JP2006524588A - 微細形状ワークピースを機械的及び/又は化学機械的に研磨するためのシステム及び方法 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/16—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the load
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
【課題】微細形状のワークピースを研磨するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】微細形状ワークピースを研磨するためのシステム及び方法。一実施形態では、方法は、微細形状ワークピースの特徴の状態を判断する段階と、微細形状ワークピースの特徴の状態を判断した後に、キャリアヘッド及び/又は研磨パッドを他方に対して移動して研磨パッドに対して微細形状ワークピースを擦る段階とを含む。キャリアヘッドはまた、複数の圧電部材を担持している。本方法は、更に、複数の圧電部材の少なくとも1つに電圧を印加することにより、判断された特徴の状態に応じて微細形状ワークピースの裏面に圧力を加える段階を含む。別の実施形態では、システムは、ワークピースキャリアアセンブリ、複数の圧電部材、研磨パッド、特徴の状態を判断するための測定ツール、及びコントローラを含む。コントローラは、上述の方法を実行するための命令を収容したコンピュータ可読媒体を有することができる。
【解決手段】微細形状ワークピースを研磨するためのシステム及び方法。一実施形態では、方法は、微細形状ワークピースの特徴の状態を判断する段階と、微細形状ワークピースの特徴の状態を判断した後に、キャリアヘッド及び/又は研磨パッドを他方に対して移動して研磨パッドに対して微細形状ワークピースを擦る段階とを含む。キャリアヘッドはまた、複数の圧電部材を担持している。本方法は、更に、複数の圧電部材の少なくとも1つに電圧を印加することにより、判断された特徴の状態に応じて微細形状ワークピースの裏面に圧力を加える段階を含む。別の実施形態では、システムは、ワークピースキャリアアセンブリ、複数の圧電部材、研磨パッド、特徴の状態を判断するための測定ツール、及びコントローラを含む。コントローラは、上述の方法を実行するための命令を収容したコンピュータ可読媒体を有することができる。
Description
本発明は、微細形状のワークピースを研磨するためのシステム及び方法に関する。特に、本発明は、圧電部材を含むワークピースキャリアアセンブリによる微細形状ワークピースの機械研磨及び/又は化学機械研磨に関する。
機械的及び化学機械的平坦化処理(総称「CMP」)は、マイクロ電子デバイス及び他の製品の生産において微細形状ワークピースの表面から材料を除去するものである。図1は、プラテン20と、キャリアヘッド30と、平坦化パッド40とを備えた回転式CMP機械10を概略的に示している。CMP機械10はまた、プラテン20の上面22と平坦化パッド40の下面の間にアンダーパッド25を有することができる。ドライブアセンブリ26は、プラテン20を回転させ(矢印Fで示す)、及び/又はプラテン20を前後に往復運動させる(矢印Gで示す)。平坦化パッド40は、アンダーパッド25に装着されているので、平坦化パッド40は、平坦化中にプラテン20と共に移動する。
キャリアヘッド30は、微細形状ワークピース12を取り付けることができる下面32を有するか、又はワークピース12は、下面32の下の弾性パッド34に取り付けることができる。キャリアヘッド30は、加重された自由に動くウェーハキャリアとすることもでき、又はアクチュエータアセンブリ36をキャリアヘッド30に取り付けて微細形状ワークピース12に回転運動を与え(矢印Jで示す)、及び/又はワークピース12を前後に往復運動させることができる(矢印Iで示す)。
平坦化パッド40及び平坦化溶液44は、微細形状ワークピース12の表面から材料を機械的及び/又は化学機械的に除去する平坦化媒体を形成する。平坦化溶液44は、微細形状ワークピース12の表面をエッチング及び/又は酸化する研磨粒子及び化学物質入りの従来のCMPスラリであるか、又は平坦化溶液44は、研磨粒子の入っていない「純粋な」非砥粒平坦化溶液とすることができる。ほとんどのCMP用途において、研磨粒子入りの研磨スラリは、非砥粒の研磨パッド上で使用され、研磨粒子なしの純粋な非砥粒溶液は、固定砥粒の研磨パッド上で使用される。
CMP機械10で微細形状ワークピース12を平坦化するために、キャリアヘッド30は、ワークピース12の表を下にして平坦化パッド40に押圧する。より具体的には、キャリアヘッド30は、平坦化パッド40の平坦化表面42上の平坦化溶液44に対して微細形状ワークピース12を全体的に押圧し、プラテン20及び/又はキャリアヘッド30は、平坦化表面42に対してワークピース12を擦るように移動する。微細形状ワークピース12が平坦化表面42で擦れる時に、平坦化媒体は、ワークピース12の表面から材料を除去する。
CMP処理は、回路及びフォトパターンを精密に製作することができるようにワークピース上に均一な平面を一貫してかつ正確に生成しなければならない。例えば、CMP処理中にワークピースの一区域からの材料が別の区域からの材料よりも速く取り除かれる場合、不均一な表面をもたらす可能性がある。材料の不均一な除去に対して補償するために、キャリアヘッドは、ワークピースの選択された区域に対して下方の力を働かせる拡張可能な内袋及び外袋を備えて開発されてきた。しかし、これらのキャリアヘッドには、いくつかの欠点がある。例えば、通常の袋は、その周囲に均一な下方の力を及ぼすのを困難にする湾曲した縁部を有する。更に、従来の袋は、ワークピースのかなり広範な区域を覆っており、従って、ワークピースに対する下方の力を局所化する機能を制限する。その上、従来の袋は、下方の力の正確な制御を妨げる圧縮性空気で満たされていることが多い。更に、複数の袋を備えたキャリアヘッドは、複合システムを形成し、これは、修理及び/又は保守のための大幅な休止時間の影響を受け、それに伴う処理量の低下を引き起こすものである。
A.概要
本発明は、微細形状ワークピースを機械的及び/又は化学機械的に研磨する方法及びシステムに関する。「微細形状ワークピース」という用語は、全体を通してマイクロ電子デバイス、マイクロ機械デバイス、データ記憶素子、及び他の形態が内部又はその上に組み立てられる基板を含むように使用される。例えば、微細形状ワークピースは、半導体ウェーハ、ガラス基板、絶縁基板、又は他の多くの種類の基板とすることができる。更に、「平坦化」及び「平坦化法」という用語は、平坦面を形成する方法及び/又は滑らかな表面を形成する方法(例えば、「研磨法」)のいずれかを意味する。本発明のいくつかの実施形態の十分な理解を提供するために、以下の説明及び図2〜4Bにおいて本発明のいくつかの具体的な詳細を説明する。しかし、当業者は、本発明が付加的な実施形態を有することができること、又は本発明の他の実施形態を以下に説明するいくつかの特定の特徴なしに実施することができることを理解するであろう。
本発明は、微細形状ワークピースを機械的及び/又は化学機械的に研磨する方法及びシステムに関する。「微細形状ワークピース」という用語は、全体を通してマイクロ電子デバイス、マイクロ機械デバイス、データ記憶素子、及び他の形態が内部又はその上に組み立てられる基板を含むように使用される。例えば、微細形状ワークピースは、半導体ウェーハ、ガラス基板、絶縁基板、又は他の多くの種類の基板とすることができる。更に、「平坦化」及び「平坦化法」という用語は、平坦面を形成する方法及び/又は滑らかな表面を形成する方法(例えば、「研磨法」)のいずれかを意味する。本発明のいくつかの実施形態の十分な理解を提供するために、以下の説明及び図2〜4Bにおいて本発明のいくつかの具体的な詳細を説明する。しかし、当業者は、本発明が付加的な実施形態を有することができること、又は本発明の他の実施形態を以下に説明するいくつかの特定の特徴なしに実施することができることを理解するであろう。
本発明の1つの態様は、ある特徴を有する微細形状ワークピースを研磨する方法に関する。一実施形態では、本方法は、研磨サイクルとは別に微細形状ワークピースの特徴の状態を判断する段階と、微細形状ワークピースの特徴の状態を判断した後に、キャリアヘッド及び/又は研磨パッドを他方に対して移動し、研磨パッドに対して微細形状ワークピースを擦る段階とを含む。キャリアヘッドはまた、複数の圧電部材を担持している。本方法は、更に、圧電部材の少なくとも1つに電圧を印加することにより、判断した特徴の状態に応じて微細形状ワークピースの裏面に圧力を加える段階を含む。特徴の状態を判断する段階は、微細形状ワークピースの表面輪郭又は層の厚さを判断する段階を含むことができ、特徴の状態は、測定ツールを用いて判断することができる。圧電部材は、キャリアヘッド内で格子状、同心円状、又は別のパターンで配置することができる。
この実施形態の別の態様では、状態は第1の状態であり、ワークピースは第1のワークピースである。この態様では、本方法は、更に、第1の微細形状ワークピースに圧力を加えた後に第1の微細形状ワークピースの特徴の第2の状態を判断する段階、及び第2の微細形状ワークピースの特徴の第1の状態を判断する段階を含む。第2の微細形状ワークピースは、第1の微細形状ワークピースとは異なっている。本方法は、更に、第2の微細形状ワークピースの特徴の第1の状態を測定した後に、キャリアヘッド及び/又は研磨パッドを他方に対して移動し、第2の研磨パッドに対して微細形状ワークピースを擦る段階を含む。ワークピースがパッドで擦れる時に、第2の微細形状ワークピースの特徴の判断した第1の状態と、第1の微細形状ワークピースの特徴の望ましい状態及び判断した第2の状態間の差とに応じて圧電部材の少なくとも1つに電圧を印加することにより、第2の微細形状ワークピースの裏面に圧力が加えられる。
本発明の別の態様は、ある特徴を有する微細形状ワークピースを研磨するためのシステムに関する。一実施形態では、システムは、微細形状ワークピースを担持するように構成されたワークピースキャリアアセンブリと、ワークピースキャリアアセンブリに担持された複数の圧電部材と、ワークピースキャリアアセンブリの下に配置可能な、微細形状ワークピースを研磨するための研磨パッドと、微細形状ワークピースの特徴の状態を判断するためのツールと、ワークピースキャリアアセンブリ、圧電部材、研磨パッド、及びツールと作動可能に連結したコントローラとを含む。コントローラは、上述の方法の1つを実行するための命令を収容したコンピュータ可読媒体を有することができる。
B.研磨システム
図2は、本発明の一実施形態により微細形状ワークピース112を研磨するためのシステム100の概略断面図である。システム100は、CMP機械110(その一部分を示す)、CMP機械110と作動可能に連結したコントローラ160(概略的に示す)、及びコントローラ160と作動可能に連結した測定ツール170(概略的に示す)を含む。システム100では、測定ツール170は、ワークピース112上のフィルムの厚さ又はワークピース112の別の特徴を判断する。測定ツール170は、データをコントローラ160へ伝送し、コントローラは、データを利用してワークピース112の研磨中にCMP機械110を制御する。
図2は、本発明の一実施形態により微細形状ワークピース112を研磨するためのシステム100の概略断面図である。システム100は、CMP機械110(その一部分を示す)、CMP機械110と作動可能に連結したコントローラ160(概略的に示す)、及びコントローラ160と作動可能に連結した測定ツール170(概略的に示す)を含む。システム100では、測定ツール170は、ワークピース112上のフィルムの厚さ又はワークピース112の別の特徴を判断する。測定ツール170は、データをコントローラ160へ伝送し、コントローラは、データを利用してワークピース112の研磨中にCMP機械110を制御する。
図2に示す実施形態では、CMP機械110は、プラテン120、プラテン120の上のワークピースキャリアアセンブリ130、及びプラテン120に連結した平坦化パッド140を含む。ワークピースキャリアアセンブリ130は、アクチュエータアセンブリ131(概略的に示す)に連結され、ワークピース112を平坦化パッド140の平坦化面142に亘って移動させることができる。図示の実施形態では、ワークピースキャリアアセンブリ130は、支持部材134を有するヘッド132及び支持部材134に連結した保持リング136を含む。支持部材134は、アクチュエータアセンブリ131に連結した上部プレートを有する環状ハウジングとすることができる。保持リング136は、支持部材134の周囲に延び、支持部材134の下部周縁より下でワークピース112の方へ突出する。
この実施形態の一態様では、ワークピースキャリアアセンブリ130は、ヘッド132内のチャンバ114、及びチャンバ114内の複数の圧電部材150(個々に150a〜cとして示す)を含む。図3は、実質的に図2の線A−Aに沿って切り取った概略断面図である。図2及び3を参照すると、図示の実施形態では、圧電部材150は、チャンバ114内で同心円状に配置されている。例えば、第1の圧電部材150aは、チャンバ114の内径に少なくともほぼ等しい外径D1(図3)を有し、第2の圧電部材150bは、第1の圧電部材150aの内径に少なくともほぼ等しい外径D2(図3)を有し、第3の圧電部材150cは、第2の圧電部材150bの内径に少なくともほぼ等しい外径D3(図3)を有する。他の実施形態では、圧電部材150は、互いに離間させることができる。例えば、第2の圧電部材150bの外径D2は、第1の圧電部材150aの内径よりも小さくすることができる。図4A及び4Bを参照して後述するような付加的な実施形態では、圧電部材は、異なる形状及び/又は構成を有することができる。
図2を参照すると、図示の実施形態では、圧電部材150は、外壁152(個々に152a〜cとして示す)、外壁152と反対側の内壁153(個々に153a〜bとして示す)、上壁154(個々に154a〜cとして示す)、及び上壁154と反対側の下壁155(個々に155a〜cとして示す)を有する。ヘッド132は、圧電部材150の上壁154に当接した表面115を有する。従って、圧電部材150に電圧が印加されると、部材150は、D方向へ表面115から離れて下方に拡張する。圧電部材150の拡張は、ワークピース112に対して力を作用させる。例えば、図2では、第1の圧電部材150aに電圧が印加され、ワークピース112の周囲領域に対して力Fを働かせる。付加的な実施形態では、圧電部材150は、共に又は個々に電圧を印加することができる。
ワークピースキャリアアセンブリ130は、更に、圧電部材150の1以上に選択的に電圧を印加するために圧電部材150と作動可能に連結したコントローラ180を含む。より具体的には、コントローラ180は、電気的カプラ158を通じて圧電部材150に電圧を供給することができる。電気的カプラ158は、圧電部材150に取り付けられた小さなワイヤを含むことができる。コントローラ180は、従って、電圧を印加する圧電部材150を選択して電圧を変えることにより、力Fの位置及びマグニチュードを制御する。一実施形態では、コントローラ180は、ICコントローラチップ及びコントローラ160からの無線信号を受信するテレマティックス・コントローラを含むことができる。他の実施形態では、コントローラ160及び180は、有線、赤外線、無線周波数、又は他の方法を通じて通信することができる。付加的な実施形態では、コントローラ160は、コントローラ180と接続することなく圧電部材150を直接作動させることができる。
ワークピースキャリアアセンブリ130は、チャンバ114を取り囲んで圧電部材150の下壁155をワークピース112から分離する可撓性部材190を更に含むことができる。可撓性部材190は、研磨中に圧電部材150を保護して平坦化溶液42(図1)がチャンバ114に入らないようにするシリコーン又は他のあらゆる適切な材料とすることができる。他の実施形態では、ヘッド132は、圧電部材150とワークピース112の間に付加的な膜を含むことができる。
測定ツール170は、研磨前にワークピース112の特徴の状態を測定し、従って、そのデータを使用して研磨中のワークピース112上に平坦面をもたらすことができる。例えば、測定ツール170は、ワークピース112の層の厚さを数箇所で測定することができる。ワークピース112の特徴の状態を判断した後に、測定ツール170は、データをコントローラ160に提供する。コントローラ160は、データを研磨サイクルの制御に利用する自動処理コントローラとすることができる。より具体的には、コントローラ160は、データを利用してワークピース112上にほぼ平坦な表面を与えるのに要する力の位置及び強さを判断する。例えば、測定ツール170によりワークピース112の周囲領域の層がワークピース112の中央領域よりも厚いと判断した場合、コントローラ180は、研磨中に第1の圧電部材150aに電圧を印加してワークピース112の周囲領域に対して力Fを働かせることができる。測定ツール170は、ワークピース112がワークピースキャリアアセンブリ130に取り付けられる前及び/又は後に特徴の状態を判断することができる。適切な装置には、イスラエル所在の「Nova Measuring Instruments Ltd.」により製造された測定ツール及び他の同様の装置がある。付加的な実施形態では、測定ツール以外のツールを特徴の状態を判断するのに利用することも可能である。
この実施形態の一態様では、測定ツール170はまた、研磨後のワークピース112の特徴の状態を判断する。研磨後に特徴の状態を測定することにより、コントローラ160は、特徴の研磨後の状態が望ましい状態であるかを判断することができる。例えば、コントローラ160は、ワークピース112の表面が十分に平坦であるか、及び/又はワークピース112の層が望ましい厚さになっているかを判断することができる。更に、研磨後に特徴の状態を測定することにより、コントローラ160は、保持リング136、平坦化パッド140、調整砥石(図示せず)、及び/又はCMP機械110の他の構成要素の磨耗を追跡することができる。例えば、コントローラ160は、研磨サイクルの終了時にワークピースの特徴の予測状態と特徴の判断された状態との差を判断することにより、CMP機械110の磨耗を追跡することができる。CMP機械110の磨耗は、ワークピースの研磨に影響し、その結果、研磨サイクルの終了時にワークピースの特徴の予測状態と判断された状態との間に差が生じる可能性がある。従って、一連のワークピースに亘って予測及び判断状態間の差を追跡することにより、コントローラ160は、CMP機械110の磨耗を判断することができる。
コントローラ160は、次のワークピースを研磨する時に、その前のワークピースの特徴の予測状態及び判断状態間の差に基づいて加える力を含む研磨パラメータを調節し、CMP機械110の磨耗又は他の因子を補償することができる。例えば、研磨後にワークピースの層の厚さが予測の厚さよりも大きい場合、コントローラ160は、次のワークピースから除去する材料を増加するために、加える力、滞留時間、又は他の研磨パラメータを調節することができる。付加的な実施形態では、システム100は、測定ツール170を含まないこともあり、コントローラ160は、ワークピース112の特徴の予測状態に基づいて、加える力を含む研磨パラメータを調節することができる。他の実施形態では、システム100は、研磨中のワークピース表面の平面性をモニタするためのセンサを含むことができる。このような実施形態では、コントローラ160は、ワークピースのモニタされる平面性に基づいて、加える力を含む研磨パラメータを調節することができる。
C.圧電部材の他の構成
図4A及び4Bは、本発明の付加的な実施形態によりワークピースキャリアアセンブリと共に使用される圧電部材のいくつかの構成の概略上部図形図である。例えば、図4Aは、複数のリング251(個々に251a〜dとして示す)状にほぼ同心的に配置された複数の弓形圧電部材250を示している。各リング251は、ほぼ等しい大きさの圧電部材250に分割される。他の実施形態では、圧電部材250は、異なる配置にすることができる。例えば、各圧電部材は、他の圧電部材から離間させることができる。
図4A及び4Bは、本発明の付加的な実施形態によりワークピースキャリアアセンブリと共に使用される圧電部材のいくつかの構成の概略上部図形図である。例えば、図4Aは、複数のリング251(個々に251a〜dとして示す)状にほぼ同心的に配置された複数の弓形圧電部材250を示している。各リング251は、ほぼ等しい大きさの圧電部材250に分割される。他の実施形態では、圧電部材250は、異なる配置にすることができる。例えば、各圧電部材は、他の圧電部材から離間させることができる。
図4Bは、本発明の別の実施形態による複数の圧電部材350の概略上部図形図である。圧電部材350は、複数の行R1〜R10及び複数の列C1〜C10を有する格子状に配置されている。図示の実施形態では、周囲部に最も近い圧電部材350は、ワークピースキャリアアセンブリ130(図2)内のチャンバ114(図2)の曲率に対応する湾曲側面を有する。付加的な実施形態では、各圧電部材の大きさは、分解能を増大させるために小さくすることができる。他の実施形態では、圧電部材は、四分円又は単一円状のような他の構成に配置することができる。
図示の実施形態の研磨システムの1つの利点は、ワークピースの所定の特徴に応じてワークピースに極めて局所的な力を加えることができる機能である。この極めて局所的な力の制御により、CMP処理は、ワークピース上に均一な平坦面を一定してかつ正確に生成することが可能である。更に、システムはまた、CMP機械の磨耗に対処するために加える力及び研磨パラメータを調節することができる。図示のワークピースキャリアアセンブリの別の利点は、それらが既存のシステムよりも単純であり、結果としてメンテナンス及び/又は修理のための休止時間を低減し、より大きな処理能力をもたらすことである。
以上により、本発明の特定的な実施形態を例示的に本明細書において説明したが、本発明の精神及び範囲を逸脱することなく様々な修正を為し得ることが認められるであろう。従って、本発明は、特許請求の範囲によるものを除き限定されないものとする。
100 研磨システム
110 CMP機械
112 微細形状ワークピース
160、180 コントローラ
170 測定ツール
190 可撓性部材
110 CMP機械
112 微細形状ワークピース
160、180 コントローラ
170 測定ツール
190 可撓性部材
Claims (46)
- ある特徴を有する微細形状ワークピースを研磨する方法であって、
研磨サイクルとは別に微細形状ワークピースの特徴の状態を判断する段階と、
前記微細形状ワークピースの特徴の状態を判断した後に、複数の駆動部材を担持するキャリアヘッド及び平坦化媒体の少なくとも一方を他方に対して移動する段階と、
前記複数の駆動部材の少なくとも1つを制御することにより、前記特徴の前記判断された状態に応じて前記微細形状ワークピースの裏面に圧力を加える段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記特徴の状態を判断する段階は、前記微細形状ワークピースの表面輪郭を判断する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記特徴の状態を判断する段階は、前記微細形状ワークピースの層の厚さを判断する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記特徴の状態を判断する段階は、測定ツールを用いて前記特徴の状態を判断する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記状態は、第1の状態を含み、前記微細形状ワークピースは、第1の微細形状ワークピースを含み、
前記第1の微細形状ワークピースに圧力を加えた後に、該第1の微細形状ワークピースの特徴の第2の状態を判断する段階と、
前記第1の微細形状ワークピースとは異なる第2の微細形状ワークピースの特徴の第1の状態を判断する段階と、
前記第2の微細形状ワークピースの特徴の前記第1の状態を判断した後に、前記キャリアヘッド及び平坦化媒体の少なくとも一方を他方に対して移動する段階と、
前記第2の微細形状ワークピースの特徴の前記判断した第1の状態と、前記第1の微細形状ワークピースの特徴の望ましい状態及び前記判断した第2の状態間の差とに応じて前記複数の駆動部材のうちの少なくとも1つを制御することにより、該第2の微細形状ワークピースの裏面に圧力を加える段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記微細形状ワークピースに圧力を加える段階は、該ワークピースの特徴の望ましい状態をもたらすために該ワークピースに圧力を加える段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記特徴の状態を判断する段階は、第1の領域で該特徴の状態を判断する段階を含み、
前記微細形状ワークピースに圧力を加える段階は、前記第1の領域で該微細形状ワークピースの裏面に圧力を加える段階を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記複数の駆動部材は、同心円状に配置され、
前記微細形状ワークピースに圧力を加える段階は、前記同心円状に配置された駆動部材の少なくとも1つを制御する段階を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記複数の駆動部材は、格子状に配置され、
前記微細形状ワークピースに圧力を加える段階は、前記格子状に配置された前記駆動部材の少なくとも1つを制御する段階を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記微細形状ワークピースに圧力を加えた後に、該微細形状ワークピースの特徴の第2の状態を判断する段階と、
前記平坦化媒体、前記キャリアヘッド、及び調整砥石のうちの少なくとも1つの磨耗を判断するために、前記微細形状ワークピースの特徴の望ましい状態及び前記第2の状態間の差を追跡する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記特徴の状態を判断する段階は、前記微細形状ワークピース上の厚い区域及び薄い区域を判断する段階を含み、
前記裏面に圧力を加える段階は、前記微細形状ワークピースの前記厚い区域に第1の圧力、及び該微細形状ワークピースの前記薄い区域に該第1の圧力とは異なる第2の圧力を加える段階を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記裏面に圧力を加える段階は、
前記微細形状ワークピースの裏面に第1の圧力を加えるために前記少なくとも1つの駆動部材を第1の位置に配置する段階と、
前記微細形状ワークピースの裏面に第2の圧力を加えるために前記少なくとも1つの駆動部材を前記第1の位置から第2の位置へ移動する段階と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記駆動部材は、複数の圧電部材を含み、
前記駆動部材の少なくとも1つを制御する段階は、前記圧電部材の少なくとも1つに電圧を印加する段階を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - ある特徴の所定の状態を備えた領域を有する微細形状ワークピースを研磨する方法であって、
複数の圧電部材を担持するキャリアヘッド及び平坦化媒体の少なくとも一方を他方に対して移動する段階と、
微細形状ワークピースの裏面に力を加えるために、研磨サイクルとは別に得られるある特徴の所定の状態に基づいて前記複数の圧電部材の少なくとも1つに電圧を印加することにより、該微細形状ワークピースの該特徴の所定の状態を備えた領域に該特徴の望ましい状態をもたらす段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記領域は、第1の領域を含み、
前記複数の圧電部材の前記少なくとも1つは、第1の圧電部材を含み、
前記微細形状ワークピースの前記第1の領域とは異なる第2の領域の前記特徴の状態を判断する段階と、
前記第2の領域の前記特徴の前記判断した状態に基づいて前記第1の圧電部材とは異なる第2の圧電部材に電圧を印加することにより、前記微細形状ワークピースの該第2の領域に該特徴の望ましい状態をもたらす段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項14に記載の方法。 - 前記複数の圧電部材は、同心円状に配置され、
前記特徴の望ましい状態をもたらす段階は、前記同心円状に配置された圧電部材の少なくとも1つに電圧を印加する段階を含む、
ことを特徴とする請求項14に記載の方法。 - 前記複数の圧電部材は、格子状に配置され、
前記特徴の望ましい状態をもたらす段階は、前記格子状に配置された前記圧電部材の少なくとも1つに電圧を印加する段階を含む、
ことを特徴とする請求項14に記載の方法。 - 前記特徴の望ましい状態をもたらす段階は、
前記微細形状ワークピースの裏面に第1の力を加えるために前記少なくとも1つの圧電部材を第1の位置に配置する段階と、
前記微細形状ワークピースの裏面に第2の力を加えるために前記少なくとも1つの圧電部材を前記第1の位置から第2の位置へ移動する段階と、
を含むことを特徴とする請求項14に記載の方法。 - 前記特徴の望ましい状態をもたらす段階は、前記キャリアヘッド、前記平坦化媒体、及び調整砥石のうちの少なくとも1つの所定の磨耗に基づいて前記複数の圧電部材の少なくとも1つに電圧を印加する段階を含むことを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 複数の微細形状ワークピースを研磨する方法であって、
第1の微細形状ワークピースの特徴の第1の状態を判断する段階と、
複数の駆動部材を有するキャリアヘッド及び平坦化媒体の少なくとも一方を他方に対して移動する段階と、
前記第1の微細形状ワークピースの特徴の前記判断された第1の状態に応じて、該第1の微細形状ワークピースの裏面に圧力を加えるように前記複数の駆動部材の少なくとも1つを制御する段階と、
前記複数の駆動部材の少なくとも1つを制御した後に、前記第1の微細形状ワークピースの前記特徴の第2の状態を判断する段階と、
前記第1の微細形状ワークピースとは異なる第2の微細形状ワークピースの特徴の第1の状態を判断する段階と、
前記キャリアヘッド及び前記平坦化媒体の少なくとも一方を他方に対して移動する段階と、
前記第2の微細形状ワークピースの前記特徴の前記判断された第1の状態と、前記第1の微細形状ワークピースの前記特徴の望ましい状態及び前記判断された第2の状態間の差とに応じて、該第2の微細形状ワークピースの裏面に圧力を加えるように前記複数の駆動部材の少なくとも1つを制御する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記第1の微細形状ワークピースの特徴の第1及び第2の状態を判断する段階は、該第1の微細形状ワークピースの表面輪郭を判断する段階を含むことを特徴とする請求項20に記載の方法。
- 前記第1の微細形状ワークピースの特徴の第1及び第2の状態を判断する段階は、該第1の微細形状ワークピースの層の厚さを判断する段階を含むことを特徴とする請求項20に記載の方法。
- 前記第1の微細形状ワークピースの特徴の第1及び第2の状態を判断する段階は、測定ツールを用いて前記特徴の前記第1及び第2の状態を判断する段階を含むことを特徴とする請求項20に記載の方法。
- 前記平坦化媒体、前記キャリアヘッド、及び調整砥石のうちの少なくとも1つの磨耗を判断するために、前記第1の微細形状ワークピースの前記特徴の望ましい状態及び前記判断された第2の状態間の差を追跡する段階を更に含むことを特徴とする請求項20に記載の方法。
- 前記複数の駆動部材は、同心円状に配置され、
前記第1の微細形状ワークピースに圧力を加えるように前記複数の駆動部材の少なくとも1つを制御する段階は、前記複数の同心円状に配置された駆動部材の少なくとも1つを制御する段階を含む、
ことを特徴とする請求項20に記載の方法。 - ある特徴を有する微細形状ワークピースを研磨する方法であって、
研磨サイクルとは別に微細形状ワークピースの特徴の状態を判断する段階と、
前記特徴の前記判断した状態に基づいて複数の駆動部材をキャリアヘッドに配置する段階と、
前記研磨サイクル中に前記微細形状ワークピースの表面の平面性をモニタする段階と、
前記研磨サイクル中の前記微細形状ワークピースの前記表面の前記モニタされた平面性に基づいて、前記複数の駆動部材の少なくとも一部を配置し直す段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記複数の駆動部材は、第1の駆動部材を含み、
前記駆動部材を配置する段階は、前記ワークピース上に第1の力を加えるために前記第1の駆動部材を第1の位置に配置する段階を含み、
前記駆動部材を配置し直す段階は、前記ワークピース上に第2の力を加えるために前記第1の駆動部材を前記第1の位置とは異なる第2の位置へ移動する段階を含む、
ことを特徴とする請求項26に記載の方法。 - 前記複数の駆動部材は、第1の駆動部材を含み、
前記駆動部材を配置する段階は、前記ワークピース上に第1の圧力を加えるように前記第1の駆動部材を位置決めする段階を含み、
前記駆動部材を配置し直す段階は、前記ワークピース上に前記第1の圧力とは異なる第2の圧力を加えるように前記第1の駆動部材を位置決めする段階を含む、
ことを特徴とする請求項26に記載の方法。 - 推定表面輪郭を有する微細形状ワークピースを研磨する方法であって、
推定表面輪郭に基づいて複数の駆動部材をキャリアヘッドに配置する段階と、
研磨サイクル中に微細形状ワークピースの表面の平面性をモニタする段階と、
前記研磨サイクル中に前記微細形状ワークピースの表面の前記モニタされた平面性に基づいて、前記複数の駆動部材の少なくとも一部を配置し直す段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記複数の駆動部材は、第1の駆動部材を含み、
前記駆動部材を配置する段階は、前記ワークピース上に第1の力を加えるために前記第1の駆動部材を第1の位置に配置する段階を含み、
前記駆動部材を配置し直す段階は、前記ワークピース上に第2の力を加えるために前記第1の駆動部材を前記第1の位置とは異なる第2の位置に移動する段階を含む、
ことを特徴とする請求項29に記載の方法。 - 前記複数の駆動部材は、第1の駆動部材を含み、
前記駆動部材を配置する段階は、前記ワークピース上に第1の圧力を加えるように前記第1の駆動部材を位置決めする段階を含み、
前記駆動部材を配置し直す段階は、前記ワークピース上に前記第1の圧力とは異なる第2の圧力を加えるように前記第1の駆動部材を位置決めする段階を含む、
ことを特徴とする請求項29に記載の方法。 - ある特徴と裏面とを有する微細形状ワークピースを研磨するためのシステムであって、
微細形状ワークピースを担持するように構成されたワークピースキャリアアセンブリと、
前記ワークピースキャリアアセンブリに担持された複数の駆動部材と、
前記微細形状ワークピースを研磨するための、前記ワークピースキャリアアセンブリの下に配置可能な平坦化媒体と、
前記微細形状ワークピースの特徴の状態を判断するためのツールと、
前記ワークピースキャリアアセンブリと、前記複数の駆動部材と、前記平坦化媒体と、前記ツールとに作動可能に連結したコントローラと、
を含み、
前記コントローラは、
研磨サイクルとは別に前記微細形状ワークピースの前記特徴の前記状態を判断する段階と、
前記微細形状ワークピースの前記特徴の前記状態を判断した後に、前記ワークピースキャリアアセンブリ及び前記平坦化媒体の少なくとも一方を他方に対して移動する段階と、
前記複数の駆動部材の少なくとも1つを制御することにより、前記特徴の前記判断された状態に応じて前記微細形状ワークピースの裏面に圧力を加える段階と、
を含む方法を実行するための命令を収容したコンピュータ可読媒体を有することを特徴とするシステム。 - 前記複数の駆動部材は、前記ワークピースキャリアアセンブリ内で格子状に配置されていることを特徴とする請求項32に記載のシステム。
- 前記複数の駆動部材は、前記ワークピースキャリアアセンブリ内で同心円状に配置されていることを特徴とする請求項32に記載のシステム。
- 前記ツールは、前記微細形状ワークピースが前記ワークピースキャリアアセンブリによって担持される時に該微細形状ワークピースの前記特徴の前記状態を判断するように構成されていることを特徴とする請求項32に記載のシステム。
- 前記ツールは、前記微細形状ワークピースが前記ワークピースキャリアアセンブリによって担持される前及び/又は後に該微細形状ワークピースの前記特徴の前記状態を判断するように構成されていることを特徴とする請求項32に記載のシステム。
- 前記ツールは、前記微細形状ワークピースの層の厚さを判断するように構成されていることを特徴とする請求項32に記載のシステム。
- 前記ツールは、前記微細形状ワークピースの表面輪郭を判断するように構成されていることを特徴とする請求項32に記載のシステム。
- 前記複数の駆動部材は、複数の圧電部材を含むことを特徴とする請求項32に記載のシステム。
- 裏面とある特徴の所定の状態を備えた領域とを有する微細形状ワークピースを研磨するためのシステムであって、
微細形状ワークピースを担持するように構成されたワークピースキャリアアセンブリと、
前記ワークピースキャリアアセンブリに担持された複数の圧電部材と、
前記微細形状ワークピースを研磨するための、前記ワークピースキャリアアセンブリの下に配置可能な平坦化媒体と、
前記微細形状ワークピースの特徴の状態を判断するためのツールと、
前記ワークピースキャリアアセンブリと、前記複数の圧電部材と、前記平坦化媒体と、前記ツールとに作動可能に連結したコントローラと、
を含み、
前記コントローラは、
前記ワークピースキャリアアセンブリ及び前記平坦化媒体の少なくとも一方を他方に対して移動する段階と、
前記微細形状ワークピースの裏面に力を加えるために所定の状態に応じて前記複数の圧電部材の少なくとも1つに電圧を印加することにより、該微細形状ワークピースのある特徴の所定の状態を備えた領域に該特徴の望ましい状態をもたらす段階と、
を含む方法を実行するための命令を収容したコンピュータ可読媒体を有することを特徴とするシステム。 - 前記複数の圧電部材は、前記ワークピースキャリアアセンブリ内で格子状に配置されていることを特徴とする請求項40に記載のシステム。
- 前記複数の圧電部材は、前記ワークピースキャリアアセンブリ内で同心円状に配置されていることを特徴とする請求項40に記載のシステム。
- 前記ツールは、前記微細形状ワークピースが前記ワークピースキャリアアセンブリによって担持される時に該微細形状ワークピースの前記特徴の前記状態を判断するように構成されていることを特徴とする請求項40に記載のシステム。
- 前記ツールは、前記微細形状ワークピースが前記ワークピースキャリアアセンブリによって担持される前及び/又は後に該微細形状ワークピースの前記特徴の前記状態を判断するように構成されていることを特徴とする請求項40に記載のシステム。
- 前記ツールは、前記微細形状ワークピースの層の厚さを判断するように構成されていることを特徴とする請求項40に記載のシステム。
- 前記ツールは、前記微細形状ワークピースの表面輪郭を判断するように構成されていることを特徴とする請求項40に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/425,252 US7131891B2 (en) | 2003-04-28 | 2003-04-28 | Systems and methods for mechanical and/or chemical-mechanical polishing of microfeature workpieces |
US10/425,252 | 2003-04-28 | ||
PCT/US2004/012765 WO2004098829A2 (en) | 2003-04-28 | 2004-04-26 | Systems and methods for mechanical and/or chemical-mechanical polishing of microfeature workpieces |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006524588A true JP2006524588A (ja) | 2006-11-02 |
Family
ID=33299489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006513314A Pending JP2006524588A (ja) | 2003-04-28 | 2004-04-26 | 微細形状ワークピースを機械的及び/又は化学機械的に研磨するためのシステム及び方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7131891B2 (ja) |
EP (1) | EP1633526B1 (ja) |
JP (1) | JP2006524588A (ja) |
KR (1) | KR100870630B1 (ja) |
CN (1) | CN1805824A (ja) |
TW (1) | TWI300023B (ja) |
WO (1) | WO2004098829A2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014223684A (ja) * | 2013-05-15 | 2014-12-04 | 株式会社東芝 | 研磨装置および研磨方法 |
JP2017098446A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 株式会社Sumco | ウェーハ研磨方法 |
JP2020126872A (ja) * | 2019-02-01 | 2020-08-20 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 研磨ヘッド、研磨装置及び研磨方法 |
JP2021154421A (ja) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | 株式会社荏原製作所 | 研磨ヘッドシステムおよび研磨装置 |
JP2023517454A (ja) * | 2020-06-24 | 2023-04-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 圧電圧力制御によるキャリアヘッドの研磨 |
US12030156B2 (en) | 2021-06-22 | 2024-07-09 | Applied Materials, Inc. | Polishing carrier head with piezoelectric pressure control |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104044057B (zh) | 2004-11-01 | 2017-05-17 | 株式会社荏原制作所 | 抛光设备 |
DE102005016411B4 (de) * | 2005-04-08 | 2007-03-29 | IGAM Ingenieurgesellschaft für angewandte Mechanik mbH | Vorrichtung zur hochgenauen Oberflächenbearbeitung eines Werkstückes |
CN101238552B (zh) * | 2005-08-05 | 2012-05-23 | 裴城焄 | 化学机械抛光设备 |
US7537511B2 (en) * | 2006-03-14 | 2009-05-26 | Micron Technology, Inc. | Embedded fiber acoustic sensor for CMP process endpoint |
US8298041B2 (en) * | 2010-10-08 | 2012-10-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for wafer back-grinding control |
US20120122373A1 (en) * | 2010-11-15 | 2012-05-17 | Stmicroelectronics, Inc. | Precise real time and position low pressure control of chemical mechanical polish (cmp) head |
TWI574780B (zh) * | 2013-03-29 | 2017-03-21 | 姜準模 | 用於化學機械拋光系統的載具頭 |
US10328549B2 (en) * | 2013-12-11 | 2019-06-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Polishing head, chemical-mechanical polishing system and method for polishing substrate |
CN106584214A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-04-26 | 石长海 | 一种大尺寸晶片单面抛光的方法 |
US11731231B2 (en) * | 2019-01-28 | 2023-08-22 | Micron Technology, Inc. | Polishing system, polishing pad, and related methods |
JP2021091033A (ja) * | 2019-12-10 | 2021-06-17 | キオクシア株式会社 | 研磨装置、研磨ヘッド、研磨方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP2021112797A (ja) * | 2020-01-17 | 2021-08-05 | 株式会社荏原製作所 | 研磨ヘッドシステムおよび研磨装置 |
CN111438632A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-07-24 | 北京特思迪半导体设备有限公司 | 一种可调整式带无线传输的4、6寸抛光压头 |
Family Cites Families (136)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US52052A (en) * | 1866-01-16 | Washing-machine | ||
US4501258A (en) * | 1982-10-04 | 1985-02-26 | Texas Instruments Incorporated | Kerf loss reduction in internal diameter sawing |
US4498345A (en) * | 1982-10-04 | 1985-02-12 | Texas Instruments Incorporated | Method for measuring saw blade flexure |
US4502459A (en) * | 1982-10-04 | 1985-03-05 | Texas Instruments Incorporated | Control of internal diameter saw blade tension in situ |
JPS63299785A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Res Dev Corp Of Japan | 圧電・電歪素子を用いた衝撃力による微小移動装置 |
US4971021A (en) | 1987-07-31 | 1990-11-20 | Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Apparatus for cutting semiconductor crystal |
US5234867A (en) * | 1992-05-27 | 1993-08-10 | Micron Technology, Inc. | Method for planarizing semiconductor wafers with a non-circular polishing pad |
US5081796A (en) * | 1990-08-06 | 1992-01-21 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer |
USRE34425E (en) | 1990-08-06 | 1993-11-02 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer |
US5036015A (en) * | 1990-09-24 | 1991-07-30 | Micron Technology, Inc. | Method of endpoint detection during chemical/mechanical planarization of semiconductor wafers |
US5163334A (en) | 1990-10-24 | 1992-11-17 | Simonds Industries Inc. | Circular saw testing technique |
US5069002A (en) * | 1991-04-17 | 1991-12-03 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for endpoint detection during mechanical planarization of semiconductor wafers |
JPH052052A (ja) * | 1991-06-26 | 1993-01-08 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体装置のテスト信号発生回路 |
EP0532933B1 (en) * | 1991-08-21 | 1995-11-02 | Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. | Blade position detection apparatus |
US5240552A (en) | 1991-12-11 | 1993-08-31 | Micron Technology, Inc. | Chemical mechanical planarization (CMP) of a semiconductor wafer using acoustical waves for in-situ end point detection |
US5618381A (en) * | 1992-01-24 | 1997-04-08 | Micron Technology, Inc. | Multiple step method of chemical-mechanical polishing which minimizes dishing |
US5244534A (en) | 1992-01-24 | 1993-09-14 | Micron Technology, Inc. | Two-step chemical mechanical polishing process for producing flush and protruding tungsten plugs |
US5514245A (en) * | 1992-01-27 | 1996-05-07 | Micron Technology, Inc. | Method for chemical planarization (CMP) of a semiconductor wafer to provide a planar surface free of microscratches |
US5245790A (en) | 1992-02-14 | 1993-09-21 | Lsi Logic Corporation | Ultrasonic energy enhanced chemi-mechanical polishing of silicon wafers |
JPH05263686A (ja) * | 1992-03-23 | 1993-10-12 | Toyota Motor Corp | 内燃機関の触媒劣化判別装置 |
US5222329A (en) * | 1992-03-26 | 1993-06-29 | Micron Technology, Inc. | Acoustical method and system for detecting and controlling chemical-mechanical polishing (CMP) depths into layers of conductors, semiconductors, and dielectric materials |
US5314843A (en) * | 1992-03-27 | 1994-05-24 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit polishing method |
US5245796A (en) | 1992-04-02 | 1993-09-21 | At&T Bell Laboratories | Slurry polisher using ultrasonic agitation |
US5232875A (en) | 1992-10-15 | 1993-08-03 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for improving planarity of chemical-mechanical planarization operations |
US5540810A (en) * | 1992-12-11 | 1996-07-30 | Micron Technology Inc. | IC mechanical planarization process incorporating two slurry compositions for faster material removal times |
JPH0815718B2 (ja) | 1993-08-20 | 1996-02-21 | 株式会社島精機製作所 | 裁断刃の刃幅測定装置 |
US5486129A (en) * | 1993-08-25 | 1996-01-23 | Micron Technology, Inc. | System and method for real-time control of semiconductor a wafer polishing, and a polishing head |
US5643060A (en) * | 1993-08-25 | 1997-07-01 | Micron Technology, Inc. | System for real-time control of semiconductor wafer polishing including heater |
US5658183A (en) | 1993-08-25 | 1997-08-19 | Micron Technology, Inc. | System for real-time control of semiconductor wafer polishing including optical monitoring |
US5700180A (en) * | 1993-08-25 | 1997-12-23 | Micron Technology, Inc. | System for real-time control of semiconductor wafer polishing |
US5433651A (en) * | 1993-12-22 | 1995-07-18 | International Business Machines Corporation | In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing |
US5413941A (en) | 1994-01-06 | 1995-05-09 | Micron Technology, Inc. | Optical end point detection methods in semiconductor planarizing polishing processes |
US5439551A (en) | 1994-03-02 | 1995-08-08 | Micron Technology, Inc. | Chemical-mechanical polishing techniques and methods of end point detection in chemical-mechanical polishing processes |
US5795495A (en) | 1994-04-25 | 1998-08-18 | Micron Technology, Inc. | Method of chemical mechanical polishing for dielectric layers |
US5449314A (en) | 1994-04-25 | 1995-09-12 | Micron Technology, Inc. | Method of chimical mechanical polishing for dielectric layers |
US5533924A (en) * | 1994-09-01 | 1996-07-09 | Micron Technology, Inc. | Polishing apparatus, a polishing wafer carrier apparatus, a replacable component for a particular polishing apparatus and a process of polishing wafers |
US5632666A (en) * | 1994-10-28 | 1997-05-27 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for automated quality control in wafer slicing |
JP3195504B2 (ja) | 1994-11-24 | 2001-08-06 | トーヨーエイテック株式会社 | スライシング装置のブレード変位検出装置 |
US6537133B1 (en) * | 1995-03-28 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
US5945347A (en) | 1995-06-02 | 1999-08-31 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for polishing a semiconductor wafer in an overhanging position |
US6110820A (en) | 1995-06-07 | 2000-08-29 | Micron Technology, Inc. | Low scratch density chemical mechanical planarization process |
US5668061A (en) | 1995-08-16 | 1997-09-16 | Xerox Corporation | Method of back cutting silicon wafers during a dicing procedure |
US5609718A (en) * | 1995-09-29 | 1997-03-11 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for measuring a change in the thickness of polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
US6152803A (en) * | 1995-10-20 | 2000-11-28 | Boucher; John N. | Substrate dicing method |
US5718615A (en) | 1995-10-20 | 1998-02-17 | Boucher; John N. | Semiconductor wafer dicing method |
US5967030A (en) * | 1995-11-17 | 1999-10-19 | Micron Technology, Inc. | Global planarization method and apparatus |
US5658190A (en) * | 1995-12-15 | 1997-08-19 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for separating wafers from polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
US5792709A (en) | 1995-12-19 | 1998-08-11 | Micron Technology, Inc. | High-speed planarizing apparatus and method for chemical mechanical planarization of semiconductor wafers |
US5720845A (en) * | 1996-01-17 | 1998-02-24 | Liu; Keh-Shium | Wafer polisher head used for chemical-mechanical polishing and endpoint detection |
US6135856A (en) | 1996-01-19 | 2000-10-24 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for semiconductor planarization |
US5738562A (en) * | 1996-01-24 | 1998-04-14 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for planar end-point detection during chemical-mechanical polishing |
US5643048A (en) * | 1996-02-13 | 1997-07-01 | Micron Technology, Inc. | Endpoint regulator and method for regulating a change in wafer thickness in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
US5618447A (en) * | 1996-02-13 | 1997-04-08 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad counter meter and method for real-time control of the polishing rate in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers |
US5777739A (en) * | 1996-02-16 | 1998-07-07 | Micron Technology, Inc. | Endpoint detector and method for measuring a change in wafer thickness in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers |
US5679065A (en) | 1996-02-23 | 1997-10-21 | Micron Technology, Inc. | Wafer carrier having carrier ring adapted for uniform chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
US5798302A (en) | 1996-02-28 | 1998-08-25 | Micron Technology, Inc. | Low friction polish-stop stratum for endpointing chemical-mechanical planarization processing of semiconductor wafers |
DE19607695A1 (de) * | 1996-02-29 | 1997-09-04 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben |
US5663797A (en) | 1996-05-16 | 1997-09-02 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for detecting the endpoint in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers |
US5910846A (en) * | 1996-05-16 | 1999-06-08 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for detecting the endpoint in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers |
US5893754A (en) * | 1996-05-21 | 1999-04-13 | Micron Technology, Inc. | Method for chemical-mechanical planarization of stop-on-feature semiconductor wafers |
US5681423A (en) | 1996-06-06 | 1997-10-28 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor wafer for improved chemical-mechanical polishing over large area features |
US5871392A (en) | 1996-06-13 | 1999-02-16 | Micron Technology, Inc. | Under-pad for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
US5747386A (en) * | 1996-10-03 | 1998-05-05 | Micron Technology, Inc. | Rotary coupling |
US5972792A (en) | 1996-10-18 | 1999-10-26 | Micron Technology, Inc. | Method for chemical-mechanical planarization of a substrate on a fixed-abrasive polishing pad |
US5830806A (en) | 1996-10-18 | 1998-11-03 | Micron Technology, Inc. | Wafer backing member for mechanical and chemical-mechanical planarization of substrates |
US5702292A (en) * | 1996-10-31 | 1997-12-30 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for loading and unloading substrates to a chemical-mechanical planarization machine |
US5868896A (en) * | 1996-11-06 | 1999-02-09 | Micron Technology, Inc. | Chemical-mechanical planarization machine and method for uniformly planarizing semiconductor wafers |
US6006739A (en) * | 1996-11-12 | 1999-12-28 | Micron Technology, Inc. | Method for sawing wafers employing multiple indexing techniques for multiple die dimensions |
US5855804A (en) * | 1996-12-06 | 1999-01-05 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for stopping mechanical and chemical-mechanical planarization of substrates at desired endpoints |
US5895550A (en) * | 1996-12-16 | 1999-04-20 | Micron Technology, Inc. | Ultrasonic processing of chemical mechanical polishing slurries |
US5807165A (en) | 1997-03-26 | 1998-09-15 | International Business Machines Corporation | Method of electrochemical mechanical planarization |
US6331488B1 (en) * | 1997-05-23 | 2001-12-18 | Micron Technology, Inc. | Planarization process for semiconductor substrates |
US5934980A (en) * | 1997-06-09 | 1999-08-10 | Micron Technology, Inc. | Method of chemical mechanical polishing |
US6007408A (en) * | 1997-08-21 | 1999-12-28 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for endpointing mechanical and chemical-mechanical polishing of substrates |
US5997384A (en) * | 1997-12-22 | 1999-12-07 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling planarizing characteristics in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates |
US6083085A (en) * | 1997-12-22 | 2000-07-04 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for planarizing microelectronic substrates and conditioning planarizing media |
US6139402A (en) * | 1997-12-30 | 2000-10-31 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates |
US6080050A (en) * | 1997-12-31 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus |
US6074286A (en) | 1998-01-05 | 2000-06-13 | Micron Technology, Inc. | Wafer processing apparatus and method of processing a wafer utilizing a processing slurry |
US6224466B1 (en) * | 1998-02-02 | 2001-05-01 | Micron Technology, Inc. | Methods of polishing materials, methods of slowing a rate of material removal of a polishing process |
US6102777A (en) | 1998-03-06 | 2000-08-15 | Keltech Engineering | Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen |
US20020049029A1 (en) * | 1998-04-08 | 2002-04-25 | Large Jeffrey L. | System and method for chemical mechanical polishing |
US6210257B1 (en) * | 1998-05-29 | 2001-04-03 | Micron Technology, Inc. | Web-format polishing pads and methods for manufacturing and using web-format polishing pads in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates |
US6200901B1 (en) * | 1998-06-10 | 2001-03-13 | Micron Technology, Inc. | Polishing polymer surfaces on non-porous CMP pads |
US6143155A (en) * | 1998-06-11 | 2000-11-07 | Speedfam Ipec Corp. | Method for simultaneous non-contact electrochemical plating and planarizing of semiconductor wafers using a bipiolar electrode assembly |
US6171174B1 (en) * | 1998-06-26 | 2001-01-09 | Advanced Micro Devices | System and method for controlling a multi-arm polishing tool |
US6220934B1 (en) * | 1998-07-23 | 2001-04-24 | Micron Technology, Inc. | Method for controlling pH during planarization and cleaning of microelectronic substrates |
US6190494B1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-02-20 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for electrically endpointing a chemical-mechanical planarization process |
US6180525B1 (en) * | 1998-08-19 | 2001-01-30 | Micron Technology, Inc. | Method of minimizing repetitive chemical-mechanical polishing scratch marks and of processing a semiconductor wafer outer surface |
US6323046B1 (en) * | 1998-08-25 | 2001-11-27 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for endpointing a chemical-mechanical planarization process |
US6152808A (en) * | 1998-08-25 | 2000-11-28 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic substrate polishing systems, semiconductor wafer polishing systems, methods of polishing microelectronic substrates, and methods of polishing wafers |
US6352466B1 (en) * | 1998-08-31 | 2002-03-05 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for wireless transfer of chemical-mechanical planarization measurements |
US6046111A (en) * | 1998-09-02 | 2000-04-04 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for endpointing mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates |
US6193588B1 (en) * | 1998-09-02 | 2001-02-27 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for planarizing and cleaning microelectronic substrates |
US6106351A (en) | 1998-09-02 | 2000-08-22 | Micron Technology, Inc. | Methods of manufacturing microelectronic substrate assemblies for use in planarization processes |
US6191037B1 (en) * | 1998-09-03 | 2001-02-20 | Micron Technology, Inc. | Methods, apparatuses and substrate assembly structures for fabricating microelectronic components using mechanical and chemical-mechanical planarization processes |
US6203407B1 (en) * | 1998-09-03 | 2001-03-20 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for increasing-chemical-polishing selectivity |
US6039633A (en) * | 1998-10-01 | 2000-03-21 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies |
US6250994B1 (en) * | 1998-10-01 | 2001-06-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies on planarizing pads |
US6187681B1 (en) * | 1998-10-14 | 2001-02-13 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for planarization of a substrate |
US6218316B1 (en) * | 1998-10-22 | 2001-04-17 | Micron Technology, Inc. | Planarization of non-planar surfaces in device fabrication |
US6184571B1 (en) * | 1998-10-27 | 2001-02-06 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for endpointing planarization of a microelectronic substrate |
US6176992B1 (en) * | 1998-11-03 | 2001-01-23 | Nutool, Inc. | Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition |
US6206756B1 (en) * | 1998-11-10 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc. | Tungsten chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a tungsten layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad |
US6358129B2 (en) * | 1998-11-11 | 2002-03-19 | Micron Technology, Inc. | Backing members and planarizing machines for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies, and methods of making and using such backing members |
US6203413B1 (en) * | 1999-01-13 | 2001-03-20 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for conditioning polishing pads in mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies |
US6066030A (en) * | 1999-03-04 | 2000-05-23 | International Business Machines Corporation | Electroetch and chemical mechanical polishing equipment |
US6599836B1 (en) * | 1999-04-09 | 2003-07-29 | Micron Technology, Inc. | Planarizing solutions, planarizing machines and methods for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies |
US6227955B1 (en) * | 1999-04-20 | 2001-05-08 | Micron Technology, Inc. | Carrier heads, planarizing machines and methods for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies |
US6213845B1 (en) * | 1999-04-26 | 2001-04-10 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for in-situ optical endpointing on web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies and methods for making and using same |
US6203404B1 (en) * | 1999-06-03 | 2001-03-20 | Micron Technology, Inc. | Chemical mechanical polishing methods |
US6241593B1 (en) * | 1999-07-09 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with pressurizable bladder |
US6267650B1 (en) * | 1999-08-09 | 2001-07-31 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for substantial planarization of solder bumps |
US6261163B1 (en) * | 1999-08-30 | 2001-07-17 | Micron Technology, Inc. | Web-format planarizing machines and methods for planarizing microelectronic substrate assemblies |
US6376381B1 (en) * | 1999-08-31 | 2002-04-23 | Micron Technology, Inc. | Planarizing solutions, planarizing machines, and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies |
US6273800B1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-08-14 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for supporting a polishing pad during chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates |
US6328632B1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-12-11 | Micron Technology, Inc. | Polishing pads and planarizing machines for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies |
US6206754B1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc. | Endpoint detection apparatus, planarizing machines with endpointing apparatus, and endpointing methods for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies |
US6244944B1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-06-12 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for supporting and cleaning a polishing pad for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates |
US6331135B1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-12-18 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with metal compound abrasives |
US6238273B1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-05-29 | Micron Technology, Inc. | Methods for predicting polishing parameters of polishing pads and methods and machines for planarizing microelectronic substrate assemblies in mechanical or chemical-mechanical planarization |
US6325696B1 (en) * | 1999-09-13 | 2001-12-04 | International Business Machines Corporation | Piezo-actuated CMP carrier |
US6303507B1 (en) * | 1999-12-13 | 2001-10-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | In-situ feedback system for localized CMP thickness control |
US6227939B1 (en) * | 2000-01-25 | 2001-05-08 | Agilent Technologies, Inc. | Temperature controlled chemical mechanical polishing method and apparatus |
US6368190B1 (en) * | 2000-01-26 | 2002-04-09 | Agere Systems Guardian Corp. | Electrochemical mechanical planarization apparatus and method |
US6313038B1 (en) * | 2000-04-26 | 2001-11-06 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling chemical interactions during planarization of microelectronic substrates |
US6387289B1 (en) * | 2000-05-04 | 2002-05-14 | Micron Technology, Inc. | Planarizing machines and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies |
US20020102917A1 (en) * | 2001-01-30 | 2002-08-01 | Chih-Hung Lee | Polishing method using dynamic feedback recipe |
US6582277B2 (en) * | 2001-05-01 | 2003-06-24 | Speedfam-Ipec Corporation | Method for controlling a process in a multi-zonal apparatus |
US7101799B2 (en) * | 2001-06-19 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Feedforward and feedback control for conditioning of chemical mechanical polishing pad |
US7160739B2 (en) * | 2001-06-19 | 2007-01-09 | Applied Materials, Inc. | Feedback control of a chemical mechanical polishing device providing manipulation of removal rate profiles |
US6799136B2 (en) * | 2001-08-09 | 2004-09-28 | Texas Instruments Incorporated | Method of estimation of wafer polish rates |
US20030199112A1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-10-23 | Applied Materials, Inc. | Copper wiring module control |
US6769970B1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-08-03 | Lam Research Corporation | Fluid venting platen for optimizing wafer polishing |
DE10303407A1 (de) * | 2003-01-27 | 2004-08-19 | Friedrich-Schiller-Universität Jena | Verfahren und Vorrichtung zur hochgenauen Bearbeitung der Oberfläche eines Objektes, insbesondere zum Polieren und Läppen von Halbleitersubstraten |
US7354332B2 (en) * | 2003-08-04 | 2008-04-08 | Applied Materials, Inc. | Technique for process-qualifying a semiconductor manufacturing tool using metrology data |
-
2003
- 2003-04-28 US US10/425,252 patent/US7131891B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-04-26 JP JP2006513314A patent/JP2006524588A/ja active Pending
- 2004-04-26 CN CNA2004800166637A patent/CN1805824A/zh active Pending
- 2004-04-26 EP EP04750649A patent/EP1633526B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-26 KR KR1020057020589A patent/KR100870630B1/ko active IP Right Grant
- 2004-04-26 WO PCT/US2004/012765 patent/WO2004098829A2/en active Search and Examination
- 2004-04-27 TW TW093111771A patent/TWI300023B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-09-08 US US11/518,013 patent/US7357695B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014223684A (ja) * | 2013-05-15 | 2014-12-04 | 株式会社東芝 | 研磨装置および研磨方法 |
CN108475627B (zh) * | 2015-11-26 | 2022-11-08 | 胜高股份有限公司 | 晶圆抛光方法 |
WO2017090406A1 (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 株式会社Sumco | ウェーハ研磨方法 |
KR20180067657A (ko) * | 2015-11-26 | 2018-06-20 | 가부시키가이샤 사무코 | 웨이퍼 연마 방법 |
CN108475627A (zh) * | 2015-11-26 | 2018-08-31 | 胜高股份有限公司 | 晶圆抛光方法 |
KR102047814B1 (ko) * | 2015-11-26 | 2019-11-22 | 가부시키가이샤 사무코 | 웨이퍼 연마 방법 |
US11075085B2 (en) | 2015-11-26 | 2021-07-27 | Sumco Corporation | Wafer polishing method |
JP2017098446A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 株式会社Sumco | ウェーハ研磨方法 |
JP2020126872A (ja) * | 2019-02-01 | 2020-08-20 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 研磨ヘッド、研磨装置及び研磨方法 |
JP2021154421A (ja) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | 株式会社荏原製作所 | 研磨ヘッドシステムおよび研磨装置 |
JP7365282B2 (ja) | 2020-03-26 | 2023-10-19 | 株式会社荏原製作所 | 研磨ヘッドシステムおよび研磨装置 |
JP2023517454A (ja) * | 2020-06-24 | 2023-04-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 圧電圧力制御によるキャリアヘッドの研磨 |
US11890715B2 (en) | 2020-06-24 | 2024-02-06 | Applied Materials, Inc. | Polishing carrier head with piezoelectric pressure control |
US12030156B2 (en) | 2021-06-22 | 2024-07-09 | Applied Materials, Inc. | Polishing carrier head with piezoelectric pressure control |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200513345A (en) | 2005-04-16 |
US20040214509A1 (en) | 2004-10-28 |
CN1805824A (zh) | 2006-07-19 |
EP1633526A2 (en) | 2006-03-15 |
US20070004321A1 (en) | 2007-01-04 |
WO2004098829A3 (en) | 2004-12-23 |
US7131891B2 (en) | 2006-11-07 |
EP1633526B1 (en) | 2013-04-03 |
US7357695B2 (en) | 2008-04-15 |
WO2004098829A2 (en) | 2004-11-18 |
KR100870630B1 (ko) | 2008-11-26 |
KR20060024369A (ko) | 2006-03-16 |
TWI300023B (en) | 2008-08-21 |
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---|---|---|
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Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081222 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090525 |