CN104332181A - 一种移位寄存器及栅极驱动装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种移位寄存器及栅极驱动装置,用以减小该移位寄存器中的时钟信号的占空比,从而减缓移动寄存器中的薄膜晶体管阈值电压的漂移,并且由于简化了该移位寄存器的电路结构,减少了该移位寄存器所占的空间,从而实现小尺寸的平板显示器的窄边框的要求。所述移位寄存器包括:用于将输入信号电压提供给上拉节点的输入模块,用于存储输入信号电压和将第一时钟信号电压提供给输出端子的输出模块;用于将电平信号电压提供给上拉节点的复位模块,用于将第二时钟信号电压提供给下拉节点的上拉模块,用于将电平信号电压提供给下拉节点的第一下拉模块,用于将电平信号电压提供给上拉节点和将电平信号电压提供给输出端子的第二下拉模块。
Description
技术领域
本发明涉及显示器制造技术领域,尤其涉及一种移位寄存器及栅极驱动装置。
背景技术
平板显示器,因其具有重量轻,厚度薄以及低功耗等优点,被广泛应用于电视、手机、显示器等电子产品中。平板显示器包括由多行扫描线(Scan Line)与多列数据线(Data Line)交叉构成的像素矩阵,该像素矩阵采用逐行扫描的方法,即通过栅级驱动电路将输入时钟信号转换成开启/关断电压,并顺次施加到阵列基板的栅级线上,依次扫描各像素,然后通过数据驱动电路,将输入的显示数据及时钟信号定时顺序锁存,并将其转换成模拟信号,然后输入到基板的数据线,并转化为电流以驱动个像素矩阵。
栅级驱动电路即行扫描线的驱动电路,通常由移位寄存器(Shift Register,SR),将栅极驱动装置整合于液晶面板(Gate On Array,GOA)的方法来实现。其中,栅级驱动电路可以以卷带式覆晶薄膜封装(Chip On Film,COF)或者芯片绑定在玻璃上(Chip On Glass,COG)的封装方式设置在阵列基板中,也可以用薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)构成集成电路单元的方式设置在阵列基板中。对于平板显示器,栅极驱动器的GOA设计,可以减少一道制作工序,即栅极驱动IC,因此不但降低了平板显示器的制作成本,一定程度上还缩短了制作周期。所以近几年来GOA技术被广泛应用于平板显示制造。然而,GOA的使用寿命及其输出稳定性一直是GOA设计中比较关注的问题。
其中,图1为GOA的最基本单元,该移位寄存器包括四个薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、一个电容、第一时钟信号CLK、输入模块的输入端INPUT、输出模块的输出端OUTPUT、复位模块的输入端RESET和电平信号的输入端VSS,该GOA单元在实际应用中T2晶体管会因由第一时钟信号CLK对其产生的耦合电压的影响,使输出端OUTPUT端有噪声产生且不能长期稳定工作。
目前,已经有不少GOA方面的专利针对上述问题给出了一些解决方案并能够基本解决上述问题。其中,图2为现有的一种移位寄存器单元的电路结构示意图,该电路包括十二个非晶硅制作的TFTM1-M6、M7-M13、一个电容C1、第一时钟信号CLK、第二时钟信号CLKB、输入模块的输入端INPUT、输出模块的输出端OUTPUT、复位模块的输入端RESET、电平信号的输入端VSS以及第一节点PU点、第二节点PD点与第三节点CN点。虽然相比传统的GOA基板单元,可减缓百分之五十的TFT的阈值电压的漂移,并降低整个电路的功耗,但是,附图2中的电路设计仍然存在着电路结构比较复杂等缺陷。
由于目前小尺寸的平板显示器普遍存在着窄边框的要求,因此,图2中的电路结构需要的空间很大,根本满足不了目前的窄边框的要求。另外,图2设计的移位寄存器,针对氧化物薄膜晶体管Oxide TFT来说,阈值电压的移动还是较大。
综上所述,现有技术中的移位寄存器的阈值电压的漂移仍然较大,且该移位寄存器所占的空间很大无法满足平板显示器的窄边框的要求。
发明内容
本发明实施例提供了一种移位寄存器及栅极驱动装置,用以减小该移位寄存器中的时钟信号的占空比,从而减缓移动寄存器中的薄膜晶体管阈值电压的漂移,并且由于简化了该移位寄存器的电路结构,减少了该移位寄存器所占的空间,从而实现小尺寸的平板显示器的窄边框的要求。
本发明实施例提供的一种移位寄存器,所述移位寄存器包括:输入模块、输出模块、复位模块、上拉模块、第一下拉模块和第二下拉模块;其中,
所述输入模块,响应于输入信号,用于将输入信号电压提供给上拉节点,其中,所述上拉节点为所述输入模块的输出节点;
所述输出模块,用于存储输入信号电压和响应于所述上拉节点的电压信号,将第一时钟信号电压提供给输出端子;
所述复位模块,响应于复位信号,用于将电平信号电压提供给所述上拉节点;
所述上拉模块,响应于第四时钟信号,用于将第四时钟信号电压提供给下拉节点,其中,所述下拉节点为所述上拉模块的输出节点;
所述第一下拉模块,响应于输入信号、所述上拉节点的电压信号和第二时钟信号,用于将电平信号电压提供给所述下拉节点;
所述第二下拉模块,响应于所述下拉节点的电压信号,用于将电平信号电压提供给所述上拉节点,响应于所述下拉节点的电压信号和第三时钟信号,将电平信号电压提供给所述输出端子。
通过该移位寄存器采用输入四个时钟信号的方式,实现了该移位寄存器中时钟信号的占空比为百分之二十五,从而减缓该薄膜晶体管阈值电压的漂移,由于该移位寄存器减少了薄膜晶体管的数量,简化了电路结构,从而实现了小尺寸的平板显示器的窄边框的要求。
较佳地,所述输入模块包括:
第一薄膜晶体管,其栅极和源极连接所述输入模块的输入端,漏极连接所述输入模块的输出节点。
较佳地,所述输出模块包括:
第二薄膜晶体管,其栅极连接所述上拉节点,源极连接第一时钟信号的输入端,漏极连接所述输出端子;
电容,连接于所述上拉节点和所述输出端子之间。
较佳地,所述复位模块包括:
第三薄膜晶体管,其栅极连接复位模块输入端,源极连接所述上拉节点,漏极连接电平信号的输入端。
较佳地,所述上拉模块包括:
第四薄膜晶体管,其栅极和源极连接第四时钟信号的输入端,漏极连接所述上拉模块的输出节点。
较佳地,所述第一下拉模块包括:
第五薄膜晶体管,其栅极连接所述输入模块的输入端,源极连接所述下拉节点,漏极连接电平信号的输入端;
第六薄膜晶体管,其栅极连接所述上拉节点,源极连接所述下拉节点,漏极连接电平信号的输入端;
第七薄膜晶体管,其栅极连接第二时钟信号的输入端,源极连接所述下拉节点,漏极连接电平信号的输入端。
较佳地,所述第二下拉模块包括:
第八薄膜晶体管,其栅极连接所述下拉节点,源极连接所述上拉节点,漏极连接电平信号的输入端;
第九薄膜晶体管,其栅极连接所述下拉节点,源极连接所述输出端子,漏极连接电平信号的输入端;
第十薄膜晶体管,其栅极连接第三时钟信号的输入端,源极连接所述输出端子,漏极连接电平信号的输入端。
本发明实施例提供的一种栅极驱动装置,该阵列基板栅极驱动装置包括级联的上述的移位寄存器。
通过该栅极驱动装置中的移位寄存器采用输入四个时钟信号的方式,从而实现了该栅极驱动装置中的时钟信号的占空比为百分之二十五,因此减缓了该栅极驱动装置中薄膜晶体管的阈值电压的漂移,由于该移位寄存器减少了薄膜晶体管的数量,简化了电路结构,从而实现了小尺寸的平板显示器的窄边框的要求。
