CN103310977A - 多层陶瓷电子元件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：陶瓷主体，该陶瓷主体中具有层压的内电极；和外电极，该外电极形成在陶瓷主体的沿长度方向的两端；其中，每个外电极包括第一层和第二层，第一层形成在陶瓷主体上并且包含导电金属，第二层形成在第一层上并且包含导电树脂，并且当Tc为陶瓷主体的覆盖层的厚度、L1为从陶瓷主体的沿长度方向的任意一端至形成在陶瓷主体的上表面或下表面上的第一层的端部的长度、T1为陶瓷主体的沿厚度方向的任意一端的第一层的厚度、以及T2为陶瓷主体的沿厚度方向的任意一端的第二层的厚度时，满足Tc≤70μm、T2≥（1.5）T1、以及L1<（1.5）Tc，以此提供优异的可靠性。

Description

多层陶瓷电子元件
相关申请的交叉引用
本申请要求于2012年3月13日在韩国知识产权局提交的、申请号为10-2012-0025782的韩国专利申请的优先权，在此通过引用将该申请的全部内容并入本申请中。
技术领域
本发明涉及一种多层陶瓷电子元件，更具体地，涉及一种具有优异的可靠性的多层陶瓷电子元件。
背景技术
在用于工业用电子设备中的电子元件中，诸如弯曲、裂缝等缺陷可能导致电子元件的功能的缺失，因此，可靠性很重要。为了防止出现裂缝，已经引入了用导电树脂形成外电极的一部分的技术。
然而，即使在外电极的一部分由导电树脂层形成的情况中，由于产品趋于具有更高的电容，因此覆盖层需要变得更薄。在将电子元件安装到基底上之后，当基底弯曲时，更薄的覆盖层可以导致在电子元件中出现裂缝的可能性。
在用于工业用电子设备中的电子元件的领域中，产品可靠性被认为是很重要的，甚至在由于基底弯曲而出现裂缝的情况中，需要防止裂缝对电子元件的性能造成消极的影响。
[现有技术文件]
（专利文件1）日本专利公开号2007-067239
（专利文件2）日本专利公开号1996-107039
发明内容
本发明的一个方面提供一种具有优异的可靠性的多层陶瓷电子元件。
根据本发明的一个方面，提供了一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：陶瓷主体，该陶瓷主体中具有层压的内电极；和外电极，该外电极形成于所述陶瓷主体的沿所述陶瓷主体的长度方向的两端；其中，每个所述外电极包括第一层和第二层，所述第一层形成在所述陶瓷主体上并且包含导电金属，所述第二层形成在所述第一层上并且包含导电树脂，并且当Tc为所述陶瓷主体的覆盖层的厚度、L1为从所述陶瓷主体的沿所述长度方向的任意一端至形成在所述陶瓷主体的上表面或下表面上的所述第一层的端部的长度、T1为所述陶瓷主体的沿所述陶瓷主体的厚度方向任意一端的所述第一层的的厚度、以及T2为所述陶瓷主体的沿所述厚度方向的任意一端的第二层的的厚度时，满足Tc≤70μm、T2≥（1.5）T1、以及L1<（1.5）Tc。
所述多层陶瓷电子元件可以为1005-尺寸或更大。
当L2为从所述陶瓷主体的沿长度方向的任意一端至形成在所述陶瓷主体的所述上表面或所述下表面上的所述第二层的端部的长度时，可以满足（1.5）L1≤L2。
当L2为从所述陶瓷主体的沿所述长度方向的任意一端至形成在所述陶瓷主体的所述上表面或所述下表面上的所述第二层的端部的长度、并且L为所述陶瓷主体的长度时，可以满足L2≤（1/3）L。
当L2为从所述陶瓷主体的沿长度方向的任意一端至形成在所述陶瓷主体的所述上表面或所述下表面上的所述第二层的端部的长度、并且L为所述陶瓷主体的长度时，可以满足（1.5）L1≤L2≤（1/3）L。
所述导电金属可以包括从由金、银、钯、铜、镍以及它们的合金所构成的组中选取的至少一者。
所述导电树脂可以包括从由银环氧树脂、铜环氧树脂、以及镀铜的银树脂所构成的组中选取的至少一者。
根据本发明的另一个方面，提供了一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：陶瓷主体，该陶瓷主体中具有交替地层压的内电极；和外电极，该外电极形成在所述陶瓷主体的沿所述陶瓷主体的长度方向的两端；其中，每个所述外电极包括第一层和第二层，所述第一层形成在所述陶瓷主体上并且包含导电金属，所述第二层形成所述第一层上并且包含导电树脂，并且当Tc为所述陶瓷主体的覆盖层的厚度、L1为从所述陶瓷主体的沿所述长度方向的任意一端至形成在所述陶瓷主体的上表面或下表面上的所述第一层的端部的长度、L2为从所述陶瓷主体的沿所述长度方向的任意一端至形成在所述陶瓷主体的所述上表面或所述下表面上的所述第二层的端部的长度、以及L为所述陶瓷主体的长度时，满足Tc≤70μm和（1.5）L1≤L2≤（1/3）L。
所述多层陶瓷电子元件可以为1005-尺寸或更大。
所述多层陶瓷电子元件可以满足L1<（1.5）Tc。
当T1为所述陶瓷主体的沿所述陶瓷主体的厚度方向的任意一端的所述第一层的厚度、并且T2为所述陶瓷主体的沿所述厚度方向的任意一端的所述第二层的厚度时，可以满足T2≥（1.5）T1。
所述多层陶瓷电子元件可以满足L1<（1.5）Tc。
所述导电金属可以包括从由金、银、钯、铜、镍以及它们的合金所构成的组中选取的至少一者。
所述导电树脂可以包括从由银环氧树脂、铜环氧树脂、以及镀铜的银树脂所构成的组中选取的至少一者。
附图说明
通过下面结合附图的详细说明，本发明的上述和其它方面、特征以及其它优点将会更加清楚地得到理解，其中：
图1是根据本发明的实施方式的多层陶瓷电子元件的立体图；以及
图2是沿图1的线X-X’剖切的剖视图。
具体实施方式
现在将参考附图详细描述本发明的实施方式。
然而，本发明可以体现为许多不同形式并且不应当被理解为受限于此处所阐释的实施方式。
更确切地，提供这些实施方式将会使得本发明详尽和完整，并且将会把本发明的范围完全传达给本领域技术人员。
在附图中，出于清楚的目的可以放大部件的形状和尺寸，并且相同的附图标记将始终用于表示相同或相似的部件。
图1是根据本发明的实施方式的多层陶瓷电子元件的立体图。图2是沿图1的线X-X’剖切的剖视图。
参考图1和图2，根据本发明的实施方式的多层陶瓷电子元件可以包括：陶瓷主体10；内电极30，该内电极30层压在陶瓷主体10的内侧；以及外电极21和22，该外电极21和22形成在陶瓷主体10的外侧。
陶瓷主体10可以具有平行六面体形状。可以将术语“长度方向”、“宽度方向”和“厚度方向”分别命名为图1中的“L方向”、“W方向”和“T方向”。这里，厚度方向可以指层压内电极的方向。
对于陶瓷主体10，其长度大于其宽度，并且其厚度可以等于其宽度。陶瓷主体10可以具有上表面S1、下表面S4、侧面S3和S6、以及端面S2和S5。
陶瓷主体10可以包括具有高介电常数的电介质材料，并且可以具体地包括钛酸钡或钛酸锶，但不限于此。
由于电介质材料为电偶极，故其可以存储更多的电荷。
可以将从上表面S1至陶瓷主体10中的最上面的内电极31a的区域命名为覆盖层C。同样，可以将从下表面S4至陶瓷主体10中的最下面的内电极32a的区域也命名为覆盖层C。
可以在陶瓷主体10的内部层压内电极30，并且使内电极30彼此间隔开设置。相邻的内电极31和32可以沿相反的方向引出（withdraw），因此可以将具有相反极性的电流施加至内电极31和32。内电极30可以包括从由金、银、铜、镍、钯、铂以及它们的合金所构成的组（group）中选取的至少一者，但不限于此。只要能够使内电极30具有导电性，任何材料都可以用于此，而没有特别的限制。
金、银、钯、铂等为贵金属，因而相对较昂贵，但是它们具有化学稳定性。镍、铜等为普通金属（base metals），因而相对便宜。但是，由于在烧制过程中，镍、铜等容易氧化，故烧制过程需要在还原气氛中进行。
外电极可以形成在陶瓷主体10的沿长度方向（“L方向”）的两个端部，并且可以包括第一外电极21和第二外电极22。可以将具有相反极性的电流施加到第一外电极21和第二外电极22。第一外电极21可以包括第一层21a和第二层21b，并且第二外电极22可以包括第一层22a和第二层22b。
第一层21a和22a可以形成在陶瓷主体10上，并且可以由金属构成。
第一层21a和22a可以直接连接至内电极31和32。构成第一层21a和22a的金属和构成内电极31和32的金属可以在它们之间的连接部分形成合金。由此，外电极21和22可以牢固地连接至内电极31和32。
可以通过使用包含导电金属和玻璃粉的导电浆料形成第一层21a和22a，但不限于此。这里，导电金属可以包括从由金、银、钯、铜、镍以及它们的合金所构成的组中选取的至少一者。
然而，由于第一层21a和22a由金属或玻璃形成，故第一层21a和22a容易因外部冲击而损坏。由于金属和玻璃具有低的韧度，因此外电极21和22可能会因外部冲击而与内电极31和32断开。
第二层21b和22b可以分别形成在第一层21a和22a上，并且可以包括导电树脂。
导电树脂可以包括从由银环氧树脂、铜环氧树脂、以及镀铜的银树脂所构成的组中选取的至少一者。即，可以通过使用浆料来制备导电树脂，该浆料包含环氧树脂和从由银粉、铜粉、以及镀铜银粉所构成的组中选取的至少一者。
银粉或铜粉可以使第二层21b和22b具有导电性。只要能够使第二层21b和22b具有导电性，任何材料都可以用于此，而没有特别的限制。
环氧树脂可以使第二层21b和22b具有弹性。环氧树脂可以吸收施加到第二层21b和22b上的外部冲击，从而可以提高第二层21b和22b的抗冲击性。
第一外电极21可以包括第一镀层21c和第二镀层21d，并且第二外电极22可以包括第一镀层22c和第二镀层22d。第一镀层21c和22c以及第二镀层21d和22d可以形成为易于安装的形式。
第一镀层21c和22c可以分别形成在第二层21b和22b上，并且第二镀层21d和22d可以分别形成在第一镀层21c和22c上。第一镀层21c和22c可以为镍镀层，并且第二镀层21d和22d可以为锡镀层。
以下，将主要描述裂缝出现在陶瓷主体的内电极和外电极相连接的部分中的情况。
根据本实施方式，即使是在陶瓷主体的内电极和外电极的连接部分中出现裂缝的情况下，产品的性能也不会因此而受到影响。
在本实施方式中，陶瓷主体10的每个覆盖层C可以具有70μm或更小的厚度Tc。
覆盖层C的厚度Tc可以是通过以下方式获得的平均值：对覆盖层C上的10个等距点进行厚度测量，该10个等距点取自通过使用扫描电子显微镜扫描陶瓷主体10的中心部的沿陶瓷主体的长度方向和厚度方向剖切的横截面而获得的图像，然后将所测出的厚度取平均值。
陶瓷主体10的中心部可以相当于以下的区域：沿陶瓷主体10的宽度方向（W方向）并且在从陶瓷主体10的中心向外的两个方向上的陶瓷主体10的总宽度的45%的范围内的区域。覆盖层的厚度Tc可以在上述范围内具有稳定值。
当Tc超过70μm时，由于覆盖层C相对较厚，所以不会出现弯曲和裂缝。当多层陶瓷电子元件被高度地层压以具有增大的电容时，覆盖层的厚度Tc可能降至70μm或更小，这可能导致弯曲和裂缝。
提供本发明的实施方式用以解决当覆盖层的厚度Tc为70μm或更小时产生裂缝、以及由于裂缝而产生缺陷的问题。
在本实施方式中，可以满足L1<（1.5）Tc。
也就是说，从陶瓷主体10的沿其长度方向的任意一端到形成在陶瓷主体10的上表面S1或下表面S4上的第一层21a和22a的每一个端部的长度L1可以比陶瓷主体10的覆盖层C的厚度Tc小1.5倍。
第二层21b和22b（由导电树脂制成）的形成可以防止或减少裂缝Q的产生。即使在产生裂缝Q的情况中，当满足L1/Tc<1.5时，裂缝Q也不能穿透最外层的内电极30a。
尽管产生裂缝Q，但由于裂缝Q不能穿透最外层的内电极30a，故可以避免所设计的电容无法实现等问题。在需要可靠性的工业用电子设备中，尤其需要这种故障安全模式（fail safe mode）。
最外层的内电极30a可以是指内电极30中的位于最高处的最上方的内电极31a和内电极30中的位于最低处的最下方的内电极32a。
参考图2，裂缝Q可能发生在第一外电极21的由金属制成的第一层21a的端部O。原因在于，由于第一层21a由金属制成，从而使其具有高的硬度同时具有低的应力吸收能力，故应力集中在第一层21a的端部O。
裂缝Q可以从第一层21a的端部O开始，在陶瓷主体10的内部继续，并且终止在陶瓷主体10与第一层21a的交界面F。
裂缝Q可以以大致直线的方式形成，并且可以相对于陶瓷主体10的端面S2和S5成50°至60°的角度。陶瓷主体10的端面S2或S5和裂缝Q之间的角度可以为裂缝角θ。可以根据裂缝角θ来确定关系式L1<（1.5）Tc。
如果L1≥（1.5）Tc，则由于基底的弯曲等而产生的裂缝Q可能穿透最外层的内电极30a。在这种情况下，彼此电分离的内电极不会有助于电容形成。即，最外层的内电极30a可能丧失功能，导致所设计的电容无法实现。
在本实施方式中，可以满足T2≥（1.5）T1。
也就是说，在陶瓷主体10的沿厚度方向的任意一端的第二层21b和22b中的每一层的厚度T2可以为在陶瓷主体10的沿厚度方向的任意一端的第一层21a和22a中的每一层的厚度T1的1.5倍或更大。
T1和T2可以是通过以下方式获得的平均值：对位于第一层和第二层上的10个等距点进行厚度测量，该10个等距点取自通过使用扫描电子显微镜扫描陶瓷主体10的中心部的沿陶瓷主体的长度方向和厚度方向剖切的横截面而获得的图像，然后将所测出的厚度取平均值。
陶瓷主体10的中心部可以相当于以下的区域：沿陶瓷主体10的宽度方向（W方向）并且在从陶瓷主体10的中心向外的两个方向上的陶瓷主体10的总宽度的45%的范围内的区域。T1和T2可以在上述范围内分别具有稳定值。
当T2比T1厚1.5倍时，可以防止或减少由于基底的弯曲而产生的裂缝。
基底的弯曲应力可以通过电子元件和基底的接触部分传递到电子元件，从而可能在电子元件中产生裂缝。根据电子元件的安装到基底上的部分的特性，可以确定弯曲应力是被吸收了，还是弯曲应力已经转移到了电子元件的陶瓷主体10从而引起裂缝Q的出现。
由于电子元件通过外电极安装到基底上，所以可以根据外电极的特性来确定弯曲应力是否已经转移。在外电极21和22的第二层21b和22b足够厚的情况下，第二层21b和22b能够充分地吸收弯曲应力，从而使得基底的弯曲应力不能够转移到电子元件的陶瓷主体10。因此，由于弯曲应力很难达到在陶瓷主体10中引起出现裂缝的临界值，所以不会轻易地出现裂缝Q。
如果T2<（1.5）T1，即，在第二层21b和22b中的每一层的厚度T2小于第一层21a和22a中的每一层的厚度T1的1.5倍的情形中，可能由于弯曲等而产生裂缝Q。原因在于，第二层21b和22b中的每一层相对较薄，因此不能充分地吸收外部冲击。
在本实施方式中，可以满足（1.5）L1≤L2≤（1/3）L。
也就是说，从陶瓷主体10的沿其长度方向的任意一端到形成在陶瓷主体10的上表面S1或下表面S4上的第二层21b和22b中的每一层的端部的长度L2可以等于或大于从陶瓷主体10的沿其长度方向的任意一端到形成在陶瓷主体10的上表面S1或下表面S4上的第一层21a和22a中的每一层的端部的长度L1的1.5倍，并且可以是陶瓷主体10的长度L的1/3或者更小。
如果L2<（1.5）L1，则不能够防止或减少裂缝Q的发生。原因在于，第二层21b和22b与陶瓷主体10的接触面积小，因此使得第二层21b和22b不能够充分地吸收产生在陶瓷主体10中的应力。
通过使第二层21b和22b吸收出现在陶瓷主体10中的并且引起裂缝Q出现的应力，能够防止或减少裂缝Q的发生。因此，如果第二层21b和22b与陶瓷主体10的接触区域（即用于吸收应力的路线）较窄，就不能防止或减少陶瓷主体10中的裂缝Q的发生。
如果L2>（1/3）L，则可能发生闪络（flashover）。在施加有相反极性的电流的第一外电极21和第二外电极22之间的距离较小以致超出空气的耐压强度的情况下，可能出现空气的绝缘击穿，从而引起闪络。
在本实施方式中，多层陶瓷电子元件可以为1005-尺寸（size）或更大。
1005尺寸可以定义为（1.0±0.15mm）×（0.5±0.05mm）。
以下，将参考发明实施例和对比例详细描述本发明。
以如下方式制造根据每个发明实施例的多层陶瓷电容器。
将钛酸钡粉末、作为有机溶剂的乙醇和作为粘合剂的聚乙烯醇缩丁醛（polyvinylbutyral）混合，然后通过球磨，从而制备陶瓷浆料。通过使用所述陶瓷浆料制造陶瓷基片。
将用于内电极的包含镍的导电浆料印刷到陶瓷基片上，以在陶瓷基片上形成内电极。层压所得到的基片以制成基层压体（green laminate），然后使该基层压体在85°C下经受1000kgf/cm2的压力的等静压成形（isostatic press）。
将受压后的基层压体切割成基片，并将切割的基片在230°C的空气气氛中保持60个小时以进行去粘合（debinding）处理。在950℃下烧制基片，以制造烧制的基片。烧制过程在还原气氛下进行以防止内电极的氧化。还原气氛设定为10-11～10-10atm，低于Ni/NiO平衡氧分压。
通过使用包含铜粉末和玻璃粉末的第一浆料，在烧结的基片的外表面上形成第一层。
通过使用第二浆料，使得由导电树脂形成的第二层形成为分别覆盖第一层。包含环氧树脂、银（Ag）和硬化剂的浆料用作第二浆料，然后通过加热该第二浆料而使第二层固化。
随后分别在第二层中的每一层上通过电镀形成镍镀层和锡镀层。
首先，为了研究是否会因为覆盖层的厚度减小而产生裂缝，制造覆盖层的厚度各不相同的多层陶瓷电容器样品。该样品安装在基底上，然后在该样品上进行弯曲测试。在弯曲测试之后，通过使用高分辨率显微镜来观察样品的横截面，以确认是否出现裂缝。
在弯曲测试中，通过将样品安装到基底上并且向安装样品的基底的后表面施重5秒钟，根据电容的变化来确定样品是否有缺陷。
基底受压产生3mm的1级变形和2mm的2级变形，用于确定弯曲强度的标准设定为初始电容值的±10%的范围。
[表1]
Figure BDA00002808621500111
参考表1，可以确定，当覆盖层的厚度降至70μm或更小时，出现裂缝。本发明的目的在于解决当覆盖层的厚度降至70μm或更小时出现裂缝的问题。
接下来，为了验证出现的裂缝的减少，将烧制之后的覆盖层的厚度设定为65μm，并且外电极的第一层的厚度T1和第二层的厚度T2不同。表2中显示了弯曲测试的结果。
[表2]
Figure BDA00002808621500112
Figure BDA00002808621500121
参考表2，可以确定，当T2/T1为1.5或更大时，裂缝的出现显著地减少。这是由于在外电极中第二层厚于第一层，从而使得第二层能够充分地吸收向其施加的应力。
接下来，为了确定裂缝是否穿透内电极，将L1设定为各不相同而将Tc设定为70μm同时将T2/T1设定为1.0。表3中显示了弯曲测试的结果。
[表3]
Figure BDA00002808621500122
Figure BDA00002808621500131
参考表3，可以确定，当L1/Tc为1.5或更大时，裂缝穿透内电极，并且当L1/Tc小于1.5时，裂缝未穿透内电极。也就是说，在L1为Tc的1.5倍的情况下，裂缝穿透内电极。这对应于裂缝可以形成为相对于陶瓷主体的沿长度方向的横截面成56.3°的角度的情况。
为了减少裂缝的出现，外电极的第一层的长度L1和第二层的长度L2各不相同。表4中显示了弯曲测试的结果。烧制后的覆盖层的厚度Tc设定为65μm，并且T2/T1设定为1.0。
此外，表4中显示了关于发生闪络（与L2有关）的结果。
[表4]
参考表4，可以确定，在L2比L1大1.5倍的情况下，裂缝的出现显著地减少。原因在于，陶瓷主体和第二层的接触面积较大，从而，第二层能够有效地吸收陶瓷主体的应力。
此外，可以看出，在L2/L为L的1/3或更大（即L2大于L的1/3）的情况下，发生闪络。原因在于，具有相反极性的外电极靠得太近。
如上所述，根据本发明的实施方式，可以通过引入导电树脂层来减少弯曲和裂缝的出现。另外，即使在出现弯曲和裂缝的情况下，通过防止裂缝穿透内电极，也可以实现预定的电容值。以此，可以实现具有优异的可靠性的多层陶瓷电子元件。
虽然已经结合实施方式展示并描述了本发明，但是在不偏离如所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，对本发明作出修改和改变对本领技术人员来说是明显的。

Claims (14)

1.一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：
陶瓷主体，该陶瓷主体中具有层压的内电极；和
外电极，该外电极形成于所述陶瓷主体的沿所述陶瓷主体的长度方向的两端；
其中，每个所述外电极包括第一层和第二层，所述第一层形成在所述陶瓷主体上并且包含导电金属，所述第二层形成在所述第一层上并且包含导电树脂，并且
当Tc为所述陶瓷主体的覆盖层的厚度、L1为从所述陶瓷主体的沿所述长度方向的任意一端至形成在所述陶瓷主体的上表面或下表面上的所述第一层的端部的长度、T1为所述陶瓷主体的沿所述陶瓷主体的厚度方向的任意一端的所述第一层的厚度以及T2为所述陶瓷主体的沿所述厚度方向的任意一端的所述第二层的厚度时，满足Tc≤70μm、T2≥（1.5）T1以及L1<（1.5）Tc。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述多层陶瓷电子元件为1005-尺寸或更大。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，当L2为从所述陶瓷主体的沿所述长度方向的任意一端至形成在所述陶瓷主体的所述上表面或所述下表面上的所述第二层的端部的长度时，满足（1.5）L1≤L2。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，当L2为从所述陶瓷主体的沿所述长度方向的任意一端至形成在所述陶瓷主体的所述上表面或所述下表面上的所述第二层的端部的长度并且L为所述陶瓷主体的长度时，满足L2≤（1/3）L。
5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，当L2为从所述陶瓷主体的沿所述长度方向的任意一端至形成在所述陶瓷主体的所述上表面或所述下表面上的所述第二层的端部的长度并且L为所述陶瓷主体的长度时，满足（1.5）L1≤L2≤（1/3）L。
6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述导电金属包括从由金、银、钯、铜、镍以及它们的合金所构成的组中选取的至少一者。
7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述导电树脂包括从由银环氧树脂、铜环氧树脂以及镀铜的银树脂所构成的组中选取的至少一者。
8.一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：
陶瓷主体，该陶瓷主体中具有交替地层压的内电极；和
外电极，该外电极形成在所述陶瓷主体的沿所述陶瓷主体的长度方向的两端；
其中，每个所述外电极包括第一层和第二层，所述第一层形成在所述陶瓷主体上并且包含导电金属，所述第二层形成所述第一层上并且包含导电树脂，并且
当Tc为所述陶瓷主体的覆盖层的厚度、L1为从所述陶瓷主体的沿所述长度方向的任意一端至形成在所述陶瓷主体的上表面或下表面上的所述第一层的端部的长度、L2为从所述陶瓷主体的沿所述长度方向的任意一端至形成在所述陶瓷主体的所述上表面或所述下表面上的所述第二层的端部的长度以及L为所述陶瓷主体的长度时，满足Tc≤70μm和（1.5）L1≤L2≤（1/3）L。
9.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述多层陶瓷电子元件为1005-尺寸或更大。
10.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述多层陶瓷电子元件满足L1<（1.5）Tc。
11.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子元件，其中，当T1为所述陶瓷主体的沿所述陶瓷主体的厚度方向的任意一端的所述第一层的厚度并且T2为所述陶瓷主体的沿所述厚度方向的任意一端的所述第二层的厚度时，满足T2≥（1.5）T1。
12.根据权利要求11所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述多层陶瓷电子元件满足L1<（1.5）Tc。
13.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述导电金属包括从由金、银、钯、铜、镍以及它们的合金所构成的组中选取的至少一者。
14.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述导电树脂包括从由银环氧树脂、铜环氧树脂以及镀铜的银树脂所构成的组中选取的至少一者。
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