CN106030846B - 封装膜及包括该封装膜的有机电子装置 - Google Patents
封装膜及包括该封装膜的有机电子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106030846B CN106030846B CN201580009337.1A CN201580009337A CN106030846B CN 106030846 B CN106030846 B CN 106030846B CN 201580009337 A CN201580009337 A CN 201580009337A CN 106030846 B CN106030846 B CN 106030846B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- layer
- resin
- encapsulating
- encapsulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 237
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 131
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 131
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 63
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims description 50
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 49
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 43
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 42
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 42
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 39
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 39
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 35
- -1 vistanex Polymers 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 17
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 16
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 15
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 11
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 10
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 8
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 claims description 8
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L lithium sulfate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]S([O-])(=O)=O INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 5
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 3
- 229910001914 chlorine tetroxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 3
- AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M lithium bromide Chemical compound [Li+].[Br-] AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001631 strontium chloride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L strontium dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sr+2] AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910019787 NbF5 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004546 TaF5 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052925 anhydrite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L calcium dibromide Chemical compound [Ca+2].[Br-].[Br-] WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 claims description 2
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000686 lactone group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910001623 magnesium bromide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L magnesium bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].[Br-] OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I pentafluoroniobium Chemical compound F[Nb](F)(F)(F)F AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 claims description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 claims description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 claims description 2
- YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I tantalum pentafluoride Chemical compound F[Ta](F)(F)(F)F YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I 0.000 claims description 2
- 125000000101 thioether group Chemical group 0.000 claims description 2
- HDUMBHAAKGUHAR-UHFFFAOYSA-J titanium(4+);disulfate Chemical compound [Ti+4].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O HDUMBHAAKGUHAR-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 2
- 125000006617 triphenylamine group Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910004755 Cerium(III) bromide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021592 Copper(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007832 Na2SO4 Substances 0.000 claims 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims 1
- 229910011006 Ti(SO4)2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910009523 YCl3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001638 barium iodide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001622 calcium bromide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 claims 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 claims 1
- MOOUSOJAOQPDEH-UHFFFAOYSA-K cerium(iii) bromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Br-].[Ce+3] MOOUSOJAOQPDEH-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims 1
- 229910000373 gallium sulfate Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001641 magnesium iodide Inorganic materials 0.000 claims 1
- BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L magnesium iodide Chemical compound [Mg+2].[I-].[I-] BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims 1
- VTQZBGAODFEJOW-UHFFFAOYSA-N selenium tetrabromide Chemical compound Br[Se](Br)(Br)Br VTQZBGAODFEJOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PCMOZDDGXKIOLL-UHFFFAOYSA-K yttrium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Y+3] PCMOZDDGXKIOLL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 41
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 214
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 32
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical group CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 21
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 17
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 16
- 210000002469 basement membrane Anatomy 0.000 description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 13
- 239000000047 product Substances 0.000 description 12
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 11
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 11
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 235000015511 Liquidambar orientalis Nutrition 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 241000736148 Styrax Species 0.000 description 6
- 239000004870 Styrax Substances 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 5
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- CQOZJDNCADWEKH-UHFFFAOYSA-N 2-[3,3-bis(2-hydroxyphenyl)propyl]phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1CCC(C=1C(=CC=CC=1)O)C1=CC=CC=C1O CQOZJDNCADWEKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 210000004379 membrane Anatomy 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 4
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 4
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 3
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000009998 heat setting Methods 0.000 description 3
- 238000009775 high-speed stirring Methods 0.000 description 3
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYMFBYTZOGMSQJ-UHFFFAOYSA-N 2-methylanthracenes Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC(C)=CC=C3C=C21 GYMFBYTZOGMSQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OBOSXEWFRARQPU-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n-dimethylpyridine-2,5-diamine Chemical compound CN(C)C1=CC=C(N)C=N1 OBOSXEWFRARQPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXMYWOCYTPKBPP-UHFFFAOYSA-N 3-(3-hydroxypropylamino)propan-1-ol Chemical compound OCCCNCCCO CXMYWOCYTPKBPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 2
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 2
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010426 asphalt Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Ba+2] CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 2
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000031709 bromination Effects 0.000 description 2
- 238000005893 bromination reaction Methods 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 2
- HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-1-ene Chemical group C=C.CC=C HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- YDLYQMBWCWFRAI-UHFFFAOYSA-N hexatriacontane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC YDLYQMBWCWFRAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920000346 polystyrene-polyisoprene block-polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 229920000468 styrene butadiene styrene block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001935 styrene-ethylene-butadiene-styrene Polymers 0.000 description 2
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-N sulfonic acid Chemical compound OS(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- HBGPNLPABVUVKZ-POTXQNELSA-N (1r,3as,4s,5ar,5br,7r,7ar,11ar,11br,13as,13br)-4,7-dihydroxy-3a,5a,5b,8,8,11a-hexamethyl-1-prop-1-en-2-yl-2,3,4,5,6,7,7a,10,11,11b,12,13,13a,13b-tetradecahydro-1h-cyclopenta[a]chrysen-9-one Chemical compound C([C@@]12C)CC(=O)C(C)(C)[C@@H]1[C@H](O)C[C@]([C@]1(C)C[C@@H]3O)(C)[C@@H]2CC[C@H]1[C@@H]1[C@]3(C)CC[C@H]1C(=C)C HBGPNLPABVUVKZ-POTXQNELSA-N 0.000 description 1
- RLUFBDIRFJGKLY-UHFFFAOYSA-N (2,3-dichlorophenyl)-phenylmethanone Chemical compound ClC1=CC=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1Cl RLUFBDIRFJGKLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MLNKXLRYCLKJSS-RMKNXTFCSA-N (2e)-2-hydroxyimino-1-phenylethanone Chemical compound O\N=C\C(=O)C1=CC=CC=C1 MLNKXLRYCLKJSS-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N (E)-1,3-pentadiene Chemical compound C\C=C\C=C PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 1
- MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoroethene Chemical group FC=C(F)F MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKSUVRWJZCEYQQ-UHFFFAOYSA-N 1,1-dimethoxyethylbenzene Chemical compound COC(C)(OC)C1=CC=CC=C1 XKSUVRWJZCEYQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDHBXQMYKGNZRP-UHFFFAOYSA-N 1-(2-methylpropoxy)butane Chemical compound CCCCOCC(C)C VDHBXQMYKGNZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004806 1-methylethylene group Chemical class [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- DTTDXHDYTWQDCS-UHFFFAOYSA-N 1-phenylcyclohexan-1-ol Chemical compound C=1C=CC=CC=1C1(O)CCCCC1 DTTDXHDYTWQDCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFRGGOIBYLYVKM-UHFFFAOYSA-N 15alpha-hydroxylup-20(29)-en-3-one Natural products CC(=C)C1CCC2(C)CC(O)C3(C)C(CCC4C5(C)CCC(=O)C(C)(C)C5CCC34C)C12 PFRGGOIBYLYVKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- GIMQKKFOOYOQGB-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical class C=1C=CC=CC=1C(OCC)(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 GIMQKKFOOYOQGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCHAFMWSFCONOO-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylthioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC(C)=C3SC2=C1 LCHAFMWSFCONOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 2-chlorothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC=C3SC2=C1 ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIWRBSMFKVOJMN-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-phenylpropan-2-ol Chemical compound CC(C)(O)CC1=CC=CC=C1 RIWRBSMFKVOJMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKBWHRMIYKMDDN-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-propoxypropane Chemical compound CCCOCC(C)C NKBWHRMIYKMDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 2-methylthioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3SC2=C1 MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004941 2-phenylimidazoles Chemical class 0.000 description 1
- BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound N#CCCN1C=CN=C1C1=CC=CC=C1 BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJRMDQLATQGMCQ-UHFFFAOYSA-N C=C.C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1 Chemical compound C=C.C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1 BJRMDQLATQGMCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004812 Fluorinated ethylene propylene Substances 0.000 description 1
- 229920013646 Hycar Polymers 0.000 description 1
- 239000013032 Hydrocarbon resin Substances 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L Magnesium perchlorate Chemical compound [Mg+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229920006361 Polyflon Polymers 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- SOKRNBGSNZXYIO-UHFFFAOYSA-N Resinone Natural products CC(=C)C1CCC2(C)C(O)CC3(C)C(CCC4C5(C)CCC(=O)C(C)(C)C5CCC34C)C12 SOKRNBGSNZXYIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012963 UV stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- LCJHLOJKAAQLQW-UHFFFAOYSA-N acetic acid;ethane Chemical compound CC.CC(O)=O LCJHLOJKAAQLQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L barium iodide Chemical compound [I-].[I-].[Ba+2] SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L barium perchlorate Chemical compound [Ba+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N butene Natural products CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 150000001896 cresols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dioxosilane;oxygen(2-);hydrate Chemical compound O.[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005520 diaryliodonium group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1SC1=CC=CC=C1 LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940035423 ethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 229920006244 ethylene-ethyl acrylate Polymers 0.000 description 1
- WHRIKZCFRVTHJH-UHFFFAOYSA-N ethylhydrazine Chemical compound CCNN WHRIKZCFRVTHJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 description 1
- SBDRYJMIQMDXRH-UHFFFAOYSA-N gallium;sulfuric acid Chemical compound [Ga].OS(O)(=O)=O SBDRYJMIQMDXRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006270 hydrocarbon resin Polymers 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052901 montmorillonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 125000003566 oxetanyl group Chemical group 0.000 description 1
- AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N oxophosphane Chemical compound P=O AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920009441 perflouroethylene propylene Polymers 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- LYXOWKPVTCPORE-UHFFFAOYSA-N phenyl-(4-phenylphenyl)methanone Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC=CC=2)C=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 LYXOWKPVTCPORE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001596 poly (chlorostyrenes) Polymers 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005673 polypropylene based resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006884 silylation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 229920001909 styrene-acrylic polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 235000012222 talc Nutrition 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 229920001897 terpolymer Polymers 0.000 description 1
- RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 3-aminoazetidine-1-carboxylate;hydrochloride Chemical compound Cl.CC(C)(C)OC(=O)N1CC(N)C1 RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005409 triarylsulfonium group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
- B32B15/082—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin comprising vinyl resins; comprising acrylic resins
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
- B32B15/085—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin comprising polyolefins
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
- B32B15/09—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin comprising polyesters
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
- B32B15/095—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin comprising polyurethanes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
- B32B27/281—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyimides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
- B32B27/304—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising vinyl halide (co)polymers, e.g. PVC, PVDC, PVF, PVDF
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
- B32B27/306—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising vinyl acetate or vinyl alcohol (co)polymers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
- B32B27/308—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising acrylic (co)polymers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
- B32B27/322—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins comprising halogenated polyolefins, e.g. PTFE
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/40—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyurethanes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/04—Interconnection of layers
- B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2250/00—Layers arrangement
- B32B2250/03—3 layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2255/00—Coating on the layer surface
- B32B2255/10—Coating on the layer surface on synthetic resin layer or on natural or synthetic rubber layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2255/00—Coating on the layer surface
- B32B2255/20—Inorganic coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2255/00—Coating on the layer surface
- B32B2255/20—Inorganic coating
- B32B2255/205—Metallic coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2255/00—Coating on the layer surface
- B32B2255/26—Polymeric coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/30—Properties of the layers or laminate having particular thermal properties
- B32B2307/302—Conductive
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
- B32B2307/416—Reflective
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/70—Other properties
- B32B2307/724—Permeability to gases, adsorption
- B32B2307/7242—Non-permeable
- B32B2307/7246—Water vapor barrier
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/70—Other properties
- B32B2307/748—Releasability
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
- B32B2457/206—Organic displays, e.g. OLED
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2363/00—Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2463/00—Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
- C08J2463/04—Epoxynovolacs
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2471/00—Characterised by the use of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Derivatives of such polymers
- C08J2471/08—Polyethers derived from hydroxy compounds or from their metallic derivatives
- C08J2471/10—Polyethers derived from hydroxy compounds or from their metallic derivatives from phenols
- C08J2471/12—Polyphenylene oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/341—Short-circuit prevention
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8423—Metallic sealing arrangements
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Optics & Photonics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Sealing Material Composition (AREA)
Abstract
本发明涉及一种封装膜、包括该封装膜的有机电子装置以及用于制造有机电子装置的方法。在使用所述封装膜封装有机电子装置的情况中,不仅能够实现优良的防潮性,也能通过经过吸收并阻挡内部或外部光而防止光的反射或散射来防止所述有机电子装置的缺陷的出现。
Description
背景技术
技术领域
本发明涉及一种封装膜、包括该封装膜的有机电子装置(OED)以及所述OED的制造方法。
现有技术
OED指包括利用空穴和电子产生电荷交换的有机材料层的装置。所述OED的实例可以包括光伏装置、整流器、发送器和有机发光二极管(OLED)。
在一个示范性实施例中,OLED具有较低能量消耗与较高响应速度,并且有益于形成比常规光源更薄的显示装置或光。因为所述OLED也具有优良的空间利用率(spaceutilization),所以预期所述OLED能应用于包括所有类型的便携装置、监控器、笔记本电脑和TV的各种领域。
为了扩大所述OLED的商业化与用途,最重要的问题是耐久性。所述OLED包括的有机材料和金属电极非常容易被诸如水气的外部因素氧化。此外,当显示器通过应用所述OLED而实现时,包括电气连接(electrical connection)沉积在所述显示器的外周部上的部分以及电气连接未沉积在所述显示器的外周部的部分。在未沉积的部分中,内部或外部光可能被反射或散射,并且有些从外侧见到光亮的部分造成外部缺陷。
发明内容
本发明旨在提供一种具有优良防潮性并且能通过吸收并阻挡内部或外部光而防止光的反射或散射来防止OED的外部缺陷的封装膜、具有该封装膜的OED以及OED的制造方法。
下文中,将引用附图更详细地描述本发明的示例性实施例。此外,为了说明本发明,省略了常规功能或构型的相关已知的详细描述。此外,附图能有助于理解本发明以及更清楚地说明本发明,省略与说明无关的部分。为了清楚地表示所述图中的数个层和区域,厚度或尺寸被夸大。本发明的范围不限于图中所示的厚度、尺寸与比率。
一方面,本发明提供一种有机电子组件的封装膜。本发明的封装膜可以应用于封装或包封诸如OLED的所述有机电子组件的整个区域。
所述示例性封装膜可以包括光吸收区。在一个实例中,所述光吸收区可以包括封装树脂与光吸收材料。在本发明中,所述光吸收区可以意指在所述封装膜中具有1011Ω/cm2或大于1011Ω/cm2的表面电阻的区域。在本发明的另一个示例性实施例中,所述封装膜可以包括:含光吸收区的光吸收层,所述光吸收区包括封装树脂和光吸收材料,并且具有1011Ω/cm2或大于1011Ω/cm2的表面电阻;以及防潮层。另一方面,本发明提供一种OED,包括基板、在所述基板上存在的有机电子组件以及具有黏附于所述有机电子组件整个表面的光吸收区的封装膜。同时,当所述封装膜形成二层或更多层时,所述光吸收区可以意指包括在厚度方向上的光吸收材料的区域。也就是说,在这种情况中,除了所述光吸收层的部分外,所述防潮层的部分也可以被定义为所述光吸收区。
本文所用的术语"OED"意指具有包括有机材料层的组件的产品或装置,所述有机材料层利用在一对面向彼此的电极之间的空穴和电子产生电荷交换,并且例如,可以包括光伏装置、整流器、发送器和OLED,但是本发明不限于此。在本发明的一实例中,所述OED可以为OLED。
本文所用的术语"光吸收层"或"防潮层"可以为形成所述封装膜的黏着层、压敏黏着层或可固化的压敏黏着层。因此,必要时,所述封装膜和所述光吸收层和/或所述防潮层可以互相使用相同的含义。这里,本文所用的术语"可固化的压敏黏着层"意指在室温时保持固态或半固态以黏附黏附体而没有由于在加热时产生的流动性引起的气泡并且在凝固之后利用黏附剂紧紧地固定住所述黏附体的类型的黏着层。在一示例性实施例中,所述"光吸收层"意指包括所述光吸收区的层。此外,在一示例性实施例中,所述"防潮层"意指具有水蒸气透过率(WVTR)为50g/m2·天或小于50g/m2·天,优选地30g/m2·天或小于30g/m2·天,更优选地20g/m2·天或小于20g/m2·天,以及又更优选地15g/m2·天或小于15g/m2·天的层。在本发明中,所述WVTR是相对于在如下所述的封装树脂在交联或固化之后在38℃和100%的相对湿度下的交联产物或固化产物的厚度方向测得的速率,并且交联产物或固化产物形成具有80μm厚度的膜状。此外,所述WVTR根据ASTM F1249测量。因为所述WVTR控制在以上范围内,所以可有效地抑制水气、蒸气或氧渗入所述OED的封装产物。在本发明中,因为所述封装膜的WVTR位准(level)较低,所以封装结构展现了优良的性能。所述WVTR的下限可以为,但不特别限于,例如,0、1或3g/m2·天。所述防潮层可以包括封装树脂,并且还包括水气吸收剂。构成所述防潮层的组分,例如,所述封装树脂或所述水气吸收剂,可以等同于或不同于构成所述光吸收层的组分。
本文所用的术语"封装组合物"是构成所述封装膜的光吸收层或防潮层的组分。所述封装组合物可以包括封装树脂、光吸收材料、水气吸收剂或其他添加剂。在所述封装膜的光吸收层和防潮层中,所述封装组合物的组分的类型和含量,除了所述光吸收材料以外,例如,所述封装树脂、所述水气吸收剂、其他添加剂或填料能彼此相同或不同。除非特地另行例举,否则对下述封装组合物的描述相当于全部的所述封装膜的光吸收层和防潮层。
在一实例中,所述封装膜的结构没有特别限制。所述封装膜具有单层结构或包括至少两层的多层结构。在一实例中,当所述封装膜具有单层结构时,可以包括上述光吸收层,并且当所述封装膜具有含至少两层的多层结构时,可以包括上述的光吸收层和所述防潮层。
图1是根据本发明的封装膜的剖视图。示例性封装膜1可以包括光吸收层2。此外,如图2至图4所示,封装膜1可以具有含至少两层的多层结构,并且在此情况中,封装膜1可以包括至少一层光吸收层2。在一实例中,当封装膜1具有如图1所示的单层结构时,可以包括光吸收层2。具体地讲,当封装膜1包括单层结构时,如图1(a)所示,所述光吸收层可以包括光吸收材料3,或如图1(b)所示,所述光吸收层可以包括光吸收材料3和水气吸收剂5。此外,如图2所示,当封装膜1具有双层结构时,可以包括光吸收层2和防潮层4。当所述封装膜具有多层结构时,光吸收层和防潮层的堆栈顺序没有特别限制。此外,当所述封装膜具有包括至少三层的多层结构时,所述防潮层可以具有多层结构。当所述防潮层具有多层结构时,可以把所述光吸收层布置在所述至少两个防潮层之间,或可以把所述光吸收层形成在堆栈至少两个防潮层的结构的一个或两个表面上。图3显示光吸收层2是布置在两个防潮层4和6之间,并且所述二层防潮层中的一者(所述防潮层6)不包括水气吸收剂5,或考虑到封装时与有机电子组件接触而包括少量的水气吸收剂5。图4显示光吸收层2是形成在堆栈所述二防潮层4和6的结构的一个表面上,并且所述二层防潮层4和6中的一者(所述防潮层6)不包括水气吸收剂5,或考虑到封装时与有机电子组件接触而包括小量的水气吸收剂5。此外,所述封装膜可包括至少两个光吸收层。在此情况中,两层光吸收层可连续地堆栈,并且所述二层光吸收层之间可以包括所述防潮层。
在本发明的示例性实施例中,所述封装膜可以包括光吸收区,如上所述所述光吸收区包括封装树脂和光吸收材料,并且具有1011Ω/cm2或大于1011Ω/cm2的表面电阻。在所述封装膜中,非光吸收区,不是所述光吸收区,可以由除了不包括光吸收材料以外,与构成所述光吸收区的组分相同的组分组成。
当利用OLED实现显示器时,包括电气连接沉积在所述显示器的侧表面上的显示器部分及电气连接未沉积的显示器部分。因此,在所述未沉积的部分中,外部光可能被反射或散射,并且这里,所述封装膜的光吸收区用以吸收且阻挡反射光或散射光。
所述形成光吸收区的封装膜部分没有特别限制,但是例如,所述光吸收区可能形成在所述封装膜的至少一个外周部中。本文所用的术语"外周部"意指边缘。也就是说,所述膜的外周部可以意指所述膜的周围边缘。在另一个示例性实施例中,所述光吸收区可形成在所述封装膜的整个区域中。也就是说,当在平面视图中观察所述封装膜时,所述封装膜的整个区域可以具有1011Ω/cm2或大于1011Ω/cm2的表面电阻,或仅所述封装膜的至少一个外周部可以具有1011Ω/cm2或大于1011Ω/cm2的表面电阻。在本发明中,当所述膜具有单层结构时,所述表面电阻可以为相对于所述单层的光吸收区测量的表面电阻。此外,当所述膜具有多层结构时,所述表面电阻可以为在所述包括至少一个光吸收层和/或至少一个防潮层的多层堆栈结构中测量的表面电阻。例如,上述光吸收区可以为包括光吸收材料并且具有相对于所述与1011Ω/cm2或大于1011Ω/cm2的有机电子组件接触的封装膜表面测得的表面电阻的区域。此外,在一实例中,根据本发明的封装膜的表面电阻上限可以为,但是不特别限于,例如,1018Ω/cm2。所述表面电阻可以为,例如,1011Ω/cm2或大于1011Ω/cm2、1012Ω/cm2或大于1012Ω/cm2、1013Ω/cm2或大于1013Ω/cm2、1014Ω/cm2或大于1014Ω/cm2或者1015Ω/cm2或大于1015Ω/cm2。因为所述表面电阻的范围被测量并且被控制,所以所述封装膜的电导率可以在适当范围中调整。在所述包括光吸收材料的封装膜是应用在OED封装的情形中时,当所述膜具有电导率时,将引发所述OED的不正常驱动。因此,作为用于调整封装膜电导率的单元,表面电阻可以被测量以便控制。所述表面电阻可以通过本领域已知的常规方法测量。例如,所述表面电阻可以根据标准试验法使用Mitsubishi Chemical有限公司制造的表面电阻计MCP-HT450测量。在一实例中,为了测量所述表面电阻,测量移除了离型膜的封装膜的光吸收区的表面电阻,并且在23℃和50%相对湿度下施加500V的电压1分钟之后测量所述表面电阻值。
图5至图8是本发明的封装膜的平面视图。
如上所述,在所述封装膜中,如图5所示,光吸收区可形成在所述封装膜的整个区域中,但是本发明不限于此。也就是说,当在平面视图中观察所述封装膜时,如图6至图8所示,所述光吸收区可以形成在至少一个外周部。也就是说,当将所述包括光吸收材料的封装膜1的区域称作光吸收区或第一区10,并且将不包括光吸收材料的区称作非光吸收区或第二区11时,所述封装膜的整个区域可以为所述第一区10。或者,仅封装膜1的一个外周部可以为第一区10。这里,所述外周部的厚度可以适当地调整。也就是说,如图6所示,四个外周部中的一个是所述第一区10,并且其余的外周部可以为第二区11。或者,如图8所示,全部四个外周部可以为第一区10。这里,每个外周部的厚度可以被本领域技术人员根据所述封装膜应用的领域和用途适当地调整。此外,本文所用的术语"第一区10"可以使用与上述光吸收区相同的含义。
在本发明的一示例性实施例中,所述封装膜可具有40%至90%、55%至85%或60%至80%的雾度(haze)。所述雾度可以通过本领域中已知的常规方法测量,并且当所述膜形成单层结构时,所述雾度可以测量到所述膜的整个区域,并且当所述膜形成多层结构时,所述雾度可以测量到所述具有多层堆栈结构的膜的整个区域。例如,所述雾度可以根据JIS K7105标准试验法利用雾度计测量。所述雾度值可以被本领域的技术人员根据封装膜的期望用途控制在适当范围中。此外,所述雾度值可以通过调整下述水气吸收剂或填料的含量或直径的方法控制在上述特定范围中。因为所述雾度值被控制得保持在40%或大于40%,所以能确认所述防潮性得以保持而在膜的制造过程中没有所述水气吸收剂与空气中的水气的反应。
在一实例中,所述封装膜的光吸收区可以具有相对于可见光区为15%或小于15%的透光率。在本发明中,当所述膜形成单层结构时,所述透光率可以为相对于可见光区的透光率,所述透光率是在所述光吸收区的厚度方向上测量的。此外,当所述膜是形成多层结构时,所述透光率可以为在所述包括至少一个光吸收层和/或至少一个防潮层的多层堆栈结构中测量的透光率。例如,当在平面视图中观察根据本发明的封装膜时,上述光吸收区可以为在具有堆栈结构的膜的厚度方向上具有15%或小于15%的透光率的区域。在一实例中,在根据本发明的可见光区域中的透光率下限可以为,但是不特别限于,0%。所述透光率可为,例如,0.2至15%、0.5%至15%、1%至15%、1%至14%、1%至13%、2%至12%、3%至11%、或3%至10%。特别是,当所述显示器是利用OLED实现时,包括电气连接沉积在侧表面上的显示器部分和电气连接未沉积的显示器部分。因此,在所述未沉积的部分中,外部光可能被反射或散射,并且这里,所述封装膜用以吸收并且阻挡反射光或散射光。在一实例中,所述透光率可以在550nm利用UV-Vis光谱仪测量。
在本发明中,构成所述光吸收层或防潮层的封装组合物可以由已知材料形成。例如,如上所述,所述构成光吸收层的封装组合物可以包括所述封装树脂和所述光吸收材料。此外,所述光吸收材料的类型或含量可以被本领域的普通技术人员针对所述封装膜的光吸收区调整以具有上述范围的表面电阻或透光率。
在本发明的一示例性实施例中,所述构成封装组合物的封装树脂的类型没有特别限制。本文所述的封装树脂可以包括在所有所述光吸收层和所述防潮层中。
在一实例中,所述封装树脂可以在室温下为固态或半固态,优选地为固态。这里,当所述树脂在室温下为固态或半固态时,所述树脂可能在室温下没有流动性。例如,本文使用的"在室温下为固态或半固态"可以意指在室温下的目标物的黏度为大约106泊或大于106泊或者大约107泊或大于107泊。这里,所述黏度是在5%应变和1Hz频率使用AdvancedRheometric Expansion System(ARES)测量的。
当所述封装树脂在室温下为固态或半固态时,所述封装树脂能以未固化状态保持膜形或片形。因此,在使用所述封装膜的所述有机电子组件的封装或包封中,可以防止施加在所述组件的物理或化学损坏,并且可以平稳地进行所述工艺。此外,可以防止在封装或包封所述有机电子组件时气泡的加入或所述组件的使用寿命缩减。所述封装树脂的黏度上限没有特别限制,并且例如,可以考虑可加工性而控制在大约109泊或小于109泊的范围内。
例如,所述封装树脂可以为丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂、氟树脂、苯乙烯树脂、聚烯烃树脂、热塑性弹性体、聚氧化烯烃树脂、聚酯树脂、聚氯乙烯树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯硫醚树脂、聚酰胺树脂或其混合物。
这里,所述苯乙烯树脂可以为,例如,苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(ABS)、丙烯腈-苯乙烯-丙烯酸酯嵌段共聚物(ASA)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯系均聚物或其混合物。所述烯烃树脂可以为,例如,高密度聚乙烯系树脂、低密度聚乙烯系树脂、聚丙烯系树脂或其混合物。所述热塑性弹性体可以为例如,酯系热塑性弹性体、烯烃系热塑性弹性体或其混合物。这里,可以使用聚丁二烯树脂或聚异丁烯树脂作为所述烯烃系热塑性弹性体。可以使用例如,聚氧化甲烯系树脂、聚氧化乙烯系树脂或其混合物作为所述聚氧化烯烃树脂。可以使用例如,聚对苯二甲酸乙二酯系树脂、聚对苯二甲酸丁二酯系树脂或其混合物作为所述聚酯树脂。可以使用例如,聚偏氯乙烯作为所述聚氯乙烯树脂。此外,可以使用烃树脂,例如,三十六烷或链烷烃的混合物。可以使用例如,尼龙作为所述聚酰胺树脂。可以使用例如,聚(甲基)丙烯酸丁酯作为所述丙烯酸酯树脂。可以使用例如,聚二甲基硅氧烷作为所述硅树脂。此外,可以使用聚三氟乙烯树脂、聚四氟乙烯树脂、聚氯三氟乙烯树脂、聚六氟丙烯树脂、聚偏氟乙烯、聚氟乙烯、聚氟化乙烯丙烯或其混合物作为所述氟树脂。
以上列出的树脂可以接枝(graft)到例如,顺丁烯二酸酐,与所列出的树脂中的另一者或用于制备树脂的单体聚合,或被不同化合物改性。作为所述不同化合物的实例,可以使用末端为羧基的丁二烯-丙烯腈共聚物。
在一实例中,所述封装组合物的封装树脂可以包括聚异丁烯系树脂。所述聚异丁烯系树脂可以由于疏水性而具有低WVTR和低表面能。具体地讲,可以使用例如,异丁烯单体的均聚物或通过将另一种与异丁烯单体聚合的单体共聚合制备而成的共聚物作为所述聚异丁烯系树脂。这里,所述另一种与异丁烯单体聚合的单体可以为例如,1-丁烯、2-丁烯、异戊二烯或丁二烯。在一实例中,所述共聚物可为丁基橡胶。
可以使用具有能模塑成膜形的重均分子量(Mw)的基底树脂作为所述封装树脂的组分。在一实例中,所述能模塑成膜形的重均分子量的范围可以为大约100,000至2,000,000、100,000至1,500,000、或100,000至1,000,000。本文所用的术语"重均分子量"意指通过凝胶渗透色谱法(GPC)测得的相对于标准聚苯乙烯的转换值。
此外,可以使用以上组分中的一者或至少二者作为所述封装树脂的组分。当使用至少两种组分时,可以使用至少二不同类型的树脂、至少两种具有不同重均分子量的树脂或至少二种不同类型的重均分子量不同的树脂。
在又一示例性实施例中,根据本发明的封装树脂可以为可固化的树脂。可用在本发明中的特定类型的可固化的树脂没有特别限制,并且可以使用例如,本领域中已知的可热固化或可光固化的树脂。本文所用的术语"可热固化的树脂"意指能通过适当加热的程序或老化程序固化的树脂,并且术语"可光固化的树脂"意指能通过放射电磁波而固化的树脂。此外,所述可固化的树脂可以为包括所有热固化和光固化特性的双固化的树脂。在一实例中,考虑到所述封装组合物是由下述含有光吸收材料的可固化的树脂构成,所以本发明的可固化的树脂可以为可热固化的树脂,不是可光固化的树脂,但是本发明不限于此。
本发明的特定类型的可固化的树脂可为具有上述特性的任何类型而没有特别限制。例如,所述可固化的树脂可以通过固化而具有黏着特性,并且可以为包括至少一个诸如缩水甘油基、异氰酸酯基、羟基、羧基或酰胺基的可热固化官能团的树脂,或包括至少一个能通过放射电磁波而固化的诸如环氧基、环醚基、硫醚基、缩醛基或内酯基的官能团的树脂。此外,特定类型的上述树脂可以为丙烯酸树脂、聚酯树脂、异氰酸酯树脂或环氧树脂,但是本发明不限于此。
在本发明中,作为所述可固化的树脂,可以使用芳族或脂族或者直链或支链环氧树脂。在本发明的一示例性实施例中,可以使用包括至少两个官能团并且具有180至1,000g/eq的环氧当量的环氧树脂。当使用所述具有以上范围的环氧当量的环氧树脂时,可以有效地保持所述固化产物的诸如黏着性能和玻璃化温度的性质。此环氧树脂可以为甲酚-酚醛环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚A型酚醛环氧树脂、酚-酚醛环氧树脂、四官能环氧树脂、联苯型环氧树脂、三酚甲烷型环氧树脂、烷基改性的三酚甲烷环氧树脂、萘型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂及二环戊二烯改性的酚型环氧树脂中的一者或至少二者的混合物。
在本发明中,可以使用在分子结构中包括环状结构的环氧树脂作为所述可固化的树脂,或可以使用包括芳基(例如,苯基)的环氧树脂作为所述可固化的树脂。当所述环氧树脂包括芳基时,固化产物可以具有优良的热和化学安定性,并且展现低水气吸收量,并且因此可增进所述OED的封装结构的可靠性。可以使用联苯型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、萘型环氧树脂、二环戊二烯改性的酚型环氧树脂、甲酚系环氧树脂、双酚系环氧树脂、二甲苯系环氧树脂、多官能环氧树脂、酚-酚醛环氧树脂、三酚甲烷型环氧树脂以及烷基改性的三酚甲烷环氧树脂中的一者或至少两者的混合物作为所述能用在本发明的包含芳族的环氧树脂,但是本发明不限于此。
在本发明中,可以使用硅烷改性的环氧树脂、或具有芳基的硅烷改性的环氧树脂作为所述环氧树脂。同样地,当使用结构上经硅烷改性的具有硅烷基的环氧树脂时,可以将对玻璃基板或所述OED基板的无机材料的黏着性最大化,并且可以增进防潮性或耐久性与可靠性。能用在本发明的特定类型的所述环氧树脂没有特别限制,并且这样的树脂可以自诸如Kukdo Chemical有限公司的制造商轻易地购得。
在本发明的一示例性实施例中,所述封装膜的光吸收区以可包括光吸收材料,并且所述光吸收材料的类型和含量可以由本领域的技术人员适当地加以控制以满足上述所述膜的透光率范围。
本文所用的术语"光吸收材料"可以为能吸收可见光线的材料,例如,颜料或染料。
在一实例中,所述光吸收材料可以为非导电材料。当所述包括光吸收材料的封装组合物制造成应用在封装所述OED的膜形状时,如果所述膜具有电导率,将引发驱动所述OED时的缺陷。因此,当使用非导电材料作为光吸收材料时,所述膜的表面电阻可以被限制在上述范围内,可以防止根据所述膜的电导率驱动所述OED的缺陷。
所述光吸收材料没有特别限制,但是可以为,例如,颜料或染料。在一实例中,所述光吸收材料可以为能吸收全波长范围或特定波长范围的光的任何材料,并且可以为,但是不特别限于,例如,碳黑、碳纳米管、芴(C6)、酞菁衍生物、卟啉衍生物、三苯胺衍生物或其混合物。在一实例中,所述光吸收材料的含量可以相对于100重量份的封装树脂为0.01重量份或大于0.01重量份、0.01至50重量份、0.6至40重量份、0.7至30重量份、0.8至20重量份、0.9至14重量份、1.0至13、或1.0至12重量份。因为所述光吸收材料是在以上范围内调整,所以当所述封装组合物应用于OED时,内部或外部光可以被有效吸收和阻挡以防止所述光的反射或散射。
在又一示例性实施例中,所述光吸收材料可以视需要调整以吸收特定波长范围的光源。
本发明的封装膜的光吸收层或防潮层可以视需要包括水气吸收剂。术语"水气吸收剂"可以包括所有能经过物理或化学反应吸附或移除自外在环境渗入的水气或蒸气的组分。也就是说,所述水气吸收剂可为水气反应性吸附剂、物理吸附剂或其混合物。
所述水气反应性吸附剂通过与渗入所述封装膜的蒸气、水气或氧的化学反应吸附水气或蒸气。可以通过延长水气或蒸气渗入所述封装结构的移动路径而抑制对所述物理吸附剂渗透,并且所述物理吸附剂可以通过与所述封装树脂的矩阵结构与所述水气反应性吸附剂的交互作用将对水气和蒸气的阻挡性质最大化。
能用在本发明的特定类型的水气吸收剂没有特别限制,并且例如,所述水气反应性吸附剂可以为诸如铝、金属氧化物、金属盐的金属粉末和五氧化磷(P2O5)中的一者或至少二者的混合物,并且所述物理吸附剂可为氧化硅、沸石、氧化钛、氧化锆或蒙脱石。
这里,具体地讲,所述金属氧化物可以为氧化锂(Li2O)、氧化钠(Na2O)、氧化钡(BaO)、氧化钙(CaO)或氧化镁(MgO),并且所述金属盐可以为,但是不限于,诸如硫酸锂(Li2SO4)、硫酸钠(Na2SO4)、硫酸钙(CaSO4)、硫酸镁(MgSO4)、硫酸钴(CoSO4)、硫酸镓(Ga2(SO4)3)、硫酸钛(Ti(SO4)2)或硫酸镍(NiSO4)的硫酸盐;诸如氯化钙(CaCl2)、氯化镁(MgCl2)、氯化锶(SrCl2)、氯化钇(YCl3)、氯化铜(CuCl2)、氟化铯(CsF)、氟化钽(TaF5)、氟化铌(NbF5)、溴化锂(LiBr)、溴化钙(CaBr2)、溴化铈(CeBr3)、溴化硒(SeBr4)、溴化钒(VBr3)、溴化镁(MgBr2)、碘化钡(BaI2)或碘化镁(MgI2)的金属卤化物;或诸如高氯酸钡(Ba(ClO4)2)或高氯酸镁(Mg(ClO4)2)的金属氯酸盐,但是本发明不限于此。
在本发明中,诸如金属氧化物的所述水气吸收剂可以适当地处理,并且混合在所述组合物中。例如,依据所述封装膜应用的OED类型,所述封装组合物可以形成厚度为30μm或小于30μm的薄膜的形式,并且在此情况中,可能需要所述水气吸收剂的磨细工艺。为了将所述水气吸收剂磨细,可以使用三辊式研磨机、珠磨机或球磨机。
本发明的封装膜的光吸收层或防潮层可以相对于100重量份的所述封装树脂包括0至100、1至90、5至80、或10至60重量份的水气吸收剂。所述水气吸收剂是任选的组分,并且因此可不被包括在内。然而,因为所述水气吸收剂的含量控制在5重量份或大于5重量份,所以固化产物可以展现优良的水气和蒸气阻挡性质。此外,因为所述水气吸收剂的含量是控制在100重量份或小于100重量份,所以可以形成薄膜型封装结构,并且可展现优良的防潮性。
在本说明书中,除非特别另行限定,否则所述单位"重量份"意指组分之间的重量比。
在本发明的一示例性实施例中,所述水气吸收剂可以根据用于封装有机电子组件的结构适当地控制。例如,在与所述有机电子组件接触的层中,所述水气吸收剂可以基于所述封装膜的水气吸收剂总重量为0至20%。例如,如图3和图4所示,当所述组件与所述依序堆栈的二层防潮层4和6中的一者(所述防潮层6)接触时,在所述有机电子组件的封装期间,下面的防潮层6可以包括基于所述水气吸收剂的总重量为0至20%的水气吸收剂,并且未与所述有机电子组件接触的上面的防潮层4可以基于所述水气吸收剂的总重量包括80%至100%的水气吸收剂。
本发明的封装膜的光吸收层或防潮层可以视需要包括填料,并且优选地,无机填料。所述填料可以延长渗入所述封装结构的水气或蒸气的移动路径以抑制渗透,并且通过所述封装树脂的矩阵结构与所述水气吸收剂的交互作用将对水气和蒸气的阻挡性质最大化。能用在本发明中的特定类型的填料可以为,但是不特别限于,例如,黏土、滑石和氧化硅中的一者或至少二者的混合物。
此外,在本发明中,为了提高对所述填料和有机黏合剂的黏合效率,作为所述填料,可以使用表面被有机材料处理过的产品,或可以额外地使用耦合剂。
本发明的封装膜的光吸收层或防潮层可以相对于100重量份的所述封装树脂包括0至50、1至40、或1至20重量份的填料。在本发明中,所述填料是任选组分,并且可以不被包括在所述封装膜中。然而,所述填料的含量控制在1重量份或大于1重量份,并且因此可以提供具有优良的水气或蒸气阻挡性质和物理性质的封装结构。此外,在本发明中,当所述填料的含量是控制在50重量份或小于50重量份时,所述封装膜可以制造成膜形,并且甚至当所述封装膜制造成薄膜时,固化产物也可以展现优良的防潮性。
本文所用的术语"封装结构"可以为具有单层或多层结构的上述封装膜,并且可以为用于封装包括封装膜的OED的产品,所述封装膜封装所述OED和有机电子组件的整个表面。
此外,在一实例中,所述封装膜还可以包括分散剂使得所述光吸收材料或所述水气吸收剂可以被均匀地分散。可以使用例如,对所述光吸收材料的表面具有亲和力以及与所述封装树脂具有兼容性的非离子型表面活性剂作为能用在本文中的分散剂。
在本发明的一示例性实施例中,所述封装膜的光吸收层或防潮层根据所述封装树脂的类型还可以包括固化剂。例如,还可以包括能通过与上述封装树脂的反应形成交联结构的固化剂或能引发所述树脂的固化反应的引发剂。
所述固化剂的适当类型可以根据所述封装树脂的类型或在所述树脂中包括的官能团的类型而选择与使用。
在一实例中,当所述封装树脂是环氧树脂时,例如,可以使用胺固化剂、咪唑固化剂、酚固化剂、磷固化剂和酸酐固化剂中的一者或至少二者作为本领域已知的环氧树脂的固化剂,但是本发明不限于此。
在一实例中,在室温下为固体并且具有熔点或降解温度为80℃或大于80℃的咪唑化合物可以用作所述固化剂。此化合物可以为,但是不限于,例如,2-甲基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、或1-氰乙基-2-苯基咪唑。
所述固化剂的含量可以根据例如,所述封装树脂的类型或比率选择。例如,所述固化剂的含量可以相对于100重量份的所述封装树脂包括1至20、1至10、或1至5重量份。然而,所述重量比可以根据所述封装树脂或所述树脂的官能团的类型或比率、或待实现的交联密度而改变。
当所述封装树脂是可以通过活性能量射线(active energy ray)的放射而固化的树脂时,例如,可以使用阳离子型光聚合引发剂作为引发剂。
可以使用鎓盐或有机金属盐系离子化阳离子型引发剂、或有机硅烷或潜在磺酸(latent sulfonic acid)系离子化阳离子型光聚合引发剂、或未离子化阳离子型光聚合引发剂作为所述阳离子型光聚合引发剂。所述鎓盐系引发剂可为二芳基碘盐、三芳基硫盐、或芳基偶氮鎓盐,所述有机金属盐系引发剂可以为铁芳烃(iron arene),所述有机硅烷系引发剂可以为邻硝基苯甲基三芳基硅烷基醚、过氧化三芳基硅烷基、或酰基硅烷,并且所述潜在磺酸系引发剂可为α-磺酰氧基酮或α-羟甲基安息香磺酸酯,但是本发明不限于此。
在一实例中,可以使用离子化阳离子型光聚合引发剂作为所述阳离子型引发剂。
此外,当所述封装树脂是能通过活性能量射线的放射而固化的树脂时,例如,可以使用自由基引发剂作为引发剂。
所述自由基引发剂可以为光引发剂或热引发剂。特定类型的光引发剂可以考虑固化速度和黄化可能性而适当地选择。例如,所述光引发剂可以为安息香、羟基酮、胺基酮、或氧化膦系的光引发剂,并且具体地讲,安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香异丙基醚、安息香正丁基醚、安息香异丁基醚、苯乙酮、二甲基胺基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-羟基环己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉基-丙烷-1-酮、4-(2-羟基乙氧基)苯基-2-(羟基-2-丙基)酮、苯甲酮、对-苯基苯甲酮、4,4'-二乙基胺基苯甲酮、二氯苯甲酮、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、2-胺基蒽醌、2-甲基噻吨酮、2-乙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、苄基二甲基缩酮、苯乙酮二甲基缩酮、对-二甲基胺基苯甲酸酯、低聚[2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮]、或2,4,6-三甲基苯甲酰-二苯基-氧化膦。
如同所述固化剂的所述引发剂的含量可以根据所述封装树脂或所述树脂的官能团的类型或比率、或待实现的交联密度而改变。例如,所述引发剂相对于100重量份的封装树脂可以包括0.01至10重量份或0.1至3重量份。
本发明的封装膜的光吸收层或防潮层还可以包括高分子量树脂。当本发明的封装组合物模塑成膜形或片形时,所述高分子量树脂可能有助于改善可塑性。此外,当执行热熔工艺时,所述高分子量树脂可以用作用于控制流动性的高温黏度控制剂。
能用在本文的高分子量树脂的类型没有特别限制,只要所述树脂与所述封装树脂的另一种组分具有兼容性。能用在本文的高分子量树脂的特定实例是具有20,000或大于20,000的重均分子量的树脂,例如,苯氧基树脂、丙烯酸酯树脂、高分子量环氧树脂、超高分子量环氧树脂、含高极性官能团的橡胶以及含高极性官能团的反应性橡胶中的一者或至少二者的混合物,但是本发明不限于此。
当本发明的封装组合物包括所述高分子量树脂时,所述树脂的含量根据期望的物理性质调整,并且没有特别限制。例如,在本发明中,所述高分子量树脂相对于100重量份的封装树脂可以包括大约200重量份或小于200重量份,优选地150重量份或小于150重量份,并且更优选地大约100重量份或小于100重量份。因为本发明的高分子量树脂的含量是控制在200重量份或小于200重量份,所以可以有效地保持与所述树脂组合物的各组分的兼容性,并且因此所述树脂可以用作黏着剂。
在根据本发明的构成所述光吸收层或所述防潮层的封装组合物中,除了上述组分以外,可以根据用途、所述封装树脂的类型和封装膜的制造工艺而包括各种添加剂,所述添加剂将在下文中描述而不会影响本发明的效果。例如,所述封装组合物可以根据期望的物理性质而包括在适当含量范围内的偶合剂、交联剂、可固化材料、增黏剂、紫外稳定剂或抗氧化剂。这里,所述可固化材料可以意指单独包括可热固化的官能团和/或活性能量射线可固化的官能团的材料,而不是构成所述光吸收层的上述组分。例如,所述可固化材料可以意指包括下述官能团中的至少二者的化合物:能通过活性能量射线的放射参与聚合的官能团(例如,包括诸如丙烯酰基或甲基丙烯酰基的乙烯基不饱和双键的官能团)以及诸如环氧基或氧杂环丁烷基的官能团。
在本发明的一示例性实施例中,除了所述光吸收层或所述防潮层以外,所述封装膜还可以包括金属层。根据本发明的一示例性实施例的金属层可能是透明的或不透明的。所述金属层可以为薄膜型金属箔或通过将金属沉积在聚合物基膜(base film)上而形成的层。所述金属层可以由能具有导热率和防潮性的任何材料形成而没有限制。所述金属层可以包括金属、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、金属硼氧化物和其混合物中的任一者。例如,所述金属层可以包括通过将至少一种金属元素或非金属元素加入一种金属而制备的合金,例如,铁-镍合金或不锈钢(SUS)。此外,在一实例中,所述金属层可以包括铜、铝、镍、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡、氧化钽、氧化锆、氧化铌以及其混合物。所述金属层可以通过电解法、辊轧法(rolling)、汽化法、电子束汽化法、溅射法、反应性溅射法、化学气相沉积法、等离子体化学气相沉积法或电子回旋共振源等离子体化学气相沉积法沉积。在本发明的一示例性实施例中,所述金属层可以通过反应性溅射法沉积。在本发明的一示例性实施例中,所述包括金属层的封装膜可以通过所述金属层利用所述光吸收区防止所述OED的电气连接的未沉积部分中的外部光的反射或散射。
在一实例中,所述金属层在包含镜面反射分量(SCI)测量中可以具有15%至90%、18%至88%或20%至86%的反射率。此外,所述金属层在去除镜面反射分量(SCE)测量中可以具有15%至80%、18%至75%、20%至70%、或20%至65%的反射率。这里,所述SCI表示全反射率,并且所述SCE表示散射引起的不规则反射率。所述反射率可以通过本领域中已知的方法利用例如,Konika Minolta生产的CM2006d测量(测量条件:来自M/I+E、M/SCI、M/SCE、S/I+E、S/SCI和S/SCE中的任一个预定值、来自UV 0至100%中的任一个预定值、来自D65、D50、C、A、F2、F6、F7、F8、F10、F11和F12中的任一种光源以及10°或2°的观察视角)。当所述封装膜包括金属层时,由于所述OED的电金属连接(electrical metal connection)与所述金属层之间的反射率差异,所以在从外在环境观察所述OED时,观察到所述电气连接。特别是,当所述光吸收层包括水气吸收剂或填料时,或者当所述防潮层包括水气吸收剂或填料时,所述光吸收层或所述防潮层用作光散射的中间层。因此,使得形成在所述OED的一个表面上的偏光镜的反射率降低的效果劣化,并且因此使不含所述电金属连接的部分看起来模糊不清。因此,如上所述,所述包括金属层的封装膜可以通过所述金属层利用光吸收区防止来自所述OED的电气连接的未沉积部分的外部光的反射或散射。
所述金属层可具有以下导热率:50W/mK或大于50W/mK、60W/mK或大于60W/mK、70W/mK或大于70W/mK、80W/mK或大于80W/mK、90W/mK或大于90W/mK、100W/mK或大于100W/mK、110W/mK或大于110W/mK、120W/mK或大于120W/mK、130W/mK或大于130W/mK、140W/mK或大于140W/mK、150W/mK或大于150W/mK、200W/mK或大于200W/mK或者250W/mK或大于250W/mK。因为所述金属层具有上述高导热率,所以在接触所述金属层的工艺中在接触界面处产生的热可以更快速地排出。此外,由于所述高导热率,使所述OED运行时累积的热迅速排出到外部环境,因此所述OED的温度可以保持较低,并且减少裂纹和缺陷的产生。
本文所用的术语"导热率"是材料通过传导传送热的能力的程度,并且单位可以为W/mK。所述单位显示在相同温度和距离下的材料传送热的程度,并且是相对于距离单位(米)和温度单位(开尔文)的热单位(瓦特)。
本发明的封装膜的结构可以为,但是不特别限于,例如,包括基膜或离型膜(下文中,也称作"第一膜")以及所述形成在基膜或离型膜上的光吸收层或防潮层的结构。
本发明的封装膜还可以包括形成在光吸收层或防潮层上的基膜或离型膜(下文中,也称作"第二膜")。
能用在本发明的特定类型的第一膜没有特别限制。在本发明中,例如,可以使用本领域中通常使用的聚合物膜作为所述第一膜。在本发明中,例如,可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚胺酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯膜、乙烯-丙烯共聚物膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物膜、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物膜或聚酰亚胺膜作为所述基膜或离型膜。此外,本发明的基膜或离型膜的一个或二个表面可以进行适当的离型处理。可以使用以醇酸、硅酮、氟、不饱和酯、聚烯烃或石蜡系的离型剂作为所述基膜的离型处理时使用的离型剂的实例,并且就耐热性而言,优选地使用以醇酸、硅酮或氟系的离型剂,但是本发明不限于此。
此外,能用在本发明的第二膜类型(下文中,称作"覆盖膜")也没有特别限制。例如,在本发明中,与所述第一膜相比,可以使用与以上列出的第一膜种类相同或不同类型的膜作为所述第二膜。此外,在本发明中,所述第二膜也可以用适当的离型处理法处理。
在本发明中,上述基膜或离型膜(第一膜)的厚度可以,但是不特别限于,根据用途而适当地挑选。例如,本发明的第一膜的厚度可以为大约10μm至500μm,并且优选地20μm至200μm。当所述厚度小于10μm时,所述基膜在制造过程中可能容易变形,并且当所述厚度大于500μm时,经济可行性劣化。
在本发明中,所述第二膜的厚度也没有特别限制。在本发明中,例如,所述第二膜的厚度可以调设成与所述第一膜相同。在本发明中,在考虑可加工性时,所述第二膜的厚度可以调设成较小于所述第一膜。
本发明的封装膜中包括的光吸收层或防潮层的厚度没有特别限制,并且可以考虑所述膜应用的用途而根据以下条件适当地选择。本发明的封装膜中包括的光吸收层或防潮层的厚度可以为大约5μm至200μm,并且优选地10μm至150μm。
在本发明中,所述封装膜的制造方法没有特别限制。例如,所述封装膜可通过包括以下步骤的方法制造:以包括上述封装组合物的涂布液涂布基膜或离型膜的第一操作步骤;以及将所述第一操作步骤涂布的涂布液干燥的第二操作步骤。
光吸收层或防潮层的堆栈方法没有特别限制。例如,所述形成在单独离型膜上的光吸收层或防潮层可以被层压,从而形成具有多层结构的封装膜,并且防潮层可以直接形成在所述光吸收层上,或反之亦然。
在本发明的封装膜的制造方法中,还可以包括附带地将基膜或离型膜压在已在所述第二操作步骤中干燥的涂布液上的第三操作步骤。
本发明的第一操作步骤是通过将上述封装组合物溶解或分散在适当溶剂中而制备涂布液。在此操作步骤中,所述涂布液包括的封装树脂含量可以根据期望的防潮性和膜可塑性适当地控制。
在制备本发明的涂布液时使用的溶剂类型没有特别限制。然而,当所述溶剂的干燥时间过长,或必需在高温干燥时,可能发生所述封装膜的可使用性或耐久性的问题,并且因此优选地使用挥发温度为100℃或小于100℃的溶剂。在本发明中,在考虑膜可塑性时,可以混合少量的挥发温度在以上范围内或大于以上范围的溶剂。可以使用下述溶剂作为能用在本发明的溶剂实例,所述溶剂为甲基乙基酮(MEK)、丙酮、甲苯、二甲基甲酰胺(DMF)、甲基溶纤剂(MCS)、四氢呋喃(THF)或N-甲基吡咯烷酮(NMP)中的一者或至少二者的混合物,但是本发明不限于此。
在本发明的第一操作步骤中,以所述涂布液涂布基膜或离型膜的方法可以为,但是不特别限于,例如,诸如刮涂法、辊涂法、喷涂法、凹版涂布法、帘涂法、逗号涂布法(commacoating)或唇式涂布法(lip coating)已知方法。
本发明的第二操作步骤是通过将所述第一操作步骤涂布的涂布液干燥而形成光吸收层或防潮层。也就是说,在本发明的第二操作步骤中,所述光吸收层或所述防潮层可以通过加热涂布在所述膜上的涂布液以将所述溶剂干燥并移除而形成。这里,干燥条件没有特别限制,并且例如,所述干燥可以在70℃至200℃下进行1分钟至10分钟。
在本发明的封装膜的制造方法中,经过所述第二操作步骤之后,可以进一步执行将附加的基膜或离型膜压在所述形成在所述膜上的光吸收层或防潮层上的第三操作步骤。
本发明的第三操作步骤可以通过将附加的离型膜或基膜(覆盖膜或第二膜)压在以所述涂布液涂布所述膜并经过热辊层压或加压将所述涂层干燥而形成的光吸收层或防潮层上而执行。
此外,如图9所示,本发明涉及一种OED,所述OED包括:基板21;有机电子组件23,包括在所述基板上存在的透明电极层、在所述透明电极层上存在的并且包括至少一个发射层的有机层以及在所述有机层上存在的反射电极层;以及封装膜1,封装所述有机电子组件23的整个表面,并且具有表面电阻为1011Ω/cm2或大于1011Ω/cm2的光吸收区。
所述有机层可以形成各种下述结构,所述各种结构进一步可以包括本领域已知的不同功能层,只要包括发射层。能包含在所述有机层内的层可以为电子注入层、空穴阻挡层、电子转移层、空穴转移层以及空穴注入层。
本领域中已知的各种材料及形成所述材料的方法可以用以形成空穴或电子注入电极层和有机层,例如,发射层、电子注入或转移层或者空穴注入或转移层,但是本发明不限于此。
本发明的有机电子组件23可以为OLED。
在一实例中,根据本发明的OED可以为底部发射OED。
所述OED还可以包括保护在所述封装膜与所述有机电子组件之间的所述有机电子组件的保护层。
此外,所述OED可以包括封装膜,所述封装膜还包括金属层,并且在此情况中,可以省略将在下文中描述的覆盖基板。
在本发明的又一实施例中,OED的制造方法包括:将有机电子组件形成在基板上,所述有机电子组件包括透明电极层、在所述透明电极层上存在并且包括至少一个发射层的有机层以及在所述有机层上存在的反射电极层;以及将上述封装膜施加于所述上面形成有机电子组件的基板,以封装所述有机电子组件的整个表面。
将所述封装膜施加在所述OED的操作可以通过所述封装膜的热辊层压、热压或真空压制执行,但是本发明并不特别限于此。
将所述封装膜施加于所述OED的操作可以在50℃至90℃下执行,然后固化可通过在70℃至110℃的温度范围下加热或放射UV射线而在所述封装膜上进行。
图9是根据本发明的示例性实施例的OED的剖视图。
根据本发明的OED制造方法,例如,通过真空沉积或溅射将透明电极形成在诸如玻璃或膜的所述基板21上,并且将有机材料层形成在所述透明电极上。所述有机材料层可以包括空穴注入层、空穴转移层、发射层、电子注入层和/或电子转移层。其后,再将第二电极形成在所述有机材料层上。此后,将上封装膜1施加在在所述基板21上的OED 23的上部以完全覆盖所述OED 23。这里,封装膜1的施加方法没有特别限制,并且可以为将本发明的封装膜1已经预先转移到的覆盖基板22(例如,玻璃或聚合物膜)加热、压制或热压(autoclave)到,例如形成在所述基板21上的OED 23上。在此操作步骤中,例如,当封装膜1转移至所述覆盖基板22时,在形成在所述膜上的基膜或离型膜可以脱层之后,封装膜1可在加热的同时通过真空压制机或真空层压机转移至覆盖基板22。在此操作步骤中,当封装膜1的固化在预定范围内或大于预定范围执行时,封装膜1的内聚强度或黏着强度可能会降低,并且因此工艺温度可以控制在大约100℃或小于100℃,并且工艺时间可以控制在5分钟内。同样地,即使在通过热压将封装膜1转移到的覆盖基板22施加到OED23时,也可以使用真空压制机或真空层压机。此操作步骤的温度条件可以按上述调设,并且工艺时间可以调设在10分钟内。
此外,在本发明中,可以在所述压制OED的封装膜上进行另一个固化程序,并且此固化程序(主要固化,main curing)可以,例如,在加热室或UV室中,并且优选地在加热室中进行。所述主要固化的条件可以考虑所述OED的稳定性适当地挑选。
然而,上述制造工艺仅为封装本发明的OED的实例,并且工艺顺序或工艺条件可以改变而没有限制。例如,在本发明中,所述转移和压制工艺的顺序可以改为将本发明的封装膜1转移至在基板21上的OED 23,以及压紧所述覆盖基板22。此外,可以将保护层形成在OED23上,可以将所述封装膜施加到所述保护层,然后可以在封装膜上面进行固化而不含所述覆盖基板22。
有益效果
当OED是利用根据本发明的示例性实施例的封装膜封装时,能实现优良的防潮性,并且因为光的反射或散射是通过吸收与阻挡内部或外部光而防止的,所以能防止所述OED的外部缺陷。
附图说明
图1至图4是根据本发明的示例性实施例的封装膜的剖视图;
图5至图8是根据本发明的示例性实施例的封装膜的平面图;以及
图9是根据本发明的示例性实施例的OED的剖视图。
【符号说明】
1:封装膜
2:光吸收层
3:光吸收材料
4、6:防潮层
5:水气吸收剂
10:第一区(光吸收区)
11:第二区(非光吸收区)
21:基板
22:覆盖基板
23:有机电子组件
具体实施方式
下文中,本发明的示例性实施例将参见根据本发明的实施例和非根据本发明的比较例详细描述。然而,本发明的范围并不限于将在下文揭露的实施例。
实例1
碳黑分散溶液通过添加作为光吸收材料的具有大约20nm或小于20nm的主要粒径的碳黑(#2600Mitsubishi Carbon black)以及作为溶剂的甲基乙基酮(MEK)被制备成10wt%固体浓度。同时,水气吸收剂溶液通过添加100g的作为水气吸收剂的煅烧白云石及作为溶剂的MEK而制备成50wt%固体浓度。
在室温下将200g的硅烷改性的环氧树脂(KSR-177,Kukdo Chemical有限公司)和150g的苯氧基树脂(YP-50,Tohto Kasei有限公司)加至反应器,并且用MEK稀释。通过将4g作为固化剂的咪唑(Shikoku Chemicals股份有限公司)加至所述匀浆溶液中,并且高速搅拌所得的溶液1小时制备用于光吸收层的溶液。所述用于光吸收层的溶液是通过下述方式制备:将预先制备的水气吸收剂溶液加至所述溶液以相对于100重量份的光吸收层封装树脂具有30重量份的煅烧白云石含量,添加所述碳黑分散溶液以相对于100重量份的所述光吸收层封装树脂具有10重量份的碳黑含量,并混合所述溶液。
封装膜是通过用所述光吸收层溶液涂布离型PET膜的离型面并且在130℃下将所述涂布液干燥3分钟形成厚度为20μm的光吸收层制造而成。
实例2
碳黑分散溶液通过添加作为光吸收材料的具有大约20nm或小于20nm的主要粒径的碳黑(#2600Mitsubishi Carbon black)以及作为溶剂的MEK被制备成10wt%固体浓度。
在室温下将200g的硅烷改性的环氧树脂(KSR-177,Kukdo Chemical有限公司)和150g的苯氧基树脂(YP-50,Tohto Kasei有限公司)加至反应器,并且用MEK稀释。通过将4g作为固化剂的咪唑(Shikoku Chemicals股份有限公司)加至所述匀浆溶液中,并且高速搅拌所得的溶液1小时制备用于光吸收层的溶液。所述用于光吸收层的溶液是通过下述方式制备:添加并混合预先制备的碳黑分散溶液至所得的溶液以相对于100重量份的光吸收层封装树脂具有10重量份的碳黑含量。
同时,水气吸收剂溶液通过添加100g作为水气吸收剂的煅烧白云石以及作为溶剂的MEK被制备成50wt%固含量。
在室温下将200g的硅烷改性的环氧树脂(KSR-177,Kukdo Chemical有限公司)和150g的苯氧基树脂(YP-50,Tohto Kasei有限公司)加至反应器,并且用MEK稀释。通过将4g作为固化剂的咪唑(Shikoku Chemicals股份有限公司)加至所述匀浆溶液中,并且高速搅拌所得的溶液1小时制备用于防潮层的溶液。将所述预先制备的水气吸收剂溶液加至所述溶液以相对于100重量份的防潮层封装树脂具有30重量份的煅烧白云石含量。
具有20μm厚度的防潮层通过用所述防潮层溶液涂布离型PET膜的离型面并且在130℃下将所得的表面干燥3分钟而形成。根据上述相同方法,具有10μm厚度的光吸收层通过用所述光吸收层溶液涂布离型PET膜的离型面并且在130℃下将所得的表面干燥3分钟而形成。将所述防潮层和所述光吸收层层压,从而制造具有包括所述防潮层和所述光吸收层的双层结构的封装膜。
实例3
具有20μm厚度的防潮层通过用实例2制备的防潮层溶液涂布离型PET膜的离型面并且在130℃下将所得的表面干燥3分钟而形成。根据上述相同方法,具有5μm厚度的光吸收层是通过用实例2制备的光吸收层溶液涂布离型PET膜的离型面并且在130℃下将所得的表面干燥3分钟而形成。
将所述防潮层和所述光吸收层层压以具有包括所述光吸收层/防潮层/光吸收层的三层结构,从而制造封装膜。
实例4
除了添加碳黑分散溶液以相对于100重量份的光吸收层封装树脂具有1重量份的碳黑含量以外,封装膜是通过实例1所述的相同方法制造。
实例5
除了添加水气吸收剂以相对于100重量份的封装树脂具有10重量份的含量之外,封装膜是通过实例2所述的相同方法制造。
比较例1
除了添加具有导电率的碳黑(#3030B,Mitsubishi Carbon black,大约55nm)以作为相对于100重量份的封装树脂具有15重量份的碳黑之外,封装膜是通过实例1所述的相同方法制造。
比较例2
除了添加具有导电率的碳黑(#3030B,Mitsubishi Carbon black,大约55nm)以作为相对于100重量份的封装树脂具有10重量份的碳黑之外,封装膜是通过实例2所述的相同方法制造。
比较例3
除了添加水气吸收剂以相对于100重量份的封装树脂具有5重量份之外,封装膜是通过比较例2所述的相同方法制造。
1.透光率和雾度的测量
以上制造的膜的光吸收区的透光率是利用UV-Vis光谱仪在550nm测量的。当所述膜制造成单层结构时,在厚度方向上的光吸收层的光吸收区上测量透光率,并且当所述膜制造成多层结构时,在多个层堆栈的状态下在厚度方向的光吸收区上测量透光率。
此外,雾度根据JIS K7105标准试验法利用雾度计测量。当所述膜制造成单层结构时,在所述光吸收层的整个区域上测量雾度,并且并当所述膜制造成多层结构时,在多个层堆栈的状态下在整个区域上测量雾度。
2.表面电阻的测量
表面电阻是根据标准试验法利用Mitsubishi Chemical股份有限公司制造的MCP-HT450表面电阻计在实例和比较例制造的膜的光吸收区上测量的。表面电阻是在离型膜被移除的封装膜光吸收区上测量的,并且是在23℃和50%相对湿度下施加500V电压1分钟之后测量的。当所述膜制造成单层结构时,在所述光吸收层的光吸收区上测量表面电阻,并且当所述膜制造成多层结构时,在多个层堆栈的状态下在所述光吸收区上测量表面电阻。
3.面板驱动中的缺陷
OED面板是通过将实例和比较例制造的封装膜热层压在TFT与玻璃之间制造而成,有机电子组件沉积在所述TFT上面。这里,所述封装膜是以使所述光吸收层与TFT表面接触的方式黏附。当将电力供应给上述制造的面板,并且发生短路或产生亮点时,将它表示为O,并且当没发生短路或没产生亮点时,将它表示为X。
表1
Claims (24)
1.一种用于封装有机电子组件的整个表面的封装膜,包括:
光吸收区,包括封装树脂以及非导电性的光吸收材料,并且具有1011Ω/cm2或大于1011Ω/cm2的表面电阻,
其中所述光吸收区具有相对于可见光区为15%或小于15%的透光率。
2.如权利要求1所述的膜,其中,所述光吸收区在所述封装膜的至少一个外周部中形成。
3.如权利要求1所述的膜,其中,所述光吸收区在所述封装膜的整个区域中形成。
4.如权利要求1所述的膜,具有40%至90%的雾度。
5.如权利要求1所述的膜,其中,所述封装树脂包括丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂、氟树脂、苯乙烯树脂、聚烯烃树脂、热塑性弹性体、聚氧化烯烃树脂、聚酯树脂、聚氯乙烯树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯硫醚树脂、聚酰胺树脂或其混合物。
6.如权利要求1所述的膜,其中,所述封装树脂包括可固化树脂。
7.如权利要求6所述的膜,其中,所述可固化树脂是可热固化树脂。
8.如权利要求6所述的膜,其中,所述可固化树脂包括选自缩水甘油基、异氰酸酯基、羟基、羧基、酰胺基、环氧基、环醚基、硫醚基、缩醛基及内酯基的至少一种可固化官能团。
9.如权利要求6所述的膜,其中,所述可固化树脂是在分子结构中包括环状结构的环氧树脂。
10.如权利要求6所述的膜,其中,所述可固化树脂是硅烷改性的环氧树脂。
11.如权利要求1所述的膜,其中,所述光吸收材料是选自由碳黑、碳纳米管、芴、酞菁衍生物、卟啉衍生物以及三苯胺衍生物所组成的群组中的至少一者。
12.如权利要求1所述的膜,其中,所述光吸收材料相对于100重量份的封装树脂包括0.01至50重量份。
13.如权利要求1所述的膜,还包括水气吸收剂。
14.如权利要求13所述的膜,其中,所述水气吸收剂是选自由P2O5、Li2O、Na2O、BaO、CaO、MgO、Li2SO4、Na2SO4、CaSO4、MgSO4、CoSO4、Ga2(SO4)3、Ti(SO4)2、NiSO4、CaCl2、MgCl2、SrCl2、YCl3、CuCl2、CsF、TaF5、NbF5、LiBr、CaBr2、CeBr3、SeBr4、VBr3、MgBr2、BaI2、MgI2、Ba(ClO4)2以及Mg(ClO4)2所组成的群组中的至少一者。
15.如权利要求1所述的膜,包括:
光吸收层,包括所述光吸收区;以及
防潮层。
16.如权利要求15所述的膜,其中,所述防潮层具有50g/m2·天或小于50g/m2·天的水蒸气透过率(WVTR)。
17.如权利要求1所述的膜,还包括:
金属层。
18.如权利要求17所述的膜,其中,所述金属层具有50W/mK或大于50W/mK的导热率。
19.如权利要求17所述的膜,其中,所述金属层在包含镜面反射分量SCI测量中具有15%至90%的反射率,或在去除镜面反射分量SCE测量中具有15%至80%的反射率。
20.一种有机电子装置,包括:
基板;
有机电子组件,包括在所述基板上存在的透明电极层、在所述透明电极层上存在的并且包括至少一个发射层的有机层以及在所述有机层上存在的反射电极层;以及
权利要求1所述的封装膜,封装所述有机电子组件的整个表面,并且包括具有1011Ω/cm2或大于1011Ω/cm2的表面电阻的光吸收区。
21.如权利要求20所述的有机电子装置,其中,所述光吸收区在所述封装膜的至少一个外周部中形成。
22.如权利要求20所述的有机电子装置,其中,所述光吸收区在所述封装膜的整个区域中形成。
23.如权利要求20所述的有机电子装置,其中,所述封装膜还包括金属层。
24.一种有机电子装置的制造方法,包括:
将有机电子组件形成在基板上,所述有机电子组件包括透明电极层、在所述透明电极层上存在的并且包括至少一个发光层的有机层以及在所述有机层上存在的反射电极层;以及
将权利要求1的所述封装膜施加至上面形成有所述有机电子组件的所述基板,以封装所述有机电子组件的整个表面。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20140018669 | 2014-02-18 | ||
KR10-2014-0018669 | 2014-02-18 | ||
KR10-2014-0071989 | 2014-06-13 | ||
KR1020140071989A KR20150097359A (ko) | 2014-02-18 | 2014-06-13 | 봉지 필름 및 이를 포함하는 유기전자장치 |
KR10-2014-0130495 | 2014-09-29 | ||
KR1020140130495A KR20150097371A (ko) | 2014-02-18 | 2014-09-29 | 봉지 필름 및 이를 포함하는 유기전자장치 |
PCT/KR2015/001659 WO2015126176A1 (ko) | 2014-02-18 | 2015-02-17 | 봉지 필름 및 이를 포함하는 유기전자장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106030846A CN106030846A (zh) | 2016-10-12 |
CN106030846B true CN106030846B (zh) | 2018-09-04 |
Family
ID=54059376
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201580009339.0A Active CN106030844B (zh) | 2014-02-18 | 2015-02-17 | 包封薄膜以及含有该包封薄膜的有机电子器件 |
CN201580009338.6A Active CN106062988B (zh) | 2014-02-18 | 2015-02-17 | 包封薄膜以及含有该包封薄膜的有机电子器件 |
CN201580009337.1A Active CN106030846B (zh) | 2014-02-18 | 2015-02-17 | 封装膜及包括该封装膜的有机电子装置 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201580009339.0A Active CN106030844B (zh) | 2014-02-18 | 2015-02-17 | 包封薄膜以及含有该包封薄膜的有机电子器件 |
CN201580009338.6A Active CN106062988B (zh) | 2014-02-18 | 2015-02-17 | 包封薄膜以及含有该包封薄膜的有机电子器件 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US10720600B2 (zh) |
EP (3) | EP3109918B1 (zh) |
JP (5) | JP6584419B2 (zh) |
KR (6) | KR20150097359A (zh) |
CN (3) | CN106030844B (zh) |
TW (4) | TWI647102B (zh) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105358963B (zh) * | 2013-06-19 | 2018-10-12 | Lg化学株式会社 | 评价包封膜的可靠寿命的方法以及用于评价所述膜的可靠性的装置 |
KR20150097359A (ko) * | 2014-02-18 | 2015-08-26 | 주식회사 엘지화학 | 봉지 필름 및 이를 포함하는 유기전자장치 |
KR101880209B1 (ko) * | 2015-09-25 | 2018-07-20 | 주식회사 엘지화학 | 지시 필름 |
US10864706B2 (en) | 2016-03-11 | 2020-12-15 | Lg Chem, Ltd. | Encapsulation film |
CN108884366B (zh) * | 2016-04-01 | 2021-08-31 | 株式会社Lg化学 | 封装膜 |
KR20170127263A (ko) * | 2016-05-11 | 2017-11-21 | 모멘티브퍼포먼스머티리얼스코리아 주식회사 | 유기 전자 소자 봉지재용 조성물 및 이를 이용하여 형성된 봉지재 |
KR102040456B1 (ko) * | 2016-06-24 | 2019-11-05 | 주식회사 엘지화학 | 가상 현실 디스플레이용 유기전자장치 |
KR102108557B1 (ko) * | 2016-08-24 | 2020-05-08 | 주식회사 엘지화학 | 분산액 |
US20200083453A1 (en) * | 2017-03-17 | 2020-03-12 | Applied Materials, Inc. | Methods of handling a mask device in a vacuum system, mask handling apparatus, and vacuum system |
WO2018199309A1 (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-01 | 日立化成株式会社 | 封止用フィルム及び封止構造体、並びにこれらの製造方法 |
TWI684629B (zh) | 2017-05-24 | 2020-02-11 | 南韓商Lg化學股份有限公司 | 有機電子裝置 |
CN110731017B (zh) | 2017-06-09 | 2022-10-28 | 株式会社Lg化学 | 封装膜 |
KR102223910B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2021-03-05 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자 봉지용 조성물 |
KR102271843B1 (ko) * | 2017-12-18 | 2021-07-01 | 주식회사 엘지화학 | 봉지 필름 |
CN108054290A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-05-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示装置的封装结构及封装方法 |
JP2021527730A (ja) * | 2018-06-12 | 2021-10-14 | エルジー・ケム・リミテッド | 密封材組成物 |
CN112544001B (zh) * | 2018-07-11 | 2022-10-21 | 深圳市柔宇科技股份有限公司 | 柔性显示面板及柔性显示装置 |
KR102650659B1 (ko) * | 2018-09-13 | 2024-03-25 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN113286701B (zh) | 2018-11-09 | 2023-11-03 | 索弗雷什公司 | 吹塑膜材料及其制造方法和用途 |
CN113840889B (zh) * | 2019-06-05 | 2024-08-06 | 株式会社Lg化学 | 用于封装的组合物 |
CN110621114B (zh) * | 2019-09-23 | 2020-12-01 | 昆山国显光电有限公司 | 电路板及电路板的制备方法 |
KR20210037034A (ko) * | 2019-09-26 | 2021-04-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102261536B1 (ko) * | 2019-11-20 | 2021-06-07 | (주)이녹스첨단소재 | 유기전자장치용 봉지재 및 이를 포함하는 유기전자장치 |
KR20220004892A (ko) * | 2020-07-03 | 2022-01-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20230019204A (ko) * | 2020-07-07 | 2023-02-07 | 코니카 미놀타 가부시키가이샤 | 광학 필름, 패널 유닛, 및 디스플레이 장치 |
DE112021005948T5 (de) * | 2020-11-13 | 2023-09-21 | Ajinomoto Co., Inc. | Dichtungsbahn |
CN112980353B (zh) * | 2021-03-24 | 2022-03-04 | 江苏鹿山新材料有限公司 | 黑色高反射高导热抗pid的eva封装胶膜及其制备方法和应用 |
JP7444309B2 (ja) * | 2022-04-26 | 2024-03-06 | 大日本印刷株式会社 | 自発光型表示体 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200540221A (en) * | 2004-04-30 | 2005-12-16 | Kureha Chemical Ind Co Ltd | Resin composition for sealing and semiconductor device sealed with resin |
CN1832643A (zh) * | 2004-12-20 | 2006-09-13 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光设备及其制造方法 |
TW201004995A (en) * | 2008-05-15 | 2010-02-01 | Evonik Degussa Gmbh | Electronic packaging |
KR20120001148A (ko) * | 2010-06-29 | 2012-01-04 | (주)휴넷플러스 | 봉지막의 제조방법,이로부터 제조된 봉지막 및 이를 포함하는 유기전자소자 |
TW201228046A (en) * | 2010-12-28 | 2012-07-01 | Advanced Optoelectronic Tech | Method for manufacturing LED package |
KR20130053038A (ko) * | 2011-11-14 | 2013-05-23 | 주식회사 엘지화학 | 워터젯을 이용하여 패턴화된 광추출층을 포함하는 유기전자소자의 제조방법 |
TW201341190A (zh) * | 2012-01-06 | 2013-10-16 | Lg Chemical Ltd | 包封用薄膜 |
Family Cites Families (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63105495A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-10 | アルプス電気株式会社 | 薄膜elパネル |
JPH0679842B2 (ja) | 1988-06-27 | 1994-10-12 | 新日本製鐵株式会社 | 黒色表面処理鋼板 |
JPH01283791A (ja) | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Sharp Corp | 薄膜elパネル |
JP2742057B2 (ja) | 1988-07-14 | 1998-04-22 | シャープ株式会社 | 薄膜elパネル |
JP2552391B2 (ja) | 1990-11-26 | 1996-11-13 | 出光興産株式会社 | 遮光膜およびその製造方法 |
JP2000237056A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高反射防汚性板及びこれを有する調理器 |
JP2000268954A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
JP4696359B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2011-06-08 | 日立化成工業株式会社 | 液状封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
JP2002319485A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Nisshin Steel Co Ltd | 有機el素子用封止部材 |
WO2003007066A2 (en) * | 2001-07-09 | 2003-01-23 | E Ink Corporation | Electro-optical display having a lamination adhesive layer |
CN1436819A (zh) * | 2002-02-07 | 2003-08-20 | 户田工业株式会社 | 半导体密封材料用黑色复合颗粒和半导体密封材料 |
JP3884351B2 (ja) | 2002-08-26 | 2007-02-21 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 画像表示装置およびその製造方法 |
WO2004060021A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 発光装置 |
US6936960B2 (en) | 2003-01-10 | 2005-08-30 | Eastman Kodak Company | OLED displays having improved contrast |
TWI321517B (en) * | 2003-01-14 | 2010-03-11 | Opaque polyimide coverlay | |
JP2007036264A (ja) | 2003-01-20 | 2007-02-08 | Sharp Corp | 光センサ用透光性樹脂組成物 |
CN100594748C (zh) * | 2003-01-24 | 2010-03-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置及其制造方法以及使用了上述发光装置的电气设备 |
US7012735B2 (en) * | 2003-03-27 | 2006-03-14 | E Ink Corporaiton | Electro-optic assemblies, and materials for use therein |
US20060017059A1 (en) * | 2004-07-21 | 2006-01-26 | Eastman Kodak Company | Packaged OLED light source |
JP2006171228A (ja) | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Dainippon Printing Co Ltd | 自発光型表示装置用カラーフィルタ |
JP4731902B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2011-07-27 | 東北パイオニア株式会社 | 自発光パネルの製造方法 |
US8089062B2 (en) * | 2005-03-23 | 2012-01-03 | Xerox Corporation | Wax encapsulated electronic devices |
KR100670328B1 (ko) | 2005-03-30 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 소자 및 그 제조방법 |
JP2007005160A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Optrex Corp | 有機elパネル |
KR100708739B1 (ko) | 2005-12-12 | 2007-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 |
KR100838073B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2008-06-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 |
JP5498156B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2014-05-21 | ヘンケル・アーゲー・アンド・カンパニー・カーゲーアーアー | 放射線−または熱−硬化性バリヤシーラント |
US7880381B2 (en) * | 2006-07-05 | 2011-02-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | LED with light absorbing encapsulant and related methodology |
WO2008069178A1 (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-12 | Panasonic Corporation | 封止材料及びその封止材料を用いる実装方法 |
KR100829753B1 (ko) * | 2007-03-02 | 2008-05-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이장치 |
JP2009117500A (ja) | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Canon Inc | 有機el素子 |
AU2009234506B2 (en) | 2008-04-09 | 2013-11-21 | Agency For Science, Technology And Research | Multilayer film for encapsulating oxygen and/or moisture sensitive electronic devices |
EP2291479B1 (en) * | 2008-06-02 | 2013-05-22 | 3M Innovative Properties Company | Adhesive encapsulating composition and electronic devices made therewith |
EP2291477B1 (en) * | 2008-06-02 | 2016-03-23 | 3M Innovative Properties Company | Adhesive encapsulating composition and electronic devices made therewith |
DE102008060113A1 (de) * | 2008-12-03 | 2010-07-29 | Tesa Se | Verfahren zur Kapselung einer elektronischen Anordnung |
JP2010134352A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Fujifilm Corp | カラーフィルタの製造方法及び固体撮像素子 |
GB2466251B (en) | 2008-12-16 | 2011-03-09 | Ind Tech Res Inst | Encapsulant compositions and method for fabricating encapsulant materials |
JP5430140B2 (ja) * | 2008-12-19 | 2014-02-26 | キヤノン株式会社 | 表示モジュール及びカメラ |
JP5418505B2 (ja) * | 2009-02-03 | 2014-02-19 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロニクス素子及びその製造方法 |
KR101700989B1 (ko) * | 2009-06-24 | 2017-01-31 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 유기 전자 디바이스 및 그 제조 방법 |
US8110839B2 (en) * | 2009-07-13 | 2012-02-07 | Luxingtek, Ltd. | Lighting device, display, and method for manufacturing the same |
CN105070749B (zh) * | 2009-07-18 | 2019-08-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及制造半导体装置的方法 |
KR101065403B1 (ko) * | 2009-07-28 | 2011-09-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20120039753A (ko) * | 2009-08-05 | 2012-04-25 | 아지노모토 가부시키가이샤 | 필름 |
JP2010185068A (ja) * | 2009-08-31 | 2010-08-26 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
CN102648543A (zh) * | 2009-09-25 | 2012-08-22 | Sri国际公司 | 有机电子器件的封装方法 |
KR101394936B1 (ko) * | 2009-11-06 | 2014-05-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 광차단층을 갖는 평판 표시 장치 |
JP5761647B2 (ja) | 2010-01-25 | 2015-08-12 | エルジー・ケム・リミテッド | 光電池モジュール |
JP2012077122A (ja) | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子線硬化性樹脂組成物及びその硬化物 |
EP2637229B1 (en) * | 2010-11-02 | 2018-01-03 | LG Chem, Ltd. | Adhesive film and method for encapsulating organic electronic device using the same |
JP5743669B2 (ja) * | 2011-04-18 | 2015-07-01 | キヤノン株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
KR20120120710A (ko) | 2011-04-25 | 2012-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
TWI561857B (en) * | 2011-05-25 | 2016-12-11 | 3M Innovative Properties Co | Light control film |
WO2013031656A1 (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-07 | 三菱化学株式会社 | 接着性封止フィルム、接着性封止フィルムの製造方法および接着性封止フィルム用塗布液 |
TW201316565A (zh) | 2011-10-13 | 2013-04-16 | Jiujiang Fared Optics Co Ltd | 具膠牆的發光二極體封裝方法 |
KR101271413B1 (ko) | 2011-12-09 | 2013-06-05 | 한국과학기술원 | 고명암비 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
CN104126331B (zh) | 2012-02-24 | 2016-09-14 | 三井化学株式会社 | 光学器件面封装用组合物、光学器件面封装用片、显示器及显示器的制造方法 |
JP5685558B2 (ja) | 2012-04-19 | 2015-03-18 | 株式会社東芝 | 表示装置 |
KR101791731B1 (ko) | 2012-05-09 | 2017-10-30 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 화상 표시 장치의 제조 방법 |
US9508959B2 (en) | 2012-05-10 | 2016-11-29 | Kaneka Corporation | Organic EL device and method for manufacturing same |
DE102012211335A1 (de) | 2012-06-29 | 2014-01-02 | Tesa Se | Klebeband für die Kapselung einer organischen elektronischen Anordnung |
JP5895762B2 (ja) * | 2012-07-27 | 2016-03-30 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子および有機エレクトロルミネッセンスパネルの封止方法 |
WO2014021696A1 (ko) * | 2012-08-03 | 2014-02-06 | 주식회사 엘지화학 | 접착 필름 및 이를 이용한 유기전자장치의 봉지 제품 |
WO2014021697A1 (ko) * | 2012-08-03 | 2014-02-06 | 주식회사 엘지화학 | 접착 필름 및 이를 이용한 유기전자장치의 봉지 제품 |
TWI633164B (zh) | 2012-08-03 | 2018-08-21 | Lg化學股份有限公司 | 黏合膜與使用彼之有機電子裝置的包封產物 |
KR101970361B1 (ko) * | 2012-08-20 | 2019-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법 |
WO2014057678A1 (ja) * | 2012-10-11 | 2014-04-17 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
WO2014069398A1 (ja) * | 2012-10-29 | 2014-05-08 | リンテック株式会社 | 粘着剤組成物及び粘着シート |
WO2015013142A1 (en) * | 2013-07-22 | 2015-01-29 | Applied Materials, Inc. | An electrostatic chuck for high temperature process applications |
KR20150097359A (ko) * | 2014-02-18 | 2015-08-26 | 주식회사 엘지화학 | 봉지 필름 및 이를 포함하는 유기전자장치 |
US10061151B2 (en) * | 2014-06-30 | 2018-08-28 | Lg Display Co., Ltd. | Light shielding material and display device including the same |
KR101561103B1 (ko) * | 2014-12-17 | 2015-10-19 | 주식회사 이녹스 | 유기전자장치용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재 |
-
2014
- 2014-06-13 KR KR1020140071989A patent/KR20150097359A/ko unknown
- 2014-09-29 KR KR1020140130495A patent/KR20150097371A/ko unknown
-
2015
- 2015-02-17 KR KR1020150024421A patent/KR102001612B1/ko active IP Right Grant
- 2015-02-17 TW TW104105653A patent/TWI647102B/zh active
- 2015-02-17 KR KR1020150024422A patent/KR101959466B1/ko active IP Right Grant
- 2015-02-17 CN CN201580009339.0A patent/CN106030844B/zh active Active
- 2015-02-17 JP JP2016551239A patent/JP6584419B2/ja active Active
- 2015-02-17 US US15/115,862 patent/US10720600B2/en active Active
- 2015-02-17 CN CN201580009338.6A patent/CN106062988B/zh active Active
- 2015-02-17 EP EP15752523.9A patent/EP3109918B1/en active Active
- 2015-02-17 EP EP15752494.3A patent/EP3109917A4/en active Pending
- 2015-02-17 JP JP2016550857A patent/JP6775867B2/ja active Active
- 2015-02-17 JP JP2016551160A patent/JP6685913B2/ja active Active
- 2015-02-17 KR KR1020150024420A patent/KR20150097434A/ko active Search and Examination
- 2015-02-17 US US15/116,158 patent/US10135022B2/en active Active
- 2015-02-17 TW TW107126361A patent/TWI666240B/zh active
- 2015-02-17 US US15/116,167 patent/US10096797B2/en active Active
- 2015-02-17 CN CN201580009337.1A patent/CN106030846B/zh active Active
- 2015-02-17 TW TW104105656A patent/TWI639260B/zh active
- 2015-02-17 TW TW104105654A patent/TWI647259B/zh active
- 2015-02-17 EP EP15751814.3A patent/EP3109913A4/en active Pending
-
2016
- 2016-04-14 KR KR1020160045639A patent/KR101932811B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-08-31 US US16/119,600 patent/US10181577B1/en active Active
-
2019
- 2019-05-07 JP JP2019087841A patent/JP6953057B2/ja active Active
- 2019-06-04 JP JP2019104550A patent/JP6851425B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200540221A (en) * | 2004-04-30 | 2005-12-16 | Kureha Chemical Ind Co Ltd | Resin composition for sealing and semiconductor device sealed with resin |
CN1832643A (zh) * | 2004-12-20 | 2006-09-13 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光设备及其制造方法 |
TW201004995A (en) * | 2008-05-15 | 2010-02-01 | Evonik Degussa Gmbh | Electronic packaging |
KR20120001148A (ko) * | 2010-06-29 | 2012-01-04 | (주)휴넷플러스 | 봉지막의 제조방법,이로부터 제조된 봉지막 및 이를 포함하는 유기전자소자 |
TW201228046A (en) * | 2010-12-28 | 2012-07-01 | Advanced Optoelectronic Tech | Method for manufacturing LED package |
KR20130053038A (ko) * | 2011-11-14 | 2013-05-23 | 주식회사 엘지화학 | 워터젯을 이용하여 패턴화된 광추출층을 포함하는 유기전자소자의 제조방법 |
TW201341190A (zh) * | 2012-01-06 | 2013-10-16 | Lg Chemical Ltd | 包封用薄膜 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106030846B (zh) | 封装膜及包括该封装膜的有机电子装置 | |
CN105247699B (zh) | 包封薄膜和使用该包封薄膜包封有机电子装置的方法 | |
CN105246999B (zh) | 压敏粘合剂组合物、压敏粘合膜以及使用其制造有机电子装置的方法 | |
CN103930502B (zh) | 粘合膜和使用该粘合膜封装有机电子器件的方法 | |
KR101589372B1 (ko) | 봉지 필름 및 이를 이용한 유기전자장치의 봉지 방법 | |
CN106463648A (zh) | 包封薄膜 | |
CN108778715A (zh) | 封装膜 | |
CN108884366A (zh) | 封装膜 | |
KR20160072067A (ko) | 유기전자장치 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |