CN1805824A - 用于对微特征工件的机械与/或化学－机械抛光的系统和方法 - Google Patents

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Abstract

用于对微特征工件抛光的系统和方法。在一个实施例中，一种方法包括：确定微特征工件的某一特征的状态；和在确定微特征工件的特征的状态后，将承载器头与/或抛光垫相对于另一个移动，以使微特征工件摩擦抛光垫。该承载器头还承载多个压电部件。该方法还包括根据确定的特征的状态，通过对多个压电部件的至少一个加电向微特征工件的背面施加压力。在另一个实施例中，一种系统包括：工件承载器组件；多个压电部件；抛光垫；用于确定特征的状态的度量工具；以及控制器。该控制器可具有包括指令的计算机可读介质，以执行上述方法。

Description

用于对微特征工件的机械与/或化学-机械抛光的系统和方法
技术领域
本发明涉及用于对微特征(microfeature)工件抛光的系统和方法。本发明特别涉及利用包括压电部件的工件承载器组件对微特征工件的机械与/或化学-机械抛光。
背景技术
在制造微电子器件和其它产品中，机械和化学-机械平面化处理(统称为″CMP″)从微特征工件的表面移去材料。图1示意性地显示了具有台板20、承载器头30和平面化(planarizing)垫40的旋转CMP机10。CMP机10也可在台板20的上表面22和平面化垫40的下表面之间具有下垫25。驱动组件26使台板20旋转(由箭头F指示)与/或使台板20向前和向后往复复运动(由箭头G指示)。由于平面化垫40被附于下垫25，因此平面化垫40在平面化期间与台板20一起运动。
承载器头30具有可以附加微特征工件12的下部表面32，或者工件12可被附于下部表面32下的弹性垫34。承载器头30可以是受力的、自由浮动的晶片承载器，或者执行器组件36可被附于承载器头30以将旋转运动传递到微特征工件12(由箭头J指示)与/或前后往复运动工件12(由箭头I指示)。
平面化垫40和平面化溶液44限定机械和/或化学-机械地将材料从微特征工件12的表面移除的平面化介质。平面化溶液44可以是传统的具有磨粒以及蚀刻和/或氧化微特征工件12的表面的化学品的CMP浆液，或者平面化溶液44可以是“清洁”的非研磨平面化溶液，所述溶液不具有磨粒。在大多数CMP应用中，具有磨粒的研磨浆液被使用在非研磨抛光垫上，并不具有磨粒的清洁的非研磨溶液被使用在固定研磨抛光垫上。
为利用CMP机10平面化微特征工件12，承载器头30将工件12面朝下按在平面化衬垫40上。更具体地，承载器头30大体将微特征工件12按靠在平面化衬垫40的平面化表面42上的平面化溶液44上，而台板20与/或承载器头30移动以使工件12摩擦平面化表面42。当微特征工件12摩擦平面化表面42时，平面化介质从工件12的表面移去材料。
CMP处理必须一致而精确地在工件上产生均匀平坦的表面，以能够精确地制造电路和照相图案。例如，当在CMP处理期间，从工件的一个区域去除材料比从另一区域去除材料更快时，会导致不均匀的表面。为补偿不均匀去除材料，已开发了承载器头，该承载器头具有对工件的选择区域向下施加力的可膨胀的内部和外部气囊。然而，这些承载器头具有几个缺点。例如，典型的气囊具有使得在周边处很难施加均匀向下的力的弯曲边缘。此外，传统的气囊覆盖工件的相当宽的区域，从而限制了将向下的力定位在工件上的能力。此外，传统气囊经常填充可压缩的空气，可压缩的空气抑制了向下力的精确控制。此外，具有多个气囊的承载器头形成了一个修理与/或维护需要很长停工时间的复杂系统，导致伴随的生产量的减小。
发明内容
本发明针对微特征工件的机械与/或化学-机械抛光的系统和方法。全文中，术语“微特征工件”涵盖微电子设备、微机械设备、数据存储元件和其它元件在其中或其上被制造的基片。例如，微特征工件可以是半导体晶片、玻璃基片、绝缘基片或多种其它类型的基片。此外，术语“平面化”和“使平坦”表示形成平坦的表面与/或形成平滑表面(即“抛光”)。在下面的描述和图2-4B中列出了本发明的几个具体细节，以提供对本发明的特定实施例的全面理解。然而，本领域的技术人员将意识到：本发明可以具有其它的实施例，或本发明的其它实施例可以在没有下述描述中说明的几个具体特征的情况下实现。
本发明的一个方面针对具有一个特征的对微特征工件抛光的方法。在一个实施例中，本发明包括：确定离开抛光循环的微特征工件的特征的状态；并在确定微特征工件的特征的状态后，将承载器头与/或抛光垫相对于另一个移动，以使微特征工件摩擦抛光垫。该承载器头还承载多个压电部件。该方法还包括根据确定的特征状态，通过对至少一个压电部件加电向微特征工件的背面施加压力。确定特征的状态可以包括确定微特征工件的层的厚度或表面轮廓，而特征的状态可以利用度量工具确定。该压电部件可以被设置以栅格、同心地或以其它图案设置在承载器头中。
根据本发明的另一方面，该状态是第一状态，而工件是第一工件。根据这一方面，该方法还包括：在对第一微特征工件施加压力后，确定第一微特征工件的特征的第二状态；并确定第二微特征工件的特征的第一状态。第二微特征工件不同于第一微特征工件。该方法还包括在确定第二微特征工件的特征的第一状态后，将承载器头与/或抛光垫相对于另一个移动，以将第二微特征工件摩擦抛光垫。当该工件摩擦衬垫时，根据确定的第二微特征工件的特征的第一状态以及第一微特征工件的特征的期望的状态和确定的第二状态之间的差别，通过对至少一个压电部件加电，向第二微特征工件的背面施加压力。
本发明的另一个方面针对对具有特征的微特征工件抛光的系统。在一个实施例中，该系统包括：被配置以承载微特征工件的工件承载器组件；由工件承载器组件承载的多个压电部件；可定位在工件承载器组件下用于对微特征工件抛光的抛光垫；一种用于确定微特征工件的特征的一种状态的工具；和可操作地联接到工件承载器组件、压电组件、抛光垫和工具的控制器。该控制器可以具有包括指令的计算机可读介质，以执行上述方法中的一种。
附图说明
图1是根据现有技术的旋转的平面化机器的一部分的示意横断面视图；
图2是根据本发明的一个实施例的用于对微特征工件抛光的系统的示意横断面视图；
图3是实质上沿图2的直线A-A的示意横截面视图；
图4A是根据本发明的另一个实施例的同心地设置的多个压电部件的示意横断面视图；
图4B是根据本发明的另一个实施例的设置成栅格的多个压电部件的示意俯视图。
具体实施方式
A.综述
本发明涉及用于对微特征工件机械与/或化学-机械抛光的系统和方法。全文中，术语“微特征工件”涵盖微电子器件、微机械装置、数据存储元件和其它元件在其中或其上被制造的基片。例如，微特征工件可以是半导体晶片、玻璃基片、绝缘基片或多种其它类型的基片。此外，术语“平面化”和“使平坦”表示形成平坦的表面与/或形成平滑表面(即“抛光”)。在下面的描述和图2-4B中列出了本发明的几个具体细节，以提供对本发明的特定实施例的全面理解。然而，本领域的技术人员将意识到：本发明可以具有其它的实施例，或本发明的其它实施例可以在没有下述描述中说明的几个具体特征的情况下实现。
本发明的一个方面涉及用于对具有特征的微特征工件抛光的方法。在一个实施例中，该方法包括：确定离开抛光循环的微特征工件的特征的状态；并在确定微特征工件的特征的状态后，将承载器头与/或抛光垫相对于另一个移动，以使微特征工件摩擦抛光垫。该承载器头还承载多个压电部件。该方法还包括根据确定的特征状态，通过对至少一个压电部件加电向微特征工件的背面施加压力。确定特征的状态可包括确定微特征工件的层的厚度或表面轮廓，而特征的状态可以利用度量工具确定。该压电部件可以以栅格式、同心地或以其它图案设置在承载器头中。
根据该实施例的另一方面，该状态是第一状态，而工件是第一工件。根据这一方面，该方法还包括：在对第一微特征工件施加压力后，确定第一微特征工件的特征的第二状态；并确定第二微特征工件的特征的第一状态。第二微特征工件不同于第一微特征工件。该方法还包括在确定第二微特征工件的特征的第一状态后，将承载器头与/或抛光垫相对于另一个移动，以将第二微特征工件摩擦抛光垫。当该工件摩擦衬垫时，根据确定的第二微特征工件的特征的第一状态以及第一微特征工件的特征的期望的状态和确定的第二状态之间的差别，通过对至少一个压电部件加电，向第二微特征工件的背面施加压力。
本发明的另一个方面涉及用于对具有特征的微特征工件抛光的系统。在一个实施例中，该系统包括：被配置以承载微特征工件的工件承载器组件；由工件承载器组件承载的多个压电部件；可定位在工件承载器组件之下用于对微特征工件抛光的抛光垫；用于确定微特征工件的特征的状态的工具；和可操作地联接到工件承载器组件、压电组件、抛光垫和工具的控制器。该控制器可以具有包括指令的计算机可读介质，以执行上述方法中的一种。
B.抛光系统
图2是根据本发明的一个实施例的用于对微特征工件112抛光的系统100的示意横断面视图。该系统100包括：CMP机110(显示了一部分)；可操作地联接到CMP机110的控制器160(示意地显示)；和可操作地联接到控制器160的度量工具170(示意地显示)。在系统100中，度量工具170确定工件112上的膜的厚度，或工件112的另外的特征。度量工具170将数据发送到控制器160，在工件112的抛光期间，控制器160使用该数据控制CMP机110。
在图2中所示的实施例中，CMP机110包括：台板120；台板120上方的工件承载器组件130；和联接到台板120的平面化衬垫140。工件承载器组件130可以被联接到执行器组件131(示意性地显示)，以在平面化衬垫140的平面化表面142上移动工件112。在所示实施例中，工件承载器组件130包括：具有支撑部件134和联接到支撑部件134的保持环136的头部132。支撑部件134可以是上部板连接到执行器组件131的环形外壳。保持环136围绕支撑部件134延伸，并向支撑部件134的底部边缘下方的工件112伸出。
在该实施例的一个方面中，工件承载器组件130包括：头部132中的腔114；和腔114中的多个压电部件150(分别标识为150a-c)。图3是实质上沿图2的直线A-A的示意横截面视图。参照图2和图3，在所示实施例中，压电部件150被同心地布置在腔114内。例如，第一压电部件150a具有至少大致等于腔114的内径的外径D1(图3)；第二压电部件150b具有至少大致等于第一压电部件150a的内径的外径D2(图3)；而第三压电部件150c具有至少大致等于第二压电部件150b的内径的外径D3(图3)。在其它实施例中，压电部件150可以彼此间隔开。例如，第二压电部件150b的外径D2可小于第一压电部件150a的内径。在另外的实施例中，诸如参照图4A和4B在下面描述的实施例，压电部件可具有不同的形状与/或结构。
参照图2，在所示实施例中，压电部件150具有：外壁152(分别标识为152a-c)；与外壁152相对的内壁153(分别标识为153a-b)；上壁154(分别标识为154a-c)；和与上壁154相对的下壁155(分别标识为155a-c)。头部132具有邻接压电部件150的上壁154的表面115。相应地，当压电部件150被加电时，部件150沿方向D从表面115向下膨胀。压电部件150的膨胀对工件112施加力。例如，在图2中，第一压电部件150a被加电并向工件112的周边区域施加力F。在另外的实施例中，压电部件150可以一起加电或单独加电。
工件承载器组件130还包括：可操作地联接到压电部件150以有选择地对压电部件150的一个或多个加电的控制器180。更具体地，控制器180可以经电路连接器158向压电部件150提供电压。电路连接器158可包括附于压电部件150的细小的电线。通过选择压电部件150以加电并改变电压，控制器180相应地控制力F的位置和大小。在一个实施例中，控制器180可以包括IC控制器芯片和远程信息控制器，以从控制器160接收无线信号。在其它实施例中，控制器160和180可以经有线、红外、无线电或其它方式通信。在另外的实施例中，控制器160可以不与控制器180接口而直接操作压电部件150。
工件承载器组件130还可以包括封住腔114并将压电部件150的下壁154与工件112分离的柔韧部件190。柔韧部件190可以是在抛光期间保护压电部件150并防止平面化溶液42(图1)进入腔114的硅或任何其它适合的材料。在其它实施例中，头部132可以包括压电部件150与工件112之间的附加的膜。
度量工具170测量抛光前工件112的特征的状态，以便在抛光期间，可以使用数据以在工件112上提供平坦表面。例如，度量工具170可以测量工件112的层的多处的厚度。在确定工件112的特征的状态后，度量工具170向控制器160提供数据。控制器160可以是在控制抛光循环中使用该数据的自动处理控制器。更具体地，控制器160可以使用该数据以确定在工件112上提供大体平坦表面所需的力的位置和强度。例如，如果度量工具170确定在工件112的周边区域的层具有比在工件112的中央区域处更大的厚度，在抛光期间，控制器180可以对第一压电部件150a加电，对工件112的该周边区域施加力F。度量工具170可以确定工件112连接到工件承载器组件130前与/或后的特征的状态。适合的设备包括由以色列的Nova Measuring Instruments Ltd.制造的度量工具和其它类似的设备。在另外的实施例中，也可以使用度量工具以外的工具确定特征的状态。
在当前实施例的一方面中，度量工具170还确定抛光后工件112的特征的状态。测量抛光后特征的状态使控制器160可以确定特征的抛光后状态是否是期望的状态。例如，控制器160可以确定工件112的表面是否充分平坦与/或工件112的层是否具有期望的厚度。此外，测量抛光后的特征状态使控制器160可以跟踪CMP机110的保持环136、平面化衬垫140、调节石(conditioning stone，未示出)与/或其它部件的磨损情况。例如，抛光循环结束时，通过确定工件的特征的设计状态与特征的确定状态之间的差异，控制器160可以跟踪CMP机110的磨损情况。CMP机110的磨损情况影响工件的抛光，因此在循环结束时，工件的特征的设计状态与特征的确定状态之间会存在差异。因此，跟踪一系列工件的设计与确定状态之间的差异使控制器160可以确定CMP机110中的磨损情况。
根据原先的工件的特征的设计状态与确定状态之间的差别，在抛光后序工件时，控制器160可以调节包括施加的力的抛光参数，以补偿CMP机110中的磨损或其它因素。例如，如果在抛光后，工件的层的厚度比设计的厚度大，控制器160可以调节施加的力、停留时间或其它抛光参数以增加从后序工件去除的材料。在另外的实施例中，系统100可以不包括度量工具170，而控制器160可以根据工件112的特征的期望状态而调节包括施加的力的抛光参数。在其它实施例中，系统100可以包括监控抛光期间的工件表面的平面度的传感器。在这种实施例中，控制器160可以根据监控的平面度调节包括施加的力的抛光参数。
C.压电部件的其它配置
图4A和4B是根据本发明的另外实施例的与工件承载器组件一起使用的压电部件的几种配置的示意俯视图。例如，图4A显示在多个环251(分别标示为251a-d)中大体同心设置的多个弓形压电部件250。每个环251被分成大体相同尺寸的压电部件250。在其它实施例中，压电部件250可以被不同地设置。例如，每个压电部件可以与其它压电部件间留有间隔。
图4B是根据本发明的另一个实施例的多个压电部件350的示意俯视图。压电部件350以具有多个行R1-R10和多个列C1-C10的栅格式设置。在所示实施例中，接近周边的压电部件350具有对应于工件承载器组件130(图2)中的腔114(图2)的曲率的弯曲边。在另外的实施例中，每个压电部件的尺寸可以减小以提高分辨度。在其它实施例中，压电部件可以以其它配置设置，诸如以四分之一圆或以单个圆的形式。
所示实施例的抛光系统的一个优点是根据工件的预先确定的特征向工件施加高度定位的力。这种高度定位的力的控制使CMP处理恒定和精确地在工件上产生均匀的平坦表面。此外，系统也可以调节施加的力和抛光参数以考虑CMP机的磨损。所示工件承载器组件的其它优点在于：它们比现有系统更简单，而因此，减少了维护与/或修理的停工时间，而产生更大的生产量。
根据前述说明，应该理解：为了说明的目的，描述了本发明的具体实施例，但在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以对该实施例进行多种修改。因此，除所附要求外，本发明是没有限制的。

Claims (46)

1.一种用于对具有特征的微特征工件抛光的方法，所述方法包括：
确定脱离抛光循环的所述微特征工件的所述特征的状态；
在确定所述微特征工件的所述特征的所述状态后，使承载器头和平面化介质的至少一个相对另一个移动，所述承载器头承载多个驱动部件；和
根据所确定的所述特征的所述状态，通过控制所述多个驱动部件的至少一个，向所述微特征工件的背面施加压力。
2.根据权利要求1所述的方法，其中：确定所述特征的所述状态包括确定所述微特征工件的表面轮廓。
3.根据权利要求1所述的方法，其中：确定所述特征的所述状态包括确定所述微特征工件的层的厚度。
4.根据权利要求1所述的方法，其中：确定所述特征的状态包括利用度量工具确定所述特征的所述状态。
5.根据权利要求1所述的方法，其中：所述状态包括第一状态，而所述微特征工件包括第一微特征工件，而其中所述方法还包括：
在对所述第一微特征工件施加压力后，确定所述第一微特征工件的所述特征的第二状态；
确定第二微特征工件的所述特征的第一状态，所述第二微特征工件不同于所述第一微特征工件；
在确定所述第二微特征工件的所述特征的所述第一状态后，使所述承载器头和所述平面化介质的至少一个相对于另一个移动；和
根据所述第二微特征工件所确定的所述特征的所述第一状态以及所述第一微特征工件的所述特征的期望状态和所确定的第二状态之间的差别，通过控制所述驱动部件的至少一个，向所述第二微特征工件的背面施加压力。
6.根据权利要求1所述的方法，其中：向所述微特征工件施加压力包括向所述工件施加压力以实现所述工件的所述特征的期望状态。
7.根据权利要求1所述的方法，其中：
确定所述特征的所述状态包括确定第一区域的所述特征的所述状态；和
向所述微特征工件施加压力包括在所述第一区域中向所述微特征工件的背面施加压力。
8.根据权利要求1所述的方法，其中：所述多个驱动部件被同心地设置，而其中向所述微特征工件施加压力包括控制所述同心设置的驱动部件的至少一个。
9.根据权利要求1所述的方法，其中：所述多个驱动部件以栅格的形式设置，而其中向所述微特征工件施加压力包括控制所述设置成栅格的驱动部件的至少一个。
10.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在对所述微特征工件施加压力后，确定所述微特征工件的所述特征的第二状态；和
跟踪所述微特征工件的所述特征的期望状态和所述第二状态的差别以确定所述平面化介质、所述承载器头和调节石的至少一个的磨损情况。
11.根据权利要求1所述的方法，其中：
确定所述特征的所述状态包括确定所述微特征工件的较厚区域和较薄区域；和
向所述背面施加压力包括在所述微特征工件的较厚区域施加第一压力和在所述微特征工件的较薄区域施加第二压力，其中所述第二压力不同于所述第一压力。
12.根据权利要求1所述的方法，其中：向所述背面施加压力包括：
在第一位置中安排至少一个驱动部件以向所述微特征工件的背面施加第一压力；和
将至少一个驱动部件从所述第一位置移动到所述第二位置以向所述微特征工件的背面施加第二压力。
13.根据权利要求1所述的方法，其中：所述驱动部件包括多个压电部件，而其中控制所述驱动部件的至少一个包括对所述压电部件的至少一个加电。
14.一种以某一特征的预定状态抛光具有某一区域的微特征工件的方法，所述方法包括：
使承载器头和平面化介质的至少一个相对另一个移动，所述承载器头承载多个驱动部件；和
根据所述特征的所述预定状态，通过对所述多个压电部件的至少一个加电以向所述微特征工件的背面施加力，在所述微特征工件的所述区域内提供所述特征的期望状态；其中所述特征的所述预定状态脱离抛光循环而取得。
15.根据权利要求14所述的方法，其中：所述区域包括第一区域，其中所述多个压电部件的至少一个包括第一压电部件；而其中所述方法还包括：
确定所述微特征工件的第二区域的所述特征的状态，所述第二区域不同于所述第一区域；并且
根据所述第二区域的所述特征的所确定状态，通过对第二压电部件加电，在所述微特征工件的所述第二区域内实现所述特征的期望状态，所述第二压电部件不同于所述第一压电部件。
16.根据权利要求14所述的方法，其中：所述多个压电部件被同心地设置，而其中实现所述特征的期望状态包括对所述同心地设置的压电部件的至少一个加电。
17.根据权利要求14所述的方法，其中：所述多个压电部件以栅格的形式设置，而其中实现所述特征的所述期望状态包括对所述设置成栅格的压电部件的至少一个加电。
18.根据权利要求14所述的方法，其中：实现所述特征的所述期望状态包括：
在第一位置中安排至少一个压电部件以向所述微特征工件的背面施加第一力；和
从所述第一位置向第二位置移动所述至少一个压电部件以向微特征工件的背面施加第二力。
19.根据权利要求14所述的方法，其中：实现所述特征的期望状态包括：根据所述承载器头、所述平面化介质和调节石的至少一个的预先确定的磨损情况，对所述多个压电部件的至少一个加电。
20.一种用于抛光多个微特征工件的方法，包括：
确定第一微特征工件的特征的第一状态；
使承载器头和平面化介质的至少一个相对另一个移动，所述承载器头具有多个驱动部件；
根据所确定的第一微特征工件的所述特征的第一状态，控制多个驱动部件的至少一个，以向所述第一微特征工件的背面施加压力；
在控制所述多个驱动部件的至少一个后，确定所述第一微特征工件的所述特征的第二状态；
确定第二微特征工件的特征的第一状态，所述第二微特征工件不同于所述第一微特征工件；
使承载器头和平面化介质的至少一个相对另一个移动；和
根据所确定的所述第二微特征工件的所述特征的第一状态以及第一微特征工件的特征的期望状态和所确定的第二状态之间的差别，控制所述多个驱动部件的至少一个，以向所述第二微特征工件的背面施加压力。
21.根据权利要求20所述的方法，其中：确定所述第一微特征工件的所述特征的第一状态和第二状态包括确定所述第一微特征工件的表面轮廓。
22.根据权利要求20所述的方法，其中：确定所述第一微特征工件的所述特征的所述第一状态和第二状态包括确定所述第一微特征工件的层的厚度。
23.根据权利要求20所述的方法，其中：确定所述第一微特征工件的所述特征的所述第一状态和第二状态包括利用度量工具确定所述特征的所述第一和第二状态。
24.根据权利要求20所述的方法，还包括：跟踪所述第一微特征工件的所述特征的期望状态和所确定的第二状态的差别以确定所述平面化介质、所述承载器头和调节石的至少一个的磨损情况。
25.根据权利要求20所述的方法，其中：所述多个驱动部件被同心地设置，而其中控制所述多个驱动部件的至少一个以向所述第一微特征工件的背面施加压力包括控制所述同心地设置的多个驱动部件的至少一个。
26.一种用于对具有特征的微特征工件抛光的方法，所述方法包括：
确定脱离抛光循环的所述微特征工件的所述特征的状态；
根据所述特征的确定状态，在承载器头中安排多个驱动部件；
在抛光循环期间，监控所述微特征工件的表面的平面度；和
根据在抛光循环期间所监控的微特征工件的表面的平面度，重新安排所述多个驱动部件的至少一些。
27.根据权利要求26所述的方法，其中：
所述多个驱动部件包括第一驱动部件，
安装所述驱动部件包括在第一位置中安排所述第一驱动部件以对所述工件施加第一力；和
重新安排所述驱动部件包括将所述第一驱动部件移动到第二位置以对所述工件施加第二力，所述第一位置不同于所述第二位置。
28.根据权利要求26所述的方法，其中：
所述多个驱动部件包括第一驱动部件，
安排所述驱动部件包括定位所述第一驱动部件以对所述工件施加第一力；和
重新安排所述驱动部件包括定位所述第一驱动部件以对所述工件施加第二力，所述第一压力不同于所述第二压力。
29.一种用于抛光具有估计表面轮廓的微特征工件的方法，所述方法包括：
根据所估计的表面轮廓，在承载器头中安排多个驱动部件；
在抛光循环期间，监控微特征工件的表面的平面度；和
根据在抛光循环期间所监控的所述微特征工件的表面的平面度，重新安排所述多个驱动部件的至少一些。
30.根据权利要求29所述的方法，其中：
所述多个驱动部件包括第一驱动部件，
安装所述驱动部件包括在第一位置中安排第一驱动部件以对所述工件施加第一力；和
重新安排所述驱动部件包括将所述第一驱动部件移动到第二位置以对所述工件施加第二力，所述第一位置不同于所述第二位置。
31.根据权利要求29所述的方法，其中：
所述多个驱动部件包括第一驱动部件，
安排所述驱动部件包括定位所述第一驱动部件以对所述工件施加第一压力；和
重新安排所述驱动部件包括定位所述第一驱动部件以对所述工件施加第二压力，所述第一压力不同于所述第二压力。
32.一种用于抛光具有某一特征和背面的微特征工件的系统，所述系统包括：
被配置以承载所述微特征工件的工件承载器组件；
由所述工件承载器组件承载的多个驱动部件；
可定位在所述工件承载器组件下用于抛光所述微特征工件的平面化介质；
用于确定所述微特征工件的所述特征的状态的工具；
可操作地联接到所述工件承载器组件、所述多个驱动部件、所述平面化介质和工具的控制器，所述控制器具有包括指令的计算机可读介质，以执行包括下述步骤的方法：
确定脱离所述抛光循环的所述微特征工件的所述特征的所述状态；
在确定所述微特征工件的所述特征的所述状态后，使所述工件承载器组件和所述平面化介质的至少一个相对于另一个移动；和
根据所确定的所述特征的状态，通过控制所述多个驱动部件的至少一个，向所述微特征工件的背面施加压力。
33.根据权利要求32所述的系统，其中：所述多个驱动部件在所述工件承载器组件中被安排成栅格。
34.根据权利要求32所述的系统，其中：所述多个驱动部件在所述工件承载器组件中被同心地安排。
35.根据权利要求32所述的系统，其中：所述度量工具被配置以在所述微特征工件由所述工件承载器组件承载时，确定所述微特征工件的所述特征的所述状态。
36.根据权利要求32所述的系统，其中：所述工具被配置以在所述微特征工件由所述工件承载器组件承载前与/或后，确定所述微特征工件的所述特征的所述状态。
37.根据权利要求32所述的系统，其中：所述工具被配置以确定所述微特征工件的层的厚度。
38.根据权利要求32所述的系统，其中：所述工具被配置以确定所述微特征工件的表面轮廓。
39.根据权利要求32所述的系统，其中：所述多个驱动部件包括多个压电部件。
40.一种用于抛光具有背面和带有某一特征的预定状态的某一区域的微特征工件的系统，所述系统包括：
被配置以承载所述微特征工件的工件承载器组件；
由所述工件承载器组件承载的多个压电部件；
可定位在所述工件承载器组件下用于抛光所述微特征工件的平面化介质；
用于确定所述微特征工件的所述特征的状态的工具；和
可操作地联接到所述工件承载器组件、所述多个压电部件、所述平面化介质和所述工具的控制器，所述控制器具有包括指令的计算机可读介质，以执行包括下述步骤的方法：
使所述工件承载器组件和所述平面化介质的至少一个相对于另一个移动；和
根据所述预定状态，通过对所述多个压电部件的至少一个加电，以向所述微特征工件的背面施加力，在所述微特征工件的所述区域内实现所述特征的期望状态。
41.根据权利要求40所述的系统，其中：所述多个压电部件在所述工件承载器组件中被安排成栅格。
42.根据权利要求40所述的系统，其中：所述多个压电部件在所述工件承载器组件中被同心地安排。
43.根据权利要求40所述的系统，其中：所述度量工具被配置以在所述微特征工件由所述工件承载器组件承载时，确定所述微特征工件的所述特征的所述状态。
44.根据权利要求40所述的系统，其中：所述工具被配置以在所述微特征工件由所述工件承载器组件承载前与/或后，确定所述微特征工件的所述特征的所述状态。
45.根据权利要求40所述的系统，其中：所述工具被配置以确定所述微特征工件的层的厚度。
46.根据权利要求40所述的系统，其中：所述工具被配置以确定所述微特征工件的表面轮廓。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106584214A (zh) * 2016-11-09 2017-04-26 石长海 一种大尺寸晶片单面抛光的方法
CN108475627A (zh) * 2015-11-26 2018-08-31 胜高股份有限公司 晶圆抛光方法
CN111941269A (zh) * 2013-12-11 2020-11-17 台湾积体电路制造股份有限公司 化学机械抛光系统和抛光衬底的方法
CN113134785A (zh) * 2020-01-17 2021-07-20 株式会社荏原制作所 研磨头系统及研磨装置

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101126662B1 (ko) 2004-11-01 2012-03-30 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱장치
DE102005016411B4 (de) * 2005-04-08 2007-03-29 IGAM Ingenieurgesellschaft für angewandte Mechanik mbH Vorrichtung zur hochgenauen Oberflächenbearbeitung eines Werkstückes
KR100935479B1 (ko) * 2005-08-05 2010-01-06 배성훈 화학적 기계적 연마장치
US7537511B2 (en) * 2006-03-14 2009-05-26 Micron Technology, Inc. Embedded fiber acoustic sensor for CMP process endpoint
US8298041B2 (en) * 2010-10-08 2012-10-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for wafer back-grinding control
US20120122373A1 (en) * 2010-11-15 2012-05-17 Stmicroelectronics, Inc. Precise real time and position low pressure control of chemical mechanical polish (cmp) head
TWI574780B (zh) * 2013-03-29 2017-03-21 姜準模 用於化學機械拋光系統的載具頭
JP2014223684A (ja) * 2013-05-15 2014-12-04 株式会社東芝 研磨装置および研磨方法
US11731231B2 (en) * 2019-01-28 2023-08-22 Micron Technology, Inc. Polishing system, polishing pad, and related methods
JP2020126872A (ja) * 2019-02-01 2020-08-20 株式会社ブイ・テクノロジー 研磨ヘッド、研磨装置及び研磨方法
JP2021091033A (ja) * 2019-12-10 2021-06-17 キオクシア株式会社 研磨装置、研磨ヘッド、研磨方法、及び半導体装置の製造方法
JP7365282B2 (ja) * 2020-03-26 2023-10-19 株式会社荏原製作所 研磨ヘッドシステムおよび研磨装置
US20210402546A1 (en) * 2020-06-24 2021-12-30 Applied Materials, Inc. Polishing carrier head with piezoelectric pressure control

Family Cites Families (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US52052A (en) * 1866-01-16 Washing-machine
US4498345A (en) * 1982-10-04 1985-02-12 Texas Instruments Incorporated Method for measuring saw blade flexure
US4502459A (en) * 1982-10-04 1985-03-05 Texas Instruments Incorporated Control of internal diameter saw blade tension in situ
US4501258A (en) * 1982-10-04 1985-02-26 Texas Instruments Incorporated Kerf loss reduction in internal diameter sawing
JPS63299785A (ja) * 1987-05-29 1988-12-07 Res Dev Corp Of Japan 圧電・電歪素子を用いた衝撃力による微小移動装置
US4971021A (en) 1987-07-31 1990-11-20 Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha Apparatus for cutting semiconductor crystal
US5234867A (en) 1992-05-27 1993-08-10 Micron Technology, Inc. Method for planarizing semiconductor wafers with a non-circular polishing pad
USRE34425E (en) 1990-08-06 1993-11-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer
US5081796A (en) * 1990-08-06 1992-01-21 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer
US5036015A (en) * 1990-09-24 1991-07-30 Micron Technology, Inc. Method of endpoint detection during chemical/mechanical planarization of semiconductor wafers
US5163334A (en) 1990-10-24 1992-11-17 Simonds Industries Inc. Circular saw testing technique
US5069002A (en) * 1991-04-17 1991-12-03 Micron Technology, Inc. Apparatus for endpoint detection during mechanical planarization of semiconductor wafers
JPH052052A (ja) * 1991-06-26 1993-01-08 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体装置のテスト信号発生回路
EP0532933B1 (en) * 1991-08-21 1995-11-02 Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. Blade position detection apparatus
US5240552A (en) 1991-12-11 1993-08-31 Micron Technology, Inc. Chemical mechanical planarization (CMP) of a semiconductor wafer using acoustical waves for in-situ end point detection
US5244534A (en) 1992-01-24 1993-09-14 Micron Technology, Inc. Two-step chemical mechanical polishing process for producing flush and protruding tungsten plugs
US5618381A (en) * 1992-01-24 1997-04-08 Micron Technology, Inc. Multiple step method of chemical-mechanical polishing which minimizes dishing
US5514245A (en) * 1992-01-27 1996-05-07 Micron Technology, Inc. Method for chemical planarization (CMP) of a semiconductor wafer to provide a planar surface free of microscratches
US5245790A (en) 1992-02-14 1993-09-21 Lsi Logic Corporation Ultrasonic energy enhanced chemi-mechanical polishing of silicon wafers
JPH05263686A (ja) * 1992-03-23 1993-10-12 Toyota Motor Corp 内燃機関の触媒劣化判別装置
US5222329A (en) * 1992-03-26 1993-06-29 Micron Technology, Inc. Acoustical method and system for detecting and controlling chemical-mechanical polishing (CMP) depths into layers of conductors, semiconductors, and dielectric materials
US5314843A (en) * 1992-03-27 1994-05-24 Micron Technology, Inc. Integrated circuit polishing method
US5245796A (en) 1992-04-02 1993-09-21 At&T Bell Laboratories Slurry polisher using ultrasonic agitation
US5232875A (en) 1992-10-15 1993-08-03 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for improving planarity of chemical-mechanical planarization operations
US5540810A (en) * 1992-12-11 1996-07-30 Micron Technology Inc. IC mechanical planarization process incorporating two slurry compositions for faster material removal times
JPH0815718B2 (ja) 1993-08-20 1996-02-21 株式会社島精機製作所 裁断刃の刃幅測定装置
US5643060A (en) * 1993-08-25 1997-07-01 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing including heater
US5486129A (en) * 1993-08-25 1996-01-23 Micron Technology, Inc. System and method for real-time control of semiconductor a wafer polishing, and a polishing head
US5658183A (en) * 1993-08-25 1997-08-19 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing including optical monitoring
US5700180A (en) * 1993-08-25 1997-12-23 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing
US5433651A (en) * 1993-12-22 1995-07-18 International Business Machines Corporation In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing
US5413941A (en) 1994-01-06 1995-05-09 Micron Technology, Inc. Optical end point detection methods in semiconductor planarizing polishing processes
US5439551A (en) 1994-03-02 1995-08-08 Micron Technology, Inc. Chemical-mechanical polishing techniques and methods of end point detection in chemical-mechanical polishing processes
US5795495A (en) 1994-04-25 1998-08-18 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing for dielectric layers
US5449314A (en) 1994-04-25 1995-09-12 Micron Technology, Inc. Method of chimical mechanical polishing for dielectric layers
US5533924A (en) 1994-09-01 1996-07-09 Micron Technology, Inc. Polishing apparatus, a polishing wafer carrier apparatus, a replacable component for a particular polishing apparatus and a process of polishing wafers
US5632666A (en) * 1994-10-28 1997-05-27 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for automated quality control in wafer slicing
JP3195504B2 (ja) 1994-11-24 2001-08-06 トーヨーエイテック株式会社 スライシング装置のブレード変位検出装置
US6537133B1 (en) * 1995-03-28 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations
US5945347A (en) * 1995-06-02 1999-08-31 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for polishing a semiconductor wafer in an overhanging position
US6110820A (en) 1995-06-07 2000-08-29 Micron Technology, Inc. Low scratch density chemical mechanical planarization process
US5668061A (en) 1995-08-16 1997-09-16 Xerox Corporation Method of back cutting silicon wafers during a dicing procedure
US5609718A (en) * 1995-09-29 1997-03-11 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for measuring a change in the thickness of polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US6152803A (en) * 1995-10-20 2000-11-28 Boucher; John N. Substrate dicing method
US5718615A (en) 1995-10-20 1998-02-17 Boucher; John N. Semiconductor wafer dicing method
US5967030A (en) * 1995-11-17 1999-10-19 Micron Technology, Inc. Global planarization method and apparatus
US5658190A (en) * 1995-12-15 1997-08-19 Micron Technology, Inc. Apparatus for separating wafers from polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5792709A (en) 1995-12-19 1998-08-11 Micron Technology, Inc. High-speed planarizing apparatus and method for chemical mechanical planarization of semiconductor wafers
US5720845A (en) * 1996-01-17 1998-02-24 Liu; Keh-Shium Wafer polisher head used for chemical-mechanical polishing and endpoint detection
US6135856A (en) 1996-01-19 2000-10-24 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for semiconductor planarization
US5738562A (en) * 1996-01-24 1998-04-14 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for planar end-point detection during chemical-mechanical polishing
US5618447A (en) * 1996-02-13 1997-04-08 Micron Technology, Inc. Polishing pad counter meter and method for real-time control of the polishing rate in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US5643048A (en) * 1996-02-13 1997-07-01 Micron Technology, Inc. Endpoint regulator and method for regulating a change in wafer thickness in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5777739A (en) * 1996-02-16 1998-07-07 Micron Technology, Inc. Endpoint detector and method for measuring a change in wafer thickness in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US5679065A (en) 1996-02-23 1997-10-21 Micron Technology, Inc. Wafer carrier having carrier ring adapted for uniform chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5798302A (en) 1996-02-28 1998-08-25 Micron Technology, Inc. Low friction polish-stop stratum for endpointing chemical-mechanical planarization processing of semiconductor wafers
DE19607695A1 (de) * 1996-02-29 1997-09-04 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben
US5910846A (en) 1996-05-16 1999-06-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for detecting the endpoint in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US5663797A (en) 1996-05-16 1997-09-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for detecting the endpoint in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US5893754A (en) * 1996-05-21 1999-04-13 Micron Technology, Inc. Method for chemical-mechanical planarization of stop-on-feature semiconductor wafers
US5681423A (en) 1996-06-06 1997-10-28 Micron Technology, Inc. Semiconductor wafer for improved chemical-mechanical polishing over large area features
US5871392A (en) 1996-06-13 1999-02-16 Micron Technology, Inc. Under-pad for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5747386A (en) 1996-10-03 1998-05-05 Micron Technology, Inc. Rotary coupling
US5830806A (en) 1996-10-18 1998-11-03 Micron Technology, Inc. Wafer backing member for mechanical and chemical-mechanical planarization of substrates
US5972792A (en) 1996-10-18 1999-10-26 Micron Technology, Inc. Method for chemical-mechanical planarization of a substrate on a fixed-abrasive polishing pad
US5702292A (en) * 1996-10-31 1997-12-30 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for loading and unloading substrates to a chemical-mechanical planarization machine
US5868896A (en) * 1996-11-06 1999-02-09 Micron Technology, Inc. Chemical-mechanical planarization machine and method for uniformly planarizing semiconductor wafers
US6006739A (en) * 1996-11-12 1999-12-28 Micron Technology, Inc. Method for sawing wafers employing multiple indexing techniques for multiple die dimensions
US5855804A (en) * 1996-12-06 1999-01-05 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for stopping mechanical and chemical-mechanical planarization of substrates at desired endpoints
US5895550A (en) * 1996-12-16 1999-04-20 Micron Technology, Inc. Ultrasonic processing of chemical mechanical polishing slurries
US5807165A (en) 1997-03-26 1998-09-15 International Business Machines Corporation Method of electrochemical mechanical planarization
US6331488B1 (en) * 1997-05-23 2001-12-18 Micron Technology, Inc. Planarization process for semiconductor substrates
US5934980A (en) 1997-06-09 1999-08-10 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing
US6007408A (en) * 1997-08-21 1999-12-28 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for endpointing mechanical and chemical-mechanical polishing of substrates
US5997384A (en) * 1997-12-22 1999-12-07 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for controlling planarizing characteristics in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6083085A (en) * 1997-12-22 2000-07-04 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for planarizing microelectronic substrates and conditioning planarizing media
US6139402A (en) * 1997-12-30 2000-10-31 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6080050A (en) * 1997-12-31 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus
US6074286A (en) 1998-01-05 2000-06-13 Micron Technology, Inc. Wafer processing apparatus and method of processing a wafer utilizing a processing slurry
US6224466B1 (en) * 1998-02-02 2001-05-01 Micron Technology, Inc. Methods of polishing materials, methods of slowing a rate of material removal of a polishing process
US6102777A (en) 1998-03-06 2000-08-15 Keltech Engineering Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen
US20020049029A1 (en) * 1998-04-08 2002-04-25 Large Jeffrey L. System and method for chemical mechanical polishing
US6210257B1 (en) * 1998-05-29 2001-04-03 Micron Technology, Inc. Web-format polishing pads and methods for manufacturing and using web-format polishing pads in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6200901B1 (en) * 1998-06-10 2001-03-13 Micron Technology, Inc. Polishing polymer surfaces on non-porous CMP pads
US6143155A (en) * 1998-06-11 2000-11-07 Speedfam Ipec Corp. Method for simultaneous non-contact electrochemical plating and planarizing of semiconductor wafers using a bipiolar electrode assembly
US6171174B1 (en) * 1998-06-26 2001-01-09 Advanced Micro Devices System and method for controlling a multi-arm polishing tool
US6220934B1 (en) * 1998-07-23 2001-04-24 Micron Technology, Inc. Method for controlling pH during planarization and cleaning of microelectronic substrates
US6190494B1 (en) * 1998-07-29 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for electrically endpointing a chemical-mechanical planarization process
US6180525B1 (en) * 1998-08-19 2001-01-30 Micron Technology, Inc. Method of minimizing repetitive chemical-mechanical polishing scratch marks and of processing a semiconductor wafer outer surface
US6323046B1 (en) * 1998-08-25 2001-11-27 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for endpointing a chemical-mechanical planarization process
US6152808A (en) * 1998-08-25 2000-11-28 Micron Technology, Inc. Microelectronic substrate polishing systems, semiconductor wafer polishing systems, methods of polishing microelectronic substrates, and methods of polishing wafers
US6352466B1 (en) * 1998-08-31 2002-03-05 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for wireless transfer of chemical-mechanical planarization measurements
US6193588B1 (en) * 1998-09-02 2001-02-27 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for planarizing and cleaning microelectronic substrates
US6046111A (en) * 1998-09-02 2000-04-04 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for endpointing mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6106351A (en) 1998-09-02 2000-08-22 Micron Technology, Inc. Methods of manufacturing microelectronic substrate assemblies for use in planarization processes
US6191037B1 (en) * 1998-09-03 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Methods, apparatuses and substrate assembly structures for fabricating microelectronic components using mechanical and chemical-mechanical planarization processes
US6203407B1 (en) * 1998-09-03 2001-03-20 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for increasing-chemical-polishing selectivity
US6250994B1 (en) * 1998-10-01 2001-06-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies on planarizing pads
US6039633A (en) * 1998-10-01 2000-03-21 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6187681B1 (en) * 1998-10-14 2001-02-13 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for planarization of a substrate
US6218316B1 (en) * 1998-10-22 2001-04-17 Micron Technology, Inc. Planarization of non-planar surfaces in device fabrication
US6184571B1 (en) * 1998-10-27 2001-02-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for endpointing planarization of a microelectronic substrate
US6176992B1 (en) * 1998-11-03 2001-01-23 Nutool, Inc. Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition
US6206756B1 (en) * 1998-11-10 2001-03-27 Micron Technology, Inc. Tungsten chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a tungsten layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
US6358129B2 (en) * 1998-11-11 2002-03-19 Micron Technology, Inc. Backing members and planarizing machines for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies, and methods of making and using such backing members
US6203413B1 (en) * 1999-01-13 2001-03-20 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for conditioning polishing pads in mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6066030A (en) * 1999-03-04 2000-05-23 International Business Machines Corporation Electroetch and chemical mechanical polishing equipment
US6599836B1 (en) * 1999-04-09 2003-07-29 Micron Technology, Inc. Planarizing solutions, planarizing machines and methods for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6227955B1 (en) * 1999-04-20 2001-05-08 Micron Technology, Inc. Carrier heads, planarizing machines and methods for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6213845B1 (en) * 1999-04-26 2001-04-10 Micron Technology, Inc. Apparatus for in-situ optical endpointing on web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies and methods for making and using same
US6203404B1 (en) * 1999-06-03 2001-03-20 Micron Technology, Inc. Chemical mechanical polishing methods
US6241593B1 (en) * 1999-07-09 2001-06-05 Applied Materials, Inc. Carrier head with pressurizable bladder
US6267650B1 (en) * 1999-08-09 2001-07-31 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for substantial planarization of solder bumps
US6261163B1 (en) * 1999-08-30 2001-07-17 Micron Technology, Inc. Web-format planarizing machines and methods for planarizing microelectronic substrate assemblies
US6238273B1 (en) * 1999-08-31 2001-05-29 Micron Technology, Inc. Methods for predicting polishing parameters of polishing pads and methods and machines for planarizing microelectronic substrate assemblies in mechanical or chemical-mechanical planarization
US6273800B1 (en) * 1999-08-31 2001-08-14 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for supporting a polishing pad during chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6206754B1 (en) * 1999-08-31 2001-03-27 Micron Technology, Inc. Endpoint detection apparatus, planarizing machines with endpointing apparatus, and endpointing methods for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies
US6328632B1 (en) * 1999-08-31 2001-12-11 Micron Technology, Inc. Polishing pads and planarizing machines for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies
US6376381B1 (en) * 1999-08-31 2002-04-23 Micron Technology, Inc. Planarizing solutions, planarizing machines, and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies
US6244944B1 (en) * 1999-08-31 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for supporting and cleaning a polishing pad for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6331135B1 (en) * 1999-08-31 2001-12-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with metal compound abrasives
US6325696B1 (en) * 1999-09-13 2001-12-04 International Business Machines Corporation Piezo-actuated CMP carrier
US6303507B1 (en) * 1999-12-13 2001-10-16 Advanced Micro Devices, Inc. In-situ feedback system for localized CMP thickness control
US6227939B1 (en) * 2000-01-25 2001-05-08 Agilent Technologies, Inc. Temperature controlled chemical mechanical polishing method and apparatus
US6368190B1 (en) * 2000-01-26 2002-04-09 Agere Systems Guardian Corp. Electrochemical mechanical planarization apparatus and method
US6313038B1 (en) * 2000-04-26 2001-11-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for controlling chemical interactions during planarization of microelectronic substrates
US6387289B1 (en) * 2000-05-04 2002-05-14 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US20020102917A1 (en) * 2001-01-30 2002-08-01 Chih-Hung Lee Polishing method using dynamic feedback recipe
US6582277B2 (en) * 2001-05-01 2003-06-24 Speedfam-Ipec Corporation Method for controlling a process in a multi-zonal apparatus
US7160739B2 (en) * 2001-06-19 2007-01-09 Applied Materials, Inc. Feedback control of a chemical mechanical polishing device providing manipulation of removal rate profiles
US7101799B2 (en) * 2001-06-19 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Feedforward and feedback control for conditioning of chemical mechanical polishing pad
US6799136B2 (en) * 2001-08-09 2004-09-28 Texas Instruments Incorporated Method of estimation of wafer polish rates
US20030199112A1 (en) * 2002-03-22 2003-10-23 Applied Materials, Inc. Copper wiring module control
US6769970B1 (en) * 2002-06-28 2004-08-03 Lam Research Corporation Fluid venting platen for optimizing wafer polishing
DE10303407A1 (de) * 2003-01-27 2004-08-19 Friedrich-Schiller-Universität Jena Verfahren und Vorrichtung zur hochgenauen Bearbeitung der Oberfläche eines Objektes, insbesondere zum Polieren und Läppen von Halbleitersubstraten
US7354332B2 (en) * 2003-08-04 2008-04-08 Applied Materials, Inc. Technique for process-qualifying a semiconductor manufacturing tool using metrology data

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111941269A (zh) * 2013-12-11 2020-11-17 台湾积体电路制造股份有限公司 化学机械抛光系统和抛光衬底的方法
CN111941269B (zh) * 2013-12-11 2022-07-22 台湾积体电路制造股份有限公司 化学机械抛光系统和抛光衬底的方法
US11407083B2 (en) 2013-12-11 2022-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Polishing head, chemical-mechanical polishing system and method for polishing substrate
CN108475627A (zh) * 2015-11-26 2018-08-31 胜高股份有限公司 晶圆抛光方法
CN108475627B (zh) * 2015-11-26 2022-11-08 胜高股份有限公司 晶圆抛光方法
CN106584214A (zh) * 2016-11-09 2017-04-26 石长海 一种大尺寸晶片单面抛光的方法
CN113134785A (zh) * 2020-01-17 2021-07-20 株式会社荏原制作所 研磨头系统及研磨装置
US20210237224A1 (en) * 2020-01-17 2021-08-05 Ebara Corporation Polishing head system and polishing apparatus
CN113134785B (zh) * 2020-01-17 2024-05-14 株式会社荏原制作所 研磨头系统及研磨装置

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