CN102089121B - 芯片的研磨方法及双面研磨装置 - Google Patents

芯片的研磨方法及双面研磨装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102089121B
CN102089121B CN200980127186.4A CN200980127186A CN102089121B CN 102089121 B CN102089121 B CN 102089121B CN 200980127186 A CN200980127186 A CN 200980127186A CN 102089121 B CN102089121 B CN 102089121B
Authority
CN
China
Prior art keywords
chip
grinding
thickness
mentioned
abrasive cloth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN200980127186.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102089121A (zh
Inventor
古川大辅
浅井一将
木田隆広
田中忠雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2008197741A external-priority patent/JP5028354B2/ja
Priority claimed from JP2008197478A external-priority patent/JP4654275B2/ja
Priority claimed from JP2008197508A external-priority patent/JP4955624B2/ja
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Publication of CN102089121A publication Critical patent/CN102089121A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102089121B publication Critical patent/CN102089121B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
    • B24B49/04—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent involving measurement of the workpiece at the place of grinding during grinding operation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D7/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
    • B24D7/12—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor with apertures for inspecting the surface to be abraded
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02024—Mirror polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

本发明的芯片的研磨方法，至少，通过旋转驱动的下磨盘、旋转驱动的上磨盘及载具，来夹持上述芯片，并作按压滑动，由此同时地研磨双面，该下磨盘具有平坦的研磨顶面，该上磨盘被配置成面对上述下磨盘且具有平坦的研磨底面，该载具具有用以保持芯片的芯片保持孔，该芯片的研磨方法的特征在于，一边从设在上述上磨盘或上述下磨盘的旋转中心与周边之间的多个孔，测定上述芯片的厚度，一边进行研磨，并在上述芯片的研磨途中，更换成研磨速度相异的研磨浆液。由此，提供一种芯片的研磨方法，能以高生产性、成品率佳地制造出高平坦性且高平滑性的芯片。

Description

芯片的研磨方法及双面研磨装置
技术领域
本发明涉及一种芯片的研磨方法及双面研磨装置，详细来说涉及一种芯片的研磨方法及双面研磨装置，能有效率地制造出具有高平坦性的半导体用芯片。
背景技术
作为现有的芯片的制造方法，若以硅芯片的制造方法为例来做说明，首先，通过切克劳斯基法(Czochralskimethod(CZ法))等，培育单晶硅晶棒，将所得到的单晶硅晶棒切片而制作出硅芯片之后，对此硅芯片依序进行倒角加工、磨光、蚀刻等的工序，接着，施行至少将芯片的一侧主面镜面化的研磨工序。
在此芯片的研磨工序中，例如研磨硅芯片的双面时，有采用双面研磨装置的情况。
作为此种双面研磨装置，通常采用一种具有行星齿轮构造的所谓的4方向方式的双面研磨装置，该行星齿轮构造，在中心部的太阳齿轮与外周部的内齿轮之间，配置有用以保持芯片的载具(carrier)。
此4方向方式的双面研磨装置，将硅芯片插入并保持在形成有芯片保持孔的多个载具中，并一边从被保持着的硅芯片的上方供给研磨浆液，一边使在面对芯片的面上贴有研磨布而成的上磨盘与下磨盘压紧各芯片的表背面，并使上下磨盘作相对旋转，与此同时，通过太阳齿轮与内齿轮来使载具作自转及公转，由此，能同时研磨芯片的双面。
但是，即便是使用上述那样的双面研磨装置来进行研磨，也会有：即便能获得平坦的芯片，其生产性低；或是，相反地，即便生产性高，芯片的平坦性变差这样的问题。
这是因为芯片的研磨速度与平坦性具有取舍(tradeoff)关系的缘故。而且，为了要对付此种问题，在精加工阶段，需要尽可能地降低研磨速度，非常平稳地加工。
因此，采用一种在相同的磨盘上，通过更换粒径、pH相异的研磨剂(例如参照专利文献1)来进行研磨的方法；或是通过在加工快完成时减轻负载、降低转速等方式来进行研磨(例如参照专利文献2)的方法，而可研磨成平坦且光滑的芯片。
另外，即便是使用上述那样的双面研磨装置来进行研磨，芯片的研磨速度，由于研磨布、载具等的加工夹具、材料的劣化，每次研磨都不相同。所以，若固定研磨时间来进行研磨，则由于研磨速度的不同，会有研磨后的芯片的厚度相异这样的问题。
因此，公开一种一边测定研磨中的芯片的厚度一边进行研磨的双面研磨装置。
例如，如专利文献3、专利文献4所记载的发明，其是使用光反射干涉法，一边测定研磨中的半导体芯片的厚度一边进行研磨的技术，若根据此技术，能将研磨面作成高平坦性。
另外，若例如根据专利文献3的发明，使用一种透过芯片的波长的光线，能一边从半导体芯片的表面朝向背面，沿着厚度方向，使测定光束移动来形成焦点，一边测定厚度。
但是，在该专利文献3中所记载的技术中，由于沿着厚度来形成焦点，容易受到研磨中的芯片振动的影响，实际的芯片厚度与测定值的偏差变大。进而，由于从测定物算起的距离所造成的光衰减效果，容易影响到测定，所以需要使形成焦点的点，靠近输出/输入点。因此，由于光路内的研磨浆液所造成的雾(mist)等，而有被污损的问题。
另外，为了要提高测定精度，在研磨中，测定光，不得不增加接收从研磨面的指定区域来的测定光的频率。但是，如专利文献3这样的共焦点方式，其响应性差，而有接收频率小的缺点。
[现有技术文献]
[专利文献]
专利文献1：日本特开2006-324417号公报；
专利文献2：日本特开平9-38849号公报；
专利文献3：日本特开2002-59364号公报；
专利文献4：日本特开平7-4921号公报；
专利文献5：日本特许3327817号。
发明内容
上述专利文献1、2中所记载的方法在一次的研磨循环(单片式是1片、批次方式是多片)中，进行研磨条件(研磨剂的种类、研磨负载、相对于贴有研磨布而成的磨盘的研磨面的速度)的更换。
但是，此种方法，并没有估计到研磨布、载具等的加工夹具、材料的劣化来变更研磨条件。因此，时常发生芯片形状的外周塌边等的不良情况。这是因为：由于进行研磨，上述材料产生劣化，即便是以相同装置、相同条件来进行研磨，研磨条件(研磨速度等)也会发生变动的缘故。
进而，研磨条件的变更时机，由于是不管研磨布、载具等的加工夹具、材料的劣化，而一直都是固定的，所以会发生随着研磨布的劣化，研磨时间变长、生产性恶化这样的问题，或是研磨量过多或不足等的问题。
另外，若抽样测量研磨前后或研磨中的厚度来实行调整，则容易抑制发生研磨量的过多或不足的问题，但是在研磨途中要中断研磨，生产性显著地恶化，并不现实。
另外，进行芯片的研磨时，由于研磨布等的劣化，研磨速度相异。于是，如图5所示，在研磨速度快的情况与慢的情况下，至目标厚度α为止的研磨时间，有很大的不同。因此，若将研磨完成时的目标厚度α设为恒定，则研磨工序所需的时间并不稳定，而成为问题。另外，在将研磨时间设为恒定(固定)时，在研磨速度快的情况下，成为抛光过度，发生许多伤痕等的不良状况，造成成品率大幅地恶化；相反地，在研磨速度慢的情况下，则研磨不足而成为平坦度差的芯片，成品率也同样大幅地恶化。
而且，在图6中，显示出一种通过测定研磨中的芯片的厚度，能使芯片的研磨完成厚度固定成等于目标厚度α的情况。
如此，通过测定芯片的厚度，能使加工完成的厚度等于目标厚度，但是在研磨速度快的情况与慢的情况，两者的研磨时间有很大的差异。因此，研磨工序所需的时间并没有固定，于是芯片质量也变成不稳定，而成为一个瓶颈(难关)。
而且，在专利文献3、4所记载的双面研磨装置中，通过光反射干涉法，以实时的方式，一边测定研磨中的芯片的厚度一边进行研磨。在此双面研磨装置中，光透过研磨盘中的光路用孔以及研磨布的开孔(此开孔与上述光路用孔重叠)，并将一种不会对研磨物造成伤痕等的损伤且不易由于研磨剂等的浆液而受到侵害的材质，作为窗材来加以安装，而与研磨布成为一体化，并将此一体化的研磨布贴在研磨盘上来使用。
通过此种研磨装置，芯片的研磨中的厚度，可通过此窗材，并通过反射干涉法来测定，并在到达目标厚度的时刻，自动地使研磨停止。
例如，在专利文献4所记载的发明中，在芯片的非研磨面侧设置窗，测定光则使用一种可透过芯片的波长的光。另外，在专利文献5所记载的发明中，在与附膜芯片的研磨面侧连接的下磨盘的顶侧面，使用一种将窗材或栓塞(plug)设成与研磨布成为一体化后的研磨布，并将该窗材或栓塞作为芯片厚度的测定窗来使用。
但是，在上述专利文献3～5所记载的发明中，由于将研磨布与窗材作成一体化，只要废弃窗材，便不得不交换研磨布。另外，相较于研磨布的消耗，窗材的消耗快，在研磨布的使用寿命结束前，窗材的使用寿命便会到来，而必须同时废弃两者，产生不必要的浪费。
进而，由专利文献5所记载的发明可知，窗材位于被研磨物的研磨面侧也就是磨盘的上侧，由于光路系统是位于垂直下方，为了提高窗材的气密性，需要使用一种牢固的封闭塞。因此，不容易作交换，维修费时、效率低。
本发明是鉴于上述问题点而开发出来的，其目的在于提供一种芯片的研磨方法，能以高生产性、成品率佳地制造出高平坦性且高平滑性的芯片。
另外，本发明的目的在于提供一种双面研磨装置，针对能一边测定芯片的厚度一边进行研磨的双面研磨装置，不会受到以研磨中的芯片振动为代表所造成的测定误差的影响，而能以高精度，一边测定芯片的厚度一边进行研磨。
为了解决上述问题，本发明提供一种芯片的研磨方法，至少，通过旋转驱动的下磨盘、旋转驱动的上磨盘及载具，来夹持上述芯片，并作按压滑动，由此，同时地研磨双面，该下磨盘具有平坦的研磨顶面，该上磨盘被配置成面对上述下磨盘且具有平坦的研磨底面，该载具具有用以保持芯片的芯片保持孔，该芯片的研磨方法的特征在于，一边从设在上述上磨盘或上述下磨盘的旋转中心与周边之间的多个孔，测定上述芯片的厚度，一边进行研磨，并在上述芯片的研磨途中，更换成研磨速度相异的研磨浆液。
如此，在同时研磨双面的时候，利用一边测定芯片的厚度，一边进行研磨，能实时地评价芯片的厚度。因此，不用中断研磨，便能得知要更换研磨速度相异的浆液的时期和研磨状态的终点(完成点)等，而能缩短研磨处理所需的时间。
另外，例如最初利用研磨速度快的研磨浆液来进行芯片的研磨，而在研磨途中，更换成研磨速度较慢的研磨浆液，由此，能先以高速的条件进行粗研磨，之后进行低速但精度高的研磨。因此，能缩短芯片的研磨所需的时间、生产性高，且不会损及芯片的平坦性和平滑性。
通过这些构成，能以高生产性、成品率佳地研磨芯片，并能制造出高平坦性且高平滑性的芯片。
另外，较佳是将上述多个孔设在上述上磨盘上。
通过从设在上磨盘上的多个孔来测定研磨中的芯片的厚度，不会从孔发生研磨浆液的泄漏，研磨浆液也不会进入孔中，所以不需要施行防止泄漏的对策。由此，磨盘的维修变容易，另外，当测定芯片的厚度时，能抑制发生障碍的可能性。
另外，较佳是以批次方式来研磨上述芯片。
本发明的芯片的研磨方法是一种能以高生产性来制造出平坦的芯片的方法，因此，通过以批次方式来进行研磨，能进一步提高生产性。另外，在本发明中，因为一边从多个孔来测定芯片的厚度，一边进行研磨，所以即便是如批次方式般地同时研磨多片芯片的情况，也能测定全部的芯片的厚度，并能精度佳地测定。
另外，上述芯片的厚度的测定方法较佳是利用由波长可变型红外线激光而实行的光反射干涉法。
如此，使用波长可变型红外线激光，通过评价在芯片表面的反射频谱(在芯片表面与背面反射的光的干涉状态)，便能以高精度的方式来测定研磨中的芯片的厚度。
另外，上述研磨浆液的更换时机较佳是根据从开始研磨算起的经过时间、研磨速度、研磨量或研磨布使用寿命中的至少一种来决定。
如此，研磨浆液的更换通过根据研磨布的使用寿命、从开始研磨算起的经过时间、研磨速度、研磨量等来决定，对于因为研磨布、载具等的加工夹具、材料的劣化等而造成的研磨条件的变化，能随机应变地加以对应。因而，能更容易地达成目标的芯片形状，尤其是能容易地达成外周塌边的改善、平坦度的稳定化、想要除去的研磨量等。
另外，较佳是使用上述芯片的厚度的测定数据，而在上述芯片的研磨途中，变更研磨负载、上述上磨盘的旋转速度、上述下磨盘的旋转速度之中的至少一种以上。
如此，在芯片的研磨途中，不仅是更换研磨速度相异的浆液，而且至少变更研磨负载、上磨盘的旋转速度、下磨盘的旋转速度之中的一种以上，由此在芯片的研磨中，通过研磨所采用的机构的劣化等而造成的研磨条件的变化，能更精细地加以适当地对应。因而，能获得一种研磨完成后的表面的平坦度非常高的芯片。
另外，在本发明中，提供一种双面研磨装置，至少具备：旋转驱动的下磨盘，其具有平坦的研磨顶面；旋转驱动的上磨盘，其被配置成面对上述下磨盘且具有平坦的研磨底面；以及载具，其具有用以保持芯片的芯片保持孔；该双面研磨装置的特征在于，具有：多个孔，其被设在上述上磨盘或上述下磨盘的旋转中心与周边之间；芯片厚度测定机构，在研磨中，以实时的方式，从该多个孔，测定上述芯片的厚度；该芯片厚度测定机构，是被固定于该研磨装置的固定端上，该固定端不是上述上磨盘或下磨盘。
如此，针对一种能同时研磨芯片的双面的双面研磨装置，通过在上磨盘或下磨盘上设置用以测定芯片的厚度的孔，能增加厚度的测定频率，而能提高测定精度。特别是对于同时研磨多片的批次方式的研磨机，由于能从多个孔同时地测定芯片的厚度，所以特别有助于提高测定精度。
另外，通过将芯片厚度测定机构固定在固定端，而不是容易受到研磨中的振动的影响的上磨盘或下磨盘，能在不会受到振动等的影响的情况下来测定芯片的厚度，并能提高厚度的测定精度。
根据这些效果，由于能以实时的方式，精度佳地得知研磨中的芯片的厚度，而能构成一种双面研磨装置，可容易地将研磨后的芯片的厚度作出目标的厚度。
另外，在上述上下磨盘的研磨面，设有研磨布与窗材；该研磨布，在对应上述多个孔的位置，有比这些孔的直径大的开孔；该窗材的直径比上述磨盘的孔大而比研磨布的孔小，且该窗材的厚度比研磨布的厚度薄；而且，上述窗材与研磨布分离，并经由粘接层而被固定在上述上磨盘或上述下磨盘上。
如此，能作成：在设有多个用以测定芯片的厚度的孔的上磨盘或下磨盘的研磨面，并贴有研磨布与窗材；该研磨布在对应上述多个孔的位置，有比这些孔的直径大的开孔；该窗材的直径比上述磨盘的孔大而比研磨布的孔小，且该窗材的厚度比研磨布的厚度薄。
若是如此的构造，窗材能与研磨布分离而分别地连接。因此，当窗材破损时，只要交换已破损的窗材而不需要废弃尚未到达使用寿命的研磨布。另外，由于能仅交换消耗快的窗材，所以能降低废弃物处理所需的费用，并能达成降低运营成本。
另外，由于窗材与研磨布独立，所以容易维修。进而可仅交换窗材，所以不会因为窗材的使用寿命而影响到研磨中的芯片的厚度测定，能照原样地使用研磨布而仅交换窗材。因此，能构成一种双面研磨装置，可减少浪费，并能一边以高精度测定厚度一边进行研磨。在本发明中，由于具有多个孔，所以需要多个窗材，因而能正确地进行厚度测定，如上所述，通过窗材与研磨布分离，所以分别设定使用寿命的必要性高。
另外，上述芯片厚度测定机构，较佳是具备波长可变型红外线激光装置，该装置发出光学地透过芯片的波长的激光。
如此，作为芯片厚度测定机构，通过具备波长可变型红外线激光装置，该装置发出光学地透过芯片的波长的激光，便能解析在芯片表面的反射频谱(在芯片表面与背面反射的光的干涉状态)，由此，便能以高精度的方式来测定研磨中的芯片的厚度。
另外，上述激光的波长较佳是设为1575～1775nm。
如此，作为测定用的激光，若使用一种波长为1575～1775nm的通讯用等的高速的红外线激光，则能提高时间分解能力，而能更高精度地评价研磨中的芯片的厚度。
另外，上述窗材较佳是使由上述波长可变型红外线激光装置发射出来的激光透过。
如此，若是可使激光透过的窗材，能抑制由于在窗材中的激光的吸收和反射等所造成的测定用激光强度的衰减。由此，能更高精度地测定芯片的厚度。
另外，上述芯片厚度测定机构较佳是测定上述芯片的整体厚度。
如此，通过测定芯片的整体厚度，能判定研磨中的芯片的实际厚度，由此，能使研磨后的芯片的厚度更接近目标值。
另外，上述多个孔，较佳是以等间隔的方式，被设在上述上磨盘的周边。
如此，通过等间隔地设置孔，由于能容易地进行芯片厚度的测定，而可高精度地研磨。而且，利用设置在周边，不会对研磨造成不良影响，例如对于4方向方式的双面研磨装置，能在研磨中测定全部被保持中的芯片的厚度。另外，通过设在上磨盘上，能抑制研磨浆液从孔发生泄漏，所以能使磨盘的维修变容易。另外，当测定芯片的厚度时，能抑制发生障碍的可能性。
另外，固定上述芯片厚度测定机构的固定端较佳是设为该双面研磨装置的外壳。
如此，通过将芯片厚度测定机构，固定在该双面研磨装置的外壳上，由此，能保护芯片厚度测定机构，使其避免受到振动、污染的影响，同时能从上述多个孔，高精度地检测芯片的厚度，所以能更高精度地测定研磨中的芯片的厚度。
另外，上述窗材较佳是塑料制的。
如此，通过采用便宜且稳定性优异的塑料来作为窗材，能降低窗材的交换频率，且能减少交换所需的时间和成本。
另外，本发明的双面研磨装置，其中，较佳是：若将上述窗材的厚度设为tw[μm]、将其折射率设为nw；将粘接层的厚度设为t2[μm]；将芯片的厚度设为ts[μm]、将其折射率设为ns；将研磨布的厚度设为t1[μm]、将其压缩率设为ζ1[％/g/cm2]，并将研磨最大负载设为P[g/cm2]，则满足以下的关系式：
t1×ζ1×P/100＞tw+t2，且twnw＞tsns或twnw＜tsns。
如此，若满足t1×ζ1×P/100＞tw+t2，且twnw＞tsns或twnw＜tsns的关系式，则在研磨中，能抑制窗材从研磨布露出，而能抑制芯片在窗材部分发生平坦度的恶化。
另外，若是满足twnw＞tsns或twnw＜tsns的关系，例如，使用激光来测定芯片的厚度时，在窗材反射的反射光与在芯片反射的反射光的波峰重叠而使检测强度降低的情况，能加以抑制，所以，能抑制测定精度降低。
由此，能更容易地一边高精度测定芯片的厚度，一边作出平坦度高的芯片。
如以上所述，若根据本发明的芯片的研磨方法，由于伴随着研磨布、载具等的加工夹具、材料的劣化而发生的在研磨中的研磨条件的微小变化，此变化所导致的芯片形状的恶化例如外周塌边等，能加以改善，并能获得每一片芯片的平坦度的稳定性。
另外，由于一边测定芯片的厚度一边进行研磨，所以能对应研磨布、载具等的加工夹具、材料等的劣化，来变更研磨剂的更换时机，并能以较短的时间来获得所要达成的研磨量(除去量)。因此，能提高生产性、厚度偏差非常小且能大幅地提高成品率。
另外，若根据本发明，能提供一种双面研磨装置，针对能一边测定芯片的厚度一边进行研磨的双面研磨装置，不会受到以研磨中的芯片振动为代表所造成的测定误差的影响，而能以高精度，一边测定芯片的厚度一边进行研磨；而且，特别是浪费少、运营成本低，且能使维修变容易，并能一边以高精度的方式来测定芯片的厚度，一边进行研磨。
附图说明
图1是表示在目标厚度进行更换时，本发明的芯片的研磨方法中的从开始研磨芯片算起的经过时间与芯片厚度的关系的一例的图。
图2是表示本发明的芯片的研磨方法中的从开始研磨芯片算起的经过时间与芯片厚度的关系的另一例的图。
图3是表示将利用本发明的实施例1与比较例2的芯片的研磨方法研磨后的芯片的平坦度进行比较的图。
图4是表示以等高线来表示本发明的实施例1与比较例2的芯片的表面形状的图。
图5是表示现有的芯片的研磨方法中的从开始研磨算起的经过时间与芯片的厚度的关系的一例的图。
图6是表示现有的芯片的研磨方法中的从开始研磨算起的经过时间与芯片的厚度的关系的另一例的图。
图7是表示本发明的双面研磨装置的一例的概略图。
图8是表示利用实施例2与比较例3的双面研磨装置研磨而成的各300片芯片的研磨后的芯片厚度的相对频率与累积相对频率的图表。
图9是表示利用实施例2与比较例3的双面研磨装置研磨而成的芯片的研磨后的厚度偏差的图表。
图10是表示本发明的双面研磨装置的其它例的概略图。
图11是表示本发明的窗材的概略结构(a)与将该窗材贴在上磨盘上的状态(b)的图。
图12是从研磨面侧来观察本发明的其它例的双面研磨装置的上磨盘与载具而得到的图。
具体实施方式
以下，参照附图来详细地说明本发明，但本发明并未被限定于此实施方式。图7是表示本发明的双面研磨装置的一例的概略图。
如图7所示，本发明的双面研磨装置10，为了夹持芯片W，具备：旋转驱动的下磨盘12，具有平坦的研磨顶面12a；旋转驱动的上磨盘11，被配置成面对下磨盘12，具有平坦的研磨底面11a；载具13，具有用来保持芯片W的芯片保持孔；以及芯片厚度测定机构16，用以测定研磨中的芯片W的厚度。
而且，在上磨盘11侧，设有：用以测定研磨中的芯片厚度的多个孔14、以及研磨浆液供给机构15。
另外，芯片厚度测定机构16，例如能设为至少具备：对芯片W照射激光的光学单元16a、用来检测出从芯片W反射过来的激光的光检测器16b、激光光源单元16c、以及根据检测出来的激光来计算芯片厚度的计算和控制单元16d。
如此，通过将芯片厚度测定机构16，固定在容易受到研磨中的振动的影响的上磨盘或下磨盘以外的处所(固定端)，能防止在测定的原始数据中混入噪声等的不需要的数据。因此，相较于现有技术，能大幅地提高测定资料的精度，
也就是说，变成能检测出芯片的正确厚度。
另外，通过在上磨盘或下磨盘上设置多个用以测定芯片厚度的孔，能增加厚度测定的频率。特别适合应用于以批次方式同时研磨多片芯片的情况，由此，能提高测定精度。
根据这些效果，相较于现有技术，能精度佳地得知研磨中的芯片的厚度，所以能作成一种双面研磨装置，能容易地使研磨后的芯片厚度接近目标厚度。
此处，固定芯片厚度测定机构16的固定端，能设为双面研磨装置的外壳18。
如此，若将芯片厚度测定机构固定在双面研磨装置的外壳上，能保护芯片厚度测定机构，使其避免受到振动、污染的影响。若根据此结构，能抑制噪声混入研磨中的厚度的测定数据中，并能抑制资料劣化等。因此，能更高精度地测定研磨中的芯片的厚度。当然，也可以设在建筑物的天花板等的固定端，但是在维修和装置的振动等方面，是不利的。
另外，芯片厚度测定机构16，能测定芯片的整体(bulk)厚度。
若将利用芯片厚度测定机构来测定的芯片厚度，设为整体厚度，则成为测定研磨中的芯片的实际厚度，所以，能使研磨后的芯片的厚度更接近目标厚度。当然，也可设为SOI芯片的SOI层的厚度等。
进而，芯片厚度测定机构16，具备一种波长可变型红外线激光装置，能发出可光学地透过芯片的波长的激光。
如此，作为芯片厚度测定机构，若采用一种波长可变型红外线激光装置，其可发出光学地透过芯片的波长的激光，则能解析出：入射至芯片中的激光之中，在芯片表面反射的表面反射光以及在芯片背面反射的背面反射光干涉的状态。若根据此构成，能以数nm～数十μm等级的精度，来评价研磨中的芯片的厚度。
另外，通过设为波长可变型红外线激光装置，即便要进行研磨的芯片的厚度大幅地变化，只要变更入射的激光的波长，便能对应，不需要变更光源本身。所以，能谋求降低成本。
而且，能将激光的波长设为1575～1775nm。
如此，若是波长为1575～1775nm的激光，则能抑制测定用激光被芯片、研磨浆液等吸收一部份而使反射激光的强度降低的情况，而能高精度地测定芯片的厚度。
而且，多个孔14能设成以等间隔的方式，被设在上磨盘11的周边。
如此，若在上磨盘以等间隔的方式设置多个孔，则能抑制发生研磨浆液从测定用的多个孔分别泄漏的情况。所以，能容易地进行磨盘的维修。另外，能抑制芯片的厚度的测定发生障碍的可能性。另外，例如对于4方向方式的双面研磨装置而言，适合用于测定所有的芯片的厚度。
另外，在研磨中，当想要变更上磨盘11的旋转速度、下磨盘12的旋转速度中的至少一种以上时，通过在双面研磨装置10中配备图标的研磨机控制单元17，能控制上磨盘11和下磨盘12等。由此，能变更研磨负载、上磨盘11的旋转速度、下磨盘12的旋转速度中的至少一种以上。
若根据此结构，在研磨芯片中，根据测定出来的芯片厚度而判断出来的由于研磨布、载具等的加工夹具、材料的劣化等而造成的研磨条件的变化，能加以适当地对应。因而，能稳定地获得一种研磨完成后的表面平坦度非常高的芯片。
另外，关于本发明的双面研磨装置的其它较佳形态，一边参照图10、图11及图12，一边详细地说明。图10是表示本发明的双面研磨装置的其它例的概略图。图11是表示本发明的窗材的概略结构以及将该窗材贴在上磨盘上的状态的图。
双面研磨装置10’至少具备：旋转驱动的下磨盘12，具有平坦的研磨顶面12a；旋转驱动的上磨盘11，被配置成面对下磨盘12，具有平坦的研磨底面11a；载具13，具有用来保持芯片W的芯片保持孔；多个孔14，被设在上磨盘11上；芯片厚度测定机构16，用以从该多个孔14，以实时的方式来测定研磨中的芯片W的厚度；以及研磨浆液供给机构15，用以供给研磨浆液。
而且，在上磨盘11的研磨面，贴有研磨布11b，该研磨布11b在对应多个孔14的位置有比孔14的直径大的开孔；在下磨盘12的研磨面，贴有研磨布12b。另外，窗材19，经由粘接层20，贴在多个孔14的研磨面侧；该窗材19，其直径比多个孔14大而比研磨布11b的孔小，且其厚度比研磨布11b的厚度薄。另外，窗材19，与研磨布11b分离，并经由粘接层20而被固定在上磨盘11上。
另外，芯片厚度测定机构16，与图7相同，例如能设为至少具备：对芯片W照射激光的光学单元16a、用来检测出从芯片W反射过来的激光的光检测器16b、激光光源单元16c、以及根据检测出来的激光来计算芯片厚度的计算和控制单元16d。
此种双面研磨装置，由于将窗材与研磨布作成分离的构造，所以只要交换已破损的窗材而不需要废弃尚未到达使用寿命的研磨布，因而能大幅地减少研磨布的交换频率。所以，能大幅地减少研磨布的浪费。特别是如本发明那样，设置多个芯片厚度测定用的孔及窗，来实行正确的测定，所以此种要求强烈。
另外，由于是仅将窗材贴在磨盘上的构造，所以交换容易，也能容易地进行维修。
进而，利用芯片厚度测定机构来测定研磨中的芯片的厚度，由此，当研磨中的芯片的厚度到达目标值时，便能停止研磨，而能防止由于研磨过度或是研磨不足而造成的芯片表面粗糙，并能得到一种平坦的芯片。
此处，作为粘接层20，较佳使用双面胶带。
若是双面胶带，不但能容易地粘贴窗材，而且便宜。进而，作为芯片厚度测定机构而使用光学系统时，由于双面胶带薄、不均匀度小，所以安装角度的偏差能小至可忽视的程度，因而不需要对光轴进行安装调整，变成更容易交换。
另外，图12是表示从研磨面侧来观察上磨盘11与载具13而得到的图，如该图所示，多个孔14，能设成以等间隔的方式，被设在上磨盘的周边。
如此，利用将多个孔设在上磨盘上，窗材也固定在上磨盘上，所以不需要防止浆液泄漏等的对策；另外，飞散的研磨浆液，在交换窗材时，只要利用水便能容易地清洗，维修也变容易。
进而，芯片厚度测定机构16较佳是：在从双面研磨装置10’的上磨盘11的上方或下磨盘12的下方的垂直方向上，保持人能安全地作业的距离，并固定在双面研磨装置10’本体以外的固定端上。如此，只要不将芯片厚度测定机构设置在上磨盘或下磨盘及其周围，便能不易受到上下磨盘振动的影响，由此，能进行高精度的芯片厚度测定。进而，利用间隔恒定距离，也能减少由于研磨浆液而造成的污染。
此处，与图7相同，芯片厚度测定机构，能测定芯片的整体(bulk)厚度。
若将利用芯片厚度测定机构来测定的芯片厚度，设为整体厚度，则成为测定研磨中的芯片的实际厚度，所以，能使研磨后的芯片的厚度更接近目标厚度。
另外，与图7相同，芯片厚度测定机构，具备一种波长可变型红外线激光装置，能发出可光学地透过芯片的波长的激光。
如此，作为芯片厚度测定机构，若采用一种波长可变型红外线激光装置，其可发出光学地透过芯片的波长的激光，则能解析出入射至芯片中的激光之中，在芯片表面反射的表面反射光以及在芯片背面反射的背面反射光干涉的状态。若根据此构成，能以数nm～数十μm等级的精度，来测定研磨中的芯片的厚度。
另外，通过设为波长可变型红外线激光装置，即便要进行研磨的芯片的厚度大幅地变化，只要变更入射的激光的波长，便能对应，不需要变更光源本身。所以，能谋求降低成本。
进而，窗材能设成使由波长可变型红外线激光装置发射出来的激光(光学地)透过。
如此，利用将窗材设为可使激光透过，能抑制由于在窗材中的激光的吸收和反射等所造成的测定用激光强度的衰减。由此，能更高精度地测定芯片的厚度。
而且，窗材能设为塑料制。此处，此塑料制的窗材，也包含以塑料制作出来的薄片。
如此，若是塑料制的窗材，由于稳定性优异，能降低交换窗材的频率。另外，由于便宜，所以能降低交换窗材所需的成本。
此处，若将窗材的厚度设为tw[μm]、将其折射率设为nw；将粘接层的厚度设为t2[μm]；将芯片的厚度设为ts[μm]、将其折射率设为ns；将研磨布的厚度设为t1[μm]、将其压缩率设为ζ1[％/g/cm2]，并将研磨最大负载设为P[g/cm2]，则能设为满足以下的关系式：
t1×ζ1×P/100＞tw+t2，且twnw＞tsns或twnw＜tsns。
如此，通过满足t1×ζ1×P/100＞tw+t2的关系，在研磨中，能抑制窗材在厚度方向从研磨布露出，所以能作出一种平坦度更优异的芯片。
另外，通过满足twnw＞tsns或twnw＜tsns的关系，例如，在使用激光来测定芯片的厚度时，在窗材反射的反射光与在芯片反射的反射光的波峰重叠而使检测强度降低的情况，能加以抑制。所以，能更高精度地测定芯片的厚度。
而且，关于使用此种双面研磨装置来进行的本发明的芯片的研磨方法，具体而言，并不限定于此种方法。
首先，将想要进行研磨的芯片放置在载具中。
然后，根据上磨盘的研磨底面、下磨盘的研磨顶面以及载具，来夹持芯片，并一边供给研磨浆液一边使上磨盘和下磨盘在水平面内作旋转，开始进行研磨。
此时，一边从设在上磨盘或下磨盘上的多个孔，测定芯片的厚度，一边进行研磨。
由此，不必中断研磨，便能得知研磨中的芯片的厚度，特别是能随时得知研磨中的芯片厚度，所以能一边判定是否达到芯片的目标厚度，一边进行研磨。因此，不必中断研磨，便能判定是否已到达目标厚度，结果，能缩短研磨所花费的时间。
另外，即便没有固定研磨时间，也能将芯片作成目标厚度，所以不会发生研磨过度或是不足，而能抑制平坦度恶化。即，也能对应(解决)研磨布的其它种类的劣化。
另外，在本发明的芯片的研磨方法中，在某一时机，更换成研磨速度相异的研磨浆液。
例如，在研磨初期，根据研磨速度快的研磨浆液，以高速进行粗研磨(高研磨率条件)。然后，例如在芯片的厚度成为目标厚度γ的时刻，进行更换。在此更换中，在研磨途中，更换成研磨速度慢的研磨浆液，以低速进行精度佳的研磨(低研磨率条件)。
若是此种研磨方法，能缩短合计的芯片研磨所花费的时间。另外，在精加工阶段，由于是更换成精度高的研磨浆液来进行研磨，所以不会牺牲研磨后的芯片的平坦性。因此，能以高生产性，得到平坦性和平滑性高的芯片。
此时，在本发明中，因为是从多个孔来测定芯片厚度，所以纵使是以批次方式同时研磨多片芯片的情况，也能测定全部的芯片的厚度，由于能以高精度来测定厚度，所以高精度的研磨是可能的。
此处，能从设在上磨盘上的多个孔来测定芯片的厚度。
通过从设在上磨盘上的多个孔来测定芯片的厚度，由于能将孔设在芯片的上部，所以能抑制研磨浆液的泄漏。由此，变成不需要施行防止浆液泄漏的对策，而能使磨盘的维修简单化，当然，也能从设在下磨盘上的多个孔来测定芯片的厚度。
另外，芯片厚度的测定，能利用由波长可变型红外线激光而实行的光反射干涉法来进行测定。
若是这样根据高速地波长扫描的“波长可变激光”在芯片表面的反射强度，重构(reconstruction)反射的波长分散(反射频谱在芯片表面与背面反射的光的干涉状态)，来进行频率解析的光反射干涉法，则能以高精度的方式来测定芯片的厚度。
在本发明中，研磨浆液的更换时机，能根据从开始研磨算起的经过时间、研磨速度、研磨量或研磨布使用寿命中的至少一种来决定。
芯片的研磨速度等的研磨条件，会根据研磨布、载具等的加工夹具、材料等的劣化状态而变化。
但是，在本发明中，由于一边从多个孔逐次正确地测定芯片厚度，一边进行研磨，所以当要决定研磨浆液的更换时机时，根据采用研磨布的使用寿命、从开始研磨算起的经过时间、研磨速度或研磨量，便能对于芯片的研磨条件的稍微的变化，随机应变地加以对应。若根据此种结构，能使研磨后的芯片形状稳定，并能高精度地平坦化，特别能改善外周塌边。另外，能容易地将芯片厚度作成目标厚度。
另外，在研磨中，能使用芯片的厚度的测定数据，而在芯片的研磨途中，变更研磨负载、上磨盘的旋转速度、下磨盘的旋转速度之中的至少一种以上。
如此，在芯片的研磨途中，更换成研磨速度相异的浆液，并通过至少变更研磨负载、上磨盘的旋转速度、下磨盘的旋转速度之中的至少一种以上，能更精细地将研磨速度在研磨中自由地变更。因此，即便是在芯片的研磨中，能适当地对应研磨条件的变化。因而，能做出一种研磨结束后的表面的平坦度非常高的芯片。
而且，在本发明中，能以批次方式来研磨芯片。
本发明的芯片的研磨方法是一种能以高生产性来制造出平坦的芯片的方法。因此，通过以批次方式来进行研磨，能更加提高生产性。
此处，使用附图更具体地说明根据研磨布的使用寿命来变更研磨浆液的更换时机的情况，但是当然不限定于此种情况。
如上所述，不但能根据从开始研磨算起的经过时间、研磨速度或研磨量，来决定更换时机，当然也能综合多数种因素来改变更换时机。
首先，说明图1。图1是表示在根据目标厚度更换时机的情况，本发明的芯片的研磨方法中的从开始研磨芯片算起的经过时间与芯片厚度的关系的一例。
如此，由于一边随时测定厚度一边进行研磨，所以可以目标厚度确实地执行浆液的更换，也能使最终所得到的芯片厚度的偏差小。
此情况，若第一阶段的高速研磨的速度快，则会在短时间内达到规定的除去量(目标厚度γ)，但是由于以高速进行研磨，所以芯片形状容易恶化。因此，按道理来说，要更长时间地进行第二阶段的低速研磨，来修整形状。另一方面，因为研磨布的劣化等，第一阶段的高速研磨的速度变慢，则至规定厚度为止，需要长时间，但是，按道理来说，芯片形状会变成良好，所以在第二阶段的低速研磨中，可在短时间内，精加工完成芯片形状。但是，如上述那样，若仅以目标厚度或是除去量(研磨量)来进行浆液的更换，则在第一阶段中恶化的形状，并无法在第二阶段的低速研磨中完全地修复、或是变成需要进行必要程度以上的长时间的第一阶段、第二阶段的研磨，而需要更进一步地改善。
对此，例如图2所示，随着研磨布的劣化，能自动地变动利用最初的研磨浆液时的目标厚度γ与精加工的目标厚度α的比例。但是，目标厚度α与图1相同。
此研磨布的劣化是根据由研磨中的厚度测定所得到的厚度数据而求出的研磨速度来决定的。另外，事先累积利用相同种类的研磨布时的研磨速度与合计研磨时间之间的关系，能预先作成平均的研磨速度与合计研磨时间的对应表以及高速研磨浆液、低速研磨浆液的更换条件。
