JP2002100594A - 平面研磨方法および装置 - Google Patents
平面研磨方法および装置Info
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- JP2002100594A JP2002100594A JP2000288479A JP2000288479A JP2002100594A JP 2002100594 A JP2002100594 A JP 2002100594A JP 2000288479 A JP2000288479 A JP 2000288479A JP 2000288479 A JP2000288479 A JP 2000288479A JP 2002100594 A JP2002100594 A JP 2002100594A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハ研磨においてウエハ周辺部と、
ウエハ中央部の荷重分布を解消して、ウエハ周辺部の平
坦度を向上させること、並びに、両面ポリッシュ装置に
おいて研磨クロスの長寿命化を図る。 【解決手段】 両面ポリッシュ装置のキャリア１７のキ
ャリアギア部１７ｂの厚みをキャリアウエハ保持部１７
ａの厚みよりも薄くすることによって、半導体ウエハ周
辺部の平坦度を向上させると同時に、両面ポリッシュ装
置において研磨クロスの長寿命化を図ることを実現し
た。
ウエハ中央部の荷重分布を解消して、ウエハ周辺部の平
坦度を向上させること、並びに、両面ポリッシュ装置に
おいて研磨クロスの長寿命化を図る。 【解決手段】 両面ポリッシュ装置のキャリア１７のキ
ャリアギア部１７ｂの厚みをキャリアウエハ保持部１７
ａの厚みよりも薄くすることによって、半導体ウエハ周
辺部の平坦度を向上させると同時に、両面ポリッシュ装
置において研磨クロスの長寿命化を図ることを実現し
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ用半導体ウエ
ハ等の高精度研磨方法、並びに、そのような高精度研磨
を実現できるような両面研磨を行う両面ポリッシュ装
置、及び当該両面ポリッシュ装置においてウエハ周辺部
の平坦度を向上させる手法に関する。
ハ等の高精度研磨方法、並びに、そのような高精度研磨
を実現できるような両面研磨を行う両面ポリッシュ装
置、及び当該両面ポリッシュ装置においてウエハ周辺部
の平坦度を向上させる手法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエハ等の半導体ウエハは、そ
の最終工程において鏡面研磨が施されるが、そのための
ポリッシング加工を行うポリッシュ装置としては、半導
体ウエハを保持するキャリアを上下一対の研磨定盤の間
に挟む構成のものが多く採用されている。このキャリア
は例えば円盤状のもので、一般的にはキャリアウエハ保
持部とキャリアギア部とから成ると共に、半導体ウエハ
を格納して保持するための穴が設けられており、例えば
その外周でインターナルギア及びサンギアと噛合して自
転、公転できるよう構成されている。そして、このよう
なポリッシュ装置においては、半導体ウエハを保持した
キャリアを、スラリ液及び研磨クロスを介在させて、一
対の研磨定盤の間に挟み込み、この一対の定盤とキャリ
アとを相対運動させることによって半導体ウエハの研磨
を行う。
の最終工程において鏡面研磨が施されるが、そのための
ポリッシング加工を行うポリッシュ装置としては、半導
体ウエハを保持するキャリアを上下一対の研磨定盤の間
に挟む構成のものが多く採用されている。このキャリア
は例えば円盤状のもので、一般的にはキャリアウエハ保
持部とキャリアギア部とから成ると共に、半導体ウエハ
を格納して保持するための穴が設けられており、例えば
その外周でインターナルギア及びサンギアと噛合して自
転、公転できるよう構成されている。そして、このよう
なポリッシュ装置においては、半導体ウエハを保持した
キャリアを、スラリ液及び研磨クロスを介在させて、一
対の研磨定盤の間に挟み込み、この一対の定盤とキャリ
アとを相対運動させることによって半導体ウエハの研磨
を行う。
【０００３】このような装置を用いて加工を行う場合に
は、半導体ウエハについて十分な研磨を行うために、キ
ャリアの厚みや半導体ウエハの厚みを調整する必要があ
る。これに関し、ある従来技術によれば、キャリアの厚
みをＴ、半導体ウエハの厚みをｔ、半導体ウエハを保持
したキャリアを研磨定盤間に挟んだ際の研磨クロスの変
形量をｘとした場合に、加工速度を低下させないため
に、ｔ＞Ｔ＋２ｘというような関係を満たすように設定
が行われていた。
は、半導体ウエハについて十分な研磨を行うために、キ
ャリアの厚みや半導体ウエハの厚みを調整する必要があ
る。これに関し、ある従来技術によれば、キャリアの厚
みをＴ、半導体ウエハの厚みをｔ、半導体ウエハを保持
したキャリアを研磨定盤間に挟んだ際の研磨クロスの変
形量をｘとした場合に、加工速度を低下させないため
に、ｔ＞Ｔ＋２ｘというような関係を満たすように設定
が行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、キャリ
ア厚みと半導体ウエハ厚みについて、研磨クロスへの沈
み込む深さに対する関係として、上記の関係を満たすよ
うな条件で加工された半導体ウエハは、その中心厚さよ
りも外周の厚さのほうが薄くなるいわゆる面ダレ現象が
発生する。
ア厚みと半導体ウエハ厚みについて、研磨クロスへの沈
み込む深さに対する関係として、上記の関係を満たすよ
うな条件で加工された半導体ウエハは、その中心厚さよ
りも外周の厚さのほうが薄くなるいわゆる面ダレ現象が
発生する。
【０００５】そして、この問題を解決するために特開平
５‐１７７５３９号公報に係る発明では、通常の両面ポ
リッシュ装置によって半導体ウエハ両面を同時にポリッ
シング加工する半導体ウエハ研磨方法において、Ｔ−２
ｘ＜ｔ＜Ｔ＋２ｘの関係にて加工を行うことを提案して
いる。
５‐１７７５３９号公報に係る発明では、通常の両面ポ
リッシュ装置によって半導体ウエハ両面を同時にポリッ
シング加工する半導体ウエハ研磨方法において、Ｔ−２
ｘ＜ｔ＜Ｔ＋２ｘの関係にて加工を行うことを提案して
いる。
【０００６】しかし、上記従来の方法では、半導体ウエ
ハ両面の平滑度が未だに十分ではない。また、従来から
使用されているような遊星歯車機構を採用して両面研磨
を行う両面ポリッシュ装置では、研磨クロスの劣化が激
しく、研磨クロス寿命が短いという問題がある。
ハ両面の平滑度が未だに十分ではない。また、従来から
使用されているような遊星歯車機構を採用して両面研磨
を行う両面ポリッシュ装置では、研磨クロスの劣化が激
しく、研磨クロス寿命が短いという問題がある。
【０００７】本発明は以上のような課題に鑑みてなされ
たものであり、その目的は、半導体ウエハ研磨において
ウエハ周辺部と、ウエハ中央部の荷重分布を解消して、
ウエハ周辺部の平坦度を向上させること、並びに、両面
ポリッシュ装置において研磨クロスの長寿命化を図るこ
とができるようにすることにある。
たものであり、その目的は、半導体ウエハ研磨において
ウエハ周辺部と、ウエハ中央部の荷重分布を解消して、
ウエハ周辺部の平坦度を向上させること、並びに、両面
ポリッシュ装置において研磨クロスの長寿命化を図るこ
とができるようにすることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】以上のような目的を達成
するために、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、両面
ポリッシュ装置のキャリアのキャリアギア部の厚みをキ
ャリアウエハ保持部の厚みよりも薄くすることによっ
て、半導体ウエハ周辺部の平坦度を向上させると同時
に、両面ポリッシュ装置において研磨クロスの長寿命化
を図ることを実現し、本発明を完成するに至った。
するために、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、両面
ポリッシュ装置のキャリアのキャリアギア部の厚みをキ
ャリアウエハ保持部の厚みよりも薄くすることによっ
て、半導体ウエハ周辺部の平坦度を向上させると同時
に、両面ポリッシュ装置において研磨クロスの長寿命化
を図ることを実現し、本発明を完成するに至った。
【０００９】より具体的には、本発明は以下のようなも
のを提供する。
のを提供する。
【００１０】（１） 半導体ウエハのポリッシング加工
を行うポリッシュ装置のキャリアのキャリアギア部の厚
みを調整することによって、半導体ウエハ周辺部の平坦
度を調整する方法。
を行うポリッシュ装置のキャリアのキャリアギア部の厚
みを調整することによって、半導体ウエハ周辺部の平坦
度を調整する方法。
【００１１】（２） 半導体ウエハのポリッシング加工
を行うポリッシュ装置のキャリアのキャリアギア部の厚
みをキャリアウエハ保持部の厚みよりも薄くすることに
よって、半導体ウエハ周辺部の平坦度を向上させる方
法。
を行うポリッシュ装置のキャリアのキャリアギア部の厚
みをキャリアウエハ保持部の厚みよりも薄くすることに
よって、半導体ウエハ周辺部の平坦度を向上させる方
法。
【００１２】（３） 半導体ウエハを保持したキャリア
を、スラリ液及び研磨クロスを介在して、一対の研磨定
盤の間に挟み込み、前記一対の定盤と前記キャリアとを
相対運動させることによって前記キャリアに保持された
半導体ウエハの研磨を行うポリッシュ装置において半導
体ウエハ周辺部の平坦度を向上させる方法であって、前
記キャリアを構成するキャリアウエハ保持部とキャリア
ギア部の厚みについて、キャリアギア部の厚みをキャリ
アウエハ保持部の厚みよりも薄くし、かつ、半導体ウエ
ハの仕上り厚みをキャリアウエハ保持部の厚みとほぼ同
じに設定することによって、半導体ウエハ周辺部の平坦
度を向上させる方法。
を、スラリ液及び研磨クロスを介在して、一対の研磨定
盤の間に挟み込み、前記一対の定盤と前記キャリアとを
相対運動させることによって前記キャリアに保持された
半導体ウエハの研磨を行うポリッシュ装置において半導
体ウエハ周辺部の平坦度を向上させる方法であって、前
記キャリアを構成するキャリアウエハ保持部とキャリア
ギア部の厚みについて、キャリアギア部の厚みをキャリ
アウエハ保持部の厚みよりも薄くし、かつ、半導体ウエ
ハの仕上り厚みをキャリアウエハ保持部の厚みとほぼ同
じに設定することによって、半導体ウエハ周辺部の平坦
度を向上させる方法。
【００１３】（４） 前記キャリアを構成するキャリア
ウエハ保持部とキャリアギア部の厚みについて、「半導
体ウエハを保持したキャリアを、スラリ液及び研磨クロ
スを介在して、一対の研磨定盤の間に挟み込んだ状態」
で当該ウエハが研磨クロスに沈み込む深さを考慮して、
キャリアギア部の厚みをキャリアウエハ保持部の厚みよ
りも薄くすることを特徴とする（３）記載の方法。
ウエハ保持部とキャリアギア部の厚みについて、「半導
体ウエハを保持したキャリアを、スラリ液及び研磨クロ
スを介在して、一対の研磨定盤の間に挟み込んだ状態」
で当該ウエハが研磨クロスに沈み込む深さを考慮して、
キャリアギア部の厚みをキャリアウエハ保持部の厚みよ
りも薄くすることを特徴とする（３）記載の方法。
【００１４】（５） キャリアギア部の厚みと半導体ウ
エハの仕上り厚みとの差が、「半導体ウエハを保持した
キャリアを、スラリ液及び研磨クロスを介在して、一対
の研磨定盤の間に挟み込んだ状態」で当該ウエハが研磨
クロスに沈み込む深さの２倍以上であることを特徴とす
る（４）記載の方法。
エハの仕上り厚みとの差が、「半導体ウエハを保持した
キャリアを、スラリ液及び研磨クロスを介在して、一対
の研磨定盤の間に挟み込んだ状態」で当該ウエハが研磨
クロスに沈み込む深さの２倍以上であることを特徴とす
る（４）記載の方法。
【００１５】（６） キャリアギア部の厚みとキャリア
ウエハ保持部の厚みとの差が、「キャリアウエハ保持部
の厚みとほぼ同じ厚みの半導体ウエハを保持したキャリ
アを、スラリ液及び研磨クロスを介在して、一対の研磨
定盤の間に挟み込んだ状態」で当該半導体ウエハが研磨
クロスに沈み込む深さの２倍以上であることを特徴とす
る（４）または（５）記載の方法。
ウエハ保持部の厚みとの差が、「キャリアウエハ保持部
の厚みとほぼ同じ厚みの半導体ウエハを保持したキャリ
アを、スラリ液及び研磨クロスを介在して、一対の研磨
定盤の間に挟み込んだ状態」で当該半導体ウエハが研磨
クロスに沈み込む深さの２倍以上であることを特徴とす
