AT396946B - Wässeriges saures bad zur galvanischen abscheidung glänzender und eingeebneter kupferüberzüge - Google Patents
Wässeriges saures bad zur galvanischen abscheidung glänzender und eingeebneter kupferüberzüge Download PDFInfo
- Publication number
- AT396946B AT396946B AT0166488A AT166488A AT396946B AT 396946 B AT396946 B AT 396946B AT 0166488 A AT0166488 A AT 0166488A AT 166488 A AT166488 A AT 166488A AT 396946 B AT396946 B AT 396946B
- Authority
- AT
- Austria
- Prior art keywords
- liter
- acid
- copper
- aqueous acid
- bath according
- Prior art date
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 21
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims description 21
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims description 21
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 9
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 title claims 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 28
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N Disodium Chemical class [Na][Na] QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 claims description 8
- 229920000151 polyglycol Polymers 0.000 claims description 7
- 239000010695 polyglycol Substances 0.000 claims description 7
- 125000000446 sulfanediyl group Chemical group *S* 0.000 claims description 7
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 6
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 6
- -1 sulfopropyl Chemical group 0.000 claims description 6
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 4
- GLDOVTGHNKAZLK-UHFFFAOYSA-N octadecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCO GLDOVTGHNKAZLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001522 polyglycol ester Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 claims description 4
- CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N thioglycolic acid Chemical compound OC(=O)CS CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920001521 polyalkylene glycol ether Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OBDVFOBWBHMJDG-UHFFFAOYSA-N 3-mercapto-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CCCS OBDVFOBWBHMJDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N Nonylphenol Natural products CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 2
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 2
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 claims description 2
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- GOQYKNQRPGWPLP-UHFFFAOYSA-N n-heptadecyl alcohol Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCO GOQYKNQRPGWPLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 2
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 claims description 2
- HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K trisodium citrate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims 3
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 3
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 2
- 125000006527 (C1-C5) alkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims 1
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 claims 1
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 claims 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical class C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003585 thioureas Chemical class 0.000 description 2
- NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N (2s)-2,6-diaminohexanoic acid;(2s)-2-hydroxybutanedioic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O.NCCCC[C@H](N)C(O)=O NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N 0.000 description 1
- AQFXIWDRLHRFIC-UHFFFAOYSA-N 1-[5-phenyl-3-(trifluoromethyl)pyrazol-1-yl]ethanone Chemical compound CC(=O)N1N=C(C(F)(F)F)C=C1C1=CC=CC=C1 AQFXIWDRLHRFIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZGADWSEDZVYHD-UHFFFAOYSA-N 2-(methylamino)benzenethiol Chemical compound CNC1=CC=CC=C1S IZGADWSEDZVYHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(trifluoromethoxy)phenyl]ethanol Chemical compound OCCC1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCVJRXQHFJXZFZ-KVQBGUIXSA-N 2-amino-9-[(2r,4s,5r)-4-hydroxy-5-(hydroxymethyl)oxolan-2-yl]-3h-purine-6-thione Chemical class C1=2NC(N)=NC(=S)C=2N=CN1[C@H]1C[C@H](O)[C@@H](CO)O1 SCVJRXQHFJXZFZ-KVQBGUIXSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- KCXMKQUNVWSEMD-UHFFFAOYSA-N benzyl chloride Chemical compound ClCC1=CC=CC=C1 KCXMKQUNVWSEMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940073608 benzyl chloride Drugs 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 235000016213 coffee Nutrition 0.000 description 1
- 235000013353 coffee beverage Nutrition 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- ZXJXZNDDNMQXFV-UHFFFAOYSA-M crystal violet Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1[C+](C=1C=CC(=CC=1)N(C)C)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 ZXJXZNDDNMQXFV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine monohydrate Substances O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- JZMJDSHXVKJFKW-UHFFFAOYSA-M methyl sulfate(1-) Chemical compound COS([O-])(=O)=O JZMJDSHXVKJFKW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000013379 molasses Nutrition 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- OEIJHBUUFURJLI-UHFFFAOYSA-N octane-1,8-diol Chemical compound OCCCCCCCCO OEIJHBUUFURJLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002898 organic sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- FRTIVUOKBXDGPD-UHFFFAOYSA-M sodium;3-sulfanylpropane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CCCS FRTIVUOKBXDGPD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003580 thiophosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 AT 396 946 B Die Eifindung betrifft ein saures Bad zur galvanischen Abscheidung glänzender und eingeebneter Kupferüberzüge. Es ist seit langem bekannt, daß sauren, insbesondere den am meisten verbreiteten, Schwefelsäuren Kupferelektrolyten bestimmte organische Substanzen in geringen Mengen zugesetzt werden können, um statt einer kristallinmatten Abscheidung glänzende Kupferüberzüge zu erhalten. Für diesen Zweck sind zum Beispiel bekanntgeworden Polyäthylenglycol, Thiohamstoff, Gelatine, Melasse, Kaffee-Extrakt, "basische" FarbstoffeundThiophosphorsäure-ester, die jedoch keinerlei praktische Bedeutung mehr besitzen, da die Qualität der mit Ihnen erhaltenen Kupferüber-züge nichtden heutigen Anforderungen entsprechen. So sind die Überzüge entwederzu sprödeoder sie besitzen einen zu geringen Glanz beziehungsweise fallen in bestimmten Stromdichtebereichen reliefartig aus. Gemische verschiedener chemisch unterschiedlicher Inhibitoren mit Thioverbindung verbesserten die Kupferabscheidung: Vorgeschlagen wurde der Zusatz von Polyalkyliminen in Verbindung mit organischen Thioverbindungen (DE-PS1246347) und Polyvinylverbindungen in Mischung mit sauerstoffhaltigen hochmolekularen Verbindungen und organischen insbesondere aromatischen Thioverbindungen (DE-AS 15 21062). Derartige Kupferelektrolyte erlauben abernichtdenEinsatz höherer kathodischerStromdichten,und dieabgeschiedenen Kupferüberzüge können außerdem nur nach einer vorausgegangenen Zwischenbehandlung vernickelt werden. In der genannten DE-AS 15 21062 wird außerdem ein saures Kupferbad beschrieben, das neben einer polymeren sauerstoffhaltigen Verbindung mit wasserlöslich machender Gruppe noch mindestens eine substituierte Phenazoniumverbindung gelöst enthält BeidiesenmonomerenPhenazoniumverbindungenistdieanwendbareStromdichtesowiedas Alterungsverhalten nicht ausreichend. Weitere Veröffentlichungen verwenden die Kombination von organischen Thioverbindungen und nichtiogenenNetzmittelnmitanderenFarbstoffenwiezumBeispielKristall-Violett(EU-PS71512),Methylviolett (DE-PS 225584), Amiden (US-PS 4181582), Phthalocyanin-Delivaten mit Apo-Safiranin (US-PS 3420999). Anstelle des Farbstoffes wurden auch Undefinierte Umsetzungsprodukte von Polyaminen mit Benzylchlorid (US-PS4110176)beziehungsweiseEpichlorhydrin(EU-PS 68807) oder solchemitThioverbindungenundAcrylamid (EU-PS 107109) vorgeschlagen. Sie ergeben alle ungleichmäßige Abscheidungen insbesondere in Kombination mit stickstoffhaltigen Thioverbindungen. Einen wesentlichen Fortschritt erbrachten Bäder, die polymere Phenazoniumverbindungen (DE-PS 2039831) enthielten. Sie finden hauptsächlich in Kombination mit nichtionogenen Netzmitteln und organischen Schwefelverbindungen Anwendung. Nachteilig ist die hohe Einebnung im hohen Stromdichtebereich im Vergleich zur geringen Einebnung im niedrigen Bereich, was bei der Verkupferung von gedruckten Schaltungen zu Lochrandabflachungen an den Bohrlöchern führt In der dekorativen Kupferabscheidung machen sich die unterschiedlichen Bereiche in der Stromdichte unschön bemerkbar. Aufgabe dieser Erfindung ist es, diese Nachteile zu vermeiden und darüber hinaus die Einebnung und gleichmäßige Abscheidung im Bereich niedriger Stromdichte zu verbessern. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein saures Bad gemäß dem kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs gelöst Vorteilhafte Weiterentwicklungen sind in den Unteransprüchen aufgeführt Zusätzlich können noch Einebner, wie zum Beispiel Thiohamstoffderivate oder polymere Phenazoniumverbindungen von Fall zu Fall die Einebnung im hohen Bereich verbessern. Die Mengen, in denen die Benzthiazolium-Verbindungen zugegeben werden müssen, um eine deutliche Verbesserung der Kupferabscheidung zu erzielen, sind gering und betragen etwa0,0005bis 0,3 g/Liter vorzugsweise 0,002 bis 0,05 g/Liter. Tabelle 1 enthält Beispiele für erfindungsgemäß zu verwendente Substanzen und Angaben über die bevorzugten Konzentrationen im Bad.
Tabelle I ©
R, / 3 —N X R< -2- 55
AT396946B
Thiazolium- VerbindungenNr. R1 % X* R3undR^ bevorzugte Kcnizentration g/Liter 1 ch3 H er CH, 0,006 - 0,030 2 c6h5c% 6-CH3 er CH, 0,010-0,040 3 CH, 6-CH3 er ch3 0,003-0,020 4 ch3 H MS 0,005-0,025 5 W 5-CH3 er ch3 0,010-0,050 6 CH, 5-CH3 MS CH, 0,005 - 0,020 7 ch3 6-C2H5O er ch3 0,002-0,015 (MS = CH3SO4)
Die Benzthiazolium-Verbindungen sind an sich bekannt oder können nach an sich bekannten Verfahren beispielsweise wie folgt hergestellt werden.
Zunächst wird das entsprechende Benzthiazolderivat am Stickstoff alkyliert, dieser Ring mit Hydrazin-hydrat geöffnet und mit Diaalkylaminobenzoylchlorid zum gewünschten Produkt umgesetzt.
Herstellungsvorschrift für Verbindung Nr. 1
In einem 4-1-Drehhalskolben mit KPG-Rührer, Rückflußkühler und Tropftrichter mit Druckausgleich werden 587 g (3,20 mol) 4-Dimethylamino-benzoylchlorid in 2,41 Toluol suspendiert, auf 60 °C erwärmt und unter Stickstoff in 30 min mit einer Lösung von 445 g (3,20 mol) N-Methyl-2-mercaptoanilin versetzt. Man rührt 1 h bei Siedetemperatur, läßt abkühlen und saugt das ausgefallene Produkt ab. Nach Waschen mit ca. 21 Toluol und Trocknen bei 50 °C im Vakuum erhält man 940 g (96 % da1 Theorie) hellgelbes Pulver, das zwischen 180 und 220 °C unter Zersetzung schmilzt
Die folgende Tabelle II enthält Beispiele für sauerstoffhaltige, hochmolekulare Verbindungen zur Verwendung als zusätzliche Komponente und deren bevorzugte Anwendungskonzentrationen:
Tabelle!!
Sauerstoffhaltige hochmolekulare Verbindungen Bevorzugte Konzentrationen g/Liter Polyvinylalkohol 0,05 - 0,4 Carboxymethylcellulose 0,05 - 0,1 Polyäthylenglycol 0,1 - 5,0 Polypropylenglycol 0,05 - 1,0 Stearinsäuie-Polyglycolester 0,5 - 8,0 Ölsäure-Polyglycolester 0,5 - 5,0 Stearylalkohol-Polyglycoläther 0,5 - 8,0 Nonylphenol-Polyglycoläther 0,5 - 6,0 Oktanolpolyalkylenglycoläther 0,05 - 0,5 Oktandiol-bis-(polyalkylenglycoläther) 0,05 - 0,5 Polyoxypropylenglycol 0,05 - 0,5 Polyäthylen-propylenglycol 0,02 - 5,0 (Misch- oder Blockpolymerisat) ß-Naphthol-Polyglycoläther 0,02 - 4,0
Die folgende Tabelle m enthält Beispiele für organische stickstofffreie Thioverbindungen mit wasserlöslichen Gruppen zur zusätzlichen Verwendung als Komponente und deren bevorzugte Anwendungskonzentration: -3- AT 396 946 B Tabelle ΙΠ
Thioverbindungen bevorzugte Konzentration 5 g/Liter 3-Mercaptopropan-l-sulfonsäure, Natriumsalz 0,005 - 0,1 Thiophosphorsäure-0-äthyl-bis-(w-sulfonpropyl)-ester,Dinatriumsfl1z 0,01 - 0,15 10 Thiophosphorsäure-lris-(w-sulfonpropyl)-ester,Trinatriumsalz 0,02 - 0,15 Thioglycolsäuie 0,001 - 0,003 15 Äthylendithiodipropylsulfonsäure, Natriumsalz 0 T—H o„ 0 Di-n-propylthioäther-di-w- 0,01 - 0,1 sulfonsäure, Dinatriumsalz 0,01 - 0,1 20 Bis(w-sulfopropyl)disulfid, Dinatriumsalz 0,002 - 0,02 Bis(w-sulfohydroxypropyl)disulfid, Dinatriumsalz 0,003 - 0,02 Bis(w-sulfobutyl)disulfid> Dinatiumsalz 0,004 - 0,02 25 Bisö>-sulfonphenyl)disulfid, Dinatriumsalz 0,01 - 0,1 Methyl-(w-sulfopropyl)disulfid, Natriumsalz 0,007 - 0,03 30 Methyl-(w-sulfobutyl)trisulfid, Natriumsalz 0,005 - 0,02 Die Einzelkomponenten des erfmdungsgemäßen Kupferbades können im allgemeinen vorteilhaft innerhalb folgender Grenzkonzentrationen im anwendungsfertigen Bad enthalten sein. 35 Thiazolium-Veibindung 0,0005 - 03 g/Liter vorzugsweise 0,002 - 0,05 g/Liter Sauerstoffhaltige, hochmolekulare Verbindungen 0,005 - 20 g/Liter vorzugsweise 0,01 - 5 g/Liter 40 Organische Thioverbindungen mit wasserlöslich machenden Gruppen 0,0005 - 03 g/Liter vorzugsweise 0,001 - 0,03 g/Liter DieGrundzusammensetzungdes erfindungsgemäßen Bades kann in weiten Grenzen schwanken. Im allgemeinen 45 wird eine wäßrige Lösung folgender Zusammensetzung benutzt: Kupfersulfat (G1SO4. SHjO) 20 - 250 g/Liter, vorzugsweise 60 - 80 g/Liter oder 180 - 220 g/Liter 50 Schwefelsäure 50 - 350 g/Liter, vorzugsweise 180 - 220 g/Liter oder 50 - 90 g/Liter 55 Natriumchlorid 0,02 - 035 g/Liter, vorzugsweise 0,05 - 0,12 g/Liter -4-
AT 396 946 B
Anstelle von Kupfersulfat können zumindest teilweise auch andere Kupfersalze benutzt werden. Auch die Schwefelsäure kann teilweise oder ganz durch Fluoroborsäure, Methansulfonsäure oder andere Säuren ersetzt werden. Die Zugabe von Natriumchlorid kann ganz oder teilweise entfallen, wenn in den Zusätzen bereits Halogenionen enthalten sind.
Außerdemkönnen im Badauch zusätzlich übliche Glanzbildner,Einebner, wie zum BeispielThiohamstoffderivate oder polymere Phenazoniumverbindungen, und/oder Netzmittel enthalten sein.
Zur Herstellung des erfindungsgemäßen Bades werden die Einzelkomponenten der Grundzusammensetzung hinzugefügt
Die Arbeitsbedingungen des Bades sind wie folgt pH-Wert <1
Temperatur 15- 45 °C, vorzugsweise 25 °C kath. Stromdichte: 0,5 -12 A/dm2, vorzugsweise 2-4 A/dm2
Elektrolytbewegung erfolgt durch Einblasen von sauberer Luft, so stark, daß die Elektrolytoberfläehe in starker Wallung sich befindet
Als Anode wird Kupfer mit einem Gehalt von 0,02 bis 0,067 % Phosphor verwendet Die folgenden Beispiele dienen zur Erläuterung der Erfindung:
Beispiel 1
Einem Kupferbad der Zusammensetzung 80 g/Liter Kupfersulfat (G1SO4. 5H20) 180 g/Liter Schwefelsäure konz. 0,08 g/Liter Natriumchlorid werden als Glanzbildner 0,6 g/Liter Polypropylenglycol und 0,02 g/Liter 3-Mercaptopropan-sulfonsäure, Natriumsalz zugegeben. Bei einer Elektrolyttemperatur von 30 °C enthält man in der Hull-Zelle bei ein» Stromdichte oberhalb 0,8 A/dm2 glänzende Abscheidungen, bei einer Stromdichte unterhalb 0,8 A/dm2 dagegen matte Abscheidungen.
Setzt man dem Bad
0,02 g/Liter Verbindung Nr. 1 oder 0,01 g/Liter Verbindung Nr. 2 oder 0,01 g/Liter Verbindung Nr. 3 oder 0,02 g/Liter Verbindung Nr. 4 oder 0,04 g/Liter Verbindung Nr. 5 oder 0,01 g/Liter Verbindung Nr. 6 oder 0,01 g/Liter Verbindung Nr. 7 aus Tabelle I zu, so ist der gesamte Stromdichtebereich auf dem Hull-Zellen-Prüfblech glänzend.
Beispiel 2
Einem Kupferbad folgender Zusammensetzung 60 g/Liter Kupfersulfat (G1SO4.5H20) 220 g/Liter Schwefelsäure konz. 0,1 g/Liter Natriumchlorid werden 1,0 g/Liter ß-Naphthol-polyglycoläther und 0,01 g/Liter Bis(w-sulfohydroxypropyl)disulfid, Dinatriumsalz zugegeben. -5-
Claims (14)
- AT 396 946 B Bei einer mittleren Stromdichte von
- 2 AJäir? wird eine gedruckte, nach der Additivtechnik verkupferte Schaltung 60 Minuten verstärkt. Hierbei zeigen sich um die Bohrlöcher matte abgeflachte Höfe, die nach dem Verzinnen deutliche Risse aufweisen. Setzt man dem Bad außerdem 0,02 g/Liter Verbindung 7 aus Tabelle I zu, so sind die Bohrlöcher auch nach dem Verzinnen einwandfrei. Beispiel
- 3 Einem Kupferbad der Zusammensetzung 200 g/Liter Kupfersulfat (CuSO^. 5^0) 65,0 g/Liter Schwefelsäure 0,2 g/Liter Natriumchlorid werdenals Glanzbildner 0,2 g/Liter Polyäthylenglycol 0,01 g/Liter Bis(w*sulfopropyl)-disulfid,Dinatriumsalz, und 0,02 g/Liter polymeres 7-Dimethylamino-5-phenyl-phenazonium-chlorid zugegeben. Bei einer Elektrolyttemperatur von 27 °C erhält man bei einer Stromdichte von 1 A/dm^ und Lufteinblasung zwar glänzende Kupferüberzüge, die Einebnung beträgt bei einer Schichtdicke von 3,4 (im nur 27 %. Gibt man dem Bad zusätzlich 0,01 g/Liter der Substanz 1 (Tabelle I) zu, so steigt die Einebnung unter gleichen Arbeitsbedingungen auf 35 % an. Sie erhöht sich also um 30 %. Beispiel
- 4 Ein Kupferbad folgender Zusammensetzung 80 g/Liter Kupfersulfat (CuSO^.
- 5^0) 200 g/Liter Schwefelsäure, konz. 0,06 g/Liter Natriumchlorid werden 0,4 g/Liter Oktanolpolyalkylenglykoläther 0,01 g/Liter Di-n-propylthioäther-di-w-sulfonsäure, Dinatriumsalz und 0,01 g/Liter polymeres 7-Dimethylamino-5-phelyl-phenazoniumchlorid zugegeben. Bei einer mittleren Stiomdichte von 2,4 A/dnr wird eine gedruckte durchkontaktierte Schaltung 50 Minuten verkupfert. Die Platte sieht speckig glänzend aus und hat sehr starke Fehlstellen an den Bohrlochkanten. Ersetzt man das polymere ProduktdurchO,01 g/Liter der Verbindung4ausTabelleI,so ist dieSchaltimgglänzend und hat gute Bohrlochkanten. PATENTANSPRÜCHE l.WäßrigessauiesBadzur galvanischen Abscheidung glänzender und eingeebneter Kupferüberzüge,gekennzeich-net durch einen Gehalt an mindestens einer Benzthiazonium-Veibindung der allgemeinen Formel \X -6- 4 AT 396 946 B in der Rl Cj-Cj-Alkyl, gegebenenfalls substituiertes Aryl oder Aralkyl, R2 Wasserstoff, C1-C5-Alkyl oder CrC5-Alkoxy, R3 und R4 jeweils Cj-Cj-AJkyl und X einen Säurerest darstellen. 2. Wäßriges saures Bad gemäß Anspruch 1, worin R1 Methyl, Äthyl, n-Propyl, i-Propyl, Phenyl oder Benzyl, R2 Wasserstoff, Methyl, Ätyhl, n-Propyl oder i-Propyl, R3 und R4 jeweils Methyl, Äthyl, n-Propyl oder i-Propyl und X einen Säurerest darstellen. 3. Wäßriges saures Bad gemäß Ansprüchen 1 und 2, worin die R2-Gruppe in 5- oder 6-Stellung angeordnet ist 4. Wäßriges saures Bad gemäß Ansprüchen 1 und 2, worin X einen Rest der Salzsäure, Schwefelsäure, Methansulfonsäure, Essigsäure, Toluolsulfonsäure oder Methanschwefelsäure darstellt 5. Wäßriges saures Bad gemäß Ansprüchen 1 bis 4, enthaltend die Thiazonium-Verbindungen in Konzentrationen von 0,0005 bis 03 g/Liter, vorzugsweise 0,002 bis 0,05 g/Liter.
- 6. Wäßriges saures Badgemäß Ansprüchen 1 bis 5, gekennzeichnet durch einen zusätzlichen Gehaltan mindestens einer sauerstoffhaltigen hochmolekularen Verbindung.
- 7. Wäßriges sauresBad gemäß Anspruch 6, enthaltendPolyvinylalkohol,Carboxymethylcellulose,PolyäihylenglycoI, Polypropylenglycol, Stearinsäure-Polyglycolester, Ölsäure-Polyglycolester, Stearylalkohol-Polyglycoläther, Nonylphenol-Polyglycoläther, Oktanolpolyalkylenglycoläther, Oktandiol-bis-(polyalkylenglycoläther), Polyoxypropylenglycol, Polyäthylen-propylenglycol oder ß-Naphthol-Polyglycoläther.
- 8. Wäßriges saures Bad gemäß Ansprüchen 6 und 7, enthaltend die sauerstoffhaltigen hochmolekularen Verbindungen in Konzentrationen von 0,005 bis 20 g/Liter, vorzugsweise 0,01 bis 5 g/Liter.
- 9. Wäßriges saures Bad gemäß Ansprüchen 1 bis 5, gekennzeichnet durch einen zusätzlichen Gehalt an einer organischen stickstofffreien Thioverbindung mit wasserlöslich machenden Gruppen.
- 10. Wäßriges sauresBad gemäß Anspruch 9, enthaltend 3-Mercaptopropan-l-sulfonsäure,NatriumsaIzThiophosphor-säure-0-äthyl-bis-(w-sulfopropyl)-ester,DmatriMnsalz,Tbiophosphorsäure-tris-(w-sulfopropylester,Trinatriumsalz, Thioglycolsäure, Äthylendithiodipropylsulfonsäure, Natriumsalz Di-n-propylthioäther-di-w-sulfonsäure, Dinatriumsalz, Bis(w-sulfopropyl)disulfid, Dinatriumsalz, Bis(w-sulfohydroxypropyl)disiilfid, Dinatriumsalz, Bis(w-sulfobutyl)disulfid,Dinatriumsalz,Methyl-(w-sulfoprc)pyl)disulfid,Natriumsalz oder Methyl-(w-sulfobutyl)trisulfid, Natriumsalz.
- 11. Wäßriges saures Bad gemäß Ansprüchen 9 und 10, enthaltend die organischen stickstofffreien Thioverbindungen mit wasserlöslich machenden Gruppen in Konzentrationen von 0,0005 bis 0,2 g/Liter, vorzugsweise 0,001 bis 0,3 g/Liter.
- 12. Wäßriges saures Bad, gekennzeichnet durch einen Gehalt an Thiazoniumverbindungen gemäß Ansprüchen 1 bis 5, sauerstoffhaltigen hochmolekularen Verbindungen gemäß Ansprüchen 6 bis 8 und organischen stickstofffreien Thioverbindungen mit wasserlöslich machenden Gruppen gemäß Ansprüchen 9 bis 11.
- 13. Wäßriges saures Bad gemäß Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß dieses einen pH-Wert < 1 aufweist.
- 14. Verfahren zur galvanischen Abscheidung glänzender und eingeebneter Kupferüberzüge, dadurch gekennzeichnet, daß galvanische Kupferbäder gemäß den Ansprüchen 1 bis 13 bei Temperaturen von 15 bis 45 °C und Stromdichten von 0,5 bis 12 A/dm^ verwendet werden. -7-
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19873721985 DE3721985A1 (de) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | Waessriges saures bad zur galvanischen abscheidung glaenzender und eingeebneter kupferueberzuege |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ATA166488A ATA166488A (de) | 1993-05-15 |
| AT396946B true AT396946B (de) | 1993-12-27 |
Family
ID=6330825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT0166488A AT396946B (de) | 1987-06-30 | 1988-06-27 | Wässeriges saures bad zur galvanischen abscheidung glänzender und eingeebneter kupferüberzüge |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0297306B1 (de) |
| JP (1) | JPH01100292A (de) |
| AT (1) | AT396946B (de) |
| DE (2) | DE3721985A1 (de) |
| ES (1) | ES2045013T3 (de) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5051154A (en) * | 1988-08-23 | 1991-09-24 | Shipley Company Inc. | Additive for acid-copper electroplating baths to increase throwing power |
| JPH04120692A (ja) * | 1990-09-11 | 1992-04-21 | Koatsu Gas Kogyo Kk | 感知器試験装置 |
| DE4032864A1 (de) * | 1990-10-13 | 1992-04-16 | Schering Ag | Saures bad zur galvanischen abscheidung von kupferueberzuegen und verfahren unter verwendung dieser kombination |
| DE4133299A1 (de) * | 1991-10-08 | 1993-04-15 | Basf Lacke & Farben | Kathodisch anscheidbarer elektrotauchlack |
| US5252196A (en) * | 1991-12-05 | 1993-10-12 | Shipley Company Inc. | Copper electroplating solutions and processes |
| RU2175999C2 (ru) * | 1999-03-09 | 2001-11-20 | Калининградский государственный университет | Водный электролит блестящего меднения |
| DE10000090A1 (de) * | 2000-01-04 | 2001-08-30 | Elfo Ag Sachseln Sachseln | Verfahren zum Herstellen einer mehrlagigen Planarspule |
| EP1348320A1 (de) * | 2001-01-04 | 2003-10-01 | Elmicron AG | Verfahren zum herstellen von elektrisch leitenden strukturen |
| US6736954B2 (en) * | 2001-10-02 | 2004-05-18 | Shipley Company, L.L.C. | Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate |
| RU2237754C2 (ru) * | 2002-07-25 | 2004-10-10 | Калининградский государственный университет | Электролит блестящего меднения |
| US7153408B1 (en) * | 2006-04-13 | 2006-12-26 | Herdman Roderick D | Copper electroplating of printing cylinders |
| EP2568063A1 (de) * | 2011-09-09 | 2013-03-13 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Kupfer-Elektroplattierverfahren mit geringer innerer Spannung |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0107109A2 (de) * | 1982-09-30 | 1984-05-02 | LeaRonal, Inc. | Elektrolytische Kupferplattierungslösungen und Verfahren für ihre Anwendung |
| EP0163131A2 (de) * | 1984-04-27 | 1985-12-04 | LeaRonal, Inc. | Saure Lösung für das Elektroplattieren von Kupfer und Verfahren für das Elektroplattieren |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817272A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-02-01 | Yamatake Honeywell Co Ltd | 調節弁用アクチユエ−タ |
-
1987
- 1987-06-30 DE DE19873721985 patent/DE3721985A1/de not_active Withdrawn
-
1988
- 1988-06-03 EP EP88108876A patent/EP0297306B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-03 DE DE8888108876T patent/DE3877633D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-03 ES ES88108876T patent/ES2045013T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-27 AT AT0166488A patent/AT396946B/de not_active IP Right Cessation
- 1988-06-30 JP JP63161089A patent/JPH01100292A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0107109A2 (de) * | 1982-09-30 | 1984-05-02 | LeaRonal, Inc. | Elektrolytische Kupferplattierungslösungen und Verfahren für ihre Anwendung |
| EP0163131A2 (de) * | 1984-04-27 | 1985-12-04 | LeaRonal, Inc. | Saure Lösung für das Elektroplattieren von Kupfer und Verfahren für das Elektroplattieren |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3721985A1 (de) | 1989-01-12 |
| ATA166488A (de) | 1993-05-15 |
| DE3877633D1 (de) | 1993-03-04 |
| ES2045013T3 (es) | 1994-01-16 |
| EP0297306A1 (de) | 1989-01-04 |
| JPH01100292A (ja) | 1989-04-18 |
| EP0297306B1 (de) | 1993-01-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AT395603B (de) | Waessriges saures bad zur galvanischen abscheidung von glaenzenden und rissfreien kupferueberzuegen und verwendung dieses bades | |
| EP0598763B1 (de) | Saures bad zur galvanischen abscheidung von kupfer und dessen verwendung | |
| EP1042538B1 (de) | Wässriges bad und verfahren zum elektrolytischen abscheiden von kupferschichten | |
| DE19653681C2 (de) | Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Kupferschichten mit gleichmäßiger Schichtdicke und guten optischen und metallphysikalischen Eigenschaften und Anwendung des Verfahrens | |
| DE2746938C2 (de) | Wäßriges saures Bad zur galvanischen Abscheidung von glänzenden und rißfreien Kupferüberzügen und Verwendung dieses Bades | |
| DE2255584C2 (de) | Saures Kupfergalvanisierbad | |
| AT396946B (de) | Wässeriges saures bad zur galvanischen abscheidung glänzender und eingeebneter kupferüberzüge | |
| DE3210286A1 (de) | Waessriger saurer elektrolyt fuer die galvanische abscheidung von kupfer | |
| DE2039831A1 (de) | Saurer Elektrolyt zur Abscheidung glaenzender Kupferueberzuege | |
| DE60022480T2 (de) | Kupferplattierungsverfahren | |
| DE10354860B4 (de) | Halogenierte oder pseudohalogenierte monomere Phenaziniumverbindungen, Verfahren zu deren Herstellung sowie diese Verbindungen enthaltendes saures Bad und Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden eines Kupferniederschlages | |
| DE2056954C2 (de) | Wäßriges saures Bad zur galvanischen Abscheidung eines Zinnüberzugs und Verfahren hierzu | |
| US5849171A (en) | Acid bath for copper plating and process with the use of this combination | |
| KR101255911B1 (ko) | 전해동 도금액 조성물 | |
| DE4032864C2 (de) | ||
| DE10337669B4 (de) | Wässrige, saure Lösung und Verfahren zum galvanischen Abscheiden von Kupferüberzügen sowie Verwendung der Lösung | |
| DE69006479T2 (de) | Verfahren zur elektrolytischen Herstellung von Kupferfolie. | |
| EP0785297B1 (de) | Wässriges, saures Bad zur galvanischen Abscheidung von glänzenden und rissfreien Kupferüberzügen und Verwendung dieses Bades | |
| DE2360892A1 (de) | Waessriges saures galvanisches kupferbad | |
| DE1521031C3 (de) | Saures Kupferbad zur galvanischen Abscheidung glänzender, eingeebneter Überzüge | |
| EP1234487A2 (de) | Verfahren zur direkten galvanischen durchkontaktierung von leiterplatten | |
| DD159268A3 (de) | Verfahren zur galvanischen abscheidung von kupferschichten auf leiterplatten | |
| DE1521013A1 (de) | Verfahren und Elektrolytloesung zur Goldplattierung | |
| DE1521031A1 (de) | Saurer Elektrolyt zur Abscheidung glaenzender,einebnender Kupferueberzuege | |
| DE1521021A1 (de) | Saurer Elektrolyt zur Herstellung glaenzender Kupferueberzuege |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EIH | Change in the person of patent owner | ||
| RER | Ceased as to paragraph 5 lit. 3 law introducing patent treaties | ||
| ELA | Expired due to lapse of time |