较佳地,除第一级移位寄存器的输入模块连接启动信号端以外,每一奇数级移位寄存器的输入模块与上一奇数级移位寄存器的输出模块相连,每一奇数级移位寄存器的输出模块与上一奇数级移位寄存器的复位模块相连、并与下一奇数级移位寄存器的输入模块相连;
除第二级移位寄存器的输入模块连接启动信号端以外,每一偶数级移位寄存器的输入模块与上一偶数级移位寄存器的输出模块相连,每一偶数级移位寄存器的输出模块分别与上一偶数级移位寄存器的复位模块相连、并与下一偶数级移位寄存器的输入模块相连。
附图说明
图1为现有的GOA技术最基本单元移位寄存器的结构示意图;
图2为现有的由十二个TFT一个电容组成的移位寄存器的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的一种移位寄存器的结构示意图;
图4为本发明实施例提供的一种栅极驱动装置的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的一种移位寄存器的逻辑时序图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种移位寄存器及栅极驱动装置,用以减小该移位寄存器中的时钟信号的占空比,从而减缓移动寄存器中的薄膜晶体管阈值电压的漂移,并且由于简化了该移位寄存器的电路结构,减少了该移位寄存器所占的空间,从而实现小尺寸的平板显示器的窄边框的要求。
为了使本领域技术人员能够更好的理解本发明的技术方案,下面将结合附图和具体实施方式对本发明移位寄存器及栅极驱动装置作进一步详细描述。
本发明实施例提供了一种移位寄存器,该移位寄存器包括:输入模块、输出模块、复位模块、上拉模块、第一下拉模块和第二下拉模块;其中,
所述输入模块,响应于输入信号,用于将输入信号电压提供给上拉节点,其中,所述上拉节点为所述输入模块的输出节点;
所述输出模块,用于存储输入信号电压和响应于所述上拉节点的电压信号,将第一时钟信号电压提供给输出端子;
所述复位模块,响应于复位信号,用于将电平信号电压提供给所述上拉节点;
所述上拉模块,响应于第四时钟信号,用于将第四时钟信号电压提供给下拉节点,其中,所述下拉节点为所述上拉模块的输出节点;
所述第一下拉模块,响应于输入信号、所述上拉节点的电压信号和第二时钟信号,用于将电平信号电压提供给所述下拉节点;
所述第二下拉模块,响应于所述下拉节点的电压信号,用于将电平信号电压提供给所述上拉节点,响应于所述下拉节点的电压信号和第三时钟信号,将电平信号电压提供给所述输出端子。
本发明实施例提供了一种栅极驱动装置,该阵列基板栅极驱动装置包括级联的上述的移位寄存器。
具体地,该栅极驱动装置,除第一级移位寄存器子单元的输入模块的输入端连接启动信号端以外,每一奇数级移位寄存器的输入模块与上一奇数级移位寄存器的输出模块相连,每一奇数级移位寄存器的输出模块与上一奇数级移位寄存器的复位模块相连、并与下一奇数级移位寄存器的输入模块相连;
除第二级移位寄存器的输入模块连接启动信号端以外,每一偶数级移位寄存器的输入模块与上一偶数级移位寄存器的输出模块相连,每一偶数级移位寄存器的输出模块分别与上一偶数级移位寄存器的复位模块相连、并与下一偶数级移位寄存器的输入模块相连。
参见图3,本发明实施例提供了一种移位寄存器,所述移位寄存器包括:
输入模块301,响应于输入信号INPUT,用于将输入信号INPUT电压提供给上拉节点PU点,其中,上拉节点PU点为所述输入模块301的输出节点;包括:
第一薄膜晶体管T1,其栅极和源极连接所述输入模块301的输入端,漏极连接所述输入模块301的输出节点PU点;
输出模块302,用于存储输入信号INPUT电压和响应于上拉节点PU点的电压信号,将第一时钟信号CLK1电压提供给输出端子OUTPUT;包括:
第二薄膜晶体管T2,其栅极连接上拉节点PU点,源极连接第一时钟信号的输入端CLK1,漏极连接输出端子OUTPUT;
电容C,连接于上拉节点PU点和输出端子OUTPUT之间;
复位模块303,响应于复位信号RESET,用于将电平信号VSS电压提供给上拉节点PU点;包括:
第三薄膜晶体管T3,其栅极连接复位模块输入端,源极连接上拉节点PU点,漏极连接电平信号的输入端VSS;
上拉模块304,响应于第四时钟信号CLK4,用于将第四时钟信号CLK4电压提供给下拉节点PD点,其中,下拉节点PD点为所述上拉模块304的输出节点;包括:
第四薄膜晶体管T4,其栅极和源极连接第四时钟信号的输入端CLK4,漏极连接所述上拉模块304的输出节点PD点;
第一下拉模块305,响应于输入信号INPUT、上拉节点PU点的电压信号和第二时钟信号CLK2,用于将电平信号VSS电压提供给下拉节点PD点;包括:
第五薄膜晶体管T5,其栅极连接所述输入模块301的输入端,源极连接下拉节点PD点,漏极连接电平信号的输入端VSS;
第六薄膜晶体管T6,其栅极连接上拉节点PU点,源极连接下拉节点PD点,漏极连接电平信号的输入端VSS;
第七薄膜晶体管T7,其栅极连接第二时钟信号端CLK2,源极连接下拉节点PD点,漏极连接电平信号的输入端VSS;
第二下拉模块306,响应于下拉节点PD点的电压信号,将电平信号VSS电压提供给上拉节点PU点,和响应于下拉节点PD点的电压信号和第三时钟信号CLK3,将电平信号VSS电压提供给输出端子OUTPUT;包括:
第八薄膜晶体管T8,其栅极连接下拉节点PD点,源极连接上拉节点PU点,漏极连接电平信号的输入端VSS;
第九薄膜晶体管T9,其栅极连接下拉节点PD点,源极连接输出端子OUTPUT,漏极连接电平信号的输入端VSS;
第十薄膜晶体管T10,其栅极连接第三时钟信号端CLK3,源极连接输出端子OUTPUT,漏极连接电平信号的输入端VSS。
其中,第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7、第八薄膜晶体管T8、第九薄膜晶体管T9、第十薄膜晶体管T10,均为N型薄膜晶体管。所述N型薄膜晶体管具有在该薄膜晶体管的栅极输入高电平信号电压后导通,栅极输入低电平信号电压后断开的特性,因此本发明实施例中采用低电平信号VSS来代替电平信号。
需要说明的是,对于薄膜晶体管来说,源极和漏极并没有明确的区别,所以本发明中所提到的薄膜晶体管的源极可以为该薄膜晶体管的漏极,薄膜晶体管的漏极可以为该薄膜晶体管的源极。
参见图4,本发明实施例提供了一种栅极驱动装置,该阵列基板栅极驱动装置包括级联的上述的移位寄存器。
其中,移位寄存器的输入模块的输入端为INPUT、输出模块的输出端为OUT、复位模块的输入端为RESET、第一时钟信号为CLK1、第二时钟信号为CLK2、第三时钟信号为CLK3、第四时钟信号为CLK4、电平信号为VSS、启动信号为STV以及输出信号为OUTPUT。
为能够更好理解,图4中展示了栅极驱动装置中的一部分;其中,栅极驱动装置包括了六个移位寄存器,即第一级移位寄存器SR1、第二级移位寄存器SR2、第三级移位寄存器SR3、第四级移位寄存器SR4、第五级移位寄存器SR5、第六级移位寄存器SR6;其中,第一移位寄存器SR1的输入模块的输入端为INPUT1、输出模块的输出端为OUT1、复位模块的输入端为RESET1以及输出信号为OUTPUT1,第二移位寄存器SR2的输入模块的输入端为INPUT2、输出模块的输出端为OUT2、复位模块的输入端为RESET2以及输出信号为OUTPUT2,以此类推。
具体地,该栅极驱动装置,除第一级移位寄存器SR1的输入模块INPUT1连接启动信号端STV以外,每一奇数级移位寄存器的输入模块与上一奇数级移位寄存器的输出模块相连,每一奇数级移位寄存器的输出模块分别与上一奇数级移位寄存器的复位模块相连、并与下一奇数级移位寄存器的输入模块相连;也就是说第一级移位寄存器SR1的输入模块INPUT1连接启动信号端STV,第一级移位寄存器SR1的输出模块OUT1连接第三级移位寄存器SR3的输入模块INPUT3,第一级移位寄存器SR1的复位模块RESET1连接第三级移位寄存器SR3的输出模块OUT3;第三级移位寄存器SR3的输入模块INPUT3连接第一级移位寄存器SR1的输出模块OUT1,第三级移位寄存器SR3的输出模块OUT3连接第五级移位寄存器SR5的输入模块INPUT5,第三级移位寄存器SR3的复位模块RESET3连接第五级移位寄存器SR5的输出模块OUT5;以此类推;
除第二级移位寄存器SR2的输入模块INPUT连接启动信号端STVB以外,每一偶数级移位寄存器的输入模块与上一偶数级移位寄存器的输出模块相连,每一偶数级移位寄存器的输出模块分别与上一偶数级移位寄存器的复位模块相连、并与下一偶数级移位寄存器的输入模块相连;也就是说第二级移位寄存器SR2的输入模块INPUT2连接启动信号端STVB,第二级移位寄存器SR2的输出模块OUT2连接第四级移位寄存器SR4的输入模块INPUT4,第二级移位寄存器SR2的复位模块RESET2连接第四级移位寄存器SR4的输出模块OUT4;第四级移位寄存器SR4的输入模块INPUT4连接第二级移位寄存器SR2的输出模块OUT2,第四级移位寄存器SR4的输出模块OUT4连接第六级移位寄存器SR6的输入模块INPUT6,第四级移位寄存器SR4的复位模块RESET4连接第六级移位寄存器SR6的输出模块OUT6;以此类推。
参见图5的控制信号时序图,展示了从第一阶段至第十阶段本发明实施例提供的移位寄存器中控制信号电压的变化。由于从第一阶段至第六阶段为本发明实施例提供的移位寄存器的运作周期,之后将按照此驱动方法,进行下一奇数级的移位寄存器的运作,下面将介绍第一级移位寄存器的驱动过程,对第三级移位寄存器的驱动过程,这里将不赘述:
第一阶段,输入信号INPUT为高电平、第一时钟信号CLK1为低电平、第二时钟信号CLK2为低电平和第三时钟信号CLK3为低电平、第四时钟信号CLK4为低电平;
由于输入信号INPUT为高电平,第一薄膜晶体管T1和第五薄膜晶体管T5同时导通;由于第一薄膜晶体管T1导通,将高电平引入PU点,从而将第二薄膜晶体管T2导通,又由于第一时钟信号CLK1为低电平,从而电容C开始充电;由于第五薄膜晶体管T5导通,从而将低电平引入PD点,第八薄膜晶体管T8和第九薄膜晶体管T9将断开,从而保证了PU点电压的稳定性,进而保证输出端子OUTPUT的电压的稳定性;由于复位信号RESET为第三级的输出端子的信号OUTPUT3,而第三级的输出端子的信号OUTPUT3为低电平,因此复位信号RESET为低电平,第三薄膜晶体管T3断开;由于第二时钟信号CLK2为低电平,则第七薄膜晶体管T7断开;由于第三时钟信号CLK3为低电平,则第十薄膜晶体管T10断开;由于第四时钟信号CLK4为低电平,则第四薄膜晶体管T4断开;此时,由于第一时钟信号CLK1为低电平,且第二薄膜晶体管T2导通,因此,输出端子OUTPUT1为低电平;
第二阶段,输入信号INPUT为低电平、第一时钟信号CLK1为低电平、第二时钟信号CLK2为低电平、第三时钟信号CLK3为低电平、第四时钟信号CLK4为低电平;
