JP2020048018A - 固体撮像装置、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】より処理性能を向上させることができるようにする。【解決手段】光電変換部とアナログメモリ部とを有する画素を複数配列したアレイ部を備え、アナログメモリ部は、第1の露光によって光電変換部により光電変換された電荷を保持し、第1の露光によってアナログメモリ部に保持された電荷が、適応的に非破壊で読み出される固体撮像装置が提供される。本開示に係る技術は、例えば、CMOSイメージセンサに適用することができる。【選択図】図2
Description
本開示は、固体撮像装置、及び電子機器に関し、特に、より処理性能を向上させることができるようにした固体撮像装置、及び電子機器に関する。
近年、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサ等のイメージセンサが普及し、様々な分野で利用されている。例えば、イメージセンサに関する技術としては、特許文献1に開示されている技術が知られている。
ところで、イメージセンサ等の固体撮像装置には、フォトダイオードに蓄積された電荷をアナログメモリに転送して、アナログメモリに保持されている電荷を読み出す方式がある。このような方式において、アナログメモリに保持された電荷は、破壊読み出しされるのが一般的であるため、1度しか読み出すことができず、処理の柔軟性を損なう恐れがあった。
また、特許文献1に開示されている技術では、アナログメモリに保持された電荷を読み出しているが、処理の柔軟性を確保するには十分でなく、より柔軟に処理を行うことでより処理性能を向上させるための技術の提案が求められていた。
本開示はこのような状況に鑑みてなされたものであり、より処理性能を向上させることができるようにするものである。
本開示の一側面の固体撮像装置は、光電変換部とアナログメモリ部とを有する画素を複数配列したアレイ部を備え、前記アナログメモリ部は、第1の露光によって前記光電変換部により光電変換された電荷を保持し、前記第1の露光によって前記アナログメモリ部に保持された電荷が、適応的に非破壊で読み出される固体撮像装置である。
本開示の一側面の電子機器は、光電変換部とアナログメモリ部とを有する画素を複数配列したアレイ部を備え、前記アナログメモリ部は、第1の露光によって前記光電変換部により光電変換された電荷を保持し、前記第1の露光によって前記アナログメモリ部に保持された電荷が、適応的に非破壊で読み出される固体撮像装置を搭載した電子機器である。
本開示の一側面の固体撮像装置、及び電子機器においては、光電変換部とアナログメモリ部とを有する画素を複数配列したアレイ部が設けられ、前記アナログメモリ部では、第1の露光によって前記光電変換部により光電変換された電荷が保持され、前記第1の露光によって前記アナログメモリ部に保持された電荷が、適応的に非破壊で読み出される。
なお、本開示の一側面の固体撮像装置又は電子機器は、独立した装置であってもよいし、1つの装置を構成している内部ブロックであってもよい。
以下、図面を参照しながら本開示に係る技術(本技術)の実施の形態について説明する。なお、説明は以下の順序で行うものとする。
1.第1の実施の形態
2.第2の実施の形態
3.第3の実施の形態
4.第4の実施の形態
5.変形例
6.固体撮像装置の使用例
7.移動体への応用例
2.第2の実施の形態
3.第3の実施の形態
4.第4の実施の形態
5.変形例
6.固体撮像装置の使用例
7.移動体への応用例
<1.第1の実施の形態>
(固体撮像装置の構成の第1の例)
図1は、本開示に係る技術を適用した固体撮像装置の構成の第1の例を示す図である。
図1は、本開示に係る技術を適用した固体撮像装置の構成の第1の例を示す図である。
図1の固体撮像装置10Aは、例えばCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)を用いたイメージセンサ(CMOSイメージセンサ)などとして構成される。固体撮像装置10は、光学レンズ系(不図示)を介して被写体からの入射光(像光)を取り込んで、撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。
図1において、固体撮像装置10Aは、画素アレイ部11、駆動部12、及びカラムADC部13を含んで構成される。
画素アレイ部11は、複数の画素100を2次元状(行列状)に配列している。画素100は、光電変換素子(光電変換部)としてのフォトダイオードと、複数の画素トランジスタを含んで構成される。例えば、画素トランジスタとしては、転送トランジスタ(TRG)、リセットトランジスタ(RST)、増幅トランジスタ(AMP)、及び選択トランジスタ(SEL)を含む。
なお、以下の説明では、画素アレイ部11に2次元状に配列された画素100のi行j列を、画素100(i,j)とも表記する。
駆動部12は、例えばシフトレジスタ等によって構成され、所定の画素駆動線を選択し、選択した画素駆動線に駆動信号(パルス信号)を印加して行単位で画素100を駆動する。すなわち、駆動部12は、画素アレイ部11に配列された各画素100を行単位で順次垂直方向に選択走査し、各画素100のフォトダイオードにて受光量に応じて生成された信号電荷(電荷)に応じた画素信号を、垂直信号線131を通じてカラムADC部13に供給する。
カラムADC部13には、画素アレイ部11に2次元状に配列された画素100(i,j)の列ごとにADC(Analog to Digital Converter)151−jが設けられる。ADC151−jは、定電流回路161、比較器162、及びカウンタ163を含んで構成される。
定電流回路161は、画素100(i,j)に接続された垂直信号線131−jの一端に接続される。比較器162は、そこに入力される垂直信号線131−jからの信号電圧(Vx)と、DAC(Digital to Analog Converter)152からのランプ波(Ramp)の参照電圧(Vref)とを比較し、その比較結果に応じたレベルの出力信号を、カウンタ163に出力する。
カウンタ163は、比較器162からの出力信号に基づいて、カウントを行い、そのカウント値をFF回路153−jに出力する。FF回路153−jに保持されたカウント値は、順次水平出力線に転送され(デジタル値をシフトして)、撮像信号として得られる。例えば、ここでは、画素100(i,j)のリセット成分と信号成分を順に読み出し、それぞれをカウントして差し引くことで、相関二重サンプリング(CDS:Correlated Double Sample)の動作が行われる。
なお、固体撮像装置10Aにおいては、画素アレイ部11とカラムADC部13とを積層して貫通ビア(VIA)を介して信号線を接続した積層構造(2層構造)を採用することができる。また、固体撮像装置10Aは、例えば、裏面照射型のイメージセンサとすることができる。
図2は、図1の画素アレイ部11に2次元状に配列される画素100の構成の例を示している。
図2において、画素100は、フォトダイオード部101と、アナログメモリ部102とから構成される。フォトダイオード部101は、フォトダイオード(PD)111及びリセットトランジスタ(RST-P)112を含む光電変換部である。アナログメモリ部102は、転送トランジスタ121(TRG-M)、アナログメモリ(MEM)122、リセットトランジスタ(RST-M)123、増幅トランジスタ(AMP-M)124、及び選択トランジスタ(SEL-M)125を含む。
フォトダイオード111は、例えばpn接合の光電変換領域を有し、受光した光量に応じた信号電荷(電荷)を生成して蓄積する。フォトダイオード111は、その一端であるアノード電極が接地され、その他端であるカソード電極が転送トランジスタ121のソースに接続されている。
リセットトランジスタ112は、フォトダイオード111と電源部との間に接続される。リセットトランジスタ112のゲートには、駆動部12(図1)からの駆動信号RST-Pが印加される。この駆動信号RST-Pがアクティブ状態になると、リセットトランジスタ112のリセットゲートが導通状態となり、フォトダイオード111がリセットされる。
アナログメモリ部102において、転送トランジスタ121のドレインは、リセットトランジスタ123のソースと増幅トランジスタ124のゲートに接続されており、この接続点が、浮遊拡散領域としてのフローティングディフュージョン(FD)126を構成している。
転送トランジスタ121は、フォトダイオード111とフローティングディフュージョン126との間に接続される。転送トランジスタ121のゲートには、駆動部12(図1)からの駆動信号TRG-Mが印加される。この駆動信号TRG-Mがアクティブ状態になると、転送トランジスタ121の転送ゲートが導通状態となり、フォトダイオード111に蓄積されている電荷が、フォトダイオード部101側からアナログメモリ部102側に転送される。
アナログメモリ122は、例えばキャパシタから構成され、その一方の極板が接地され、その他方の極板が、転送トランジスタ121のドレインとフローティングディフュージョン126との間に接続される。アナログメモリ122は、転送トランジスタ121により転送される電荷、すなわち、フォトダイオード111からの電荷を保持する。
フローティングディフュージョン126は、アナログメモリ122に保持される電荷、すなわち、転送トランジスタ121により転送された電荷を、電圧信号に電荷電圧変換して、増幅トランジスタ124(のゲート)に出力する。
リセットトランジスタ123は、フローティングディフュージョン126と電源部との間に接続される。リセットトランジスタ123のゲートには、駆動部12(図1)からの駆動信号RST-Mが印加される。この駆動信号RST-Mがアクティブ状態になると、リセットトランジスタ123のリセットゲートが導通状態となり、フローティングディフュージョン126がリセットされる。
増幅トランジスタ124は、そのゲートがフローティングディフュージョン126に接続され、ドレインが電源部に接続されており、フローティングディフュージョン126が保持している電圧信号の読み出し回路、いわゆるソースフォロア回路の入力部となる。すなわち、増幅トランジスタ124は、そのソースが選択トランジスタ125を介して垂直信号線131に接続されることで、垂直信号線131の一端に接続される定電流回路161(図1)とソースフォロア回路を構成する。
選択トランジスタ125は、増幅トランジスタ124のソースと垂直信号線131との間に接続される。選択トランジスタ125のゲートには、駆動部12(図1)からの駆動信号SEL-Mが印加される。この駆動信号SEL-Mがアクティブ状態になると、選択トランジスタ125が導通状態となり、画素100が選択状態となる。これにより、増幅トランジスタ124から出力される読み出し信号(画素信号)が、選択トランジスタ125を介して垂直信号線131に出力される。
以上のように構成される画素100においては、リセットトランジスタ112と、転送トランジスタ121と、リセットトランジスタ123のゲートに印加される駆動信号RST-P,TRG-M,RST-Mは、センサ内で共通に(センサ単位で)制御される一方で、選択トランジスタ125のゲートに印加される駆動信号SEL-Mは、ライン単位(行単位)で制御されることで、グローバルシャッタ方式での露光によってフォトダイオード111に蓄積された電荷が転送されてアナログメモリ122に保持されるとともに、アナログメモリ122に保持された電荷(に応じた画素信号)が非破壊で読み出される。
なお、画素アレイ部11に配列される任意の複数の画素100ごとに、リセットトランジスタ123を共有してもよく、そのような共有対象の画素100では、アナログメモリ部102が、リセットトランジスタ123を除いた領域103内の素子により構成される。
図3は、図1の固体撮像装置10Aのデータフローを示している。
固体撮像装置10Aにおいて、画素アレイ部11に2次元状に配列された画素100(i,j)では、グローバルシャッタ方式での露光(E11)によってフォトダイオード111に蓄積された電荷が、フォトダイオード部101からアナログメモリ部102に転送され(T11)、アナログメモリ122に保持される。
そして、画素100(i,j)のアナログメモリ122に保持された電荷は、駆動部12からの駆動信号に応じて非破壊で読み出され(R11)、垂直信号線131−jを介してカラムADC部13に入力される。
カラムADC部13において、列ごとに配列されたADC151−jでは、画素100(i,j)のアナログメモリ122から非破壊で読み出された信号電圧(Vx)と、DAC152からのランプ波の参照電圧(Vref)とが比較され、その比較結果に応じたカウントがなされることで、アナログ信号がデジタル信号に変換され、外部に出力される。
このように、固体撮像装置10Aにおいては、画素100のアナログメモリ122に保持された電荷を読み出すに際し、非破壊で読み出すため、1回の露光によってフォトダイオード111に蓄積された電荷であって、アナログメモリ122に転送されて保持されている電荷を何度でも繰り返し読み出すことができる。
(固体撮像装置の構成の第2の例)
ところで、画素100の構造としては、フォトダイオード部101とアナログメモリ部102とを同一の層に含める構造に限らず、それらを異なる層に含めて積層して貫通ビア(VIA)を介して信号線を接続した構造(画素内分離構造)を採用するようにしてもよい。そこで、次に、このような画素内分離構造について説明する。
ところで、画素100の構造としては、フォトダイオード部101とアナログメモリ部102とを同一の層に含める構造に限らず、それらを異なる層に含めて積層して貫通ビア(VIA)を介して信号線を接続した構造(画素内分離構造)を採用するようにしてもよい。そこで、次に、このような画素内分離構造について説明する。
図4は、本開示に係る技術を適用した固体撮像装置の構成の第2の例を示す図である。
図4において、固体撮像装置10Bは、フォトダイオードアレイ部11A、アナログメモリアレイ部11B、駆動部12、及びカラムADC部13を含んで構成される。すなわち、固体撮像装置10B(図4)は、固体撮像装置10A(図1)と比べて、画素アレイ部11の代わりに、フォトダイオードアレイ部11Aとアナログメモリアレイ部11Bとが積層されて構成されている。
フォトダイオードアレイ部11Aは、複数のフォトダイオード部101を2次元状(行列状)に配列している。アナログメモリアレイ部11Bは、複数のアナログメモリ部102を2次元状(行列状)に配列している。ここで、フォトダイオードアレイ部11Aに配列される複数のフォトダイオード部101と、アナログメモリアレイ部11Bに配列される複数のアナログメモリ部102とは、積層された層の対応する位置にそれぞれ形成され、貫通ビア(VIA)を介して信号線により接続される。
すなわち、第1の層に形成されたフォトダイオードアレイ部11Aにおけるフォトダイオード部101のフォトダイオード111(のカソード電極)と、第2の層に形成されたアナログメモリアレイ部11Bにおけるアナログメモリ部102の転送トランジスタ121(のソース)とは、貫通ビア(VIA)を介して信号線によって接続される。このようにして、フォトダイオード部101とアナログメモリ部102とが積層されて画素100(i,j)が構成される。
なお、図4において、フォトダイオード部101とアナログメモリ部102の構成は、図2に示した構成と同様であるため、ここではその詳細な説明は省略する。また、図4において、カラムADC部13の構成は、図1に示した構成と同様であり、フォトダイオードアレイ部11Aに積層されたアナログメモリアレイ部11Bに対してさらに積層して、貫通ビア(VIA)を介して信号線を接続した積層構造(3層構造)とすることができる。また、固体撮像装置10Bは、例えば、裏面照射型のイメージセンサとすることができる。
図5は、図4の固体撮像装置10Bのデータフローを示している。
固体撮像装置10Bにおいて、フォトダイオードアレイ部11Aに2次元状に配列されたフォトダイオード部101では、グローバルシャッタ方式での露光(E21)によってフォトダイオード111に蓄積された電荷が、アナログメモリアレイ部11Bに配列されたアナログメモリ部102に転送され(T21)、アナログメモリ122に保持される。
そして、画素100(i,j)のアナログメモリ部102のアナログメモリ122に保持された電荷は、駆動部12からの駆動信号に応じて非破壊で読み出され(R21)、垂直信号線131−jを介してカラムADC部13に入力され、AD変換がなされる。
このように、固体撮像装置10Bにおいては、フォトダイオードアレイ部11Aと、アナログメモリアレイ部11Bとが積層されて構成され、アナログメモリ部102のアナログメモリ122に保持された電荷を読み出すに際して非破壊で読み出すため、1回の露光によってフォトダイオード111に蓄積された電荷であって、アナログメモリ122に転送されて保持されている電荷を何度でも繰り返し読み出すことができる。
(駆動方法の例)
次に、図6のタイミングチャートを参照しながら、第1の実施の形態の固体撮像装置10(10A,10B)の画素100の駆動方法の例を説明する。なお、図6においては、比較のために、図6のAに従来の駆動方法を示し、図6のBに第1の実施の形態の駆動方法を示している。また、図6において、時間の方向は、図中の左側から右側に向かう方向とされる。
次に、図6のタイミングチャートを参照しながら、第1の実施の形態の固体撮像装置10(10A,10B)の画素100の駆動方法の例を説明する。なお、図6においては、比較のために、図6のAに従来の駆動方法を示し、図6のBに第1の実施の形態の駆動方法を示している。また、図6において、時間の方向は、図中の左側から右側に向かう方向とされる。
すなわち、従来の駆動方法の場合には、1回目の露光によってフォトダイオードに蓄積された電荷が転送され、画素アレイ部に配列された全ての画素の電荷が読み出され、2回目以降の露光によっても同様に、蓄積と転送が行われた後に全画素の読み出しが繰り返される(図6のA)。
一方で、第1の実施の形態の駆動方法の場合には、1回目の露光によってフォトダイオード111に蓄積された電荷をアナログメモリ122に転送した後であって、2回目の露光によってフォトダイオード111に蓄積された電荷がアナログメモリ122に転送される前の期間T1であれば、1回目の露光によってアナログメモリ122に保持された電荷を何度でも繰り返し読み出す(非破壊で読み出す)ことができる(図6のB)。
例えば、固体撮像装置10では、期間T1に、画素アレイ部11に配列された画素100(全画素)のうち、任意の画素100を間引いて読み出したり、あるいは、画像フレーム内の対象の領域(ROI:Region of Interest)に対応した画素100を読み出したりすることができる。図6の例では、期間T1内の任意のタイミングで、4つの異なるROI領域(ROI1,ROI2,ROI3,ROI4)に対応した画素100のアナログメモリ122に保持された電荷がそれぞれ読み出されている。
(応用例)
図7は、本開示に係る技術を適用した固体撮像装置を搭載したカメラ装置の処理の例を示している。
図7は、本開示に係る技術を適用した固体撮像装置を搭載したカメラ装置の処理の例を示している。
図7において、固体撮像装置10(10A,10B)を搭載したカメラ装置1は、画素アレイ部11に配列された画素100(全画素)のうち、任意の画素100を間引いて得られる電荷(アナログメモリ122から非破壊で読み出された電荷)に基づいた画像(縮小画像)をメイン処理に先行して出力し、その後に縮小画像を利用してメイン処理を行う機能を有している。ここでは、カメラ装置1にて実行可能なメイン処理として、3つの処理を例示する。
第1に、カメラ装置1では、縮小画像に含まれる物体を検出し、検出した物体を含む任意の領域(ROI領域)の画像(ROI画像)を抽出する処理を行うことができる(図7のA)。
例えば、この処理では、複数の画素100ごとにアナログメモリ122に保持された電荷であって、縮小画像(2台の車を含む広範囲の領域の画像)を生成したときと同一の露光による電荷を非破壊で読み出して、ROI画像(2台の車の拡大画像)を生成することができる。すなわち、間引き読み出しで得られる縮小画像と、ROI読み出しで得られるROI画像とは同時性を有しているため、例えば、縮小画像を用いた物体の検出結果に基づき、切り出し領域や縮小率を変えて再度電荷を読み出した場合でも、画像上の位置やサイズ、形状等は正確に継承可能であり、視認性を向上させることが可能となる(より処理性能を向上させることができる)。
第2に、カメラ装置1では、縮小画像による画像処理を実行しつつ、アナログメモリ122に保持された電荷を非破壊で読み出して並列化した処理を実行することができる(図7のB)。
例えば、ここでは、画素アレイ部11に配列された全ての画素100(全画素)のアナログメモリ122に保持された電荷を読み出して、高解像度の撮像画像(2台の車を含む高解像度画像)を生成する処理を、縮小画像(2台の車を含む低解像度画像)を用いた画像処理と並列して実行することができる。すなわち、縮小画像を用いた画像処理と、全画素読み出しの処理を並列化して、その処理時間を短縮することができるため、例えばスループットやレスポンスを向上させることが可能となる(より処理性能を向上させることができる)。
第3に、カメラ装置1では、縮小画像の撮像状態に応じて、AD変換の前後の信号処理を再度実行することができる(図7のC)。
例えば、ここでは、画素100のアナログメモリ122に保持された電荷であって、縮小画像(1回目に最適化した画像)を生成したときと同一の露光による電荷を非破壊で全画素読み出しして、縮小画像における所定の領域ごとの撮像状態(例えば明るさやコントラスト等)に応じて、AD変換の前後の信号処理(例えばゲインやクランプ等)をかけ直して、再最適化された画像(2回目に最適化された画像)を生成することができる。すなわち、縮小画像の撮像状態に応じて、全画素読み出しを行うとともにアナログゲインを再度かけ直してAD変換するなどの再最適化を行うことができるため、例えば視認性や認識性能を向上させることが可能となる(より処理性能を向上させることができる)。
なお、図8のタイミングチャートは、縮小画像を用いて物体検出と画像認識を行う場合の処理のタイミングの例を示している。図8において、固体撮像装置10を搭載したカメラ装置1では、間引き読み出しで得られる縮小画像を用いた物体検出処理によって、縮小画像から物体が検出され、その物体検出の結果に応じたROI領域のROI読み出しがなされ、最適な明るさやコントラストに最適化(再最適化)されたROI画像が生成される。そして、カメラ装置1では、最適化されたROI画像を用いた物体認識処理を行うことが可能となるため、物体の認識性能(例えば人の顔や、車の車種等の認識性能)を向上させることができる。
また、図6ないし図8の説明では、説明の都合上、固体撮像装置10A(図1)として、画素アレイ部11が設けられる場合を中心に説明したが、画素アレイ部11の代わりに、フォトダイオードアレイ部11Aとアナログメモリアレイ部11Bが設けられる固体撮像装置10B(図4)であっても同様の処理を行うことができる。
以上、第1の実施の形態について説明した。第1の実施の形態の固体撮像装置10(10A,10B)では、一定の周期、又は所定のタイミングで露光を行う際に、グローバルシャッタ方式によって全画素の同時露光が行われるようにし、画素100ごとにフォトダイオード111に蓄積された電荷を転送してアナログメモリ122に保持するようにしている。これにより、画素100ごとにアナログメモリ122に保持された電荷を読み出す際には、非破壊でそのまま読み出すようにして、繰り返し何度でも読み出して処理することができる。
また、固体撮像装置10(10A,10B)では、2次元状に配列される複数の画素100ごとにアナログメモリ122に保持された電荷を非破壊で読み出すに際して、適応的に読み出すことができる。例えば、複数の画素100ごとにアナログメモリ122に保持された電荷が、画像フレーム内の任意の領域や、駆動モードに応じて読み出されるようにすることができる。ここで、任意の領域としては、例えば全領域やROI領域などが含まれる。また、駆動モードとしては、例えば、全画素駆動や間引き駆動、画素加算読み出し駆動などが含まれる。なお、全画素駆動、間引き駆動、及び画素加算読み出し駆動による読み出しの詳細については、図45ないし図46、図47ないし図48、及び図49ないし図51をそれぞれ参照して後述する。
また、例えば、露光のタイミングは、例えばフレームレートに応じた一定の周期や、トリガ信号が通知されたときなどの所定のタイミングとすることができるが、この所定のタイミングに応じて、複数の画素100ごとにアナログメモリ122に保持された電荷が非破壊で読み出されるようにしてもよい。
さらに、例えば、固体撮像装置10(10A,10B)が、カメラ装置1の制御部(例えば、後述の図37のCPU1001)とのシリアル通信によって設定情報をレジスタに記憶し、その設定情報に基づき、駆動部12によって、複数の画素100ごとにアナログメモリ122に保持された電荷が非破壊で読み出されるようにしてもよい。また、例えば、カラムADC部13によるAD変換の前後の信号処理(例えばゲインやクランプ等)に応じて、複数の画素100ごとにアナログメモリ122に保持された電荷を非破壊で読み出すようにしてもよい。
なお、固体撮像装置10(10A,10B)を搭載したカメラ装置1では、例えば、画像フレーム内の任意の領域を間引き読み出しや画素加算読み出しによって非破壊読み出しすることで、縮小画像を高速に出力し、その後、先の縮小画像と同時刻に撮像された任意の領域の画像(例えば高解像度画像やROI画像等)を、全画素読み出し(又は間引き読み出しや画素加算読み出し)によって非破壊読み出して出力することができる。
また、複数の画素100ごとにアナログメモリ122に保持された電荷を非破壊で読み出す場合において、全画素読み出しを行ったときには、解像度をより高めることはできるが、感度は低くなる一方で、画素加算読み出しを行ったときには、解像度は低くなるが、感度をより高めることができる。さらに、間引き読み出しを行ったときには、解像度は全画素読み出しのときよりも低くなり、感度は画素加算読み出しのときよりも低くなる。このように、解像度と感度のバランスは読み出しの方式によっても異なるが、固体撮像装置10(10A,10B)では、複数の画素100ごとにアナログメモリ122に保持された電荷を繰り返し何度でも読み出すことができるため、最適なバランスを見出すことができる。
<2.第2の実施の形態>
ところで、上述した第1の実施の形態の固体撮像装置10の構成は、画素100のアナログメモリ122に電荷を保持して非破壊読み出しをする構成であるため、アナログメモリ122に電荷を保持した状態で、新たな露光によりフォトダイオード111に蓄積された電荷を読み出すことはできない。
そこで、第2の実施の形態の固体撮像装置20では、図9の概要図に示すように、画素200にて読み出される電荷として、フォトダイオード(PD)211に蓄積された電荷と、アナログメモリ(MEM)222に保持されている電荷とを切り替え可能な構成を採用する。
このような構成を採用することで、第2の実施の形態の固体撮像装置20では、フォトダイオード部201のフォトダイオード211に蓄積された電荷を、アナログメモリ部202に転送してアナログメモリ222に保持しつつ、新たな露光によってフォトダイオード211に蓄積された電荷を読み出すことが可能になる(図10)。
図11は、第2の実施の形態の画素200の構成の例を示している。
図11において、画素200は、フォトダイオード部201と、アナログメモリ部202とから構成される。フォトダイオード部201は、フォトダイオード211、リセットトランジスタ212、転送トランジスタ213、増幅トランジスタ214、及び選択トランジスタ215を含む。アナログメモリ部202は、転送トランジスタ221、アナログメモリ222、リセットトランジスタ223、増幅トランジスタ224、及び選択トランジスタ225を含む。
フォトダイオード部201において、フォトダイオード211は、その一端であるアノード電極が接地され、その他端であるカソード電極が転送トランジスタ213のソースに接続されている。また、フォトダイオード部201において、転送トランジスタ213のドレインは、リセットトランジスタ212のソースと増幅トランジスタ214のゲートに接続されており、この接続点が、浮遊拡散領域としてのフローティングディフュージョン216を構成している。
転送トランジスタ213は、フォトダイオード211とフローティングディフュージョン216との間に接続される。転送トランジスタ213のゲートには、駆動部22(図12又は図14等)からの駆動信号TRG-Pが印加される。この駆動信号TRG-Pがアクティブ状態になると、転送トランジスタ213の転送ゲートが導通状態となり、フォトダイオード211に蓄積されている電荷が、フローティングディフュージョン216に転送される。
フローティングディフュージョン216は、転送トランジスタ213により転送された電荷を電圧信号に電荷電圧変換して、増幅トランジスタ214(のゲート)に出力する。
リセットトランジスタ212は、フローティングディフュージョン216と電源部との間に接続される。リセットトランジスタ212のゲートには、駆動部22(図12又は図14等)からの駆動信号RST-Pが印加される。この駆動信号RST-Pがアクティブ状態になると、リセットトランジスタ212のリセットゲートが導通状態となり、フローティングディフュージョン216がリセットされる。
増幅トランジスタ214は、そのゲートがフローティングディフュージョン216に接続され、ドレインが電源部に接続されており、フローティングディフュージョン216が保持している電圧信号の読み出し回路、いわゆるソースフォロア回路の入力部となる。すなわち、増幅トランジスタ214は、そのソースが選択トランジスタ215を介して垂直信号線231に接続されることで、垂直信号線231の一端に接続される定電流回路261(図12又は図14等)とソースフォロア回路を構成する。
選択トランジスタ215は、増幅トランジスタ214のソースと垂直信号線231との間に接続される。選択トランジスタ215のゲートには、駆動部22(図12又は図14等)からの駆動信号SEL-Pが印加される。この駆動信号SEL-Pがアクティブ状態になると、選択トランジスタ215が導通状態となり、画素200が選択状態となる。これにより、増幅トランジスタ214から出力される読み出し信号(画素信号)が、選択トランジスタ215を介して垂直信号線231に出力される。
画素200において、アナログメモリ部202は、図2のアナログメモリ部102と同様に構成される。すなわち、転送トランジスタ221は、フォトダイオード211に蓄積されている電荷を、フォトダイオード部201側からアナログメモリ部202側に転送する。転送トランジスタ221により転送された電荷は、アナログメモリ222に保持される。
そして、アナログメモリ222に保持される電荷は、所定のタイミングで読み出され、フローティングディフュージョン226により電圧信号に変換され、増幅トランジスタ224(のゲート)に出力される。増幅トランジスタ224は、フローティングディフュージョン226が保持している電圧信号の読み出し回路として機能し、その読み出し信号(画素信号)が、選択トランジスタ225を介して垂直信号線231に出力される。
以上のように構成される画素200において、アナログメモリ部202側では、転送トランジスタ221とリセットトランジスタ223のゲートに印加される駆動信号TRG-M,RST-Mが、センサ内で共通に制御される一方で、選択トランジスタ225のゲートに印加される駆動信号SEL-Mが、ライン単位(行単位)で制御されることで、フォトダイオード部201のフォトダイオード211に蓄積された電荷が転送されてアナログメモリ222に保持されるとともに、アナログメモリ222に保持された電荷(に応じた画素信号)が非破壊で読み出される。
また、画素200において、フォトダイオード部201側では、選択トランジスタ215のゲートに印加される駆動信号SEL-Pがライン単位(行単位)で制御されるが、リセットトランジスタ212と転送トランジスタ213は、シャッタ方式に応じてそのゲートに印加される駆動信号RST-P,TRG-Pが制御されることで、フォトダイオード211に蓄積された電荷(に応じた画素信号)が読み出される。すなわち、リセットトランジスタ212と転送トランジスタ213は、そのシャッタ方式が、グローバルシャッタ方式である場合にはセンサ単位で駆動され、ローリングシャッタ方式である場合にはライン単位で駆動される。ここでは、フォトダイオード部201側の選択トランジスタ215に印加される駆動信号SEL-Pと、アナログメモリ部202側の選択トランジスタ225に印加される駆動信号SEL-Mとが同時にアクティブ状態にならないように制御(排他制御)して、フォトダイオード211に蓄積された電荷と、アナログメモリ222に保持された電荷とが同時に読み出されないようにしている。
なお、任意の複数の画素200ごとに、フォトダイオード部201側のリセットトランジスタ212、増幅トランジスタ214、及び選択トランジスタ215を共有してもよく、そのような共有対象の画素200では、フォトダイオード部201が、フォトダイオード211及び転送トランジスタ213を含む領域203A内の素子により構成される。また、任意の複数の画素200ごとに、アナログメモリ部202側のリセットトランジスタ223を共有してもよく、そのような共有対象の画素200では、アナログメモリ部202が、リセットトランジスタ223を除いた領域203B内の素子により構成される。
(固体撮像装置の構成の第1の例)
ところで、第2の実施の形態の固体撮像装置20は、第1の実施の形態の固体撮像装置10と同様に、画素200のフォトダイオード部201とアナログメモリ部202を、画素アレイ部21に配列した構成と、フォトダイオードアレイ部21Aとアナログメモリアレイ部21Bに分離して配列した構成のいずれを採用してもよい。そこで、以下、それらの構成を順に説明する。
ところで、第2の実施の形態の固体撮像装置20は、第1の実施の形態の固体撮像装置10と同様に、画素200のフォトダイオード部201とアナログメモリ部202を、画素アレイ部21に配列した構成と、フォトダイオードアレイ部21Aとアナログメモリアレイ部21Bに分離して配列した構成のいずれを採用してもよい。そこで、以下、それらの構成を順に説明する。
図12は、本開示に係る技術を適用した固体撮像装置の構成の第1の例を示す図である。
図12において、固体撮像装置20Aは、固体撮像装置10A(図1)と同様に、画素アレイ部21、駆動部22、及びカラムADC部23を含んで構成される。画素アレイ部21には、複数の画素200(i,j)が2次元状に配列される。画素アレイ部21に配列された複数の画素200(i,j)は、駆動部22からの駆動信号に応じて駆動されて、アナログメモリ222に保持された電荷、又はフォトダイオード211に蓄積された電荷が読み出され、垂直信号線231−jを介して、カラムADC部23に入力される。
カラムADC部23には、画素アレイ部21に2次元状に配列された画素200(i,j)の列ごとにADC251−jが設けられる。ADC251−jにおいては、比較器262によって、垂直信号線231−jからの信号電圧(Vx)と、DAC252からのランプ波(Ramp)の参照電圧(Vref)とが比較され、その比較結果に応じたレベルの出力信号が、カウンタ263によってカウントされ、そのカウント値がFF回路253−jに出力される。そして、FF回路253−jに保持されたカウント値は、順次水平出力線に転送される。
なお、固体撮像装置20Aにおいては、固体撮像装置10A(図1)と同様に、画素アレイ部21とカラムADC部23とを積層した積層構造(2層構造)を採用することができる。
図13は、図12の固体撮像装置20Aのデータフローを示している。
固体撮像装置20Aにおいて、画素アレイ部21に配列された画素200(i,j)では、グローバルシャッタ方式での露光(E31)によってフォトダイオード211に蓄積された電荷が、フォトダイオード部201からアナログメモリ部202に転送され(T31)、アナログメモリ222に保持される。
そして、画素200(i,j)のアナログメモリ222に保持された電荷は、駆動部22からの駆動信号に応じて非破壊で読み出され(R31)、垂直信号線231−jを介してカラムADC部23に入力される。
カラムADC部23において、列ごとに配列されたADC251−jでは、画素200(i,j)のアナログメモリ222から非破壊で読み出された信号電圧(Vx)と、DAC252からのランプ波の参照電圧(Vref)とが比較され、その比較結果に応じたカウントがなされることで、アナログ信号がデジタル信号に変換され、外部に出力される。
このとき、画素200(i,j)では、アナログメモリ222に電荷を保持した状態で、新たな露光によって電荷を読み出す場合には、ローリングシャッタ方式での露光(E32)を行い、その新たな露光によりフォトダイオード211に蓄積された電荷を、アナログメモリ222に転送せずに、フォトダイオード部201側から読み出すようにする(R32)。フォトダイオード部201側から読み出された電荷は、垂直信号線231−jを介してカラムADC部23(のADC251−j)に入力され、アナログ信号からデジタル信号に変換される。
このように、固体撮像装置20Aにおいては、画素200ごとにアナログメモリ222に保持された電荷を読み出すに際し、非破壊で読み出すため、1回の露光によってフォトダイオード211に蓄積された電荷であって、アナログメモリ222に転送されて保持されている電荷を何度でも繰り返し読み出すことができる。また、固体撮像装置20Aにおいては、画素200ごとにアナログメモリ222に電荷を保持しつつ、ローリングシャッタ方式での新たな露光によってフォトダイオード211に蓄積された電荷を読み出すことができる。
(固体撮像装置の構成の第2の例)
図14は、本開示に係る技術を適用した固体撮像装置の構成の第2の例を示す図である。
図14は、本開示に係る技術を適用した固体撮像装置の構成の第2の例を示す図である。
図14において、固体撮像装置20Bは、固体撮像装置10B(図4)と同様に、フォトダイオードアレイ部21A、アナログメモリアレイ部21B、駆動部22、及びカラムADC部23を含んで構成される。
すなわち、固体撮像装置20B(図14)は、固体撮像装置20A(図12)と比べて、画素アレイ部21の代わりに、複数のフォトダイオード部201を2次元状に配列したフォトダイオードアレイ部21Aと、複数のアナログメモリ部202を2次元状に配列したアナログメモリアレイ部21Bとが積層されている。
ここで、第1の層に形成されたフォトダイオードアレイ部21Aにおけるフォトダイオード部201のフォトダイオード211(のカソード電極)と、第2の層に形成されたアナログメモリアレイ部21Bにおけるアナログメモリ部202の転送トランジスタ221(のソース)とは、貫通ビア(VIA)を介して信号線によって接続される。
また、フォトダイオードアレイ部21Aにおけるフォトダイオード部201の選択トランジスタ215(のソース)は、貫通ビア(VIA)を介して垂直信号線231−jに接続される。このようにして、フォトダイオード部201とアナログメモリ部202とが積層されて画素200(i,j)が構成される。
なお、図14において、カラムADC部23の構成は、図12に示した構成と同様である。また、固体撮像装置20Bにおいては、固体撮像装置10B(図4)と同様に、フォトダイオードアレイ部21Aと、アナログメモリアレイ部21Bと、カラムADC部23とを積層した積層構造(3層構造)を採用することができる。
図15は、図14の固体撮像装置20Bのデータフローを示している。
固体撮像装置20Bにおいて、フォトダイオードアレイ部21Aに配列されたフォトダイオード部201では、グローバルシャッタ方式での露光(E41)によってフォトダイオード211に蓄積された電荷が、アナログメモリアレイ部21Bに配列されたアナログメモリ部202に転送され(T41)、アナログメモリ222に保持される。
そして、画素200(i,j)のアナログメモリ部202のアナログメモリ222に保持された電荷は、駆動部22からの駆動信号に応じて非破壊で読み出され(R41)、垂直信号線231−jを介してカラムADC部23に入力され、AD変換がなされる。
このとき、画素200(i,j)では、アナログメモリ222に電荷を保持した状態で、新たな露光のよって電荷を読み出す場合には、ローリングシャッタ方式での露光(E42)が行われるようにする。そして、その新たな露光によってフォトダイオード211に蓄積された電荷は、駆動部22からの駆動信号に応じて、フォトダイオード部201側から読み出され(R42)、垂直信号線231−jを介してカラムADC部23に入力され、AD変換がなされる。
このように、固体撮像装置20Bにおいては、画素200ごとにアナログメモリ222に保持された電荷を読み出すに際し、非破壊で読み出すため、1回の露光によってフォトダイオード211に蓄積された電荷であって、アナログメモリ222に転送されて保持されている電荷を何度でも繰り返し読み出すことができる。また、固体撮像装置20Bにおいては、画素200ごとにアナログメモリ222に電荷を保持しつつ、ローリングシャッタ方式での新たな露光によってフォトダイオード211に蓄積された電荷を読み出すことができる。
(駆動方法の例)
次に、図16のタイミングチャートを参照しながら、第2の実施の形態の固体撮像装置20(20A,20B)の画素200の駆動方法の例を説明する。なお、図16においては、比較のために、図16のAに第1の実施の形態の駆動方法を示し、図16のBに第2の実施の形態の駆動方法を示している。
次に、図16のタイミングチャートを参照しながら、第2の実施の形態の固体撮像装置20(20A,20B)の画素200の駆動方法の例を説明する。なお、図16においては、比較のために、図16のAに第1の実施の形態の駆動方法を示し、図16のBに第2の実施の形態の駆動方法を示している。
すなわち、第1の実施の形態の駆動方法の場合には、1回目の露光によってフォトダイオード111に蓄積された電荷を転送した後であって、2回目の露光によってフォトダイオード111に蓄積された電荷を転送する前の期間T1であれば、1回目の露光によってアナログメモリ122に保持された電荷を何度でも読み出すことができる(図16のA)。ただし、この期間T1においては、新たな露光は可能であるが、フォトダイオード111に蓄積した電荷を読み出すことができない。
一方で、第2の実施の形態の駆動方法の場合には、1回目の露光によってフォトダイオード211に蓄積された電荷をアナログメモリ222に転送した後となる期間T2であっても、1回目の露光によってアナログメモリ222に電荷を保持した状態で、新たな露光(ローリングシャッタ方式での露光)によってフォトダイオード211に蓄積(RS蓄積)された電荷を読み出すことができる(図16のB)。
例えば、固体撮像装置20では、期間T2に、画素アレイ部21に配列された複数の画素200(全画素)のうち、任意の画素200を間引いて読み出したり、あるいは、画像フレーム内の対象の領域(ROI領域)に対応した画素200を読み出したりすることができる(図16のB)。さらに、固体撮像装置20では、期間T2に、画素200のアナログメモリ222に電荷を保持した状態で、ローリングシャッタ方式での露光によってフォトダイオード211に蓄積(RS蓄積)された電荷を読み出すことができる。
(応用例)
図17は、本開示に係る技術を適用した固体撮像装置を搭載したカメラ装置の処理の例を示している。
図17は、本開示に係る技術を適用した固体撮像装置を搭載したカメラ装置の処理の例を示している。
図17において、固体撮像装置20(20A,20B)を搭載したカメラ装置2は、撮像画像(画像フレーム)に基づいた動画のストリーミング再生を行っている途中で、任意の画像フレームに対する処理を行うことできる。
例えば、この処理では、ローリングシャッタ方式での露光によって画素200のフォトダイオード211に蓄積された電荷を読み出すことで、画像フレームが生成され、動画(左右反対方向に走っている2台の車の映像)のストリーミング再生が行われる(図17のA)。ここで、2枚目の画像フレーム(図17のA)の撮像時に、フォトダイオード211に蓄積された電荷を、画素200のアナログメモリ222に転送して保持する(図17のB)。これにより、画素200ごとにアナログメモリ222に保持された電荷であって、2枚目の画像フレーム(図17のA)に対応した電荷を非破壊で読み出すことが可能となる(図17のB)。
そして、この処理では、画素200ごとにアナログメモリ222に保持された電荷を非破壊で読み出すことで、2枚目の画像フレーム(図17のA)に対応した撮像画像(左右反対方向に走っている2台の車の画像)が生成され、生成された撮像画像に含まれる物体(2台の車)が検出され、検出された物体を含む任意の領域のROI画像(2台の車の拡大画像)が生成される(図17のB)。
なお、図16ないし図17の説明では、説明の都合上、固体撮像装置20A(図12)として、画素アレイ部21が設けられる場合を中心に説明したが、画素アレイ部21の代わりに、フォトダイオードアレイ部21Aとアナログメモリアレイ部21Bが設けられる固体撮像装置20B(図14)でも同様である。
以上、第2の実施の形態について説明した。この第2の実施の形態の固体撮像装置20(20A,20B)では、フォトダイオード211に蓄積された電荷の読み出しと、アナログメモリ222に保持された電荷の読み出しとを切り替え可能な画素200を設けるようにしている。これにより、第1の露光によってフォトダイオード211に蓄積された電荷をアナログメモリ222に転送して保持しつつ、第2の露光によってフォトダイオード211に蓄積された電荷を読み出すことができるため、アナログメモリ222に保持された電荷を非破壊で繰り返し何度でも読み出すことができるだけでなく、新たな露光で得られる電荷を読み出すことができる。
すなわち、アナログメモリ222に保持された電荷を非破壊で読み出す機能だけであると、フレームレートに応じた一定周期で撮像する場合などにおいては、同一の露光での電荷を読み出せる期間は、その周期内に限定され、例えば物体検出の処理に時間を要してしまい、その検出結果に応じて同一の露光での電荷をさらに読み出す場合に、その間の被写体の状況を把握できずに利便性が悪くなる恐れがある。それに対し、新たな露光で得られる電荷を読み出す機能を追加することで、例えば、アナログメモリ222に電荷を保持するかどうかを任意に選択可能となるため、利便性を向上させることができる。
ここで、第1の露光では、例えば、グローバルシャッタ方式又はローリングシャッタ方式での露光が行われる。一方で、第2の露光では、例えば、ローリングシャッタ方式での露光が行われる。ここでは、第1の露光と第2の露光とを共に、ローリングシャッタ方式で行われるようにすることで、ローリングシャッタ歪みの観点からも、第1の露光によってアナログメモリ222に保持された電荷を読み出すことで得られる撮像画像と、第2の露光によってフォトダイオード211に蓄積された電荷を読み出すことで得られる撮像画像との画像間での同時性を向上させることができる。
また、固体撮像装置20(20A,20B)では、固体撮像装置10と同様に、2次元状に配列される複数の画素200ごとにアナログメモリ222に保持された電荷を非破壊で読み出すに際して、適応的に読み出すことができる。例えば、複数の画素200ごとにアナログメモリ222に保持された電荷が、画像フレーム内の任意の領域(例えば全領域やROI領域等)や、駆動モード(例えば、全画素駆動や間引き駆動、画素加算読み出し駆動等)に応じて読み出されるようにすることができる。
また、例えば、露光のタイミングは、例えばフレームレートに応じた一定の周期や、トリガ信号が通知されたときなどの所定のタイミングとすることができるが、この所定のタイミングに応じて、複数の画素200ごとにアナログメモリ122に保持された電荷が非破壊で読み出されるようにしてもよい。また、例えば、カラムADC部23によるAD変換の前後の信号処理(例えばゲインやクランプ等)に応じて、複数の画素200ごとにアナログメモリ222に保持された電荷を非破壊で読み出すようにしてもよい。
なお、上述した説明では、第1の露光によってアナログメモリ222に保持された電荷と、第2の露光によってフォトダイオード211に蓄積された電荷とが別々に読み出される場合を説明したが、アナログメモリ222に保持された電荷とフォトダイオード211に蓄積された電荷とを加算して読み出すようにしてもよい。また、この加算読み出し(PD+MEM加算読み出し)を行う場合には、第1の露光と第2の露光とを同一の露光としてもよい。
また、画素200ごとにアナログメモリ222に保持された電荷、又は画素200のフォトダイオード211に蓄積された電荷を読み出す場合において、全画素読み出しを行ったときには、解像度をより高めることはできるが、感度は低くなる一方で、画素加算読み出しを行ったときには、解像度は低くなるが、感度をより高めることができる。さらに、間引き読み出しを行ったときには、解像度は全画素読み出しのときよりも低くなり、感度は画素加算読み出しのときよりも低くなる。
このように、解像度と感度、露光時間(回数)のバランスは読み出しの方式によっても異なるが、固体撮像装置20(20A,20B)では、複数の画素200ごとにアナログメモリ222に保持された電荷を繰り返し何度でも読み出すとともに、新たな露光で得られる電荷を読み出すことができるため、最適なバランスを見出すことができる。
<3.第3の実施の形態>
ところで、従来のカメラ装置では、例えば、SN優先モード(高感度・低ノイズ優先モード)や、動き優先モード等、様々な撮影モードが用意されているが、搭載される固体撮像装置の露光と、AD変換の前後の信号処理は1回だけである。そのため、被写体によっては、その撮像画像上に白飛びや黒潰れが発生してしまう場合があった。
また、従来のカメラ装置には、WDR(Wide Dynamic Range)モード等、短時間と長時間の複数回の露光結果を合成することで、視認性を高めているものも存在するが、複数回の露光の間に被写体の変化があったとしても、既に露光した電荷量を変えることはできないため、その撮像画像上に偽色やブラーが発生する場合があるなど視認性の向上が求められていた。
そこで、第3の実施の形態の固体撮像装置30では、画素300内に複数のアナログメモリ332を設けて、各アナログメモリ332に保持される電荷として、1回の露光を時分割してフォトダイオード311に蓄積された電荷が転送されるようにし、かつ、各アナログメモリ322に保持された電荷が選択的に加算されて出力されるようにする(図18ないし図20)。
より具体的には、図18のタイミングチャートに示すように、従来の駆動方法の場合には、1回目の露光によってフォトダイオードに蓄積された電荷が、そのまま転送されていた(図18のA)。一方で、固体撮像装置30の画素300の駆動方法の場合には、1回の露光が時分割(例えば、T11,T12,T13,T14の4分割)され、フォトダイオード311に蓄積(例えば、蓄積#1,蓄積#2,蓄積#3,蓄積#4)された電荷が、順次アナログメモリ322−1ないし322−4にそれぞれ転送(例えば、転送#1,転送#2,転送#3,転送#4)される(図18のB)。このようにしてアナログメモリ322−1ないし322−4にそれぞれ保持された電荷は、適宜、選択的に非破壊で読み出すことができる。
ここで、図19には、露光量の時間的変化として、被写体の動きがない場合の光の波動(図19のA)と、被写体の動きがある場合の光の波動(図19のB)を示している。また、それらの光の波動に応じた画素値の積分の結果は、例えば、図19のCに示すようになる。図19のCにおいては、点線Aが、図19のAの光の波動に応じた画素値の積分の結果を表し、実線Bが、図19のBの光の波動に対応した画素値の積分の結果を表している。すなわち、画素値の積分の結果としては、変化がない場合にはリニアになり、変化がある場合には変則的になるが、固体撮像装置30では、これを検出するようにする。
すなわち、固体撮像装置30では、1回の露光を時分割(例えば、T11,T12,T13,T14の4分割)するため、1回の露光内における電荷量の変化や飽和のタイミングを検出することが可能となる(図20)。そのため、固体撮像装置30では、画素300のアナログメモリ322−1ないし322−4に保持された電荷を再度読み出す場合には、適切な電荷だけを選択的に読み出して適宜加算してから、AD変換の前後の信号処理(例えば、AGC(Auto Gain Control)等)を行うことができる(図20)。これにより、後段の処理部では、例えば、白飛びや動きブラー、黒潰れを排除した撮像画像を生成することが可能となる。
図21は、第3の実施の形態の画素300の構成の第1の例を示している。
図21において、画素300Aは、フォトダイオード部301Aと、アナログメモリ部302Aとから構成される。
フォトダイオード部301Aは、フォトダイオード311、及びリセットトランジスタ312を含む。すなわち、フォトダイオード部301は、図2のフォトダイオード部101と同様に構成され、フォトダイオード311に蓄積されている電荷を、フォトダイオード部301A側からアナログメモリ部302A側に転送する。
アナログメモリ部302Aは、タップ303−1ないし303−4を含んで構成される。アナログメモリ部302Aにおいて、タップ303−1は、図2のアナログメモリ部102と同様に構成され、転送トランジスタ321−1、アナログメモリ322−1、リセットトランジスタ323−1、増幅トランジスタ324−1、及び選択トランジスタ325−1を含む。
また、図示は省略しているが、タップ303−2ないし303−4は、タップ303−1と同様に構成され、転送トランジスタ321−n、アナログメモリ322−n、リセットトランジスタ323−n、増幅トランジスタ324−n、及び選択トランジスタ325−nをそれぞれ含んでいる。ただし、nは、タップ303−n(n=2,3,4)に対応した値とされる。
アナログメモリ部302Aにおいては、駆動部32(図23)からの駆動信号に従い、タップ303−1ないし303−4のそれぞれに設けられた画素トランジスタが駆動することで、1回の露光を任意の数で分割(最大4分割)してフォトダイオード311に蓄積された電荷を、4段のタップ303−1ないし303−4のうち、任意のタップ303のアナログメモリ322に転送する。このように、アナログメモリ部302Aには、4段のタップ303−1ないし303−4が設けられているため、1回の露光を時分割して得られる電荷を順次、アナログメモリ322−1ないし322−4のいずれかに保持することができる。
また、アナログメモリ部302Aにおいては、駆動部32(図23)からの駆動信号に従い、タップ303−1ないし303−4のそれぞれに設けられた画素トランジスタが駆動することで、4段のタップ303−1ないし303−4のアナログメモリ322−1ないし322−4に保持された電荷が選択的に読み出される。そして、アナログメモリ322−1ないし322−4から選択的に読み出された電荷(に応じた画素信号)は、必要に応じて画素加算ポイント304で加算(アナログ加算)され、垂直信号線331に出力される。
なお、画素300Aにおいて、リセットトランジスタ312と、転送トランジスタ321−1ないし321−4と、リセットトランジスタ323−1ないし323−4のゲートに印加される駆動信号RST-P,TRG-M,RST-Mは、センサ内で共通に(センサ単位で)制御される一方で、選択トランジスタ325−1ないし325−4のゲートに印加される駆動信号SEL-Mは、ライン単位(行単位)で制御される。また、任意の複数の画素300ごとに、アナログメモリ部302Aのリセットトランジスタ323が共有されるようにしてもよい。
また、画素300Aにおいては、4段のタップ303−1ないし303−4を含むアナログメモリ部302Aの構成を示したが、タップ303の段数は任意であり、例えば、6段や8段等からなるタップ303を含むようにしてもよい。すなわち、画素300A内のアナログメモリ322の数と各容量(電荷を蓄える量)は、任意である。例えば、画素300A内で、全てのアナログメモリ322が同一の容量であってもよし、あるいはアナログメモリ322ごとに容量が異なるようにしてもよい。
さらに、固体撮像装置30は、固体撮像装置10と同様に、画素300Aのフォトダイオード部301Aとアナログメモリ部302Aを、画素アレイ部31(11)に配列した構成と、フォトダイオードアレイ部31A(11A)とアナログメモリアレイ部31B(11B)に分離して配列した構成のいずれを採用してもよい。すなわち、前者の構成の場合には、固体撮像装置30Aは、図1に示した構成を有し、図3に示したデータフローによって転送や読み出しが行われる。また、後者の構成の場合には、固体撮像装置30Bは、図4に示した構成を有し、図5に示したデータフローによって転送や読み出しが行われる。
図22は、第3の実施の形態の画素300の構成の第2の例を示している。
図22において、画素300Bは、フォトダイオード部301Bと、アナログメモリ部302Bとから構成される。
フォトダイオード部301Bは、フォトダイオード311、リセットトランジスタ312、転送トランジスタ313、増幅トランジスタ314、及び選択トランジスタ315を含む。すなわち、フォトダイオード部301Bは、図11のフォトダイオード部201と同様に構成され、フォトダイオード311に蓄積された電荷は、フォトダイオード部301B側からアナログメモリ部302B側に転送されるだけでなく、フォトダイオード部301B側から垂直信号線331に直接出力することができる。
アナログメモリ部302Bは、図21のアナログメモリ部302Aと同様に、タップ303−1ないし303−4を含んで構成される。すなわち、アナログメモリ部302Bにおいて、タップ303−1は、図11のアナログメモリ部202と同様に構成され、転送トランジスタ321−1、アナログメモリ322−1、リセットトランジスタ323−1、増幅トランジスタ324−1、及び選択トランジスタ325−1を含む。また、図示は省略しているが、タップ303−2ないし303−4は、タップ303−1と同様に構成される。
アナログメモリ部302Bにおいては、駆動部32(図23)からの駆動信号に従い、タップ303−1ないし303−4のそれぞれに設けられた画素トランジスタが駆動され、1回の露光を任意の数で分割(最大4分割)して得られる電荷が、任意のタップ303のアナログメモリ322に転送されて保持される。そして、アナログメモリ部302Bでは、駆動部32(図23)からの駆動信号に従い、アナログメモリ322−1ないし322−4に保持された電荷が選択的に読み出され、必要に応じて画素加算ポイント304で加算(アナログ加算)されて出力される。
なお、画素300Bにおいて、フォトダイオード部301B側では、選択トランジスタ315のゲートに印加される駆動信号SEL-Pは、ライン単位(行単位)で制御されるが、リセットトランジスタ312と転送トランジスタ313は、シャッタ方式に応じてそのゲートに印加される駆動信号RST-P,TRG-Pが制御されることで、フォトダイオード211に蓄積された電荷(に応じた画素信号)が読み出される。すなわち、リセットトランジスタ312と転送トランジスタ313は、グローバルシャッタ方式の場合にはセンサ単位で駆動され、ローリングシャッタ方式の場合にはライン単位で駆動される。また、任意の複数の画素300ごとに、フォトダイオード部301B側では、リセットトランジスタ312と、転送トランジスタ313と、選択トランジスタ315が共有されるようにしてもよい(領域303B)。
また、画素300Bのアナログメモリ部302Bにおいては、画素300Aのアナログメモリ部302Aと同様に、任意の段数のタップ303を設けることができる。すなわち、画素300B内のアナログメモリ322の数と各容量(電荷を蓄える量)は、任意である。
さらに、固体撮像装置30は、固体撮像装置20と同様に、画素300Bのフォトダイオード部301Bとアナログメモリ部302Bを、画素アレイ部31(21)に配列した構成と、フォトダイオードアレイ部31A(21A)とアナログメモリアレイ部31B(21B)に分離して配列した構成のいずれを採用してもよい。すなわち、前者の構成の場合には、固体撮像装置30Aは、図12に示した構成を有し、図13に示したデータフローによって転送や読み出しが行われる。また、後者の構成の場合には、固体撮像装置30Bは、図14に示した構成を有し、図15に示したデータフローによって転送や読み出しが行われる。
(固体撮像装置の構成の例)
図23は、本開示に係る技術を適用した固体撮像装置の構成の例を示す図である。
図23は、本開示に係る技術を適用した固体撮像装置の構成の例を示す図である。
図23において、固体撮像装置30Aは、画素アレイ部31、駆動部32、カラムADC部33、FIFO34,デジタル処理部35、及びレジスタ36を含んで構成される。画素アレイ部31には、複数の画素300(図21の画素300A又は図22の画素300B)が2次元状に配列される。
ここで、画素300(i,j)においては、1回の露光を任意の数で分割することで、フォトダイオード311に蓄積された電荷を、アナログメモリ部302内の4段のタップ303−1ないし303−4のうち、任意のタップ303のアナログメモリ322(少なくとも1以上のアナログメモリ322)に転送することができる。ここでは、最大分割数を4分割とし、分割した露光時間(例えば1H単位)と、転送先のアナログメモリ322を識別する情報(例えばタップ番号)とが設定される。
例えば、1回の露光を1分割する場合(露光を分割しない場合)には、露光時間として1回の露光時間T1が設定され、さらにその露光での電荷の転送先としてタップ303−1のアナログメモリ322−1(TAP#1)が設定される。このような設定が行われることで、露光時間T1において、1回の露光によってフォトダイオード311に蓄積された電荷を、アナログメモリ322−1(TAP#1)に転送することができる(図24のA)。
また、例えば、1回の露光を4分割する場合には、分割された各露光期間(T11,T12,T13,T14)がそれぞれ設定され、それらの露光での転送先としてタップ303−1ないし303−4のアナログメモリ322−1ないし322−4(TAP#1,TAP#2,TAP#3,TAP#4)がそれぞれ設定される。このような設定が行われることで、1回の露光が4分割され、露光時間T11にてフォトダイオード311に蓄積された電荷を、アナログメモリ322−1(TAP#1)に転送することができる(図24のBの「蓄積#1」、「転送#1」)。
同様に、露光時間T12において、フォトダイオード311に蓄積された電荷は、アナログメモリ322−2(TAP#2)に転送され(図24のBの「蓄積#2」、「転送#2」)、露光時間T13において、フォトダイオード311に蓄積された電荷は、アナログメモリ322−3(TAP#3)に転送され(図24のBの「蓄積#3」、「転送#3」)、露光時間T14において、フォトダイオード311に蓄積された電荷は、アナログメモリ322−4(TAP#4)に転送される(図24のBの「蓄積#4」、「転送#4」)。
このように、固体撮像装置30Aでは、1回の露光を時分割する時分割露光によって、フォトダイオード311に蓄積された電荷を順次、任意のタップ303のアナログメモリ322に転送することができる。そして、任意のタップ303のアナログメモリ322に保持された電荷は選択的に読み出され(非破壊で読み出され)、必要に応じて加算される。
例えば、図25に示すように、1回の露光を4分割した場合、4段のタップ303のアナログメモリ322−1ないし322−4には、フォトダイオード311から転送された電荷がそれぞれ保持されている。このとき、アナログメモリ322−1ないし322−4に保持された電荷を読み出すに際しては、任意のアナログメモリ322を選択可能である。また、複数のアナログメモリ322を選択した場合には、複数のアナログメモリ322から選択的に読み出した電荷を、アナログ加算(画素加算)することができる。
また、ここでは、アナログメモリ322に保持された電荷を読み出してAD変換する回数(例えば最大4回)、同時に読み出すアナログメモリ322の数(例えば4つであるメモリ数など)、及び同時に読み出すアナログメモリ322を識別する情報(例えばタップ番号)などが設定される。なお、同時に読み出すメモリ数として2以上が設定された場合には、読み出した電荷がアナログ加算(画素加算)される。また、この例の場合には、4段のタップ303が設けられているため、同時に読み出し可能なメモリ数は、最大で3つとされる。また、これらの設定情報は、回数分だけ設定される。
より具体的には、図26に示すように、読み出し回数として4回が設定され、1回目の読み出しで、同時に読み出すメモリ数が4つで、かつ、同時に読み出すメモリとしてTAP#1,TAP#2,TAP#3,TAP#4が設定された場合、タップ303−1ないし303−4のアナログメモリ322−1ないし322−4から電荷がそれぞれ読み出され、アナログ加算される(図26のA)。
また、2回目の読み出しでは、同時に読み出すメモリ数が2つで、かつ、同時に読み出すメモリとしてTAP#1,TAP#2が設定された場合、アナログメモリ322−1,322−2から電荷がそれぞれ読み出されてアナログ加算される(図26のB)。さらに、3回目の読み出しでは、同時に読み出すメモリ数が2つで、かつ、同時に読み出すメモリとしてTAP#3,TAP#4が設定された場合、アナログメモリ322−3,322−4から電荷がそれぞれ読み出されてアナログ加算される(図26のC)。また、4回目の読み出しでは、同時に読み出すメモリ数が1つ(TAP#4)に設定された場合、アナログメモリ322−4から電荷が読み出される(図26のD)。
また、固体撮像装置30Aでは、デジタル処理部35によって、カラムADC部33によるAD変換後のデジタル信号を処理する際に、同一の画素300から異なるタイミングで非破壊読み出しされた電荷のAD変換後のデジタル信号をデジタル加算することができる。
デジタル処理部35においては、加算部371によって、カラムADC部33から入力されるデジタル信号(画素300の現在のデジタル信号)と、FIFO34から入力されるデジタル信号(同一の画素300の過去のデジタル信号)とがデジタル加算される(図27)。ただし、デジタル処理部35においては、スイッチ372を切り替えることで、カラムADC部33からのデジタル信号を、FIFO34からのデジタル信号と加算して出力するか、あるいは加算せずにそのまま出力するかを選択することができる(図27)。
また、ここでは、AD変換後のデジタル信号をデジタル加算する回数のほか、各種の加算条件を設定することができる。なお、デジタル加算の回数として0回が設定された場合には、デジタル加算は行われないことになる。
より具体的には、例えば、1回の露光を4分割した場合に、タップ303−1ないし303−4のアナログメモリ322−1ないし322−4(TAP#1,TAP#2,TAP#3,TAP#4)に、フォトダイオード311から転送された電荷がそれぞれ保持されている場合に、デジタル加算の回数として3回が設定された場合を想定する。この場合、図28に示すように、カラムADC部33によって、アナログメモリ322−1(TAP#1)から非破壊で読み出された電荷がAD変換され、デジタル処理部35に出力されるとともに、FIFO34に保持される。
続いて、アナログメモリ322−2(TAP#2)から非破壊で読み出された電荷がAD変換され、デジタル処理部35に出力される。このとき、デジタル処理部35では、加算部371によって、AD変換後のデジタル信号(TAP#2)と、FIFO34に保持されたデジタル信号(TAP#1)とがデジタル加算される。ここで得られるデジタル加算信号(#1+#2)は、FIFO34に保持される。
次に、アナログメモリ322−3(TAP#3)から非破壊で読み出された電荷がAD変換され、デジタル処理部35に出力される。このとき、デジタル処理部35では、加算部371によって、AD変換後のデジタル信号(TAP#3)と、FIFO34に保持されたデジタル加算信号(#1+#2)とがデジタル加算される。ここで得られるデジタル加算信号(#1+#2+#3)は、FIFO34に保持される。
次に、アナログメモリ322−4(TAP#4)から非破壊で読み出された電荷がAD変換され、デジタル処理部35に出力される。このとき、デジタル処理部35では、加算部371によって、AD変換後のデジタル信号(TAP#4)と、FIFO34に保持されたデジタル加算信号(#1+#2+#3)とがデジタル加算される。ここで得られるデジタル加算信号(#1+#2+#3+#4)は、FIFO34に保持されるとともに、撮像データとして、後段に出力される。
固体撮像装置30Aは、以上のように構成される。なお、固体撮像装置30Aにおいては、外部の制御部(後述の図37のCPU1001)とのシリアル通信によって各種のデータ(例えば設定情報等)をレジスタ36に記憶することができる。駆動部32及びデジタル処理部35は、レジスタ36に記憶された各種のデータを適宜読み出して、処理を行うことができる。
次に、図29ないし図31を参照しながら、図23の固体撮像装置30Aのデータフローについて説明する。
固体撮像装置30A(図29)において、画素アレイ部31に配列された画素300(i,j)では、グローバルシャッタ方式での露光(E51)によってフォトダイオード311に蓄積された電荷が、フォトダイオード部301Aからアナログメモリ部302Aに転送され(T51)、アナログメモリ322−1ないし322−4にそれぞれ保持される。
ここで、露光に際しては、各画素300内の転送回路(転送トランジスタ321等の画素トランジスタを含む)が、駆動部32によって制御される(C51)。
例えば、フレームレートモードの場合には、XVS信号の立ち下がりに対し、あらかじめ設定された時間の前から露光を開始し(E51)、露光の開始からあらかじめ設定された時間を経過した後に、あらかじめ設定されたアナログメモリ322に対して当該露光で得られる電荷を転送する(T51)。
なお、時分割露光を行う場合には、あらかじめ設定された分割数(例えば4分割)分だけ、この処理を繰り返すことになる。また、例えば、トリガモードの場合には、XTRG信号の立ち下がりによって、露光を開始し(E51)、XTRG信号の立ち上がりによって、あらかじめ設定されたアナログメモリ322に対して当該露光で得られる電荷を転送する(T51)。
次に、固体撮像装置30A(図30)において、画素300(i,j)のアナログメモリ322−1ないし322−4に保持された電荷が非破壊で読み出され(R51)、垂直信号線331−jを介してカラムADC部33に入力される。
ここで、非破壊読み出しに際しては、画素アレイ部31に配列された画素300の各行と、各画素300内の読み出し回路(選択トランジスタ325等の画素トランジスタを含む)が、駆動部32によって制御される(C52)。
例えば、あらかじめ設定された画素読出モードに従い、画素アレイ部31上をラスタスキャンするように、画素300の各行を選択し、かつ、各画素300内のあらかじめ設定された任意のタップ303のアナログメモリ322を選択して、対象のアナログメモリ322に保持された電荷が非破壊で読み出されるようにする(R51)。
なお、同時に読み出すメモリ数として複数を設定した場合には、複数のアナログメモリ322から読み出された電荷がアナログ加算される。また、読み出し回数として、複数回を設定した場合には、設定された回数だけこの処理を繰り返し、次の行に制御対象を移す。
次に、固体撮像装置30A(図31)において、カラムADC部33によってAD変換されたデジタル信号は、デジタル処理部35に入力され、デジタル信号処理が行われる。ここで、AD変換とデジタル信号処理に際しては、カラムADC部33と、FIFO34と、デジタル処理部35とが、駆動部32によって制御される(C53)
例えば、カラムADC部33では、画素アレイ部31から垂直信号線331−jを介して行ごとに転送されるアナログ信号を、あらかじめ設定された設定値に従い、アナログゲインを含めてデジタル信号に変換し、それを順次、デジタル処理部35に水平転送する(T52)。そして、デジタル処理部35においては、水平転送されたデジタル信号に対し、あらかじめ設定された設定値やデジタル加算モードに従い、例えばデジタルゲインの乗算や、FIFO34への入力選択と転送、及び出力選択など、順次処理がなされ、後段に出力される(O51)。
(具体的な動作)
次に、図32及び図33のタイミングチャートを参照して、固体撮像装置30Aのより具体的な動作を説明する。
次に、図32及び図33のタイミングチャートを参照して、固体撮像装置30Aのより具体的な動作を説明する。
図32において、固体撮像装置30Aは、フレームレートモードで動作しており、フレームレート単位での露光が行われる。すなわち、フレーム基準信号(XVS)に応じて所定の時刻から露光が開始され、露光開始から所定の時間を経過した後に、あらかじめ設定されたアナログメモリ322に対して露光で得られる電荷が転送される。
図32の例においては、露光での転送先として、アナログメモリ322−1ないし322−4(TAP#1,TAP#2,TAP#3,TAP#4)がそれぞれ設定されている。ここで、時刻t11ないしt12の間に、nフレームの露光が行われたとき、時刻t12から時刻t16までの間、nフレーム(の電荷)がアナログメモリ322−1(TAP#1)に保持される。
同様にして、時刻t12ないしt13の間にてn+1フレームの露光が行われたとき、その直後の時刻t13から、アナログメモリ322−2(TAP#2)ではn+1フレーム(の電荷)の保持が開始される。続いて、時刻t13ないしt14の間にてn+2フレームの露光が行われたとき、その直後の時刻t14から、アナログメモリ322−3(TAP#3)ではn+2フレーム(の電荷)の保持が開始される。さらに続いて、時刻t14ないしt15の間にてn+3フレームの露光が行われたとき、その直後の時刻t15から、アナログメモリ322−4(TAP#4)ではn+3フレーム(の電荷)の保持が開始される。
このようにして、アナログメモリ322−1ないし322−4では、フォトダイオード311からフレーム単位で順次転送されてくる電荷が、フレームごとに保持される。そして、アナログメモリ322−1ないし322−4にそれぞれ保持された電荷は選択的に、非破壊で読み出される。
図32の例では、アナログメモリ322の読み出しの領域に記された太線が、電荷の読み出しを表しており、アナログメモリ322−1ないし322−4(TAP#1,TAP#2,TAP#3,TAP#4)では、フレーム(の電荷)が保持されたタイミングで、その電荷の読み出しを行っている。一方で、アナログメモリ322−1(TAP#1)においては、通常の読み出しのほかに、保持しているnフレーム(の電荷)に対して、間引き読み出し(領域A1内の太線)や、任意の領域の後から読み出し(領域A2内の太線)が行われている。
一方で、図33において、固体撮像装置30Aは、フレームレートモードで動作しているが、時分割露光がなされ、1回の露光が4分割されている。すなわち、フレーム基準信号(XVS)に応じて所定の時刻から露光が開始され、4分割された露光時間ごとに、あらかじめ設定されたアナログメモリ322に対して露光で得られる電荷が転送される。
図33の例においても、露光での転送先として、アナログメモリ322−1ないし322−4(TAP#1,TAP#2,TAP#3,TAP#4)がそれぞれ設定されている。ここで、時刻t21ないしt22の間に、nフレームの時分割露光が行われたとき、その直後の時刻t22から、アナログメモリ322−1(TAP#1)では、nフレーム(の電荷)が保持される。
同様にして、時刻t22ないしt23の間にてnフレームの時分割露光が行われたとき、その直後の時刻t23から、アナログメモリ322−2(TAP#2)ではnフレーム(の電荷)の保持が開始される。続いて、時刻t23ないしt24の間にてnフレームの時分割露光が行われたとき、その直後の時刻t24から、アナログメモリ322−3(TAP#3)ではnフレーム(の電荷)の保持が開始される。さらに続いて、時刻t24ないしt25の間にてnフレームの時分割露光が行われたとき、その直後の時刻t25から、アナログメモリ322−4(TAP#4)ではnフレーム(の電荷)の保持が開始される。
このようにして、アナログメモリ322−1ないし322−4では、時分割露光によってフォトダイオード311から順次転送されてくる電荷が、フレームごとに保持される。そして、アナログメモリ322−1ないし322−1にそれぞれ保持された電荷は選択的に、非破壊で読み出される。
図33の例では、時分割露光によってアナログメモリ322−1ないし322−4にそれぞれ保持されているnフレーム(の電荷)に対して、間引き読み出し(領域A3内の太線)や、画素加算読み出し(領域A4内の太線)が行われている。
(応用例)
ここで、固体撮像装置30Aでは、時分割露光によって1回の露光を4分割する場合、4分割した露光の組み合わせによって、所望の露光時間に合成する制御を行うことが可能となる。例えば、図34に示すように、1回の露光を4分割して分割した各露光を、露光E1、露光E2、露光E3、露光E4と定義した場合に、各露光時間を、露光E1=1msec,露光E2=2msec,露光E3=4msec,露光E4=8msecと設定したときを想定する。
ここで、固体撮像装置30Aでは、時分割露光によって1回の露光を4分割する場合、4分割した露光の組み合わせによって、所望の露光時間に合成する制御を行うことが可能となる。例えば、図34に示すように、1回の露光を4分割して分割した各露光を、露光E1、露光E2、露光E3、露光E4と定義した場合に、各露光時間を、露光E1=1msec,露光E2=2msec,露光E3=4msec,露光E4=8msecと設定したときを想定する。
この場合において、各露光(E1、E2、E3、E4)の組み合わせによって、所望の露光時間に合成するとすれば、例えば、図35に示すようになる。すなわち、図35において、合成対象が露光E1のみの場合、合成露光時間は、E1=1msecとされる。同様にまた、合成対象が露光E2、露光E3、露光E4のみの場合には、合成露光時間はそれぞれ、E2=2msec,E3=4msec,E4=8msecとされる。
また、図35において、合成対象が露光E1と露光E2である場合、合成露光時間は、E1+E2=3msecとされる。さらに、合成対象が露光E1と露光E3である場合、合成露光時間は、E1+E3=5msecとされる。また、合成対象が露光E1と露光E4である場合、合成露光時間は、E1+E4=9msecとされる。同様にして、合成対象が、露光E2と露光E3、露光E2と露光E4、露光E3と露光E4である場合には、合成露光時間はそれぞれ、E2+E3=6msec,E2+E4=10msec,E3+E4=12msecとされる。
さらに、図35において、合成対象が露光E1と露光E2と露光E3である場合、合成露光時間は、E1+E2+E3=7msecとされる。同様にして、合成対象が、露光E1と露光E2と露光E4、露光E1と露光E3と露光E4、露光E2と露光E3と露光E4である場合には、合成露光時間は、E1+E2+E4=11msec,E1+E3+E4=13msec,E2+E3+E4=14msecとされる。さらにまた、図34において、合成対象が露光E1と露光E2と露光E3と露光E4である場合、合成露光時間は、E1+E2+E3+E4=15msecとされる。
このように、図35においては、各露光(E1、E2、E3、E4)の組み合わせによって、1〜15msecの間を、1msec単位で15段階の露光時間が合成可能とされる。これにより、固体撮像装置30Aでは、時分割露光(例えば4分割露光)と画素加算(アナログ加算)によって、適切な露光時間に応じた再露光制御を行うことが可能となる。
図36は、本開示に係る技術を適用した固体撮像装置を搭載したカメラ装置の処理の例を示している。
図36において、固体撮像装置30(30A,30B)を搭載したカメラ装置3は、時分割露光と画素加算によって、図34及び図35に示した露光時間に応じた再露光制御を行うことができる。
例えば、この再露光制御では、1回の露光を時分割(図34の露光E1、E2、E3、E4の4分割)して得られる電荷がアナログメモリ322−1ないし322−4に転送されて保持されるため、そこから電荷を適宜読み出すことで、例えば1回の露光内における電荷量の変化や飽和のタイミング等を検出して時分割露光状態の解析が行われる(図36のA)。
そして、この再露光制御では、時分割露光状態の解析結果に基づき、例えば、図35に示した合成露光時間の中から最も適切な露光時間を選択(再露光量選択)し、アナログメモリ322−1ないし322−4に保持されている電荷から、適切な露光時間に応じた電荷を選択的に(適応的に)読み出して、適宜加算してから、AD変換の前後の信号処理(例えばアナログゲインをかけるなど)を行うことができる(図36のB)。これにより、いわば過去に遡ることが可能となって、後段の処理部では、例えば、白飛びや動きブラー、黒潰れなどを排除した撮像画像を生成することが可能となる(図36のA,B)。
なお、図23ないし図36の説明では、説明の都合上、固体撮像装置30A(図23)として、画素アレイ部31が設けられる場合を中心に説明したが、画素アレイ部31の代わりに、フォトダイオードアレイ部31Aとアナログメモリアレイ部31Bが設けられる固体撮像装置30Bでも同様である。
ただし、固体撮像装置30Bの構成は、特に図示はしていないが、積層されるフォトダイオードアレイ部31Aとアナログメモリアレイ部31Bに、画素300A(図21)を配列する場合には、図4の固体撮像装置10Bに対応した構成となり、画素300B(図22)を配列する場合には、図14の固体撮像装置20Bに対応した構成となる。
以上、第3の実施の形態について説明した。この第3の実施の形態の固体撮像装置30(30A,30B)では、フォトダイオード311と複数のアナログメモリ322を有する画素300を設けて、フォトダイオード311に蓄積された電荷を転送して、複数のアナログメモリ322のいずれかに保持し、そこから電荷を読み出す場合には、1又は複数のアナログメモリ322を選択し、必要に応じて加算して読み出すようにする。これにより、上述した再露光制御などの処理が可能となって、例えば撮像画像上に発生する偽色や動きブラーなどの現象を抑制し、視認性を向上させることができる。
また、固体撮像装置30(30A,30B)では、1回の露光を時分割し、順次画素300内の各アナログメモリ322にフォトダイオード311からの電荷を転送することができる。このとき、1回の露光で時分割する数と、それらの各時間間隔は、任意である。例えば、時分割した各時間間隔は、全てが同一の時間であってもよいし、個別に時間が異なっていてもよい。
さらに、固体撮像装置30(30A,30B)では、2次元状に配列される複数の画素300ごとに1又は複数のアナログメモリ222に保持された電荷を非破壊で読み出すに際して、適応的に読み出すことができる。例えば、複数の画素300ごとに1又は複数のアナログメモリ222に保持された電荷が、画像フレーム内の任意の領域(例えば全領域やROI領域等)や、駆動モード(例えば、全画素駆動や間引き駆動、画素加算読み出し駆動等)に応じて読み出されるようにすることができる。
また、例えば、露光のタイミングは、例えばフレームレートに応じた一定の周期や、トリガ信号が通知されたときなどの所定のタイミングとすることができるが、この所定のタイミングに応じて、画素300ごとに1又は複数のアナログメモリ122に保持された電荷が非破壊で読み出されるようにしてもよい。また、例えば、カラムADC部33によるAD変換の前後の信号処理(例えばゲインやクランプ等)に応じて、画素300ごとに1又は複数のアナログメモリ322に保持された電荷を非破壊で読み出すようにしてもよい。
<4.第4の実施の形態>
(電子機器の構成)
図37は、本開示に係る技術を適用した固体撮像装置を搭載した電子機器の構成の例を示す図である。
図37は、本開示に係る技術を適用した固体撮像装置を搭載した電子機器の構成の例を示す図である。
図37の電子機器1000は、例えば、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、スマートフォンやタブレット型端末等の携帯端末装置などの撮像機能を有する機器である。なお、電子機器1000は、上述したカメラ装置1(図7)、カメラ装置2(図17)、及びカメラ装置3(図36)に相当するとも言える。
図37において、電子機器1000は、CPU(Central Processing Unit)1001、レンズ駆動部1002、レンズ1003、固体撮像装置1004、バス1005、不揮発性メモリ1006、内蔵メモリ1007、脱着メモリ1008、物体検出部1009、物体認識部1010、画像処理部1011、表示駆動制御部1012、及び表示部1013から構成される。
また、電子機器1000において、CPU1001と、不揮発性メモリ1006ないし表示駆動制御部1012は、バス1005を介して相互に接続されている。なお、CPU1001は、固体撮像装置1004との間でシリアル通信を行う。
CPU1001は、各種の演算処理や各部の動作制御など、電子機器1000における中心的な処理装置として動作する。
レンズ駆動部1002は、例えばモータやアクチュエータ等から構成され、CPU1001からの制御に従い、レンズ1003を駆動する。レンズ1003は、例えばズームレンズやフォーカスレンズ等から構成され、被写体からの光を集光する。レンズ1003により集光された光(像光)は、固体撮像装置1004に入射される。
固体撮像装置1004は、例えば、上述した固体撮像装置10,20,30など、本開示に係る技術を適用した固体撮像装置(固体撮像素子)である。固体撮像装置1004は、CPU1001からの制御に従い、レンズ1003を介して受光した光(被写体光)を電気信号に光電変換してAD変換などの処理を行い、その処理の結果得られる撮像データを、CPU1001に供給する。
CPU1001は、固体撮像装置1004からの撮像データに基づいて、レンズ駆動部1002を制御する。また、CPU1001は、固体撮像装置1004からの撮像データを、バス1005に接続された各部に供給する。
不揮発性メモリ1006は、例えばROM(Read Only Memory)やフラッシュメモリ等から構成され、CPU1001等からのデータを記憶する。内蔵メモリ1007は、例えばRAM(Random Access Memory)やROM等の機器に搭載された記憶装置である。脱着メモリ1008は、例えばメモリカード等の機器に挿入又は接続する方式の記憶装置である。内蔵メモリ1007と脱着メモリ1008は、CPU1001からの制御に従い、画像処理部1011からの画像データ等のデータを記憶する。
物体検出部1009は、例えば画像処理LSI(Large Scale Integration)等の信号処理回路から構成される。物体検出部1009は、画像処理部1011からの画像処理の結果に基づいて、物体検出処理(例えば、人、顔、車等の検出)を行い、その物体検出処理の結果を、物体認識部1010に供給する。
物体認識部1010は、例えば画像処理LSI等の信号処理回路から構成される。なお、物体認識部1010は、物体検出部1009と同一の信号処理回路から構成されるようにしてもよい。物体認識部1010は、物体検出部1009からの物体検出処理の結果に基づいて、物体認識処理(例えば、人の顔(個人)や車の車種等の個別の識別)を行い、その物体認識処理の結果を、CPU1001等に供給する。
画像処理部1011は、例えばDSP(Digital Signal Processor)等の信号処理回路から構成される。画像処理部1011は、固体撮像装置1004からの撮像データに対し、カメラ信号処理や前処理などの画像処理を行う。
ここで、カメラ信号処理としては、例えば、ホワイトバランス処理や補間処理、ノイズ除去処理などの処理を含む。また、前処理としては、例えば、画像の縮小や切り出しなどの処理を含む。なお、画像処理部1011は、物体検出部1009及び物体認識部1010と同一の信号処理回路から構成されるようにしてもよい。
画像処理部1011は、画像処理の結果を、物体検出部1009に供給する。また、画像処理部1011は、画像処理の結果得られる静止画又は動画の画像データを、内蔵メモリ1007若しくは脱着メモリ1008、又は表示駆動制御部1012に供給する。
表示駆動制御部1012は、CPU1001からの制御に従い、画像処理部1011からの画像データ等のデータを処理し、静止画や動画、所定の画面等の情報を、表示部1013に表示する制御を行う。表示部1013は、例えば、LCD(Liquid Crystal Display)やOLED(Organic Light Emitting Diode)等のディスプレイから構成され、表示駆動制御部1012からの制御に従い、静止画や動画、所定の画面等の情報を表示する。
なお、表示部1013は、タッチパネルとして構成して、ユーザの操作に応じた操作信号が、CPU1001に供給されるようにしてもよい。また、タッチパネルに限らず、物理的なボタン等の操作部を設けて、ユーザの操作を受け付けるようにしてもよい。さらに、電子機器1000においては、所定の通信方式に対応した通信モジュール等の通信部を設けて、無線通信又は有線通信よって、外部の機器との間でデータのやりとりを行うようにしてもよい。
電子機器1000は、以上のように構成される。
本開示に係る技術は、上述したように、固体撮像装置1004に適用される。具体的には、固体撮像装置10,20,30は、固体撮像装置1004に適用することができる。固体撮像装置10(20,30)の固体撮像装置1004に本開示に係る技術を適用することで、画素100(200,300)のフォトダイオード111(211)に蓄積された電荷を転送してアナログメモリ122(222)に保持し、アナログメモリ122(222)に保持された電荷を読み出す際には、適応的に非破壊で読み出されるため、繰り返し何度でも読み出して処理することができる。
ここで、固体撮像装置1004の構造としては、例えば、図38ないし図40に示した構造を採用することができる。なお、ここでは、固体撮像装置1004として、固体撮像装置10の構造を一例に説明する。
固体撮像装置10において、カラムADC部13に対して複数のADC151を設けると、例えば、図38に示した領域では、チップサイズが増大してコストが増大してしまう恐れがある。そこで、図39及び図40に示すように、チップの積層化を行うようにしてもよい。
例えば、図39において、固体撮像装置10Aは、画素アレイ部11が主に形成される画素層10A−1と、出力回路、周辺回路、及びカラムADC部13が主に形成される周辺回路層10A−2とを積層した積層構造(2層構造)を有している。この積層構造では、画素層10A−1の画素アレイ部11の出力線とドライブ線が貫通ビア(VIA)を介して周辺回路層10A−2の回路と接続されている。
また、例えば、図40において、固体撮像装置10Bは、フォトダイオードアレイ部11Aが主に形成されるフォトダイオード層10B−1と、アナログメモリアレイ部11Bが主に形成されるアナログメモリ層10B−2と、出力回路、周辺回路、及びカラムADC部13が主に形成される周辺回路層10B−3とを積層した積層構造(3層構造)を有している。この積層構造では、フォトダイオード層10B−1のフォトダイオードアレイ部11Aと、アナログメモリ層10B−2のアナログメモリアレイ部11Bと、周辺回路層10B−3の回路とが、貫通ビア(VIA)を介して接続されている。
このような積層構造を採用することで、チップサイズを小さくすることができ、コストを削減させることができる。また、配線層のスペースに余裕ができるので、配線の引き回しも容易になる。さらに、積層構造にすることで、各層をそれぞれ最適化することができる。
なお、図39及び図40には、固体撮像装置10A,10Bの構造を例示したが、固体撮像装置20A,20B、及び固体撮像装置30A,30Bについても同様の積層構造(2層構造、3層構造)を採用することができる。また、図39及び図40に示した積層構造は一例であって、固体撮像装置1004の構造としては他の構造を採用するようにしてもよい。
(固体撮像装置の構成の第1の例)
図41は、電子機器1000(図37)に搭載される固体撮像装置1004として、固体撮像装置10A(図1)の構成の例を示している。
図41は、電子機器1000(図37)に搭載される固体撮像装置1004として、固体撮像装置10A(図1)の構成の例を示している。
図41において、固体撮像装置10Aは、画素アレイ部11、駆動部12、カラムADC部13、及びレジスタ16を含んで構成される。カラムADC部13は、カラムADC171−1ないし171−4、及び水平転送切り替え部172から構成される。すなわち、カラムADC部13は、水平方向の4列(の垂直信号線131)ごとにカラムADC171−1ないし171−4をそれぞれ接続している。
カラムADC171−1には、垂直信号線131−j(j=1, 5, 9,・・・, 4m+1)がそれぞれ接続され、そこに接続された画素100(i,j)から読み出された画素信号(アナログ信号)が入力される。カラムADC171−1は、垂直信号線131−j(j=1, 5, 9,・・・, 4m+1)ごとにAD変換部(ADC:Analog to Digital Converter)を有しており、列ごとにAD変換が行われ、そのAD変換の結果が水平転送切り替え部172に出力される。
同様にして、画素100(i,j)を配列した画素アレイ部11の各列のうち、j列(j=2, 6, 10, ・・・, 4m+2)ごとのAD変換がカラムADC171−2により行われ、j列(j=3, 7, 11,・・・, 4m+3)ごとのAD変換がカラムADC171−3により行われ、j列(j=4, 8, 12, ・・・, 4m+4)ごとのAD変換がカラムADC171−4により行われる。カラムADC171−2ないし171−4のAD変換の結果は、水平転送切り替え部172にそれぞれ出力される。
水平転送切り替え部172は、読み出しモードに応じて入力の切り替えを行うことで、そこに入力されるカラムADC171−1ないし171−4からのデジタル信号のうち、いずれか1つの入力を選択して出力する。
なお、レジスタ16は、CPU1001(図37)とシリアル通信を行うことで、駆動のタイミングが設定される。また、図示はしていないが、カラムADC171−1ないし171−4には、アナログ信号の増幅部がそれぞれ設けられる。
(固体撮像装置の構成の第2の例)
図42は、電子機器1000(図37)に搭載される固体撮像装置1004として、固体撮像装置10B(図4)の構成の例を示している。
図42は、電子機器1000(図37)に搭載される固体撮像装置1004として、固体撮像装置10B(図4)の構成の例を示している。
図42において、固体撮像装置10Bは、フォトダイオードアレイ部11A、アナログメモリアレイ部11B、駆動部12、カラムADC部13、及びレジスタ16を含んで構成される。
図42のカラムADC部13は、図41と同様に、水平方向の4列(の垂直信号線131)ごとにカラムADC171−1ないし171−4をそれぞれ接続しており、カラムADC171−1には、垂直信号線131−j(j=1, 5, 9,・・・, 4m+1)が接続され、そこに接続された画素100(i,j)のアナログメモリ部102から読み出された画素信号(アナログ信号)が入力され、j列(j=1, 5, 9,・・・, 4m+1)ごとのAD変換が行われる。
また、カラムADC171−2ないし171−4においても、図41と同様に、j列(4m+2, 4m+3, 4m+4)ごとのAD変換が行われる。カラムADC171−1ないし171−4のAD変換の結果は、水平転送切り替え部172にそれぞれ出力される。水平転送切り替え部172は、読み出しモードに応じて、カラムADC171−1ないし171−4から入力されるデジタル信号のうち、いずれか1つの入力を選択して出力する。
(画素配列の例)
図43は、図41又は図42の画素アレイ部11に2次元状に配列される複数の画素100の平面レイアウトを示している。なお、図43においては、説明を分かりやすくするために、画素100のi行j列に対応した行番号と列番号を、左側と上側の領域に表記している。
図43は、図41又は図42の画素アレイ部11に2次元状に配列される複数の画素100の平面レイアウトを示している。なお、図43においては、説明を分かりやすくするために、画素100のi行j列に対応した行番号と列番号を、左側と上側の領域に表記している。
ここで、画素アレイ部11において、左上の4画素(2×2画素)の領域に注目すれば、緑(G)のGr画素100(1,1)及びGb画素100(2,2)と、赤(R)のR画素100(1,2)と、青(B)のB画素100(2,1)とが配列されている。また、画素アレイ部11において、他の4画素(2×2画素)の領域においても、同様の配列パターンとなる。
このように、画素アレイ部11においては、緑(G)のG画素100が市松状に配され、残った部分に、赤(R)のR画素100と、青(B)のB画素100とが一列ごとに交互に配される配列パターンが繰り返され、ベイヤー配列となっている。
なお、ここでは、赤(R)の波長を透過するRカラーフィルタを透過した光から、赤(R)成分の光に対応した電荷が得られる画素を、R画素と表記している。また、緑(G)の波長を透過するGカラーフィルタを透過した光から緑(G)成分の光に対応した電荷が得られる画素をG画素、青(B)の波長を透過するBカラーフィルタを透過した光から青(B)成分の光に対応した電荷が得られる画素をB画素とそれぞれ表記している。
画素アレイ部11において、ベイヤー配列に並べられた画素100は、水平方向の4列ごとに垂直信号線131を介してカラムADC171−1ないし171−4のいずれかに接続される(図44)。例えば、図44において、1行目に注目すれば、1列目のGr画素100(1,1)と5列目のGr画素100(1,5)は、垂直信号線131−1,131−5を介してカラムADC171−1(のADC151のそれぞれ)に接続される。
また、1行目に注目したとき、2列目のR画素100(1,2)と6列目のR画素100(1,6)が、垂直信号線131−2,131−6を介してカラムADC171−2に接続される。同様にして、3列目のGr画素100(1,3)と7列目のGr画素100(1,7)が垂直信号線131−3,131−7を介してカラムADC171−3に接続され、4列目のR画素100(1,4)と8列目のR画素100(1,8)が垂直信号線131−4,131−8を介してカラムADC171−4に接続される。
このとき、カラムADC171−1では、水平方向のj列(j=1, 5, 9,・・・, 4m+1)ごとに設けられた複数のADC151によって、垂直信号線131−1,131−5,・・・,131−jからの信号電圧と参照電圧との比較が行われ、その比較結果に応じたカウント値がFF回路153に保持される。
同様にして、カラムADC171−2には、水平方向のj列(j=2, 6, 10, ・・・, 4m+2)ごとに複数のADC151が設けられ、カラムADC171−3には、水平方向のj列(j=3, 7, 11,・・・, 4m+3)ごとに複数のADC151が設けられ、カラムADC171−4には、水平方向のj列(j=4, 8, 12, ・・・, 4m+4)ごとに複数のADC151が設けられており、各ADC151では、接続された垂直信号線131−jからの信号電圧と参照電圧との比較がそれぞれ行われ、その比較結果に応じたカウント値がFF回路153にそれぞれ保持される。
水平転送切り替え部172において、その入力端子181−1ないし181−4は、カラムADC171−1ないし171−4(のFF回路153)にそれぞれ接続されており、読み出しモードに応じて入力端子181−1ないし181−4のいずれかを選択することで、カラムADC171−1ないし171−4のいずれから入力されるAD変換の結果(デジタル信号)を、出力端子182を介して出力する。
(全画素読み出しの例)
次に、画素100の読み出しの具体例を説明するが、ここでは、まず、図45及び図46を参照して、画素アレイ部11に2次元状に配列される複数の画素100の駆動モードとして、全画素読み出しを行う場合を説明する。
次に、画素100の読み出しの具体例を説明するが、ここでは、まず、図45及び図46を参照して、画素アレイ部11に2次元状に配列される複数の画素100の駆動モードとして、全画素読み出しを行う場合を説明する。
図45においては、画素アレイ部11に配列される画素100のうち、読み出し対象の画素に対してクロスハッチングを施しているが、全ての画素100が読み出し対象の画素になって、全画素読み出しが行われることを表している。また、この全画素読み出しを行う際のスキャンの順序は、図中の矢印で示すように、1行目から順に行ごとに行われる。
図46のタイミングチャートは、図45に示した全画素読み出しを行う場合におけるカラムADC部13の各部の処理対象を示している。
カラムADC部13には、水平方向の4列ごとにカラムADC171−1ないし171−4が設けられているため、1行目のスキャンが開始されると、まず、カラムADC171−1の処理対象は、Gr画素100(1,1)とされる。同様に、カラムADC171−2の処理対象がR画素100(1,2)とされ、カラムADC171−3の処理対象がGr画素100(1,3)とされ、カラムADC171−4の処理対象がR画素100(1,4)とされる。
このとき、水平転送切り替え部172では、クロック信号に従い、出力端子182に接続される入力端子181を、入力端子181−1、入力端子181−2、入力端子181−3、入力端子181−4の順に切り替える。これにより、カラムADC部13の出力として、Gr画素100(1,1)、R画素100(1,2)、Gr画素100(1,3)、R画素100(1,4)の順に、そのAD変換の結果が出力される。
次に、カラムADC部13では、シフトイネーブル信号に従い、カラムADC171−1の処理対象がGr画素100(1,5)、カラムADC171−2の処理対象がR画素100(1,6)、カラムADC171−3の処理対象がGr画素100(1,7)、カラムADC171−4の処理対象がR画素100(1,8)とされる。このとき、水平転送切り替え部172では、その入力が、入力端子181−1ないし181−4に順に切り替えられ、Gr画素100(1,5)、R画素100(1,6)、Gr画素100(1,7)、R画素100(1,8)の順に、そのAD変換の結果が出力される。
なお、繰り返しになるので以降の説明は省略するが、それ以降も同様にして1行目のスキャンに応じて各列の画素100のAD変換の結果が出力される。また、1行目のスキャンが終了すると、続いて2行目、3行目と同様の処理が繰り返され、最終的には最後の行まで同様の処理が繰り返される。
(1/3間引き読み出しの例)
次に、図47及び図48を参照して、画素アレイ部11に2次元状に配列される複数の画素100の駆動モードとして、1/3間引き読み出しを行う場合を説明する。
次に、図47及び図48を参照して、画素アレイ部11に2次元状に配列される複数の画素100の駆動モードとして、1/3間引き読み出しを行う場合を説明する。
図47においても、読み出し対象の画素に対してはクロスハッチングを施しているが、水平方向と垂直方向のそれぞれが3画素ごとに読み出し対象の画素になるため、全ての画素100のうち、1/3の画素100のみが読み出し対象の画素になって、1/3間引き読み出しが行われることを表している。また、この1/3間引き読み出しを行う際のスキャン順序は、1行目から順に行ごとに行われる。
図48のタイミングチャートは、図47に示した1/3間引き読み出しを行う場合におけるカラムADC部13の各部の処理対象を示している。
カラムADC部13には、水平方向の4列ごとにカラムADC171−1ないし171−4が設けられているが、水平方向の画素100が1/3に間引かれているため、1行目のスキャンが開始されると、カラムADC171−1の処理対象がGr画素100(1,1)、カラムADC171−4の処理対象がR画素100(1,4)とされる。このとき、水平転送切り替え部172では、その入力が、入力端子181−1,181−4に順に切り替えられ、Gr画素100(1,1)、R画素100(1,4)の順に、そのAD変換の結果が出力される。
次に、カラムADC部13においては、水平方向の画素100が1/3に間引かれているため、カラムADC171−3の処理対象がGr画素100(1,7)とされる。このとき、水平転送切り替え部172では、その入力が、入力端子181−3に切り替えられ、Gr画素100(1,7)のAD変換の結果が出力される。また、カラムADC部13では、水平方向の画素100が1/3に間引かれているため、カラムADC171−2の処理対象がR画素100(1,10)とされるとともに、水平転送切り替え部172の入力が、入力端子181−2に切り替えられ、R画素100(1,10)のAD変換の結果が出力される。
なお、繰り返しになるので以降の説明は省略するが、それ以降の同様にして1行目のスキャンに応じて2列おきに画素100のAD変換の結果が出力される。また、1行目のスキャンが終了すると、4行目、7行目と2行おきに同様の処理が繰り返され、最終的には最後の行まで2行おきに同様の処理が繰り返される。
(画素加算読み出しの例)
最後に、図49ないし図51を参照して、画素アレイ部11に2次元状に配列される複数の画素100の駆動モードとして、画素加算読み出しの例を行う場合を説明する。
最後に、図49ないし図51を参照して、画素アレイ部11に2次元状に配列される複数の画素100の駆動モードとして、画素加算読み出しの例を行う場合を説明する。
図49においては、読み出し対象の画素に対してRGBの色ごとに異なるハッチングを施しているが、同色の4画素ごとに画素加算読み出しの対象の画素となって、画素加算読み出しが行われることを表している。また、この画素加算読み出しを行う際のスキャンの順序は、図中の矢印で示すように、1行目から順に行ごとに行われる。
ここで、画素加算は、同色の4画素で行われるため、例えば、Gr画素100(1,1)、Gr画素100(1,3)、Gr画素100(3,1)、及びGr画素100(3,3)の4画素が、同一の画素加算読み出しの対象の画素とされる。また、例えば、R画素100(1,4)、R画素100(1,6)、R画素100(3,4)、及びR画素100(3,6)の4画素が、同一の画素加算読み出しの対象の画素とされる。
また、図50に示すように、この画素加算読み出しでは、同一の画素加算読み出し対象の4画素のうち、垂直方向の2つの画素100からの信号が、加算部191−1,191−2によってそれぞれアナログ加算され、さらにそれらのアナログ加算に応じた2つの信号が、加算部192によってデジタル加算される。
図51のタイミングチャートは、図49に示した画素加算読み出しを行う場合におけるカラムADC部13の各部の処理対象を示している。
カラムADC部13には、水平方向の4列ごとにカラムADC171−1ないし171−4が設けられているが、同色の4画素ごとに加算読み出しを行うため、スキャンが行われると、カラムADC171−1の処理対象が、Gr画素100(1,1)とGr画素100(3,1)とをアナログ加算した加算信号A11(Gr(1,1)+Gr(3,1))とされる。
同様に、カラムADC171−3の処理対象が、Gr画素100(1,3)とGr画素100(3,3)とをアナログ加算した加算信号A12(Gr(1,3)+Gr(3,3))とされ、カラムADC171−4の処理対象が、R画素100(1,4)とR画素100(3,4)とをアナログ加算した加算信号A21(R(1,4)+R(3,4))とされる。
このとき、カラムADC部13では、1列目の加算信号A11(Gr(1,1)+Gr(3,1))と、3列目の加算信号A12(Gr(1,3)+Gr(3,3))とが、デジタル加算され、そのAD変換の結果(A11+A12)が出力される。
次に、カラムADC部13では、同色の4画素ごとに加算読み出しを行うため、カラムADC171−2の処理対象が、R画素100(1,6)とR画素100(3,6)とをアナログ加算した加算信号A22(R(1,6)+R(3,6))とされ、カラムADC171−3の処理対象が、Gr画素100(1,7)とGr画素100(3,7)とをアナログ加算した加算信号A31(Gr(1,7)+Gr(3,7))とされる。
このとき、カラムADC部13では、4行目の加算信号A21(R(1,4)+R(3,4))と、6行目の加算信号A22(R(1,6)+R(3,6))とが、デジタル加算され、そのAD変換の加算結果(A21+A22)が出力される。
なお、繰り返しになるので以降の説明は省略するが、それ以降の同様にして同色の4画素ごとに加算読み出しが繰り返され、同色の4画素ごとに垂直方向のアナログ加算と水平方向のデジタル加算で得られる加算結果(例えば、図51の加算結果(A31+A32)や加算結果(A41+A42)等)が出力される。
また、図41ないし図51の説明では、電子機器1000(図37)に搭載される固体撮像装置1004として、固体撮像装置10A(図1)を一例に説明したが、固体撮像装置10B、固体撮像装置20(20A,20A)、固体撮像装置30(30A,30A)においても、同様の処理(例えば、全画素読み出し、間引き読み出し、及び画素加算読み出しの処理)を行うことができる。
<5.変形例>
上述した説明では、画素100(200,300)において、アナログメモリ122(222,322)に保持された電荷を読み出す構成として、フローティングディフュージョン126(226,326)を用いた構成を説明したが、画素100(200,300)の構成は一例であって、例えば、フローティングゲートやサンプル・ホールド回路などによって、アナログメモリ122(222,322)に保持された電荷が読み出されるようにしてもよい。また、上述した説明では、第1の実施の形態において、シャッタ方式として、グローバルシャッタ方式が用いられる場合を説明したが、グローバルシャッタ方式に限らず、ローリングシャッタ方式での露光が行われるようにしてもよい。ここで、グローバルシャッタ方式では全ての画素に同時にシャッタ動作が行われるのに対し、ローリングシャッタ方式では1ないし数行ずつの単位でシャッタ動作が行われる。
また、上述した説明では、本開示に係る技術を適用した固体撮像装置の一例として、CMOSイメージセンサとしての固体撮像装置10(20,30)を説明したが、本開示に係る技術は、CMOSイメージセンサへの適用に限られるものではない。すなわち、本開示に係る技術は、画素が2次元状に配列された固体撮像装置全般(例えば、CCD(Charge Coupled Device)イメージセンサ等のイメージセンサ)に対して適用可能である。さらに、本開示に係る技術は、可視光の入射光量の分布を検知して画像として撮像する固体撮像装置への適用に限らず、例えば赤外線やX線、あるいは粒子等の入射量の分布を画像として撮像する固体撮像装置全般に対して適用可能である。
<6.固体撮像装置の使用例>
図52は、本開示に係る技術を適用した固体撮像装置の使用例を示す図である。
CMOSイメージセンサ等の固体撮像装置10(20,30)は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、X線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。すなわち、図52に示すように、鑑賞の用に供される画像を撮影する鑑賞の分野だけでなく、例えば、交通の分野、家電の分野、医療・ヘルスケアの分野、セキュリティの分野、美容の分野、スポーツの分野、又は、農業の分野などにおいて用いられる装置でも、固体撮像装置10(20,30)を使用することができる。
具体的には、鑑賞の分野において、例えば、デジタルカメラやスマートフォン、カメラ機能付きの携帯電話機等の、鑑賞の用に供される画像を撮影するための装置(例えば、図37の電子機器1000)で、固体撮像装置10(20,30)を使用することができる。
交通の分野において、例えば、自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置で、固体撮像装置10(20,30)を使用することができる。
家電の分野において、例えば、ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、テレビ受像機や冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置で、固体撮像装置10(20,30)を使用することができる。また、医療・ヘルスケアの分野において、例えば、内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置で、固体撮像装置10(20,30)を使用することができる。
セキュリティの分野において、例えば、防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置で、固体撮像装置10(20,30)を使用することができる。また、美容の分野において、例えば、肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置で、固体撮像装置10(20,30)を使用することができる。
スポーツの分野において、例えば、スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置で、固体撮像装置10(20,30)を使用することができる。また、農業の分野において、例えば、畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置で、固体撮像装置10(20,30)を使用することができる。
<7.移動体への応用例>
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
図53は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
車両制御システム12000は、通信ネットワーク12001を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図53に示した例では、車両制御システム12000は、駆動系制御ユニット12010、ボディ系制御ユニット12020、車外情報検出ユニット12030、車内情報検出ユニット12040、及び統合制御ユニット12050を備える。また、統合制御ユニット12050の機能構成として、マイクロコンピュータ12051、音声画像出力部12052、及び車載ネットワークI/F(Interface)12053が図示されている。
駆動系制御ユニット12010は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット12010は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
ボディ系制御ユニット12020は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット12020は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット12020には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット12020は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
車外情報検出ユニット12030は、車両制御システム12000を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット12030には、撮像部12031が接続される。車外情報検出ユニット12030は、撮像部12031に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット12030は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
撮像部12031は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部12031は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部12031が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
車内情報検出ユニット12040は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット12040には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部12041が接続される。運転者状態検出部12041は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット12040は、運転者状態検出部12041から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030又は車内情報検出ユニット12040で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット12010に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むADAS(Advanced Driver Assistance System)の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030又は車内情報検出ユニット12040で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット12020に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
音声画像出力部12052は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図53の例では、出力装置として、オーディオスピーカ12061、表示部12062及びインストルメントパネル12063が例示されている。表示部12062は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
図54は、撮像部12031の設置位置の例を示す図である。
図54では、撮像部12031として、撮像部12101、12102、12103、12104、12105を有する。
撮像部12101、12102、12103、12104、12105は、例えば、車両12100のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部12101及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部12105は、主として車両12100の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部12102、12103は、主として車両12100の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部12104は、主として車両12100の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部12105は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
なお、図54には、撮像部12101ないし12104の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲12111は、フロントノーズに設けられた撮像部12101の撮像範囲を示し、撮像範囲12112,12113は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部12102,12103の撮像範囲を示し、撮像範囲12114は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部12104の撮像範囲を示す。例えば、撮像部12101ないし12104で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両12100を上方から見た俯瞰画像が得られる。
撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104から得られた距離情報を基に、撮像範囲12111ないし12114内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化(車両12100に対する相対速度)を求めることにより、特に車両12100の進行路上にある最も近い立体物で、車両12100と略同じ方向に所定の速度(例えば、0km/h以上)で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ12051は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御(追従停止制御も含む)や自動加速制御(追従発進制御も含む)等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、2輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車両12100の周辺の障害物を、車両12100のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ12051は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ12061や表示部12062を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット12010を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部12101ないし12104の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ12051が、撮像部12101ないし12104の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部12052は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部12062を制御する。また、音声画像出力部12052は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部12062を制御してもよい。
以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部12101に適用され得る。具体的には、固体撮像装置10(20,30)は、撮像部12031に適用することができる。撮像部12031に本開示に係る技術を適用することにより、例えば、メイン処理に先行して出力される縮小画像から物体(例えば、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等)を検出し、検出した物体を含む任意の領域のROI画像を抽出するといった処理が可能となるため(例えば、図7に示した応用例)、視認性を向上させて、より正確に、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体を認識することが可能とされる。
なお、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
また、本開示に係る技術は、以下のような構成をとることができる。
(1)
光電変換部とアナログメモリ部とを有する画素を複数配列したアレイ部を備え、
前記アナログメモリ部は、第1の露光によって前記光電変換部により光電変換された電荷を保持し、
前記第1の露光によって前記アナログメモリ部に保持された電荷が、適応的に非破壊で読み出される
固体撮像装置。
(2)
前記アナログメモリ部に保持された電荷が、非破壊で複数回読み出される
前記(1)に記載の固体撮像装置。
(3)
第2の露光によって前記光電変換部により光電変換された電荷が読み出される
前記(1)又は(2)に記載の固体撮像装置。
(4)
前記アナログメモリ部は、複数のアナログメモリを含み、
複数の前記アナログメモリのうち少なくとも1以上の前記アナログメモリは、前記第1の露光によって前記光電変換部により光電変換された電荷を保持し、
前記第1の露光によって前記アナログメモリに保持された電荷が選択的に読み出される
前記(1)又は(2)に記載の固体撮像装置。
(5)
前記第1の露光は、グローバルシャッタ方式で行われる
前記(1)又は(2)に記載の固体撮像装置。
(6)
複数の前記画素ごとに前記アナログメモリ部に保持された電荷が、画像フレーム内の任意の領域、前記画素の駆動モード、所定の信号処理、又は所定のタイミングに応じて読み出される
前記(5)に記載の固体撮像装置。
(7)
複数の前記画素ごとに前記アナログメモリ部に保持された電荷のうち、第1の画像を生成するための電荷が読み出された後に、前記第1の画像と同時刻に撮像された第2の画像を生成するための電荷が読み出される
前記(5)又は(6)に記載の固体撮像装置。
(8)
前記第1の露光は、グローバルシャッタ方式又はローリングシャッタ方式で行われ、
前記第2の露光は、ローリングシャッタ方式で行われる
前記(3)に記載の固体撮像装置。
(9)
前記第2の露光は、前記第1の露光よりも時間的に後に行われる
前記(8)に記載の固体撮像装置。
(10)
複数の前記画素ごとに前記アナログメモリ部に保持された電荷が、画像フレーム内の任意の領域、前記画素の駆動モード、所定の信号処理、又は所定のタイミングに応じて読み出される
前記(8)又は(9)に記載の固体撮像装置。
(11)
複数の前記アナログメモリは、前記光電変換部により光電変換された電荷として、前記第1の露光を時分割して得られる電荷を順次保持する
前記(4)に記載の固体撮像装置。
(12)
複数の前記アナログメモリに保持された電荷が加算して読み出される
前記(11)に記載の固体撮像装置。
(13)
複数の前記画素ごとに前記アナログメモリ部の複数の前記アナログメモリに保持された電荷が、画像フレーム内の任意の領域、前記画素の駆動モード、所定の信号処理、又は所定のタイミングに応じて読み出される
前記(11)又は(12)に記載の固体撮像装置。
(14)
複数の前記画素ごとに前記アナログメモリ部の複数の前記アナログメモリに保持された電荷が、前記第1の露光の時分割露光の状態に応じて選択的に読み出される
前記(11)又は(12)に記載の固体撮像装置。
(15)
第2の露光によって前記光電変換部により光電変換された電荷が読み出される
前記(11)ないし(14)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(16)
前記アレイ部は、複数の前記画素が2次元状に配列され、
前記アレイ部における水平方向の画素配列に対応して設けられる垂直信号線を介して入力されるアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換部をさらに備え、
前記AD変換部は、複数の前記垂直信号線ごとにカラムADC(Analog to Digital Converter)を設けている
前記(1)ないし(15)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(17)
前記アレイ部は、複数の前記画素が2次元状に配列された画素アレイ部を含み、
前記画素アレイ部を含む第1の層と、前記AD変換部を含む第2の層とは積層されて構成される
前記(16)に記載の固体撮像装置。
(18)
前記アレイ部は、複数の前記画素の前記光電変換部が2次元状に配列された第1のアレイ部と、複数の前記画素の前記アナログメモリ部が2次元状に配列された第2のアレイ部とを含み、
前記第1のアレイ部を含む第1の層と、前記第2のアレイ部を含む第2の層と、前記AD変換部を含む第3の層とは積層されて構成される
前記(16)に記載の固体撮像装置。
(19)
複数の前記画素を駆動する駆動部をさらに備える
前記(1)ないし(18)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(20)
光電変換部とアナログメモリ部とを有する画素を複数配列したアレイ部を備え、
前記アナログメモリ部は、第1の露光によって前記光電変換部により光電変換された電荷を保持し、
前記第1の露光によって前記アナログメモリ部に保持された電荷が、適応的に非破壊で読み出される
固体撮像装置を搭載した電子機器。
光電変換部とアナログメモリ部とを有する画素を複数配列したアレイ部を備え、
前記アナログメモリ部は、第1の露光によって前記光電変換部により光電変換された電荷を保持し、
前記第1の露光によって前記アナログメモリ部に保持された電荷が、適応的に非破壊で読み出される
固体撮像装置。
(2)
前記アナログメモリ部に保持された電荷が、非破壊で複数回読み出される
前記(1)に記載の固体撮像装置。
(3)
第2の露光によって前記光電変換部により光電変換された電荷が読み出される
前記(1)又は(2)に記載の固体撮像装置。
(4)
前記アナログメモリ部は、複数のアナログメモリを含み、
複数の前記アナログメモリのうち少なくとも1以上の前記アナログメモリは、前記第1の露光によって前記光電変換部により光電変換された電荷を保持し、
前記第1の露光によって前記アナログメモリに保持された電荷が選択的に読み出される
前記(1)又は(2)に記載の固体撮像装置。
(5)
前記第1の露光は、グローバルシャッタ方式で行われる
前記(1)又は(2)に記載の固体撮像装置。
(6)
複数の前記画素ごとに前記アナログメモリ部に保持された電荷が、画像フレーム内の任意の領域、前記画素の駆動モード、所定の信号処理、又は所定のタイミングに応じて読み出される
前記(5)に記載の固体撮像装置。
(7)
複数の前記画素ごとに前記アナログメモリ部に保持された電荷のうち、第1の画像を生成するための電荷が読み出された後に、前記第1の画像と同時刻に撮像された第2の画像を生成するための電荷が読み出される
前記(5)又は(6)に記載の固体撮像装置。
(8)
前記第1の露光は、グローバルシャッタ方式又はローリングシャッタ方式で行われ、
前記第2の露光は、ローリングシャッタ方式で行われる
前記(3)に記載の固体撮像装置。
(9)
前記第2の露光は、前記第1の露光よりも時間的に後に行われる
前記(8)に記載の固体撮像装置。
(10)
複数の前記画素ごとに前記アナログメモリ部に保持された電荷が、画像フレーム内の任意の領域、前記画素の駆動モード、所定の信号処理、又は所定のタイミングに応じて読み出される
前記(8)又は(9)に記載の固体撮像装置。
(11)
複数の前記アナログメモリは、前記光電変換部により光電変換された電荷として、前記第1の露光を時分割して得られる電荷を順次保持する
前記(4)に記載の固体撮像装置。
(12)
複数の前記アナログメモリに保持された電荷が加算して読み出される
前記(11)に記載の固体撮像装置。
(13)
複数の前記画素ごとに前記アナログメモリ部の複数の前記アナログメモリに保持された電荷が、画像フレーム内の任意の領域、前記画素の駆動モード、所定の信号処理、又は所定のタイミングに応じて読み出される
前記(11)又は(12)に記載の固体撮像装置。
(14)
複数の前記画素ごとに前記アナログメモリ部の複数の前記アナログメモリに保持された電荷が、前記第1の露光の時分割露光の状態に応じて選択的に読み出される
前記(11)又は(12)に記載の固体撮像装置。
(15)
第2の露光によって前記光電変換部により光電変換された電荷が読み出される
前記(11)ないし(14)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(16)
前記アレイ部は、複数の前記画素が2次元状に配列され、
前記アレイ部における水平方向の画素配列に対応して設けられる垂直信号線を介して入力されるアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換部をさらに備え、
前記AD変換部は、複数の前記垂直信号線ごとにカラムADC(Analog to Digital Converter)を設けている
前記(1)ないし(15)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(17)
前記アレイ部は、複数の前記画素が2次元状に配列された画素アレイ部を含み、
前記画素アレイ部を含む第1の層と、前記AD変換部を含む第2の層とは積層されて構成される
前記(16)に記載の固体撮像装置。
(18)
前記アレイ部は、複数の前記画素の前記光電変換部が2次元状に配列された第1のアレイ部と、複数の前記画素の前記アナログメモリ部が2次元状に配列された第2のアレイ部とを含み、
前記第1のアレイ部を含む第1の層と、前記第2のアレイ部を含む第2の層と、前記AD変換部を含む第3の層とは積層されて構成される
前記(16)に記載の固体撮像装置。
(19)
複数の前記画素を駆動する駆動部をさらに備える
前記(1)ないし(18)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(20)
光電変換部とアナログメモリ部とを有する画素を複数配列したアレイ部を備え、
前記アナログメモリ部は、第1の露光によって前記光電変換部により光電変換された電荷を保持し、
前記第1の露光によって前記アナログメモリ部に保持された電荷が、適応的に非破壊で読み出される
固体撮像装置を搭載した電子機器。
10,10A,10B 固体撮像装置, 11 画素アレイ部, 11A フォトダイオードアレイ部, 12A アナログメモリアレイ部, 12 駆動部, 13 カラムADC部,20,20A,20B 固体撮像装置, 21 画素アレイ部, 21A フォトダイオードアレイ部, 22A アナログメモリアレイ部, 22 駆動部, 23 カラムADC部,30,30A,30B 固体撮像装置, 31 画素アレイ部, 31A フォトダイオードアレイ部, 32A アナログメモリアレイ部, 32 駆動部, 33 カラムADC部, 100 画素, 101 フォトダイオード部, 102 アナログメモリ部, 111 フォトダイオード, 122 アナログメモリ, 131 垂直信号線, 151 ADC, 200 画素, 201 フォトダイオード部, 202 アナログメモリ部, 211 フォトダイオード, 222 アナログメモリ, 231 垂直信号線, 251 ADC, 300 画素, 301 フォトダイオード部, 302 アナログメモリ部, 303,303−1ないし303−4 タップ, 311 フォトダイオード, 322,322−1ないし322−4 アナログメモリ, 331 垂直信号線, 351 ADC, 1000 電子機器, 1001 CPU, 1004 固体撮像装置, 1009 物体検出部, 1010 物体認識部, 1011 画像処理部
Claims (20)
- 光電変換部とアナログメモリ部とを有する画素を複数配列したアレイ部を備え、
前記アナログメモリ部は、第1の露光によって前記光電変換部により光電変換された電荷を保持し、
前記第1の露光によって前記アナログメモリ部に保持された電荷が、適応的に非破壊で読み出される
固体撮像装置。 - 前記アナログメモリ部に保持された電荷が、非破壊で複数回読み出される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 第2の露光によって前記光電変換部により光電変換された電荷が読み出される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記アナログメモリ部は、複数のアナログメモリを含み、
複数の前記アナログメモリのうち少なくとも1以上の前記アナログメモリは、前記第1の露光によって前記光電変換部により光電変換された電荷を保持し、
前記第1の露光によって前記アナログメモリに保持された電荷が選択的に読み出される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の露光は、グローバルシャッタ方式で行われる
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 複数の前記画素ごとに前記アナログメモリ部に保持された電荷が、画像フレーム内の任意の領域、前記画素の駆動モード、所定の信号処理、又は所定のタイミングに応じて読み出される
請求項5に記載の固体撮像装置。 - 複数の前記画素ごとに前記アナログメモリ部に保持された電荷のうち、第1の画像を生成するための電荷が読み出された後に、前記第1の画像と同時刻に撮像された第2の画像を生成するための電荷が読み出される
請求項5に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の露光は、グローバルシャッタ方式又はローリングシャッタ方式で行われ、
前記第2の露光は、ローリングシャッタ方式で行われる
請求項3に記載の固体撮像装置。 - 前記第2の露光は、前記第1の露光よりも時間的に後に行われる
請求項8に記載の固体撮像装置。 - 複数の前記画素ごとに前記アナログメモリ部に保持された電荷が、画像フレーム内の任意の領域、前記画素の駆動モード、所定の信号処理、又は所定のタイミングに応じて読み出される
請求項8に記載の固体撮像装置。 - 複数の前記アナログメモリは、前記光電変換部により光電変換された電荷として、前記第1の露光を時分割して得られる電荷を順次保持する
請求項4に記載の固体撮像装置。 - 複数の前記アナログメモリに保持された電荷が加算して読み出される
請求項11に記載の固体撮像装置。 - 複数の前記画素ごとに前記アナログメモリ部の複数の前記アナログメモリに保持された電荷が、画像フレーム内の任意の領域、前記画素の駆動モード、所定の信号処理、又は所定のタイミングに応じて読み出される
請求項11に記載の固体撮像装置。 - 複数の前記画素ごとに前記アナログメモリ部の複数の前記アナログメモリに保持された電荷が、前記第1の露光の時分割露光の状態に応じて選択的に読み出される
請求項12に記載の固体撮像装置。 - 第2の露光によって前記光電変換部により光電変換された電荷が読み出される
請求項11に記載の固体撮像装置。 - 前記アレイ部は、複数の前記画素が2次元状に配列され、
前記アレイ部における水平方向の画素配列に対応して設けられる垂直信号線を介して入力されるアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換部をさらに備え、
前記AD変換部は、複数の前記垂直信号線ごとにカラムADC(Analog to Digital Converter)を設けている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記アレイ部は、複数の前記画素が2次元状に配列された画素アレイ部を含み、
前記画素アレイ部を含む第1の層と、前記AD変換部を含む第2の層とは積層されて構成される
請求項16に記載の固体撮像装置。 - 前記アレイ部は、複数の前記画素の前記光電変換部が2次元状に配列された第1のアレイ部と、複数の前記画素の前記アナログメモリ部が2次元状に配列された第2のアレイ部とを含み、
前記第1のアレイ部を含む第1の層と、前記第2のアレイ部を含む第2の層と、前記AD変換部を含む第3の層とは積層されて構成される
請求項16に記載の固体撮像装置。 - 複数の前記画素を駆動する駆動部をさらに備える
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 光電変換部とアナログメモリ部とを有する画素を複数配列したアレイ部を備え、
前記アナログメモリ部は、第1の露光によって前記光電変換部により光電変換された電荷を保持し、
前記第1の露光によって前記アナログメモリ部に保持された電荷が、適応的に非破壊で読み出される
固体撮像装置を搭載した電子機器。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US12014500B2 (en) | 2019-04-14 | 2024-06-18 | Holovisions LLC | Healthy-Selfie(TM): methods for remote medical imaging using a conventional smart phone or augmented reality eyewear |
US11308618B2 (en) | 2019-04-14 | 2022-04-19 | Holovisions LLC | Healthy-Selfie(TM): a portable phone-moving device for telemedicine imaging using a mobile phone |
JP2022537117A (ja) * | 2019-06-21 | 2022-08-24 | ザ ガバニング カウンシル オブ ザ ユニバーシティ オブ トロント | 画素パラメータの画素単位の符号化を用いて画像ダイナミックレンジを拡張するための方法およびシステム |
US11863884B2 (en) * | 2021-09-16 | 2024-01-02 | Qualcomm Incorporated | Systems and methods for controlling an image sensor |
WO2023189600A1 (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像システム |
WO2024024464A1 (ja) * | 2022-07-25 | 2024-02-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、および電子機器 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7876980B2 (en) * | 2004-11-11 | 2011-01-25 | Panasonic Corporation | Imaging apparatus and imaging method for outputting a specified number of pixels in a specified area |
KR100922931B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2009-10-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
JP2010171868A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Fujifilm Corp | 撮像装置及び撮像装置の駆動方法 |
KR101597785B1 (ko) * | 2009-07-14 | 2016-02-25 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 영상 처리 방법 |
JP5806511B2 (ja) * | 2011-05-31 | 2015-11-10 | オリンパス株式会社 | 撮像装置、撮像方法 |
JP5915031B2 (ja) * | 2011-08-31 | 2016-05-11 | ソニー株式会社 | 撮像装置および撮像方法、並びに電子機器 |
JP5955007B2 (ja) * | 2012-02-01 | 2016-07-20 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像方法 |
WO2014114741A1 (en) * | 2013-01-25 | 2014-07-31 | Innovaciones Microelectrónicas S.L. (Anafocus) | Advanced region of interest function for image sensors |
US9807322B2 (en) * | 2013-03-15 | 2017-10-31 | Duelight Llc | Systems and methods for a digital image sensor |
EP2782332B1 (en) * | 2013-03-22 | 2017-08-30 | Harvest Imaging bvba | Digital camera with focus-detection pixels used for light metering |
JP6299406B2 (ja) * | 2013-12-19 | 2018-03-28 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器 |
US9917120B2 (en) * | 2015-11-09 | 2018-03-13 | Semiconductor Components Industries, Llc | Pixels with high dynamic range and a global shutter scanning mode |
-
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024095754A1 (ja) * | 2022-11-02 | 2024-05-10 | ソニーグループ株式会社 | 固体撮像装置およびその制御方法、並びに電子機器 |
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