KR102050337B1 - 플립 칩 본더 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 과제는 다이를 세정하는 플립 칩 본더를 제공하는 데 있다.
플립 칩 본더는, 범프를 갖는 다이를 보유 지지하는 다이 공급부와, 기판 또는 이미 실장된 다이 상에 상기 다이를 적재하기 위한 본딩 스테이지와, 상기 다이 공급부로부터 상기 다이를 픽업하여 상하 반전시키는 제1 헤드와, 상기 제1 헤드로부터 상기 다이를 픽업하는 제2 헤드와, 상기 다이 공급부와 상기 본딩 스테이지 사이에 위치하는 상기 다이를 드라이아이스로 세정하는 세정 장치를 구비한다.

Description

플립 칩 본더 및 반도체 장치의 제조 방법{FLIP CHIP BONDER AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 개시는 플립 칩 본더에 관한 것으로서, 예를 들어 세정 장치를 구비하는 플립 칩 본더에 적용 가능하다.
일반적으로, 다이라고 불리는 반도체 칩을, 예를 들어, 배선 기판이나 리드 프레임 등(이하, 총칭하여 기판이라고 한다.)의 표면에 탑재하는 다이 본더에 있어서는, 일반적으로, 콜릿 등의 흡착 노즐을 사용하여 다이를 기판 상에 반송하고, 압박력을 부여함과 함께, 접합재를 가열함으로써 본딩을 행한다는 동작(작업)이 반복하여 행하여진다. 또한, 다이 본더 중에는, 픽업한 다이(표면에 범프를 구비하는 다이)를 뒤집어서(플립하여) 기판에 장착하는 플립 칩 본더가 있다.
다이 본더에는, 기판의 표면을 세정하는 것(예를 들어, 일본 특허 공개 제2012-199458호 공보(특허문헌 1))이나 콜릿의 흡착면을 세정하는 것(예를 들어, 일본 특허 공개 제2016-58575호 공보(특허문헌 2))이 있다.
일본 특허 공개 제2012-199458호 공보 일본 특허 공개 제2016-58575호 공보
웨이퍼의 표면에 부착되는 백 그라인딩 테이프나 웨이퍼의 이면에 부착되는 다이싱 테이프로부터의 점착제 잔류가 발생하고, 예를 들어 플립 칩 본더에서는 범프면(다이의 표면)에 점착제 잔류 등이 발생하여 접속 불량으로 될 가능성이 있다. 특허문헌 1 및 특허문헌 2 모두 다이 자체를 세정하는 것은 아니다.
본 개시의 과제는 다이를 세정하는 플립 칩 본더를 제공하는 데 있다.
기타의 과제와 신규 특징은, 본 명세서의 기술 및 첨부 도면으로부터 밝혀질 것이다.
본 개시 중 대표적인 것의 개요를 간단하게 설명하면 하기와 같다.
즉, 플립 칩 본더는, 범프를 갖는 다이를 보유 지지하는 다이 공급부와, 기판 또는 이미 실장된 다이 상에 상기 다이를 적재하기 위한 본딩 스테이지와, 상기 다이 공급부로부터 상기 다이를 픽업하여 상하 반전시키는 제1 헤드와, 상기 제1 헤드로부터 상기 다이를 픽업하는 제2 헤드와, 상기 다이 공급부와 상기 본딩 스테이지 사이에 위치하는 상기 다이를 드라이아이스로 세정하는 세정 장치를 구비한다.
상기 플립 칩 본더에 의하면, 다이를 세정하는 것이 가능하다.
도 1은 실시예 1에 관한 플립 칩 본더를 위에서 본 개념도.
도 2는 도 1에 있어서 화살표 A 방향으로부터 보았을 때에 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면.
도 3은 도 1의 다이 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도.
도 4는 도 1의 세정 장치의 블록도.
도 5는 도 4의 제1 노즐 및 그 주변의 단면도.
도 6은 도 4의 제2 노즐 및 그 주변의 단면도.
도 7은 도 1의 플립 칩 본더의 동작 흐름도.
도 8은 도 1의 플립 칩 본더의 변형예 1에 관한 동작 흐름도.
도 9는 도 1의 플립 칩 본더의 변형예 1에 관한 동작 흐름도.
도 10은 도 1의 플립 칩 본더의 변형예 2에 관한 동작 흐름도.
도 11은 실시예 2에 관한 플립 칩 본더를 위에서 본 개념도.
도 12는 도 11에 있어서 화살표 A 방향으로부터 보았을 때에 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면.
도 13은 도 11의 세정 장치의 블록도.
도 14는 도 13의 제3 노즐 및 그 주변의 단면도.
도 15는 도 13의 제3 노즐 및 그 주변의 단면도.
도 16은 도 13의 제3 노즐 및 그 주변의 단면도.
도 17은 도 11의 플립 칩 본더의 동작 흐름도.
도 18은 도 11의 플립 칩 본더의 동작 흐름도.
도 19는 실시예 3에 관한 플립 칩 본더를 위에서 본 개념도.
도 20은 도 19에 있어서 화살표 A 방향으로부터 보았을 때에 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면.
도 21은 도 19의 세정 장치의 블록도.
도 22는 도 21의 제5 노즐 및 그 주변의 단면도.
도 23은 도 21의 제5 노즐 및 그 주변의 단면도.
도 24는 도 21의 제5 노즐 및 그 주변의 단면도.
도 25는 도 21의 제5 노즐 및 그 주변의 단면도.
도 26은 도 19의 플립 칩 본더의 동작 흐름도.
도 27은 도 19의 플립 칩 본더의 동작 흐름도.
도 28은 도 19의 플립 칩 본더의 동작 흐름도.
도 29는 도 19의 플립 칩 본더의 변형예 3에 관한 동작 흐름도.
도 30은 도 19의 플립 칩 본더의 변형예 3에 관한 동작 흐름도.
도 31은 실시예 4에 관한 플립 칩 본더를 위에서 본 개념도.
도 32는 도 31에 있어서 화살표 A 방향으로부터 보았을 때에 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면.
도 33은 도 31의 세정 장치의 블록도.
도 34는 도 33의 제4 노즐 및 그 주변의 단면도.
도 35는 도 33의 제4 노즐 및 그 주변의 단면도.
도 36은 도 31의 플립 칩 본더의 동작 흐름도.
도 37은 도 31의 플립 칩 본더의 동작 흐름도.
도 38은 도 31의 플립 칩 본더의 동작 흐름도.
도 39는 도 31의 플립 칩 본더의 변형예 4에 관한 동작 흐름도.
도 40은 도 31의 플립 칩 본더의 변형예 4에 관한 동작 흐름도.
도 41은 도 31의 플립 칩 본더의 변형예 4에 관한 동작 흐름도.
이하, 실시예 및 변형예에 대해서, 도면을 사용하여 설명한다. 단, 이하의 설명에 있어서, 동일 구성 요소에는 동일 부호를 붙여 반복되는 설명을 생략하는 경우가 있다. 또한, 도면은 설명을 보다 명확히 하기 위해서, 실제의 형태에 비해, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대하여 모식적으로 표현되는 경우가 있지만, 어디까지나 일례이며, 본 발명의 해석을 한정하는 것은 아니다.
실시 형태에 따른 반도체 제조 장치는, 웨이퍼로부터 다이를 픽업한 후, 기판 등의 워크 또는 다이 상에 본딩하기 전에 다이의 표면만, 이면만, 또는 표면과 이면의 양쪽을 세정한다. 다이 이외에 콜릿이나 중간 스테이지를 세정해도 된다. 세정에는 드라이아이스(CO2)를 사용하는 것이 바람직하다.
[실시예 1]
도 1은 실시예 1에 관한 플립 칩 본더의 개략 상면도이다. 도 2는, 도 1에 있어서 화살표 A 방향으로부터 보았을 때에, 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면이다.
플립 칩 본더(10)는 크게 구별하여, 다이 공급부(1)와, 픽업부(2), 본딩부(4)와, 반송부(5), 세정 장치(6), 기판 공급부(9K)와, 기판 반출부(9H)와, 각 부의 동작을 감시하여 제어하는 제어 장치(7)를 갖는다.
먼저, 다이 공급부(1)는 기판(P)에 실장하는 다이(D)를 공급한다. 다이 공급부(1)는 웨이퍼(11)를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지대(12)와, 웨이퍼(11)로부터 다이(D)를 밀어올리는 점선으로 나타내는 밀어올리기 유닛(13)을 갖는다. 다이 공급부(1)는 도시하지 않은 구동 수단에 의해 XY 방향으로 이동시켜서, 픽업하는 다이(D)를 밀어올리기 유닛(13)의 위치로 이동시킨다.
픽업부(2)는 다이 공급부(1)로부터 다이(D)를 흡착하는 콜릿(22)과, 콜릿(22)을 선단에 구비하고 다이를 픽업하는 픽업 헤드(21)와, 픽업 헤드(21)를 Y 방향으로 이동시키는 Y 구동부(23)를 갖는다. 제1 헤드인 픽업 헤드(21)는 콜릿(22)을 승강, 회전, 반전 및 X 방향 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다.
이와 같은 구성에 의해, 픽업 헤드(21)는 다이를 픽업하고, 픽업 헤드(21)를 180도 회전시켜, 다이(D)의 범프면(표면)을 반전시켜서 하면을 향하게 하여, 다이(D)를 본딩 헤드(41)에 건네는 자세로 한다.
본딩부(4)는 반전된 다이(D)를 픽업 헤드(21)로부터 수취하고, 반송되어 온 기판(P)의 플럭스 상의 플레이스 또는 열 압착으로 본딩하거나, 또는 이미 기판(P) 상에 본딩된 다이 상에 적층하는 형태로 본딩한다. 본딩부(4)는 픽업 헤드(21)와 마찬가지로 다이(D)를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿(42)을 구비하는 본딩 헤드(41)와, 본딩 헤드(41)를 Y 방향으로 이동시키는 Y 구동부(43)와, 기판(P)의 위치 인식 마크(도시하지 않음)를 촬상하여, 본딩 위치를 인식하는 기판 인식 카메라(44)를 갖는다.
이와 같은 구성에 의해, 제2 헤드인 본딩 헤드(41)는 픽업 헤드(21)로부터 반전된 다이(D)를 수취하고, 언더비전 카메라(45)의 촬상 데이터에 기초하여 픽업 위치·자세를 보정하고, 기판 인식 카메라(44)의 촬상 데이터에 기초하여 기판(P)에 다이(D)를 본딩한다.
세정 장치(6)는 다이(D)의 이면을 상방으로부터 세정하는 제1 노즐(61)과 다이(D)의 표면(범프가 있는 면)을 하방으로부터 세정하는 제2 노즐(62)을 구비한다. 제1 노즐(61)은 웨이퍼(11)로부터 다이(D)를 픽업하는 픽업 헤드(21)의 콜릿(22)에 보유 지지되는 다이(D) 이외에 콜릿(22)의 세정이 가능하다. 제2 노즐(62)은 픽업 헤드(21)로부터 다이(D)를 픽업하는 본딩 헤드(41)의 콜릿(42)에 보유 지지되는 다이(D) 이외에 콜릿(42)의 세정이 가능하다.
반송부(5)는 1매 또는 복수매의 워크(도 1에서는 4매)를 적재한 기판 반송 팔레트(51)와, 기판 반송 팔레트(51)가 이동하는 팔레트 레일(52)을 구비하고, 병행하여 설치된 동일 구조의 제1, 제2 반송부를 갖는다. 기판 반송 팔레트(51)는 기판 반송 팔레트(51)에 설치된 도시하지 않은 너트를 팔레트 레일(52)을 따라서 설치된 도시하지 않은 볼 나사로 구동함으로써 이동한다.
이와 같은 구성에 의해, 기판 반송 팔레트(51)는 기판 공급부(9K)로 기판(P)을 적재하고, 팔레트 레일(52)을 따라서 기판(P)에 다이(D)를 본딩하는 위치(본딩 스테이지(BS)(제1 본딩 스테이지(BS1), 제2 본딩 스테이지(BS2)))까지 이동하고, 본딩 후 기판 반출부(9H)까지 이동시켜서, 기판 반출부(9H)에 기판(P)을 건넨다. 제1, 제2 반송부는, 서로 독립하여 구동되고, 한쪽의 기판 반송 팔레트(51)에 적재된 기판(P)에 다이(D)를 본딩중에, 다른 쪽의 기판 반송 팔레트(51)는 기판(P)을 반출하고, 기판 공급부(9K)로 복귀되고, 새로운 기판(P)을 적재하는 등의 준비를 행한다.
제어 장치(7)는 플립 칩 본더(10)의 각 부 동작을 감시하여 제어하는 프로그램(소프트웨어)을 저장하는 메모리와, 메모리에 저장된 프로그램을 실행하는 중앙 처리 장치(CPU)를 구비한다. 예를 들어, 제어 장치(7)는 기판 인식 카메라(44) 및 언더비전 카메라(45)로부터의 화상 정보, 본딩 헤드(41)의 위치 등의 각종 정보를 도입하고, 본딩 헤드(41)의 본딩 동작 및 세정 장치(6)의 세정 동작 등 각 구성 요소의 각 동작을 제어한다.
