DE4126502C1 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE4126502C1 DE4126502C1 DE4126502A DE4126502A DE4126502C1 DE 4126502 C1 DE4126502 C1 DE 4126502C1 DE 4126502 A DE4126502 A DE 4126502A DE 4126502 A DE4126502 A DE 4126502A DE 4126502 C1 DE4126502 C1 DE 4126502C1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- aqueous acidic
- poly
- bath according
- acidic bath
- methyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- -1 poly(alkylene glycol Chemical compound 0.000 claims abstract description 16
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 150000001983 dialkylethers Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract 2
- QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N Disodium Chemical class [Na][Na] QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 17
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 11
- 229910021653 sulphate ion Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 claims description 7
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 claims description 7
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- OBDVFOBWBHMJDG-UHFFFAOYSA-N 3-mercapto-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CCCS OBDVFOBWBHMJDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IPCRBOOJBPETMF-UHFFFAOYSA-N N-acetylthiourea Chemical compound CC(=O)NC(N)=S IPCRBOOJBPETMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 3
- LUENVHHLGFLMFJ-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-sulfophenyl)disulfanyl]benzenesulfonic acid Chemical compound C1=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C1SSC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 LUENVHHLGFLMFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims description 2
- RYYWUUFWQRZTIU-UHFFFAOYSA-N Thiophosphoric acid Chemical compound OP(O)(S)=O RYYWUUFWQRZTIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- HTKFORQRBXIQHD-UHFFFAOYSA-N allylthiourea Chemical compound NC(=S)NCC=C HTKFORQRBXIQHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- ZOOODBUHSVUZEM-UHFFFAOYSA-N ethoxymethanedithioic acid Chemical compound CCOC(S)=S ZOOODBUHSVUZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NLEQMBHQFHUCST-UHFFFAOYSA-N n-carbamothioyl-2-cyanoacetamide Chemical compound NC(=S)NC(=O)CC#N NLEQMBHQFHUCST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000333 poly(propyleneimine) Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 claims description 2
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 claims description 2
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K trisodium citrate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- RXRJFXGYBHBKBJ-UHFFFAOYSA-N 1-sulfanylimidazolidine Chemical compound SN1CCNC1 RXRJFXGYBHBKBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- SCVJRXQHFJXZFZ-KVQBGUIXSA-N 2-amino-9-[(2r,4s,5r)-4-hydroxy-5-(hydroxymethyl)oxolan-2-yl]-3h-purine-6-thione Chemical class C1=2NC(N)=NC(=S)C=2N=CN1[C@H]1C[C@H](O)[C@@H](CO)O1 SCVJRXQHFJXZFZ-KVQBGUIXSA-N 0.000 claims 2
- 229920001281 polyalkylene Polymers 0.000 claims 2
- CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N thioglycolic acid Chemical compound OC(=O)CS CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000003585 thioureas Chemical class 0.000 claims 2
- VQRWKFKETIQVSP-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1,3-thiazole-2-thiol Chemical compound SC1NC=CS1 VQRWKFKETIQVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BVPHXTUEZOQIBS-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-1h-pyrimidine-2-thione Chemical compound CC1=CC=NC(S)=N1 BVPHXTUEZOQIBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims 1
- ACLZYRNSDLQOIA-UHFFFAOYSA-N o-tolylthiourea Chemical compound CC1=CC=CC=C1NC(N)=S ACLZYRNSDLQOIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZEMGGZBWXRYJHK-UHFFFAOYSA-N thiouracil Chemical compound O=C1C=CNC(=S)N1 ZEMGGZBWXRYJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract description 21
- 125000000446 sulfanediyl group Chemical group *S* 0.000 abstract description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 abstract 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 10
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 6
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000366 copper(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 3
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(trifluoromethoxy)phenyl]ethanol Chemical compound OCCC1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWXMWLZIZRDIBL-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-4a,10-dihydro-4h-phenazin-10-ium-2-amine;chloride Chemical compound [Cl-].C12=CC=CC=C2[NH2+]C2=CC(N)=CCC2N1C1=CC=CC=C1 MWXMWLZIZRDIBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYOGPZIVCWSXTO-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-1h-pyrimidine-2-thione;2-sulfanylidene-1h-pyrimidin-4-one Chemical compound CC1=CC=NC(=S)N1.O=C1C=CNC(=S)N1 KYOGPZIVCWSXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229940100198 alkylating agent Drugs 0.000 description 1
- 239000002168 alkylating agent Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N butene Natural products CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000016213 coffee Nutrition 0.000 description 1
- 235000013353 coffee beverage Nutrition 0.000 description 1
- 229940000425 combination drug Drugs 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- VAYGXNSJCAHWJZ-UHFFFAOYSA-N dimethyl sulfate Chemical compound COS(=O)(=O)OC VAYGXNSJCAHWJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 235000015110 jellies Nutrition 0.000 description 1
- 239000008274 jelly Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 235000013379 molasses Nutrition 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003176 water-insoluble polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein saures Bad zur galvanischen Abscheidung glänzender,
duktiler und eingeebneter Kupferüberzüge und die Verwendung dieser Kom
bination. Das erfindungsgemäße Bad kann sowohl zur Verstärkung der
Leiterbahnen von gedruckten Schaltungen als auch auf dem dekorativen Sektor
eingesetzt werden.
Es ist seit langem bekannt, daß galvanischen Kupferbädern organische
Substanzen zugesetzt werden, um glänzende Abscheidungen zu erzielen. Die
zahlreichen für diesen Zweck bereits bekannten Verbindungen, wie zum Beispiel
Thioharnstoff, Gelatine, Melasse, Kaffee-Extrakt, "basische" Farbstoffe und
Thiophosphorsäureester, besitzen jedoch keinerlei praktische Bedeutung mehr,
da die Qualität der mit ihnen erhaltenen Kupferüberzüge - besonders bezüglich
des gleichmäßigen Aussehens, der Härte und der Bruchelongation - nicht den
heutigen Anforderungen entsprechen.
Zum Stand der Technik zählen Bäder, die eine Mischung von sauerstoffhaltigen
hochmolekularen Verbindungen mit organischen, insbesondere aromatischen
Thioverbindungen (DE-AS 15 21 062), enthalten. Diese zeigen aber unbefrie
digende Ergebnisse bezüglich Metallstreuung und/oder Einebnung.
Zur Verbesserung wird in der DE-AS 20 39 831 ein saures Kupferbad beschrieben,
das neben einer polymeren sauerstoffhaltigen Verbindung und einer Thiover
bindung mit wasserlöslicher Gruppe noch mindestens einen Farbstoff aus der
Reihe der polymeren Phenazoniumverbindung gelöst enthält. Weitere Arbeiten
beschreiben die Kombination von organischen Thioverbindungen und polymeren
sauerstoffhaltigen Verbindungen mit anderen Farbstoffen, wie zum Beispiel
Kristall-Violett (EP-PS 71 512) oder Phthalocyanin-Derivaten mit Apo-Safranin
(DE-PS 34 20 999) oder eine Kombination mit Amiden (DE-PS 27 46 938).
Nachteilig bei der Verwendung üblicher sauerstoffhaltiger hochmolekularer
Verbindungen ist die Stabilität im Elektrolyten. Bei normaler Anwendung
zersetzen sich diese genannten Verbindungen während der Elektrolyse langsam
zu wasserunlöslichen Polymeren, die sich immer mehr im Elektrolyten
anreichern, an den Wandungen als Gallerte ausrahmen und schließlich auf der
Ware selbst ablagern, so daß die Ware mit Fehlstellen behaftet und so unbrauch
bar wird. Diese Zersetzung wird extrem verstärkt, wenn die Badtemperatur über
28°C ansteigt.
Aufgabe der Erfindung ist es, diese Nachteile zu vermeiden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein saures Bad gelöst, das
mindestens einen Polyalkylenglycoldialkyläther der allgemeinen Formel
enthält, in der n=8-800, vorzugsweise 14-90, und m=0-50, vorzugsweise
0-20, R¹ ein niedriges Alkyl C1 bis C4, R² eine aliphatische Kette oder einen
aromatischen Rest und a entweder 1 oder 2 bedeuten.
Die Menge, in der der Polyalkylenglycoldialkyläther zugegeben werden kann, um
eine deutliche Verbesserung der Kupferabscheidung zu erzielen, beträgt etwa
0,005 bis 30 g/Liter; vorzugsweise 0,02 bis 8,0 g/Liter. Die relative Molmasse
kann zwischen 500 und 35 000 g/mol betragen; vorzugsweise 800 bis
4000 g/mol.
Die Polyalkylenglycoldialkyläther sind an sich bekannt oder können nach an sich
bekannten Verfahren durch Umsetzen von Polyalkylenglykolen mit einem
Alkylierungsmittel, wie z. B. Dimethylsulfat oder tert. Buten hergestellt werden.
In der Tabelle 1 sind Beispiele der erfindungsgemäß zu verwendenden
Polyalkylenglycoldialkyläther sowie ihre bevorzugte Anwendungskonzentration
aufgeführt:
Zu der erfindungsgemäßen Verbindung können, um glänzende Niederschläge zu
erhalten, zumindestens eine Thioverbindung mit wasserlöslicher Gruppe
zugesetzt werden. Weitere Zusätze, wie stickstoffhaltige Thioverbindungen,
polymere Stickstoffverbindungen und/oder polymere Phenazoniumverbindungen,
können ebenfalls dem Bad zugesetzt werden.
Diese Einzelkomponenten des erfindungsgemäßen Kupferbades können im
allgemeinen vorteilhaft innerhalb folgender Grenzkonzentrationen im an
wendungsfertigen Bad enthalten sein:
| Übliche organische Thioverbindungen mit wasserlöslichen Gruppen | |
| 0,0005-0,4 g/Liter | |
| vorzugsweise | 0,001 -0,15 g/Liter |
In Tabelle 2 sind einige übliche Thioverbindungen mit wasserlöslichen Gruppen
sowie ihre bevorzugte Anwendungskonzentration aufgeführt:
| Thioverbindungen | |
| Bevorzugte Konzentration, g/Liter | |
| 3-Mercacptopropan-1-sulfonsäure, Natriumsalz | |
| 0,002 -0,1 | |
| Thiophosphorsäure-O-äthyl-bis-(ω-sulfopropyl)-ester, Dinatriumsalz | 0,01 -0,15 |
| Thiophosphorsäure-tris-(ω-sulfopropyl)-ester, Trinatriumsalz | 0,02 -0,15 |
| Thioglycolsäure | 0,001 -0,005 |
| Äthylendithiodipropylsulfonsäure, Natriumsalz | 0,001 -0,1 |
| Bis-(ω-sulfopropyl)-disulfid, Dinatriumsalz | 0,001 -0,05 |
| Bis-(ω-sulfopropyl)-sulfid, Dinatriumsalz | 0,01 -0,15 |
| O-Äthyl-dithiokohlensäure-S-(ω-sulfopropyl)-ester, Kaliumsalz | 0,002 -0,05 |
| 3(Benzthiazolyl-2-thio)-propylsulfonsäure, Natriumsalz | 0,005 -0,1 |
| Bis-(2ω-sulfohydroxypropyl)-disulfid, Dinatriumsalz | 0,003 -0,04 |
| Bis-(ω-sulfobutyl)-disulfid, Dinatriumsalz | 0,004 -0,04 |
| Bis-(p-sulfophenyl)-disulfid, Dinatriumsalz | 0,004 -0,04 |
| Methyl-(ω-sulfopropyl)-disulfid, Dinatriumsalz | 0,007 -0,08 |
| Methyl-(ω-sulfopropyl)-trisulfid, Dinatriumsalz | 0,005 -0,03 |
| Übliche stickstoffhaltige Thioverbindungen (sog. Thioharnstoffderivate) und/oder polymere Phenazoniumverbindungen und/oder polymere Stickstoffverbindungen | 0,001 -0,50 g/Liter |
| vorzugsweise | 0,0005-0,04 g/Liter |
Tabelle 3 enthält Beispiele für stickstoffhaltige Thioverbindungen (sog.
Thioharnstoffderivate) und Tabelle 4 für polymere Phenazoniumverbindungen
und Tabelle 5 für polymere Stickstoffverbindungen.
N-Acetylthioharnstoff
N-Trifluoracetythioharnstoff
N-Äthylthioharnstoff
N-Cyanoacetylthioharnstoff
N-Allylthioharnstoff
o-Tolylthioharnstoff
N,N′-Butylenthioharnstoff
Thiazolidinthiol(2)
4-Thiazolinthiol(2)
Imidazolidinthiol(2)(N,N′-Äthylenthioharnstoff)
4-Methyl-2-pyrimidinthiol
2-Thiouracil
N-Trifluoracetythioharnstoff
N-Äthylthioharnstoff
N-Cyanoacetylthioharnstoff
N-Allylthioharnstoff
o-Tolylthioharnstoff
N,N′-Butylenthioharnstoff
Thiazolidinthiol(2)
4-Thiazolinthiol(2)
Imidazolidinthiol(2)(N,N′-Äthylenthioharnstoff)
4-Methyl-2-pyrimidinthiol
2-Thiouracil
Poly(6-methyl-7-dimethylamino-5-phenyl-phenazoniumsulfat)
Poly(2-methyl-7-diäthylamino-5-phenyl-phenazoniumchlorid)
Poly(2-methyl-7-dimethylamino-5-phenyl-phenazoniumsulfat)
Poly(5-methyl-7-dimethylamino-phenazoniumacetat)
Poly(2-methyl-7-anilino-5-phenyl-phenazoniumsulfat)
Poly(2-methyl-7-dimethylamino-phenazoniumsulfat)
Poly(7-methylamino-5-phenyl-phenazoniumacetat)
Poly(7-äthylamino-2,5-diphenyl-phenazoniumchlorid)
Poly(2,8-dimethyl-7-dimethylamino-5-p-tolyl-phenazoniumchlorid)
Poly(2,5,8-triphenyl-7-dimethylamino-phenazoniumsulfat),
Poly(2,8-dimethyl-7-amino-5-phenyl-phenazoniumsulfat)
Poly(7-Dimethylamino-5-phenyl-phenazoniumchlorid)
Poly(2-methyl-7-diäthylamino-5-phenyl-phenazoniumchlorid)
Poly(2-methyl-7-dimethylamino-5-phenyl-phenazoniumsulfat)
Poly(5-methyl-7-dimethylamino-phenazoniumacetat)
Poly(2-methyl-7-anilino-5-phenyl-phenazoniumsulfat)
Poly(2-methyl-7-dimethylamino-phenazoniumsulfat)
Poly(7-methylamino-5-phenyl-phenazoniumacetat)
Poly(7-äthylamino-2,5-diphenyl-phenazoniumchlorid)
Poly(2,8-dimethyl-7-dimethylamino-5-p-tolyl-phenazoniumchlorid)
Poly(2,5,8-triphenyl-7-dimethylamino-phenazoniumsulfat),
Poly(2,8-dimethyl-7-amino-5-phenyl-phenazoniumsulfat)
Poly(7-Dimethylamino-5-phenyl-phenazoniumchlorid)
Polyäthylenimin
Polyäthylenimid
Polyacrylsäureamid
Polypropylenimin
Polybutylenimin
N-Methylpolyäthylenimin
N-Acetylpolyäthylenimin
N-Butylpolyäthylenimin
Polyäthylenimid
Polyacrylsäureamid
Polypropylenimin
Polybutylenimin
N-Methylpolyäthylenimin
N-Acetylpolyäthylenimin
N-Butylpolyäthylenimin
Die Grundzusammensetzung des erfindungsgemäßen Bades kann in weiten
Grenzen schwanken. Im allgemeinen wird eine wäßrige Lösung folgender
Zusammensetzung benutzt:
| Kupfersulfat (CuSO₄ · 5H₂O) | |
| 20-250 g/Liter | |
| vorzugsweise | 60- 80 g/Liter oder |
| 180-220 g/Liter | |
| Schwefelsäure | 50-350 g/Liter |
| vorzugsweise | 180-220 g/Liter oder |
| 50- 90 g/Liter | |
| Chloridionen | 0,01-0,18 g/Liter |
| vorzugsweise | 0,03-0,10 g/Liter |
Anstelle von Kupfersulfat können zumindest teilweise auch andere Kupfersalze
benutzt werden. Auch die Schwefelsäure kann teilweise oder ganz durch
Fluoroborsäure, Methansulfonsäure oder andere Säuren ersetzt werden. Die
Chloridionen werden als Alkalichlorid (z. B. Natriumchlorid) oder in Form von
Salzsäure p.a. zugesetzt. Die Zugabe von Natriumchlorid kann ganz oder teilweise
entfallen, wenn in den Zusätzen bereits Halogenionen enthalten sind.
Außerdem können im Bad auch zusätzlich übliche Glanzbildner, Einebner oder
Netzmittel enthalten sein.
Zur Herstellung des erfindungsgemäßen Bades werden die Einzelkomponenten
der Grundzusammensetzung hinzugefügt.
Die Arbeitsbedingungen des Bades sind wie folgt:
| pH-Wert: | |
| <1 | |
| Temperatur: | 15°C-50°C, vorzugsweise 25°C-40°C |
| kath. Stromdichte: | 0,5-12 A/dm², vorzugsweise 2-7 A/dm² |
Die Elektrolytbewegung erfolgt durch Einblasen von sauberer Luft, und zwar so
stark, daß sich die Elektrolytoberfläche in starker Wallung befindet.
Als Anode wird Kupfer mit einem Gehalt von 0,02 bis 0,067% Phosphor
verwendet.
Die folgenden Beispiele dienen zur Erläuterung der Erfindung:
Einem Kupferbad der Zusammensetzung
200,0 g/Liter Kupfersulft (CuSO₄ · 5H₂O),
65,0 g/Liter Schwefelsäure,
0,12 g/Liter Natriumchlorid
65,0 g/Liter Schwefelsäure,
0,12 g/Liter Natriumchlorid
werden als Glanzbildner
0,2 g/Liter Poläthylenglycol,
0,01 g/Liter Bis-(ω-sulfopropyl)-disulfid, Dinatriumsalz
und
0,002 g/Liter polymeres 7-Dimethylamino-5-phenyl- phenazonium-chlorid
0,01 g/Liter Bis-(ω-sulfopropyl)-disulfid, Dinatriumsalz
und
0,002 g/Liter polymeres 7-Dimethylamino-5-phenyl- phenazonium-chlorid
zugegeben. Man erhält bei einer Elektrolyttemperatur von 30°C mit einer
Stromdichte von 4 A/dm² und Bewegung durch Lufteinblasung einen gut ein
geebneten glänzenden Kupferüberzug.
Wird nun der Elektrolyt einer Dauerbelastung von 500 Ah/l unterzogen, wobei
die während der Elektrolyse verbrauchten Glanzbildner auf Sollwerte ergänzt
werden, so zeigt der Elektrolyt am Wannenrand deutliche gallertartige
Polymerausrahmungen.
Setzt man dagegen anstelle des Polyäthylenglycols die erfindungsgemäße
Verbindung, Polyäthylenglycoldimethyläther in der gleichen Menge dem
Elektrolyten zu, so zeigt der Elektrolyt nach der Alterung keine
Polymerausrahmungen.
Einem Kupferbad der Zusammensetzung
80 g/Liter Kupfersulfat (CuSO₄ · 5H₂O),
180 g/Liter Schwefelsäure, konz.,
0,08 g/Liter Natriumchlorid
180 g/Liter Schwefelsäure, konz.,
0,08 g/Liter Natriumchlorid
werden als Glanzbildner
0,6 g/Liter Polypropylenglycol,
0,02 g/Liter 3-Mercaptopropan-1-sulfonsäure, Natriumsalz
und
0,003 g/Liter N-Acetylthioharnstoff
0,02 g/Liter 3-Mercaptopropan-1-sulfonsäure, Natriumsalz
und
0,003 g/Liter N-Acetylthioharnstoff
zugegeben. Bei einer Elektrolyttemperatur von 30°C enthält man auf gekratztem
Kupferlaminat bei einer Stromdichte von 2 A/dm² glänzende Abscheidungen.
Wird nun der Elektrolyt einer Dauerbelastung von 500 Ah/l unterzogen, wobei
die während der Elektrolyse verbrauchten Glanzbildner auf Sollwerte ergänzt
werden, so zeigt der Elektrolyt am Wannenrand deutliche gallertartige
Polymerausrahmungen.
Setzt man dagegen anstelle des Polypropylenglycols die erfindungsgemäße
Verbindung, Polypropylenglycoldimethyläther in der gleichen Menge dem
Elektrolyten zu, so zeigt der Elektrolyt nach der Alterung keine
Polymerausrahmungen.
Einem Kupferbad der Zusammensetzung
80 g/Liter Kupfersulfat (CuSO₄ · 5H₂O),
200 g/Liter Schwefelsäure, konz.,
0,06 g/Liter Natriumchlorid
200 g/Liter Schwefelsäure, konz.,
0,06 g/Liter Natriumchlorid
werden als Glanzbildner
0,4 g/Liter Octyl-polyalkyläther und
0,01 g/Liter Bis-(ω-sulfopropyl)-sulfid, Dinatriumsalz
und
0,01 g/Liter Polyacrylsäureamid
0,01 g/Liter Bis-(ω-sulfopropyl)-sulfid, Dinatriumsalz
und
0,01 g/Liter Polyacrylsäureamid
zugegeben. Bei einer Elektrolyttemperatur von 30°C enthält man auf gekratztem
Kupferlaminat bei einer Stromdichte von 2 A/dm² glänzende Abscheidungen.
Wird nun der Elektrolyt einer Dauerbelastung von 500 Ah/l unterzogen, wobei
die während der Elektrolyse verbrauchten Glanzbildner auf Sollwerte ergänzt
werden, so zeigt der Elektrolyt am Wannenrand deutliche gallertartige
Polymerausrahmungen.
Setzt man dagegen anstelle des Octyl-polyalkylglycols die erfindungsgemäße
Verbindung, Octyl-monomethyl-polyalkylglycol in der gleichen Menge dem
Elektrolyten zu, so zeigt der Elektrolyt nach der Alterung keine
Polymerausrahmungen.
Eine Kupferfolie von 40 µm, die aus einem Kupferbad der Zusammensetzung
80 g/Liter Kupfersulfat (CuSO₄ · 5H₂O),
200 g/Liter Schwefelsäure, konz.,
0,06 g/Liter Natriumchlorid
200 g/Liter Schwefelsäure, konz.,
0,06 g/Liter Natriumchlorid
abgeschieden wurde, zeigt eine Bruchelongation von 4,2%. Nachdem in dem
Elektrolyten
0,4 g/Liter Dimethyl-polyalkyläther
gelöst wurden, zeigt eine unter gleichen Bedingungen abgeschiedene Folie 12,3%
Bruchelongation.
Claims (18)
1. Wäßriges saures Bad zur galvanischen Abscheidung glänzender und
eingeebneter Kupferüberzüge, enthaltend Polyalkylen-glykoldialkyläther der
allgemeinen Formel
in der n=8-800, m=0-50, R¹ ein niedriges Alkyl C1 bis C4, R² eine
aliphatische Kette oder aromatischen Rest und a 1 oder 2 bedeuten.
2. Wäßriges saures Bad gemäß Anspruch 1, enthaltend Polyalkylen
glykoldialkyläther oder deren Gemische in Konzentrationen von 0,005 bis
30 g/Liter.
3. Wäßriges saures Bad gemäß Anspruch 1 und 2, enthaltend
Dimethyl-polyäthylenglycoläther,
Di-tert.-butyl-polyäthylenglycoläther,
Stearyl-monomethyl-polyäthylenglycoläther,
Nonylphenyl-monomethyl-polyäthylenglycoläther,
Polyäthylen-polypropylen-dimethylglycoläther,
Octyl-monomethyl-polyalkylenäther,
Dimethyl-bis(polyalkylenglykol)octylenäther und/oder
β-Naphthol-monomethyl-polyäthylenglycoläther.
Dimethyl-polyäthylenglycoläther,
Di-tert.-butyl-polyäthylenglycoläther,
Stearyl-monomethyl-polyäthylenglycoläther,
Nonylphenyl-monomethyl-polyäthylenglycoläther,
Polyäthylen-polypropylen-dimethylglycoläther,
Octyl-monomethyl-polyalkylenäther,
Dimethyl-bis(polyalkylenglykol)octylenäther und/oder
β-Naphthol-monomethyl-polyäthylenglycoläther.
4. Wäßriges saures Bad gemäß Ansprüchen 1 bis 3, enthaltend zusätzlich
eine Thioverbindung oder ein Gemisch mehrerer
Thioverbindungen.
5. Wäßriges saures Bad gemäß Anspruch 4, enthaltend
3-Mercacptopropan-1-sulfonsäure, Natriumsalz,
Thiophosphorsäure-O-äthyl-bis-(ω-sulfopropyl)-ester, Dinatriumsalz,
Thiophosphorsäure-tris-(ω-sulfopropyl)-ester, Trinatriumsalz,
Thioglycolsäure,
Äthylendithiodipropylsulfonsäure, Natriumsalz,
Bis-(ω-sulfopropyl)-disulfid, Dinatriumsalz,
Bis-(ω-sulfopropyl)-sulfid, Dinatriumsalz,
O-Äthyl-dithiokohlensäure-S-(ω-sulfopropyl)-ester, Kaliumsalz,
3(Benzthiazolyl-2-thio)-propylsulfonsäure, Natriumsalz,
Bis-(2ω-sulfohydroxypropyl)-disulfid, Dinatriumsalz,
Bis-(ω-sulfobutyl)-disulfid, Dinatriumsalz,
Bis-(p-sulfophenyl)-disulfid, Dinatriumsalz,
Methyl-(ω-sulfopropyl)-disulfid, Dinatriumsalz und oder
Methyl-(ω-sulfopropyl)-trisulfid, Dinatriumsalz.
3-Mercacptopropan-1-sulfonsäure, Natriumsalz,
Thiophosphorsäure-O-äthyl-bis-(ω-sulfopropyl)-ester, Dinatriumsalz,
Thiophosphorsäure-tris-(ω-sulfopropyl)-ester, Trinatriumsalz,
Thioglycolsäure,
Äthylendithiodipropylsulfonsäure, Natriumsalz,
Bis-(ω-sulfopropyl)-disulfid, Dinatriumsalz,
Bis-(ω-sulfopropyl)-sulfid, Dinatriumsalz,
O-Äthyl-dithiokohlensäure-S-(ω-sulfopropyl)-ester, Kaliumsalz,
3(Benzthiazolyl-2-thio)-propylsulfonsäure, Natriumsalz,
Bis-(2ω-sulfohydroxypropyl)-disulfid, Dinatriumsalz,
Bis-(ω-sulfobutyl)-disulfid, Dinatriumsalz,
Bis-(p-sulfophenyl)-disulfid, Dinatriumsalz,
Methyl-(ω-sulfopropyl)-disulfid, Dinatriumsalz und oder
Methyl-(ω-sulfopropyl)-trisulfid, Dinatriumsalz.
6. Wäßriges saures Bad gemäß Ansprüchen 4 und 5, enthaltend
Thioverbindungen in Konzentrationen von 0,0005 bis 0,5 g/Liter.
7. Wäßriges saures Bad gemäß Ansprüchen 1 bis 6, gekennzeichnet durch
einen zusätzlichen Gehalt an mindestens einer polymeren
Phenazoniumverbindung.
8. Wäßriges saures Bad gemäß Anspruch 7, enthaltend
Poly(6-methyl-7-dimethylamino-5-phenyl-phenazoniumsulfat),
Poly(2-methyl-7-diäthylamino-5-phenyl-phenazoniumchlorid),
Poly(2-methyl-7-dimethylamino-5-phenyl-phenazoniumsulfat),
Poly(5-methyl-7-dimethylamino-phenazoniumacetat),
Poly(2-methyl-7-anilino-5-phenyl-phenazoniumsulfat),
Poly(2-methyl-7-dimethylamino-phenazoniumsulfat),
Poly(7-methylamino-5-phenyl-phenazoniumacetat),
Poly(7-äthylamino-2,5-diphenyl-phenazoniumchlorid),
Poly(2,8-dimethyl-7-dimethylamino-5-p-tolyl-phenazoniumchlorid),
Poly(2,5,8-triphenyl-7-dimethylamino-phenazoniumsulfat),
Poly(2,8-dimethyl-7-amino-5-phenyl-phenazoniumsulfat) und/oder
Poly(7-Dimethylamino-5-phenyl-phenazoniumchlorid).
Poly(6-methyl-7-dimethylamino-5-phenyl-phenazoniumsulfat),
Poly(2-methyl-7-diäthylamino-5-phenyl-phenazoniumchlorid),
Poly(2-methyl-7-dimethylamino-5-phenyl-phenazoniumsulfat),
Poly(5-methyl-7-dimethylamino-phenazoniumacetat),
Poly(2-methyl-7-anilino-5-phenyl-phenazoniumsulfat),
Poly(2-methyl-7-dimethylamino-phenazoniumsulfat),
Poly(7-methylamino-5-phenyl-phenazoniumacetat),
Poly(7-äthylamino-2,5-diphenyl-phenazoniumchlorid),
Poly(2,8-dimethyl-7-dimethylamino-5-p-tolyl-phenazoniumchlorid),
Poly(2,5,8-triphenyl-7-dimethylamino-phenazoniumsulfat),
Poly(2,8-dimethyl-7-amino-5-phenyl-phenazoniumsulfat) und/oder
Poly(7-Dimethylamino-5-phenyl-phenazoniumchlorid).
9. Wäßriges saures Bad gemäß Ansprüchen 7 und 8, enthaltend polymere
Phenazoniumverbindungen in Konzentrationen von 0,0001 bis 0,5 g/Liter.
10. Wäßriges saures Bad gemäß Ansprüchen 1 bis 6, gekennzeichnet durch
einen zusätzlichen Gehalt an mindestens einem Thioharnstoffderivat.
11. Wäßriges saures Bad gemäß Anspruch 10, enthaltend
N-Acetylthioharnstoff,
N-Trifluoracetythioharnstoff,
N-Äthylthioharnstoff,
N-Cyanoacetylthioharnstoff,
N-Allylthioharnstoff,
o-Tolylthioharnstoff,
N,N′-Butylenthioharnstoff,
Thiazolidinthiol(2),
4-Thiazolinthiol(2),
Imidazolidinthiol(2)(N,N′-Äthylenthioharnstoff),
4-Methyl-2-pyrimidinthiol und/oder
2-Thiouracil.
N-Acetylthioharnstoff,
N-Trifluoracetythioharnstoff,
N-Äthylthioharnstoff,
N-Cyanoacetylthioharnstoff,
N-Allylthioharnstoff,
o-Tolylthioharnstoff,
N,N′-Butylenthioharnstoff,
Thiazolidinthiol(2),
4-Thiazolinthiol(2),
Imidazolidinthiol(2)(N,N′-Äthylenthioharnstoff),
4-Methyl-2-pyrimidinthiol und/oder
2-Thiouracil.
12. Wäßriges saures Bad gemäß Ansprüchen 10 und 11, enthaltend
Thioharnstoffderivat in Konzentrationen von 0,0001 bis 0,5 g/Liter.
13. Wäßriges saures Bad gemäß Ansprüchen 1 bis 6, gekennzeichnet durch
einen zusätzlichen Gehalt mindestens einer polymeren
Stickstoffverbindung.
14. Wäßriges saures Bad gemäß Anspruch 13, enthaltend
Polyäthylenimin,
Polyäthylenimid,
Polyacrylsäureamid,
Polypropylenimin,
Polybutylenimin,
N-Methylpolyäthylenimin,
N-Acetylpolyäthylenimin und/oder
N-Butylpolyäthylenimin.
Polyäthylenimin,
Polyäthylenimid,
Polyacrylsäureamid,
Polypropylenimin,
Polybutylenimin,
N-Methylpolyäthylenimin,
N-Acetylpolyäthylenimin und/oder
N-Butylpolyäthylenimin.
15. Wäßriges saures Bad gemäß Ansprüchen 13 und 14, enthaltend polymere
Stickstoffverbindungen in Konzentrationen von 0,0001 bis 0,5 g/Liter.
16. Wäßriges saures Bad, gekennzeichnet durch einen Gehalt an
Polyalkylenglycoldialkyläther gemäß Ansprüchen 1 bis 3 und
Thioverbindungen gemäß Ansprüchen 4 bis 6.
17. Verwendung des Bades nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 16
zur Verstärkung von Leiterbahnen von gedruckten Schaltungen.
18. Verwendung des Bades nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 16
zur Herstellung glänzender und eingeebneter Kupferüberzüge.
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4126502A DE4126502C1 (de) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | |
| DE59204703T DE59204703D1 (de) | 1991-08-07 | 1992-07-22 | Saures bad zur galvanischen abscheidung von kupfer und dessen verwendung |
| PCT/DE1992/000605 WO1993003204A1 (de) | 1991-08-07 | 1992-07-22 | Saures bad zur galvanischen abscheidung von kupfer und dessen verwendung |
| ES92916259T ES2082486T3 (es) | 1991-08-07 | 1992-07-22 | Baño acido para la deposicion galvanica de cobre y su utilizacion. |
| US08/193,016 US5433840A (en) | 1991-08-07 | 1992-07-22 | Acid bath for the galvanic deposition of copper, and the use of such a bath |
| EP92916259A EP0598763B1 (de) | 1991-08-07 | 1992-07-22 | Saures bad zur galvanischen abscheidung von kupfer und dessen verwendung |
| JP05503171A JP3121346B2 (ja) | 1991-08-07 | 1992-07-22 | 銅の電解析出のための酸性めっき浴及び当該浴の使用法 |
| AT92916259T ATE131546T1 (de) | 1991-08-07 | 1992-07-22 | Saures bad zur galvanischen abscheidung von kupfer und dessen verwendung |
| CA002115062A CA2115062C (en) | 1991-08-07 | 1992-07-22 | Acid bath for the galvanic deposition of copper, and the use of such a bath |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4126502A DE4126502C1 (de) | 1991-08-07 | 1991-08-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE4126502C1 true DE4126502C1 (de) | 1993-02-11 |
Family
ID=6438067
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE4126502A Expired - Fee Related DE4126502C1 (de) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | |
| DE59204703T Expired - Lifetime DE59204703D1 (de) | 1991-08-07 | 1992-07-22 | Saures bad zur galvanischen abscheidung von kupfer und dessen verwendung |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE59204703T Expired - Lifetime DE59204703D1 (de) | 1991-08-07 | 1992-07-22 | Saures bad zur galvanischen abscheidung von kupfer und dessen verwendung |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5433840A (de) |
| EP (1) | EP0598763B1 (de) |
| JP (1) | JP3121346B2 (de) |
| AT (1) | ATE131546T1 (de) |
| CA (1) | CA2115062C (de) |
| DE (2) | DE4126502C1 (de) |
| ES (1) | ES2082486T3 (de) |
| WO (1) | WO1993003204A1 (de) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997011210A1 (en) * | 1995-09-22 | 1997-03-27 | Circuit Foil S.A. | Method for producing electrodeposited copper foil and copper foil obtained by same |
| RU2166567C2 (ru) * | 1995-09-22 | 2001-05-10 | Сиркюи Фуаль Люксембург Трейдинг С.А.Р.Л. | Способ изготовления электроосажденной медной фольги и медная фольга, полученная этим способом |
| DE102004045451A1 (de) * | 2004-09-20 | 2006-03-30 | Atotech Deutschland Gmbh | Galvanisches Verfahren zum Füllen von Durchgangslöchern mit Metallen, insbesondere von Leiterplatten mit Kupfer |
| US8784634B2 (en) | 2006-03-30 | 2014-07-22 | Atotech Deutschland Gmbh | Electrolytic method for filling holes and cavities with metals |
| DE202015003382U1 (de) | 2014-05-09 | 2015-06-16 | Dr. Hesse GmbH & Cie. KG | Elektrolytisches Abscheiden von Kupfer aus Wasser basierenden Elektrolyten |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5849171A (en) * | 1990-10-13 | 1998-12-15 | Atotech Deutschland Gmbh | Acid bath for copper plating and process with the use of this combination |
| DE4126502C1 (de) | 1991-08-07 | 1993-02-11 | Schering Ag Berlin Und Bergkamen, 1000 Berlin, De | |
| US6460548B1 (en) * | 1997-02-14 | 2002-10-08 | The Procter & Gamble Company | Liquid hard-surface cleaning compositions based on specific dicapped polyalkylene glycols |
| WO1998036042A1 (en) * | 1997-02-14 | 1998-08-20 | The Procter & Gamble Company | Liquid hard-surface cleaning compositions based on specific dicapped polyalkylene glycols |
| US5863410A (en) * | 1997-06-23 | 1999-01-26 | Circuit Foil Usa, Inc. | Process for the manufacture of high quality very low profile copper foil and copper foil produced thereby |
| KR100694562B1 (ko) * | 1998-08-11 | 2007-03-13 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 도금방법 및 장치 |
| EP1118696A4 (de) * | 1998-09-03 | 2007-10-17 | Ebara Corp | Verfahren und vorrichtung zum beschichten von substraten |
| US6444110B2 (en) * | 1999-05-17 | 2002-09-03 | Shipley Company, L.L.C. | Electrolytic copper plating method |
| JP2001073182A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-03-21 | Boc Group Inc:The | 改良された酸性銅電気メッキ用溶液 |
| DE60045566D1 (de) * | 1999-08-06 | 2011-03-03 | Ibiden Co Ltd | Mehrschicht-Leiterplatte |
| LU90532B1 (en) * | 2000-02-24 | 2001-08-27 | Circuit Foil Luxembourg Trading Sarl | Comosite copper foil and manufacturing method thereof |
| US6491806B1 (en) * | 2000-04-27 | 2002-12-10 | Intel Corporation | Electroplating bath composition |
| US6361673B1 (en) | 2000-06-27 | 2002-03-26 | Ga-Tek Inc. | Electroforming cell |
| US6679983B2 (en) * | 2000-10-13 | 2004-01-20 | Shipley Company, L.L.C. | Method of electrodepositing copper |
| CN1314839C (zh) * | 2000-10-19 | 2007-05-09 | 埃托特克德国有限公司 | 沉积无光泽铜镀层的铜浴及方法 |
| DE10058896C1 (de) * | 2000-10-19 | 2002-06-13 | Atotech Deutschland Gmbh | Elektrolytisches Kupferbad, dessen Verwendung und Verfahren zur Abscheidung einer matten Kupferschicht |
| US6797146B2 (en) * | 2000-11-02 | 2004-09-28 | Shipley Company, L.L.C. | Seed layer repair |
| US20020195351A1 (en) * | 2001-04-12 | 2002-12-26 | Chang Chun Plastics Co., Ltd. | Copper electroplating composition for integrated circuit interconnection |
| JP2003105584A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-04-09 | Electroplating Eng Of Japan Co | 微細配線埋め込み用銅メッキ液及びそれを用いた銅メッキ方法 |
| US6652731B2 (en) | 2001-10-02 | 2003-11-25 | Shipley Company, L.L.C. | Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate |
| US6736954B2 (en) * | 2001-10-02 | 2004-05-18 | Shipley Company, L.L.C. | Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate |
| US6911068B2 (en) * | 2001-10-02 | 2005-06-28 | Shipley Company, L.L.C. | Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate |
| EP1310582A1 (de) * | 2001-11-07 | 2003-05-14 | Shipley Company LLC | Verfahren zur elektrolytischen Kupfer Plattierung |
| US6676823B1 (en) * | 2002-03-18 | 2004-01-13 | Taskem, Inc. | High speed acid copper plating |
| EP1475463B2 (de) * | 2002-12-20 | 2017-03-01 | Shipley Company, L.L.C. | Methode zum Elektroplattieren mit Umkehrpulsstrom |
| DE10261852B3 (de) * | 2002-12-20 | 2004-06-03 | Atotech Deutschland Gmbh | Gemisch oligomerer Phenaziniumverbindungen und dessen Herstellungsverfahren, saures Bad zur elektrolytischen Abscheidung eines Kupferniederschlages, enthaltend die oligomeren Phenaziniumverbindungen, sowie Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden eines Kupferniederschlages mit einem das Gemisch enthaltenden Bad |
| US6851200B2 (en) * | 2003-03-14 | 2005-02-08 | Hopkins Manufacturing Corporation | Reflecting lighted level |
| TWI400365B (zh) | 2004-11-12 | 2013-07-01 | 安頌股份有限公司 | 微電子裝置上的銅電沈積 |
| US20070158199A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-12 | Haight Scott M | Method to modulate the surface roughness of a plated deposit and create fine-grained flat bumps |
| US20070178697A1 (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-02 | Enthone Inc. | Copper electrodeposition in microelectronics |
| JP2007327127A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Daiwa Fine Chemicals Co Ltd (Laboratory) | 銀めっき方法 |
| US7905994B2 (en) | 2007-10-03 | 2011-03-15 | Moses Lake Industries, Inc. | Substrate holder and electroplating system |
| US8262894B2 (en) | 2009-04-30 | 2012-09-11 | Moses Lake Industries, Inc. | High speed copper plating bath |
| WO2011113908A1 (en) * | 2010-03-18 | 2011-09-22 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
| US8691987B2 (en) | 2010-09-24 | 2014-04-08 | Andrew M. Krol | Method of producing polymeric phenazonium compounds |
| US8735580B2 (en) | 2010-09-24 | 2014-05-27 | Andrew M. Krol | Method of producing polymeric phenazonium compounds |
| CN103422079B (zh) * | 2012-05-22 | 2016-04-13 | 比亚迪股份有限公司 | 一种化学镀铜液及其制备方法 |
| EP2735627A1 (de) * | 2012-11-26 | 2014-05-28 | ATOTECH Deutschland GmbH | Kupferplattierbadzusammensetzung |
| JP2017503929A (ja) * | 2013-11-25 | 2017-02-02 | エンソン インコーポレイテッド | 銅の電析 |
| JP6733314B2 (ja) * | 2015-09-29 | 2020-07-29 | 三菱マテリアル株式会社 | 高純度銅電解精錬用添加剤と高純度銅製造方法 |
| EP3877571A4 (de) * | 2018-11-07 | 2022-08-17 | Coventya Inc. | Satin-kupfer-bad und verfahren zur abscheidung einer satin-kupfer-schicht |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1521062B2 (de) * | 1962-04-16 | 1971-11-18 | The Udylite Corp., Detroit, Mich. (V.StA.) | Waessriges saures galvanisches kupferbad zur abscheidung von duktilem glaenzendem kupfer |
| DE2039831B2 (de) * | 1970-06-06 | 1979-01-04 | Schering Ag, 1000 Berlin Und 4619 Bergkamen | Saures Bad zur galvanischen Abscheidung glänzender Kupferüberzüge |
| EP0071512A1 (de) * | 1981-07-24 | 1983-02-09 | Rhone-Poulenc Specialites Chimiques | Verfahren zur Herstellung eines Zusatzmittels für ein saures Kupferelektroplattierbad und seine Verwendung |
| DE3420999A1 (de) * | 1983-06-10 | 1984-12-13 | Omi International Corp., Warren, Mich. | Waessriges saures galvanisches kupferbad und verfahren zur galvanischen abscheidung eines glaenzenden eingeebneten kupferueberzugs auf einem leitfaehigen substrat aus diesem bad |
| DE2746938C2 (de) * | 1977-10-17 | 1987-04-09 | Schering AG, 1000 Berlin und 4709 Bergkamen | Wäßriges saures Bad zur galvanischen Abscheidung von glänzenden und rißfreien Kupferüberzügen und Verwendung dieses Bades |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA633957A (en) * | 1962-01-02 | Unipak Cartons Ltd. | Container carton and cellular structure therefor | |
| DE1293749B (de) * | 1965-04-24 | 1969-04-30 | Hoechst Ag | Verfahren zur Aufarbeitung der bei der Herstellung von Sorbinsaeure durch thermische Polyesterspaltung entstandenen waessrigen Polyglykoldialkylaetherloesung |
| US3804729A (en) * | 1972-06-19 | 1974-04-16 | M & T Chemicals Inc | Electrolyte and process for electro-depositing copper |
| DE3722778A1 (de) * | 1987-07-09 | 1989-03-09 | Raschig Ag | Polyalkylenglykol-naphthyl-3-sulfopropyl- diether und deren salze, verfahren zur herstellung dieser verbindungen und ihre verwendung als netzmittel in der galvanotechnik |
| DE3836521C2 (de) | 1988-10-24 | 1995-04-13 | Atotech Deutschland Gmbh | Wäßriges saures Bad zur galvanischen Abscheidung von glänzenden und rißfreien Kupferüberzügen und Verwendung des Bades |
| DE4126502C1 (de) | 1991-08-07 | 1993-02-11 | Schering Ag Berlin Und Bergkamen, 1000 Berlin, De | |
| US5328589A (en) * | 1992-12-23 | 1994-07-12 | Enthone-Omi, Inc. | Functional fluid additives for acid copper electroplating baths |
| JP5727189B2 (ja) | 2010-10-01 | 2015-06-03 | Necエンジニアリング株式会社 | 同期整流型電源回路 |
| JP5752960B2 (ja) | 2011-03-10 | 2015-07-22 | ダイヤモンド電機株式会社 | 電磁式可変バルブタイミング装置用の制御装置 |
| JP5838516B2 (ja) | 2011-05-19 | 2016-01-06 | 株式会社ブイ・テクノロジー | フォトマスク及び露光装置 |
| JP6220278B2 (ja) | 2014-01-31 | 2017-10-25 | 京葉瓦斯株式会社 | テープ貼付け方法及びテープ貼付け冶具並びにテープ |
-
1991
- 1991-08-07 DE DE4126502A patent/DE4126502C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-07-22 US US08/193,016 patent/US5433840A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-22 CA CA002115062A patent/CA2115062C/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-22 DE DE59204703T patent/DE59204703D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-22 EP EP92916259A patent/EP0598763B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-22 AT AT92916259T patent/ATE131546T1/de active
- 1992-07-22 ES ES92916259T patent/ES2082486T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-22 WO PCT/DE1992/000605 patent/WO1993003204A1/de not_active Ceased
- 1992-07-22 JP JP05503171A patent/JP3121346B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1521062B2 (de) * | 1962-04-16 | 1971-11-18 | The Udylite Corp., Detroit, Mich. (V.StA.) | Waessriges saures galvanisches kupferbad zur abscheidung von duktilem glaenzendem kupfer |
| DE2039831B2 (de) * | 1970-06-06 | 1979-01-04 | Schering Ag, 1000 Berlin Und 4619 Bergkamen | Saures Bad zur galvanischen Abscheidung glänzender Kupferüberzüge |
| DE2746938C2 (de) * | 1977-10-17 | 1987-04-09 | Schering AG, 1000 Berlin und 4709 Bergkamen | Wäßriges saures Bad zur galvanischen Abscheidung von glänzenden und rißfreien Kupferüberzügen und Verwendung dieses Bades |
| EP0071512A1 (de) * | 1981-07-24 | 1983-02-09 | Rhone-Poulenc Specialites Chimiques | Verfahren zur Herstellung eines Zusatzmittels für ein saures Kupferelektroplattierbad und seine Verwendung |
| DE3420999A1 (de) * | 1983-06-10 | 1984-12-13 | Omi International Corp., Warren, Mich. | Waessriges saures galvanisches kupferbad und verfahren zur galvanischen abscheidung eines glaenzenden eingeebneten kupferueberzugs auf einem leitfaehigen substrat aus diesem bad |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997011210A1 (en) * | 1995-09-22 | 1997-03-27 | Circuit Foil S.A. | Method for producing electrodeposited copper foil and copper foil obtained by same |
| RU2166567C2 (ru) * | 1995-09-22 | 2001-05-10 | Сиркюи Фуаль Люксембург Трейдинг С.А.Р.Л. | Способ изготовления электроосажденной медной фольги и медная фольга, полученная этим способом |
| DE102004045451A1 (de) * | 2004-09-20 | 2006-03-30 | Atotech Deutschland Gmbh | Galvanisches Verfahren zum Füllen von Durchgangslöchern mit Metallen, insbesondere von Leiterplatten mit Kupfer |
| DE102004045451B4 (de) * | 2004-09-20 | 2007-05-03 | Atotech Deutschland Gmbh | Galvanisches Verfahren zum Füllen von Durchgangslöchern mit Metallen, insbesondere von Leiterplatten mit Kupfer |
| US9445510B2 (en) | 2004-09-20 | 2016-09-13 | Atotech Deutschland Gmbh | Galvanic process for filling through-holes with metals, in particular of printed circuit boards with copper |
| US9526183B2 (en) | 2004-09-20 | 2016-12-20 | Atotech Deutschland Gmbh | Galvanic process for filling through-holes with metals, in particular of printed circuit boards with copper |
| US8784634B2 (en) | 2006-03-30 | 2014-07-22 | Atotech Deutschland Gmbh | Electrolytic method for filling holes and cavities with metals |
| DE202015003382U1 (de) | 2014-05-09 | 2015-06-16 | Dr. Hesse GmbH & Cie. KG | Elektrolytisches Abscheiden von Kupfer aus Wasser basierenden Elektrolyten |
| DE102014208733A1 (de) * | 2014-05-09 | 2015-11-12 | Dr. Hesse Gmbh & Cie Kg | Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden von Kupfer aus Wasser basierenden Elektrolyten |
| WO2015169970A1 (de) * | 2014-05-09 | 2015-11-12 | Dr. Hesse Gmbh & Cie Kg | Elektrolytisches abscheiden von kupfer mit einem wässrigen elektrolyten |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2115062A1 (en) | 1993-02-18 |
| CA2115062C (en) | 2005-11-22 |
| JPH07505187A (ja) | 1995-06-08 |
| JP3121346B2 (ja) | 2000-12-25 |
| DE59204703D1 (de) | 1996-01-25 |
| ES2082486T3 (es) | 1996-03-16 |
| WO1993003204A1 (de) | 1993-02-18 |
| EP0598763A1 (de) | 1994-06-01 |
| US5433840A (en) | 1995-07-18 |
| EP0598763B1 (de) | 1995-12-13 |
| ATE131546T1 (de) | 1995-12-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE4126502C1 (de) | ||
| AT395603B (de) | Waessriges saures bad zur galvanischen abscheidung von glaenzenden und rissfreien kupferueberzuegen und verwendung dieses bades | |
| DE2541897C2 (de) | Wäßriges saures Bad zur galvanischen Abscheidung duktiler und glänzender Kupferüberzüge | |
| DE2255584C2 (de) | Saures Kupfergalvanisierbad | |
| DE69404496T2 (de) | Cyanidfreie Plattierungslösung für monovalente Metalle | |
| DE19653681C2 (de) | Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Kupferschichten mit gleichmäßiger Schichtdicke und guten optischen und metallphysikalischen Eigenschaften und Anwendung des Verfahrens | |
| DE3210286A1 (de) | Waessriger saurer elektrolyt fuer die galvanische abscheidung von kupfer | |
| DE2039831B2 (de) | Saures Bad zur galvanischen Abscheidung glänzender Kupferüberzüge | |
| DE102005011708B3 (de) | Polyvinylammoniumverbindung und Verfahren zu deren Herstellung sowie diese Verbindung enthaltende saure Lösung und Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden eines Kupferniederschlages | |
| AT396946B (de) | Wässeriges saures bad zur galvanischen abscheidung glänzender und eingeebneter kupferüberzüge | |
| DE2630980C2 (de) | ||
| DE1246347B (de) | Saures galvanisches Kupferbad | |
| DE2459428C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Glanzbildners für saure galvanische Zinnbäder und dessen Verwendung | |
| DE4032864C2 (de) | ||
| DE602004011520T2 (de) | Wässrige, saure lösung und verfahren zur elektrolytischen abscheidung von kupferüberzügen sowie verwendung der lösung | |
| EP0785297B1 (de) | Wässriges, saures Bad zur galvanischen Abscheidung von glänzenden und rissfreien Kupferüberzügen und Verwendung dieses Bades | |
| DE3611627A1 (de) | Verbindung, zusammensetzung und verfahren zum elektroplattieren | |
| DE2360892A1 (de) | Waessriges saures galvanisches kupferbad | |
| DE4338148C2 (de) | Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung matter und pickelfreier Kupferschichten mit hoher Bruchdehnung auf Substratoberflächen | |
| DE1941487A1 (de) | Stoffzusammensetzungen und Verfahren zum Verzinken von metallischen Werkstuecken | |
| DE2053860C3 (de) | Saures wäßriges Bad zur galvanischen Abscheidung glänzender Kupferüberzüge | |
| DE2105472C3 (de) | Wäßriges saures Kupferbad zur Abscheidung duktiler glänzender Kupferüberzüge | |
| DE2115990C3 (de) | Wässriges, saures, galvanisches Kupferbad | |
| DE2317646C3 (de) | Verwendung von Äthylenoxid-Propylenoxid-Mischkondensaten in wäßrig-sauren galvanischen Kadmiumbädern und schwefelsaures galvanisches Kadmiumbad | |
| DE2105472B2 (de) | Wäßriges saures Kupferbad zur Abscheidung duktiler glänzender Kupferüberzüge |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8100 | Publication of patent without earlier publication of application | ||
| D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH, 10553 BERLIN, DE |
|
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |