JP6085919B2 - 極薄銅層付きフィルム、極薄銅層付き接着フィルム、それらの製造方法、銅張積層板、及び配線板 - Google Patents

Description

本発明は、極薄銅層付きフィルム、極薄銅層付き接着フィルム、それらの製造方法、銅張積層板、及び配線板に関する。

各種電子機器に広く使用されている多層プリント配線板、フレキシブルプリント配線板等の配線板は、電子機器の小型化、高機能化のために、層の薄型化や回路の微細配線化が求められている。配線板の製造技術としては、絶縁層と導体層を交互に積み重ねるビルドアップ方式による製造方法が知られている。ビルドアップ方式による製造方法においては、一般に、絶縁層は樹脂組成物を熱硬化させて形成され、導体層はセミアディティブ法等の技術により形成される。

セミアディティブ法により導体層（配線層）を形成する方法として、極薄銅層を含む転写フィルムを用いて極薄銅層をめっきシード層として被着体上に転写させる方法が提案されている。例えば、特許文献１には、離型層付き支持体の離型層上に蒸着等により極薄銅層を形成した転写フィルムが開示されている。斯かる技術においては、該転写フィルムの極薄銅層をめっきシード層として被着体である絶縁層上に転写する。また特許文献２には、支持体と、該支持体上に蒸着等により直に形成された極薄銅層と、該極薄銅層上に形成された樹脂組成物層とを含む転写フィルムが開示されている。斯かる技術においては、該転写フィルムの樹脂組成物層と極薄銅層とを被着体であるコア基板上に一緒に転写する。転写の後、樹脂組成物層を熱硬化させることにより、コア基板上に、絶縁層と、めっきシード層としての極薄銅層とが形成される。さらに特許文献３には、極薄銅層を被着体である絶縁層上に転写させる転写体として、キャリア箔上に電解めっきにより極薄銅層を形成したキャリア箔付き電解銅箔が開示されている。

特開２００４−２３０７２９号公報 特開平９−２９６１５６号公報 特開２０１０−２２２６５７号公報

しかしながら、特許文献１、２記載の技術では、作製された極薄銅層にボイド（空隙）が存在する場合があり、極薄銅層の強度が十分でないため、被着体に均一に転写させることが困難な場合がある。また極薄銅層を被着体に均一に転写させることができたとしても、下記のような問題が生じる。すなわち、配線板の製造において、層間の電気接続のためにビアを形成する際に、ビア底下地の導体上に析出した樹脂の残渣（スミア）を除去することが必要となるが、酸化剤溶液による残渣除去（デスミア）時に、極薄銅層中の上記ボイドを伝って酸化剤溶液が極薄銅層と絶縁層との界面に達し、界面近傍の絶縁層に作用する結果、極薄銅層と絶縁層との層間剥離を生じてしまう。さらに、特許文献２記載の技術においては、樹脂組成物層を熱硬化し絶縁層を形成した後に支持体を剥離する際、極薄銅層に傷が付く場合がある。

特許文献３記載の方法では、極薄銅層は電解めっきにより形成されているため、めっき等による極薄銅層表面の防錆処理が必要となるが、斯かる防錆処理は、微細配線形成時に短絡の原因となりやすい。さらに、電解めっきにより形成される極薄銅層中の銅粒子径は大きく、平滑な表面を有する極薄銅層を形成することも困難であり、微細配線形成性には改善の余地があった。

従って本発明の課題は、ボイドが実質的に存在せず、微細配線形成性に優れる極薄銅層を備えた極薄銅層付きフィルムを提供することにある。

本発明者らは、鋭意検討した結果、所定のキャリア銅箔に、電子ビーム蒸着法で極薄銅層を形成することにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］ キャリア銅箔及び極薄銅層を含む極薄銅層付きフィルムであって、
キャリア銅箔が、銅箔基材と、該銅箔基材の表面を被覆する銅以外の金属を含む材料からなる被覆層とを有し、
極薄銅層がキャリア銅箔の該被覆層と接合しており、
該被覆層の、極薄銅層と接合する表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１５０ｎｍ以下であり、
極薄銅層が電子ビーム蒸着法で形成されており、極薄銅層の厚さが５０ｎｍ〜５０００ｎｍである、極薄銅層付きフィルム。
［２］ 被覆層が、ニッケル、亜鉛、アルミニウム、及びクロメートからなる群から選択される１種以上の材料からなる、［１］に記載の極薄銅層付きフィルム。
［３］ 極薄銅層が、１ｘ１０^−１Ｐａ以下の条件にて電子ビーム蒸着法で形成されている、［１］又は［２］に記載の極薄銅層付きフィルム。
［４］ １６０℃以上の熱を加えた後にキャリア銅箔を剥離することができる、［１］〜［３］の何れかに記載の極薄銅層付きフィルム。
［５］ ［１］〜［４］の何れかに記載の極薄銅層付きフィルムと、該極薄銅層付きフィルムの極薄銅層と接合している樹脂組成物層とを含む、極薄銅層付き接着フィルム。
［６］ 下記工程（Ａ）及び（Ｂ）を含む、極薄銅層付きフィルムの製造方法。
（Ａ）銅箔基材と、該銅箔基材の表面を被覆する銅以外の金属を含む材料からなる被覆層とを有し、該被覆層の露出表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１５０ｎｍ以下であるキャリア銅箔を用意する工程
（Ｂ）キャリア銅箔の被覆層と接合するように、電子ビーム蒸着法により厚さ５０ｎｍ〜５０００ｎｍの極薄銅層を形成する工程
［７］ 下記工程（Ｃ）を含む、極薄銅層付き接着フィルムの製造方法。
（Ｃ） ［６］に記載の方法により製造された極薄銅層付きフィルムの極薄銅層と接合するように樹脂組成物層を設ける工程
［８］ ［１］〜［４］の何れかに記載の極薄銅層付きフィルムと、プリプレグとを、前記極薄銅層が前記プリプレグに接するように加熱圧着してなる、銅張積層板。
［９］ ［５］に記載の極薄銅層付き接着フィルムと、プリプレグとを、前記樹脂組成物層が前記プリプレグに接するように加熱圧着してなる、銅張積層板。
［１０］ ［１］〜［４］の何れかに記載の極薄銅層付きフィルム、［５］に記載の極薄銅層付き接着フィルム、又は［８］若しくは［９］に記載の銅張積層板を用いて得られる、配線板。
［１１］ ［１０］に記載の配線板を含む半導体装置。

本発明によれば、ボイドが実質的に存在せず、微細配線形成性に優れる極薄銅層を備えた極薄銅層付きフィルムを提供することができる。

図１は、本発明の一実施形態による極薄銅層付きフィルムの断面ＳＥＭ写真を示す（実施例１）。 図２は、従来の極薄銅層付きフィルムの断面ＳＥＭ写真を示す（比較例１）。

以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。

［極薄銅層付きフィルム］
本発明の極薄銅層付きフィルムは、キャリア銅箔及び極薄銅層を含み、
キャリア銅箔が、銅箔基材と、該銅箔基材の表面を被覆する銅以外の金属を含む材料からなる被覆層とを有し、
極薄銅層がキャリア銅箔の該被覆層と接合しており、
該被覆層の、極薄銅層と接合する表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１５０ｎｍ以下であり、
極薄銅層が電子ビーム蒸着法で形成されており、極薄銅層の厚さが５０ｎｍ〜５０００ｎｍであることを特徴とする。

＜キャリア銅箔＞
本発明の極薄銅層付きフィルムにおいて、キャリア銅箔は、銅箔基材と、該銅箔基材の表面を被覆する銅以外の金属を含む材料からなる被覆層とを有する。

銅箔基材としては、例えば、電解銅箔、圧延銅箔等が挙げられる。一般に、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からステンレス等の材料からなるドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。
銅箔基材は、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。

銅箔基材としては、後述する被覆層の極薄銅層と接合する表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１５０ｎｍ以下となるように、表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が低い銅箔基材を使用することが好適であり、表面のＲａ値が好ましくは１５０ｎｍ以下、より好ましくは１３０ｎｍ以下、さらに好ましくは１１０ｎｍ以下、特に好ましくは１００ｎｍ以下の銅箔基材を使用する。銅箔基材の表面のＲａ値の下限は特に限定されず、０ｎｍであってもよいが、通常、１ｎｍ以上であり、好ましくは２ｎｍ以上であり、より好ましくは１０ｎｍ以上である。例えば、銅箔基材として電解銅箔を使用する場合、銅箔製造時のドラム表面の平滑性、電流密度、及びめっき浴温度を制御することでＲａ値を変化させることができる。
なお、表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。非接触型表面粗さ計の具体例としては、ビーコインスツルメンツ製の「ＷＹＫＯ ＮＴ３３００」が挙げられる。

銅箔基材の表面は、銅以外の金属を含む材料からなる被覆層で被覆されている。被覆層を構成する銅以外の金属を含む材料としては、例えば、銅以外の金属（例えば、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、クロム、チタン等）、銅以外の金属を含む合金（例えば、亜鉛合金、クロム合金、チタン合金、ニッケル合金、アルミニウム合金等）、及び銅以外の金属を含む化合物（例えば、クロメート、ジンケート等）からなる群から選択される１種以上が挙げられる。

好適な一実施形態において、被覆層は、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、クロメート、及び亜鉛合金からなる群から選択される１種以上の材料からなる。亜鉛合金としては、例えば、亜鉛−ニッケル合金、亜鉛−ニッケル−リン合金、及び亜鉛−クロメート合金、亜鉛−ニッケル−クロメート合金等が挙げられ、亜鉛−ニッケル合金、亜鉛−クロメート合金、亜鉛−ニッケル−クロメート合金が好ましい。また、クロメートからなる被覆層は、例えば、クロム酸、クロム酸塩により銅箔基材を処理することで形成することができる。クロム酸塩としては、例えば、クロム酸ナトリウム、クロム酸カリウム、クロム酸アンモニウムが挙げられる。

被覆層は、単層構造であっても、複層構造であってもよい。被覆層が複層構造である場合、銅箔基材と接する層は、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、又は亜鉛合金からなる層であることが好ましく、後述する極薄銅層と接する層は、クロメートからなる層であることが好ましい。

好適な一実施形態において、被覆層は、銅箔基材と接する亜鉛層と、極薄銅層と接するクロメート層の二層構造を有する。好適な他の実施形態において、被覆層は、銅箔基材と接する亜鉛合金層（より好ましくは亜鉛−ニッケル合金層）と、極薄銅層と接するクロメート層の二層構造を有する。

被覆層の形成方法は特に限定されず、例えば、電解めっき、無電解めっき、スパッタリング等の方法により形成してよい。

被覆層の、極薄銅層と接合する表面（すなわち、銅箔基材とは反対側の表面）の算術平均粗さ（Ｒａ）は、微細配線形成性の観点から、１５０ｎｍ以下であり、好ましく１３０ｎｍ以下、より好ましくは１１０ｎｍ以下、さらに好ましくは１００ｎｍ以下である。

被覆層の、極薄銅層と接合する表面のＲａ値の下限は特に限定されず、０ｎｍであってもよいが、通常、１ｎｍ以上であり、好ましくは２ｎｍ以上であり、より好ましくは１０ｎｍ以上である。

斯かる被覆層を有することによって、本発明の極薄銅層付きフィルムは、高温に曝された後でも、キャリア銅箔を極薄銅層から容易に剥離することができる。例えば、本発明の極薄銅層付きフィルムは、１６０℃以上の高温、さらには２００℃以上の高温に曝された後でも、極薄銅層の損傷なしにキャリア銅箔を剥離することが可能である。

キャリア銅箔の厚さは、取り扱い性が良好である観点から、５μｍ〜３０μｍが好ましく、１０μｍ〜２０μｍがより好ましい。斯かる厚さの値は、銅箔基材と被覆層との厚さを合計した値である。

上記のような銅箔基材と被覆層とを有するキャリア銅箔は、市販品を用いてもよい。斯かる市販品としては、例えば、ＪＸ日鉱日石金属（株）製「ＨＬＰ」（被覆層（クロメート層／亜鉛層）／銅箔基材；被覆層表面のＲａ値１００ｎｍ）、三井金属鉱業（株）製「ＤＦＦ」（被覆層（クロメート層／亜鉛−ニッケル合金層）／銅箔基材；被覆層表面のＲａ値１００ｎｍ）等が挙げられる。

＜極薄銅層＞
本発明の極薄銅層付きフィルムにおいて、極薄銅層は、電子ビーム蒸着法により形成された極薄銅層である。

電子ビーム蒸着法とは、高真空中で、金属または非金属の小片（以下、「ターゲット」という。）に電子ビームを照射しターゲットを加熱蒸発させて、蒸発したターゲット原子または分子を被着対象の表面に薄膜として凝着させる方法である。本発明においては、ターゲットは銅塊であり、被着対象はキャリア銅箔（詳細にはキャリア銅箔の被覆層）である。電子ビーム蒸着法は、成膜レートが高く、被着対象であるキャリア銅箔の熱損傷なしにめっきシード層として機能するのに十分な厚さの極薄銅層を形成することが可能である。

さらに本発明者らは、電子ビーム蒸着法により極薄銅層を形成することで、誘導加熱式蒸着法等の他の蒸着法により極薄銅層を形成する場合に比し、極薄銅層中のボイドの数・容積を著しく減じることができ、ボイドが実質的に存在しない極薄銅層を十分な厚さをもって形成できることを見出した。ここで、「ボイドが実質的に存在しない」とは、良好な転写性を示す強度の高い極薄銅層を実現し得る程度に、かつ、デスミア時の極薄銅層と絶縁層との剥離を防止し得る程度に、極薄銅層中のボイドの数・容積が小さいことをいう。図１に、電子ビーム蒸着法により形成した極薄銅層を備える極薄銅層付きフィルム（実施例１の極薄銅層付きフィルム）の断面ＳＥＭ写真を示すが、極薄銅層にボイドはほとんど存在しないことが確認される。これに対し、図２に、誘導加熱式蒸着法により形成した極薄銅層を備える極薄銅層付きフィルム（比較例１の極薄銅層付きフィルム）の断面ＳＥＭ写真を示すが、極薄銅層にはボイドが無数に存在することが確認される。

電子ビーム蒸着法により極薄銅層を形成する際の条件としては、ボイドの発生を十分に抑制して層密度の高い極薄銅層を実現する観点から、真空度は好ましくは１ｘ１０^−１Ｐａ以下、より好ましくは１ｘ１０^−２Ｐａ以下、さらに好ましくは１ｘ１０^−３Ｐａ以下、さらにより好ましくは１ｘ１０^−４Ｐａ以下、特に好ましくは１ｘ１０^−５Ｐａ以下である。真空度の下限は特に限定されないが、好ましくは１ｘ１０^−１１Ｐａ以上、より好ましくは１ｘ１０^−８Ｐａ以上である。蒸着速度は好ましくは１ｎｍ／分以上、より好ましくは５ｎｍ／分以上、さらに好ましくは５０ｎｍ／分以上、さらにより好ましくは１００ｎｍ／分以上、特に好ましくは３００ｎｍ／分以上、５００ｎｍ／分以上、１０００ｎｍ／分以上、３０００ｎｍ／分以上、５０００ｎｍ／分以上、１００００ｎｍ／分以上である。蒸着速度の上限は特に限定されないが、好ましくは１０００００ｎｍ／分以下、より好ましくは３００００ｎｍ／分以下である。被着対象であるキャリア銅箔が接する蒸着機ドラム温度は、好ましくは５０℃以下、より好ましくは４０℃以下、さらに好ましくは３０℃以下、さらにより好ましくは２５℃以下、特に好ましくは２０℃以下である。蒸着機ドラム温度の下限は特に限定されないが、好ましくは５℃以上、より好ましくは１０℃以上である。

本発明の極薄銅層付きフィルムにおいて、極薄銅層の露出表面（すなわち、キャリア銅箔とは反対側の表面）の算術平均粗さ（Ｒａ）は、微細配線形成性の観点から、１５０ｎｍ以下が好ましく、１３０ｎｍ以下がより好ましく、１１０ｎｍ以下がさらに好ましい。極薄銅層の露出表面のＲａ値の下限は特に限定されないが、０．５ｎｍ以上が好ましく、１．０ｎｍ以上がより好ましい。

本発明の極薄銅層付きフィルムにおいて、極薄銅層の厚さは、５０ｎｍ〜５０００ｎｍであり、５０ｎｍ〜３０００ｎｍであることが好ましく、１００ｎｍ〜３０００ｎｍであることがより好ましく、１００ｎｍ〜１０００ｎｍであることがさらに好ましい。斯かる範囲の厚さとすることで、プリント配線板の製造において、電解めっき操作中に傷がつきにくく、極薄銅層にムラも生じにくくなる。本発明においては、ボイドが実質的に存在しない極薄銅層を斯かる範囲の厚さにてキャリア銅箔の熱損傷なしに有利に形成することができる。

［極薄銅層付き接着フィルム］
本発明の極薄銅層付き接着フィルムは、上述の本発明の極薄銅層付きフィルムと、該極薄銅層付きフィルムの極薄銅層と接合している樹脂組成物層とを含む。

本発明の極薄銅層付きフィルムの構成は、［極薄銅層付きフィルム］欄に記載のとおりである。

＜樹脂組成物層＞
樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は特に限定されず、その硬化物が十分な硬度と絶縁性を有するものであればよい。例えば、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤及び（ｃ）無機充填材を含む樹脂組成物を用いることができる。樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、必要に応じて、さらに熱可塑性樹脂、硬化促進剤、難燃剤及びゴム粒子等の添加剤を含んでいてもよい。

なお、本発明において、樹脂組成物を構成する各成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分の合計を１００質量％としたときの値である。

（ａ）エポキシ樹脂
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノールエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂及びトリメチロール型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合に、少なくとも５０質量％以上は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であるのが好ましい。中でも、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下、「液状エポキシ樹脂」という。）と、１分子中に３個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（以下、「固体状エポキシ樹脂」という。）とを含むことが好ましい。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、優れた可撓性を有する樹脂組成物が得られる。また、樹脂組成物の硬化物の破断強度も向上する。

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、又はナフタレン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製の「ＨＰ４０３２」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ４０３２Ｄ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製の「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、新日鐵化学（株）製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

固体状エポキシ樹脂としては、４官能ナフタレン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノールエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、又はナフチレンエーテル型エポキシ樹脂が好ましく、４官能ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、又はナフチレンエーテル型エポキシ樹脂がより好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製の「ＨＰ−４７００」（４官能ナフタレン型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＥＸＡ７３１１」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、「ＥＸＡ７３１０」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ３」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬（株）製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノールエポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラックエポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｌ」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、東都化成（株）製の「ＥＳＮ４７５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製の「ＹＸ４０００Ｈ」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）等が挙げられる。

エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１〜１：２の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、i）接着フィルムの形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、ii）接着フィルムの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する、並びにiii）十分な破断強度を有する硬化物を得ることができるなどの効果が得られる。上記i）〜iii）の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３〜１：１．８の範囲がより好ましく、１：０．６〜１：１．５の範囲がさらに好ましい。

樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、３質量％〜５０質量％が好ましく、５質量％〜４５質量％がより好ましく、５質量％〜４０質量％がさらに好ましく、７質量％〜３５質量％が特に好ましい。

（ｂ）硬化剤
硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されないが、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤が挙げられる。硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、導体層との密着性（剥離強度）の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。中でも、耐熱性、耐水性、及び導体層との密着性（剥離強度）を高度に満足させる観点から、硬化剤としてトリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂を用いることが好ましい。

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成（株）製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬（株）製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、東都化成（株）製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ（株）製の「ＬＡ７０５２」、「ＬＡ７０５４」、「ＬＡ３０１８」等が挙げられる。

導体層との密着性（剥離強度）を高める観点から、活性エステル系硬化剤も好ましい。活性エステル系硬化剤としては、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。

活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」（ＤＩＣ（株）製）、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」（ＤＩＣ（株）製）、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱化学（株）製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学（株）製）などが挙げられる。

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子（株）製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業（株）製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート（オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４‘−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン（株）製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。

エポキシ樹脂と硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．２〜１：２の範囲が好ましく、１：０．３〜１：１．５の範囲がより好ましく、１：０．４〜１：１の範囲がさらに好ましい。ここで、硬化剤の反応基とは、活性水酸基、活性エステル基等であり、硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の固形分質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、硬化剤の反応基の合計数とは、各硬化剤の固形分質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。エポキシ樹脂と硬化剤との量比を斯かる範囲とすることにより、樹脂組成物の硬化物の耐熱性が向上する。

（ｃ）無機充填材
無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、及びジルコン酸カルシウム等が挙げられる。これらの中でも無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等のシリカが特に好適である。またシリカとしては球状シリカが好ましい。無機充填材は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。市販されている球状溶融シリカとして、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」、「ＳＯＣ１」が挙げられる。

無機充填材の平均粒径は０．０１μｍ〜２μｍの範囲が好ましく、０．０５μｍ〜１．５μｍの範囲がより好ましく、０．０７μｍ〜１μｍの範囲がさらに好ましい。無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、株式会社堀場製作所製ＬＡ−５００等を使用することができる。

無機充填材は、耐湿性向上のため、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤などの１種又は２種以上の表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）等が挙げられる。

また、表面処理剤で表面処理された無機充填材は、溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後の無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所製「ＥＭＩＡ−３２０Ｖ」等を使用することができる。

無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、０．０２ｍｇ／ｍ^２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ^２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ^２以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度やフィルム形態での溶融粘度の上昇を防止するという点で、１ｍｇ／ｍ^２以下が好ましく、０.８ｍｇ／ｍ^２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ^２以下が更に好ましい。

樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、硬化物の機械強度が低下するのを防止する観点から、９５質量％以下が好ましく、９０質量％以下がより好ましく、８５質量％以下がさらに好ましい。また、硬化物の熱膨張率を低下させる観点から、５０質量％以上が好ましく、５５質量％以上がより好ましく、６０質量％以上がさらに好ましい。

一実施形態において、樹脂組成物層に使用する樹脂組成物は、上述の（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤及び（ｃ）無機充填材を含む。中でも、樹脂組成物は、（ａ）エポキシ樹脂として液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との混合物（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂の質量比は好ましくは１：０．１〜１：２、より好ましくは１：０．３〜１：１．８、さらに好ましくは１：０．６〜１：１．５）を、（ｂ）硬化剤として活性エステル系硬化剤、フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤からなる群から選択される１種以上を、（ｃ）無機充填材としてシリカを、それぞれ含むことが好ましい。斯かる特定の成分を組み合わせて含む樹脂組成物層に関しても、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、及び（ｃ）無機充填材の好適な含有量は上述のとおりであるが、中でも、（ａ）エポキシ樹脂の含有量が３質量％〜３０質量％、（ｃ）無機充填材の含有量が５０質量％〜９５質量％であることが好ましく、（ａ）エポキシ樹脂の含有量が５質量％〜２５質量％、（ｃ）無機充填材の含有量が５０質量％〜９０質量％であることがより好ましい。（ｂ）硬化剤の含有量に関しては、（ａ）エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数と、（ｃ）硬化剤の反応基の合計数との比が、１：０．２〜１：２となるように含有させることが好ましく、１：０．３〜１：１．８となるように含有させることがより好ましく、１：０．４〜１：１となるように含有させることがさらに好ましい。

樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、必要に応じて、さらに熱可塑性樹脂、硬化促進剤、難燃剤及びゴム粒子等の添加剤を含んでいてもよい。

熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、及びポリスルホン樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は８，０００〜７０，０００の範囲が好ましく、１０，０００〜６０，０００の範囲がより好ましく、２０，０００〜６０，０００の範囲がさらに好ましい。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として（株）島津製作所製ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａを、カラムとして昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学（株）製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、東都化成（株）製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱化学（株）製の「ＹＬ７５５３」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」及び「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。

ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業(株)製の電化ブチラール４０００−２、５０００−Ａ、６０００−Ｃ、６０００−ＥＰ、積水化学工業（株）製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ、ＫＳシリーズ、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。

ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化（株）製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報記載のもの）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２−１２６６７号公報及び特開２０００−３１９３８６号公報等に記載のもの）等の変性ポリイミドが挙げられる。

ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡績（株）製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成工業（株）製のポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。

ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学（株）製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。

ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ（株）製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。

樹脂組成物中の熱可塑性樹脂の含有量は、０．１質量％〜２０質量％であることが好ましい。熱可塑性樹脂の含有量を斯かる範囲とすることにより、樹脂組成物の粘度が適度となり、厚さやバルク性状の均一な樹脂組成物を形成することができる。樹脂組成物中の熱可塑性樹脂の含有量は、０．５質量％〜１０質量％であることがより好ましい。

硬化促進剤としては、例えば、有機ホスフィン化合物、イミダゾール化合物、アミンアダクト化合物、及び３級アミン化合物などが挙げられる。硬化促進剤の含有量は、（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）硬化剤の不揮発成分の合計を１００質量％としたとき、０．０５質量％〜３質量％の範囲で使用することが好ましい。硬化促進剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。樹脂組成物中の難燃剤の含有量は特に限定はされないが、０．５質量％〜１０質量％が好ましく、１質量％〜９質量％がより好ましく、１質量％〜８質量％がさらに好ましい。

ゴム粒子としては、例えば、後述する有機溶剤に溶解せず、上述のエポキシ樹脂、硬化剤、及び熱可塑性樹脂などとも相溶しないものが使用される。このようなゴム粒子は、一般には、ゴム成分の分子量を有機溶剤や樹脂に溶解しないレベルまで大きくし、粒子状とすることで調製される。

ゴム粒子としては、例えば、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子などが挙げられる。コアシェル型ゴム粒子は、コア層とシェル層とを有するゴム粒子であり、例えば、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、内層のコア層がゴム状ポリマーで構成される２層構造、又は外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、中間層がゴム状ポリマーで構成され、コア層がガラス状ポリマーで構成される３層構造のものなどが挙げられる。ガラス状ポリマー層は、例えば、メチルメタクリレート重合物などで構成され、ゴム状ポリマー層は、例えば、ブチルアクリレート重合物（ブチルゴム）などで構成される。ゴム粒子は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

ゴム粒子の平均粒径は、好ましくは０．００５μｍ〜１μｍの範囲であり、より好ましくは０．２μｍ〜０．６μｍの範囲である。ゴム粒子の平均粒径は、動的光散乱法を用いて測定することができる。例えば、適当な有機溶剤にゴム粒子を超音波などにより均一に分散させ、濃厚系粒径アナライザー（ＦＰＡＲ−１０００；大塚電子（株）製）を用いて、ゴム粒子の粒度分布を質量基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。樹脂組成物中のゴム粒子の含有量は、好ましくは１質量％〜１０質量％であり、より好ましくは２質量％〜５質量％である。

本発明の極薄銅層付き接着フィルムにおいて、樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよい。斯かる他の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに有機フィラー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、着色剤及び硬化性樹脂等の樹脂添加剤等が挙げられる。

本発明の極薄銅層付き接着フィルムにおいて、樹脂組成物層の厚さは、３μｍ〜１００μｍが好ましく、５μｍ〜８０μｍがより好ましく、２０μｍ〜６０μｍがさらに好ましい。

本発明の極薄銅層付き接着フィルムにおいて、樹脂組成物層の極薄銅層とは接合していない面（すなわち、極薄銅層とは反対側の面）に、保護フィルムをさらに積層することができる。すなわち、一実施形態において、本発明の極薄銅層付き接着フィルムは、本発明の極薄銅層付きフィルムと、該極薄銅層付きフィルムの極薄銅層と接合している樹脂組成物層と、該樹脂組成物層と接合している保護フィルムとを含む。保護フィルムの厚さは、特に限定されず、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。保護フィルムの材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート（以下、「ＰＥＴ」という。）、ポリエチレンナフタレート（以下、「ＰＥＮ」という。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下、「ＰＣ」という。）、ポリイミド等が挙げられる。好適な実施形態において、保護フィルムは、ポリエチレン、ポリプロピレン及びＰＥＴからなる群から選択される１種以上の材料を含む。なお、後述するように、樹脂組成物層を含む接着フィルムを用いて本発明の極薄銅層付き接着フィルムを製造する場合、樹脂組成物層を含む接着フィルムの基材を上記保護フィルムとして用いることができる。
本発明の極薄銅層付き接着フィルムを用いて銅張積層板、配線板の製造する際には、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。

［極薄銅層付きフィルムの製造方法］
本発明の極薄銅層付きフィルムの製造方法は、下記工程（Ａ）及び（Ｂ）を含む。
（Ａ）銅箔基材と、該銅箔基材の表面を被覆する銅以外の金属を含む材料からなる被覆層とを有し、該被覆層の露出表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１５０ｎｍ以下であるキャリア銅箔を用意する工程
（Ｂ）キャリア銅箔の被覆層と接合するように、電子ビーム蒸着法により厚さ５０ｎｍ〜５０００ｎｍの極薄銅層を形成する工程

＜工程（Ａ）＞
工程（Ａ）において、銅箔基材と、該銅箔基材の表面を被覆する銅以外の金属を含む材料からなる被覆層とを有し、該被覆層の露出表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１５０ｎｍ以下であるキャリア銅箔を用意する。キャリア銅箔の構成は上述のとおりであり、詳細は省略する。

＜工程（Ｂ）＞
工程（Ｂ）において、キャリア銅箔の被覆層と接合するように、電子ビーム蒸着法により厚さ５０ｎｍ〜５０００ｎｍの極薄銅層を形成する。

電子ビーム蒸着法により極薄銅層を形成する本発明においては、成膜レートが高く、被着対象であるキャリア銅箔の熱損傷なしにめっきシード層として機能するのに十分な厚さの極薄銅層を形成することが可能である。また、電子ビーム蒸着法により極薄銅層を形成することで、誘導加熱式蒸着法等の他の蒸着法により極薄銅層を形成する場合に比し、極薄銅層中のボイドの数・容積を著しく減じることができ、ボイドが実質的に存在しない極薄銅層を十分な厚さをもって形成できる。

電子ビーム蒸着法により極薄銅層を形成する際の条件としては、ボイドの発生を十分に抑制して層密度の高い極薄銅層を実現する観点から、真空度は好ましくは１ｘ１０^−１Ｐａ以下、より好ましくは１ｘ１０^−２Ｐａ以下、さらに好ましくは１ｘ１０^−３Ｐａ以下、さらにより好ましくは１ｘ１０^−４Ｐａ以下、特に好ましくは１ｘ１０^−５Ｐａ以下である。真空度の下限は特に限定されないが、好ましくは１ｘ１０^−１１Ｐａ以上、より好ましくは１ｘ１０^−８Ｐａ以上である。蒸着速度は好ましくは１ｎｍ／分以上、より好ましくは５ｎｍ／分以上、さらに好ましくは５０ｎｍ／分以上、さらにより好ましくは１００ｎｍ／分以上、特に好ましくは３００ｎｍ／分以上、５００ｎｍ／分以上、１０００ｎｍ／分以上、３０００ｎｍ／分以上、５０００ｎｍ／分以上、１００００ｎｍ／分以上である。蒸着速度の上限は特に限定されないが、好ましくは１０００００ｎｍ／分以下、より好ましくは３００００ｎｍ／分以下である。被着対象であるキャリア銅箔が接する蒸着機ドラム温度は、好ましくは５０℃以下、より好ましくは４０℃以下、さらに好ましくは３０℃以下、さらにより好ましくは２５℃以下、特に好ましくは２０℃以下である。蒸着機ドラム温度の下限は特に限定されないが、好ましくは５℃以上、より好ましくは１０℃以上である。

工程（Ｂ）は、極薄銅層の厚さが、５０ｎｍ〜５０００ｎｍの範囲となるように、好ましくは５０ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲、より好ましくは１００ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲、さらに好ましくは１００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲となるように実施する。本発明においては、ボイドが実質的に存在しない極薄銅層を斯かる範囲の厚さにてキャリア銅箔の熱損傷なしに有利に形成することができる。

また工程（Ｂ）は、極薄銅層の露出表面（すなわちキャリア銅箔とは反対側の表面）の算術平均粗さ（Ｒａ）が好ましくは１５０ｎｍ以下、より好ましくは１３０ｎｍ以下、さらに好ましくは１１０ｎｍ以下となるように実施する。極薄銅層の露出表面のＲａ値の下限は特に限定されないが、０．５ｎｍ以上が好ましく、１ｎｍ以上がより好ましい。

工程（Ｂ）は、電子ビーム蒸着装置を用いて実施することができる。電子ビーム蒸着装置は、上記好ましい条件にて電子ビーム蒸着を実施し得る限りにおいて任意の装置を用いてよい。巻き取り式の電子ビーム蒸着装置は、本発明の極薄銅層付きフィルムを連続的に製造することができるため、好ましい装置である。電子ビーム蒸着装置の具体例としては、アルバック（株）製の巻き取り式電子ビーム蒸着装置「ＥＷＪシリーズ」が挙げられる。

［極薄銅層付き接着フィルムの製造方法］
上述の本発明の方法により製造された極薄銅層付きフィルムを用いて、極薄銅層付き接着フィルムを製造することができる。

すなわち、本発明の極薄銅層付き接着フィルムの製造方法は、下記工程（Ｃ）を含む。
（Ｃ）本発明の方法により製造された極薄銅層付きフィルムの極薄銅層と接合するように樹脂組成物層を設ける工程

工程（Ｃ）において、樹脂組成物層に使用する樹脂組成物の構成は上述のとおりであり、詳細は省略する。樹脂組成物層は、公知の方法で、支持体と接合するように設けることができる。例えば、溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーターなどの塗布装置を用いて極薄銅層付きフィルムの極薄銅層の露出表面に塗布し、樹脂ワニスを乾燥させて樹脂組成物層を設けることができる。

樹脂ワニスの調製に用いる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。溶剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

樹脂ワニスの乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の乾燥方法により実施してよい。樹脂組成物層中に溶剤が多く残留すると、硬化後に膨れが発生する原因となるため、樹脂組成物中の残留溶剤量が通常１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃〜１５０℃で３〜１０分乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。

あるいはまた、樹脂組成物層を含む接着フィルムを用いて、極薄銅層付きフィルムの極薄銅層と接合するように樹脂組成物層を設けることができる。斯かる態様では、基材と、該基材上に設けられた樹脂組成物層とを含んでなる接着フィルムを、樹脂組成物層側が極薄銅層付きフィルムの極薄銅層と接するように極薄銅層付きフィルムに積層する。該接着フィルムは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーターなどを用いて基材上に塗布し、更に加熱、あるいは熱風吹きつけ等により有機溶剤を乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。ここで、有機溶剤としては、上記と同じものを用いてよい。

接着フィルムと極薄銅層付きフィルムとの積層は、作業性が良好であり、一様な接触状態が得られやすいので、ロール圧着やプレス圧着等で、接着フィルムを極薄銅層付きフィルムにラミネート処理することが好ましい。中でも、減圧下でラミネートする真空ラミネート法がより好ましい。ラミネートの方法は、バッチ式でも連続式であってもよい。

ラミネート処理は、一般に、圧着圧力を１〜１１ｋｇｆ／ｃｍ^２（９．８×１０^４〜１０７．９×１０^４Ｎ／ｍ^２）の範囲とし、圧着温度を７０〜１２０℃の範囲とし、圧着時間を５〜１８０秒の範囲とし、空気圧が２０ｍｍＨｇ（２６．７ｈＰａ）以下の減圧下で実施することが好ましい。
ラミネート処理は、市販されている真空ラミネーターを用いて実施することができる。市販されている真空ラミネーターとしては、例えば、（株）名機製作所製の真空加圧式ラミネーター、ニチゴー・モートン（株）製 バキュームアップリケーター等が挙げられる。

接着フィルムの基材としては、ポリエチレン、ポリプロピレン及びポリ塩化ビニル等のポリオレフィンのフィルム、ＰＥＴ及びＰＥＮ等のポリエステルのフィルム、ＰＣフィルム、ポリイミドフィルムなどの各種プラスチックフィルムが挙げられる。接着フィルムの基材としては、離型紙を使用してもよい。基材には、マット処理、コロナ処理等の表面処理が施してあってもよい。また、シリコーン樹脂系離型剤、アルキッド樹脂系離型剤、ウレタン樹脂系離型剤、及びフッ素樹脂系離型剤等の離型剤による離型処理が施してあってもよい。基材の厚さは特に限定されないが、１０μｍ〜１５０μｍが好ましく、２５μｍ〜５０μｍがより好ましい。

工程（Ｃ）の後、樹脂組成物層の極薄銅層と接合していない面（すなわち、極薄銅層とは反対側の面）に、保護フィルムを設けてよい。保護フィルムの構成は上述のとおりである。

［銅張積層板］
本発明の銅張積層板は、本発明の極薄銅層付きフィルム又は極薄銅層付き接着フィルムを用いて得られる。

一実施形態において、本発明の銅張積層板は、本発明の極薄銅層付きフィルムと、プリプレグとを、極薄銅層付きフィルムの極薄銅層がプリプレグに接するように加熱圧着して得られる。

他の実施形態において、本発明の銅張積層板は、本発明の極薄銅層付き接着フィルムと、プリプレグとを、極薄銅層付き接着フィルムの樹脂組成物層がプリプレグに接するように加熱圧着して得られる。
極薄銅層付き接着フィルムが、樹脂組成物層の極薄銅層と接合していない面（即ち、極薄銅層とは反対側の面）に保護フィルムを有する場合は、該保護フィルムを剥がした後に銅張積層板の製造に供せばよい。

本発明の銅張積層板は、片面に極薄銅層を有する構造であっても、両面に極薄銅層を有する構造であってもよい。両面に極薄銅層を有する構造の銅張積層板は、本発明の極薄銅層付きフィルム又は極薄銅層付き接着フィルムを２枚用いて製造することができる。例えば、極薄銅層付きフィルムを使用する実施形態では、本発明の極薄銅層付きフィルムを２枚用意し、極薄銅層付きフィルムの極薄銅層がプリプレグに接するように、２枚の極薄銅層付きフィルムの間にプリプレグを配置し、それらを加熱圧着することによって、両面に極薄銅層を有する構造の銅張積層板を製造することができる。極薄銅層付き接着フィルムを使用する実施形態では、本発明の極薄銅層付き接着フィルムを２枚用意し、極薄銅層付き接着フィルムの樹脂組成物層がプリプレグに接するように、２枚の極薄銅層付き接着フィルムの間にプリプレグを配置し、それらを加熱圧着することによって、両面に極薄銅層を有する構造の銅張積層板を製造することができる。

プリプレグは、シート状繊維基材中に熱硬化性樹脂組成物を含浸させてなるものである。プリプレグに用いるシート状繊維基材は特に限定されず、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布等のプリプレグ用基材として常用されているものを用いることができる。絶縁基材に用いる場合には、厚さが１０μｍ〜１５０μｍのものが好適に用いられ、特に１０μｍ〜１００μｍのものが好ましい。シート状繊維基材として用いられるガラスクロス基材の具体例としては、旭シュエーベル（株）製の「スタイル１０２７ＭＳ」（経糸密度７５本／２５ｍｍ、緯糸密度７５本／２５ｍｍ、布重量２０ｇ／ｍ^２、厚さ１９μｍ）、旭シュエーベル（株）製の「スタイル１０３７ＭＳ」（経糸密度７０本／２５ｍｍ、緯糸密度７３本／２５ｍｍ、布重量２４ｇ／ｍ^２、厚さ２８μｍ）、（株）有沢製作所製の「１０７８」（経糸密度５４本／２５ｍｍ、緯糸密度５４本／２５ｍｍ、布重量４８ｇ／ｍ^２、厚さ４３μｍ）、（株）有沢製作所製の「２１１６」（経糸密度５０本／２５ｍｍ、緯糸密度５８本／２５ｍｍ、布重量１０３．８ｇ／ｍ^２、厚さ９４μｍ）等が挙げられる。また液晶ポリマー不織布の具体例としては、(株)クラレ製の、芳香族ポリエステル不織布のメルトブロー法による「ベクルス」（目付け量６〜１５ｇ／ｍ^２）や「ベクトラン」などが挙げられる。

プリプレグに用いる熱硬化性樹脂組成物は、その硬化物が十分な硬度と絶縁性を有するものであれば、特に限定されず、例えば、極薄銅層付き接着フィルムの樹脂組成物層について説明した樹脂組成物と同じものを用いてよい。

プリプレグは、ホットメルト法及びソルベント法等の公知の方法により製造することができる。ホットメルト法では、熱硬化性樹脂組成物を有機溶剤に溶解することなく、熱硬化性樹脂組成物と剥離性の良い離型紙に一旦コーティングし、それをシート状繊維基材にラミネートする、あるいはダイコーターにより直接塗工するなどして、プリプレグを製造する。またソルベント法では、熱硬化性樹脂組成物を有機溶剤に溶解した熱硬化性樹脂組成物ワニスにシート状繊維基材を浸漬することにより、熱硬化性樹脂組成物ワニスをシート状繊維基材に含浸させ、その後乾燥させて、プリプレグを製造する。プリプレグはまた、熱硬化性樹脂組成物からなる樹脂シートをシート状繊維基材の両面から加熱、加圧条件下、連続的に熱ラミネートすることで製造することもできる。

銅張積層板の製造において、２枚以上のプリプレグを用いてもよい。２枚以上のプリプレグを用いる場合、硬化性樹脂組成物の組成、シート状繊維基材の材料や厚さのうちの一つ又は全部が互いに異なるものを用いても、互いに同一のプリプレグを用いてもよい。

極薄銅層付きフィルム又は極薄銅層付き接着フィルムとプリプレグとの加熱圧着は、一般の真空ホットプレス機を用いて行うことができる。例えば、加熱されたステンレス板等の金属板によって両面からプレスすることにより行うことができる。

プレス条件は、減圧度を通常１×１０^−２ＭＰａ以下、好ましくは１×１０^−３ＭＰａ以下とする。加熱及び加圧は、１段階で行ってもよいが、樹脂のしみだしを制御する観点から、２段階以上に分けて行うことが好ましい。例えば、１段階目のプレスを、温度が７０〜１５０℃、圧力が１〜１５ｋｇｆ／ｃｍ^２の範囲で行い、２段階目のプレスを、温度が１５０〜２５０℃、圧力が１〜４０ｋｇｆ／ｃｍ^２の範囲で行うのが好ましい。

市販されている真空ホットプレス機としては、例えば、（株）名機製作所製の「ＭＮＰＣ−Ｖ−７５０−５−２００」、北川精機（株）製の「ＶＨ１−１６０３」等が挙げられる。

上記加熱圧着処理により、プリプレグ（及び樹脂組成物層）が硬化され、絶縁層が形成される。プリプレグ（及び樹脂組成物層）の硬化条件は、樹脂組成物の組成等によっても異なるが、一般に硬化温度が１２０〜２５０℃、硬化時間が１５〜９０分である。なお、絶縁層表面のしわ防止の観点から、硬化温度を段階的に又は連続的に上昇させながらプリプレグ（及び樹脂組成物層）を硬化させることが好ましい。

加熱圧着処理の後、キャリア銅箔を剥離して、極薄銅層を露出させる。上記のとおり、銅以外の金属を含む材料からなる被覆層を有するキャリア銅箔を使用する本発明においては、加熱圧着処理の後にもキャリア銅箔を極薄銅層から容易に剥離することが可能である。また、電子ビーム蒸着法により形成した極薄銅層は、ボイドを実質的に含まず強度が高いため、加熱圧着の後にキャリア銅箔を剥離する際に傷が付きにくく、きれいな露出表面をもたらすことができる。

電子ビーム蒸着法により形成した極薄銅層を利用して製造される本発明の銅張積層板は、絶縁層の表面粗さ（凹凸）が小さいにもかかわらず、絶縁層表面に十分な剥離強度を呈する極薄銅層を備える。ここで、絶縁層の表面粗さは、銅張積層板の極薄銅層を銅エッチング液（塩化第二鉄水溶液等）で除去し、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。非接触型表面粗さ計の具体例としては、ビーコインスツルメンツ製の「ＷＹＫＯ ＮＴ３３００」が挙げられる。また、銅張積層板における絶縁層と極薄銅層との剥離強度の測定は、ＪＩＳ Ｃ６４８１に準拠して行うことができる。

本発明の銅張積層板に関しては、絶縁層表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１５０ｎｍ以下であることが好ましく、１３０ｎｍ以下であることがより好ましく、１１０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。絶縁層表面のＲａ値の下限は特に限定はされないが、０．５ｎｍ以上が好ましく、１ｎｍ以上がより好ましい。本発明の銅張積層板は、絶縁層の表面粗さが上記範囲にあるにもかかわらず、該絶縁層表面に十分な剥離強度、即ち、０．４ｋｇｆ／ｃｍ以上、好ましくは０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上、より好ましくは０．６ｋｇｆ／ｃｍ以上、を呈する極薄銅層を備える。剥離強度は高い程好ましいが、一般的に１．５ｋｇｆ／ｃｍが上限となる。

本発明の銅張積層板は、めっきシード層として機能するのに十分な厚さの極薄銅層を備えており、そのまま配線板の製造に供することができる。本発明の銅張積層板はまた、極薄銅層上に、無電解めっきにより銅層を更に形成した後、配線板の製造に供してもよい。

［配線板］
本発明の配線板は、本発明の極薄銅層付きフィルム、極薄銅層付き接着フィルム、又は銅張積層板を用いて得られる。

一実施形態において、本発明の配線板は、本発明の極薄銅層付きフィルムを用いて、下記工程（Ｉ−１）乃至（Ｉ−３）を含む方法により製造することができる。
（Ｉ−１）基板上に樹脂組成物層を設ける工程
（Ｉ−２）樹脂組成物層上に、本発明の極薄銅層付きフィルムを、極薄銅層が樹脂組成物層と接合するように積層する工程
（Ｉ−３）樹脂組成物層を硬化させて絶縁層を形成する工程

上記工程（Ｉ−１）で用いる基板としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、及び熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等が挙げられる。基板としてはまた、上述の基板の片面若しくは両面にパターン加工された（回路形成された）導体層を有し、配線板を製造する際に、さらに絶縁層および導体層が形成されるべき中間製造物となる所謂「内層回路基板」も挙げることができる。なお、本発明でいう「配線板」は、絶縁層と回路形成された導体層を有している限り、特に限定されず、多層プリント配線板、フレキシブルプリント配線板等の各種配線板が挙げられる。

工程（Ｉ−１）において、樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は特に限定されず、その硬化物が十分な硬度と絶縁性を有するものであればよい。例えば、極薄銅層付き接着フィルムについて説明した樹脂組成物を用いてよい。また、樹脂組成物層は、公知の方法で、基板上に設けることができる。例えば、樹脂組成物層は、極薄銅層付き接着フィルムの製造方法について説明した樹脂ワニスを用いる方法、接着フィルムを用いる方法等により、基板上に設けることができる。

工程（Ｉ−２）において、樹脂組成物層上に、本発明の極薄銅層付きフィルムを、極薄銅層が樹脂組成物層と接合するように積層する。工程（Ｉ−２）における積層は、［極薄銅層付き接着フィルムの製造方法］において、接着フィルムと極薄銅層付きフィルムとの積層について説明した方法と同様の方法を用いて実施することができる。なお、必要に応じて、樹脂組成物層と極薄銅層付きフィルムとの間にプリプレグを介在させて工程（Ｉ−２）を実施してもよい。プリプレグは、上記と同じものを用いることができる。

工程（Ｉ−３）において、樹脂組成物層を硬化させて絶縁層を形成する。工程（Ｉ−３）における樹脂組成物層の硬化処理は熱硬化処理であり、その条件は特に限定されず、プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常採用される条件を使用してよい。例えば、樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の組成によっても異なるが、一般に、硬化温度が１２０〜２００℃、硬化時間が１５〜９０分である。なお、しわ防止の観点から、硬化温度を段階的に又は連続的に上昇させながら樹脂組成物層を硬化させることが好ましい。

工程（Ｉ−３）の後、キャリア銅箔を剥離して、極薄銅層を露出させる。上記のとおり、銅以外の金属を含む材料からなる被覆層を有するキャリア銅箔を使用する本発明においては、ラミネート処理、熱硬化処理の後にもキャリア銅箔を極薄銅層から容易に剥離することが可能である。また、電子ビーム蒸着法により形成した極薄銅層は、ボイドを実質的に含まず強度が高いため、ラミネート処理、熱硬化処理の後にキャリア銅箔を剥離する際に傷が付きにくく、きれいな露出表面をもたらすことができる。

次いで、基板に対し、極薄銅層上から穴開けを行い、層間の電気接続のためにビアを形成する。ビアの形成は、例えば、ドリル、レーザー、プラズマ等を用いる公知の方法により行うことができ、必要によりこれらの方法を組み合わせて行ってもよい。中でも、レーザーを用いる方法が一般的である。ビアの開口の大きさは、搭載する部品の微細度に応じて選択されるが、トップ径３０μｍ〜５００μｍの範囲が好ましい。レーザー光源としては、例えば、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等が挙げられるが、特に加工速度、コストの観点から炭酸ガスレーザーが好ましい。

ビアを形成した後、ビア底下地に析出した樹脂の残渣（スミア）の除去を目的として、残渣除去（デスミア）処理を行う。デスミア処理は、公知の方法により行うことができ、例えば、プラズマによる乾式法、酸化剤溶液を使用する湿式法などが挙げられる。特に汎用性とスループットが高いことから、酸化剤溶液を使用した湿式法が好ましい。酸化剤溶液でデスミア処理する場合、膨潤液による膨潤処理、酸化剤溶液による酸化処理、中和液による中和処理をこの順に行うことが好ましい。膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン（株）製の「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ（Swelling Dip Securiganth P）」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ（Swelling Dip Securiganth SBU）」等を挙げることができる。膨潤処理は、ビアの形成された基板を、６０℃〜８０℃に加熱した膨潤液に５分間〜１０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。酸化剤溶液としては、アルカリ性過マンガン酸水溶液が好ましく、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解した溶液を挙げることができる。酸化剤溶液による粗化処理は、膨潤処理後の基板を、６０℃〜８０℃に加熱した酸化剤溶液に１０分間〜３０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。アルカリ性過マンガン酸水溶液の市販品としては、例えば、アトテックジャパン（株）社製の「コンセントレート コンパクトＣＰ」、「ド−ジングソリューション セキュリガンスＰ」等が挙げられる。中和液による中和処理は、粗化処理後の基板を、３０℃〜５０℃の中和液に３分間〜１０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン（株）製の「リダクションソリューシン・セキュリガントＰ」が挙げられる。
誘導加熱式蒸着法等によって形成した極薄銅層を利用する従来技術においては、上述のとおり、極薄銅層にボイドが存在する。そのため、デスミア時に、極薄銅層中のボイドを伝って酸化剤溶液が極薄銅層と絶縁層との界面に達し、界面近傍の絶縁層に作用する結果、極薄銅層と絶縁層との層間剥離を生じる場合があった。これに対し、電子ビーム蒸着法により形成した極薄銅層を利用する本発明においては、極薄銅層はボイドを実質的に含まないため、デスミア時の層間剥離を有利に防止することができる。

デスミア処理の後、最外層の極薄銅層を利用して配線パターンを形成することができる。好ましくは、最外層の極薄銅層をめっきシード層として利用してセミアディティブ法により配線パターンを形成する。ここで、本発明において形成される極薄銅層はめっきシード層として十分な厚さを有するが、さらに無電解めっきにより極薄銅層上に銅層を形成した後、配線パターンの形成に供してもよい。セミアディティブ法による配線パターンの形成においては、例えば、極薄銅層（めっきシード層）上に、所望の配線パターンに対応してめっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより導体層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチングなどにより除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。
なお、電解めっきによる導体層の厚さは所望の配線板のデザインによるが、一般的には、３〜３５μｍ、好ましくは５〜３０μｍである。

他の実施形態において、本発明の配線板は、本発明の極薄銅層付き接着フィルムを用いて、下記工程（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−２）を含む方法により製造することができる。
（ＩＩ−１）基板上に、極薄銅層付き接着フィルムを、樹脂組成物層が基板と接合するように積層する工程
（ＩＩ−２）樹脂組成物層を硬化させて絶縁層を形成する工程

工程（ＩＩ−１）における極薄銅層付き接着フィルムと基板との積層は、［極薄銅層付き接着フィルムの製造方法］において、接着フィルムと極薄銅層付きフィルムとの積層について説明した方法と同様の方法を用いて実施することができる。なお、必要に応じて、基板と極薄銅層付きフィルムとの間にプリプレグを介在させて工程（ＩＩ−１）を実施してもよい。プリプレグは、上記と同じものを用いることができる。
極薄銅層付き接着フィルムが、樹脂組成物層の極薄銅層と接合していない面（即ち、極薄銅層とは反対側の面）に保護フィルムを有する場合は、該保護フィルムを剥がした後に配線板の製造に供せばよい。

工程（ＩＩ−２）において、樹脂組成物層を硬化させて絶縁層を形成する。工程（ＩＩ−２）における樹脂組成物層の硬化処理は、上記工程（Ｉ−３）と同様の条件で行うことができる。

絶縁層を形成した後、極薄銅層付きフィルムを用いて配線板を製造する方法と同様に、キャリア銅箔の剥離、ビアの形成及びデスミア処理、配線パターンの形成を実施することができる。

さらに他の実施形態において、本発明の配線板は、本発明の銅張積層板を用いて製造することができる。

斯かる実施形態では、銅張積層板の極薄銅層を利用して配線パターンを形成する。配線パターンの形成は、極薄銅層付きフィルムを用いて配線板を製造する方法と同様である。

電子ビーム蒸着法により形成した極薄銅層を利用して製造される本発明の配線板は、絶縁層の表面粗さ（凹凸）が小さいにもかかわらず、該絶縁層表面に十分な剥離強度を呈する導体層を備える。ここで、配線板における絶縁層の表面粗さ、及び絶縁層と導体層との剥離強度は、銅張積層板におけるそれらの測定法と同様の方法を用いて測定することができる。

本発明の配線板に関しては、絶縁層表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１５０ｎｍ以下であることが好ましく、１３０ｎｍ以下であることがより好ましく、１１０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。絶縁層表面のＲａ値の下限は特に限定はされないが、０．５ｎｍ以上が好ましく、１ｎｍ以上がより好ましい。本発明の配線板は、絶縁層の表面粗さが上記範囲にあるにもかかわらず、該絶縁層表面に十分な剥離強度、即ち、０．４ｋｇｆ／ｃｍ以上、好ましくは０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上、より好ましくは０．６ｋｇｆ／ｃｍ以上、を呈する導体層を備える。剥離強度は高い程好ましいが、一般的に１．５ｋｇｆ／ｃｍが上限となる。

従来、絶縁層の表面粗さ（凹凸）に起因するアンカー効果によって、絶縁層と導体層との十分な密着性（剥離強度）を得るのが一般的であった。しかしながら、絶縁層の表面粗さ（凹凸）が大きいと、配線パターン形成時にエッチングで不要なめっきシード層を除去する際、アンカー部分のシード層が除去され難く、アンカー部分のめっきシード層を十分に除去し得る条件でエッチングした場合、配線パターンの溶解が顕著化し、微細配線化の妨げとなっていた。これに対し、電子ビーム蒸着法により形成した極薄銅層を利用して製造された本発明の配線板においては、上記のとおり、絶縁層の表面粗さ（凹凸）が小さいにもかかわらず、該絶縁層表面に十分な剥離強度を呈する導体層を備える。また、電子ビーム蒸着法により形成した極薄銅層を利用して製造される本発明の配線板は、電解めっきにより形成した極薄銅層を利用する従来技術とは異なり、微細配線形成時に短絡の原因となりやすい防錆処理を施す必要がない。したがって、本発明は、配線板の微細配線化に著しく寄与するものである。例えば、本発明の配線板は、導体回路幅（ライン；Ｌ）と導体回路間の幅（スペース；Ｓ）の比（Ｌ／Ｓ）が２０／２０μｍ以下、好ましくは１５／１５μｍ以下、より好ましくは１０／１０μｍ以下の微細配線を備えることができ、さらにはＬ／Ｓ比が８／８μｍ以下の微細配線であっても、短絡等の問題を生じることなく有利に備えることができる。

［半導体装置］
上記の配線板を用いて、半導体装置を製造することができる。

かかる半導体装置としては、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下において、「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を表す。

まず各種測定方法・評価方法について説明する。

＜デスミア時の層間剥離の評価＞
デスミア時の層間剥離の評価は、実施例及び比較例において配線板を製造する際に、デスミア処理後の試料について行った。具体的には、デスミア処理された基板を、水洗し、空気吹きつけにより水滴を除去した後、８０℃で１５分間乾燥させることにより試料を得た。得られた試料について極薄銅層と絶縁層との層間剥離を目視で観察し、層間剥離が確認されなかったものを「○」とし、層間剥離が確認されたものを「×」とした。

＜絶縁層表面の算術平均粗さ（Ｒａ）の測定＞
実施例及び比較例において得られた配線板の極薄銅層及び銅めっき層を銅エッチング液（塩化第二鉄水溶液）で除去し、非接触型表面粗さ計（ビーコインスツルメンツ製「ＷＹＫＯ ＮＴ３３００」）を用いて、ＶＳＩコンタクトモード、５０倍レンズにより測定範囲を１２１μｍ×９２μｍとして、絶縁層表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を求めた。なお、Ｒａは、それぞれ、ランダムに測定範囲を３箇所設定し、３箇所の測定値の平均値を採用した。

＜導体層の剥離強度の測定＞
導体層の剥離強度の測定は、ＪＩＳ Ｃ６４８１に準拠して行った。具体的には、実施例及び比較例において製造した配線板を１５０ｍｍ×３０ｍｍの小片に切断した。小片の導体層部分に、カッターで幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの切込みをいれ、導体層の一端をはがして掴み具で掴み、インストロン万能試験機を用いて室温中にて、５０ｍｍ／分の速度で垂直方向に３５ｍｍを引き剥がした時の荷重を測定し、剥離強度とした。

＜微細配線形成性の評価＞
微細配線形成性の評価は、実施例及び比較例において配線板を製造する際に、無電解銅めっき後の試料について行った。具体的には、無電解銅めっき層（めっきシード層）の表面を、５％硫酸水溶液で３０秒間処理し、パターン形成用ドライフィルム（ニチゴー・モートン（株）製「ＡＬＰＨＯ ２０Ａ２６３」、厚さ２０μｍ）をめっきシード層に積層した。積層は、バッチ式真空加圧ラミネーター（（株）名機製作所製「ＭＶＬＰ−５００」）を用いて、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下にした後、圧力０．１ＭＰａ、温度７０℃にて、２０秒間加圧して行った。その後、Ｌ（ドライフィルムライン）／Ｓ（スペース）＝８／８μｍ、１０／１０μｍ、１２／１２μｍ、１５／１５μｍ、２０／２０μｍのパターンのガラスマスクをドライフィルムの保護層であるポリエチレンテレフタレートフィルム上に置き、ＵＶランプにより照射強度１５０ｍＪ／ｃｍ^２にてＵＶ照射を行った。ＵＶ照射後、３０℃の１％炭酸ナトリウム水溶液を用いて噴射圧０．１５ＭＰａにて３０秒間スプレー処理した。その後、水洗を行い、ドライフィルムの現像（パターン形成）を行った。現像後、パターン形成されたドライフィルムが設けられためっきシード層に電解銅めっきを行い、導体層を形成した。次いで、５０℃の３％水酸化ナトリウム溶液を用いて噴射圧０．２ＭＰａにてスプレー処理し、ドライフィルムを剥離させた。その後、（株）荏原電産製のＳＡＣプロセスにて余分なめっきシード層を除去して配線板を形成した。得られた配線板は、全体厚さ３０μｍの導体層（銅層）を有していた。
得られた配線板について、導体層の剥離の有無を光学顕微鏡にて確認すると共に、不要なめっきシード層の残留の有無や短絡の有無を絶縁抵抗を測定することで確認した。その結果、すべてのＬ／Ｓについて微細配線を形成できたものを「○」とし、Ｌ／Ｓが１０／１０μｍ以下の場合に微細配線を形成できなかったものを「×」とした。

〔実施例１〕
下記方法に従って、極薄銅層付きフィルム１を製造した。

＜極薄銅層付きフィルム１の製造＞
キャリア銅箔として、厚さ１８μｍの銅箔（ＪＸ日鉱日石金属（株）製「ＨＬＰ」、被覆層（クロメート層／亜鉛層）／銅箔基材、被覆層表面のＲａ値１００ｎｍ）を用意した。該キャリア銅箔の被覆層上に、巻き取り式電子ビーム蒸着装置（アルバック（株）製「ＥＷＪシリーズ」）を用いて、真空度１ｘ１０^−６Ｐａ、ドラム温度２０℃、Ａｒビームを電子ビームとして、１６０００ｎｍ／分の蒸着速度にて、厚さ１０００ｎｍの極薄銅層を形成し、極薄銅層付きフィルム１を製造した。

得られた極薄銅層付きフィルム１について、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製集束イオンビーム／走査イオン顕微鏡「ＳＭＩ３０５０ＳＥ」を用いて断面ＳＥＭ観察を行った。断面ＳＥＭ写真を図１に示す。図１から把握されるように、得られた極薄銅層付きフィルム１の極薄銅層にはボイドがほとんど存在しないことが確認された。

得られた極薄銅層付きフィルム１を用いて、下記の方法に従って極薄銅層付き接着フィルム１を製造した。

＜極薄銅層付き接着フィルム１の製造＞
（１）接着フィルムの調製
液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０、三菱化学（株）製「ｊＥＲ８２８ＥＬ」）３０部、ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２６９、日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」）３０部、及びフェノキシ樹脂（重量平均分子量３８０００、三菱化学（株）製「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、固形分３０％のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）溶液）２０部を、ＭＥＫ１５部及びシクロヘキサノン１５部の混合溶剤に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、フェノールノボラック系硬化剤（フェノール性水酸基当量１２４、ＤＩＣ（株）製「ＬＡ−７０５４」、不揮発成分６０％のＭＥＫ溶液）２０部、ナフトール系硬化剤（水酸基当量２１５、東都化成（株）製「ＳＮ−４８５」、固形分５０％のＭＥＫ溶液）２０部、４級ホスホニウム系硬化促進剤（（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、北興化学工業（株）製「ＴＰＴＰ−ＳＣＮ」、不揮発成分１０％のジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）溶液）２部、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製、「ＫＢＭ−５７３」）で表面処理された球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」、単位面積当たりのカーボン量０．３６ｍｇ／ｍ^２）２００部、ポリビニルブチラール樹脂（積水化学工業（株）製「ＫＳ−１」、固形分１５％のエタノールとトルエンの１：１溶液）２０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを調製した。
次いで、得られた樹脂ワニスを、厚さ３８μｍのアルキド樹脂系離型層付きポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック（株）製「ＡＬ−５」)の離型層上に、ダイコータにて塗布し、熱風乾燥炉を用いて溶剤を除去し、接着フィルムを調製した。得られた接着フィルムの樹脂組成物層の厚さは４０μｍであった。
（２）極薄銅層付き接着フィルム１の製造
上記（１）で得た接着フィルムと極薄銅層付きフィルム１とを、接着フィルムの樹脂組成物層と、極薄銅層付きフィルム１の極薄銅層とが接合するように、９０℃にて１５秒間ラミネート処理して貼り合わせ、極薄銅層付き接着フィルム１を製造した。

得られた極薄銅層付き接着フィルム１を用いて、下記方法に従って配線板１を製造した。配線板１の製造過程において、デスミア時の層間剥離、微細配線形成性について評価すると共に、得られた配線板１について、絶縁層表面の算術平均粗さ（Ｒａ）、導体層の剥離強度を測定した。これらの結果を表１に示す。

＜配線板１の製造＞
（１）内層回路基板の下地処理
両面に厚さ１８μｍの銅層で回路が形成されているガラスエポキシ基板（内層回路基板）の両面を、メック（株）製「ＣＺ８１００」（アゾール類の銅錯体、有機酸を含む表面処理剤）に浸漬し、銅表面の粗化処理を行った。
（２）極薄銅層付き接着フィルム１の積層
極薄銅層付き接着フィルム１からアルキド樹脂系離型層付きポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離して、樹脂組成物層を露出させた後、バッチ式真空加圧ラミネーター（（株）名機製作所製「ＭＶＬＰ−５００」）を用いて、樹脂組成物層が内層回路基板と接合するように、内層回路基板の両面に積層した。積層は、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、１００℃で３０秒間ラミネート処理することで行った。
（３）樹脂組成物層の硬化
積層された極薄銅層付き接着フィルム１を、１６０℃で３０分間加熱し、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成した。これにより、内層回路基板の両面に、絶縁層と極薄銅層とが設けられた。
（４）キャリア銅箔の剥離
キャリア銅箔を剥離し、極薄銅層を露出させた。キャリア銅箔は容易に剥離することができ、極薄銅層の露出表面に傷はなかった。
（５）ブラインドビアの形成
上記（４）で得られた基板に対し、極薄銅層上から、日立ビアメカニックス（株）製の炭酸ガスレーザーにより、出力０．６ｗ、パルス幅３μｓ、ショット数２回の条件で、トップの開口径が６５μｍのブラインドビアを形成した。
（６）デスミア処理
デスミア処理は以下の手順で行った。即ち、ブラインドビアが形成された基板を、膨潤液（アトテックジャパン（株）製「スエリングディップ・セキュリガントＰ」）に８０℃で１０分間、次いで酸化剤溶液（アトテックジャパン（株）製「コンセントレート・コンパクトＰ」、過マンガン酸カリウム濃度約６％、水酸化ナトリウム濃度約４％の水溶液）に８０℃で２０分間、最後に中和液（アトテックジャパン（株）製「リダクションショリューシン・セキュリガントＰ」）に４０℃で５分間、浸漬した。デスミア処理後の基板を上記＜デスミア時の層間剥離の評価＞に付した。また、得られた基板のビア底を、ＳＥＭで観察したところ、樹脂残渣は確認されなかった。
（７）配線パターンの形成
デスミア処理後の基板について、無電解銅めっき（下記に詳述のアトテックジャパン（株）製の薬液を使用した無電解銅めっきプロセスを使用）を行った。無電解銅めっきの膜厚は１μｍであった。その後、上記＜微細配線形成性の評価＞において説明した方法に従って電解銅めっきを行い、全体厚さ３０μｍの導体層（銅層）を形成して配線板１を得た。

（アトテックジャパン（株）製の薬液を使用した無電解銅めっきプロセス）
１．アルカリクリーニング（樹脂表面の洗浄と電荷調整）
商品名：Cleaning cleaner Securiganth ９０２
条件：６０℃で５分
２．ソフトエッチング（ビア底、導体の銅の洗浄）
硫酸酸性ペルオキソ二硫酸ナトリウム水溶液
条件：３０℃で１分
３．プレディップ（次工程のＰｄ付与のための表面の電荷の調整）
商品名：Pre. Dip Neoganth B
条件：室温で１分
４．アクティヴェーター（樹脂表面へのＰｄの付与）
商品名：Activator Neoganth 834
条件：３５℃で５分
５．還元（樹脂に付いたＰｄの還元）
商品名：Reducer Neoganth WA
：Reducer Acceralator 810 mod.の混合液
条件：３０℃で５分
６．無電解銅めっき（樹脂表面（Ｐｄ表面）へのＣｕの析出）
商品名：Basic Solution Printganth MSK-DK
：Copper solution Printganth MSK
：Stabilizer Printganth MSK-DK
：Reducer Cuの混合液
条件：３５℃で２０分

〔実施例２〕
キャリア銅箔として、厚さ１８μｍの銅箔（ＪＸ日鉱日石金属（株）製「ＨＬＰ」、被覆層（クロメート層／亜鉛層）／銅箔基材、被覆層表面のＲａ値１００ｎｍ）に代えて、厚さ１８μｍの銅箔（三井金属鉱業（株）製「ＤＦＦ」、被覆層（クロメート層／亜鉛−ニッケル合金層）／銅箔基材；被覆層表面のＲａ値１００ｎｍ）を使用した以外は、実施例１と同様にして極薄銅層付きフィルム（以下、「極薄銅層付きフィルム２」という。）を製造した。得られた極薄銅層付きフィルム２について、断面ＳＥＭ観察を行った結果、極薄銅層にはボイドがほとんど存在しなかった。

得られた極薄銅層付きフィルム２を用いて、実施例１と同様にして、極薄銅層付き接着フィルム（以下、「極薄銅層付き接着フィルム２」という。）、配線板（以下、「配線板２」という。）を得た。配線板２の製造過程において、デスミア時の層間剥離、微細配線形成性について評価すると共に、得られた配線板２について、絶縁層表面の算術平均粗さ（Ｒａ）、導体層の剥離強度を測定した。これらの結果を表１に示す。

〔実施例３〕
極薄銅層付き接着フィルム１に代えて、下記の方法に従って調製した極薄銅層付き接着フィルム３を使用した以外は実施例１と同様にして配線板（以下、「配線板３」という。」）を得た。配線板３の製造過程において、デスミア時の層間剥離、微細配線形成性について評価すると共に、得られた配線板３について、絶縁層表面の算術平均粗さ（Ｒａ）、導体層の剥離強度を測定した。これらの結果を表１に示す。

＜極薄銅層付き接着フィルム３の製造＞
（１）接着フィルムの調製
液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０、三菱化学（株）製「ｊＥＲ８２８ＥＬ」）１５部と、ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２９１、日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」）１５部とを、ＭＥＫ１５部及びシクロヘキサノン１５部の混合溶剤に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、活性エステル系硬化剤（活性エステル当量２２３、ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ８０００−６５Ｔ」、固形分６５％のトルエン溶液）２０部、トリアジン含有クレゾールノボラック樹脂（フェノール当量１５１、ＤＩＣ（株）製「ＬＡ３０１８−５０Ｐ」、固形分５０％の２−メトキシプロパノール溶液）６部、硬化促進剤（広栄化学工業（株）製、「４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）」）０．０５部、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製、「ＫＢＭ−５７３」）で表面処理された球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」、単位面積当たりのカーボン量０．３６ｍｇ／ｍ^２）８８部、及びフェノキシ樹脂（重量平均分子量４００００、三菱化学（株）製「ＹＬ６９５４ＢＨ３０」、不揮発成分３０％のＭＥＫ溶液）７部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
次いで、得られた樹脂ワニスを、厚さ３８μｍのアルキド樹脂系離型層付きポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック（株）製「ＡＬ−５」)の離型層上に、ダイコータにて塗布し、熱風乾燥炉を用いて溶剤を除去し、接着フィルムを調製した。得られた接着フィルムの樹脂組成物層の厚さは４０μｍであった。
（２）極薄銅層付き接着フィルム２の製造
上記（１）で得た接着フィルムと極薄銅層付きフィルム１とを、接着フィルムの樹脂組成物層と、極薄銅層付きフィルム１の極薄銅層とが接合するように、９０℃にて１５秒間ラミネート処理して貼り合わせ、極薄銅層付き接着フィルム３を製造した。

〔比較例１〕
電子ビーム蒸着装置（アルバック（株）製「ＥＷＪシリーズ」）に代えて、誘導加熱方式の蒸着装置（アルバック（株）製「ＥＷＡシリーズ」）を使用し、真空度１ｘ１０^−６Ｐａ、ドラム温度２０℃、Ａｒビームを電子ビームとして、２００００ｎｍ／分の蒸着速度にて成膜した以外は実施例１と同様にして厚さ１０００ｎｍの極薄銅層を備える極薄銅層付きフィルム（以下、「極薄銅層付きフィルム４」という。）を製造した。得られた極薄銅層付きフィルム４について、断面ＳＥＭ観察を行った。断面ＳＥＭ写真を図２に示す。図２から把握されるように、得られた極薄銅層付きフィルム４の極薄銅層にはボイドが無数に存在することが確認された。

次いで、極薄銅層付きフィルム１に代えて、極薄銅層付きフィルム４を使用した以外は実施例１と同様にして極薄銅層付き接着フィルム（以下、「極薄銅層付き接着フィルム４」という。）、配線板（以下、「配線板４」という。）の製造を試みた。しかし、配線板４の製造において、キャリア銅箔が剥離し難く、極薄銅層が損傷した部分があった。また、極薄銅層が損傷していない部分についても、デスミア時又はデスミア後に層間剥離が生じ、微細配線を形成することはできなかった。

〔比較例２〕
キャリア銅箔として、厚さ１８μｍの銅箔（ＪＸ日鉱日石金属（株）製「ＨＬＰ」、被覆層（クロメート層／亜鉛層）／銅箔基材、被覆層表面のＲａ値１００ｎｍ）に代えて、厚さ１８μｍの電解銅箔((株)ＪＸ日鉱日石金属製「ＪＴＣ箔」、被覆層（クロメート層／亜鉛層）／銅箔基材、マット面のＲａ値３６０ｎｍ) を使用し、該電解銅箔のマット面に電子ビーム蒸着法により極薄銅層を形成した以外は、実施例１と同様にして極薄銅層付きフィルム（以下、「極薄銅層付きフィルム５」という。）を製造した。

次いで、極薄銅層付きフィルム１に代えて、極薄銅層付きフィルム５を使用した以外は実施例１と同様にして極薄銅層付き接着フィルム（以下、「極薄銅層付き接着フィルム５」という。）、配線板（以下、「配線板５」という。）を製造した。得られた配線板５の絶縁層表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は３００ｎｍ以上と大きく、微細配線を形成することはできなかった。

Claims (10)

1. キャリア銅箔及び極薄銅層を含む極薄銅層付きフィルムであって、
   キャリア銅箔が、銅箔基材と、該銅箔基材の表面を被覆する銅以外の金属を含む材料からなる被覆層とを有し、
   極薄銅層がキャリア銅箔の該被覆層と接合しており、
   該被覆層の、極薄銅層と接合する表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１５０ｎｍ以下であり、
   被覆層が、二層構造を有し、ニッケル、亜鉛、アルミニウム、クロメート、亜鉛合金、アルミニウム合金、クロム合金、及びクロメート合金からなる群から選択される１種以上の材料からなり、
   極薄銅層が電子ビーム蒸着法で形成されており、極薄銅層の厚さが５０ｎｍ〜５０００ｎｍである、極薄銅層付きフィルム。
2. １６０℃以上の熱を加えた後にキャリア銅箔を剥離することができる、請求項１に記載の極薄銅層付きフィルム。
3. 請求項１又は２に記載の極薄銅層付きフィルムと、該極薄銅層付きフィルムの極薄銅層と接合している樹脂組成物層とを含む、極薄銅層付き接着フィルム。
4. 下記工程（Ａ）及び（Ｂ）を含む、極薄銅層付きフィルムの製造方法。
   （Ａ）銅箔基材と、該銅箔基材の表面を被覆する銅以外の金属を含む材料からなる被覆層とを有し、被覆層が、二層構造を有し、ニッケル、亜鉛、アルミニウム、クロメート、亜鉛合金、アルミニウム合金、クロム合金、及びクロメート合金からなる群から選択される１種以上の材料からなり、該被覆層の露出表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１５０ｎｍ以下であるキャリア銅箔を用意する工程
   （Ｂ）キャリア銅箔の被覆層と接合するように、電子ビーム蒸着法により厚さ５０ｎｍ〜５０００ｎｍの極薄銅層を形成する工程
5. 工程（Ｂ）が、極薄銅層を１ｘ１０^−１Ｐａ以下の条件にて電子ビーム蒸着法により形成することを含む、請求項４に記載の極薄銅層付きフィルムの製造方法。
6. 下記工程（Ｃ）を含む、極薄銅層付き接着フィルムの製造方法。
   （Ｃ）請求項４又は５に記載の方法により製造された極薄銅層付きフィルムの極薄銅層と接合するように樹脂組成物層を設ける工程
7. 請求項１又は２に記載の極薄銅層付きフィルムと、プリプレグとを、前記極薄銅層が前記プリプレグに接するように加熱圧着してなる、銅張積層板。
8. 請求項３に記載の極薄銅層付き接着フィルムと、プリプレグとを、前記樹脂組成物層が前記プリプレグに接するように加熱圧着してなる、銅張積層板。
9. 請求項１又は２に記載の極薄銅層付きフィルム、請求項３に記載の極薄銅層付き接着フィルム、又は請求項７若しくは８に記載の銅張積層板を用いて得られる、配線板。
10. 請求項９に記載の配線板を含む半導体装置。