接著，使用第14～18圖說明在實施例2的倒裝晶片黏著機所實施的黏著方法(半導體裝置的製造方法)。第14圖是第三噴嘴的晶片洗淨時的剖面圖。第15圖是第三噴嘴的晶片洗淨終了後的剖面圖。第16圖是第三噴嘴的中間載台洗淨時的剖面圖。第17、18圖是顯示由實施例2的倒裝晶片黏著機所實施的黏著方法的流程圖。第17圖的流程圖的端子A、B是與實施例1的第9圖或是10的端子A、B連接。第17圖的端子C、D是與第18圖的端子C、D連接。 　　[0072] 步驟S11：控制裝置7，是與步驟S1同樣地，藉由拾取倒裝頭21A將晶片D拾取。 　　[0073] 步驟S12：控制裝置7，是與步驟S2同樣地，將拾取倒裝頭21A移動。 　　[0074] 步驟S13：控制裝置7，是與步驟S3同樣地，將拾取倒裝頭21A旋轉180度，將晶片D的隆起(表面)反轉朝向下面，將晶片D成為朝轉移頭81傳送的姿勢。 　　[0075] 步驟S14：控制裝置7，是與步驟S7同樣地，藉由轉移頭81的夾頭82從拾取倒裝頭21A的夾頭22將晶片D拾取，進行晶片D的收授。 　　[0076] 步驟S15：控制裝置7，是將拾取倒裝頭21A反轉，將夾頭22的吸附面朝向下。 　　[0077] 步驟S16：步驟S15之前或是並行，控制裝置7是將轉移頭81朝中間載台31移動。 　　[0078] 步驟S17：控制裝置7是將保持在轉移頭81的晶片D載置在中間載台31。 　　[0079] 步驟S18：控制裝置是將轉移頭81朝晶片D的收授位置移動。 　　[0080] 步驟S19：步驟S18之後或是並行，控制裝置7是將中間載台31朝第三噴嘴61A的下方移動。 　　[0081] 步驟S1A：控制裝置7，是將第三噴嘴61A的洗淨空間61c朝被載置在中間載台31的晶片D上移動(下降)。 　　[0082] 步驟S1B：控制裝置7，是與步驟S5同樣地，將粉末狀的乾冰從空氣吹出口61a噴射，將附著在晶片D背面的異物除去洗淨，被除去的異物是從空氣吸入口61b被吸引朝集塵單元67被排出(第14圖)。 　　[0083] 步驟S1C：控制裝置7，是如第15圖所示，將第三噴嘴61A從中間載台31移動(上昇)。 　　[0084] 步驟S1D：步驟S1C之後或是並行，控制裝置7是將中間載台31朝與黏著頭41的收授位置移動。 　　[0085] 步驟S1E：控制裝置7是從中間載台31藉由黏著頭41的夾頭將晶片D拾取，進行晶片D的收授。 　　[0086] 步驟S1F：控制裝置7是將中間載台31朝第三噴嘴61A的下方移動。 　　[0087] 步驟S1G：步驟S1G之後或是並行，控制裝置7是將第三噴嘴61A的洗淨空間61c朝中間載台31上移動(下降)。 　　[0088] 步驟S1H：控制裝置7，是與步驟S1B同樣地，將乾冰從空氣吹出口61a噴射使附著在中間載台31的表面的異物除去洗淨，被除去的異物是從空氣吸入口61b被吸引朝集塵單元67被排出(第16圖)。 　　[0089] 步驟S1I：控制裝置7是將第三噴嘴61A從中間載台31移動(上昇)。 　　[0090] 步驟S1J：控制裝置7是將中間載台31朝與轉移頭81的收授位置移動。 　　[0091] 又，步驟S1E之後的黏著，對於由第二噴嘴62所產生的晶片D的表面的洗淨及夾頭42的洗淨是與變形例1(第9圖)及變形例2(第10圖)同樣。且，步驟S11之前的動作，是與實施例1的步驟S1之前的動作同樣。且，黏著後的基板P的取出搬出動作是與實施例1同樣。 　　[0092] 實施例2的倒裝晶片黏著機，是在中間載台上設置洗淨裝置，進行晶片背面及中間載台的雙方的洗淨。由此，將進行層疊黏著的晶片的背面洗淨，可以防止由層疊晶片上的異物所產生的孔隙等、及防止異物的積蓄在中間載台上。 　　[0093] 實施例2的洗淨裝置的噴嘴是進行粉末狀的乾冰的吹出、吸引。噴嘴的乾冰吹出洗淨區域，是被搭載的晶片的最大尺寸以上的區域。洗淨裝置是具有至不干涉黏著頭動作的位置為止上昇、退避的功能。且，另外設置與中間載台不同的載置晶片的洗淨載台，將洗淨裝置的噴嘴至洗淨載台及中間載台的位置為止可移動的構造也可以。依據實施例2的話，將晶片背面及中間載台的雙方由1個機構的洗淨裝置洗淨可以。 　　[0094] 又，除了中間載台31以外第三噴嘴61A可移動位置，對應必要的處理量(能力)將中間載台31設置複數單元也可以。 [實施例3] 　　[0095] 第19圖是顯示實施例3的倒裝晶片黏著機的概略的俯視圖。第20圖是說明在第19圖從箭頭A方向所見時拾取倒裝頭、轉移頭及黏著頭的動作的圖。 　　[0096] 倒裝晶片黏著機10B，是大致具有：晶片供給部1、及拾取部2A、轉移部8、及具有洗淨裝置6B的中間載台部3B、及黏著部4A、及搬運部5、基板供給部9K、及基板搬出部9H、及將各部的動作監視控制的控制裝置7。 　　[0097] 中間載台部3B，是具有：將晶片D暫時地載置的中間載台31B、及將中間載台31B上的晶片D辨認的載台辨認照相機32。中間載台31B是由洗淨裝置6B的第五噴嘴62B及載置有晶片D的擋板(載台)SS所構成。 　　[0098] 洗淨裝置6B，是藉由將中間載台31B的擋板SS開閉移動，將被保持在轉移頭81的夾頭82的晶片D的表面、夾頭82的下面(吸附面)及黏著頭41的夾頭42的下面(吸附面)從下方洗淨。 　　[0099] 接著，對於實施例3的洗淨裝置使用第21圖說明。第21圖是洗淨裝置的方塊圖。 　　[0100] 洗淨裝置6B，是具備：第五噴嘴62B、及供給液體的二氧化碳的二氧化碳供給源63、及供給被壓縮的空氣(加壓氣體)的空氣供給源64、及將由液體的二氧化碳及壓縮空氣混合生成的粉末狀的乾冰供給至第五噴嘴62B的供給配管65b、65c、65d。洗淨裝置6B，是進一步具備：將由第五噴嘴62B從晶片被除去的異物搬運的排出配管66b、66c、及將異物回收的集塵單元67、及設於供給配管之間及排出配管之間的閥68b、68c、68d、68f、及離子發生器69。 　　[0101] 第五噴嘴62B是由與實施例1的第二噴嘴62同樣的構成同樣的動作進行洗淨。 　　[0102] 接著，使用第22～29圖說明在實施例3的倒裝晶片黏著機所實施的黏著方法(半導體裝置的製造方法)。第22圖是第四噴嘴的晶片洗淨時的剖面圖。第23圖是第五噴嘴的晶片洗淨終了後的剖面圖。第24圖是第五噴嘴的轉移頭的夾頭洗淨時的剖面圖。第25圖是第五噴嘴的黏著頭的夾頭洗淨時的剖面圖。第26～29圖是顯示由實施例3的倒裝晶片黏著機所實施的黏著方法的流程圖。第26圖的流程圖的端子E、F是與第27圖的端子E、F連接。第27圖的端子G～L是與第28圖的端子G～L連接。 　　[0103] 步驟S21：控制裝置7，是與步驟S1同樣地，藉由拾取倒裝頭21A將晶片D拾取。 　　[0104] 步驟S22：控制裝置7，是與步驟S12同樣地，將拾取倒裝頭21A移動。 　　[0105] 步驟S23：控制裝置7，是與步驟S13同樣地，將拾取倒裝頭21A旋轉180度，將晶片D的隆起(表面)反轉朝向下面，將晶片D成為朝轉移頭81傳送的姿勢。 　　[0106] 步驟S24：控制裝置7，是與步驟S14同樣地，從拾取倒裝頭21A的夾頭22藉由轉移頭81的夾頭82將晶片D拾取，進行晶片D的收授。 　　[0107] 步驟S25：控制裝置7，是將拾取倒裝頭21A反轉，將夾頭22的吸附面朝向下。 　　[0108] 步驟S26：步驟S25之前或是並行，控制裝置7是將轉移頭81朝中間載台31B的上方移動。 　　[0109] 步驟S27：控制裝置7是將洗淨裝置6B的第五噴嘴62B的擋板SS關閉。 　　[0110] 步驟S28：步驟S27之後或是並行，控制裝置7是將轉移頭81下降。 　　[0111] 步驟S29：控制裝置7是將保持在轉移頭81的晶片D載置在中間載台31B。 　　[0112] 步驟S2A：控制裝置7是將轉移頭81上昇從晶片D將夾頭82上昇(第22圖)。 　　[0113] 步驟S2I：控制裝置7是將黏著頭41下降，將中間載台31B上的晶片D拾取。此時，轉移頭81被移動退避。 　　[0114] 步驟S2J：控制裝置7是將黏著頭41上昇。 　　[0115] 步驟S2B：步驟S2A之後或是並行以及步驟S2J之後或是並行，控制裝置7是將洗淨裝置6B的第五噴嘴62B的擋板SS打開。 　　[0116] 步驟S2K：控制裝置7是將黏著頭41下降使藉由夾頭42保持的晶片D進入洗淨裝置6B的第五噴嘴62B的洗淨空間62c。 　　[0117] 步驟S2C：控制裝置7，是與步驟S6同樣地，將粉末狀的乾冰從空氣吹出口62a噴射，將附著在晶片D背面的異物除去洗淨，被除去的異物是從空氣吸入口62b被吸引朝集塵單元67被排出(第23圖)。 　　[0118] 步驟S2L：控制裝置7是將黏著頭41上昇從第五噴嘴62B將晶片D移動(上昇)。 　　[0119] 步驟S2M：控制裝置7是將黏著頭41朝黏著載台上移動。 　　[0120] 步驟S2N：控制裝置7，是將從中間載台31B由黏著頭41的夾頭42所拾取的晶片D搭載在黏著載台上的基板P上。 　　[0121] 步驟S2D：控制裝置7是將轉移頭81下降將夾頭82進入洗淨裝置6B的第五噴嘴62B的洗淨空間62c。 　　[0122] 步驟S2E：控制裝置7，是與步驟S6同樣地，將粉末狀的乾冰從空氣吹出口62a噴射，將附著在夾頭82的下面(吸附面)的異物除去洗淨，被除去的異物是從空氣吸入口62b被吸引朝集塵單元67被排出(第24圖)。 　　[0123] 步驟S2F：控制裝置7是將轉移頭81上昇。 　　[0124] 步驟S2G：控制裝置7是將轉移頭81朝轉移頭收授位置移動。 　　[0125] 步驟S2O：控制裝置7是將黏著頭41朝洗淨裝置6B的第五噴嘴62B上移動。 　　[0126] 步驟S2P：控制裝置7是將黏著頭41的夾頭42下降並進入第五噴嘴62B的洗淨空間62c。 　　[0127] 步驟S2H：控制裝置7，是與步驟S6同樣地，將粉末狀的乾冰從空氣吹出口62a噴射，將附著在夾頭42的下面(吸附面)的異物除去洗淨，被除去的異物是從空氣吸入口62b被吸引朝集塵單元67被排出(第25圖)。 　　[0128] 步驟S2Q：控制裝置7是將黏著頭41上昇地移動退避。 　　[0129] 又，步驟S21之前的動作，是與實施例1的步驟S1之前的動作同樣。且，步驟S2N之後的基板P的取出搬出動作是與實施例1同樣。 　　[0130] 實施例3的倒裝晶片黏著機，是在中間載台設置洗淨裝置功能。中間載台是設置：進行粉末狀的乾冰的吹出、吸引的噴嘴、及進一步可以在其上部載置晶片的擋板。將擋板關閉在擋板上設置晶片。其後，由黏著頭將晶片收取，將中間載台的擋板打開，將被拾取且被保持在黏著頭的夾頭的晶片的背面由乾冰洗淨功能洗淨。在黏著頭移動時由乾冰洗淨功能將轉移頭的夾頭的吸附面洗淨。其後，也可以進行結束黏著的黏著頭的夾頭的吸附面的洗淨。 　　[0131] 依據實施例3的話，可以由1個乾冰洗淨功能，將晶片的表面、轉移頭的夾頭的吸附面及黏結頭的夾頭的吸附面洗淨。由此，可以防止異物的積蓄，進一步可以減少晶圓表面的異物附著風險。 　　[0132] ＜變形例3＞ 　　接著，對於在實施例3的變形例(變形例3)的倒裝晶片黏著機所實施的黏著方法(半導體裝置的製造方法)使用第22～25、29、30圖說明。