WO2017090406A1 - ウェーハ研磨方法 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a wafer polishing method, and more particularly to a method for polishing a wafer having nanotopography formed on the surface.
  • Silicon wafers are widely used as substrate materials for semiconductor devices.
  • a silicon wafer is manufactured by sequentially performing peripheral grinding, slicing, lapping, etching, double-side polishing, single-side polishing, cleaning, and the like on a silicon single crystal ingot.
  • the single-side polishing step is a step necessary for removing the irregularities and undulations on the wafer surface to increase the flatness, and mirror processing is performed by a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method.
  • CMP Chemical Mechanical Polishing
  • the polishing pressure ratio needs to be a value that is inversely proportional to nanotopography.

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Abstract

【課題】ナノトポグラフィが形成されたウェーハであってもその影響を抑えて圧力ゾーンごとに適切な研磨圧力を付与し、これによりウェーハの平坦度を高める。 【解決手段】ウェーハの押圧面が複数の圧力ゾーンに区画され、各圧力ゾーンを独立に加圧制御可能なマルチゾーン加圧方式の研磨ヘッドを備えたウェーハ研磨装置を用いてウェーハの表面を鏡面研磨するウェーハ研磨方法であって、ウェーハの表面のナノトポグラフィマップを測定する測定ステップ（ステップＳ１）と、前記ナノトポグラフィマップの測定結果に基づいて前記ウェーハに対する前記研磨ヘッドの研磨圧力を圧力ゾーンごとに設定して研磨加工を実施する研磨ステップ（ステップＳ２，Ｓ３）とを有する。

Description

ウェーハ研磨方法
　本発明は、ウェーハ研磨方法に関し、特に、表面にナノトポグラフィが形成されたウェーハの研磨方法に関する。
　半導体デバイスの基板材料としてシリコンウェーハが広く用いられている。シリコンウェーハは、シリコン単結晶インゴットに外周研削、スライス、ラッピング、エッチング、両面研磨、片面研磨、洗浄等の工程を順次行うことにより製造される。このうち、片面研磨工程は、ウェーハ表面の凹凸やうねりを除去して平坦度を高めるために必要な工程であり、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械研磨）法による鏡面加工が行われる。
　通常、シリコンウェーハの片面研磨工程では枚葉式のウェーハ研磨装置（ＣＭＰ装置）が用いられる。このウェーハ研磨装置は、研磨パッドが貼り付けられた回転定盤と、研磨パッド上のウェーハを押圧しながら保持する研磨ヘッドとを備えており、スラリーを供給しながら回転定盤および研磨ヘッドをそれぞれ回転させることによりウェーハの片面を研磨する。
　ウェーハの平坦度を高めるため、ウェーハの押圧面を複数の圧力ゾーンに分割し、各圧力ゾーンを独立に加圧制御可能なマルチゾーン加圧方式の研磨ヘッドを備えたウェーハ研磨装置も知られている。例えば、特許文献１には、同心円状に区画された第１～第３の圧力ゾーン（圧力室）を有するこのウェーハ研磨装置が記載されている。
　近年、シリコンウェーハにおいては「ナノトポグラフィ」と呼ばれる表面のうねり成分が問題となっている。このナノトポグラフィは、「反り」や「Warp」よりも波長が短く、「表面粗さ」よりも波長が長い、波長λ=０．２～２０ｍｍのうねり成分であり、ＰＶ値（Peak to Valley値）は０．２μｍ以下の浅いうねりである。ナノトポグラフィ値が適正値を超えると、デバイスプロセスにおけるＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）の歩留まりに大きく影響するといわれている。
　ウェーハのナノトポグラフィを改善するため、例えば特許文献２には、ナノトポグラフィの平均値成分の凹凸量と該凹凸を平坦化するための砥石のチルト調整量およびシフト調整量との関係式を予め求めておき、該関係式に基づいて以後の研削工程における砥石のチルト調整およびシフト調整を行うウェーハの研削方法が記載されている。
特開２０１０－１２０１６０号公報 特開２００７－９５９８７号公報
　マルチゾーン加圧方式を採用する従来のウェーハ研磨装置は、研磨パッドと対向するウェーハの表面を基準にして研磨圧力を設定すると共に、ウェーハの厚みが大きいところでは研磨圧力が強くなるように、各圧力ゾーンの研磨圧力をウェーハの厚みに応じて調整するので、ウェーハ表面の凹凸やうねりを除去して平坦度を高めることが可能である。
　しかしながら、従来のウェーハ研磨装置では、各圧力ゾーンに均一な研磨圧力を設定した場合でも、ナノトポグラフィが存在する領域では設定値と異なる研磨圧力がかかることによりウェーハの厚みの均一性が悪化するという問題がある。図６（ａ）に示すように、ナノトポグラフィがないウェーハではウェーハ全面に設定値通りの均一な圧力がかかるため、加工後のウェーハは加工前のウェーハの厚みの均一度を維持することができる。しかし、図６（ｂ）に示すように、ウェーハの表面にナノトポグラフィが存在する場合、たとえウェーハの厚みの均一度は図６（ａ）のウェーハと同じであったとしても、ウェーハの裏面側には設定値と異なる研磨圧力がかかる。この状態でウェーハを研磨するとウェーハの表面の凸部に研磨圧力が集中し、研磨圧力が高い部分の研磨レートが高くなるので、図示のように加工後のウェーハの厚みは不均一となり、これに伴ってウェーハの平坦度も悪化する。
　したがって、本発明の目的は、ナノトポグラフィが形成されたウェーハであってもその影響を抑えて圧力ゾーンごとに適切な研磨圧力を付与し、これによりウェーハの平坦度を高めることが可能なウェーハ研磨方法を提供することにある。
　上記課題を解決するため、本発明によるウェーハ研磨方法は、ウェーハの押圧面が複数の圧力ゾーンに区画され、各圧力ゾーンを独立に加圧制御可能なマルチゾーン加圧方式の研磨ヘッドを備えたウェーハ研磨装置を用いてウェーハの表面を鏡面研磨するウェーハ研磨方法であって、ウェーハの表面のナノトポグラフィマップを測定する測定ステップと、前記ナノトポグラフィマップの測定結果に基づいて前記ウェーハに対する前記研磨ヘッドの研磨圧力を圧力ゾーンごとに設定して研磨加工を実施する研磨ステップとを有することを特徴とする。
　マルチゾーン加圧方式の研磨ヘッドを用いてウェーハの鏡面研磨を実施する場合、ウェーハ表面を基準にしてウェーハの厚みに応じた研磨圧力制御が行われるため、ナノトポグラフィが大きい領域ではウェーハが過度に研磨され、これによりウェーハの厚みの均一性が悪化し、ウェーハの平坦度も低下するおそれがある。しかし、本発明によれば、ナノトポグラフィが大きい領域での研磨圧力の増加を抑えることができ、取り代の増加によるウェーハの厚みの均一性の悪化を回避してウェーハの平坦度を高めることができる。
　本発明によるウェーハ研磨方法は、ナノトポグラフィが大きい領域ほど当該領域に対する前記研磨圧力が小さくなるように当該研磨圧力を制御することが好ましい。このように、ナノトポグラフィの大きさに反比例した研磨圧力を設定し、ナノトポグラフィの凸部の高低差が大きい領域ほど研磨圧力を小さくすることにより、ナノトポグラフィが大きい領域での研磨圧力の増加を抑えることができ、取り代の増加によるウェーハの厚みの均一性の悪化を回避してウェーハの平坦度を高めることができる。
　本発明によるウェーハ研磨方法は、ナノトポグラフィの大きさと当該ナノトポグラフィが形成されたウェーハに対する適切な研磨圧力との換算式を予め用意しておき、前記ナノトポグラフィマップの測定結果と前記換算式から各圧力ゾーンの研磨圧力を算出することが好ましい。ナノトポグラフィの大きさに対応した適切な研磨圧力を定義した換算式を用いることにより、ナノトポグラフィマップの測定結果から各圧力ゾーンの適切な研磨圧力を少ない演算量で簡単に算出して設定することができる。
　本発明によるウェーハ研磨方法は、同じ圧力ゾーンに属する複数のサイトナノトポグラフィの平均値から当該圧力ゾーンの研磨圧力を算出することが好ましい。この場合、同じ圧力ゾーン内の複数のサイトナノトポグラフィの平均値から算出した研磨圧力を当該圧力ゾーンの研磨圧力としてもよい。あるいは、同じ圧力ゾーン内の複数のサイトナノトポグラフィの各々から算出した複数の研磨圧力の平均値を当該圧力ゾーンの研磨圧力としてもよい。いずれの場合でも各圧力ゾーンに対して適切な研磨圧力を設定することができ、取り代の増加によるウェーハの厚みの均一性の悪化を回避してウェーハの平坦度を高めることができる。
　本発明において、前記複数の圧力ゾーンは同心円状に区画されていることが好ましい。ラッピング工程で作り込まれるナノトポグラフィの多くはリング状のパターンとなるが、研磨ヘッドの圧力ゾーンを同心円状に配置することにより、リング状のナノトポグラフィパターンに合わせた適切な研磨圧力を設定することができる。
　このように、本発明によれば、ナノトポグラフィが形成されたウェーハであってもその影響を抑えて圧力ゾーンごとに適切な研磨圧力を付与し、これによりウェーハの平坦度を高めることが可能なウェーハ研磨方法を提供することができる。
本発明の実施の形態によるウェーハ研磨装置の構成を概略的に示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）はウェーハの押圧面を構成するメンブレンの底面図である。 図１のウェーハ研磨装置を用いたウェーハの研磨方法を説明するフローチャートである。 ナノトポグラフィマップの一例を示す図である。 ナノトポグラフィと研磨圧力との関係を示す換算式の一例を示すグラフである。 ウェーハ面内のナノトポグラフィおよび研磨量（取り代）との関係を示すグラフであって、（ａ）は従来の加圧制御方式でウェーハを研磨した場合、（ｂ）は本発明の加圧制御方式でウェーハを研磨した場合をそれぞれ示している。 従来のウェーハ研磨方法の問題点を説明するための模式図である。
　以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
　図１は、本発明の実施の形態によるウェーハ研磨装置の構成を概略的に示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）はウェーハの押圧面を構成するメンブレンの底面図である。
　図１に示すように、ウェーハ研磨装置１は、研磨パッド２２が貼り付けられた回転定盤２１と、回転定盤２１上に載置されたウェーハＷを押圧しながら保持するマルチゾーン加圧方式の研磨ヘッド１０とを備えている。研磨パッド２２が貼り付けられた回転定盤２１の主面は研磨ヘッド１０の押圧面と対向しており、当該押圧面よりも十分に大きな平面サイズを有する。研磨パッド２２上にスラリーを供給しながら回転定盤２１および研磨ヘッド１０をそれぞれ回転させることにより、研磨パッド２２と接するウェーハＷの片面を研磨することができる。
　研磨ヘッド１０は、回転軸１１と、回転軸１１の下端に設けられた加圧フランジ１２と、加圧フランジ１２の底面に設けられた独立加圧方式のリテーナリング１４と、加圧フランジ１２に取り付けられたメンブレン１６とを備えており、メンブレン１６を介してウェーハＷをエア加圧するウェーハ加圧機構を構成している。
　リテーナリング１４は加圧フランジ１２の底面の外周部に設けられたガイド部材である。リテーナリング１４はメンブレン１６と同様に研磨パッド２２の上面を押圧可能に構成されており、リテーナリング１４の底面は研磨パッド２２に接触（接地）している。リテーナリング１４の底面を研磨パッド２２に押し付けて接触させることでウェーハＷの水平方向の動きを確実に規制することができ、研磨ヘッド１０の外側へのウェーハの飛び出しを防止することができる。このような独立加圧方式のリテーナリング１４を備えた研磨ヘッド１０は、ウェーハの形状を維持したまま押圧するので、研磨圧力がウェーハ表面のナノトポグラフィの影響を受けやすい。
　メンブレン１６の底面はウェーハの裏面（上面）の全面と接触している。メンブレン１６はメンブレン加圧ライン１８に接続されており、メンブレン１６の内部にはエアが送り込まれる。メンブレン加圧ライン１８からメンブレン１６内にエアが供給されてメンブレン１６が膨張することによりウェーハＷが下方に押圧される。メンブレン１６の内部空間は、複数の圧力ゾーンに区切られており、メンブレン加圧ライン１８からメンブレン１６内に供給されるエアによって各圧力ゾーン内の圧力が個別に制御される。図１（ｂ）に示すように、特に限定されないが、本実施形態においては同心円状に区画された第１～第７の圧力ゾーンＺ１～Ｚ７が設けられており、各圧力ゾーンＺ１～Ｚ７に供給されるエアの圧力を個別に設定することにより、メンブレン１６と接するウェーハＷには表面の凹凸形状に合わせた適切な押圧力が付与される。
　図２は、図１のウェーハ研磨装置１を用いたウェーハの研磨方法を説明するフローチャートである。
　図２に示すように、本実施形態によるウェーハ研磨方法は、マルチゾーン加圧方式の研磨ヘッド１０でウェーハを押圧しながら鏡面研磨する工程に先立ち、ウェーハの表面のナノトポグラフィマップを予め測定し、この測定結果からウェーハに対する適切な研磨圧力を研磨ヘッドの圧力ゾーンごとに算出し、この算出結果を用いてウェーハの研磨圧力を制御しながら研磨工程を実施することを特徴とする。そのため、まず加工対象のウェーハの表面のナノトポグラフィマップを測定する（ステップＳ１）。
　加工対象となるウェーハは、ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶インゴットからワイヤソーにより切り出され、ラッピング（両面研削）が施されたウェーハである。ナノトポグラフィはウェーハの加工工程（スライス～研磨）で作り込まれるものであり、ナノトポグラフィが形成されたウェーハをマルチゾーン加圧方式の研磨ヘッドを用いて片面研磨した場合にはウェーハの厚みの均一性が悪化する場合があるからである。
　ナノトポグラフィマップは、光学干渉式の平坦度・ナノトポグラフィ測定装置を用いて測定することができる。これらの装置は光学式であり、ウェーハの表面反射を利用してナノトポグラフィを測定する。マイケルソン干渉計によって取り込まれたシリコンウェーハの面内データは、ノイズ除去等の処理が行われた後、設定によって決まるウィンドウサイズをウェーハ面内で移動させ、ウィンドウ内のＰＶ値をそのウィンドウの中心値に置き換えることで、ナノトポグラフィのデータとなる。
　図３は、ナノトポグラフィマップの一例を示す図である。
　図３に示すように、ナノトポグラフィマップは、ウェーハ面内のナノトポグラフィの強度分布を示すものであり、格子状に区切られた領域（サイト）内のナノトポグラフィ（サイトナノトポグラフィ）の大きさを表したものである。図３はサイトナノトポグラフィの大きさを色別で示しており、色が最も薄い領域は基準面からの偏差が小さい（０～８ｎｍ）箇所であり、その次に色が薄い領域は基準面からの偏差が大きい（８～１２ｎｍ）箇所であり、色が最も濃い領域は基準面からの偏差がさらに大きい（１２～１５ｎｍ）箇所である。図３のナノトポグライフィマップは、外周部の偏差が大きく、リング状のナノトポグラフィパターンが形成されたウェーハであることを表している。このようなリング状のナノトポグラフィパターンの多くは、ウェーハのラッピング工程で形成されることが知られている。
　次に、ナノトポグラフィマップの測定結果からウェーハ面内の研磨圧力を研磨ヘッドの圧力ゾーンごとに算出する（図２のステップＳ２）。各圧力ゾーンの適切な研磨圧力は、サイトナノトポグラフィの大きさとこれに対応する適切な研磨圧力とを一対一で対応させた換算式を用いて算出することができる。各圧力ゾーンの研磨圧力は、同じ圧力ゾーン内の多数のサイトナノトポグラフィの平均値を求めた後、当該平均値から求めた研磨圧力を当該圧力ゾーン内の適切な研磨圧力として用いる。あるいは、個々のサイトナノトポグラフィの値から当該サイト内の適切な研磨圧力を求めた後、同じ圧力ゾーン内の多数の研磨圧力の平均値から換算して求めた研磨圧力を当該圧力ゾーン内の適切な研磨圧力として用いてもよい。サイトナノトポグラフィの大きさに応じた適切な研磨圧力の算出には、予め作成しておいた換算式を用いることができる。
　図４は、ナノトポグラフィと研磨圧力との関係を示す換算式の一例を示すグラフであり、横軸はサイトナノトポグラフィ値、縦軸は研磨圧力比をそれぞれ示している。ここで「研磨圧力比」とは、ウェーハ表面のナノトポグラフィの大きさに反比例する適切な研磨圧力を、ナノトポグラフィが無いウェーハの表面を研磨する場合に必要な研磨圧力に対する比で表したものである。
　図４に示すように、ナノトポグラフィの影響を抑えてウェーハの平坦度を高めるためには、ナノトポグラフィが大きいほど研磨圧力が小さくなるようにウェーハの研磨圧力を制御する必要がある。すなわち、研磨圧力比はナノトポグラフィに反比例する値であることが必要である。例えば図示のように、ナノトポグラフィの値ｘに対する適切な研磨圧力比ｙを求めるための換算式は、ｙ＝－０．０１６７ｘ＋１．１である。
　このような換算式を用いてサイトナノトポグラフィに対応する研磨圧力比を算出することにより、ナノトポグラフィ値が大きい領域での研磨圧力の増加を抑えることができ、取り代の増加によるウェーハの平坦度が悪化する事態を回避することができる。
　次に、圧力ゾーンごとに算出した研磨圧力をメンブレン研磨ヘッドの各圧力ゾーンに設定した後、ウェーハ研磨装置１によるウェーハの研磨加工を実施する（図２のステップＳ３）。ウェーハ研磨装置１はマルチゾーン加圧方式の研磨ヘッド１０を備え、ウェーハを押圧しながら研磨加工を実施する際、研磨圧力制御を圧力ゾーンごとに行うと共に、ナノトポグラフィの影響によって研磨圧力が増加する位置の研磨圧力を予め減少させるので、ナノトポグラフィの影響を受けてウェーハが過度に研磨されることを防止することができ、これによりウェーハの厚みの均一性を確保することができる。
　以上説明したように、本実施形態によるウェーハ研磨方法は、ウェーハの表面のナノトポグラフィマップの測定結果に基づいてウェーハに対する研磨圧力を研磨ヘッドの圧力ゾーンごとに設定するので、ナノトポグラフィが大きい領域での研磨圧力の増加を抑えることができ、取り代の増加によるウェーハの厚みの均一性の悪化を回避してウェーハの平坦度を高めることができる。また、ナノトポグラフィの大きさと当該ナノトポグラフィが形成されたウェーハに対する適切な研磨圧力を定義した換算式を用いて各圧力ゾーンの研磨圧力を算出するので、各圧力ゾーンの適切な研磨圧力を少ない演算量で容易に算出して設定することができる。
　以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
　例えば、上記実施形態においては、複数の圧力ゾーンを同心円状に設定しているが、圧力ゾーンの形状は必ずしも同心円状である必要はなく、任意の形状に設定することができる。また研磨対象のウェーハはシリコンウェーハに限定されず、様々な素材のウェーハを対象とすることができる。
　ナノトポグラフィが形成されたウェーハを鏡面研磨する際、研磨ヘッドの加圧制御方式がウェーハの平坦度にどのような影響を与えるかを評価した。評価試験では、まず両面研削加工が施された直径３００ｍｍの単結晶シリコンウェーハ（両面研磨後のウェーハ）のサンプルを２枚用意し、それらのナノトポグラフィマップを測定した。ナノトポグラフィマップの測定には光学干渉式の平坦度・ナノトポグラフィ測定装置（KLA Tecnor社："WaferSight3"）を用いた。ウェーハ面内のサイトサイズは２６ｍｍ×８ｍｍとし、各サイトのナノトポグラフィの大きさをそれぞれ求めてマッピングした。
　次に、従来および本発明の加圧制御方式で一方および他方のウェーハサンプルをそれぞれ鏡面研磨加工してポリッシュドウェーハの比較例サンプルおよび実施例サンプルを得た。すなわち、従来の加圧制御方式では、ナノトポグラフィとは無関係にウェーハ表面基準で研磨圧力を設定してウェーハを研磨加工してポリッシュドウェーハを得た。一方、本発明の加圧制御方式では、上述したように、ナノトポグラフィマップの測定結果からのウェーハの研磨圧力を研磨ヘッドの圧力ゾーンごとに算出し、この算出結果を用いてウェーハの研磨圧力を圧力ゾーンごとに設定してウェーハを研磨加工してポリッシュドウェーハを得た。ウェーハ研磨装置としては、図１に示した第１～第７の加圧ゾーンを有するマルチゾーン加圧方式の研磨ヘッドを備えたウェーハ研磨装置を用いた。
　その後、光学干渉式の平坦度・ナノトポグラフィ測定装置（KLA Tecnor社："WaferSight3"）を用いてポリッシュドウェーハの研磨量（取り代）の面内分布を測定した。
　図５（ａ）および（ｂ）は、ウェーハ面内のナノトポグラフィおよび研磨量（取り代）との関係を示すグラフであって、（ａ）は従来の加圧制御方式でウェーハを研磨した場合、（ｂ）は本発明の加圧制御方式でウェーハを研磨した場合をそれぞれ示している。図５（ａ）および（ｂ）のグラフの横軸はウェーハ中心からの半径方向の距離（ｍｍ）、左側の縦軸は取り代（ｎｍ）、右側の縦軸はナノトポグラフィ（ｎｍ）をそれぞれ示している。
　図５（ａ）に示すように、従来の加圧制御方式によるウェーハ研磨方法では、ウェーハ中心から±１２５ｍｍ以上離れたウェーハ外周部においてナノトポグラフィが基準レベルから見てプラス側（凸側）に約１０ｎｍまで大きくなり、またナノトポグラフィの増加に合わせて取り代も大きく増加した。ウェーハ中心から±１００ｍｍまでの範囲では取り代量が約４８０ｎｍであったのに対し、ウェーハ中心から±１２５ｍｍ以上の範囲では取り代量が最大で約５００ｎｍとなった。
　一方、図５（ｂ）に示すように、本発明の加圧制御方式によるウェーハ研磨方法では、ウェーハ中心から±１２５ｍｍ以上離れたウェーハ外周部においてナノトポグラフィが基準レベルから見てプラス側（凸側）に約７ｎｍまで大きくなったが、図１に示す圧力ゾーンＺ２において研磨圧力を従来よりも約１０％低くする加圧制御が行われた結果、ナノトポグラフィの増加によらず取り代の変化量は小さくなった。すなわち、ウェーハ中心から±５０ｍｍの範囲では取り代量が約５００ｎｍであったのに対し、ウェーハ中心から±１２５ｍｍ以上の範囲では取り代量が最大で約４９５ｎｍとなった。この結果から、本発明の研磨方法によれば、従来の研磨方法のようにナノトポグラフィ値が大きい領域での取り代の増加によるウェーハの平坦度の悪化を回避できることが確認された。本発明は、従来よりもナノトポグラフィ品質が向上することはないが、ナノトポグラフィ品質の向上を多少犠牲にしてでもウェーハの平坦度の向上を図ることができる点で非常に有利である。
１　　ウェーハ研磨装置
１０　　研磨ヘッド
１１　　回転軸
１２　　加圧フランジ
１４　　リテーナリング
１６　　メンブレン
１８　　メンブレン加圧ライン
２１　　回転定盤
２２　　研磨パッド
Ｗ　　ウェーハ
Ｚ１-Ｚ７　　圧力ゾーン

Claims (5)

  1. 　ウェーハの押圧面が複数の圧力ゾーンに区画され、各圧力ゾーンを独立に加圧制御可能なマルチゾーン加圧方式の研磨ヘッドを備えたウェーハ研磨装置を用いてウェーハの表面を鏡面研磨するウェーハ研磨方法であって、
    　ウェーハの表面のナノトポグラフィマップを測定する測定ステップと、
    　前記ナノトポグラフィマップの測定結果に基づいて前記ウェーハに対する前記研磨ヘッドの研磨圧力を圧力ゾーンごとに設定して研磨加工を実施する研磨ステップとを有することを特徴とするウェーハ研磨方法。
  2. 　ナノトポグラフィが大きい領域ほど当該領域に対する前記研磨圧力が小さくなるように当該研磨圧力を制御する、請求項１に記載のウェーハ研磨方法。
  3. 　ナノトポグラフィの大きさと当該ナノトポグラフィが形成されたウェーハに対する適切な研磨圧力との換算式を予め用意しておき、前記ナノトポグラフィマップの測定結果と前記換算式から各圧力ゾーンの研磨圧力を算出する、請求項１または２に記載のウェーハ研磨方法。
  4. 　同じ圧力ゾーンに属する複数のサイトナノトポグラフィの平均値から当該圧力ゾーンの研磨圧力を算出する、請求項１ないし３のいずれか一項に記載のウェーハ研磨方法。
  5. 　前記複数の圧力ゾーンは同心円状に区画されている、請求項１ないし４のいずれか一項に記載のウェーハ研磨方法。
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