由于输入信号INPUT为低电平,第一薄膜晶体管T1和第五薄膜晶体管T5断开,由于在第一阶段为电容C充电,因此在第二阶段发生自举效应bootstrapping,继续提升PU点电位,使得PU点继续高电位,从而将第二薄膜晶体管T2导通;由于第五薄膜晶体管T5断开,则PD点继续保持低电平,因此第八薄膜晶体管T8和第九薄膜晶体管T9继续保持断开状态,从而持续的保证了PU点电压的稳定性,进而确保了输出端子OUTPUT的电压的稳定性;由于第三级的输出端子的信号OUTPUT3仍然为低电平,因此复位信号RESET为低电平;由于第二时钟信号CLK2为低电平,则第七薄膜晶体管T7断开;由于第三时钟信号CLK3为低电平,则第十薄膜晶体管T10断开;由于第四时钟信号CLK4为低电平,则第四薄膜晶体管T4断开;此时,由于第一时钟信号CLK1为低电平且第二薄膜晶体管T2导通,因此输出端子OUTPUT1为低电平;
第三阶段,输入信号INPUT为低电平、第一时钟信号CLK1为高电平、第二时钟信号CLK2为低电平、第三时钟信号CLK3为低电平、第四时钟信号CLK4为低电平;
由于输入信号INPUT为低电平,第一薄膜晶体管T1和第五薄膜晶体管T5断开;由于在第一阶段为电容C充电,因此在第三阶段发生自举效应,继续提升PU点电位,使得PU点继续高电位,从而将第二薄膜晶体管T2导通;由于第五薄膜晶体管T5断开,则PD点继续保持低电平,因此第八薄膜晶体管T8和第九薄膜晶体管T9继续保持断开状态,从而继续保证了PU点电压的稳定性,进而保证输出端子OUTPUT的电压的稳定性;由于第三级的输出端子的信号OUTPUT3仍然为低电平,因此复位信号RESET为低电平;由于第二时钟信号CLK2为低电平,则第七薄膜晶体管T7断开;由于第三时钟信号CLK3为低电平,则第十薄膜晶体管T10断开;由于第四时钟信号CLK4为低电平,则第四薄膜晶体管T4断开;此时,由于第一时钟信号CLK1为高电平且第二薄膜晶体管T2导通,因此输出端子OUTPUT1为高电平;
第四阶段,输入信号INPUT为低电平、第一时钟信号CLK1为低电平、第二时钟信号CLK2为高电平、第三时钟信号CLK3为低电平、第四时钟信号CLK4为低电平;
由于输入信号INPUT为低电平,第一薄膜晶体管T1和第五薄膜晶体管T5断开;由于第三级的输出端子的信号OUTPUT3仍然为低电平,因此复位信号RESET为低电平;由于第二时钟信号CLK2为高电平,则第七薄膜晶体管T7导通,将低电平引入PD点,保证PD点继续保持低电平,从而第八薄膜晶体管T8和第九薄膜晶体管T9继续保持断开状态,从而PU点继续保持处于高电平状态,将第二薄膜晶体管T2导通;由于第三时钟信号CLK3为低电平,则第十薄膜晶体管T10断开;由于第四时钟信号CLK4为低电平,则第四薄膜晶体管T4断开;由于输入信号INPUT为低电平,第一薄膜晶体管T1和第五薄膜晶体管T5均断开;由于第一时钟信号CLK1为低电平且第二薄膜晶体管T2导通,因此输出端子OUTPUT1为低电平;
第五阶段,输入信号INPUT为低电平、第一时钟信号CLK1为低电平、第二时钟信号CLK2为低电平、第三时钟信号CLK3为高电平、第四时钟信号CLK4为低电平;
由于输入信号INPUT为低电平,第一薄膜晶体管T1和第五薄膜晶体管T5断开;由于第三级的输出端子的信号OUTPUT3为高电平,因此复位信号RESET为高电平,将第三薄膜晶体管T3导通,将低电平引入PU点,使得PU点放电,第二薄膜晶体管T2和第六薄膜晶体管T6断开,进而PD点继续保持低电平,第八薄膜晶体管T8和第九薄膜晶体管T9断开;由于第二时钟信号CLK2为低电平,则第七薄膜晶体管T7断开;由于第三时钟信号CLK3为高电平,则第十薄膜晶体管T10导通,从而将低电平引入输出端子OUTPUT1,使得OUTPUT1放电,;由于第四时钟信号CLK4为低电平,则第四薄膜晶体管T4断开;此时,由于第十薄膜晶体管T10导通,因此输出端子OUTPUT1为低电平;
第六阶段,输入信号INPUT为低电平、第一时钟信号CLK1为低电平、第二时钟信号CLK2为低电平、第三时钟信号CLK3为低电平、第四时钟信号CLK4为高电平;
由于输入信号INPUT为低电平,第一薄膜晶体管T1和第五薄膜晶体管T5断开;由于第三级的输出端子的信号OUTPUT3仍然为低电平,因此复位信号RESET为低电平;由于第二时钟信号CLK2为低电平,则第七薄膜晶体管T7断开;由于第三时钟信号CLK3为低电平,则第十薄膜晶体管T10断开;由于第四时钟信号CLK4为高电平,则第四薄膜晶体管T4导通,将高电平引入PD点,使得PD点处于高电平状态,第八薄膜晶体管T8和第九薄膜晶体管T9同时导通,由于第八薄膜晶体管T8导通,将低电平引入PU点,第二薄膜晶体管T2和第六薄膜晶体管T6断开;此时,由于第九薄膜晶体管T9导通,因此输出端子OUTPUT1为低电平;
具体地,第三阶段第一级移位寄存器的输出端输出的高电平将作为第三级移位寄存器的输入信号,因此在第五阶段第三级移位寄存器的输出端输出的高电平将作为第一级移位寄存器的复位信号。
由于偶数级移位寄存器的驱动过程与奇数级移位寄存器的驱动过程相同,此处不再赘述。
此外,第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7、第八薄膜晶体管T8、第九薄膜晶体管T9、第十薄膜晶体管T10,也可以为P型薄膜晶体管。所述P型薄膜晶体管具有在该薄膜晶体管的栅极输入低电平信号电压后导通,栅极输入高电平信号电压后断开的特性,此时,可向电平信号VSS中输入高电压,并相应改变本发明实施例中的电路结构。
因此,本发明并不局限于实施例中的电路结构,还可采用其它能够实现同样功能的其它电路结构。
由此可知,通过该移位寄存器采用输入四个时钟信号的方式,实现了该移位寄存器中时钟信号的占空比为百分之二十五,从而减缓该薄膜晶体管阈值电压的漂移,而且在输出行没有输出时,依次为第二时钟信号端、第三时钟信号端、第四时钟信号端输入高电平,实现了对输出端子OUTPUT的放电,也就是说,当第二时钟信号CLK2为高电平时,第七薄膜晶体管T7导通,保持PD点低电平,保持第八薄膜晶体管T8和第九薄膜晶体管T9断开,使得PU点继续保持高电平,从而将第五薄膜晶体管T5导通,由于此时第一时钟信号CLK1为低电平,进而实现了输出端子OUTPUT的放电;当第三时钟信号CLK3为高电平时,第十薄膜晶体管T10导通,由于第五阶段PU点为低电平,第二薄膜晶体管T2断开,由于此时第十薄膜晶体管T10导通,进而实现了输出端子OUTPUT的放电;当第四时钟信号CLK4为高电平时,第四薄膜晶体管T4导通,PD点为高电平,第九薄膜晶体管T9导通,由于第六阶段PU点为低电平,第二薄膜晶体管T2断开,由于此时第九薄膜晶体管T9导通,进而实现了输出端子OUTPUT的放电,对输出端子OUTPUT的放电不仅保证了输出信号包含有较低的噪音,同时也增加了薄膜晶体管的使用寿命。
综上所述,本发明提供了一种移位寄存器及栅极驱动装置,通过奇偶交叉驱动的栅极驱动装置采用输入四个时钟信号的方式,实现了该移位寄存器中时钟信号的占空比为百分之二十五,从而减缓该薄膜晶体管阈值电压的漂移,由于该移位寄存器减少了薄膜晶体管的数量,简化了电路结构,从而实现了小尺寸的平板显示器的窄边框的要求,通过该移位寄存器中上拉节点的电压保持稳定,从而保证了输出信号的稳定性。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (9)
1.一种移位寄存器,其特征在于,所述移位寄存器包括:输入模块、输出模块、复位模块、上拉模块、第一下拉模块和第二下拉模块;其中,
所述输入模块,响应于输入信号,用于将输入信号电压提供给上拉节点,其中,所述上拉节点为所述输入模块的输出节点;
所述输出模块,用于存储输入信号电压和响应于所述上拉节点的电压信号,将第一时钟信号电压提供给输出端子;
所述复位模块,响应于复位信号,用于将电平信号电压提供给所述上拉节点;
所述上拉模块,响应于第四时钟信号,用于将第四时钟信号电压提供给下拉节点,其中,所述下拉节点为所述上拉模块的输出节点;
所述第一下拉模块,响应于输入信号、所述上拉节点的电压信号和第二时钟信号,用于将电平信号电压提供给所述下拉节点;
所述第二下拉模块,响应于所述下拉节点的电压信号,用于将电平信号电压提供给所述上拉节点,响应于所述下拉节点的电压信号和第三时钟信号,将电平信号电压提供给所述输出端子。
2.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述输入模块包括:
第一薄膜晶体管,其栅极和源极连接所述输入模块的输入端,漏极连接所述输入模块的输出节点。
3.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述输出模块包括:
第二薄膜晶体管,其栅极连接所述上拉节点,源极连接第一时钟信号的输入端,漏极连接所述输出端子;
电容,连接于所述上拉节点和所述输出端子之间。
4.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述复位模块包括:
第三薄膜晶体管,其栅极连接复位模块输入端,源极连接所述上拉节点,漏极连接电平信号的输入端。
5.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述上拉模块包括:
第四薄膜晶体管,其栅极和源极连接第四时钟信号的输入端,漏极连接所述上拉模块的输出节点。
6.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述第一下拉模块包括:
第五薄膜晶体管,其栅极连接所述输入模块的输入端,源极连接所述下拉节点,漏极连接电平信号的输入端;
第六薄膜晶体管,其栅极连接所述上拉节点,源极连接所述下拉节点,漏极连接电平信号的输入端;
第七薄膜晶体管,其栅极连接第二时钟信号的输入端,源极连接所述下拉节点,漏极连接电平信号的输入端。
7.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述第二下拉模块包括:
第八薄膜晶体管,其栅极连接所述下拉节点,源极连接所述上拉节点,漏极连接电平信号的输入端;
第九薄膜晶体管,其栅极连接所述下拉节点,源极连接所述输出端子,漏极连接电平信号的输入端;
第十薄膜晶体管,其栅极连接第三时钟信号的输入端,源极连接所述输出端子,漏极连接电平信号的输入端。
8.一种栅极驱动装置,其特征在于,该阵列基板栅极驱动装置包括级联的如权利要求1~7任一权项所述的移位寄存器。
9.根据权利要求8所述的栅极驱动装置,其特征在于,除第一级移位寄存器的输入模块连接启动信号端以外,每一奇数级移位寄存器的输入模块与上一奇数级移位寄存器的输出模块相连,每一奇数级移位寄存器的输出模块与上一奇数级移位寄存器的复位模块相连、并与下一奇数级移位寄存器的输入模块相连;
除第二级移位寄存器的输入模块连接启动信号端以外,每一偶数级移位寄存器的输入模块与上一偶数级移位寄存器的输出模块相连,每一偶数级移位寄存器的输出模块分别与上一偶数级移位寄存器的复位模块相连、并与下一偶数级移位寄存器的输入模块相连。
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