JP6069749B2 - 離型フィルム付銅箔 - Google Patents
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 187
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims description 100
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 87
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 87
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 67
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 61
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 19
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 19
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 claims description 4
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 198
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 description 40
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 32
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 17
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 16
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 16
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 15
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 15
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 14
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 14
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 5
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N edrophonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](C)(C)C1=CC=CC(O)=C1 BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004727 Noryl Substances 0.000 description 1
- 229920001207 Noryl Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- Laminated Bodies (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Description
近年の小型軽量化の図られた電子機器等に搭載するプリント配線板は、部品実装密度を向上させ狭小領域に配置されるため、ファインピッチ回路を形成することが求められてきた。
表面粗さRaはJIS B 0601-1994に定義される算術平均粗さのことであり、粗さ曲線からその平均線の方向に基準粗さ(l)だけ抜き取り、この抜き取り部分の平均線の方向にX軸を、X軸と直行する方向にY軸を取り、粗さ曲線をy=f(x)であらわしたときに、次の式によって求められる値である。
暗室中で民生用の写真用バックライトを光源にして目視で5μm以上のピンホールの数を測定した。測定は5平方m以上の面積を行い、1平方m辺りの数に換算した。
フィルム上に炭素層を600nmまで成膜し、ラマン分光スペクトルを測定した。得られたスペクトルデータから、1500cm−1以上1600cm−1以下の間のピーク値(ID)と1200cm−1以上1400cm−1以下の間のピーク値(IG)を求め、その比(ID/IG)を算出した。
フィルムの厚みを膜厚計DIGMICRO MFC-101を用いて測定した。またJIS K 7133に準じて120℃、30minの条件で加熱前の寸法L、加熱後の寸法L0から寸法変化率
ΔL=(L−L0)/L0×100
を算出した。測定はフィルムのMD方向およびTD方向で行い、値の大きな方を熱収縮率とした。
離型フィルム付銅箔を150mm×20mmの大きさにカットした。カットしたサンプルの銅層面を両面テープ(ナイスタック強力タイプ)でアクリル板に固定した。剥離層を介してフィルムを銅層から一部剥離してテンシロンに固定し、銅層を180°ピールで剥離して得られた値を1cm当りの剥離力に換算して剥離力とした。剥離力は0.1g/cm以上5.0g/cm未満の範囲を良好な範囲で◎とし、5.0g/cm以上10.0g/cm以下の範囲を剥離可能な範囲で○とした。
離型フィルム付銅箔340mm×340mmの大きさにカットして、プリプレグHL-832NXAとの張り合わせを行った。張り合わせは110℃、30min、0.5MPaの後、所定の温度で105min、3.0MPaの条件で真空プレスを行った。真空条件は60torr以下とした。所定の温度は160〜220℃とした。220℃で剥離可能であったものを◎、170℃以上で剥離可能であったものを○とした。
また、張り合わせた銅張品を150mm×20mmの大きさにカットした。カットしたサンプルのプリプレグ面を両面テープ(ナイスタック強力タイプ)でアクリル板に固定した。剥離層を介してフィルムを銅層から一部剥離してテンシロンに固定し、銅層を180°ピールで剥離して得られた値を1cm当りの剥離力に換算して剥離力とした。剥離力は0.1g/cm以上5.0g/cm未満の範囲を良好な範囲で◎とし、5.0g/cm以上10.0g/cm以下の範囲を剥離可能な範囲で○とした。
厚さ100μmの2軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、商標名‘ルミラー’タイプ:U483)に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.02μm、融点は262℃、120℃での収縮率は1.0%であった。
スパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kw、処理速度は2m/minを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は0.9であった。
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度6.6μm・m/min、ライン速度3.3m/minで2.0μmの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は0.4個/m2、表面粗さRaは0.02μmであった。
厚さ75μmの2軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、商標名‘ルミラー’タイプ:T60)に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.02μm、融点は262℃、120℃での収縮率は0.9%であった。
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度6.0μm・m/min、ライン速度6.0m/minで1.0mの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜を表面粗化剤CZ−8101(メック(株)製)で0.5μm研磨して銅層の膜厚を0.5μmとした。この蒸着膜のピンホール数は0.8個/m2、表面粗さRaは1.02μmであった。
厚さ50μmのポリイミドフィルム(東レ・デュポン(株)製、カプトン200EN)に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.03μm、融点は500℃以上、120℃での収縮率は0.1%以下であった。
スパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kw、処理速度は5.0m/minを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は0.95であった。
厚さ38μmの二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム(帝人デュポンフィルム(株)製、テオネックス)に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.05μm、融点は269℃、120℃での収縮率は0.9%であった。
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度6.0μm・m/min、ライン速度12.0m/minで0.5mの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。ただし、銅膜厚をあげるためにライン速度を上げたところ、3.0m/min以下で銅箔が一部剥がれてしまった。
この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は0.7g/cmであった。また真空プレス条件は220℃でも容易に剥離することができた。プレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は0.7g/cmであった。
厚さ20μmのポリイミドフィルム(東レ・デュポン(株)製、カプトン80EN)に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.03μm、融点は500℃以上、120℃での収縮率は0.1%以下であった。
スパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kw、処理速度は0.6m/minを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は0.95であった。
厚さ188μmの二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、商標名‘ルミラー’タイプ:T60)に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.04μm、融点は262℃、120℃での収縮率は1.1%であった。
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度6.0μm・m/min、ライン速度3.0m/minで2.0mの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレしてしまい1本シワが入ったが巻き取ることは出来た。この蒸着膜のピンホール数は0.4個/m2、表面粗さRaは0.04μmであった。
厚さ38μmの二軸延伸ポリテトラフルオロエチレン(三井デュポンフロロケミカル(株)製)に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.04μm、融点は327℃、120℃での収縮率は4.1%であった。
スパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kw、処理速度は2.0m/minを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は0.9であった。
厚さ75μmの二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、商標名‘ルミラー’タイプ:X10S)に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.15μm、融点は262℃、120℃での収縮率は1.1%であった。
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度6.0μm・m/min、ライン速度12.0m/minで0.5mの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は0.8個/m2、表面粗さRaは0.15μmであった。
厚さ40μmの2軸配向(王子エフテックス(株)製、)に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.05μm、融点は185℃、120℃での収縮率は1.8%であった。
スパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kw、処理速度は2m/minを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は0.9であった。
厚さ125μmの変性ポリフェニレンエーテルフィルム(SABIC(株)製、ノリルフィルム)に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.08μm、融点は207℃、120℃での収縮率は1.7%であった。
スパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kw、処理速度は2m/minを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は0.9であった。
厚さ38μmの二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム(帝人デュポンフィルム(株)製、テオネックス)に、大気圧プラズマCVD法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.05μm、融点は269℃、120℃での収縮率は0.9%であった。
スパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kw、処理速度は2.0m/minを採用した。C2H2ガスをN2ガスで希釈して用い、放電電圧は15kV、周波数30kHz、処理速度1.0m/minの条件を採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は0.5であった。
この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は9.8g/cmであった。また真空プレス条件は220℃でも容易に剥離することができた。プレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は9.2g/cmであった。
厚さ75μmの2軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、商標名‘ルミラー’タイプ:T60)に、グラビアコータ法で水溶性セルロース樹脂を2.5μmの厚さにコーティングし、剥離層をもつフィルムを作成した。フィルムの表面粗さRaは0.03μm、融点は262℃、120℃での収縮率は1.0%であった。
厚さ75μmの2軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、商標名‘ルミラー’)に、グラビアコータ法でメラミン樹脂を0.2μmの厚さにコーティングし、剥離層をもつフィルムを作成した。フィルムの表面粗さRaは0.03μm、融点は262℃、120℃での収縮率は1.0%であった。
厚さ38μmのポリイミドフィルム(東レ・デュポン(株)製、カプトン150ENC)に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.03μm、融点は500℃以上、120℃での収縮率は0.1%以下であった。
スパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kw、処理速度は2m/minを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は0.9であった。
厚さ75μmの2軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、商標名‘ルミラー’タイプ:T60)に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.02μm、融点は262℃、120℃での収縮率は1.0%であった。
厚さ75μmの2軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、商標名‘ルミラー’タイプ:T60)に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.03μm、融点は262℃、120℃での収縮率は1.0%であった。
厚さ36μmの銅箔(日本電解(株)製)に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型できるキャリア箔を作製した。スパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kw、処理速度は2m/minを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は0.9であった。
Claims (5)
- フィルムの一方の面に剥離層、銅層がこの順に設けられた離型フィルム付銅箔であって、該フィルムは高分子フィルムからなり、該剥離層は炭素層であり、該銅層は厚み0.3μm以上3.0μm以下であり、5μm以上のピンホール数が銅層に1平方mあたり1個以下であることを特徴とする離型フィルム付銅箔。
- 該銅層は該剥離層と接していない面の表面粗さRaが0.10μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の離型フィルム付銅箔。
- 該フィルムは厚みが25μm以上150μm以下であり、120℃での熱収縮率が2.0%以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の離型フィルム付銅箔。
- 該フィルムは少なくとも剥離層と接する面の表面粗Raが0.10μm以下であり、融点が200℃以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の離型フィルム付銅箔。
- 該炭素層は炭素原子から構成される層のみであり、ラマン分光スペクトルの1500cm−1以上1600cm−1以下の間のピークバンドに対する1200cm−1以上1400cm−1以下の間のピークバンドの強度比が0.6以上1.2以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の離型フィルム付銅箔。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013248869A JP6069749B2 (ja) | 2013-12-02 | 2013-12-02 | 離型フィルム付銅箔 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013248869A JP6069749B2 (ja) | 2013-12-02 | 2013-12-02 | 離型フィルム付銅箔 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015104891A JP2015104891A (ja) | 2015-06-08 |
JP2015104891A5 JP2015104891A5 (ja) | 2016-03-03 |
JP6069749B2 true JP6069749B2 (ja) | 2017-02-01 |
Family
ID=53435313
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013248869A Active JP6069749B2 (ja) | 2013-12-02 | 2013-12-02 | 離型フィルム付銅箔 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6069749B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6705094B2 (ja) * | 2015-07-30 | 2020-06-03 | 東レKpフィルム株式会社 | 離型フィルム付銅箔および離型フィルム付銅箔の製造方法 |
US10772219B2 (en) | 2015-12-25 | 2020-09-08 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Copper foil with carrier, copper foil with resin and method for manufacturing printed wiring board |
JP6671050B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2020-03-25 | 東レKpフィルム株式会社 | 離型フィルム付銅箔 |
JP2018009237A (ja) * | 2016-07-15 | 2018-01-18 | Jx金属株式会社 | キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
JP7151758B2 (ja) * | 2020-12-24 | 2022-10-12 | 住友金属鉱山株式会社 | 銅張積層板および銅張積層板の製造方法 |
CN112721381A (zh) * | 2021-01-21 | 2021-04-30 | 苏州佳值电子工业有限公司 | 一种用于笔记本电脑中的铜基导电复合膜及其制备方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004009357A (ja) * | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Toyo Metallizing Co Ltd | 金属蒸着/金属メッキ積層フィルム及びこれを用いた電子部品 |
JP4754402B2 (ja) * | 2006-05-17 | 2011-08-24 | 三井金属鉱業株式会社 | キャリア箔付銅箔、キャリア箔付銅箔の製造方法、キャリア箔付表面処理銅箔及びそのキャリア箔付表面処理銅箔を用いた銅張積層板 |
TW200804626A (en) * | 2006-05-19 | 2008-01-16 | Mitsui Mining & Smelting Co | Copper foil provided with carrier sheet, method for fabricating copper foil provided with carrier sheet, surface-treated copper foil provided with carrier sheet, and copper-clad laminate using the surface-treated copper foil provided with carrier she |
JP2009224369A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 配線基板用積層体及び配線基板 |
WO2010024368A1 (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | 味の素株式会社 | 金属膜付きフィルム |
JP2014004807A (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-16 | Toray Ind Inc | 積層フイルム |
JP6085919B2 (ja) * | 2012-08-31 | 2017-03-01 | 味の素株式会社 | 極薄銅層付きフィルム、極薄銅層付き接着フィルム、それらの製造方法、銅張積層板、及び配線板 |
-
2013
- 2013-12-02 JP JP2013248869A patent/JP6069749B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015104891A (ja) | 2015-06-08 |
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