WO2015097947A1 - ワークの両面研磨装置 - Google Patents

ワークの両面研磨装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2015097947A1
WO2015097947A1 PCT/JP2014/004780 JP2014004780W WO2015097947A1 WO 2015097947 A1 WO2015097947 A1 WO 2015097947A1 JP 2014004780 W JP2014004780 W JP 2014004780W WO 2015097947 A1 WO2015097947 A1 WO 2015097947A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
surface plate
hole
workpiece
diameter
double
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/004780
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
三浦　友紀
俊介 御厨
Original Assignee
株式会社Sumco
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社Sumco filed Critical 株式会社Sumco
Priority to CN201480070371.5A priority Critical patent/CN106061681B/zh
Publication of WO2015097947A1 publication Critical patent/WO2015097947A1/ja

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/28—Work carriers for double side lapping of plane surfaces

Definitions

  • the present invention relates to a double-side polishing apparatus for workpieces.
  • Patent Document 1 In contrast to this, in Patent Document 1, for example, as shown in FIG. A double-side polishing apparatus provided with a polishing cloth 94 having a hole 93 having a diameter larger than 92 and a window member 95 having a diameter larger than the hole 92 and smaller than the hole 93 of the polishing cloth 94 and thinner than the polishing cloth 94.
  • the thickness of the wafer W can be measured from the hole 92 in real time during polishing using a measurement mechanism (not shown).
  • the polishing slurry jumps and contacts the adhesive layer 96 during polishing, and the adhesive layer 96 is eluted into the polishing slurry to reduce the adhesive force or peel off the window material 95 and peel off.
  • the window member 95 comes into contact with the wafer W, the wafer W may be scratched or contaminated, and the wafer quality may be deteriorated.
  • the polishing slurry enters the hole 92, and the polishing slurry adheres to the inner wall of the surface plate 91 partitioned by the hole 92, or If the fixed polishing slurry is peeled off, the wafer W may be scratched, such as scratches. Therefore, there is a concern that the wafer quality may deteriorate.
  • the present invention is intended to solve the above problem, and provides a double-side polishing apparatus for a workpiece that can measure the thickness of the workpiece in real time and prevent the workpiece from being contaminated or scratched.
  • the purpose is to provide.
  • the gist configuration of the present invention is as follows.
  • the workpiece double-side polishing apparatus of the present invention includes a rotating surface plate having an upper surface plate and a lower surface plate, a sun gear provided at the center of the rotating surface plate, and an internal gear provided at the outer peripheral portion of the rotating surface plate.
  • a carrier plate provided between the upper surface plate and the lower surface plate and provided with one or more holding holes for holding a workpiece, and a lower surface of the upper surface plate and an upper surface of the lower surface plate A polishing pad on which a polishing pad is respectively attached, wherein the upper surface plate or the lower surface plate has one or more holes penetrating from the upper surface to the lower surface of the upper surface plate or the lower surface plate.
  • the polishing pad has a hole provided at a position corresponding to the hole, and can measure the thickness of the workpiece in real time from the one or more holes and holes during double-side polishing of the workpiece.
  • a thickness measuring instrument is further provided and defined by the hole.
  • a recess is provided at the bottom of the side wall of the upper platen or the top of the side wall of the lower platen defined by the hole, and the window has a diameter larger than the diameter of the hole and the hole.
  • the window material was fixed to an upper side surface defined by the recess provided in the upper surface plate or a lower side surface defined by the recess provided in the lower surface plate via an adhesive layer. It is characterized by.
  • the diameter of the window material is equal to the diameter of the hollow portion formed by the recess and the hole.
  • the height of the recess is preferably equal to the sum of the thickness of the window material and the thickness of the adhesive layer.
