KR20060024369A - 마이크로피처 공작물의 기계적 및/또는 화학-기계적 연마를위한 시스템 및 방법 - Google Patents

마이크로피처 공작물의 기계적 및/또는 화학-기계적 연마를위한 시스템 및 방법

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KR20060024369A
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Abstract

마이크로피처 공작물을 연마하기 위한 시스템 및 방법. 하나의 실시예에서, 본 방법은 마이크로피처 공작물의 특성의 상태를 측정하는 단계와, 마이크로피처 공작물의 특성의 상태를 측정한 후 마이크로피처 공작물을 폴리싱 패드에 대고 마찰시키기 위해 캐리어 헤드 및/또는 폴리싱 패드를 서로 상대적으로 이동시키는 단계를 포함한다. 또한 캐리어 헤드는 다수의 압전부재를 운반한다. 또한, 본 방법은 다수의 압전부재들중 적어도 하나에 에너지를 인가함으로써 측정된 특성의 상태에 반응하여 마이크로피처 공작물의 뒷면에 압력을 적용하는 단계를 추가로 포함한다. 다른 실시예에서, 시스템은 공작물 캐리어 조립체, 다수의 압전부재, 폴리싱 패드, 특성의 상태를 측정하기 위한 계측 공구, 및 제어기를 포함한다. 제어기는 상술한 방법을 실행하기 위한 지령들을 담고 있는 컴퓨터 판독 가능한 매체를 가질 수 있다.
마이크로피처 공작물. 연마, 압전부재, 연마패드. 계측공구.

Description

마이크로피처 공작물의 기계적 및/또는 화학-기계적 연마를 위한 시스템 및 방법{Systems and methods for mechanical and/or chemical-mechanical polishing of microfeature workpieces}
본 발명은 마이크로피처 공작물(microfeature workpiece)를 연마하기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 압전부재들을 포함하는 공작물 캐리어 조립체를 갖는 마이크로피처 공작물의 기계적 및/또는 화학-기계적 연마에 관한 것이다.
기계적 및 화학-기계적 평탄화 방법(총칭하여 "CMP"라 함)은 마이크로전자 디바이스 및 다른 제품들의 생산에서 마이크로피처 공작물의 표면에서 재료를 제거한다. 도 1은 개략적으로 플레튼(platen: 20), 캐리어 헤드(carrier head: 30), 및 평탄화 패드(planarizing pad: 40)를 갖는 회전 CMP 기계(10)를 도시하고 있다. CMP 기계(10)는 또한 플레튼(20)의 상부면(22)과 평탄화 패드(40)의 하부면 사이에 언더패드(under-pad: 25)를 가질 수 있다. 구동조립체(26)는 플레튼(20)을 회전시키고(화살표 F로 지칭됨) 및/또는 플레튼(20)을 전후로(화살표 G로 지칭됨) 왕복운동시킨다. 평탄화 패드(40)가 언더패드(25)에 부착되기 때문에, 평탄화 패드(40)는 평탄화 중에 플레튼(20)과 함께 이동된다.
캐리어 헤드(30)는 마이크로피처 공작물(12)가 부착될 수 있는 하부면(32)을 가지고, 또는 공작물(12)이 하부면(32) 아래에 있는 탄성 패드(34)에 부착될 수 있다. 캐리어 헤드(30)는 일정 중량의 프리플로팅 웨이퍼 캐리어(weighted, free-floating wafer carrier)가 될 수 있으며, 또는 액추에이터 조립체(36)는 캐리어 헤드(30)에 부착되어 회전운동을 마이크로피처 공작물(12)에 부여하며(화살표 J로 지칭됨) 및/또는 공작물(12)를 전후로(화살표 I로 표시됨) 왕복운동시킨다.
평탄화 패드(40) 및 평탄화 솔루션(soultion: 44)은 마이크로피처 공작물(12)의 표면로부터 기계적 및/또는 화학-기계적으로 재료를 제거하는 평탄화 매체를 형성한다. 평탄화 솔루션(44)은 마이크로피처 공작물(12)의 표면을 에칭 및/또는 산화시키는 연마재 입자들 및 화학제를 갖는 종래 CMP 슬러리가 될 수 있고, 또는 평탄화 솔루션(44)은 연마재 입자들을 갖지 않는 "깨끗한" 연마재없는 평탄화 솔루션이 될 수 있다. 대부분의 CMP 적용분야에서, 연마재 입자들을 갖는 연마재 슬러리는 연마재없는(nonabrasive) 폴리싱 패드에 사용되고, 연마재 입자들을 갖지 않는 깨끗한 연마재없는 솔루션이 연마재부착 폴리싱 패드에 사용된다.
마이크로피처 공작물(12)를 CMP 기계(10)로 평탄화하기 위해서, 캐리어 헤드(30)는 공작물(12)의 겉면을 아래로 하여(facedown) 폴리싱 패드(40)에 압축시킨다. 특히, 캐리어 헤드(30)는 평탄화 패드(40)의 평탄화 표면(42)에 있는 평탄화 솔루션(44)에 대해 마이크로피처 공작물(12)를 압축시키고, 플레튼(20) 및/또는 캐리어 헤드(30)가 이동하여 공작물(12)를 평탄화 표면(42)에 대고 마찰시킨다. 마이크로피처 공작물(12)가 평탄화 표면(42)에 대고 마찰됨에 따라 평탄화 매체가 공작 물(12)의 겉면에서 재료를 제거한다.
CMP 방법은 회로들 및 포토패턴(photo-pattern)들을 정밀하게 제작할 수 있도록 공작물에 균일하게 평평한 표면을 지속적으로 정확하게 제조해야 한다. 예를 들어, CMP 처리중에 공작물의 한 지역에서의 재료가 다른 지역에서의 재료보터 더 빨리 제거되면 불균일한 표면이 발생될 수 있다. 재료의 불균일한 제거를 보상하기 위해서, 캐리어 헤드는 공작물의 선택된 지역들에 하향력을 발휘하는 확장성 내부 및 외부 블래더(bladder)를 갖추며 발전되었다. 그러나, 이 캐리어 헤드는 몇가지 단점을 가진다. 예를 들어, 통상적인 블래더는 주변에서 균일한 하향력을 발휘하기 어렵게 만드는 굴곡에지를 가진다. 더구나, 종래 블래더는 공작물의 상당히 넓은 지역을 커버하고, 따라서 공작물에 하향력을 집중시키는 능력을 제한하다. 또한, 종래 블래더는 하향력의 정밀한 제어를 방지하는 압축성 공기로 종종 채워진다. 덧붙여, 다수의 블래더를 갖는 캐리어 헤드는 수선 및/또는 메인티넌스(maintenance)를 위한 많은 정지시간을 갖게 되며, 따라서 부수적으로 처리율의 감소를 초래하는 컴플렉스 시스템(complex system)을 형성한다.
본 발명의 하나의 양상은 특성(characteristic)을 갖는 마이크로피처 공작물을 연마하는 방법에 관한 것이다. 하나의 실시예에서, 본 방법은 폴리싱 사이클로부터 독립하여 마이크로피처 공작물의 특성의 상태를 측정하는 단계와, 마이크로피처 공작물의 특성의 상태를 측정한 후 마이크로피처 공작물을 폴리싱 패드에 대고 마찰시키기 위해 캐리어 헤드 및/또는 폴리싱 패드를 서로 상대적으로 이동시키는 단계를 포함한다. 또한 캐리어 헤드는 다수의 압전부재를 운반한다. 또한, 본 방법은 다수의 압전부재들중 적어도 하나에 에너지를 인가함으로써 측정된 특성 상태에 반응하여 마이크로피처 공작물의 뒷면에 압력을 적용하는 단계를 추가로 포함한다. 특성의 상태를 측정하는 것은 마이크로피처 공작물의 층 두께 또는 표면 외형을 측정하는 것을 포함할 수 있고, 그리고 특성의 상태는 계측 공구에 의해 측정될 수 있다. 압전부재들은 격자형으로 배치되거나, 또는 동심으로, 또는 캐리어 헤드내에서 다른 패턴으로 배치될 수 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 회전 평탄화 기계의 일부를 도시하는 개략적 측단면도.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 의한 마이크로피처 공작물을 연마하기 위한 시스템의 개략 단면도.
