CN113793858B - 半导体器件 - Google Patents

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Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6007694B2 (ja) 2012-09-14 2016-10-12 ソニー株式会社 固体撮像装置及び電子機器
GB2532728A (en) * 2014-11-25 2016-06-01 Nokia Technologies Oy A semiconductor chip, a method, an apparatus and a computer program product for image capturing
TWI692859B (zh) * 2015-05-15 2020-05-01 日商新力股份有限公司 固體攝像裝置及其製造方法、以及電子機器
FR3037720A1 (fr) * 2015-06-19 2016-12-23 St Microelectronics Crolles 2 Sas Composant electronique et son procede de fabrication
TWI604565B (zh) * 2015-08-04 2017-11-01 精材科技股份有限公司 一種感測晶片封裝體及其製造方法
US11041980B2 (en) * 2015-09-07 2021-06-22 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging element, manufacturing method, and electronic device
JP6639188B2 (ja) * 2015-10-21 2020-02-05 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置、および製造方法
CN108370423B (zh) * 2016-01-18 2021-04-20 索尼公司 固态摄像元件和电子设备
JPWO2017126024A1 (ja) * 2016-01-19 2018-11-08 オリンパス株式会社 固体撮像装置および撮像装置
US9773829B2 (en) * 2016-02-03 2017-09-26 Omnivision Technologies, Inc. Through-semiconductor-via capping layer as etch stop layer
CN105789218A (zh) * 2016-03-10 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 一种基板、其制作方法及显示装置
JP2017183388A (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP2017204510A (ja) * 2016-05-09 2017-11-16 キヤノン株式会社 光電変換装置の製造方法
JP2017220879A (ja) * 2016-06-10 2017-12-14 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 信号処理装置、信号処理方法、及び、撮像装置
KR102544782B1 (ko) * 2016-08-04 2023-06-20 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP6818468B2 (ja) 2016-08-25 2021-01-20 キヤノン株式会社 光電変換装置及びカメラ
TWI800487B (zh) 2016-09-09 2023-05-01 日商索尼半導體解決方案公司 固體攝像元件及製造方法、以及電子機器
WO2018061481A1 (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子及び撮像装置
CN116525632A (zh) 2016-10-18 2023-08-01 索尼半导体解决方案公司 光检测设备
KR102605618B1 (ko) * 2016-11-14 2023-11-23 삼성전자주식회사 이미지 센서 패키지
JP2018081945A (ja) * 2016-11-14 2018-05-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器
JP2018117027A (ja) * 2017-01-18 2018-07-26 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、電子装置、および、固体撮像素子の製造方法
JP2018129412A (ja) * 2017-02-09 2018-08-16 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置、および半導体装置の製造方法
JP6949515B2 (ja) 2017-03-15 2021-10-13 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 カメラモジュール及びその製造方法、並びに、電子機器
JP6779825B2 (ja) 2017-03-30 2020-11-04 キヤノン株式会社 半導体装置および機器
US11329077B2 (en) * 2017-03-31 2022-05-10 Sony Semiconductor Solutions Corporation Semiconductor device with a through electrode reception part wider than a through electrode, solid-state imaging device, and electronic equipment
US11594567B2 (en) 2017-04-04 2023-02-28 Sony Group Corporation Solid-state imaging device and electronic apparatus
US11411036B2 (en) 2017-04-04 2022-08-09 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging device and electronic apparatus
WO2018186191A1 (ja) 2017-04-04 2018-10-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置、及び電子機器
JP7184754B2 (ja) 2017-04-04 2022-12-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置、及び電子機器
US11201185B2 (en) 2017-04-04 2021-12-14 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging device and electronic apparatus
KR102545311B1 (ko) * 2017-04-04 2023-06-20 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 고체 촬상 장치 및 전자 기기
WO2018186196A1 (ja) 2017-04-04 2018-10-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置、及び電子機器
KR102545846B1 (ko) * 2017-04-04 2023-06-21 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 고체 촬상 장치, 및 전자 기기
JP6963873B2 (ja) 2017-05-26 2021-11-10 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法および電子機器
JP2019040892A (ja) * 2017-08-22 2019-03-14 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置、カメラモジュール、及び、電子機器
JP7102119B2 (ja) * 2017-09-29 2022-07-19 キヤノン株式会社 半導体装置および機器
KR102430496B1 (ko) 2017-09-29 2022-08-08 삼성전자주식회사 이미지 센싱 장치 및 그 제조 방법
TWI788430B (zh) * 2017-10-30 2023-01-01 日商索尼半導體解決方案公司 背面照射型之固體攝像裝置、背面照射型之固體攝像裝置之製造方法、攝像裝置及電子機器
WO2019130702A1 (ja) 2017-12-27 2019-07-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置
WO2019132958A1 (en) * 2017-12-29 2019-07-04 Intel Corporation Microelectronic assemblies
JP7267940B2 (ja) * 2018-02-01 2023-05-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
WO2020026387A1 (ja) * 2018-08-01 2020-02-06 オリンパス株式会社 撮像素子および内視鏡
JP2020048018A (ja) * 2018-09-18 2020-03-26 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置、及び電子機器
JP2020053654A (ja) * 2018-09-28 2020-04-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子および製造方法、並びに、電子機器
JP7277106B2 (ja) 2018-10-25 2023-05-18 ソニーグループ株式会社 固体撮像装置及び撮像装置
JP2020080363A (ja) 2018-11-12 2020-05-28 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置および電子機器
JP2020087962A (ja) * 2018-11-15 2020-06-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
JP7452962B2 (ja) 2018-11-16 2024-03-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置
WO2020116040A1 (ja) * 2018-12-04 2020-06-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置及び電子機器
WO2020170936A1 (ja) * 2019-02-20 2020-08-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置
FR3093376B1 (fr) * 2019-03-01 2022-09-02 Isorg Capteur d'images couleur et infrarouge
FR3093377B1 (fr) * 2019-03-01 2021-02-26 Isorg Capteur d'images couleur et infrarouge
JP2020150177A (ja) 2019-03-14 2020-09-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP2020155591A (ja) * 2019-03-20 2020-09-24 株式会社東芝 半導体装置
JP2020198374A (ja) * 2019-06-04 2020-12-10 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置
JP6957559B2 (ja) 2019-06-24 2021-11-02 キヤノン株式会社 半導体装置および機器
JP2021005656A (ja) * 2019-06-26 2021-01-14 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP7303698B2 (ja) * 2019-08-08 2023-07-05 キヤノン株式会社 半導体装置および機器
JP2021044322A (ja) * 2019-09-09 2021-03-18 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置
JP2021072435A (ja) * 2019-10-25 2021-05-06 キヤノン株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP7603382B2 (ja) * 2019-11-18 2024-12-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像素子の製造方法
KR102784209B1 (ko) * 2020-01-30 2025-03-24 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
JP2020074484A (ja) * 2020-02-10 2020-05-14 株式会社ニコン 半導体装置
CN115039227A (zh) * 2020-03-17 2022-09-09 索尼半导体解决方案公司 成像元件和半导体芯片
JP2021158307A (ja) * 2020-03-30 2021-10-07 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法、並びに電子機器
KR102859087B1 (ko) * 2020-08-13 2025-09-12 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP2022040579A (ja) * 2020-08-31 2022-03-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置、および、半導体装置の製造方法
JP2022049603A (ja) 2020-09-16 2022-03-29 キオクシア株式会社 半導体装置の製造方法
JP2022126473A (ja) * 2021-02-18 2022-08-30 ソニーグループ株式会社 撮像装置およびその製造方法
US20240413185A1 (en) 2021-10-08 2024-12-12 Sony Semiconductor Solutions Corporation Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus
WO2023139926A1 (ja) 2022-01-21 2023-07-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
KR20250026183A (ko) * 2022-06-21 2025-02-25 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 이물질 제거용 코팅막 형성 조성물 및 반도체 기판
CN120019734A (zh) * 2022-10-19 2025-05-16 索尼半导体解决方案公司 半导体装置
KR20240094883A (ko) * 2022-12-16 2024-06-25 삼성전자주식회사 기판 대 기판 접합 구조체 및 이를 적용한 이미지 센서
WO2025164589A1 (ja) * 2024-01-31 2025-08-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 撮像装置およびその製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101510536A (zh) * 2008-02-14 2009-08-19 株式会社瑞萨科技 半导体装置及半导体装置的制造方法
CN101840925A (zh) * 2009-03-19 2010-09-22 索尼公司 半导体装置及其制造方法和电子设备
CN102386196A (zh) * 2010-09-02 2012-03-21 索尼公司 半导体器件、其制造方法和电子装置

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0571691B1 (en) * 1992-05-27 1996-09-18 STMicroelectronics S.r.l. Metallization over tungsten plugs
TW556329B (en) * 1999-02-26 2003-10-01 Hitachi Ltd Wiring board, its production method, semiconductor device and its production method
US6583438B1 (en) * 1999-04-12 2003-06-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging device
JP4979154B2 (ja) * 2000-06-07 2012-07-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2002094082A (ja) * 2000-07-11 2002-03-29 Seiko Epson Corp 光素子及びその製造方法並びに電子機器
JP3773425B2 (ja) * 2000-08-10 2006-05-10 松下電器産業株式会社 半導体記憶装置の製造方法
JP2004063751A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像素子およびその製造方法
JP3800335B2 (ja) * 2003-04-16 2006-07-26 セイコーエプソン株式会社 光デバイス、光モジュール、半導体装置及び電子機器
JP4838501B2 (ja) * 2004-06-15 2011-12-14 富士通セミコンダクター株式会社 撮像装置及びその製造方法
KR100747611B1 (ko) * 2006-03-08 2007-08-08 삼성전자주식회사 미소소자 패키지 및 그 제조방법
JP4160083B2 (ja) * 2006-04-11 2008-10-01 シャープ株式会社 光学装置用モジュール及び光学装置用モジュールの製造方法
KR100809718B1 (ko) * 2007-01-15 2008-03-06 삼성전자주식회사 이종 칩들을 갖는 적층형 반도체 칩 패키지 및 그 제조방법
US20080284041A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package with through silicon via and related method of fabrication
JP5245135B2 (ja) * 2007-06-30 2013-07-24 株式会社ザイキューブ 貫通導電体を有する半導体装置およびその製造方法
JP2009088200A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Fujifilm Corp 放射線検出器
JP4799542B2 (ja) 2007-12-27 2011-10-26 株式会社東芝 半導体パッケージ
JP5367323B2 (ja) * 2008-07-23 2013-12-11 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2010114390A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Panasonic Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2010177569A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Panasonic Corp 光学デバイス及びその製造方法
JP2010186870A (ja) * 2009-02-12 2010-08-26 Toshiba Corp 半導体装置
JP5150566B2 (ja) * 2009-06-22 2013-02-20 株式会社東芝 半導体装置およびカメラモジュール
JP5482025B2 (ja) * 2009-08-28 2014-04-23 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP2011096918A (ja) * 2009-10-30 2011-05-12 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
US8536672B2 (en) * 2010-03-19 2013-09-17 Xintec, Inc. Image sensor package and fabrication method thereof
JP5853351B2 (ja) * 2010-03-25 2016-02-09 ソニー株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器
JP5843475B2 (ja) * 2010-06-30 2016-01-13 キヤノン株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
US8779452B2 (en) * 2010-09-02 2014-07-15 Tzu-Hsiang HUNG Chip package
JP5810493B2 (ja) * 2010-09-03 2015-11-11 ソニー株式会社 半導体集積回路、電子機器、固体撮像装置、撮像装置
JP2012094720A (ja) * 2010-10-27 2012-05-17 Sony Corp 固体撮像装置、半導体装置、固体撮像装置の製造方法、半導体装置の製造方法、及び電子機器
JP5693924B2 (ja) * 2010-11-10 2015-04-01 株式会社東芝 半導体撮像装置
US8507316B2 (en) * 2010-12-22 2013-08-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Protecting T-contacts of chip scale packages from moisture
US20120193744A1 (en) * 2011-01-31 2012-08-02 Swarnal Borthakur Imagers with buried metal trenches and though-silicon vias
US8901701B2 (en) * 2011-02-10 2014-12-02 Chia-Sheng Lin Chip package and fabrication method thereof
JP5990867B2 (ja) * 2011-02-15 2016-09-14 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
JP5810551B2 (ja) * 2011-02-25 2015-11-11 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
JP5729100B2 (ja) * 2011-04-11 2015-06-03 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置、電子機器
US8890191B2 (en) * 2011-06-30 2014-11-18 Chuan-Jin Shiu Chip package and method for forming the same
CN106449676A (zh) * 2011-07-19 2017-02-22 索尼公司 半导体装置和电子设备
JP5970826B2 (ja) * 2012-01-18 2016-08-17 ソニー株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、固体撮像装置および電子機器
US9117756B2 (en) * 2012-01-30 2015-08-25 Freescale Semiconductor, Inc. Encapsulant with corrosion inhibitor
JP2013172014A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Sony Corp 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラシステム
US10269863B2 (en) * 2012-04-18 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and apparatus for via last through-vias
JP6012262B2 (ja) * 2012-05-31 2016-10-25 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法
US8921901B1 (en) * 2013-06-10 2014-12-30 United Microelectronics Corp. Stacked CMOS image sensor and signal processor wafer structure
US9299640B2 (en) * 2013-07-16 2016-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Front-to-back bonding with through-substrate via (TSV)

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101510536A (zh) * 2008-02-14 2009-08-19 株式会社瑞萨科技 半导体装置及半导体装置的制造方法
CN101840925A (zh) * 2009-03-19 2010-09-22 索尼公司 半导体装置及其制造方法和电子设备
CN102386196A (zh) * 2010-09-02 2012-03-21 索尼公司 半导体器件、其制造方法和电子装置

Also Published As

Publication number Publication date
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