DE112014005420B4 - Halbleitervorrichtung - Google Patents
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Abstract
Halbleitervorrichtung, die Folgendes aufweist:
ein Substrat (10);
ein Halbleiterelement (20), das auf einer Seite des Substrats über eine erste Lötschicht (51) fixiert ist;
einen Anschluss (43), der auf der einen Seite des Substrats über eine zweite Lötschicht (53) fixiert ist; und
einen Lotausströmverhinderungsteil, der zwischen dem Halbleiterelement und dem Anschluss auf der einen Seite des Substrats vorgesehen ist und der gestaltet ist, um die erste Lötschicht und die zweite Lötschicht durch einen Abstand (d) zu hindern, auszuströmen, wobei
der Abstand (d) zwischen dem Lotausströmverhinderungsteil und dem Halbleiterelement länger als eine Dicke (t) der ersten Lötschicht ist,
wobei der Lotausströmverhinderungsteil eine Nut (12x) ist, die auf der einen Seite des Substrats ausgebildet ist, und ein erstes Ende des Anschlusses über der Nut fixiert ist,
das Substrat (10) eine isolierende Schicht (11) und eine Leitungsschicht (12) hat, die auf der isolierenden Schicht (11) ausgebildet ist,
die Nut (12x) in der Leitungsschicht (12) ausgebildet ist, und
das erste Ende (43c) des Anschlusses (43) direkt die isolierende Schicht (11) durch die Nut (12x) berührt.
ein Substrat (10);
ein Halbleiterelement (20), das auf einer Seite des Substrats über eine erste Lötschicht (51) fixiert ist;
einen Anschluss (43), der auf der einen Seite des Substrats über eine zweite Lötschicht (53) fixiert ist; und
einen Lotausströmverhinderungsteil, der zwischen dem Halbleiterelement und dem Anschluss auf der einen Seite des Substrats vorgesehen ist und der gestaltet ist, um die erste Lötschicht und die zweite Lötschicht durch einen Abstand (d) zu hindern, auszuströmen, wobei
der Abstand (d) zwischen dem Lotausströmverhinderungsteil und dem Halbleiterelement länger als eine Dicke (t) der ersten Lötschicht ist,
wobei der Lotausströmverhinderungsteil eine Nut (12x) ist, die auf der einen Seite des Substrats ausgebildet ist, und ein erstes Ende des Anschlusses über der Nut fixiert ist,
das Substrat (10) eine isolierende Schicht (11) und eine Leitungsschicht (12) hat, die auf der isolierenden Schicht (11) ausgebildet ist,
die Nut (12x) in der Leitungsschicht (12) ausgebildet ist, und
das erste Ende (43c) des Anschlusses (43) direkt die isolierende Schicht (11) durch die Nut (12x) berührt.
Description
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Gebiet der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung.
- Beschreibung des Stands der Technik
- Als eine Halbleitervorrichtung, in der ein Halbleiterelement und ein Anschluss auf einem Substrat montiert sind, ist zum Beispiel eine Halbleitervorrichtung bekannt, die an einem Fahrzeug montiert wird und eine Funktion einer Leistungssteuerung und dergleichen hat. In der Halbleitervorrichtung sind das Substrat und das Halbleiterelement über eine erste Lötschicht fixiert und das Substrat und der Anschluss sind über eine zweite Lötschicht fixiert.
- Jedoch gibt es in der Halbleitervorrichtung, die vorangehend beschrieben ist, da das Halbleiterelement und der Anschluss in dem Nahbereich voneinander angeordnet sind, einige Fälle, in denen die zweite Lötschicht, die das Substrat und den Anschluss verbindet, während eines Lötens zu dem Halbleiterelement hin ausströmt, elektrische Verbindung mit dem Halbleiterelement herstellt und die Halbleitervorrichtung daran hindert, normal zu arbeiten.
-
US 2010/0 059 875 A1 - JP 2012 / 064 855 A betrifft eine ähnliche Halbleitervorrichtung.
- ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Die vorliegende Erfindung bietet eine Halbleitervorrichtung, die ein Lot bzw. ein Lötmetall, das eine Lötschicht bildet, daran hindert, zu einem anderen Bauteil hin auszuströmen. Dies wird durch eine Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1 oder Anspruch 2 erreicht. Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstand der Unteransprüche.
- Eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung weist ein Substrat, ein Halbleiterelement, einen Anschluss und einen Lötmetallausströmverhinderungsteil bzw. einen Lotausströmverhinderungsteil auf. Das Halbleiterelement ist auf einer Seite des Substrats über eine erste Lötschicht fixiert. Der Anschluss ist auf der einen Seite des Substrats über eine zweite Lötschicht fixiert. Der Lotausströmverhinderungsteil ist zwischen dem Halbleiterelement und dem Anschluss in der einen Seite des Substrats vorgesehen und ist gestaltet, um die erste Lötschicht und die zweite Lötschicht daran zu hindern, auszuströmen. Ein Abstand zwischen dem Lotausströmverhinderungsteil und dem Halbleiterelement ist länger als eine Dicke der ersten Lötschicht.
- Gemäß dem Aspekt der vorliegenden Erfindung kann die Halbleitervorrichtung, die das Lot bzw. das Lötmetall, das die Lötschicht bildet, daran hindern kann, zu dem anderen Bauteil hin auszuströmen, vorgesehen sein.
- Figurenliste
- Merkmale, Vorteile und technische und industrielle Signifikanz von Beispielsausführungsformen der Erfindung werden nachfolgend mit Bezug auf die angefügten Zeichnungen beschrieben, in denen gleiche Bezugszeichen gleiche Elemente bezeichnen, und wobei:
-
1 eine Querschnittsansicht ist, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; -
2 eine Draufsicht ist, die die Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt; -
3A und3B Diagramme zum Beschreiben einer Menge bzw. eines Betrags eines Lots und eines Volumens einer Nut sind; -
4 eine Draufsicht ist, die ein anderes Beispiel einer Form der Nut zeigt; -
5 eine Querschnittsansicht ist, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; -
6 eine Querschnittsansicht ist, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; -
7 eine Draufsicht ist, die die Halbleitervorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform zeigt; -
8 eine Querschnittsansicht ist, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; -
9 eine Draufsicht ist, die die Halbleitervorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform zeigt; -
10 eine Querschnittsansicht ist, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer fünften, nicht beanspruchten Ausführungsform zeigt; -
11 eine Draufsicht ist, die die Halbleitervorrichtung gemäß der fünften, nicht beanspruchten Ausführungsform zeigt; und -
12 eine Querschnittsansicht ist, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
- Hiernach werden mit Bezug auf die Zeichnungen Arten zum Ausführen der Erfindung beschrieben. In jeder von den Zeichnungen sind gleiche Teile mit den gleichen Bezugszeichen versehen und doppelte Beschreibungen werden in einigen Fällen weggelassen.
- <Erste Ausführungsform>
-
1 ist eine Querschnittsansicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.2 ist eine Draufsicht, die die Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt. Jedoch ist in2 lediglich ein Teil der Bauteile gezeigt, die in1 gezeigt sind. Ferner zeigt1 einen Querschnitt entlang einer I-I-Linie von2 . - Wenn auf
1 und2 Bezug genommen wird, weist eine Halbleitervorrichtung1 ein Substrat10 , ein Halbleiterelement20 , ein Dichtharz30 und Anschlüsse41 und42 auf. Das Substrat10 weist eine Isolierschicht11 , eine erste Verdrahtungs- bzw. Leitungsschicht12 und eine zweite Verdrahtungs- bzw. Leitungsschicht13 auf. - In der vorliegenden Ausführungsform wird der Einfachheit halber die Seite des Anschlusses
41 als eine obere Seite oder eine Seite des Substrats10 genommen, und eine Seite der zweiten Leitungsschicht13 wird als eine untere Seite oder die andere Seite des Substrats10 genommen. Ferner wird eine Fläche auf der Seite des Anschlusses41 von den entsprechenden Stellen als eine obere Fläche oder eine Fläche genommen, und eine Fläche auf der Seite der zweiten Leitungsschicht13 wird als eine untere Fläche oder die andere Fläche genommen. Jedoch kann die Halbleitervorrichtung1 in einem umgedrehten Zustand verwendet werden oder kann bei einem beliebigen Winkel angeordnet werden. Ferner gibt eine Draufsicht an, einen Gegenstand von einer normalen Linienrichtung von einer Fläche der Isolierschicht11 aus zu sehen, eine ebene Form gibt eine Form an, wenn der Gegenstand von der normalen Linienrichtung von einer Fläche der Isolierschicht11 aus gesehen wird. - Die Isolierschicht
11 ist aus einem Isoliermaterial, wie zum Beispiel Keramik ausgebildet. Wenn die Isolierschicht11 aus der Keramik ausgebildet ist, kann als ein Material zum Beispiel Siliziumnitrid (Si3N4), Aluminiumoxid (Al2O3), Aluminiumnitrid (AIN) oder dergleichen verwendet werden. Jedoch ist das Material der Isolierschicht11 nicht auf die Keramik begrenzt, und ein isolierendes Harz, Glas oder dergleichen kann verwendet werden. Die ebene Form der Isolierschicht11 kann ein Viereck, ein Rechteck oder dergleichen mit einer Seite von ungefähr 30 bis 50 mm sein. Eine Dicke der Isolierschicht11 kann zum Beispiel um 0,2 bis 1,5 mm sein. - Die erste Leitungsschicht
12 ist an einer Fläche der Isolierschicht11 angeschlossen bzw. damit verbunden, durch zum Beispiel ein Löten oder dergleichen. Die erste Leitungsschicht12 kann über eine gesamte Fläche von einer Fläche der Isolierschicht11 angeordnet sein oder kann zum Beispiel derart angeordnet sein, dass ein Außenumfangsteil von einer Fläche der Isolierschicht11 freiliegt. Als ein Material der ersten Leitungsschicht12 kann zum Beispiel Kupfer (Cu), Aluminium (AI) oder dergleichen verwendet werden. Eine Dicke der ersten Leitungsschicht12 kann zum Beispiel um 0,2 bis 1 mm sein. - Wenn die erste Leitungsschicht
12 aus einem Material mit einer geringen Lotbenetzungseigenschaft, wie zum Beispiel Aluminium (AI), hergestellt ist, wird ein Oberflächenbehandlungsfilm (ein Plattierungsfilm oder dergleichen), wie zum Beispiel Nickel (Ni) oder Gold (Au) mit einer exzellenten Lotbenetzungseigenschaft, vorzugsweise auf einer Fläche der ersten Leitungsschicht12 , ausgebildet. - In der ersten Leitungsschicht
12 wird eine Nut12x (Durchgangsnut) ausgebildet, die eine Fläche der Isolierschicht11 freilegt. Die Nut12x ist auf einer Seite des Anschlusses42 des Halbleiterelements20 ausgebildet. Die Nut12x ist ein typisches Beispiel eines Lotausströmverhinderungsteils gemäß der vorliegenden Erfindung. Eine ebene Form der Nut12x kann zum Beispiel eine U-Form sein, die sich auf einer entgegengesetzten Seite von dem Halbleiterelement20 öffnet. - Ein Abstand d zwischen der Nut
12x und dem Halbleiterelement20 ist länger als eine Dicke t einer Lotschicht bzw. Lötschicht51 eingestellt. Zum Beispiel, wenn die Dicke t der Lötschicht51 0,1 mm ist, um einen elektrischen Durchgang zwischen dem Halbleiterelement20 und dem Anschluss42 zu verhindern, ist als der Abstand d zwischen der Nut12x und dem Halbleiterelement20 zumindest ungefähr 0,15 mm notwendig. Jedoch gilt, solange der Abstand d länger als die Dicke t ist, kann der Abstand d auf eine beliebige Länge eingestellt werden. - Der Grund dafür, warum der Abstand d zwischen der Nut
12x und dem Halbleiterelement20 länger als die Dicke t der Lötschicht51 eingestellt wird, ist wie folgt. Das heißt, da eine Lötkehle gewöhnlicherweise einen Neigungswinkel von ungefähr 45° bis 90° bildet, erstreckt sich eine Spitze der Kehle der Lötschicht51 bestenfalls lediglich zu einem Ausmaß, das gleich wie die Dicke t der Lötschicht51 von einer Endfläche des Halbleiterelements20 aus ist. - Deshalb, wenn der Abstand d zwischen der Nut
12x und dem Halbleiterelement20 länger als die Dicke t der Lötschicht51 eingestellt ist, kann die Kehle der Lötschicht51 daran gehindert werden, die Nut12x zu erreichen und einen elektrischen Durchgang mit einer Lötschicht53 in der Nut12x herzustellen. - Wie aus dem vorangehend genannten Grund heraus verstanden werden kann, wenn eine Elektrode (ein Teil, der die obere Schicht der Lötschicht
51 berührt) auf einer unteren Flächenseite des Halbleiterelements20 kleiner als ein Außenumfang des Halbleiterelements20 ist, wird ein Startpunkt des Abstands d vorzugsweise auf einen Teil eingestellt, der am nächsten an der Nut12x der Elektrode auf der unteren Flächenseite des Halbleiterelements20 liegt. Gemäß der vorliegenden Anmeldung wird der Abstand d zwischen der Nut12x und dem Halbleiterelement20 durch ein gleichermaßen Enthalten solch eines Falls repräsentiert. - Andererseits darf das Lot bzw. das Lötmetall, das die Lötschicht
53 bildet, gleichermaßen nicht die Lötschicht51 erreichen. In Anbetracht dessen ist eine Beziehung zwischen einer Menge des Lots bzw. Lötmetalls (das die Lötschicht53 nach einer Härtung bildet) und einem Volumen der Nut12x wichtig. Dies wird nachfolgend beschrieben. - Die zweite Leitungsschicht
13 ist an der anderen Fläche der Isolierschicht11 zum Beispiel durch ein Löten bzw. Hartlöten oder dergleichen angeschlossen bzw. damit verbunden. Die zweite Leitungsschicht13 kann über eine gesamte Fläche der anderen Fläche der Isolierschicht11 angeordnet sein oder kann zum Beispiel derart angeordnet sein, dass ein Außenumfangsteil der anderen Fläche der Isolierschicht11 freigelegt ist. Als ein Material der zweiten Leitungsschicht13 kann zum Beispiel Kupfer (Cu), Aluminium (AI) oder dergleichen verwendet werden. Eine Dicke der zweiten Leitungsschicht13 kann auf zum Beispiel ungefähr 0,2 bis 1 mm eingestellt sein. - Wenn die zweite Leitungsschicht
13 aus einem Material mit einer geringen Lotbenetzungseigenschaft, wie zum Beispiel Aluminium (AI) hergestellt ist, wird ein Oberflächenbehandlungsfilm (ein Plattierungsfilm oder dergleichen) wie zum Beispiel Nickel (Ni) oder Gold (Au) mit einer exzellenten Lotbenetzungseigenschaft vorzugsweise auf einer Oberfläche der zweiten Leitungsschicht13 ausgebildet. - Das Halbleiterelement
20 ist in einem vorbestimmten Elementmontagebereich auf der ersten Leitungsschicht12 des Substrats10 montiert. Eine Elektrode auf einer unteren Flächenseite des Halbleiterelements20 ist elektrisch mit der ersten Leitungsschicht12 über die Lötschicht51 verbunden bzw. angeschlossen. Das Halbleiterelement20 ist zum Beispiel ein Umschaltelement für Strom bzw. elektrische Leistung, das Wärme während eines Betriebs eines IGBT (Bipolartransistor mit isolierter Gateelektrode) oder dergleichen erzeugt, der einen Inverterkreis bildet. Die Wärme, die das Halbleiterelement20 erzeugt, wird über das Substrat10 abgestrahlt. Durch ein Anordnen einer Wärmeabstrahlungskomponente auf der Seite der zweiten Leitungsschicht13 kann eine Wärmeabstrahlungseigenschaft weiter verbessert werden. So kann die Halbleitervorrichtung1 als ein einseitig gekühltes Modul bezeichnet werden, da die Halbleitervorrichtung1 die Wärme, die das Halbleiterelement20 erzeugt, von einer Flächenseite (eine untere Flächenseite) abstrahlt. - Das Dichtharz
30 ist ausgebildet, um das Substrat10 , das Halbleiterelement20 und die Anschlüsse41 und42 abzudecken. Das Dichtharz30 kann durch ein Umformen bzw. Spritzpressen oder dergleichen beispielsweise mit einem Isoliermaterial, wie zum Beispiel einem Epoxidharz, das einen Füller enthält, ausgebildet werden. Wenn das Dichtharz30 ausgebildet wird, kann das Halbleiterelement20 oder dergleichen vor Feuchtigkeit, Verschmutzung oder dergleichen geschützt werden. Die untere Fläche der zweiten Leitungsschicht13 und ein Teil der Anschlüsse41 und42 können von dem Dichtharz30 freiliegen. - Der Anschluss
41 ist elektrisch mit dem Halbleiterelement20 verbunden. Ein Ende des Anschlusses41 ist an eine Elektrode auf einer oberen Flächenseite des Halbleiterelements20 über eine Lötschicht52 angeschlossen bzw. verbunden. Das andere Ende des Anschlusses41 ist außerhalb von dem Dichtharz30 freiliegend. Der Anschluss41 ist durch ein Verarbeiten eines Leitungsrahmenbasismaterials ausgebildet, das zum Beispiel aus Kupfer (Cu) oder dergleichen hergestellt ist. - Der Anschluss
42 ist mit der ersten Leitungsschicht12 elektrisch verbunden. Ein Führungsendteil von einem Ende des Anschlusses42 hat einen Anschlussteil42a . Ein gebogener Teil42b ist von dem Führungsendteil des einen Endes zu dem anderen Endteil hinüber ausgebildet. Ein Teil von dem Verbindungsteil42a zu dem gebogenen Teil42b ist eine Verbindungsfläche zu der ersten Leitungsschicht12 , und die Verbindungsfläche ist mit der ersten Leitungsschicht12 über die Lötschicht53 verbunden. Das eine Ende des Anschlusses42 ist über der Nut12x fixiert. - Der Verbindungsteil
42a des Anschlusses42 ist vorzugsweise an einer Position zu fixieren, die sich mit der Nut12x in einer Draufsicht überlappt. Dem ist so, da dann, wenn der Verbindungsteil42a des Anschlusses42 sich nicht mit der Nut12x in einer Draufsicht überlappt und sich weiter auf einer Außenumfangsseite des Substrats10 als die Nut12x befindet, ein Abstand zwischen dem überschüssigen Lot und der Nut12x lang wird und es für das überschüssige Lot schwierig wird, in die Nut12x einzudringen. Andererseits ist dem so, da dann, wenn der Verbindungsteil42a des Anschlusses42 sich nicht mit der Nut12x in einer Draufsicht überlappt und sich weiter auf einer Seite des Halbleiterelements20 als die Nut12x befindet, das überschüssige Lot von der Nut12x zu der Seite des Halbleiterelements20 hin ausströmen kann. - Das andere Ende des Anschlusses
42 ist außerhalb des Dichtharzes30 freiliegend. Der Anschluss42 ist durch ein Verarbeiten eines Leitungsrahmenbasismaterials ausgebildet, das zum Beispiel aus Kupfer (Cu) oder dergleichen hergestellt ist. Die Lötschicht53 ist derart ausgebildet, dass sie in die Nut12x eintritt, sich auf der ersten Leitungsschicht12 in einer Richtung weg von dem Halbleiterelement20 erstreckt und ferner eine untere Fläche des gebogenen Teils42b des Anschlusses42 abdeckt (eine Rückkehle bildet). - Da die Nut
12x so ausgebildet ist, wenn der Anschluss42 an die erste Leitungsschicht12 gelötet wird, tritt das überschüssige Lot in die Nut12x selbst dann ein, wenn eine Menge von geschmolzenem Lot (das die Lotschicht53 nach einem Härten wird) groß ist. Ferner bildet ein Teil des überschüssigen Lots eine Rückkehle auf der unteren Fläche des gebogenen Teils42b des Anschlusses42 . Dementsprechend, da das überschüssige Lot nicht auf die erste Leitungsschicht12 auf der Seite des Halbleiterelements20 ausströmt, kann die Lötschicht53 daran gehindert werden, mit der Lötschicht51 und dem Halbleiterelement20 verbunden zu werden. Ferner, aufgrund der Rückkehle, die auf der unteren Fläche des gebogenen Teils42b des Anschlusses42 ausgebildet wird, kann eine Verbindungszuverlässigkeit zwischen dem Anschluss42 und der ersten Leitungsschicht12 verbessert werden. - Wenn die Nut
12x ausgebildet ist, kann die erste Leitungsschicht12 , in der ein Durchgangsloch, das die Nut12x wird, vorab ausgebildet ist, gut auf der Isolierschicht11 hartgelötet werden. Alternativ wird ein Abdeckmittel, in dem ein Abschnitt, der die Nut12x wird, geöffnet ist, auf der ersten Leitungsschicht12 ausgebildet, und, durch ein Entfernen der ersten Leitungsschicht12 , die in dem Abdeckmittel durch ein Ätzen freiliegend ist, kann die Nut12x ausgebildet werden. - Im vorliegenden Fall werden eine Menge des Lots bzw. Lötmetalls (das die Lötschicht
53 nach einem Härten wird) und ein Volumen der Nut12x beschrieben. Wenn der Anschluss42 auf die erste Leitungsschicht12 gelötet wird, wird Folgendes hauptsächlich als Variationsfaktoren bzw. Änderungsfaktoren in Erwägung gezogen. Ein erster Faktor ist eine Abweichung bzw. Varianz in einem Bondingbereich bzw. Verbindungsbereich zwischen der Seite des Anschlusses42 und der Seite der ersten Leitungsschicht12 . Ein zweiter Faktor ist eine Abweichung bzw. Varianz in einer Bondingdicke bzw. Verbindungsdicke zwischen dem Anschluss42 und der ersten Leitungsschicht12 (eine Dicke der Lötschicht53 zwischen Ebenen des Anschlusses42 und der ersten Leitungsschicht12 , die einander zugewandt sind). Ein dritter Faktor ist eine Abweichung bzw. Varianz in einer Menge des Lots (das die Lotschicht53 nach einem Härten wird). - Zuerst wird ein Fall in Erwägung gezogen, in dem der Verbindungsbereich bzw. die Bondingfläche, die der erste Faktor ist, minimal ist, die Bondingdicke bzw. Verbindungsdicke, die der zweite Faktor ist, minimal ist, und die Menge des Lots, die der dritte Faktor ist, maximal ist. In diesem Fall kann das Volumen der Nut
12x derart bestimmt werden, dass „der überflüssige Teil des Lots ≤ ein minimaler Wert des Volumens der Nut 12x“ ist (ein Zustand von3A) . Obwohl ein maximaler Wert des Volumens der Nut12x gemäß einer Beschränkung einer Abmessung oder dergleichen bestimmt wird, gibt es keine Beschränkung auf den maximalen Wert. - Als Nächstes wird ein Fall in Erwägung gezogen, in dem die Bondingfläche bzw. der Verbindungsbereich, der der erste Faktor ist, maximal ist, die Bondingdicke bzw. Verbindungsdicke, die der zweite Faktor ist, maximal ist, und die Menge des Lots, die der dritte Faktor ist, minimal ist. In diesem Fall kann ein minimaler Wert der Menge des Lots derart bestimmt werden, dass das überflüssige Lot nicht auftritt (ein Zustand, der in
3B gezeigt ist). - Wie vorangehend beschrieben ist, wenn durch ein in Betracht ziehen des ersten bis dritten Faktors die Menge des Lots (die die Lötschicht
53 nach einem Härten wird) und das Volumen der Nut12x derart eingestellt werden, dass Designwerte bzw. Entwurfswerte (die Verbindungsfläche, Verbindungsdicke) erfüllt sind, kann das überschüssige bzw. überflüssige Lot daran gehindert werden, von der Nut12x zu der Seite des Halbleiterelements20 hin auszuströmen. - Wenn die Menge des Lots (die die Lötschicht
53 nach einem Härten wird) und das Volumen der Nut12x eingestellt sind, ist es nicht zwingend erforderlich für die ebene Form der Nut12x , die U-Form zu haben. Die ebene Form der Nut12x kann eine lineare Form (I-Form) sein, wie zum Beispiel in4 gezeigt ist. Alternativ kann die ebene Form der Nut12x beispielsweise eine C-Form sein, die sich auf einer entgegengesetzten Seite von dem Halbleiterelement20 oder dergleichen öffnet (in der Zeichnung nicht gezeigt). - <Zweite Ausführungsform>
-
5 ist eine Querschnittsansicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform zeigt. Wenn auf5 Bezug genommen wird, ist eine Halbleitervorrichtung1A von der Halbleitervorrichtung1 in einem Punkt verschieden, dass der Anschluss42 mit einem Anschluss43 ersetzt ist (siehe1 oder dergleichen). In5 werden Beschreibungen der gleichen Bestandteile wie jene der Ausführungsform, die vorangehend beschrieben ist, weggelassen. - Der Anschluss
43 ist elektrisch mit der ersten Leitungsschicht12 verbunden. Ein Führungsendteil von einem Ende des Anschlusses43 hat einen Verbindungsteil43a . Ein Biegeteil bzw. ein gebogener Teil43b ist von dem Führungsendteil des einen Endes zu dem anderen Endteil hinüber ausgebildet. Ein Teil von dem Verbindungsteil43a (der einen gehobenen Teil43c enthält, der nachfolgend beschrieben wird) zu dem gebogenen Teil43b ist eine Verbindungsfläche zu der ersten Leitungsschicht12 , und die Verbindungsfläche ist an die erste Leitungsschicht12 über die Lötschicht53 angeschlossen bzw. verbunden. Das eine Ende des Anschlusses43 ist über der Nut12x fixiert. - Der Verbindungsteil
43a des Anschlusses43 hat an dessen Führungsendteil den gebogenen Teil43c , der sich von einer Richtung im Wesentlichen parallel zu der ersten Leitungsschicht12 zu einer Richtung im Wesentlichen vertikal zu der ersten Leitungsschicht12 hin biegt. Der gebogene Teil43c wird in die Nut12x eingesetzt und eine Spitzenfläche des gebogenen Teils43c berührt eine Fläche der Isolierschicht11 , die in der Nut12x freiliegend ist. Durch ein entsprechendes Ausbilden wird der Führungsendteil (gebogener Teil43c) des Verbindungsteils43a des Anschlusses43 an einer Position fixiert bzw. befestigt, die die Nut12x in einer Draufsicht überlappt. - Das andere Ende des Anschlusses
43 ist außerhalb von dem Dichtharz30 freiliegend. Der Anschluss43 ist durch ein Verarbeiten eines Leitungsrahmenbasismaterials ausgebildet, das aus Kupfer (Cu) oder dergleichen hergestellt ist. Die Lötschicht53 ist derart ausgebildet, dass sie in die Nut12x eindringt, sich auf der ersten Leitungsschicht12 in einer Richtung weg von dem Halbleiterelement20 erstreckt und ferner eine untere Fläche des sich biegenden Teils bzw. gebogenen Teils43b des Anschlusses43 abdeckt (die Rückkehle bildet). - Die ebene Form der Nut
12x kann eine, die in2 gezeigt ist, eine, die in4 gezeigt ist, oder eine davon verschiedene sein. - Die zweite Ausführungsform übt ferner den folgenden Effekt zusätzlich zu dem Effekt der ersten Ausführungsform aus. Das heißt, durch ein Vorsehen des gebogenen Teils
43c an dem Führungsteil des Verbindungsteils43a des Anschlusses43 kann ohne ein Verwenden einer besonderen Vorrichtung der Anschluss43 leicht hinsichtlich des Substrats10 positioniert werden. - Ferner, da die Spitzenfläche des gebogenen Teils
43c eine Fläche der Isolierschicht11 berührt, die in der Nut12x freiliegend ist, wird die Dicke der Lötschicht53 durch eine Länge L des gebogenen Teils43c bestimmt. Deshalb kann eine Genauigkeit der Dicke der Lötschicht53 verbessert werden. - <Dritte Ausführungsform>
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6 ist eine Querschnittsansicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform zeigt.7 ist eine Draufsicht, die die Halbleitervorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform zeigt. Jedoch ist in7 lediglich ein Teil der Bauteile gezeigt, die in6 gezeigt sind. Ferner zeigt6 einen Querschnitt entlang einer VI-VI-Linie von7 . - Wenn auf
6 und7 Bezug genommen wird, ist eine Halbleitervorrichtung1B von der Halbleitervorrichtung1 in Punkten verschieden, dass die erste Leitungsschicht12 nicht mit der Nut12x versehen ist und ein Isoliermaterial60 auf der ersten Leitungsschicht12 angeordnet ist (siehe1 und dergleichen). In6 und7 werden Beschreibungen der gleichen Bestandteile wie jene der vorangehend beschriebenen Ausführungsformen weggelassen. - Das Isoliermaterial
60 ist an einer oberen Fläche der ersten Leitungsschicht12 durch zum Beispiel einen isolierenden Klebstoff oder dergleichen fixiert bzw. befestigt. Das isolierende Material bzw. das Isoliermaterial60 ist auf der Seite des Anschlusses42 des Halbleiterelements20 angeordnet. Das Isoliermaterial60 ist ein typisches Beispiel des Lotausströmverhinderungsteils gemäß der vorliegenden Erfindung. Als ein Material des Isoliermaterials60 kann ein isolierendes Harz, zum Beispiel ein Epoxidharz, verwendet werden. Alternativ kann das Isoliermaterial60 durch ein Abdecken einer Fläche eines leitfähigen Materials, wie zum Beispiel Metall, mit einem isolierenden Film ausgebildet werden. Eine ebene Form des Isoliermaterials60 kann eine beispielsweise lineare Form (I-Form) haben. Alternativ kann die U-Form, welche die gleiche wie jene aus2 ist, eine C-Form (in der Zeichnung nicht gezeigt) oder dergleichen verwendet werden. - Ein Abstand d zwischen dem Isoliermaterial
60 und dem Halbleiterelement20 ist länger als die Dicke t der Lötschicht51 eingestellt. Zum Beispiel, wenn die Dicke t der Lötschicht51 0,1 mm ist, um einen elektrischen Durchgang zwischen dem Halbleiterelement20 und dem Anschluss42 zu verhindern, ist als der Abstand d zwischen dem Isoliermaterial60 und dem Halbleiterelement20 zumindest ungefähr 0,15 mm notwendig. Jedoch gilt, solange der Abstand d länger als die Dicke t ist, kann der Abstand d auf eine beliebige Länge eingestellt sein. - Eine Höhe des Isoliermaterials
60 ist höher als ein Wert eingestellt, der durch ein Addieren der Dicke des Anschlusses42 zu einer Höhe der Lötschicht53 erlangt wird. Eine Spitze von einem Ende des Anschlusses42 berührt eine Seitenfläche des Isoliermaterials60 . Durch ein Anordnen des Isoliermaterials60 , das von einer oberen Fläche der ersten Leitungsschicht12 dementsprechend vorragt, wenn der Anschluss42 gelötet wird, wird die Spitze von dem einen Ende des Anschlusses42 in Kontakt mit der Seitenfläche des Isoliermaterials60 positioniert. Deshalb kann ohne ein Verwenden einer besonderen Vorrichtung der Anschluss42 leicht hinsichtlich des Substrats10 positioniert werden. - Ferner, da das Isoliermaterial
60 von der oberen Fläche der ersten Leitungsschicht12 vorragt, wenn der Anschluss42 an die erste Leitungsschicht12 gelötet ist, kann das überschüssige Lot abgehalten werden, selbst wenn eine Menge des Lots in einem geschmolzenen Zustand (das die Lötschicht53 nach einem Härten wird) groß ist. Ferner bildet ein Teil des überschüssigen Lots die Rückkehle auf der unteren Fläche des gebogenen Teils42b des Anschlusses42 . Dementsprechend, da das überschüssige Lot nicht auf der ersten Leitungsschicht12 auf der Seite des Halbleiterelements20 ausströmt, kann die Lötschicht53 daran gehindert werden, mit der Lötschicht51 und dem Halbleiterelement20 in Kontakt zu gelangen. Ferner kann durch die Rückkehle (Back Fillet), die auf der unteren Fläche des gebogenen Teils42b des Anschlusses42 ausgebildet ist, die Verbindungszuverlässigkeit zwischen dem Anschluss42 und der ersten Leitungsschicht12 verbessert werden. - <Vierte Ausführungsform>
-
8 ist eine Querschnittsansicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform zeigt.9 ist eine Draufsicht, die die Halbleitervorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform zeigt. Jedoch ist in9 lediglich ein Teil der Bauteile gezeigt, die in8 gezeigt sind. Ferner zeigt8 einen Querschnitt entlang einer VIII-VIII-Linie von9 . - Wenn auf
8 und9 Bezug genommen wird, ist eine Halbleitervorrichtung1C von der Halbleitervorrichtung1 in Punkten verschieden, dass die obere Fläche der ersten Leitungsschicht12 mit einem Oberflächenbehandlungsfilm70 abgedeckt ist und ein Öffnungsteil70x , der die obere Fläche der ersten Leitungsschicht12 freilegt, auf einem Teil des Oberflächenbehandlungsfilms70 ausgebildet ist (siehe1 und dergleichen). In8 und9 werden Beschreibungen der gleichen Bestandteile wie jene der vorangehend beschriebenen Ausführungsformen weggelassen. - In der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Leitungsschicht
12 aus einem Material mit einer geringen Lotbenetzungseigenschaft, wie zum Beispiel Aluminium (AI) hergestellt, und die obere Fläche der ersten Leitungsschicht12 ist mit dem Oberflächenbehandlungsfilm70 mit einer exzellenten Lotbenetzungseigenschaft, wie zum Beispiel Nickel (Ni) oder Gold (Au) abgedeckt. Dann ist durch ein Ausbilden des Öffnungsteils70x auf der Seite des Anschlusses42 des Halbleiterelements20 des Oberflächenbehandlungsfilms70 die obere Fläche der ersten Leitungsschicht12 in dem Öffnungsteil70x freigelegt. Das heißt, lediglich ein Teil der oberen Fläche der ersten Leitungsschicht12 , die in dem Öffnungsteil70x freigelegt ist, wird ein nicht gelöteter Bereich12y mit einer geringen Lotbenetzungseigenschaft, und andere Bereiche werden ein Lötbereich mit einer exzellenten Lotbenetzungseigenschaft. Der nicht gelötete Bereich12y ist ein typisches Beispiel des Lotausströmungsverhinderungsteils gemäß der vorliegenden Erfindung. - Die ebene Form des nicht gelöteten Bereichs
12y (Öffnungsteil70x) kann zum Beispiel rechtwinklig sein. Alternativ kann durch ein weiteres Verlängern des nicht gelöteten Bereichs12y der Oberflächenbehandlungsfilm70 in zwei von einem Bereich auf der Seite des Anschlusses41 und einem Bereich auf der Seite des Anschlusses42 aufgeteilt werden. - Ein Abstand d zwischen einer Seite auf der Seite des Anschlusses
42 des nicht gelöteten Bereichs12y und dem Halbleiterelement20 ist länger als die Dicke t der Lötschicht51 eingestellt. Zum Beispiel, wenn die Dicke t der Lötschicht51 0,1 mm ist, um einen elektrischen Durchgang zwischen dem Halbleiterelement20 und dem Anschluss42 zu verhindern, ist als der Abstand d zwischen der Seite auf der Seite des Anschlusses42 des nicht gelöteten Bereichs12y und dem Halbleiterelement20 zumindest ungefähr 0,15 mm notwendig. Jedoch, solange der Abstand d länger als die Dicke t ist, kann der Abstand d auf eine beliebige Länge eingestellt sein. - Der Oberflächenbehandlungsfilm
70 mit dem Öffnungsteil70x auf der oberen Fläche der ersten Leitungsschicht12 ist zum Beispiel ausgebildet, wie nachfolgend gezeigt wird. Zuerst wird das Substrat10 bereitgestellt. In dem Substrat ist die erste Leitungsschicht12 (Aluminium oder dergleichen) auf einer Fläche der Isolierschicht11 angeordnet und die zweite Leitungsschicht13 ist auf der anderen Fläche angeordnet. Dann wird auf einem Teil, in dem der Öffnungsteil70x der oberen Fläche der ersten Leitungsschicht12 auszubilden ist, eine Maskierung, wie zum Beispiel ein Abdeckmittelfilm oder ein Maskierband ausgebildet. Dann wird auf der oberen Fläche der ersten Leitungsschicht12 , beispielsweise durch ein Plattieren, der Oberflächenbehandlungsfilm70 , wie zum Beispiel Nickel (Ni) oder Gold (Au), ausgebildet, und danach wird die Maskierung entfernt. Dementsprechend wird der Oberflächenbehandlungsfilm70 mit dem Öffnungsteil70x auf der oberen Fläche der ersten Leitungsschicht12 ausgebildet und ein Inneres des Öffnungsteils70x wird der nicht gelötete Bereich12y . - Da der nicht gelötete Bereich
12y derart ausgebildet wird, wenn der Anschluss42 auf die erste Leitungsschicht12 gelötet wird, benetzt das überschüssige Lot weder den nicht gelöteten Bereich12y noch erstreckt es sich dorthin und wird die Rückkehle auf der unteren Fläche des gebogenen Teils42b des Anschlusses42 , selbst wenn eine Menge des Lots in einem geschmolzenen Zustand (das die Lötschicht53 nach einem Härten wird) groß ist. Dementsprechend, da das überschüssige Lot nicht auf der Seite des Halbleiterelements20 auf die erste Leitungsschicht12 ausströmt, kann die Lötschicht53 daran gehindert werden, mit der Lötschicht51 und dem Halbleiterelement20 in Verbindung zu gelangen. Ferner kann aufgrund der Rückkehle, die auf der unteren Fläche des gebogenen Teils42b des Anschlusses42 ausgebildet wird, die Verbindungszuverlässigkeit zwischen dem Anschluss42 und der ersten Leitungsschicht12 verbessert werden. - <Fünfte Ausführungsform>
-
10 ist eine Querschnittsansicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer fünften, nicht beanspruchten Ausführungsform zeigt.11 ist eine Draufsicht, die die Halbleitervorrichtung gemäß der fünften, nicht beanspruchten Ausführungsform zeigt. Jedoch ist in11 lediglich ein Teil der Bauteile gezeigt, die in10 gezeigt sind. Ferner zeigt10 einen Querschnitt entlang einer X-X-Linie von11 . - Wenn auf
10 und11 Bezug genommen wird, ist eine Halbleitervorrichtung1D von der Halbleitervorrichtung1 in einem Punkt verschieden, dass die Nut12x mit Nuten12z ersetzt ist (siehe1 und dergleichen). In10 und11 werden Beschreibungen der gleichen Bestandteile wie jene der vorangehend beschriebenen Ausführungsformen weggelassen. - In der ersten Leitungsschicht
12 sind die Nuten12z ausgebildet, die nicht durch die erste Leitungsschicht12 hindurchdringen. Die Nuten12z sind auf der Seite des Anschlusses42 des Halbleiterelements20 ausgebildet. Die Nuten12z sind ein typisches Beispiel des Lotausströmverhinderungsteils gemäß der vorliegenden Erfindung. Die ebene Form der Nut12z kann auf eine Kastenform (Rahmenform) eingestellt sein. Abstände d zwischen den Nuten12z und dem Halbleiterelement20 sind länger als die Dicke t der Lötschicht51 eingestellt. Zum Beispiel, wenn die Dicke t der Lötschicht51 0,1 mm ist, um den elektrischen Durchgang zwischen dem Halbleiterelement20 und dem Anschluss42 zu verhindern, ist als die Abstände d zwischen den Nuten12z und dem Halbleiterelement20 zumindest ungefähr 0,15 mm notwendig. Jedoch, solange der Abstand d länger als die Dicke t ist, kann der Abstand d auf eine beliebige Länge eingestellt sein. Die Einstellung zwischen der Menge an Lot bzw. Lötmetall (die die Lötschicht53 nach einem Härten wird) und einem Volumen der Nut12z ist die gleiche wie in dem Fall der Nut12x , die in der ersten Ausführungsform beschrieben ist. - Da in der Nut
12x (siehe1 und dergleichen) eine Fläche der Isolierschicht bzw. isolierenden Schicht11 an einem Bodenteil freiliegend ist, war die Lotbenetzungseigenschaft in der Nut12x gering. Andererseits ist die Lotbenetzungseigenschaft in dem Inneren der Nuten12z exzellent. Das heißt, wenn die erste Leitungsschicht12 aus einem Material mit einer exzellenten Lotbenetzungseigenschaft, wie zum Beispiel Kupfer (Cu), hergestellt ist, ist das Material mit der exzellenten Lotbenetzungseigenschaft, wie zum Beispiel Kupfer (Cu), ebenfalls in den Nuten12z freiliegend. Ferner, wenn die erste Leitungsschicht12 aus einem Material mit einer geringen Lotbenetzungseigenschaft, wie zum Beispiel Aluminium (AI), hergestellt ist, wird ein Oberflächenbehandlungsfilm mit einer exzellenten Lotbenetzungseigenschaft ausgebildet, nachdem die Nuten12z ausgebildet sind. Dementsprechend ist der Oberflächenbehandlungsfilm mit einer exzellenten Lotbenetzungseigenschaft ebenfalls in den Nuten12z freigelegt. - Die Nuten
12z können beispielsweise in der ersten Leitungsschicht12 ausgebildet sein, wie nachfolgend gezeigt wird. Zuerst wird das Substrat10 bereitgestellt. In dem Substrat10 ist die erste Leitungsschicht12 auf einer Fläche der Isolierschicht11 angeordnet und die zweite Leitungsschicht13 ist auf der anderen Fläche angeordnet. Dann wird die erste Leitungsschicht12 durch ein Pressen mit einer Metallform mit Vorsprungsteilen, die Formen der Nuten12z entsprechen (zu diesem Zeitpunkt werden die Nuten12z gesteuert, um durch die erste Leitungsschicht12 hindurchzuführen), geformt. Dementsprechend sind die Nuten12z in der ersten Leitungsschicht12 ausgebildet. Danach wird je nach Bedarf auf einer oberen Fläche der ersten Leitungsschicht12 einschließlich der Innenseiten der Nuten12z der Oberflächenbehandlungsfilm, wie zum Beispiel Nickel (Ni) oder Gold (Au), beispielsweise durch ein Plattieren ausgebildet. - Die fünfte, nicht beanspruchte Ausführungsform übt ferner den folgenden Effekt zusätzlich zu dem Effekt der ersten Ausführungsform aus. Das heißt, da das Innere bzw. die Innenseiten der Nut
12z in einem Zustand einer exzellenten Lotbenetzungseigenschaft ist, wenn der Anschluss42 auf die erste Leitungsschicht12 gelötet wird, aufgrund eines Kapillarphänomens, tritt das Lot in einem geschmolzenen Zustand aktiv in die Nuten12z ein und das überschüssige Lot kann leicht absorbiert werden. Die planare Form der Nuten12z muss nicht die Kastenform (Rahmenform) sein, sondern kann eine Form, die in2 gezeigt ist, oder eine Form, die in4 gezeigt ist, sein, oder kann eine dazu verschiedene sein. Zusammengefasst, solange das Innere der Nut12z eine exzellente Lotbenetzungseigenschaft aufgrund des Kapillarphänomens hat, können Effekte erlangt werden, die für die vorliegende Ausführungsform spezifisch sind. - <Sechste Ausführungsform>
-
12 ist eine Querschnittsansicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform zeigt. Wenn auf12 Bezug genommen wird, ist eine Halbleitervorrichtung1E von der Halbleitervorrichtung1 in Punkten verschieden, dass ein Metallblock80 über die Lötschicht52 auf dem Halbleiterelement20 angeordnet ist, und der Metallblock80 ist auf dem Substrat10A über eine Lötschicht54 fixiert (siehe1 und dergleichen). Obwohl das Substrat10A der Einfachheit halber mit einer verschiedenen Markierung versehen ist, ist es ein Substrat mit dem gleichen Aufbau wie das Substrat10 . In12 werden Beschreibungen von Bestandteilen, die gleich zu jenen der vorangehend beschriebenen Ausführungsformen sind, weggelassen. - Wärme, die durch das Halbleiterelement
20 erzeugt wird, wird über die Substrate10 und10A abgestrahlt. Durch ein Anordnen einer Wärmeabstrahlungskomponente auf der Seite der zweiten Leitungsschicht13 von jedem von dem Substrat10 und10A kann die Wärmeabstrahlungseigenschaft weiter verbessert werden. Dementsprechend kann in der Halbleitervorrichtung1E , da die Wärme, die durch das Halbleiterelement20 von beiden Seitenflächen (obere Flächenseite und untere Flächenseite) abgestrahlt wird, die Halbleitervorrichtung1E als ein doppelseitiges Kühlmodul bezeichnet werden. - In der Halbleitervorrichtung
1E sind in der ersten Leitungsschicht12 des Substrats10A die Nuten12z , die nicht durch die erste Leitungsschicht12 hindurchdringen (siehe fünfte, nicht beanspruchte Ausführungsform), ausgebildet. Da die Nuten12z des Substrats10A das überschüssige Lot aufgrund des Kapillarphänomens absorbieren, strömt die Lotschicht54 , die den Metallblock80 an dem Substrat10A fixiert bzw. befestigt, nicht außerhalb der Nuten12z über. - Dementsprechend können die Nuten
12z auf Teile angewendet werden, die verschieden zu dem Anschluss sind. Die Situation ist gleichermaßen die gleiche in den Lotausströmverhinderungsteilen, die in den anderen Ausführungsformen gezeigt sind, wie zum Beispiel der Nut12x . - In dem Vorangehenden ist, obwohl bevorzugte Ausführungsformen im Detail beschrieben wurden, die vorliegende Erfindung nicht auf die vorangehend beschriebenen Ausführungsformen begrenzt.
- Zum Beispiel können die entsprechenden Ausführungsformen geeignet kombiniert werden. Zum Beispiel kann in der ersten Ausführungsform das Isoliermaterial
60 auf der Halbleiterelementseite der Nut12x angeordnet sein. Dementsprechend kann das überschüssige Lot mit größerer Gewissheit daran gehindert werden, auf der Halbleiterelementseite auf die erste Leitungsschicht12 auszuströmen.
Claims (5)
- Halbleitervorrichtung, die Folgendes aufweist: ein Substrat (10); ein Halbleiterelement (20), das auf einer Seite des Substrats über eine erste Lötschicht (51) fixiert ist; einen Anschluss (43), der auf der einen Seite des Substrats über eine zweite Lötschicht (53) fixiert ist; und einen Lotausströmverhinderungsteil, der zwischen dem Halbleiterelement und dem Anschluss auf der einen Seite des Substrats vorgesehen ist und der gestaltet ist, um die erste Lötschicht und die zweite Lötschicht durch einen Abstand (d) zu hindern, auszuströmen, wobei der Abstand (d) zwischen dem Lotausströmverhinderungsteil und dem Halbleiterelement länger als eine Dicke (t) der ersten Lötschicht ist, wobei der Lotausströmverhinderungsteil eine Nut (12x) ist, die auf der einen Seite des Substrats ausgebildet ist, und ein erstes Ende des Anschlusses über der Nut fixiert ist, das Substrat (10) eine isolierende Schicht (11) und eine Leitungsschicht (12) hat, die auf der isolierenden Schicht (11) ausgebildet ist, die Nut (12x) in der Leitungsschicht (12) ausgebildet ist, und das erste Ende (43c) des Anschlusses (43) direkt die isolierende Schicht (11) durch die Nut (12x) berührt.
- Halbleitervorrichtung, die Folgendes aufweist: ein Substrat (10); ein Halbleiterelement (20), das auf einer Seite des Substrats über eine erste Lötschicht (51) fixiert ist; einen Anschluss (42), der auf der einen Seite des Substrats über eine zweite Lötschicht (53) fixiert ist; und einen Lotausströmverhinderungsteil, der zwischen dem Halbleiterelement und dem Anschluss in der einen Seite des Substrats vorgesehen ist und der gestaltet ist, um die erste Lötschicht und die zweite Lötschicht durch einen Abstand (d) zu hindern, auszuströmen, wobei der Abstand (d) zwischen dem Lotausströmverhinderungsteil und dem Halbleiterelement länger als eine Dicke (t) der ersten Lötschicht ist, das Substrat eine Leitungsschicht (12) hat, der Lotausströmverhinderungsteil einen Bereich (12y) aufweist, der auf dem Substrat ausgebildet ist und eine Lotbenetzungseigenschaft hat, die schlechter als eine Lotbenetzungseigenschaft der Leitungsschicht ist, und der Lotausströmverhinderungsteil ein isolierendes Material (60) aufweist, das auf der einen Seite des Substrats angeordnet ist, eine Höhe des isolierenden Materials (60) größer als eine Gesamtsumme einer Höhe der zweiten Lötschicht (53) und einer Dicke des Anschlusses (42) ist, und eine Spitze eines ersten Endes des Anschlusses (42) direkt eine Seitenfläche des isolierenden Materials (60) berührt.
- Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass ein Verbindungsteil des ersten Endes des Anschlusses (43a) an einer Position fixiert ist, die die Nut (12x) in einer Draufsicht überlappt. - Halbleitervorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis3 , dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterelement und das erste Ende des Anschlusses mit einem Dichtharz (30) abgedichtet sind, und ein zweites Ende des Anschlusses außerhalb des Dichtharzes freiliegend ist. - Halbleitervorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis4 , dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat eine Leitungsschicht (12) hat, und die erste Lötschicht und die zweite Lötschicht elektrisch mit der Leitungsschicht verbunden sind und auf der Leitungsschicht ausgebildet sind.
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