第29、30圖是顯示由第19圖的倒裝晶片黏著機所實施的變形例3的黏著方法的流程圖。 　　[0133] 變形例3的黏著方法，雖是與實施例3的黏著方法的步驟S21～S25同樣，但是其他的步驟是不同。第29圖的流程圖的端子E、F是與第26圖的端子E、F連接。第29圖的端子M～O是與第30圖的端子M～O連接。變形例3的黏著方法的步驟S24之後的步驟如以下說明。 　　[0134] 步驟S36：控制裝置7是將轉移頭81朝中間載台31B的上方移動。 　　[0135] 步驟S37：控制裝置7是將轉移頭81下降將藉由夾頭82保持的晶片D進入洗淨裝置6B的第五噴嘴62B的洗淨空間62c。 　　[0136] 步驟S38：控制裝置7，是與步驟S6同樣地，將粉末狀的乾冰從空氣吹出口62a噴射，將附著在晶片D背面的異物除去洗淨，被除去的異物是從空氣吸入口62b被吸引朝集塵單元67被排出(第23圖)。 　　[0137] 步驟S39：控制裝置7是將轉移頭81上昇從第五噴嘴62B將晶片D移動(上昇)。 　　[0138] 步驟S3A：步驟S39之後，控制裝置7是將洗淨裝置6B的第五噴嘴62B的擋板SS關閉。 　　[0139] 步驟S3B：步驟S3A之後或是並行，控制裝置7是將轉移頭81下降。 　　[0140] 步驟S3C：控制裝置7是將保持在轉移頭81的晶片D載置在中間載台31B。 　　[0141] 步驟S3D：控制裝置7是將轉移頭81上昇從晶片D將夾頭22上昇(第22圖)，將轉移頭81從中間載台31B的上方移動退避。 　　[0142] 步驟S3K：步驟3D之後，控制裝置7是將黏著頭41下降，將中間載台31B上的晶片D拾取。此時，轉移頭81被移動退避。 　　[0143] 步驟S3L：控制裝置7是將黏著頭41上昇。 　　[0144] 步驟S3E：步驟3K之後，控制裝置7是將洗淨裝置6B的第五噴嘴62B的擋板SS打開。 　　[0145] 步驟S3M：控制裝置7是將黏著頭41朝黏著載台上移動。 　　[0146] 步驟S3N：控制裝置7，是將從中間載台31B由黏著頭41的夾頭42所拾取的晶片D搭載在黏著載台上的基板P上。 　　[0147] 步驟S3F：控制裝置7是將轉移頭81下降將夾頭82進入洗淨裝置6B的第五噴嘴62B的洗淨空間62c。 　　[0148] 步驟S3G：控制裝置7，是與步驟S6同樣地，將粉末狀的乾冰從空氣吹出口62a噴射，將附著在夾頭82的下面(吸附面)的異物除去洗淨，被除去的異物是從空氣吸入口62b被吸引朝集塵單元67被排出(第24圖)。 　　[0149] 步驟S3H：控制裝置7是將轉移頭81上昇。 　　[0150] 步驟S3J：控制裝置7是將轉移頭81朝轉移頭收授位置移動。 　　[0151] 步驟S3O：控制裝置7是將黏著頭41朝洗淨裝置6B的第五噴嘴62B上移動。 　　[0152] 步驟S3P：控制裝置7是將黏著頭41的夾頭42下降並進入第五噴嘴62B的洗淨空間62c。 　　[0153] 步驟S3I：控制裝置7，是與步驟S6同樣地，將粉末狀的乾冰從空氣吹出口62a噴射，將附著在夾頭42的下面(吸附面)的異物除去洗淨，被除去的異物是從空氣吸入口62b被吸引朝集塵單元67被排出(第25圖)。 　　[0154] 步驟S3Q：控制裝置7是將黏著頭41上昇地移動退避。 　　[0155] 又，步驟S21之前的動作，是與實施例1的步驟S1之前的動作同樣。且，步驟S3N之後的基板P的取出搬出動作是與實施例1同樣。 　　[0156] 變形例3的倒裝晶片黏著機，是在中間載台設置洗淨裝置功能。中間載台是設置：進行粉末狀的乾冰的吹出、吸引的噴嘴、及進一步可以在其上部載置晶片的擋板。將中間載台的擋板打開，將被拾取且被保持在轉移頭的夾頭的晶片的表面由乾冰洗淨功能洗淨後，將擋板關閉在擋板上設置晶片。其後，由黏著頭將晶片收取，在移動時將擋板再度打開由乾冰洗淨功能將轉移頭的夾頭的吸附面洗淨。其後，也可以進行結束黏著的黏著頭的夾頭的吸附面的洗淨。 [實施例4] 　　[0157] 第31圖是顯示實施例4的倒裝晶片黏著機的概略的俯視圖。第32圖是說明在第31圖從箭頭A方向所見時拾取倒裝頭、轉移頭及黏著頭的動作的圖。 　　[0158] 倒裝晶片黏著機10C，是大致具有：晶片供給部1、及拾取部2C、中間載台部3C、及黏著部4A、及搬運部5、洗淨裝置6C、及基板供給部9K、及基板搬出部9H、及將各部的動作監視控制的控制裝置7。 　　[0159] 拾取部2C，是除了拾取部2A的構成以外，具有將晶片D的背面及夾頭22的上面(吸附面)辨認用的載台辨認照相機24。 　　[0160] 中間載台部3C，是具有：將晶片D暫時地載置的中間載台31、及將中間載台31辨認的載台辨認照相機32、及將晶片D的背面及夾頭22的下面(吸附面)辨認用的下視照相機33。 　　[0161] 洗淨裝置6C是可將被載置於中間載台31上的晶片D的背面及中間載台31的表面從上方洗淨，可將被保持在拾取倒裝頭21A的夾頭22的晶片D的背面及夾頭22的下面(吸附面)從上方洗淨。且，洗淨裝置6C是可將被保持在轉移頭81的夾頭82的晶片D的表面及夾頭82的下面(吸附面)從下方洗淨，可將被保持在黏著頭41的夾頭42的晶片D的表面及夾頭42的下面(吸附面)從下方洗淨。 　　[0162] 接著，對於實施例4的洗淨裝置使用第33圖說明。第33圖是洗淨裝置的方塊圖。 　　[0163] 洗淨裝置6C，是具備：第一噴嘴61、及第二噴嘴62、及第三噴嘴61A、及第四噴嘴62C、及供給液體的二氧化碳的二氧化碳供給源63、及供給被壓縮的空氣(加壓氣體)的空氣供給源64、及將由液體的二氧化碳及壓縮空氣混合生成的粉末狀的乾冰供給至第一噴嘴61、第二噴嘴62、第三噴嘴61A及第四噴嘴62C的供給配管65a～65d、65g、65h。洗淨裝置6C，是進一步具備：將由第一噴嘴61、第二噴嘴62、第三噴嘴61A及第四噴嘴62C從晶片被除去的異物搬運的排出配管66a～66e、及將異物回收的集塵單元67、及設於供給配管之間及排出配管之間的閥68a～68j、及離子發生器69。 　　[0164] 第四噴嘴62C是由與第二噴嘴62同樣的構成同樣的動作進行洗淨。 　　[0165] 接著，使用第35～38圖說明在實施例4的倒裝晶片黏著機所實施的黏著方法(半導體裝置的製造方法)。第34圖是第四噴嘴的晶片洗淨時的剖面圖。第35圖是第四噴嘴的轉移頭的夾頭洗淨時的剖面圖。第36～38圖是顯示由實施例4的倒裝晶片黏著機所實施的黏著方法的流程圖。第36圖的流程圖的端子E、F是與第37圖的端子E、F連接。第37圖的端子A、B是與第38圖的端子A、B連接。 　　[0166] 步驟S51：控制裝置7，是與步驟S1同樣地，藉由拾取倒裝頭21A將晶片D拾取。 　　[0167] 步驟S52：控制裝置7，是與步驟S2同樣地，將拾取倒裝頭21A移動。 　　[0168] 步驟S53：控制裝置7，是與步驟S3同樣地，將拾取倒裝頭21A旋轉180度，將晶片D的隆起(表面)反轉朝向下面，將晶片D成為朝轉移頭81傳送的姿勢。 　　[0169] 步驟S54：步驟S53之後或是並行，控制裝置7是將第一噴嘴61的洗淨空間61c拾取倒裝頭21A的夾頭22朝保持的晶片D上移動下降。 　　[0170] 步驟S55：控制裝置7，是與步驟S5同樣地，將乾冰從空氣吹出口61a噴射將附著在晶片D的背面的異物除去。被除去的異物是從空氣吸入口61b被吸引透過排出配管66a等朝集塵單元67被排出。 　　[0171] 步驟S56：控制裝置7是將第一噴嘴61的洗淨空間61c上昇，從拾取頭21的夾頭22所保持的晶片D上移動。 　　[0172] 步驟S57：控制裝置7，是與步驟S7同樣地，從拾取倒裝頭21A的夾頭22藉由轉移頭81的夾頭82將晶片D拾取，進行晶片D的收授。 　　[0173] 步驟S58：步驟S57之後，控制裝置7是將第一噴嘴61的洗淨空間61c朝拾取倒裝頭21A的夾頭22上移動下降。 　　[0174] 步驟S59：控制裝置7，是與步驟S5同樣地，將乾冰從空氣吹出口61a噴射將附著在夾頭22的吸附面的表面的異物除去。被除去的異物是從空氣吸入口61b被吸引透過排出配管66a等朝集塵單元67被排出。 　　[0175] 步驟S5A：控制裝置7是將第一噴嘴61的洗淨空間61c上昇，從拾取倒裝頭21A的夾頭22上移動。 　　[0176] 步驟S5B：控制裝置7，是將拾取倒裝頭21A反轉，將夾頭22的吸附面朝向下。 　　[0177] 步驟S42：步驟57之後，控制裝置7是將轉移頭81朝中間載台31移動。 　　[0178] 步驟S43：控制裝置7是將保持在轉移頭81的晶片D載置在中間載台31。 　　[0179] 步驟S44：步驟4C之後，控制裝置7是將第三噴嘴61A的洗淨空間61c朝被載置在中間載台31的晶片D上移動(下降)。 　　[0180] 步驟S45：控制裝置7，是與步驟S3同樣地，將粉末狀的乾冰從空氣吹出口61a噴射，將附著在晶片D表面的異物除去洗淨，被除去的異物是從空氣吸入口61b被吸引朝集塵單元67被排出(第14圖)。 　　[0181] 步驟S46：控制裝置7，是如第15圖所示，將第三噴嘴61A從中間載台31移動(上昇)。 　　[0182] 步驟S47：控制裝置7是從中間載台31藉由黏著頭41的夾頭將晶片D拾取。 　　[0183] 步驟S48：控制裝置7是藉由載台辨認照相機32來判斷中間載台31是否需要洗淨。YES的情況時朝步驟S49移動，NO的情況時返回至步驟43。 　　[0184] 步驟S49：控制裝置7是將第三噴嘴61A的洗淨空間61c朝中間載台31上移動(下降)。 　　[0185] 步驟S4A：控制裝置7，是與步驟S15同樣地，將乾冰從空氣吹出口61a噴射將附著在中間載台31的表面的異物除去洗淨，被除去的異物是從空氣吸入口61b被吸引朝集塵單元67被排出(第14圖)。 　　[0186] 步驟S4B：控制裝置7是將第三噴嘴61A從中間載台31移動(上昇)。 　　[0187] 步驟S4C：控制裝置7是將轉移頭81朝下視照相機33的上方移動，將夾頭82的下面(吸附面)攝像。 　　[0188] 步驟S4D：控制裝置7是從夾頭22的下面(吸附面)的攝像畫像來判斷是否需要洗淨。YES的情況時朝步驟S4E移動，NO的情況時返回至步驟S41。 　　[0189] 步驟S4E：控制裝置7是將轉移頭81朝洗淨裝置的上方移動下降，將夾頭82進入第四噴嘴62C的洗淨空間62c。 　　[0190] 步驟S4F：控制裝置7，是與步驟S6同樣地，將粉末狀的乾冰從空氣吹出口62a噴射，將附著在夾頭82的吸附面的異物除去洗淨，被除去的異物是從空氣吸入口62b被吸引朝集塵單元67被排出(第34圖)。 　　[0191] 步驟S4G：控制裝置7是將黏著頭41朝下視照相機45的上方移動，將被保持於黏著頭41的夾頭42的晶片D的下面(表面)攝像。 　　[0192] 步驟S4H：控制裝置7是從被保持於黏著頭41的夾頭42的晶片D的下面(表面)的攝像畫像判斷是否需要洗淨。YES的情況時朝步驟S4I移動，NO的情況時朝步驟S4K移動。 　　[0193] 步驟S4I：控制裝置7是將黏著頭41朝洗淨裝置的上方移動下降，將晶片D進入第二噴嘴62的洗淨空間62c。 　　[0194] 步驟S4J：控制裝置7，是與步驟S6同樣地，將粉末狀的乾冰從空氣吹出口62a噴射，將附著在晶片D表面的異物除去洗淨，被除去的異物是從空氣吸入口62b被吸引朝集塵單元67被排出。 　　[0195] 步驟S4K：控制裝置7是將黏著頭41上昇並從第二噴嘴62將晶片D移動(上昇)，將黏著頭41朝黏著載台移動。 　　[0196] 步驟S4L：控制裝置7是將黏著頭41下降，將保持在黏著頭41的晶片D搭載在基板P上 　　步驟S4M：控制裝置7是將黏著頭41朝下視照相機45的上方移動，將夾頭42的下面(吸附面)攝像。 　　[0197] 步驟S4N：控制裝置7是從黏著頭41的夾頭42的下面(吸附面)的攝像畫像判斷是否需要洗淨。YES的情況時朝步驟S4O移動，NO的情況時朝步驟S47移動。 　　[0198] 步驟S4O：控制裝置7是將黏著頭41朝洗淨裝置的上方移動下降，將夾頭42進入第二噴嘴62的洗淨空間。 　　[0199] 步驟S4P：控制裝置7，是與步驟S6同樣地，將粉末狀的乾冰從空氣吹出口62a噴射，將附著在夾頭42的下面(吸附面)的異物除去洗淨，被除去的異物是從空氣吸入口62b被吸引朝集塵單元67被排出。 　　[0200] 又，步驟S51之前的動作，是與實施例1的步驟S1之前的動作同樣。且，步驟S4L之後的基板P的取出搬出動作是與實施例1同樣。 　　[0201] 依據實施例4的話，藉由洗淨：從晶圓將晶片拾取時發生的晶片表面及背面異物、藉此積蓄的中間載台上異物、在晶片搬運中附著在夾頭的拾取頭、及黏著頭的雙方，就可以將進行層疊黏著的晶片的表面、背面的異物大幅地減少。 　　[0202] ＜變形例4＞ 　　接著，使用第34、35、39～41圖說明在實施例4的變形例(變形例4)的倒裝晶片黏著機所實施的黏著方法(半導體裝置的製造方法)。第39～41圖是顯示在第31圖的倒裝晶片黏著機所實施的變形例4的黏著方法的流程圖。 　　[0203] 變形例4的黏著方法，雖與實施例4的黏著方法的步驟S51～S54同樣，但是其他的步驟是不同。第39圖的流程圖的端子E、F是與第36圖的端子E、F連接，第39圖的端子G、H是與第40圖的G、H連接，第40圖的端子C、D是與第41圖的C、D連接。 　　[0204] 變形例4的黏著方法的步驟S57之後的步驟如以下說明。 　　[0205] 步驟S61：控制裝置7是將轉移頭81朝洗淨裝置6C的第四噴嘴62C的上方移動。 　　[0206] 步驟S62：控制裝置7是將轉移頭81下降將藉由夾頭82保持的晶片D進入洗淨裝置6C的第四噴嘴62C的洗淨空間62c。 　　[0207] 步驟S63：控制裝置7，是與步驟S6同樣地，將粉末狀的乾冰從空氣吹出口62a噴射，將附著在晶片D表面的異物除去洗淨，被除去的異物是從空氣吸入口62b被吸引朝集塵單元67被排出(第33圖)。 　　[0208] 步驟S64：控制裝置7是將轉移頭81上昇從第四噴嘴62C將晶片D移動(上昇)。 　　[0209] 步驟S65：控制裝置7是將轉移頭81朝中間載台31的上方移動。 　　[0210] 步驟S66：控制裝置7是將轉移頭81下降。 　　[0211] 步驟S67：控制裝置7是將保持在轉移頭81的晶片D載置在中間載台31。 　　[0212] 步驟S68：控制裝置7是將轉移頭81上昇並從晶片D將夾頭22上昇。 　　[0213] 步驟S69：控制裝置7是將轉移頭81朝洗淨裝置6C的第四噴嘴62C的上方移動。 　　[0214] 步驟S6A：控制裝置7是將轉移頭81下降將夾頭82進入洗淨裝置6C的第四噴嘴62C的洗淨空間62c。 　　[0215] 步驟S6B：控制裝置7，是與步驟S6同樣地，將粉末狀的乾冰從空氣吹出口62a噴射，將附著在夾頭的吸附面的異物除去洗淨，被除去的異物是從空氣吸入口62b被吸引朝集塵單元67被排出(第33圖)。 　　[0216] 步驟S6C：控制裝置7是將轉移頭81上昇並從第四噴嘴62C將晶片D移動(上昇)。 　　[0217] 步驟S6D：控制裝置7是將轉移頭81朝晶片D的收授位置移動。 　　[0218] 步驟S68之後，進行第40圖的步驟S44以下的步驟。變形例4的步驟S44～S4B是與實施例4的步驟S44～S4B同樣。且，第40圖的步驟47之後，進行第41圖的步驟S4K以下的步驟。變形例4的步驟S4K～S4P是與實施例4的步驟S4K～S4P同樣。 　　[0219] 以上雖具體說明了本發明人所發明的實施形態、實施例及變形例，但是本發明，不限定於上述實施例及變形例，當然可進行各種變更。 　　[0220] 例如，在實施例及變形例中，洗淨裝置雖說明了將液體的二氧化碳及壓縮空氣混合生成的粉末狀的乾冰，但是不限定於此，由造粒機從液體的二氧化碳形成顆粒狀的乾冰、由粉碎機從此顆粒狀的乾冰形成粉碎狀的乾冰(粒碎狀的乾冰)、將粉碎狀的乾冰由規定的壓力的載送氣體供給至噴嘴也可以。 　　[0221] 且在實施例及變形例中雖說明了由將晶片整體覆蓋的噴嘴覆蓋洗淨，但是不限定於此，由晶片寬度的橫長噴嘴掃描晶片長度地洗淨也可以。且，由複數細的噴嘴將晶片整體覆蓋地洗淨也可以。且，細的噴嘴是將晶片整體掃描洗淨也可以。 　　[0222] 且在實施例1、2、4中，雖說明了洗淨裝置是具備複數噴嘴，但是不限定於此，設置複數具備1個噴嘴的洗淨裝置也可以。 　　[0223] 且在實施例4及變形例4中雖說明了在洗淨前由下視照相機判斷是否需要洗淨才進行洗淨，但是不限定於此，由洗淨裝置在黏著前將已被洗淨的晶片的背面由下視照相機確認，規定的異物數量以上的情況，再度實施清淨之後進行黏著也可以。且，由下視照相機確認晶片的背面，直到異物不見為止進行洗淨也可以。且，由下視照相機確認夾頭，直到異物不見為止進行洗淨也可以。由此，因為不會將具有異物的晶片層疊貼裝，所以可以減少製品不良。 　　[0224] 且在實施例4及變形例4中在拾取倒裝頭的夾頭的洗淨之前由照相機判斷是否需要洗淨，判斷為需要洗淨時才洗淨也可以。 　　[0225] 且在實施例4及變形例4中未將被保持於拾取倒裝頭的夾頭的晶片D的背面洗淨，而是由第一噴嘴洗淨也可以。此情況，由照相機判斷是否需要洗淨才洗淨也可以。 　　[0226] 且在實施例4及變形例4中雖將晶片的背面由第一噴嘴及第三噴嘴進行2次洗淨，但是只由其中任一方洗淨也可以，第一噴嘴中的洗淨後，判斷需要洗淨的情況時才由第三噴嘴洗淨也可以。 　　[0227] 且實施例1、變形例1、變形例2、實施例2、實施例3及變形例3，雖是與實施例4及變形例4相異，不由基板辨認照相機和下視照相機進行攝像，但是與實施例4及變形例4同樣地進行攝像，依據攝像資訊，判斷是否需要洗淨也可以。 　　[0228] 且在實施例及變形例中，雖說明了通過靜電對策、離子發生器將乾冰吹出，但是不限定於此，將噴嘴和中間載台由導電性材(金屬、碳樹脂等)構成，進行接地也可以。進行離子發生器及接地的導電性材料的雙方也可以。 　　[0229] 且在實施例1及變形例1、2中，雖說明了從晶片供給部將晶片由拾取頭拾取並倒裝(反轉)將晶片朝黏著頭收授由黏著頭黏著在基板的倒裝晶片黏著機，但是不限定於此，從晶片供給部將晶片由拾取頭拾取，載置在中間載台，將被載置於中間載台的晶片由中間載台反轉朝別的中間載台收授，由黏著頭拾取並黏著在基板也可以。 　　[0230] 且將已倒裝的晶片黏結的黏著頭，是黏著時間及洗淨時間變長的情況時，設置複數黏著頭交互地實施：晶片洗淨、黏著及夾頭洗淨也可以。 　　[0231] 且在實施例及變形例中，雖說明了倒裝晶片黏著機，但是不限定於此，可適用從晶片供給部將晶片拾取反轉並載置在托盤等的晶片分揀機。
[0232]
1‧‧‧晶片供給部
11‧‧‧晶圓
12‧‧‧晶圓保持台
13‧‧‧頂起單元
14‧‧‧晶片環
15‧‧‧擴展環
16‧‧‧切割膠帶
17‧‧‧支撐環
2‧‧‧拾取部
2A‧‧‧拾取部
2C‧‧‧拾取部
21‧‧‧拾取頭
21A‧‧‧拾取倒裝頭
22‧‧‧夾頭
23‧‧‧Y驅動部
23A‧‧‧Y驅動部
24‧‧‧載台辨認照相機
3‧‧‧中間載台部
3B‧‧‧中間載台部
3C‧‧‧中間載台部
31‧‧‧中間載台
31B‧‧‧中間載台
32‧‧‧載台辨認照相機
33‧‧‧下視照相機
4‧‧‧黏著部
4A‧‧‧黏著部
41‧‧‧黏著頭
42‧‧‧夾頭
43‧‧‧Y驅動部
44‧‧‧基板辨認照相機
45‧‧‧下視照相機
5‧‧‧搬運部
51‧‧‧基板搬運托盤
52‧‧‧托盤軌道
6‧‧‧洗淨裝置
6A‧‧‧洗淨裝置
6B‧‧‧洗淨裝置
6C‧‧‧洗淨裝置
61‧‧‧第一噴嘴
61a‧‧‧空氣吹出口
61b‧‧‧空氣吸入口
61c‧‧‧洗淨空間
62‧‧‧第二噴嘴
62a‧‧‧空氣吹出口
62b‧‧‧空氣吸入口
62B‧‧‧第五噴嘴
62c‧‧‧洗淨空間
62C‧‧‧第四噴嘴
63‧‧‧二氧化碳供給源
64‧‧‧空氣供給源
65a～65h‧‧‧供給配管
66a～66e‧‧‧排出配管
67‧‧‧集塵單元
68a～68j‧‧‧閥
69‧‧‧離子發生器
7‧‧‧控制裝置
8‧‧‧轉移部
81‧‧‧轉移頭
82‧‧‧夾頭
83‧‧‧Y驅動部
9H‧‧‧基板搬出部
9K‧‧‧基板供給部
10‧‧‧倒裝晶片黏著機
10A‧‧‧倒裝晶片黏著機
10B‧‧‧倒裝晶片黏著機
10C‧‧‧倒裝晶片黏著機
D‧‧‧晶片
P‧‧‧基板
SS‧‧‧擋板
[0008] 　　[第1圖] 將實施例1的倒裝晶片黏著機從上方所見的概念圖。 　　[第2圖] 說明在第1圖從箭頭A方向所見時拾取頭及黏著頭的動作的圖。 　　[第3圖] 顯示第1圖的晶片供給部的主要部分的概略剖面圖。 　　[第4圖] 第1圖的洗淨裝置的方塊圖。 　　[第5圖] 第4圖的第一噴嘴及其周邊的剖面圖。 　　[第6圖] 第4圖的第二噴嘴及其周邊的剖面圖。 　　[第7圖] 第1圖的倒裝晶片黏著機的動作流程圖。 　　[第8圖] 第1圖的倒裝晶片黏著機的變形例1的動作流程圖 　　[第9圖] 第1圖的倒裝晶片黏著機的變形例1的動作流程圖。 　　[第10圖] 第1圖的倒裝晶片黏著機的變形例2的動作流程圖。 　　[第11圖] 將實施例2的倒裝晶片黏著機從上方所見的概念圖。 　　[第12圖] 說明在第11圖從箭頭A方向所見時拾取頭及黏著頭的動作的圖。 　　[第13圖] 第11圖的洗淨裝置的方塊圖。 　　[第14圖] 第13圖的第三噴嘴及其周邊的剖面圖。 　　[第15圖] 第13圖的第三噴嘴及其周邊的剖面圖。 　　[第16圖] 第13圖的第三噴嘴及其周邊的剖面圖。 　　[第17圖] 第11圖的倒裝晶片黏著機的動作流程圖。 　　[第18圖] 第11圖的倒裝晶片黏著機的動作流程圖。 　　[第19圖] 將實施例3的倒裝晶片黏著機從上方所見的概念圖。 　　[第20圖] 說明在第19圖從箭頭A方向所見時拾取頭及黏著頭的動作的圖。 　　[第21圖] 第19圖的洗淨裝置的方塊圖。 　　[第22圖] 第21圖的第五噴嘴及其周邊的剖面圖。 　　[第23圖] 第21圖的第五噴嘴及其周邊的剖面圖。 　　[第24圖] 第21圖的第五噴嘴及其周邊的剖面圖。 　　[第25圖] 第21圖的第五噴嘴及其周邊的剖面圖。 　　[第26圖] 第19圖的倒裝晶片黏著機的動作流程圖。 　　[第27圖] 第19圖的倒裝晶片黏著機的動作流程圖。 　　[第28圖] 第19圖的倒裝晶片黏著機的動作流程圖。 　　[第29圖] 第19圖的倒裝晶片黏著機的變形例3的動作流程圖。 　　[第30圖] 第19圖的倒裝晶片黏著機的變形例3的動作流程圖。 　　[第31圖] 將實施例4的倒裝晶片黏著機從上方所見的概念圖。 　　[第32圖] 說明在第31圖從箭頭A方向所見時拾取頭及黏著頭的動作的圖。 　　[第33圖] 第31圖的洗淨裝置的方塊圖。 　　[第34圖] 第33圖的第四噴嘴及其周邊的剖面圖。 　　[第35圖] 第33圖的第四噴嘴及其周邊的剖面圖。 　　[第36圖] 第31圖的倒裝晶片黏著機的動作流程圖。 　　[第37圖] 第31圖的倒裝晶片黏著機的動作流程圖。 　　[第38圖] 第31圖的倒裝晶片黏著機的動作流程圖。 　　[第39圖] 第31圖的倒裝晶片黏著機的變形例4的動作流程圖。 　　[第40圖] 第31圖的倒裝晶片黏著機的變形例4的動作流程圖。 　　[第41圖] 第31圖的倒裝晶片黏著機的變形例4的動作流程圖。

Claims (30)

  1. 一種倒裝晶片黏著機，是具備：將具有隆起的晶片保持的晶片供給部、及將前述晶片載置在基板或是已被貼裝的晶片上用的黏著載台、及具有將前述晶片吸附的夾頭的第一頭、及具有將前述晶片吸附的夾頭的第二頭、及將位於前述晶片供給部及前述黏著載台之間的前述晶片以乾冰洗淨的洗淨裝置，前述第一頭是從前述晶片供給部將前述晶片拾取並上下反轉，前述第二頭是從前述第一頭將前述晶片拾取，前述洗淨裝置是具有將前述乾冰吹出的第一噴嘴，前述第一噴嘴是將前述第一頭所拾取的前述晶片的與具有前述隆起的面相反的背面洗淨。
  2. 如申請專利範圍第1的倒裝晶片黏著機，其中，前述洗淨裝置是具有將前述乾冰吹出的第二噴嘴，前述第二噴嘴是將前述第二頭從前述第一頭所拾取的前述晶片的具有前述隆起的表面洗淨。
  3. 如申請專利範圍第1項的倒裝晶片黏著機，其中，前述第一噴嘴是將前述第一頭的夾頭洗淨。
  4. 如申請專利範圍第2項的倒裝晶片黏著機，其中，前述第二噴嘴是將前述第二頭的夾頭洗淨。
  5. 如申請專利範圍第1項的倒裝晶片黏著機，其中，前述第二頭是將前述晶片載置在前述基板或是已被貼裝的晶片上的黏著頭。
  6. 一種倒裝晶片黏著機，是具備：將具有隆起的晶片保持的晶片供給部、及將前述晶片載置在基板或是已被貼裝的晶片上用的黏著載台、及具有將前述晶片吸附的夾頭的第一頭、及具有將前述晶片吸附的夾頭的第二頭、及將位於前述晶片供給部及前述黏著載台之間的前述晶片以乾冰洗淨的洗淨裝置，藉由前述第二頭使前述晶片被載置的中間載台、及具有將前述晶片吸附的夾頭的第三頭，前述第一頭是從前述晶片供給部將前述晶片拾取並上下反轉，前述第二頭是從前述第一頭將前述晶片拾取，前述第三頭是從前述中間載台將前述晶片拾取並載置在前述基板或是已被貼裝的晶片上，前述洗淨裝置是具有將乾冰吹出的第三噴嘴，前述第三噴嘴是將被載置於前述中間載台的前述晶片的具有前述隆起的面相反的背面洗淨。
  7. 如申請專利範圍第6項的倒裝晶片黏著機，其中，前述洗淨裝置，是進一步具有將乾冰吹出的第二噴嘴，前述第二噴嘴是將前述第三頭從前述中間載台所拾取的前述晶片的具有前述隆起的表面洗淨。
  8. 如申請專利範圍第6或7項的倒裝晶片黏著機，其中，前述第三噴嘴是將前述中間載台的上面洗淨。
  9. 如申請專利範圍第7項的倒裝晶片黏著機，其中，前述第二噴嘴是將前述第三頭的夾頭洗淨。
  10. 如申請專利範圍第6項的倒裝晶片黏著機，其中，前述中間載台，是朝：從前述第二頭將前述晶片收授的位置、及前述第三噴嘴的位置、及將前述第三頭及前述晶片收授的位置，可移動。
  11. 如申請專利範圍第6項的倒裝晶片黏著機，其中，將前述中間載台複數設置，在移動中各別由不干涉的路徑朝：從前述第一頭將前述晶片收授的位置、及前述第三噴嘴的位置、及將前述第三頭及前述晶片收授的位置，可移動。
  12. 如申請專利範圍第8項的倒裝晶片黏著機，其中，進一步，具備將被載置於前述中間載台的前述晶片的背面及前述中間載台攝像的載台辨認照相機，前述第三噴嘴，是依據前述載台辨認照相機的攝像資訊，將被載置於前述中間載台的前述晶片背面及前述中間載台洗淨。
  13. 如申請專利範圍第9項的倒裝晶片黏著機，其中，進一步，具備將被保持在前述第三頭的前述晶片的表面及前述第三頭的夾頭攝像的第一下視照相機，前述第二噴嘴，是依據前述第一下視照相機的攝像資訊，將被保持在前述第三頭的前述晶片的表面及前述第三頭的夾頭洗淨。
  14. 如申請專利範圍第7項的倒裝晶片黏著機，其中，前述洗淨裝置，是進一步，具有將乾冰吹出的第四噴嘴，前述第四噴嘴是將由前述第二頭將前述晶片從前述第一頭拾取的前述晶片的表面洗淨。
  15. 如申請專利範圍第7項的倒裝晶片黏著機，其中，前述洗淨裝置，是進一步，具有將乾冰吹出的第四噴嘴，前述第四噴嘴是將前述第二頭的夾頭洗淨。
  16. 如申請專利範圍第15項的倒裝晶片黏著機，其中，進一步，具備將前述第二頭的夾頭攝像的第二下視照相機，前述第四噴嘴，是依據前述第二下視照相機的攝像資訊，將前述第二頭的夾頭洗淨。
  17. 如申請專利範圍第13或16項的倒裝晶片黏著機，其中，前述洗淨裝置，是進一步具備將乾冰吹出的第一噴嘴及第二噴嘴，前述第一噴嘴是將前述第一頭所拾取的前述晶片的背面及前述第一頭的夾頭洗淨。
  18. 如申請專利範圍第17項的倒裝晶片黏著機，其中，進一步，具備將前述第一頭的夾頭及前述第一頭所保持的晶片的背面攝像的第二載台辨認照相機，前述第一噴嘴，是依據前述第二載台辨認照相機的攝像資訊，將前述第一頭的夾頭及前述第一頭所保持的晶片的背面洗淨。
  19. 一種倒裝晶片黏著機，是具備：將具有隆起的晶片保持的晶片供給部、及將前述晶片載置在基板或是已被貼裝的晶片上用的黏著載台、及具有將前述晶片吸附的夾頭的第一頭、及具有將前述晶片吸附的夾頭的第二頭、及將位於前述晶片供給部及前述黏著載台之間的前述晶片以乾冰洗淨的洗淨裝置，藉由前述第二頭使前述晶片被載置的中間載台、及從前述中間載台將前述晶片拾取並載置在前述基板或是已被貼裝的晶片上用的第三頭，前述第一頭是從前述晶片供給部將前述晶片拾取並上下反轉，前述第二頭是從前述第一頭將前述晶片拾取，前述第三頭是具有將前述晶片吸附的夾頭，前述洗淨裝置是具有將乾冰吹出的第五噴嘴，前述中間載台是具備在前述第五噴嘴上可開閉的載台，前述載台關閉時前述晶片是被載置在該載台，前述載台打開時前述第五噴嘴是將：被保持於前述第二頭的前述晶片的具有前述隆起的表面、前述晶片已被去除的前述第二頭的夾頭、前述第三頭從前述中間載台所拾取的前述晶片的表面及前述第三頭的夾頭洗淨。
  20. 一種半導體裝置的製造方法，是具備：(a)準備將具有隆起的晶片保持的晶片環的過程、及(b)準備將前述晶片貼裝的基板的過程、及(c)從前述晶片環將前述晶片拾取並上下反轉的過程、及(d)前述(c)過程之後，將前述晶片由乾冰洗淨的過程、及(e)前述(c)過程之後，將前述晶片拾取的過程、及(f)前述(d)過程之後，將前述晶片載置在前述基板或是已被貼裝的晶片上用的過程，其中，前述(c)過程是由具有夾頭的第一頭將前述晶片拾取，前述(e)過程是由具有夾頭的第二頭將前述晶片從第一頭拾取，前述(f)過程，是由前述第二頭將前述晶片載置在前述基板或是已被貼裝的晶片上，其中，前述(d)過程，是具備：(d1)將前述第一頭所拾取的前述晶片的背面洗淨的過程、及(d2)將前述第二頭從前述第一頭所拾取的前述晶片的具有前述隆起的表面洗淨的過程。
  21. 如申請專利範圍第20項的半導體裝置的製造方法，其中，前述(d)過程，是進一步具備：(d3)將前述第一頭的夾頭洗淨的過程。
  22. 一種半導體裝置的製造方法，是具備：(a)準備將具有隆起的晶片保持的晶片環的過程、及(b)準備將前述晶片貼裝的基板的過程、及(c)從前述晶片環將前述晶片拾取並上下反轉的過程、及(d)前述(c)過程之後，將前述晶片由乾冰洗淨的過程、及(e)前述(c)過程之後，將前述晶片拾取的過程、及(f)前述(d)過程之後，將前述晶片載置在前述基板或是已被貼裝的晶片上用的過程，其中，前述(c)過程是由具有夾頭的第一頭將前述晶片拾取，前述(e)過程是由具有夾頭的第二頭將前述晶片從前述第一頭拾取並載置在中間載台，前述(f)過程是由具有夾頭的第三頭將前述晶片從前述中間載台拾取地載置。
  23. 如申請專利範圍第22項的半導體裝置的製造方法，其中，前述(d)過程，是具備：(d1)將被載置於前述中間載台的前述晶片的具有前述隆起的面相反的背面洗淨的過程、及(d2)將前述中間載台的晶片載置面洗淨的過程。
  24. 如申請專利範圍第22項的半導體裝置的製造方法，其中，前述中間載台是具備可開閉的載台，前述(d)過程，是具備：(d1)在將前述載台打開的狀態下將被保持於前述第二頭的前述晶片的具有前述隆起的面相反的背面洗淨的過程、及(d2)在前述載台關閉的狀態下將前述晶片載置在該載台的過程、及(d3)在將前述載台打開的狀態下將前述第二頭的夾頭的吸附面洗淨的過程、及(d4)在將前述載台打開的狀態下將前述第三頭的夾頭的吸附面洗淨的過程。
  25. 如申請專利範圍第23項的半導體裝置的製造方法，其中，前述(d)過程，是進一步具備：(d3)將前述第三頭的夾頭所保持的前述晶片的具有前述隆起的表面洗淨的過程、及(d4)將前述第三頭的夾頭的吸附面洗淨的過程。
  26. 如申請專利範圍第25項的半導體裝置的製造方法，其中，前述(d)過程，是進一步具備：(d5)將前述第二頭的夾頭所保持的前述晶片的表面洗淨的過程、及(d6)將前述第二頭的夾頭的吸附面洗淨的過程。
  27. 如申請專利範圍第26項的半導體裝置的製造方法，其中，前述(d)過程，是進一步具備：(d7)將前述第一頭的夾頭所保持的前述晶片的背面洗淨的過程、及(d8)將前述第一頭的夾頭的吸附面洗淨的過程。
  28. 如申請專利範圍第24項的半導體裝置的製造方法，其中，前述(d)過程，是進一步具備：(d9)將前述中間載台的載置面側攝像的過程、及(d10)將前述第三頭的夾頭的下面側攝像的過程，前述(d2)過程，是依據前述(d9)過程的攝像資訊，將前述中間載台洗淨，前述(d3)過程，是依據前述(d10)過程的攝像資訊，將前述第三頭的夾頭所保持的前述晶片的表面洗淨，前述(d4)過程，是依據前述(d10)過程的攝像資訊，將前述第三頭的夾頭的吸附面洗淨。
  29. 如申請專利範圍第26項的半導體裝置的製造方法，其中，前述(d)過程，是進一步具備：(d11)將前述第二頭的夾頭所保持的前述晶片的表面攝像的過程、及(d12)將前述第二頭的夾頭的吸附面攝像的過程，前述(d5)過程，是依據前述(d11)過程的攝像資訊，將前述第二頭的夾頭所保持的前述晶片的表面洗淨，前述(d6)過程，是依據前述(d12)過程的攝像資訊，將前述第二頭的夾頭洗淨。
  30. 如申請專利範圍第27項的半導體裝置的製造方法，其中，前述(d)過程，是進一步具備：(d13)將前述第一頭的夾頭所保持的前述晶片的背面攝像的過程、及(d14)將前述第一頭的夾頭的吸附面攝像的過程，前述(d7)過程，是依據前述(d13)過程的攝像資訊，將前述第一頭的夾頭所保持的晶片的表面洗淨，前述(d8)過程，是依據前述(d14)過程的攝像資訊，將前述第一頭的夾頭洗淨。
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