る（４）または（５）記載の方法。
【００１６】（７） 前記半導体ウエハのポリッシング
加工を行うポリッシュ装置は、半導体ウエハの両面ポリ
ッシング加工を行う両面ポリッシュ装置である（１）か
ら（６）いずれか記載の方法。
加工を行うポリッシュ装置は、半導体ウエハの両面ポリ
ッシング加工を行う両面ポリッシュ装置である（１）か
ら（６）いずれか記載の方法。
【００１７】上記のような本発明によれば、キャリアウ
エハ保持部からの半導体ウエハの突出量が少ないことか
ら、半導体ウエハの周辺部にかかる過重が低減されるこ
ととなり、半導体ウエハ周辺部の平坦度が向上すること
になる。
エハ保持部からの半導体ウエハの突出量が少ないことか
ら、半導体ウエハの周辺部にかかる過重が低減されるこ
ととなり、半導体ウエハ周辺部の平坦度が向上すること
になる。
【００１８】ここにおいて、キャリアギア部の厚みがキ
ャリアウエハ保持部の厚みよりも薄く設定されているた
めに、キャリアウエハ保持部からの半導体ウエハの突出
量が少ないことに起因するウエハ研磨の不十分の心配を
回避することができると共に、キャリアギア部が研磨定
盤に不用意に接触して研磨クロスを傷つけてしまうとい
ったような事態を回避することができる。
ャリアウエハ保持部の厚みよりも薄く設定されているた
めに、キャリアウエハ保持部からの半導体ウエハの突出
量が少ないことに起因するウエハ研磨の不十分の心配を
回避することができると共に、キャリアギア部が研磨定
盤に不用意に接触して研磨クロスを傷つけてしまうとい
ったような事態を回避することができる。
【００１９】なお、「半導体ウエハが研磨クロスに沈み
込む深さ」というのは、上下一対の研磨定盤でキャリア
（ウエハ）を挟んだ場合に、ウエハの存在によって当該
ウエハが研磨クロスに沈み込んだ深さのことをいい、ウ
エハが研磨クロスに沈み込まないような場合は、これを
観念することはできない。
込む深さ」というのは、上下一対の研磨定盤でキャリア
（ウエハ）を挟んだ場合に、ウエハの存在によって当該
ウエハが研磨クロスに沈み込んだ深さのことをいい、ウ
エハが研磨クロスに沈み込まないような場合は、これを
観念することはできない。
【００２０】（８） ポリッシュ装置に送られる半導体
ウエハに対してラッピング、研磨、研削、エッチング等
の加工を施すウエハの平坦化装置に使用されるプログラ
ムであって、平坦化後の半導体ウエハの厚みをポリッシ
ュ装置のキャリアのキャリアウエハ保持部とほぼ同じに
設定するプログラムを格納しているコンピュータ読み取
り可能な記憶媒体。
ウエハに対してラッピング、研磨、研削、エッチング等
の加工を施すウエハの平坦化装置に使用されるプログラ
ムであって、平坦化後の半導体ウエハの厚みをポリッシ
ュ装置のキャリアのキャリアウエハ保持部とほぼ同じに
設定するプログラムを格納しているコンピュータ読み取
り可能な記憶媒体。
【００２１】（９） 前記ポリッシュ装置は、半導体ウ
エハの両面ポリッシング加工を行う両面ポリッシュ装置
である（８）記載の記憶媒体。
エハの両面ポリッシング加工を行う両面ポリッシュ装置
である（８）記載の記憶媒体。
【００２２】本発明に係るポリッシュ装置にかけられる
半導体ウエハの厚みは、キャリアウエハ保持部の厚みに
なるべく近いものであることが好ましい。
半導体ウエハの厚みは、キャリアウエハ保持部の厚みに
なるべく近いものであることが好ましい。
【００２３】上記のものは、本発明に係るポリッシュ装
置で研磨させるために、本発明に係るポリッシュ装置に
供給される半導体ウエハを製造する場合に、本発明に係
るポリッシュ装置での加工に適するように、本発明に係
るポリッシュ装置のキャリアウエハ保持部とほぼ同じ程
度になるまでに半導体ウエハを加工させるためのプログ
ラムについて権利化を図るためのものである。従って、
本明細書において「平坦化装置」というのは、本発明に
係るポリッシュ装置に提供される以前に、半導体ウエハ
の厚みを調整することができる能力を備える装置一般の
ことを意味し、例示のラッピング、研磨、研削、エッチ
ング等の加工を施すものには限られない。
置で研磨させるために、本発明に係るポリッシュ装置に
供給される半導体ウエハを製造する場合に、本発明に係
るポリッシュ装置での加工に適するように、本発明に係
るポリッシュ装置のキャリアウエハ保持部とほぼ同じ程
度になるまでに半導体ウエハを加工させるためのプログ
ラムについて権利化を図るためのものである。従って、
本明細書において「平坦化装置」というのは、本発明に
係るポリッシュ装置に提供される以前に、半導体ウエハ
の厚みを調整することができる能力を備える装置一般の
ことを意味し、例示のラッピング、研磨、研削、エッチ
ング等の加工を施すものには限られない。
【００２４】なお、記憶媒体は、装置内に内蔵されるも
のであると、外部に取り付けられるものであるとを問わ
ない。また、その形態も、ＦＤ、ＣＤ、ＭＤ、ＤＶＤ、
ＨＤＤ、その他半導体メモリ等のあらゆるものを使用す
ることができる。
のであると、外部に取り付けられるものであるとを問わ
ない。また、その形態も、ＦＤ、ＣＤ、ＭＤ、ＤＶＤ、
ＨＤＤ、その他半導体メモリ等のあらゆるものを使用す
ることができる。
【００２５】（１０） 半導体ウエハを保持したキャリ
アを、スラリ液及び研磨クロスを介在して、一対の研磨
定盤の間に挟み込み、前記一対の定盤と前記キャリアと
を相対運動させることによって前記キャリアに保持され
た半導体ウエハの研磨を行うポリッシュ装置であって、
前記キャリアに保持された半導体ウエハの厚みを計測す
る厚み計測装置を備え、前記キャリアのキャリアギア部
の厚みがキャリアウエハ保持部の厚みよりも薄いことを
特徴とする精密研磨用ポリッシュ装置。
アを、スラリ液及び研磨クロスを介在して、一対の研磨
定盤の間に挟み込み、前記一対の定盤と前記キャリアと
を相対運動させることによって前記キャリアに保持され
た半導体ウエハの研磨を行うポリッシュ装置であって、
前記キャリアに保持された半導体ウエハの厚みを計測す
る厚み計測装置を備え、前記キャリアのキャリアギア部
の厚みがキャリアウエハ保持部の厚みよりも薄いことを
特徴とする精密研磨用ポリッシュ装置。
【００２６】（１１） 前記ポリッシュ装置は、半導体
ウエハの両面ポリッシング加工を行う両面ポリッシュ装
置である（１０）記載の精密研磨用ポリッシュ装置。
ウエハの両面ポリッシング加工を行う両面ポリッシュ装
置である（１０）記載の精密研磨用ポリッシュ装置。
【００２７】なお、厚み計測装置としては、特願２００
０‐２５３０３２号に開示されている共焦点光学計測装
置を使用することができる。
０‐２５３０３２号に開示されている共焦点光学計測装
置を使用することができる。
【００２８】（１２） （１０）記載の精密研磨用ポリ
ッシュ装置により最終段階の研磨が行われたシリコンウ
エハ。
ッシュ装置により最終段階の研磨が行われたシリコンウ
エハ。
【００２９】（１３） （１１）記載の精密研磨用両面
ポリッシュ装置により最終段階の研磨が行われたシリコ
ンウエハ。
ポリッシュ装置により最終段階の研磨が行われたシリコ
ンウエハ。
【００３０】本発明に係る両面ポリッシュ装置は、ウエ
ハ周辺部での平坦度が高いために、今までの両面ポリッ
シュ装置よりも研磨の精度が高い精密研磨用のものとし
て観念することができる。また、本装置によって研磨さ
れた半導体ウエハ（特に、シリコンウエハ）は、今まで
の両面ポリッシュ装置によって研磨された半導体ウエハ
よりもウエハ周辺部での平坦度が高い。
ハ周辺部での平坦度が高いために、今までの両面ポリッ
シュ装置よりも研磨の精度が高い精密研磨用のものとし
て観念することができる。また、本装置によって研磨さ
れた半導体ウエハ（特に、シリコンウエハ）は、今まで
の両面ポリッシュ装置によって研磨された半導体ウエハ
よりもウエハ周辺部での平坦度が高い。
【００３１】（１４） （１０）記載の精密研磨用ポリ
ッシュ装置のキャリアに半導体ウエハを挟み込み、厚み
計測装置で半導体ウエハの厚みを監視しながら、半導体
ウエハの厚みとキャリアウエハ保持部との厚みの差が厚
みバラツキ許容量以下となるまで研磨することを特徴と
するウエハの両面研磨方法。
ッシュ装置のキャリアに半導体ウエハを挟み込み、厚み
計測装置で半導体ウエハの厚みを監視しながら、半導体
ウエハの厚みとキャリアウエハ保持部との厚みの差が厚
みバラツキ許容量以下となるまで研磨することを特徴と
するウエハの両面研磨方法。
【００３２】（１５） （１１）記載の精密研磨用両面
ポリッシュ装置のキャリアに半導体ウエハを挟み込み、
厚み計測装置で半導体ウエハの厚みを監視しながら、半
導体ウエハの厚みとキャリアウエハ保持部との厚みの差
が厚みバラツキ許容量以下となるまで研磨することを特
徴とするウエハの両面研磨方法。
ポリッシュ装置のキャリアに半導体ウエハを挟み込み、
厚み計測装置で半導体ウエハの厚みを監視しながら、半
導体ウエハの厚みとキャリアウエハ保持部との厚みの差
が厚みバラツキ許容量以下となるまで研磨することを特
徴とするウエハの両面研磨方法。
【００３３】本発明に係る方法及び装置は、枚葉式の研
磨にもバッチ式の研磨にも適用することができる。
磨にもバッチ式の研磨にも適用することができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】上記のような本発明をより具体的
に説明すると、以下のようになる。即ち、半導体ウエハ
の両面ポリッシング加工を行う両面ポリッシュ装置のキ
ャリアにおいて、そのギアの部分を他の部分と比較して
板厚を薄く構成するようにするのである。
に説明すると、以下のようになる。即ち、半導体ウエハ
の両面ポリッシング加工を行う両面ポリッシュ装置のキ
ャリアにおいて、そのギアの部分を他の部分と比較して
板厚を薄く構成するようにするのである。
【００３５】具体的には、キャリアのキャリアウエハ保
持部の厚さをＴ１、キャリアのギア部の厚さをＴ２、ウ
エハの仕上がり厚みをｔ、上下の研磨定盤の間にキャリ
アを挟んだときに、ウエハが各研磨クロスへ沈み込む深
さをＸ１、ウエハとキャリアの厚さがほぼ同じである場
合に研磨定盤の間にキャリアとウエハを挟んだときにキ
ャリアとウエハが各研磨クロスへ沈み込む深さをＸ２と
すると、本発明においてはまず第一に、以下の関係を満
たすようにキャリアのギア部の厚みを設定する。
持部の厚さをＴ１、キャリアのギア部の厚さをＴ２、ウ
エハの仕上がり厚みをｔ、上下の研磨定盤の間にキャリ
アを挟んだときに、ウエハが各研磨クロスへ沈み込む深
さをＸ１、ウエハとキャリアの厚さがほぼ同じである場
合に研磨定盤の間にキャリアとウエハを挟んだときにキ
ャリアとウエハが各研磨クロスへ沈み込む深さをＸ２と
すると、本発明においてはまず第一に、以下の関係を満
たすようにキャリアのギア部の厚みを設定する。
【００３６】 Ｔ２＜ｔ−２Ｘ１ かつ Ｔ２＜Ｔ１−２Ｘ２ ・・・（１）
【００３７】次に、キャリアウエハ保持部の厚みとウエ
ハ仕上がり厚みをほぼ同じ厚みにする。すなわち、本発
明においては第二に、以下の関係を満たすようにする。
ハ仕上がり厚みをほぼ同じ厚みにする。すなわち、本発
明においては第二に、以下の関係を満たすようにする。
【００３８】 Ｔ１−α≦ｔ≦Ｔ１＋α α：厚みバラツキ許容量 ・・・（２）
【００３９】このとき、キャリアのギア部の厚みは上記
の（１）式と異なり、以下のような関係となる。
の（１）式と異なり、以下のような関係となる。
【００４０】 Ｔ２＜ｔ−２Ｘ1 かつ Ｔ２＜Ｔ1−（２Ｘ2＋α） ・・・（１）’
【００４１】なお、α（厚みバラツキ許容量）は研磨ク
ロスの硬度、ポアソン比等の物性値、及び、研磨荷重、
研磨温度等の研磨条件によって異なるが、研磨クロスと
してロデ−ルニッタ製ＳＵＢＡ系クロス、研磨荷重を１
００〜３５０ｇ/ｃｍ２、研磨温度を１５〜６０℃とす
ると、α＜２０μｍで良好な結果が得られる。
ロスの硬度、ポアソン比等の物性値、及び、研磨荷重、
研磨温度等の研磨条件によって異なるが、研磨クロスと
してロデ−ルニッタ製ＳＵＢＡ系クロス、研磨荷重を１
００〜３５０ｇ/ｃｍ２、研磨温度を１５〜６０℃とす
ると、α＜２０μｍで良好な結果が得られる。
【００４２】［精密研磨用両面ポリッシュ装置］以下
に、厚み計測装置として好適な共焦点光学計測装置１
（特願２０００‐２５３０３２号）を備えた精密研磨用
両面ポリッシュ装置の実施形態について説明する。
に、厚み計測装置として好適な共焦点光学計測装置１
（特願２０００‐２５３０３２号）を備えた精密研磨用
両面ポリッシュ装置の実施形態について説明する。
【００４３】図１は、本発明に係る精密研磨用両面ポリ
ッシュ装置の実施形態を示したブロック図である。この
図１に示されるように、本発明に係る精密研磨用両面ポ
リッシュ装置においては、半導体ウエハ１３を保持する
キャリア１７を、上下一対の研磨定盤１０及び１８（１
０は上定盤、１８は下定盤）の間に挟み込み、この上下
研磨定盤１０及び１８に挟まれた状態で上下の定盤の少
なくとも一方が回転しながらキャリア１７の自転、公転
を行ってウエハ１３の研磨加工を行う。
ッシュ装置の実施形態を示したブロック図である。この
図１に示されるように、本発明に係る精密研磨用両面ポ
リッシュ装置においては、半導体ウエハ１３を保持する
キャリア１７を、上下一対の研磨定盤１０及び１８（１
０は上定盤、１８は下定盤）の間に挟み込み、この上下
研磨定盤１０及び１８に挟まれた状態で上下の定盤の少
なくとも一方が回転しながらキャリア１７の自転、公転
を行ってウエハ１３の研磨加工を行う。
【００４４】また、本発明に係る精密研磨用両面ポリッ
シュ装置においては、共焦点光学計測装置１が上定盤１
０に固定されており、観察窓１４を通して、「観察窓１
４とスラリ液１２の界面」、「ウエハ１３の表面」、並
びに「ウエハ１３の裏面」の３点の位置を計測する。赤
外光源２から出射した光３は、ハーフミラー４を透過
し、コリメートレンズ５で平行光になる。
シュ装置においては、共焦点光学計測装置１が上定盤１
０に固定されており、観察窓１４を通して、「観察窓１
４とスラリ液１２の界面」、「ウエハ１３の表面」、並
びに「ウエハ１３の裏面」の３点の位置を計測する。赤
外光源２から出射した光３は、ハーフミラー４を透過
し、コリメートレンズ５で平行光になる。
【００４５】ここで、対物レンズ６を上下させることで
計測スポット７を上下に振動させ、対物レンズ６の位置
に対応する赤外線受光器９の出力を計測する。計測スポ
ット７は観察窓１４とスラリ液１２の界面、ウエハ１３
の表面、および、ウエハ１３の裏面など、計測対象の屈
折率の異なる界面で強く反射するため、ちょうどそれら
の界面と計測スポット７が一致したところで反射光が検
出されることとなり、コリメートレンズ５と対物レンズ
６の間の距離に対する受光強度のピークの関係から、図
２に示されるように、ウエハ厚みやクロス厚みを計測す
ることができることとなる。
計測スポット７を上下に振動させ、対物レンズ６の位置
に対応する赤外線受光器９の出力を計測する。計測スポ
ット７は観察窓１４とスラリ液１２の界面、ウエハ１３
の表面、および、ウエハ１３の裏面など、計測対象の屈
折率の異なる界面で強く反射するため、ちょうどそれら
の界面と計測スポット７が一致したところで反射光が検
出されることとなり、コリメートレンズ５と対物レンズ
６の間の距離に対する受光強度のピークの関係から、図
２に示されるように、ウエハ厚みやクロス厚みを計測す
ることができることとなる。
【００４６】［キャリアの形状］図１に示される精密研
磨用両面ポリッシュ装置はバッチ式のものであり、これ
に使用されるキャリア１７は、図３に示されるように、
円盤状のものであって、キャリアウエハ保持部１７ａと
キャリアギア部１７ｂとから構成されており、キャリア
ウエハ保持部１７ａにはウエハ１３を格納して保持する
ための穴１７ｃが設けられている。このようなキャリア
１７は、図４に示されるように、その外周でインターナ
ルギア２１及びサンギア（太陽ギア）２３と噛合して自
転、公転する。一方、上下一対の研磨定盤１０及び１８
とウエハ１３の間にはそれぞれ研磨クロス１１が配置さ
れ、研磨クロス１１には充分なスラリ液が供給されるよ
うに構成されている。
磨用両面ポリッシュ装置はバッチ式のものであり、これ
に使用されるキャリア１７は、図３に示されるように、
円盤状のものであって、キャリアウエハ保持部１７ａと
キャリアギア部１７ｂとから構成されており、キャリア
ウエハ保持部１７ａにはウエハ１３を格納して保持する
ための穴１７ｃが設けられている。このようなキャリア
１７は、図４に示されるように、その外周でインターナ
ルギア２１及びサンギア（太陽ギア）２３と噛合して自
転、公転する。一方、上下一対の研磨定盤１０及び１８
とウエハ１３の間にはそれぞれ研磨クロス１１が配置さ
れ、研磨クロス１１には充分なスラリ液が供給されるよ
うに構成されている。
【００４７】ここで、図５は、本発明に係る精密研磨用
両面ポリッシュ装置に使用されるキャリア１７の構成を
示す図であり、図５（Ａ）は断面図、図５（Ｂ）は側面
図を示している。
両面ポリッシュ装置に使用されるキャリア１７の構成を
示す図であり、図５（Ａ）は断面図、図５（Ｂ）は側面
図を示している。
【００４８】この図５に示されるように、本発明に係る
精密研磨用両面ポリッシュ装置に使用されるキャリア１
７は、キャリアギア部１７ｂがキャリアウエハ保持部１
７ａよりも薄く設定されている。このようにすることに
よって、半導体ウエハ１３の周辺部の平坦度を向上させ
ると共に、研磨クロス１１の長寿命化を図ることができ
る。なお、この目的達成のために必要な条件（特に、キ
ャリアギア部１７ｂの厚みの条件）は既に述べた通りで
ある。
精密研磨用両面ポリッシュ装置に使用されるキャリア１
７は、キャリアギア部１７ｂがキャリアウエハ保持部１
７ａよりも薄く設定されている。このようにすることに
よって、半導体ウエハ１３の周辺部の平坦度を向上させ
ると共に、研磨クロス１１の長寿命化を図ることができ
る。なお、この目的達成のために必要な条件（特に、キ
ャリアギア部１７ｂの厚みの条件）は既に述べた通りで
ある。
【００４９】［枚葉式ポリッシュ装置とワックスレス片
面研磨］本発明は、バッチ式の両面ポリッシュ装置だけ
でなく、枚葉式の両面ポリッシュ装置についても適用す
ることができる。また、図６に示されるように、ワック
スレス片面研磨（水バリ研磨）の場合には、キャリア１
７の代わりにリテーナリング２５でウエハ１３を保持す
ると共に、研磨定盤１０及び１８の代わりに研磨ヘッド
２４を用い、研磨クロス１１にバッキングパッド２６を
用いて、このリテ−ナリング２５とウエハ１３の仕上が
りの厚みとの差を一定値以下にすることによってウエハ
１３の周辺部の平坦度を向上させることができる。
面研磨］本発明は、バッチ式の両面ポリッシュ装置だけ
でなく、枚葉式の両面ポリッシュ装置についても適用す
ることができる。また、図６に示されるように、ワック
スレス片面研磨（水バリ研磨）の場合には、キャリア１
７の代わりにリテーナリング２５でウエハ１３を保持す
ると共に、研磨定盤１０及び１８の代わりに研磨ヘッド
２４を用い、研磨クロス１１にバッキングパッド２６を
用いて、このリテ−ナリング２５とウエハ１３の仕上が
りの厚みとの差を一定値以下にすることによってウエハ
１３の周辺部の平坦度を向上させることができる。
【００５０】［ウエハの厚み測定］ウエハの厚み測定に
ついてより詳細に説明すると、本発明に係る精密研磨用
両面ポリッシュ装置は、図１に示されるように、共焦点
光学計測装置１が上定盤１０に固定され、観察窓１４を
通して、「観察窓１４とスラリ液１２の界面」、「ウエ
ハ１３の表面」、並びに「ウエハ１３の裏面」の３点の
位置を計測する。この場合において、共焦点光学計測装
置１は、波長１μｍから２μｍ間にスペクトルを持つ赤
外光源２を備える。これは、シリコンが1μｍ以下の波
長の光は透過しない一方で、ハーフミラー４、コリーメ
ートレンズ５、及び対物レンズ６に一般的に使われるガ
ラス材は２μｍ以上の波長の光を透過しない、という事
情によるものである。なお、赤外光源２としては、例え
ば１．３μｍあるいは１．５μｍの半導体レーザー光源
が好適である。
ついてより詳細に説明すると、本発明に係る精密研磨用
両面ポリッシュ装置は、図１に示されるように、共焦点
光学計測装置１が上定盤１０に固定され、観察窓１４を
通して、「観察窓１４とスラリ液１２の界面」、「ウエ
ハ１３の表面」、並びに「ウエハ１３の裏面」の３点の
位置を計測する。この場合において、共焦点光学計測装
置１は、波長１μｍから２μｍ間にスペクトルを持つ赤
外光源２を備える。これは、シリコンが1μｍ以下の波
長の光は透過しない一方で、ハーフミラー４、コリーメ
ートレンズ５、及び対物レンズ６に一般的に使われるガ
ラス材は２μｍ以上の波長の光を透過しない、という事
情によるものである。なお、赤外光源２としては、例え
ば１．３μｍあるいは１．５μｍの半導体レーザー光源
が好適である。
【００５１】この一方で、装置は、反射光を受光する側
の構成として、ハーフミラー４によって光路変更された
反射光が共焦点を形成する位置にピンホール８を配置
し、当該ピンホール８の向こう側に当該ピンホール８を
通過してきた反射光を受光する赤外線受光器（赤外線セ
ンサ）９を備え付けたものを有している。また、この装
置においては、対物レンズ６が上下方向に平行移動す
る。なお、対物レンズ６の上下移動手段は、例えば、同
様の共焦点光学計測装置であるキーエンス社ＬＴ８０１
０の音叉によるものなどが計測スピードの点で望まし
い。
の構成として、ハーフミラー４によって光路変更された
反射光が共焦点を形成する位置にピンホール８を配置
し、当該ピンホール８の向こう側に当該ピンホール８を
通過してきた反射光を受光する赤外線受光器（赤外線セ
ンサ）９を備え付けたものを有している。また、この装
置においては、対物レンズ６が上下方向に平行移動す
る。なお、対物レンズ６の上下移動手段は、例えば、同
様の共焦点光学計測装置であるキーエンス社ＬＴ８０１
０の音叉によるものなどが計測スピードの点で望まし
い。
【００５２】なお、装置の下定盤１８の中にはウオータ
ージャケット１６が配置されており、研磨時に発生する
熱の吸収を行うようにしている。
ージャケット１６が配置されており、研磨時に発生する
熱の吸収を行うようにしている。
【００５３】以上のような構成を備える本発明に係る精
密研磨用両面ポリッシュ装置によれば、赤外光源２から
出射した光３は、ハーフミラー４を透過し、コリメート
レンズ５で平行光になる。そして、対物レンズ６を上下
させることで計測スポット７を上下に振動させ、対物レ
ンズ６の位置に対応する赤外線受光器９の出力を計測す
る。
密研磨用両面ポリッシュ装置によれば、赤外光源２から
出射した光３は、ハーフミラー４を透過し、コリメート
レンズ５で平行光になる。そして、対物レンズ６を上下
させることで計測スポット７を上下に振動させ、対物レ
ンズ６の位置に対応する赤外線受光器９の出力を計測す
る。
【００５４】ここで、計測スポット７は、観察窓１４と
スラリ液１２の界面、ウエハ１３の表面、および、ウエ
ハ１３の裏面など、計測対象の屈折率の異なる界面で強
く反射するため、丁度それらの界面と計測スポット７が
一致したところで、反射光が対物レンズ６、コリメート
レンズ５を経由し、ハーフミラー４で反射して更にピン
ホール８を通過して、赤外線受光器９に受光される。言
い換えれば、共焦点光学系においては、計測スポット７
と界面が一致しない場合には、界面で反射した光はピン
ホール８で蹴られてしまうので、反射光は赤外線受光器
９に受光されない。従って、対物レンズ６を上下方向に
平行移動させた場合には、コリメートレンズ５と対物レ
ンズ６の間の距離に対応する赤外線受光器９の出力は図
２のようになる。
スラリ液１２の界面、ウエハ１３の表面、および、ウエ
ハ１３の裏面など、計測対象の屈折率の異なる界面で強
く反射するため、丁度それらの界面と計測スポット７が
一致したところで、反射光が対物レンズ６、コリメート
レンズ５を経由し、ハーフミラー４で反射して更にピン
ホール８を通過して、赤外線受光器９に受光される。言
い換えれば、共焦点光学系においては、計測スポット７
と界面が一致しない場合には、界面で反射した光はピン
ホール８で蹴られてしまうので、反射光は赤外線受光器
９に受光されない。従って、対物レンズ６を上下方向に
平行移動させた場合には、コリメートレンズ５と対物レ
ンズ６の間の距離に対応する赤外線受光器９の出力は図
２のようになる。
【００５５】このようにして得られた「観察窓１４とス
ラリ液１２の界面」、「ウエハ１３の表面」、並びに
「ウエハ１３の裏面位置」を基にしてウエハ１３の厚み
を計算するのであるが、その場合には、観察窓１４、ス
ラリ液１２、ウエハ１３の屈折率の影響と、観察窓１
４、スラリ液１２の厚みを考慮する必要がある。
ラリ液１２の界面」、「ウエハ１３の表面」、並びに
「ウエハ１３の裏面位置」を基にしてウエハ１３の厚み
を計算するのであるが、その場合には、観察窓１４、ス
ラリ液１２、ウエハ１３の屈折率の影響と、観察窓１
４、スラリ液１２の厚みを考慮する必要がある。
【００５６】
【実施例】［シミュレ−ションの結果］本発明において
