DE112014005420B4 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

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    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]

Abstract

Halbleitervorrichtung, die Folgendes aufweist:
ein Substrat (10);
ein Halbleiterelement (20), das auf einer Seite des Substrats über eine erste Lötschicht (51) fixiert ist;
einen Anschluss (43), der auf der einen Seite des Substrats über eine zweite Lötschicht (53) fixiert ist; und
einen Lotausströmverhinderungsteil, der zwischen dem Halbleiterelement und dem Anschluss auf der einen Seite des Substrats vorgesehen ist und der gestaltet ist, um die erste Lötschicht und die zweite Lötschicht durch einen Abstand (d) zu hindern, auszuströmen, wobei
der Abstand (d) zwischen dem Lotausströmverhinderungsteil und dem Halbleiterelement länger als eine Dicke (t) der ersten Lötschicht ist,
wobei der Lotausströmverhinderungsteil eine Nut (12x) ist, die auf der einen Seite des Substrats ausgebildet ist, und ein erstes Ende des Anschlusses über der Nut fixiert ist,
das Substrat (10) eine isolierende Schicht (11) und eine Leitungsschicht (12) hat, die auf der isolierenden Schicht (11) ausgebildet ist,
die Nut (12x) in der Leitungsschicht (12) ausgebildet ist, und
das erste Ende (43c) des Anschlusses (43) direkt die isolierende Schicht (11) durch die Nut (12x) berührt.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • Als eine Halbleitervorrichtung, in der ein Halbleiterelement und ein Anschluss auf einem Substrat montiert sind, ist zum Beispiel eine Halbleitervorrichtung bekannt, die an einem Fahrzeug montiert wird und eine Funktion einer Leistungssteuerung und dergleichen hat. In der Halbleitervorrichtung sind das Substrat und das Halbleiterelement über eine erste Lötschicht fixiert und das Substrat und der Anschluss sind über eine zweite Lötschicht fixiert.
  • Jedoch gibt es in der Halbleitervorrichtung, die vorangehend beschrieben ist, da das Halbleiterelement und der Anschluss in dem Nahbereich voneinander angeordnet sind, einige Fälle, in denen die zweite Lötschicht, die das Substrat und den Anschluss verbindet, während eines Lötens zu dem Halbleiterelement hin ausströmt, elektrische Verbindung mit dem Halbleiterelement herstellt und die Halbleitervorrichtung daran hindert, normal zu arbeiten.
  • US 2010/0 059 875 A1 betrifft eine Halbleitervorrichtung, die ein Ausbreiten eines Lots verhindern soll.
  • JP 2012 / 064 855 A betrifft eine ähnliche Halbleitervorrichtung.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung bietet eine Halbleitervorrichtung, die ein Lot bzw. ein Lötmetall, das eine Lötschicht bildet, daran hindert, zu einem anderen Bauteil hin auszuströmen. Dies wird durch eine Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1 oder Anspruch 2 erreicht. Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstand der Unteransprüche.
  • Eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung weist ein Substrat, ein Halbleiterelement, einen Anschluss und einen Lötmetallausströmverhinderungsteil bzw. einen Lotausströmverhinderungsteil auf. Das Halbleiterelement ist auf einer Seite des Substrats über eine erste Lötschicht fixiert. Der Anschluss ist auf der einen Seite des Substrats über eine zweite Lötschicht fixiert. Der Lotausströmverhinderungsteil ist zwischen dem Halbleiterelement und dem Anschluss in der einen Seite des Substrats vorgesehen und ist gestaltet, um die erste Lötschicht und die zweite Lötschicht daran zu hindern, auszuströmen. Ein Abstand zwischen dem Lotausströmverhinderungsteil und dem Halbleiterelement ist länger als eine Dicke der ersten Lötschicht.
  • Gemäß dem Aspekt der vorliegenden Erfindung kann die Halbleitervorrichtung, die das Lot bzw. das Lötmetall, das die Lötschicht bildet, daran hindern kann, zu dem anderen Bauteil hin auszuströmen, vorgesehen sein.
  • Figurenliste
  • Merkmale, Vorteile und technische und industrielle Signifikanz von Beispielsausführungsformen der Erfindung werden nachfolgend mit Bezug auf die angefügten Zeichnungen beschrieben, in denen gleiche Bezugszeichen gleiche Elemente bezeichnen, und wobei:
    • 1 eine Querschnittsansicht ist, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 2 eine Draufsicht ist, die die Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt;
    • 3A und 3B Diagramme zum Beschreiben einer Menge bzw. eines Betrags eines Lots und eines Volumens einer Nut sind;
    • 4 eine Draufsicht ist, die ein anderes Beispiel einer Form der Nut zeigt;
    • 5 eine Querschnittsansicht ist, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 6 eine Querschnittsansicht ist, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 7 eine Draufsicht ist, die die Halbleitervorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform zeigt;
    • 8 eine Querschnittsansicht ist, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 9 eine Draufsicht ist, die die Halbleitervorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform zeigt;
    • 10 eine Querschnittsansicht ist, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer fünften, nicht beanspruchten Ausführungsform zeigt;
    • 11 eine Draufsicht ist, die die Halbleitervorrichtung gemäß der fünften, nicht beanspruchten Ausführungsform zeigt; und
    • 12 eine Querschnittsansicht ist, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Hiernach werden mit Bezug auf die Zeichnungen Arten zum Ausführen der Erfindung beschrieben. In jeder von den Zeichnungen sind gleiche Teile mit den gleichen Bezugszeichen versehen und doppelte Beschreibungen werden in einigen Fällen weggelassen.
  • <Erste Ausführungsform>
  • 1 ist eine Querschnittsansicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 2 ist eine Draufsicht, die die Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt. Jedoch ist in 2 lediglich ein Teil der Bauteile gezeigt, die in 1 gezeigt sind. Ferner zeigt 1 einen Querschnitt entlang einer I-I-Linie von 2.
  • Wenn auf 1 und 2 Bezug genommen wird, weist eine Halbleitervorrichtung 1 ein Substrat 10, ein Halbleiterelement 20, ein Dichtharz 30 und Anschlüsse 41 und 42 auf. Das Substrat 10 weist eine Isolierschicht 11, eine erste Verdrahtungs- bzw. Leitungsschicht 12 und eine zweite Verdrahtungs- bzw. Leitungsschicht 13 auf.
  • In der vorliegenden Ausführungsform wird der Einfachheit halber die Seite des Anschlusses 41 als eine obere Seite oder eine Seite des Substrats 10 genommen, und eine Seite der zweiten Leitungsschicht 13 wird als eine untere Seite oder die andere Seite des Substrats 10 genommen. Ferner wird eine Fläche auf der Seite des Anschlusses 41 von den entsprechenden Stellen als eine obere Fläche oder eine Fläche genommen, und eine Fläche auf der Seite der zweiten Leitungsschicht 13 wird als eine untere Fläche oder die andere Fläche genommen. Jedoch kann die Halbleitervorrichtung 1 in einem umgedrehten Zustand verwendet werden oder kann bei einem beliebigen Winkel angeordnet werden. Ferner gibt eine Draufsicht an, einen Gegenstand von einer normalen Linienrichtung von einer Fläche der Isolierschicht 11 aus zu sehen, eine ebene Form gibt eine Form an, wenn der Gegenstand von der normalen Linienrichtung von einer Fläche der Isolierschicht 11 aus gesehen wird.
  • Die Isolierschicht 11 ist aus einem Isoliermaterial, wie zum Beispiel Keramik ausgebildet. Wenn die Isolierschicht 11 aus der Keramik ausgebildet ist, kann als ein Material zum Beispiel Siliziumnitrid (Si3N4), Aluminiumoxid (Al2O3), Aluminiumnitrid (AIN) oder dergleichen verwendet werden. Jedoch ist das Material der Isolierschicht 11 nicht auf die Keramik begrenzt, und ein isolierendes Harz, Glas oder dergleichen kann verwendet werden. Die ebene Form der Isolierschicht 11 kann ein Viereck, ein Rechteck oder dergleichen mit einer Seite von ungefähr 30 bis 50 mm sein. Eine Dicke der Isolierschicht 11 kann zum Beispiel um 0,2 bis 1,5 mm sein.
  • Die erste Leitungsschicht 12 ist an einer Fläche der Isolierschicht 11 angeschlossen bzw. damit verbunden, durch zum Beispiel ein Löten oder dergleichen. Die erste Leitungsschicht 12 kann über eine gesamte Fläche von einer Fläche der Isolierschicht 11 angeordnet sein oder kann zum Beispiel derart angeordnet sein, dass ein Außenumfangsteil von einer Fläche der Isolierschicht 11 freiliegt. Als ein Material der ersten Leitungsschicht 12 kann zum Beispiel Kupfer (Cu), Aluminium (AI) oder dergleichen verwendet werden. Eine Dicke der ersten Leitungsschicht 12 kann zum Beispiel um 0,2 bis 1 mm sein.
  • Wenn die erste Leitungsschicht 12 aus einem Material mit einer geringen Lotbenetzungseigenschaft, wie zum Beispiel Aluminium (AI), hergestellt ist, wird ein Oberflächenbehandlungsfilm (ein Plattierungsfilm oder dergleichen), wie zum Beispiel Nickel (Ni) oder Gold (Au) mit einer exzellenten Lotbenetzungseigenschaft, vorzugsweise auf einer Fläche der ersten Leitungsschicht 12, ausgebildet.
  • In der ersten Leitungsschicht 12 wird eine Nut 12x (Durchgangsnut) ausgebildet, die eine Fläche der Isolierschicht 11 freilegt. Die Nut 12x ist auf einer Seite des Anschlusses 42 des Halbleiterelements 20 ausgebildet. Die Nut 12x ist ein typisches Beispiel eines Lotausströmverhinderungsteils gemäß der vorliegenden Erfindung. Eine ebene Form der Nut 12x kann zum Beispiel eine U-Form sein, die sich auf einer entgegengesetzten Seite von dem Halbleiterelement 20 öffnet.
  • Ein Abstand d zwischen der Nut 12x und dem Halbleiterelement 20 ist länger als eine Dicke t einer Lotschicht bzw. Lötschicht 51 eingestellt. Zum Beispiel, wenn die Dicke t der Lötschicht 51 0,1 mm ist, um einen elektrischen Durchgang zwischen dem Halbleiterelement 20 und dem Anschluss 42 zu verhindern, ist als der Abstand d zwischen der Nut 12x und dem Halbleiterelement 20 zumindest ungefähr 0,15 mm notwendig. Jedoch gilt, solange der Abstand d länger als die Dicke t ist, kann der Abstand d auf eine beliebige Länge eingestellt werden.
  • Der Grund dafür, warum der Abstand d zwischen der Nut 12x und dem Halbleiterelement 20 länger als die Dicke t der Lötschicht 51 eingestellt wird, ist wie folgt. Das heißt, da eine Lötkehle gewöhnlicherweise einen Neigungswinkel von ungefähr 45° bis 90° bildet, erstreckt sich eine Spitze der Kehle der Lötschicht 51 bestenfalls lediglich zu einem Ausmaß, das gleich wie die Dicke t der Lötschicht 51 von einer Endfläche des Halbleiterelements 20 aus ist.
  • Deshalb, wenn der Abstand d zwischen der Nut 12x und dem Halbleiterelement 20 länger als die Dicke t der Lötschicht 51 eingestellt ist, kann die Kehle der Lötschicht 51 daran gehindert werden, die Nut 12x zu erreichen und einen elektrischen Durchgang mit einer Lötschicht 53 in der Nut 12x herzustellen.
  • Wie aus dem vorangehend genannten Grund heraus verstanden werden kann, wenn eine Elektrode (ein Teil, der die obere Schicht der Lötschicht 51 berührt) auf einer unteren Flächenseite des Halbleiterelements 20 kleiner als ein Außenumfang des Halbleiterelements 20 ist, wird ein Startpunkt des Abstands d vorzugsweise auf einen Teil eingestellt, der am nächsten an der Nut 12x der Elektrode auf der unteren Flächenseite des Halbleiterelements 20 liegt. Gemäß der vorliegenden Anmeldung wird der Abstand d zwischen der Nut 12x und dem Halbleiterelement 20 durch ein gleichermaßen Enthalten solch eines Falls repräsentiert.
  • Andererseits darf das Lot bzw. das Lötmetall, das die Lötschicht 53 bildet, gleichermaßen nicht die Lötschicht 51 erreichen. In Anbetracht dessen ist eine Beziehung zwischen einer Menge des Lots bzw. Lötmetalls (das die Lötschicht 53 nach einer Härtung bildet) und einem Volumen der Nut 12x wichtig. Dies wird nachfolgend beschrieben.
  • Die zweite Leitungsschicht 13 ist an der anderen Fläche der Isolierschicht 11 zum Beispiel durch ein Löten bzw. Hartlöten oder dergleichen angeschlossen bzw. damit verbunden. Die zweite Leitungsschicht 13 kann über eine gesamte Fläche der anderen Fläche der Isolierschicht 11 angeordnet sein oder kann zum Beispiel derart angeordnet sein, dass ein Außenumfangsteil der anderen Fläche der Isolierschicht 11 freigelegt ist. Als ein Material der zweiten Leitungsschicht 13 kann zum Beispiel Kupfer (Cu), Aluminium (AI) oder dergleichen verwendet werden. Eine Dicke der zweiten Leitungsschicht 13 kann auf zum Beispiel ungefähr 0,2 bis 1 mm eingestellt sein.
  • Wenn die zweite Leitungsschicht 13 aus einem Material mit einer geringen Lotbenetzungseigenschaft, wie zum Beispiel Aluminium (AI) hergestellt ist, wird ein Oberflächenbehandlungsfilm (ein Plattierungsfilm oder dergleichen) wie zum Beispiel Nickel (Ni) oder Gold (Au) mit einer exzellenten Lotbenetzungseigenschaft vorzugsweise auf einer Oberfläche der zweiten Leitungsschicht 13 ausgebildet.
  • Das Halbleiterelement 20 ist in einem vorbestimmten Elementmontagebereich auf der ersten Leitungsschicht 12 des Substrats 10 montiert. Eine Elektrode auf einer unteren Flächenseite des Halbleiterelements 20 ist elektrisch mit der ersten Leitungsschicht 12 über die Lötschicht 51 verbunden bzw. angeschlossen. Das Halbleiterelement 20 ist zum Beispiel ein Umschaltelement für Strom bzw. elektrische Leistung, das Wärme während eines Betriebs eines IGBT (Bipolartransistor mit isolierter Gateelektrode) oder dergleichen erzeugt, der einen Inverterkreis bildet. Die Wärme, die das Halbleiterelement 20 erzeugt, wird über das Substrat 10 abgestrahlt. Durch ein Anordnen einer Wärmeabstrahlungskomponente auf der Seite der zweiten Leitungsschicht 13 kann eine Wärmeabstrahlungseigenschaft weiter verbessert werden. So kann die Halbleitervorrichtung 1 als ein einseitig gekühltes Modul bezeichnet werden, da die Halbleitervorrichtung 1 die Wärme, die das Halbleiterelement 20 erzeugt, von einer Flächenseite (eine untere Flächenseite) abstrahlt.
  • Das Dichtharz 30 ist ausgebildet, um das Substrat 10, das Halbleiterelement 20 und die Anschlüsse 41 und 42 abzudecken. Das Dichtharz 30 kann durch ein Umformen bzw. Spritzpressen oder dergleichen beispielsweise mit einem Isoliermaterial, wie zum Beispiel einem Epoxidharz, das einen Füller enthält, ausgebildet werden. Wenn das Dichtharz 30 ausgebildet wird, kann das Halbleiterelement 20 oder dergleichen vor Feuchtigkeit, Verschmutzung oder dergleichen geschützt werden. Die untere Fläche der zweiten Leitungsschicht 13 und ein Teil der Anschlüsse 41 und 42 können von dem Dichtharz 30 freiliegen.
  • Der Anschluss 41 ist elektrisch mit dem Halbleiterelement 20 verbunden. Ein Ende des Anschlusses 41 ist an eine Elektrode auf einer oberen Flächenseite des Halbleiterelements 20 über eine Lötschicht 52 angeschlossen bzw. verbunden. Das andere Ende des Anschlusses 41 ist außerhalb von dem Dichtharz 30 freiliegend. Der Anschluss 41 ist durch ein Verarbeiten eines Leitungsrahmenbasismaterials ausgebildet, das zum Beispiel aus Kupfer (Cu) oder dergleichen hergestellt ist.
  • Der Anschluss 42 ist mit der ersten Leitungsschicht 12 elektrisch verbunden. Ein Führungsendteil von einem Ende des Anschlusses 42 hat einen Anschlussteil 42a. Ein gebogener Teil 42b ist von dem Führungsendteil des einen Endes zu dem anderen Endteil hinüber ausgebildet. Ein Teil von dem Verbindungsteil 42a zu dem gebogenen Teil 42b ist eine Verbindungsfläche zu der ersten Leitungsschicht 12, und die Verbindungsfläche ist mit der ersten Leitungsschicht 12 über die Lötschicht 53 verbunden. Das eine Ende des Anschlusses 42 ist über der Nut 12x fixiert.
  • Der Verbindungsteil 42a des Anschlusses 42 ist vorzugsweise an einer Position zu fixieren, die sich mit der Nut 12x in einer Draufsicht überlappt. Dem ist so, da dann, wenn der Verbindungsteil 42a des Anschlusses 42 sich nicht mit der Nut 12x in einer Draufsicht überlappt und sich weiter auf einer Außenumfangsseite des Substrats 10 als die Nut 12x befindet, ein Abstand zwischen dem überschüssigen Lot und der Nut 12x lang wird und es für das überschüssige Lot schwierig wird, in die Nut 12x einzudringen. Andererseits ist dem so, da dann, wenn der Verbindungsteil 42a des Anschlusses 42 sich nicht mit der Nut 12x in einer Draufsicht überlappt und sich weiter auf einer Seite des Halbleiterelements 20 als die Nut 12x befindet, das überschüssige Lot von der Nut 12x zu der Seite des Halbleiterelements 20 hin ausströmen kann.
  • Das andere Ende des Anschlusses 42 ist außerhalb des Dichtharzes 30 freiliegend. Der Anschluss 42 ist durch ein Verarbeiten eines Leitungsrahmenbasismaterials ausgebildet, das zum Beispiel aus Kupfer (Cu) oder dergleichen hergestellt ist. Die Lötschicht 53 ist derart ausgebildet, dass sie in die Nut 12x eintritt, sich auf der ersten Leitungsschicht 12 in einer Richtung weg von dem Halbleiterelement 20 erstreckt und ferner eine untere Fläche des gebogenen Teils 42b des Anschlusses 42 abdeckt (eine Rückkehle bildet).
  • Da die Nut 12x so ausgebildet ist, wenn der Anschluss 42 an die erste Leitungsschicht 12 gelötet wird, tritt das überschüssige Lot in die Nut 12x selbst dann ein, wenn eine Menge von geschmolzenem Lot (das die Lotschicht 53 nach einem Härten wird) groß ist. Ferner bildet ein Teil des überschüssigen Lots eine Rückkehle auf der unteren Fläche des gebogenen Teils 42b des Anschlusses 42. Dementsprechend, da das überschüssige Lot nicht auf die erste Leitungsschicht 12 auf der Seite des Halbleiterelements 20 ausströmt, kann die Lötschicht 53 daran gehindert werden, mit der Lötschicht 51 und dem Halbleiterelement 20 verbunden zu werden. Ferner, aufgrund der Rückkehle, die auf der unteren Fläche des gebogenen Teils 42b des Anschlusses 42 ausgebildet wird, kann eine Verbindungszuverlässigkeit zwischen dem Anschluss 42 und der ersten Leitungsschicht 12 verbessert werden.
  • Wenn die Nut 12x ausgebildet ist, kann die erste Leitungsschicht 12, in der ein Durchgangsloch, das die Nut 12x wird, vorab ausgebildet ist, gut auf der Isolierschicht 11 hartgelötet werden. Alternativ wird ein Abdeckmittel, in dem ein Abschnitt, der die Nut 12x wird, geöffnet ist, auf der ersten Leitungsschicht 12 ausgebildet, und, durch ein Entfernen der ersten Leitungsschicht 12, die in dem Abdeckmittel durch ein Ätzen freiliegend ist, kann die Nut 12x ausgebildet werden.
  • Im vorliegenden Fall werden eine Menge des Lots bzw. Lötmetalls (das die Lötschicht 53 nach einem Härten wird) und ein Volumen der Nut 12x beschrieben. Wenn der Anschluss 42 auf die erste Leitungsschicht 12 gelötet wird, wird Folgendes hauptsächlich als Variationsfaktoren bzw. Änderungsfaktoren in Erwägung gezogen. Ein erster Faktor ist eine Abweichung bzw. Varianz in einem Bondingbereich bzw. Verbindungsbereich zwischen der Seite des Anschlusses 42 und der Seite der ersten Leitungsschicht 12. Ein zweiter Faktor ist eine Abweichung bzw. Varianz in einer Bondingdicke bzw. Verbindungsdicke zwischen dem Anschluss 42 und der ersten Leitungsschicht 12 (eine Dicke der Lötschicht 53 zwischen Ebenen des Anschlusses 42 und der ersten Leitungsschicht 12, die einander zugewandt sind). Ein dritter Faktor ist eine Abweichung bzw. Varianz in einer Menge des Lots (das die Lotschicht 53 nach einem Härten wird).
  • Zuerst wird ein Fall in Erwägung gezogen, in dem der Verbindungsbereich bzw. die Bondingfläche, die der erste Faktor ist, minimal ist, die Bondingdicke bzw. Verbindungsdicke, die der zweite Faktor ist, minimal ist, und die Menge des Lots, die der dritte Faktor ist, maximal ist. In diesem Fall kann das Volumen der Nut 12x derart bestimmt werden, dass „der überflüssige Teil des Lots ≤ ein minimaler Wert des Volumens der Nut 12x“ ist (ein Zustand von 3A). Obwohl ein maximaler Wert des Volumens der Nut 12x gemäß einer Beschränkung einer Abmessung oder dergleichen bestimmt wird, gibt es keine Beschränkung auf den maximalen Wert.
  • Als Nächstes wird ein Fall in Erwägung gezogen, in dem die Bondingfläche bzw. der Verbindungsbereich, der der erste Faktor ist, maximal ist, die Bondingdicke bzw. Verbindungsdicke, die der zweite Faktor ist, maximal ist, und die Menge des Lots, die der dritte Faktor ist, minimal ist. In diesem Fall kann ein minimaler Wert der Menge des Lots derart bestimmt werden, dass das überflüssige Lot nicht auftritt (ein Zustand, der in 3B gezeigt ist).
  • Wie vorangehend beschrieben ist, wenn durch ein in Betracht ziehen des ersten bis dritten Faktors die Menge des Lots (die die Lötschicht 53 nach einem Härten wird) und das Volumen der Nut 12x derart eingestellt werden, dass Designwerte bzw. Entwurfswerte (die Verbindungsfläche, Verbindungsdicke) erfüllt sind, kann das überschüssige bzw. überflüssige Lot daran gehindert werden, von der Nut 12x zu der Seite des Halbleiterelements 20 hin auszuströmen.
  • Wenn die Menge des Lots (die die Lötschicht 53 nach einem Härten wird) und das Volumen der Nut 12x eingestellt sind, ist es nicht zwingend erforderlich für die ebene Form der Nut 12x, die U-Form zu haben. Die ebene Form der Nut 12x kann eine lineare Form (I-Form) sein, wie zum Beispiel in 4 gezeigt ist. Alternativ kann die ebene Form der Nut 12x beispielsweise eine C-Form sein, die sich auf einer entgegengesetzten Seite von dem Halbleiterelement 20 oder dergleichen öffnet (in der Zeichnung nicht gezeigt).
  • <Zweite Ausführungsform>
  • 5 ist eine Querschnittsansicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform zeigt. Wenn auf 5 Bezug genommen wird, ist eine Halbleitervorrichtung 1A von der Halbleitervorrichtung 1 in einem Punkt verschieden, dass der Anschluss 42 mit einem Anschluss 43 ersetzt ist (siehe 1 oder dergleichen). In 5 werden Beschreibungen der gleichen Bestandteile wie jene der Ausführungsform, die vorangehend beschrieben ist, weggelassen.
  • Der Anschluss 43 ist elektrisch mit der ersten Leitungsschicht 12 verbunden. Ein Führungsendteil von einem Ende des Anschlusses 43 hat einen Verbindungsteil 43a. Ein Biegeteil bzw. ein gebogener Teil 43b ist von dem Führungsendteil des einen Endes zu dem anderen Endteil hinüber ausgebildet. Ein Teil von dem Verbindungsteil 43a (der einen gehobenen Teil 43c enthält, der nachfolgend beschrieben wird) zu dem gebogenen Teil 43b ist eine Verbindungsfläche zu der ersten Leitungsschicht 12, und die Verbindungsfläche ist an die erste Leitungsschicht 12 über die Lötschicht 53 angeschlossen bzw. verbunden. Das eine Ende des Anschlusses 43 ist über der Nut 12x fixiert.