  • a double-side polishing apparatus for a workpiece that can measure the thickness of the workpiece in real time and can prevent the workpiece from being contaminated or scratched.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a double-side polishing apparatus for a workpiece according to an embodiment of the present invention.
  • the double-side polishing apparatus 1 includes a rotating surface plate 4 having an upper surface plate 2 and a lower surface plate 3 facing the upper surface plate 2, a sun gear 5 provided at the rotation center of the rotating surface plate 4, An internal gear 6 provided in an annular shape is provided on the outer periphery of the surface plate 4.
  • a polishing pad 7 is attached to the opposing surfaces of the upper and lower rotating surface plates 4, that is, the lower surface side that is the polishing surface of the upper surface plate 2 and the upper surface side that is the polishing surface of the lower surface plate 3. It is clothed.
  • this apparatus 1 is provided between an upper surface plate 2 and a lower surface plate 3, and has one or more holding holes 8 for holding a workpiece, and is one carrier plate in the illustrated example. 9 is provided.
  • the apparatus 1 includes only one carrier plate 9, but may include a plurality of carrier plates 9.
  • a workpiece (wafer in this embodiment) W is held in the holding hole 8.
  • the device 1 can cause the carrier plate 9 to perform a planetary motion of revolution and rotation by rotating the sun gear 5 and the internal gear 6. That is, while supplying the polishing slurry, the carrier plate 9 is caused to make a planetary movement, and at the same time, the upper surface plate 2 and the lower surface plate 3 are rotated relative to the carrier plate 9, so that the upper and lower surface plates 4 are attached.
  • the both surfaces of the wafer W can be simultaneously polished by sliding the polishing pad 7 and both surfaces of the wafer W held in the holding holes 8 of the carrier plate 9.
  • the upper surface plate 2 has one or more (one in the illustrated example) holes 10 penetrating from the upper surface to the lower surface of the upper surface plate 2. Further, the polishing pad 7 is provided with a hole 11 at a position corresponding to the hole 10. In this example, the diameter d1 of the hole 10 and the diameter d3 of the hole 11 are equal.
  • a workpiece thickness measuring device 12 is provided above the hole 10, and the thickness of the wafer W can be measured from the hole 10 and the hole 11 in real time during double-side polishing of the wafer W.
  • the workpiece thickness measuring instrument 12 can be, for example, a variable wavelength infrared laser measuring instrument. According to such a measuring instrument, the thickness of the wafer W can be measured by evaluating the interference between the reflected light on the front surface of the wafer W and the reflected light on the back surface.
  • FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing a main part of the double-side polishing apparatus 1 for a workpiece according to the embodiment shown in FIG.
  • a recess 13 is provided at the bottom 2 b of the side wall 2 a of the upper surface plate 2 defined by the hole 10 (that is, the corner on the bottom side of the side wall 2 a).
  • the concave portion 13 is a hollow portion having a shape in which the bottom portion 2b is hollowed out in an annular shape.
  • a window member 14 having a diameter d2 larger than the diameter d1 of the hole 10 and the diameter d3 of the hole 11 is disposed in the recess 13.
  • the window member 14 has a disk shape and is made of a material that transmits light, such as plastic.
  • the diameter d2 of the window member 14 is the same as the diameter of the hollow portion formed by the recess 13 and the hole 10, and the window member 14 is fitted in the recess 13 in the radial direction.
  • the window member 14 is fixed to the upper side surface 16 defined by the concave portion 13 provided in the upper surface plate 2 via the adhesive layer 15.
  • the height h of the concave portion 13 is equal to the sum of the thickness t1 of the window material 14 and the thickness t2 of the adhesive layer 15, and the concave portion 13 is formed by the window material 14 (part thereof) and the adhesive layer 15.
  • the structure is perfectly filled. Therefore, in this embodiment, the end portion of the window member 14 is placed on the polishing pad 7.
  • the height h of the recess 13 can be made larger than the sum of the thickness t1 of the window member 14 and the thickness t2 of the adhesive layer 15, and in this case, the polishing pad 7 and the window member 14 are in this case.
  • the adhesive layer 15 is not particularly limited as long as it can fix the window member 14 to the upper side surface 16.
  • a double-sided tape or the like can be used.
  • the effect of the double-side polishing apparatus for workpieces of this embodiment will be described.
  • the workpiece thickness measuring instrument is used during double-side polishing of the wafer W. 12, the thickness of the wafer W can be measured in real time through the window member 14 that transmits light from the hole 10 and the hole 11.
  • the window material 14 having a diameter d2 larger than the diameter d1 of the hole 10 and the diameter d3 of the hole 11 is disposed in the recess 13, and the adhesive layer 15 has the diameter d2. Since the large window material 14 is positioned on the opposite side of the polishing surface, the window material 14 prevents the polishing slurry from entering the adhesive layer 15 during polishing. Therefore, there is no risk of elution of the adhesive layer 15 into the polishing slurry or peeling of the window material 14 due to a decrease in adhesive force.
  • the recess 13 is provided at the bottom 2b of the side wall 2a of the upper surface plate 2 defined by the hole 10, and has a structure in which a window member 14 having a large diameter d2 is disposed in the recess 13. Contact between the side wall 2 a and the polishing slurry is also prevented, and there is no possibility that the polishing slurry adheres to the side wall 2 a defined by the holes 10. Further, since the diameter d2 of the window material 14 is larger than the diameter d3 of the hole 11, even if the window material 14 may be peeled off, the window material 14 remains placed on the polishing pad 7, The window material 14 does not come into contact with the wafer W, and there is no possibility that the wafer W is stained or scratched.
  • the thickness of the wafer W can be measured in real time, and contamination or scratches can be prevented from being applied to the wafer W. High quality wafers can be provided.
  • the diameter d2 of the window member 14 is preferably equal to the diameter of the hollow portion formed by the recess 13 and the hole 10. This is because by arranging the window member 14 without a gap, the contact between the polishing slurry, the adhesive layer 15 and the side wall 2a can be further suppressed, and the window member 14 is more stably fixed.
  • the height h of the recess 13 is preferably equal to the sum of the thickness t1 of the window member 14 and the thickness t2 of the adhesive layer 15.
  • the diameter d1 of the hole 10 and the diameter d3 of the hole 11 may be secured to such a size that the thickness of the wafer W can be measured by the workpiece thickness measuring device 12 through the hole 10 and the hole 11.
  • the thickness of the wafer W be measured to a minimum size that can be measured by the workpiece thickness measuring device 12 in order to avoid a decrease in the polishing rate.
  • the diameter d1 of the hole 10 and the diameter d3 of the hole 11 are preferably the same size, but may be different sizes. In this case, the diameter d3 of the hole 11 is larger than the diameter d1 of the hole 10. Can also be reduced.
  • the diameter d2 of the window material is larger than the diameter d1 of the hole 10 and the diameter d3 of the hole 11, but specifically, although not particularly limited, for example, the diameter d2 is changed to the diameter d1. Further, it is preferable to make the diameter d3 2 mm or more larger than the diameter d3 in order to secure the width of the adhesive layer 15 and to easily fix the window member 14 to the upper side surface 16.
  • the upper platen 2 is provided with the hole 10 and the polishing pad 7 attached to the upper platen 2 is provided with the hole 11, but the lower platen 3 is provided with the hole 10 and the lower platen is provided.
  • a hole 11 may be provided in the polishing pad 7 affixed to 3.
  • a recess 13 is provided on the top of the side wall 2a of the lower surface plate 2, and a window material 14 having a diameter larger than the diameter of the hole 10 and the diameter of the hole 11 is disposed in the recess 13, and the window material 14 is attached to the adhesive layer.
  • the workpiece thickness measuring device 12 can be provided at a position corresponding to each hole 10.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

　本発明のワークの両面研磨装置は、上定盤及び下定盤を有する回転定盤と、サンギアと、インターナルギアと、ワークを保持する１つ以上の保持孔が設けられたキャリアプレートと、を備え、前記上定盤の下面及び前記下定盤の上面に研磨パッドがそれぞれ貼布され、前記上定盤又は前記下定盤は、該上定盤又は該下定盤の上面から下面まで貫通した１つ以上の孔を有し、前記研磨パッドは、前記孔に対応する位置に穴が設けられ、前記ワークの両面研磨中に、前記ワークの厚さを前記１つ以上の孔及び穴からリアルタイムで計測可能な、ワーク厚み計測器をさらに備え、前記孔により区画される前記上定盤の側壁の底部、又は、前記孔により区画される前記下定盤の側壁の頂部に凹部が設けられ、前記凹部に、径が前記孔の径及び前記穴の径より大きい窓材を配置し、前記窓材は、接着層を介して、前記上定盤に設けた前記凹部により区画される上側面又は前記下定盤に設けた前記凹部により区画される下側面に固着されたことを特徴とする。

Description

ワークの両面研磨装置
　本発明は、ワークの両面研磨装置に関するものである。
　研磨に供するワークの典型例であるシリコンウェーハなどの半導体ウェーハの製造において、より高精度なウェーハの平坦度品質や表面粗さ品質を得るために、ウェーハの表裏面を同時に研磨する両面研磨工程が一般的に採用されている。
　特に近年、半導体素子の微細化と半導体ウェーハの大口径化により、露光時における半導体ウェーハの平坦度要求が厳しくなってきているという背景から、適切なタイミングで研磨を終了させることが重要であり、作業者が研磨時間を調整することにより、それを制御していた。
　ところが、作業者による研磨時間の調整では、研磨副資材の交換時期や、装置の停止のタイミングのずれなど、研磨環境による影響を大きく受けてしまい、研磨量を必ずしも正確に制御できず、結局作業者の経験に頼るところが大きかった。
　これに対し、例えば特許文献１では、図３に示すように、上定盤９１（又は下定盤）に孔９２が設けられ、上下定盤９１の研磨面には孔９２に対応する位置に孔９２より径の大きい穴９３の開いた研磨布９４と、孔９２より径が大きく研磨布９４の穴９３より径が小さく研磨布９４より厚さの薄い窓材９５とが設けられた両面研磨装置が提案されている。
　この両面研磨装置では、測定機構（図示せず）を用いて、孔９２からウェーハＷの厚さを研磨中にリアルタイムで測定することができる。
特許４６５４２７５号公報
　しかしながら、特許文献１の両面研磨装置では、研磨中に研磨スラリーが飛び跳ねて接着層９６に接触し、接着層９６を研磨スラリーに溶出させて、接着力を低下又は窓材９５を剥離させ、剥がれた窓材９５がウェーハＷと接触することによりウェーハＷに傷や汚染等を付けてしまい、ウェーハ品質を劣化させてしまうおそれがあった。
　一方で、窓材９５を付けずに孔９２からウェーハ厚さを測定する手法では、研磨スラリーが孔９２まで侵入し、孔９２により区画される定盤９１の内壁に研磨スラリーが固着し、あるいは、固着した研磨スラリーが剥離することにより、ウェーハＷにスクラッチ等の傷を付けるおそれがあり、従って、ウェーハ品質の低下が懸念される。そして、これらのことは、ウェーハのみならず、円盤状のワークの両面研磨一般に生じうる問題である。
　本発明は、上記の問題を解決しようとするものであり、ワークの厚さをリアルタイムで計測可能であり、ワークに汚染や傷等が付くのを防止することのできる、ワークの両面研磨装置を提供することを目的とする。
　本発明の要旨構成は、以下の通りである。
　本発明のワークの両面研磨装置は、上定盤及び下定盤を有する回転定盤と、前記回転定盤の中心部に設けられたサンギアと、前記回転定盤の外周部に設けられたインターナルギアと、前記上定盤と前記下定盤との間に設けられ、ワークを保持する１つ以上の保持孔が設けられたキャリアプレートと、を備え、前記上定盤の下面及び前記下定盤の上面に研磨パッドがそれぞれ貼布された、ワークの両面研磨装置であって、前記上定盤又は前記下定盤は、該上定盤又は該下定盤の上面から下面まで貫通した１つ以上の孔を有し、前記研磨パッドは、前記孔に対応する位置に穴が設けられ、前記ワークの両面研磨中に、前記ワークの厚さを前記１つ以上の孔及び穴からリアルタイムで計測可能な、ワーク厚み計測器をさらに備え、前記孔により区画される前記上定盤の側壁の底部、又は、前記孔により区画される前記下定盤の側壁の頂部に凹部が設けられ、前記凹部に、径が前記孔の径及び前記穴の径より大きい窓材を配置し、前記窓材は、接着層を介して、前記上定盤に設けた前記凹部により区画される上側面又は前記下定盤に設けた前記凹部により区画される下側面に固着されたことを特徴とする。
　また、本発明のワークの両面研磨装置においては、前記窓材の径は、前記凹部と前記孔とがなす空洞部分の径に等しいことが好ましい。
　さらに、本発明のワークの両面研磨装置では、前記凹部の高さは、前記窓材の厚さと前記接着層の厚さとの和に等しいことが好ましい。
　本発明によれば、ワークの厚さをリアルタイムで計測可能であり、ワークに汚染や傷等が付くのを防止することのできる、ワークの両面研磨装置を提供することができる。
本発明の一実施形態にかかるワークの両面研磨装置の断面図である。 本発明の一実施形態にかかるワークの両面研磨装置の要部を示す部分断面図である。 従来のワークの両面研磨装置の要部を示す部分断面図である。
　以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に例示説明する。
　図１は、本発明の一実施形態にかかるワークの両面研磨装置の断面図である。図１に示すように、この両面研磨装置１は、上定盤２及びそれに対向する下定盤３を有する回転定盤４と、回転定盤４の回転中心部に設けられたサンギア５と、回転定盤４の外周部に円環状に設けられたインターナルギア６とを備えている。図１に示すように、上下の回転定盤４の対向面、すなわち、上定盤２の研磨面である下面側及び下定盤３の研磨面である上面側には、それぞれ研磨パッド７が貼布されている。
　また、図１に示すように、この装置１は、上定盤２と下定盤３との間に設けられ、ワークを保持する１つ以上の保持孔８を有する、図示例で１つのキャリアプレート９を備えている。なお、図示例では、この装置１は、キャリアプレート９を１つのみ有しているが、複数のキャリアプレート９を有していても良い。図示例では、保持孔８にワーク（本実施形態ではウェーハ）Ｗが保持されている。
　ここで、この装置１は、サンギア５とインターナルギア６とを回転させることにより、キャリアプレート９に、公転運動及び自転運動の遊星運動をさせることができる。すなわち、研磨スラリーを供給しながら、キャリアプレート９を遊星運動させ、同時に上定盤２及び下定盤３をキャリアプレート９に対して相対的に回転させることにより、上下の回転定盤４に貼布した研磨パッド７とキャリアプレート９の保持孔８に保持したウェーハＷの両面とを摺動させてウェーハＷの両面を同時に研磨することができる。
　さて、図１に示すように、上定盤２は、該上定盤２の上面から下面まで貫通した１つ以上（図示例では１つ）の孔１０を有している。また、研磨パッド７には、孔１０に対応する位置に穴１１が設けられている。この例では、孔１０の径ｄ１と穴１１の径ｄ３は等しい。そして、この孔１０の上方には、ワーク厚み計測器１２を備えており、ウェーハＷの両面研磨中に、ウェーハＷの厚さを孔１０及び穴１１からリアルタイムで計測可能である。なお、ワーク厚み計測器１２は、例えば、波長可変型の赤外線レーザ計測器とすることができる。このような計測器によれば、ウェーハＷの表面での反射光と裏面での反射光との干渉を評価して、ウェーハＷの厚さを計測することができる。
　ここで、図２は、図１に示す実施形態にかかるワークの両面研磨装置１の要部を示す部分断面図である。図１、図２に示すように、孔１０により区画される上定盤２の側壁２ａの底部２ｂ（すなわち、側壁２ａの底面側の角部）には、凹部１３が設けられている。
　この実施形態では、凹部１３は、底部２ｂを円環状にくり抜いた形状をした空洞部分である。
　そして、図１、２に示すように、凹部１３には、径ｄ２が、孔１０の径ｄ１及び穴１１の径ｄ３より大きい窓材１４が配置されている。図示例では、窓材１４は、円盤状の形状であり、例えばプラスチックといった、光を透過させる材料でできている。
　また、この例では、窓材１４の径ｄ２は、凹部１３及び孔１０がなす空洞部分の径と同一であり、窓材１４は、その径方向において凹部１３にぴったりと嵌まっている。
　さらに、窓材１４は、接着層１５を介して、上定盤２に設けた凹部１３により区画される上側面１６に固着されている。
　図示例では、凹部１３の高さｈが、窓材１４の厚さｔ１と接着層１５の厚さｔ２との和に等しく、上記窓材１４（の一部分）及び接着層１５により、凹部１３がぴったりと埋められている構成となっている。従って、この実施形態では、窓材１４の端部が研磨パッド７の上に載置された構成となっている。
　なお、本発明では、凹部１３の高さｈは、窓材１４の厚さｔ１と接着層１５の厚さｔ２との和より大きくすることもでき、この場合は、研磨パッド７と窓材１４との間に隙間が生じる構成となる。
　ここで、接着層１５は、窓材１４を上側面１６に固着させることができるものであれば良く、特には限定しないが、例えば、両面テープなどを用いることができる。
　以下、本実施形態のワークの両面研磨装置の作用効果について説明する。
　本実施形態のワークの両面研磨装置１によれば、まず、上定盤２に孔１０を設け、研磨パッド７に穴１１を設けているため、ウェーハＷの両面研磨中に、ワーク厚み計測器１２により、孔１０及び穴１１から光を透過させる窓材１４を介して、ウェーハＷの厚さをリアルタイムで計測可能である。
　そして、本実施形態のワークの両面研磨装置１では、径ｄ２が孔１０の径ｄ１及び穴１１の径ｄ３より大きい窓材１４を凹部１３に配置しており、接着層１５は、その径ｄ２の大きい窓材１４を挟んで研磨面とは反対側に位置しているため、研磨中に研磨スラリーが接着層１５まで入り込むのを窓材１４により阻止される構造となっており、接着層１５と研磨スラリーとの接触がなく、従って、接着層１５の研磨スラリーへの溶出や接着力の低下による窓材１４の剥離等のおそれがない。
　さらに、凹部１３は、孔１０により区画される上定盤２の側壁２ａの底部２ｂにおいて設けられており、その凹部１３に径ｄ２の大きい窓材１４が配置された構造になっているため、側壁２ａと研磨スラリーとの接触も防止され、研磨スラリーが孔１０により区画される側壁２ａに固着するおそれもない。
　また、窓材１４の径ｄ２は、穴１１の径ｄ３より大きいため、仮に窓材１４が剥がれるようなことがあっても、窓材１４は研磨パッド７の上に載置されたままであり、窓材１４がウェーハＷと接触することはなく、ウェーハＷに汚れや傷を付けるおそれがない。
　特に、この実施形態では、凹部１３に窓材１４（の一部分）及び接着層１５がぴったりと埋められるように各要素の寸法が決められているため、重力や研磨中の遠心力等に対しても窓材１４が周囲の構成要素に支えられてより安定的となり、接着層１５の剥離がさらに抑制される。
　このように、本実施形態のワークの両面研磨装置１によれば、ウェーハＷの厚さをリアルタイムで計測可能であり、且つ、ウェーハＷに汚染や傷等が付くのを防止することができ、高品質のウェーハを提供することができる。
　ここで、本発明にあっては、上述したように、窓材１４の径ｄ２は、凹部１３と孔１０とがなす空洞部分の径に等しいことが好ましい。隙間なく窓材１４を配置することにより、より一層、研磨スラリーと接着層１５及び側壁２ａとの接触を抑制することができ、また、窓材１４がより安定的に固定されるからである。
　また、本発明にあっては、図２に示すように、凹部１３の高さｈは、窓材１４の厚さｔ１と接着層１５の厚さｔ２との和に等しいことが好ましい。隙間なく窓材１４を配置することにより、凹部１３により区画される回転定盤４の側壁にも研磨スラリーが接触しないようにすることができ、また、窓材１４が研磨パッド７に接することで窓材１４がより安定的に配置されることになるからでる。
　ここで、孔１０の径ｄ１及び穴１１の径ｄ３は、この孔１０及び穴１１を介してワーク厚み計測器１２によりウェーハＷの厚さを計測可能な程度の大きさを確保すればよい。特に、孔１０及び穴１１を複数設ける場合には、研磨レートの低下を避けるため、ワーク厚み計測器１２によりウェーハＷの厚さを計測可能な最小限の大きさとすることが好ましい。
　なお、孔１０の径ｄ１と穴１１の径ｄ３は、同じ大きさとすることが好ましいが、異なる大きさとすることもでき、この場合、穴１１の径ｄ３を孔１０の径ｄ１より大きくすることも小さくすることもできる。
　また、窓材の径ｄ２は、上述したように、孔１０の径ｄ１及び穴１１の径ｄ３より大きいものであるが、具体的には、特には限定しないが、例えば、径ｄ２を径ｄ１及び径ｄ３より２ｍｍ以上大きくすることが、接着層１５の幅を確保して窓材１４を上側面１６に固着させやすくするのに好ましい。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に何ら限定されるものではない。例えば、上記の実施形態では、上定盤２に孔１０を設け、上定盤２に貼布した研磨パッド７に穴１１を設けているが、下定盤３に孔１０を設けて、下定盤３に貼布した研磨パッド７に穴１１を設けても良い。
　この場合は、下定盤２の側壁２ａの頂部に凹部１３が設けられ、凹部１３に、径が孔１０の径及び穴１１の径より大きい窓材１４を配置し、窓材１４を、接着層１５を介して下定盤３に設けた凹部１３により区画される下側面に固着させればよい。
　また、本発明では、孔１０は１つのみ設けているが、２つ以上の孔１０を設けてワークＷの様々な位置（例えば、中央部と外周部）でのワークＷの厚みを計測するようにすることもできる。この場合、例えば各孔１０に対応する位置にワーク厚み計測器１２を設けることができる。その他、種々の変形が可能である。
１　両面研磨装置
２　上定盤
３　下定盤
４　回転定盤
５　サンギア
６　インターナルギア
７　研磨パッド
８　保持孔
９　キャリアプレート
１０　孔
１１　穴
１２　ワーク厚み計測器
１３　凹部
１４　窓材
１５　接着層
１６　上側面
Ｗ　ワーク（ウェーハ）

Claims (3)

  1. 　上定盤及び下定盤を有する回転定盤と、前記回転定盤の中心部に設けられたサンギアと、前記回転定盤の外周部に設けられたインターナルギアと、前記上定盤と前記下定盤との間に設けられ、ワークを保持する１つ以上の保持孔が設けられたキャリアプレートと、を備え、前記上定盤の下面及び前記下定盤の上面に研磨パッドがそれぞれ貼布された、ワークの両面研磨装置であって、
    　前記上定盤又は前記下定盤は、該上定盤又は該下定盤の上面から下面まで貫通した１つ以上の孔を有し、
    　前記研磨パッドは、前記孔に対応する位置に穴が設けられ、
    　前記ワークの両面研磨中に、前記ワークの厚さを前記１つ以上の孔及び穴からリアルタイムで計測可能な、ワーク厚み計測器をさらに備え、
    　前記孔により区画される前記上定盤の側壁の底部、又は、前記孔により区画される前記下定盤の側壁の頂部に凹部が設けられ、
    　前記凹部に、径が前記孔の径及び前記穴の径より大きい窓材を配置し、
    　前記窓材は、接着層を介して、前記上定盤に設けた前記凹部により区画される上側面又は前記下定盤に設けた前記凹部により区画される下側面に固着されたことを特徴とする、ワークの両面研磨装置。
  2. 　前記窓材の径は、前記凹部と前記孔とがなす空洞部分の径に等しい、請求項１に記載のワークの両面研磨装置。
  3. 　前記凹部の高さは、前記窓材の厚さと前記接着層の厚さとの和に等しい、請求項１又は２に記載のワークの両面研磨装置。
PCT/JP2014/004780 2013-12-26 2014-09-17 ワークの両面研磨装置 WO2015097947A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201480070371.5A CN106061681B (zh) 2013-12-26 2014-09-17 工件的两面研磨装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013270033A JP6255991B2 (ja) 2013-12-26 2013-12-26 ワークの両面研磨装置
JP2013-270033 2013-12-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015097947A1 true WO2015097947A1 (ja) 2015-07-02

Family

ID=53477869

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/004780 WO2015097947A1 (ja) 2013-12-26 2014-09-17 ワークの両面研磨装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6255991B2 (ja)
CN (1) CN106061681B (ja)
TW (1) TWI615240B (ja)
WO (1) WO2015097947A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6622117B2 (ja) * 2016-03-08 2019-12-18 スピードファム株式会社 平面研磨装置及びキャリア
JP6602725B2 (ja) * 2016-05-24 2019-11-06 スピードファム株式会社 ワークの板厚計測用窓構造
DE102016116012A1 (de) * 2016-08-29 2018-03-01 Lapmaster Wolters Gmbh Verfahren zum Messen der Dicke von flachen Werkstücken
KR101924279B1 (ko) * 2017-02-16 2018-11-30 에스케이실트론 주식회사 웨이퍼의 양면 연마장치
JP6451825B1 (ja) * 2017-12-25 2019-01-16 株式会社Sumco ウェーハの両面研磨方法
JP7081544B2 (ja) * 2019-03-22 2022-06-07 株式会社Sumco ワークの両面研磨方法及びワークの両面研磨装置
JP7435113B2 (ja) * 2020-03-23 2024-02-21 株式会社Sumco ワークの両面研磨装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002100594A (ja) * 2000-09-22 2002-04-05 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 平面研磨方法および装置
JP2003133270A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Jsr Corp 化学機械研磨用窓材及び研磨パッド
JP2005012182A (ja) * 2003-06-16 2005-01-13 Samsung Electronics Co Ltd 化学機械的研磨装備の研磨テーブル、これを用いて化学機械的研磨工程をモニターする方法、これを用いて終末点を検出する方法及びその製造方法
JP2006110686A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド
JP2007506280A (ja) * 2003-09-19 2007-03-15 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 引っ込んだ窓を有する研磨パッド
JP2009060044A (ja) * 2007-09-03 2009-03-19 Tokyo Seimitsu Co Ltd Ｃｍｐ装置の研磨モニタ窓

