CN101454153A - 带载体片的铜箔、带载体片铜箔的制造方法、带载体片的表面处理铜箔以及采用该带载体片的表面处理铜箔的覆铜层压板 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于提供一种即使用在300℃以上的温度下进行压力加工的印刷布线板的制造中，也能够剥离载体与铜箔层的带载体片的铜箔。为了达到该目的，提供一种带载体片的铜箔，其是在载体片的表面通过接合界面层具有铜箔层，且能够物理地剥离该载体片，其特征在于，该接合界面层由通过金属层和碳层的构成。而且，上述接合界面层优选由厚度为1nm～50nm的金属层与厚度为1nm～20nm的碳层构成。

Description

带载体片的铜箔、带载体片铜箔的制造方法、带载体片的表面处理铜箔以及采用该带载体片的表面处理铜箔的覆铜层压板

技术领域

本发明涉及带载体片的铜箔、该带载体片的铜箔的制造方法、对该带载体片的铜箔实施了表面处理的带载体片的表面处理铜箔、采用该带载体片的表面处理铜箔的覆铜层压板。这些均适合用作印刷布线板的制造材料。

背景技术

以往，如以专利文献1为代表的多个文献中公开的电解铜箔、如专利文献2公开的压延铜箔用于覆铜层压板的制造中，通过对在该覆铜层压板上形成的铜层进行蚀刻加工，制造印刷布线板。

这里所说的覆铜层压板的制造，因制造刚性覆铜层压板或制造挠性覆铜层压板而异。在制造刚性覆铜层压板时，通常采用的方法是：用热板夹住将铜箔、在B阶段半固化的树脂浸渍材料(半固化片)以及其他作为间隔的镜板加以组合后进行多段层叠而得到的书本状层叠体(book)，并在高温环境下施加高压，使树脂浸渍基材的树脂固化的同时，与铜箔压接的方法(以下，有时将该工序称作“压力加工”)。在制造挠性覆铜层压板时，通常采用的方法是：用热压，辊压叠层将铜箔与聚酰亚胺等有机类高分子绝缘层构成材料等进行粘贴，或通过浇注法等将聚酰胺树脂成分涂在铜箔后进行加热，从而形成聚酰亚胺树脂层等方法。

另一方面，近年来在谋求小型轻量化的电子仪器等上搭载的印刷布线板中，为了提高元件的安装密度且能够配置在狭小区域内，要求形成精细间距的电路。为了满足该要求，从业人员采取使用更薄的铜箔的方法。但是，使用的铜箔越薄，铜箔的操作性越困难，越容易发生褶皱等缺陷。若铜箔上存在褶皱，当进行加压成型时，在铜箔的褶皱发生部产生裂缝，流动的半固化片的构成树脂会渗出，从而污染覆铜层压板的表面，损伤表面的平坦度。这些覆铜层压板的表面缺陷，在其后的印刷布线板制造工序中成为引起所形成的布线电路的短路或断线等的原因。而且，即使在制造挠性覆铜层压板时采用辊压叠层法、浇注法等与压力加工不同的方法的情况下，铜箔上存在的褶皱在成为覆铜层压板的状态以后，也作为凹凸残留在其表面，从而引起同样的问题。

由于这些原因，一直采用带载体箔的电解铜箔。带载体箔的电解铜箔，通常可大致区分为易剥离型及易蚀型。如用一句话说明其不同，易剥离型是在制造成覆铜层压板后物理地剥离除去载体箔，而易蚀型是在制造成覆铜层压板后用蚀刻法除去载体箔。而且，近年来对不需要蚀刻工艺，且不招致制造成本的上升的易剥离型带载体箔的电解铜箔的需求越来越显著。专利文献3、专利文献4等中已对易剥离型带载体箔的电解铜箔加以公开。

该易剥离型带载体箔的电解铜箔具有在载体箔层与铜箔层之间设置有剥离层的层结构。而且，要求其具有经过压力加工的热历程后，用20gf/cm～100gf/cm的剥离强度能够剥离载体箔的特性。另外，压力加工的温度越高，该剥离强度的值就越大。但是，在采用超过300℃的压力加工温度的液晶聚合物基材、氟树脂基材或通过浇注法的聚酰亚胺树脂层的形成中，也经受超过300℃温度的加热。此时，若载体箔层与铜箔层之间的剥离层缺乏耐热性，则在载体箔层与铜箔层之间、载体箔层/剥离层/铜箔层的3层之间引起相互扩散，从而载体箔的一部分破碎而残留在铜箔层表面，或产生载体箔层与铜箔层不能剥离的现象。

作为在进行高温压力加工后也能够容易地剥离载体箔的带载体箔的铜箔的技术，专利文献3公开了一种金属氧化物在高温下也是稳定的化合物，利用其虽硬但脆的通常的性质，单独采用金属氧化物层应用在载体层与铜箔层之间的接合界面上的技术。

专利文献4公开了一种带载体箔的极薄铜箔，其特征在于，在载体箔的表面依次层压剥离层、防扩散层以及电镀铜层而形成，该电镀铜表面实施有粗糙化处理。这里所说的剥离层，是指无机类剥离层，优选为铬层或铬水合氧化物层。而且，在该剥离层上形成的防扩散层，是在将带载体的极薄铜箔放置在树脂基材上进行加压层叠时，用于防止该剥离层扩散的层，由选自镍、钴、铁、铬、钼、钨、铜、铝及磷中的至少一种元素构成，其既可以是单一的金属层，也可以是两种以上金属的合金层或一种以上的金属氧化物层。其目的是要兼顾压力加工时载体箔的剥离强度的稳定性与激光冲孔加工性。

另外，专利文献5公开了一种依次层压了载体箔/有机物构成的接合界面层/铜箔层的带载体箔的极薄铜箔。由于该专利文献4公开的接合界面由有机物构成，在200℃以下的压力加工中，显示出高于专利文献3公开的带载体的电解铜箔的载体箔剥离强度稳定性。但是，当在超过200℃的温度下进行压力加工时，产生载体箔层与铜箔层不能剥离的现象。

于是，如专利文献6所示，当形成接合界面层时若采用硫氰尿酸，即使施加超过300℃的压力加工温度负荷，载体箔的剥离也变得容易。另外，如专利文献7所示，采用一种带载体箔的电解铜箔，其是在载体箔的单表面上设置接合界面层，在该接合界面层上设置铜箔层的带载体箔的电解铜箔，其特征在于，该接合界面层由金属氧化物层与有机物层构成，通过采用该带载体箔的电解铜箔，即使施加超过200℃的压力加工温度负荷，载体箔的剥离也变得容易。这里所说的构成接合界面层的金属氧化物层，是具有1nm以上厚度的含有镍、铬、钛、镁、铁、钴、钨的各种氧化物或含这些元素的合金氧化物。

如上所述，目前提倡一种即使压力加工温度高，也容易剥离易剥离型带载体箔的电解铜箔中的载体箔的技术，并得到了一定的成果。

专利文献1：JP特开平10—18075号公报

专利文献2：JP特开平8—158027号公报

专利文献3：JP特表2005—502496号公报(EP1133220)

专利文献4：WO2002/024444号公报

专利文献5：JP特开2000—309898号公报

专利文献6：JP特开2001—68804号公报

专利文献7：JP特开2003—181970号公报

发明内容

发明要解决的课题

因此，如上述专利文献3所公开，当在带载体箔的电解铜箔的剥离层上单独使用金属氧化物层时，虽然接合状态稳定，但在超过300℃的温度下进行高温加热时，在金属氧化物与金属铜之间进行氧化还原反应而形成金属键部分，由此载体层与铜箔层之间的剥离强度加大。而且，该剥离强度的稳定性欠缺，很难保证载体层与铜箔层之间剥离强度的质量。

另外，在专利文献4中明确记载了铬层的附着量对剥离载体箔时的剥离强度的影响很大。但是，众所周知，进行大批量生产时难以控制铬的附着量，在制造中有管理成本加大的倾向。而且，铬是由有关环境污染物的欧洲指令(WEEE/RoHS)等限制的物质，不提倡积极的使用。

另外，根据在带载体箔的电解铜箔的剥离层(接合界面层)使用有机物的专利文献6及专利文献7公开的技术，在超过300℃的温度下进行高温压力加工后，无法得到市场要求的载体箔剥离强度的可靠性。

从上述分析可知，在现实的工业生产中，无法将以往的带载体箔的电解铜箔放心地用在采用超过300℃的压力加工温度的覆铜层压板的制造中。因此，为了更容易地形成以超过300℃的压力加工温度作为必要条件的覆铜层压板的微细间距电路，寻求一种即使施加超过300℃的压力加工温度负荷的情况下，载体箔层与铜箔层之间也能够实现工业上可采用的稳定的剥离强度的带载体箔的电解铜箔。

用于解决课题的方法

于是，本发明人等进行悉心研究的结果发现，通过在易剥离型的带载体片的铜箔的接合界面层形成中采用溅射蒸镀法(sputtering deposition)，即使施加超过300℃的高温负荷后，接合界面层也可以保持完整，能够使载体片层与铜箔层之间的剥离强度稳定在低水平上，由此可容易地剥离载体片。下面，对本发明加以说明。

本发明的带载体片的铜箔：本发明的带载体片的铜箔，在载体片的表面通过接合界面层具有铜箔层，且能够物理地剥离该载体片的，其特征在于，该接合界面层由通过物理蒸镀法形成的金属层/碳层的双层构成。

本发明的带载体片的铜箔中，优选构成上述接合界面层的碳层厚度为1nm～20nm。

而且，优选构成上述接合界面层的金属层是由钽、铌、锆、镍、铬、钛、铁、硅、钼、钒、钨中的任意一种构成。

另外，优选上述金属层的厚度为1nm～50nm。

而且，以换算厚度表示，优选上述接合界面层的厚度为2nm～70nm。

而且，本发明的带载体片的铜箔的上述铜箔层，优选采用由电解法形成的铜层。

另外，本发明的带载体片的铜箔的上述铜箔层，也优选采用由物理蒸镀法形成的铜层。

另外，上述铜箔层，优选采用通过物理蒸镀法形成厚度为10nm～300nm的第一铜层，再通过电解法形成第二铜层而得到的铜层。

本发明的带载体片的铜箔，其常态下的载体片的剥离强度优选为2gf/cm～20gf/cm。

另外，本发明的带载体片的铜箔，在300℃～350℃的温度下加热30分钟后的载体片的剥离强度优选为5gf/cm～50gf/cm。

而且，本发明的带载体片的铜箔中的上述载体片，优选采用厚度为12μm～210μm的金属箔。

本发明的带载体片的表面处理铜箔：本发明的带载体片的表面处理铜箔，是在上述任何一项所述的带载体片的铜箔的铜箔层表面，实施选自粗糙化处理、防锈处理、硅烷偶合剂处理中的一种或两种以上表面处理而得到的铜箔。

本发明的带载体片的铜箔的制造方法：本发明的带载体片的铜箔的制造方法，优选采用如下所述的第一制造方法或第二制造方法中的任意一种。

第一制造方法，其特征在于，包括工序A及工序B，其中，

工序A：通过薄膜形成方法，在载体片的表面形成层叠金属层和碳层而成的接合界面层的接合界面层形成工序；

工序B：通过电解法或物理蒸镀法，在由上述金属层与碳层构成的接合界面层上构成铜箔层的铜箔层形成工序。

第二制造方法，其特征在于，包括工序a～工序c，其中，

工序a：采用薄膜形成方法，在载体片的表面形成层叠金属层与碳层而成的接合界面层的接合界面层形成工序；

工序b：采用物理蒸镀法，在上述碳层的表面层叠形成第一铜层的第一铜层形成工序；

工序c：用电解法在上述第一铜层上形成第二铜箔层从而完成铜箔层的铜箔层形成工序。

在上述本发明的带载体片的铜箔的第一制造方法及第二制造方法中，上述工序A或工序a的薄膜形成方法，优选采用物理蒸镀法中的溅射蒸镀法。

另外，作为在上述工序A或工序a中的溅射蒸镀法，采用包括下述工序i及工序ii的溅射蒸镀法，

工序i：采用钽、铌、锆、镍、铬、钛、铁、硅、钼、钒、钨中的任意一种靶材，通过溅射蒸镀法在载体片的表面沉积金属原子，从而形成金属层；

工序ii：采用碳靶材，通过溅射蒸镀法在上述金属层上形成碳层而作为接合界面层。

本发明的覆铜层压板：通过采用上述本发明的带载体片的表面处理铜箔，能够提供高质量的覆铜层压板。

发明效果

本发明的带载体片的铜箔，具有载体片层/接合界面层/铜箔层的层结构，其特征在于，在该接合界面层设置有通过以溅射蒸镀法为代表的薄膜形成法形成的接合界面层。而且，通过由金属层及碳层来构成该接合界面层，能够使接合界面层(剥离层)的耐热稳定性比以往的易剥离型的带载体片的铜箔优良，从而即使采用超过300℃的压力加工温度等的情况下，载体片的剥离作业变得非常容易。

另外，本发明的带载体片的铜箔，能够在其铜箔表面任意地实施用于确保长期保存性的防锈处理、用于提高与基材树脂之间粘接性的施粗糙化处理及硅烷偶合剂处理等，从而作为带载体片的表面处理铜箔。而且，目前提供给市场的几乎所有的产品，均是该带载体片的表面处理铜箔。

而且，本发明的带载体片的铜箔的制造方法，公开了在载体片的表面能够有效地形成具有均匀厚度的金属层及碳层的条件，特别是，在由具有超过1m的宽度的载体片辊导出的载体片表面，连续地依次形成金属层及碳层时也可以适用。

附图说明

图1为第一带载体片的铜箔的剖面模式图。

图2为第一带载体片的两面铜箔的剖面模式图。

图3为第二带载体片的铜箔的剖面模式图。

图4为第二带载体片的两面铜箔的剖面模式图。

图5为第一带载体片的表面处理铜箔的剖面模式图。

附图标记的说明

1    第一带载体片的铜箔

1’  第一带载体片的两面铜箔

2    载体片

3    铜箔层

4    接合界面层

4a   金属层

4b   碳层

5    微细铜粒

6    防锈处理层

7    硅烷偶合剂处理层

10   带载体片的表面处理铜箔

20   第二带载体片的铜箔

20   第二带载体片的两面铜箔

21   第一铜层

22   第二铜层

具体实施方式

下面，对本发明的带载体片的铜箔、带载体片的表面处理铜箔、带载体片的铜箔制造方法、以及采用该带载体片的表面处理铜箔的覆铜层压板的实施方式加以详细的说明。

本发明的带载体片的铜箔的实施方式

将本发明的带载体片的铜箔(第一带载体片的铜箔)的基本层结构示于图1。如该图1所示，本发明的带载体片的铜箔1，在载体片2与铜箔层3之间设置有接合界面层4。而且，该接合界面层由金属层4a与碳层4b构成，以使能够物理地剥离该载体片。在这里，既可在载体片的单表面上形成接合界面层，也可在载体片的两表面上形成接合界面层。而且，在下面的说明中出现的铜箔层，是在设置接合界面层的基础上再设置。因此，本发明的带载体片的铜箔也包括如图2所示的在载体片的两面具有铜箔层的第一带载体片的铜箔1’。

另外，将本发明的带载体片的铜箔(第二带载体片的铜箔)的基本的层结构示于图3。由该图3可知，本发明的带载体片的铜箔20，在载体片2与铜箔层3之间设置有接合界面层4。而且，该接合界面层与第一带载体片的铜箔同样地，由金属层4a与碳层4b构成，以使能够物理地剥离该载体片。在这里，既可在载体片的单表面形成接合界面层，也可在载体片的两表面上形成接合界面层。而且，在下面的说明中出现的铜箔层，是在设置接合界面层的基础上再设置。因此，本发明的第二带载体片的铜箔也包括如图4所示的在载体片的两表面具有铜箔层的第二带载体片的铜箔20’。与第一带载体片的铜箔的不同点在于，铜箔层由通过物理蒸镀法形成的第一铜层21和通过电解法形成的第二铜箔22构成。由于该第一铜层的存在，通过电解法的第二铜层的形成变得容易，并且，能够使剥离载体片时的剥离强度稳定。下面，对第一带载体片的铜箔与第二带载体片的铜箔的共同结构加以说明。

首先，对载体片进行说明。该载体片是以如同平面地粘贴在铜箔层的方式存在，并要求具有下列特性。当考虑到通常的带载体片的铜箔的制造方法时，由于在载体表面上通过连续的工序电析金属铜而制造，因此载体表面至少必需具有导电性。然而，本发明的带载体片的铜箔，由物理蒸镀法来形成其接合界面层。而且，由于该接合界面层具有导电性，因此对载体片不必特别要求具有导电性。因此，该带载体片的铜箔，只要是载体片具有规定的强度，且至少直至覆铜层压板的制造终止能够保持与铜箔层接合的状态，在此前的过程中的操作容易等，在所有的情况下具有能够加强并保护铜箔层的作用即可。只要是满足这些要求，则可以使用铜箔、镍箔、不锈钢箔、铝箔等金属箔；PET膜、芳族聚酰胺膜、聚酰亚胺膜、尼龙膜等树脂膜；以及树脂膜上具有金属涂层的金属涂层树脂膜。

然而，考虑到循环利用性及成本，优选将铜箔作为载体片使用。如此地，当将铜箔作为载体片使用时，优选采用12μm～210μm厚的金属箔。从现有技术明确可知，为了形成具有可作为导电配线起作用所需厚度的金属铜层，湿式电解法是最佳的。当考虑生产率时，湿式电解法是能够在高电流密度下进行生产而确立的技术，因此，要求载体片具有大电流容量。然而，当仅接合界面层为导体时，由于其厚度的原因而不能耐于使用大电流的生产中。因此，优选采用在载体片表面足以形成电电析铜箔层的电流量的通电效果优异的12μm以上厚度的铜箔，且从实用性及制造成本方面考虑，210μm为上限。另外，用于该载体片的铜箔，可以采用通过压延法制造的压延铜箔(也包括铜合金箔)、通过电解法制造的电解铜箔中的任意一种。

其次，对设置在载体片表面的接合界面层加以说明。本发明的带载体片的铜箔的接合界面层，在第一带载体片的铜箔及第二带载体片的铜箔中均采用具有金属层/碳层的双层的多层结构。

在这里，首先说明构成接合界面层的金属层。如果在该金属层选择使用表面易形成钝态膜的金属层，则认为仅由金属层也可以在常温下发挥适度的粘接力与充分的剥离性。然而，当进行高温压力加工时，若采用金属载体片，则载体片本身作为该金属层的非导体膜的还原剂起作用，在载体片/接合界面层/铜箔层的界面部分引起相互扩散，形成金属键，有损伤剥离性之虑。于是，以适当的厚度配置与金属载体片之间的相互扩散性及反应性小的碳，从而即使经过超过300℃的温度下的压力加工，也可以防止铜箔层与接合界面层之间因高温加热引起的金属键的形成，由此可以保持容易剥离去除载体片的状态。

这里所说的金属层，是采用能够与碳形成稳定结合的金属的金属层，可以采用钽、铌、锆、镍、铬、钛、铁、硅、钼、钒、钨等。此时金属层的换算厚度优选为1nm～50nm。该金属层的换算厚度优选为1nm～50nm，更优选为4nm～50nm。当该金属层的厚度小于1nm时，由于金属层的厚度不均匀，因此金属层不能作为扩散阻挡层起作用。另一方面，金属层越厚，接受超过300℃温度下的压力加工等后铜箔层与接合界面层之间的剥离也越容易，但是，即使金属层的厚度大于50nm，剥离性也不会更加提高，成为资源的浪费。

在上述金属层的构成成分中，当采用钛、钽、钨中的任意一种时，在接受高温压力加工等时作为相互扩散阻挡层的稳定性高，因而优选。特别是，当采用钛时，众所周知由于其钝态膜通常由金红石型氧化物、锐钛矿型氧化物的复合氧化物构成，其是非常坚硬的氧化物，因此具有高温耐热性。但是，这种钛层(被膜)难以用电解法形成。因此，本发明的钛层由后述的溅射蒸镀法等的物理蒸镀法来形成。

而且，在上述金属层上设置碳层。该碳层在第一带载体片的铜箔及第二带载体片的铜箔的接合界面层构成中也是通用的。而且，该碳层也通过后述的溅射蒸镀等的物理蒸镀法来形成。因此，有机类碳是被除外。此时的碳己知有多种结构，其代表性结构可举出金刚石结构与石墨结构，但可具有任意的结构。当碳层的厚度低于1nm时，碳层薄，与仅由金属层来形成接合界面层时的载体片/接合界面层/铜箔层的界面部中的相互扩散防止效果相比没有两样。另一方面，即使碳层的厚度超过20nm时，其剥离性也不会得到进一步提高，成为资源的浪费。

该接合界面层的厚度为金属层/碳层的总厚度，以换算厚度表示，优选其厚度为2nm～70nm。当该接合界面层的厚度低于2nm时，若经过大于300℃温度的压力加工等，铜箔层与接合界面层之间的剥离变得困难。另一方面，将该接合界面层的厚度上限定规定为70nm的理由是，由于金属层与碳层分别具有导电性，其结果接合界面层本身具有导电性是最理想的。然而，即使导电性小的物质，当为充分薄的层状时，有时也可以得到通过隧道效应的导通。因此，作为金属层与碳层的总厚度来考虑，即使在该金属层与碳层的界面上混有使电阻上升的金属碳化物，若为70nm以下的厚度，则可以得到良好的导通性。还有，所谓换算厚度，意指对单位面积的成分附着量进行化学的定量分析，从该分析量算出的厚度。因此，当为本发明的带载体片的铜箔的情况下，由于接合界面层为金属层/碳层的双层，因此分别算出金属层与碳层的换算厚度，将其相加而作为接合界面层的厚度。

而且，上述铜箔层优选通过电解法或物理蒸镀法中的任意一种形成在接合界面层的碳层上。当采用电解法时，使用硫酸类铜电解液、焦磷酸类铜电解液等，使铜析出在碳层上而形成铜层。采用该电解法的优点在于，能够以最迅速且低成本地形成纳米级的铜箔层。另一方面，当采用物理蒸镀法时，与电解法相比成本升高。然而，与电解法不同，由于碳层不与溶液接触，因此碳层不吸湿，可以保持稳定质量的接合界面层。

另外，该铜箔层也优选采用两段工艺来制造。也优选使用先在上述碳层上用物理蒸镀法形成10nm～300nm厚的第一铜层，再用电解法形成任意厚度的第二铜层而得到的铜层也是优选。在该接合界面层的碳上设置的第一铜层，是采用后述的溅射蒸镀等的物理蒸镀法来形成。该第一铜层，当想在碳层上直接用电解法形成铜箔层时，由于碳层的影响，通电时的电阻加大，因此所形成的铜箔层的形成速度变慢，或有变得不均匀的倾向。因此，若在碳层上用物理蒸镀法设置作为电的良导体的铜层(第一铜层)，在该状态下通电并采用电解法形成第二铜层，则电阻变低，可迅速得到具有均匀厚度的铜箔层。在这里，第一铜层的厚度优选为10nm～300nm。当第一铜层的厚度低于10nm时，无论如何采用物理蒸镀法也不能均匀地被覆碳层。另一方面，即使第一铜层的厚度大于300nm时，对该第一铜层通电时的电阻也不会显著降低，没有必要为了得到其以上的厚度，而使用与电解法相比成本高的物理蒸镀法。在这里，顺便提一下，考虑到制造成本，在形成第二铜层时采用电解法。而且，对第二铜层的厚度未作特别的限定，可以采用与其用途相对应的厚度。

本发明的带载体片的铜箔在常态下的载体剥离强度优选为2gf/cm～20gf/cm。如上所述，带载体片的铜箔至少直至覆铜层压板的制造终止都必需保持与铜箔层的接合状态，必需以高温处理的剥离性恶化作为前提。因此，载体剥离强度的最低值为直到覆铜层压板制造工序的操作中不发生剥离的2gf/cm，且最高值为能够将加热后的剥离强度保持在可实用水平的20gf/cm是优选的。

本发明的带载体片的铜箔在300℃～350℃×30分钟加热后的载体剥离强度优选为5gf/cm～50gf/cm。如上所述，与绝缘层构成材料的粘贴工序后的载体剥离强度值被认为在20～100gf/cm的范围是良好的，但在压力加工工序中承受的热历程，因当时所用的绝缘层构成材料的种类而异。例如，如是氟树脂或液晶聚合物，虽然加热温度超过300℃很多，但由于是热塑性树脂，因此时间短。与此相比，采用浇注法时的聚酰亚胺树脂，由于其是热固性树脂，因此采用熔融树脂的涂布是在约400℃的高温下用短时间实施，然后于200℃左右的较低温度下使其固化的工艺。因此，为了广泛适用于多种热处理条件中，规定300℃～350℃×30分钟加热后的载体剥离强度优选5gf/cm～50gf/cm。

本发明的带载体片的表面处理铜箔的实施方式

作为本发明的带载体片的表面处理铜箔，将第一带载体片的表面处理铜箔的层结构以剖面模式图的方式示于图5中。在该图5中，例示了在图1所示带载体片的铜箔的铜箔层表面，作为粗糙化处理附着形成微细铜粒5，再于该粗糙化处理层上形成防锈处理层6、硅烷偶合剂处理层7的带载体片的表面处理铜箔。这里所说的带载体片的表面处理铜箔，可在本发明的带载体片的铜箔的铜箔层表面采用公知的方法实施粗糙化处理、防锈处理、硅烷偶合剂处理等，作为主要用途的印刷布线板用，只要其表面状态被设计成最适合于所粘贴的绝缘层构成材料即可。因此，优选相对于化学键合力大的绝缘层构成材料，仅实施注重化学结合力的防锈处理及硅烷偶合剂处理，或相对于缺乏化学键合力的绝缘层构成材料，通过实施粗糙化处理、防锈处理及硅烷偶合剂处理，从而实施使其具有物理锚合效果的处理等，设置最佳的层结构。另外，关于上述防锈处理，既可采用湿式工艺进行防锈处理，也可采用物理蒸镀法进行防锈处理。

本发明的制造带载体片的铜箔的实施方式

本发明的带载体片的铜箔的制造方法，根据第一带载体片的铜箔及第二带载体片的铜箔，其制造工艺不同。下面对每个制造方法进行说明。

第一带载体片的铜箔的制造方法，其特征在于，含有下列工序A及工序B。但是，优选在接合界面层的形成前，对载体片的表面进行清洁化。作为该载体片的清洁化，优选采用选自脱脂、酸洗、软蚀刻及干蚀刻中的一种或两种以上。如上所述，当作为载体片采用压延铜箔时，特别需要进行清洁化。压延铜箔是通过两根旋转的辊筒之间的同时，施加压力使金属铜变薄的制法而得到，在上述辊筒之间兼顾冷却的目的而供给压延油。因此，在制成的压延铜箔表面存在压延油以及稍许的氧化被膜。而且，在为电解铜箔的情况下，由于电解使用的铜电解液为硫酸酸性，因此，虽说是极少但还是附着有硫酸及硫酸铜等，表面易发生氧化，在电解铜箔的表面往往存在硫酸化合物及氧化被膜。

若不进行载体片的清洁化而形成接合界面层，并形成铜箔层，则有时载体片与接合界面层之间粘接强大的偏差加大，厚度或表面粗糙度也往往产生大的偏差。因此，优选结合附着在载体表面的物质特征而选择清洁化方法并实施。例如，在存在油成分时，进行碱脱脂或电解脱脂工序后实施酸洗或软蚀刻等。另外，也优选在真空室内进行通过氩离子等的预先溅镀(Pre-sputte)来谋求清洁化。而且，当采用金属箔作为载体片时，也优选对其表面实施防锈处理而预先防止氧化。当为制造过程中不采用油成分的如电解铜箔的情况下，也可以省略清洁化过程。

对工序A加以说明。该工序A是通过薄膜形成方法在载体片表面形成层叠金属层与碳层而成的接合界面层的接合界面层形成工序。而且，这里所说的薄膜形成方法优选采用干式成膜方法。即，优选采用真空蒸镀、溅射法、化学气相沉积法等中的任意一种。但是，在形成本发明中使用的金属层及碳层时，溅射蒸镀法是最佳的。而且，若以下述工序i及ii的条件调整靶的个数，则也可以在从具有超过1m的宽度的载体片辊连续导出来的载体片表面上连续地依次形成金属层及碳层。

在在工序i中，采用钽、铌、锆、镍、铬、钛、铁、硅、钼、钒、钨中的任意靶材，通过溅射蒸镀法在载体片的表面沉积金属原子而形成金属层。在工序ii中，采用碳靶材，通过溅射蒸镀法在上述金属层上形成碳层，从而作成复合层。在这里，作为工序i及工序ii通用的溅射轰击粒子(スパツタ種)未作特别的限定，但通常采用氩离子或氮离子。这些氩离子、氮离子等的溅射轰击粒子，是将氩气、氮气等电离为等离子状态而得到，其作用是，通过施加的加速电压轰击靶，从而使作为靶的构成成分的金属原子、碳原子射出。溅射轰击粒子可根据靶的种类而适当地选择使用。例如，比较作为溅射轰击粒子的氩和氮，通常氩离子的溅射速率比氮离子的溅射速率大，具有能够得到高生产性的优点，但由于靶材表面的粗糙度加大，因此具有靶的寿命短的缺点。作为溅射轰击粒子的氮离子，与氩离子相比，其溅射速率小，与采用氩离子的场合相比其生产性有降低的倾向，但靶材表面的粗糙度小，具有靶的寿命长的优点等，每个靶都具有自己的特点。因此，究竟采用哪种溅射轰击粒子，可根据制造生产线的性质、所要求的生产性而加以适当选择即可。

另外，工序i及工序ii的溅射蒸镀，从成膜速度快且采用工业上的连续生产法的观点出发，优选采用磁控管溅射技术。因此，对靶施加一定的电压，使在靶的表面产生平行的磁场，通过辉光放电产生轰击离子，使其冲击靶的表面。而且，通过洛沦兹力捕捉从靶的表面撞击出的二次电子，并使之进行回旋加速运动，从而在促进轰击粒子气体的离子化的同时，促进靶原子在作为成膜对象的载体片表面的沉积。

此时，如果采用6英寸×12英寸的靶，优选对靶施加1kW～5kW的电力(以下，仅称为“溅射电力”)。在这里，若溅射电力大于5kW，难以将从靶材射出的金属原子及碳原子诱导到载体片表面，附着在腔室壁等上的损耗成分量加大，因而不优选。另一方面，当溅射电力小于1kW时，无法满足工业上要求的生产性，所形成的金属层及碳层的厚度偏差也加大。

对工序B加以说明。工序B是在上述金属层和碳层的复合层上通过电解法或物理蒸镀法形成铜箔层的铜箔层形成工序。在这里，若采用电解法形成铜箔层，可以采用使用硫酸类铜电解液、焦磷酸铜类铜电解液等的湿式电解法。在该工序中，使形成有接合界面层的载体片与铜电解液接触，对该载体片进行阴极极化，从而使铜析出在接合界面层上。对此时的铜电解液未作特别的限定。

另外，当通过物理蒸镀法在上述金属层和碳层的复合层上形成铜箔层时，采用上述溅射蒸镀等来形成。

为了慎重起见记载以下内容，当制造本发明的带载体片的表面处理铜箔时，继上述工序A、工序B，可适当地设置粗糙化处理工序、防锈处理工序、硅烷偶合剂处理工序、洗涤工序、干燥工序等。

其次，对第二带载体片的铜箔的制造方法加以介绍。第一带载体片的铜箔的制造方法，含有下列工序a～工序c。此时，工序a与第一带载体片的铜箔的制造方法中的工序A相同。因此，为避免重复说明，省略对第二带载体片的铜箔的制造方法中的工序a的说明。

因此，对工序b加以说明。该工序b是在上述碳层的表面形成第一铜层的第一铜层形成工序。即，在该第一铜层的形成中也可以使用与上述工序A同样的概念。而且，作为此时的物理蒸镀方法也可以采用溅射蒸镀法，从成膜速度快且工业上的连续生产法的观点考虑，优选采用磁控管溅射技术。在这里，采用溅射蒸镀法时的溅射条件，可根据制造生产线的性质、所要求的生产性等进行适当选择即可。

而工序c是在上述第一铜层上通过电解法形成第二铜箔层而完成铜箔层的铜箔层形成工序。关于此时的电解条件，与上述第一带载体片的铜箔的制造方法的工序B中相同。

本发明的覆铜层压板

通过采用上述本发明的带载体片的表面处理铜箔，可以提供高质量的覆铜层压板。使用本发明的带载体片的铜箔得到的覆铜层压板，可以防止操作时及粘贴加工时在铜箔层上产生褶皱，且由于载体片保护铜箔层，因此可以成为已采取了表面污染防止措施的覆铜层压板。即，能够提供一种表面具有极薄的电解铜箔，褶皱及杂质附着等表面污染及缺陷少，且对微细间距的印刷布线板的制造有用的覆铜层压板。而且，即使经受超过300℃的温度负荷的压力加工，也可以容易地去除载体片。

下面，示出本发明的制造带载体片的铜箔的实施例，采用所得到的制品，改变压力加工温度而制造出几个覆铜层压板，测定此时的载体层与铜箔层之间的剥离强度，并示出其结果。

实施例1

在本实施例中，制造图1所示的第一带载体片的铜箔1。在这里，作为载体片2采用35μm厚的分类为等级3的电解铜箔，向平均粗糙度(Ra)为0.21μm的光泽面侧形成3μm厚的铜箔层3。下面，按照各工序的顺序说明制造条件。还有，在下述采用电解法的工序中，只要是没有特别记载材质，则阳极采用尺寸稳定性阳极(Dimentionally Stable Anode：DSA)。

首先，对载体片2进行酸洗处理。此时的酸洗处理，是在硫酸浓度150g/L、液温30℃的稀硫酸溶液中，将该载体片2浸渍30秒钟，从而除去表面氧化被膜，并水洗后进行干燥。

工序A：在向干燥后的载体片上形成接合界面层时，作为溅射装置采用日本真空技术株式会社制造的卷绕型溅射装置SPW—155，作为靶采用300mm×1700mm尺寸的钛靶。而且，作为溅射条件，采用到达真空度Pu为低于1×10^-4Pa、溅射压PAr为0.1Pa、溅射电力为30kW的条件，由此，在作为载体片的电解铜箔的光泽面侧形成了10nm厚的钛层。

接着，作为溅射装置采用日本真空技术株式会社制造的卷绕型溅射装置SPW—155，作为靶采用300mm×1700mm尺寸的碳靶。作为溅射条件，采用到达真空度Pu为低于1×10^-4Pa、溅射压PAr为0.4Pa、溅射电力为20kW的条件，由此在钛层上形成1nm厚的碳层。

工序B：如上所述的接合界面层的形成终止后，在其表面上形成铜箔层。本实施例的铜箔层的形成中，采用硫酸浓度150g/L、铜浓度65g/L、液温45℃的硫酸铜溶液。在盛满该溶液的槽内，在形成有接合界面层的面上平行地配置平板阳极，对载体片2本身进行阴极极化，在电流密度为24A/dm²的平滑电镀条件下电解40秒，由此形成3μm厚的铜箔层，并作为带载体片的铜箔。

而且，当铜箔层的形成结束后，通过微细铜粒形成工序，在铜箔层的表面附着形成了微细铜粒。在使该微细铜粒析出附着的工序中，使用与上述铜箔层的形成时使用的同种的硫酸铜溶液，其溶液组成为100g/L硫酸、18g/L铜、液温25℃。在充满该溶液的槽内，在形成有铜箔层的表面上平行地配置平板阳极，对载体本身进行阴极极化，在电流密度为10A/dm²的烧镀条件下电解10秒，由此进行微细铜粒的附着形成。

而且，实施用于防止微细铜粒脱落的被覆电镀工序。在该被覆电镀工序中，采用与上述铜箔层的形成中使用的完全相样的硫酸铜溶液及方法，在平滑电镀条件下进行20秒钟的电解。

进一步，实施了防锈处理及硅烷偶合剂处理。本实施例的防锈处理中，将锌作为防锈元素，不仅对铜箔层表面，而且对载体层表面也同时进行了防锈处理。因此，在这里，作为阳极，将溶解性阳极的锌板分别配置在实施有粗糙化处理的带载体片的铜箔的两面侧而使用，保持防锈处理槽内的锌浓度的平衡，作为电解液采用硫酸锌浴，将硫酸浓度保持在70g/L、锌浓度保持在20g/L、液温为40℃、电流密度为15A/dm²、电解时间为15秒。防锈处理终止后进行水洗。

而且，以强化防锈为目的，在锌防锈的基础上实施电解铬酸盐防锈处理。即在锌防锈层上，通过电解形成铬酸盐层。此时的电解条件为铬酸5.0g/L、pH值为11.5、液温35℃、电流密度8A/dm²、电解时间5秒。该电解铬酸盐防锈，也不仅在实施了锌防锈的铜箔层表面，而且在实施了锌防锈的载体层表面也同时进行。

防锈处理结束后进行水洗，然后立即在硅烷偶合剂处理槽中，仅在铜箔层的粗糙化面的防锈处理层上进行硅烷偶合剂的吸附。此时的溶液组成为：以离子交换水作为溶剂，添加γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷，使其浓度达到5g/L。而且，用喷淋装置将该溶液向表面吹付而进行吸附处理。

硅烷偶合剂处理终止后，最终在干燥处理炉内用电加热器调整环境气体温度，以使箔温度达到140℃，用4秒钟通过加热的炉内，由此除去水分，促进硅烷偶合剂的缩合反应，制成带载体片的表面处理铜箔。

如上所述得到的带载体片的表面处理铜箔的接合界面层的钛层厚度为平均10nm、碳层厚度为平均1nm。在该带载体片的表面处理铜箔加热前的、带载体片的表面处理铜箔的铜箔层侧，用粘接剂牢固地粘贴150μm厚的、经过固化处理的FR-4基材。而且，通过剥离载体片，测定10处点的载体与铜箔层之间的剥离强度。其结果，其常态下剥离强度的测定结果为平均3.1g/cm。另外，将该带载体片的表面处理铜箔于330℃的烘箱中加热处理30分钟。而且，加热处理后，在带载体片的表面处理铜箔的铜箔层侧，与上述同样地粘贴FR-4基材，测定10处点的载体与铜箔层的剥离强度。其结果，剥离强度的测定结果为平均20.2g/cm。

实施例2

在本实施例中，对图2所示的制造第二带载体片的铜箔20的结果加以说明。在这里，作为载体片2采用与实施例1同样的电解铜箔，在平均粗糙度(Ra)为0.21μm的光泽面侧形成5μm厚的铜箔层3。下面，按照各工序的顺序说明制造条件。还有，载体片2采用与实施例1同样的条件，首先进行了酸洗处理。

工序a：采用与实施例1的工序A同样的方法，在作为载体片的电解铜箔的光泽面侧上，作为金属层形成了用于制造表1记载的试样1～试样4所需的各种厚度的钛层。

接着，采用与实施例1的工序A同样的方法，在各试样的钛层上，形成了用于制造表1记载的试样1～试样4所需的各种厚度的碳层。

工序b：其次，在碳层上形成第一铜层。作为溅射装置采用日本真空技术株式会社制造的卷绕型溅射装置SPW—155，作为靶采用300mm×1700mm尺寸的铜靶。另外，此时的溅射条件如下：为制造表1中记载的试样1～试样4，使到达真空度Pu低于1×10^-4Pa、溅射压PAr为0.4Pa、适当改变溅射电力，从而在各试样上形成各种厚度的第一铜层。

工序c：如上所述的第一铜层的形成结束后，在其表面形成第二铜层。本实施例中的第二铜层的形成，采用与实施例1同样的条件，使第一铜层与第二铜层的总厚度达到3μm。

而且，与实施例1同样地，在微细铜粒形成工序中在铜箔层的表面附着形成微细铜粒，并实施用于防止微细铜粒的脱落的被覆电镀工序。进一步，实施了采用锌及铬酸盐处理的防锈处理，及硅烷偶合剂处理。

分别将如上所述得到的第二带载体片的表面处理铜箔的常态剥离强度、于230℃的烘箱中加热处理30分钟后的剥离强度、于350℃的烘箱中加热处理30分钟后的剥离强度测定结果汇总于表1。

表1

※铜箔层的厚度为第一铜层与第二铜层的厚度的相加且约为3μm。

实施例3

在本实施例中，采用与实施例2同样的方法，制造图2所示的第二带载体片的铜箔20。由于基本上采用与实施例2同样的方法，因此仅对不同的部分加以介绍。

首先，对载体片2进行酸洗处理。此时的酸洗处理，在硫酸浓度150g/L、液温30℃的稀硫酸溶液中，将该载体片2浸渍30秒钟，除去表面氧化被膜，并水洗后进行干燥。

工序a：在干燥后的载体片上形成接合界面层时，作为溅射装置采用日本真空技术株式会社制造的卷绕型溅射装置SPW—155，作为靶采用300mm×1700mm尺寸的镍靶。而且，作为溅射条件，采用到达真空度Pu为低于1×10^-4Pa、溅射压PAr为0.1Pa、溅射电力为13kW的条件，从而在作为载体片的电解铜箔的光泽面侧形成了34nm厚的镍层。

接着，采用与实施例1的工序A同样的方法，在试样的镍层上形成1nm厚的碳层。

工序b：接着，在碳层上形成第一铜层。此时的第一铜层的形成条件是，采用到达真空度Pu低于1×10^-4Pa、溅射压PAr为0.1Pa、溅射电力为10kW，从而在各试样上形成32nm厚的第一铜层。

工序c：上述第一铜层的形成终止后，其面上形成第二铜层。本实施例中的第二铜层的形成，采用与实施例2同样的条件，使第一铜层与第二铜层的总厚度达到3μm。

采用如上所述得到的带载体片的表面处理铜箔，与实施例1同样地测定常态剥离强度的，其结果平均为3.4gf/cm。另外，将该带载体片的表面处理铜箔，在230℃、350℃的烘箱中加热处理30分钟后测定剥离强度，其结果，230℃时平均为3.5gf/cm，350℃时平均为31.8gf/cm。

实施例4

在本实施例中，与实施例1的不同点仅在于，通过物理蒸镀法来实施工序B的铜箔层的形成、将防锈处理的一部分用物理蒸镀法来实施。因此，仅介绍该不同点，并示出评价结果。

在工序B中，工序A中的接合界面层的形成结束后，在其表面用电子束蒸镀法形成铜箔层。本实施例的铜箔层厚度为3μm。而且，电子束蒸镀法的成膜条件是：到达压力为1×10^-2Pa以下、载体箔温度为室温、处理速度为2m/min。

而且，防锈处理层的形成是在上述铜箔层的表面形成防锈处理层。此时的防锈处理层作为锌层形成。作为溅射装置，采用与上述同样的磁控管型溅射装置，作为靶采用300mm×1700mm尺寸的锌靶。作为溅射条件，采用到达真空度Pu低于1×10^-3Pa、溅射压PAr为0.4Pa、溅射电力为6kW的条件，由此在铜箔层上形成5nm厚的锌层。

进一步，在上述防锈处理层的形成结束后，立即在硅烷偶合剂处理槽中，仅在铜箔层的防锈处理层上进行硅烷偶合剂的吸附。此时的溶液组成为，以离子交换水作为溶剂，添加γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷，使其浓度达到5g/L。而且，通过喷淋法将该溶液吹付在表面而进行吸附处理。

硅烷偶合剂处理结束后，最后在干燥处理炉内用电加热器调整环境气体温度，使其达到140℃，用4秒钟通过加热的炉内，从而去除水分，促进硅烷偶合剂的缩合反应，制成带载体箔的表面处理铜箔。

上述得到的带载体箔的表面处理铜箔的接合界面层的钛层厚度为平均10nm、碳层的厚度为平均1nm。而且，与实施例1同样地测定的常态剥离强度为平均7.2gf/cm。另外，将该带载体片的表面处理铜箔于230℃、350℃的烘箱中加热处理30分钟后测定剥离强度，其结果230℃时平均为5.8gf/cm，350℃时平均为16.8gf/cm。

从以上的实施例1～实施例4可知，本申请的带载体片的表面处理铜箔，即使在300℃～350℃的温度下加热30分钟左右，也可以将载体片以50gf/cm以下的力容易地剥离。

比较例

比较例1

该比较例1，采用与实施例1同样的制造方法，省略碳层的形成，在工序A形成的接合界面层是仅8nm厚的钛层，由此制造比较用的带载体箔的铜箔，进一步得到了比较用的带载体箔的表面处理铜箔。

采用上述得到的比较用的带载体箔的表面处理铜箔，与实施例1同样进行各剥离强度的测定。结果是，该常态剥离强度为平均4.5gf/cm，在230℃的烘箱中加热处理30分钟后的剥离强度为平均28.6gf/cm，在330℃的烘箱中加热处理30分钟后则不能剥离。

比较例2

该比较例2，采用与实施例1同样的制造方法，省略钛层的形成，工序A中形成的接合界面层是仅2nm厚的碳层，由此制造比较用的带载体箔的铜箔，进一步得到比较用的带载体箔的表面处理铜箔。

采用上述得到的比较用的带载体箔的表面处理铜箔，与实施例1同样进行各剥离强度的测定。结果是，该常态剥离强度为平均15.3gf/cm，在230℃的烘箱中加热处理30分钟后及在330℃的烘箱中加热处理30分钟后则无法剥离。

实施例与比较例的对比

通过实施例1～实施例4与比较例4的对比，可以确认实施例的带载体箔的表面处理铜箔，不管在常态下，还是高于300℃温度的烘箱中加热处理30分钟后，可容易地剥离载体箔。即，为了得到这种特性，带载体箔的表面处理铜箔(或带载体箔的铜箔)，必需具有本发明所述的由金属层与碳层构成的接合界面层。

产业上的可利用性

通过采用本发明的带载体片的铜箔或带载体片的表面处理铜箔，即使在以300℃以上温度下的压力加工作为必要条件的氟树脂基材覆铜层压板以及液晶聚合物覆铜层压板、采用浇注法或压力法等的聚酰亚胺覆铜层压板的制造等施加高温负荷后，也可以容易地剥离载体层与铜箔层。而且，能够显著减少该剥离强度的偏差。结果是，相对于氟树脂基板、液晶聚合物、聚酰亚胺基板等，将以往不能使用的极薄的铜箔层，通过用本发明的带载体片的铜箔来形成，能够将产品质量大幅提高，可容易地形成微细间距的布线。

Claims (19)

1.一种带载体片的铜箔，其在载体片的表面通过接合界面层具有铜箔层，且能够物理地剥离该载体片，其特征在于，该接合界面层由通过物理蒸镀法形成的金属层/碳层的双层构成。

2.按照权利要求1所述的带载体片的铜箔，其中，构成上述接合界面层的碳层的厚度为1nm～20nm。

3.按照权利要求1或2所述的带载体片的铜箔，其中，构成上述接合界面层的金属层是由钽、铌、锆、镍、铬、钛、铁、硅、钼、钒、钨中的任意一种构成的层。

4.按照权利要求1～3中任意一项所述的带载体片的铜箔，其中，上述金属层的厚度为1nm～50nm。

5.按照权利要求1～4中任意一项所述的带载体片的铜箔，其中，上述接合界面层的厚度以换算厚度表示为2nm～70nm。

6.按照权利要求1～5中任意一项所述的带载体片的铜箔，其中，上述铜箔层是通过电解法形成的铜层。

7.按照权利要求1～5中任意一项所述的带载体片的铜箔，其中，上述铜箔层是通过物理蒸镀法形成的铜层。

8.按照权利要求1～7中任意一项所述的带载体片的铜箔，其中，上述铜箔层是通过物理蒸镀法形成10nm～300nm厚的第一铜层，进一步通过电解法形成第二铜层所得到的铜层。

9.按照权利要求1～8中任意一项所述的带载体片的铜箔，其中，常态下的载体片的剥离强度为2gf/cm～20gf/cm。

10.按照权利要求1～9中任意一项所述的带载体片的铜箔，其中，在300℃～350℃下加热30分钟后的载体片的剥离强度为5gf/cm～50gf/cm。

11.按照权利要求1～10中任意一项所述的带载体片的铜箔，其中，上述载体片采用厚度为12μm～210μm的金属箔。

12.一种带载体片的表面处理铜箔，其是在权利要求1～11中任意一项所述的带载体片的铜箔的铜箔层表面，实施选自粗糙化处理、防锈处理、硅烷偶合剂处理中的一种或两种以上的表面处理而得到。

13.一种带载体片的铜箔的制造方法，其是权利要求1所述的带载体片的铜箔的制造方法，其特征在于，包括工序A及工序B，其中，

工序A是通过薄膜形成方法，在载体片的表面形成层叠金属层与碳层而成的接合界面层的接合界面层形成工序；

工序B是通过电解法或物理蒸镀法，在上述由金属层与碳层构成的接合界面层上，形成铜箔层的铜箔层形成工序。

14.按照权利要求13所述的带载体片的铜箔的制造方法，其中，上述工序A的薄膜形成方法采用溅射蒸镀法。

15.按照权利要求14所述的带载体片的铜箔的制造方法，其中，上述工序A中的溅射蒸镀法包括下列工序i及工序ii，

所述工序i采用钽、铌、锆、镍、铬、钛、铁、硅、钼、钒、钨中的任意一种靶材，通过溅射蒸镀法，在载体片的表面沉积金属原子而形成金属层；

所述工序ii采用碳靶材，通过溅射蒸镀法在上述金属层上形成碳层而作为接合界面层。

16.一种带载体片的铜箔的制造方法，其是权利要求1所述的带载体片的铜箔的制造方法，其特征在于，包括工序a～工序c，其中，

工序a为通过薄膜形成方法，在载体片的表面形成层叠金属层与碳层而成的接合界面层的接合界面层形成工序；

工序b为通过物理蒸镀法，在上述碳层表面层叠形成第一铜层的第一铜层形成工序；

工序c为通过电解法，在上述第一铜层上形成第二铜箔层而完成铜箔层的铜箔层形成工序。

17.按照权利要求16所述的带载体片的铜箔的制造方法，其中，上述工序a的薄膜形成方法采用溅射蒸镀法。

18.按照权利要求17所述的带载体片的铜箔的制造方法，其中，上述工序a中的溅射蒸镀法包括工序i及工序ii，

所述工序i为采用钽、铌、锆、镍、铬、钛、铁、硅、钼、钒、钨中的任意一种靶材，通过溅射蒸镀法在载体片的表面沉积金属原子而形成金属层；

所述工序ii为采用碳靶材，通过溅射蒸镀法在上述金属层上形成碳层而作为接合界面层。

19.一种覆铜层压板，其是采用权利要求12所述的带载体片的表面处理铜箔而得到。

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