도 3은 도 2의 선 A-A를 따라 취한 개략 단면도.
도 4A는 본 발명의 추가 실시예에 의하여 동심 배열된 다수의 압전부재를 도시하는 개략 평면도.
도 4B는 본 발명의 추가 실시예에 의하여 격자형으로 배열된 다수의 압전부재를 도시하는 개략 평면도.
A. 개요
본 발명은 마이크로피처 공작물의 기계적 및/또는 화학-기계적 연마를 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다. 용어 "마이크로피처 공작물"는 전체적으로, 마이크로전자 디바이스, 마이크로-기계식 디바이스, 데이터 기억소자, 및 다른 피처들이 제작되는 기판을 포함하는데 사용된다. 예로서, 마이크로피처 공작물은 반도체 웨이퍼, 유리기판, 절연기판, 또는 다른 형식의 기판이 될 수 있다. 또한, 용어 "평탄화"는 평평한 표면을 형성하거나 및/또는 원활한 표면을 형성하는(예컨대 "폴리싱") 것을 의미한다. 본 발명의 몇가지 특정 세부사항은 본 발명의 어떤 실시예의 철저한 이해를 돕기 위해 아래 설명과 도 2 내지 4B에 기재되어 있다. 그러나, 당업자는 본 발명이 추가의 실시예들을 가질 수 있으며, 또한 다른 실시예들이 아래 설명에 기재된 특정 피처들의 몇가지가 없어도 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
본 발명의 하나의 양상은 특성(characteristic)을 갖는 마이크로피처 공작물을 연마하는 방법에 관한 것이다. 하나의 실시예에서, 본 방법은 폴리싱 사이클로부터 독립하여 마이크로피처 공작물의 특성의 상태를 측정하는 단계와, 마이크로피처 공작물의 특성의 상태를 측정한 후 마이크로피처 공작물을 폴리싱 패드에 대고 마찰시키기 위해 캐리어 헤드 및/또는 폴리싱 패드를 서로 상대적으로 이동시키는 단계를 포함한다. 또한 캐리어 헤드는 다수의 압전부재를 운반한다. 또한, 본 방법은 다수의 압전부재들중 적어도 하나에 에너지를 인가함으로써 측정된 특성 상태에 반응하여 마이크로피처 공작물의 뒷면에 압력을 적용하는 단계를 추가로 포함한다. 특성의 상태를 측정하는 것은 마이크로피처 공작물의 층 두께 또는 표면 외형을 측 정하는 것을 포함할 수 있고, 그리고 특성의 상태는 계측 공구에 의해 측정될 수 있다. 압전부재들은 격자형으로 배치되거나, 또는 동심으로, 또는 캐리어 헤드내에서 다른 패턴으로 배치될 수 있다.
이 실시예의 다른 양상에서, 이 상태는 제1 상태이고, 공작물은 제1 공작물이다. 이 양상에서, 본 방법은 제1 마이크로피처 공작물에 압력을 적용한 후 제1 마이크로피처 공작물의 특성의 제1 상태를 측정하고, 제2 마이크로피처 공작물의 특성의 제1 상태를 측정하는 단계를 추가로 포함한다. 제2 마이크로피처 공작물은 제1 마이크로피처 공작물와 다르다. 또한, 본 방법은 제2 마이크로피처 공작물의 특성의 제1 상태를 측정한 후 제2 마이크로피처 공작물을 폴리싱 패드에 대고 마찰시키기 위해 캐리어 헤드 및/또는 폴리싱 패드를 서로에 대하여 상대이동시키는 단계를 포함한다. 공작물이 패드에서 마찰될 때, 제2 마이크로피처 공작물의 특성의 측정된 제1 상태와, 제1 마이크로피처 공작물의 특성의 필요한 상태와 측정된 제2 상태 사이의 차이에 반응하여 적어도 하나의 압전부재에 에너지를 인가함으로써 제2 마이크로피처 공작물의 뒷면에 압력이 적용된다.
본 발명의 다른 양상은 특성을 갖는 마이크로피처 공작물을 연마하는 시스템에 관한 것이다. 하나의 실시예에서, 이 시스템은 마이크로피처 공작물을 운반하도록 구성된 공작물 캐리어 조립체, 이 공작물 캐리어 조립체 의해 운반되는 다수의 압전부재, 마이크로피처 공작물을 연마하기 위해 공작물 캐리어 조립체 아래에 배치될 수 있는 폴리싱 패드, 마이크로피처 공작물의 특성의 상태를 측정하기 위한 공구, 및 상기 공작물 캐리어 조립체, 상기 압전부재들, 상기 폴리싱 패드와 상기 공구를 조작하도록 연결된 제어기를 포함한다. 제어기는 상술한 방법을 실행하기 위한 지령들을 담고 있는 컴퓨터 판독 가능한 매체를 가질 수 있다.
B. 폴리싱 시스템
도 2는 본 발명의 하나의 실시예에 의한 마이크로피처 공작물(12)를 연마하기 위한 시스템(100)의 개략 단면도이다. 시스템(100)은 CMP 기계(110)(일부분이 도시됨), 상기 CMP 기계(110)에 조작가능하게 연결된 제어기(160)(개략적으로 도시됨), 및 상기 제어기(160)에 조작가능하게 연결된 계측 공구(170)(개략적으로 도시됨)을 포함한다. 이 시스템(100)에서, 계측 공구(170)는 공작물(112)에서의 막 두께를 측정하거나 또는 공작물(112)의 다른 특성을 측정한다. 계측 공구(170)는 이 데이터를 제어기(160)에 전달하며, 제어기가 이 데이터를 공작물(112)의 연마 중에 CMP 기계(110)를 제어하는데 사용한다.
도 2에 도시된 실시예에서, CMP 기계(110)는 플레튼(120), 이 플레튼(120) 위에 있는 공작물 캐리어 조립체(130), 및 상기 플레튼(120)에 연결된 평탄화 패드(140)를 포함한다. 공작물 캐리어 조립체(130)는 공작물(112)를 평탄화 패드(140)의 평탄화 표면(142)을 가로지르며 이동시키기 위해 액추에이터 조립체(131)(개략적으로 도시됨)에 연결될 수 있다. 도시된 실시예에서, 공작물 캐리어 조립체(130)는 지지부재(134)와 이 지지부재(134)에 연결된 유지링(136)을 갖는 헤드(132)를 포함한다. 지지부재(134)는 액추에이터 조립체(131)에 연결된 상부판을 갖는 환형 하우징이 될 수 있다. 유지링(136)은 지지부재(134) 둘레로 연장하며 지지부재(134)의 하단 테두리(rim) 아래로 공작물(112)를 향하여 돌출한다.
이 실시예의 하나의 양상에서, 공작물 캐리어 조립체(130)는 헤드(132)내의 챔버(114)와 이 챔버(114)내의 다수의 압전부재(150)를 포함한다. 도 3은 도 2의 선 A-A를 따라 취한 개략 단면도이다. 도 2 및 도 3을 참고하면, 도시된 실시예에서, 압전부재(150)는 챔버(114)내에서 동심으로 배치된다. 예를 들어, 제1 압전부재(150a)는 챔버(114)의 내경과 최소한 대략적으로 동일한 외경 D1(도 3)을 가지고, 제2 압전부재(150b)는 제1 압전부재(150a)의 내경과 최소한 대략적으로 동일한 외경 D2(도 3)을 가지고, 제3 압전부재(150c)는 제2 압전부재(150b)의 내경과 최소한 대략적으로 동일한 외경 D3(도 3)을 가진다. 다른 실시예에서, 압전부재(150)들은 서로 격리되어 있을 수 있다. 예를 들어, 제2 압전부재(150b)의 외경 D2는 제1 압전부재(150a)의 내경보다 작을 수 있다. 추가의 실시예에서, 도 4A 및 도 4B를 참고하여 아래에 설명된 바와 같이, 압전부재들은 다른 형상 및/또는 구성들을 가질 수 있다.
도 2를 참고하면, 도시된 실시예에서, 압전부재(150)는 외부 벽(개별적으로 152a-c로서 구별됨), 이 외부 벽(152)에 대향한 내부 벽(153)(개별적으로 153-b로서 구별됨), 상부 벽(154)(개별적으로 154A-c로서 구별됨), 및 이 상부 벽(154)에 대향한 하부 벽(155)(개별적으로 155a-c로서 구별됨)을 가진다. 헤드(132)는 압전부재(150)의 상부 벽(54)을 지탱하는 표면(115)을 가진다. 이에 따라, 압전부재(150)가 에너지를 받을 때, 부재(150)들은 방향 D에서 표면(115)으로부터 하향으로 팽창한다. 압전부재(150)의 팽창은 공작물(112)에 힘을 가한다. 예로서, 도 2에서, 제1 압전부재(150a)가 에너지를 받아 힘 F를 공작물(112)의 주변 영역에 가한다. 부가의 실시예에서, 압전부재(150)는 다 함께 또는 개별적으로 에너지를 받을 수 있다.
공작물 캐리어 조립체(130)는 하나 이상의 압전부재(150)에 선택적으로 에너지를 가하기 위해 압전부재(150)에 조작가능하게 연결된 제어기(180)를 추가로 포함한다. 특히, 제어기(180)는 전기 커플러(coupler: 158)를 통해 압전부재(150)에 전압을 제공할 수 있다. 전기 커플러(158)는 압전부재(150)에 부착되어 있는 작은 와이어들을 포함할 수 있다. 이에 따라 제어기(180)는 압전부재(150)(들)을 선택하여 에너지를 인가하여 전압을 변경함으로써 힘 F의 크기 및 위치를 제어한다. 하나의 실시예에서, 제어기(180)는 상기 제어기(160)로부터 무선 신호들을 수신하는 텔레매틱스(telematics) 제어기 및 IC 제어기 칩을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 제어기(160, 180)는 유선, 적외선, 무선주파수 또는 다른 방법을 통해 통신할 수 있다. 추가의 실시예에서, 제어기(160)는 제어기(180)와 접촉하지 않고 압전부재(150)를 직접 작동시킬 수 있다.
공작물 캐리어 조립체(130)는 챔버(114)를 포위하며, 공작물(112)로부터 압전부재(150)의 하부 벽(154)을 분리하는 가요성 부재(190)를 추가로 포함할 수 있다. 가요성 부재(190)는 연마 중에 압전부재(150)를 보호하며 평탄화 솔루션(42)(도 1)이 챔버(114)내로 들어오는 것을 방지하는 실리콘 또는 다른 적절한 재료가 될 수 있다. 다른 실시예에서, 헤드(132)는 압전부재(150)와 공작물(112) 사이에 보조막을 포함할 수 있다.
계측 공구(170)는 연마하기 전에 공작물(112)의 특성의 상태를 측정하며 그 래서 그 데이터가 연마 중에 공작물(112)에 평평한 표면을 제공하는데 사용될 수 있다. 예로서, 계측 공구(170)는 여러 지역에서 공작물(112)의 층 두께를 측정할 수 있다. 공작물(112)의 특성의 상태를 결정한 이후에, 계측 공구(170)는 제어기(160)에 데이터를 제공한다. 제어기(160)는 연마 사이클을 제어할 때 데이터를 사용하는 자동 처리 제어기일 수 있다. 특히, 제어기(160)는 공작물(112) 상의 일반적인 평탄면을 제공하는데 필요한 힘의 위치 및 강도를 결정하기 위하여, 데이터를 사용할 수 있다. 예를 들어, 만약 계측 공구(170)가 공작물(112)의 경계 영역의 층이 공작물(112)의 중심 영역의 두께 보다 크다면, 제어기(160)는 연마 공정 동안 공작물(112)의 주변 영역에 대해서 힘 F를 작용시키기 위하여 제 1 압전 부재(150a)에 에너지를 공급할 수 있다. 계측 공구(170)는 공작물(112)이 공작물 캐리어 조립체(130)에 부착되기 이전 및/또는 이후에 특성의 상태를 결정할 수 있다. 적당한 장치는 이스라엘의 노바 메저링 인스트루먼트 리미티드(Nova Measuring Instruments Ltd.)에 의해서 제조된 계측 공구와 다른 유사 장치들을 포함한다. 다른 실시예에서, 계측 공구 이외의 공구들이 특성의 상태를 결정하기 위하여 사용될 수 있다.
본 실시예의 한 형태에서, 계측 공구(170)는 연마 이후에 공작물(112)의 특성의 상태를 결정한다. 연마 이후에 특성의 상태를 측정하려면, 제어기(160)가 특성의 차후-연마 상태가 바람직한 상태인지를 결정하도록 허용해야 한다. 예를 들어, 제어기(160)는 공작물(112)의 표면이 충분히 평탄한지 및/또는 공작물(112)의 층이 바람직한 두께를 가지는지를 결정할 수 있다. 또한, 연마 이후에 특성의 상 태를 측정하는 것은, 제어기(160)가 유지링(136), 평탄화 패드(140), 컨디셔닝 스톤(conditioning stone; 도시안됨) 및/또는 CMP 기계(110)의 다른 부품들의 마모를 추적하도록 허용한다. 예를 들어, 제어기(160)는 연마 사이클의 끝에서 공작물의 특성의 측정된 상태와 특성의 계획된 상태 사이의 차이점을 결정함으로써, CMP 기계(110)의 마모를 추적할 수 있다. CMP 기계(110)의 마모는 공작물의 연마에 영향을 미치고 결과적으로 연마 사이클의 끝에서 공작물의 특성의 측정된 상태와 계획된 상태 사이의 차이점이 있을 수 있다. 따라서, 일련의 공작물에 대한 계획된 상태와 측정된 상태 사이의 차이점을 추적하는 것은, 제어기(160)가 CMP 기계(110)에서의 마모를 결정하도록 허용한다.
CMP 기계(110)에서의 마모 또는 다른 요소들을 보상하기 위하여, 이전 공작물의 특성의 계획된 상태와 측정된 상태 사이의 차이점에 기초하여 차후에 공작물을 연마할 때, 제어기(160)는 적용된 힘들을 포함하여 연마 변수들을 조정할 수 있다. 예를 들어, 연마 이후에 공작물의 층의 두께가 계획된 두께 보다 크다면, 제어기(160)는 적용된 힘, 휴지 시간(dwell time) 또는 다른 연마 변수들을 조정하여 차후의 공작물로부터 제어되는 재료량을 증가시킬 수 있다. 다른 실시예에서, 시스템(100)은 계측 공구(170)를 포함하지 않을 수 있으며, 제어기(160)는 공작물(112)의 특성의 예상한 상태에 기초하여 적용된 힘을 포함하는 연마 변수들을 조정할 수 있다. 다른 실시예에서, 시스템(100)은 연마 동안 공작물 표면의 평탄성을 모니터하기 위하여 센서를 포함할 수 있다. 이러한 실시예에서, 제어기(160)는 공작물의 모니터된 평탄성에 기초하여 적용된 힘을 포함하는 연마 변수들을 조정할 수 있다.
C. 압전 부재들의 다른 구성
도 4A 및 도 4B는 본 발명의 다른 실시예에 따른 공작물 캐리어 조립체와 함께 사용하기 위한 압전 부재들의 여러 구성들을 도시한 개략적인 가상도이다. 예를 들어, 도 4A는 복수의 링(251)[251a 내지 251d로 식별된]에서 일반적으로 동심으로 배열된 복수의 아치형 압전 부재(250)를 도시한다. 각 링(251)은 일반적으로 동일 크기의 압전 부재(250)들로 분할된다. 다른 실시예에서, 압전 부재(250)는 다르게 배열될 수 있다. 예를 들어, 각 압전 부재들은 다른 압전 부재들과 이격될 수 있다.
도 4B는 본 발명의 다른 실시예에 따라서 복수의 압전 부재(350)의 개략적인 평면도이다. 압전 부재(350)는 복수의 횡열 R1 - R10 와 종열 C1 - C10 을 갖는 격자형으로 배열된다. 도시된 실시예에서, 주변부에 인접한 압전 부재(350)는 공작물 캐리어 조립체(130)의 챔버(114)(도 2)의 곡률에 대응하는 굴곡면을 가진다. 추가 실시예에서, 압전 부재의 크기는 해상도를 증가시키기 위하여 감소될 수 있다. 다른 실시예에서, 압전 부재들은 4분원 또는 단일원과 같은 다른 구성으로 배열될 수 있다.
도시된 실시예의 연마 시스템의 한 장점은 공작물의 예정된 특성에 따라서 공작물에 큰 국부적인 힘을 적용하는 기능이다. 이러한 큰 국부적인 힘을 제어하면, CMP 공정이 공작물 상에 균일한 평탄면을 일관되고 정확하게 제조할 수 있다. 또한, 시스템은 CMP 기계의 마모를 보상하도록 적용된 힘과 연마 변수를 조정할 수 있다. 도시된 공작물 캐리어 조립체의 다른 장점은 기존 시스템 보다 단순하고 결과적으로 메인티넌스 및/또는 수리를 위한 휴지시간을 감소시켜서 큰 처리율을 얻을 수 있다.
상술한 설명에서, 본 발명의 특정 실시예는 단지 예시적인 목적으로 기재되었고, 본 발명의 정신 및 범주 내에서 많은 변형이 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해서만 한정된다.

Claims (46)

  1. 특성을 갖는 마이크로피처 공작물을 연마하기 위한 방법에 있어서,
    연마 사이클로부터 독립하여 마이크로피처 공작물의 특성의 상태를 측정하는 단계;
    마이크로피처 공작물의 특성의 상태를 측정한 이후에, 복수의 구동 부재들을 운반하는 캐리어 헤드와 평탄화 매체중 적어도 하나를 다른 것으로부터 이동시키는 단계;
    복수의 구동 부재들중 적어도 하나를 제어함으로써, 특성의 측정된 상태에 반응하여 마이크로피처 공작물의 뒷면에 압력을 적용하는 단계를 포함하는 연마 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 특성의 상태를 측정하는 단계는 마이크로피처 공작물의 표면 외형을 측정하는 단계를 포함하는 연마 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 특성의 상태를 측정하는 단계는 마이크로피처 공작물의 층 두께를 측정하는 단계를 포함하는 연마 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 특성의 상태를 측정하는 단계는 계측 공구에 의해 특성의 상태를 측정하는 단계를 포함하는 연마 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 상태는 제 1 상태를 포함하고 마이크로피처 공작물은 제 1 마이크로피처 공작물을 포함하며,
    상기 제 1 마이크로피처 공작물에 압력을 적용한 이후에 제 1 마이크로피처 공작물의 특성의 제 2 상태를 측정하는 단계;
    상기 제 1 마이크로피처 공작물와 다른 제 2 마이크로피처 공작물의 특성의 제 1 상태를 측정하는 단계;
    제 2 마이크로피처 공작물의 특성의 제 1 상태를 측정한 이후에, 캐리어 헤드와 평탄화 매체중 적어도 하나를 다른 것에 대해서 이동시키는 단계;
    제 1 마이크로피처 공작물의 특성의 측정된 제 2 상태와 필요한 상태 사이의 차이와 제 2 마이크로피처 공작물의 특성의 측정된 제 1 상태에 반응하여 복수의 구동 부재들중 적어도 하나를 제어함으로써 제 2 마이크로피처 공작물의 뒷면에 대해서 압력을 적용하는 단계를 추가로 포함하는 연마 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 마이크로피처 공작물에 압력을 적용시키는 단계는 공작물의 특성의 필요한 상태를 제공하기 위하여, 공작물에 대해서 압력을 적용시키는 단계를 포함하는 연마 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 특성의 상태를 측정하는 단계는 제 1 영역의 특성의 상태를 측정하는 단계를 포함하고,
    마이크로피처 공작물에 압력을 적용하는 단계는 제 1 영역에서 마이크로피처 공작물의 뒷면에 압력을 적용하는 단계를 포함하는 연마 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 복수의 구동 부재들은 동심으로 배열되고 마이크로피처 공작물에 압력을 적용하는 단계는 동심으로 배열된 구동부재들의 적어도 하나를 제어하는 단계를 포함하는 연마 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 복수의 구동 부재들은 격자형으로 배열되고, 마이크로피처 공작물에 압력을 적용하는 단계는 격자형으로 배열된 구동 부재들중 적어도 하나를 제어하는 단계를 포함하는 연마 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 마이크로피처 공작물에 압력을 적용한 이후에 마이크로피처 공작물의 특성의 제 2 상태를 측정하는 단계;
    평탄화 매체, 캐리어 헤드 및 컨디셔닝 스톤중 적어도 하나에서의 마모를 측정하기 위하여, 마이크로피처 공작물의 특성의 제 2 상태와 필요한 상태 사이의 차이점을 추적하는 단계를 추가로 포함하는 연마 방법.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 특성의 상태를 측정하는 단계는 마이크로피처 공작물 상의 두꺼운 영역 및 얇은 영역을 측정하는 단계를 포함하고,
    뒷면에 압력을 적용하는 단계는 마이크로피처 공작물의 두꺼운 영역에서의 제 1 압력과 마이크로피처 공작물의 얇은 영역에서의 제 2 압력을 적용하는 단계를 포함하고,
    상기 제 2 압력은 상기 제 1 압력과 상이한 연마 방법.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 뒷면에 압력을 적용하는 단계는,
    마이크로피처 공작물의 뒷면에 제 1 압력을 작용시키기 위하여, 적어도 하나의 구동 부재를 제 1 위치에 배열시키는 단계;
    마이크로피처 공작물의 뒷면에 제 2 압력을 작용시키기 위하여, 적어도 하나의 구동 부재를 제 1 위치에서 제 2 위치로 이동시키는 단계를 포함하는 연마 방법.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 구동 부재는 복수의 압전 부재들을 포함하고, 적어도 하나의 구동 부재들을 제어하는 단계는 압전 부재들중 적어도 하나에 에너지를 공급하는 단계를 포함하는 연마 방법.
  14. 특성의 소정 상태를 갖는 영역을 구비한 마이크로피처 공작물의 연마 방법에 있어서,
    복수의 압전 부재들을 운반하는 캐리어 헤드와 평탄화 매체중 적어도 하나를 다른 것에 대해서 이동시키는 단계;
    마이크로피처 공작물의 뒷면에 힘을 작용시키기 위하여, 특성의 소정 상태에 기초하여 복수의 압전 부재들중 적어도 하나에 에너지를 공급함으로써, 마이크로피처 공작물의 영역에서 특성의 필요한 상태를 제공하는 단계를 포함하는 연마 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 영역은 제 1 영역을 포함하며, 다수의 압전 부재 중 적어도 하나는 제 1 압전 부재를 포함하고, 상기 방법은,
    마이크로피처 공작물의, 상기 제 1 영역과는 다른 제 2 영역의 특성의 상태를 측정하는 단계와;
    측정된 제 2 영역의 특성의 상태를 기초로 하여, 제 1 압전부재와는 다른 제 2 압전부재에 에너지를 공급함으로써, 마이크로피처 공작물의 제 2 영역에 특성의 필요한 상태를 제공하는 단계를 추가로 포함하는 마이크로피처 공작물 연마 방법.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 다수의 압전 부재들은 동심적으로 배열되고, 상기 특성의 필요한 상태를 제공하는 단계는 동심적으로 배열된 압전 부재 중에서 적어도 하나에 에너지를 공급하는 단계를 포함하는 마이크로피처 공작물 연마 방법.
  17. 제 14 항에 있어서, 상기 다수의 압전 부재들은 격자형으로 배열되고, 상기 특성의 필요한 상태를 제공하는 단계는 격자형으로 배열된 압전 부재 중에서 적어도 하나에 에너지를 공급하는 단계를 포함하는 마이크로피처 공작물 연마 방법.
  18. 제 14 항에 있어서, 상기 특성의 필요한 상태를 제공하는 단계는,
    마이크로피처 공작물의 뒷면에 대해서 제 1 힘을 가하기 위해서 적어도 하나의 압전 부재를 제 1 위치에 배열하는 단계와,
    마이크로피처 공작물의 뒷면에 제 2 힘을 가하기 위해서 적어도 하나의 압전 부재를 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동시키는 단계를 포함하는 마이크로피처 공작물 연마 방법.
  19. 제 14 항에 있어서, 상기 특성의 필요한 상태를 제공하는 단계는, 캐리어 헤드, 평탄화 매체 그리고 컨디셔닝 스톤(conditioning stone) 중에서 적어도 하나에 대한 예정된 마모를 기초로 하여 다수의 압전 부재 중에서 적어도 하나에 에너지를 공급하는 단계를 포함하는 마이크로피처 공작물 연마 방법.
  20. 다수의 마이크로피처 공작물 연마 방법에 있어서,
    제 1 마이크로피처 공작물의 특성의 제1 상태를 측정하는 단계와;
    다수의 구동 부재를 구비한 캐리어 헤드와 평탄화 매체 중에서 적어도 하나를 다른 하나에 대해서 이동시키는 단계와;
    상기 제 1 마이크로피처 공작물에 대해서 측정된 제 1 상태에 반응하여서 제 1 마이크로피처 공작물의 뒷면에 압력을 가하도록 다수의 구동 부재들 중 적어도 하나를 제어하는 단계와;
    상기 다수의 구동 부재들 중 적어도 하나를 제어한 후에 제 1 마이크로피처 공작물의 특성의 제2 상태를 측정하는 단계와;
    제 1 마이크로피처 공작물과 다른 제 2 마이크로피처 공작물의 특성의 제1 상태를 측정하는 단계와;
    캐리어 헤드와 평탄화 매체 중에서 적어도 하나를 다른 하나에 대해서 이동시키는 단계와,
    상기 제 2 마이크로피처 공작물의 특성의 측정된 제1 상태와, 제 1 마이크로피처 공작물의 필요한 상태와 측정된 제 2 상태 사이의 차이에 반응하여서, 제 2 마이크로피처 공작물의 뒷면에 압력을 가하도록 다수의 구동 부재들 중에서 적어도 하나를 제어하는 단계를 포함하는 다수의 마이크로피처 공작물 연마 방법.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 제 1 마이크로피처 공작물의 특성의 제 1과 제 2 상태를 측정하는 단계는, 제 1 마이크로피처 공작물의 표면 외형을 측정하는 단계를 포함하는 다수의 마이크로피처 공작물 연마 방법.
  22. 제 20 항에 있어서, 상기 제 1 마이크로피처 공작물의 특성의 제 1과 제 2 상태를 측정하는 단계는, 상기 제 1 마이크로피처 공작물의 층 두께를 측정하는 단계를 포함하는 다수의 마이크로피처 공작물 연마 방법.
  23. 제 20 항에 있어서, 상기 제 1 마이크로피처 공작물의 특성의 제 1과 제 2 상태를 측정하는 단계는, 계측 공구로 특성의 제 1과 제 2 상태를 측정하는 단계를 포함하는 다수의 마이크로피처 공작물 연마 방법.
  24. 제 20 항에 있어서, 평탄화 매체, 캐리어 헤드 그리고 컨디셔닝 스톤 중에서 적어도 하나에서의 연마량을 측정하기 위해 제 1 마이크로피처 공작물의 특성의 제 2 상태와 필요한 상태 사이의 차이를 추적하는 단계를 추가로 포함하는 다수의 마이크로피처 공작물 연마 방법.
  25. 제 20 항에 있어서, 상기 다수의 구동 부재들은 동심적으로 배열되고, 상기 제 1 마이크로피처 공작물에 압력을 가하기 위해 다수의 구동 부재들 중 적어도 하나를 제어하는 단계는 동심적으로 배열된 구동 부재들 중 적어도 하나를 제어하는 단계를 포함하는 다수의 마이크로피처 공작물 연마 방법.
  26. 특성을 갖는 마이크로피처 공작물 연마 방법에 있어서,
    연마 사이클로부터 독립하여 마이크로피처 공작물의 특성의 상태를 측정하는 단계와;
    특성의 측정된 상태를 기초로 하여 다수의 구동 부재들을 캐리어 헤드에 배열하는 단계와;
    연마 사이클 동안에 마이크로피처 공작물의 표면의 평탄도를 모니터링하는 단계와;
    연마 사이클 동안에 모니터링된 마이크로피처 공작물의 표면 평탄도를 기초로 하여 다수의 구동 부재들 중 적어도 일부를 재배열하는 단계를 포함하는 마이크 로피처 공작물 연마 방법.
  27. 제 26 항에 있어서, 상기 다수의 구동 부재들은 제 1 구동 부재를 포함하고,
    상기 구동 부재들을 배열하는 단계는, 공작물에 제 1 힘을 가하기 위해 제 1 구동 부재를 제 1 위치에 배열하는 단계를 포함하고,
    상기 구동 부재들을 재배열하는 단계는, 공작물에 제 2 힘을 가하기 위해 제 1 위치와는 다른 제 2 위치로 제 1 구동 부재를 이동시키는 단계를 포함하는 마이크로피처 공작물 연마 방법.
  28. 제 26 항에 있어서, 상기 다수의 구동 부재들은 제 1 구동 부재를 포함하고,
    상기 구동 부재들을 배열하는 단계는, 공작물에 제 1 압력을 가하기 위해 제 1 구동 부재를 위치시키는 단계를 포함하고,
    상기 구동 부재들을 재배열하는 단계는, 공작물에 제 1 압력과는 다른 제 2 힘을 가하기 위해 제 1 구동 부재를 위치시키는 단계를 포함하는 마이크로피처 공작물 연마 방법.
  29. 평가된 표면 외형을 갖는 마이크로피처 공작물 연마 방법에 있어서,
    평가된 표면 외형을 기초로 하여 다수의 구동 부재들을 캐리어 헤드에 배열하는 단계와;
    연마 사이클 동안 마이크로피처 공작물의 표면 평탄도를 모니터링하는 단계 와;
    상기 연마 사이클 동안에 모니터링된 마이크로피처 공작물의 표면 평탄도를 기초로 하여 다수의 구동 부재 중 적어도 일부를 재배열하는 단계를 포함하는 마이크로피처 공작물 연마 방법.
  30. 제 29 항에 있어서, 다수의 구동 부재들은 제 1 구동 부재를 포함하고,
    상기 구동 부재들을 배열하는 단계는, 공작물에 제 1 힘을 가하기 위해 제 1 구동 부재를 제 1 위치로 배열하는 단계를 포함하고,
    상기 구동 부재들을 재배열하는 단계는, 공작물에 제 2 힘을 가하기 위해 제 1 위치와는 다른 제 2 위치로 제 1 구동 부재를 이동시키는 단계를 포함하는 마이크로피처 공작물 연마 방법.
  31. 제 29 항에 있어서, 다수의 구동 부재들은 제 1 구동 부재를 포함하고,
    상기 구동 부재들을 배열하는 단계는, 공작물에 제 1 압력을 가하기 위해 제 1 구동 부재를 위치시키는 단계를 포함하고,
    상기 구동 부재들을 재배열하는 단계는, 제 1 압력과는 다른 제 2 압력을 공작물에 가하기 위해 제 1 구동 부재를 위치시키는 단계를 포함하는 마이크로피처 공작물 연마 방법.
  32. 특성과 뒷면을 갖는 마이크로피처 공작물 연마 시스템에 있어서,
    이 시스템은,
    마이크로피처 공작물을 운반하도록 구성되는 공작물 캐리어 조립체와;
    상기 공작물 캐리어 조립체로 운반되는 다수의 구동 부재들과;
    마이크로피처 공작물 연마를 위해 공작물 캐리어 조립체 아래에 위치될 수 있는 평탄화 매체와;
    마이크로피처 공작물의 특성의 상태를 측정하기 위한 공구와;
    공작물 캐리어 조립체, 다수의 구동 부재들, 평탄화 매체 그리고 상기 공구에 작동가능하게 연결되고, 다음의 방법을 수행하기 위한 지령들을 포함하는 컴퓨터 판독가능한 매체를 구비한 제어기를 포함하고,
    상기 방법은,
    연마 사이클로부터 독립하여 마이크로피처 공작물의 특성의 상태를 측정하는 단계와;
    마이크로피처 공작물의 특성의 상태를 측정한 후에 공작물 캐리어 조립체와 평탄화 매체 중 적어도 하나를 다른 하나에 대해서 이동시키는 단계와;
    다수의 구동 부재들 중 적어도 하나를 제어함으로써 특성의 측정된 상태에 반응하여 마이크로피처 공작물의 뒷면에 압력을 가하는 단계를 포함하게 되는 마이크로피처 공작물 연마 시스템.
  33. 제 32 항에 있어서, 다수의 구동 부재들은 상기 공작물 캐리어 조립체에 격자형으로 배열되는 마이크로피처 공작물 연마 시스템.
  34. 제 32 항에 있어서, 다수의 구동 부재들은 상기 공작물 캐리어 조립체에 동심적으로 배열되는 마이크로피처 공작물 연마 시스템.
  35. 제 32 항에 있어서, 상기 공구는 마이크로피처 공작물이 공작물 캐리어 조립체로 운반될 때, 마이크로피처 공작물의 특성의 상태를 측정하도록 구성되는 마이크로피처 공작물 연마 시스템.
  36. 제 32 항에 있어서, 상기 공구는 마이크로피처 공작물이 공작물 캐리어 조립체로 운반되기 전 및/또는 그후에, 마이크로피처 공작물의 특성의 상태를 측정하도록 구성되는 마이크로피처 공작물 연마 시스템.
  37. 제 32 항에 있어서, 상기 공구는 마이크로피처 공작물의 층 두께를 측정하도록 구성되는 마이크로피처 공작물 연마 시스템.
  38. 재 32 항에 있어서, 상기 공구는 마이크로피처 공작물의 표면 형상을 측정하도록 구성되는 마이크로피처 공작물 연마 시스템.
  39. 제 32 항에 있어서, 상기 다수의 구동 부재들은 다수의 압전 부재들을 포함하는 마이크로피처 공작물 연마 시스템.
  40. 뒷면과, 특성의 예정된 상태를 가진 영역을 갖는 마이크로피처 공작물 연마 시스템에 있어서,
    이 시스템은,
    마이크로피처 공작물을 운반하도록 구성되는 공작물 캐리어 조립체와;
    상기 공작물 캐리어 조립체로 운반되는 다수의 압전 부재들과,;
    마이크로피처 공작물 연마를 위해 공작물 캐리어 조립체 아래에 위치될 수 있는 평탄화 매체와;
    마이크로피처 공작물의 특성의 상태를 측정하기 위한 공구와;
    공작물 캐리어 조립체, 다수의 압전 부재들, 평탄화 매체 그리고 상기 공구에 작동가능하게 연결되고, 다음의 방법을 수행하기 위한 지령들을 포함하는 컴퓨터 판독가능한 매체를 구비한 제어기를 포함하고,
    상기 방법은,
    공작물 캐리어 조립체와 평탄화 매체 중 적어도 하나를 다른 하나에 대해서 이동시키는 단계와;
    마이크로피처 공작물의 뒷면에 힘을 가하기 위해, 상기 예정된 상태에 반응하여 다수의 압전 부재들 중 적어도 하나에 에너지를 공급함으로써 상기 마이크로피쳐의 영역에 특성의 필요한 상태를 제공하는 단계를 포함하게 되는 마이크로피처 공작물 연마 시스템.
  41. 제 40 항에 있어서, 다수의 압전 부재들은 공작물 캐리어 조립체에 격자형으로 배열되는 마이크로피처 공작물 연마 시스템.
  42. 제 40 항에 있어서, 다수의 압전 부재들은 공작물 캐리어 조립체에 동심적으로 배열되는 마이크로피처 공작물 연마 시스템.
  43. 제 40 항에 있어서, 상기 공구는 마이크로피처 공작물이 공작물 캐리어 조립체로 운반될 때, 마이크로피처 공작물의 특성의 상태를 측정하도록 구성되는 마이크로피처 공작물 연마 시스템.
  44. 제 40 항에 있어서, 상기 공구는 마이크로피처 공작물이 공작물 캐리어 조립체로 운반되기 전 및/또는 그후에, 마이크로피처 공작물의 특성의 상태를 측정하도록 구성되는 마이크로피처 공작물 연마 시스템.
  45. 제 40 항에 있어서, 상기 공구는 마이크로피처 공작물의 층 두께를 측정하도록 구성되는 마이크로피처 공작물 연마 시스템.
  46. 제 40 항에 있어서, 상기 공구는 마이크로피처 공작물의 표면 외형을 측정하도록 구성되는 마이크로피처 공작물 연마 시스템.
KR1020057020589A 2003-04-28 2004-04-26 마이크로피처 공작물의 기계적 및/또는 화학-기계적 연마를위한 시스템 및 방법 KR100870630B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/425,252 US7131891B2 (en) 2003-04-28 2003-04-28 Systems and methods for mechanical and/or chemical-mechanical polishing of microfeature workpieces
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2797109B1 (en) * 2004-11-01 2018-02-28 Ebara Corporation Polishing apparatus
DE102005016411B4 (de) * 2005-04-08 2007-03-29 IGAM Ingenieurgesellschaft für angewandte Mechanik mbH Vorrichtung zur hochgenauen Oberflächenbearbeitung eines Werkstückes
US8038509B2 (en) * 2005-08-05 2011-10-18 Seung-Hun Bae Chemical mechanical polishing apparatus
US7537511B2 (en) * 2006-03-14 2009-05-26 Micron Technology, Inc. Embedded fiber acoustic sensor for CMP process endpoint
US8298041B2 (en) * 2010-10-08 2012-10-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for wafer back-grinding control
US20120122373A1 (en) * 2010-11-15 2012-05-17 Stmicroelectronics, Inc. Precise real time and position low pressure control of chemical mechanical polish (cmp) head
TWI574780B (zh) * 2013-03-29 2017-03-21 姜準模 用於化學機械拋光系統的載具頭
JP2014223684A (ja) * 2013-05-15 2014-12-04 株式会社東芝 研磨装置および研磨方法
US10328549B2 (en) * 2013-12-11 2019-06-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Polishing head, chemical-mechanical polishing system and method for polishing substrate
JP6447472B2 (ja) 2015-11-26 2019-01-09 株式会社Sumco ウェーハ研磨方法
CN106584214A (zh) * 2016-11-09 2017-04-26 石长海 一种大尺寸晶片单面抛光的方法
US11731231B2 (en) 2019-01-28 2023-08-22 Micron Technology, Inc. Polishing system, polishing pad, and related methods
JP2020126872A (ja) * 2019-02-01 2020-08-20 株式会社ブイ・テクノロジー 研磨ヘッド、研磨装置及び研磨方法
JP2021091033A (ja) * 2019-12-10 2021-06-17 キオクシア株式会社 研磨装置、研磨ヘッド、研磨方法、及び半導体装置の製造方法
JP2021112797A (ja) * 2020-01-17 2021-08-05 株式会社荏原製作所 研磨ヘッドシステムおよび研磨装置
JP7365282B2 (ja) * 2020-03-26 2023-10-19 株式会社荏原製作所 研磨ヘッドシステムおよび研磨装置
US11890715B2 (en) * 2020-06-24 2024-02-06 Applied Materials, Inc. Polishing carrier head with piezoelectric pressure control

Family Cites Families (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US52052A (en) * 1866-01-16 Washing-machine
US4501258A (en) * 1982-10-04 1985-02-26 Texas Instruments Incorporated Kerf loss reduction in internal diameter sawing
US4498345A (en) * 1982-10-04 1985-02-12 Texas Instruments Incorporated Method for measuring saw blade flexure
US4502459A (en) * 1982-10-04 1985-03-05 Texas Instruments Incorporated Control of internal diameter saw blade tension in situ
JPS63299785A (ja) * 1987-05-29 1988-12-07 Res Dev Corp Of Japan 圧電・電歪素子を用いた衝撃力による微小移動装置
US4971021A (en) 1987-07-31 1990-11-20 Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha Apparatus for cutting semiconductor crystal
US5234867A (en) * 1992-05-27 1993-08-10 Micron Technology, Inc. Method for planarizing semiconductor wafers with a non-circular polishing pad
US5081796A (en) * 1990-08-06 1992-01-21 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer
USRE34425E (en) 1990-08-06 1993-11-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer
US5036015A (en) * 1990-09-24 1991-07-30 Micron Technology, Inc. Method of endpoint detection during chemical/mechanical planarization of semiconductor wafers
US5163334A (en) 1990-10-24 1992-11-17 Simonds Industries Inc. Circular saw testing technique
US5069002A (en) * 1991-04-17 1991-12-03 Micron Technology, Inc. Apparatus for endpoint detection during mechanical planarization of semiconductor wafers
JPH052052A (ja) * 1991-06-26 1993-01-08 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体装置のテスト信号発生回路
DE69205786T2 (de) * 1991-08-21 1996-03-28 Tokyo Seimitsu Co Ltd Blattpositiondetektionsvorrichtung.
US5240552A (en) 1991-12-11 1993-08-31 Micron Technology, Inc. Chemical mechanical planarization (CMP) of a semiconductor wafer using acoustical waves for in-situ end point detection
US5618381A (en) * 1992-01-24 1997-04-08 Micron Technology, Inc. Multiple step method of chemical-mechanical polishing which minimizes dishing
US5244534A (en) 1992-01-24 1993-09-14 Micron Technology, Inc. Two-step chemical mechanical polishing process for producing flush and protruding tungsten plugs
US5514245A (en) * 1992-01-27 1996-05-07 Micron Technology, Inc. Method for chemical planarization (CMP) of a semiconductor wafer to provide a planar surface free of microscratches
US5245790A (en) 1992-02-14 1993-09-21 Lsi Logic Corporation Ultrasonic energy enhanced chemi-mechanical polishing of silicon wafers
JPH05263686A (ja) * 1992-03-23 1993-10-12 Toyota Motor Corp 内燃機関の触媒劣化判別装置
US5222329A (en) * 1992-03-26 1993-06-29 Micron Technology, Inc. Acoustical method and system for detecting and controlling chemical-mechanical polishing (CMP) depths into layers of conductors, semiconductors, and dielectric materials
US5314843A (en) * 1992-03-27 1994-05-24 Micron Technology, Inc. Integrated circuit polishing method
US5245796A (en) 1992-04-02 1993-09-21 At&T Bell Laboratories Slurry polisher using ultrasonic agitation
US5232875A (en) 1992-10-15 1993-08-03 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for improving planarity of chemical-mechanical planarization operations
US5540810A (en) * 1992-12-11 1996-07-30 Micron Technology Inc. IC mechanical planarization process incorporating two slurry compositions for faster material removal times
JPH0815718B2 (ja) 1993-08-20 1996-02-21 株式会社島精機製作所 裁断刃の刃幅測定装置
US5658183A (en) 1993-08-25 1997-08-19 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing including optical monitoring
US5700180A (en) * 1993-08-25 1997-12-23 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing
US5486129A (en) * 1993-08-25 1996-01-23 Micron Technology, Inc. System and method for real-time control of semiconductor a wafer polishing, and a polishing head
US5643060A (en) * 1993-08-25 1997-07-01 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing including heater
US5433651A (en) * 1993-12-22 1995-07-18 International Business Machines Corporation In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing
US5413941A (en) 1994-01-06 1995-05-09 Micron Technology, Inc. Optical end point detection methods in semiconductor planarizing polishing processes
US5439551A (en) 1994-03-02 1995-08-08 Micron Technology, Inc. Chemical-mechanical polishing techniques and methods of end point detection in chemical-mechanical polishing processes
US5795495A (en) 1994-04-25 1998-08-18 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing for dielectric layers
US5449314A (en) 1994-04-25 1995-09-12 Micron Technology, Inc. Method of chimical mechanical polishing for dielectric layers
US5533924A (en) * 1994-09-01 1996-07-09 Micron Technology, Inc. Polishing apparatus, a polishing wafer carrier apparatus, a replacable component for a particular polishing apparatus and a process of polishing wafers
US5632666A (en) * 1994-10-28 1997-05-27 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for automated quality control in wafer slicing
JP3195504B2 (ja) 1994-11-24 2001-08-06 トーヨーエイテック株式会社 スライシング装置のブレード変位検出装置
US6537133B1 (en) * 1995-03-28 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations
US5945347A (en) 1995-06-02 1999-08-31 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for polishing a semiconductor wafer in an overhanging position
US6110820A (en) 1995-06-07 2000-08-29 Micron Technology, Inc. Low scratch density chemical mechanical planarization process
US5668061A (en) 1995-08-16 1997-09-16 Xerox Corporation Method of back cutting silicon wafers during a dicing procedure
US5609718A (en) * 1995-09-29 1997-03-11 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for measuring a change in the thickness of polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US6152803A (en) * 1995-10-20 2000-11-28 Boucher; John N. Substrate dicing method
US5718615A (en) 1995-10-20 1998-02-17 Boucher; John N. Semiconductor wafer dicing method
US5967030A (en) * 1995-11-17 1999-10-19 Micron Technology, Inc. Global planarization method and apparatus
US5658190A (en) 1995-12-15 1997-08-19 Micron Technology, Inc. Apparatus for separating wafers from polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5792709A (en) 1995-12-19 1998-08-11 Micron Technology, Inc. High-speed planarizing apparatus and method for chemical mechanical planarization of semiconductor wafers
US5720845A (en) * 1996-01-17 1998-02-24 Liu; Keh-Shium Wafer polisher head used for chemical-mechanical polishing and endpoint detection
US6135856A (en) 1996-01-19 2000-10-24 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for semiconductor planarization
US5738562A (en) * 1996-01-24 1998-04-14 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for planar end-point detection during chemical-mechanical polishing
US5643048A (en) * 1996-02-13 1997-07-01 Micron Technology, Inc. Endpoint regulator and method for regulating a change in wafer thickness in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5618447A (en) * 1996-02-13 1997-04-08 Micron Technology, Inc. Polishing pad counter meter and method for real-time control of the polishing rate in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US5777739A (en) 1996-02-16 1998-07-07 Micron Technology, Inc. Endpoint detector and method for measuring a change in wafer thickness in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US5679065A (en) 1996-02-23 1997-10-21 Micron Technology, Inc. Wafer carrier having carrier ring adapted for uniform chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5798302A (en) * 1996-02-28 1998-08-25 Micron Technology, Inc. Low friction polish-stop stratum for endpointing chemical-mechanical planarization processing of semiconductor wafers
DE19607695A1 (de) * 1996-02-29 1997-09-04 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben
US5910846A (en) 1996-05-16 1999-06-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for detecting the endpoint in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US5663797A (en) 1996-05-16 1997-09-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for detecting the endpoint in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US5893754A (en) * 1996-05-21 1999-04-13 Micron Technology, Inc. Method for chemical-mechanical planarization of stop-on-feature semiconductor wafers
US5681423A (en) 1996-06-06 1997-10-28 Micron Technology, Inc. Semiconductor wafer for improved chemical-mechanical polishing over large area features
US5871392A (en) 1996-06-13 1999-02-16 Micron Technology, Inc. Under-pad for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5747386A (en) 1996-10-03 1998-05-05 Micron Technology, Inc. Rotary coupling
US5830806A (en) 1996-10-18 1998-11-03 Micron Technology, Inc. Wafer backing member for mechanical and chemical-mechanical planarization of substrates
US5972792A (en) 1996-10-18 1999-10-26 Micron Technology, Inc. Method for chemical-mechanical planarization of a substrate on a fixed-abrasive polishing pad
US5702292A (en) * 1996-10-31 1997-12-30 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for loading and unloading substrates to a chemical-mechanical planarization machine
US5868896A (en) * 1996-11-06 1999-02-09 Micron Technology, Inc. Chemical-mechanical planarization machine and method for uniformly planarizing semiconductor wafers
US6006739A (en) * 1996-11-12 1999-12-28 Micron Technology, Inc. Method for sawing wafers employing multiple indexing techniques for multiple die dimensions
US5855804A (en) * 1996-12-06 1999-01-05 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for stopping mechanical and chemical-mechanical planarization of substrates at desired endpoints
US5895550A (en) * 1996-12-16 1999-04-20 Micron Technology, Inc. Ultrasonic processing of chemical mechanical polishing slurries
US5807165A (en) 1997-03-26 1998-09-15 International Business Machines Corporation Method of electrochemical mechanical planarization
US6331488B1 (en) * 1997-05-23 2001-12-18 Micron Technology, Inc. Planarization process for semiconductor substrates
US5934980A (en) * 1997-06-09 1999-08-10 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing
US6007408A (en) * 1997-08-21 1999-12-28 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for endpointing mechanical and chemical-mechanical polishing of substrates
US5997384A (en) * 1997-12-22 1999-12-07 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for controlling planarizing characteristics in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6083085A (en) * 1997-12-22 2000-07-04 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for planarizing microelectronic substrates and conditioning planarizing media
US6139402A (en) * 1997-12-30 2000-10-31 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6080050A (en) * 1997-12-31 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus
US6074286A (en) * 1998-01-05 2000-06-13 Micron Technology, Inc. Wafer processing apparatus and method of processing a wafer utilizing a processing slurry
US6224466B1 (en) * 1998-02-02 2001-05-01 Micron Technology, Inc. Methods of polishing materials, methods of slowing a rate of material removal of a polishing process
US6102777A (en) 1998-03-06 2000-08-15 Keltech Engineering Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen
US20020049029A1 (en) * 1998-04-08 2002-04-25 Large Jeffrey L. System and method for chemical mechanical polishing
US6210257B1 (en) * 1998-05-29 2001-04-03 Micron Technology, Inc. Web-format polishing pads and methods for manufacturing and using web-format polishing pads in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6200901B1 (en) * 1998-06-10 2001-03-13 Micron Technology, Inc. Polishing polymer surfaces on non-porous CMP pads
US6143155A (en) * 1998-06-11 2000-11-07 Speedfam Ipec Corp. Method for simultaneous non-contact electrochemical plating and planarizing of semiconductor wafers using a bipiolar electrode assembly
US6171174B1 (en) * 1998-06-26 2001-01-09 Advanced Micro Devices System and method for controlling a multi-arm polishing tool
US6220934B1 (en) * 1998-07-23 2001-04-24 Micron Technology, Inc. Method for controlling pH during planarization and cleaning of microelectronic substrates
US6190494B1 (en) * 1998-07-29 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for electrically endpointing a chemical-mechanical planarization process
US6180525B1 (en) * 1998-08-19 2001-01-30 Micron Technology, Inc. Method of minimizing repetitive chemical-mechanical polishing scratch marks and of processing a semiconductor wafer outer surface
US6323046B1 (en) * 1998-08-25 2001-11-27 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for endpointing a chemical-mechanical planarization process
US6152808A (en) * 1998-08-25 2000-11-28 Micron Technology, Inc. Microelectronic substrate polishing systems, semiconductor wafer polishing systems, methods of polishing microelectronic substrates, and methods of polishing wafers
US6352466B1 (en) * 1998-08-31 2002-03-05 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for wireless transfer of chemical-mechanical planarization measurements
US6193588B1 (en) * 1998-09-02 2001-02-27 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for planarizing and cleaning microelectronic substrates
US6106351A (en) 1998-09-02 2000-08-22 Micron Technology, Inc. Methods of manufacturing microelectronic substrate assemblies for use in planarization processes
US6046111A (en) * 1998-09-02 2000-04-04 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for endpointing mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6191037B1 (en) * 1998-09-03 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Methods, apparatuses and substrate assembly structures for fabricating microelectronic components using mechanical and chemical-mechanical planarization processes
US6203407B1 (en) * 1998-09-03 2001-03-20 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for increasing-chemical-polishing selectivity
US6039633A (en) * 1998-10-01 2000-03-21 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6250994B1 (en) * 1998-10-01 2001-06-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies on planarizing pads
US6187681B1 (en) * 1998-10-14 2001-02-13 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for planarization of a substrate
US6218316B1 (en) * 1998-10-22 2001-04-17 Micron Technology, Inc. Planarization of non-planar surfaces in device fabrication
US6184571B1 (en) * 1998-10-27 2001-02-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for endpointing planarization of a microelectronic substrate
US6176992B1 (en) * 1998-11-03 2001-01-23 Nutool, Inc. Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition
US6206756B1 (en) * 1998-11-10 2001-03-27 Micron Technology, Inc. Tungsten chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a tungsten layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
US6358129B2 (en) * 1998-11-11 2002-03-19 Micron Technology, Inc. Backing members and planarizing machines for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies, and methods of making and using such backing members
US6203413B1 (en) * 1999-01-13 2001-03-20 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for conditioning polishing pads in mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6066030A (en) * 1999-03-04 2000-05-23 International Business Machines Corporation Electroetch and chemical mechanical polishing equipment
US6599836B1 (en) * 1999-04-09 2003-07-29 Micron Technology, Inc. Planarizing solutions, planarizing machines and methods for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6227955B1 (en) * 1999-04-20 2001-05-08 Micron Technology, Inc. Carrier heads, planarizing machines and methods for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6213845B1 (en) * 1999-04-26 2001-04-10 Micron Technology, Inc. Apparatus for in-situ optical endpointing on web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies and methods for making and using same
US6203404B1 (en) * 1999-06-03 2001-03-20 Micron Technology, Inc. Chemical mechanical polishing methods
US6241593B1 (en) * 1999-07-09 2001-06-05 Applied Materials, Inc. Carrier head with pressurizable bladder
US6267650B1 (en) * 1999-08-09 2001-07-31 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for substantial planarization of solder bumps
US6261163B1 (en) * 1999-08-30 2001-07-17 Micron Technology, Inc. Web-format planarizing machines and methods for planarizing microelectronic substrate assemblies
US6273800B1 (en) * 1999-08-31 2001-08-14 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for supporting a polishing pad during chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6331135B1 (en) * 1999-08-31 2001-12-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with metal compound abrasives
US6206754B1 (en) * 1999-08-31 2001-03-27 Micron Technology, Inc. Endpoint detection apparatus, planarizing machines with endpointing apparatus, and endpointing methods for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies
US6238273B1 (en) * 1999-08-31 2001-05-29 Micron Technology, Inc. Methods for predicting polishing parameters of polishing pads and methods and machines for planarizing microelectronic substrate assemblies in mechanical or chemical-mechanical planarization
US6376381B1 (en) * 1999-08-31 2002-04-23 Micron Technology, Inc. Planarizing solutions, planarizing machines, and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies
US6244944B1 (en) * 1999-08-31 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for supporting and cleaning a polishing pad for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6328632B1 (en) * 1999-08-31 2001-12-11 Micron Technology, Inc. Polishing pads and planarizing machines for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies
US6325696B1 (en) * 1999-09-13 2001-12-04 International Business Machines Corporation Piezo-actuated CMP carrier
US6303507B1 (en) * 1999-12-13 2001-10-16 Advanced Micro Devices, Inc. In-situ feedback system for localized CMP thickness control
US6227939B1 (en) * 2000-01-25 2001-05-08 Agilent Technologies, Inc. Temperature controlled chemical mechanical polishing method and apparatus
US6368190B1 (en) * 2000-01-26 2002-04-09 Agere Systems Guardian Corp. Electrochemical mechanical planarization apparatus and method
US6313038B1 (en) * 2000-04-26 2001-11-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for controlling chemical interactions during planarization of microelectronic substrates
US6387289B1 (en) * 2000-05-04 2002-05-14 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US20020102917A1 (en) * 2001-01-30 2002-08-01 Chih-Hung Lee Polishing method using dynamic feedback recipe
US6582277B2 (en) * 2001-05-01 2003-06-24 Speedfam-Ipec Corporation Method for controlling a process in a multi-zonal apparatus
US7101799B2 (en) * 2001-06-19 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Feedforward and feedback control for conditioning of chemical mechanical polishing pad
US7160739B2 (en) * 2001-06-19 2007-01-09 Applied Materials, Inc. Feedback control of a chemical mechanical polishing device providing manipulation of removal rate profiles
US6799136B2 (en) * 2001-08-09 2004-09-28 Texas Instruments Incorporated Method of estimation of wafer polish rates
US20030199112A1 (en) * 2002-03-22 2003-10-23 Applied Materials, Inc. Copper wiring module control
US6769970B1 (en) * 2002-06-28 2004-08-03 Lam Research Corporation Fluid venting platen for optimizing wafer polishing
DE10303407A1 (de) * 2003-01-27 2004-08-19 Friedrich-Schiller-Universität Jena Verfahren und Vorrichtung zur hochgenauen Bearbeitung der Oberfläche eines Objektes, insbesondere zum Polieren und Läppen von Halbleitersubstraten
US7354332B2 (en) * 2003-08-04 2008-04-08 Applied Materials, Inc. Technique for process-qualifying a semiconductor manufacturing tool using metrology data

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