DE10123858B4 - Atomschicht-Abscheidungsverfahren zur Bildung einer Siliciumnitrid-haltigen Dünnschicht - Google Patents
Atomschicht-Abscheidungsverfahren zur Bildung einer Siliciumnitrid-haltigen Dünnschicht Download PDFInfo
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Abstract
Atomschicht-Abscheidungsverfahren zum
Bilden einer festen, Siliciumnitridhaltigen Dünnschicht, die Schritte umfassend:
(a) Einbringen eines Substrats in eine Kammer;
(b) Einspritzen eines ersten Si2Cl6-haltigen Reaktanten in die Kammer;
(c) Chemisorbieren eines ersten Anteils des ersten Reaktanten auf dem Substrat und Physisorbieren eines zweiten Anteils des ersten Reaktanten auf dem Substrat;
(d) Entfernen des nicht chemisorbierten zweiten Anteils des ersten Recktanten aus der Kammer;
(e) Einspritzen eines zweiten NH3-haltigen Reaktanten in die Kammer;
(f) chemisches Umsetzen eines ersten Anteils des zweiten Reaktanten mit dem chemisorbierten ersten Anteil des ersten Reaktanten, wodurch ein Siliciumnitrid-haltiger Feststoff auf dem Substrat gebildet wird, und
(g) Entfernen der nicht-umgesetzten Anteile des zweiten Reaktanten aus der Kammer, wobei das der N/Si-Komponentenverhältnis des Siliciumnitridhaltigen Feststoffs zwischen ca. 1 und 1,6 einschließlich liegt.
(a) Einbringen eines Substrats in eine Kammer;
(b) Einspritzen eines ersten Si2Cl6-haltigen Reaktanten in die Kammer;
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(e) Einspritzen eines zweiten NH3-haltigen Reaktanten in die Kammer;
(f) chemisches Umsetzen eines ersten Anteils des zweiten Reaktanten mit dem chemisorbierten ersten Anteil des ersten Reaktanten, wodurch ein Siliciumnitrid-haltiger Feststoff auf dem Substrat gebildet wird, und
(g) Entfernen der nicht-umgesetzten Anteile des zweiten Reaktanten aus der Kammer, wobei das der N/Si-Komponentenverhältnis des Siliciumnitridhaltigen Feststoffs zwischen ca. 1 und 1,6 einschließlich liegt.
Description
- Die Erfindung betrifft das Bilden einer Siliciumnitrid-haltigen Dünnschicht durch Atomschicht-Abscheidung (Atom Layer Deposition, ALD). Insbesondere manifestiert sich die Erfindung in der Bildung einer Siliciumnitrid-haltigen Dünnschicht mittels eines Atomschicht-Abscheidungsverfahrens und der Verwendung von Si2Cl6 (HCD) und NH3 oder von HCD und einem NH3-Plasma als Reaktanten.
- Si3N4-Dünnschichten gewinnen bei der Herstellung von Halbleiterelementen ständig an Bedeutung. Auf Si/SiO2-Grenzflächen verringern Si3N4-Schichten Grenzflächen-Fangstellen und verbessern die Immunität gegen heiße Trägermaterialien. Si3N4-Schichten verbessern die Zuverlässigkeit und die Eigenschaften herkömmlicher SiO2-Gate-Oxidschichten. Si3N4-Schichten an der SiO2/Gate-Grenzfläche dienen als ausgezeichnete Diffusionssperren, insbesondere bezüglich alkalischer Ionen. In Feinstschicht-Elementen könnte Si3N4 ein Material mit einer hohen Dielektrizitätskonstante liefern, das gegen Elektronen-Durchtunnelung (Tunneleffekt) beständig ist. Si3N4 mit einer höheren Dielektrizitätskonstante als SiO2 könnte sich auch für eine Konformations-Isolierschicht, die Merkmale mit hohen Seitenverhältnissen in DRAMs und anderen Elementen bereitstellt, als sehr gut geeignet erweisen. Diese Anwendungen erfordern ein Verfahren zum Bilden einer Si3N4-Dünnschicht, das gute Eigenschaften bezüglich der Wachstumsgeschwindigkeit, der Wärmebilanz, der Aufladung des Leiterbahnenmusters (pattern loading), der Reinheit, der gleichmäßigen Dicke und der Gestaltung für Merkmale mit hohen Seitenverhältnissen zeigt.
- Abscheidungsverfahren, wie chemische Dampfabscheidung (chemical vapour deposition, CVD), chemische Niederdruck-Dampfabscheidung (low pressure chemical vapour deposition, LPCVD), Plasma-unterstützte chemische Dampfabscheidung (plasma enhanced chemical vapour deposition, PECVD), können für die Herstellung einer Si3N4-Dünnschicht verwendet werden. Verfahren auf CVD-Grundlage weisen häu fig Nachteile auf, die ihre Eignung bei der Herstellung von Halbleiterelementen, welche von der Einbeziehung von Si3N4-Dünnschichten profitieren würden, einschränken. Bei einem typischen CVD-Verfahren wird eine SiN-Dünnschicht bei einer relativ hohen Temperatur abgeschieden, was im allgemeinen aufgrund möglicher schädlicher Hitzeeinwirkungen auf das Baulement weniger erwünscht ist als ein Verfahren mit einer niedrigeren Temperatur. Eine SiN-Dünnschicht, die mittels CVD abgeschieden wird, unterliegt auch geometrischen Beschränkungen, was zu unterschiedlichen Dicken auf der Oberfläche des Baulements führen kann. Die Dicke der Dünnschicht, die um dicht gepackte Merkmale auf der Oberfläche gebildet wird, kann niedriger sein als die Dicke der Schicht um weniger dicht gepackte Merkmale. Dieses Problem ist als Aufladungseffekt des Leiterbahnenmusters (pattern loading effect) bekannt.
- LPCVD hat ebenfalls Nachteile. Der Wasserstoffgehalt der LPCVD-gefertigten Dünnschichten ist üblicherweise hoch, und die Stufenabdeckung der Oberfläche ist nicht gut. Da die Wachstumsgeschwindigkeit der Schicht relativ niedrig ist, wenn LPCVD angewendet wird, ist die Bearbeitungszeit, die nötig ist, um eine Schicht mit geeigneter Dicke auszubilden, relativ lang. Die lange Bearbeitungszeit setzt das Substrat über einen langen Zeitraum einer relativ hohen Temperatur aus, und dies führt zu einer hohen Wärmebilanz, die mit dem LPCVD-Verfahren verbunden ist.
- Die Atomschicht-Abscheidung (ALD) wurde als Alternative zu Abscheidungsverfahren auf CVD-Basis für die Bildung von SiN-Dünnschichten vorgeschlagen. ALD ist ein Oberflächen-gesteuertes Verfahren, das mit einem Oberflächen-kinetischen System durchgeführt wird, und das eine zweidimensionale Schicht-für-Schicht-Abscheidung auf der Oberfläche zur Folge hat. Goto et al. beschreiben ein ALD-Abscheidungsverfahren, das Dichlorsilan (DCS) und NH3-Plasma verwendet, um eine Si3N4-Schicht zu bilden (Yokoyama, S., Goto, H., u.a.: Atomic layer controlled deposition of silicon nitride and in situ growth observation by infrared absorption spectroscopy. In: Appl. Surf. Sci., Vol. 112, 75–81 (1997); Goto, H., u.a.: Atomic layer controlled deposition of silicon nitride with self limiting mechanism. In: Appl. Phys. Lett, Vol.. 68(23), 3257-9 (1996)). Die Eigenschaften der Dünnschicht, die anhand des in Goto beschriebenen Verfahrens hergestellt wird, sind jedoch nicht geeignet. Der Cl-Gehalt (0,5 %) und der O-Gehalt sind unannehmbar hoch. Dies zeigt zusammen mit einem gemessenen Si:N-Verhältnis von 41:37 an, daß dieses Verfahren keine annähernd stöchiometrische Si3N4-Schicht bildet. Darüber hinaus ist die Wachstumsgeschwindigkeit von 0,91 Angström pro 300 Sekunden-Zyklus nicht so hoch wie es für industrielle Anwendungen notwendig wäre.
- Klaus et al. beschreiben ein ALD-Verfahren zum Bilden einer Si3N4-Schicht durch Umsetzen von SiCl4 und NH3, siehe US-6 090 442 und Klaus, J. W., u.a.: Atomic layer controlled growth of Si3N4 films using sequential surface reactions. In: Surf. Sci., Vol. 418, L14-L19 (1998). Die Eigenschaften der anhand dieses Verfahrens hergestellten Dünnschicht sind besser als die von Goto et al. erreichten. Das Verhältnis von Si:N = 1:1,39 und die Cl-, H- und O-Gehalte sind annehmbar niedrig. Die Zyklusdauer von 10 Minuten für das Ausbilden einer 0,245-Nanometer-Schicht ist jedoch zu lang, was eine industrielle Anwendung nicht praktikabel macht
- Es wurde auch vorgeschlagen, Si2Cl6 (HCD) und N2H4 zu verwenden, um eine Si3N4-Dünnschicht mittels ALD abzuscheiden (Morishita, S., u.a.: Atomic-layer chemical-vapor-deposition of silicon-nitride. In: Appl. Surf. Sci., Vol. 112, 198–204 (1997)). Obwohl die Stöchiometrie, der Cl- und der H-Gehalt solcher Schichten geeignet ist, zeigen sie einen unannehmbar hohen Sauerstoffgehalt, was solche Filme für die vorstehend beschriebenen Verwendungen ungeeignet macht.
- Aus der JP 11-74485 A ist ferner ein Verfahren bekannt, bei dem eine auf dem Substrat befindliche Siliziumoxidschicht mit Hexachlordisilan behandelt wird, um nachfolgend eine Siliziumnitridschicht auf der so behandelten Siliziumoxidschicht mittels eines Atomschicht-Abscheidungsverfahrens ohne Beteiligung von Hexachlordisilan abzuscheiden.
- Die
EP 0 334 791 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von Siliziumnitrid als Pulver oder als Beschichtung mittels PECVD-Verfahren ausgehend von Stickstoff und Silizium enthaltenden Gasen. Dieses Dokument offenbart kein N/Si-Komponentenverhältnis. - Ferner gehen Verfahren zur Bildung von Siliziumnitridschichten aus der
DE 24 14 982 B2 sowie aus derDE 100 22 245 A1 hervor, die allerdings weiter vom Gegenstand der vorliegenden Erfindung entfernt sind als der übrige vorligend zitierte Stand der Technik. - Daher besteht, trotz eines seit langem erkannten Potentials für vielfältige Anwendungen, weiterhin ein Bedarf an einem neuen Verfahren zum Bilden von Si3N4-Schichten, das die folgenden Kriterien erfüllt: Bearbeitung mit einer niedrigen Wärmebilanz; ausgezeichnete Stufenabdeckung; kein Aufladungseffekt des Leiterbahnenmusters; Si:N-Verhältnis übereinstimmend mit Si3N4; ausgezeichnete Dickensteuerung und – gleichmäßigkeit; minimale Zahl von Partikeleinschlüssen; niedriger Verunreinigungsgehalt und eine Wachstumsgeschwindigkeit der Schicht, die industrielle Anwendungen praktikabel macht.
- Daher ist es ein Ziel der Erfindung, ein Verfahren zum Ausbilden von Si3N4 als Schicht bereitzustellen, in der Si3N4 physikalische und chemische Eigenschaften zeigt, die mit hochreinem Si3N4 übereinstimmen. Es ist ein anderes Ziel der Erfindung, ein Verfahren bereitzustellen, um Si3N4 als Dünnschicht abzuscheiden, wobei das Verfahren eine ausgezeichnete Stufenabdeckung, wenig oder keinen Aufladungseffekt des Leiterbahnenmusters und eine ausgezeichnete Dickensteuerung und -gleichmäßigkeit zeigt. Es ist ein weiteres Ziel der Erfindung, ein Verfahren bereitzustellen, um Si3N4 als Dünnschicht oder in anderer fester Form abzuscheiden, wobei das Verfahren eine relativ niedrige Wärmebilanz und eine annehmbar hohe Wachstumsgeschwindigkeit zeigt, wodurch das Verfahren für die industrielle Anwendung praktikabel wird.
- Um die vorstehend beschriebenen Punkte zu erreichen, besteht die Erfindung in einem Verfahren zur Atomschicht-Abscheidung (ALD), das Si2Cl6 und NH3 oder Si2Cl6 und aktiviertes NH3 als Reaktanten verwendet.
- Gegenstand der Erfindung ist ein Atomschicht-Abscheidungsverfahren zum Bilden einer festen, Siliciumnitrid-haltigen Schicht nach Anspruch 1.
- Bevorzugte Ausführungsformen davon sind Gegenstand der Ansprüche 2 bis 20.
- Das Atomschicht-Abscheidungsverfahren der Erfindung beinhaltet die folgenden Schritte: a) Einbringen eines Substrats in eine Kammer, b) Einspritzen eines ersten Reaktanten, der Si2Cl6 enthält, in die Kammer, c) Chemisorbieren eines ersten Anteils des ersten Reaktanten auf dem Substrat und Physisorbieren eines zweiten Anteils des ersten Reaktanten auf dem Substrat, d) Entfernen des nicht chemisch absorbierten Anteils des ersten Reaktanten aus der Kammer, e) Einspritzen eines zweiten Reaktanten, der NH3 enthält, in die Kammer, f) chemisches Umsetzen eines ersten Anteils des zweiten Reaktanten mit dem chemisorbierten ersten Anteil des ersten Reaktanten, wodurch ein Silicium-haltiger Feststoff auf dem Substrat gebildet wird, und g) Entfernen des nicht-umgesetzten Anteils des zweiten Reaktanten aus der Kammer. In einer Ausführungsform der Erfindung enthält in Schritt b der erste Reaktant zwei oder mehr Verbindungen, von denen jede Si und Cl enthält. In einer bevorzugten Ausführungsform davon handelt es sich bei den beiden Si- und Cl-haltigen Verbindungen um Si2Cl6 und SiCl4. In einer anderen Ausführungsform der Erfindung werden die Schritte b – g einmal oder mehrmals wiederholt, um die Dicke der Schicht zu erhöhen.
- Ein Verfahren gemäß einer nicht erfindungsgemäßen Ausführungsform enthält die folgenden Schritte: a) Geben eines Substrats in eine Kammer, b) Einspritzen eines Stroms eines ersten Reaktanten, der Si2Cl6 enthält, in die Kammer, c) Zugeben von SiCl4 zum Strom des ersten Reaktanten, während der erste Reaktant in die Kammer eingespritzt wird, d) Chemisorbieren eines ersten Anteils des ersten Reaktanten auf dem Substrat und Physisorbieren eines zweiten Anteils des SiCl4 auf dem Substrat, e) Chemisorbieren eines ersten Anteils des SiCl4 auf dem Substrat und Physisorbieren eines zweiten Anteils des SiCl4 auf dem Substrat, f) Entfernen der nicht chemisch absorbierten Anteile von Si2Cl6 und SiCl4 aus der Kammer, g) Einspritzen eines zweiten Re aktanten, der NH3 enthält, in die Kammer, h) chemisches Umsetzen eines ersten Anteils des zweiten Reaktanten mit dem chemisorbierten ersten Anteil des Si2Cl6 und des chemisorbierten ersten Anteils des SiCl4, wodurch ein Silicium-haltiger Feststoff auf dem Substrat gebildet wird; und i) Entfernen eines zweiten Anteils des zweiten Reaktanten aus der Kammer. In einer anderen nicht erfindungsgemäßen Ausführungsform werden einer oder mehrere der Schritte b – i wiederholt.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Die Merkmale der Erfindung und der bevorzugten Ausführungsformen davon werden nun detaillierter mit Bezug auf die nachstehenden Zeichnungen und die detaillierte Beschreibung beschrieben, in denen bedeuten:
- Die
1 bis5 beschreiben die Bearbeitungsschritte zum Bilden einer Si3N4-Dünnschicht mittels einer Atomschicht-Abscheidung gemäß der Erfindung. -
6 ist eine schematische Darstellung einer Dünnschicht-Herstellungseinrichtung, die für das Dünnschicht-Herstellungsverfahren gemäß der Erfindung verwendet wird. -
7 ist ein Ablaufdiagramm, das die Dünnschicht-Herstellungsverfahren gemäß der Erfindung zeigt. -
8 ist ein Diagramm, das, die Dicke einer Si3N4-Schicht zeigt, die pro Zyklus mittels eines Herstellungsverfahrens gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung gebildet wird. -
9 ist ein Diagramm, das Dicke einer Si3N4-Schicht zeigt, die pro Zyklus mittels eines Herstellungsverfahrens gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung gebildet wird. - Detaillierte Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen
- Die folgende Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen beginnt mit einer Erklärung der Bearbeitungsschritte der Verfahren, gefolgt von Beschreibungen spezifischer Beispiele für bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung.
-
1 –5 : ein Substrat1 , beispielsweise Silicium (100 ), wird in eine Kammer3 gegeben (siehe6 ), die dann bis auf einen Druck von etwa 266 Pa evakuiert wird. Das Substrat1 wird auf etwa 550°C erwärmt. Dann wird ein Strom2 von 500 sccm (Standardkubikzentimeter/Minute) Si2Cl6 in einem Ar-Trägergas 30 Sekunden lang in die Kammer geleitet. In alternativen Ausführungsformen der Erfindung enthält der Si2Cl6-haltige Gasstrom auch SiCl4. In einer anderen Ausführungsform wird ein Si2Cl6-haltiger Gasstrom in die Kammer3 geleitet, und während dieses Strömen aufrechterhalten wird, wird ein Gasstrom, der SiCl4 enthält, entweder mit dem Si2Cl6-haltigen Gasstrom vor der Einleitung in die Kammer3 gemischt, oder wird getrennt von dem Si2Cl6-haltigen Gasstrom, aber gleichzeitig mit diesem, eingeleitet. - Während dieser Zeit wird ein erster Anteil der Si2Cl6-Moleküle (und SiCl4-Moleküle, falls vorhanden) auf der Oberfläche von Substrat
1 chemisorbiert und bildet dort eine Schicht4 . Ein zweiter Anteil der Si2Cl6-Moleküle (und SiCl4-Moleküle, falls vorhanden) bindet sich physikalisch (physisorbiert) an die chemisorbierte Si2Cl6-Schicht (und SiCl4-Schicht, falls vorhanden) und wird locker darauf festgehalten. Dann wird die Kammer3 für 5 Sekunden mit N2 gespült und 5 Sekunden lang Vakuum-entleert. Während dieser Reinigungsschritte werden die nicht chemisorbierten Anteile des Si2Cl6 und SiCl4 aus der Kammer entfernt, wodurch die chemisorbierte Schicht4 aus Si2Cl6 (und SiCl4, falls vorhanden) unversehrt auf dem Substrat1 zurückbleibt (2 ).3 : Dann wird ein Strom6 aus 2000 sccm NH3 30 Sekunden lang in die Kammer3 geleitet, während wiederum ein Kammerdruck von 266 Pa und eine Substrattemperatur von 550°C beibehalten werden. Ein Anteil des NH3 reagiert mit dem chemisorbierten Si2Cl6 auf dem Substrat, wodurch eine Schicht8 aus Si3N4 gebildet wird (4 ). In einer Ausführungsform wird das NH3 als Gas eingeführt, das in einem Ar-Trägerstrom mitgeführt wird. In einer alternativen Ausführungsform wird das NH3 in dem Ar-Strom als Plasma mitgeführt, das in einem Plasmagenerator, der sich an anderer Stelle befindet, erzeugt wurde. In einer Ausführungsform wird der Plasmagenerator mit etwa 400 Watt betrieben, aber die Leistung kann variiert werden und die Erfindung soll nicht auf ein bestimmtes Leistungsniveau der Plasmakammer beschränkt sein. Nachdem der NH3-haltige Strom 30 Sekunden lang in die Kammer geströmt ist, wird die Kammer3 für 5 Sekunden mit N2 gespült und dann 5 Sekunden lang Vakuum-entleert. Die Schritte des Einleitens von Si2Cl6 (und SiCl4) in die Kammer3 , des Spülens, des Einleitens von NH3 in die Kammer und des erneuten Spülens können wiederholt werden, um jede gewünschte Dicke der Si3N4-Schicht8 zu erhalten. Die Bildung der Si3N4-Schicht ist nun abgeschlossen. -
6 ist eine schematische Darstellung einer Dünnschicht-Herstellungsvorrichtung, die für das Dünnschicht-Herstellungsverfahren der Erfindung verwendet wird.7 ist ein Ablaufdiagramm, das das Dünnschicht-Herstellungsverfahren gemäß der Erfindung beschreibt. Nach dem Einbringen eines Substrats1 , beispielsweise eines (100) Siliciumsubstrats, in eine Kammer3 wird die Kammer auf einen Druck von etwa 266 Pa und mittels eines Heizgeräts5 auf eine Temperatur von etwa 550°C gebracht (Schritt100 ). Der erste Reaktantenstrom, der Si2Cl6 enthält, wird 30 Sekunden lang in die Kammer3 eingespritzt, während das Substrat bei 550°C und etwa 266 Pa gehalten wird (Schritt105 ). Das Si2Cl6 wird verdampft, um einen ersten Reaktantenstrom6 zu bilden, indem man 500 sccm Ar-Trägergas aus einer Quelle19 in den ersten Gasspüler12 einspritzt, der flüssiges Si2Cl6 bei einer Temperatur von etwa 40°C enthält. Dann wird der kombinierte Si2Cl6- und Ar-Gasstrom während eines Zeitraums von etwa 30 Sekunden durch eine erste Gasleitung13 und einen Sprühkopf15 eingespritzt, wie vorstehend beschrieben. Dann wird die Kammer3 für 5 Sekunden mit reinem Ar gespült und dann 5 Sekunden lang mit der Pumpe7 Vakuum-entleert. Die Erfindung soll nicht auf dieses spezielle Spülungsschema beschränkt sein, und soll davon abweichende Spülungs-Abfolgen einschließen, die zur Entfernung des physisorbierten Si2Cl6 von der chemisorbierten Si2Cl6-Oberflächenschicht führen. - Dann wird der zweite Reaktantengasstrom aus NH3 in einem Ar-Träger etwa 30 Sekunden lang durch die Gasleitung
16 und den Sprühkopf15 mit einer Geschwindigkeit von etwa 2000 sccm in die Kammer3 eingespritzt. Während dieses Schritts wird das Substrat1 bei 550°C gehalten und der Kammerdruck wird bei etwa 266 Pa gehalten (Schritt115 in7 ). In einer Ausführungsform wird das NH3 im zweiten Reaktantenstrom verdampft, indem man Ar aus der Gasquelle19 durch flüssiges NH314 perlen läßt, das in einem zweiten Gasspüler17 bei etwa 25°C gehalten wird. In einer anderen bevorzugten Ausführungsform wird NH3 als Plasma, das in einem Ar-Strom mitgeführt wird, in die Kammer3 eingespritzt. Das NH3-Plasma wird in einem Plasmagenerator, der sich an anderer Stelle befindet (nicht gezeigt) erzeugt und dann etwa 30 Sekunden lang mit einer Geschwindigkeit von etwa 2000 sccm durch die Gasleitung16 und den Sprühkopf15 in die Kammer3 eingeleitet. - Wie in den
3 und4 dargestellt, reagiert ein Anteil des NH3 im zweiten Reaktantenstrom mit dem Si2Cl6 (und, in einigen Ausführungsformen, SiCl4), das auf dem Substrat1 chemisorbiert wurde, wodurch eine Si3N4-Schicht gebildet wird. Sobald die Si3N4-Schicht sich auf dem Substrat gebildet hat, wird ein zweiter Anteil des NH3 im zweiten Reaktantenstrom auf der Si3N4-Schicht physisorbiert. Dann wird die Kammer3 für 5 Sekunden mittels eines Ar-Stroms gespült, gefolgt von einer Vakuumentleerung mit Pumpe7 (Schritt120 ). Der physisorbierte zweite Reaktant kann jedoch auch mittels Vakuumentleerung der Kammer entfernt werden, ohne zuerst mit einem inerten Gas zu spülen. - Nach dem Ausspülen des nicht umgesetzten NH3 aus der Kammer
3 wird die Dicke der Si3N4-Schicht gemessen (Schritt125 ). Wenn eine darüber hinausgehende Schichtdicke benötigt wird, werden die Schritte105 bis125 wiederholt, bis die gewünschte Schichtdicke erreicht ist. Wenn die gewünschte Schichtdicke erreicht wurde, wird das Herstellungsverfahren abgeschlossen, indem man die Temperatur und den Druck der Kammer wieder auf normale Werte zurückführt (Schritt130 ). - Die bevorzugten Ausführungsformen werden nun mit Bezug auf die nachstehenden Beispiele beschrieben. Die nachstehenden Beispiele sollen Beispiele für bevorzugte Ausführungsformen sein und nicht beschränkend wirken.
- Beispiel 1
- Ein Siliciumwafer wurde in eine typisch aufgebaut Bedampfungskammer gegeben. Die Kammer wurde mit Stickstoff gespült, dann bis auf 266 Pa evakuiert. Das Substrat wurde auf 550°C erwärmt und bei dieser Temperatur stabilisiert. Ein erster Reaktantenstrom wurde erzeugt, indem man 500 sccm Ar durch flüssiges Si2Cl6 bei 40°C perlen ließ, und dann 30 Sekunden lang in die Kammer geleitet. Dann wurde die Kammer 5 Sekunden lang mit N2 gespült und 5 Sekunden lang Vakuum-entleert. Dann wurde ein zweiter Reaktantenstrom erzeugt, indem man 2000 sccm Ar durch flüssiges NH3 bei 25°C perlen ließ. Dann wurde der zweite Reaktantenstrom 30 Sekunden lang in die Kammer eingeleitet, wobei wiederum ein Kammerdruck von 266 Pa und eine Substrattemperatur von 550°C aufrechterhalten wurden. Die Kammer wude dann 5 Sekunden lang mit N2 gespült, und dann 5 Sekunden lang Vakuum-entleert.
- Man fand, daß durch die vorstehenden Schritte eine Si3N4-Schicht mit einer Geschwindigkeit von 0,268 nm pro Zyklus gebildet wurde. Man fand, daß das Si3N4 von sehr hoher Qualität war. Der Brechungsindex betrug bei einer Wellenlänge von 632,8 nm 2,0, was anzeigt, daß die abgeschiedene Schicht stöchiometrisches Si3N4 war. Die gemessene Zugspannung war mit 5·105 N/cm2 hoch. Das auf diese Weise abgeschiedene Si3N4 zeigt ein Si:N-Verhältnis, das dem von reinem Si3N4 vergleichbar ist und weist einen sehr geringen Verunreinigungsgrad auf. Der Wasserstoffgehalt war sehr niedrig und es wurde kein Sauerstoff festgestellt. Die Stufenabdeckung lag in einer Struktur mit einem Seitenverhältnis von 5:1 bei 98 % oder mehr und die Schicht zeigte einen Aufladungseffekt des Leiterbahnenmusters von etwa 5 % oder darunter. In diesem Beispiel wurden andere Siliciumwafer wiederholten Zyklen unterzogen, die dem vorstehenden gleich waren.
8 : Es wurde gefunden, daß eine lineare Beziehung zwischen der Dicke der Si3N4-Schicht und der Anzahl der Zyklen besteht. Beispiel 1 demonstriert daher, daß diese Ausführungsform der Erfindung die Bildung einer Schicht aus hochreinem Si3N4 bei einer Geschwindigkeit von etwa 0,268 nm pro Zyklus ergibt. Die Bildung der Si3N4-Schicht findet bei einer relativ niedrigen Temperatur von 550°C und in einer relativ kurzen Zykluszeit von unter etwa 90 Sekunden statt. - Beispiel 2
- In Beispiel 2 waren die Fertigungsbedingungen größtenteils denen von Beispiel 1 ähnlich. Beispiel 2 unterscheidet sich insofern von Beispiel 1, als der zweite Reaktant ein NH3-Plasma in einem Ar-Trägergas umfaßte. Wiederum wurde ein Siliciumwafer in eine typisch aufgebaute Bedampfungskammer gegeben. Die Kammer wurde mit Stickstoff gespült, dann bis auf 266 Pa evakuiert. Das Substrat wurde auf 550°C erwärmt und stabilisiert. Ein erster Reaktantenstrom, der Si2Cl6 in einem Ar-Trägergas enthielt, wurde auf die in Beispiel 1 beschriebene Weise erzeugt. Ein Strom von 500 sccm des ersten Reaktantengases wurde 30 Sekunden lang in die Kammer geleitet. Dann wurde die Kammer 5 Sekunden lang mit N2 gespült und 5 Sekunden lang Vakuum-entleert. Ein zweiter Reaktantenstrom aus NH3-Plasma in einem Ar-Träger wurde erzeugt, indem man einen Strom von NH3 in einem Ar-Trägergas in eine Plasmakammer leitete. Die Plasmakammer wurde bei 400 Watt betrieben. Dann wurde ein Strom von 2000 sccm NH3-Plasma/Ar-Mischung 30 Sekunden lang in die Kammer geleitet. Dann wurde die Kammer 5 Sekunden lang mit N2 gespült und dann 5 Sekunden lang Vakuum-entleert.
- Man fand, daß das vorstehende Verfahren die Abscheidung einer Si3N4-Schicht mit einer Geschwindigkeit von 0,251 nm pro Zyklus bei einer Zykluszeit von unter 90 Sekunden zur Folge hatte. Man fand, daß das abgeschiedene Si3N4 von sehr hoher Qualität war. Der Brechungsindex lag bei einer Wellenlänge von 632,8 nm bei 1,95, was bestätigte, daß es sich bei der abgeschiedenen Schicht um stöchiometrisches Si3N4 handelte. Die gemessene Zugspannung war mit 7·105 N/cm2 hoch. Der Wasserstoff gehalt lag unter 3 % und es wurde kein Sauerstoff festgestellt. Ebenso wie in Beispiel 1 lag die Stufenabdeckung bei einem Seitenverhältnis von 5:1 bei 98 % oder mehr und der Aufladungseffekt des Leiterbahnenmusters war mit 5 % oder darunter gut. In diesem Beispiel wurden andere Siliciumwafer wiederholten Zyklen wie vorstehend beschrieben unterzogen.
9 : Es wurde gefunden, daß eine lineare Beziehung zwischen der Dicke der Si3N4-Schicht und der Anzahl der Zyklen besteht. - Beispiel 3
- In Beispiel 3 war das Verfahren das gleiche wie in Beispiel 2, mit der einzigen Ausnahme, daß die Substrattemperatur auf 400°C abgesenkt wurde. Man fand, daß das Verfahren von Beispiel 3 die Bildung einer Si3N4-Schicht bei einer Geschwindigkeit von 0,123 nm pro Zyklus mit einer Zykluszeit von unter 90 Sekunden zur Folge hatte. Man fand wiederum, daß das abgeschiedene Si3N4 von sehr hoher Qualität war. Der Brechungsindex lag bei einer Wellenlänge von 632,8 nm bei 1,95, was bestätigte, daß es sich bei der abgeschiedenen Schicht um stöchiometrisches Si3N4 handelte. Die gemessene Zugspannung war mit 7·105 N/cm2 hoch. Der Wasserstoffgehalt lag unter 3 % und es wurde kein Sauerstoff entdeckt. Beispiel 3 demonstriert jedoch, daß die Wachstumsgeschwindigkeit der Si3N4-Schicht stark temperaturabhängig ist und daß bei einer Temperatur von 400°C die Wachstumsgeschwindigkeit der Schicht etwa der Hälfte der Wachstumsgeschwindigkeit bei 550°C entspricht. Die niedrigere Temperatur von 400°C hatte auch einen höheren Wasserstoffgehalt in der Si3N4-Schicht zur Folge.
- Beispiel 4
- Ein Siliciumwafer wurde in eine typisch aufgebaute Bedampfungskammer gegeben. Die Kammer wurde mit Stickstoff gespült, dann bis auf 266 Pa evakuiert. Das Substrat wurde auf 550°C erwärmt und bei dieser Temperatur stabilisiert. Ein erster Reaktantenstrom wurde erzeugt, indem man 500 sccm Ar durch flüssiges Si2Cl6 bei 40°C perlen ließ. Ein weiterer Strom, der Si und Cl enthielt, wurde erzeugt, indem man 500 sccm Ar durch flüssiges SiCl4 bei 20°C perlen ließ. Dann wurden die Ströme gleichzeitig 30 Sekunden lang in die Kammer geleitet, wonach das Fließen beider Ströme beendet wurde. Dann wurde die Kammer
5 Sekunden lang mit Stickstoff gespült und 5 Sekunden lang Vakuum-entleert. Dann wurde ein zweiter Reaktantenstrom erzeugt, indem man 2000 sccm Ar durch flüssiges NH3 bei 25°C perlen ließ. Dann wurde der zweite Reaktantenstrom 30 Sekunden lang in die Kammer eingeleitet, wobei wiederum ein Kammerdruck von 266 Pa und eine Substrattemperatur von 550°C aufrechterhalten wurden. Dann wurde die Kammer5 Sekunden lang mit Stickstoff gespült und dann 5 Sekunden lang Vakuum-entleert. - Man fand, daß durch die voranstehenden Schritte eine Si3N4-Schicht mit einer Geschwindigkeit von 0,272 nm pro Zyklus gebildet wurde. Man fand, daß das Si3N4 von sehr hoher Qualität war. Der Brechungsindex lag bei einer Wellenlänge von 632,8 nm bei 2,01, was anzeigte, daß es sich bei der abgeschiedenen Schicht um stöchiometrisches Si3N4 handelte. Das auf diese Weise abgeschiedene Si3N4 zeigt ein Si:N-Verhältnis, das dem von reinem Si3N4 vergleichbar ist und weist einen sehr niedrigen Verunreinigungsgehalt auf. Der Wasserstoffgehalt betrug < 1 % und es wurde kein Sauerstoff festgestellt. Die Stufenabdeckung lag bei einer Struktur mit einem Seitenverhältnis von 5:1 bei 98 % oder mehr, und die Schicht zeigte einen Aufladungseffekt des Leiterbahnenmusters von unter 5 %. Beispiel 4 demonstriert dadurch, daß diese Ausführungsform der Erfindung die Bildung einer Schicht von hochreinem Si3N4 bei einer Geschwindigkeit von etwa 0,272 nm pro Zyklus ergibt. Die Bildung der Si3N4-Schicht findet bei einer relativ niedrigen Temperatur von 550°C und einer relativ kurzen Zykluszeit von unter etwa 90 Sekunden statt. In diesem Beispiel wurden andere Siliciumwafer wiederholten Zyklen unterzogen, die dem vorstehend beschriebenen gleich waren. Man fand, daß ein lineares Verhältnis zwischen der Dicke der Si3N4-Schicht und dem Anzahl der Zyklen bestand.
- Beispiel 5
- Ein Siliciumwafer wurde in eine typisch aufgebaute Bedampfungskammer gegeben. Die Kammer wurde mit Stickstoff gespült, dann bis auf 266 Pa evakuiert. Das Substrat wurde auf 550°C erwärmt und bei dieser Temperatur stabilisiert. Ein erster Reaktantenstrom wurde erzeugt, indem man 500 sccm Ar durch flüssiges Si2Cl6 bei 40°C perlen ließ. Ein weiterer Strom, der Si und Cl enthielt, wurde erzeugt, indem man 500 sccm Ar durch flüssiges SiCl4 bei 20°C perlen ließ. Beide Ströme wurden dann 30 Sekunden lang gleichzeitig in die Kammer geleitet, wonach das Fließen der beiden Ströme beendet wurde. Dann wurde die Kammer 5 Sekunden lang mit N2 gespült und 5 Sekunden lang Vakuum-entleert. Ein zweiter Reaktantenstrom aus NH3-Plasma in einem Ar-Träger wurde erzeugt, indem man einen Strom aus NH3 in einem Ar-Trägergas in eine Plasmakammer leitete. Das NH3-Plasma wurde mittels eines Plasmagenerators, der bei 400 Watt betrieben wurde, erzeugt. Dann wurde ein Strom von 2000 sccm NH3-Plasma/Ar-Mischung 30 Sekunden lang in die Kammer geleitet. Dann wurde die Kammer 5 Sekunden lang mit Stickstoff gespült und dann 5 Sekunden lang Vakuum-entleert.
- Man fand, daß durch die vorstehenden Schritte eine Si3N4-Schicht bei einer Geschwindigkeit von 0,254nm pro Zyklus gebildet wurde. Man fand, daß das Si3N4 von sehr hoher Qualität war. Der Brechungsindex lag bei einer Wellenlänge von 632,8 nm bei 1,96, was anzeigt, daß es sich bei der abgeschiedenen Schicht um stöchiometrisches Si3N4 handelte. Das auf diese Weise abgeschiedene Si3N4 zeigt ein Si:N-Verhältnis, das dem von reinem Si3N4 vergleichbar ist. Der Wasserstoffgehalt betrug < 2,5 % und es wurde kein Sauerstoff festgestellt. Die Stufenabdeckung betrug bei einer Struktur, die ein Seitenverhältnis von 5:1 aufwies, 98 % oder mehr und die Schicht zeigte ein Aufladungseffekt des Leiterbahnenmusters von unter 5 %. In diesem Beispiel wurden weitere Siliciumwafer wiederholten Zyklen, die dem vorstehend beschriebenen gleich waren, unterzogen. Man fand, daß eine lineare Beziehung zwischen der Dicke der Si3N4-Schicht und der Anzahl der Zyklen bestand. Beispiel 6 demonstriert damit, daß diese Ausführungsform der Erfindung die Bildung einer Schicht aus hochreinem Si3N4 bei einer Geschwindigkeit von etwa 0,254 nm pro Zyklus ergibt. Die Bildung der Si3N4-Schicht findet bei einer relativ niedrigen Temperatur von 550°C und in einer relativ kurzen Zykluszeit von unter etwa 90 Sekunden statt.
- Beispiel 6
- Ein Siliciumwafer wurde in eine typisch aufgebaut Bedampfungskammer gegeben. Die Kammer wurde mit Stickstoff gespült, dann bis auf 266 Pa evakuiert. Das Substrat wurde auf 550°C erwärmt und bei dieser Temperatur stabilisiert. Ein erster Reaktantenstrom wurde erzeugt, indem man 500 sccm Ar durch flüssiges Si2Cl6 bei 40°C perlen ließ. Ein weiterer Strom, der Si und Cl enthielt, wurde erzeugt, indem man 500 sccm Ar durch flüssiges SiCl4 bei 20°C perlen ließ. Der Si2Cl6-haltige Strom wurde dann 30 Sekunden lang in die Kammer geleitet. 15 Sekunden nach dem Beginn des Strömens des Si2Cl6-haltigen Stroms in die Kammer wurde damit begonnen, den SiCl4-haltigen Strom 15 Sekunden lang in die Kammer zu leiten, während welcher Zeit sowohl der Si2Cl6-haltige Strom als auch der SiCl4-haltige Strom gleichzeitig in die Kammer strömten, und wonach das Strömen jedes Stroms beendet wurde. Dann wurde die Kammer 5 Sekunden lang mit Stickstoff gespült und 5 Sekunden lang Vakuum-entleert. Dann wurde en zweiter Reaktantenstrom erzeugt, indem man 2000 sccm Ar durch flüssiges NH3 bei 25°C perlen ließ. Dann wurde der zweite Reaktantenstrom 30 Sekunden lang in die Kammer geleitet, wobei wiederum ein Kammerdruck von 266 Pa und eine Substrattemperatur von 550°C aufrechterhalten wurden. Dann wurde die Kammer 5 Sekunden lang mit N2 gespült und dann 5 Sekunden lang Vakuum-entleert.
- Man fand, daß mit den vorstehenden Schritten eine Si3N4-Schicht mit einer Geschwindigkeit von 0,270 nm pro Zyklus gebildet wurde. Man fand, daß das Si3N4 von sehr hoher Qualität war. Der Brechungsindex lag bei einer Wellenlänge von 632,8 nm bei 2,00, was anzeigte, daß es sich bei der abgeschiedenen Schicht um stöchiometrisches Si3N4 handelte. Das auf diese Weise abgeschiedene Si3N4 zeigt en Si:N-Verhältnis, das dem von reinem Si3N4 vergleichbar ist und weist sehr niedrige Verunreinigungsgrade auf. Der Wasserstoffgehalt war sehr niedrig, < 1 %, und es wurde kein Sauerstoff festgestellt. Die Stufenabdeckung lag bei einer Struktur mit einem Seitenverhältnis von 5:1 bei 95 % oder mehr und die Schicht zeigte einen Aufladungseffekt des Leiterbahnenmusters von unter 5 %. In diesem Beispiel wurden andere Siliciumwafer wiederholten Zyklen unterzogen, die dem vorstehenden gleich waren. Man fand, daß ein lineares Verhältnis zwischen der Dicke der Si3N4-Schicht und der Anzahl der Zyklen besteht. Beispiel 6 demonstriert damit, daß diese Ausführungsform der Erfindung die Bildung einer Schicht aus hochreinem Si3N4 bei einer Geschwindigkeit von etwa 0,270 nm pro Zyklus ergibt. Die Bildung der Si3N4-Schicht findet bei einer relativ niedrigen Temperatur von 550°C und in einer relativ kurzen Zykluszeit von unter etwa 90 Sekunden statt.
- Beispiel 7
- Ein Siliciumwafer wurde in eine typisch aufgebaute Bedampfungskammer gegeben. Die Kammer wurde mit Stickstoff gespült, dann bis auf 266 Pa evakuiert. Das Substrat wurde auf 550°C erwärmt und bei dieser Temperatur stabilisiert. Ein erster Reaktantenstrom wurde erzeugt, indem man 500 sccm Ar durch flüssiges Si2Cl6 bei 40°C perlen ließ. Ein anderer Strom, der Si und Cl enthielt, wurde erzeugt, indem man 500 sccm Ar durch flüssiges SiCl4 bei 20°C perlen ließ. Der Si2Cl6-haltige Strom wurde dann 30 Sekunden lang in die Kammer geleitet. 15 Sekunden nach dem Beginn des Si2Cl6-haltigen Stroms wurde damit begonnen, den SiCl4-haltigen Strom 15 Sekunden lang in die Kammer zu leiten, während welcher Zeit sowohl der Si2Cl6-haltige Strom als auch der SiCl4-haltige Strom gleichzeitig in die Kammer strömten, und wonach das Strömen jedes Stroms angehalten wurde. Dann wurde die Kammer 5 Sekunden lang mit N2 gespült und 5 Sekunden lang Vakuum-entleert. Ein zweiter Reaktantenstrom aus NH3-Plasma in Ar-Träger wurde erzeugt, indem man einen Strom aus NH3 in einem Ar-Trägergas in eine Plasmakammer leitete. Das NH3-Plasma wurde mittels eines Plasmagenerators erzeugt, der bei 400 Watt betrieben wurde. Dann wurde ein Strom aus NH3-Plasma/Ar-Mischung 30 Sekunden lang in die Kammer geleitet. Dann wurde die Kammer 5 Sekunden lang mit N2 gespült und dann 5 Sekunden lang Vakuum-entleert.
- Man fand, daß anhand der vorstehenden Schritte eine Si3N4-Schicht bei einer Geschwindigkeit von 0,253 nm pro Zyklus gebildet wurde. Der Brechungsindex lag bei einer Wellenlänge von 632,8 nm bei 1,96, was anzeigt, daß es sich bei der abgeschiedenen Schicht um stöchiometrisches Si3N4 handelt. Das auf diese Weise abgeschiedene Si3N4 zeigt ein Si:N-Verhältnis, das dem von reinem Si3N4 vergleichbar ist und weist sehr niedrige Verunreinigungsgrade auf. Der Wasserstoffgehalt betrug < 2,5 % und es wurde kein Sauerstoff festgestellt. Die Stufenabdeckung lag bei einer Struktur mit einem Seitenverhältnis von 5:1 bei 98 % oder mehr und die Schicht zeigte einen Aufladungseffekt des Leiterbahnenmusters von 5 % oder darunter. In diesem Beispiel wurden andere Siliciumwafer wiederholten Zyklen unterzogen, die die gleichen waren wie der vorstehende. Man fand, daß eine lineare Beziehung zwischen der Dicke der Si3N4-Schicht und der Anzahl der Zyklen besteht. Beispiel 7 demonstriert dadurch, daß diese Ausführungsform der Erfindung die Bildung einer Schicht aus hochreinem Si3N4 bei einer Geschwindigkeit von etwa 0,253 nm pro Zyklus zur Folge hat. Die Bildung des Si3N4-Schicht findet bei einer relativ niedrigen Temperatur von 550°C und in einer relativ kurzen Zykluszeit von unter etwa 90 Sekunden statt.
Claims (20)
- Atomschicht-Abscheidungsverfahren zum Bilden einer festen, Siliciumnitridhaltigen Dünnschicht, die Schritte umfassend: (a) Einbringen eines Substrats in eine Kammer; (b) Einspritzen eines ersten Si2Cl6-haltigen Reaktanten in die Kammer; (c) Chemisorbieren eines ersten Anteils des ersten Reaktanten auf dem Substrat und Physisorbieren eines zweiten Anteils des ersten Reaktanten auf dem Substrat; (d) Entfernen des nicht chemisorbierten zweiten Anteils des ersten Recktanten aus der Kammer; (e) Einspritzen eines zweiten NH3-haltigen Reaktanten in die Kammer; (f) chemisches Umsetzen eines ersten Anteils des zweiten Reaktanten mit dem chemisorbierten ersten Anteil des ersten Reaktanten, wodurch ein Siliciumnitrid-haltiger Feststoff auf dem Substrat gebildet wird, und (g) Entfernen der nicht-umgesetzten Anteile des zweiten Reaktanten aus der Kammer, wobei das der N/Si-Komponentenverhältnis des Siliciumnitridhaltigen Feststoffs zwischen ca. 1 und 1,6 einschließlich liegt.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Siliciumnitrid-haltige Feststoff eine Si3N4-Dünnschicht umfaßt.
- Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin den Schritt des Erwärmens des Substrats auf zwischen 350 und 700°C umfassend.
- Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin den Schritt des Unterdrucksetzens der Kammer auf einen absoluten Druck von 1,33 – 13300 Pa umfassend.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Kammerdruck bei einem konstanten absoluten Druck von 1,33 – 13300 Pa gehalten wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin umfassend den Schritt des Änderns des Kammerdrucks während der Durchführung mindestens eines dieser Schritte.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Siliciumnitrid-haltige Feststoff, der auf dem Substrat gebildet wird, ein aktives Maskennitrid mit einer Trockenätz-Selektivität bezüglich eines Siliciummaterials aufweist.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Siliciumnitrid-haltige Feststoff, der auf dem Substrat gebildet wird, ein Gate-Maskennitrid mit einer Trockenätz-Selektivität bezüglich eines Gate-Materials, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus WSix und dotiertem Polysilizium, aufweist.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Silicium-haltige Feststoff, der auf dem Substrat gebildet wird, ein bit line-Maskennitrid mit einer Trockenätz-Selektivität bezüglich eines leitfähigen Materials, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus W und Ti/TiN, aufweist.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Siliciumnitrid-haltige Feststoff eine chemisch-mechanische Polier-Sperrschicht aufweist.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Siliciumnitrid-haltige Feststoff, der auf dem Substrat gebildet wird, einen Abstandshalter (Spacer) mit einer Trockenätz-Selektivität bezüglich SiO2 aufweist.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Siliciumnitrid-haltige Feststoff, der auf dem Substrat gebildet wird, eine Naßätz-Sperre mit einer Naßätz-Selektivität einer HF-haltigen Lösung bezüglich des SiO2 eines Halbleiter-Bauelements aufweist.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Siliciumnitrid-haltige Feststoff, der auf dem Substrat gebildet wird, ein Gate-Dielektrikum eines Halbleiter-Bauelements umfaßt.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Siliciumnitrid-haltige Feststoff, der auf dem Substrat gebildet wird, eine Schicht umfaßt, die zwischen einer Ta2O5-Schicht und einem Speicherknoten (storage node) eines Kondensators eines Halbleiter-Bauelements gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Siliciumnitrid-haltige Feststoff, der auf dem Substrat gebildet wird, eine dielelektrische Schicht eines Kondensators eines Halbleiter-Bauelements umfaßt.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Siliciumnitrid-haltige Feststoff, der auf dem Substrat gebildet wird, eine STI-Auskleidung (STI-liner) eines Halbleiterelements umfaßt.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei der zweite Reaktant, der NH3 enthält, aktiviertes NH3 enthält.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Plasmaleistung des Verfahrens des an anderer Stelle erzeugten Plasmas zwischen ca. 100 und einschließlich 3000 Watt liegt.
- Atomschicht-Abscheidungsverfahren nach Anspruch 1, weiterhin umfassend den Schritt des Wiederholens mindestens eines der Schritte (b) – (g).
- Atomschicht-Abscheidungsverfahren nach Anspruch 1, wobei der erste in die Kammer eingespritzte Si2Cl6-haltige Reaktant zwei oder mehr Verbindungen aufweist, wobei jede Verbindung Si und Cl enthält.
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KR100418581B1 (ko) * | 2001-06-12 | 2004-02-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 메모리 소자의 제조방법 |
KR100468729B1 (ko) * | 2002-04-25 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | Hcd 소스를 이용하여 실리콘 산화막을 원자층 증착하는방법 |
US7374617B2 (en) * | 2002-04-25 | 2008-05-20 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition methods and chemical vapor deposition methods |
KR100505668B1 (ko) * | 2002-07-08 | 2005-08-03 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착 방법에 의한 실리콘 산화막 형성 방법 |
EP1570525B1 (de) * | 2002-12-09 | 2015-12-02 | Imec | Verfahren für das herstellen eines dielektrischen stapels |
US7084076B2 (en) * | 2003-02-27 | 2006-08-01 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Method for forming silicon dioxide film using siloxane |
JP4047766B2 (ja) | 2003-05-21 | 2008-02-13 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7378129B2 (en) * | 2003-08-18 | 2008-05-27 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition methods of forming conductive metal nitride comprising layers |
US7468311B2 (en) * | 2003-09-30 | 2008-12-23 | Tokyo Electron Limited | Deposition of silicon-containing films from hexachlorodisilane |
US20050109276A1 (en) * | 2003-11-25 | 2005-05-26 | Applied Materials, Inc. | Thermal chemical vapor deposition of silicon nitride using BTBAS bis(tertiary-butylamino silane) in a single wafer chamber |
KR100560654B1 (ko) * | 2004-01-08 | 2006-03-16 | 삼성전자주식회사 | 질화실리콘막을 형성을 위한 질소화합물 및 이를 이용한질화실리콘 막의 형성방법 |
JP4669679B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2011-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 窒化珪素膜の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
US7628863B2 (en) * | 2004-08-03 | 2009-12-08 | Applied Materials, Inc. | Heated gas box for PECVD applications |
US7323400B2 (en) * | 2004-08-30 | 2008-01-29 | Micron Technology, Inc. | Plasma processing, deposition and ALD methods |
US20060084283A1 (en) * | 2004-10-20 | 2006-04-20 | Paranjpe Ajit P | Low temperature sin deposition methods |
US20060211248A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-09-21 | Brabant Paul D | Purifier for chemical reactor |
US8129290B2 (en) | 2005-05-26 | 2012-03-06 | Applied Materials, Inc. | Method to increase tensile stress of silicon nitride films using a post PECVD deposition UV cure |
US7732342B2 (en) * | 2005-05-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Method to increase the compressive stress of PECVD silicon nitride films |
US7566655B2 (en) * | 2005-05-26 | 2009-07-28 | Applied Materials, Inc. | Integration process for fabricating stressed transistor structure |
US8138104B2 (en) * | 2005-05-26 | 2012-03-20 | Applied Materials, Inc. | Method to increase silicon nitride tensile stress using nitrogen plasma in-situ treatment and ex-situ UV cure |
KR100648859B1 (ko) * | 2005-06-07 | 2006-11-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 제조 방법 |
US20070082507A1 (en) * | 2005-10-06 | 2007-04-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for the low temperature deposition of doped silicon nitride films |
US7501355B2 (en) * | 2006-06-29 | 2009-03-10 | Applied Materials, Inc. | Decreasing the etch rate of silicon nitride by carbon addition |
EP2049705A4 (de) * | 2006-07-20 | 2014-10-29 | Linde Inc | Verbesserte verfahren zur atomlagenabscheidung |
US7692222B2 (en) * | 2006-11-07 | 2010-04-06 | Raytheon Company | Atomic layer deposition in the formation of gate structures for III-V semiconductor |
US20080145536A1 (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Applied Materials, Inc. | METHOD AND APPARATUS FOR LOW TEMPERATURE AND LOW K SiBN DEPOSITION |
US8298628B2 (en) * | 2008-06-02 | 2012-10-30 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low temperature deposition of silicon-containing films |
KR101444707B1 (ko) * | 2008-06-03 | 2014-09-26 | 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 | 실리콘 함유 막의 저온 증착 |
JP5665289B2 (ja) | 2008-10-29 | 2015-02-04 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
WO2010073979A1 (ja) | 2008-12-25 | 2010-07-01 | 日本電気株式会社 | 通信品質監視装置、通信システム、通信品質監視方法及びそのプログラム |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
JP2011082493A (ja) | 2009-09-14 | 2011-04-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP5467007B2 (ja) | 2009-09-30 | 2014-04-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
US8637411B2 (en) | 2010-04-15 | 2014-01-28 | Novellus Systems, Inc. | Plasma activated conformal dielectric film deposition |
US9076646B2 (en) | 2010-04-15 | 2015-07-07 | Lam Research Corporation | Plasma enhanced atomic layer deposition with pulsed plasma exposure |
US9257274B2 (en) | 2010-04-15 | 2016-02-09 | Lam Research Corporation | Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method |
US20110256734A1 (en) | 2010-04-15 | 2011-10-20 | Hausmann Dennis M | Silicon nitride films and methods |
US8956983B2 (en) | 2010-04-15 | 2015-02-17 | Novellus Systems, Inc. | Conformal doping via plasma activated atomic layer deposition and conformal film deposition |
US9373500B2 (en) | 2014-02-21 | 2016-06-21 | Lam Research Corporation | Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications |
US9390909B2 (en) | 2013-11-07 | 2016-07-12 | Novellus Systems, Inc. | Soft landing nanolaminates for advanced patterning |
US9892917B2 (en) | 2010-04-15 | 2018-02-13 | Lam Research Corporation | Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications |
US9997357B2 (en) | 2010-04-15 | 2018-06-12 | Lam Research Corporation | Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors |
US9611544B2 (en) | 2010-04-15 | 2017-04-04 | Novellus Systems, Inc. | Plasma activated conformal dielectric film deposition |
JP5687547B2 (ja) | 2010-06-28 | 2015-03-18 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
US9685320B2 (en) | 2010-09-23 | 2017-06-20 | Lam Research Corporation | Methods for depositing silicon oxide |
US8524612B2 (en) | 2010-09-23 | 2013-09-03 | Novellus Systems, Inc. | Plasma-activated deposition of conformal films |
US8329599B2 (en) | 2011-02-18 | 2012-12-11 | Asm Japan K.K. | Method of depositing dielectric film by ALD using precursor containing silicon, hydrocarbon, and halogen |
US8563443B2 (en) | 2011-02-18 | 2013-10-22 | Asm Japan K.K. | Method of depositing dielectric film by ALD using precursor containing silicon, hydrocarbon, and halogen |
US8647993B2 (en) | 2011-04-11 | 2014-02-11 | Novellus Systems, Inc. | Methods for UV-assisted conformal film deposition |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US8592328B2 (en) | 2012-01-20 | 2013-11-26 | Novellus Systems, Inc. | Method for depositing a chlorine-free conformal sin film |
US8728955B2 (en) | 2012-02-14 | 2014-05-20 | Novellus Systems, Inc. | Method of plasma activated deposition of a conformal film on a substrate surface |
US8912101B2 (en) | 2012-03-15 | 2014-12-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming Si-containing film using two precursors by ALD |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
TWI595112B (zh) | 2012-10-23 | 2017-08-11 | 蘭姆研究公司 | 次飽和之原子層沉積及保形膜沉積 |
KR20140059107A (ko) | 2012-11-07 | 2014-05-15 | 주식회사 유피케미칼 | 실리콘 질화물 박막 제조 방법 |
SG2013083654A (en) | 2012-11-08 | 2014-06-27 | Novellus Systems Inc | Methods for depositing films on sensitive substrates |
SG2013083241A (en) | 2012-11-08 | 2014-06-27 | Novellus Systems Inc | Conformal film deposition for gapfill |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
JP6118197B2 (ja) * | 2013-07-02 | 2017-04-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9905415B2 (en) | 2013-10-03 | 2018-02-27 | Versum Materials Us, Llc | Methods for depositing silicon nitride films |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US9214334B2 (en) | 2014-02-18 | 2015-12-15 | Lam Research Corporation | High growth rate process for conformal aluminum nitride |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9478411B2 (en) | 2014-08-20 | 2016-10-25 | Lam Research Corporation | Method to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS |
US9478438B2 (en) | 2014-08-20 | 2016-10-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus to deposit pure titanium thin film at low temperature using titanium tetraiodide precursor |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US9564312B2 (en) | 2014-11-24 | 2017-02-07 | Lam Research Corporation | Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10566187B2 (en) | 2015-03-20 | 2020-02-18 | Lam Research Corporation | Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control |
US9502238B2 (en) | 2015-04-03 | 2016-11-22 | Lam Research Corporation | Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10526701B2 (en) | 2015-07-09 | 2020-01-07 | Lam Research Corporation | Multi-cycle ALD process for film uniformity and thickness profile modulation |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
CN113403604B (zh) | 2015-07-31 | 2024-06-14 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于沉积氮化硅膜的组合物和方法 |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
WO2017034855A1 (en) * | 2015-08-21 | 2017-03-02 | Applied Materials, Inc. | High temperature thermal ald silicon nitride films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US9633838B2 (en) * | 2015-12-28 | 2017-04-25 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Vapor deposition of silicon-containing films using penta-substituted disilanes |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
KR101968966B1 (ko) * | 2016-04-29 | 2019-08-13 | 세종대학교산학협력단 | 실리콘 질화막의 증착 방법 및 상기 실리콘 질화막의 증착 장치 |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
WO2017200908A1 (en) * | 2016-05-17 | 2017-11-23 | Dow Corning Corporation | Aminochlorohydridodisilanes |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9773643B1 (en) | 2016-06-30 | 2017-09-26 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for deposition and etch in gap fill |
US10062563B2 (en) | 2016-07-01 | 2018-08-28 | Lam Research Corporation | Selective atomic layer deposition with post-dose treatment |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10037884B2 (en) | 2016-08-31 | 2018-07-31 | Lam Research Corporation | Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269559B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-04-23 | Lam Research Corporation | Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
KR102633318B1 (ko) | 2017-11-27 | 2024-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 청정 소형 구역을 포함한 장치 |
WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
EP3737779A1 (de) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | Verfahren zum abscheiden eines ruthenium-haltigen films auf einem substrat durch ein zyklisches abscheidungsverfahren |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
JP6789257B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2020-11-25 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
JP7199497B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2023-01-05 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
TWI816783B (zh) | 2018-05-11 | 2023-10-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10774422B2 (en) | 2018-06-01 | 2020-09-15 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for controlling vapor phase processing |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
KR102402779B1 (ko) * | 2018-12-11 | 2022-05-30 | 한양대학교 산학협력단 | 실리콘 전구체 가압 도징 단계를 포함하는 절연막 제조방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
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CN111593319B (zh) | 2019-02-20 | 2023-05-30 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
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US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
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JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
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JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
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KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
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US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
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CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
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TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
JP2021188094A (ja) | 2020-05-29 | 2021-12-13 | 大陽日酸株式会社 | 混合ガス供給装置、金属窒化膜の製造装置、及び金属窒化膜の製造方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2414982B2 (de) * | 1973-04-02 | 1978-10-19 | Ncr Corp., Dayton, Ohio (V.St.A.) | |
EP0334791A1 (de) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Union Explosivos Rio Tinto, S.A. | Verfahren zur Herstellung von Siliciumnitrid |
JPH1174485A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-03-16 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US5981404A (en) * | 1996-11-22 | 1999-11-09 | United Microelectronics Corp. | Multilayer ONO structure |
DE10022425A1 (de) * | 1999-08-14 | 2001-03-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5037514A (en) * | 1986-01-06 | 1991-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Silicon oxide depositing method |
US5300322A (en) * | 1992-03-10 | 1994-04-05 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Molybdenum enhanced low-temperature deposition of crystalline silicon nitride |
US6090442A (en) * | 1997-04-14 | 2000-07-18 | University Technology Corporation | Method of growing films on substrates at room temperatures using catalyzed binary reaction sequence chemistry |
KR100269328B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2000-10-16 | 윤종용 | 원자층 증착 공정을 이용하는 도전층 형성방법 |
KR100275738B1 (ko) * | 1998-08-07 | 2000-12-15 | 윤종용 | 원자층 증착법을 이용한 박막 제조방법 |
JP4021593B2 (ja) * | 1998-09-25 | 2007-12-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001168092A (ja) * | 1999-01-08 | 2001-06-22 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
KR20020065245A (ko) * | 2001-02-06 | 2002-08-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 피이에이엘디법을 이용한 박막 증착방법 |
-
2001
- 2001-05-01 US US09/847,161 patent/US6528430B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-08 KR KR10-2001-0025008A patent/KR100443085B1/ko active IP Right Grant
- 2001-05-11 TW TW090111293A patent/TW483054B/zh active
- 2001-05-16 DE DE10123858A patent/DE10123858B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-08 JP JP2001174015A patent/JP3602072B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2414982B2 (de) * | 1973-04-02 | 1978-10-19 | Ncr Corp., Dayton, Ohio (V.St.A.) | |
EP0334791A1 (de) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Union Explosivos Rio Tinto, S.A. | Verfahren zur Herstellung von Siliciumnitrid |
US5981404A (en) * | 1996-11-22 | 1999-11-09 | United Microelectronics Corp. | Multilayer ONO structure |
JPH1174485A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-03-16 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US20010024867A1 (en) * | 1997-06-30 | 2001-09-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
DE10022425A1 (de) * | 1999-08-14 | 2001-03-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben |
Non-Patent Citations (11)
Title |
---|
GOTO, H., u.a.: Atomic layer controlled deposi- tion of silicon nitride with self-limiting mecha- nism. In: Appl.Phys.Lett., 1996, Vol. 68, No. 23, S. 3257-3259 * |
JP 11-074 485 A (Computerübersetzung) |
JP 11-074 485 A (Patent Abstracts of Japan) |
JP 11074485 A (Computerübersetzung) * |
JP 11074485 A (Patent Abstracts of Japan) * |
KLAUS, J.W., u.a.: Atomic layer controlled growth of Si3N4 films using sequential surface reactions. In: Surf.Sci., 1998, Vol. 418, S. L14-L19 |
KLAUS, J.W., u.a.: Atomic layer controlled growth of Si3N4 films using sequential surface reactions.In: Surf.Sci., 1998, Vol. 418, S. L14-L19 * |
MORISHITA, S. u.a.: Atomic-layer chemical-vapor- deposition of silicon-nitride. In: Appl.Surf.Sci., 1997, Vol. 112, S. 198-204 |
MORISHITA, S. u.a.: Atomic-layer chemical-vapor- deposition of silicon-nitride. In: Appl.Surf.Sci.,1997, Vol. 112, S. 198-204 * |
YOKOYAMA, S., GOTO, H. u.a.: Atomic layer control- led deposition of silicon nitride and in situ growth observation by infrared reflection absorp- tion spectroscopy. In: Appl.Surf.Sci., 1997, Vol. 112, S. 75-81 |
YOKOYAMA, S., GOTO, H. u.a.: Atomic layer control-led deposition of silicon nitride and in situ growth observation by infrared reflection absorp- tion spectroscopy. In: Appl.Surf.Sci., 1997, Vol. 112, S. 75-81 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020085487A (ko) | 2002-11-16 |
US6528430B2 (en) | 2003-03-04 |
US20020164890A1 (en) | 2002-11-07 |
DE10123858A1 (de) | 2002-11-28 |
JP2002343793A (ja) | 2002-11-29 |
KR100443085B1 (ko) | 2004-08-04 |
TW483054B (en) | 2002-04-11 |
JP3602072B2 (ja) | 2004-12-15 |
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