  • Der Verbindungsteil 43a des Anschlusses 43 hat an dessen Führungsendteil den gebogenen Teil 43c, der sich von einer Richtung im Wesentlichen parallel zu der ersten Leitungsschicht 12 zu einer Richtung im Wesentlichen vertikal zu der ersten Leitungsschicht 12 hin biegt. Der gebogene Teil 43c wird in die Nut 12x eingesetzt und eine Spitzenfläche des gebogenen Teils 43c berührt eine Fläche der Isolierschicht 11, die in der Nut 12x freiliegend ist. Durch ein entsprechendes Ausbilden wird der Führungsendteil (gebogener Teil 43c) des Verbindungsteils 43a des Anschlusses 43 an einer Position fixiert bzw. befestigt, die die Nut 12x in einer Draufsicht überlappt.
  • Das andere Ende des Anschlusses 43 ist außerhalb von dem Dichtharz 30 freiliegend. Der Anschluss 43 ist durch ein Verarbeiten eines Leitungsrahmenbasismaterials ausgebildet, das aus Kupfer (Cu) oder dergleichen hergestellt ist. Die Lötschicht 53 ist derart ausgebildet, dass sie in die Nut 12x eindringt, sich auf der ersten Leitungsschicht 12 in einer Richtung weg von dem Halbleiterelement 20 erstreckt und ferner eine untere Fläche des sich biegenden Teils bzw. gebogenen Teils 43b des Anschlusses 43 abdeckt (die Rückkehle bildet).
  • Die ebene Form der Nut 12x kann eine, die in 2 gezeigt ist, eine, die in 4 gezeigt ist, oder eine davon verschiedene sein.
  • Die zweite Ausführungsform übt ferner den folgenden Effekt zusätzlich zu dem Effekt der ersten Ausführungsform aus. Das heißt, durch ein Vorsehen des gebogenen Teils 43c an dem Führungsteil des Verbindungsteils 43a des Anschlusses 43 kann ohne ein Verwenden einer besonderen Vorrichtung der Anschluss 43 leicht hinsichtlich des Substrats 10 positioniert werden.
  • Ferner, da die Spitzenfläche des gebogenen Teils 43c eine Fläche der Isolierschicht 11 berührt, die in der Nut 12x freiliegend ist, wird die Dicke der Lötschicht 53 durch eine Länge L des gebogenen Teils 43c bestimmt. Deshalb kann eine Genauigkeit der Dicke der Lötschicht 53 verbessert werden.
  • <Dritte Ausführungsform>
  • 6 ist eine Querschnittsansicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform zeigt. 7 ist eine Draufsicht, die die Halbleitervorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform zeigt. Jedoch ist in 7 lediglich ein Teil der Bauteile gezeigt, die in 6 gezeigt sind. Ferner zeigt 6 einen Querschnitt entlang einer VI-VI-Linie von 7.
  • Wenn auf 6 und 7 Bezug genommen wird, ist eine Halbleitervorrichtung 1B von der Halbleitervorrichtung 1 in Punkten verschieden, dass die erste Leitungsschicht 12 nicht mit der Nut 12x versehen ist und ein Isoliermaterial 60 auf der ersten Leitungsschicht 12 angeordnet ist (siehe 1 und dergleichen). In 6 und 7 werden Beschreibungen der gleichen Bestandteile wie jene der vorangehend beschriebenen Ausführungsformen weggelassen.
  • Das Isoliermaterial 60 ist an einer oberen Fläche der ersten Leitungsschicht 12 durch zum Beispiel einen isolierenden Klebstoff oder dergleichen fixiert bzw. befestigt. Das isolierende Material bzw. das Isoliermaterial 60 ist auf der Seite des Anschlusses 42 des Halbleiterelements 20 angeordnet. Das Isoliermaterial 60 ist ein typisches Beispiel des Lotausströmverhinderungsteils gemäß der vorliegenden Erfindung. Als ein Material des Isoliermaterials 60 kann ein isolierendes Harz, zum Beispiel ein Epoxidharz, verwendet werden. Alternativ kann das Isoliermaterial 60 durch ein Abdecken einer Fläche eines leitfähigen Materials, wie zum Beispiel Metall, mit einem isolierenden Film ausgebildet werden. Eine ebene Form des Isoliermaterials 60 kann eine beispielsweise lineare Form (I-Form) haben. Alternativ kann die U-Form, welche die gleiche wie jene aus 2 ist, eine C-Form (in der Zeichnung nicht gezeigt) oder dergleichen verwendet werden.
  • Ein Abstand d zwischen dem Isoliermaterial 60 und dem Halbleiterelement 20 ist länger als die Dicke t der Lötschicht 51 eingestellt. Zum Beispiel, wenn die Dicke t der Lötschicht 51 0,1 mm ist, um einen elektrischen Durchgang zwischen dem Halbleiterelement 20 und dem Anschluss 42 zu verhindern, ist als der Abstand d zwischen dem Isoliermaterial 60 und dem Halbleiterelement 20 zumindest ungefähr 0,15 mm notwendig. Jedoch gilt, solange der Abstand d länger als die Dicke t ist, kann der Abstand d auf eine beliebige Länge eingestellt sein.
  • Eine Höhe des Isoliermaterials 60 ist höher als ein Wert eingestellt, der durch ein Addieren der Dicke des Anschlusses 42 zu einer Höhe der Lötschicht 53 erlangt wird. Eine Spitze von einem Ende des Anschlusses 42 berührt eine Seitenfläche des Isoliermaterials 60. Durch ein Anordnen des Isoliermaterials 60, das von einer oberen Fläche der ersten Leitungsschicht 12 dementsprechend vorragt, wenn der Anschluss 42 gelötet wird, wird die Spitze von dem einen Ende des Anschlusses 42 in Kontakt mit der Seitenfläche des Isoliermaterials 60 positioniert. Deshalb kann ohne ein Verwenden einer besonderen Vorrichtung der Anschluss 42 leicht hinsichtlich des Substrats 10 positioniert werden.
  • Ferner, da das Isoliermaterial 60 von der oberen Fläche der ersten Leitungsschicht 12 vorragt, wenn der Anschluss 42 an die erste Leitungsschicht 12 gelötet ist, kann das überschüssige Lot abgehalten werden, selbst wenn eine Menge des Lots in einem geschmolzenen Zustand (das die Lötschicht 53 nach einem Härten wird) groß ist. Ferner bildet ein Teil des überschüssigen Lots die Rückkehle auf der unteren Fläche des gebogenen Teils 42b des Anschlusses 42. Dementsprechend, da das überschüssige Lot nicht auf der ersten Leitungsschicht 12 auf der Seite des Halbleiterelements 20 ausströmt, kann die Lötschicht 53 daran gehindert werden, mit der Lötschicht 51 und dem Halbleiterelement 20 in Kontakt zu gelangen. Ferner kann durch die Rückkehle (Back Fillet), die auf der unteren Fläche des gebogenen Teils 42b des Anschlusses 42 ausgebildet ist, die Verbindungszuverlässigkeit zwischen dem Anschluss 42 und der ersten Leitungsschicht 12 verbessert werden.
  • <Vierte Ausführungsform>
  • 8 ist eine Querschnittsansicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform zeigt. 9 ist eine Draufsicht, die die Halbleitervorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform zeigt. Jedoch ist in 9 lediglich ein Teil der Bauteile gezeigt, die in 8 gezeigt sind. Ferner zeigt 8 einen Querschnitt entlang einer VIII-VIII-Linie von 9.
  • Wenn auf 8 und 9 Bezug genommen wird, ist eine Halbleitervorrichtung 1C von der Halbleitervorrichtung 1 in Punkten verschieden, dass die obere Fläche der ersten Leitungsschicht 12 mit einem Oberflächenbehandlungsfilm 70 abgedeckt ist und ein Öffnungsteil 70x, der die obere Fläche der ersten Leitungsschicht 12 freilegt, auf einem Teil des Oberflächenbehandlungsfilms 70 ausgebildet ist (siehe 1 und dergleichen). In 8 und 9 werden Beschreibungen der gleichen Bestandteile wie jene der vorangehend beschriebenen Ausführungsformen weggelassen.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Leitungsschicht 12 aus einem Material mit einer geringen Lotbenetzungseigenschaft, wie zum Beispiel Aluminium (AI) hergestellt, und die obere Fläche der ersten Leitungsschicht 12 ist mit dem Oberflächenbehandlungsfilm 70 mit einer exzellenten Lotbenetzungseigenschaft, wie zum Beispiel Nickel (Ni) oder Gold (Au) abgedeckt. Dann ist durch ein Ausbilden des Öffnungsteils 70x auf der Seite des Anschlusses 42 des Halbleiterelements 20 des Oberflächenbehandlungsfilms 70 die obere Fläche der ersten Leitungsschicht 12 in dem Öffnungsteil 70x freigelegt. Das heißt, lediglich ein Teil der oberen Fläche der ersten Leitungsschicht 12, die in dem Öffnungsteil 70x freigelegt ist, wird ein nicht gelöteter Bereich 12y mit einer geringen Lotbenetzungseigenschaft, und andere Bereiche werden ein Lötbereich mit einer exzellenten Lotbenetzungseigenschaft. Der nicht gelötete Bereich 12y ist ein typisches Beispiel des Lotausströmungsverhinderungsteils gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Die ebene Form des nicht gelöteten Bereichs 12y (Öffnungsteil 70x) kann zum Beispiel rechtwinklig sein. Alternativ kann durch ein weiteres Verlängern des nicht gelöteten Bereichs 12y der Oberflächenbehandlungsfilm 70 in zwei von einem Bereich auf der Seite des Anschlusses 41 und einem Bereich auf der Seite des Anschlusses 42 aufgeteilt werden.
  • Ein Abstand d zwischen einer Seite auf der Seite des Anschlusses 42 des nicht gelöteten Bereichs 12y und dem Halbleiterelement 20 ist länger als die Dicke t der Lötschicht 51 eingestellt. Zum Beispiel, wenn die Dicke t der Lötschicht 51 0,1 mm ist, um einen elektrischen Durchgang zwischen dem Halbleiterelement 20 und dem Anschluss 42 zu verhindern, ist als der Abstand d zwischen der Seite auf der Seite des Anschlusses 42 des nicht gelöteten Bereichs 12y und dem Halbleiterelement 20 zumindest ungefähr 0,15 mm notwendig. Jedoch, solange der Abstand d länger als die Dicke t ist, kann der Abstand d auf eine beliebige Länge eingestellt sein.
  • Der Oberflächenbehandlungsfilm 70 mit dem Öffnungsteil 70x auf der oberen Fläche der ersten Leitungsschicht 12 ist zum Beispiel ausgebildet, wie nachfolgend gezeigt wird. Zuerst wird das Substrat 10 bereitgestellt. In dem Substrat ist die erste Leitungsschicht 12 (Aluminium oder dergleichen) auf einer Fläche der Isolierschicht 11 angeordnet und die zweite Leitungsschicht 13 ist auf der anderen Fläche angeordnet. Dann wird auf einem Teil, in dem der Öffnungsteil 70x der oberen Fläche der ersten Leitungsschicht 12 auszubilden ist, eine Maskierung, wie zum Beispiel ein Abdeckmittelfilm oder ein Maskierband ausgebildet. Dann wird auf der oberen Fläche der ersten Leitungsschicht 12, beispielsweise durch ein Plattieren, der Oberflächenbehandlungsfilm 70, wie zum Beispiel Nickel (Ni) oder Gold (Au), ausgebildet, und danach wird die Maskierung entfernt. Dementsprechend wird der Oberflächenbehandlungsfilm 70 mit dem Öffnungsteil 70x auf der oberen Fläche der ersten Leitungsschicht 12 ausgebildet und ein Inneres des Öffnungsteils 70x wird der nicht gelötete Bereich 12y.
  • Da der nicht gelötete Bereich 12y derart ausgebildet wird, wenn der Anschluss 42 auf die erste Leitungsschicht 12 gelötet wird, benetzt das überschüssige Lot weder den nicht gelöteten Bereich 12y noch erstreckt es sich dorthin und wird die Rückkehle auf der unteren Fläche des gebogenen Teils 42b des Anschlusses 42, selbst wenn eine Menge des Lots in einem geschmolzenen Zustand (das die Lötschicht 53 nach einem Härten wird) groß ist. Dementsprechend, da das überschüssige Lot nicht auf der Seite des Halbleiterelements 20 auf die erste Leitungsschicht 12 ausströmt, kann die Lötschicht 53 daran gehindert werden, mit der Lötschicht 51 und dem Halbleiterelement 20 in Verbindung zu gelangen. Ferner kann aufgrund der Rückkehle, die auf der unteren Fläche des gebogenen Teils 42b des Anschlusses 42 ausgebildet wird, die Verbindungszuverlässigkeit zwischen dem Anschluss 42 und der ersten Leitungsschicht 12 verbessert werden.
  • <Fünfte Ausführungsform>
  • 10 ist eine Querschnittsansicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer fünften, nicht beanspruchten Ausführungsform zeigt. 11 ist eine Draufsicht, die die Halbleitervorrichtung gemäß der fünften, nicht beanspruchten Ausführungsform zeigt. Jedoch ist in 11 lediglich ein Teil der Bauteile gezeigt, die in 10 gezeigt sind. Ferner zeigt 10 einen Querschnitt entlang einer X-X-Linie von 11.
  • Wenn auf 10 und 11 Bezug genommen wird, ist eine Halbleitervorrichtung 1D von der Halbleitervorrichtung 1 in einem Punkt verschieden, dass die Nut 12x mit Nuten 12z ersetzt ist (siehe 1 und dergleichen). In 10 und 11 werden Beschreibungen der gleichen Bestandteile wie jene der vorangehend beschriebenen Ausführungsformen weggelassen.
  • In der ersten Leitungsschicht 12 sind die Nuten 12z ausgebildet, die nicht durch die erste Leitungsschicht 12 hindurchdringen. Die Nuten 12z sind auf der Seite des Anschlusses 42 des Halbleiterelements 20 ausgebildet. Die Nuten 12z sind ein typisches Beispiel des Lotausströmverhinderungsteils gemäß der vorliegenden Erfindung. Die ebene Form der Nut 12z kann auf eine Kastenform (Rahmenform) eingestellt sein. Abstände d zwischen den Nuten 12z und dem Halbleiterelement 20 sind länger als die Dicke t der Lötschicht 51 eingestellt. Zum Beispiel, wenn die Dicke t der Lötschicht 51 0,1 mm ist, um den elektrischen Durchgang zwischen dem Halbleiterelement 20 und dem Anschluss 42 zu verhindern, ist als die Abstände d zwischen den Nuten 12z und dem Halbleiterelement 20 zumindest ungefähr 0,15 mm notwendig. Jedoch, solange der Abstand d länger als die Dicke t ist, kann der Abstand d auf eine beliebige Länge eingestellt sein. Die Einstellung zwischen der Menge an Lot bzw. Lötmetall (die die Lötschicht 53 nach einem Härten wird) und einem Volumen der Nut 12z ist die gleiche wie in dem Fall der Nut 12x, die in der ersten Ausführungsform beschrieben ist.
  • Da in der Nut 12x (siehe 1 und dergleichen) eine Fläche der Isolierschicht bzw. isolierenden Schicht 11 an einem Bodenteil freiliegend ist, war die Lotbenetzungseigenschaft in der Nut 12x gering. Andererseits ist die Lotbenetzungseigenschaft in dem Inneren der Nuten 12z exzellent. Das heißt, wenn die erste Leitungsschicht 12 aus einem Material mit einer exzellenten Lotbenetzungseigenschaft, wie zum Beispiel Kupfer (Cu), hergestellt ist, ist das Material mit der exzellenten Lotbenetzungseigenschaft, wie zum Beispiel Kupfer (Cu), ebenfalls in den Nuten 12z freiliegend. Ferner, wenn die erste Leitungsschicht 12 aus einem Material mit einer geringen Lotbenetzungseigenschaft, wie zum Beispiel Aluminium (AI), hergestellt ist, wird ein Oberflächenbehandlungsfilm mit einer exzellenten Lotbenetzungseigenschaft ausgebildet, nachdem die Nuten 12z ausgebildet sind. Dementsprechend ist der Oberflächenbehandlungsfilm mit einer exzellenten Lotbenetzungseigenschaft ebenfalls in den Nuten 12z freigelegt.
  • Die Nuten 12z können beispielsweise in der ersten Leitungsschicht 12 ausgebildet sein, wie nachfolgend gezeigt wird. Zuerst wird das Substrat 10 bereitgestellt. In dem Substrat 10 ist die erste Leitungsschicht 12 auf einer Fläche der Isolierschicht 11 angeordnet und die zweite Leitungsschicht 13 ist auf der anderen Fläche angeordnet. Dann wird die erste Leitungsschicht 12 durch ein Pressen mit einer Metallform mit Vorsprungsteilen, die Formen der Nuten 12z entsprechen (zu diesem Zeitpunkt werden die Nuten 12z gesteuert, um durch die erste Leitungsschicht 12 hindurchzuführen), geformt. Dementsprechend sind die Nuten 12z in der ersten Leitungsschicht 12 ausgebildet. Danach wird je nach Bedarf auf einer oberen Fläche der ersten Leitungsschicht 12 einschließlich der Innenseiten der Nuten 12z der Oberflächenbehandlungsfilm, wie zum Beispiel Nickel (Ni) oder Gold (Au), beispielsweise durch ein Plattieren ausgebildet.
  • Die fünfte, nicht beanspruchte Ausführungsform übt ferner den folgenden Effekt zusätzlich zu dem Effekt der ersten Ausführungsform aus. Das heißt, da das Innere bzw. die Innenseiten der Nut 12z in einem Zustand einer exzellenten Lotbenetzungseigenschaft ist, wenn der Anschluss 42 auf die erste Leitungsschicht 12 gelötet wird, aufgrund eines Kapillarphänomens, tritt das Lot in einem geschmolzenen Zustand aktiv in die Nuten 12z ein und das überschüssige Lot kann leicht absorbiert werden. Die planare Form der Nuten 12z muss nicht die Kastenform (Rahmenform) sein, sondern kann eine Form, die in 2 gezeigt ist, oder eine Form, die in 4 gezeigt ist, sein, oder kann eine dazu verschiedene sein. Zusammengefasst, solange das Innere der Nut 12z eine exzellente Lotbenetzungseigenschaft aufgrund des Kapillarphänomens hat, können Effekte erlangt werden, die für die vorliegende Ausführungsform spezifisch sind.
  • <Sechste Ausführungsform>
  • 12 ist eine Querschnittsansicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform zeigt. Wenn auf 12 Bezug genommen wird, ist eine Halbleitervorrichtung 1E von der Halbleitervorrichtung 1 in Punkten verschieden, dass ein Metallblock 80 über die Lötschicht 52 auf dem Halbleiterelement 20 angeordnet ist, und der Metallblock 80 ist auf dem Substrat 10A über eine Lötschicht 54 fixiert (siehe 1 und dergleichen). Obwohl das Substrat 10A der Einfachheit halber mit einer verschiedenen Markierung versehen ist, ist es ein Substrat mit dem gleichen Aufbau wie das Substrat 10. In 12 werden Beschreibungen von Bestandteilen, die gleich zu jenen der vorangehend beschriebenen Ausführungsformen sind, weggelassen.
  • Wärme, die durch das Halbleiterelement 20 erzeugt wird, wird über die Substrate 10 und 10A abgestrahlt. Durch ein Anordnen einer Wärmeabstrahlungskomponente auf der Seite der zweiten Leitungsschicht 13 von jedem von dem Substrat 10 und 10A kann die Wärmeabstrahlungseigenschaft weiter verbessert werden. Dementsprechend kann in der Halbleitervorrichtung 1E, da die Wärme, die durch das Halbleiterelement 20 von beiden Seitenflächen (obere Flächenseite und untere Flächenseite) abgestrahlt wird, die Halbleitervorrichtung 1E als ein doppelseitiges Kühlmodul bezeichnet werden.
  • In der Halbleitervorrichtung 1E sind in der ersten Leitungsschicht 12 des Substrats 10A die Nuten 12z, die nicht durch die erste Leitungsschicht 12 hindurchdringen (siehe fünfte, nicht beanspruchte Ausführungsform), ausgebildet. Da die Nuten 12z des Substrats 10A das überschüssige Lot aufgrund des Kapillarphänomens absorbieren, strömt die Lotschicht 54, die den Metallblock 80 an dem Substrat 10A fixiert bzw. befestigt, nicht außerhalb der Nuten 12z über.
  • Dementsprechend können die Nuten 12z auf Teile angewendet werden, die verschieden zu dem Anschluss sind. Die Situation ist gleichermaßen die gleiche in den Lotausströmverhinderungsteilen, die in den anderen Ausführungsformen gezeigt sind, wie zum Beispiel der Nut 12x.
  • In dem Vorangehenden ist, obwohl bevorzugte Ausführungsformen im Detail beschrieben wurden, die vorliegende Erfindung nicht auf die vorangehend beschriebenen Ausführungsformen begrenzt.
  • Zum Beispiel können die entsprechenden Ausführungsformen geeignet kombiniert werden. Zum Beispiel kann in der ersten Ausführungsform das Isoliermaterial 60 auf der Halbleiterelementseite der Nut 12x angeordnet sein. Dementsprechend kann das überschüssige Lot mit größerer Gewissheit daran gehindert werden, auf der Halbleiterelementseite auf die erste Leitungsschicht 12 auszuströmen.

Claims (5)

  1. Halbleitervorrichtung, die Folgendes aufweist: ein Substrat (10); ein Halbleiterelement (20), das auf einer Seite des Substrats über eine erste Lötschicht (51) fixiert ist; einen Anschluss (43), der auf der einen Seite des Substrats über eine zweite Lötschicht (53) fixiert ist; und einen Lotausströmverhinderungsteil, der zwischen dem Halbleiterelement und dem Anschluss auf der einen Seite des Substrats vorgesehen ist und der gestaltet ist, um die erste Lötschicht und die zweite Lötschicht durch einen Abstand (d) zu hindern, auszuströmen, wobei der Abstand (d) zwischen dem Lotausströmverhinderungsteil und dem Halbleiterelement länger als eine Dicke (t) der ersten Lötschicht ist, wobei der Lotausströmverhinderungsteil eine Nut (12x) ist, die auf der einen Seite des Substrats ausgebildet ist, und ein erstes Ende des Anschlusses über der Nut fixiert ist, das Substrat (10) eine isolierende Schicht (11) und eine Leitungsschicht (12) hat, die auf der isolierenden Schicht (11) ausgebildet ist, die Nut (12x) in der Leitungsschicht (12) ausgebildet ist, und das erste Ende (43c) des Anschlusses (43) direkt die isolierende Schicht (11) durch die Nut (12x) berührt.
  2. Halbleitervorrichtung, die Folgendes aufweist: ein Substrat (10); ein Halbleiterelement (20), das auf einer Seite des Substrats über eine erste Lötschicht (51) fixiert ist; einen Anschluss (42), der auf der einen Seite des Substrats über eine zweite Lötschicht (53) fixiert ist; und einen Lotausströmverhinderungsteil, der zwischen dem Halbleiterelement und dem Anschluss in der einen Seite des Substrats vorgesehen ist und der gestaltet ist, um die erste Lötschicht und die zweite Lötschicht durch einen Abstand (d) zu hindern, auszuströmen, wobei der Abstand (d) zwischen dem Lotausströmverhinderungsteil und dem Halbleiterelement länger als eine Dicke (t) der ersten Lötschicht ist, das Substrat eine Leitungsschicht (12) hat, der Lotausströmverhinderungsteil einen Bereich (12y) aufweist, der auf dem Substrat ausgebildet ist und eine Lotbenetzungseigenschaft hat, die schlechter als eine Lotbenetzungseigenschaft der Leitungsschicht ist, und der Lotausströmverhinderungsteil ein isolierendes Material (60) aufweist, das auf der einen Seite des Substrats angeordnet ist, eine Höhe des isolierenden Materials (60) größer als eine Gesamtsumme einer Höhe der zweiten Lötschicht (53) und einer Dicke des Anschlusses (42) ist, und eine Spitze eines ersten Endes des Anschlusses (42) direkt eine Seitenfläche des isolierenden Materials (60) berührt.
  3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Verbindungsteil des ersten Endes des Anschlusses (43a) an einer Position fixiert ist, die die Nut (12x) in einer Draufsicht überlappt.
  4. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterelement und das erste Ende des Anschlusses mit einem Dichtharz (30) abgedichtet sind, und ein zweites Ende des Anschlusses außerhalb des Dichtharzes freiliegend ist.
  5. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat eine Leitungsschicht (12) hat, und die erste Lötschicht und die zweite Lötschicht elektrisch mit der Leitungsschicht verbunden sind und auf der Leitungsschicht ausgebildet sind.
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