JP7235071B2 - ワークの両面研磨方法及びワークの両面研磨装置 - Google Patents
ワークの両面研磨方法及びワークの両面研磨装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7235071B2 JP7235071B2 JP2021098146A JP2021098146A JP7235071B2 JP 7235071 B2 JP7235071 B2 JP 7235071B2 JP 2021098146 A JP2021098146 A JP 2021098146A JP 2021098146 A JP2021098146 A JP 2021098146A JP 7235071 B2 JP7235071 B2 JP 7235071B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface plate
- distance
- flatness
- work
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/10—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving electrical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Description
(1)ワークを保持する1つ以上の保持孔が設けられたキャリアプレートにワークを保持し、該ワークを上定盤及び下定盤からなる回転定盤で挟み込み、前記回転定盤の中心部に設けられたサンギアの回転と、前記回転定盤の外周部に設けられたインターナルギアの回転とにより、前記回転定盤と前記キャリアプレートとを相対回転させて前記ワークの両面を同時に研磨するワークの両面研磨方法であって、
前記回転定盤の中心からの距離が異なる2点以上の位置における、前記上定盤と前記下定盤との間の距離である定盤間距離と、前記ワークの平坦度との関係を示す関係データを予め取得する、関係データ取得工程と、
計算部により、前記関係データ取得工程において取得した前記関係データに基づいて、前記ワークの所望の平坦度を得るための、前記回転定盤の中心からの距離が異なる2点以上の位置における前記定盤間距離の最適値を算出する、最適距離算出工程と、
制御部により、前記回転定盤の形状を制御することによって、前記定盤間距離を前記最適値に制御する、制御工程と、を含むことを特徴とする、ワークの両面研磨方法。
前記最適距離算出工程では、前記差分の最適値を算出し、
前記制御工程では、前記回転定盤の形状を制御して、前記差分を前記差分の最適値に制御する、上記(1)又は(2)に記載のワークの両面研磨方法。
前記回転定盤の中心からの距離が異なる2点以上の位置における、前記上定盤と前記下定盤との間の距離である定盤間距離と、前記ワークの平坦度との関係を示す、予め取得した関係データに基づいて、前記ワークの所望の平坦度を得るための、前記回転定盤の中心からの距離が異なる2点以上の位置における前記定盤間距離の最適値を算出する、計算部と、
前記回転定盤の形状を制御することによって、前記定盤間距離を前記最適値に制御する、制御部と、を備えたことを特徴とする、ワークの両面研磨装置。
以下、本発明の一実施形態にかかるワークの両面研磨方法について説明する。まず、本実施形態の方法に用いることのできるワークの両面研磨装置の一例についてその概要を説明する。
図3に示すように、本実施形態の方法では、回転定盤4の中心からの距離が異なる2点以上の位置における、上定盤2と下定盤3との間の距離(サンギア5の軸に平行な方向の距離)である定盤間距離と、ワークWの平坦度との関係を示す関係データを予め取得する(ステップS101:関係データ取得工程)。このような関係データは、例えば、当該位置における上記定盤間距離を測定して記録しておき、その定盤間距離で行った両面研磨後のワークWの平坦度を測定して記録しておくことで予め得ておくことができ、様々な距離でのデータを十分な数、取得しておくことが好ましい。
上記ステップS101における関係データの取得は、このような近似式等の数式(二次式には限定されない)を予め取得しておくことができる。なお、本例では、上記定盤間距離について2点間での差分を算出し、また、予め、差分とワークの平坦度との差分関係データを取得する例を示しており、この場合、数式の変数はDc及びGBIRの周方向平均値の2つであり、数式を近似等により得ることが容易であるという利点がある。一方で、必ずしも差分を算出する必要はなく、2点のみの定盤間距離を算出する場合に、例えば、Da、Db、及びGBIRの周方向平均値の3つの変数を有する数式を取得することもできる。同様に、n点の定盤間距離を算出する場合には、例えばn+1個の変数を有する数式を取得することもでき、あるいは、差分を取る等の演算を行って変数を減らすこともできる。
また別の手法として、機械学習の方法により、多数の十分なデータを教師データとして学習させることにより、ワークの平坦度を説明変数(入力)とし、回転定盤4の中心からの距離が異なる2点以上の位置における定盤間距離を目的変数(出力)として、(例えばニューラルネットワーク等の)人工知能モデルを作成し、この人工知能モデルに所望のワークの平坦度を入力することで、最適な定盤間距離を出力することができるようにしておくこともできる。なお、入力を定盤間距離、出力をワークの平坦度とした人工知能モデルを作成し、任意の既知の逆解析の手法により、最適な定盤間距離を算出することができるようにしても良い。
上記の関係性データについては、両面研磨装置が記憶部(任意の既知のメモリ)を有し、当該記憶部に記憶させておくこともでき、及び/又は、両面研磨装置が通信部を有し、当該関係性データを送受信することができるように構成することができる。
本例では、回転定盤4の径方向内側端部位置と径方向外側端部位置との2点のみに関して、上記差分関係データに基づいて、ワークの所望の平坦度を得るための、上記差分Dcの最適値を算出する。
なお、定盤間距離の制御においては、計測部13(図4参照、図1では図示を省略している)により、回転定盤の中心からの距離が異なる2点以上の位置において、上定盤2と下定盤3との間の距離を計測しながら行うことが好ましい。計測部13は、任意の既知のセンサ等とすることができ、例えば距離を計測可能な渦電流センサとすることができる。
制御部12は、計算部11からの算出結果に基づく命令を受けるように構成されることができる。
本例では、上定盤2の熱膨張係数は、下定盤3の熱膨張係数より大きい(例えば異なる材質を用いて、そのような熱膨張係数の関係とすることができる)。上定盤2の下側には冷却水用水路14が(図示例で8か所に)設けられている。本例では、この冷却用水路14が制御部12として機能する。なお、冷却水用水路14の個数や大きさ等は、所望の形状の変化が生じるように適宜調整することができる。
また、これらの例は、力学的な力又は熱変形による定盤形状の制御であったが、これらに限定されるものではなく、電磁気的な力等を用いる等することもできる。また、力学的、熱変形による手法も上記は一例に過ぎず、様々な手法が可能である。
以下、本実施形態のワークの両面研磨方法について説明する。
ここで、本実施形態のように、関係データ取得工程及び最適値算出工程において、回転定盤の中心からの距離が異なる2点以上の位置は、少なくとも、回転定盤の径方向外側端部位置と、回転定盤の径方向内側端部位置と、を含むことが好ましい。上記のメカニズムの説明から明らかなように、研磨の作用の違いは径方向内側端部と径方向外側端との間で特に顕著にあらわれやすいため、これらの位置を含むことで、定盤間距離と平坦度との相関性がより一層高くなり、平坦度の制御の精度をより一層高め得るからである。
また、関係データ取得工程は、回転定盤の中心からの距離が異なる2点の位置における上定盤と下定盤との間の距離の2点間の差分と、ワークの平坦度との関係を示す差分関係データを予め取得し、最適距離算出工程では、上記差分の最適値を算出し、制御工程では、回転定盤の形状を制御して、上記差分を上記差分の最適値に制御することが好ましい。差分を取ることにより、関係データの処理が簡易となり、また、回転定盤の形状の制御においては、例えば上定盤又は下定盤の傾きを変える等、簡易な形状制御により定盤間距離の制御を行うことができるからである。
また、制御工程において、力学的な力又は熱変形により、回転定盤の形状を制御することが好ましい。比較的簡易に回転定盤の制御を行うことができるからである。
一方で、ワークの平坦度の指標は、上記の場合に限られず、ワーク全面の平坦度を示すGBIR以外の指標を用いることもでき、あるいは、ワークの局所(例えば外周部)の平坦度の指標を用いることもできる。以下、SEMI規格M67に規定されるESFQD(Edge Site flatness Front reference least sQuare Deviation)を指標として用いる場合について説明する。
ESFQD値は、Dcに対し傾きが負の一次式で近似することができる。その理由については、以下の通りである。外周形状は、回転定盤からの荷重による研磨パッドの沈み込みの影響が大きい。研磨パッドの沈み込み量が大きいとロールオフが大きくなり、沈み込み量が小さいとロールオフが小さくなる。定盤間距離が、径方向内側で径方向外側より小さい場合(状態Aとする)には、径方向内側の荷重が大きく径方向内側で研磨パッドの沈み込み量が大きくなる。一方で、定盤間距離が、径方向内側で径方向外側より大きい場合(状態Cとする)には、径方向外側の荷重が大きく径方向外側で研磨パッドの沈み込み量が大きくなる。定盤がフラットの場合(状態Bとする)は、その中間の状態となる。ここで、回転定盤は平面視円形であるため、径方向内側の周速が径方向外側対比で遅く、研磨速度も径方向外側が速くなる。従って、径方向外側での研磨量は径方向内側での研磨量より大きくなるため、状態Cの場合に最もロールオフが大きくなる傾向が強くなり、状態Aの場合に最もロールオフが小さくなり、状態Bはそれらの中間となるものと推察される。
このような関係性があるため、ワークの平坦度の指標としてはEFSQD等のワークの局所的な(例えば外周部の)平坦度の指標を用いることもできる。
以下、本発明の一実施形態にかかるワークの両面研磨装置について説明する。
本実施形態のワークの両面研磨装置は、既にワークの両面研磨方法の実施形態で説明したように、上定盤2及び下定盤3を有する回転定盤4と、回転定盤4の中心部に設けられたサンギア5と、回転定盤の外周部に設けられたインターナルギア6と、上定盤2と下定盤3との間に設けられ、ワークWを保持する1つ以上の保持孔7が設けられたキャリアプレート8と、を備えている。上定盤2の下面及び下定盤の上面には、それぞれ研磨パッド9が貼布されている。
また、本実施形態のワークの両面研磨装置は、回転定盤4の形状を制御することによって、上記定盤間距離を最適値に制御する、制御部12をさらに備えている。
図4に示したように、本実施形態のワークの両面研磨装置は、回転定盤4の中心からの距離が異なる2点以上の位置において、上定盤2と下定盤3との間の距離を計測する、計測部13をさらに備えている。
計算部11、制御部12、及び計測部13の詳細は、ワークの両面研磨方法に用いることのできる装置として既に説明した通りであるので、再度の説明を省略する。
また、ワークの平坦度は、GBIRを指標とした平坦度であることが好ましい。上述の通り、精度良くワークの所望の平坦度を得るのに適しているからである。
また、制御部は、力学的な力又は熱変形により、回転定盤の形状を制御することが好ましい。比較的簡易に回転定盤の制御を行うことができるからである。
ここで、上記の例では、関係データ取得工程及び計測工程において、回転定盤4の中心からの距離が異なる2点以上の位置は、少なくとも、回転定盤4の径方向内側端部位置と、回転定盤4の径方向外側端部位置と、を含むものとしたが、回転定盤4の中心からの距離が異なる2点以上であれば、これらの位置を含んでいなくても良い。
また、上記の例では、回転定盤4の中心からの距離が異なる2点のみの位置における上記距離について関係データの取得や最適値算出を行ったが、回転定盤4の中心からの距離が異なる3点以上の位置における上記距離について同様に関係データの取得や最適値算出を行うこともできる。
また、ワークの両面研磨方法において、ステップS104の後に、ワークの平坦度を測定し、所望の結果を得られたか否かを判定することが好ましい。この結果は、例えば関係性データをアップデートするのに用いることができる。例えばワークの平坦度の目標と結果とで、ずれが生じた場合には、適宜調整すべき定盤間距離の補正等を行うこともできる。あるいは、そのようなずれが生じた場合、最適値が複数(上記の二次式の例では2つ)算出される場合には、次回からワークの両面研磨を他の最適値を用いて行うようにすることもできる。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は、以下の実施例に何ら限定されるものではない。
ワークとして、p型、径300mm、結晶方位<110>のシリコンウェーハを、発明例及び比較例において用いた。ワークの両面研磨装置は、図1に示したようなものを用いた。両面研磨条件は、研磨スラリーとしてアルカリベース溶液にコロイダルシリカを添加したものを用い、研磨レート0.3μm/minとした。
そして、GBIR値の周方向平均値が0になるのに最適な差分Dcとして、図5に示したような2つの交点のうち小さい方の値を最適値として設定した。その後、図6に示したような制御部により、定盤間距離を差分Dcの設定した最適値となるように制御した。差分Dcを最適値となるように制御した後、両面研磨を行い、KLA-TENCOR社製WaferSightTMを用いて研磨後のGBIRを測定し、その周方向平均値を算出した。
比較例では、そのような定盤間距離の最適化を行わずに両面研磨を行い、同様に研磨後のGBIRを測定し、その周方向平均値を算出した。
発明例についてはウェーハ105枚、比較例についてはウェーハ195枚のデータを取り、その結果を図8に示している。
2:上定盤、
3:下定盤、
4:回転定盤、
5:サンギア、
6:インターナルギア、
7:保持孔、
8:キャリアプレート、
9:研磨パッド、
10:研磨スラリー、
11:計算部、
12:制御部、
13:計測部、
14:冷却水用水路、
15a~15d:制御部材、
16:固定部、
17:吊り下げ部
Claims (7)
- ワークを保持する1つ以上の保持孔が設けられたキャリアプレートにワークを保持し、該ワークを上定盤及び下定盤からなる回転定盤で挟み込み、前記回転定盤の中心部に設けられたサンギアの回転と、前記回転定盤の外周部に設けられたインターナルギアの回転とにより、前記回転定盤と前記キャリアプレートとを相対回転させて前記ワークの両面を同時に研磨するワークの両面研磨方法であって、
前記回転定盤の中心からの距離が異なる2点以上の位置における、前記上定盤と前記下定盤との間の距離である定盤間距離と、前記ワークの平坦度との関係を示す関係データを予め取得する、関係データ取得工程と、
計算部により、前記関係データ取得工程において取得した前記関係データに基づいて、前記ワークの所望の平坦度を得るための、前記回転定盤の中心からの距離が異なる2点以上の位置における前記定盤間距離の最適値を算出する、最適距離算出工程と、
制御部により、前記回転定盤の水平面に対する傾きを変化させることにより、径方向内側の前記定盤間距離が径方向外側対比で小さくなる、又は、径方向内側の前記定盤間距離が径方向外側対比で大きくなるように制御することによって、前記定盤間距離を前記最適値に制御する、制御工程と、を含むことを特徴とする、ワークの両面研磨方法。 - 前記関係データ取得工程及び前記最適距離算出工程において、前記回転定盤の中心からの距離が異なる2点以上の位置は、少なくとも、前記回転定盤の径方向外側端部位置と、前記回転定盤の径方向内側端部位置と、を含む、請求項1に記載のワークの両面研磨方法。
- 前記関係データ取得工程は、前記回転定盤の中心からの距離が異なる2点のみの位置における前記定盤間距離の前記2点間での差分と、前記ワークの平坦度との関係を示す差分関係データを予め取得し、
前記最適距離算出工程では、前記差分の最適値を算出し、
前記制御工程では、前記回転定盤の水平面に対する傾きを変化させることにより、径方向内側の前記定盤間距離が径方向外側対比で小さくなる、又は、径方向内側の前記定盤間距離が径方向外側対比で大きくなるように制御して、前記差分を前記差分の最適値に制御する、請求項1又は2に記載のワークの両面研磨方法。 - 前記ワークの平坦度は、GBIRを指標とした平坦度である、請求項1~3のいずれか一項に記載のワークの両面研磨方法。
- 上定盤及び下定盤を有する回転定盤と、前記回転定盤の中心部に設けられたサンギアと、前記回転定盤の外周部に設けられたインターナルギアと、前記上定盤と前記下定盤との間に設けられ、ワークを保持する1つ以上の保持孔が設けられたキャリアプレートと、を備えた、ワークの両面研磨装置であって、
前記回転定盤の中心からの距離が異なる2点以上の位置における、前記上定盤と前記下定盤との間の距離である定盤間距離と、前記ワークの平坦度との関係を示す、予め取得した関係データに基づいて、前記ワークの所望の平坦度を得るための、前記回転定盤の中心からの距離が異なる2点以上の位置における前記定盤間距離の最適値を算出する、計算部と、
前記回転定盤の水平面に対する傾きを変化させることにより、径方向内側の前記定盤間距離が径方向外側対比で小さくなる、又は、径方向内側の前記定盤間距離が径方向外側対比で大きくなるように制御することによって、前記定盤間距離を前記最適値に制御する、制御部と、を備えたことを特徴とする、ワークの両面研磨装置。 - 前記回転定盤の中心からの距離が異なる2点以上の位置は、少なくとも、前記回転定盤の径方向内側端部位置と、前記回転定盤の径方向外側端部位置と、を含む、請求項5に記載のワークの両面研磨装置。
- 前記ワークの平坦度は、GBIRを指標とした平坦度である、請求項5又は6に記載のワークの両面研磨装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021098146A JP7235071B2 (ja) | 2021-06-11 | 2021-06-11 | ワークの両面研磨方法及びワークの両面研磨装置 |
CN202280041773.7A CN117480031A (zh) | 2021-06-11 | 2022-05-12 | 工件的双面研磨方法及工件的双面研磨装置 |
PCT/JP2022/020108 WO2022259813A1 (ja) | 2021-06-11 | 2022-05-12 | ワークの両面研磨方法及びワークの両面研磨装置 |
DE112022003020.8T DE112022003020T5 (de) | 2021-06-11 | 2022-05-12 | Doppelseitiges polierverfahren für werkstücke und doppelseitige poliervorrichtung für werkstücke |
TW111120989A TWI818573B (zh) | 2021-06-11 | 2022-06-07 | 工件之雙面研磨方法以及工件之雙面研磨裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021098146A JP7235071B2 (ja) | 2021-06-11 | 2021-06-11 | ワークの両面研磨方法及びワークの両面研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022189524A JP2022189524A (ja) | 2022-12-22 |
JP7235071B2 true JP7235071B2 (ja) | 2023-03-08 |
Family
ID=84424877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021098146A Active JP7235071B2 (ja) | 2021-06-11 | 2021-06-11 | ワークの両面研磨方法及びワークの両面研磨装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7235071B2 (ja) |
CN (1) | CN117480031A (ja) |
DE (1) | DE112022003020T5 (ja) |
TW (1) | TWI818573B (ja) |
WO (1) | WO2022259813A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7473269B1 (ja) | 2023-12-01 | 2024-04-23 | スピードファム株式会社 | 両面研磨装置及び両面研磨方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020171996A (ja) | 2019-04-11 | 2020-10-22 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨方法 |
JP2020171997A (ja) | 2019-04-11 | 2020-10-22 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置 |
JP2021010952A (ja) | 2019-07-03 | 2021-02-04 | 東洋鋼鈑株式会社 | 両面研磨装置の制御システム、制御装置および基板の製造方法 |
CN112847124A (zh) | 2020-12-29 | 2021-05-28 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种自动修正双面抛光过程中的晶圆平坦度的方法和系统 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102089121B (zh) * | 2008-07-31 | 2015-04-08 | 信越半导体股份有限公司 | 芯片的研磨方法及双面研磨装置 |
KR101209271B1 (ko) * | 2009-08-21 | 2012-12-06 | 주식회사 엘지실트론 | 양면 연마 장치와 양면 연마 장치용 캐리어 |
DE112013003279B4 (de) * | 2012-06-25 | 2023-12-21 | Sumco Corporation | Verfahren und Vorrichtung für Polierarbeiten |
JP6197580B2 (ja) * | 2013-10-29 | 2017-09-20 | 株式会社Sumco | キャリアプレート及びワークの両面研磨装置 |
DE102017210423A1 (de) * | 2017-06-21 | 2018-12-27 | Siltronic Ag | Verfahren, Steuerungssystem und Anlage zum Bearbeiten einer Halbleiterscheibe sowie Halbleiterscheibe |
JP7010166B2 (ja) * | 2018-07-24 | 2022-01-26 | 株式会社Sumco | ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 |
JP7200898B2 (ja) * | 2019-09-27 | 2023-01-10 | 株式会社Sumco | ワークの両面研磨方法 |
-
2021
- 2021-06-11 JP JP2021098146A patent/JP7235071B2/ja active Active
-
2022
- 2022-05-12 CN CN202280041773.7A patent/CN117480031A/zh active Pending
- 2022-05-12 WO PCT/JP2022/020108 patent/WO2022259813A1/ja active Application Filing
- 2022-05-12 DE DE112022003020.8T patent/DE112022003020T5/de active Pending
- 2022-06-07 TW TW111120989A patent/TWI818573B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020171996A (ja) | 2019-04-11 | 2020-10-22 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨方法 |
JP2020171997A (ja) | 2019-04-11 | 2020-10-22 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置 |
JP2021010952A (ja) | 2019-07-03 | 2021-02-04 | 東洋鋼鈑株式会社 | 両面研磨装置の制御システム、制御装置および基板の製造方法 |
CN112847124A (zh) | 2020-12-29 | 2021-05-28 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种自动修正双面抛光过程中的晶圆平坦度的方法和系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202302272A (zh) | 2023-01-16 |
WO2022259813A1 (ja) | 2022-12-15 |
TWI818573B (zh) | 2023-10-11 |
JP2022189524A (ja) | 2022-12-22 |
DE112022003020T5 (de) | 2024-04-25 |
CN117480031A (zh) | 2024-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6490818B2 (ja) | ウエハー研磨装置及びこれを用いたウエハー研磨方法 | |
WO2022259813A1 (ja) | ワークの両面研磨方法及びワークの両面研磨装置 | |
JP5896884B2 (ja) | 両面研磨方法 | |
TWI446992B (zh) | 利用由彎曲資料的反饋之奈米形貌控制及最佳化 | |
CN103934747A (zh) | 玻璃基板的研磨方法及制造方法、以及研磨装置 | |
TWI520202B (zh) | 在一同步雙面晶圓研磨器中之流體靜力墊壓力調變 | |
TW202204090A (zh) | 基板處理控制系統、基板處理控制方法、以及程式 | |
JP6166383B2 (ja) | エピタキシャル後反りの予測および制御方法 | |
JP6765887B2 (ja) | 研磨装置 | |
CN101135557B (zh) | 管体的形状测定方法、管体的检查方法及制造方法和管体 | |
CN109304664B (zh) | 一种基片均匀抛光装置及其工作方法 | |
CN111993266B (zh) | 一种化学机械研磨方法及装置 | |
US9573241B2 (en) | Polishing apparatus and polishing method | |
JP7112142B2 (ja) | 平面部品の全アパーチャの決定性研磨のスイングアーム式研磨装置及びその方法 | |
CN111496665A (zh) | 一种化学机械抛光控制方法及控制系统 | |
KR102274886B1 (ko) | 웨이퍼의 양면 연마 방법 | |
TWI740606B (zh) | 工件的兩面研磨方法 | |
JP2019217595A (ja) | 研磨装置、研磨方法、及び研磨制御プログラム | |
KR20080090558A (ko) | 양면 웨이퍼 그라인더 및 가공물 나노토폴로지 평가 방법 | |
JP5699783B2 (ja) | ワークの研磨方法及び研磨装置 | |
CN106463343A (zh) | 用于均衡衬底堆栈的方法和装置 | |
JPH09193003A (ja) | 研磨装置 | |
US20220152774A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR101141075B1 (ko) | 웨이퍼 연마 장치 | |
JP7031491B2 (ja) | ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220726 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230206 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7235071 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |