CN110459390B - 电子部件 - Google Patents

Abstract

本发明的电子部件包括：素体和配置在素体上的外部电极。外部电极具有：基底金属层、导电性树脂层以及镀层。基底金属层配置在素体上。导电性树脂层配置在基底金属层上并包含多个导电性填料。镀层配置在导电性树脂层上。多个导电性填料中的一部分与基底金属层烧结并连接到基底金属层。多个导电性填料的另一部分暴露在导电性树脂层的表面并与镀层接触。

Description

电子部件

技术领域

本发明涉及一种电子部件。

背景技术

已知的电子部件包括素体和配置在素体上的外部电极(例如，参照日本特开2014-143387号公报)。外部电极具有基底金属层、导电性树脂层以及镀层。基底金属层配置在素体上。导电性树脂层配置在基底金属层上。镀层配置在导电性树脂层上。导电性树脂层包含多种导电性填料。

发明内容

发明要解决的技术问题

当电子部件安装在电子设备上时，从电子设备作用在电子部件上的外力可以作为应力作用于外部电极上。例如当电子设备是基板时，外力通过例如基板的弯曲而作用在电子部件上。作用在外部电极上的应力可以使基底金属层和导电性树脂层在基底金属层和导电性树脂层之间的界面处剥离。

用于解决技术问题的手段

本发明的一个实施方式的目的是提供一种抑制基底金属层和导电性树脂层之间发生界面剥离的电子部件。

本发明的一个实施方式涉及的电子部件包括：素体和配置在素体上的外部电极。外部电极具有基底金属层、导电性树脂层、和镀层。基底金属层配置在素体上。导电性树脂层配置在基底金属层上并包含多个导电性填料。镀层配置在导电性树脂层上。多个导电性填料中的一部分与基底金属层烧结并连接到基底金属层。多个导电性填料的另一部分暴露在导电性树脂层的表面并与镀层接触。

在上述一个实施方式中，多个导电性填料的一部分与基底金属层烧结并连接到基底金属层。因此，在上述一个实施方式中，与导电性填料未与基底金属层烧结并且未连接到基底金属层的构成相比，基底金属层和导电性树脂层之间的连接强度更高。其结果，在上述一个实施方式中，难以在基底金属层和导电性树脂层之间发生界面剥离。

在上述一个实施方式中，基底金属层和多个导电性填料可以由相同的金属构成。

在基底金属层和多个导电性填料由不同金属制成的构成中可能发生以下问题。当基底金属层和导电性填料烧结时，在基底金属层和导电性填料之间形成合金层。合金层增加基底金属层和导电性树脂层之间的电阻。

在基底金属层和多个导电性填料由相同金属构成的结构中，难以在基底金属层和导电性填料之间形成合金层。因此，本构成抑制了基底金属层和导电性树脂层之间的电阻的增加。

在本构成中，基底金属层和多个导电性填料可以由Ag构成。

在上述一个实施方式中，素体可以具有构成安装面的主面。在这种情况下，基底金属层可以不配置在主面上。

导电性树脂层缓和了电子设备作用在电子部件上的外力对素体的作用。因此，导电性树脂层抑制了裂缝在素体中的产生。然而，当多个导电性填料的一部分连接到基底金属层时，外力倾向于作用在基底金属层上。作用在基底金属层上的外力作为应力作用于素体上。作用在素体上的应力倾向于集中在基底金属层的端缘。当基底金属层配置在安装面上时，基底金属层的端缘成为起点，而可能在素体中产生裂缝。

在基底金属层未配置在主面上的构成中，基底金属层的端缘不位于主面上。因此，裂缝起点难以存在于安装面上。结果，本结构可靠地抑制素体中裂缝的产生。

在上述一个实施方式中，导电性树脂层可以配置在主面上。在本构成中，从电子设备作用在电子部件上的外力难以作用于安装面上。因此，本结构更可靠地抑制元件中裂缝的产生。

在上述一个实施方式中，可具备形成在素体表面上的非晶玻璃层。在这种情况下，非晶玻璃层可以配置在导电性树脂层的端缘和素体的表面之间并且与导电性树脂层的端缘接触。与导电性树脂层的端缘直接配置在素体上的构成相比，本构成抑制了导电性树脂层的剥离。

从以下详细说明和附图可以更全面地理解本发明，这些附图仅用于说明本发明，因此不应认为是对本发明的限制。

根据以下详细说明，本发明的进一步适用范围显而易见。然而，应该理解的是，详细说明和具体实施方式仅作为本发明的优选实施方式的列举，在本发明的精神和范围内的各种变化和修改对于本领域技术人员而言都是显而易见的。

附图说明

图1是示出一个实施方式涉及的层叠共模滤波器的立体图。

图2是示出本实施方式涉及的层叠共模滤波器的平面图。

图3是示出素体的构成的分解立体图。

图4是示出本实施方式涉及的层叠共模滤波器的截面构成的图。

图5是示出本实施方式涉及的层叠共模滤波器的截面构成的图。

图6是示出外部电极的截面构成的图。

图7是示出本实施方式涉及的层叠共模滤波器的安装结构的图。

图8是示出本实施方式涉及的层叠共模滤波器的安装结构的图。

图9是示出本实施方式的变形例涉及的层叠共模滤波器的截面构成的图。

具体实施方式

在下文中，参照附图详细说明本发明的实施方式。在说明中，相同的附图标记用于相同的元件或具有相同功能的元件，并且省略重复的说明。

参照图1～图6说明本实施方式涉及的层叠共模滤波器CF的构成。图1是示出本实施方式涉及的层叠共模滤波器的立体图。图2是示出本实施方式涉及的层叠共模滤波器的平面图。图3是示出素体的结构的分解立体图。图4和图5是示出本实施方式的层叠共模滤波器的截面构成的图。图6是示出外部电极的截面构成的图。在图6中，省略了表示截面的阴影线。在本实施方式中，电子部件例如是层叠共模滤波器CF。

如图1～图5所示，层叠共模滤波器CF具备素体1和外部电极。外部电极包括多个端子电极11、12、13、14。在本实施方式中，外部电极包括四个端子电极11、12、13、14。层叠共模滤波器CF包括素体1、端子电极11、端子电极12、端子电极13以及端子电极14。端子电极11、12、13、14彼此分开。层叠共模滤波器CF以端子电极11、端子电极12、端子电极13以及端子电极14分别连接到信号线的方式焊接安装在电子设备上。电子设备包括例如电路板或电子部件。

素体1具有长方体形状。素体1具有彼此相对的主面1a和主面1b、彼此相对的侧面1c和侧面1d、以及彼此相对的侧面1e和侧面1f。如上所述，层叠共模滤波器CF焊接安装在电子设备上。在层叠共模滤波器CF中，主面1a或主面1b构成面向电子设备的安装面。主面1a或主面1b是安装面。

主面1a和主面1b彼此相对的方向是第一方向D1。侧面1c和侧面1d彼此相对的方向是第二方向D2。侧面1e和侧面1f彼此相对的方向是第三方向D3。在本实施方式中，第一方向D1是素体1的高度方向。第二方向D2是素体1的长度方向。第三方向D3是素体1的宽度方向。长方体形状包括角部和棱部被倒角的长方体形状、以及角部和棱部被磨圆的长方体形状。

侧面1c和侧面1d以连接主面1a和主面1b的方式沿第一方向D1延伸。侧面1c和侧面1d与主面1a相邻并且还与主面1b相邻。侧面1c和侧面1d也沿第三方向D3延伸。第三方向D3也是主面1a和主面1b的短边方向。侧面1e和侧面1f以连接主面1a和主面1b的方式沿第一方向D1延伸。侧面1e和侧面1f与主面1a相邻并且还与主面1b相邻。侧面1e和侧面1f也沿第二方向D2延伸。第二方向D2也是主面1a和主面1b的长边方向。

素体1具有一对棱线部1g、一对棱线部1h、四个棱线部1i、一对棱线部1j和一对棱线部1k。棱线部1g位于主面1a和侧面1c、1d之间。棱线部1h位于主面1b与侧面1c、1d之间。各棱线部1i位于相邻的两个侧面1c、1d、1e、1f之间。棱线部1j位于主面1a和侧面1e、1f之间。棱线部1k位于主面1b和侧面1e、1f之间。在本实施方式中，各棱线部1g、1h、1i、1j、1k被弄圆至弯曲。素体1被施以所谓的R倒角加工。各棱线部1g、1h、1i、1j、1k是具有规定的曲率半径的曲面。在本实施方式中，各棱线部1g、1h、1i、1j、1k(各曲面)的曲率半径基本相同。各棱线部1g、1h、1i、1j、1k(各曲面)的曲率半径可以不同。

主面1a和各侧面1c、1d在棱线部1g介于主面1a和侧面1c、1d之间的状态下间接相邻。主面1b和侧面1c、1d在主面1b和侧面1c、1d之间夹着棱线部1h的状态下间接相邻。各侧面1c、1d以及各侧面1e、1f在各侧面1c、1d和各侧面1e、1f之间夹着棱线部1i的状态下间接相邻。主面1a和各侧面1e、1f在主面1a和各侧面1e、1f之间夹着棱线部1j的状态下间接相邻。主面1b和各侧面1e、1f在主面1b和各侧面1e、1f之间夹着棱线部1k的状态下间接相邻。

素体1具有非磁性体部3和一对磁性体部5。一对磁性体部5以非磁性体部3在第一方向D1上位于一对磁性体部5之间的方式配置。素体1具有层叠的多个绝缘层。在非磁性体部3中，层叠多个非磁性体层4。非磁性体部3具有层叠的多个非磁性体层4。在各磁性体部5中，层叠多个磁性体层6。各磁体部分5包括多个层叠的磁体层6。多个绝缘层包括多个非磁性体层4和多个磁性体层6。

各非磁性体层4由例如包含非磁性材料的陶瓷生片的烧结体制成。非磁性材料例如是Cu-Zn系铁氧体材料、电介质材料或玻璃陶瓷材料。各磁性体层6由例如包含磁性材料的陶瓷生片的烧结体制成。磁性材料例如是Ni-Cu-Zn铁氧体材料、Ni-Cu-Zn-Mg铁氧体材料或Ni-Cu铁氧体材料。在本实施方式中，各磁性体部5由铁氧体材料构成。在实际的素体1中，各非磁性体层4和各磁性体层6以不能在视觉上识别层之间的边界的方式一体化。第一方向D1(主面1a和主面1b相对的方向)与层叠多个绝缘体层(多个非磁性体层4和多个磁性体层6)的方向一致。

层叠共模滤波器CF具备非晶玻璃层IL。非晶玻璃层IL形成于素体1的表面上。非晶玻璃层IL覆盖素体1(非磁性体部3和磁性体部5)。非晶玻璃层IL与素体1的表面(主面1a、1b、侧面1c、1d、1e、1f、以及棱线部1g、1h、1i、1j、1k)接触。非晶玻璃层IL覆盖主面1a、1b、侧面1c、1d、1e、1f以及棱线部1g、1h、1i、1j、1k。在本实施方式中，非晶玻璃层IL覆盖素体1的整个表面。磁性体部5的表面包括主面1a、1b。非晶玻璃层IL形成于磁性体部5的表面上。非晶玻璃层IL的表面粗糙度小于磁性体部5的表面粗糙度。非晶玻璃层IL由非晶玻璃材料构成。非晶玻璃材料是例如二氧化硅系玻璃(SiO₂-B₂O₃-ZrO₂-R₂O系玻璃)。

如图3所示，层叠共模滤波器CF设有多个线圈导体21、22、23、24。多个线圈导体21、22、23、24配置在素体1内。在本实施方式中，层叠共模滤波器CF包括四个线圈导体21、22、23、24。四个线圈导体21、22、23、24配置在非磁性体部3中。各线圈导体21、22、23、24是配置在素体1内的内部导体。各线圈导体21、22、23、24包含导电性材料。导电性材料包括例如Ag或Pd。各线圈导体21、22、23、24例如构成为包含导电性材料粉末的导电性膏体的烧结体。导电性材料粉末包含例如Ag粉末或Pd粉末。

线圈导体21呈螺旋形状。线圈导体21配置在沿第一方向D1相邻的一对非磁性体层4之间。线圈导体21的一端(外端)21a在侧面1c露出。线圈导体21的另一端(内端)21b与焊盘导体41连接。焊盘导体41位于与线圈导体21相同的层中。在本实施方式中，线圈导体21和焊盘导体41一体地形成。

线圈导体22呈螺旋形状。线圈导体22配置在沿第一方向D1相邻的一对非磁性体层4之间。线圈导体22的一端(外端)22a暴露在侧面1d。线圈导体22的另一端(内端)22b连接到焊盘导体42。焊盘导体42位于与线圈导体22相同的层中。在本实施方式中，线圈导体22和焊盘导体42一体地形成。

线圈导体23呈螺旋形状。线圈导体23配置在沿第一方向D1相邻的一对非磁性体层4之间。线圈导体23的一端(外端)23a在侧面1c露出。线圈导体23的另一端(内端)23b与焊盘导体43连接。焊盘导体43位于与线圈导体23相同的层中。在本实施方式中，线圈导体23和焊盘导体43一体地形成。

线圈导体24呈螺旋形状。线圈导体24配置在沿第一方向D1相邻的一对非磁性体层4之间。线圈导体24的一端(外端)24a在侧面1d露出。线圈导体24的另一端(内端)24b与焊盘导体44连接。焊盘导体44位于与线圈导体24相同的层中。在本实施方式中，线圈导体24和焊盘导体44一体地形成。

线圈导体21和线圈导体23以非磁性体层4介于线圈导体21和线圈导体23之间的状态在第一方向D1上彼此相邻。非磁性体层4夹在线圈导体21和线圈导体23之间。线圈导体22和线圈导体24以非磁性体层4介于线圈导体22和线圈导体24之间的状态在第一方向D1上彼此相邻。非磁性体层4夹在线圈导体22和线圈导体24之间。线圈导体23在第一方向D1上位于线圈导体21和线圈导体22之间。四个线圈导体21、22、23、24沿第一方向D1以线圈导体21、线圈导体23、线圈导体22以及线圈导体24的顺序配置。线圈导体21、22、23、24定位成从第一方向D1观察以相同的方向卷绕并且彼此重叠。

焊盘导体41和焊盘导体42定位成从第一方向D1上观察时彼此重叠。焊盘导体45以从第一方向D1上观察时与焊盘导体41和42重叠的方式配置在焊盘导体41和焊盘导体42之间。焊盘导体45位于与线圈导体23相同的层中。焊盘导体41和焊盘导体45以非磁性体层4夹在焊盘导体41和焊盘导体45之间的状态在第一方向D1上彼此相邻。非磁性体层4夹在焊盘导体41和焊盘导体45之间。焊盘导体45和焊盘导体42以非磁性体层4介于焊盘导体45和焊盘导体42之间的状态在第一方向D1上彼此相邻。非磁性体层4夹在焊盘导体45和焊盘导体42之间。

焊盘导体41和焊盘导体45和焊盘导体42分别通过通孔导体51连接。通孔导体51穿过位于焊盘导体41和焊盘导体45之间的非磁性体层4和位于焊盘导体45和焊盘导体42之间的非磁性体层4。

焊盘导体43和焊盘导体44定位成从第一方向D1上观察时彼此重叠。焊盘导体46以从第一方向D1上观察时与焊盘导体43、44重叠的方式配置在焊盘导体43和焊盘导体44之间。焊盘导体46位于与线圈导体22相同的层中。焊盘导体43和焊盘导体46以非磁性体层4介于焊盘导体43和焊盘导体46之间的状态在第一方向D1上彼此相邻。非磁性体层4夹在焊盘导体43和焊盘导体46之间。焊盘导体46和焊盘导体44以非磁性体层4介于焊盘导体46和焊盘导体44之间的状态在第一方向D1上彼此相邻。非磁性体层4夹在焊盘导体46和焊盘导体44之间。

焊盘导体43、焊盘导体46和焊盘导体44分别通过通孔导体52连接。通孔导体52穿过位于焊盘导体43和焊盘导体46之间的非磁性体层4、位于焊盘导体46和焊盘导体44之间的非磁性体层4。

线圈导体21和线圈导体22通过焊盘导体41、焊盘导体45、焊盘导体42以及通孔导体51电连接。线圈导体21和线圈导体22构成线圈C1。线圈导体23和线圈导体24通过焊盘导体43、焊盘导体46、焊盘导体44以及通孔导体52电连接。线圈导体23和线圈导体24构成线圈C2。

层叠共模滤波器CF在素体1(非磁性体部3)中包括线圈C1和线圈C2。线圈C1和线圈C2以以下方式配置在非磁性体部3内：即，线圈导体21和线圈导体23在第一方向D1上彼此相邻，并且线圈导体23和线圈导体22在第一方向D1上彼此相邻，并且线圈导体22和线圈导体24在第一方向D1上彼此相邻。线圈C1和线圈C2彼此磁耦合。

焊盘导体45、46以及通孔导体51、52包含导电性材料。导电性材料包括例如Ag或Pd。焊盘导体45、46以及通孔导体51、52例如构成为包含导电性材料粉末的导电性膏体的烧结体。导电性材料粉末包含例如Ag粉末或Pd粉末。通孔导体51、52例如通过烧结填充在通孔中的导电性膏体而形成，其中该通孔形成在构成对应的非磁性体层4的陶瓷生片中。

端子电极11和端子电极13配置在素体1的侧面1c侧。端子电极11和端子电极13配置在沿第二方向D2上的素体1的一端。端子电极11和端子电极13以沿第一方向D1覆盖侧面1c的一部分的方式配置在侧面1c上，并且配置在主面1a的一部分和主面1b的一部分上。端子电极11位于更靠近侧面1e的位置。端子电极13位于更靠近侧面1f的位置。端子电极11以非晶玻璃层IL介于端子电极11和素体1之间的方式配置在素体1上。端子电极13以非晶玻璃层IL介于端子电极13和素体1之间的方式配置在素体1上。端子电极11和端子电极13间接地配置在素体1上。

端子电极12和端子电极14配置在元件本体1的侧面1d侧。端子电极12和端子电极14配置在沿第二方向D2的素体1的另一端。端子电极12和端子电极14以沿着第一方向D1覆盖侧面1d的一部分的方式配置在侧面1d上，并且配置在主面1a的一部分和主面1b的一部分上。端子电极12位于更靠近侧面1e的位置。端子电极14位于更靠近侧面1f的位置。端子电极12以非晶玻璃层IL介于端子电极12和素体1之间的方式配置在素体1上。端子电极14以非晶玻璃层IL介于端子电极14和素体1之间的方式配置在素体1上。端子电极12和端子电极14间接地配置在素体1上。

如图4所示，端子电极11具有多个电极部11a、11b、11c。在本实施方式中，端子电极11具有三个电极部11a、11b、11c。电极部11a、11b、11c间接地配置在素体1上。电极部11a配置在主面1a上。电极部11b配置在主面1b上。电极部11c配置在侧面1c上和棱线部1g、1h上。端子电极11没有配置在侧面1d、侧面1e、侧面1f以及棱线部1i、1j、1k上。端子电极11仅配置在三个表面(主面1a、1b以及侧面1c)上。电极部11a、11b配置在非晶玻璃层IL上并与非晶玻璃层IL接触。

相互邻接的电极部11a、11c在棱线部1g上连接，并且电连接。相互邻接的电极部11b、11c在棱线部1h上连接，并且电连接。电极部11c覆盖线圈导体21的露出于侧面1c的所有端部。线圈导体21在露出于侧面1c的端部与电极部11c连接。端子电极11和线圈导体21电连接。线圈导体21的一端21a作为与端子电极11连接的连接导体发挥作用。

如图4所示，端子电极12具有多个电极部12a、12b、12c。在本实施方式中，端子电极12具有三个电极部12a、12b、12c。电极部12a、12b、12c间接地配置在素体1上。电极部12a配置在主面1a上。电极部12b配置在主面1b上。电极部12c配置在侧面1d上和棱线部1g、1h上。端子电极12没有配置在侧面1c、侧面1e、侧面1f以及棱线部1i、1j、1k上。端子电极12仅配置在三个表面(主面1a、1b以及侧面1d)上。电极部12a、12b配置在非晶玻璃层IL上并与非晶玻璃层IL接触。

相互邻接的电极部12a、12c在棱线部1g上连接，并且电连接。相互邻接的电极部12b、12c在棱线部1h上连接，并且电连接。电极部12c覆盖线圈导体22的露出于侧面1d的所有端部。线圈导体22在露出于侧面1d的端部与电极部12c连接。端子电极12和线圈导体22电连接。线圈导体22的一端22a作为与端子电极12连接的连接导体发挥作用。

如图5所示，端子电极13具有多个电极部13a、13b、13c。在本实施方式中，端子电极13具有三个电极部13a、13b、13c。电极部13a、13b、13c间接地配置在素体1上。电极部13a配置在主面1a上。电极部13b配置在主面1b上。电极部13c配置在侧面1c上和棱线部1g、1h上。端子电极13没有配置在侧面1d、侧面1e、侧面1f和棱线部1i、1j、1k上。端子电极13仅配置在三个表面(主面1a、1b以及侧面1c)上。电极部13a、13b配置在非晶玻璃层IL上并与非晶玻璃层IL接触。

彼此相邻的电极部13a、13c在棱线部1g上连接，并且电连接。相互邻接的电极部13b、13c在棱线部1h上连接，并且电连接。电极部13c覆盖线圈导体23的露出在侧面1c的所有端部。线圈导体23在露出于侧面1c的端部与电极部13c连接。端子电极13和线圈导体23电连接。线圈导体23的一端23a作为与端子电极13连接的连接导体发挥作用。

如图5所示，端子电极14具有多个电极部14a、14b、14c。在本实施方式中，端子电极14具有三个电极部14a、14b、14c。电极部14a、14b、14c间接地配置在素体1上。电极部14a配置在主面1a上。电极部14b配置在主面1b上。电极部14c配置在侧面1d上和棱线部1g、1h上。端子电极14没有配置在侧面1c、侧面1e、侧面1f以及棱线部1i、1j、1k上。端子电极14仅配置在三个表面(主面1a、1b以及侧面1d)上。电极部14a、14b配置在非晶玻璃层IL上，并与非晶玻璃层IL接触。

相互邻接的电极部14a、14c在棱线部1g上连接，并且电连接。相互邻接的电极部14b、14c在棱线部1h上连接，并且电连接。电极部14c覆盖线圈导体24的露出于侧面1d的所有端部。线圈导体24在露出于侧面1d的端部与电极部14c连接。端子电极14和线圈导体24电连接。线圈导体24的一端24a作为与端子电极14连接的连接导体发挥作用。

如图4和5所示，各端子电极11、12、13、14包括第一电极层E1、第二电极层E2、第三电极层E3以及第四电极层E4。在本实施方式中，如图6所示，各电极部11c、12c、13c、14c包括第一电极层E1、第二电极层E2、第三电极层E3以及第四电极层E4。各电极部11a、11b、12a、12b、13a、13b、14a、14b包括第二电极层E2、第三电极层E3以及第四电极层E4。各电极部11a、11b、12a、12b、13a、13b、14a、14b不包括第一电极层E1。各端子电极11、13在侧面1c和棱线部1g、1h上具有四层结构，并且在各主面1a、1b上具有三层结构。各端子电极12、14在侧面1d和棱线部1g、1h上具有四层结构，并且在各主面1a、1b上具有三层结构。第四电极层E4构成对应的端子电极11、12、13、14的最外层。

第一电极层E1通过烧结导电性膏体形成。第一电极层E1通过烧结包含在导电性膏体中的金属成分(金属粉末)来形成。第一电极层E1是基底金属层。在本实施方式中，第一电极层E1是烧结金属层。第一电极层E1有意地不形成在一对主面1a、1b上。第一电极层E1可以例如，由于制造误差等无意地形成在主面1a、1b上。在本实施方式中，第一电极层E1是由Ag构成的基底金属层。第一电极层E1可以是由Pd构成的基底金属层。导电性膏体包含例如Ag或Pd构成的粉末、玻璃料、有机粘合剂和有机溶剂。第一电极层E1可以通过物理气相沉积法(PVD法)或化学气相沉积法(CVD法)形成。

在本实施方式中，第一电极层E1配置在非晶玻璃层IL上。第一电极层E1以非晶玻璃层IL介于第一电极层E1和素体1之间的方式，配置在素体1上。实际上，如图6所示，在第一电极层E1中，混合了包含在非晶玻璃层IL中的玻璃成分G1和包含在导电性膏体中的玻璃成分G2。玻璃成分G1由非晶玻璃材料组成。

第一电极层E1包括在各电极部11c、12c、13c、14c中。包括在各电极部11c、13c中的第一电极层E1配置在侧面1c上和棱线部1g、1h上。包括在各电极部12c、14c中的第一电极层E1配置在侧面1d上和棱线部1g、1h上。在本实施方式中，第一电极层E1没有配置在主面1a、1b上。线圈导体21的一端21a穿过非晶玻璃层IL并连接到包括在电极部11c中的第一电极层E1。线圈导体22的一端22a穿过非晶玻璃层IL并连接到包括在电极部12c中的第一电极层E1。线圈导体23的一端23a穿过非晶玻璃层IL并连接到包括在电极部13c中的第一电极层E1。线圈导体24的一端24a穿过非晶玻璃层IL并连接到包括在电极部14c中的第一电极层E1。

第二电极层E2通过以覆盖第一电极层E1的方式赋予的固化导电性树脂浆料来形成。第二电极层E2是导电性树脂层。第二电极层E2与第一电极层E1接触。第二电极层E2如图6所示，包括多个导电性填料FL和树脂R。导电性填料FL例如是金属粉末。在本实施方式中，金属粉末是Ag粉末。因此，在本实施方式中，第一电极层E1和导电性填料FL由相同的金属制成。金属粉末可以是例如除Ag粉末之外的Cu粉末或Ni粉末。树脂R例如是热固性树脂。热固性树脂例如是酚醛树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、环氧树脂或聚酰亚胺树脂。导电性树脂浆料包含例如多种导电性填料FL、热固性树脂和有机溶剂。

第二电极层E2包括在各电极部11a～11c、12a～12c、13a～13c、14a～14c中。在各电极部11c、12c、13c、14c中，第二电极层E2配置在第一电极层E1上并且与第一电极层E1接触。包括在各电极部11a、11b、12a、12b、13a、13b、14a、14b中的第二电极层E2与非晶玻璃层IL接触。包括在各电极部11a、12a、13a、14a中的第二电极层E2以非晶玻璃层IL介于主面1a和第二电极层E2之间的状态，配置在表面1a上。包括在各电极部11b、12b、13b、14b中的第二电极层E2以非晶玻璃层IL介于主面1b和第二电极层E2之间的状态，配置在表面1b上。第二电极层E2不与素体1直接接触。

多个导电性填料FL在第二电极层E2中形成多个导电路径。在多个导电性填料FL中，一部分导电性填料FL与第一电极层E1烧结。与第一电极层E1烧结的导电性填料FL连接到第一电极层E1。多个导电性填料FL中的另一部分导电性填料FL露出于第二电极层E2的表面。

第三电极层E3通过电镀法形成在第二电极层E2上。第三电极层E3是镀层。在本实施方式中，第三电极层E3是通过镀镍法形成的Ni镀层。第三电极层E3可以是Cu镀层。第三电极层E3包含例如Ni或Cu。第三电极层E3与第二电极层E2接触。露出于第二电极层E2的表面的导电性填料FL与第三电极层E3接触。

第四电极层E4通过电镀法形成在第三电极层E3上。第四电极层E4是镀层。在本实施方式中，第四电极层E4是通过Sn电镀法形成的Sn镀层。第四电极层E4包含例如Sn。第四电极层E4与第三电极层E3接触。第三电极层E3和第四电极层E4构成配置在第二电极层E2上的镀层。整个第二电极层E2被由第三电极层E3和第四电极层E4构成的镀层覆盖。在本实施方式中，形成在第二电极层E2上的镀层具有双层结构。

第二电极层E2一体地形成在各电极部11a～11c、12a～12c、13a～13c和14a～14c中。第三电极层E3一体地形成在各电极部11a～11c、12a～12c、13a～13c和14a～14c中。第四电极层E4一体地形成在各电极部11a～11c、12a～12c、13a～13c、14a～14c中。

电极部11a、11b包括第二电极层E2的端缘A1，第三电极层E3的端缘以及第四电极层E4的端缘。电极部12a、12b包括第二电极层E2的端缘A2、第三电极层E3的端缘以及第四电极层E4的端缘。电极部13a、13b包括第二电极层E2的端缘A3、第三电极层E3的端缘以及第四电极层E4的端缘。电极部14a、14b包括第二电极层E2的端缘A4、第三电极层E3的端缘以及第四电极层E4的端缘。

非晶玻璃层IL位于电极部11a、11b、12a、12b、13a、13b、14a、14b的第二电极层E2的端缘A1、A2、A3、A4与磁性体部5之间。在本实施方式中，第二电极层E2的端缘A1、A2、A3、A4与非晶玻璃层IL接触。非晶玻璃层IL配置在主面1a、1b与第二电极层E2的端缘A1、A2、A3、A4之间。非晶玻璃层IL夹在主面1a、1b与第二电极层E2的端缘A1、A2、A3、A4之间。

如上所述，在层叠共模滤波器CF中，电极部11a、12a、13a、14a包括第二电极层E2。因此，即使当外力作用在层叠共模滤波器CF上时，外力也被第二电极层E2缓和。应力难以在素体1中发生。结果，层叠共模滤波器CF抑制了裂缝在素体1中的产生。

在层叠共模滤波器CF中，一部分导电性填料FL与第一电极层E1烧结并连接到第一电极层E1。因此，层叠共模滤波器CF中，与导电性填料FL未烧结到第一电极层E1并且未连接到第一电极层E1的结构相比，第一电极层E1和与第二电极层E2的连接强度较高。结果，层叠共模滤波器CF重难以发生第一电极层E1和第二电极层E2之间的界面剥离。也就是说，层叠共模滤波器CF抑制第一电极层E1和第二电极层E2之间的界面剥离的发生。

在第一电极层E1和多个导电性填料FL由不同金属制成的结构中，可能发生以下问题。当烧结第一电极层E1和导电性填料FL时，在第一电极层E1和导电性填料FL之间形成合金层。合金层增加第一电极层E1和第二电极层E2之间的电阻。

在层叠共模滤波器CF中，第一电极层E1和多个导电性填料FL由相同的金属制成。因此，在第一电极层E1和导电性填料FL之间难以形成合金层。结果，层叠共模滤波器CF抑制第一电极层E1和第二电极层E2之间的电阻增加。在层叠共模滤波器CF中，第一电极层E1和多个导电性填料FL由Ag构成。

如上所述，第二电极层E2缓和了从电子设备作用于层叠共模滤波器CF上的外力在素体1上的作用。因此，第二电极层E2抑制裂缝在素体1中产生。然而，当一部分导电性填料FL连接到第一电极层E1时，有外力作用在第一电极层E1上的倾向。作用在第一电极层E1上的外力作为应力作用在素体1上。作用在素体1上的应力有集中在第一电极层E1的端缘的倾向。当第一电极层E1配置在安装面(主面1a或主面1b)上时，可能第一电极层E1的端缘成为起点，在素体1中产生裂缝。

在层叠共模滤波器CF中，第一电极层E1没有配置在主面1a、1b上。第一电极层E1的端缘不位于主面1a、1b上。因此，裂缝的起点难以存在于主面1a、1b上。结果，层叠共模滤波器CF可靠地抑制裂缝产生于素体1中。

在层叠共模滤波器CF中，第二电极层E2配置在主面1a、1b上。在层叠共模滤波器CF中，从电子设备作用在层叠共模滤波器CF上的外力难以作用在安装面(主面1a或主面1b)上。因此，层叠共模滤波器CF更可靠地抑制裂缝产生于素体1中。

层叠共模滤波器CF包括线圈导体21、22、23、24。电极部11c、12c、13c、14c包含第一电极层E1。电极部11c、12c、13c、14c中包括的第二电极层E2以第一电极层E1和非晶玻璃层IL介于第二电极层E2和素体1之间的方式配置在素体1上。各线圈导体21、22、23、24通过第一电极层E1与第二电极层E2电连接。因此，在层叠共模滤波器CF中，与各线圈导体21、22、23、24和第二电极层E2直接连接的层叠共模滤波器相比，线圈导体21、22、23、24与对应的端子电极11、12、13、14的连接强度更高。各线圈导体21、22、23、24和对应的端子电极11、12、13、14可靠地电连接。

层叠共模滤波器CF具备非晶玻璃层IL。非晶玻璃层IL配置在第二电极层E2的端缘A1、A2、A3、A4与素体1的表面之间，并且与第二电极层E2的端缘A1、A2、A3、A4接触。与第二电极层E2的端缘A1、A2、A3、A4直接配置在素体1上的构成相比，层叠共模滤波器CF抑制第二电极层E2的剥离。

在层叠共模滤波器CF中，非晶玻璃层IL形成在磁性体部5的表面(主面1a、1b)上。非晶玻璃层IL在端子电极11、12、13、14中配置在第二电极层E2的端缘A1、A2、A3、A4与磁性体部5的表面之间。尽管与磁性体部5的表面相比，非晶玻璃层IL的表面是光滑的，但与第二电极层E2直接配置在磁性体部5上的层叠共模滤波器相比，层叠共模滤波器CF抑制了第二电极层E2的剥离。

在层叠共模滤波器CF中，外部电极包括多个端子电极11、12、13、14。各端子电极11、12、13、14包括第二电极层E2。在多个端子电极配置在素体1上的构成中，与端子电极数为1个的构成相比较，各端子电极的第二电极层E2和素体1之间的接触面积小。当第二电极层E2和素体1之间的接触面积小时，第二电极层E2有可能会从素体1上剥离。

在层叠共模滤波器CF中，非晶玻璃层IL配置在第二电极层E2的端缘A1、A2、A3、A4与磁性体部5的表面之间。因此，第二电极层E2难以从素体1(非晶玻璃层IL)剥离。

接下来，参照图7和图8，说明层叠共模滤波器CF的安装结构。图7和图8是示出本实施方式涉及的层叠共模滤波器的安装结构的图。

如图7和图8所示，电子部件装置具备层叠共模滤波器CF和电子设备ED。层叠共模滤波器CF焊接安装在电子设备ED上。电子设备ED例如是电路基板或电子部件。通过将熔化了的焊料固化，在端子电极11、端子电极12、端子电极13以及端子电极14上形成焊锡圆角SF。

如上所述，图7和图8中所示的电子部件装置难以引起第一电极层E1和第二电极层E2之间的界面剥离。因此，电子部件装置抑制第一电极层E1和第二电极层E2之间的界面剥离的发生。

例如，当层叠共模滤波器CF以主面1a与电子设备ED相对的状态焊接安装在电子设备ED上的情况下，从电子设备ED作用于层叠共模滤波器CF上的外力有作为应力作用于电极部11a、12a、13a、14a的倾向。当外力作用在电极部11a、12a、13a、14a上的情况下，包含在电极部11a、12a、13a、14a中的第二电极层E2有可能会从素体1剥离(非晶玻璃层IL)。

在层叠共模滤波器CF中，非晶玻璃层IL配置在第二电极层E2的端缘A1、A2、A3、A4与主面1a之间。因此，即使当层叠共模滤波器CF安装在电子设备ED上的情况下，第二电极层E2也难以从素体1(非晶玻璃层IL)上剥离。

接下来，参照图9说明本实施方式的变形例涉及的层叠共模滤波器CF的结构。图9是示出本变形例涉及的层叠共模滤波器的截面构成的图。包括端子电极13和端子电极14的截面构成与图9中所示的包括端子电极11和端子电极12的截面构成相同。因此，省略了包括端子电极13和端子电极14的截面构成的图示。

本变形例涉及的层叠共模滤波器CF与上述实施方式涉及的层叠共模滤波器CF大致相似或相同，但在本变形例中，端子电极11、12、13、14的镀层的构成与上述实施方式不同。在下文中，将主要说明上述实施方式与本变形例之间的差异。

在图9所示的层叠共模滤波器CF中，第五电极层E5配置在第二电极层E2和第三电极层E3之间。第五电极层E5通过电镀法形成在第二电极层E2上。第五电极层E5是镀层。第五电极层E5例如是通过Cu电镀法形成的Cu电镀层。第三电极层E3通过电镀法形成在第五电极层E5上。第五电极层E5与第二电极层E2接触。暴露在第二电极层E2的表面的导电性填料FL与第五电极层E5接触。第五电极层E5与第三电极层E3接触。

在本变形例中，形成在第二电极层E2上的镀层具有三层结构。在各电极部11a～11c、12a～12c、13a～13c和14a～14c中，整个第二电极层E2被按第五电极层E5、第三电极层E3以及第四电极层E4的顺序层叠而成的镀层包覆。第五电极层E5一体地形成在各电极部11a～11c、12a～12c、13a～13c以及14a～14c中。第五电极层E5的端缘包括在电极部11a、11b、12a、12b、13a、13b、14a、14b中。

以上，说明了本发明的实施方式和变形例，但本发明不一定限定于上述实施方式和变形例，可以在不脱离其主旨的范围内进行各种变更。

第一电极层E1和多个导电性填料FL可以由不同的金属制成。当第一电极层E1和多个导电性填料FL由相同的金属制成时，如上所述，层叠共模滤波器CF抑制第一电极层E1和第二电极层E2之间的电阻的增加。

层叠共模滤波器CF可以不具有非晶玻璃层IL。在这种情况下，端子电极11、12、13、14直接配置在素体1上。当层叠共模滤波器CF具备非晶玻璃层IL的情况下，如上所述，层叠共模滤波器CF抑制第二电极层E2的剥离。

端子电极11、12、13、14可以不必具有电极部11b、12b、13b、14b。端子电极11和端子电极13可以仅配置在两个表面(主面1a和侧面1c)上，并且端子电极12和端子电极14可以仅配置在两个表面(主面1a和侧面1d)上。

配置在第二电极层E2上的镀层可以不必具有双层结构或三层结构。配置在第二电极层E2上的镀层可以是单层，或者可以具有四层以上的层叠结构。

分别配置在素体1的第二方向D2的端部的端子电极的数量不限于“2个”。分别配置在素体1的第二方向D2的端部的端子电极的数量可以是“3个”以上。

在层叠共模滤波器CF中，多个线圈导体构成一个线圈，但也可以是一个线圈导体构成一个线圈。在一个线圈导体构成一个线圈的情况下，一个线圈导体的两端连接到对应的端子电极。在层叠共模滤波器CF中，在素体内包括两个线圈，但线圈的数量可以是“3个”以上。

尽管在上述实施方式和变形例中，电子部件是层叠共模滤波器CF，但是本发明可以应用的电子部件不限于层叠共模滤波器。本发明可以应用的电子部件例如为：层叠电容器、层叠电感器、层叠变阻器、层叠压电致动器、层叠热敏电阻、或层叠复合部件等层叠电子部件，或除层叠电子部件之外的电子部件。

Claims (7)

1.一种电子部件，其特征在于，

具备素体和配置在所述素体上的外部电极，

所述外部电极具有：

基底金属层，其配置于所述素体上；

导电性树脂层，其配置于所述基底金属层上并包含多个导电性填料；以及

镀层，其配置在所述导电性树脂层上，

所述多个导电性填料中的一部分与所述基底金属层烧结并连接到所述基底金属层，

所述多个导电性填料的另一部分露出于所述导电性树脂层的表面并与所述镀层接触，

还具有形成在所述素体的表面上的非晶玻璃层，

所述非晶玻璃层配置在所述导电性树脂层的端缘和所述素体的所述表面之间，并与所述导电性树脂层的所述端缘接触。

2.根据权利要求1所述的电子部件，其中，

所述基底金属层和所述多个导电性填料由相同的金属构成。

3.根据权利要求2所述的电子部件，其中，

所述基底金属层和所述多个导电性填料由Ag构成。

4.根据权利要求1所述的电子部件，其中，

所述素体具有构成安装面的主面，

所述基底金属层没有配置在所述主面上。

5.根据权利要求2所述的电子部件，其中，

所述素体具有构成安装面的主面，

所述基底金属层没有配置在所述主面上。

6.根据权利要求3所述的电子部件，其中，

所述素体具有构成安装面的主面，

所述基底金属层没有配置在所述主面上。

7.根据权利要求4～6中任一项所述的电子部件，其中，

所述导电性树脂层配置在所述主面上。

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