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5893796A (en) * 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
KR100858392B1 (ko) * 2001-04-25 2008-09-11 제이에스알 가부시끼가이샤 반도체 웨이퍼용 연마 패드와, 이를 구비한 반도체웨이퍼용 연마 적층체와, 반도체 웨이퍼의 연마 방법
JP4163485B2 (ja) * 2002-10-25 2008-10-08 不二越機械工業株式会社 両面研磨装置およびこれを用いた研磨加工方法
JP2008227393A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Fujikoshi Mach Corp ウェーハの両面研磨装置
US8834230B2 (en) * 2008-07-31 2014-09-16 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Wafer polishing method and double-side polishing apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002100594A (ja) * 2000-09-22 2002-04-05 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 平面研磨方法および装置
JP2003133270A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Jsr Corp 化学機械研磨用窓材及び研磨パッド
JP2005012182A (ja) * 2003-06-16 2005-01-13 Samsung Electronics Co Ltd 化学機械的研磨装備の研磨テーブル、これを用いて化学機械的研磨工程をモニターする方法、これを用いて終末点を検出する方法及びその製造方法
JP2007506280A (ja) * 2003-09-19 2007-03-15 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 引っ込んだ窓を有する研磨パッド
JP2006110686A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド
JP2009060044A (ja) * 2007-09-03 2009-03-19 Tokyo Seimitsu Co Ltd Ｃｍｐ装置の研磨モニタ窓

Also Published As

Publication number Publication date
CN106061681A (zh) 2016-10-26
TW201536473A (zh) 2015-10-01
TWI615240B (zh) 2018-02-21
CN106061681B (zh) 2019-07-12
JP2015123545A (ja) 2015-07-06
JP6255991B2 (ja) 2018-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2015097947A1 (ja) ワークの両面研磨装置
KR102238389B1 (ko) 기판 처리 장치
JP4374370B2 (ja) 研磨ヘッド及び研磨装置
US20120052771A1 (en) Method For the Material-Removing Machining of Very Thin Work Pieces in a Double Sided Grinding Machine
TWI731305B (zh) 工件的兩面研磨裝置
KR20160008550A (ko) 워크의 연마장치
JP3623122B2 (ja) 研磨用ワーク保持盤およびワークの研磨装置ならびにワークの研磨方法
WO2021192477A1 (ja) ワークの両面研磨装置
JP2014104522A (ja) ウェハーの片面加工方法、ウェハーの製造方法
JPH11188618A (ja) ウェーハの研磨方法と研磨用ウェーハホルダー
JPH11333677A (ja) 基板の研磨装置
JP2007331034A (ja) ワークキャリア及び両面研磨機
TW201503283A (zh) 半導體晶圓保持用治具、半導體晶圓硏磨裝置、及工件保持用治具
JP2009028826A (ja) 両面研磨機
JP7126751B2 (ja) 被加工物の研削方法
WO2023035247A1 (zh) 化学机械抛光设备及其控制方法
JP2007007748A (ja) 研磨装置および両面研磨装置
JP2001293652A (ja) 研磨装置および研磨方法
JP2007061975A (ja) 研磨装置及び研磨方法
JP6432080B2 (ja) 保持具及びその製造方法
JP2016193479A (ja) 被研磨物の保持具および研磨装置
KR20050010261A (ko) 화학적 기계적 연마 장치 및 이를 이용한 연마 방법
JPH1086060A (ja) 研磨量測定装置
TW201505763A (zh) 半導體晶圓保持用治具、半導體晶圓硏磨裝置、及工件保持用治具
TWM519318U (zh) 拋光設備及其固定裝置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14875323

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14875323

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1