は、キャリアウエハ保持部とウエハ１３の仕上がりの厚
み（研磨後の厚み）との差を一定量以下に設定する。
は、キャリアウエハ保持部とウエハ１３の仕上がりの厚
み（研磨後の厚み）との差を一定量以下に設定する。
【００５７】ここで、まず、図７は、キャリアとウエハ
との厚みの差が大きい場合の静的な荷重のかかりかたを
示したものである。この図７に示されるように、ウエハ
エッジ周辺部の荷重はウエハエッジ部で最大（ピ−ク値
をとる）となる一方で、研磨クロス１１のポアソン効果
により、エッジ部から３〜４ｍｍのところで荷重が小さ
くなるという現象が発生する。
との厚みの差が大きい場合の静的な荷重のかかりかたを
示したものである。この図７に示されるように、ウエハ
エッジ周辺部の荷重はウエハエッジ部で最大（ピ−ク値
をとる）となる一方で、研磨クロス１１のポアソン効果
により、エッジ部から３〜４ｍｍのところで荷重が小さ
くなるという現象が発生する。
【００５８】そして、シミュレ−ションの結果によれ
ば、ウエハが厚く、キャリアとウエハの厚み差が大きい
ような場合には、研磨クロスがキャリアに接触しない場
合のウエハ面上の荷重分布は「ウエハエッジ周辺部：ウ
エハ中心部＝約１：０.８８」となる。
ば、ウエハが厚く、キャリアとウエハの厚み差が大きい
ような場合には、研磨クロスがキャリアに接触しない場
合のウエハ面上の荷重分布は「ウエハエッジ周辺部：ウ
エハ中心部＝約１：０.８８」となる。
【００５９】これに対して、図８に示されるように、キ
ャリアとウエハの厚さがほぼ同じであるような場合に
は、ウエハ面上の荷重分布は「ウエハエッジ周辺部：ウ
エハ中心部＝約１：０.９６倍」となり、ウエハ周辺部
での荷重の変動が比較的小さくなることから、ウエハ周
辺部の平坦度を向上させることができるということが明
らかである。
ャリアとウエハの厚さがほぼ同じであるような場合に
は、ウエハ面上の荷重分布は「ウエハエッジ周辺部：ウ
エハ中心部＝約１：０.９６倍」となり、ウエハ周辺部
での荷重の変動が比較的小さくなることから、ウエハ周
辺部の平坦度を向上させることができるということが明
らかである。
【００６０】［研磨実験］次に、上記のシミュレ−ショ
ン結果を実証するため研磨実験を実施した。実施条件及
び研磨後のウエハ周辺部の平坦度（SFQR）は、書きの表
のとおりである。
ン結果を実証するため研磨実験を実施した。実施条件及
び研磨後のウエハ周辺部の平坦度（SFQR）は、書きの表
のとおりである。
【００６１】
【表１】
【００６２】上記の表から明らかなように、研磨後のウ
エハ厚み（ウエハの仕上り厚み）とキャリアウエハ保持
部厚みとの差（キャリア/ウエハ厚み差）が小さいほ
ど、研磨後のウエハ周辺部の平坦度（SFQR）が向上し
た。
エハ厚み（ウエハの仕上り厚み）とキャリアウエハ保持
部厚みとの差（キャリア/ウエハ厚み差）が小さいほ
ど、研磨後のウエハ周辺部の平坦度（SFQR）が向上し
た。
【００６３】また、研磨クロスの寿命は、従来比で約２
倍に延長された。これは、キャリアのギア部をウエハ保
持部よりも一定量以上薄くすることにより、研磨中にギ
アのエッジ部が研磨クロスに接触しなくなり、ギアによ
って研磨クロスが傷つくことがなくなり、研磨クロスの
劣化が防止できるためであると考えられる。
倍に延長された。これは、キャリアのギア部をウエハ保
持部よりも一定量以上薄くすることにより、研磨中にギ
アのエッジ部が研磨クロスに接触しなくなり、ギアによ
って研磨クロスが傷つくことがなくなり、研磨クロスの
劣化が防止できるためであると考えられる。
【００６４】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、半導体ウエハ研磨においてウエハ周辺部と、ウエハ
中央部の荷重分布を解消して、ウエハ周辺部の平坦度を
向上させること、並びに、両面ポリッシュ装置において
研磨クロスの長寿命化を図ることができるようになる。
ば、半導体ウエハ研磨においてウエハ周辺部と、ウエハ
中央部の荷重分布を解消して、ウエハ周辺部の平坦度を
向上させること、並びに、両面ポリッシュ装置において
研磨クロスの長寿命化を図ることができるようになる。
【図１】 本発明に係る精密研磨用両面ポリッシュ装置
の実施形態を示したブロック図である。
の実施形態を示したブロック図である。
【図２】 本発明に係る精密研磨用両面ポリッシュ装置
によるウエハ厚み測定の原理を説明するための図であ
る。
によるウエハ厚み測定の原理を説明するための図であ
る。
【図３】 キャリアの構成を説明するための上面図であ
る。
る。
【図４】 キャリアの機能を説明するための図である。
【図５】 本発明に係る精密研磨用両面ポリッシュ装置
に使用されるキャリア１７の構成を示す図であり、図５
（Ａ）は断面図、図５（Ｂ）は側面図を示している。
に使用されるキャリア１７の構成を示す図であり、図５
（Ａ）は断面図、図５（Ｂ）は側面図を示している。
【図６】 ワックスレス片面研磨（水バリ研磨）の場合
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図７】 キャリアとウエハとの厚みの差が大きい場合
の荷重のかかりかたを示した図である。
の荷重のかかりかたを示した図である。
【図８】 キャリアとウエハとの厚みの差がほぼ同じ場
合の荷重のかかりかたを示した図である。
合の荷重のかかりかたを示した図である。
１ 共焦点光学計測装置 ２ 赤外光源 ３ 光 ４ ハーフミラー ５ コリメートレンズ ６ 対物レンズ ７ 計測スポット ８ ピンホール ９ 赤外線受光器（赤外線センサ） １０ 研磨定盤（上定盤） １１ 研磨クロス １３ 半導体ウエハ １４ 観察窓 １６ ウオータージャケット １７ キャリア １７ａ キャリアウエハ保持部 １７ｂ キャリアギア部 １７ｃ 穴 １８ 研磨定盤（下定盤） ２１ インターナルギア ２３ サンギア（太陽ギア） ２４ 研磨ヘッド ２５ リテーナリング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北橋 正光 神奈川県平塚市万田1200番地 株式会社小 松製作所内 (72)発明者 菊池 雅男 神奈川県平塚市万田1200番地 株式会社小 松製作所内 Ｆターム(参考） 3C058 AA09 BA02 BA07 BC03 DA06 DA09 DA17