此情况，首先，开始研磨芯片，通过测定研磨中的芯片厚度，随时监控研磨速度与合计研磨时间，并参照已知的对应表与条件表，便能自动地变更适当的γ(目标厚度)。
例如，在开始使用研磨布的使用寿命初期的情况下，由于研磨速度快，若采用高研磨率的研磨浆液，则会被快速地研磨，所以尽可能地使目标厚度γ变薄(即研磨量少)，例如设为γ1。而且，在从开始使用研磨布经过某一程度的时间后，一旦变稳定，便增加以高研磨率的研磨浆液来除去的研磨量，例如设为γ2。而且，一旦研磨布进一步劣化而接近使用寿命而使研磨速度开始下降时，则进一步增加以高研磨率浆液来除去的研磨量，也就是说，例如将高研磨率浆液中的目标厚度设为γ3。
若是此种芯片的研磨方法，则能灵活地对应由于研磨布的劣化而发生的在相同的研磨浆液的研磨区域中的研磨条件的变化。因此，能使芯片的加工时间的变动小，结果，能提高产率。另外，在研磨布的使用寿命的初期，尽可能地减少在高研磨率条件中的除去量(研磨量)，能防止由于高速研磨所造成的平坦度的恶化。另外，在研磨布的使用寿命末期，相较于研磨布的使用寿命初期，根据“取舍(tradeoff)”的关系，能增加研磨速度较低时(此时仍在第一阶段的高研磨率条件中)的除去量(研磨量)，由此，能缩短低研磨率条件中的研磨时间，而能抑制合计的研磨时间，使其不会过长。不但如此，也能作出高平坦性和高平滑性的芯片，另外，能稳定地获得此种芯片。
[实施例]
以下，显示出实施例与比较例，更具体地说明本发明，但是本发明并未被限定于这些实施例。
(实施例1)
采用图1所示的芯片的研磨方法，来进行芯片的研磨。
作为要进行研磨的芯片，准备720片直径300mm的p-型单晶硅芯片，这些芯片是由利用CZ法培育出来的晶棒，利用线锯切割而成的。此种p-型是表示p型的高电阻率的芯片。对此种芯片，利用通常的条件施行倒角、磨光、蚀刻。
在此，采用图7所示的双面研磨装置，将上述所准备的单晶硅芯片之中的240片，以批次方式(每批15片)，施行双面研磨。作为研磨布使用霓塔哈斯公司(NITTAHAASIN CORPORATED)的MH-S15A。另外，更换前的研磨浆液使用富士美公司(Fujimi Corporation)的FGL11022号(高速研磨用)，更换后的研磨浆液使用富士美公司的FGL2100(低速研磨用)，以此方式来进行研磨。但是，研磨后的芯片的厚度，设成全部芯片都保持恒定。
另外，此时，从多个孔来测定研磨中的芯片厚度，并随时算出芯片的研磨速度，并保存各次研磨的平均速度与合计研磨时间的关系或是参照比较过去的值，一旦芯片的厚度成为预先设定的厚度，则更换研磨浆液。
而且，将研磨布的使用寿命时间设为T，并区分成研磨布使用初期：T/5、中期：2T/5～4T/5、末期：4T/5～5T/5，对应该区分，将更换前的研磨浆液与更换后的研磨浆液的除去量(研磨量)比，从2.75∶1，变更为6.5∶1、14∶1，并对应研磨布的使用寿命来使更换此研磨剂的时机变化，以此方式来进行研磨。
通过此种方法，利用相同的装置来进行240片芯片的研磨，并利用AFS(ADE公司(ADE Corporation)制造的平坦度测定装置)来进行评价。
(比较例1)
在图5中，在研磨中，没有实行研磨浆液的更换，将研磨时间设为恒定，一直发生抛光过度或研磨不足以外，利用与实施例1相同的条件，将所准备的720片芯片之中的240片，进行研磨，并同样地进行评价。
(比较例2)
如图6所示，一边测定芯片的厚度一边进行研磨，并将研磨后的芯片的目标厚度α设为恒定，但是在研磨中，并没有进行研磨浆液的更换，除此以外，利用与实施例1相同的条件，进行其余的240片芯片的研磨，并同样地进行评价。
其结果，如图3中的(a)所示，对于实施例1的芯片的研磨方法，其每一片芯片的偏差小，判定为以高精度的方式来进行研磨。相对于此，如图3中的(b)所示，在比较例2的芯片的研磨方法中，由于研磨布的使用寿命，观察到研磨后的芯片的平坦度出现偏差，判定为无法进行稳定的研磨。另外，虽然没有图示出来，相较于比较例2，在比较例1的芯片的研磨方法中的偏差更大。
如图4中的(a)所示，在实施例1的芯片的研磨方法中被研磨后的芯片的表面形状，在整个面内是均匀的，且没有外周塌边。
相对于此，如图4中的(b)所示，根据比较例2的芯片的研磨方法而被研磨后的芯片的表面形状，在整个面内有偏差分布，判定没有被均匀地研磨。
此处，在表1中，显示出当将比较例2的芯片的研磨方法的研磨布使用寿命设为100时，相对于实施例1、各比较例的研磨布使用寿命，各生产能力的比率。
[表1]
如表1所示，实施例1的芯片的研磨方法，相较于比较例2的研磨布使用寿命中期的情况，不管研磨布的使用寿命为何种情况，都具有高生产能力，且相较于比较例2，生产性大约增加10％。
相对于此，比较例1、2的研磨方法，都会受到研磨布的使用寿命的影响，判定为并不稳定。
(实施例2)
使用图7的双面研磨装置，利用批次方式(每批15片)来进行芯片的研磨。此时的研磨后的芯片厚度的目标值，设为777μm。
作为要进行研磨的芯片，准备600片直径300mm的p-型单晶硅芯片，这些芯片是由利用CZ法培育出来的晶棒，利用线锯切割后，施行倒角、磨光、蚀刻而成的。此种p-型是表示p型的高电阻率的芯片。
作为芯片厚度测定机构，准备一种光学单元，其具备波长可变型红外线激光装置，此装置能将激光的波长调校成1575～1775nm。使用此种芯片厚度测定机构，一边测定芯片的厚度一边研磨600片芯片之中的300片芯片，然后利用AFS(ADE公司制造的平坦度测定装置)来评价研磨后的芯片的厚度。
(比较例3)
使用与实施例2同样的双面研磨装置，进行其余的300片芯片的研磨。但是，在比较例3中，以没有使芯片厚度测定机构动作的方式来进行研磨。另外，研磨时间设为固定。
在图8中，表示利用实施例2与比较例3的双面研磨装置研磨而成的各300片芯片的研磨后的芯片厚度的相对频率(relativefrequency(相对次数))与累积相对频率。
利用实施例2的双面研磨装置研磨后的芯片，相较于比较例3，研磨后的平均完成厚度的偏差小，判定大约减少50％。
另外，若根据实施例2的双面研磨装置，判定能达成标准偏差0.1μm以下。
另外，如图9所示，利用实施例2的双面研磨装置研磨后的芯片，其研磨后的芯片厚度稳定，相对于此，比较例3的芯片的偏差大且不稳定。
(实施例3)
准备图10所示的双面研磨装置。
首先，作为多个孔是在以上磨盘的中心为支点的圆周上开设15个直径20mm的孔。而且，准备研磨布(霓塔哈斯公司制造的研磨垫MH、厚度1500μm)，其具有切出富燃孔(直径40mm)，比上述磨盘的孔的外圆周(直径20mm)大；并准备与上述孔同样数量的窗材以及双面胶带，作为该窗材将东丽(TORAY)公司制造的PTS薄片切成圆板状(直径30mm、厚度150μm)，而比开孔于磨盘上的孔的直径更大10mm；该双面胶带(住友3M442JS3、厚度110μm)则沿着PTS薄片的外周粘贴。而且，根据双面胶带，将窗材贴在上磨盘的孔的部份。
作为要进行研磨的芯片，准备1000片直径300mm的p-型单晶硅芯片，这些芯片是由利用CZ法培育出来的晶棒切割出来后，施行倒角、磨光、蚀刻而成的。此种p-型是表示p型的高电阻率的芯片。
另外，作为芯片厚度测定机构，准备一种光学单元，其具备波长可变型红外线激光装置，此装置能将激光的波长调校成1575～1775nm。使用此种芯片厚度测定机构，一边测定芯片的厚度一边以批次方式(每批15片)来研磨1000片晶片。
利用AFS(ADE公司制造的平坦度测定装置)，来评价使用此种双面研磨装置而被研磨后的芯片的表面形状，其结果，例如相较于将研磨布与窗材作成一体化而成的现有的研磨装置，本实施例的偏差小，而可得到平坦的芯片。
另外，窗材的劣化，相较于现有，并没有多大的改变，交换频率也没有多大的改变，但是研磨布的交换频率，相较于现有，降低成为大约1/2。如此，相较于现有，能大幅地减少浪费，并能达成降低研磨布的成本。
另外，本发明并未被限定于上述实施形态。上述实施形态为例示，只要是具有与被记载于本发明的申请专利范围中的技术思想实质上相同的构成，能得到同样的作用效果，就都被包含在本发明的技术范围内。

Claims (9)

1.一种芯片的研磨方法，至少，通过旋转驱动的下磨盘、旋转驱动的上磨盘及载具，来夹持上述芯片，并作按压滑动，由此，同时地研磨芯片的双面，该下磨盘具有平坦的研磨顶面，该上磨盘被配置成面对上述下磨盘且具有平坦的研磨底面，该载具具有用以保持芯片的芯片保持孔，该芯片的研磨方法的特征在于，
一边从设在上述上磨盘的旋转中心与周缘之间的多个孔，利用由波长可变型红外线激光而实行的光反射干涉法测定上述芯片的厚度，一边进行第一研磨，并在上述芯片的研磨途中，更换研磨速度相异的研磨浆液进行第二研磨，该研磨浆液的更换时机根据研磨布使用寿命以及上述芯片的目标厚度来决定，使得随着研磨布的劣化上述第一研磨的研磨量变多。
2.如权利要求1所述的芯片的研磨方法，其特征在于，以批次方式来研磨上述芯片。
3.如权利要求1或2所述的芯片的研磨方法，其特征在于，使用上述芯片的厚度的测定数据，在上述芯片的研磨途中，变更研磨负载、上述上磨盘的旋转速度、上述下磨盘的旋转速度之中的至少一种以上。
4.一种双面研磨装置，至少具备：旋转驱动的下磨盘，其具有平坦的研磨顶面；旋转驱动的上磨盘，其被配置成面对上述下磨盘且具有平坦的研磨底面；以及载具，其具有用以保持硅芯片的芯片保持孔；该双面研磨装置的特征在于，具有：
多个孔，其以等间隔的方式被设在上述上磨盘的旋转中心与周缘之间的周边；
芯片厚度测定机构，在研磨中，以实时的方式，从该多个孔，测定上述硅芯片的厚度；
该芯片厚度测定机构被固定于该研磨装置的固定端上，该固定端不是上述上磨盘以及下磨盘，
该芯片厚度测定机构具备使用光反射干涉法的波长可变型红外线激光装置，该装置发出光学地透过上述硅芯片的波长是1575～1775nm的激光，
该芯片厚度测定机构测定上述硅芯片的整体厚度，
一边利用由波长可变红外线激光而实行的光反射干涉法测定上述硅芯片的厚度，一边进行第一研磨，并在上述硅芯片的研磨途中，更换研磨速度相异的研磨浆液进行第二研磨，该研磨浆液的更换时机根据研磨布使用寿命以及上述硅芯片的目标厚度来决定，使得随着研磨布的劣化上述第一研磨的研磨量变多。
5.如权利要求4所述的双面研磨装置，其特征在于，在上述上下磨盘的研磨面，设有研磨布与窗材；该研磨布在对应上述多个孔的位置，有比这些孔的直径大的开孔；该窗材的直径比上述磨盘的孔大而比研磨布的孔小，且该窗材的厚度比研磨布的厚度薄；而且，上述窗材与研磨布分离，并经由粘接层而被固定在上述上磨盘或上述下磨盘上。
6.如权利要求5所述的双面研磨装置，其特征在于，上述窗材使由上述波长可变型红外线激光装置发射出来的激光透过。
7.如权利要求4～6中任一项所述的双面研磨装置，其特征在于，固定上述芯片厚度测定机构的固定端是该双面研磨装置的外壳。
8.如权利要求5所述的双面研磨装置，其特征在于，上述窗材是塑料制的。
9.如权利要求5所述的双面研磨装置，其特征在于，若将上述窗材的厚度设为tw[μm]、将其折射率设为nw；将粘接层的厚度设为t2[μm]；将芯片的厚度设为ts[μm]、将其折射率设为ns；将研磨布的厚度设为t1[μm]、将其压缩率设为ζ1[％/g/cm2]，并将研磨最大负载设为P[g/cm2]，则满足以下的关系式：
t1×ζ1×P/100＞tw+t2，且twnw＞tsns或twnw＜tsns。
CN200980127186.4A 2008-07-31 2009-06-30 芯片的研磨方法及双面研磨装置 Active CN102089121B (zh)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008197741A JP5028354B2 (ja) 2008-07-31 2008-07-31 ウェーハの研磨方法
JP2008-197508 2008-07-31
JP2008-197741 2008-07-31
JP2008197478A JP4654275B2 (ja) 2008-07-31 2008-07-31 両面研磨装置
JP2008197508A JP4955624B2 (ja) 2008-07-31 2008-07-31 両面研磨装置
JP2008-197478 2008-07-31
PCT/JP2009/003021 WO2010013390A1 (ja) 2008-07-31 2009-06-30 ウェーハの研磨方法および両面研磨装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102089121A CN102089121A (zh) 2011-06-08
CN102089121B true CN102089121B (zh) 2015-04-08

Family

ID=41610106

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200980127186.4A Active CN102089121B (zh) 2008-07-31 2009-06-30 芯片的研磨方法及双面研磨装置

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8834230B2 (zh)
KR (1) KR101587226B1 (zh)
CN (1) CN102089121B (zh)
DE (1) DE112009001875B4 (zh)
SG (1) SG192518A1 (zh)
TW (1) TWI478226B (zh)
WO (1) WO2010013390A1 (zh)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101144674B1 (ko) * 2011-07-14 2012-05-24 에스엔티코리아 주식회사 웨이퍼 두께 측정장치
US20130017762A1 (en) * 2011-07-15 2013-01-17 Infineon Technologies Ag Method and Apparatus for Determining a Measure of a Thickness of a Polishing Pad of a Polishing Machine
JP5630414B2 (ja) 2011-10-04 2014-11-26 信越半導体株式会社 ウェーハの加工方法
JP5614397B2 (ja) * 2011-11-07 2014-10-29 信越半導体株式会社 両面研磨方法
US10065288B2 (en) * 2012-02-14 2018-09-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polishing (CMP) platform for local profile control
CN102626896A (zh) * 2012-04-24 2012-08-08 浙江金瑞泓科技股份有限公司 一种定盘边缘抛光布割布的硅片抛光方法
JP5896884B2 (ja) 2012-11-13 2016-03-30 信越半導体株式会社 両面研磨方法
DE102013218880A1 (de) 2012-11-20 2014-05-22 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe, umfassend das gleichzeitige Polieren einer Vorderseite und einer Rückseite einer Substratscheibe
DE112013006059B4 (de) * 2012-12-18 2023-02-23 Globalwafers Co., Ltd. Doppelseiten-Poliermaschine mit einer Trägerplattenparallelitätssteuerung
US20140251533A1 (en) * 2013-03-11 2014-09-11 Samsung Display Co., Ltd. Substrate peeling device, method for peeling substrate, and method for fabricating flexible display device
JP6138556B2 (ja) * 2013-04-05 2017-05-31 株式会社ディスコ レーザー加工装置
US20150037915A1 (en) * 2013-07-31 2015-02-05 Wei-Sheng Lei Method and system for laser focus plane determination in a laser scribing process
JP6146213B2 (ja) 2013-08-30 2017-06-14 株式会社Sumco ワークの両面研磨装置及び両面研磨方法
JP6255991B2 (ja) * 2013-12-26 2018-01-10 株式会社Sumco ワークの両面研磨装置
JP6015683B2 (ja) 2014-01-29 2016-10-26 信越半導体株式会社 ワークの加工装置およびワークの加工方法
KR101660900B1 (ko) * 2015-01-16 2016-10-10 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 연마 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마 방법
CN104690637A (zh) * 2015-03-18 2015-06-10 合肥京东方光电科技有限公司 一种柔性基板研磨控制方法及装置
JP6434367B2 (ja) * 2015-05-14 2018-12-05 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6222171B2 (ja) * 2015-06-22 2017-11-01 信越半導体株式会社 定寸装置、研磨装置、及び研磨方法
JP6510348B2 (ja) * 2015-07-23 2019-05-08 株式会社荏原製作所 基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法
JP6540430B2 (ja) * 2015-09-28 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
DE102015118068B3 (de) * 2015-10-22 2016-11-24 Precitec Optronik Gmbh Bearbeitungsvorrichtung und Verfahren zur kontrollierten beidseitigen Bearbeitung eines Halbleiterwafers
JP6377656B2 (ja) 2016-02-29 2018-08-22 株式会社フジミインコーポレーテッド シリコン基板の研磨方法および研磨用組成物セット
US11897081B2 (en) 2016-03-01 2024-02-13 Fujimi Incorporated Method for polishing silicon substrate and polishing composition set
JP6622117B2 (ja) * 2016-03-08 2019-12-18 スピードファム株式会社 平面研磨装置及びキャリア
JP6508123B2 (ja) * 2016-05-13 2019-05-08 信越半導体株式会社 テンプレートアセンブリの選別方法及びワークの研磨方法並びにテンプレートアセンブリ
JP6602725B2 (ja) * 2016-05-24 2019-11-06 スピードファム株式会社 ワークの板厚計測用窓構造
DE102016116012A1 (de) 2016-08-29 2018-03-01 Lapmaster Wolters Gmbh Verfahren zum Messen der Dicke von flachen Werkstücken
CN106771580B (zh) * 2016-12-23 2019-07-12 浙江大学台州研究院 基于惯性导航机制的石英晶片在线研磨的测控方法
JP6829467B2 (ja) * 2017-04-05 2021-02-10 スピードファム株式会社 両面研磨装置
CN108723986B (zh) * 2017-04-18 2020-07-17 上海新昇半导体科技有限公司 抛光设备及检测方法
JP6844530B2 (ja) * 2017-12-28 2021-03-17 株式会社Sumco ワークの両面研磨装置および両面研磨方法
CN110962039A (zh) * 2018-09-29 2020-04-07 康宁股份有限公司 载体晶片和形成载体晶片的方法
JP7235071B2 (ja) * 2021-06-11 2023-03-08 株式会社Sumco ワークの両面研磨方法及びワークの両面研磨装置
JP2023000307A (ja) * 2021-06-17 2023-01-04 株式会社ディスコ 研削装置
CN115319638B (zh) * 2022-10-17 2023-02-03 合肥新晶集成电路有限公司 芯片研磨方向的确定方法、装置、芯片的研磨方法及系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1279506A (zh) * 1999-07-05 2001-01-10 日本电气株式会社 平面研磨装置
CN1322374A (zh) * 1999-03-31 2001-11-14 株式会社尼康 抛光体、抛光设备、抛光设备调节方法、抛光膜厚度或抛光终点测量方法及半导体器件的制造方法
CN1643658A (zh) * 2002-03-28 2005-07-20 信越半导体株式会社 晶片的两面研磨装置及两面研磨方法
CN1717785A (zh) * 2002-11-27 2006-01-04 东洋橡胶工业株式会社 研磨垫及半导体器件的制造方法
CN101128920A (zh) * 2005-02-25 2008-02-20 信越半导体股份有限公司 双面研磨装置用载具、使用该载具的双面研磨机及双面研磨方法

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3382011B2 (ja) 1993-04-06 2003-03-04 株式会社東芝 膜厚測定装置、ポリシング装置および半導体製造装置
JP3491337B2 (ja) 1994-05-13 2004-01-26 株式会社デンソー 半導体厚非接触測定装置
US5893796A (en) 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
JP2850803B2 (ja) 1995-08-01 1999-01-27 信越半導体株式会社 ウエーハ研磨方法
JP3011113B2 (ja) 1996-11-15 2000-02-21 日本電気株式会社 基板の研磨方法及び研磨装置
JPH1114305A (ja) 1997-06-26 1999-01-22 Mitsutoyo Corp 加工用のインプロセス光干渉式測定装置およびその測定装置を備えた加工装置、およびインプロセス光測定に適した加工工具
JPH11135617A (ja) 1997-10-31 1999-05-21 Nippon Steel Corp 素子分離領域の形成方法
US6301009B1 (en) 1997-12-01 2001-10-09 Zygo Corporation In-situ metrology system and method
JP2000012540A (ja) 1998-06-18 2000-01-14 Sony Corp 溝配線の形成方法
US6066266A (en) * 1998-07-08 2000-05-23 Lsi Logic Corporation In-situ chemical-mechanical polishing slurry formulation for compensation of polish pad degradation
JP3367496B2 (ja) * 2000-01-20 2003-01-14 株式会社ニコン 研磨体、平坦化装置、半導体デバイス製造方法、および半導体デバイス
JP2001287158A (ja) 1999-03-31 2001-10-16 Nikon Corp 研磨部材、研磨装置、調整方法、測定方法、半導体デバイス製造方法、及び半導体デバイス
JP2001077068A (ja) 1999-09-08 2001-03-23 Sumitomo Metal Ind Ltd 半導体ウエハの研磨終点検出方法及びその装置
JP3510177B2 (ja) 2000-03-23 2004-03-22 株式会社東京精密 ウェハ研磨装置
JP4324933B2 (ja) 2000-08-23 2009-09-02 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 平面研磨装置
JP2002100594A (ja) 2000-09-22 2002-04-05 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 平面研磨方法および装置
JP4281255B2 (ja) 2001-01-25 2009-06-17 株式会社デンソー ウエハ厚計測装置及びウエハ研磨方法
JP2002359217A (ja) 2001-05-31 2002-12-13 Omron Corp 研磨終点検出方法およびその装置
JP2003001559A (ja) 2001-06-21 2003-01-08 Mitsubishi Electric Corp 化学的機械研磨方法、化学的機械研磨装置およびスラリー供給装置
JP2003057027A (ja) 2001-08-10 2003-02-26 Ebara Corp 測定装置
JP2003133270A (ja) 2001-10-26 2003-05-09 Jsr Corp 化学機械研磨用窓材及び研磨パッド
JP3849547B2 (ja) * 2002-02-28 2006-11-22 信越半導体株式会社 半導体エピタキシャルウェーハの測定方法、半導体エピタキシャルウェーハの測定装置、半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及びコンピュータプログラム
KR101047933B1 (ko) 2002-11-27 2011-07-11 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드 및 반도체 장치의 제조 방법
US7016795B2 (en) * 2003-02-04 2006-03-21 Applied Materials Inc. Signal improvement in eddy current sensing
US6945845B2 (en) * 2003-03-04 2005-09-20 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with non-conductive elements
JP2004343090A (ja) 2003-04-22 2004-12-02 Jsr Corp 研磨パッドおよび半導体ウェハの研磨方法
JP2004363451A (ja) 2003-06-06 2004-12-24 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ研磨装置
JP2005051076A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Trecenti Technologies Inc 半導体装置の製造方法
JP4464642B2 (ja) 2003-09-10 2010-05-19 株式会社荏原製作所 研磨状態監視装置、研磨状態監視方法、研磨装置及び研磨方法
US7238912B2 (en) 2003-10-07 2007-07-03 Midwest Research Institute Wafer characteristics via reflectometry and wafer processing apparatus and method
JP4451111B2 (ja) * 2003-10-20 2010-04-14 株式会社荏原製作所 渦電流センサ
JP2006095677A (ja) * 2004-08-30 2006-04-13 Showa Denko Kk 研磨方法
JP4786899B2 (ja) 2004-12-20 2011-10-05 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランクス用ガラス基板の製造方法，マスクブランクスの製造方法、反射型マスクブランクスの製造方法、露光用マスクの製造方法、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP2006224233A (ja) 2005-02-17 2006-08-31 Hoya Corp マスクブランクス用ガラス基板の製造方法及びマスクブランクスの製造方法
JP2006231470A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Speedfam Co Ltd 両面ポリッシュ加工機の定寸方法及び定寸装置
JP2006231471A (ja) 2005-02-25 2006-09-07 Speedfam Co Ltd 両面ポリッシュ加工機とその定寸制御方法
KR100714894B1 (ko) * 2005-03-07 2007-05-04 삼성전자주식회사 웨이퍼 폴리싱 장치
JP4524643B2 (ja) * 2005-05-18 2010-08-18 株式会社Ｓｕｍｃｏ ウェーハ研磨方法
JP4904027B2 (ja) 2005-08-10 2012-03-28 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
JP2007290050A (ja) 2006-04-21 2007-11-08 Hamai Co Ltd 研磨方法及び平面研磨装置
JP4799313B2 (ja) * 2006-08-09 2011-10-26 スピードファム株式会社 両面研磨装置および両面研磨装置におけるワークとキャリアとの重なり検知方法
JP2008227393A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Fujikoshi Mach Corp ウェーハの両面研磨装置
JP4966116B2 (ja) 2007-07-09 2012-07-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1322374A (zh) * 1999-03-31 2001-11-14 株式会社尼康 抛光体、抛光设备、抛光设备调节方法、抛光膜厚度或抛光终点测量方法及半导体器件的制造方法
CN1279506A (zh) * 1999-07-05 2001-01-10 日本电气株式会社 平面研磨装置
CN1643658A (zh) * 2002-03-28 2005-07-20 信越半导体株式会社 晶片的两面研磨装置及两面研磨方法
CN1717785A (zh) * 2002-11-27 2006-01-04 东洋橡胶工业株式会社 研磨垫及半导体器件的制造方法
CN101128920A (zh) * 2005-02-25 2008-02-20 信越半导体股份有限公司 双面研磨装置用载具、使用该载具的双面研磨机及双面研磨方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150031271A1 (en) 2015-01-29
US8834230B2 (en) 2014-09-16
WO2010013390A1 (ja) 2010-02-04
US20110130073A1 (en) 2011-06-02
US9108289B2 (en) 2015-08-18
SG192518A1 (en) 2013-08-30
KR101587226B1 (ko) 2016-01-20
KR20110038685A (ko) 2011-04-14
TW201021109A (en) 2010-06-01
CN102089121A (zh) 2011-06-08
DE112009001875T5 (de) 2011-06-09
DE112009001875B4 (de) 2023-06-22
TWI478226B (zh) 2015-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102089121B (zh) 芯片的研磨方法及双面研磨装置
KR101669491B1 (ko) 워크의 양면 연마 장치 및 방법
JP4654275B2 (ja) 両面研磨装置
KR100737879B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 제조방법
Pei et al. Grinding of silicon wafers: a review from historical perspectives
CN109454547A (zh) 一种用于cmp抛光垫寿命在线检测的系统和方法
US6214704B1 (en) Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage
JP2015531318A (ja) 修正されたマイクロ研削プロセス
KR102494957B1 (ko) 편평한 피가공재의 두께 측정 방법
US7416962B2 (en) Method for processing a semiconductor wafer including back side grinding
KR20110007087A (ko) 워크의 양두 연삭 장치 및 워크의 양두 연삭 방법
CN103889655A (zh) 双面研磨方法
WO2006046403A1 (ja) 半導体ウエーハの製造方法及び半導体ウエーハ
US20130217306A1 (en) CMP Groove Depth and Conditioning Disk Monitoring
WO2012164757A1 (ja) 柱状部材の加工装置
CN102042798B (zh) 一种扩展电阻测试样品制备方法及样品研磨固定装置
TW200903620A (en) Method for grinding semiconductor wafers
CN101829946A (zh) 红外窗口片的双面加工工艺
JP5028354B2 (ja) ウェーハの研磨方法
JP4955624B2 (ja) 両面研磨装置
JP4324933B2 (ja) 平面研磨装置
TW201743374A (zh) 雙面研磨方法及雙面研磨裝置
JP5074845B2 (ja) 半導体ウェハの研削方法、及び半導体ウェハの加工方法
WO2014208270A1 (ja) 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法
CN111975627B (zh) 非规则碲锌镉晶片的研磨方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant