JP2004363451A - ウェーハ研磨装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、研磨パッドと研磨定盤とに終点検出用の貫通孔が設けられたウェーハ研磨装置において、ウェーハの研磨終点検出精度を向上させることができるウェーハ研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明は、プラテン14の観測孔24を塞ぐように、プラテン14の表面に観察窓126を設ける。観察窓126の表面の高さは、研磨パッド16の表面に対し、1mm以内に設定されている。また、観察窓126も研磨パッド16と同質の高分子ウレタン発泡体で製造されている。観察窓126の照射・受光光学系28側の面126Aは傾斜して形成され、照射・受光光学系28から照射され該面126Aで反射した反射光Lが照射・受光光学系28よって受光されないようにした。
【選択図】 図5

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は化学的機械研磨法(CMP:Chemical Mechanical Polishing )によって半導体ウェーハを研磨するウェーハ研磨装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
CMPによるウェーハの研磨は、回転する研磨パッドにウェーハを回転させながら所定の圧力で押し付け、その研磨パッドとウェーハとの間にメカノケミカル研磨剤(スラリ)を供給することによって行われる。このCMPの主な目的は、ウェーハ上のIC回路の表面に形成される段差を除去し、IC回路の高密度化の達成を容易にすること、及び不要な膜厚の層を除去することにある。
【0003】
この際、IC回路を形成する各層の膜厚は非常に小さく、前記段差が除去された後にも、僅かの膜厚を残していたりすることもある。したがって、不要な膜を除去した時点でCMPを停止させるCMPの終点の検出は非常に重要である。特に、装置稼働率の向上、生産性の向上等の観点より、CMP処理中での終点の検出がなされることが多く、そのための各種手段が提案されている。
【0004】
その終点検出手段として、研磨面、底面、及び研磨面から底面に貫通して形成された貫通孔を有し、この貫通孔に透明シートを貼り付けるとともに透光性の窓部材を取り付けた研磨パッドが使用されている(例えば、特許文献1)。
【0005】
この研磨パッドの下方には、例えばレーザー干渉計が取り付けられ、レーザー干渉計から投射されるレーザービームを、研磨パッドの前記開口部及び窓部材を介してウェーハの研磨面に照射し、その反射レーザービームをレーザー干渉計で受光することによりCMP処理中でのウェーハ上の段差量が演算され、CMP処理中での終点検出が行なわれている。
【0006】
また、他の終点検出手段として、ウェーハの研磨面に投光装置から光を照射し、その反射光の分光強度分布を測定することにより研磨終点を検出するもの(例えば、特許文献2)、及びウェーハの研磨面に投光装置から光を照射し、その反射光の色成分を検出することにより研磨終点を検出するものがある(例えば、特許文献3)。
【0007】
ところで、特許文献1のような研磨パッドでは、研磨パッドに供給したスラリが研磨パッドと窓部材との間の隙間からしみ込み、研磨パッドが貼られている研磨定盤の貫通孔から落下する場合がある。落下したスラリは、研磨定盤の下方に設置されているレーザー干渉計や投光装置を濡らし、これらの光学系に悪影響を与えるとともに故障を引き起こす原因になる。
【0008】
このため、特許文献1のような研磨パッドを使用する場合には、研磨定盤の貫通孔に透光性の防水窓を設け、前記しみ込んだスラリがレーザー干渉計や投光装置に落下しないように工夫する必要があった。
【0009】
【特許文献1】
特開2001−291686号公報
【0010】
【特許文献2】
特開2000−186918号公報
【0011】
【特許文献3】
特開2000−183001号公報
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、研磨パッドと研磨定盤に、窓部材や防水窓を設けた従来のウェーハ研磨装置は、窓部材や防水窓が透光性であるのにもかかわらず、これらの透光性窓を二重に設けたことが原因でウェーハの研磨終点検出精度が悪化するという問題があった。
【0013】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、研磨パッドと研磨定盤とに終点検出用の貫通孔が形成されたウェーハ研磨装置において、ウェーハの研磨終点検出精度を向上させることができるウェーハ研磨装置を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記目的を達成するために、ウェーハ研磨用の研磨パッドと該研磨パッドが取り付けられる研磨定盤とに貫通孔がそれぞれ形成されるとともに、前記研磨定盤側の前記貫通孔に透光性の窓部材が設けられ、投光・受光手段の投光部からの光を、前記窓部材から前記研磨パッドの前記貫通孔を介してウェーハに照射するウェーハ研磨装置であって、前記窓部材は、前記研磨パッドと同質の材料で製造されるとともに、研磨パッドと略面一に設けられることを特徴としている。
【0015】
窓部材と防水窓とが設けられた二重窓構造のものにおいて、ウェーハの研磨終点検出精度が悪くなる原因について本願出願人は探求した。レーザー干渉計や投光装置等の照射手段から照射された光の大部分は、防水窓及び窓部材を透過し、ウェーハの研磨面を照射する。この反射光のみを受光すれば、研磨終点の検出精度には悪影響を与えない。しかしながら、照射手段から照射された残りの数%の光は、窓部材や防水窓の面で反射し、それが受光手段で受光される。すなわち、受光手段は、ウェーハの研磨面で反射した光と、窓部材や防水窓の面で反射した有害光とを受光することになり、この有害光を受光することが、ウェーハの研磨終点検出精度を悪化させていた原因であることを突き止めた。
【0016】
対策としては防水窓を無くし、窓部材のみの構造とすれば、その反射光も半減するので研磨終点検出精度を上げることができる。しかしながら、窓部材を研磨パッドに設けたものは、前述の如くスラリがしみ込むという不具合や、研磨パッドの交換時等に、研磨パッドを研磨定盤から取り外し研磨定盤を洗浄する際に、研磨定盤の貫通孔から洗浄液等が落下して、レーザー干渉計や投光装置の光学系に悪影響を与えるという不具合も発生する。
【0017】
そこで、本発明は、研磨パッドの貫通孔に窓部材は設けず、研磨定盤の貫通孔のみに窓部材を設け、しみ込みや研磨定盤洗浄時による前記不具合を防止するとともに、その窓部材を研磨パッドと同質の材料で製造し、且つ研磨パッドと略面一に設けることにより、異質の材料及び段差に起因する研磨むらの発生を防止した。
【0018】
また、本発明は、窓部材の投光・受光手段側の面を傾斜して形成し、投光部から照射され該面で反射した光が投光・受光手段の受光部によって受光されないようにした。これにより、本発明のウェーハ研磨装置によれば、ウェーハの研磨終点検出精度が向上する。
【0019】
更に、本発明は、窓部材の投光・受光手段側の面に、窓部材の曲がりを防止する透光性の補強部材を取り付けたので、窓部材の曲がりに起因する反射光の受光を防止することができる。
【0020】
また、本発明は、前記補強部材の前記投光・受光手段側の面を、該面での反射光が前記投光・受光手段の受光部に受光されないように傾斜して形成したので、補強部材の反射光による検出精度の悪化を阻止できる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に従って本発明に係るウェーハ研磨装置の好ましい実施の形態について詳説する。
【0022】
図1は、実施の形態のウェーハ研磨装置10及び研磨終点検出装置12の構成を示したブロック図である。
【0023】
ウェーハ研磨装置10は、図示しないモータに駆動されて水平に回転するプラテン(研磨定盤)14と、このプラテン14の表面に貼着された研磨パッド16と、ウェーハWを保持して研磨パッド16に所定の圧力で押し付けるウェーハ保持ヘッド18と、研磨パッド16の表面にスラリを供給するスラリ供給ノズル20と、装置全体の駆動を統括制御する制御部22とによって構成されている。
【0024】
プラテン14は、円盤状に形成されるとともに所定の位置に観測孔(貫通孔)24が開口されている。観測孔24は、プラテン14を貫通して形成され、その上端開口部に対応する研磨パッド16には観測孔(貫通孔)17が形成されている。また、プラテン14の表面には図2の如く、観測孔24を塞ぐように透明な観察窓(窓部材)26が取り付けられている。この観察窓26は図3の如く矩形状に形成され、その4縁部に沿って貼着された両面接着材27によって研磨パッド16に水密性よく貼着されている。
【0025】
観察窓26は、研磨パッド16と同質の材料である高分子ウレタン発泡体であり、研磨パッド16の表面と略面一に設けられている。なお、観察窓26は図2の如く、その表面が研磨パッド16の表面に対し、1mm以内であれば下方に入り込んでいても問題はない。すなわち、ウェーハWの研磨時に研磨パッド16がウェーハ保持ヘッド18により押圧されて弾性変形し、実質的に面一になるからであり、また、1mm以内であれば、その凹部にスラリが溜まっても後述する研磨終点の検出に問題がないからである。更に、観察窓26の厚みは、研磨終点検出用の光を透過させる観点から0.5mm〜2mmが好ましく、硬度は、ウェーハに傷を付かせない観点から50〜110(JIS−K7311:タイプA)が好ましい。
【0026】
図1の如くウェーハ保持ヘッド18は、プラテン14の回転中心から偏心した位置でウェーハWを研磨パッド16に押圧するとともに、図示しないモータに駆動されて水平に回転する。また、このウェーハ保持ヘッド18は、図示しない昇降手段に駆動されることにより、研磨パッド16に対して垂直に昇降する。
【0027】
ウェーハWの研磨は、ウェーハ保持ヘッド18で保持したウェーハWを研磨パッド16に所定の圧力で押し付け、その研磨パッド16とウェーハWとを回転させながら、スラリ供給ノズル20から研磨パッド16にスラリを供給することにより行われる。
【0028】
研磨終点検出装置12は、主として照射・受光光学系(投光・受光手段)28、2分岐ライトガイド30、光源ユニット32、ポリクロメータ34及びコンピュータ36によって構成されている。
【0029】
照射・受光光学系28は、図示しないブラケットに支持されて観測孔24の下方位置に設置される。この照射・受光光学系28は、図2の如くレンズ鏡筒38と、そのレンズ鏡筒38内に設置された集光レンズ40とで構成されている。
【0030】
図1の2分岐ライトガイド30は、多数本の光ファイバーを結束して構成されたもので、途中部分において2本に分岐されている。分岐された1本目のライトガイド30Aは照射側ライトガイドとして光源ユニット32に接続され、2本目のライトガイド30Bは受光側ライトガイドとしてポリクロメータ34に接続される。また、2分岐ライトガイド30の結束端部31は、図2の如く照射・受光光学系28に接続される。
【0031】
図1に示した光源ユニット32は、ハロゲンランプを内蔵しており、このハロゲンランプからの白色光が照射側ライトガイド30Aを介して照射・受光光学系28に導かれる。そして、その2分岐ライトガイド30から出射された白色光が照射・受光光学系28の集光レンズ40で集光されたのち、プラテン14に形成された観測孔24から観察窓26を介して研磨パッド16上のウェーハWの研磨面(下面)に照射される。そして、その反射光が照射・受光光学系28の集光レンズ40で集光されて2分岐ライトガイド30へと導かれ、受光側ライトガイド30Bを介してポリクロメータ34へと導かれる。
【0032】
ポリクロメータ34は、受光側ライトガイド30Bによって導かれた反射光を各波長ごとの光に分光する。そして、その分光した光を各波長ごとに光強度に応じた電気信号に変換し、各波長ごとの光強度信号としてコンピュータ36に出力する。
【0033】
ポリクロメータ34は図4の如く、入射スリット42、平面鏡44、凹面回折格子46、アレイ受光素子48及びマルチプレクサ50で構成されている。受光側ライトガイド30Bによってポリクロメータ34に導かれた反射光は、入射スリット42を介して平面鏡44で凹面回折格子46に導かれる。そして、凹面回折格子46によって各波長ごとの光に分光され、アレイ受光素子48に結像される。アレイ受光素子48に結像された光は、アレイ受光素子48によって各波長ごとに光強度に応じた電気信号に変換され、マルチプレクサ50を介して各波長ごとの光強度信号としてコンピュータ36(図1参照)に出力される。
【0034】
コンピュータ36は、ポリクロメータ34から出力された反射光の各波長ごとの光強度信号に基づいて研磨の終点判定を行う。すなわち、ウェーハWが研磨されて異なる膜が露出すると、反射光の各波長ごとの光強度分布が変化するので、コンピュータ36は、これに基づき研磨の終点判定を行う。そして、その結果、終点と判定された時点でウェーハ研磨装置10の制御部22に研磨終点信号を出力し、研磨工程を終了させる。
【0035】
ところで、実施の形態のウェーハ研磨装置10は、研磨パッド16の観測孔17に観察窓は設けておらず、プラテン14の観測孔24のみに観察窓26を設けている。これにより、ウェーハ研磨装置10によれば、研磨パッド16側に観察窓を設けたことによる、スラリのしみ込みやプラテン14の洗浄時による漏水等の不具合を防止できる。また、観察窓26は、研磨パッド16と同質の材料(高分子ウレタン発泡体)で製造され、且つその表面は研磨パッド16の表面と略面一に設けられているため、異質の材料及び段差に起因するウェーハWの研磨むらの発生を防止できる。
【0036】
図5は、観察窓126の別実施例を示す断面図である。この観察窓126も図2の観察窓26と同様に、プラテン14の観測孔24を塞ぐようにプラテン14の表面に貼着されたものであり、その表面の高さが研磨パッド16の表面に対し、1mm以内に設定されている。また、観察窓126も研磨パッド16と同質の材料(高分子ウレタン発泡体)で製造されている。
【0037】
また、観察窓126の照射・受光光学系28側の面126Aは、図5の如く傾斜して形成され、照射・受光光学系28から照射され該面126Aで反射した反射光(有害光)Lが照射・受光光学系28よって受光されないようにした。これにより、照射・受光光学系28は、研磨中のウェーハWの研磨面で反射した光のみ受光し、観察窓126の面126Aで反射した有害光Lを受光しないので、ウェーハWの研磨終点検出精度が向上する。
【0038】
図6は、観察窓226の別実施例を示す断面図である。この観察窓226はその照射・受光光学系28側の面226Aに、観察窓226の曲がりを防止する透光性の補強部材228が取り付けられており、この補強部材228を介して観測孔24の座繰部24Aに設けられている。これにより、観察窓226の曲がりに起因する反射光L1の受光を防止することができる。補強部材228としては、アクリル製、ガラス製のものが使用されている。
【0039】
また、補強部材228の照射・受光光学系28側の面228Aは、該面228Aでの反射光L2が照射・受光光学系28に受光されないように傾斜して形成されているので、反射光L2の受光を防止でき、それによる検出精度の悪化を阻止している。
【0040】
実施の形態では、照明手段としてハロゲンランプの光を伝送する光ファイバについて説明したが、これに限定されるものではなく、LED等の発光手段を用いてもよい。
【0041】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係るウェーハ研磨装置によれば、研磨パッドの貫通孔に窓部材は設けず、研磨定盤の貫通孔のみに窓部材を設けたので、しみ込みや研磨定盤洗浄時による不具合を防止でき、また、窓部材を研磨パッドと同質の材料で製造し、且つ研磨パッドと略面一に設けたので、異質の材料及び段差に起因する研磨むらの発生を防止できる。
【0042】
更に、本発明は、窓部材の投光・受光手段側の面を傾斜して形成し、投光部から照射され該面で反射した光が投光・受光手段の受光部によって受光されないようにしたので、ウェーハの研磨終点検出精度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態のウェーハ研磨装置の全体構成図
【図2】図1に示したウェーハ研磨装置のプラテン及び照射・受光光学系の断面図
【図3】プラテンの貫通孔に取り付けられた窓部材の平面図
【図4】図1に示したポリクロメータの構成を示したブロック図
【図5】プラテンの貫通孔に取り付けられた窓部材の他の実施の形態を示した断面図
【図6】図5に示した窓部材に補強板が貼り付けられた実施の形態を示した断面図
【符号の説明】
10…ウェーハ研磨装置、12…研磨終点検出装置、14…プラテン、16…研磨パッド、18…ウェーハ保持ヘッド、20…スラリ供給ノズル、24…観測孔、26、126、226…観察窓(窓部材)、28…照射・受光光学系、30…2分岐ライトガイド、32…光源ユニット、34…ポリクロメータ、36…コンピュータ、38…レンズ鏡筒

Claims (4)

  1. ウェーハ研磨用の研磨パッドと該研磨パッドが取り付けられる研磨定盤とに貫通孔がそれぞれ形成されるとともに、前記研磨定盤側の前記貫通孔に透光性の窓部材が設けられ、投光・受光手段の投光部からの光を、前記窓部材から前記研磨パッドの前記貫通孔を介してウェーハに照射するウェーハ研磨装置であって、
    前記窓部材は、前記研磨パッドと同質の材料で製造されるとともに、研磨パッドと略面一に設けられることを特徴とするウェーハ研磨装置。
  2. 前記窓部材の前記投光・受光手段側の面は、前記投光部から照射され該面で反射した光が、投光・受光手段の受光部によって受光されないように傾斜して形成されていることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ研磨装置。
  3. 前記窓部材の前記投光・受光手段側の面には、窓部材の曲がりを防止する透光性の補強部材が取り付けられたことを特徴とする請求項2に記載のウェーハ研磨装置。
  4. 前記補強部材の前記投光・受光手段側の面は、該面での反射光が前記投光・受光手段の受光部に受光されないように傾斜して形成されていることを特徴とする請求項3に記載のウェーハ研磨装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009008594A1 (en) * 2007-07-06 2009-01-15 Doosan Mecatec Co., Ltd. End point detecting apparatus for semiconductor wafer polishing process
JP2010030019A (ja) * 2008-07-31 2010-02-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 両面研磨装置
US8834230B2 (en) 2008-07-31 2014-09-16 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Wafer polishing method and double-side polishing apparatus

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009008594A1 (en) * 2007-07-06 2009-01-15 Doosan Mecatec Co., Ltd. End point detecting apparatus for semiconductor wafer polishing process
KR100889084B1 (ko) 2007-07-06 2009-03-17 두산메카텍 주식회사 반도체 웨이퍼 표면연마공정을 위한 연마 종말점 검출 장치
JP2010030019A (ja) * 2008-07-31 2010-02-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 両面研磨装置
JP4654275B2 (ja) * 2008-07-31 2011-03-16 信越半導体株式会社 両面研磨装置
US8834230B2 (en) 2008-07-31 2014-09-16 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Wafer polishing method and double-side polishing apparatus
US9108289B2 (en) 2008-07-31 2015-08-18 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Double-side polishing apparatus

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