JP2021044322A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2021044322A
JP2021044322A JP2019163914A JP2019163914A JP2021044322A JP 2021044322 A JP2021044322 A JP 2021044322A JP 2019163914 A JP2019163914 A JP 2019163914A JP 2019163914 A JP2019163914 A JP 2019163914A JP 2021044322 A JP2021044322 A JP 2021044322A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating film
image sensor
solid
state image
insulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019163914A
Other languages
English (en)
Inventor
英紀 増田
Hidenori Masuda
英紀 増田
周輝 山田
Shuto Yamada
周輝 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Semiconductor Solutions Corp
Original Assignee
Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Semiconductor Solutions Corp filed Critical Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority to JP2019163914A priority Critical patent/JP2021044322A/ja
Priority to PCT/JP2020/026415 priority patent/WO2021049142A1/ja
Priority to US17/639,562 priority patent/US20220302195A1/en
Publication of JP2021044322A publication Critical patent/JP2021044322A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5226—Via connections in a multilevel interconnection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/5329—Insulating materials
    • H01L23/53295—Stacked insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
    • H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
    • H01L2224/02165—Reinforcing structures
    • H01L2224/02166—Collar structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
    • H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
    • H01L2224/0219—Material of the auxiliary member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05075—Plural internal layers
    • H01L2224/0508—Plural internal layers being stacked
    • H01L2224/05085—Plural internal layers being stacked with additional elements, e.g. vias arrays, interposed between the stacked layers
    • H01L2224/05086—Structure of the additional element
    • H01L2224/05087—Structure of the additional element being a via with at least a lining layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05075—Plural internal layers
    • H01L2224/0508—Plural internal layers being stacked
    • H01L2224/05085—Plural internal layers being stacked with additional elements, e.g. vias arrays, interposed between the stacked layers
    • H01L2224/05098—Material of the additional element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05099—Material
    • H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/05166—Titanium [Ti] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05099—Material
    • H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/05181—Tantalum [Ta] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05099—Material
    • H01L2224/05186—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05647—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/0612—Layout
    • H01L2224/0613—Square or rectangular array
    • H01L2224/06134—Square or rectangular array covering only portions of the surface to be connected
    • H01L2224/06135—Covering only the peripheral area of the surface to be connected, i.e. peripheral arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H01L2224/85207—Thermosonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/049—Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/0494—4th Group
    • H01L2924/04941—TiN
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/049—Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/0495—5th Group
    • H01L2924/04953—TaN

Abstract

【課題】クラックの伝播を抑制する固体撮像装置を提供する。【解決手段】光電変換を行う画素部が形成された第１基板と、前記画素部から出力された画素信号を処理するロジック回路が形成された第２基板と、を備え、前記第１基板及び第２基板が、それぞれに形成された配線層同士の金属結合により接続されて積層されており、前記画素部の外周囲に、前記第１及び第２基板を貫通して、前記第２基板に形成されているワイヤーボンディング用パッドの上部まで達するように開口穴が形成されており、前記第２基板が、前記ワイヤーボンディング用パッドの下部に絶縁層を有し、前記絶縁層が、第１絶縁膜を有する、固体撮像装置を提供する。【選択図】図３

Description

本技術は、固体撮像装置に関する。
イメージセンサなどの固体撮像装置の製造プロセスにおいて、固体撮像装置が有するパッド（電極）同士をワイヤーで電気的に接続するワイヤーボンディングが行われている。ワイヤーボンディングとは、熱、超音波、圧力などを使ってワイヤーとパッドを接続する方法である。
また、固体撮像装置の製造プロセスにおいて、固体撮像装置の電気的特性を試験するプロービングが行われている。プロービングとは、針をパッドに正確に接触させて、この針を介してテスト信号を固体撮像装置に送信して、固体撮像装置からの応答信号を確認する方法である。
このワイヤーボンディングやプロービングなどでは、パッドの付近に大きな応力が発生する。このことによって、パッドの付近に形成されている絶縁層に、クラックと呼ばれる亀裂が発生することがある。このクラックが水分の侵入経路となることがあるため、クラックの伝播を抑制する必要がある。
特許文献１では、「半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に埋め込まれた配線構造体と、前記配線構造体近傍の前記第１の絶縁膜の少なくとも表面側に埋め込まれた第１の導電層よりなる第１のダミーパターンと、前記配線構造体近傍の前記第２の絶縁膜に埋め込まれた第２の導電層よりなり、前記第１のダミーパターンにビア部を介して接続された第２のダミーパターンとを有することを特徴とする半導体装置」が、開示されている。この特許文献１では、このダミーパターンが、機械的或いは熱的ストレスにより層間絶縁膜界面或いは層間絶縁膜内部にクラックや剥離が生じるのを防止することが説明されている。
特開２００４−１５３０１５号公報
従来、パッドの直下に形成されている絶縁層は、主にＳｉ酸化膜から成ることが一般的である。しかしながら、このＳｉ酸化膜は硬度が低いため、絶縁層に発生するクラックが伝播するという問題がある。
そこで、本技術はクラックの伝播を抑制する固体撮像装置を提供することを主目的とする。
本技術は、光電変換を行う画素部が形成された第１基板と、前記画素部から出力された画素信号を処理するロジック回路が形成された第２基板と、を備え、前記第１基板及び第２基板が、それぞれに形成された配線層同士の金属結合により接続されて積層されており、前記画素部の外周囲に、前記第１及び第２基板を貫通して、前記第２基板に形成されているワイヤーボンディング用パッドの上部まで達するように開口穴が形成されており、前記第２基板が、前記ワイヤーボンディング用パッドの下部に絶縁層を有し、前記絶縁層が、第１絶縁膜を有する、固体撮像装置を提供する。
前記絶縁層が、さらに第２絶縁膜を有しており、前記絶縁層が、前記第１絶縁膜と、前記第２絶縁膜と、が下方向に交互に積層されて構成されており、前記第１絶縁膜の一部が、下方向における前記絶縁層の長さの中央より前記パッド側に形成されており、前記第１絶縁膜の硬度が、前記第２絶縁膜の硬度より高くてもよい。
前記絶縁層が、複数の第１絶縁膜と、一つ又は複数の第２絶縁膜と、が下方向に交互に積層されて構成されており、前記複数の第１絶縁膜のうち少なくとも一つの前記第１絶縁膜の一部が、下方向における前記絶縁層の長さの中央より前記パッド側に形成されており、前記第１絶縁膜の硬度が、前記第２絶縁膜の硬度より高くてもよい。
前記第１絶縁膜が、窒素の含有率が１３質量％以上であり、炭素の含有率が１３質量％以上であるＳｉ窒化膜からなってもよい。
前記第１絶縁膜が、窒素の含有率が５０質量％以上であるＳｉ窒化膜からなってもよい。
前記第２絶縁膜が、窒素の含有率が０〜５質量％であるＳｉ酸化膜からなってもよい。
前記絶縁層が、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されていてもよい。
前記絶縁層が、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されていてもよい。
前記絶縁層が、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されていてもよい。
前記絶縁層が、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されていてもよい。
前記絶縁層が、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されていてもよい。
前記絶縁層が、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されていてもよい。
前記絶縁層が、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されていてもよい。
前記絶縁層が、第２絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されていてもよい。
さらに、本技術は、前記固体撮像装置が搭載されている、電子機器を提供する。
本技術に係る固体撮像装置の一実施形態の構成を説明する断面図である。 本技術に係る固体撮像装置の一実施形態の構成を説明する平面図である。 本技術に係る固体撮像装置の一実施形態の構成を説明する断面図である。 本技術に係る固体撮像装置の一実施形態の構成を説明する断面図である。 本技術に係る固体撮像装置の一実施形態の構成を説明する断面図である。 本技術に係る固体撮像装置の一実施形態の構成を説明する断面図である。 本技術に係る固体撮像装置の一実施形態の構成を説明する断面図である。 本技術に係る固体撮像装置の一実施形態の構成を説明する断面図である。 本技術に係る固体撮像装置の一実施形態の構成を説明する断面図である。 本技術に係る固体撮像装置の一実施形態の構成を説明する断面図である。 本技術に係る固体撮像装置の一実施形態の構成を説明する断面図である。 本技術に係る固体撮像装置の一実施形態の構成を説明する断面図である。 本技術に係る絶縁膜の枚数及び構成と、絶縁層にかかる応力との関係について説明する表及びグラフである。 本技術を適用した第１〜第９の実施形態の固体撮像装置の使用例を示す図である。 本技術を適用した固体撮像装置を利用した撮像装置及び電子機器の構成を説明する図である。 適用例１（内視鏡手術システム）の概略的な構成の一例を示す図である。 カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。 適用例２（移動体）における車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
以下、本技術を実施するための好適な形態について、添付した図面を参照しつつ説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、本技術の範囲がこれらの実施形態に限定されることはない。
以下の実施の形態の説明において、略同一、略平行、略直交のような「略」を伴った表現が、用いられる場合がある。例えば、略同一とは、完全に同一であることを意味するだけでなく、実質的に同一である、すなわち、例えば数％程度の差異を含むことも意味する。他の「略」を伴った表現についても同様である。また、各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。さらに、各図において、実質的に同一の構成要素に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化される場合がある。
なお、特に断りがない限り、図面において、「上」とは図中の上方向又は上側を意味し、「下」とは、図中の下方向又は下側を意味し、「左」とは図中の左方向又は左側を意味し、「右」とは図中の右方向又は右側を意味する。
説明は以下の順序で行う。
１．本技術の概要
２．第１の実施形態（固体撮像装置の例１）
３．第２の実施形態（固体撮像装置の例２）
４．第３の実施形態（固体撮像装置の例３）
５．第４の実施形態（固体撮像装置の例４）
６．第５の実施形態（固体撮像装置の例５）
７．第６の実施形態（固体撮像装置の例６）
８．第７の実施形態（固体撮像装置の例７）
９．第８の実施形態（固体撮像装置の例８）
１０．第９の実施形態（固体撮像装置の例９）
１１．検証試験
１２．第１０の実施形態（電子機器の例）
１３．本技術を適用した固体撮像装置の使用例
１４．本技術を適用した固体撮像装置の適用例
＜１．本技術の概要＞
まず、本技術の概要について説明をする。
本技術に係る固体撮像装置の一実施形態の構成を模式的に示した断面図を図１に示す。図１に示されるとおり、固体撮像装置１０は、第１基板１と、第２基板２と、を備えている。第１基板１と第２基板２とは積層されている。なお、図を見やすくするために、固体撮像装置１０の配線構造の一部が省略されている。
第１基板１には、一方の面に第１シリコン基板１１が形成されており、他方の面に第１配線層１２が形成されている。第２基板２には、一方の面に第２シリコン基板２１が形成されており、他方の面に第２配線層２２が形成されている。第２配線層２２は、第１配線層１２と対向するように配置されている。
第１配線層１２と第２配線層２２とが接合面３で貼り合わせられる。貼り合わせられる方法として、例えはプラズマ接合や接着剤による接合などがある。
第１シリコン基板１１と第１配線層１２とが第１接続導体１７を介して電気的に接続されている。第２シリコン基板２１と第２配線層２２とが第２接続導体２５を介して電気的に接続されている。
第１基板１及び第２基板２は、それぞれに形成された配線層（１２、２２）同士の金属結合により接続されている。第１配線層１２と、第２配線層２２とが、基板接続コンタクト（１３、２３）を介して互いに電気的に接続されている。
第１基板１と第２基板２に、開口穴５が形成されている。開口穴５は、第２基板に例えばワイヤーボンディングするための穴である。第１基板１においては、画素部１４の外周囲に開口穴５が形成されている。開口穴５は、第１基板１及び第２基板２を貫通して、第２基板２に形成されているワイヤーボンディング用パッド（電極）２４の上部まで達している。パッド２４は、一般的にアルミニウム（Ａｌ）を含んでいる。
パッド２４は、ワイヤーボンディング又はプロービングのためのパッドとすることができる。ワイヤーボンディングとは、熱、超音波、圧力などを使って、例えばＡｕ（金）などを含むワイヤー４とパッド２４を接続する方法である。プロービングとは、針をパッド２４に正確に接触させて、この針を介してテスト信号を半導体装置に送信して、半導体装置からの応答信号を確認する方法である。
開口穴５が、第１基板１及び第２基板２を貫通してパッド２４まで達している。そのため、パッド２４はワイヤーボンディング又はプロービングされることができる。
なお、パッド２４は第１基板１に形成されていてもよい。この場合、例えば国際公開第２０１５／０５００００号公報に記載されている工程を行うことで実現できる。
固体撮像装置１０がこのような積層型の構造であることにより、例えば第１基板１に画素部１４などが形成され、第２基板２にロジック回路が形成されることができる。このことにより、固体撮像装置１０の小型化かつ高機能化が容易になる。
第１基板１は、オンチップレンズ１５と、カラーフィルタ１６と、画素部１４と、を有することができる。オンチップレンズ１５と、カラーフィルタ１６とがこの順に積層されている。
オンチップレンズ１５は、被写体からの光を集光する。カラーフィルタ１６は、集光された光のうち所定の色の光を透過する。画素部１４は、外部からの光を画素信号に変換（光電変換）して出力することができる。
第１シリコン基板１１に、光電変換部となるフォトダイオード（図示省略）と複数の画素トランジスタ（図示省略）からなる複数の画素を列状に２次元配列した画素部１４が形成されている。さらに、第１シリコン基板１１に、制御回路を構成する複数のＭＯＳトランジスタ（図示省略）が形成されている。
フォトダイオードは、例えばｎ型半導体領域と基板表面側のｐ型半導体領域を有して形成される。画素トランジスタは、例えば転送トランジスタ、リセットトランジスタ、アンプトランジスタなどを含むことができる。さらに、画素トランジスタは、選択トランジスタを含んでもよい。
前記ロジック回路は、画素部１４から出力された前記画素信号を処理することができる。前記ロジック回路は、複数のＭＯＳトランジスタ（図示省略）を含むことができる。前記複数のＭＯＳトランジスタは、例えば銅（Ｃｕ）からなる配線で接続される。
本技術に係る固体撮像装置の一実施形態の構成を説明する平面図を図２に示す。図２に示されるとおり、パッド２４は画素部１４の側辺に形成されている。
図１に示されている断面図において、パッド２４の付近を拡大した断面図を図３に示す。図３に示されるとおり、第２基板２は、パッド２４の下部に絶縁層２０１〜２０３を有している。
第１絶縁層２０１には、コンタクト２４２が形成されている。第２絶縁層２０２及び第３絶縁層２０３には、配線２１３とビア２１４とが形成されている。
コンタクト２４２は、パッド２４と、第２絶縁層２０２に形成されている配線２１３とを接続する。コンタクト２４２の形成方法については、例えば第１絶縁層２０１にコンタクトホールと呼ばれる穴を空けて、この穴にタングステンを埋め込むことによって、コンタクト２４２が形成できる。
コンタクト２４２は、パッド２４と同様に一般的にＡｌを含んでいる。Ａｌの拡散を防止するために、パッド２４及びコンタクト２４２は第１バリアメタル膜２４１で被覆されていてもよい。第１バリアメタル膜２４１は、例えば、Ｔａ、Ｔｉ、ＴａＮ、ＴｉＮ等から構成される。あるいは、パッド２４又はコンタクト２４２がＣｕを含んでいてもよい。
配線２１３及びビア２１４は、一般的にＣｕを含んでいる。Ｃｕの拡散を防止するために、配線及びビア２１４は、第２バリアメタル膜２１５で被覆されていてもよい。第２バリアメタル膜２１５は、例えば、Ｔａ、Ｔｉ、ＴａＮ、ＴｉＮ等から構成される。
絶縁層２０１〜２０３は、第１絶縁膜２１１と、第２絶縁膜２１２と、が積層されて構成されている。あるいは、絶縁層２０１〜２０３は、複数の第１絶縁膜２１１と、一つ又は複数の第２絶縁膜２１２と、が下方向に交互に積層されて構成されていてもよい。
第１絶縁膜２１１の硬度は、第２絶縁膜２１２の硬度より高い。このことにより、第１絶縁層２０１に発生するクラックの伝播を抑制できる。
クラックの伝播の抑制について、詳しく説明する。パッド２４に対してワイヤーボンディング又はプロービングが行われると、パッド２４の付近に大きな応力が発生する。これにより、パッド２４の直下に形成されている第１絶縁層２０１にクラックが発生することがある。
そこで、第１絶縁膜２１１の硬度が、第２絶縁膜２１２の硬度より高いことにより、第１絶縁膜２１１が、このクラックの伝播を抑制できる。発明者らは、試行錯誤の末に、クラックの伝播を抑制するための第１絶縁膜２１１と第２絶縁膜２１２の硬度や成分を特定した。
第１絶縁膜２１１の硬度は、１４乃至２２ＧＰａであることが望ましい。第２絶縁膜２１２の硬度は、８乃至１０ＧＰａであることが望ましい。このような硬度とすることにより、第１絶縁層２０１に発生したクラックが抑制されうる。
上述した硬度であるために、第１絶縁膜２１１は、Ｓｉ窒化膜からなり、ＳｉＮ又はＳｉＣＮを含んでいることが望ましい。また、第２絶縁膜２１２は、Ｓｉ酸化膜からなり、ＳｉＯ２、ＴＥＯＳ、又はＳｉＨ４を含んでいることが望ましい。
例えば、第１絶縁膜２１１は、窒素の含有率が１３質量％以上であり、炭素の含有率が１３質量％以上であるＳｉ窒化膜（ＳｉＣＮ膜）からなっていてもよい。一般的なＳｉＣＮ膜の硬度は１４ＧＰａである。
あるいは、第１絶縁膜２１１は、窒素の含有率が５０質量％以上であるＳｉ窒化膜（ＳｉＮ膜）からなっていてもよい。一般的なＳｉＮ膜の硬度は２２ＧＰａである。
さらには、絶縁層２０１〜２０３が、複数の第１絶縁膜２１１で構成されているとき、複数の第１絶縁膜２１１のそれぞれが含有する窒素又は炭素の含有率は、同じでもよいし異なっていてもよい。
例えば、第２絶縁膜２１２は、窒素の含有率が０〜５質量％であるＳｉ酸化膜からなっていてもよい。このＳｉ酸化膜の一般的な硬度は８〜１０ＧＰａである。
なお、絶縁層２０１〜２０３の成膜方法は、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法やスピンコート法などが利用できる。成膜後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法により絶縁層２０１〜２０３が研磨されて平坦化されてもよい。
以下に、本技術に係る実施の形態（第１の実施形態〜第９の実施形態）の固体撮像装置について、図４〜１２を参照しながら具体的に説明する。
図４〜１２は、本技術に係る固体撮像装置の一実施形態において第１絶縁層２０１の構成を説明する断面図である。図４〜１２に示されるとおり、複数の第１絶縁膜２１１のうち少なくとも一つの第１絶縁膜２１１の一部が、下方向における第１絶縁層２０１の長さの中央よりパッド２４側に形成されている。より具体的に説明すると、第１絶縁層２０１の下方向の長さが８００ｎｍであるとき、少なくとも一つの第１絶縁膜２１１の一部が、パッド２４から下方向に４００ｎｍ以内の位置に形成されている。このことにより、パッド２４の付近に発生するクラックの伝播を第１絶縁膜２１１が抑制できる。
さらに、複数の第１絶縁膜２１１と、少なくとも一つの第２絶縁膜２１２が、下方向に交互に積層されて形成されている。このことにより、複数の第１絶縁膜２１１がクラックの伝播をさらに抑制できる。
＜２．第１の実施形態（固体撮像装置の例１）＞
図４に示されるとおり、第１絶縁層２０１が、第１絶縁膜２１１−１からなる。
第１絶縁膜２１１−１の一部が、下方向における第１絶縁層２０１の長さの中央よりパッド２４側に形成されている。さらには、パッド２４の直下に第１絶縁膜２１１−１が配置されている。このことにより、第１絶縁層２０１に生じるクラックを第１絶縁膜２１１−１が抑制できる。
例えば、第１絶縁膜２１１−１は、窒素の含有率が１３質量％以上であり、炭素の含有率が１３質量％以上であるＳｉ窒化膜（ＳｉＣＮ膜）からなっていてもよい。このとき、第１絶縁膜２１１−１の硬度を１４ＧＰａとすることができる。
あるいは、第１絶縁膜２１１−１は、窒素の含有率が５０質量％以上であるＳｉ窒化膜（ＳｉＮ膜）からなっていてもよい。このとき、第１絶縁膜２１１−１の硬度を２２ＧＰａとすることができる。
＜３．第２の実施形態（固体撮像装置の例２）＞
図５に示されるとおり、第１絶縁層２０１が、第１絶縁膜２１１−２と、第２絶縁膜２１２−１と、がこの順に積層されて構成されている。
下方向における、第１絶縁膜２１１−２の長さよりも、第２絶縁膜２１２−１の長さの方が長くなっている。
第１絶縁膜２１１−２の一部が、下方向における第１絶縁層２０１の長さの中央よりパッド２４側に形成されている。さらには、パッド２４の直下に第１絶縁膜２１１−２が配置されている。第１絶縁膜２１１−２の硬度は、第２絶縁膜２１２−１の硬度より高くなっている。このことにより、第１絶縁層２０１に生じるクラックを第１絶縁膜２１１−２が抑制できる。
なお、下方向における、第１絶縁膜２１１−２の長さと、第２絶縁膜２１２−１の長さは、異なっていてもよいし、同じでもよい。
＜４．第３の実施形態（固体撮像装置の例３）＞
図６に示されるとおり、第１絶縁層２０１が、第２絶縁膜２１２−２と、第１絶縁膜２１１−３と、第２絶縁膜２１２−３と、がこの順に積層されて構成されている。
第１絶縁膜２１１−３の一部が、下方向における第１絶縁層２０１の長さの中央よりパッド２４側に形成されている。第１絶縁膜２１１−３の硬度は、第２絶縁膜２１２−２及び第２絶縁膜２１２−３の硬度より高くなっている。このことにより、第１絶縁層２０１に生じるクラックを第１絶縁膜２１１−３が抑制できる。
なお、下方向における、第１絶縁膜２１１−３の長さと、第２絶縁膜（２１２−２等）の長さは、異なっていてもよいし、同じでもよい。
＜５．第４の実施形態（固体撮像装置の例４）＞
図７に示されるとおり、第１絶縁層２０１が、第１絶縁膜２１１−４と、第２絶縁膜２１２−４と、第１絶縁膜２１１−５と、がこの順に積層されて構成されている。
下方向における、第１絶縁膜２１１−４の長さと、第１絶縁膜２１１−５の長さが略同一となっている。
第１絶縁膜２１１−４の一部が、下方向における第１絶縁層２０１の長さの中央よりパッド２４側に形成されている。さらには、パッド２４の直下に第１絶縁膜２１１−４が配置されている。第２絶縁層２０２（図示省略）の直上に第１絶縁膜２１１−５が配置されている。第１絶縁膜２１１−４及び第１絶縁膜２１１−５の硬度は、第２絶縁膜２１２−４の硬度より高くなっている。このことにより、第１絶縁層２０１に生じるクラックを第１絶縁膜２１１−４が抑制できる。さらに、第１絶縁膜２１１−４が緩和した応力を、第１絶縁膜２１１−５が緩和することができる。
第１絶縁膜２１１−４が含有する窒素又は炭素の含有率と、第１絶縁膜２１１−５が含有する窒素又は炭素の含有率と、は同じでもよいし異なっていてもよい。例えば、第１絶縁膜２１１−４がＳｉＣＮ膜であり、第１絶縁膜２１１−５がＳｉＮ膜であってもよい。
なお、下方向における、第１絶縁膜（２１１−４等）の長さと、第２絶縁膜２１２−４の長さは、異なっていてもよいし、同じでもよい。
なお、パッド２４と第１絶縁膜２１１−４との間に第２絶縁膜が配置されていてもよいし、第２絶縁層２０２（図示省略）と第１絶縁膜２１１−４との間に第２絶縁膜が配置されていてもよい。
＜６．第５の実施形態（固体撮像装置の例５）＞
図８に示されるとおり、第１絶縁層２０１が、第２絶縁膜２１２−５と、第１絶縁膜２１１−６と、第２絶縁膜２１２−６と、第１絶縁膜２１１−７と、第２絶縁膜２１２−７と、第１絶縁膜２１１−８と、がこの順に積層されて構成されている。
下方向における、第１絶縁膜２１１−６の長さと、第１絶縁膜２１１−７の長さと、第１絶縁膜２１１−８の長さと、が略同一となっている。
第１絶縁膜２１１−６の一部及び第１絶縁膜２１１−７の一部が、下方向における第１絶縁層２０１の長さの中央よりパッド２４側に形成されている。第２絶縁層２０２（図示省略）の直上に第１絶縁膜２１１−８が配置されている。第１絶縁膜（２１１−６等）の硬度は、第２絶縁膜（２１２−５等）より高くなっている。このことにより、第１絶縁膜２１１−６が緩和した応力を、第１絶縁膜２１１−７が緩和することができる。
さらに、第１絶縁膜２１１−７が緩和した応力を、第１絶縁膜２１１−８が緩和することができる。
第１絶縁膜２１１−６が含有する窒素又は炭素の含有率と、第１絶縁膜２１１−７が含有する窒素又は炭素の含有率と、第１絶縁膜２１１−８が含有する窒素又は炭素の含有率と、は同じでもよいし異なっていてもよい。例えば、第１絶縁膜２１１−６がＳｉＣＮ膜であり、第１絶縁膜２１１−７及び第１絶縁膜２１１−８がＳｉＮ膜であってもよい。
なお、第１絶縁層２０１におけるパッド２４側に配置される第１絶縁膜の枚数は１枚でもよいし、３枚以上でもよい。また、下方向における複数の第１絶縁層のそれぞれの長さは同じでもよいし、異なっていてもよい。
＜７．第６の実施形態（固体撮像装置の例６）＞
図９に示されるとおり、第１絶縁層２０１が、第１絶縁膜２１１−９と、第２絶縁膜２１２−８と、第１絶縁膜２１１−１０と、第２絶縁膜２１２−９と、第１絶縁膜２１１−１１と、がこの順に積層されて構成されている。
下方向における、第１絶縁膜２１１−９の長さと、第１絶縁膜２１１−１０の長さと、第１絶縁膜２１１−１１の長さと、が略同一となっている。
第１絶縁膜２１１−９の一部及び第１絶縁膜２１１−１０の一部が、下方向における第１絶縁層２０１の長さの中央よりパッド２４側に形成されている。第２絶縁層２０２（図示省略）の直上に第１絶縁膜２１１−１１が配置されている。第１絶縁膜（２１１−９等）の硬度は、第２絶縁膜（２１２−５等）より高くなっている。このことにより、第１絶縁膜２１１−９が緩和した応力を、第１絶縁膜２１１−１０が緩和することができる。
さらに、第１絶縁膜２１１−１０が緩和した応力を、第１絶縁膜２１１−１１が緩和することができる。
第１絶縁膜２１１−９が含有する窒素又は炭素の含有率と、第１絶縁膜２１１−１０が含有する窒素又は炭素の含有率と、第１絶縁膜２１１−１１が含有する窒素又は炭素の含有率と、は同じでもよいし異なっていてもよい。例えば、第１絶縁膜２１１−９がＳｉＮ膜であり、第１絶縁膜２１１−１０及び第１絶縁膜２１１−１１がＳｉＣＮ膜であってもよい。
図８に示される第１の実施形態では、パッド２４と第１絶縁膜２１１−６との間に第２絶縁膜２１２−５が配置されている。一方で、図９に示される第２の実施形態では、パッド２４と第１絶縁膜２１１−９とが隣接して配置されている。パッド２４と第１絶縁膜との距離が近いほど、第１絶縁膜はパッド２４付近に発生する応力を緩和できる。したがって、第５の実施形態より第６の実施形態が好ましい。
＜８．第７の実施形態（固体撮像装置の例７）＞
図１０に示されるとおり、第１絶縁層２０１が、第２絶縁膜２１２−１０と、第１絶縁膜２１１−１２と、第２絶縁膜２１２−１１と、第１絶縁膜２１１−１３と、がこの順に積層されて構成されている。
下方向における、第１絶縁膜２１１−１２の長さが、第１絶縁膜２１１−１３の長さよりも長くなっている。
パッド２４の近傍に第１絶縁膜２１１−１２が配置されている。第２絶縁層２０２（図示省略）の直上に第１絶縁膜２１１−１３が配置されている。第１絶縁膜２１１−１２及び第１絶縁膜２１１−１３の硬度は、第２絶縁膜（２１２−１０等）の硬度より高くなっている。このことにより、第１絶縁層２０１に生じるクラックを第１絶縁膜２１１−１２が抑制できる。さらに、第１絶縁膜２１１−１２が緩和した応力を、第１絶縁膜２１１−１３が緩和することができる。
第１絶縁膜２１１−１２が含有する窒素又は炭素の含有率と、第１絶縁膜２１１−１３が含有する窒素又は炭素の含有率と、は同じでもよいし異なっていてもよい。例えば、第１絶縁膜２１１−１２がＳｉＮ膜であり、第１絶縁膜２１１−１３がＳｉＣＮ膜であってもよい。
なお、下方向における、第１絶縁膜２１１−１２の長さと、第１絶縁膜２１１−１３の長さは、異なっていてもよいし、同じでもよい。
図９に示される第６の実施形態と、図１０に示される第７の実施形態を比較する。図９に示される第１絶縁膜２１１−９の下方向の長さよりも、図１０に示される第１絶縁膜２１１−１２の下方向の長さのほうが長くなっている。第１絶縁膜の下方向の長さが長いほど、第１絶縁膜は応力を緩和できる。したがって、図１０に示される第７の実施形態は、図９に示される第６の実施形態と比較して上側に配置される第１絶縁膜の枚数が少ないものの、第１絶縁膜は十分に応力を緩和できる。
＜９．第８の実施形態（固体撮像装置の例８）＞
図１１に示されるとおり、第１絶縁層２０１が、第１絶縁膜２１１−１４と、第２絶縁膜２１２−１２と、第１絶縁膜２１１−１５と、がこの順に積層されて構成されている。
下方向における、第１絶縁膜２１１−１４の長さが、第１絶縁膜２１１−１５の長さよりも長くなっている。
パッド２４の直下に第１絶縁膜２１１−１４が配置されている。第２絶縁層２０２（図示省略）の直上に第１絶縁膜２１１−１５が配置されている。第１絶縁膜２１１−１４及び第１絶縁膜２１１−１５の硬度は、第２絶縁膜２１２−１２の硬度より高くなっている。このことにより、第１絶縁層２０１に生じるクラックを第１絶縁膜２１１−１４が抑制できる。さらに、第１絶縁膜２１１−１４が緩和した応力を、第１絶縁膜２１１−１５が緩和することができる。
第１絶縁膜２１１−１４が含有する窒素又は炭素の含有率と、第１絶縁膜２１１−１５が含有する窒素又は炭素の含有率と、は同じでもよいし異なっていてもよい。例えば、第１絶縁膜２１１−１４がＳｉＣＮ膜であり、第１絶縁膜２１１−１５がＳｉＮ膜であってもよい。
なお、下方向における、第１絶縁膜２１１−１４の長さと、第１絶縁膜２１１−１５の長さは、異なっていてもよいし、同じでもよい。
図１０に示される第７の実施形態では、パッド２４と第１絶縁膜２１１−１２との間に第２絶縁膜２１２−１０が配置されている。一方で、図１１に示される第８の実施形態では、パッド２４と第１絶縁膜２１１−１４とが隣接して配置されている。パッド２４と第１絶縁膜との距離が近いほど、第１絶縁膜はパッド２４付近に発生する応力を緩和できる。したがって、第７の実施形態より第８の実施形態が好ましい。
＜１０．第９の実施形態（固体撮像装置の例９）＞
図１２に示されるとおり、第１絶縁層２０１が、第２絶縁膜２１２−１３と、第２絶縁膜２１２−１４と、第１絶縁膜２１１−１６と、がこの順に積層されて構成されている。
下方向における、第２絶縁膜２１２−１３の長さと、第２絶縁膜２１２−１４の長さが、略同一となっている。下方向における、第１絶縁膜２１１−１６の長さが、第２絶縁膜（２１１−１３等）の長さよりも長くなっている。
第２絶縁層２０２（図示省略）の直上に第１絶縁膜２１１−１６が配置されている。第１絶縁膜２１１−１６の一部が、下方向における第１絶縁層２０１の長さの中央よりパッド２４側に形成されている。第１絶縁膜２１１−１６の硬度は、第２絶縁膜（２１２−１３等）の硬度より高くなっている。このことにより、第１絶縁層２０１に生じるクラックを第１絶縁膜２１１−１６が抑制できる。
なお、下方向における、第１絶縁膜２１１−１６の長さと、第２絶縁膜（２１１−１３等）の長さは、異なっていてもよいし、同じでもよい。
＜１１．検証試験＞
ここで、絶縁層において、硬度が高い第１絶縁膜の枚数及び構成とこの膜が緩和する応力との関係について検証試験した結果を、図１３を参照しつつ説明する。図１３は、第１絶縁膜の枚数及び構成と、絶縁層にかかる応力との関係について示されている表及びグラフである。
図１３Ａにおいて、絶縁層における第１絶縁膜の枚数と、第１絶縁膜が配置される位置（構成）と、絶縁層にかかる応力とが示されている。さらに、第１絶縁膜が含まれない構成（比較例、番号０）と比較したときの前記応力の減少量（効果）が示されている。
番号１−１乃至１−５は、第１絶縁膜が絶縁層における上側（パッド側）に積層されて構成されている実施例である。番号２−１乃至２−４は、第１絶縁膜が絶縁層における下側に積層されて構成されている実施例である。番号３−１乃至３−３は、第１絶縁膜が絶縁層において間引かれて積層されて構成されている実施例である。
例えば、番号１−３においては、第１絶縁膜の数は３枚となっている。絶縁層は、第１絶縁膜と、第１絶縁膜と、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第２絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されている。絶縁層にかかる応力は７５２ＭＰａとなっている。効果は−６２ＭＰａとなっている。
例えば、番号３−２においては、第１絶縁膜の数は３枚となっている。絶縁層は、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されている。絶縁層にかかる応力は７６０ＭＰａとなっている。効果は−５４ＭＰａとなっている。
図１３Ｂにおいて、横軸が第１絶縁膜の枚数となっており、縦軸が絶縁層にかかる応力となっている。第１絶縁膜が上側に積層されて構成されている実施例（番号１−１乃至１−５）と、第１絶縁膜が下側に積層されて構成されている実施例（番号２−１乃至２−４）と、第１絶縁膜が絶縁層において間引かれて積層されて構成されている実施例（番号３−１乃至３−３）のそれぞれにおける、第１絶縁膜の枚数及び応力が示されている。
２枚の第１絶縁膜を、上側に配置する場合（番号１−３）と、下側に配置する場合（番号２−２）とを比較して説明する。上側に配置する場合、絶縁層にかかる応力が７７０ＭＰａとなっており、効果が−４４Ｍａとなっている。一方で、下側に配置する場合、絶縁層にかかる応力が７８６ＭＰａとなっており、効果が−２８ＭＰａとなっている。つまり、第１絶縁膜をパッドの付近に配置することにより、絶縁層にかかる応力が緩和されている。その結果、クラックの発生又は伝播を抑制できることになる。
さらに説明すると、３枚の第１絶縁膜を下側に配置する場合（番号２−３）、絶縁層にかかる応力は７６９ＭＰａとなる。この応力は、２枚の第１絶縁膜を上側に配置する場合（番号１−２）の、絶縁層にかかる応力７７０ＭＰａと同等である。つまり、第１絶縁膜の数が少なくても、第１絶縁膜の配置を工夫することにより、第１絶縁膜の数が多い場合と同等の効果を得ることができる。
＜１２．第１０の実施形態（電子機器の例）＞
本技術に係る第１０の実施形態の電子機器は、本技術に係る第１〜第９の実施形態のうちいずれか１つの実施形態の固体撮像装置が搭載された電子機器である。以下に、本技術に係る第１０の実施形態の電子機器について詳細に述べる。
＜１３．本技術を適用した固体撮像装置の使用例＞
図１４は、イメージセンサとしての本技術に係る第１〜第９の実施形態の固体撮像装置の使用例を示す図である。
上述した第１〜第９の実施形態の固体撮像装置は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、Ｘ線等の光をセンシングするさまざまなケースに使用することができる。すなわち、図１４に示すように、例えば、鑑賞の用に供される画像を撮影する鑑賞の分野、交通の分野、家電の分野、医療・ヘルスケアの分野、セキュリティの分野、美容の分野、スポーツの分野、農業の分野等において用いられる装置（例えば、上述した第８の実施形態の電子機器）に、第１〜第９の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
具体的には、鑑賞の分野においては、例えば、デジタルカメラやスマートフォン、カメラ機能付きの携帯電話機等の、鑑賞の用に供される画像を撮影するための装置に、第１〜第９の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
交通の分野においては、例えば、自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置に、第１〜第９の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
家電の分野においては、例えば、ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、テレビ受像機や冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置で、第１〜第９の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
医療・ヘルスケアの分野においては、例えば、内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置に、第１〜第９の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
セキュリティの分野においては、例えば、防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置に、第１〜第９の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
美容の分野においては、例えば、肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置に、第１〜第９の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
スポーツの分野において、例えば、スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置に、第１〜第９の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
農業の分野においては、例えば、畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置に、第１〜第９の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
第１〜第９の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像装置、撮像機能を備えた携帯電話機、または、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。
図１５は、本技術を適用した電子機器としての撮像装置の構成例を示すブロック図である。
図１５に示される撮像装置２０１ｃは、光学系２０２ｃ、シャッタ装置２０３ｃ、固体撮像装置２０４ｃ、駆動回路（制御回路）２０５ｃ、信号処理回路２０６ｃ、モニタ２０７ｃ、およびメモリ２０８ｃを備えて構成され、静止画像および動画像を撮像可能である。
光学系２０２ｃは、１枚または複数枚のレンズを有して構成され、被写体からの光（入射光）を固体撮像装置２０４ｃに導き、固体撮像装置２０４ｃの受光面に結像させる。
シャッタ装置２０３ｃは、光学系２０２ｃおよび固体撮像装置２０４ｃの間に配置され、駆動回路（制御回路）２０５ｃの制御に従って、固体撮像装置２０４ｃへの光照射期間および遮光期間を制御する。
固体撮像装置２０４ｃは、光学系２０２ｃおよびシャッタ装置２０３ｃを介して受光面に結像される光に応じて、一定期間、信号電荷を蓄積する。固体撮像装置２０４ｃに蓄積された信号電荷は、駆動回路（制御回路）２０５ｃから供給される駆動信号（タイミング信号）に従って転送される。
駆動回路（制御回路）２０５ｃは、固体撮像装置２０４ｃの転送動作、および、シャッタ装置２０３ｃのシャッタ動作を制御する駆動信号を出力して、固体撮像装置２０４ｃおよびシャッタ装置２０３ｃを駆動する。
信号処理回路２０６ｃは、固体撮像装置２０４ｃから出力された信号電荷に対して各種の信号処理を施す。信号処理回路２０６ｃが信号処理を施すことにより得られた画像（画像データ）は、モニタ２０７ｃに供給されて表示されたり、メモリ２０８ｃに供給されて記憶（記録）されたりする。
＜１４．本技術を適用した固体撮像装置の適用例＞
以下、上記の第１〜４の実施の形態において説明した固体撮像装置（イメージセンサ）の適用例（適用例１〜２）について説明する。上記実施の形態等における固体撮像装置はいずれも、様々な分野における電子機器に適用可能である。ここでは、その一例として、内視鏡手術システム（適用例１）及び移動体（適用例２）について説明する。なお、上記の＜８．本技術を適用した固体撮像装置の使用例＞の欄で説明をした撮像装置も、本技術に係る第１〜４の実施の形態において説明した固体撮像装置（イメージセンサ）の適用例の一つである。
（適用例１）
［内視鏡手術システムへの応用例］
本技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術（本技術）は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
図１６は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
図１６では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギー処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。
内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。
鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。
カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ： Ｃａｍｅｒａ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ）１１２０１に送信される。
ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）やＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。
表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。
光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。
入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。
処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。
なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。
また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。
また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（ＮａｒｒｏｗＢａｎｄ Ｉｍａｇｉｎｇ）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ＩＣＧ）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。
図１７は、図１６に示すカメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１の機能構成の一例を示すブロック図である。
カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。
レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。
撮像部１１４０２は、撮像装置（撮像素子）で構成される。撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。
また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。
駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。
通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。
また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。
なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Ａｕｔｏ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）機能、ＡＦ（Ａｕｔｏ Ｆｏｃｕｓ）機能及びＡＷＢ（Ａｕｔｏ Ｗｈｉｔｅ Ｂａｌａｎｃｅ）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。
カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。
通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。
また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。
画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。
制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。
また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。
カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。
ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。
以上、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等に適用され得る。具体的には、本技術に係る固体撮像装置は、撮像部１０４０２に適用することができる。内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等に本開示に係る技術を適用することにより、性能を向上させることが可能となる。
ここでは、一例として内視鏡手術システムについて説明したが、本開示に係る技術は、その他、例えば、顕微鏡手術システム等に適用されてもよい。
（適用例２）
［移動体への応用例］
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
図１８は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図１８に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。
駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｄｒｉｖｅｒ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ Ｓｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１８の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
図１９は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
図１９では、車両１２１００は、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。
撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。撮像部１２１０１及び１２１０５で取得される前方の画像は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
なお、図１９には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
以上、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、撮像部１２０３１等に適用され得る。具体的には、本技術に係る固体撮像装置は、撮像部１２０３１に適用することができる。撮像部１２０３１に本開示に係る技術を適用することにより、性能を向上させることが可能となる。
なお、本技術は、上述した実施形態、使用例及び適用例に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
なお、本明細書中に記載した効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
なお、本技術は、以下のような構成をとることもできる。
［１］光電変換を行う画素部が形成された第１基板と、
前記画素部から出力された画素信号を処理するロジック回路が形成された第２基板と、を備え、
前記第１基板及び第２基板が、それぞれに形成された配線層同士の金属結合により接続されて積層されており、
前記画素部の外周囲に、前記第１及び第２基板を貫通して、前記第２基板に形成されているワイヤーボンディング用パッドの上部まで達するように開口穴が形成されており、
前記第２基板が、前記ワイヤーボンディング用パッドの下部に絶縁層を有し、
前記絶縁層が、第１絶縁膜を有する、
固体撮像装置。
［２］前記絶縁層が、さらに第２絶縁膜を有しており、
前記絶縁層が、前記第１絶縁膜と、前記第２絶縁膜と、が下方向に交互に積層されて構成されており、
前記第１絶縁膜の一部が、下方向における前記絶縁層の長さの中央より前記パッド側に形成されており、
前記第１絶縁膜の硬度が、前記第２絶縁膜の硬度より高い、
［１］に記載の固体撮像装置。
［３］前記絶縁層が、複数の第１絶縁膜と、一つ又は複数の第２絶縁膜と、が下方向に交互に積層されて構成されており、
前記複数の第１絶縁膜のうち少なくとも一つの前記第１絶縁膜の一部が、下方向における前記絶縁層の長さの中央より前記パッド側に形成されており、
前記第１絶縁膜の硬度が、前記第２絶縁膜の硬度より高い、
［２］に記載の固体撮像装置。
［４］前記第１絶縁膜が、窒素の含有率が１３質量％以上であり、炭素の含有率が１３質量％以上であるＳｉ窒化膜からなる、
［１］〜［３］のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
［５］前記第１絶縁膜が、窒素の含有率が５０質量％以上であるＳｉ窒化膜からなる、
［１］〜［４］のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
［６］前記第２絶縁膜が、窒素の含有率が０〜５質量％であるＳｉ酸化膜からなる、
［２］〜［５］のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
［７］前記絶縁層が、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されている、
［２］〜［６］のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
［８］前記絶縁層が、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されている、
［２］〜［７］のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
［９］前記絶縁層が、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されている、
［２］〜［８］のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
［１０］前記絶縁層が、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されている、
［２］〜［９］のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
［１１］前記絶縁層が、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されている、
［２］〜［１０］のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
［１２］前記絶縁層が、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されている、
［２］〜［１１］のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
［１３］前記絶縁層が、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されている、
［２］〜［１２］のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
［１４］前記絶縁層が、第２絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されている、
［２］〜［１３］のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
［１５］［１］〜［１４］のいずれか一つに記載の固体撮像装置が搭載されている、電子機器。
１０ 固体撮像装置
１ 第１基板
１１ 第１シリコン基板
１２ 第１配線層
１４ 画素部
１５ オンチップレンズ
１６ カラーフィルタ
２ 第２基板
２１ 第２シリコン基板
２２ 第２配線層
２４ パッド
２０１ 第１絶縁層
２０２ 第２絶縁層
２０３ 第３絶縁層
２１１ 第１絶縁膜
２１２ 第２絶縁膜
３ 接合面
４ ワイヤー
５ 開口穴

Claims (15)

  1. 光電変換を行う画素部が形成された第１基板と、
    前記画素部から出力された画素信号を処理するロジック回路が形成された第２基板と、を備え、
    前記第１基板及び第２基板が、それぞれに形成された配線層同士の金属結合により接続されて積層されており、
    前記画素部の外周囲に、前記第１及び第２基板を貫通して、前記第２基板に形成されているワイヤーボンディング用パッドの上部まで達するように開口穴が形成されており、
    前記第２基板が、前記ワイヤーボンディング用パッドの下部に絶縁層を有し、
    前記絶縁層が、第１絶縁膜を有する、
    固体撮像装置。
  2. 前記絶縁層が、さらに第２絶縁膜を有しており、
    前記絶縁層が、前記第１絶縁膜と、前記第２絶縁膜と、が下方向に交互に積層されて構成されており、
    前記第１絶縁膜の一部が、下方向における前記絶縁層の長さの中央より前記パッド側に形成されており、
    前記第１絶縁膜の硬度が、前記第２絶縁膜の硬度より高い、
    請求項１に記載の固体撮像装置。
  3. 前記絶縁層が、複数の第１絶縁膜と、一つ又は複数の第２絶縁膜と、が下方向に交互に積層されて構成されており、
    前記複数の第１絶縁膜のうち少なくとも一つの前記第１絶縁膜の一部が、下方向における前記絶縁層の長さの中央より前記パッド側に形成されており、
    前記第１絶縁膜の硬度が、前記第２絶縁膜の硬度より高い、
    請求項２に記載の固体撮像装置。
  4. 前記第１絶縁膜が、窒素の含有率が１３質量％以上であり、炭素の含有率が１３質量％以上であるＳｉ窒化膜からなる、
    請求項１に記載の固体撮像装置。
  5. 前記第１絶縁膜が、窒素の含有率が５０質量％以上であるＳｉ窒化膜からなる、
    請求項１に記載の固体撮像装置。
  6. 前記第２絶縁膜が、窒素の含有率が０〜５質量％であるＳｉ酸化膜からなる、
    請求項２に記載の固体撮像装置。
  7. 前記絶縁層が、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されている、
    請求項２に記載の固体撮像装置。
  8. 前記絶縁層が、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されている、
    請求項２に記載の固体撮像装置。
  9. 前記絶縁層が、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されている、
    請求項２に記載の固体撮像装置。
  10. 前記絶縁層が、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されている、
    請求項２に記載の固体撮像装置。
  11. 前記絶縁層が、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されている、
    請求項２に記載の固体撮像装置。
  12. 前記絶縁層が、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されている、
    請求項２に記載の固体撮像装置。
  13. 前記絶縁層が、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されている、
    請求項２に記載の固体撮像装置。
  14. 前記絶縁層が、第２絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１絶縁膜と、がこの順に積層されて構成されている、
    請求項２に記載の固体撮像装置。
  15. 請求項１に記載の固体撮像装置が搭載されている、電子機器。
JP2019163914A 2019-09-09 2019-09-09 固体撮像装置 Pending JP2021044322A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019163914A JP2021044322A (ja) 2019-09-09 2019-09-09 固体撮像装置
PCT/JP2020/026415 WO2021049142A1 (ja) 2019-09-09 2020-07-06 固体撮像装置
US17/639,562 US20220302195A1 (en) 2019-09-09 2020-07-06 Solid-state imaging device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019163914A JP2021044322A (ja) 2019-09-09 2019-09-09 固体撮像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2021044322A true JP2021044322A (ja) 2021-03-18

Family

ID=74863126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019163914A Pending JP2021044322A (ja) 2019-09-09 2019-09-09 固体撮像装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220302195A1 (ja)
JP (1) JP2021044322A (ja)
WO (1) WO2021049142A1 (ja)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2598328B2 (ja) * 1989-10-17 1997-04-09 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2003258019A (ja) * 2002-03-07 2003-09-12 Seiko Epson Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2006013276A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Nec Kansai Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP5261926B2 (ja) * 2006-12-08 2013-08-14 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
JP2012033894A (ja) * 2010-06-30 2012-02-16 Canon Inc 固体撮像装置
JP2013172014A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Sony Corp 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラシステム
JP5772926B2 (ja) * 2013-01-07 2015-09-02 株式会社デンソー 半導体装置
CN110476228B (zh) * 2017-04-04 2024-01-16 索尼半导体解决方案公司 半导体装置、制造半导体装置的方法和电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021049142A1 (ja) 2021-03-18
US20220302195A1 (en) 2022-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018074250A1 (ja) 半導体装置、製造方法、および電子機器
WO2018088284A1 (ja) 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器
US11830898B2 (en) Wafer level lens
JP2023164552A (ja) 固体撮像装置及び電子機器
WO2020246323A1 (ja) 撮像装置
US20230411430A1 (en) Solid-state imaging device and electronic apparatus
US20220005853A1 (en) Semiconductor device, solid-state imaging device, and electronic equipment
JP2019179782A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
WO2021075117A1 (ja) 固体撮像装置及び電子機器
WO2021049142A1 (ja) 固体撮像装置
CN110998849B (zh) 成像装置、相机模块和电子设备
WO2023100492A1 (ja) 半導体装置及び電子機器
EP4307373A1 (en) Semiconductor device and imaging device
US11961783B2 (en) Semiconductor apparatus and electronic apparatus
US20230395636A1 (en) Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic device
US11355421B2 (en) Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor, and imaging unit
WO2020100709A1 (ja) 固体撮像装置及び電子機器
WO2019239767A1 (ja) 撮像装置
JPWO2020090384A1 (ja) 撮像装置
JP2020088063A (ja) 固体撮像装置及び電子機器