도 3은 도 1의 다이 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도이다. 다이 공급부(1)는 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하는 익스팬드 링(15)과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되고 복수의 다이(D)가 점착된 다이싱 테이프(16)를 수평하게 위치 결정하는 지지 링(17)과, 다이(D)를 상방으로 밀어올리기 위한 밀어올리기 유닛(13)을 갖는다. 소정의 다이(D)를 픽업하기 위해서, 밀어올리기 유닛(13)은 도시하지 않은 구동 기구에 의해 상하 방향으로 이동하고, 다이 공급부(1)는 수평 방향으로 이동하도록 되어 있다.
다이 공급부(1)는 다이(D)의 밀어올리기 시에, 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하고 있는 익스팬드 링(15)을 하강시킨다. 그 결과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되어 있는 다이싱 테이프(16)는 잡아늘여져, 다이(D)의 간격은 넓어진다. 그러한 상태에서, 밀어올리기 유닛(13)에 의해 다이 하방으로부터 다이(D)를 밀어올리는 것에 의해, 다이 공급부(1)는 다이(D)의 픽업성을 향상시키고 있다.
이어서, 실시예 1에 관한 플립 칩 본더의 세정 장치에 대하여 도 4 내지 6을 사용하여 설명한다. 도 4는 도 1의 세정 장치의 블록도이다. 도 5는 도 4의 제1 노즐의 단면도이다. 도 6은 도 4의 제2 노즐의 단면도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 세정 장치(6)는 제1 노즐(61)과, 제2 노즐(62)과, 액체의 이산화탄소를 공급하는 이산화탄소 공급원(63)과, 압축된 에어(가압 기체)를 공급하는 에어 공급원(64)과, 액체의 이산화탄소와 압축 에어가 혼합되어서 생성되는 분말상의 드라이아이스를 제1 노즐(61) 및 제2 노즐(62)에 공급하는 공급 배관(65a 내지 65d)을 구비한다. 세정 장치(6)는 또한, 제1 노즐(61) 및 제2 노즐(62)에서 다이로부터 제거된 이물을 반송하는 배출 배관(66a 내지 66c)과, 이물을 회수하는 집진 유닛(67)과, 공급 배관 사이 및 배출 배관 사이에 설치되는 밸브(68a 내지 68f)와, 이오나이저(69)를 구비한다.
제1 노즐(61)에는 공급 배관(65a)과 배출 배관(66a)이 접속되어 있다. 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 노즐(61)은 중앙부에 설치되는 원형의 에어 분출구(61a)와, 이 분출구를 링상으로 둘러싸도록 하여 설치되는 에어 흡입구(61b)와, 에어 분출구(61a)와 에어 흡입구(61b) 사이에 설치되고, 다이(D)를 덮는 공간(61c)을 구비한다. 이에 의해, 에어 분출구(61a)로부터 토출한 에어에 의해 불어 날려진 이물은 도 3의 화살표로 나타낸 바와 같이 에어 흡입구(61b)에 의해 바로 흡인되어, 최종적으로는 폐기된다.
제2 노즐(62)에는 공급 배관(65b)과 배출 배관(66b)이 접속되어 있다. 도 6에 도시한 바와 같이, 제2 노즐(62)은 제1 노즐(61)과 마찬가지로, 중앙부에 설치되는 원형의 에어 분출구(62a)와, 이 분출구를 링상으로 둘러싸도록 하여 설치되는 에어 흡입구(62b)와, 에어 분출구(62a)와 에어 흡입구(62b) 사이에 설치되고, 다이(D)를 덮는 세정 공간(62c)을 구비한다.
제1 노즐(61)은 공급 배관(65a), 밸브(68a), 공급 배관(65c, 65d), 밸브(68c), 공급 배관(65e)을 통하여, 액체의 이산화탄소를 공급하는 이산화탄소 공급원(63)에 접속되어 있다. 또한, 제1 노즐(61)은 공급 배관(65a), 밸브(68a), 공급 배관(65c, 65d), 밸브(68d), 공급 배관(65f)을 통하여, 압축된 에어(압축 에어)를 공급하는 에어 공급원(64)과 접속되어 있다. 공급 배관(65c)과 공급 배관(65d) 사이에는, 에어 공급원(64)으로부터 공급된 에어를 이온화하는 이오나이저(대전 방지 수단)(59)가 설치되어 있다. 제1 노즐(61)은 배출 배관(66a), 밸브(68e), 배출 배관(66c)을 통하여, 집진 유닛(67)에 접속되어 있다.
제2 노즐(62)은 공급 배관(65b), 밸브(68a), 공급 배관(65c, 65d), 밸브(68c), 공급 배관(65e)을 통하여, 액체의 이산화탄소를 공급하는 이산화탄소 공급원(63)에 접속되어 있다. 또한, 제2 노즐(62)은 공급 배관(65b), 밸브(68a), 공급 배관(65c, 65d), 밸브(68d), 공급 배관(65f)을 통하여, 압축된 에어(압축 에어)를 공급하는 에어 공급원(64)과 접속되어 있다. 제2 노즐(62)은 배출 배관(66b), 밸브(68f), 배출 배관(66c)을 통하여, 집진 유닛(67)에 접속되어 있다.
이어서, 실시예 1에 관한 플립 칩 본더에 있어서 실시되는 본딩 방법(반도체 장치의 제조 방법)에 대하여 도 7을 사용하여 설명한다. 도 7은 실시예에 관한 플립 칩 본더에서 실시되는 본딩 방법을 도시하는 흐름도이다.
스텝 S1: 제어 장치(7)는 픽업하는 다이(D)가 밀어올리기 유닛(13)의 바로 위에 위치하도록 웨이퍼 보유 지지대(12)를 이동시켜서, 박리 대상 다이를 밀어올리기 유닛(13)과 콜릿(22)에 위치 결정한다. 다이싱 테이프(16)의 이면에 밀어올리기 유닛(13)의 상면이 접촉하도록 밀어올리기 유닛(13)을 이동한다. 이때, 제어 장치(7)는 다이싱 테이프(16)를 밀어올리기 유닛(13)의 상면에 흡착한다. 제어 장치(7)는 콜릿(22)을 진공화하면서 하강시켜, 박리 대상의 다이(D) 상에 착지시켜, 다이(D)를 흡착한다. 제어 장치(7)는 콜릿(22)을 상승시키고, 다이(D)를 다이싱 테이프(16)로부터 박리한다. 이에 의해, 다이(D)는 픽업 헤드(21)에 의해 픽업된다.
스텝 S2: 제어 장치(7)는 픽업 헤드(21)를 이동시킨다.
스텝 S3: 제어 장치(7)는 픽업 헤드(21)를 180도 회전시켜, 다이(D)의 범프면(표면)을 반전시켜서 하면을 향하게 하여, 다이(D)를 본딩 헤드(41)에 건네는 자세로 한다.
스텝 S4: 스텝 S3 후에 또는 병행하여, 제어 장치(7)는 제1 노즐(61)의 세정 공간(61c)을 픽업 헤드(21)의 콜릿(22)이 보유 지지하고 있는 다이(D) 상으로 이동시키고, 하강시킨다.
스텝 S5: 제어 장치(7)는 이산화탄소 공급원(63)으로부터 액체의 이산화탄소를 공급 배관(65e)에 공급함과 함께, 에어 공급원(64)으로부터 에어를 공급 배관(65f)에 공급한다.
제어 장치(7)는 이산화탄소 공급원(63)으로부터 액체의 이산화탄소를 공급 배관(65d)에 공급하고, 에어 공급원(64)으로부터 에어를 공급 배관(65d)에 공급하여 혼합한다. 이에 의해, 액체의 이산화탄소 일부가 기화되어 열을 빼앗아(기화열), 액체의 이산화탄소 온도가 응고점을 하회하여, 드라이아이스(고체의 이산화탄소)가 발생한다. 이와 같이, 액체의 이산화탄소를 세정 공간(62c)의 대기에 방출함으로써 얻어지는 드라이아이스는, 지극히 미세한 분말상이 된다.
이 분말상의 드라이아이스가 에어 분출구(61a)로부터 분사되어서 다이(D)에 충돌하면 드라이아이스는 변형, 파쇄되고, 승화된다. 드라이아이스의 승화로 발생하는 팽창의 에너지에 의해, 다이(D)의 이면에 부착된 이물이 제거된다. 제거된 이물은 에어 흡입구(61b)로부터 흡인되어 배출 배관(66a) 등을 통하여 집진 유닛(67)으로 배출된다. 또한, 액체의 이산화탄소 및 에어의 공급량은, 다이(D)의 세정에 적합한 분량의 드라이아이스가 에어 분출구(61a)로부터 분사되도록 조정된다.
상술한 드라이아이스는, 경도가 낮고 미세하기 때문에, 이 세정으로 다이(D)에 흠집이 생길 일은 없다. 또한, 세정 장치(6)는 에어 공급원(64)으로부터 공급된 압축 에어를 적절하게 이온화하는 이오나이저(69)를 공급 배관 내에 구비하고 있으므로, 분말상의 드라이아이스의 대전을 방지하여, 다이(D)의 파손을 방지할 수 있다.
스텝 S6: 제어 장치(7)는 제1 노즐(61)의 세정 공간(61c)을 상승시켜서, 픽업 헤드(21)의 콜릿(22)이 보유 지지하고 있는 다이(D) 상으로부터 이동시킨다.
스텝 S7: 제어 장치(7)는 픽업 헤드(21)의 콜릿(22)으로부터 본딩 헤드(41)의 콜릿(42)에 의해 다이(D)를 픽업하여, 다이(D)를 전달한다.
스텝 S8: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)를 세정 위치(제2 노즐(62)의 바로 위)로 이동시키고, 제2 노즐(62)의 세정 공간(62c)에 본딩 헤드(41)의 콜릿(42)이 보유 지지하고 있는 다이(D)를 이동시킨다.
스텝 S9: 제어 장치(7)는 스텝 S5와 마찬가지로, 드라이아이스를 에어 분출구(62a)로부터 분사시켜서 다이(D)의 표면에 부착된 이물을 제거한다. 제거된 이물은 에어 흡입구(62b)로부터 흡인되어 배출 배관(66b) 등을 통하여 집진 유닛(67)으로 배출된다.
스텝 SA: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)의 콜릿(42)이 보유 지지하고 있는 다이(D)를 기판(P) 상으로 이동시킨다.
스텝 SB: 제어 장치(7)는 픽업 헤드(21)의 콜릿(22)으로부터 본딩 헤드(41)의 콜릿(42)으로 픽업한 다이(D)를 기판(P) 상에 적재한다.
스텝 SC: 스텝 S8 후에 또는 병행하여, 제어 장치(7)는 픽업 헤드(21)를 반전시켜서, 콜릿(22)의 흡착면을 아래로 향하게 한다.
스텝 SD: 제어 장치(7)는 픽업 헤드(21)를 픽업 위치로 이동시킨다.
또한, 스텝 S1 전에, 웨이퍼(11)로부터 분할된 다이(D)가 부착된 다이싱 테이프(16)를 보유 지지한 웨이퍼 링(14)을 웨이퍼 카세트(도시하지 않음)에 저장하고, 플립 칩 본더(10)에 반입한다. 제어 장치(7)는 웨이퍼 링(14)이 충전된 웨이퍼 카세트로부터 웨이퍼 링(14)을 다이 공급부(1)에 공급한다. 또한, 기판(P)을 준비하고, 플립 칩 본더(10)에 반입한다. 제어 장치(7)는 기판 공급부(9K)로 기판(P)을 기판 반송 팔레트(51)에 적재한다.
또한, 스텝 SB 후에, 제어 장치(7)는 기판 반출부(9H)에서 기판 반송 팔레트(51)로부터 다이(D)가 본딩된 기판(P)을 취출한다. 플립 칩 본더(10)로부터 기판(P)을 반출한다.
플립 칩 본더에서는 범프면에 점착제 잔류 등이 발생하여 접속 불량으로 될 가능성이 있다. 실시예 1에서는, 앞으로도 더욱 협피치화될 범프 제품에 대하여 실장 직전에 드라이아이스(CO2) 세정을 행한다. 이에 의해, 웨이퍼의 표면에 부착되는 백 그라인딩 테이프나 웨이퍼의 이면에 부착되는 다이싱 테이프로부터의 점착제 잔류나 트레이 내에서의 이물 부착을 기판에 대한 실장 전에 제거할 수 있다. 또한, 범프에 대미지를 끼치지 않고 이물을 제거할 수 있다. 이물을 물고 들어감에 따른 접속 불량을 저감할 수 있다.
다이(D)가 TSV(Trough Silicon Via(Si 관통 전극))를 갖는 경우에는, 이면에 다른 다이가 적층되므로, 스텝 S5의 세정은 유효하다. 다이(D)가 TSV를 갖지 않는 등 적층하지 않는 경우에는, 스텝 S5는 실행하지 않아도 된다. 기판측에도 세정 장치를 설치하여 동시에 기판 랜드측도 세정해도 된다.
<변형예 1>
이어서, 실시예 1에 관한 플립 칩 본더에 있어서 실시되는 본딩 방법(반도체 장치의 제조 방법)의 변형예 1에 대하여 도 8, 9를 사용하여 설명한다. 도 8은 도 1의 플립 칩 본더에서 실시되는 변형예 1에 관한 본딩 방법을 도시하는 흐름도이다. 도 8의 흐름도의 단자 A, B는 도 9의 단자 A, B에 접속된다.
변형예 1에 관한 본딩 방법은, 실시예에 관한 본딩 방법에 추가로, 세정 장치(6)의 제1 노즐(61)에 의해 픽업 헤드(21)의 콜릿(22)의 세정도 실시한다. 이하, 추가되는 스텝에 대하여 설명한다.
스텝 SE: 스텝 S7 후, 제어 장치(7)는 제1 노즐(61)의 세정 공간(61c)을 픽업 헤드(21)의 콜릿(22) 상으로 이동시키고, 하강시킨다.
스텝 SF: 제어 장치(7)는 스텝 S5와 마찬가지로, 드라이아이스를 에어 분출구(61a)로부터 분사시켜서 콜릿(22)의 흡착면의 표면에 부착된 이물을 제거한다. 제거된 이물은 에어 흡입구(61b)로부터 흡인되어 배출 배관(66a) 등을 통하여 집진 유닛(67)으로 배출된다.
스텝 SG: 제어 장치(7)는 제1 노즐(61)의 세정 공간(61c)을 상승시켜서, 픽업 헤드(21)의 콜릿(22) 상으로부터 이동시킨다.
<변형예 2>
이어서, 실시예 1에 관한 플립 칩 본더에 있어서 실시되는 본딩 방법(반도체 장치의 제조 방법)의 변형예 2에 대하여 도 10을 사용하여 설명한다. 도 10은 도 1의 플립 칩 본더에서 실시되는 변형예 2에 관한 본딩 방법을 도시하는 흐름도이다. 도 10의 흐름도의 단자 A, B는 도 8의 단자 A, B에 접속된다.
변형예 2에 관한 본딩 방법은, 변형예 1에 관한 본딩 방법에 추가로, 세정 장치(6)의 제2 노즐(62)에 의해 본딩 헤드(41)의 콜릿(42)의 세정도 실시한다. 이하, 추가되는 스텝에 대하여 설명한다.
스텝 SH: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)를 세정 위치(제2 노즐(62)의 바로 위)로 이동시키고, 제2 노즐(62)의 세정 공간(62c)에 본딩 헤드(41)의 콜릿(42)을 이동시킨다.
스텝 SI: 제어 장치(7)는 스텝 S5와 마찬가지로, 드라이아이스를 에어 분출구(62a)로부터 분사시켜서 콜릿(42)의 흡착면의 표면에 부착된 이물을 제거한다. 제거된 이물은 에어 흡입구(62b)로부터 흡인되어 배출 배관(66b) 등을 통하여 집진 유닛(67)으로 배출된다.
스텝 SJ: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)의 콜릿(42)을 다이(D)의 전달 위치로 이동시킨다.
변형예 1, 2에서는 콜릿을 세정하는데, 고무계 콜릿을 사용하는 경우, 드라이아이스 세정의 저온에서도 내한성이 있고 유연성도 있는 Si 고무계 재료, 특히 FVMQ(상품명: 플루오로 파워) 등을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 콜릿에 내한성이 있는 금속이나 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 특히 콜릿에 결로 등이 발생하지 않도록, 히터를 내장하거나 세정중의 다이를 보유 지지한 콜릿이나 콜릿 자체에 적외선을 조사하거나 하여 온도가 저하되는 것을 방지하는 기능을 설치하는 것이 바람직하다. 이하의 실시예 및 변형예에서, 콜릿을 세정하는 경우에도, 상기 콜릿의 재료나 결로 방지 기능을 적용하는 것이 바람직하다.
[실시예 2]
도 11은 실시예 2에 관한 플립 칩 본더의 개략을 도시하는 상면도이다. 도 12는 도 11에 있어서 화살표 A 방향으로부터 보았을 때에, 픽업 플립 헤드, 트랜스퍼 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면이다.
플립 칩 본더(10A)는 크게 구별하여, 다이 공급부(1)와, 픽업부(2A), 트랜스퍼부(8)와, 중간 스테이지부(3)와, 본딩부(4A)와, 반송부(5), 세정 장치(6A)와, 기판 공급부(9K)와, 기판 반출부(9H)와, 각 부의 동작을 감시하여 제어하는 제어 장치(7)를 갖는다.
픽업부(2A)는, 다이(D)를 픽업하여 반전시키는 픽업 플립 헤드(21A)와, 픽업 플립 헤드(21A)를 Y 방향으로 이동시키는 픽업 헤드의 Y 구동부(23A)와, 콜릿(22)을 승강, 회전, 반전 및 X 방향 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다. 이와 같은 구성에 의해, 제1 헤드인 픽업 플립 헤드(21A)는, 다이를 픽업하고, 픽업 플립 헤드(21A)를 180도 회전시켜, 다이(D)의 범프를 반전시켜서 하면을 향하게 하여, 다이(D)를 제2 헤드인 트랜스퍼 헤드(81)에 건네는 자세로 한다.
트랜스퍼부(8)는 반전된 다이(D)를 픽업 플립 헤드(21A)로부터 수취하고, 중간 스테이지(31)에 적재한다. 트랜스퍼부(8)는 픽업 플립 헤드(21A)와 마찬가지로 다이(D)를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿(82)을 구비하는 트랜스퍼 헤드(81)와, 트랜스퍼 헤드(81)를 Y 방향으로 이동시키는 Y 구동부(83)를 갖는다.
중간 스테이지부(3)는 다이(D)를 일시적으로 적재하는 중간 스테이지(31)를 갖는다. 중간 스테이지(31)는 도시하지 않은 구동부에 의해 Y 방향으로 이동 가능하다. 결로 대책으로서, 중간 스테이지(31)에 히터 등의 가열 수단을 내장하는 것이 바람직하다. 이하의 실시예 및 변형예의 중간 스테이지에도 동일한 결로 대책을 적용하는 것이 바람직하다.
본딩부(4A)는, 중간 스테이지(31)로부터 다이(D)를 픽업하고, 반송되어 오는 기판(P) 상에 본딩하거나, 또는 이미 기판(P) 상에 본딩된 다이 상에 적층하는 형태로 본딩한다. 본딩부(4A)는, 픽업 플립 헤드(21A)와 마찬가지로 다이(D)를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿(42)(도 12도 참조)을 구비하는 본딩 헤드(41)와, 본딩 헤드(41)를 Y 방향으로 이동시키는 Y 구동부(43)와, 기판(P)의 위치 인식 마크(도시하지 않음)를 촬상하여, 본딩 위치를 인식하는 기판 인식 카메라(44)를 갖는다.
이와 같은 구성에 의해, 제3 헤드인 본딩 헤드(41)는 언더비전 카메라(45)의 촬상 데이터에 기초하여 픽업 위치·자세를 보정하고, 중간 스테이지(31)로부터 다이(D)를 픽업하고, 기판 인식 카메라(44)의 촬상 데이터에 기초하여 기판(P)에 다이(D)를 본딩한다.
세정 장치(6A)는 다이(D)의 이면을 상방으로부터 세정하는 제3 노즐(61A)과 다이(D)의 표면(범프가 있는 면)을 하방으로부터 세정하는 제2 노즐(62)을 구비한다. 제3 노즐(61A)은 중간 스테이지(31) 상에 적재되는 다이(D)의 이면 이외에 중간 스테이지(31)의 상면의 상방으로부터의 세정이 가능하다. 제2 노즐(62)은 본딩 헤드(41)의 콜릿(42)에 보유 지지되는 다이(D)의 표면 이외에 콜릿(42)의 흡착면의 하방으로부터의 세정이 가능하다.
이어서, 실시예 2에 관한 세정 장치에 대하여 도 13을 사용하여 설명한다. 도 13은 세정 장치의 블록도이다.
세정 장치(6A)는, 실시예 1의 세정 장치(6)의 제1 노즐(61) 대신에 제3 노즐(61A)을 구비한다. 세정 장치(6A)는, 제2 노즐(62)과, 제3 노즐(61A)과, 액체의 이산화탄소를 공급하는 이산화탄소 공급원(63)과, 압축된 에어(가압 기체)를 공급하는 에어 공급원(64)과, 액체의 이산화탄소와 압축 에어가 혼합되어서 생성되는 분말상의 드라이아이스를 제2 노즐(62) 및 제3 노즐(61A)에 공급하는 공급 배관(65b 내지 65d, 65g)을 구비한다. 세정 장치(6A)는, 또한, 제2 노즐(62) 및 제3 노즐(61A)에서 다이(D) 등으로부터 제거된 이물을 반송하는 배출 배관(66b 내지 66d)과, 이물을 회수하는 집진 유닛(67)과, 공급 배관 사이 및 배출 배관 사이에 설치되는 밸브(68b 내지 68d, 68f 내지 68h)와, 이오나이저(69)를 구비한다.
제3 노즐(61A)은 실시예 1의 제1 노즐(61)과 동일한 구성이며 동일한 동작으로 세정을 행한다.
이어서, 실시예 2에 관한 플립 칩 본더에 있어서 실시되는 본딩 방법(반도체 장치의 제조 방법)에 대하여 도 14 내지 18을 사용하여 설명한다. 도 14는 제3 노즐의 다이 세정 시의 단면도이다. 도 15는 제3 노즐의 다이 세정 종료 후의 단면도이다. 도 16은 제3 노즐의 중간 스테이지 세정 시의 단면도이다. 도 17, 18은 실시예 2에 관한 플립 칩 본더에서 실시되는 본딩 방법을 도시하는 흐름도이다. 도 17의 흐름도의 단자 A, B는 실시예 1의 도 9 또는 10의 단자 A, B에 접속된다. 도 17의 단자 C, D는 도 18의 단자 C, D에 접속된다.
스텝 S11: 제어 장치(7)는 스텝 S1과 마찬가지로, 다이(D)를 픽업 플립 헤드(21A)에 의해 픽업한다.
스텝 S12: 제어 장치(7)는 스텝 S2와 마찬가지로, 픽업 플립 헤드(21A)를 이동시킨다.
스텝 S13: 제어 장치(7)는 스텝 S3과 마찬가지로, 픽업 플립 헤드(21A)를 180도 회전시켜, 다이(D)의 범프(표면)를 반전시켜서 하면을 향하게 하여, 다이(D)를 트랜스퍼 헤드(81)에 건네는 자세로 한다.
스텝 S14: 제어 장치(7)는 스텝 S7과 마찬가지로, 픽업 플립 헤드(21A)의 콜릿(22)으로부터 트랜스퍼 헤드(81)의 콜릿(82)에 의해 다이(D)를 픽업하여, 다이(D)의 전달이 행하여진다.
스텝 S15: 제어 장치(7)는 픽업 플립 헤드(21A)를 반전시켜서, 콜릿(22)의 흡착면을 아래로 향하게 한다.
스텝 S16: 스텝 S15 전에 또는 병행하여, 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 중간 스테이지(31)로 이동시킨다.
스텝 S17: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)에 보유 지지하고 있는 다이(D)를 중간 스테이지(31)에 적재한다.
스텝 S18: 제어 장치는 트랜스퍼 헤드(81)를 다이(D)의 전달 위치로 이동시킨다.
스텝 S19: 스텝 S18 후에 또는 병행하여, 제어 장치(7)는 중간 스테이지(31)를 제3 노즐(61A)의 하방으로 이동시킨다.
스텝 S1A: 제어 장치(7)는 제3 노즐(61A)의 세정 공간(61c)을 중간 스테이지(31)에 적재되어 있는 다이(D) 상으로 이동(하강)시킨다.
스텝 S1B: 제어 장치(7)는 스텝 S5와 마찬가지로, 분말상의 드라이아이스를 에어 분출구(61a)로부터 분사하여, 다이(D)의 이면에 부착된 이물을 제거하여 세정하고, 제거된 이물은 에어 흡입구(61b)로부터 흡인되어서 집진 유닛(67)으로 배출된다(도 14).
스텝 S1C: 제어 장치(7)는 도 15에 도시한 바와 같이, 제3 노즐(61A)을 중간 스테이지(31)로부터 이동(상승)시킨다.
스텝 S1D: 스텝 S1C 후에 또는 병행하여, 제어 장치(7)는 중간 스테이지(31)를 본딩 헤드(41)와의 전달 위치로 이동시킨다.
스텝 S1E: 제어 장치(7)는 중간 스테이지(31)로부터 본딩 헤드(41)의 콜릿에 의해 다이(D)를 픽업하여, 다이(D)의 전달이 행하여진다.
스텝 S1F: 제어 장치(7)는 중간 스테이지(31)를 제3 노즐(61A)의 하방으로 이동시킨다.
스텝 S1G: 스텝 S1G 후에 또는 병행하여, 제어 장치(7)는 제3 노즐(61A)의 세정 공간(61c)을 중간 스테이지(31) 상으로 이동(하강)시킨다.
스텝 S1H: 제어 장치(7)는 스텝 S1B와 마찬가지로, 드라이아이스를 에어 분출구(61a)로부터 분사시켜서 중간 스테이지(31)의 표면에 부착된 이물을 제거하여 세정하고, 제거된 이물은 에어 흡입구(61b)로부터 흡인되어서 집진 유닛(67)으로 배출된다(도 16).
스텝 S1I: 제어 장치(7)는 제3 노즐(61A)을 중간 스테이지(31)로부터 이동(상승)시킨다.
스텝 S1J: 제어 장치(7)는 중간 스테이지(31)를 트랜스퍼 헤드(81)와의 전달 위치로 이동시킨다.
또한, 스텝 S1E 이후의 본딩, 제2 노즐(62)에 의한 다이(D)의 표면의 세정 및 콜릿(42)의 세정에 대해서는 변형예 1(도 9) 및 변형예 2(도 10)와 동일하다. 또한, 스텝 S11보다 전의 동작은, 실시예 1의 스텝 S1보다 전의 동작과 동일하다. 또한, 본딩 후의 기판(P)의 취출 반출 동작은 실시예 1과 동일하다.
실시예 2에 관한 플립 칩 본더는, 중간 스테이지 상에 세정 장치를 설치하고, 다이 이면과 중간 스테이지의 양쪽의 세정을 행한다. 이에 의해, 적층 본딩을 행하는 다이의 이면을 세정하고, 적층 다이 상 이물에 의한 보이드 등의 방지와, 중간 스테이지 상에의 이물의 축적을 방지할 수 있다.
실시예 2에 관한 세정 장치의 노즐은 분말상의 드라이아이스의 분출·흡인을 행한다. 노즐의 드라이아이스의 분출 세정 에어리어는, 탑재되는 다이의 최대 사이즈 이상의 에어리어이다. 세정 장치는 본딩 헤드 동작에 간섭하지 않는 위치까지 상승, 퇴피시키는 기능을 갖는다. 또한, 중간 스테이지와는 별도로 다이를 적재하는 세정 스테이지를 설치하고, 세정 장치의 노즐을 세정 스테이지 및 중간 스테이지의 위치까지 이동 가능한 구조로 해도 된다. 실시예 2에 의하면, 다이 이면과 중간 스테이지의 양쪽을 하나의 기구 세정 장치로 세정할 수 있다.
또한, 중간 스테이지(31) 이외에 제3 노즐(61A)은 위치를 이동 가능하게 하고, 필요로 하는 스루풋에 따라서 중간 스테이지(31)를 복수의 유닛수를 설치해도 된다.
[실시예 3]
도 19는 실시예 3에 관한 플립 칩 본더의 개략을 도시하는 상면도이다. 도 20은 도 19에 있어서 화살표 A 방향으로부터 보았을 때에, 픽업 플립 헤드, 트랜스퍼 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면이다.
플립 칩 본더(10B)는 크게 구별하여, 다이 공급부(1)와, 픽업부(2A), 트랜스퍼부(8)와, 세정 장치(6B)를 갖는 중간 스테이지부(3B)와, 본딩부(4A)와, 반송부(5), 기판 공급부(9K)와, 기판 반출부(9H)와, 각 부의 동작을 감시하여 제어하는 제어 장치(7)를 갖는다.
중간 스테이지부(3B)는, 다이(D)를 일시적으로 적재하는 중간 스테이지(31B)와, 중간 스테이지(31B) 상의 다이(D)를 인식하기 위한 스테이지 인식 카메라(32)를 갖는다. 중간 스테이지(31B)는 세정 장치(6B)의 제5 노즐(62B)과 다이(D)가 적재되는 셔터(스테이지)(SS)를 포함한다.
세정 장치(6B)는, 중간 스테이지(31B)의 셔터(SS)를 개폐 이동시킴으로써, 트랜스퍼 헤드(81)의 콜릿(82)에 보유 지지된 다이(D)의 표면, 콜릿(82)의 하면(흡착면) 및 본딩 헤드(41)의 콜릿(42)의 하면(흡착면)을 하방으로부터 세정한다.
이어서, 실시예 3에 관한 세정 장치에 대하여 도 21을 사용하여 설명한다. 도 21은 세정 장치의 블록도이다.
세정 장치(6B)는, 제5 노즐(62B)과, 액체의 이산화탄소를 공급하는 이산화탄소 공급원(63)과, 압축된 에어(가압 기체)을 공급하는 에어 공급원(64)과, 액체의 이산화탄소와 압축 에어가 혼합되어서 생성되는 분말상의 드라이아이스를 제5 노즐(62B)에 공급하는 공급 배관(65b, 65c, 65d)을 구비한다. 세정 장치(6B)는, 또한, 제5 노즐(62B)에서 다이로부터 제거된 이물을 반송하는 배출 배관(66b, 66c)과, 이물을 회수하는 집진 유닛(67)과, 공급 배관 사이 및 배출 배관 사이에 설치되는 밸브(68b, 68c, 68d, 68f)와, 이오나이저(69)를 구비한다.
제5 노즐(62B)은 실시예 1의 제2 노즐(62)과 동일한 구성이며 동일한 동작으로 세정을 행한다.
이어서, 실시예 3에 관한 플립 칩 본더에 있어서 실시되는 본딩 방법(반도체 장치의 제조 방법)에 대하여 도 22 내지 29를 사용하여 설명한다. 도 22는 제4 노즐의 다이 세정 시의 단면도이다. 도 23은 제5 노즐의 다이 세정 종료 후의 단면도이다. 도 24는 제5 노즐의 트랜스퍼 헤드의 콜릿 세정 시의 단면도이다. 도 25는 제5 노즐의 본딩 헤드의 콜릿 세정 시의 단면도이다. 도 26 내지 29는 실시예 3에 관한 플립 칩 본더에서 실시되는 본딩 방법을 도시하는 흐름도이다. 도 26의 흐름도의 단자 E, F는 도 27의 단자 E, F에 접속된다. 도 27의 단자 G 내지 L은 도 28의 단자 G 내지 L에 접속된다.
스텝 S21: 제어 장치(7)는 스텝 S1과 마찬가지로, 다이(D)를 픽업 플립 헤드(21A)에 의해 픽업한다.
스텝 S22: 제어 장치(7)는 스텝 S12와 마찬가지로, 픽업 플립 헤드(21A)를 이동시킨다.
스텝 S23: 제어 장치(7)는 스텝 S13과 마찬가지로, 픽업 플립 헤드(21A)를 180도 회전시켜, 다이(D)의 범프(표면)를 반전시켜서 하면을 향하게 하여, 다이(D)를 트랜스퍼 헤드(81)에 건네는 자세로 한다.
스텝 S24: 제어 장치(7)는 스텝 S14와 마찬가지로, 픽업 플립 헤드(21A)의 콜릿(22)으로부터 트랜스퍼 헤드(81)의 콜릿(82)에 의해 다이(D)를 픽업하여, 다이(D)의 전달이 행하여진다.
스텝 S25: 제어 장치(7)는 픽업 플립 헤드(21A)를 반전시켜서, 콜릿(22)의 흡착면을 아래로 향하게 한다.
스텝 S26: 스텝 S25 전에 또는 병행하여, 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 중간 스테이지(31B)의 상방으로 이동시킨다.
스텝 S27: 제어 장치(7)는 세정 장치(6B)의 제5 노즐(62B)의 셔터(SS)를 폐쇄한다.
스텝 S28: 스텝 S27 후에 또는 병행하여, 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 하강시킨다.
스텝 S29: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)에 보유 지지하고 있는 다이(D)를 중간 스테이지(31B)에 적재한다.
스텝 S2A: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 상승시켜서 다이(D)로부터 콜릿(82)을 상승시킨다(도 22).
스텝 S2I: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)를 하강시켜, 중간 스테이지(31B) 상의 다이(D)를 픽업한다. 이때, 트랜스퍼 헤드(81)는 이동 퇴피되어 있다.
스텝 S2J: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)를 상승시킨다.
스텝 S2B: 스텝 S2A 후에 또는 병행하여, 및 스텝 S2J 후에 또는 병행하여, 제어 장치(7)는 세정 장치(6B)의 제5 노즐(62B)의 셔터(SS)를 개방한다.
스텝 S2K: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)를 하강시켜서 콜릿(42)에 의해 보유 지지하고 있는 다이(D)를 세정 장치(6B)의 제5 노즐(62B)의 세정 공간(62c)에 넣는다.
스텝 S2C: 제어 장치(7)는 스텝 S6과 마찬가지로, 분말상의 드라이아이스를 에어 분출구(62a)로부터 분사하여, 다이(D)의 이면에 부착된 이물을 제거하여 세정하고, 제거된 이물은 에어 흡입구(62b)로부터 흡인되어서 집진 유닛(67)으로 배출된다(도 23).
스텝 S2L: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)를 상승시켜서 제5 노즐(62B)로부터 다이(D)를 이동(상승)시킨다.
스텝 S2M: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)를 본딩 스테이지 상으로 이동시킨다.
스텝 S2N: 제어 장치(7)는 중간 스테이지(31B)로부터 본딩 헤드(41)의 콜릿(42)으로 픽업한 다이(D)를 다이 본딩 스테이지 상의 기판(P) 상에 탑재한다.
스텝 S2D: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 하강시켜서 콜릿(82)을 세정 장치(6B)의 제5 노즐(62B)의 세정 공간(62c)에 넣는다.
스텝 S2E: 제어 장치(7)는 스텝 S6과 마찬가지로, 분말상의 드라이아이스를 에어 분출구(62a)로부터 분사하여, 콜릿(82)의 하면(흡착면)에 부착된 이물을 제거하여 세정하고, 제거된 이물은 에어 흡입구(62b)로부터 흡인되어서 집진 유닛(67)으로 배출된다(도 24).
스텝 S2F: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 상승시킨다.
스텝 S2G: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 트랜스퍼 헤드 전달 위치로 이동시킨다.
스텝 S2O: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)를 세정 장치(6B)의 제5 노즐(62B) 상으로 이동시킨다.
스텝 S2P: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)의 콜릿(42)을 하강시켜서 제5 노즐(62B)의 세정 공간(62c)에 넣는다.
스텝 S2H: 제어 장치(7)는 스텝 S6과 마찬가지로, 분말상의 드라이아이스를 에어 분출구(62a)로부터 분사하여, 콜릿(42)의 하면(흡착면)에 부착된 이물을 제거하여 세정하고, 제거된 이물은 에어 흡입구(62b)로부터 흡인되어서 집진 유닛(67)으로 배출된다(도 25).
스텝 S2Q: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)를 상승시켜 이동 퇴피시킨다.
또한, 스텝 S21보다 전의 동작은, 실시예 1의 스텝 S1보다 전의 동작과 동일하다. 또한, 스텝 S2N 후의 기판(P)의 취출 반출 동작은 실시예 1과 동일하다.
실시예 3에 관한 플립 칩 본더는, 중간 스테이지에 세정 장치 기능을 설치한다. 중간 스테이지는 분말상의 드라이아이스의 분출·흡인을 행하는 노즐과, 또한 그 상부에 다이를 적재할 수 있는 셔터를 설치한다. 셔터를 폐쇄하고 셔터 상에 다이를 설치한다. 그 후, 본딩 헤드로 다이를 수취하고, 중간 스테이지의 셔터를 개방하고, 픽업되어 본딩 헤드의 콜릿에 보유 지지된 다이의 이면을 드라이아이스 세정 기능으로 세정한다. 본딩 헤드 이동하고 있는 때에 드라이아이스 세정 기능으로 트랜스퍼 헤드의 콜릿의 흡착면을 세정한다. 그 후, 본딩을 종료한 본딩 헤드의 콜릿의 흡착면의 세정도 행할 수 있다.
실시예 3에 의하면, 하나의 드라이아이스 세정 기능으로, 다이의 표면, 트랜스퍼 헤드의 콜릿의 흡착면 및 본드 헤드의 콜릿의 흡착면을 세정할 수 있다. 이에 의해, 이물의 축적을 방지할 수 있고, 또한 웨이퍼 표면의 이물 부착 리스크를 저감할 수 있다.
<변형예 3>
이어서, 실시예 3의 변형예(변형예 3)에 관한 플립 칩 본더에 있어서 실시되는 본딩 방법(반도체 장치의 제조 방법)에 대하여 도 22 내지 25, 29, 30을 사용하여 설명한다. 도 29, 30은 도 19의 플립 칩 본더에서 실시되는 변형예 3에 관한 본딩 방법을 도시하는 흐름도이다.
변형예 3에 관한 본딩 방법은, 실시예 3에 관한 본딩 방법의 스텝 S21 내지 S25는 동일하지만, 기타의 스텝이 상이하다. 도 29의 흐름도의 단자 E, F는 도 26의 단자 E, F에 접속된다. 도 29의 단자 M 내지 O는 도 30의 단자 M 내지 O에 접속된다. 변형예 3에 관한 본딩 방법의 스텝 S24보다 후의 스텝을 이하 설명한다.
스텝 S36: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 중간 스테이지(31B)의 상방으로 이동시킨다.
스텝 S37: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 하강시켜서 콜릿(82)에 의해 보유 지지하고 있는 다이(D)를 세정 장치(6B)의 제5 노즐(62B)의 세정 공간(62c)에 넣는다.
스텝 S38: 제어 장치(7)는 스텝 S6과 마찬가지로, 분말상의 드라이아이스를 에어 분출구(62a)로부터 분사하여, 다이(D)의 이면에 부착된 이물을 제거하여 세정하고, 제거된 이물은 에어 흡입구(62b)로부터 흡인되어서 집진 유닛(67)으로 배출된다(도 23).
스텝 S39: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 상승시켜서 제5 노즐(62B)로부터 다이(D)를 이동(상승)시킨다.
스텝 S3A: 스텝 S39 후, 제어 장치(7)는 세정 장치(6B)의 제5 노즐(62B)의 셔터(SS)를 폐쇄한다.
스텝 S3B: 스텝 S3A 후에 또는 병행하여, 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 하강시킨다.
스텝 S3C: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)에 보유 지지하고 있는 다이(D)를 중간 스테이지(31B)에 적재한다.
스텝 S3D: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 상승시켜서 다이(D)로부터 콜릿(22)을 상승시켜(도 22), 트랜스퍼 헤드(81)를 중간 스테이지(31B)의 상방으로부터 이동 퇴피시킨다.
스텝 S3K: 스텝 S3D후, 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)를 하강시켜, 중간 스테이지(31B) 상의 다이(D)를 픽업한다. 이때, 트랜스퍼 헤드(81)는 이동 퇴피되어 있다.
스텝 S3L: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)를 상승시킨다.
스텝 S3E: 스텝 S3K 후, 제어 장치(7)는 세정 장치(6B)의 제5 노즐(62B)의 셔터(SS)를 개방한다.
스텝 S3M: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)를 본딩 스테이지 상으로 이동시킨다.
스텝 S3N: 제어 장치(7)는 중간 스테이지(31B)로부터 본딩 헤드(41)의 콜릿(42)으로 픽업한 다이(D)를 다이 본딩 스테이지 상의 기판(P) 상에 탑재한다.
스텝 S3F: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 하강시켜서 콜릿(82)을 세정 장치(6B)의 제5 노즐(62B)의 세정 공간(62c)에 넣는다.
스텝 S3G: 제어 장치(7)는 스텝 S6과 마찬가지로, 분말상의 드라이아이스를 에어 분출구(62a)로부터 분사하여, 콜릿(82)의 하면(흡착면)에 부착된 이물을 제거하여 세정하고, 제거된 이물은 에어 흡입구(62b)로부터 흡인되어서 집진 유닛(67)으로 배출된다(도 24).
스텝 S3H: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 상승시킨다.
스텝 S3J: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 트랜스퍼 헤드 전달 위치로 이동시킨다.
스텝 S3O: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)를 세정 장치(6B)의 제5 노즐(62B) 상으로 이동시킨다.
스텝 S3P: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)의 콜릿(42)을 하강시켜서 제5 노즐(62B)의 세정 공간(62c)에 넣는다.
스텝 S3I: 제어 장치(7)는 스텝 S6과 마찬가지로, 분말상의 드라이아이스를 에어 분출구(62a)로부터 분사하여, 콜릿(42)의 하면(흡착면)에 부착된 이물을 제거하여 세정하고, 제거된 이물은 에어 흡입구(62b)로부터 흡인되어서 집진 유닛(67)으로 배출된다(도 25).
스텝 S3Q: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)를 상승시켜 이동 퇴피시킨다.
또한, 스텝 S21보다 전의 동작은, 실시예 1의 스텝 S1보다 전의 동작과 동일하다. 또한, 스텝 S3N 후의 기판(P)의 취출 반출 동작은 실시예 1과 동일하다.
변형예 3에 관한 플립 칩 본더는, 중간 스테이지에 세정 장치 기능을 설치한다. 중간 스테이지는 분말상의 드라이아이스의 분출·흡인을 행하는 노즐과, 또한 그 상부에 다이를 적재할 수 있는 셔터를 설치한다. 중간 스테이지의 셔터를 개방하고, 픽업되어 트랜스퍼 헤드의 콜릿에 보유 지지된 다이의 표면을 드라이아이스 세정 기능으로 세정 후, 셔터를 폐쇄하여 셔터 상에 다이를 설치한다. 그 후, 본딩 헤드로 다이를 수취하고, 이동하고 있는 때에 셔터를 다시 개방하여 드라이아이스 세정 기능으로 트랜스퍼 헤드의 콜릿의 흡착면을 세정한다. 그 후, 본딩을 종료한 본딩 헤드의 콜릿의 흡착면의 세정도 행할 수 있다.
[실시예 4]
도 31은 실시예 4에 관한 플립 칩 본더의 개략을 도시하는 상면도이다. 도 32는 도 31에 있어서 화살표 A 방향으로부터 보았을 때에, 픽업 플립 헤드, 트랜스퍼 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면이다.
플립 칩 본더(10C)는 크게 구별하여, 다이 공급부(1)와, 픽업부(2C), 중간 스테이지부(3C)와, 본딩부(4A)와, 반송부(5), 세정 장치(6C)와, 기판 공급부(9K)와, 기판 반출부(9H)와, 각 부의 동작을 감시하여 제어하는 제어 장치(7)를 갖는다.
픽업부(2C)는, 픽업부(2A)의 구성에 추가로, 다이(D)의 이면 및 콜릿(22)의 상면(흡착면)을 인식하기 위한 스테이지 인식 카메라(24)를 갖는다.
중간 스테이지부(3C)는, 다이(D)를 일시적으로 적재하는 중간 스테이지(31)와, 중간 스테이지(31)를 인식하는 스테이지 인식 카메라(32)와, 다이(D)의 이면 및 콜릿(22)의 하면(흡착면)을 인식하기 위한 언더비전 카메라(33)를 갖는다.
세정 장치(6C)는 중간 스테이지(31) 상에 적재된 다이(D)의 이면 및 중간 스테이지(31)의 표면을 상방으로부터 세정하고, 픽업 플립 헤드(21A)의 콜릿(22)에 보유 지지된 다이(D)의 이면 및 콜릿(22)의 하면(흡착면)을 상방으로부터 세정하는 것이 가능하다. 또한, 세정 장치(6C)는 트랜스퍼 헤드(81)의 콜릿(82)에 보유 지지된 다이(D)의 표면 및 콜릿(82)의 하면(흡착면)을 하방으로부터 세정하고, 본딩 헤드(41)의 콜릿(42)에 보유 지지된 다이(D)의 표면 및 콜릿(42)의 하면(흡착면)을 하방으로부터 세정하는 것이 가능하다.
이어서, 실시예 4에 관한 세정 장치에 대하여 도 33을 사용하여 설명한다. 도 33은 세정 장치의 블록도이다.
세정 장치(6C)는, 제1 노즐(61)과, 제2 노즐(62)과, 제3 노즐(61A)과, 제4 노즐(62C)과, 액체의 이산화탄소를 공급하는 이산화탄소 공급원(63)과, 압축된 에어(가압 기체)를 공급하는 에어 공급원(61)과, 액체의 이산화탄소와 압축 에어가 혼합되어서 생성되는 분말상의 드라이아이스를 제1 노즐(61), 제2 노즐(62), 제3 노즐(61A) 및 제4 노즐(62C)에 공급하는 공급 배관(65a 내지 65d, 65g, 65h)을 구비한다. 세정 장치(6C)는, 또한, 제1 노즐(61), 제2 노즐(62), 제3 노즐(61A) 및 제4 노즐(62C)에서 다이로부터 제거된 이물을 반송하는 배출 배관(66a 내지 66e)과, 이물을 회수하는 집진 유닛(67)과, 공급 배관 사이 및 배출 배관 사이에 설치되는 밸브(68a 내지 68j)와, 이오나이저(69)를 구비한다.
제4 노즐(62C)은 제2 노즐(62)과 동일한 구성이며 동일한 동작으로 세정을 행한다.
이어서, 실시예 4에 관한 플립 칩 본더에 있어서 실시되는 본딩 방법(반도체 장치의 제조 방법)에 대하여 도 35 내지 38을 사용하여 설명한다. 도 34는 제4 노즐의 다이 세정 시의 단면도이다. 도 35는 제4 노즐의 트랜스퍼 헤드의 콜릿 세정 시의 단면도이다. 도 36 내지 38은 실시예 4에 관한 플립 칩 본더에서 실시되는 본딩 방법을 도시하는 흐름도이다. 도 36의 흐름도의 단자 E, F는 도 37의 단자 E, F에 접속된다. 도 37의 단자 A, B는 도 38의 단자 A, B에 접속된다.
스텝 S51: 제어 장치(7)는 스텝 S1과 마찬가지로, 다이(D)를 픽업 플립 헤드(21A)에 의해 픽업한다.
스텝 S52: 제어 장치(7)는 스텝 S2와 마찬가지로, 픽업 플립 헤드(21A)를 이동시킨다.
스텝 S53: 제어 장치(7)는 스텝 S3과 마찬가지로, 픽업 플립 헤드(21A)를 180도 회전시켜, 다이(D)의 범프(표면)를 반전시켜서 하면을 향하게 하여, 다이(D)를 트랜스퍼 헤드(81)에 건네는 자세로 한다.
스텝 S54: 스텝 S53 후에 또는 병행하여, 제어 장치(7)는 제1 노즐(61)의 세정 공간(61c)을 픽업 플립 헤드(21A)의 콜릿(22)이 보유 지지하고 있는 다이(D) 상으로 이동시키고, 하강시킨다.
스텝 S55: 제어 장치(7)는 스텝 S5와 마찬가지로, 드라이아이스를 에어 분출구(61a)로부터 분사시켜서 다이(D)의 이면에 부착된 이물을 제거한다. 제거된 이물은 에어 흡입구(61b)로부터 흡인되어 배출 배관(66a) 등을 통하여 집진 유닛(67)으로 배출된다.
스텝 S56: 제어 장치(7)는 제1 노즐(61)의 세정 공간(61c)을 상승시켜서, 픽업 헤드(21)의 콜릿(22)이 보유 지지하고 있는 다이(D) 상으로부터 이동시킨다.
스텝 S57: 제어 장치(7)는 스텝 S7과 마찬가지로, 픽업 플립 헤드(21A)의 콜릿(22)으로부터 트랜스퍼 헤드(81)의 콜릿(82)에 의해 다이(D)를 픽업하여, 다이(D)의 전달이 행하여진다.
스텝 S58: 스텝 S57 후, 제어 장치(7)는 제1 노즐(61)의 세정 공간(61c)을 픽업 플립 헤드(21A)의 콜릿(22) 상으로 이동시키고, 하강시킨다.
스텝 S59: 제어 장치(7)는 스텝 S5와 마찬가지로, 드라이아이스를 에어 분출구(61a)로부터 분사시켜서 콜릿(22)의 흡착면의 표면에 부착된 이물을 제거한다. 제거된 이물은 에어 흡입구(61b)로부터 흡인되어 배출 배관(66a) 등을 통하여 집진 유닛(67)으로 배출된다.
스텝 S5A: 제어 장치(7)는 제1 노즐(61)의 세정 공간(61c)을 상승시키고, 픽업 플립 헤드(21A)의 콜릿(22) 상으로부터 이동시킨다.
스텝 S5B: 제어 장치(7)는 픽업 플립 헤드(21A)를 반전시켜서, 콜릿(22)의 흡착면을 아래로 향하게 한다.
스텝 S42: 스텝 S57 후, 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 중간 스테이지(31)로 이동한다.
스텝 S43: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)에 보유 지지하고 있는 다이(D)를 중간 스테이지(31)에 적재한다.
스텝 S44: 스텝 S4C 후, 제어 장치(7)는 제3 노즐(61A)의 세정 공간(61c)을 중간 스테이지(31)에 적재되어 있는 다이(D) 상으로 이동(하강)시킨다.
스텝 S45: 제어 장치(7)는 스텝 S3과 마찬가지로, 분말상의 드라이아이스를 에어 분출구(61a)로부터 분사하여, 다이(D)의 표면에 부착된 이물을 제거하여 세정하고, 제거된 이물은 에어 흡입구(61b)로부터 흡인되어서 집진 유닛(67)으로 배출된다(도 14).
스텝 S46: 제어 장치(7)는 도 15에 도시한 바와 같이, 제3 노즐(61A)을 중간 스테이지(31)로부터 이동(상승)시킨다.
스텝 S47: 제어 장치(7)는 중간 스테이지(31)로부터 본딩 헤드(41)의 콜릿에 의해 다이(D)를 픽업한다.
스텝 S48: 제어 장치(7)는 스테이지 인식 카메라(32)에 의해 중간 스테이지(31)의 세정이 필요한지 여부를 판단한다. "예"인 경우에는 스텝 S49로 이동하고, "아니오"인 경우에는 스텝 S43으로 복귀된다.
스텝 S49: 제어 장치(7)는 제3 노즐(61A)의 세정 공간(61c)을 중간 스테이지(31) 상으로 이동(하강)시킨다.
스텝 S4A: 제어 장치(7)는 스텝 S15와 마찬가지로, 드라이아이스를 에어 분출구(61a)로부터 분사시켜서 중간 스테이지(31)의 표면에 부착된 이물을 제거하여 세정하고, 제거된 이물은 에어 흡입구(61b)로부터 흡인되어서 집진 유닛(67)으로 배출된다(도 14).
스텝 S4B: 제어 장치(7)는 제3 노즐(61A)을 중간 스테이지(31)로부터 이동(상승)시킨다.
스텝 S4C: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 언더비전 카메라(33)의 상방으로 이동시켜, 콜릿(82)의 하면(흡착면)을 촬상한다.
스텝 S4D: 제어 장치(7)는 콜릿(22)의 하면(흡착면)의 촬상 화상으로부터 세정이 필요한지 여부를 판단한다. "예"인 경우에는 스텝 S4E로 이동하고, "아니오"인 경우에는 스텝 S41로 복귀된다.
스텝 S4E: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 세정 장치의 상방으로 이동시키고, 하강시켜서 콜릿(82)을 제4 노즐(62C)의 세정 공간(62c)에 넣는다.
스텝 S4F: 제어 장치(7)는 스텝 S6과 마찬가지로, 분말상의 드라이아이스를 에어 분출구(62a)로부터 분사하여, 콜릿(82)의 흡착면에 부착된 이물을 제거하여 세정하고, 제거된 이물은 에어 흡입구(62b)로부터 흡인되어서 집진 유닛(67)으로 배출된다(도 34).
스텝 S4G: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)를 언더비전 카메라(45)의 상방으로 이동시켜, 본딩 헤드(41)의 콜릿(42)에 보유 지지되어 있는 다이(D)의 하면(표면)을 촬상한다.
스텝 S4H: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)의 콜릿(42)에 보유 지지되어 있는 다이(D)의 하면(표면)의 촬상 화상으로부터 세정이 필요한지 여부를 판단한다. "예"인 경우에는 스텝 S4I로 이동하고, "아니오"인 경우에는 스텝 S4K로 이동한다.
스텝 S4I: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)를 세정 장치의 상방으로 이동시키고, 하강시켜서 다이(D)를 제2 노즐(62)의 세정 공간(62c)에 넣는다.
스텝 S4J: 제어 장치(7)는 스텝 S6과 마찬가지로, 분말상의 드라이아이스를 에어 분출구(62a)로부터 분사하여, 다이(D)의 표면에 부착된 이물을 제거하여 세정하고, 제거된 이물은 에어 흡입구(62b)로부터 흡인되어서 집진 유닛(67)으로 배출된다.
스텝 S4K: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)를 상승시켜서 제2 노즐(62)로부터 다이(D)를 이동(상승)시켜, 본딩 헤드(41)를 본딩 스테이지로 이동시킨다.
스텝 S4L: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)를 하강시켜, 본딩 헤드(41)에 보유 지지하고 있는 다이(D)를 기판(P) 상에 탑재한다
스텝 S4M: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)를 언더비전 카메라(45)의 상방으로 이동시켜, 콜릿(42)의 하면(흡착면)을 촬상한다.
스텝 S4N: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)의 콜릿(42)의 하면(흡착면)의 촬상 화상으로부터 세정이 필요한지 여부를 판단한다. "예"인 경우에는 스텝 S4O로 이동하고, "아니오"인 경우에는 스텝 S47로 이동한다.
스텝 S4O: 제어 장치(7)는 본딩 헤드(41)를 세정 장치의 상방으로 이동시키고, 하강시켜서 콜릿(42)을 제2 노즐(62)의 세정 공간으로 넣는다.
스텝 S4P: 제어 장치(7)는 스텝 S6과 마찬가지로, 분말상의 드라이아이스를 에어 분출구(62a)로부터 분사하여, 콜릿(42)의 하면(흡착면)에 부착된 이물을 제거하여 세정하고, 제거된 이물은 에어 흡입구(62b)로부터 흡인되어서 집진 유닛(67)으로 배출된다.
또한, 스텝 S51보다 전의 동작은, 실시예 1의 스텝 S1보다 전의 동작과 동일하다. 또한, 스텝 S4L 후의 기판(P)의 취출 반출 동작은 실시예 1과 동일하다.
실시예 4에 의하면, 웨이퍼로부터 다이를 픽업할 때에 발생한 다이 표면 및 이면 이물, 그에 의해 축적되는 중간 스테이지 상 이물, 다이 반송 중에 콜릿에 부착되는 픽업 헤드와, 본딩 헤드의 양쪽을 세정함으로써, 적층 본딩을 행하는 다이의 표면, 이면의 이물을 대폭으로 저감할 수 있다.
<변형예 4>
이어서, 실시예 4의 변형예(변형예 4)에 관한 플립 칩 본더에 있어서 실시되는 본딩 방법(반도체 장치의 제조 방법)에 대하여 도 34, 35, 39 내지 41을 사용하여 설명한다. 도 39 내지 41은 도 31의 플립 칩 본더에서 실시되는 변형예 4에 관한 본딩 방법을 도시하는 흐름도이다.
변형예 4에 관한 본딩 방법은, 실시예 4에 관한 본딩 방법의 스텝 S51 내지 S54는, 동일하지만, 기타의 스텝이 상이하다. 도 39의 흐름도의 단자 E, F는 도 36의 단자 E, F에 접속되고, 도 39의 단자 G, H는 도 40의 G, H에 접속되고, 도 40의 단자 C, D는 도 41의 C, D에 접속된다.
변형예 4에 관한 본딩 방법의 스텝 S57보다 후의 스텝을 이하 설명한다.
스텝 S61: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 세정 장치(6C)의 제4 노즐(62C)의 상방으로 이동시킨다.
스텝 S62: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 하강시켜서 콜릿(82)에 의해 보유 지지하고 있는 다이(D)를 세정 장치(6C)의 제4 노즐(62C)의 세정 공간(62c)에 넣는다.
스텝 S63: 제어 장치(7)는 스텝 S6과 마찬가지로, 분말상의 드라이아이스를 에어 분출구(62a)로부터 분사하여, 다이(D)의 표면에 부착된 이물을 제거하여 세정하고, 제거된 이물은 에어 흡입구(62b)로부터 흡인되어서 집진 유닛(67)으로 배출된다(도 33).
스텝 S64: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 상승시켜서 제4 노즐(62C)로부터 다이(D)를 이동(상승)시킨다.
스텝 S65: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 중간 스테이지(31)의 상방으로 이동시킨다.
스텝 S66: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 하강시킨다.
스텝 S67: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)에 보유 지지하고 있는 다이(D)를 중간 스테이지(31)에 적재한다.
스텝 S68: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 상승시켜서 다이(D)로부터 콜릿(22)을 상승시킨다.
스텝 S69: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 세정 장치(6C)의 제4 노즐(62C)의 상방으로 이동시킨다.
스텝 S6A: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 하강시켜서 콜릿(82)을 세정 장치(6C)의 제4 노즐(62C)의 세정 공간(62c)에 넣는다.
스텝 S6B: 제어 장치(7)는 스텝 S6과 마찬가지로, 분말상의 드라이아이스를 에어 분출구(62a)로부터 분사하여, 콜릿의 흡착면에 부착된 이물을 제거하여 세정하고, 제거된 이물은 에어 흡입구(62b)로부터 흡인되어서 집진 유닛(67)으로 배출된다(도 33).
스텝 S6C: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 상승시켜서 제4 노즐(62C)로부터 다이(D)를 이동(상승)시킨다.
스텝 S6D: 제어 장치(7)는 트랜스퍼 헤드(81)를 다이(D)의 전달 위치로 이동시킨다.
스텝 S68 후, 도 40의 스텝 S44 이후를 행한다. 변형예 4의 스텝 S44 내지 S4B는 실시예 4의 스텝 S44 내지 S4B와 동일하다. 또한, 도 40의 스텝 S47 후, 도 41의 스텝 S4K 이후를 행한다. 변형예 4의 스텝 S4K 내지 S4P는 실시예 4의 스텝 S4K 내지 S4P와 동일하다.
이상, 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 실시 형태, 실시예 및 변형예에 기초하여 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예 및 변형예에 한정되는 것은 아니며, 여러가지 변경 가능한 것은 말할 필요도 없다.
예를 들어, 실시예 및 변형예에서는, 세정 장치는 액체의 이산화탄소와 압축 에어를 혼합하여 분말상의 드라이아이스를 생성하는 것을 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 펠리타이저로 액체의 이산화탄소로부터 펠릿상의 드라이아이스를 형성하고, 분쇄기로 이 펠릿상의 드라이아이스로부터 분쇄상의 드라이아이스(입쇄상의 드라이아이스)를 형성하고, 분쇄상의 드라이아이스를 소정의 압력의 캐리어 가스로 노즐에 공급하도록 해도 된다.
또한, 실시예 및 변형예에서는 다이 전체를 덮는 노즐로 세정하는 것을 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 다이 폭의 횡장(가로 길이) 노즐이 다이 길이 분 스캔하여 세정하게 해도 된다. 또한, 가는 노즐이 복수로 다이 전체를 커버하여 세정하게 해도 된다. 또한, 가는 노즐이 다이 전체를 스캔하여 세정하게 해도 된다.
또한, 실시예 1, 2, 4에서는, 세정 장치가 복수의 노즐을 구비하고 있는 것을 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 하나의 노즐을 구비하는 세정 장치를 복수 설치해도 된다.
또한, 실시예 4 및 변형예 4에서는 세정 전에 언더비전 카메라로 세정이 필요한지 여부를 판단하여 세정하고 있는 것을 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 세정 장치로 본딩 전에 세정한 다이의 이면을 언더비전 카메라로 확인하고, 소정의 이물수 이상의 경우, 다시 청정을 실시한 후 본딩을 행하게 해도 된다. 또한, 언더비전 카메라로 다이의 이면을 확인하고, 이물이 없어질 때까지 세정을 행하게 해도 된다. 또한, 언더비전 카메라로 콜릿을 확인하고, 이물이 없어질 때까지 세정을 행하게 해도 된다. 이에 의해, 이물이 있는 다이를 적층 실장할 일이 없으므로, 제품 불량을 저감할 수 있다.
또한, 실시예 4 및 변형예 4에서는 픽업 플립 헤드의 콜릿의 세정 전에 카메라로 세정이 필요한지 여부를 판단하고 있지 않지만, 세정이 필요한지 여부를 판단하여 세정하게 해도 된다.
또한, 실시예 4 및 변형예 4에서는 픽업 플립 헤드의 콜릿에 보유 지지되어 있는 다이(D)의 이면을 세정하고 있지 않지만, 제1 노즐로 세정하게 해도 된다. 이 경우, 카메라로 세정이 필요한지 여부를 판단하여 세정하게 해도 된다.
또한, 실시예 4 및 변형예 4에서는 다이의 이면을 제1 노즐 및 제3 노즐로 2회 세정을 행하고 있지만, 어느 한쪽의 세정이어도 되고, 제1 노즐에 의한 세정 후, 세정이 필요한지 여부를 판단하여 필요한 경우에 제3 노즐로 세정을 하게 해도 된다.
또한, 실시예 1, 변형예 1, 변형예 2, 실시예 2, 실시예 3 및 변형예 3은, 실시예 4 및 변형예 4와는 달리, 기판 인식 카메라나 언더비전 카메라로 촬상을 행하고 있지 않지만, 실시예 4 및 변형예 4와 마찬가지로 촬상을 행하고, 촬상 정보에 기초하여, 세정의 필요 여부를 판단하게 해도 된다.
또한, 실시예 및 변형예에서는, 정전기 대책, 이오나이저를 통하여 드라이아이스를 분출하는 것을 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 노즐이나 중간 스테이지를 도전성재(금속, 카본 수지 등)로 구성하여, 접지를 행해도 된다. 이오나이저와 접지하는 도전성 재료의 양쪽을 행해도 된다.
또한, 실시예 1 및 변형예 1, 2에서는, 다이 공급부로부터 다이를 픽업 헤드로 픽업하고 플립(반전)시켜서 본딩 헤드에 다이를 전달하고 본딩 헤드로 기판에 본딩하는 플립 칩 본더에 대하여 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 다이 공급부로부터 다이를 픽업 헤드로 픽업하여, 중간 스테이지에 적재하고, 중간 스테이지에 적재된 다이를 중간 스테이지에서 반전시켜 별도의 중간 스테이지에 전달하고, 본딩 헤드로 픽업하여 기판에 본딩하게 해도 된다.
또한, 플립한 다이를 본딩하는 본딩 헤드는, 본딩 시간과 세정 시간이 길어질 경우, 복수의 본딩 헤드를 설치하여 교대로 칩 세정, 본딩 및 콜릿 세정을 실시해도 된다.
또한, 실시예 및 변형예에서는, 플립 칩 본더에 대하여 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 다이 공급부로부터 다이를 픽업하고 반전시켜서 트레이 등에 적재하는 다이 소터에 적용 가능하다.
1: 다이 공급부
11: 웨이퍼
2: 픽업부
21: 픽업 헤드
22: 콜릿
3: 중간 스테이지부
31: 중간 스테이지
4: 본딩부
41: 본딩 헤드
42: 콜릿
6: 세정 장치
7: 제어 장치
10: 플립 칩 본더
D: 다이
P: 기판

Claims (33)

  1. 플립 칩 본더로서,
    범프를 갖는 다이를 보유 지지하는 다이 공급부와,
    기판 또는 이미 실장된 다이 상에 상기 다이를 적재하기 위한 본딩 스테이지와,
    상기 다이를 흡착하는 콜릿을 갖는 제1 헤드와,
    상기 다이를 흡착하는 콜릿을 갖는 제2 헤드와,
    상기 다이 공급부와 상기 본딩 스테이지 사이에 위치하는 상기 다이를 드라이아이스로 세정하는 세정 장치
    를 구비하고,
    상기 제1 헤드는 상기 다이 공급부로부터 상기 다이를 픽업하여 상하 반전시키고,
    상기 제2 헤드는 상기 제1 헤드로부터 상기 다이를 픽업하고,
    상기 세정 장치는 상기 드라이아이스를 분출하는 제1 노즐 및 제2 노즐을 갖고,
    상기 제1 노즐은 상기 제1 헤드가 픽업한 상기 다이의 상기 범프를 갖는 면과 반대인 이면을 세정하고,
    상기 제2 노즐은 상기 제2 헤드가 상기 제1 헤드로부터 픽업한 상기 다이의 상기 범프를 갖는 표면을 세정하는 플립 칩 본더.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 플립 칩 본더로서,
    범프를 갖는 다이를 보유 지지하는 다이 공급부와,
    기판 또는 이미 실장된 다이 상에 상기 다이를 적재하기 위한 본딩 스테이지와,
    상기 다이를 흡착하는 콜릿을 갖는 제1 헤드와,
    상기 다이를 흡착하는 콜릿을 갖는 제2 헤드와,
    상기 다이 공급부와 상기 본딩 스테이지 사이에 위치하는 상기 다이를 드라이아이스로 세정하는 세정 장치
    를 구비하고,
    상기 제1 헤드는 상기 다이 공급부로부터 상기 다이를 픽업하여 상하 반전시키고,
    상기 제2 헤드는 상기 제1 헤드로부터 상기 다이를 픽업하고,
    상기 세정 장치는 상기 드라이아이스를 분출하는 제1 노즐을 갖고,
    상기 제1 노즐은 상기 제1 헤드가 픽업한 상기 다이의 상기 범프를 갖는 면과 반대인 이면을 세정함과 함께, 상기 제1 헤드의 콜릿을 세정하는 플립 칩 본더.
  5. 플립 칩 본더로서,
    범프를 갖는 다이를 보유 지지하는 다이 공급부와,
    기판 또는 이미 실장된 다이 상에 상기 다이를 적재하기 위한 본딩 스테이지와,
    상기 다이를 흡착하는 콜릿을 갖는 제1 헤드와,
    상기 다이를 흡착하는 콜릿을 갖는 제2 헤드와,
    상기 다이 공급부와 상기 본딩 스테이지 사이에 위치하는 상기 다이를 드라이아이스로 세정하는 세정 장치
    를 구비하고,
    상기 제1 헤드는 상기 다이 공급부로부터 상기 다이를 픽업하여 상하 반전시키고,
    상기 제2 헤드는 상기 제1 헤드로부터 상기 다이를 픽업하고,
    상기 세정 장치는 상기 드라이아이스를 분출하는 제2 노즐을 갖고,
    상기 제2 노즐은 상기 제2 헤드가 상기 제1 헤드로부터 픽업한 상기 다이의 상기 범프를 갖는 표면을 세정함과 함께, 상기 제2 헤드의 콜릿을 세정하는 플립 칩 본더.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 헤드는 상기 다이를 상기 기판 또는 이미 실장된 다이 상에 적재하는 본딩 헤드인 플립 칩 본더.
  7. 플립 칩 본더로서,
    범프를 갖는 다이를 보유 지지하는 다이 공급부와,
    기판 또는 이미 실장된 다이 상에 상기 다이를 적재하기 위한 본딩 스테이지와,
    상기 다이를 흡착하는 콜릿을 갖는 제1 헤드와,
    상기 다이를 흡착하는 콜릿을 갖는 제2 헤드와,
    상기 다이 공급부와 상기 본딩 스테이지 사이에 위치하는 상기 다이를 드라이아이스로 세정하는 세정 장치와,
    상기 제2 헤드에 의해 상기 다이가 적재되는 중간 스테이지와,
    상기 다이를 흡착하는 콜릿을 갖는 제3 헤드
    를 구비하고,
    상기 제1 헤드는 상기 다이 공급부로부터 상기 다이를 픽업하여 상하 반전시키고,
    상기 제2 헤드는 상기 제1 헤드로부터 상기 다이를 픽업하고,
    상기 제3 헤드는 상기 중간 스테이지로부터 상기 다이를 픽업하여 상기 기판 또는 이미 실장된 다이 상에 적재하고,
    상기 세정 장치는 드라이아이스를 분출하는 제3 노즐을 갖고,
    상기 제3 노즐은 상기 중간 스테이지에 적재된 상기 다이의 상기 범프를 갖는 면과 반대인 이면을 세정하는 플립 칩 본더.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 세정 장치는, 드라이아이스를 분출하는 제2 노즐을 더 갖고,
    상기 제2 노즐은 상기 제3 헤드가 상기 중간 스테이지로부터 픽업한 상기 다이의 상기 범프를 갖는 표면을 세정하는 플립 칩 본더.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 제3 노즐은 상기 중간 스테이지의 상면을 세정하는 플립 칩 본더.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제2 노즐은 상기 제3 헤드의 콜릿을 세정하는 플립 칩 본더.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 중간 스테이지는, 상기 제2 헤드로부터 상기 다이를 전달하는 위치와, 상기 제3 노즐의 위치와, 상기 제3 헤드와 상기 다이를 전달하는 위치를 이동 가능한 플립 칩 본더.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 중간 스테이지를 복수 설치하고, 각각이 이동중 간섭하지 않는 경로에서 상기 제1 헤드로부터 상기 다이를 전달하는 위치와, 상기 제3 노즐의 위치와, 상기 제3 헤드와 상기 다이를 전달하는 위치를 이동 가능한 플립 칩 본더.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 중간 스테이지에 적재된 상기 다이의 이면 및 상기 중간 스테이지를 촬상하는 스테이지 인식 카메라를 더 구비하고,
    상기 제3 노즐은, 상기 스테이지 인식 카메라의 촬상 정보에 기초하여, 상기 중간 스테이지에 적재된 상기 다이 이면 및 상기 중간 스테이지를 세정하는 플립 칩 본더.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 제3 헤드에 보유 지지된 상기 다이의 표면 및 상기 제3 헤드의 콜릿을 촬상하는 제1 언더비전 카메라를 더 구비하고,
    상기 제2 노즐은, 상기 제1 언더비전 카메라의 촬상 정보에 기초하여, 상기 제3 헤드에 보유 지지된 상기 다이의 표면 및 상기 제3 헤드의 콜릿을 세정하는 플립 칩 본더.
  15. 제8항에 있어서,
    상기 세정 장치는, 드라이아이스를 분출하는 제4 노즐을 더 갖고,
    상기 제4 노즐은 상기 제2 헤드가 상기 다이를 상기 제1 헤드로부터 픽업한 상기 다이의 표면을 세정하는 플립 칩 본더.
  16. 제8항에 있어서,
    상기 세정 장치는, 드라이아이스를 분출하는 제4 노즐을 더 갖고,
    상기 제4 노즐은 상기 제2 헤드의 콜릿을 세정하는 플립 칩 본더.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제2 헤드의 콜릿을 촬상하는 제2 언더비전 카메라를 더 구비하고,
    상기 제4 노즐은, 상기 제2 언더비전 카메라의 촬상 정보에 기초하여, 상기 제2 헤드의 콜릿을 세정하는 플립 칩 본더.
  18. 제14항 또는 제17항에 있어서,
    상기 세정 장치는, 드라이아이스를 분출하는 제1 노즐 및 제2 노즐을 더 구비하고,
    상기 제1 노즐은 상기 제1 헤드가 픽업한 상기 다이의 이면 및 상기 제1 헤드의 콜릿을 세정하는 플립 칩 본더.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 헤드의 콜릿 및 상기 제1 헤드가 보유 지지하고 있는 다이의 이면을 촬상하는 제2 스테이지 인식 카메라를 더 구비하고,
    상기 제1 노즐은, 상기 제2 스테이지 인식 카메라의 촬상 정보에 기초하여, 상기 제1 헤드의 콜릿 및 상기 제1 헤드가 보유 지지하고 있는 다이의 이면을 세정하는 플립 칩 본더.
  20. 플립 칩 본더로서,
    범프를 갖는 다이를 보유 지지하는 다이 공급부와,
    기판 또는 이미 실장된 다이 상에 상기 다이를 적재하기 위한 본딩 스테이지와,
    상기 다이를 흡착하는 콜릿을 갖는 제1 헤드와,
    상기 다이를 흡착하는 콜릿을 갖는 제2 헤드와,
    상기 다이 공급부와 상기 본딩 스테이지 사이에 위치하는 상기 다이를 드라이아이스로 세정하는 세정 장치와,
    상기 제2 헤드에 의해 상기 다이가 적재되는 중간 스테이지와,
    상기 중간 스테이지로부터 상기 다이를 픽업하여 상기 기판 또는 이미 실장된 다이 상에 적재하는 제3 헤드
    를 구비하고,
    상기 제1 헤드는 상기 다이 공급부로부터 상기 다이를 픽업하여 상하 반전시키고,
    상기 제2 헤드는 상기 제1 헤드로부터 상기 다이를 픽업하고,
    상기 제3 헤드는 상기 다이를 흡착하는 콜릿을 갖고,
    상기 세정 장치는 드라이아이스를 분출하는 제5 노즐을 갖고,
    상기 중간 스테이지는 상기 제5 노즐 상에 개폐 가능한 스테이지를 구비하여 구성되고,
    상기 스테이지가 폐쇄되어 있을 때 상기 다이가 그 스테이지에 적재되고,
    상기 스테이지가 개방되어 있을 때 상기 제5 노즐은 상기 제2 헤드에 보유 지지되어 있는 상기 다이의 상기 범프를 갖는 표면, 상기 다이가 제거되어 있는 상기 제2 헤드의 콜릿, 상기 제3 헤드가 상기 중간 스테이지로부터 픽업한 상기 다이의 표면 및 상기 제3 헤드의 콜릿을 세정하는 플립 칩 본더.
  21. 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    (a) 범프를 갖는 다이를 보유 지지하는 웨이퍼 링을 준비하는 공정과,
    (b) 상기 다이를 실장하는 기판을 준비하는 공정과,
    (c) 상기 웨이퍼 링으로부터 상기 다이를 픽업하여 상하 반전시키는 공정과,
    (d) 상기 (c) 공정 후, 상기 다이를 드라이아이스로 세정하는 공정과,
    (e) 상기 (c) 공정 후, 상기 다이를 픽업하는 공정과,
    (f) 상기 (d) 공정 후, 상기 다이를 상기 기판 또는 이미 실장된 다이 상에 적재하는 공정
    을 구비하고,
    상기 (c) 공정은 콜릿을 갖는 제1 헤드로 상기 다이를 픽업하고,
    상기 (e) 공정은 콜릿을 갖는 제2 헤드로 상기 다이를 제1 헤드로부터 픽업하고,
    상기 (f) 공정은, 상기 제2 헤드로 상기 다이를 상기 기판 또는 이미 실장된 다이 상에 적재하고,
    상기 (d) 공정은,
    (d1) 상기 제1 헤드가 픽업한 상기 다이의 이면을 세정하는 공정과,
    (d2) 상기 제2 헤드가 상기 제1 헤드로부터 픽업한 상기 다이의 상기 범프를 갖는 표면을 세정하는 공정
    을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    (a) 범프를 갖는 다이를 보유 지지하는 웨이퍼 링을 준비하는 공정과,
    (b) 상기 다이를 실장하는 기판을 준비하는 공정과,
    (c) 상기 웨이퍼 링으로부터 상기 다이를 픽업하여 상하 반전시키는 공정과,
    (d) 상기 (c) 공정 후, 상기 다이를 드라이아이스로 세정하는 공정과,
    (e) 상기 (c) 공정 후, 상기 다이를 픽업하는 공정과,
    (f) 상기 (d) 공정 후, 상기 다이를 상기 기판 또는 이미 실장된 다이 상에 적재하는 공정
    을 구비하고,
    상기 (c) 공정은 콜릿을 갖는 제1 헤드로 상기 다이를 픽업하고,
    상기 (e) 공정은 콜릿을 갖는 제2 헤드로 상기 다이를 제1 헤드로부터 픽업하고,
    상기 (f) 공정은, 상기 제2 헤드로 상기 다이를 상기 기판 또는 이미 실장된 다이 상에 적재하고,
    상기 (d) 공정은,
    (d1) 상기 제1 헤드가 픽업한 상기 다이의 이면을 세정하는 공정과,
    (d2) 상기 제2 헤드가 상기 제1 헤드로부터 픽업한 상기 다이의 상기 범프를 갖는 표면을 세정하는 공정과,
    (d3) 상기 제1 헤드의 콜릿을 세정하는 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
  25. 삭제
  26. 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    (a) 범프를 갖는 다이를 보유 지지하는 웨이퍼 링을 준비하는 공정과,
    (b) 상기 다이를 실장하는 기판을 준비하는 공정과,
    (c) 상기 웨이퍼 링으로부터 상기 다이를 픽업하여 상하 반전시키는 공정과,
    (d) 상기 (c) 공정 후, 상기 다이를 드라이아이스로 세정하는 공정과,
    (e) 상기 (c) 공정 후, 상기 다이를 픽업하는 공정과,
    (f) 상기 (d) 공정 후, 상기 다이를 상기 기판 또는 이미 실장된 다이 상에 적재하는 공정
    을 구비하고,
    상기 (c) 공정은 콜릿을 갖는 제1 헤드로 상기 다이를 픽업하고,
    상기 (e) 공정은 콜릿을 갖는 제2 헤드로 상기 다이를 상기 제1 헤드로부터 픽업하여 중간 스테이지에 적재하고,
    상기 (f) 공정은 콜릿을 갖는 제3 헤드로 상기 다이를 상기 중간 스테이지로부터 픽업하여 적재하고,
    상기 (d) 공정은,
    (d1) 상기 중간 스테이지에 적재된 상기 다이의 상기 범프를 갖는 면과 반대인 이면을 세정하는 공정과,
    (d2) 상기 중간 스테이지의 다이 적재면을 세정하는 공정
    을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
  27. 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    (a) 범프를 갖는 다이를 보유 지지하는 웨이퍼 링을 준비하는 공정과,
    (b) 상기 다이를 실장하는 기판을 준비하는 공정과,
    (c) 상기 웨이퍼 링으로부터 상기 다이를 픽업하여 상하 반전시키는 공정과,
    (d) 상기 (c) 공정 후, 상기 다이를 드라이아이스로 세정하는 공정과,
    (e) 상기 (c) 공정 후, 상기 다이를 픽업하는 공정과,
    (f) 상기 (d) 공정 후, 상기 다이를 상기 기판 또는 이미 실장된 다이 상에 적재하는 공정
    을 구비하고,
    상기 (c) 공정은 콜릿을 갖는 제1 헤드로 상기 다이를 픽업하고,
    상기 (e) 공정은 콜릿을 갖는 제2 헤드로 상기 다이를 상기 제1 헤드로부터 픽업하여 중간 스테이지에 적재하고,
    상기 (f) 공정은 콜릿을 갖는 제3 헤드로 상기 다이를 상기 중간 스테이지로부터 픽업하여 적재하고,
    상기 중간 스테이지는 개폐 가능한 스테이지를 구비하고,
    상기 (d) 공정은,
    (d1) 상기 스테이지를 개방한 상태에서 상기 제2 헤드에 보유 지지되어 있는 상기 다이의 상기 범프를 갖는 면과 반대인 이면을 세정하는 공정과,
    (d2) 상기 스테이지가 폐쇄된 상태에서 상기 다이를 그 스테이지에 적재하는 공정과,
    (d3) 상기 스테이지를 개방한 상태에서 상기 제2 헤드의 콜릿의 흡착면을 세정하는 공정과,
    (d4) 상기 스테이지를 개방한 상태에서 상기 제3 헤드의 콜릿의 흡착면을 세정하는 공정
    을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
  28. 제26항에 있어서,
    상기 (d) 공정은,
    (d3) 상기 제3 헤드의 콜릿이 보유 지지하고 있는 상기 다이의 상기 범프를 갖는 표면을 세정하는 공정과,
    (d4) 상기 제3 헤드의 콜릿의 흡착면을 세정하는 공정
    을 더 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 (d) 공정은,
    (d5) 상기 제2 헤드의 콜릿이 보유 지지하고 있는 상기 다이의 표면을 세정하는 공정과,
    (d6) 상기 제2 헤드의 콜릿의 흡착면을 세정하는 공정
    을 더 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 (d) 공정은,
    (d7) 상기 제1 헤드의 콜릿이 보유 지지하고 있는 상기 다이의 이면을 세정하는 공정과,
    (d8) 상기 제1 헤드의 콜릿의 흡착면을 세정하는 공정
    을 더 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
  31. 제27항에 있어서,
    상기 (d) 공정은,
    (d9) 상기 중간 스테이지의 적재면측을 촬상하는 공정과,
    (d10) 상기 제3 헤드의 콜릿의 하면측을 촬상하는 공정
    을 더 구비하고,
    상기 (d2) 공정은, 상기 (d9) 공정의 촬상 정보에 기초하여, 상기 중간 스테이지를 세정하고,
    상기 (d3) 공정은, 상기 (d10) 공정의 촬상 정보에 기초하여, 상기 제3 헤드의 콜릿이 보유 지지하고 있는 상기 다이의 표면을 세정하고,
    상기 (d4) 공정은, 상기 (d10) 공정의 촬상 정보에 기초하여, 상기 제3 헤드의 콜릿의 흡착면을 세정하는 반도체 장치의 제조 방법.
  32. 제29항에 있어서,
    상기 (d) 공정은,
    (d11) 상기 제2 헤드의 콜릿이 보유 지지하고 있는 상기 다이의 표면을 촬상하는 공정과,
    (d12) 상기 제2 헤드의 콜릿의 흡착면을 촬상하는 공정
    을 더 구비하고,
    상기 (d5) 공정은, 상기 (d11) 공정의 촬상 정보에 기초하여, 상기 제2 헤드의 콜릿이 보유 지지하고 있는 상기 다이의 표면을 세정하고,
    상기 (d6) 공정은, 상기 (d12) 공정의 촬상 정보에 기초하여, 상기 제2 헤드의 콜릿을 세정하는 반도체 장치의 제조 방법.
  33. 제30항에 있어서,
    상기 (d) 공정은,
    (d13) 상기 제1 헤드의 콜릿이 보유 지지하고 있는 상기 다이의 이면을 촬상하는 공정과,
    (d14) 상기 제1 헤드의 콜릿의 흡착면을 촬상하는 공정
    을 더 구비하고,
    상기 (d7) 공정은, 상기 (d13) 공정의 촬상 정보에 기초하여, 상기 제1 헤드의 콜릿이 보유 지지하고 있는 다이의 표면을 세정하고,
    상기 (d8) 공정은, 상기 (d14) 공정의 촬상 정보에 기초하여, 상기 제1 헤드의 콜릿을 세정하는 반도체 장치의 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102233338B1 (ko) 2020-10-12 2021-03-29 주식회사 저스템 플립칩 본딩 산화 방지 장치

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7233079B2 (ja) * 2018-05-31 2023-03-06 ボンドテック株式会社 部品実装システム、部品供給装置および部品実装方法
JP7217604B2 (ja) * 2018-09-18 2023-02-03 キヤノンマシナリー株式会社 異物除去装置、ダイボンダ、及び異物除去方法
JP7149143B2 (ja) * 2018-09-20 2022-10-06 ファスフォードテクノロジ株式会社 実装装置および半導体装置の製造方法
JP7349602B2 (ja) * 2018-10-22 2023-09-25 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 部品実装システム
CN110176424B (zh) * 2019-04-18 2021-09-17 深圳聚盈芯电子有限公司 一种吸嘴安装牢固的清洁型芯片拾取设备
CN110047766B (zh) * 2019-04-25 2020-10-20 广东工业大学 一种双模混合控制芯片倒装方法
CN110176415B (zh) * 2019-05-07 2021-11-05 资兴市慧华电子有限公司 一种具有吸嘴拆装便捷功能的清洁型芯片分拣设备
KR20210001341A (ko) 2019-06-27 2021-01-06 서명원 블록체인 기반의 스마트 카 보안 시스템
KR102221704B1 (ko) * 2019-09-03 2021-03-02 세메스 주식회사 진공 피커 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
JP7257296B2 (ja) * 2019-09-06 2023-04-13 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP7284514B2 (ja) * 2020-05-11 2023-05-31 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド装置及びクリーニング方法
JP2022034171A (ja) * 2020-08-18 2022-03-03 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置、クリーニングヘッドおよび半導体装置の製造方法
JP2022046979A (ja) * 2020-09-11 2022-03-24 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP7456399B2 (ja) * 2021-02-12 2024-03-27 株式会社村田製作所 シート搬送装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007299966A (ja) * 2006-05-01 2007-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品装着装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06302630A (ja) * 1993-04-16 1994-10-28 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイボンディング方法及び装置
JPH07183334A (ja) * 1993-12-22 1995-07-21 Pfu Ltd フリップチップボンダ
CN1072398C (zh) * 1997-03-26 2001-10-03 财团法人工业技术研究院 芯片接合方法与装置
CN2379914Y (zh) * 1999-06-14 2000-05-24 华东半导体工业股份有限公司 具有翻转芯片功能的芯片接合装置
JP4233802B2 (ja) * 2002-04-26 2009-03-04 東レエンジニアリング株式会社 実装方法および実装装置
JP4241302B2 (ja) * 2003-09-30 2009-03-18 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP4508016B2 (ja) * 2005-07-07 2010-07-21 パナソニック株式会社 部品実装方法
JP2007203448A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Stolz Co Ltd ドライアイスブラスト装置
SG147353A1 (en) * 2007-05-07 2008-11-28 Mfg Integration Technology Ltd Apparatus for object processing
JP5379405B2 (ja) * 2008-05-27 2013-12-25 東レエンジニアリング株式会社 超音波接合装置
KR20110050547A (ko) * 2008-09-01 2011-05-13 네덜란제 오르가니자티에 포오르 토에게파스트-나투우르베텐샤펠리즈크 온데르조에크 테엔오 픽앤드플레이스 장치
CN101714500B (zh) * 2009-09-30 2012-02-01 日东电子科技(深圳)有限公司 Cog芯片倒装键合装置
CN201590409U (zh) * 2009-09-30 2010-09-22 日东电子科技(深圳)有限公司 Cog芯片倒装键合装置
KR101657531B1 (ko) * 2009-11-17 2016-10-04 세메스 주식회사 다이 이송 유닛, 이를 포함하는 다이 본딩 장치 및 다이 이송 방법
KR101104188B1 (ko) * 2010-04-23 2012-01-09 주식회사 프로텍 Ｌｅｄ 칩 세정 장치
JP5889537B2 (ja) 2011-03-23 2016-03-22 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ
KR102103811B1 (ko) * 2012-04-24 2020-04-23 본드테크 가부시키가이샤 칩 온 웨이퍼 접합 방법 및 접합 장치, 및 칩과 웨이퍼를 포함하는 구조체
AT512859B1 (de) * 2012-05-11 2018-06-15 Hanmi Semiconductor Co Ltd Halbleiterchip Wende- und Befestigungseinrichtung
JP6055239B2 (ja) * 2012-08-29 2016-12-27 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置並びにダイピックアップ装置及びダイピックアップ方法
JP6086763B2 (ja) * 2013-03-11 2017-03-01 ファスフォードテクノロジ株式会社 コレットクリーニング方法及びそれを用いたダイボンダ
TWI490956B (zh) * 2013-03-12 2015-07-01 Shinkawa Kk 覆晶接合器以及覆晶接合方法
KR20140146852A (ko) * 2013-06-18 2014-12-29 삼성테크윈 주식회사 플립칩 마운터 및 이를 이용한 마운팅 방법
US9318362B2 (en) * 2013-12-27 2016-04-19 Asm Technology Singapore Pte Ltd Die bonder and a method of cleaning a bond collet
JP2016001677A (ja) * 2014-06-12 2016-01-07 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6391378B2 (ja) 2014-09-10 2018-09-19 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ及びボンディング方法
US9842823B2 (en) * 2014-12-29 2017-12-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chip-stacking apparatus having a transport device configured to transport a chip onto a substrate
JP6470054B2 (ja) * 2015-01-26 2019-02-13 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダおよびボンディング方法
JP6510838B2 (ja) * 2015-03-11 2019-05-08 ファスフォードテクノロジ株式会社 ボンディング装置及びボンディング方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007299966A (ja) * 2006-05-01 2007-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品装着装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102233338B1 (ko) 2020-10-12 2021-03-29 주식회사 저스템 플립칩 본딩 산화 방지 장치

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Publication number Publication date
CN107871684A (zh) 2018-04-03
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JP6705727B2 (ja) 2020-06-03
KR20180034218A (ko) 2018-04-04

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