Claims (15)
- 【請求項１】 半導体ウエハのポリッシング加工を行う
ポリッシュ装置のキャリアのキャリアギア部の厚みを調
整することによって、半導体ウエハ周辺部の平坦度を調
整する方法。 - 【請求項２】 半導体ウエハのポリッシング加工を行う
ポリッシュ装置のキャリアのキャリアギア部の厚みをキ
ャリアウエハ保持部の厚みよりも薄くすることによっ
て、半導体ウエハ周辺部の平坦度を向上させる方法。 - 【請求項３】 半導体ウエハを保持したキャリアを、ス
ラリ液及び研磨クロスを介在して、一対の研磨定盤の間
に挟み込み、前記一対の定盤と前記キャリアとを相対運
動させることによって前記キャリアに保持された半導体
ウエハの研磨を行うポリッシュ装置において半導体ウエ
ハ周辺部の平坦度を向上させる方法であって、 前記キャリアを構成するキャリアウエハ保持部とキャリ
アギア部の厚みについて、キャリアギア部の厚みをキャ
リアウエハ保持部の厚みよりも薄くし、かつ、半導体ウ
エハの仕上り厚みをキャリアウエハ保持部の厚みとほぼ
同じに設定することによって、半導体ウエハ周辺部の平
坦度を向上させる方法。 - 【請求項４】 前記キャリアを構成するキャリアウエハ
保持部とキャリアギア部の厚みについて、「半導体ウエ
ハを保持したキャリアを、スラリ液及び研磨クロスを介
在して、一対の研磨定盤の間に挟み込んだ状態」で当該
ウエハが研磨クロスに沈み込む深さを考慮して、キャリ
アギア部の厚みをキャリアウエハ保持部の厚みよりも薄
くすることを特徴とする請求項３記載の方法。 - 【請求項５】 キャリアギア部の厚みと半導体ウエハの
仕上り厚みとの差が、「半導体ウエハを保持したキャリ
アを、スラリ液及び研磨クロスを介在して、一対の研磨
定盤の間に挟み込んだ状態」で当該ウエハが研磨クロス
に沈み込む深さの２倍以上であることを特徴とする請求
項４記載の方法。 - 【請求項６】 キャリアギア部の厚みとキャリアウエハ
保持部の厚みとの差が、「キャリアウエハ保持部の厚み
とほぼ同じ厚みの半導体ウエハを保持したキャリアを、
スラリ液及び研磨クロスを介在して、一対の研磨定盤の
間に挟み込んだ状態」で当該半導体ウエハが研磨クロス
に沈み込む深さの２倍以上であることを特徴とする請求
項４または５記載の方法。 - 【請求項７】 前記半導体ウエハのポリッシング加工を
行うポリッシュ装置は、半導体ウエハの両面ポリッシン
グ加工を行う両面ポリッシュ装置である請求項１から６
いずれか記載の方法。 - 【請求項８】 ポリッシュ装置に送られる半導体ウエハ
に対してラッピング、研磨、研削、エッチング等の加工
を施すウエハの平坦化装置に使用されるプログラムであ
って、平坦化後の半導体ウエハの厚みをポリッシュ装置
のキャリアのキャリアウエハ保持部とほぼ同じに設定す
るプログラムを格納しているコンピュータ読み取り可能
な記憶媒体。 - 【請求項９】 前記ポリッシュ装置は、半導体ウエハの
両面ポリッシング加工を行う両面ポリッシュ装置である
請求項８記載の記憶媒体。 - 【請求項１０】 半導体ウエハを保持したキャリアを、
スラリ液及び研磨クロスを介在して、一対の研磨定盤の
間に挟み込み、前記一対の定盤と前記キャリアとを相対
運動させることによって前記キャリアに保持された半導
体ウエハの研磨を行うポリッシュ装置であって、 前記キャリアに保持された半導体ウエハの厚みを計測す
る厚み計測装置を備え、 前記キャリアのキャリアギア部の厚みがキャリアウエハ
保持部の厚みよりも薄いことを特徴とする精密研磨用ポ
リッシュ装置。 - 【請求項１１】 前記ポリッシュ装置は、半導体ウエハ
の両面ポリッシング加工を行う両面ポリッシュ装置であ
る請求項１０記載の精密研磨用ポリッシュ装置。 - 【請求項１２】 請求項１０記載の精密研磨用ポリッシ
ュ装置により最終段階の研磨が行われたシリコンウエ
ハ。 - 【請求項１３】 請求項１１記載の精密研磨用両面ポリ
ッシュ装置により最終段階の研磨が行われたシリコンウ
エハ。 - 【請求項１４】 請求項１０記載の精密研磨用ポリッシ
ュ装置のキャリアに半導体ウエハを挟み込み、厚み計測
装置で半導体ウエハの厚みを監視しながら、半導体ウエ
ハの厚みとキャリアウエハ保持部との厚みの差が厚みバ
ラツキ許容量以下となるまで研磨することを特徴とする
ウエハの両面研磨方法。 - 【請求項１５】 請求項１１記載の精密研磨用両面ポリ
ッシュ装置のキャリアに半導体ウエハを挟み込み、厚み
計測装置で半導体ウエハの厚みを監視しながら、半導体
ウエハの厚みとキャリアウエハ保持部との厚みの差が厚
みバラツキ許容量以下となるまで研磨することを特徴と
するウエハの両面研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000288479A JP2002100594A (ja) | 2000-09-22 | 2000-09-22 | 平面研磨方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000288479A JP2002100594A (ja) | 2000-09-22 | 2000-09-22 | 平面研磨方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002100594A true JP2002100594A (ja) | 2002-04-05 |
Family
ID=18772060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000288479A Withdrawn JP2002100594A (ja) | 2000-09-22 | 2000-09-22 | 平面研磨方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002100594A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2000
- 2000-09-22 JP JP2000288479A patent/JP2002100594A/ja not_active Withdrawn
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